JPS6399543A - ダイシングシ−トおよびダイシング方法 - Google Patents
ダイシングシ−トおよびダイシング方法Info
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- JPS6399543A JPS6399543A JP61245701A JP24570186A JPS6399543A JP S6399543 A JPS6399543 A JP S6399543A JP 61245701 A JP61245701 A JP 61245701A JP 24570186 A JP24570186 A JP 24570186A JP S6399543 A JPS6399543 A JP S6399543A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 17
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 claims description 11
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 claims 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 67
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 41
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 7
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 abstract description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N oxalic acid group Chemical group C(C(=O)O)(=O)O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid;dodecane Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1.CCCCCCCCCCCC LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003014 ion exchange membrane Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
２ページ
本発明は基板、特に半導体素子を形成した半導体基板を
完全切断する際に使用するダイシングシートおよびそれ
を用いた半導体基板のダイシング方法に関するものであ
る。
完全切断する際に使用するダイシングシートおよびそれ
を用いた半導体基板のダイシング方法に関するものであ
る。
従来の技術
従来のダイシングシート１は第５図に示す通り、樹脂シ
ート２の一主面に粘着性を有する接着剤３が形成された
構成で、半導体基板の切断は第６図に示す通り、のちの
分割工程・時間の削減のため半導体基板４は上記ダイシ
ングシート１に貼り付け、高速で回転する砥石５を半導
体基板厚＋１０〜２０μｍの切シ込み深さで切り込ませ
、半導体基板４を完全に切断して、個々の半導体小片６
に分離するものであった。
ート２の一主面に粘着性を有する接着剤３が形成された
構成で、半導体基板の切断は第６図に示す通り、のちの
分割工程・時間の削減のため半導体基板４は上記ダイシ
ングシート１に貼り付け、高速で回転する砥石５を半導
体基板厚＋１０〜２０μｍの切シ込み深さで切り込ませ
、半導体基板４を完全に切断して、個々の半導体小片６
に分離するものであった。
発明が解決しようとする問題点
第６図において半導体基板を保持するグイシングンーの
チャックテーブルγは半導体基板４を切断時、砥石５と
半導体基板４の切削摩擦で発生した静電気８で洗浄水９
が帯電するのを防止するため、チャックテーブル７は電
気的に外部に接地３べ一／′ １０され、静電気８を逃がす構成となっている。
チャックテーブルγは半導体基板４を切断時、砥石５と
半導体基板４の切削摩擦で発生した静電気８で洗浄水９
が帯電するのを防止するため、チャックテーブル７は電
気的に外部に接地３べ一／′ １０され、静電気８を逃がす構成となっている。
しかし、半導体基板４をダイシングシートに接着し、完
全切断を行なう場合では半導体基板４とチャックテーブ
ル７との間にダイシングシート１が介在するため、半導
体基板４とチャックテーブル７は互いに絶縁された状態
と々る。
全切断を行なう場合では半導体基板４とチャックテーブ
ル７との間にダイシングシート１が介在するため、半導
体基板４とチャックテーブル７は互いに絶縁された状態
と々る。
又、使用する洗浄水９は塵や半導体素子に影響を及ぼす
不純物を除去するためイオン交換膜で処理が施され、そ
れにより洗浄水９の比抵抗は１０〜１５ＭΩ−訓と非常
に高抵抗となる。従って、半導体基板４のダイシング時
、洗浄水９は砥石５と半導体基板４の切削摩擦で帯電し
、半導体基板４および、切断した半導体小片６に形成さ
れた半導体素子を静電破壊に至らせ、ダイシング歩留り
を著しく低下させるものであった。さらに、洗浄水９の
帯電の影響で切断時に発生する切削クズ１１が半導体基
板４．１．−よび、切断された半導体小片６の表面に付
着し、半導体素子の信頼性を著しく低下させ又、付着し
た切削クズ１１を除去するだめの洗浄工程が必要となり
、それによって半導体装置の製造コストがきわめて増加
する問題点を有していた。
不純物を除去するためイオン交換膜で処理が施され、そ
れにより洗浄水９の比抵抗は１０〜１５ＭΩ−訓と非常
に高抵抗となる。従って、半導体基板４のダイシング時
、洗浄水９は砥石５と半導体基板４の切削摩擦で帯電し
、半導体基板４および、切断した半導体小片６に形成さ
れた半導体素子を静電破壊に至らせ、ダイシング歩留り
を著しく低下させるものであった。さらに、洗浄水９の
帯電の影響で切断時に発生する切削クズ１１が半導体基
板４．１．−よび、切断された半導体小片６の表面に付
着し、半導体素子の信頼性を著しく低下させ又、付着し
た切削クズ１１を除去するだめの洗浄工程が必要となり
、それによって半導体装置の製造コストがきわめて増加
する問題点を有していた。
本発明はこれら問題点を解決するため、きわめて簡易な
構成・方法で半導体基板を切断する際の半導体素子の静
電破壊および、切削クズによる汚染を防止し、歩留りを
向上させることが可能なダイシングシートおよびダイシ
ング方法を提供するものである。
構成・方法で半導体基板を切断する際の半導体素子の静
電破壊および、切削クズによる汚染を防止し、歩留りを
向上させることが可能なダイシングシートおよびダイシ
ング方法を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明はこれら問題点を解決するため、ダイシングシー
トのベースである樹脂シートと半導体基板を接着・固定
する接着剤との間に水溶性材料を介在・形成させ、前記
水溶性材料に及ぶ深さで砥石を切り込ませ、半導体基板
を完全に切断、個々の半導体小片に分離するものである
。
トのベースである樹脂シートと半導体基板を接着・固定
する接着剤との間に水溶性材料を介在・形成させ、前記
水溶性材料に及ぶ深さで砥石を切り込ませ、半導体基板
を完全に切断、個々の半導体小片に分離するものである
。
作用
半導体基板切断の際、砥石の切り込み量を樹脂シートに
及ぶ深さで行ない、樹脂シート上に形成された水溶性材
料も同時に切断することにより、水溶性材料が洗浄水中
に溶解する。この時、水溶５ページ 性材料が水溶性導電剤であれば高抵抗な洗浄水は導電性
に変化し静電気による純水の帯電を防止、半導体素子の
静電破壊を発生させず又、界面活性剤であれば、切断時
に発生した切削クズを半導体基板表面から分離、させ汚
染不良の発生がない。
及ぶ深さで行ない、樹脂シート上に形成された水溶性材
料も同時に切断することにより、水溶性材料が洗浄水中
に溶解する。この時、水溶５ページ 性材料が水溶性導電剤であれば高抵抗な洗浄水は導電性
に変化し静電気による純水の帯電を防止、半導体素子の
静電破壊を発生させず又、界面活性剤であれば、切断時
に発生した切削クズを半導体基板表面から分離、させ汚
染不良の発生がない。
実施例
（実施例１）
第１図は本発明における第１の実施例で用いるダイシン
グシート２０の構造を示したもので、２１はダイシング
シート２００ペースである樹脂シート、２２は水溶性導
電剤、２３は半導体基板を接着固定するだめの粘着性を
有した接着剤である。樹脂シート２１の主面には水溶性
導電剤２２が形成され、さらにその表面に接着剤２３が
形成されている。水溶性導電剤にはしゅう酸（（ｃｏｏ
Ｈ）２など、水に溶解した際、電離・イオン化して水を
導電性に変化させる材料を使用することが出来る。
グシート２０の構造を示したもので、２１はダイシング
シート２００ペースである樹脂シート、２２は水溶性導
電剤、２３は半導体基板を接着固定するだめの粘着性を
有した接着剤である。樹脂シート２１の主面には水溶性
導電剤２２が形成され、さらにその表面に接着剤２３が
形成されている。水溶性導電剤にはしゅう酸（（ｃｏｏ
Ｈ）２など、水に溶解した際、電離・イオン化して水を
導電性に変化させる材料を使用することが出来る。
次に上記ダイシングシー）２０を用いた半導体基板のダ
イシング方法の一実施例を第２図を用いて説明する。
イシング方法の一実施例を第２図を用いて説明する。
６″−ジ
半導体基板２４の切断はのちの分割工程が不要である完
全切断で行ない砥石２５の切り込み量をたとえば半導体
基板２４の厚さ手抜着剤２３の厚さ十水溶性導電剤２２
の厚さ＋１０〜２０μｍとする。こうすることにより、
半導体基板２４は接着剤２３と水溶性導電剤２２と共に
切断され、切断溝２６はダイシングシート２０の樹脂シ
ート２１まで及ぶことになる。
全切断で行ない砥石２５の切り込み量をたとえば半導体
基板２４の厚さ手抜着剤２３の厚さ十水溶性導電剤２２
の厚さ＋１０〜２０μｍとする。こうすることにより、
半導体基板２４は接着剤２３と水溶性導電剤２２と共に
切断され、切断溝２６はダイシングシート２０の樹脂シ
ート２１まで及ぶことになる。
これにより、切断面から露出した水溶性導電剤２２と切
断時、砥石２６によって切削された水溶性導電剤２２が
それぞれ、洗浄水２７に溶解、水溶性導電剤２２は電離
・イオン化し洗浄水２７の比抵抗は低下し導電性を有す
る水質に変化する。
断時、砥石２６によって切削された水溶性導電剤２２が
それぞれ、洗浄水２７に溶解、水溶性導電剤２２は電離
・イオン化し洗浄水２７の比抵抗は低下し導電性を有す
る水質に変化する。
従って、半導体基板２４の切断時に発生する静電気２８
は導電性と変化した洗浄水２了を通過し、接地２９され
たチャックテーブル３０よシ外部に放出される。これに
より洗浄水２７の帯電は防止され、半導体基板２４およ
び、半導体小片３１に形成した半導体素子の静電破壊と
切削クズ３２の付着による汚染不良が発生しない。
は導電性と変化した洗浄水２了を通過し、接地２９され
たチャックテーブル３０よシ外部に放出される。これに
より洗浄水２７の帯電は防止され、半導体基板２４およ
び、半導体小片３１に形成した半導体素子の静電破壊と
切削クズ３２の付着による汚染不良が発生しない。
７ペーノ
（実施例２）
第３図は本発明における第２の実施例で用いるダイシン
グシート２０の構造を示したものである。
グシート２０の構造を示したものである。
なお、図面の番号は実施例１と同じである。２１はダイ
シングシート２０のベースである樹脂シート、３３は界
面活性剤、２３は接着剤である。樹脂シート２１の主面
には切断時に発生する切削クズが半導体基板に付着する
のを防止し、切削クズを半導体基板から分離させる界面
活性剤３３が形成され、さらにその表面には半導体基板
を貼り付けるだめの接着剤２３が形成されている。界面
活性剤３３にはたとえばラウリルベンゼンスルホン酸系
の材料を用いることが出来る。
シングシート２０のベースである樹脂シート、３３は界
面活性剤、２３は接着剤である。樹脂シート２１の主面
には切断時に発生する切削クズが半導体基板に付着する
のを防止し、切削クズを半導体基板から分離させる界面
活性剤３３が形成され、さらにその表面には半導体基板
を貼り付けるだめの接着剤２３が形成されている。界面
活性剤３３にはたとえばラウリルベンゼンスルホン酸系
の材料を用いることが出来る。
次に上記ダイシングシート２ｏを用いた半導体基板のダ
イシング方法の一実施例を第４図を用いて説明する。
イシング方法の一実施例を第４図を用いて説明する。
半導体基板２４の切断はのちの分割工程が不要である完
全切断で行ない、砥石２５の切り込み量をたとえば半導
体基板２４の厚さ士接着剤２３の厚さ」−界面活性剤３
３の厚さ＋１０〜２０μｍとする。こうすることにより
、半導体基板２４は接着剤２３と界面活性剤３３と共に
切断され、切断溝２６はダイシングシート２０の樹脂シ
ート２１まで及ぶことになり、これにより、切断面から
露出した界面活性剤３３と切断時、砥石２５によって切
削された界面活性剤３３がそれぞれ洗浄水２７に溶解し
、半導体基板２４の切断時に発生する切削クズ３２が半
導体基板２４および、切断された半導体小片３１０表面
に付着するのが防止される。又、界面活性剤３３が洗浄
水２７中に溶解・混合することにより、切断時の砥石２
５と半導体基板２４との切削抵抗が低減されるだめ、チ
ッピングの発生が抑制され、形成した半導体素子にダメ
ージを及ぼさず高歩留りなダイシングを行なう
□ことが可能となる。
全切断で行ない、砥石２５の切り込み量をたとえば半導
体基板２４の厚さ士接着剤２３の厚さ」−界面活性剤３
３の厚さ＋１０〜２０μｍとする。こうすることにより
、半導体基板２４は接着剤２３と界面活性剤３３と共に
切断され、切断溝２６はダイシングシート２０の樹脂シ
ート２１まで及ぶことになり、これにより、切断面から
露出した界面活性剤３３と切断時、砥石２５によって切
削された界面活性剤３３がそれぞれ洗浄水２７に溶解し
、半導体基板２４の切断時に発生する切削クズ３２が半
導体基板２４および、切断された半導体小片３１０表面
に付着するのが防止される。又、界面活性剤３３が洗浄
水２７中に溶解・混合することにより、切断時の砥石２
５と半導体基板２４との切削抵抗が低減されるだめ、チ
ッピングの発生が抑制され、形成した半導体素子にダメ
ージを及ぼさず高歩留りなダイシングを行なう
□ことが可能となる。
発明の詳細
な説明した通り、本発明によれば半導体基板の切断時に
発生する切削クズが、洗浄水の帯電によって半導体基板
および、切断された半導体小片の表面に付着することが
なく、半導体素子の汚染９ペー／゛ 不良の発生をきわめて効果的に防止出来る。又、これに
より、付着した切削クズを除去するだめの洗浄工程・設
備を必要せず、きわめて高信頼性で安価な半導体装置が
容易に実現出来る。さらに、砥石と半導体基板の切削抵
抗が低減されるだめ、チッピングが発生せずダイシング
歩留りが著しく向上出来るものである。
発生する切削クズが、洗浄水の帯電によって半導体基板
および、切断された半導体小片の表面に付着することが
なく、半導体素子の汚染９ペー／゛ 不良の発生をきわめて効果的に防止出来る。又、これに
より、付着した切削クズを除去するだめの洗浄工程・設
備を必要せず、きわめて高信頼性で安価な半導体装置が
容易に実現出来る。さらに、砥石と半導体基板の切削抵
抗が低減されるだめ、チッピングが発生せずダイシング
歩留りが著しく向上出来るものである。
第１図は本発明の第１実施例におけるダイシングシート
の断面図、第２図は本発明の第１実施例におけるダイシ
ング方法を示す工程断面図、第３図は本発明の第２実施
例におけるダイシングシートの断面図、第４図は本発明
の第２実施例におけるダイシング方法を示す工程断面図
、第５図は従来のダイシングシートの断面図、第６図は
従来のダイシング方法を示す工程断面図である。 ２０・・・・・・ダイシングシート、２１・・・・・・
樹脂シート、２２・・・・・・水溶性導電剤、２３・・
・・・・接着剤、２４・・・・・・半導体基板、２５・
・・・・・砥石、２７・・・・・・洗浄水、２８・・・
・・静電気、３０・・・・・・チャックテープ１０ベー
ン ル、３２・・・・・・切削クズ、３３・・・・・・界面
活性剤。
の断面図、第２図は本発明の第１実施例におけるダイシ
ング方法を示す工程断面図、第３図は本発明の第２実施
例におけるダイシングシートの断面図、第４図は本発明
の第２実施例におけるダイシング方法を示す工程断面図
、第５図は従来のダイシングシートの断面図、第６図は
従来のダイシング方法を示す工程断面図である。 ２０・・・・・・ダイシングシート、２１・・・・・・
樹脂シート、２２・・・・・・水溶性導電剤、２３・・
・・・・接着剤、２４・・・・・・半導体基板、２５・
・・・・・砥石、２７・・・・・・洗浄水、２８・・・
・・静電気、３０・・・・・・チャックテープ１０ベー
ン ル、３２・・・・・・切削クズ、３３・・・・・・界面
活性剤。
Claims (3)
- （１）可塑性樹脂シートの主面に形成された粘着性接着
剤と前記可塑性樹脂シートの間に少なくとも水溶性導電
剤を介在させて形成したダイシングシート。 - （２）可塑性樹脂シートの主面に形成された粘着性接着
剤と前記可塑性樹脂シートの間に少なくとも界面活性剤
を介在させて形成したダイシングシート。 - （３）可塑性樹脂シートの主面に粘着性接着剤を設けた
ダイシングシートの前記粘着性接着剤形成面に基板を貼
り付け、少なくとも前記可塑性樹脂シートに及ぶ深さの
溝を形成する様、砥石を切り込ませ貼り付けた前記基板
を切断するようにしたダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61245701A JPS6399543A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | ダイシングシ−トおよびダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61245701A JPS6399543A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | ダイシングシ−トおよびダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6399543A true JPS6399543A (ja) | 1988-04-30 |
Family
ID=17137520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61245701A Pending JPS6399543A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | ダイシングシ−トおよびダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6399543A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH049711U (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | ||
| DE19618895A1 (de) * | 1996-05-10 | 1997-11-13 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum Bearbeiten von Seitenflächen elektronischer Elemente |
| CN103087644A (zh) * | 2011-11-02 | 2013-05-08 | 琳得科株式会社 | 切割片及半导体晶片的的制造方法 |
-
1986
- 1986-10-16 JP JP61245701A patent/JPS6399543A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH049711U (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | ||
| DE19618895A1 (de) * | 1996-05-10 | 1997-11-13 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum Bearbeiten von Seitenflächen elektronischer Elemente |
| CN103087644A (zh) * | 2011-11-02 | 2013-05-08 | 琳得科株式会社 | 切割片及半导体晶片的的制造方法 |
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