JP2008115272A - 熱剥離性両面粘着シート及び被加工体の加工方法 - Google Patents

熱剥離性両面粘着シート及び被加工体の加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008115272A
JP2008115272A JP2006299737A JP2006299737A JP2008115272A JP 2008115272 A JP2008115272 A JP 2008115272A JP 2006299737 A JP2006299737 A JP 2006299737A JP 2006299737 A JP2006299737 A JP 2006299737A JP 2008115272 A JP2008115272 A JP 2008115272A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensitive adhesive
pressure
heat
workpiece
adhesive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006299737A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyuki Kiuchi
一之 木内
Yoshitoku Yoshida
良徳 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2006299737A priority Critical patent/JP2008115272A/ja
Priority to CN200780040736XA priority patent/CN101541905B/zh
Priority to PCT/JP2007/071033 priority patent/WO2008053840A1/ja
Priority to US12/311,980 priority patent/US20090288763A1/en
Priority to EP07830767.5A priority patent/EP2078741A4/en
Priority to KR1020097004892A priority patent/KR101333945B1/ko
Priority to TW96140908A priority patent/TWI466976B/zh
Publication of JP2008115272A publication Critical patent/JP2008115272A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/10—Encapsulated ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/06—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving heating of the applied adhesive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/26—Porous or cellular plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/40—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/124—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present on both sides of the carrier, e.g. double-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2400/00—Presence of inorganic and organic materials
    • C09J2400/20—Presence of organic materials
    • C09J2400/24—Presence of a foam
    • C09J2400/243—Presence of a foam in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68331—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding of passive members, e.g. die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]

Abstract

【課題】 一方の面に被加工体の表面側を貼り合わせ、他方の面に支持体を台座として貼り合わせて被加工体の裏面側に加工を施す際に、被加工体の表面に大きな凹凸がある場合であっても、支持体が浮いたり、それに起因して加工時に被加工体にクラックが発生しない熱剥離性両面粘着シートを提供する。
【解決手段】 熱剥離性両面粘着シートは、基材の一方の側の面に熱剥離性粘着層Ａ、他方の側の面に粘着層Ｂが設けられた熱剥離性両面粘着シートであって、前記基材が多孔質基材からなることを特徴とする。前記多孔質基材としては、密度０．９ｇ／ｃｍ3以下で且つ引張り弾性率２０ＭＰａ以下のものが好ましい。基材は多孔質基材と非多孔質基材との積層体で構成されていてもよい。粘着層Ｂを構成する接着剤として、例えば、感圧性接着剤、紫外線硬化型粘着剤、熱剥離型粘着剤、熱可塑型粘着剤、熱硬化型粘着剤などを使用できる。
【選択図】 図１

Description

本発明は熱剥離性両面粘着シートおよびそれを使用した被加工体の加工方法に関し、より詳細には、加熱処理により速やかに粘着力を低減でき、表面凹凸の大きい被加工体を加工するのに好適な熱剥離性両面粘着シートと、それを使用した被加工体の加工方法に関する。
従来、基材上に熱膨張性微小球含有の粘着層を設けた加熱剥離型粘着シートが知られていた（例えば、特許文献１〜４等）。これは、粘着層の加熱による発泡ないし膨張処理でその粘着力を低減できて、被着体より簡単に剥離できるようにしたものであり、例えばセラミックコンデンサの製造工程や半導体ウエハの研削工程における仮固定などに用いられている。特に、近年の半導体ウエハの薄型化に伴い、搬送時のウエハ割れなどを防止するために、ウエハとほぼ同寸の支持体を熱剥離性両面粘着シートで介して貼り合わせる、いわゆる台座方式が認知されたきた。
特公昭５１−２４５３４号公報 特開昭５６−６１４６８号公報 特開昭５６−６１４６９号公報 特開昭６０−２５２６８１号公報
しかしながら、近年の高機能半導体ウエハでは、ウエハパターン面にバンプに代表されるような大きな突起物、あるいはトランジスタに代表されるような大きな窪みなどが形成されているものがある。このような半導体ウエハに粘着シートを貼り合わせると、そのウエハ表面形状にシートが追従し、結果としてシート裏面側に形状転写される。その場合、台座方式にて支持体を貼り合わせる際には、気泡を噛み込んだり、ウエハ周辺部で支持体が浮いてしまうために、ウエハ裏面研削後に水進入やウエハクラックが発生する問題がある。
したがって、本発明の目的は、一方の面に被加工体の表面側を貼り合わせ、他方の面に支持体を台座として貼り合わせて被加工体の裏面側に加工を施す際に、被加工体の表面に大きな凹凸がある場合であっても、支持体が浮いたり、それに起因して加工時に被加工体にクラックが発生しない熱剥離性両面粘着シート、および該熱剥離性両面粘着シートを用いた被加工体の加工方法を提供することにある。
本発明者らは前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、熱剥離性両面粘着シートにおいて基材として特定の基材を用いると、表面凹凸の大きい被加工体を固定する場合にも、台座として用いる支持体の浮きや、それに起因して加工時に被加工体にクラックが発生するのを防止できることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、基材の一方の側の面に熱剥離性粘着層Ａ、他方の側の面に粘着層Ｂが設けられた熱剥離性両面粘着シートであって、前記基材が多孔質基材からなることを特徴とする熱剥離性両面粘着シートを提供する。
この熱剥離性両面粘着シートにおいて、多孔質基材としては、密度０．９ｇ／ｃｍ3以下で且つ引張り弾性率２０ＭＰａ以下のものが好ましい。基材は多孔質基材と非多孔質基材との積層体で構成されていてもよい。粘着層Ｂを構成する接着剤として、例えば、感圧性接着剤、紫外線硬化型粘着剤、熱剥離型粘着剤、熱可塑型粘着剤、熱硬化型粘着剤などを使用できる。
本発明は、また、上記の熱剥離性両面粘着シートの熱剥離性粘着層Ａ及び粘着層Ｂのうち何れか一方に被加工体を貼り合わせ、他方に支持体を貼り合わせる貼り合わせ工程、貼り合わせた被加工体を加工する加工工程、及び被加工体の加工後、加熱処理により被加工体を剥離回収する剥離回収工程を含む被加工体の加工方法を提供する。
この被加工体の加工方法において、被加工体として、電子部品、半導体ウエハなどが挙げられる。この方法は、特に、表面最大凹凸差が１０μｍ以上である面を有する被加工体を、前記面を熱剥離性両面粘着シートの粘着面に貼り合わせて加工するのに好適である。
本発明によれば、基材として多孔質基材を用いるので、凹凸緩和性に優れ、バンプウエハ等の表面凹凸の大きな被加工体に対しても、支持体を用いる台座方式で薄型研削などの加工を施すことが可能となる。
以下に、本発明を必要に応じて図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は本発明の熱剥離性両面粘着シートの一例を示す概略断面図である。この例では、基材１の一方の面に熱剥離性粘着層２、他方の面に粘着層３が設けられ、さらに熱剥離性粘着層２及び粘着層３の上にセパレータ４が積層されている。
基材１は、熱剥離性粘着層２及び粘着層３の支持母体となるもので、多孔質基材からなる。基材１は、多孔質基材のみで構成されていてもよく、多孔質基材と非多孔質基材との積層体で構成されていてもよい。本発明では、基材として少なくとも多孔質基材を用いるので、表面凹凸の大きい被加工体に加熱剥離型粘着シートを貼り付けた際に、凹凸分の体積が吸収されるため、粘着シートの裏面側に凹凸形状が表れない。従って、台座方式にて粘着シートの裏面側に支持体を貼り合わせる際に、気泡を噛み込んだり、支持体が浮いてウエハ裏面研削後に水が進入したり、ウエハクラックが起きたりするのを防止できる。
基材１の材料としては、粘着シートとしての取扱性等を損なわない範囲で適宜選択でき、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、エラストマー、その他の何れであってもよい。該材料として、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のオレフィン系樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂；ポリスチレン等のポリスチレン系樹脂；ポリ塩化ビニル等のビニル系樹脂；ポリウレタン系樹脂；ポリメチルメタアクリレート等のアクリル系樹脂；アクリル−ウレタン共重合体；セルロース系樹脂；ポリカーボネート系樹脂；ポリアミド系樹脂；ポリイミド系樹脂；ポリアミドイミド系樹脂；ポリスルホン系樹脂；フッ素系樹脂；ゴム系ポリマー等のプラスチックフィルム又はシートなどが挙げられる。
多孔質基材としては如何なる方法により形成されたものであってもよく、例えば、ポリマー溶液をフィルム状に流延した後に凝固液に導いて得られる多孔質フィルム、延伸処理を施して得られる多孔質フィルム、除去用微粒子を混入したフィルムから該微粒子を溶出処理等により除去して得られる多孔シルフィルム、フィルムにエンボス加工を施して得られる多孔質フィルム、ポリマーの粉末を加熱下に融着処理することにより得られる多孔質フィルム、化学発泡剤や物理発泡剤を用いて発泡させた発泡フィルム、熱膨張性微小球や中空ガラスビーズ等の中空フィラーを分散させたフィルム等の何れも使用することができる。前記中空ガラスビーズの平均粒径は、多孔質基材の厚み等を考慮して適宜選択できるが、一般には３〜２００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍである。また、前記熱膨張性微小球の平均粒径も、多孔質基材の厚み等を考慮して適宜設定でき、例えば、熱膨張後において３〜１００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍである。
多孔質基材の好ましい例として、ウレタンポリマー、アクリル系モノマー、光重合開始剤、および中空ガラスビーズ又は熱膨張性微小球からなる混合物を非多孔質基材等に塗布して塗膜を形成後、紫外線照射して得られるシート状物などが挙げられる。
多孔質基材の密度は、特に限定されないが、一般に０．９ｇ／ｃｍ3以下（例えば、０．２〜０．９ｇ／ｃｍ3程度）、好ましくは０．２５〜０．７ｇ／ｃｍ3程度である。密度は、室温２３℃、湿度５０％の環境下で、鋼尺でサンプル寸法（縦横）を、１／１０００ｍｍダイアルゲージにより厚さを測定し、さらに、１／１０００ｇデジタル重量計で質量を測定し、質量／体積により求められる（重量測定法）。多孔質基材の密度が０．９ｇ／ｃｍ3を超えると、凹凸吸収性が低下し、被着体を保持できない場合がある。
多孔質基材の引張り弾性率は、特に制限はないが、一般に２０ＭＰａ以下（例えば、０．１〜２０ＭＰａ）、好ましくは０．１〜１５ＭＰａ程度である。引張り弾性率は、引張り荷重測定機を用い、応力−歪み曲線から初期弾性率として求められる。多孔質基材の引張り弾性率が２０ＭＰａを超える場合には、凹凸吸収性が低下し、被着体を保持できない場合がある。
多孔質基材の厚さは、特に限定されるものではないが、切断性や凹凸吸収性等の観点から、一般に１０〜１０００μｍ、好ましくは２５〜５００μｍ、さらに好ましくは５０〜３００μｍ程度である。多孔質基材の厚さが１０μｍ未満の場合には、凹凸吸収性が低下しやすく、１０００μｍを超えると、切断性が低下しやすくなる。また、基材１を多孔質基材と非多孔質基材（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等からなる非多孔質基材）の積層体で構成した場合には、基材の総厚さは、例えば２０〜１１００μｍ、好ましくは３５〜５５０μｍ、さらに好ましくは６０〜３５０μｍ程度である。
基材１を多孔質基材と非多孔質基材との積層体で構成する場合、該積層体は、コーティング法、押出法、ドライラミネート法等の慣用のフィルム積層法により製造することができる。
熱剥離性粘着層２は、加熱により例えば膨張乃至発泡して被着体（被加工体）に対する接着力が低下し、剥離性を示す層である。熱剥離性粘着層２は、一般に熱膨張性微小球等の発泡剤と結合剤とで構成される。結合剤としては、熱膨張性微小球等の発泡剤の加熱による発泡及び／又は膨張を許容するポリマー類やワックス類などの適宜なものを使用できる。なかでも、熱膨張性微小球等の発泡剤の発泡及び／又は膨張をできる限り拘束しないものが好ましい。熱膨張性微小球等の発泡剤の加熱膨張性や被着体に対する接着力等の粘着特性の制御性の点より、特に好ましい結合剤は粘着剤である。
前記粘着剤としては、特に限定されず、例えばゴム系ポリマー、アクリル系ポリマー、ビニルアルキルエーテル系ポリマー、シリコーン系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、ウレタン系ポリマー、フッ素系ポリマー、スチレン−ジエンブロック共重合体系等のポリマーからなる粘着剤や、これらに融点約２００℃以下の熱溶融性樹脂を配合してクリープ特性を改良した粘着剤、放射線硬化型粘着剤、又はこれらに、例えば架橋剤（例えば、ポリイソシアネート、アルキルエーテル化メラミン化合物、エポキシ化合物など）、粘着付与剤（例えば、ロジン誘導体樹脂、ポリテルペン樹脂、石油樹脂、油溶性フェノール樹脂など）、可塑剤、軟化剤、充填剤、顔料、着色剤、老化防止剤、界面活性剤等の各種添加剤を配合したものなどを使用できる（特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭６１−１７４８５７号公報、特開昭６３−１７９８１号公報、特開昭５６−１３０４０号公報等参照）。これらの粘着剤は単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
熱剥離性粘着層２を構成する粘着剤としては、被着体に対する加熱前の適度な接着力の制御性と加熱による接着力の低減性とのバランスなどの点より、常温から１５０℃までの温度域における動的弾性率が５万〜１０００万ｄｙｎ／ｃｍ2のポリマーをベースポリマーとするものが好ましい。
一般には、前記粘着剤として、天然ゴムや各種の合成ゴムをベースポリマーとしたゴム系粘着剤；（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、イソノニルエステル、イソデシルエステル、ドデシルエステル、エイコシルエステルなどのＣ1-20アルキルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系重合体（単独重合体又は共重合体）をベースポリマーとするアクリル系粘着剤などが用いられる。
なお、前記アクリル系重合体は、凝集力、耐熱性、架橋性などの改質を目的として、必要に応じて、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他の単量体成分に対応する単位を含んでいてもよい。このような単量体成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピルなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミドなどのアミド基含有モノマー；（メタ）アクリル酸アミノエチルなどの（メタ）アクリル酸アミノアルキル系モノマー；（メタ）アクリル酸メトキシエチルなどの（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー；Ｎ−シクロヘキシルマレイミドなどのマレイミド系モノマー；Ｎ−メチルイタコンイミドなどのイタコンイミド系モノマー；Ｎ−（メタ）アクリロイルオキシメチレンスクシンイミドなどのスクシンイミド系モノマー；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、ビニルピリジン、スチレンなどのビニル系モノマー；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノアクリレートモノマー；（メタ）アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル系モノマー；（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコールなどのグリコール系アクリルエステルモノマー；（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリル、フッ素（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどの複素環、ハロゲン原子、ケイ素原子などを有するアクリル酸エステル系モノマー；ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレートなどの多官能モノマー；イソプレン、ブタジエン、イソブチレンなどのオレフィン系モノマー；ビニルエーテルなどのビニルエーテル系モノマー等が挙げられる。これらの単量体成分は１種又は２種以上使用できる。
前記熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻（シェル）内に内包させた微小球が挙げられる。前記殻は、熱溶融性物質や熱膨張により破壊する物質で形成される場合が多い。前記殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。熱膨張性微小球は、慣用の方法、例えば、コアセルベーション法、界面重合法などにより製造できる。なお、熱膨張性微小球には、例えば、商品名「マツモトマイクロスフェアー」［松本油脂製薬（株）製］などの市販品もある。
熱膨張性微小球の使用により、加熱による被着体の汚染度の増大を安定に抑制することができる。マイクロカプセル化していない発泡剤等では、粘着層を凝集破壊するためか、前記汚染度増大の抑制効果に乏しくなる。加熱により熱剥離性粘着層の接着力を効率よく且つ安定して低下させるため、体積膨張率が５倍以上、なかでも７倍以上、特に１０倍以上となるまで破裂しないような適度な強度を有する熱膨張性微小球が好ましい。
熱膨張性微小球の平均粒径は、熱剥離性粘着層２の厚み等に応じて適宜選択でき、一般は１００μｍ以下（例えば１〜１００μｍ）、好ましくは８０μｍ以下（例えば１〜８０μｍ）、さらに好ましくは１〜５０μｍであるが、これに限定されない。
熱膨張性微小球等の発泡剤の配合量は、熱剥離性粘着層２の膨張倍率や接着力の低減性等により適宜決定してよい。一般には、上記結合剤が粘着剤等の場合にはそのベースポリマー１００重量部に対して、１〜１５０重量部、好ましくは１０〜１３０重量部、さらに好ましくは２５〜１００重量部の範囲である。
熱剥離性粘着層２の厚さは、接着性及び加熱剥離時の接着力の低減性等を考慮して適宜選択でき、一般には３００μｍ以下（例えば１〜３００μｍ）、好ましくは２〜２００μｍ、さらに好ましくは５〜１５０μｍである。厚さが過小であると、熱膨張性微小球等の発泡剤に基づく表面の凹凸化により十分な接着力が発現しない場合がある。また、厚さが過大であると、加熱変形不良に基づく接着力に低減不足により被着体の剥離が円滑に行われない場合が生じる。
熱剥離性粘着層２の形成方法としては、例えば、熱膨張性微小球等の発泡剤と結合剤等の配合成分を必要に応じて溶媒を用いて混合し、その混合物を塗布方式等の適宜な方式で展開してシート状の層を形成する方法などにより行うことができる。前記混合物は基材１上に直接塗布等してもよく、適当なセパレータ（剥離紙等）上に塗布等して熱剥離性粘着層を形成し、これを基材１上に転写してもよい。
粘着層３としては、特に限定されず、ゴム系、アクリル系などの感圧性接着剤、紫外線硬化型粘着剤、熱剥離型粘着剤、熱可塑型粘着剤、熱硬化型粘着剤等、公知の粘着剤により構成できる。ゴム系、アクリル系感圧接着剤としては、上記ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤として例示したものを使用できる。粘着剤には、例えば架橋剤（例えば、ポリイソシアネート、アルキルエーテル化メラミン化合物、エポキシ化合物など）、粘着付与剤（例えば、ロジン誘導体樹脂、ポリテルペン樹脂、石油樹脂、油溶性フェノール樹脂など）、可塑剤、軟化剤、充填剤、顔料、着色剤、老化防止剤、界面活性剤等の各種添加剤を添加してもよい。
基材１を多孔質基材と非多孔質基材との積層体で構成する場合、粘着層３は多孔質基材側表面、非多孔質基材側表面の何れに設けてもよい。
粘着層３の厚さは、特に限定されないが、加工後の切断性や剥離性などの観点から、通常０．１〜５００μｍ、好ましくは１〜３００μｍ、さらに好ましくは５〜２５０μｍの範囲である。
本発明の熱剥離性両面粘着シートは、シート状、テープ状、ラベル状等の適宜な形態をとりうる。また、その際、熱剥離性粘着層２や粘着層３の保護を目的として、セパレータ４を仮着することができる。セパレータ４としては、例えば、シリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系などの適宜な離型剤をプラスチックフィルムや紙にコートしたものを使用できる。
本発明の加工方法は、前記本発明の熱剥離性両面粘着シートの熱剥離性粘着層２及び粘着層３のうち何れか一方に被加工体を貼り合わせ、他方に支持体を貼り合わせる貼り合わせ工程、貼り合わせた被加工体を加工する加工工程、及び被加工体の加工後、加熱処理により被加工体を剥離回収する剥離回収工程を含んでいる。
被加工体としては、特に限定されず、例えば、セラミックコンデンサ等の電子部品、半導体ウエハなどが挙げられる。本発明の方法では、基材が多孔質基材からなるため、熱剥離性両面粘着シートの熱剥離性粘着層２に貼着する側の表面に大きな凹凸を有する被着体であっても、前記多孔質基材により該凹凸が体積的に緩和、吸収される。そのため、熱剥離性両面粘着シートの粘着層３に剛直な支持体（台）を貼り付ける際に、該粘着層３に凹凸が表れず平滑な面を維持できることから、良好な支持体貼付け状態が得られる。従って、支持体（台）貼り合わせ後は、被加工体の強固な支持により、割れや水の進入などの不具合を生じることなく加工を施すことができる。従って、例えば、バンプ付き半導体ウエハやトランジスタ等の窪みが形成された半導体ウエハなどの表面最大凹凸差が１０μｍ以上（例えば、１０〜１５０μｍ、特に１５〜５０μｍ程度）の被加工体の裏面に加工（例えば研削加工等）を施す場合に、特に大きな効果が発揮される。
加工の種類としては特に限定されず、例えば、研削、切断、組み立て、積層、焼成などの加工が挙げられる。加工後の加熱処理は、例えば、ホットプレート、熱風乾燥機、近赤外線ランプ、エアードライヤーなどの適宜な加熱手段を利用して行うことができる。加熱温度は、熱剥離性粘着層２中の熱膨張性微小球等の発泡剤の熱膨張開始温度（発泡開始温度）以上であればよいが、加熱処理条件は、被着体の耐熱性、加熱方法などにより適宜設定できる。一般的な加熱処理条件としては、温度１００〜２５０℃で、１〜９０秒間（ホットプレートなど）又は１〜１５分間（熱風乾燥機など）である。
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
実施例１
ウレタンポリマー５０重量部、ブチルアクリレート４０重量部、アクリル酸１０重量部、光重合開始剤０．１５重量部からなるＵＶ（紫外線）反応性アクリルウレタンシロップＡ１００重量部に対して、中空ガラスビーズ（平均粒径６７μｍ）１０重量部を配合し、ＵＶ反応性アクリルウレタンシロップＢを調製した。ＵＶ反応性アクリルウレタンシロップＢを、厚さ２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、４００μｍの厚さで塗布し、乾燥後、ＵＶ照射により、総厚さ３２５μｍのＰＥＴ付き多孔質フィルム（アクリル−ウレタン共重合体からなる多孔質基材層／ＰＥＴフィルム）を得た。別途、ブチルアクリレート１００重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部からなるアクリル系ポリマーＡ１００重量部に対して、イソシアネート系架橋剤３重量部、熱膨張性微小球［商品名「マツモトマイクロスフェアーＦ３０１ＳＤ」、松本油脂製薬（株）製］２５重量部を配合した熱剥離性粘着剤ＡをＰＥＴセパレータ上に塗布、乾燥し、得られた厚さ２５μｍの熱剥離性粘着層を前記多孔質フィルムの多孔質側に転写した。また、ブチルアクリレート５０重量部、エチルアクリレート５０重量部、アクリル酸３．５重量部からなるアクリル系ポリマーＢ１００重量部に対して、エポキシ系架橋剤０．５重量部を配合したアクリル系粘着剤Ｂを厚さが２０μｍとなるようにＰＥＴセパレータ上に塗布、乾燥し、これを前記多孔質基材のＰＥＴフィルム側に転写し、熱剥離性両面粘着シートＡを得た。
実施例２
ブチルアクリレート１００重量部、アクリル酸４重量部からなるアクリル系ポリマー１００重量部に対して、イソシアネート系架橋剤［商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業（株）製］２．５重量部、熱膨張性微小球［商品名「マツモトマイクロスフェアーＦ８０ＶＳＤ」、松本油脂製薬（株）製］４０重量部を配合した熱膨張性粘着剤を、厚さ５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗布した後、１６０℃の加熱工程を通して、熱膨張性微小球を膨張させて、厚さ１７０μｍのＰＥＴ付き多孔質フィルム（アクリル系共重合体からなる多孔質基材層／ＰＥＴフィルム）を得た。以降は実施例１と同様の操作により、熱剥離性両面粘着シートＢを得た。
比較例１
中空ガラスビーズを配合しなかった点以外は、実施例１と同様の操作により、熱剥離性両面粘着シートＣを得た。なお、基材の層構成は、アクリル−ウレタン共重合体からなる非多孔質基材層／ＰＥＴフィルムである。
比較例２
厚さ２５０μｍのＰＥＴフィルムを基材として用いた以外は、実施例１と同様の操作により、熱剥離性両面粘着シートを得た。
評価試験
チップサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ、バンプ高さ４０μｍ、バンプピッチ１３０μｍ、ウエハ厚さ７２５μｍのフルアレイバンプウエハ（表面最大凹凸差：４０μｍ）に、実施例又は比較例で得られた熱剥離性両面粘着シートの熱剥離性粘着層を貼り合わせた後、裏面の粘着層にバンプウエハと同径のガラスウエハ（支持体）を貼り合わせ、ガラスウエハの浮き状態を目視で観察した。その後、バンプウエハの裏面を７５μｍ厚まで研削し、ウエハクラックの有無を目視で観察した。最後に、加熱処理（１２０℃熱風乾燥機中で３分間加熱）によりバンプウエハの加熱剥離性を検証した。なお、熱剥離性両面粘着シートとバンプウエハの貼り合わせには、商品名「ＤＲ３０００II−ＷＳ」［日東精機（株）製］、ガラスウエハの貼り合わせには、商品名「ＭＡ−３０００II−ＷＳ」［日東精機（株）製］、ウエハ研削には、商品名「ＤＦＧ−８４６０」［ディスコ社製］を用いた。結果を表１に示す。
なお、バンプ高さ及びウエハ厚さは、１／１０００ｍｍダイアルゲージにより直接測定し、バンプピッチは、デジタルマイクロスコープにより測定した。多孔質基材（層）［但し、比較例１では、アクリル−ウレタン共重合体からなる非多孔質基材（層）］の密度は、室温２３℃、湿度５０％の環境下で、鋼尺でサンプル寸法（縦横）を、１／１０００ｍｍダイアルゲージにより厚さを測定し、さらに１／１０００デジタル重量計で質量を測定し、質量／体積により求めた。引張り弾性率については、引張り荷重測定機を用い、応力−歪み曲線から初期弾性率を求めた。
Figure 2008115272
本発明の熱剥離性両面粘着シートの一例を示す概略断面図である。
符号の説明
１ 基材
２ 熱剥離性粘着層
３ 粘着層
４ セパレータ

Claims (7)

  1. 基材の一方の側の面に熱剥離性粘着層Ａ、他方の側の面に粘着層Ｂが設けられた熱剥離性両面粘着シートであって、前記基材が多孔質基材からなることを特徴とする熱剥離性両面粘着シート。
  2. 多孔質基材が密度０．９ｇ／ｃｍ3以下で且つ引張り弾性率２０ＭＰａ以下である請求項１記載の熱剥離性両面粘着シート。
  3. 基材が、多孔質基材と非多孔質基材との積層体で構成されている請求項１又は２記載の熱剥離性両面粘着シート。
  4. 粘着層Ｂが、感圧性接着剤、紫外線硬化型粘着剤、熱剥離型粘着剤、熱可塑型粘着剤又は熱硬化型粘着剤からなる請求項１〜３の何れかの項に記載の熱剥離性両面粘着シート。
  5. 請求項１〜４の何れかの項に記載の熱剥離性両面粘着シートの熱剥離性粘着層Ａ及び粘着層Ｂのうち何れか一方に被加工体を貼り合わせ、他方に支持体を貼り合わせる貼り合わせ工程、貼り合わせた被加工体を加工する加工工程、及び被加工体の加工後、加熱処理により被加工体を剥離回収する剥離回収工程を含む被加工体の加工方法。
  6. 被加工体が電子部品又は半導体ウエハである請求項５記載の被加工体の加工方法。
  7. 表面最大凹凸差が１０μｍ以上である面を有する被加工体を、前記面を熱剥離性両面粘着シートの粘着面に貼り合わせて加工する請求項５又は６記載の被加工体の加工方法。
JP2006299737A 2006-11-04 2006-11-04 熱剥離性両面粘着シート及び被加工体の加工方法 Pending JP2008115272A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006299737A JP2008115272A (ja) 2006-11-04 2006-11-04 熱剥離性両面粘着シート及び被加工体の加工方法
CN200780040736XA CN101541905B (zh) 2006-11-04 2007-10-29 热剥离性双面粘合片材及工件的加工方法
PCT/JP2007/071033 WO2008053840A1 (fr) 2006-11-04 2007-10-29 Feuille adhésive double face décollable sous l'action de la chaleur et procédé de traitement d'une pièce à travailler
US12/311,980 US20090288763A1 (en) 2006-11-04 2007-10-29 Thermally strippable double faced adhesive sheet and method of working work piece
EP07830767.5A EP2078741A4 (en) 2006-11-04 2007-10-29 DOUBLE-SIDED ADHESIVE SHEET REMOVABLE UNDER THE ACTION OF THE HEAT AND METHOD FOR TREATING A WORKPIECE
KR1020097004892A KR101333945B1 (ko) 2006-11-04 2007-10-29 열박리성 양면 점착 시트 및 피가공체의 가공 방법
TW96140908A TWI466976B (zh) 2006-11-04 2007-10-31 Hot peeling double sided adhesive sheet and processed body processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006299737A JP2008115272A (ja) 2006-11-04 2006-11-04 熱剥離性両面粘着シート及び被加工体の加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008115272A true JP2008115272A (ja) 2008-05-22

Family

ID=39344181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006299737A Pending JP2008115272A (ja) 2006-11-04 2006-11-04 熱剥離性両面粘着シート及び被加工体の加工方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090288763A1 (ja)
EP (1) EP2078741A4 (ja)
JP (1) JP2008115272A (ja)
KR (1) KR101333945B1 (ja)
CN (1) CN101541905B (ja)
TW (1) TWI466976B (ja)
WO (1) WO2008053840A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013203799A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Nitto Denko Corp 加熱剥離型粘着シート
JP2016146436A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 積水化学工業株式会社 表面に凹凸を有するウエハの処理方法
JP2017179132A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 積水化学工業株式会社 両面粘着テープ
WO2019221065A1 (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 積水化学工業株式会社 粘着テープ及び電子部品の製造方法
KR102406694B1 (ko) * 2021-07-15 2022-06-10 (주)인랩 온도 감응형 열발포 박리 테이프 및 이를 이용한 전자부품의 분리방법
KR20230107892A (ko) 2021-09-02 2023-07-18 가부시키가이샤 데라오카 세이사쿠쇼 열박리형 점착 테이프

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102027088B (zh) * 2008-05-14 2014-11-26 日东电工株式会社 涂膜保护用粘合片
JP4555885B2 (ja) * 2008-08-01 2010-10-06 積水化学工業株式会社 研磨材固定用両面粘着テープ及びその製造方法
CN102237286B (zh) * 2010-05-06 2014-08-06 万国半导体(开曼)股份有限公司 一种用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法
JP2011252095A (ja) * 2010-06-02 2011-12-15 Nitto Denko Corp 両面粘着テープ
WO2013010326A1 (en) * 2011-07-20 2013-01-24 Henkel Ag & Co. Kgaa Ready to use gasket
CN103031073A (zh) * 2011-09-14 2013-04-10 苏州安洁科技股份有限公司 一种带有防护功能的离型膜
JP6000595B2 (ja) * 2012-03-27 2016-09-28 日東電工株式会社 電子部品切断用加熱剥離型粘着シート及び電子部品加工方法
KR101908290B1 (ko) 2012-04-03 2018-10-16 동우 화인켐 주식회사 양면 점착 시트 및 이를 구비한 화상 표시 장치
CN103101319A (zh) * 2013-02-22 2013-05-15 珠海纳思达企业管理有限公司 一种耗材盒用芯片的再生方法
JP6346170B2 (ja) * 2013-04-05 2018-06-20 ニッタ株式会社 仮固定用両面粘着テープ
KR102121206B1 (ko) * 2013-08-12 2020-06-10 엘지디스플레이 주식회사 열박리형 양면 점착 시트 및 그 제조방법
KR101600686B1 (ko) 2014-05-21 2016-03-08 주식회사 대현에스티 Uv 경화시스템을 이용한 가열 박리형 점착시트 또는 테이프의 제조방법
CN106298438A (zh) * 2015-05-13 2017-01-04 苏州美图半导体技术有限公司 一种利用双面黏性薄膜对衬底进行加工的方法
WO2017038466A1 (ja) * 2015-09-02 2017-03-09 株式会社アルバック ワーク保持体および成膜装置
JP6884790B2 (ja) * 2016-09-16 2021-06-09 日本ゼオン株式会社 積層シートとその製造方法
WO2018235217A1 (ja) * 2017-06-22 2018-12-27 株式会社寺岡製作所 アクリル樹脂組成物、粘着剤組成物、粘着シート用基材及び粘着シート
US11348619B2 (en) * 2020-07-16 2022-05-31 Western Digital Technologies, Inc. Dual gasket for manufacturing of hermetically-sealed hard disk drive
CN112724859B (zh) * 2020-12-25 2022-04-05 浙江荷清柔性电子技术有限公司 柔性芯片粘接膜、制备方法和柔性芯片的封装方法
DE102021201684A1 (de) * 2021-02-23 2022-08-25 Tesa Se Mehrschichtiges Klebeband mit geschäumten Nachstrichmassen zur Verbesserung der Kälteschlagbeständigkeit
JP2023009805A (ja) * 2021-07-08 2023-01-20 Dic株式会社 粘着テープ及び電子機器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05287245A (ja) * 1992-04-14 1993-11-02 Teraoka Seisakusho:Kk 両面粘着テープ
JP2000248241A (ja) * 1999-03-02 2000-09-12 Sliontec Corp 感圧性両面接着テープ及びその製造方法
JP2005116610A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2005239884A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2006123092A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Okamoto Machine Tool Works Ltd ウエハ保持用バッキング材およびそれを備える研磨ヘッド構造

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE374759B (ja) 1969-03-24 1975-03-17 Litton Business Systems Inc
JPS5396469A (en) 1977-02-01 1978-08-23 Nitto Electric Ind Co Structure for holding electronic parts and others
JPS5661469A (en) 1979-10-23 1981-05-26 Matsumoto Yushi Seiyaku Kk Hot-bonding adhesive
JPS5661468A (en) 1979-10-23 1981-05-26 Matsumoto Yushi Seiyaku Kk Releasable adhesive
JPS60252681A (ja) 1984-05-30 1985-12-13 F S K Kk 熱剥離性粘着シ−ト
JPH0666749B2 (ja) 1985-01-30 1994-08-24 日本電気株式会社 分岐回路
JPS6317981A (ja) 1986-07-09 1988-01-25 F S K Kk 粘着シ−ト
CN1137028C (zh) * 1998-11-20 2004-02-04 琳得科株式会社 压敏粘合片及其使用方法
US7214424B2 (en) * 1999-03-01 2007-05-08 Nitto Denko Corporation Heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet
JP2000248240A (ja) * 1999-03-01 2000-09-12 Nitto Denko Corp 加熱剥離型粘着シート
JP4449023B2 (ja) * 2000-06-21 2010-04-14 ヤスハラケミカル株式会社 紙塗工用防湿性ホットメルト組成物およびこれを用いた防湿紙
JP4651805B2 (ja) * 2000-11-08 2011-03-16 日東電工株式会社 加熱剥離型粘着シート
JP3853247B2 (ja) * 2002-04-16 2006-12-06 日東電工株式会社 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品
EP1692240A2 (en) * 2003-12-12 2006-08-23 3M Innovative Properties Company Pressure sensitive adhesive composition and article
JP4275522B2 (ja) * 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2005101628A (ja) * 2004-10-25 2005-04-14 Nitto Denko Corp 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品
JP2006152308A (ja) * 2005-12-28 2006-06-15 Nitto Denko Corp 電子部品の切断方法
JP5132064B2 (ja) * 2006-03-02 2013-01-30 日東電工株式会社 加熱剥離性粘着シート

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05287245A (ja) * 1992-04-14 1993-11-02 Teraoka Seisakusho:Kk 両面粘着テープ
JP2000248241A (ja) * 1999-03-02 2000-09-12 Sliontec Corp 感圧性両面接着テープ及びその製造方法
JP2005116610A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2005239884A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2006123092A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Okamoto Machine Tool Works Ltd ウエハ保持用バッキング材およびそれを備える研磨ヘッド構造

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013203799A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Nitto Denko Corp 加熱剥離型粘着シート
JP2016146436A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 積水化学工業株式会社 表面に凹凸を有するウエハの処理方法
JP2017179132A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 積水化学工業株式会社 両面粘着テープ
WO2019221065A1 (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 積水化学工業株式会社 粘着テープ及び電子部品の製造方法
KR102406694B1 (ko) * 2021-07-15 2022-06-10 (주)인랩 온도 감응형 열발포 박리 테이프 및 이를 이용한 전자부품의 분리방법
KR20230107892A (ko) 2021-09-02 2023-07-18 가부시키가이샤 데라오카 세이사쿠쇼 열박리형 점착 테이프

Also Published As

Publication number Publication date
EP2078741A4 (en) 2013-04-24
KR20090077038A (ko) 2009-07-14
CN101541905B (zh) 2013-05-01
TWI466976B (zh) 2015-01-01
US20090288763A1 (en) 2009-11-26
TW200844204A (en) 2008-11-16
KR101333945B1 (ko) 2013-11-27
EP2078741A1 (en) 2009-07-15
CN101541905A (zh) 2009-09-23
WO2008053840A1 (fr) 2008-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008115272A (ja) 熱剥離性両面粘着シート及び被加工体の加工方法
JP4703833B2 (ja) エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
TWI303656B (en) Heat-peelable double-faced pressure-sensitive adhesive sheet, method of processing adherend
JP4651799B2 (ja) エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
JP3853247B2 (ja) 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品
JP3594853B2 (ja) 加熱剥離型粘着シート
JP6000595B2 (ja) 電子部品切断用加熱剥離型粘着シート及び電子部品加工方法
KR101345484B1 (ko) 열박리성 점착 시트 및 피착체 회수 방법
JP5921927B2 (ja) 加熱剥離型粘着シート
JP4877689B2 (ja) エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
JP4651805B2 (ja) 加熱剥離型粘着シート
JP6000958B2 (ja) 電子部品切断用加熱剥離型粘着シート及び電子部品切断方法
JP2005179496A (ja) 加熱剥離型粘着シート
JP2005116610A (ja) 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2009035635A (ja) 非汚染性熱剥離型粘着シート
JP5036270B2 (ja) 加熱剥離型粘着シートおよびこの加熱剥離型粘着シートを用いた半導体チップの製造方法
JP2006152308A (ja) 電子部品の切断方法
JP2009040930A (ja) 被着体の剥離方法、及び、該被着体の剥離方法に使用される加熱剥離型粘着シート
JP2008297412A (ja) 熱剥離型粘着シート
JP2007070521A (ja) 紫外線硬化型加熱剥離性粘着シート及び切断片の分別回収方法
JP2007238789A (ja) 加熱剥離型粘着シート及びチップ部品の製造方法
JP2005101628A (ja) 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品
JP3804805B2 (ja) 加熱剥離型粘着シート
JP2003089777A (ja) 熱剥離型ダイ接着用シート、およびチップ状ワーク切断片のキャリアへの固定方法
JP2002332458A (ja) 両面粘着シートの貼り合わせ方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111004

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120904

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130108