CN101541905A - 热剥离性双面粘合片材及工件的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了热剥离性双面粘合片材，其在将一个表面与工件的表面侧粘合、另一个表面与作为底座的支撑体粘合来加工工件的背面侧时，即使在工件的表面具有大的凹凸的情况下，也不会发生支撑体的浮起和由此引起的加工时工件出现裂纹。一种热剥离性双面粘合片材，其特征在于，所述片材是在基材一侧的表面上设有热剥离性粘合层A，在另一侧的表面上设有粘合层B的热剥离性双面粘合片材，前述基材包括多孔质基材。作为前述多孔质基材，优选密度为0.9g/cm3以下并且拉伸弹性模量为20MPa以下的物质。所述基材还可以由多孔质基材与非多孔质基材的层压体构成。作为构成粘合层B的粘结剂，例如可以使用压敏性粘结剂、紫外线固化型粘合剂、热剥离型粘合剂、热塑型粘合剂、热固化型粘合剂等。

Description

热剥离性双面粘合片材及工件的加工方法
技术领域
本发明涉及热剥离性双面粘合片材以及使用该片材加工工件的方法，更具体地说，本发明涉及通过加热处理能够快速降低粘合力、适于加工表面凹凸大的工件的热剥离性双面粘合片材以及使用该片材加工工件的方法。
背景技术
以往，已知在基材上设有含热膨胀性微球的粘合层的加热剥离型粘合片材(例如专利文献1～4等)。这种片材是：利用对粘合层进行加热的发泡或膨胀处理来降低其粘合力，从而能够简单地从被粘合体剥离，例如，在陶瓷电容器的制造工序、半导体晶片的磨削工序中用于暂时固定等。尤其，随着近年来半导体晶片的薄型化，为了防止搬运时晶片破裂等，用热剥离性双面粘合片材将与晶片尺寸大致相同的支撑体和晶片粘合的所谓底座方式已被认识。
专利文献1：日本特公昭51-24534号公报
专利文献2：日本特开昭56-61468号公报
专利文献3：日本特开昭56-61469号公报
专利文献4：日本特开昭60-252681号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在近年来的高功能半导体晶片中，有在晶片图案面上形成以凸块为代表的大的突起物或者以晶体管为代表的大的凹坑等的半导体晶片。在将粘合片材与这种半导体晶片粘合时，片材迎合该晶片表面形状，结果，晶片表面形状被转印在片材背面侧。在这种情况下，在以底座方式粘合支撑体时，存在截留气泡的问题，或者存在由于在晶片周边部支撑体浮起，在晶片背面磨削后有水进入以及出现晶片裂纹的问题。
因此，本发明的目的是提供热剥离性双面粘合片材以及使用该热剥离性双面粘合片材加工工件的方法，其中，所述热剥离性双面粘合片材的一个面与工件的表面侧粘合、将另一个面与作为底座的支撑体粘合并且对工件的背面侧实施加工时，即使工件的表面具有大的凹凸的情况下，也不会发生支撑体浮起、由此引起的加工时工件出现裂纹。
解决问题的方法
本发明人等为了解决前述问题进行了专心致志的研究，结果发现，在热剥离性双面粘合片材中，使用特定基材作为基材时，即使在将表面凹凸大的工件固定的情况下，也能防止作为底座使用的支撑体的浮起、由此引起的加工时工件出现裂纹，从而完成了本发明。
即，本发明提供了热剥离性双面粘合片材，其特征在于，所述片材是在基材一侧的表面上设有热剥离性粘合层A，在另一侧的表面上设有粘合层B的热剥离性双面粘合片材，前述基材包括多孔质基材。
在该热剥离性双面粘合片材中，作为多孔质基材，优选密度为0.9g/cm3以下并且拉伸弹性模量为20MPa以下的物质。所述基材也可以由多孔质基材与非多孔质基材的层压体构成。作为构成粘合层B的粘结剂，例如可以使用压敏性粘结剂、紫外线固化型粘合剂、热剥离型粘合剂、热塑型粘合剂、热固化型粘合剂等。
本发明另外提供了工件的加工方法，该方法包括：将工件粘合于上述热剥离性双面粘合片材的热剥离性粘合层A和粘合层B中的任意一个层上、并将支撑体粘合于热剥离性粘合层A和粘合层B中的另外一个层上的粘合工序；加工被粘合的工件的加工工序；以及在工件的加工后，通过加热处理剥离回收工件的剥离回收工序。
在该工件的加工方法中，作为工件，可以列举电子部件、半导体晶片等。该方法尤其对于将具有表面最大凹凸差为10μm以上的表面的工件的所述表面粘合于热剥离性双面粘合片材的粘合面上来进行加工是合适的。
发明效果
根据本发明，由于使用多孔质基材作为基材，凹凸缓和性优异，即使对于凸块晶片等表面凹凸大的工件，也能够以使用支撑体的底座方式实施薄型磨削等加工。
附图说明
图1是示出了本发明的热剥离性双面粘合片材的一个实例的示意性截面图。
附图标记说明
1 基材
2 热剥离性粘合层
3 粘合层
4 隔片
具体实施方式
以下根据需要参照附图来详细地说明本发明。图1是示出了本发明的热剥离性双面粘合片材的一个实例的示意性截面图。在该实例中，在基材1的一个表面上设有热剥离性粘合层2，在基材1的另一个表面上设有粘合层3，此外，隔片4层压在热剥离性粘合层2和粘合层3上。
基材1成为热剥离性粘合层2和粘合层3的支撑基体，其包括多孔质基材。基材1可以仅由多孔质基材构成，也可以由多孔质基材与非多孔质基材的层压体构成。在本发明中，由于至少使用多孔质基材作为基材，在将加热剥离型粘合片材粘合于表面凹凸大的工件上时，因为凹凸部分的体积被吸收，凹凸形状不表现在粘合片材的背面侧。因此，以底座方式将支撑体粘合于粘合片材的背面侧时，能够防止下列情况发生：截留气泡；支撑体浮起，晶片背面磨削后水进入；以及发生晶片裂纹。
作为基材1的材料，可以在不损害粘合片材的使用性等范围内来适宜选择，可以是热塑性树脂、热固化性树脂、弹性体、其它材料的任何一种。作为该材料，例如可以列举聚乙烯、聚丙烯等烯烃系树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯系树脂；聚苯乙烯等聚苯乙烯系树脂；聚氯乙烯等乙烯系树脂；聚氨酯系树脂；聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系树脂；丙烯酸-尿烷共聚物；纤维素系树脂；聚碳酸酯系树脂；聚酰胺系树脂；聚酰亚胺系树脂；聚酰胺酰亚胺系树脂；聚砜系树脂；氟系树脂；橡胶系聚合物等的塑料薄膜或片材等。
作为多孔质基材，可以通过任何方法形成，例如，可以使用下列薄膜的任何一种：将聚合物溶液流延为薄膜状，然后引入到凝固液中而获得的多孔质薄膜；通过拉伸处理获得的多孔质薄膜；通过溶出处理等从混入有除去用微粒的薄膜中除去该微粒而获得的多孔质薄膜；通过对薄膜实施压花加工而获得的多孔质薄膜；通过在加热下对聚合物的粉末进行熔融处理而获得的多孔质薄膜；使用化学发泡剂或物理发泡剂发泡所获得的发泡薄膜；分散有热膨胀性微球、空心玻璃珠粒等空心填料的薄膜等。考虑到多孔质基材的厚度等，可以适当选择前述空心玻璃珠粒的平均粒径，所述平均粒径通常为3～200μm，优选为10～100μm。另外，考虑到多孔质基材的厚度等，也可以适宜设定前述热膨胀性微球的平均粒径，例如在热膨胀后为3～100μm，优选为10～100μm。
作为多孔质基材的优选实例，可以列举将由聚氨酯聚合物、丙烯酸系单体、光聚合引发剂和空心玻璃珠粒或热膨胀性微球构成的混合物涂布于非多孔质基材等上，形成涂膜，然后照射紫外线而获得的片状物等。
对多孔质基材的密度没有特定限制，通常为0.9g/cm3以下(例如大约0.2～0.9g/cm3)，优选大约0.25～0.7g/cm3。密度通过下述方法求得(重量测定法)：在室温23℃、湿度50％的环境下，用钢尺测定样品尺寸(长度和宽度)，通过1/1000mm测微仪(dial gauge)测定厚度，此外用1/1000g数字重量计测定质量，通过质量/体积比来求得密度。多孔质基材的密度超过0.9g/cm3时，凹凸吸收性降低，有可能不能粘住被粘合体。
对多孔质基材的拉伸弹性模量没有特定限制，通常为20MPa以下(例如0.1～20MPa)，优选大约0.1～15MPa。对于拉伸弹性模量，使用拉伸负荷测定仪由应力-应变曲线求得初始弹性模量。多孔质基材的拉伸弹性模量超过20MPa时，凹凸吸收性降低，有可能不能粘住被粘合体。
对多孔质基材的厚度没有特定限制，但从切断性、凹凸吸收性等观点来看，该厚度通常为10～1000μm，优选为25～500μm，更优选为50～300μm左右。多孔质基材的厚度小于10μm的情况下，凹凸吸收性容易降低，超过1000μm时，切断性容易降低。另外，在基材1由多孔质基材与非多孔质基材(例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺等构成的非多孔质基材)的层压体构成时，基材的总厚度例如为20～1100μm，优选为35～550μm，更优选为60～350μm左右。
在基材1由多孔质基材与非多孔质基材的层压体构成时，该层压体可以通过涂布法、挤出法、干式层压法等常用的薄膜层压法来制造。
热剥离性粘合层2是经由加热引起例如膨胀、发泡而对被粘合体(工件)的粘结力下降、显示剥离性的层。热剥离性粘合层2通常由热膨胀性微球等发泡剂和结合剂构成。作为结合剂，可以使用允许热膨胀性微球等发泡剂由于加热而发泡和/或膨胀的聚合物类、蜡类等适宜的结合剂。其中，尽可能不限制热膨胀性微球等发泡剂的发泡和/或膨胀的结合剂是优选的。从热膨胀性微球等发泡剂的加热膨胀性和对被粘合体的粘结力等粘合特性的控制性来看，尤其优选的结合剂是粘合剂。
对前述粘合剂没有特定限制，例如可以使用由橡胶系聚合物、丙烯酸系聚合物、乙烯基烷基醚系聚合物、硅酮系聚合物、聚酯系聚合物、聚酰胺系聚合物、聚氨酯系聚合物、氟系聚合物、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系等聚合物构成的粘合剂，将上述粘合剂与熔点约200℃以下的热熔融性树脂配合而改良了蠕变特性的粘合剂，辐射固化型粘合剂，或者上述粘合剂与例如交联剂(例如多异氰酸酯、烷基醚化三聚氰胺化合物、环氧化合物等)、增粘剂(例如松香衍生物树脂、聚萜烯树脂、石油树脂、油溶性酚醛树脂等)、增塑剂、软化剂、填充剂、颜料、着色剂、抗老化剂、表面活性剂等各种添加剂配合而形成的粘合剂等(参照日本特开昭56-61468号公报，日本特开昭61-174857号公报，日本特开昭63-17981号公报，日本特开昭56-13040号公报等)。这些粘合剂可以单独使用或者将两种以上组合使用。
作为构成热剥离性粘合层2的粘合剂，从加热前对被粘合体的适度粘合力的控制性与由于加热引起的粘合力降低性间的平衡等观点来看，优选的是，以在常温到150℃的温度范围的动态弹性模量为5万～1000万dyn/cm2的聚合物为基础聚合物的粘合剂。
通常，作为前述粘合剂，可以使用以天然橡胶、各种合成橡胶为基础聚合物的橡胶系粘合剂；使用一种或两种以上(甲基)丙烯酸烷基酯(例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸C1-20烷基酯等)作为单体成分的丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂等。
另外，为了改变前述丙烯酸系聚合物的内聚力、耐热性、交联性等，根据需要，还可以含有能与前述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体成分相对应的单元。作为这种单体成分，例如可以列举丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸等含羧基单体；马来酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸等含磺酸基单体；N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺等含酰胺基单体；(甲基)丙烯酸氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体；N-环己基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体；N-甲基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体；N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体；醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、乙烯基吡啶、苯乙烯等乙烯系单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基丙烯酸系单体；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、硅酮(甲基)丙烯酸酯等含杂环、卤素原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、尿烷丙烯酸酯等多官能单体；异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体；乙烯基醚等乙烯基醚系单体等。可以使用一种或两种以上的这些单体成分。
作为前述热膨胀性微球，例如可以列举在具有弹性的壳(shell)内包含异丁烷、丙烷、戊烷等通过加热容易气化和膨胀的物质的微球。前述壳通常由热熔融性物质或通过热膨胀而破坏的物质形成。作为形成前述壳的物质，例如可以列举偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚砜等。热膨胀性微球可以通过常用的方法如凝聚法、界面聚合法等制造。另外，热膨胀性微球例如有商品名为“Matsumoto Microsphere”(松本油脂制药(株)制造)等市售品。
通过使用热膨胀性微球，可以稳定地抑制由于加热导致的被粘合体的污染度的增大。在没有微囊化的发泡剂等中，也许是由于粘合层的内聚破坏，缺乏前述抑制污染度增大的效果。为了通过加热来有效而且稳定地降低热剥离性粘合层的粘合力，具有体积膨胀率达到5倍以上、甚至7倍以上、尤其10倍以上时也不破裂的适当强度的热膨胀性微球是优选的。
热膨胀性微球的平均粒径可以根据热剥离性粘合层2的厚度等适宜选择，通常为100μm以下(例如1～100μm)，优选为80μm以下(例如1～80μm)，更优选为1～50μm，但不限定于这些值。
可以根据热剥离性粘合层2的膨胀倍率、粘合力的降低性等来适宜决定热膨胀性微球等发泡剂的配合量。通常，在上述结合剂为粘合剂等的情况下，相对于100重量份基础聚合物，该热膨胀性微球等发泡剂为1～150重量份，优选为10～130重量份，更优选为25～100重量份的范围。
考虑粘合性以及加热剥离时的粘合力的降低性等来适宜选择热剥离性粘合层2的厚度，通常为300μm以下(例如为1～300μm)，优选为2～200μm，更优选为5～150μm。在厚度过小时，由于基于热膨胀性微球等发泡剂的表面的凹凸化，有可能不能表现充分的粘合力。另外，在厚度过大时，由于基于加热变形不良的粘合力降低的不足，有可能不能顺利地剥离被粘合体。
作为热剥离性粘合层2的形成方法，例如可以采用下述方法：根据需要使用溶剂将热膨胀性微球等发泡剂与结合剂等配合成分混合，用涂布方式等适宜的方式将该混合物展开，形成片状层的方法等。前述混合物可以在基材1上直接涂布等、也可以在适当的隔片(剥离纸等)上涂布等来形成热剥离性粘合层，并将该层转印在基材1上。
对粘合层3没有特定限制，可以由橡胶系、丙烯酸系等压敏性粘结剂、紫外线固化型粘合剂、热剥离型粘合剂、热塑型粘合剂、热固化型粘合剂等公知的粘合剂构成。作为橡胶系、丙烯酸系压敏性粘结剂，可以使用以上例举的橡胶系粘合剂、丙烯酸系粘合剂。粘合剂中例如可以添加交联剂(例如多异氰酸酯、烷基醚化三聚氰胺化合物、环氧化合物等)、增粘剂(例如松香衍生物树脂、聚萜烯树脂、石油树脂、油溶性酚醛树脂等)、增塑剂、软化剂、填充剂、颜料、着色剂、抗老化剂、表面活性剂等各种添加剂。
在基材1由多孔质基材与非多孔质基材的层压体构成时，粘合层3可以设置在多孔质基材侧表面、非多孔质基材侧表面的任何一个表面上。
对粘合层3的厚度没有限制，从加工后的切断性、剥离性等观点来看，通常为0.1～500μm，优选为1～300μm，更优选为5～250μm的范围。
本发明的热剥离性双面粘合片材可以采取片状、带状、标签状等适宜形式。另外，此时，为了保护热剥离性粘合层2、粘合层3，可以暂时粘附隔片4。作为隔片4，例如可以使用涂有硅酮系、长链烷基系、氟系等适宜的脱模剂的塑料薄膜或纸。
本发明的加工方法包括以下工序：将工件粘合于前述本发明的热剥离性双面粘合片材的热剥离性粘合层2和粘合层3中的任意一个层上、并将支撑体粘合于热剥离性粘合层2和粘合层3中的另外一个层上的粘合工序；加工被粘合的工件的加工工序；以及在工件的加工后，通过加热处理剥离回收工件的剥离回收工序。
对工件没有特定限制，例如可以列举陶瓷电容器等电子部件、半导体晶片等。在本发明的方法中，由于基材包括多孔质基材，即使是在粘合到热剥离性双面粘合片材的热剥离性粘合层2上的一例的表面上具有大的凹凸的被粘合体，该凹凸也能够在体积上被前述多孔质基材缓和、吸收。因此，在热剥离性双面粘合片材的粘合层3上粘合刚性的支撑体(台)时，该粘合层3上不表现凹凸，能够维持平滑的表面，因此获得良好的支撑体粘贴状态。因此，在粘合支撑体(台)之后，通过对工件的牢固支撑，进行加工时不会发生开裂、水进入等不利情况。因此，例如，在带有凸块的半导体晶片、形成有晶体管等凹坑的半导体晶片等表面最大凹凸差为10μm以上(例如大约10～150μm，尤其大约15～50μm)的工件背面上实施加工(例如磨削加工等)时，能够发挥特别显著的效果。
对加工的类型没有特定限制，例如可以列举磨削、切断、组装、层压、烧成等加工。加工后的加热处理可以采用例如电热板、热风干燥机、近红外线灯、空气干燥器等适当加热手段来进行。加热温度只要是在热剥离性粘合层2中的热膨胀性微球等发泡剂的热膨胀起始温度(发泡起始温度)以上即可，加热处理条件可以根据被粘合体的耐热性、加热方法等适宜设定。作为一般的加热处理条件，温度100～250℃、1～90秒钟(电热板等)或1～15分钟(热风干燥机等)。
实施例
以下根据实施例来更详细地说明本发明，然而，本发明不限于这些实施例。
实施例1
相对于100重量份的包括50重量份聚氨酯聚合物、40重量份丙烯酸丁酯、10重量份丙烯酸、0.15重量份光聚合引发剂的UV(紫外线)反应性丙烯酸聚氨酯浆料(syrup)A，配合10重量份空心玻璃珠粒(平均粒径67μm)，制备UV反应性丙烯酸聚氨酯浆料B。将UV反应性丙烯酸聚氨酯浆料B以400μm的厚度涂布于厚度25μm的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜上，干燥后，通过UV照射，获得总厚度325μm的带有PET的多孔质薄膜(由丙烯酸-聚氨酯共聚物制成的多孔质基材层/PET薄膜)。另外，相对于100重量份的包括100重量份丙烯酸丁酯、5重量份丙烯酸2-羟乙酯的丙烯酸系聚合物A，配合3重量份异氰酸酯系交联剂、25重量份热膨胀性微球[商品名“Matsumoto MicrosphereF301SD”，松本油脂制药(株)制造]，获得热剥离性粘合剂A，将该热剥离性粘合剂A涂布于PET隔片上，干燥，获得厚度25μm的热剥离性粘合层，将所获得的厚度25μm的热剥离性粘合层转印到前述多孔质薄膜的多孔质侧。另外，相对于100重量份的包括50重量份丙烯酸丁酯、50重量份丙烯酸乙酯、3.5重量份丙烯酸的丙烯酸系聚合物B，配合0.5重量份的环氧系交联剂，获得丙烯酸系粘合剂B，将该丙烯酸系粘合剂B以20μm的厚度涂布于PET隔片上，干燥，将这个转印到前述多孔质基材的PET薄膜侧，获得热剥离性双面粘合片材A。
实施例2
相对于100重量份的包括100重量份丙烯酸丁酯、4重量份丙烯酸的丙烯酸系聚合物，配合2.5重量份异氰酸酯系交联剂[商品名“CORONATE L”，日本聚氨酯工业株式会社生产]、40重量份热膨胀性微球[商品名“Matsumoto Microsphere F80VSD”，松本油脂制药(株)制造]，获得热膨胀性粘合剂，将该热膨胀性粘合剂涂布于厚度50μm的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜上，然后经由160℃的加热工序，将热膨胀性微球膨胀，获得厚度170μm的带有PET的多孔质薄膜(由丙烯酸系共聚物制成的多孔质基材层/PET薄膜)。以下通过与实施例1同样的操作，获得热剥离性双面粘合片材B。
比较例1
除了不配合空心玻璃珠粒以外，与实施例1同样操作，获得热剥离性双面粘合片材C。另外，基材的层构成是由丙烯酸-聚氨酯共聚物制成的非多孔质基材层/PET薄膜。
比较例2
除了使用厚度250μm的PET薄膜作为基材以外，与实施例1同样操作，获得热剥离性双面粘合片材。
评价试验
在芯片尺寸10mm×10mm、凸块高度40μm、凸块间距130μm、晶片厚度725μm的全阵列凸块晶片(full-array bumpedwafer)(表面最大凹凸差：40μm)上，粘合实施例或比较例获得的热剥离性双面粘合片材的热剥离性粘合层，然后，将直径与凸块晶片相同的玻璃晶片(支撑体)粘合于背面的粘合层上，目测玻璃晶片的浮起状态。此后，将凸块晶片的背面磨削至75μm的厚度，目测有无晶片裂纹。最后，通过加热处理(120℃热风干燥机中加热3分钟)验证凸块晶片的加热剥离性。另外，使用商品名为“DR3000II-WS”(日东精机(株)制造)的仪器将热剥离性双面粘合片材与凸块晶片粘合，使用商品名为“MA-3000II-WS”(日东精机(株)制造)的仪器粘合玻璃晶片，以及使用商品名为“DFG-8460”(Disco公司制造)的仪器磨削晶片。结果在表1中示出。
另外，凸块高度和晶片厚度通过1/1000mm测微仪直接测定，凸块间距通过数字显微镜测定。多孔质基材(层)[其中在比较例1中是由丙烯酸-聚氨酯共聚物制成的非多孔质基材(层)]的密度如下测定，在室温23℃、湿度50％的环境下，用钢尺测定样品尺寸(长度和宽度)，通过1/1000mm测微仪测定厚度，此外用1/1000g数字重量计测定质量，通过质量/体积来算出密度。关于拉伸弹性模量，使用拉伸负荷测定仪由应力-应变曲线求得初始弹性模量。
表1
Figure A20078004073600161
产业上的可利用性
本发明涉及热剥离性双面粘合片材以及使用该片材加工工件的方法。更具体地说，本发明涉及通过加热处理能够快速降低粘合力、适于加工表面凹凸大的工件的热剥离性双面粘合片材以及使用该片材加工工件的方法。

Claims (7)

1.一种热剥离性双面粘合片材，其特征在于，所述片材是在基材的一侧的表面上设有热剥离性粘合层A，在另一侧的表面上设有粘合层B的热剥离性双面粘合片材，前述基材包括多孔质基材。
2.根据权利要求1所述的热剥离性双面粘合片材，其中所述多孔质基材的密度为0.9g/cm3以下并且拉伸弹性模量为20MPa以下。
3.根据权利要求1或2所述的热剥离性双面粘合片材，其中所述基材由多孔质基材与非多孔质基材的层压体构成。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的热剥离性双面粘合片材，其中粘合层B包括压敏性粘结剂、紫外线固化型粘合剂、热剥离型粘合剂、热塑型粘合剂或热固化型粘合剂。
5.一种工件的加工方法，该方法包括：将工件粘合于权利要求1～4的任一项所述的热剥离性双面粘合片材的热剥离性粘合层A和粘合层B中的任意一个层上、并将支撑体粘合于热剥离性粘合层A和粘合层B中的另外一个层上的粘合工序；加工被粘合的工件的加工工序；以及在工件的加工后，通过加热处理剥离回收工件的剥离回收工序。
6.根据权利要求5所述的工件的加工方法，其中所述工件为电子部件或半导体晶片。
7.根据权利要求5或6所述的工件的加工方法，其中通过将具有表面最大凹凸差为10μm以上的表面的工件的所述表面粘合于热剥离性双面粘合片材的粘合面上来进行加工。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102237286A (zh) * 2010-05-06 2011-11-09 万国半导体(开曼)股份有限公司 一种用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法
WO2013010497A1 (en) * 2011-07-20 2013-01-24 Henkel Ag & Co. Kgaa Ready to use gasket
CN103031073A (zh) * 2011-09-14 2013-04-10 苏州安洁科技股份有限公司 一种带有防护功能的离型膜
CN103101319A (zh) * 2013-02-22 2013-05-15 珠海纳思达企业管理有限公司 一种耗材盒用芯片的再生方法
CN106298438A (zh) * 2015-05-13 2017-01-04 苏州美图半导体技术有限公司 一种利用双面黏性薄膜对衬底进行加工的方法
CN107109638A (zh) * 2015-09-02 2017-08-29 株式会社爱发科 工件保持体及成膜装置
CN112724859A (zh) * 2020-12-25 2021-04-30 浙江荷清柔性电子技术有限公司 柔性芯片粘接膜、制备方法和柔性芯片的封装方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2287264A4 (en) * 2008-05-14 2013-09-04 Nitto Denko Corp ADHESIVE SHEET FOR THE PROTECTION OF A COATING FILM
JP4555885B2 (ja) * 2008-08-01 2010-10-06 積水化学工業株式会社 研磨材固定用両面粘着テープ及びその製造方法
JP2011252095A (ja) * 2010-06-02 2011-12-15 Nitto Denko Corp 両面粘着テープ
JP6000595B2 (ja) * 2012-03-27 2016-09-28 日東電工株式会社 電子部品切断用加熱剥離型粘着シート及び電子部品加工方法
JP5921927B2 (ja) * 2012-03-27 2016-05-24 日東電工株式会社 加熱剥離型粘着シート
KR101908290B1 (ko) 2012-04-03 2018-10-16 동우 화인켐 주식회사 양면 점착 시트 및 이를 구비한 화상 표시 장치
CN105073932B (zh) * 2013-04-05 2017-09-22 霓达株式会社 临时固定用双面粘合胶带和使用该胶带的被加工物的临时固定方法
KR102121206B1 (ko) * 2013-08-12 2020-06-10 엘지디스플레이 주식회사 열박리형 양면 점착 시트 및 그 제조방법
KR101600686B1 (ko) 2014-05-21 2016-03-08 주식회사 대현에스티 Uv 경화시스템을 이용한 가열 박리형 점착시트 또는 테이프의 제조방법
JP6475504B2 (ja) * 2015-02-09 2019-02-27 積水化学工業株式会社 表面に凹凸を有するウエハの処理方法
JP2017179132A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 積水化学工業株式会社 両面粘着テープ
AU2017327140B2 (en) * 2016-09-16 2021-04-01 Yupo Corporation Laminated sheet and method for producing the same
CN110770295A (zh) * 2017-06-22 2020-02-07 株式会社寺冈制作所 丙烯酸类树脂组合物、粘合剂组合物、粘合片用基材及粘合片
WO2019221065A1 (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 積水化学工業株式会社 粘着テープ及び電子部品の製造方法
US11348619B2 (en) * 2020-07-16 2022-05-31 Western Digital Technologies, Inc. Dual gasket for manufacturing of hermetically-sealed hard disk drive
DE102021201684A1 (de) * 2021-02-23 2022-08-25 Tesa Se Mehrschichtiges Klebeband mit geschäumten Nachstrichmassen zur Verbesserung der Kälteschlagbeständigkeit
JP2023009805A (ja) * 2021-07-08 2023-01-20 Dic株式会社 粘着テープ及び電子機器
KR102406694B1 (ko) * 2021-07-15 2022-06-10 (주)인랩 온도 감응형 열발포 박리 테이프 및 이를 이용한 전자부품의 분리방법
WO2023032135A1 (ja) 2021-09-02 2023-03-09 株式会社寺岡製作所 熱剥離型粘着テープ

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE374759B (zh) 1969-03-24 1975-03-17 Litton Business Systems Inc
JPS5396469A (en) 1977-02-01 1978-08-23 Nitto Electric Ind Co Structure for holding electronic parts and others
JPS5661469A (en) 1979-10-23 1981-05-26 Matsumoto Yushi Seiyaku Kk Hot-bonding adhesive
JPS5661468A (en) 1979-10-23 1981-05-26 Matsumoto Yushi Seiyaku Kk Releasable adhesive
JPS60252681A (ja) 1984-05-30 1985-12-13 F S K Kk 熱剥離性粘着シ−ト
JPH0666749B2 (ja) 1985-01-30 1994-08-24 日本電気株式会社 分岐回路
JPS6317981A (ja) 1986-07-09 1988-01-25 F S K Kk 粘着シ−ト
JPH05287245A (ja) * 1992-04-14 1993-11-02 Teraoka Seisakusho:Kk 両面粘着テープ
CN1137028C (zh) * 1998-11-20 2004-02-04 琳得科株式会社 压敏粘合片及其使用方法
US7214424B2 (en) * 1999-03-01 2007-05-08 Nitto Denko Corporation Heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet
JP2000248240A (ja) * 1999-03-01 2000-09-12 Nitto Denko Corp 加熱剥離型粘着シート
JP3384979B2 (ja) * 1999-03-02 2003-03-10 株式会社スリオンテック 感圧性両面接着テープ及びその製造方法
JP4449023B2 (ja) * 2000-06-21 2010-04-14 ヤスハラケミカル株式会社 紙塗工用防湿性ホットメルト組成物およびこれを用いた防湿紙
JP4651805B2 (ja) * 2000-11-08 2011-03-16 日東電工株式会社 加熱剥離型粘着シート
JP3853247B2 (ja) * 2002-04-16 2006-12-06 日東電工株式会社 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品
JP2005116610A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート
WO2005059055A2 (en) * 2003-12-12 2005-06-30 3M Innovative Properties Company Pressure sensitive adhesive composition and article
JP4275522B2 (ja) * 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2005239884A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2005101628A (ja) * 2004-10-25 2005-04-14 Nitto Denko Corp 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品
JP4909506B2 (ja) * 2004-10-29 2012-04-04 株式会社岡本工作機械製作所 ウエハ保持用バッキング材を備える研磨ヘッド構造
JP2006152308A (ja) * 2005-12-28 2006-06-15 Nitto Denko Corp 電子部品の切断方法
JP5132064B2 (ja) * 2006-03-02 2013-01-30 日東電工株式会社 加熱剥離性粘着シート

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102237286A (zh) * 2010-05-06 2011-11-09 万国半导体(开曼)股份有限公司 一种用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法
WO2013010497A1 (en) * 2011-07-20 2013-01-24 Henkel Ag & Co. Kgaa Ready to use gasket
CN103031073A (zh) * 2011-09-14 2013-04-10 苏州安洁科技股份有限公司 一种带有防护功能的离型膜
CN103101319A (zh) * 2013-02-22 2013-05-15 珠海纳思达企业管理有限公司 一种耗材盒用芯片的再生方法
CN106298438A (zh) * 2015-05-13 2017-01-04 苏州美图半导体技术有限公司 一种利用双面黏性薄膜对衬底进行加工的方法
CN107109638A (zh) * 2015-09-02 2017-08-29 株式会社爱发科 工件保持体及成膜装置
CN107109638B (zh) * 2015-09-02 2019-05-28 株式会社爱发科 工件保持体及成膜装置
CN112724859A (zh) * 2020-12-25 2021-04-30 浙江荷清柔性电子技术有限公司 柔性芯片粘接膜、制备方法和柔性芯片的封装方法
CN112724859B (zh) * 2020-12-25 2022-04-05 浙江荷清柔性电子技术有限公司 柔性芯片粘接膜、制备方法和柔性芯片的封装方法

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