KR20050088251A - 점착시트, 반도체 웨이퍼의 표면보호 방법 및 워크의가공방법 - Google Patents

점착시트, 반도체 웨이퍼의 표면보호 방법 및 워크의가공방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 가열처리 또는 발열을 수반하는 처리를 포함하는 가공 프로세스에 적용되어도, 다른 장치 등에 밀착되지 않는 점착시트를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 특히, 본 발명은 회로면의 보호기능이나 확장성 등의 특성을 부여하여, 표면보호 시트나 다이싱 시트 또는 픽업 시트로서 사용 가능한, 종래에 없는 고온 내열성을 구비한 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 본 발명의 점착시트는, 제1 경화성 수지를 제막·경화하여 얻어진 기재와, 그 위에 제2 경화성 수지가 도포 형성되어 경화된 탑코트층 및 그 반대면에 형성된 점착제층으로 되는 것을 특징으로 하고 있다.

Description

점착시트, 반도체 웨이퍼의 표면보호 방법 및 워크의 가공방법{Pressure sensitive adhesive sheet, method of protecting semiconductor wafer surface and method of processing work}
본 발명은 점착시트에 관한 것으로, 특히 반도체 웨이퍼 등에 대한 표면보호 시트, 다이싱 시트(dicing sheet) 또는 픽업 시트(pickup sheet)로서 사용할 수 있고, 반도체 웨이퍼에 첩부(attachment) 후, 가열처리 또는 발열을 수반하는 처리를 포함하는 가공 프로세스의 실시에 바람직하게 적용되는 점착시트에 관한 것이다.
반도체장치의 제조공정에 있어서는, 표면보호 시트나 다이싱 시트 등의 점착시트를 사용하여 이면 연삭공정(backside grinding process)이나 다이싱 공정을 행하고 있다. 종래, 반도체 웨이퍼에 점착시트가 첩부되어 있는 상태에서는, 세정수를 이용하여 가공시에 온도가 올라가지 않도록 하고 있기 때문에, 이들 용도에 사용되는 점착시트에는 내열성은 특별히 필요로 되어 있지 않았다.
그런데 최근, 반도체 웨이퍼의 양면에 회로를 형성하고, 그것에 의해 집적률을 향상시키는 것이 검토되고 있다. 이 경우, 이면 연삭 종료 후에, 웨이퍼를 표면보호 시트 위에 유지한 상태에서, 웨이퍼의 연삭면에 있어서 회로형성 등의 가공을 행한다. 회로 형성에는 에칭 등의 가열을 수반하는 각종 처리가 행해진다. 이 때문에, 표면보호 시트에도 열이 가해지게 된다.
그러나, 연질(軟質) 기재를 사용하는 종래의 표면보호 시트에서는, 가열에 의해 기재가 융해 또는 연화되어, 에칭장치의 유지부(holding part)에 기재가 밀착되는 경우가 있었다.
이 때문에, 가열에 의해서도 기재가 다른 장치에 밀착되지 않는 표면보호 시트가 요구된다.
이러한 가열에 의한 밀착이라고 하는 문제를 해소하기 위해, 폴리에틸렌 테레프탈레이트나 폴리에틸렌 나프탈레이트와 같이 고융점이고 경질(硬質)의 필름을 사용하는 것이 제안되지만, 이러한 경질 필름은 회로면의 보호성능이 떨어진다. 더욱이, 이러한 고융점의 필름이더라도, 가열에 의한 수축이 일어나, 가공 후의 웨이퍼에 휘어짐(warpage)이 발생해 버리는 경우가 있었다.
또한, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 후, 웨이퍼의 이면이나 회로면에 절연막이나 이방 도전 접착제층(anisotropic conductive adhesive layer) 등, 각종 기능성을 갖는 막을 형성하는 것도 생각할 수 있게 되었다. 이러한 기능성을 갖는 막은, 가열 접착성의 필름으로 되는 기능성 막을 가열 압착에 의해 웨이퍼에 형성하는 방식을 취할 수 있다. 이 때, 웨이퍼의 두께가 얇아 가압에 의해 파손되기 쉬워져 있는 경우에는, 웨이퍼의 반대면에 표면보호 시트나 다이싱 시트 등의 점착시트가 첩부되어, 웨이퍼가 보강된 상태에서 막의 형성을 행하는 것을 생각할 수 있다.
그러나, 반도체 웨이퍼를 고온하에서 가공할 때 사용하기 위한 점착시트는, 현재까지 알려져 있지 않다. 본 발명자 등은, 예의 검토한 결과, 점착시트로 사용되는 기재를 폴리올레핀 등의 열가소성 필름이 아니라, 고도로 가교된 필름을 사용함으로써, 내열성이 향상되는 것을 발견하였다. 이러한 점착시트의 구성은, 예를 들면 본 출원인에 의해 일본국 특허공개 제(평)9-253964호 공보, 일본국 특허공개 제(평)10-337823호 공보, 일본국 특허공개 제2002-141306호 공보에 개시되어 있다.
그런데, 이들 점착시트 조차도, 회로면의 보호성이나 확장성(expanding property)을 부여하기 위해 기재를 연질로 조정하면, 가열된 테이블(웨이퍼 유지부)에 열밀착된다고 하는 문제가 남았다.
본 발명은, 상기와 같은 종래기술에 비추어 이루어진 것으로, 가열처리 또는 발열을 수반하는 처리를 포함하는 가공 프로세스에 적용되어도, 다른 장치 등에 밀착되지 않는 점착시트를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 또한 회로면의 보호기능이나 확장성 등의 특성을 부여하여, 표면보호 시트, 다이싱 시트 또는 픽업 시트로서 사용 가능한, 종래에 없는 고온 내열성을 구비한 반도체 웨이퍼 가공용 등의 점착시트를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
발명의 개시
본 발명의 점착시트는, 제1 경화성 수지를 제막·경화하여 얻어진 기재와, 그 위에 제2 경화성 수지가 도포 형성되어 경화된 탑코트층(top coat layer) 및 그 반대면에 형성된 점착제층으로 되는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 점착시트에 있어서, 탑코트층을 형성하는 경화 후의 수지가, 50~200℃에 있어서의 DSC 측정에 있어서, 0.1 J/g 이상의 피크를 갖지 않는 것이 바람직하다.
또한, 상기 기재의 영률(Young's modulus)이 50~5000 MPa인 것이 바람직하다.
본 발명의 반도체 웨이퍼의 표면보호 방법은, 상기 점착시트를 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 회로면에 첩부하고, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼의 표면보호 방법에 있어서는, 점착시트가 첩부된 반도체 웨이퍼에 대해, 반도체 웨이퍼를 연삭하기 전 또는 후에 가열처리 또는 발열을 수반하는 처리를 행할 수 있다.
여기에서, 가열처리로서는 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 연삭면에 열접착성 필름을 열압착하는 처리를 들 수 있다. 또한, 발열을 수반하는 처리로서는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 연삭면에 대해 행해지는 진공 증착(vacuum deposition), 스퍼터링(sputtering), 플라즈마 에칭(plasma etching)으로부터 선택되는 처리를 들 수 있다.
본 발명의 워크(work)의 가공방법은, 상기 점착시트에 의해 워크를 고정하고, 워크를 픽업하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 여기에서 점착시트가 첩부된 워크에 대해, 가열처리 또는 발열을 수반하는 처리를 행한 후, 워크를 픽업해도 된다.
특히, 본 발명에 의하면, 점착시트에 고정된 워크에 대해, 열접착성 필름을 열압착하고, 열접착성 필름과 함께 워크를 다이싱한 후, 다이싱된 워크를 픽업하고, 열접착성 필름을 매개로 하여 기판에 열접착하는 워크의 가공방법이 가능해진다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 본 발명에 대해서 더욱 구체적으로 설명한다.
본 발명의 점착시트는, 기재와, 그 위에 형성된 탑코트층 및 그 반대면에 형성된 점착제층으로 된다. 이하, 기재, 탑코트층 및 점착제층에 대해서 구체적으로 설명한다.
(기재)
기재로서는, 후술하는 제1 경화성 수지를 제막·경화하여 얻어진 필름으로 되고, 그 영률이 50~5000 MPa, 바람직하게는 60~4000 MPa, 특히 바람직하게는 80~3000 MPa의 것이 사용된다. 또한, 기재의 두께는 특별히 한정되지는 않지만, 바람직하게는 1~1000 ㎛, 더욱 바람직하게는 10~800 ㎛, 특히 바람직하게는 20~500 ㎛ 정도이다.
기재의 원재료가 되는 제1 경화성 수지로서는, 에너지선 경화형 수지, 열경화형 수지 등이 사용되고, 바람직하게는 에너지선 경화형 수지가 사용된다. 기재가 경화성 수지를 사용해서 경화되어 있으면, 기재는 가열 용융 등 온도에 의한 형태변화가 일어나기 어려워지고, 내열성이 향상된다.
에너지선 경화형 수지로서는, 예를 들면, 에너지선 중합성의 우레탄 아크릴레이트계 올리고머(oligomer)를 주제(主劑)로 한 수지 조성물이 바람직하게 사용된다. 본 발명에서 바람직하게 사용되는 우레탄 아크릴레이트계 올리고머의 분자량은, 1000~50000, 더욱 바람직하게는 2000~30000의 범위에 있다. 상기 우레탄 아크릴레이트계 올리고머는 1종류 단독으로, 또는 둘 이상을 조합해서 사용할 수 있다.
상기와 같은 우레탄 아크릴레이트계 올리고머만으로는 성막(成膜)이 곤란한 경우가 많기 때문에, 통상은 에너지선 중합성의 모노머로 희석하여 성막한 후, 이것을 경화하여 필름을 얻는다. 에너지선 중합성 모노머는, 분자 내에 에너지선 중합성의 이중결합을 갖고, 특히 본 발명에서는 이소보르닐(메타)아크릴레이트(isobornyl(meth)acrylate), 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트(dicyclopentenyl (meth)acrylate), 페닐 히드록시프로필 아크릴레이트 등의 비교적 부피가 큰 기를 갖는 아크릴 에스테르계 화합물이 바람직하게 사용된다.
상기 에너지선 중합성 모노머는, 우레탄 아크릴레이트계 올리고머 100 중량부에 대해, 바람직하게는 5~900 중량부, 더욱 바람직하게는 10~500 중량부, 특히 바람직하게는 30~200 중량부의 비율로 사용된다.
기재를 상기 에너지선 경화형 수지로 형성하는 경우에는, 상기 수지에 광중합개시제를 혼입함으로써, 에너지선 조사에 의한 중합 경화시간 및 조사량을 적게 할 수 있다.
광중합개시제의 사용량은, 수지의 합계 100 중량부에 대해, 바람직하게는 0.05~15 중량부, 더욱 바람직하게는 0.1~10 중량부, 특히 바람직하게는 0.5~5 중량부이다.
상기와 같은 경화성 수지는, 올리고머 또는 모노머를 상술한 영률이 되도록 각종 조합의 배합으로부터 선택할 수 있다.
또한, 상술한 수지 중에, 탄산칼슘, 실리카, 운모(mica) 등의 무기 충전제(inorganic filler), 철, 납 등의 금속 충전제, 안료나 염료 등의 착색제 등의 첨가물이 함유되어 있어도 된다.
기재의 성막방법으로서는, 제1 경화성 수지를 액상상태로 공정 필름 위에 박막형상으로 캐스트(casting)한 후에, 이것을 소정의 수단에 의해 필름화하고, 공정 필름을 제거함으로써 기재를 제조할 수 있다. 이러한 제법에 의하면, 성막시에 수지에 걸리는 응력이 적어, 시간의 흐름 또는 가열에 의한 치수변화가 일어나기 어려워진다. 또한, 고형(固形)의 불순물을 제거하기 쉽기 때문에, 제막된 필름은 피쉬 아이(fish eye)의 형성이 적어져, 이것에 의해 막두께의 균일성이 향상되어, 두께 정밀도(thickness accuracy)는 통상 2% 이내가 된다.
더욱이, 기재의 양면, 즉 탑코트층이 형성되는 면 및 점착제층이 설치되는 면에는, 이들 층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 코로나처리(corona treatment)를 행하거나 프라이머처리(primer treatment) 등의 다른 층을 설치해도 된다.
상기와 같은 원재료 및 방법에 의해 제막된 필름은, 응력완화성이 우수한 성질을 나타내는 경우가 있다. 응력완화성이 우수한 필름을 점착시트의 기재로서 사용한 경우는, 피착체(adherend)에 첩부했을 때에 발생하는 잔류응력을 신속하게 해소할 수 있어, 그 후의 가공에 악영향을 미치지 않는다. 따라서, 극박(極薄)으로 연삭가공을 행하는 반도체 웨이퍼의 보호용으로 점착시트를 사용한 경우는, 응력완화(stress relaxation)에 의해 반도체 웨이퍼에 휘어짐을 발생시키지 않는다.
기재의 응력완화성은, 구체적으로는 인장시험에 있어서의 10% 신장시의 1분 후에 있어서의 응력완화율로 나타내어져, 바람직하게는 40% 이상, 더욱 바람직하게는 50% 이상, 특히 바람직하게는 60% 이상을 나타내는 것이다. 기재의 응력완화율은 높을수록 바람직하고, 그 상한은 이론적으로 100%이고, 경우에 따라서는 99.9%, 99% 또는 95%여도 된다.
(탑코트층)
탑코트층은 기재의 한쪽 면에 피복되어, 기재의 내열성을 더욱 향상시킨다. 탑코트층은 제2 경화성 수지를 제막, 경화해서 얻어진다.
이 탑코트층의 경화 후 50~200℃에 있어서의 DSC(시차주사열량)측정에 있어서, 0.1 J/g 이상의 피크를 갖지 않는 것이 바람직하다. DSC 측정에서 피크가 있는(발열 또는 흡열이 일어나는) 경우는, 가열에 의해 탑코트층이 변형되기 쉬워지고, 접촉면적이 증대되어 히터 플레이트(heater plate) 등에 밀착되어 버릴 우려가 생긴다.
또한, 탑코트층의 표면이 조면(rough surface)이라면, 히터 플레이트와의 접촉면적을 줄일 수 있어, 가열시의 밀착을 더욱 억제할 수 있기 때문에 바람직하다. 탑코트층의 표면거칠기(surface roughness) Rz는 바람직하게는 0.05~1.0 ㎛이고, 더욱 바람직하게는 0.1~0.5 ㎛이다. 탑코트층이 지나치게 거칠면 미끄러지기 쉬워지기 때문에, 각종 웨이퍼 가공에서의 작업성이 나빠질 우려가 있다.
이러한 탑코트층을 형성하는 제2 경화성 수지로서는, 기재로 사용하는 제1 경화성 수지와 마찬가지로, 에너지선 경화형 수지, 열경화형 수지 등이 사용되고, 바람직하게는 에너지선 경화형 수지가 사용된다. 제2 경화성 수지는 제1 경화성 수지 보다도 경화 후의 가교밀도가 높아지도록 선택하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, DSC 측정에서 발열 또는 흡열이 일어나기 어려워진다.
제2 경화성 수지를 에너지선 경화형 수지로 하는 경우, 저분자량으로 다관능의 에너지선 경화성 화합물을 성분 중에 포함되는 비율을 많게 하는 것이 바람직하다. 이러한 에너지선 경화성 화합물로서는, 예를 들면, 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 모노히드록시 펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트 등이 사용된다.
제2 경화성 수지를 저분자량으로 다관능의 에너지선 경화성 화합물로 구성하면 기재와의 밀착성이 저하되는 경우가 있다. 기재와의 밀착을 향상시기키 위해, 제2 경화성 수지의 성분 중에 바인더 성분을 첨가해도 된다. 바인더 성분을 사용하면, 바인더 중의 폴리머에 기인하여, DSC 측정에서 발열 또는 흡열이 일어날 가능성이 있다. 그러나, 바인더 성분과 에너지선 경화성 화합물이 충분히 상용되어 있으면, 경화 후에는 바인더 성분의 마이크로 분자운동이 억제되어, 발열 또는 흡열의 양은 적게할 수 있고, 히터 플레이트 등과의 밀착을 억제할 수 있다. 이러한 바인더 성분으로서는, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 폴리아미드 수지 등을 들 수 있다.
또한, 제2 경화성 수지는 측쇄(side chain)에 에너지선 경화성의 관능기를 갖는 폴리머여도 된다. 이러한 폴리머를 제2 경화성 수지로서 사용하면, 가교밀도를 낮추지 않고 기재와의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 이러한 폴리머로서는, 예를 들면, 주쇄(main chain)가 아크릴 폴리머이고, 측쇄에 에너지선 경화성 이중결합이나 에폭시기를 관능기로서 갖는 것을 사용할 수 있다.
탑코트층의 표면거칠기는, 첨가되는 충전제의 양에 따라 적절히 조정할 수 있다. 여기에서 충전제로서는, 예를 들면 탄산칼슘, 실리카, 운모 등의 무기 충전제, 철, 납 등의 금속 충전제가 사용된다. 충전제의 양을 많게 함으로써 표면거칠기는 증가한다. 첨가되는 충전제의 양은 충전제의 종류에 따라 다양하지만, 일반적으로는 경화성 수지 100 중량부에 대해, 0~200 중량부, 더욱 바람직하게는 5~100 중량부 정도가 적당하다.
상기한 기재 위에 직접, 제2 경화성 수지를 제막, 경화함으로써 탑코트층을 형성할 수 있다. 또한, 제2 경화성 수지를 액상상태로 공정 필름 위에 박막형상으로 캐스트하고, 추가로 그 위에 제1 경화성 수지를 캐스트함으로써, 탑코트층이 부착된 기재를 제막할 수 있다. 이 때의 경화를 행하는 순서는, 각각의 제막 직후여도 되고, 기재의 제막 후 한꺼번에 행해도 된다. 탑코트층을 캐스트에 의해 제막하는 경우는, 그 표면거칠기는 공정 필름면의 거칠기에도 의존하기 때문에, 적당한 거칠기를 갖는 공정 필름을 선택하는 것이 바람직하다.
탑코트층의 두께는 특별히 한정되지는 않지만, 바람직하게는 0.2~20 ㎛, 특히 바람직하게는 0.5~5 ㎛ 정도이다.
(점착제층)
본 발명의 점착시트에 있어서는, 탑코트층이 형성된 면과 반대쪽 기재면에는, 점착제층이 형성되어 있다.
점착제층은 범용의 강점착제로 형성되어 있어도 되고, 또한 웨이퍼 가공에 자주 사용되고 있는 에너지선 경화형 점착제 또는 범용의 재박리 점착제로 형성되어 있어도 된다. 특히 본 발명에서는, 에너지선 경화형 점착제로 점착제층을 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 에너지선 경화형 점착제는, 일반적으로는 아크릴계 점착제와, 에너지선 경화성 화합물을 주성분으로 해서 된다.
에너지선 경화형 점착제에 사용되는 에너지선 경화성 화합물로서는, 예를 들면 일본국 특허공개 제(소)60-196,956호 공보 및 일본국 특허공개 제(소)60-223,139호 공보에 개시되어 있는 바와 같은 광조사에 의해 3차원 망상화(網狀化)할 수 있는 분자 내에 에너지선 중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 이상 갖는 저분자량 화합물이 널리 사용되고, 구체적으로는, 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 모노히드록시 펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 또는 올리고에스테르 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트 등의 올리고머가 사용된다.
에너지선 경화형 점착제 중의 아크릴계 점착제와 에너지선 중합성 화합물과의 배합비는, 아크릴계 점착제 100 중량부에 대해 에너지선 중합성 화합물은 50~200 중량부의 양으로 사용되는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 얻어지는 점착시트는 초기의 접착력이 크고, 또한 에너지선 조사 후에는 점착력은 크게 저하된다. 따라서, 에너지선 조사에 의해 점착시트를 피착체로부터 용이하게 박리할 수 있게 된다.
또한, 에너지선 경화형 점착제층은, 측쇄에 에너지선 중합성기를 갖는 에너지선 경화형 공중합체로 형성되어 있어도 된다. 이러한 에너지선 경화형 공중합체는, 점착성과 에너지선 경화성을 겸비하는 성질을 갖는다. 측쇄에 에너지선 중합성기를 갖는 에너지선 경화형 공중합체는, 예를 들면, 일본국 특허공개 제(평)5-32946호 공보, 일본국 특허공개 제(평)8-27239호 공보에 그 상세한 내용이 기재되어 있다.
점착제층의 두께는 그 재질에 따라서도 다르지만, 통상은 3~100 ㎛ 정도이고, 바람직하게는 10~50 ㎛ 정도이다.
본 발명의 점착시트는 상기의 점착제를 롤 코터(roll coater), 나이프 코터(knife coater), 롤 나이프 코터(roll-knife coater), 리버스 코터(reverse coater), 다이 코터(die coater) 등 일반에게 공지의 도공기(coater)를 사용하여, 기재의 탑코트층의 반대면에 적절한 두께가 되도록 도포 건조하여 점착제층을 형성하거나, 박리시트에 점착제층을 형성하여 기재 표면에 전사함으로써 얻어진다.
다음으로, 본 발명의 워크의 가공방법에 대해서, 특히 반도체 웨이퍼를 가공하는 경우의, 표면보호 방법, 다이싱법, 픽업방법을 예로 들어 설명하지만, 본 발명에 있어서는, 가공대상인 워크는 반도체 웨이퍼에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 각종 세라믹이나, 유리, 금속 등의 가공에도 본 발명은 적용된다.
(표면보호 방법)
본 발명의 점착시트는, 상술한 바와 같이 기재의 한쪽 면에 특정 탑코트층이 형성되어 있다. 이 탑코트층은 높은 내열성을 갖는다. 따라서 점착시트를, 열처리를 수반하는 처리를 포함하는 프로세스에 적용한 경우에도, 탑코트층을 장치 등의 고온이 되는 부재(에칭에 있어서의 시료대(sample table)나, 오븐의 바닥면)에 접하도록 배치하면, 점착시트가 이들 다른 장치류에 밀착되는 경우가 없어진다.
이러한 점착시트는, 종래 적용 불가능했던 가열처리 또는 발열을 수반하는 처리를 갖는 반도체 웨이퍼의 가공 프로세스에 있어서도 사용이 가능해진다.
보다 구체적으로는, 반도체 웨이퍼용 표면보호 시트로서, 하기 (1), (2)와 같은 가공 프로세스에 바람직하게 적용할 수 있다.
(1) 반도체 웨이퍼의 연삭면에 대해, 플라즈마 에칭 등의 발열을 수반하는 처리에서의 표면보호 시트
반도체 웨이퍼는 이면 연삭 후, 패키지 크랙(package crack)의 요인이 되는 파쇄층을 제거하기 위해 플라즈마 에칭을 행하는 경우가 있다. 플라즈마 에칭을 행하는 경우는, 반도체 웨이퍼는 매우 얇게 연삭되는 경우가 많기 때문에, 반송시의 파손이 일어나지 않도록 표면보호용 점착시트가 첩부된 채 플라즈마 에칭장치로 보내어진다. 에칭시에는, 반도체 웨이퍼는 180℃ 정도까지 발열되어, 점착시트도 가열된다. 통상의 점착시트를 표면보호 시트로서 사용한 것에서는, 기재가 용융 또는 연화되어, 에칭장치의 시료대에 점착시트가 밀착되어 버리는 경우가 있다. 그러나, 본 발명의 점착시트를 표면보호 시트로서 사용하면, 기재도 탑코트층도 용융되지 않고, 더욱이 탑코트층은 연화되기 어렵기 때문에, 에칭장치의 시료대에 점착시트가 융착 또는 밀착되는 경우가 없다.
구체적인 가공 프로세스로서는, 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 회로면에 표면보호용 점착시트를 첩부하고, 소정의 두께까지 연삭장치로 연삭을 행한다. 점착시트는 박리하지 않고 플라즈마 에칭장치에 설치하여, 연마면에 생성된 파쇄층을 에칭해서 제거한다. 그 후 반도체 웨이퍼를 플라즈마 에칭장치로부터 꺼내, 소정의 공정으로 다이싱하고, 패키징을 행하여 반도체장치를 제조한다.
발열을 수반하는 처리로서는, 플라즈마 에칭 외에 진공 증착이나 스퍼터링 등의 물리 증착법 또는 CVD법에 의한 막형성을 위한 프로세스가 있다.
(2) 열접착성 수지 필름의 적층에 있어서의 표면보호 시트
웨이퍼(최종적으로는 칩)에 충분한 강도를 부여하고, 또한 몰드 수지와의 밀착성을 향상시키기 위해, 또는 리드프레임과의 접착에 사용하기 위해, 웨이퍼 이면에 수지 필름이 설치되는 경우가 있다. 수지 필름은 스핀 코터(spin coater)로 웨이퍼에 형성하는 것 외에, 열접착성을 갖는 필름을 웨이퍼에 히터 롤러(heater rollerr)등으로 열압착함으로써 적층할 수 있다. 열접착성 수지 필름은, 예를 들면 내열성을 갖는 열가소성 폴리이미드 등이 사용되기 때문에, 그 열압착 조건으로는 180℃ 정도의 가열이 행해진다. 열압착시, 고정 테이블면에 접하는 회로면은 표면보호용 점착시트가 첩부되어 보호된다. 통상의 점착시트를 표면보호 시트로서 사용한 것에서는, 기재가 용융 또는 연화되어, 고정 테이블에 점착시트가 밀착되어 버리는 경우가 있다. 그러나, 본 발명의 점착시트를 표면보호 시트로서 사용하면, 기재도 탑코트층도 용융되지 않고, 더욱이 탑코트층은 연화되기 어렵기 때문에, 고정 테이블에 점착시트가 융착 또는 밀착되는 경우가 없다.
구체적인 가공 프로세스로서는, 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 회로면에 표면보호용 점착시트를 첩부하고, 소정의 두께까지 연삭장치로 연삭을 행한다. 점착시트는 박리하지 않고 가열처리가 가능한 라미네이터(laminator)에 탑재하여, 목적으로 하는 열접착성 수지 필름을 반도체 웨이퍼의 목적으로 하는 개소에 가열 압착한다. 그 후 반도체 웨이퍼를 라미네이터로부터 꺼내, 소정의 공정으로 다이싱하고, 패키징을 행하여, 반도체장치를 제조한다.
(다이싱방법, 픽업방법)
더욱이, 본 발명의 점착시트는 다이싱 시트 또는 픽업 시트로서 하기와 같은 가공 프로세스(3), (4)에도 바람직하게 적용할 수 있다.
(3) 이방 도전성 접착필름의 형성 프로세스에 있어서의 다이싱 시트
반도체 칩을 플립칩 본드 방식(flip-chip bond system)으로 칩용 기판에 탑재할 때, 칩과 기판과의 전도(conduction)를 이방 도전성 접착필름으로 행하는 방법이 있다. 이러한 경우, 기판쪽에 이방 도전막을 형성하고 있어도 되지만, 웨이퍼쪽에 설치해두면, 이방 도전 접착필름을 칩사이즈로 절단하는 것을 다이싱 공정에서의 칩다이싱과 동시에 할 수 있기 때문에 바람직하다.
웨이퍼의 두께가 얇은 경우는 웨이퍼가 파손되지 않도록, 웨이퍼의 이면 연삭 후 다이싱 시트가 연삭면에 첩부된 다음, 보호 시트가 웨이퍼 회로면으로부터 박리된다. 이방 도전성 접착필름은, 다이싱 시트가 첩부된 상태에서 웨이퍼 회로면에 형성된다. 이방 도전성 접착필름을 웨이퍼 회로면에 형성할 때는, 회로면의 요철과의 계면(interface)에 공기 고임(remaining air)(보이드(void))이 생성되지 않도록, 가열에 의해 요철에 추종(追從)하도록 하여 압착한다. 가열 압착시, 다이싱 시트쪽이 가열 테이블에 접하기 때문에, 종래의 다이싱 시트에서는 기재가 용융 또는 연화되어, 가열 테이블에 점착시트가 밀착되어 버리는 경우가 있다.
그러나, 본 발명의 점착시트를 다이싱 시트로서 사용한 경우는, 기재도 탑코트층도 용융되지 않고, 더욱이 탑코트층은 연화되기 어렵기 때문에, 가열 테이블에 점착시트가 융착 또는 밀착되는 경우가 없다.
구체적인 가공 프로세스로서는, 반도체 웨이퍼의 회로면에 표면보호용 점착시트를 첩부하여 이면쪽을 소정의 두께까지 연삭하고, 연삭면쪽에 다이싱용 점착시트를 첩부한다. 웨이퍼의 회로면쪽으로부터 표면보호용 점착시트를 박리하고, 이 상태에서 가열처리가 가능한 라미네이터에 탑재하여, 이방 도전성 접착필름을 웨이퍼의 회로면에 가열 압착한다. 그 후 반도체 웨이퍼를 라미네이터로부터 꺼내, 이방 도전성 접착필름과 함께 웨이퍼를 다이싱하여 칩화한다. 이 이방 도전성 접착필름을 매개로 하여 칩을 기판에 플립칩 본드를 행하고, 추가로 패키징을 행하여 반도체장치를 제조한다.
또한, 본 발명에 있어서는 이방 도전 접착성 필름에 한정되지 않고, 절연성 가열 접착성 필름을 설치할 때의 공정에 사용 가능하다. 이 경우는, 플립칩 본드를 행할 때, 가열 접착성 필름을 유동화시켜 칩과 기판의 전극을 접촉시켜서 전도시킨다.
(4) 가열 박리성 시트를 사용한 웨이퍼(칩)의 전사 프로세스에 있어서의 다이싱 시트(픽업 시트)
반도체 웨이퍼를 극박으로까지 연삭할 때는, 유리와 같은 경질판(hard plate)에 웨이퍼를 고정함으로써 두께 정밀도가 향상되어, 파손을 방지할 수 있다. 이 때, 통상은 양면 점착시트에 의해 웨이퍼가 경질판 위에 고정된 상태로 한다. 연삭종료 후에, 웨이퍼를 경질판으로부터 박리하는 것을 용이하게 하기 위해, 양면 점착시트로서, 가열 변형성의 점착시트가 사용된다. 가열 변형성 점착시트란, 기재의 열수축성을 이용하여 가열에 의해 점착시트를 변형시켜 웨이퍼와의 접착면적을 저하시켜 웨이퍼의 박리를 용이하게 하는 것(예를 들면, 린텍사제 Adwill N 시리즈)이나, 점착제층으로서 가열 팽창형 점착제를 사용한 양면 점착시트(예를 들면, 닛토 덴코사제 리버알파(REVALPHA))로, 가열에 의해 점착제층을 팽창시킴으로써, 웨이퍼와의 접착면적을 저하시켜 웨이퍼의 박리를 용이하게 하는 것 등 여러가지로 고안되어 있다.
경질판으로부터 웨이퍼를 직접 박리하면 웨이퍼가 파손될 가능성이 크기 때문에, 경질판으로부터 박리하기 전에, 다음 공정에서 사용하는 다이싱 시트를 첩부하여 파손을 방지하는 방법을 생각되어 있다(일본국 특허공개 제2001-217212호 공보).
박리시의 가열은 오븐 속 등에서 행해지고, 그 때 다이싱 시트는 오븐의 바닥면에 접촉된다. 이 때문에, 종래의 연질 기재를 사용한 다이싱 시트에서는, 가열에 의해 기재가 융해 또는 연화되어, 오븐의 바닥면에 기재가 밀착되는 경우가 있었다.
그러나, 본 발명의 점착시트를 다이싱 시트로서 사용하면, 기재도 탑코트층도 용융되지 않고, 더욱이 탑코트층은 연화되기 어렵기 때문에, 오븐의 바닥면에 점착시트가 융착 또는 밀착되는 경우가 없다.
구체적인 프로세스로서는, 반도체 웨이퍼를 가열 변형성 양면 점착시트를 사용하여 유리판 등의 경질판에 첩부 고정한다. 경질판에 고정된 상태에서, 이면 연삭을 행한 후, 본 발명의 점착시트로 되는 다이싱 시트를 웨이퍼면에 첩부한다. 이 상태의 웨이퍼를 오븐에 투입하여 가열하면 양면 점착시트가 변형되어, 웨이퍼가 양면 점착시트로부터 박리되고, 웨이퍼는 다이싱 시트에만 첩착(貼着)된 상태가 된다. 이 웨이퍼를 오븐으로부터 꺼내, 다이싱을 행하고, 추가로 소정의 패키징 프로세스에 의해 반도체장치가 제조된다.
상기 방법에 있어서는, 경질판 위에서 이면 연삭공정만을 행하는 가공 프로세스에 대해서 설명하였지만, 경질판 위에서 다이싱 공정을 이면 연삭공정에 이어 계속해서 행해도 된다. 이 경우, 본 발명의 점착시트는 다이싱 시트가 아니라, 픽업공정 전용인 점착시트(픽업 시트)여도 된다. 픽업 시트란, 칩화가 끝난 웨이퍼에 첩부되어 칩의 픽업 기능에 특화(特化)된 점착시트를 말한다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정 되지는 않는다. 또한, 이하의 실시예 및 비교예서는, 「영률」, 「표면거칠기」, 「응력완화율」, 「DSC 피크량」, 「고온 밀착성」 및 「웨이퍼의 휘어짐」에 대한 평가를 하기와 같이 행하였다.
「영률」
실시예 또는 비교예에서 작성한 점착시트의 기재를, 시험속도 200 ㎜/분으로 JIS K-7127에 준거하여 측정하였다.
「표면거칠기」
실시예 또는 비교예에서 작성한 점착시트의 탑코트층의 면을, JIS B0601에 준하여, 평균거칠기(Rz)를 측정하였다. 또한, 비교예 1 및 비교예 3은, 기재면을 측정하였다.
「응력완화율」
실시예 및 비교예에서 작성한 기재와 탑코트층과의 적층체를 폭 15 ㎜, 길이 100 ㎜로 잘라내 시험편(specimen)을 얻는다. 이 시험편을, 오리엔텍사제 TENSILON RTA-100을 사용하여 속도 200 ㎜/min으로 인장하고, 10% 신장시의 응력 A와, 신장 정지 1분 후의 응력 B로부터 (A-B)/A×100(%)에 의해 산출한다.
「DSC 피크량」
실시예 또는 비교예 2에서 작성한 점착시트의 탑코트층의 코트제와 동일한 배합을 건조해서 자외선 경화하여 DSC 측정용 샘플을 작성하였다. 약 10 ㎎의 샘플을 시차주사열량계(Perkin Elmer사제 Pyris 1)를 사용하여, 승온속도 10℃/min으로 상온부터 220℃까지 측정하였다. 50~200℃에 나타나는 최대의 흡열 또는 발열의 에너지량을 DSC 피크량으로 하였다.
「고온 밀착성」
실시예 또는 비교예의 점착시트(50 ㎜×50 ㎜)의 탑코트층쪽을, 경면(鏡面)처리한 SUS판에 올려놓고, 중량 100 g의 하중을 가한 상태에서 180℃의 핫 플레이트 위에 5분간 탑재하여 가열하였다. 1시간 실온으로 냉각한 후 SUS판을 뒤집어 점착시트가 자연 낙하된 것을 밀착 없음으로 하고, 자연 낙하되지 않은 것을 밀착 있음으로 하였다. 또한, 비교예 1 및 비교예 3은, 점착시트의 기재쪽을 SUS판에 올려놓았다.
「웨이퍼의 휘어짐」
실시예 및 비교예에서 작성한 점착시트를 직경 200 ㎜, 두께 725 ㎛의 Si 웨이퍼에 첩부하고, 100 ㎛까지 연삭하였다. 계속해서, 점착시트면을 180℃의 핫 플레이트 위에 5분간 올려놓고, 웨이퍼를 가열하였다. 점착시트를 제거하지 않고 웨이퍼를 1시간 실온에서 냉각하여, 웨이퍼 정반(wafer holding plate) 위에 점착시트면을 위로 하여 올리고, 웨이퍼를 정치(靜置)하였다. 웨이퍼 정반의 윗면 높이를 제로 지점으로 하고, 17개소의 측정 포인트에서의 웨이퍼의 높이를 측정하여, 측정값의 최대값과 최소값의 차를 휘어짐량으로 하였다.
실시예 1
1-1) 탑코트층을 형성하기 위한 자외선 경화형 도포제로서 이하 배합의 것을 사용하였다.
·우레탄 아크릴레이트 올리고머(분자량(Mw) 약 1000): 50 중량부
·디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트: 50 중량부
·광개시제(씨바 스페셜티 케미컬즈사제, 이루가큐어 184): 4.0 중량부
·실리카 충전제(닛산 가가쿠 고교사제, 스노우텍스 UP): 30 중량부
상기 도포제를 실리콘 수지로 박리처리된 두께 38 ㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(이하 PET 필름이라고 한다)으로 되는 공정 필름(린텍사제, SP-PET38E)에 마이어 바(Meyer bar)를 사용하여 도포하고, 자외선조사(250 mJ/㎠)에 의해 경화하여, 공정 필름 위에 두께 2 ㎛의 탑코트층만의 피막을 형성시켰다.
1-2) 계속해서, 기재를 형성하기 위한 도포제로서 이하 배합의 것을 사용하였다.
·우레탄 아크릴레이트 올리고머(분자량(Mw) 약 5000): 50 중량부
·이소보르닐 아크릴레이트: 50 중량부
·광개시제(이루가큐어 184): 2.0 중량부
이 도포제를 1-1)에서 작성한 공정 필름 상의 탑코트층 위에 파운테인 다이 코터(fountain die coater)를 사용하여 도포하고, 자외선조사(250 mJ/㎠)에 의해 경화하여, 탑코트층 위에 두께 157 ㎛의 경화피막으로 되는 기재를 형성하였다.
1-3) 다음으로, 점착제층용 도포제로서 다음 배합의 자외선 경화형 점착제를 사용하였다.
·n-부틸 아크릴레이트 62 중량부, 메틸 메타크릴레이트 10 중량부, 2-히드록시에틸 아크릴레이트 28 중량부로 되는 공중합체(중량 평균분자량 약 500,000) 100 중량부와, 메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 30 중량부의 부가물 100 중량부
·비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥시드로 되는 광중합개시제 0.3 중량부
·톨릴렌디이소시아네이트와 트리메틸롤프로판의 부가물로 되는 가교제 0.3 중량부
이 도포제를, 실리콘 수지로 박리처리된 두께 38 ㎛의 PET 필름으로 되는 박리 필름(린텍사제, SP-PET3811(S))에 도포 건조하고, 1-2)에서 작성한 기재의 탑코트의 미도공면에 전사하여 점착제층의 두께 20 ㎛를 갖는, 반도체 웨이퍼의 회로면 보호용 점착시트를 작성하였다.
이 점착시트에 있어서의 「영률」, 「표면거칠기」, 「응력완화율」, 「DSC 피크량」 및 「고온 밀착성」을 표 1에 나타낸다. 또한, 이 점착시트를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 연삭하고, 「웨이퍼의 휘어짐」을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
상술한 방법으로 얻은 실리콘 웨이퍼의 점착 테이프의 탑코트층면을 가열 테이블 위에 올려놓고, 실리콘 웨이퍼의 연삭면에 열접착성 수지 필름(린텍사제, Adwill LP-3)을 180℃에서 열압착을 행하였다. 실온으로 냉각한 후에도, 점착시트는 가열 테이블에 밀착되지 않고, 실리콘 웨이퍼에는 휘어짐은 발생하지 않았다. 또한, 별도로 동일하게 연삭을 행한 실리콘 웨이퍼의 연삭면에 대해, 스퍼터링에 의해 금(Au)막을 형성하였지만 조금도 문제는 발생하지 않았다.
실시예 2
실시예 1에서 사용한 탑코트층 대신에 아라카와 가가쿠사제, 빔 세트(BEAM SET) 373A(자외선 경화성 관능기를 갖는 아크릴계 폴리머로 되는 코트제, 고형분 중에 실리카 충전제 20 중량%를 갖는다)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착시트를 작성하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
또한, 실시예 1과 동일하게 열접착성 수지 필름의 열압착과 스퍼터링에 의한 Au막의 형성을 행하였지만, 어느 경우도 어떠한 문제의 발생은 없었다.
비교예 1
실시예 1에 있어서, 탑코트층을 형성하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 점착시트를 작성하였다.
이 점착시트에 있어서의 「영률」, 「표면거칠기」, 「응력완화율」 및 「고온 밀착성」을 표 1에 나타낸다. 또한, 이 점착시트를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 연삭하고, 「웨이퍼의 휘어짐」을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
또한, 실시예 1과 동일하게 열접착성 수지 필름의 열압착과 스퍼터링에 의한 Au막의 형성을 행하였다. 어느 경우도 웨이퍼의 휘어짐은 발생하지 않았지만, 테이블 위에 점착시트가 밀착되어 박리가 곤란하였다.
비교예 2
실시예 1에 있어서, 탑코트층용 도포제를 비가교성 폴리스티렌계 열가소성 엘라스토머 100 중량부(충전제 무첨가)를 용매 희석한 것으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착시트를 작성하였다.
이 점착시트에 있어서의 「영률」, 「표면거칠기」, 「응력완화율」, 「DSC 피크량」 및 「고온 밀착성」을 표 1에 나타낸다. 또한, 이 점착시트를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 연삭하고, 「웨이퍼의 휘어짐」을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
또한, 실시예 1과 동일하게 열접착성 수지 필름의 열압착과 스퍼터링에 의한 Au막의 형성을 행하였다. 어느 경우도 웨이퍼의 휘어짐은 발생하지 않았지만, 테이블 위에 점착시트가 밀착되어 박리가 곤란하였다.
비교예 3
실시예 1에 있어서, 기재를 두께 188 ㎛의 열가소성 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름으로 변경하고, 탑코트층을 설치하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착시트를 작성하였다.
이 점착시트에 있어서의 「영률」, 「표면거칠기」, 「응력완화율」 및 「고온 밀착성」을 표 1에 나타낸다. 또한, 이 점착시트를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 연삭하고, 「웨이퍼의 휘어짐」을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
또한, 실시예 1과 동일하게 열접착성 수지 필름의 열압착과 스퍼터링에 의한 Au막의 형성을 행하였다. 어느 경우도 웨이퍼에 휘어짐이 발생하고, 웨이퍼의 일부가 파손되었다.
실시예 3
실시예 1에 있어서, 기재의 두께를 80 ㎛로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 반도체 웨이퍼 다이싱용 점착시트를 작성하였다. 이 점착시트에 있어서의 「영률」, 「표면거칠기」, 「응력완화율」, 「DSC 피크량」 및 「고온 밀착성」을 표 1에 나타낸다.
또한, 이 점착시트를 사용하여 두께 200 ㎛로 연삭한 직경 200 ㎜의 웨이퍼를 웨이퍼용 프레임에 고정하고, 다이싱장치를 사용하여 10 ㎜×10 ㎜ 사이즈로 다이싱하였다. 계속해서, 점착시트의 탑코트층면을 180℃의 핫플레이트 위에 5분간 올려놓고, 웨이퍼를 가열하였다. 웨이퍼를 1시간 실온에서 냉각한 후, 핫플레이트로부터 꺼내고, 점착시트의 탑코트층쪽으로부터 점착제층에 대해 자외선조사(250 mJ/㎠)하였다. 이 점착시트를 확장장치(expanding apparatus)에 의해 10 ㎜ 잡아늘여 칩 간격을 넓히고, 칩을 점착시트쪽으로부터 침으로 밀어올려 픽업을 행하였다. 점착시트가 핫플레이트에 밀착되지 않고, 어느 공정도 문제 없이 행할 수 있었다.
실시예 4
실시예 1에서 사용한 점착제층용 도포제를,
·2-에틸헥실 아크릴레이트 60 중량부, 2-히드록시에틸 아크릴레이트 40 중량부로 되는 공중합체(중량 평균분자량 약 400,000) 100 중량부와, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 48 중량부의 부가물 100 중량부
·비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥시드로 되는 광중합개시제 0.2 중량부
·톨릴렌디이소시아네이트와 트리메틸롤프로판의 부가물로 되는 가교제 1 중량부
로 변경한 자외선 경화형 점착제를 사용한 것 이외에는 동일한 조작을 행하여 점착시트를 작성하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 5
실시예 2에서 사용한 점착제층용 도포제를,
·n-부틸 아크릴레이트 90 중량부, 아크릴산 10 중량부로 되는 공중합체(중량 평균분자량 약 600,000) 100 중량부
·중량 평균분자량 760의 6관능 우레탄 아크릴레이트 올리고머 120 중량부,
·비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥시드로 되는 광중합개시제 0.2 중량부
·톨릴렌디이소시아네이트와 트리메틸롤프로판의 부가물로 되는 가교제 15 중량부
로 변경한 자외선 경화형 점착제를 사용한 것 이외에는 동일한 조작을 행하여 점착시트를 작성하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 6
실시예 2에서 사용한 점착제층용 도포제를,
·n-부틸 아크릴레이트 84 중량부,
·메틸메타크릴레이트 10 중량부,
·아크릴산 1 중량부,
·2-히드록시에틸 아크릴레이트 5 중량부,
·톨릴렌디이소시아네이트와 트리메틸롤프로판의 부가물로 되는 가교제 15 중량부
로 변경한 재박리형 점착제를 사용한 것 이외에는 동일한 조작을 행하여 점착시트를 작성하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
이러한 본 발명에 의하면, 가열처리 또는 발열을 수반하는 처리를 포함하는 가공 프로세스에 적용되어도, 다른 장치 등에 밀착되지 않는 점착시트가 제공된다. 또한 회로면의 보호기능이나 확장성 등의 특성을 부여시킴으로써, 표면보호 시트나 다이싱 시트 또는 픽업 시트로서 사용되는 종래에 없는 고온 내열성을 구비한 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트가 제공된다.

Claims (10)

  1. 제1 경화성 수지를 제막·경화하여 얻어진 기재와, 그 위에 제2 경화성 수지가 도포 형성되어 경화된 탑코트층 및 그 반대면에 형성된 점착제층으로 되는 것을 특징으로 하는 점착시트.
  2. 제1항에 있어서, 탑코트층을 형성하는 경화 후의 수지가, 50~200℃에 있어서의 DSC 측정에 있어서, 0.1 J/g 이상의 피크를 갖지 않는 것을 특징으로 하는 점착시트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기재의 영률이 50~5000 MPa인 것을 특징으로 하는 점착시트.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 점착시트를, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 회로면에 첩부하고, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 표면보호 방법.
  5. 제4항에 있어서, 점착시트가 첩부된 반도체 웨이퍼에 대해, 반도체 웨이퍼를 연삭하기 전 또는 후에 가열처리 또는 발열을 수반하는 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 표면보호 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 가열처리가, 반도체 웨이퍼의 연삭면에 열접착성 필름을 열압착하는 처리인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 표면보호 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 발열을 수반하는 처리가, 반도체 웨이퍼의 연삭면에 대해 행해지는 진공 증착, 스퍼터링, 플라즈마 에칭으로부터 선택되는 처리인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 보호 방법.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 점착시트에 의해 워크를 고정하고, 워크를 픽업하는 것을 특징으로 하는 워크의 가공방법.
  9. 제8항에 있어서, 점착시트가 첩부된 워크에 대해, 가열처리 또는 발열을 수반하는 처리를 행한 후, 워크를 픽업하는 것을 특징으로 하는 워크의 가공방법.
  10. 제9항에 있어서, 점착시트에 고정된 워크에 대해, 열접착성 필름을 열압착하고, 열접착성 필름과 함께 워크를 다이싱한 후, 다이싱된 워크를 픽업하고, 열접착성 필름을 매개로 하여 기판에 열접착하는 것을 특징으로 하는 워크의 가공방법.
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