TWI414010B - Crystalline crystal / sticky ribbon and semiconductor wafer manufacturing method - Google Patents

Crystalline crystal / sticky ribbon and semiconductor wafer manufacturing method Download PDF

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TWI414010B
TWI414010B TW97102094A TW97102094A TWI414010B TW I414010 B TWI414010 B TW I414010B TW 97102094 A TW97102094 A TW 97102094A TW 97102094 A TW97102094 A TW 97102094A TW I414010 B TWI414010 B TW I414010B
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Sekisui Chemical Co Ltd
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Description

切晶/黏晶帶及半導體晶片之製造方法
本發明係關於一種製造半導體晶片時所使用之切晶/黏晶帶，更詳細而言，本發明係關於一種與半導體晶圓相接合，且於切晶及黏晶時所使用之切晶/黏晶帶，以及使用該切晶/黏晶帶之半導體晶片的製造方法。
自先前，為了自半導體晶圓切割出半導體晶片，並將半導體晶片安裝於基板上等，使用有切晶/黏晶帶。
作為上述切晶/黏晶帶之一例，下述專利文獻1中揭示有：在膜狀黏接劑層之單面上積層有放射線硬化型黏著劑層之切晶/黏晶帶。膜狀黏接劑層含有熱塑性樹脂及環氧樹脂。膜狀黏接劑層相當於黏晶膜。又，放射線硬化型黏著劑層係放射線硬化型切晶膜。
在使用專利文獻1所揭示之切晶/黏晶帶而製造半導體晶片時，首先，於黏晶膜積層有切晶膜之面的相反側的面上，接合半導體晶圓。繼而，連同黏晶膜切割半導體晶圓。於進行切晶後，對放射線硬化型切晶膜照射放射線，使切晶膜硬化。切晶膜硬化後，其黏著力會下降。然後，將接合有半導體晶片之黏晶膜，自切晶膜剝離、取出。並且，經由黏晶膜，將半導體晶片安裝於基板上。
然而，於進行切晶時，為了穩定地進行切晶，黏晶膜必須牢固地接合在切晶膜上。相對於此，於切晶後拾取半導體晶片時，附帶半導體晶片之黏晶膜，必須自切晶膜適當 地剝離。因此，專利文獻1中使用有照射放射線之前黏著力較高，且照射放射線之後會產生硬化使黏著力下降的放射線硬化型切晶膜。
另一方面，亦眾所周知有具備並非放射線硬化型切晶膜之切晶膜的切晶/黏晶帶。
例如，下述專利文獻2中，揭示有膜狀黏接劑層之單面積層有基材膜(II)之切晶/黏晶帶。膜狀黏接劑層係由含有聚醯亞胺或丙烯酸系聚合物等熱塑性樹脂、及熱硬化性樹脂之樹脂組合物所構成。膜狀黏接劑層相當於黏晶膜。作為切晶膜，使用有聚丙烯膜、聚乙烯膜或聚對苯二甲酸乙二酯膜。基材膜(II)相當於切晶膜。
於專利文獻2中，於進行切晶後，對切晶膜貼附在黏晶膜上的面進行脫模處理，以使附帶半導體晶片之黏晶膜可自切晶膜適當地剝離。
專利文獻1：日本專利特開2004-292821號公報
專利文獻2：日本專利特開2006-165074號公報
專利文獻1中所揭示之切晶/黏晶帶中，使用有照射放射線後，會產生硬化使黏著力下降之放射線硬化型切晶膜。然而，於使用放射線硬化型切晶膜之情形時，於進行切晶後，必須對切晶膜照射放射線，使切晶膜硬化，而降低其黏著力。因此，必須進行照射放射線之作業。
進而，即使對切晶膜照射放射線，亦存在切晶膜之黏著力未充分降低的情況。若欲以切晶膜之黏著力未充分降低 之狀態，自切晶膜剝離附帶半導體晶片之黏晶膜，則往往會對半導體晶片施加過多力量。因此，有破壞半導體晶片之虞。
另一方面，專利文獻2中所揭示之切晶/黏晶帶中，為了提高剝離性，而對切晶膜進行脫模處理。因此，於拾取半導體晶片時，無需照射放射線。然而，於製作該切晶/黏晶帶時，必須進行在切晶膜之表面上塗佈脫模劑、或者在黏晶膜之表面上形成凹凸的脫模處理。
進而，於切晶膜之表面上塗佈有脫模劑之情形時，脫模劑往往會附著在黏晶膜上。於該情形時，有時無法將所拾取之半導體晶片準確安裝於基板上。另一方面，於切晶膜之表面上形成有凹凸之情形時，存在黏晶膜未與切晶膜充分密著的情況，於進行切晶時，存在黏晶膜會自切晶膜剝離的情況。
進而，於專利文獻2中，作為切晶膜，使用有聚丙烯膜、聚乙烯膜或聚對苯二甲酸乙二酯膜，因此，於拾取半導體晶片時，易於產生切割屑。若產生切割屑，則存在無法準確拾取半導體晶片的情況。又，切割屑附著於黏晶膜或半導體晶片上，而無法使所拾取之半導體晶片以高精度且正確方向安裝於基板上。
本發明之目的在於鑒於上述先前技術之現狀，而提供一種切晶/黏晶帶，其於切割半導體晶圓，並連同黏晶膜拾取半導體晶片時，無須進行照射光之作業，而可連同黏晶膜容易地剝離、取出半導體晶片；以及使用該切晶/黏晶 帶之半導體晶片的製造方法。
根據本發明，可提供一種切晶/黏晶帶，其特徵在於：其係於切割半導體晶圓，獲得半導體晶片，以及黏接半導體晶片時所使用者，具有黏晶膜與貼附於上述黏晶膜之其中一面上的非黏著膜，上述非黏著膜含有(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體作為主成分。
再者，亦可於上述非黏著膜之與貼附有黏晶膜之面為相反側的面上，貼附例如切晶膜，再進行切晶。或者，上述非黏著膜本身亦可用作切晶膜。如上所述，所謂本發明之「切晶/黏晶帶」係指切晶及黏晶時所使用之膠帶，其具有上述黏晶膜及非黏著膜作為必需結構，可另外具有切晶膜，亦可不具有。於切晶/黏晶帶不具有切晶膜之情形時，可於切晶時，另外準備切晶膜。該切晶膜可貼附於非黏著膜貼之與附有黏晶膜之面為相反側的面上，而進行切割。於該情形時，雖然切晶/黏晶帶不具有切晶膜，但因切割時亦使用切晶膜，故其仍為切晶/黏晶帶。
於本發明之切晶/黏晶帶之某個特定樣態中，上述非黏著膜於破裂點的伸長率在5~100%之範圍內。於該情形時，利用切割刀片進行切晶時，不容易產生切割屑。
於本發明之切晶/黏晶帶之另一特定樣態中，上述非黏著膜貼附有上述黏晶膜之面的表面能係設為40 N/m以下。於該情形時，可自非黏著膜更加容易地將黏晶膜剝離。進而，因黏晶膜與非黏著膜之界面上的密著性較低，故剝離時，可抑制黏晶膜之一部分缺損而作為膜片分離，使該膜 片附著於非黏著膜上的情況。
於本發明之切晶/黏晶帶之又一特定樣態中，在上述非黏著膜之貼附有上述黏晶膜之面上，並不進行脫模處理。
上述(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體，較好的是包含具有碳數1~18之烷基的(甲基)丙烯酸酯聚合物。(甲基)丙烯酸酯聚合物之酸值較好的是2以下。又，(甲基)丙烯酸酯聚合物，更好的是將丙烯酸丁酯與丙烯酸乙酯中之至少一者聚合而得之(甲基)丙烯酸酯聚合物。
於本發明之切晶/黏晶帶之另一特定樣態中，上述黏晶膜包含熱硬化性樹脂組合物。
於本發明之切晶/黏晶帶之又一特定樣態中，上述黏晶膜，於熱硬化前之25℃下的儲存彈性模數在106 ~109 Pa之範圍內。
上述黏晶膜，較好的是包含環氧樹脂、含有與環氧基反應之官能基的高分子聚合物、及熱硬化劑。更好的是，黏晶膜相對於上述環氧樹脂100重量份，以10~100重量份之比率含有上述具有與環氧基反應之官能基的高分子聚合物。
於本發明之切晶/黏晶帶之另一特定樣態中，於上述非黏著膜之與貼附有上述黏晶膜之面為相反側的面上，貼附有切晶膜。
本發明之半導體晶片之製造方法的特徵在於，其包含以下步驟：準備本發明之切晶/黏晶帶與半導體晶圓；將半導體晶圓接合於切晶/黏晶帶之與上述黏晶膜貼附有上述 非黏著膜之面為相反側的面上；將接合有切晶/黏晶帶之半導體晶圓連同上述黏晶膜切割，將其分割成各個半導體晶片；以及在切晶後，將接合有上述半導體晶片之上述黏晶膜自上述非黏著膜剝離，將半導體晶片連同黏晶膜取出。
又，於本發明之半導體晶片之製造方法中，較好的是於上述進行切晶後取出半導體晶片之步驟中，不改變上述黏晶膜與上述非黏著膜之間的剝離力，而取出半導體晶片。
再者，於本說明書中，所謂不改變剝離力，意指不實施例如藉由光照射或加熱使切晶/黏晶帶之任一層硬化，而降低黏著力，藉此改變剝離力的步驟，或者使任一層收縮而改變剝離力的步驟，或者使任一層發泡而改變剝離力的步驟等改變剝離力之處理。
[發明之效果]
於本發明之切晶/黏晶帶中，於黏晶膜上貼附有非黏著膜，該非黏著膜含有(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體作為主成分，因此可容易地自非黏著膜剝離黏晶膜。因此，於進行切晶後，連同黏晶膜取出半導體晶片時，半導體晶片不易產生破損。
又，於進行切晶後，即使不進行光照射等作業，亦可容易地自非黏著膜剝離、取出附帶半導體晶片之黏晶膜。
進而，於本發明中，即使不對非黏著膜進行脫模處理，亦可容易地自非黏著膜剝離黏晶膜。因此，亦可不進行在切晶膜之表面上塗佈脫模劑、或者形成凹凸之多餘作業。 由於切晶膜之表面上亦可不塗佈脫模劑，因此於黏晶膜上未附著有脫模劑。又，由於切晶膜之表面上亦可不形成凹凸，因此黏晶膜與非黏著膜之密著性不易降低。因此，亦可穩定進行切晶。
於本發明之半導體晶片之製造方法中，係對接合有本發明之切晶/黏晶帶之半導體晶圓進行切割，並將其分割為各個半導體晶片後，自非黏著膜剝離接合有半導體晶片之黏晶膜，因此，黏晶膜之一部分缺損而作為膜片分離，使該膜片不易附著於非黏著膜上。因此，由於所得之半導體晶片上接合有無缺損之黏晶膜，因此可更準確地進行黏晶。
以下，一面參照圖式，一面說明本發明之具體實施形態，藉此明確本發明。
圖1(a)、(b)中，以部分欠缺正面剖面圖及部分欠缺平面圖表示本發明之一實施形態之切晶/黏晶帶。
如圖1(a)、(b)所示，切晶/黏晶帶1具有長形之脫模膜2。於脫模膜2之上面2a，依序積層有黏晶膜3、非黏著膜4及切晶膜5。黏晶膜3貼附有脫模膜2之表面3a係接合有半導體晶圓之面。
黏晶膜3、非黏著膜4及切晶膜5，具有圓形之平面形狀。切晶膜5之直徑大於黏晶膜3及非黏著膜4。再者，黏晶膜3之直徑係設為與非黏著膜4相同之直徑。但是，兩者之直徑亦可不同。
切晶膜5，具有基材5a、及塗佈於基材5a之單面的黏著劑5b。切晶膜5係從黏著劑5b側，貼附於非黏著膜4貼附有黏晶膜3之表面4a的相反側的表面4b上。切晶膜5係經由非黏著膜4而間接貼附於黏晶膜3上。
切晶膜5之直徑大於黏晶膜3及非黏著膜4，因此，如圖1(b)所示，切晶膜5具有以超出黏晶膜3及非黏著膜4之外邊緣之方式延伸之延伸部5c。該延伸部5c之一面，係藉由黏著劑5b而貼附在脫模膜2之上面2a上。即，於黏晶膜3及非黏著膜4之外邊緣的更外側區域，切晶膜5係貼附在脫模膜2之上面2a上。
切晶膜5之直徑大於黏晶膜3及非黏著膜4，是為了於將半導體晶圓接合於黏晶膜3之表面3a上時，將切割環貼附於位於延伸部5c之黏著劑5b上。
如圖1(b)所示，沿長形之脫模膜2之長度方向，等間隔地配置有包含黏晶膜3、非黏著膜4及切晶膜5之複數積層體。再者，於切晶膜5之側面區域，未必需要設置保護片6、7，然而於脫模膜2之上面2a上設置有保護片6、7。設置有保護片6、7之情形時，切晶/黏晶帶1例如藉由捲曲為滾筒狀而施加到黏晶膜3、非黏著膜4及切晶膜5上的壓力，會因保護片6、7之存在而減輕。
再者，脫模膜2之厚度或形狀並無特別限定。例如，可使用正方形形狀之脫模膜。於該情形時，脫模膜上亦可僅配置有包含黏晶膜、非黏著膜及切晶膜之一個積層體。又，上述積層體亦可不與該脫模膜同時，如上所述地捲曲 為滾筒狀。又，黏晶膜、非黏著膜及切晶膜之厚度或形狀亦無特別限定。
對於切晶/黏晶帶1，於取出附帶黏晶膜3之半導體晶片時，較好的是黏晶膜3與非黏著膜4之剝離力小於非黏著膜4與切晶膜5之剝離力。於該情形時，可容易地自非黏著膜4，於兩者之界面剝離黏晶膜3。因此，可更加容易地自非黏著膜4，連同黏晶膜3之半導體晶片剝離、取出半導體晶片。
於自非黏著膜4連同黏晶膜3剝離、取出半導體晶片時，黏晶膜3與非黏著膜4之剝離強度較好的是15 N/m以下，更好的是8 N/m以下，更好的是6 N/m以下。若剝離強度過大，則存在自非黏著膜4剝離黏晶膜3變得困難的情況。剝離強度之較好的下限為1 N/m。若剝離強度過小，則於進行切晶時，半導體晶片容易產生飛片。
(非黏著膜)
上述非黏著膜4係為了於黏晶膜3與非黏著膜4之界面，自非黏著膜4剝離黏晶膜3而設置。
非黏著膜4具有非黏著性。再者，於本說明書中，所謂「非黏著性膜」不僅包括表面不具有黏著性的膜，亦包括用手指觸碰表面時不會黏在一起的膜。具體而言，「非黏著性膜」中之所謂「非黏著」，意指將非黏著膜貼附於不鏽鋼板上，並以300mm/分鐘之剝離速度剝離非黏著膜時，剝離力為5g/25mm之程度以下的情況。
本實施形態之特徵在於，上述非黏著膜4含有(甲基)丙 烯酸系樹脂交聯體作為主成分。
於如上述專利文獻1所揭示之切晶/黏晶帶中，切晶膜係由放射線硬化型黏著劑所構成，照射放射線前之切晶膜的黏著力較高。因此，為了自切晶膜剝離黏晶膜，必須充分降低切晶膜之黏著力。因此，需要進行對切晶膜照射放射線之多餘作業。進而，亦存在於照射放射線後，黏著力未充分下降的情況。
相對於此，本實施形態之切晶/黏晶帶1中，非黏著膜含有(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體作為主成分，因此，可容易地自非黏著膜4剝離黏晶膜3。進而，於進行切晶後，連同黏晶膜3取出半導體晶片時，亦不易破壞半導體晶片。
又，於如上述專利文獻2中所揭示之切晶/黏晶帶中，為了提高剝離性，而對切晶膜貼附有黏晶膜之面進行脫模處理。因此，必須進行於切晶膜之表面上塗佈脫模劑、或者形成凹凸之脫模處理。於切晶膜上塗佈脫模劑之情形時，存在脫模劑會附著於黏晶膜上的情況。又，於切晶膜之表面上形成凹凸之情形時，於進行切晶時，黏晶膜會自切晶膜剝離。
進而，於專利文獻2中，作為切晶膜，使用有聚丙烯膜、聚乙烯膜、或聚對苯二甲酸乙二酯膜。於使用上述膜之情形時，於進行切晶時，容易產生切割屑。
相對於此，於本實施形態之切晶/黏晶帶1中，即使不對非黏著膜4進行脫模處理，亦可容易地自非黏著膜4剝離黏晶膜3。因此，亦可不進行於切晶膜5之表面上塗佈脫模 劑、或者形成凹凸之多餘作業。由於切晶膜5之表面上亦可不塗佈脫模劑，因此，脫模劑不會附著於黏晶膜3上。又，由於非黏著膜4之表面上亦可不形成凹凸，因此，可穩定進行切晶。進而，對於本實施形態之切晶/黏晶帶1，於進行切晶時，亦不易產生切割屑。
非黏著膜4之主成分係(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體。於該情形時，非黏著膜4含有50重量%以上之(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體。含有上述(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體作為主成分之非黏著膜4，比聚烯烴系膜更為柔軟，例如具有較低之儲存彈性模數。又，藉由使用上述(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體，可防止非黏著膜4與黏晶膜3之界面的融合，可使拾取時變得不易引起不良情況。又，藉由降低非黏著膜4之斷裂伸長率，於利用切割刀片進行切晶時，切割屑會成為粉末，因此，排出性會變得良好，可抑制鬚狀之切割屑的產生。因此，於使用含有(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體作為主成分之非黏著膜4之情形時，可提高切晶時之切削性或切割後之剝離性。又，藉由選擇作為主成分之(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體，可降低非黏著膜4之極性，或者降低彈性模數，或者容易地控制斷裂伸長率。
再者，於本發明中，所謂「(甲基)丙烯酸」意指「甲基丙烯酸或丙烯酸」。
作為構成非黏著膜4之材料，並無特別限定，可為光硬化性樹脂，或者可為熱硬化性樹脂。於使用上述光硬化性樹脂或熱硬化性樹脂之情形時，可藉由使之光硬化或者熱 硬化，而形成非黏著膜4。對於所形成之非黏著膜4，較好的是該等樹脂已經硬化完畢。於樹脂之硬化尚未完畢之情形時，例如藉由雷射光進行切晶時，有由雷射光導致非黏著膜4熔融而附著於切晶膜3上之虞。
又，於製造半導體晶片時，較好的是於進行切晶後，不改變對於非黏著膜4之黏晶膜3之剝離力而進行拾取。於該情形時，較好的是藉由光照射等並不使非黏著膜4硬化，因此，於使用上述光硬化性樹脂或熱硬化性樹脂而形成之非黏著膜4中，較好的是該等硬化性樹脂已經產生硬化。
作為構成非黏著膜4之材料，除可使用(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體以外，亦可使用環氧樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、聚矽氧樹脂或聚醯亞胺樹脂等其他合成樹脂。
作為上述(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體，並無特別限定，較好的是(甲基)丙烯酸酯聚合物。於非黏著膜4之主成分為(甲基)丙烯酸酯聚合物之情形時，於進行切晶後，自非黏著膜4剝離黏晶膜3時，黏晶膜3上更加不易以產生缺損。又，可進一步提高切割時之切削性、或切割後之剝離性。進而，於使用(甲基)丙烯酸酯聚合物之情形時，可容易地控制儲存彈性模數及斷裂伸長率。
作為上述(甲基)丙烯酸酯聚合物，並無特別限定，較好的是具有碳數1~18之烷基的(甲基)丙烯酸酯聚合物。於使用具有碳數1~18之烷基的(甲基)丙烯酸酯聚合物之情形時，可充分降低極性，且可降低非黏著膜4之表面能，可進一步提高剝離性。若烷基之碳數超過18，則存在溶液聚 合變得困難，而難以製造非黏著膜4的情況。烷基之碳數更好的是6以上，藉此可進一步降低極性。
作為上述(甲基)丙烯酸酯聚合物，較好的是以具有碳數1~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯單體為主要單體，將該單體、含有官能基之單體、及進而根據需要之可與該等進行共聚合的其他改性用單體，根據常法進行共聚合而得之(甲基)丙烯酸酯聚合物。於該情形時，(甲基)丙烯酸烷基酯單體之烷基的碳數更好的是2以上，尤其好的是6以上。
上述(甲基)丙烯酸酯聚合物之重量平均分子量，較好的是在20萬～200萬之範圍內。若未達20萬，則存在塗佈成形時大量產生外觀缺陷的情況，若超過200萬，則存在製造時過於增稠而無法取出聚合物溶液的情況。
作為上述改性用單體，並無特別限定，較好的是不為含有羧基之單體。若使用含有羧基之單體，則存在非黏著膜4之極性提高，而對拾取性造成不良影響的情況。
作為可用作上述改性用單體之單體，例如可列舉具有雙鍵之丁二烯、苯乙烯、異戊二烯、或丙烯腈等。
作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯單體，並無特別限定，較好的是藉由具有碳數1~18之烷基之一級或二級烷醇、與(甲基)丙烯酸之酯化反應而得之(甲基)丙烯酸烷基酯單體。
作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯單體，具體可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛 酯、或(甲基)丙烯酸月桂酯等。其中，尤其好的是烷基之碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯單體。(甲基)丙烯酸烷基酯單體可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為非黏著膜4之主成分的上述(甲基)丙烯酸酯聚合物之酸值，較好的是2以下。若酸值為2以下，則可減少表面能，且可進一步提高剝離性。
作為將上述酸值調整為2以下之方法，並無特別限定，較好的是不使用含有羧基之單體作為上述改性用單體的方法，或者以聚合反應過程中不產生酯之水解的方式調整反應的方法。
再者，於本說明書中，所謂酸值係指用以中和1g(甲基)丙烯酸酯聚合物中所含之游離酸所需之氫氧化鉀的毫克數。
非黏著膜4，較好的是除含有作為上述主成分之(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體以外，進而含有具有可與丙烯基反應之雙鍵性基團，重量平均分子量處於500~50000之範圍內，且玻璃轉化溫度Tg為25℃以下的寡聚物。於使用該寡聚物之情形時，可進一步提高黏晶膜3對非黏著膜4之剝離性。又，可容易地將非黏著膜4之斷裂伸長率設計在5~100%之範圍內。若上述寡聚物之重量平均分子量未達500，則存在無法充分獲得藉由調配寡聚物而產生之效果的情況，若超過50000，則存在黏晶膜3對於非黏著膜4之剝離性下降的情況。
對於上述寡聚物，並無特別限定，較好的是含有具有柔 軟性之骨架，例如聚醚骨架、聚酯骨架、丁二烯骨架、聚胺基甲酸乙酯骨架、矽酸酯骨架、或二環戊二烯骨架。所謂具有柔軟性之骨架，意指上述寡聚物之Tg為25℃以下的骨架。
又，作為上述寡聚物，更好的是具有聚醚骨架或聚酯骨架之丙烯酸寡聚物。作為具有上述聚醚骨架或聚酯骨架之丙烯酸寡聚物，可列舉：聚環氧丙烷二丙烯酸酯、或聚醚系胺基甲酸乙酯丙烯酸寡聚物。作為其市售品，可列舉：M-225(東亞合成公司製造)、UN-7600(根上工業公司製造)等。
作為可與上述寡聚物之丙烯基反應之雙鍵性基團，並無特別限定，可列舉：丙烯基、甲基丙烯基、乙烯基或烯丙基等。其中，較好的是丙烯基。上述寡聚物較好的是含有2個以上可與丙烯基反應之雙鍵性基團。
又，可與上述丙烯基反應之雙鍵性基團，可於分子之兩末端存在2個，亦可存在於分子鏈中。其中，較好的是僅於分子之兩末端存在2個可與上述丙烯基反應之雙鍵性基團，更好的是僅於分子之兩末端存在2個丙烯基。又，較好的是於分子之兩末端及分子鏈中存在可與上述丙烯基反應之雙鍵性基團。
作為上述聚醚骨架，例如可列舉聚環氧丙烷骨架或聚環氧乙烷骨架等。
作為具有上述聚醚骨架且僅於分子之兩末端具有丙烯基的丙烯酸寡聚物，可列舉：聚環氧丙烷二丙烯酸酯、或聚 酯系胺基甲酸乙酯丙烯酸寡聚物。作為其市售品，可列舉：UA340P、UA4200(以上，均由中村化學工業公司製造)；ARONIX M-1600、ARONIX M-220(以上，均由東亞合成公司製造)等。
又，作為上述丙烯酸寡聚物，可較好地使用3~10官能之胺基甲酸乙酯丙烯酸寡聚物。若胺基甲酸乙酯丙烯酸寡聚物為3~10官能，則骨架會成為具有適當柔軟性者。若胺基甲酸乙酯丙烯酸寡聚物未達3官能，則柔軟性過低，切斷黏晶膜3時，容易產生鬚狀之切割屑，若超過10官能，則柔軟性過高，存在切斷黏晶膜3時會汚染黏晶膜3的情況。
作為上述3~10官能之胺基甲酸乙酯丙烯酸寡聚物，可列舉聚環氧丙烷主鏈之胺基甲酸乙酯丙烯酸寡聚物等。作為上述3~10官能之胺基甲酸乙酯丙烯酸寡聚物之市售品，可列舉：U-2PPA、U-4HA、U-6HA、U-15HA、UA-32P、U-324A、U-108A、U-200AX、UA-4400、UA-2235PE、UA-160TM、UA-6100(以上，均由新中村化學工業公司製造)；UN-7600、UN-7700、UN-333、UN-1255(以上，均由根上工業公司製造)等。
對於上述寡聚物之調配量，並無特別限定，為了獲得調配寡聚物之效果，相對於100重量份之(甲基)丙烯酸酯聚合物，較好的是調配1重量份以上。較好的上限為50重量份。若上述寡聚物過多，則存在原料不溶解，而無法製造非黏著膜4的情況。
於使用兩末端具有丙烯基之寡聚物之情形時，該寡聚物 之調配量相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物100重量份，較好的是1~100重量份，更好的是1~50重量份。於多官能之胺基甲酸乙酯丙烯酸寡聚物之情形時，該寡聚物之調配量相對於100重量份之(甲基)丙烯酸酯聚合物，較好的是1~50重量份，更好的是1~30重量份。
於使用光硬化性樹脂或者熱硬化性樹脂來形成非黏著膜4之情形時，必須使用光反應引發劑或熱反應引發劑，預先藉由光照射或加熱使樹脂硬化。作為光反應引發劑，並無特別限定，例如可使用：光自由基產生劑或光陽離子產生劑等。又，作為熱反應引發劑，可列舉熱自由基產生劑等。
作為上述光自由基產生劑，並無特別限定，作為市售者，例如可列舉Irgacure 184、Irgacure 2959、Irgacure 907、Irgacure 819、Irgacure 651、Irgacure 369、Irgacure 379(以上，均由汽巴精化(Ciba Specialty Chemicals)公司製造)；安息香甲醚；安息香乙醚；安息香異丙醚；Lucirin TPO(BASF Japan公司製造)等。
作為上述光陽離子產生劑，可使用：芳香族重氮鹽、芳香族鹵鹽、芳香族鋶鹽等鎓鹽類；鐵-丙二烯錯合物、二茂鈦錯合物、芳基矽烷醇-鋁錯合物等有機金屬錯合物類。
作為上述熱自由基產生劑，可列舉：過氧化氫異丙苯、過氧化二異丙基苯、過氧化二三級丁基、過氧化月桂基、過氧化苯甲醯、三級丁基過氧異丙基碳酸酯、過氧-2-乙己 酸三級丁酯、過氧-2-乙己酸三級戊酯等有機過氧化物；2,2'-偶氮雙(異丁腈)、1,1'-偶氮雙(環己腈)、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、二甲基2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)等偶氮化合物等。
非黏著膜4較好的是進而含有填充料。藉由含有填充料，可進一步提高切削性。因此，可抑制切割屑附著於黏晶膜3或半導體晶片上。
上述填充料之平均粒徑，較好的是0.1~10μm，更好的是0.1~5μm。若平均粒徑過大，則存在非黏著膜4之面內厚度不均的情況，若過小，則存在無法充分提高切削性的情況。
作為上述填充料，並無特別限定，可使用二氧化矽或氧化鋁等。填充料之調配量相對於100重量份之除填充料以外之構成非黏著膜4之材料的合計，較好的是0.1~150重量份。若填充料之調配量過多，則存在非黏著膜4在膨脹時會破裂的情況，若過少，則存在無法充分提高切削性的情況。
又，非黏著膜4亦可進而含有紫外線吸收劑。若含有紫外線吸收劑，則可容易地對黏晶膜3進行雷射切割。
作為非黏著膜4之製作方法，並無特別限定，可列舉：將構成非黏著膜4之材料塗佈於脫模膜上，進行光照射及/或加熱，而於脫模膜上形成非黏著膜4後，再剝離脫模膜的方法。
非黏著膜4之厚度並無特別限定，較好的是30~100μm。 若厚度未達30 μm，則存在無法獲得充分之膨脹性的情況，若厚度超過100 μm，則存在難以獲得均勻之厚度的情況。若厚度不均，則存在於製造半導體晶片時無法準確進行切割的情況。
非黏著膜4貼附有黏晶膜3之表面4a的表面能，較好的是40 N/m以下。若非黏著膜4具有非黏著性且表面4a之表面能為40 N/m以下，則可更加容易地自非黏著膜4剝離黏晶膜3。進而，於剝離時，黏晶膜之一部分缺損而作為膜片分離，該膜片不易附著於非黏著膜4上。因此，不易產生黏晶膜3之缺損，故而可更準確地進行黏晶。
非黏著膜4之表面4a的表面能，更好的是在30~35 N/m之範圍內。若表面能過高，則存在於拾取時會產生剝離不良的情況，若過低，則存在因切晶時之水壓而產生飛片的情況。
上述表面能例如可使用濡濕性試劑，並依據JIS K6798而進行測定。
非黏著膜4於25℃下的儲存彈性模數，較好的是在1~1000 MPa之範圍內。若儲存彈性模數未達1 MPa，則存在膨脹性降低的情況，若超過1000 MPa，則存在拾取性降低的情況。更好的是10~1000 MPa。
非黏著膜4於破裂點的伸長率，即斷裂伸長率之較好的下限為5%，更好的下限為10%。若斷裂伸長率為5%以上，則膨脹性會提高，且半導體晶片之拾取性會進一步提高。非黏著膜4之斷裂伸長率之較好的上限為100%。若斷 裂伸長率超過100%，則存在於切晶時無法充分抑制鬚狀切割屑之產生的情況。非黏著膜4之斷裂伸長率之更好的上限為60%。
作為上述(甲基)丙烯酸酯聚合物較好的是使含有丙烯酸丁酯與丙烯酸乙酯中之至少一者之成分產生交聯而獲得之(甲基)丙烯酸酯聚合物，其原因在於：該(甲基)丙烯酸酯聚合物之玻璃轉化溫度較低且柔軟性優異。於該情形時，可提高非黏著膜4對黏晶膜3之密著性及切削性。
(黏晶膜)
上述黏晶膜3，可於切割時，連同半導體晶圓進行切斷。黏晶膜3，可於切割後，連同半導體晶片進行取出，而用於黏接半導體晶片。
上述黏晶膜3，例如可使用含有適當之硬化性樹脂的硬化性樹脂組合物等而形成。硬化前之上述硬化性組合物非常柔軟，因此容易因外力而變形。但是，獲得半導體晶片後，藉由對黏晶膜3賦予熱或光之能量使之硬化，可使半導體晶片牢固接合於基板等被著體上。作為硬化性樹脂，並無特別限定，可列舉：熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、或光硬化性樹脂等。
作為上述熱塑性樹脂，並無特別限定，例如可列舉：聚(甲基)丙烯酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯醇樹脂、或聚乙酸乙烯酯樹脂等。該等熱塑性樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為上述熱硬化性樹脂，並無特別限定，例如可列舉： 環氧樹脂、或聚胺基甲酸乙酯樹脂等。該等熱硬化性樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為上述光硬化性樹脂，並無特別限定，例如可列舉：含有感光性鎓鹽等光陽離子觸媒之環氧樹脂、或具有感光性乙烯基之丙烯酸系樹脂等。該等光硬化性樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為上述硬化性樹脂，尤其較好是使用環氧樹脂、聚酯樹脂、以甲基丙烯酸甲酯或丙烯酸丁酯等作為主要單體單元之聚(甲基)丙烯酸酯樹脂等熱熔型黏接樹脂。
黏晶膜3，更好的是包含熱硬化性樹脂組合物。又，黏晶膜3較好的是含有環氧樹脂、具有可與環氧基反應之官能基的高分子聚合物、及熱硬化劑。於該情形時，可進一步提高使用黏晶膜3所接合之半導體晶片與基板之間、或者複數半導體晶片之間的接合可靠性。再者，所謂環氧樹脂，通常表示1個分子中具有2個以上環氧基之分子量為300~8000左右的較低分子量之聚合物(預聚物)，及藉由其之環氧基的開環反應而產生之熱硬化性樹脂。
黏晶膜3相對於環氧樹脂100重量份，較好的是以10~100重量份之比率含有具有可與環氧基反應之官能基的高分子聚合物。上述高分子聚合物之調配量，更好的是15~50重量份。若上述高分子聚合物過多，則存在流動性不足，而引起黏晶膜3與晶圓之密著不良、或者於切晶時增加鬚狀切割屑之產生的情況。若高分子聚合物過少，則存在於成形黏晶膜3時，會引起外觀不良的情況。
作為上述環氧樹脂，並無特別限定，較好的是主鏈中具有多環式烴骨架之環氧樹脂。於使用主鏈中具有多環式烴骨架之環氧樹脂之情形時，其會變得剛硬，使分子運動受到阻礙，因此，可提高硬化物之機械強度或耐熱性，並且提高耐濕性。
作為主鏈中具有多環式烴骨架之上述環氧樹脂，並無特別限定，例如可列舉：二氧化二環戊二烯、具有二環戊二烯骨架之酚類酚醛清漆環氧樹脂等具有二環戊二烯骨架之環氧樹脂(以下，揭示為「二環戊二烯型環氧樹脂」)，1-縮水甘油基萘、2-縮水甘油基萘、1,2-二縮水甘油基萘、1,5-二縮水甘油基萘、1,6-二縮水甘油基萘、1,7-二縮水甘油基萘、2,7-二縮水甘油基萘、三縮水甘油基萘、1,2,5,6-四縮水甘油基萘等具有萘骨架之環氧樹脂(以下，揭示為「萘型環氧樹脂」)，四羥苯基乙烷型環氧樹脂，四(縮水甘油氧基苯基)乙烷，或3,4-環氧基-6-甲基環己基甲基-3,4-環氧基-6-甲基環己烷碳酸酯等。其中，較好的是使用二環戊二烯型環氧樹脂或萘型環氧樹脂。
主鏈中具有多環式烴骨架之該等環氧樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。又，上述二環戊二烯型環氧樹脂及萘型環氧樹脂，可分別單獨使用，亦可併用兩者。
主鏈中具有多環式烴骨架之上述環氧樹脂之重量平均分子量之較好的下限為500，較好的上限為1000。若重量平均分子量未達500，則存在未充分提高硬化後之硬化物的機械強度、耐熱性及/或耐濕性等的情況，若重量平均分 子量超過1000，則存在硬化物變得過於剛硬，而變得脆弱的情況。
作為具有可與上述環氧基反應之官能基的高分子聚合物，並無特別限定，例如可列舉：具有胺基、胺基甲酸乙酯基、亞醯胺基、羥基、羧基、或環氧基等之聚合物。其中，較好的是具有環氧基之高分子聚合物。於使用具有環氧基之高分子聚合物之情形時，可提高硬化物之可撓性。
又，於使用主鏈中具有多環式烴骨架之環氧樹脂及具有環氧基之高分子聚合物之情形時，硬化物可藉由主鏈中具有多環式烴骨架之上述環氧樹脂而提高機械強度、耐熱性、及耐濕性，並且可藉由具有上述環氧基之高分子聚合物而提高可撓性。
具有上述環氧基之高分子聚合物的分子量，可使用重量平均分子量在10萬～200萬之範圍內者。作為具有該環氧基之高分子聚合物，若為末端及/或側鏈(側位)中具有環氧基之高分子聚合物，則無特別限定，例如可列舉：具有環氧基之丙烯酸橡膠、具有環氧基之丁二烯橡膠、雙酚型高分子量環氧樹脂、具有環氧基之苯氧基樹脂、具有環氧基之丙烯酸系樹脂、具有環氧基之胺基甲酸乙酯樹脂、或具有環氧基之聚酯樹脂等。其中，就提高硬化物之機械強度或耐熱性之方面而言，較好的是使用具有環氧基之丙烯酸系樹脂。具有該等環氧基之高分子聚合物可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為上述熱硬化劑，並無特別限定，例如可列舉：三烷 基四氫鄰苯二甲酸酐等加熱硬化型酸酐系硬化劑、苯酚系硬化劑、胺系硬化劑、二氰基二醯胺等潛伏性硬化劑、或陽離子系觸媒型硬化劑等。該等熱硬化劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述熱硬化劑之中，較好的是使用於常溫下呈液狀之加熱硬化型硬化劑，或為多官能且當量上添加量小且良好之二氰基二醯胺等潛伏性硬化劑。藉由使用如此之硬化劑，可提高硬化前之黏晶膜於常溫下的柔軟性，且提高操作性。
作為上述於常溫下呈液狀之加熱硬化型硬化劑的代表例，例如可列舉：甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、甲基耐地酸酐、或三烷基四氫鄰苯二甲酸酐等酸酐系硬化劑。其中，就疏水化方面而言，較好的是使用甲基耐地酸酐或三烷基四氫鄰苯二甲酸酐。該等酸酐系硬化劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
於上述熱硬化性樹脂組合物中，為了調整硬化速度或硬化物之物性等，亦可併用上述熱硬化劑及硬化促進劑。
作為上述硬化促進劑，並無特別限定，例如可列舉：咪唑系硬化促進劑、3級胺系硬化促進劑等。其中，就易於控制用以調整硬化速度或硬化物之物性等的反應體系方面而言，較好的是咪唑系硬化促進劑。該等硬化促進劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為上述咪唑系硬化促進劑，並無特別限定，例如可列舉：以氰乙基保護咪唑之1位的1-氰乙基-2-苯基咪唑、或 以異三聚氰酸保護鹼性之商品名「2MAOK-PW」(四國化成工業公司製造)等。該等咪唑系硬化促進劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
於將酸酐系硬化劑，與例如咪唑系硬化促進劑等硬化促進劑併用之情形時，較好的是將酸酐系硬化劑之添加量，相對於環氧基之當量，設為理論上之必需當量以下。若酸酐系硬化劑之添加量過剩至必需量以上，則有因水分而導致氯離子容易自熱硬化性樹脂組合物之硬化物中溶出之虞。例如，於使用熱水，自硬化後之硬化物萃取溶出成分時，存在萃取液之pH值降低至4~5左右，而導致自環氧樹脂中抽出之氯離子大量溶出的情況。
又，於將胺系硬化劑，與例如咪唑系硬化促進劑等硬化促進劑併用之情形時，較好的是將胺系硬化劑之添加量，相對於環氧基，而設為理論上之必需當量以下。若胺系硬化劑之添加量過剩至必必需量以上，則有因水分而導致氯離子容易自熱硬化性樹脂組合物之硬化物中溶出之虞。例如，於使用熱水，自硬化後之硬化物中萃取溶出成分時，存在萃取液之pH值較高而成為鹼性，導致自環氧樹脂中抽出之氯離子大量溶出的情況。
作為將上述熱硬化性樹脂組合物成形為膜狀，獲得黏晶膜3之方法，並無特別限定，可使用模具塗佈機(Die coater)、唇口塗佈機(Lip coater)、逗點式塗佈機(Comma coater)、或凹版塗佈機(Gravure coater)等。其中較好的是凹版印刷塗佈機，其原因在於：其黏晶膜之厚度精度提 高，故而即使混入有異物，亦不易形成條紋狀斑點等。
黏晶膜3於硬化前於25℃下的儲存彈性模數，較好的是在106 ~109 Pa之範圍內。若黏晶膜3之儲存彈性模數過低，則存在自身形狀保持性能下降，拾取時黏晶膜上會產生缺損的情況，若過大，則存在黏晶膜3無法充分密著於非黏著膜4上，而無法製作切晶/黏晶帶1的情況。
(切晶膜)
上述切晶膜5係用於貼附在切割環上。又，切晶膜5係用於提高切晶後之膨脹性，或者用於提高附帶黏晶膜3之半導體晶片的拾取性。上述切晶膜5，具有基材5a、及該基材5a之單面上塗佈有黏著劑而構成之黏著劑5b。切晶/黏晶帶1具備切晶膜5，亦可不必具備切晶膜5。
作為上述基材5a，並無特別限定，可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯膜等聚酯系膜，聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚乙酸乙烯酯膜等聚烯烴系膜，聚氯乙烯膜或聚醯亞胺膜等塑膠膜等。其中，較好的是使用聚烯烴系膜，其原因在於：其膨脹性優異且環境負擔小。
作為上述黏著劑5b，並無特別限定，可列舉：丙烯酸系黏著劑、特殊合成橡膠系黏著劑、合成樹脂系黏著劑、橡膠系黏著劑等。其中，較好的是感壓型丙烯酸系黏著劑。於使用丙烯酸系黏著劑之情形時，可提高對於非黏著膜4之黏著力、及自切割環之剝離性，且可降低成本。再者，黏著劑5b較好的是以可貼附例如切割環之方式構成。
作為構成上述基材5a之材料，尤其好的是聚烯烴或聚氯 乙烯等，作為黏著劑5b，較好的是丙烯酸系黏著劑、或橡膠系黏著劑。藉由使用該等較好的材料，可於拾取半導體晶片時，獲得適度之膨脹性。
(脫模膜)
上述脫模膜2係用於保護貼附有半導體晶圓之黏晶膜3之表面3a。切晶/黏晶帶1具備脫模膜2，但亦可不必具備脫模膜2。
作為脫模膜2，並無特別限定，可列舉：以矽等，對聚對苯二甲酸乙二酯膜等聚酯系膜，聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚乙酸乙烯酯膜等聚烯烴系膜，聚氯乙烯膜或聚醯亞胺膜等塑膠膜等之單面進行脫模處理而成者。其中較好的是聚對苯二甲酸乙二酯膜等合成樹脂膜，其原因在於：其於平滑性、厚度精度等方面優異。
上述脫模膜，可由一層之上述膜構成，亦可積層上述膜而由2層以上之積層膜構成。於脫模膜為積層有複數膜之積層膜之情形時，亦可積層有2種以上之不同的上述膜。
圖2中，係以部分欠缺正面剖面圖表示本發明之另一實施形態之切晶/黏晶帶。
於圖2所示之切晶/黏晶帶11中，依序積層有上述脫模膜2、黏晶膜3及非黏著膜4。即，切晶/黏晶帶11，除了不另外設置切晶膜5以外，係以與切晶/黏晶帶1相同之方式構成。如此，亦可不必設置切晶膜5。於切晶/黏晶帶11中，亦可將非黏著膜4用作切晶膜。
圖3中，係以部分欠缺正面剖面圖表示本發明之另一實施形態之切晶/黏晶帶。
圖3所示之切晶/黏晶帶15，除了非黏著膜之構成不同以外，係以與切晶/黏晶帶1相同之方式構成。於切晶/黏晶帶15中，依序積層有脫模膜2、黏晶膜3、非黏著膜16及切晶膜5。
非黏著膜16具有非黏著性。即，第一層17及第二層18具有非黏著性。又，非黏著膜16含有(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體作為主成分。
非黏著膜16貼附有黏晶膜3之表面16a，即第一層17貼附有黏晶膜之表面的表面能，較好的是40 N/m以下。於該情形時，於拾取時，黏晶膜之一部分缺損而作為膜片分離，該膜片不易附著於非黏著膜16上。因此，可容易地自非黏著膜16剝離黏晶膜3。又，於黏晶膜3上不產生缺損之情形時，可準確地進行黏接。
於切晶/黏晶帶15中，非黏著膜16具有積層有兩個層17、18之2層結構，因此，可使第一、第二層17、18分別具有不同之功能。例如，可使第一層17具有提高黏黏接膜3與非黏著膜16之剝離性的功能，且使第二層18具有膨脹功能。因此，藉由使非黏著膜16具有2層結構，可容易地設計出作為切晶/黏晶帶之最佳物性。
(半導體晶片之製造方法)
其次，使用圖4～圖10，於以下說明使用上述切晶/黏晶帶1之情形之半導體晶片的製造方法。
首先，準備上述切晶/黏晶帶1，及圖4中以平面圖表示之半導體晶圓21。
上述半導體晶圓21具有圓形平面形狀。半導體晶圓21之表面21a上，雖然未圖示，但於藉由道(Street)劃分為矩陣狀之各區域中，形成有用以構成各個半導體晶片之電路。半導體晶圓21係以達到特定厚度之方式，對裏面21b進行研磨。
半導體晶圓21之厚度，較好的是30μm以上。若半導體晶圓21之厚度小於30μm，則於研磨時或於操作時，會產生裂隙等，而造成破損。
再者，於下述切晶時，可按劃分為矩陣狀之每個區域分割半導體晶圓21。
如圖5所示，將所準備之半導體晶圓21以翻轉之狀態承載於載物台22上。即，以半導體晶圓21之表面21a接觸到載物台22之方式，將半導體晶圓21承載於載物台22上。於載物台22上，自半導體晶圓21之外周側面21c隔開固定間隔，而設置有圓環狀之切割環23。將切割環23之高度設為與半導體晶圓21、黏晶膜3、非黏著膜4之合計厚度相等，或略小於合計厚度。
其次，如圖6所示，於切晶/黏晶帶1之黏晶膜3之表面3a，接合半導體晶圓21。切晶膜5具有超出黏晶膜3及非黏著膜4之外邊緣延而伸至外側之延伸部5c。如圖6所示，一面剝離切晶/黏晶帶1之脫模膜2，一面將暴露出之切晶膜5之延伸部5c之黏著劑5b貼附於切割環23上。進而，將暴露 出之黏晶膜3接合於半導體晶圓21之裏面21b上。
圖7中，係以正面剖面圖表示黏晶膜3上接合有半導體晶圓21之狀態。於半導體晶圓21之正割裏面21b上，接合有黏晶膜3。切晶膜5之延伸部5c係以切割環23進行支撐，以免對半導體晶圓21施加多餘力量。
其次，如圖8中之正面剖面圖所表示，自載物台22上取出接合有黏晶膜3之半導體晶圓21，並將其翻轉。此時，可以切割環23貼附於切晶膜5上之狀態取出。以表面21a為上方之方式，將所取出之半導體晶圓21承載於另一載物台24上。
其次，切割接合有黏晶膜3之半導體晶圓21，將其分割為各個半導體晶片。如圖8中附帶箭頭X所表示，自半導體晶圓21側進行切晶。
如圖9所示，於進行切晶後，半導體晶圓21及黏晶膜3被完全切斷。若以貫穿黏晶膜3之方式進行切晶，則無特別限定，例如亦可將切割刀片插入至非黏著膜4之厚度之一半以下的位置。圖9中，切割刀片係插入至比黏晶膜3與非黏著膜4之界面更深的位置，而形成切入部分41。
再者，圖9中，藉由二段(階段切割)法進行切割。若切割時可防止半導體晶圓21之破損，則亦可藉由一次切斷製程進行切割。
作為半導體晶圓21之切割方法，並無特別限定，例如可列舉：利用一個刀片進行切割之單切割法；依序使用兩個刀片進行切割之階段切割法；利用兩個刀片進行切割，進 而對經切割之半導體晶圓之表面使用V字形刀片的斜向切割法等。其中，由於切斷時不易破壞半導體晶圓，故而可較好地使用階段切割法。
又，上述切割，亦可使用雷射光而不使用切割刀片。即，亦可藉由雷射光之照射而切割半導體晶圓。於該情形時，可以貫穿半導體晶圓21、及黏晶膜3之方式進行切割。因此，雷射光可貫穿黏晶膜3，而到達非黏著膜4中。即使藉由上述雷射光之照射進行切割，非黏著膜4亦不易熔著於黏晶膜3上。
對於放射線硬化型切晶膜貼附於黏晶膜之先前之切晶/黏晶帶，於藉由雷射光進行切割之情形時，存在切晶膜產生熔融而附著於黏晶膜上的情況。因此，存在無法取出半導體晶片的情況。相對於此，於切晶/黏晶帶1中，非黏著膜4不會由於光照射而使黏著力下降，且含有(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體作為主成分，因此，即使照射雷射光，亦不易產生熔著。
切割半導體晶圓21，而將其分割成各個半導體晶片後，拉伸非黏著膜4及切晶膜5，以擴張被分割之各個半導體晶片之間隔。由於切晶/黏晶帶1具有切晶膜5，故膨脹性優異，且可容易地拉伸非黏著膜4及切晶膜5。
拉伸非黏著膜4及切晶膜5後，於接合有半導體晶片之狀態下，自非黏著膜4剝離黏晶膜3，可取出圖10所示之半導體晶片31。
再者，作為自非黏著膜4剝離接合有半導體晶片之黏晶 膜3之方法，可列舉：自半導體晶圓21之裏面21b側，使用複數頂針(pin)將其頂起的方法或使用多級針將其頂起的方法；自半導體晶圓21之表面21a側進行真空剝離的方法；或利用超聲波振動之方法等。
由於可進一步防止半導體晶片31之破壞，因此較好的是藉由施加沿相對於半導體晶圓21與黏晶膜3之接合面大致正交之方向作用之力量，而以接合有黏晶膜3之狀態，自非黏著膜4剝離半導體晶片31。
於切晶/黏晶帶1中，黏晶膜3與非黏著膜4之剝離性獲得提高。因此，即使不進行藉由光照射等而降低剝離力之作業，亦可容易地連同黏晶膜取出半導體晶片。即，於切晶/黏晶帶1中，無須例如以藉由光照射等而降低剝離力之方式構成非黏著膜。非黏著膜，較好的是不會藉由光照射等而降低剝離力者。於非黏著膜為不會藉由光照射等而降低剝離力者之情形時，亦可不進行藉由光照射等而降低剝離力之作業，而提高半導體晶片之製造效率。再者，所謂光照射，不包括暴露於自然光下之情形，而是指有意照射紫外線等之情形。
以下，列舉實施例更詳細說明本發明，但本發明並不僅限定於該等實施例。
於製作實施例1~13及比較例1~3之切晶/黏晶帶時，準備以下之黏晶膜A~D、非黏著膜L1~L10、及切晶膜DC1~DC4。
(1)黏晶膜之形成
(黏晶膜A)
調配15重量份之G-2050M(日本油脂公司製造，含有環氧基之丙烯酸系高分子聚合物，重量平均分子量Mw為20萬)、80重量份之EXA-7200HH(大日本油墨公司製造，二環戊二烯型環氧樹脂)、5重量份之HP-4032D(大日本油墨公司製造，萘型環氧樹脂)、35重量份之YH-309(日本環氧樹脂公司製造，酸酐系硬化劑)、8重量份之2MAOK-PW(四國化成公司製造，咪唑)、2重量份之S320(智索(Chisso)公司製造，胺基矽烷)，而獲得混合物。以固體成分達到60%之方式，將該混合物添加到作為溶劑之甲基乙基酮(MEK)中，加以攪拌，而獲得塗佈液。將其塗佈於脫模膜上，於110℃之烘箱中加熱乾燥3分鐘，而脫模膜上形成厚度為40μm之黏晶膜A。
(黏晶膜B)
調配100重量份之G-2050M(日本油脂公司製造，含有環氧基之丙烯酸系高分子聚合物，重量平均分子量Mw為20萬)、80重量份之EXA-7200HH(大日本油墨公司製造，二環戊二烯型環氧樹脂)、5重量份之HP-4032D(大日本油墨公司製造，萘型環氧樹脂)、35重量份之YH-309(日本環氧樹脂公司製造，酸酐系硬化劑)、8重量份之2MAOK-PW(四國化成公司製造，咪唑)、2重量份之S320(智索公司製造，胺基矽烷)，而獲得混合物。然後，以與黏晶膜A相同之方式形成黏晶膜B。
(黏晶膜C)
調配7重量份之G-2050M(日本油脂公司製造，含有環氧基之丙烯酸系高分子聚合物，重量平均分子量Mw為20萬)、88重量份之EXA-7200HH(大日本油墨公司製造，二環戊二烯型環氧樹脂)、5重量份之HP-4032D(大日本油墨公司製造，萘型環氧樹脂)、35重量份之YH-309(日本環氧樹脂公司製造，酸酐系硬化劑)、8重量份之2MAOK-PW(四國化成公司製造，咪唑)、2重量份之S320(智索公司製造，胺基矽烷)，而獲得混合物。然後，以與黏晶膜A相同之方式形成黏晶膜C。
(黏晶膜D)
日立化成工業公司製造之DF402
(2)非黏著膜之形成
首先，合成以下之丙烯酸聚合物。
(聚合物1)
將95重量份之丙烯酸2-乙基己酯、5重量份之丙烯酸2-羥基乙酯、0.2重量份之作為光自由基產生劑之Irgacure 651(汽巴-嘉基(Ciba-Geigy)公司製造，50%之乙酸乙酯溶液)、及0.01重量份之十二硫醇，溶解於乙酸乙酯中，而獲得溶液。對該溶液照射紫外線進行聚合，而獲得聚合物之乙酸乙酯溶液。進而，相對於100重量份之該溶液之固體成分，使3.5重量份之異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(昭和電工公司製造，Karenz MOI)與其反應，而獲得作為(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體之丙烯酸共聚合體(聚合物1)。聚合物1之重量平均分子量為70萬，酸值為0.86(mgKOH/g)。
(聚合物2)
將94重量份之丙烯酸2-乙基己酯、5重量份之丙烯酸2-羥基乙酯、1重量份之丙烯酸、0.2重量份之作為光自由基產生劑之Irgacure 651(汽巴-嘉基公司製造，50%之乙酸乙酯溶液)、及0.01重量份之十二硫醇，溶解於乙酸乙酯中，而獲得溶液。對該溶液照射紫外線進行聚合，而獲得聚合物之乙酸乙酯溶液。進而，相對於100重量份之該溶液之固體成分，使3.5重量份之異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(昭和電工公司製造，Karenz MOI)與其反應，而獲得作為(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體之丙烯酸共聚合體(聚合物2)。聚合物2之重量平均分子量為76萬，酸值為6.73(mgKOH/g)。
(聚合物3)
將97重量份之丙烯酸2-乙基己酯、3重量份之丙烯酸2-羥基乙酯、0.2重量份之作為光自由基產生劑之Irgacure 651(汽巴-嘉基公司製造，50%之乙酸乙酯溶液)、及0.01重量份之十二硫醇，溶解於乙酸乙酯中，而獲得溶液。對該溶液照射紫外線進行聚合，而獲得聚合物之乙酸乙酯溶液。進而，相對於100重量份之該溶液之固體成分，使1.8重量份之異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(昭和電工公司製造，Karenz MOI)與其反應，而獲得作為(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體之丙烯酸共聚合體(聚合物3)。聚合物3之重量平均分子量為89萬，酸值為0.58(mgKOH/g)。
(聚合物4)
將99重量份之丙烯酸2-乙基己酯、1重量份之丙烯酸2-羥基乙酯、0.2重量份之作為光自由基產生劑之Irgacnre 651(汽巴-嘉基公司製造，50%之乙酸乙酯溶液)、及0.01重量份之十二硫醇，溶解於乙酸乙酯中，而獲得溶液。對該溶液照射紫外線進行聚合，而獲得聚合物之乙酸乙酯溶液。進而，相對於100重量份之該溶液之固體成分，使0.9重量份之異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(昭和電工公司製造，Karenz MOI)與其反應，而獲得作為(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體之丙烯酸共聚合體(聚合物4)。聚合物4之重量平均分子量為73萬，酸值為0.34(mgKOH/g)。
(聚合物5)
將95重量份之丙烯酸2-乙基己酯、5重量份之丙烯酸2-羥基乙酯、0.2重量份之作為光自由基產生劑之Irgacure 651(汽巴-嘉基公司製造，50%之乙酸乙酯溶液)、及0.01重量份之十二硫醇，溶解於乙酸乙酯中，而獲得溶液。對該溶液照射紫外線進行聚合，而獲得聚合物之乙酸乙酯溶液。進而，相對於100重量份之該溶液之固體成分，使7重量份之異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(昭和電工公司製造，Karenz MOI)與其反應，而獲得作為(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體之丙烯酸共聚合體(聚合物5)。聚合物5之重量平均分子量為92萬，酸值為1.00(mgKOH/g)。
(非黏著膜L1~L7)
以下述表1所示之比例，調配所得之聚合物1~5之任一聚合物、U-324A(新中村化學工業公司製造，胺基甲酸乙酯 丙烯酸寡聚物)、作為光自由基產生劑之Irgacure 651(汽巴-嘉基公司製造)、及作為填充料之SE4050(Admatechs公司製造，二氧化矽填充料)，將其溶解於乙酸乙酯中，而獲得溶液。使用塗佈器(Applicator)，將該溶液塗佈於脫模PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜上。進而於110℃之烘箱中加熱乾燥3分鐘，形成厚度為50μm之膜。於高壓水銀燈下，以1000 mJ對該膜照射365nm之紫外線。如此而獲得經交聯之非黏著膜LI~L7。
(非黏著膜L9)
Tamapoly公司製造之聚烯烴系膜GF-8
(非黏著膜L10)
Lintec公司製造之經矽脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯膜PET 5011
(3)切晶膜
(切晶膜DC1)
PE膠帶#6318-B：積水化學公司製造，於聚乙烯基材之單面形成有包含橡膠系黏著劑之黏著劑層的PE膠帶，基材之厚度為60μm，黏著劑層之厚度為10μm
(切晶膜DC2)
Adwill D650:Lintec公司製造，於烯烴基材之單面形成有包含丙烯酸系樹脂糊之黏著劑層的UV硬化型切晶帶
(切晶膜DC3)
Elegrip UHP-0805MC：電氣化學工業公司製造，於烯烴基材之單面形成有包含丙烯酸系樹脂糊之黏著劑層的UV 硬化型切晶帶，基材層之厚度為80μm，黏著劑層之厚度為5μm
(切晶膜DC4)
使上述切晶膜DC2(AdwillD650)光硬化，而製成非黏著狀態之切晶膜
(實施例1)
於脫模膜上之黏晶膜A之表面上，於60℃下層壓非黏著膜L1。其次，於非黏著膜L1之與貼附於黏晶膜A之面為相反側的面上，自黏著劑側貼附切晶膜DC1。如此而製作依序積層有脫模膜/黏晶膜/非黏著膜/切晶膜之切晶/黏晶帶。
(實施例2~13)
除了將黏晶膜、非黏著膜及/或切晶膜，分別更換為下述表1所示之膜以外，以與實施例1相同之方式，製作切晶/黏晶帶。再者，於貼附時，切晶膜具有黏著劑層之情形時，切晶膜係自黏著劑側貼附於非黏著膜上。
(比較例1)
於脫模膜上之黏晶膜A之表面上，使切晶膜DC2(AdwillD650)光硬化，自黏著劑側貼附非黏著狀態之切晶膜DC4。使用單層之切晶膜DC4作為非黏著膜及切晶膜。製作依序積層有脫模膜/黏晶膜/切晶膜(相當於非黏著膜)之切晶/黏晶帶。
(比較例2~3)
除了將非黏著膜更換為下述表1所示之非黏著膜以外， 以與實施例1相同之方式，製作切晶/黏晶帶。
(切晶/黏晶帶之評價)
(1)黏晶膜於硬化前於25℃下的儲存彈性模數
將藉由加熱進行硬化前之黏晶膜，切取厚度0.5mm、寬度5mm、及長度3cm之大小，而獲得評價樣本。對於所得之評價樣本，使用IT計測公司製造之DVA-200，於10Hz及畸變為0.1%之條件下測定於25℃下的儲存彈性模數。
(2)黏晶膜與非黏著膜之剝離強度
於黏晶膜之一面上，於60℃下層壓非黏著膜。其次，於黏晶膜之與貼附有非黏著膜之面為相反側的面上，貼附不鏽鋼板，將黏晶膜與不鏽鋼板進行黏接，而獲得評價樣本。然後，以於非黏著膜與黏晶膜之界面上產生剝離之方式固定評價樣本之狀態，以300mm/分鐘之剝離速度，沿著相對於黏晶膜與非黏著膜之界面為180度方向，自黏晶膜剝離非黏著膜。使用島津製作所製造之AGS-100D，以測定寬度25mm測定此時剝離所需之力量，將所得值之平均值設為剝離強度。
(3)非黏著膜之斷裂伸長率
使用拉伸試驗機AG-IS(島圖製作所製造)，於300mm/分鐘之條件下拉伸非黏著膜(厚度0.5mm×寬度5mm×長度7cm)，將破裂時之伸長率設為斷裂伸長率。
(4)非黏著膜之表面能
使用濡濕性試劑(Nacalai Tesque公司製造)，依據JIS K6798測定非黏著膜貼附於黏晶膜之面的表面能。
(5)製造半導體晶片時之評價
剝離切晶/黏晶帶之脫模膜，將暴露出之黏晶膜，於60℃之溫度下層壓於直徑8英吋、厚度80μm之矽晶圓之一面上，而製作評價樣本。
使用切晶裝置DFD651(DISCO公司製造)，以50mm/秒之搬送速度，將評價樣本切割成10mm×10mm之晶片尺寸。
於進行切晶後，使用黏晶機bestem D-02(Canon Machinery公司製造)，於夾盤尺寸8mm見方、上推速度5mm/秒、及膨脹4mm之各條件下，連續拾取所分割之半導體晶片。如上所述，評價切割時之切削性及可否進行拾取。進而，於拾取後，針對所拾取之5個半導體晶片之每4個邊共計20個邊，觀察黏晶膜是否有部分缺損。對不存在沿邊之長度大於50μm之缺損之邊的數量進行計數。
再者，根據下述評價標準評價切削性。
[切削時之鬚狀之切割屑之產生評價標準]
○：切割時幾乎看不到鬚狀切割屑。或者，即使存在鬚狀之切割屑，亦對拾取無影響的程度。
△：存在產生鬚狀切割屑的情況。
×：於複數晶片上可見鬚狀切割屑。
將結果示於下述表1。
[切削時之飛片評價標準]
○：不產生飛片。
△：一部分晶片產生飛片。
×：飛片明顯(大量晶片於切割時產生飛片)。
[表1]
1‧‧‧切晶帶．黏晶帶
2‧‧‧脫模膜
2a‧‧‧上面
3‧‧‧黏晶膜
3a‧‧‧表面
4‧‧‧非黏著膜
4a、4b‧‧‧表面
5‧‧‧切晶膜
5a‧‧‧基材
5b‧‧‧黏著劑
5c‧‧‧延伸部
6、7‧‧‧保護片
11‧‧‧切晶/黏晶帶
15‧‧‧切晶/黏晶帶
16‧‧‧非黏著膜
16a、16b‧‧‧表面
17‧‧‧第一層
18‧‧‧第二層
21‧‧‧半導體晶圓
21a‧‧‧表面
21b‧‧‧裏面
21c‧‧‧外周側面
22‧‧‧載物台
23‧‧‧切割環
24‧‧‧載物台
31‧‧‧半導體晶片
41‧‧‧切入部分
圖1(a)及(b)係表示本發明之一實施形態之切晶/黏晶帶的部分欠缺正面剖面圖及部分欠缺平面圖。
圖2係表示本發明之另一實施形態之切晶/黏晶帶的部分欠缺正面剖面圖。
圖3係表示本發明之另一實施形態之切晶/黏晶帶的部分欠缺正面剖面圖。
圖4係表示製造半導體晶片時所使用之半導體晶圓的平面圖。
圖5係用以說明使用本發明之一實施形態之切晶/黏晶帶而製造半導體晶片之方法的圖，且係表示半導體晶圓承載於載物台上之狀態的正面剖面圖。
圖6係用以說明使用本發明之一實施形態之切晶/黏晶帶而製造半導體晶片之方法的圖，且係表示於黏接著層上接合半導體晶圓時之狀態的正面剖面圖。
圖7係用以說明使用本發明之一實施形態之切晶/黏晶帶而製造半導體晶片之方法的圖，且係表示於黏接著層上接合有半導體晶圓之狀態的正面剖面圖。
圖8係用以說明使用本發明之一實施形態之切晶/黏晶帶而製造半導體晶片之方法的圖，且係表示將附帶半導體晶圓之黏接著層翻轉而承載於另一載物台上之狀態的正面剖面圖。
圖9係用以說明使用本發明之一實施形態之切晶/黏晶帶而製造半導體裝置之方法的圖，且係表示對接合有黏接著 層之半導體晶圓進行切割，將其分割成各個半導體晶片之狀態的部分欠缺正面剖面圖。
圖10係表示使用本發明之一實施形態之切晶/黏晶帶而製造之半導體晶片的正面剖面圖。
1‧‧‧切晶/黏晶帶
2‧‧‧脫模膜
2a‧‧‧上面
3‧‧‧黏晶膜
3a‧‧‧表面
4‧‧‧非黏著膜
4a、4b‧‧‧表面
5‧‧‧切晶膜
5a‧‧‧基材
5b‧‧‧黏著劑
5c‧‧‧延伸部
6、7‧‧‧保護片

Claims (10)

  1. 一種切晶/黏晶帶之製造方法，其特徵在於包含以下步驟：對非黏著膜用組合物整體照射光或加熱以形成非黏著膜，上述非黏著膜用組合物含有包含具有碳數1~18之烷基之(甲基)丙烯酸酯聚合物之(甲基)丙烯酸系樹脂交聯體作為主成分；形成上述非黏著膜後，以黏晶膜之自非黏著膜之剝離力成為1N~15 N/m範圍之方式，將黏晶膜貼合於該非黏著膜之一面；貼合上述黏晶膜後，將切晶膜貼合於該非黏著膜之另一面。
  2. 如請求項1之切晶/黏晶帶之製造方法，其中上述非黏著膜於破裂點的伸長率在5~100%之範圍內。
  3. 如請求項1或2之切晶/黏晶帶之製造方法，其中上述非黏著膜貼附有上述黏晶膜之面的表面能為40 N/m以下。
  4. 如請求項1或2之切晶/黏晶帶之製造方法，其中上述非黏著膜貼附有上述黏晶膜之面未經脫模處理。
  5. 如請求項1或2之切晶/黏晶帶之製造方法，其中上述(甲基)丙烯酸酯聚合物之酸值為2以下。
  6. 如請求項1或2之切晶/黏晶帶之製造方法，其中上述(甲基)丙烯酸酯聚合物係使丙烯酸丁酯與丙烯酸乙酯中之至少一者聚合而獲得的(甲基)丙烯酸酯聚合物。
  7. 如請求項1或2之切晶/黏晶帶之製造方法，其中上述黏晶膜包含熱硬化性樹脂組合物。
  8. 如請求項7之切晶/黏晶帶之製造方法，其中上述黏晶膜於熱硬化前之25℃下的儲存彈性模數在106 ~109 Pa之範圍內。
  9. 如請求項7之切晶/黏晶帶之製造方法，其中上述黏晶膜含有環氧樹脂、具有與環氧基反應之官能基的高分子聚合物、及熱硬化劑。
  10. 如請求項9之切晶/黏晶帶之製造方法，其中上述黏晶膜相對於上述環氧樹脂100重量份，以10~100重量份之比率含有上述具有與環氧基反應之官能基的高分子聚合物。
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