JP2009295864A - 基材フィルムの製造方法及びダイシング・ダイボンディングテープ - Google Patents

Abstract

【課題】基材フィルムを備えるダイシング・ダイボンディングテープの基材フィルムの製造方法であって、半導体ウェーハをダイシングした後に、半導体チップ付きダイボンディングフィルムを基材フィルムから無理なく剥離することができるダイシング・ダイボンディングテープを得ることができる基材フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】架橋性樹脂と、光ラジカル発生剤とを含む基材フィルム形成用組成物を塗工用基材１１の上面１１ａに塗工し、塗膜１２を形成する工程と、塗膜１２の下面１２ａが塗工用基材１１で覆われて露出していない状態で、かつ塗膜１２の上面１２ｂが露出している状態で、塗膜１２にエネルギー線を照射し、架橋性樹脂を架橋させることにより、塗工用基材１１の上面１１ａに基材フィルム４を形成する工程とを備える基材フィルム４の製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体チップの製造に用いられるダイシング・ダイボンディングテープを得るのに用いられる基材フィルムの製造方法に関し、より詳細には、一方の面にダイボンディングフィルムが貼付され、かつ他方の面にダイシングフィルムが貼付される基材フィルムの製造方法、及び該製造方法により得られた基材フィルムを用いたダイシング・ダイボンディングテープに関する。

従来、半導体ウェーハから半導体チップをダイシングし、半導体チップを基板等にダイボンディングするために、ダイシング・ダイボンディングテープが用いられている。

ダイシング・ダイボンディングテープの一例として、下記の特許文献１には、ダイボンディングフィルムであるフィルム状接着剤層と、基材フィルムと、ダイシングフィルムである粘着剤層付き基材フィルムとがこの順で積層されているダイシング・ダイボンディングテープが開示されている。

また、下記の特許文献２には、ダイボンディングフィルムであるポリイミド系接着剤層と、基材フィルムであるポリイミド用工程フィルムと、ダイシングフィルムであるエキスパンド用シートとがこの順で積層されているダイシング・ダイボンディングテープが開示されている。

特許文献１，２には、基材フィルムのダイボンディングフィルムが積層される面を表面処理することが記載されている。基材フィルムのダイボンディングフィルムが積層される面を表面処理することにより、基材フィルムとダイボンディングフィルムとの剥離力を比較的小さくすることができる。従って、ダイシング後に、半導体チップ付きダイボンディングフィルムを基材フィルムから無理なく剥離することができる。

下記の特許文献３には、ダイボンディングフィルムである粘接着剤層と、基材フィルムと、粘着剤層とがこの順で積層されているダイシング・ダイボンディングテープが開示されている。基材フィルムは、ダイボンディングフィルムと粘着剤層との間に配置されている。

また、特許文献３には、基材フィルムの粘接着剤層が積層される面をコロナ放電処理することが記載されている。基材フィルムの粘接着剤層が積層される面をコロナ放電処理することにより、基材フィルムの粘着剤層が積層される面の粘着力を高くすることができる。従って、基材フィルムと粘着剤層との剥離力を高くすることができる。そのため、基材フィルムとダイボンディングフィルムとの剥離力を、基材フィルムと粘着剤層との剥離力よりも小さくすることができる。
特開２００６−１６５０７４号公報 特開平９−２６６１８３号公報 特開２００５−１２３３４６号公報

特許文献１には、基材フィルムの表面処理方法として、基材フィルムの表面に離型剤を塗布する方法、及び基材フィルムの表面に凹凸を形成する方法が記載されている。また、特許文献２には、基材フィルムの表面処理方法として、基材フィルムの表面に離型剤を塗布する方法が記載されている。

基材フィルムの表面に離型剤を塗布した場合には、ダイボンディングフィルムに離型剤が付着することがあった。そのため、ピックアップされたダイボンディングフィルム付き半導体チップを基板上に確実に実装することができないことがあった。

また、基材フィルムの表面に凹凸を形成した場合には、ダイボンディングフィルムと基材フィルムとが充分に密着していないことがあった。そのため、ダイシングの際に、ダイボンディングフィルムが基材フィルムから剥離することがあった。

ところで、従来、ダイボンディングフィルムが積層される面が離型処理されていない基材フィルムを備えるダイシング・ダイボンディングテープも用いられている。基材フィルムが離型処理されていない場合、基材フィルムとダイボンディングフィルムとの剥離力が比較的高くなる。従って、ダイボンディングフィルム付き半導体チップをピックアップする際に、ダイボディングフィルムと基材フィルムとの界面ではなく、基材フィルムとダイシングフィルムとの界面で、基材フィルムがダイシングフィルムから剥離しやすくなる。

基材フィルムがダイシングフィルムから剥離するのを防ぐ方法としては、ダイシングフィルムの基材フィルムが積層される面の粘着力を高くする方法が考えられる。ダイシングフィルムの基材フィルムが積層される面の粘着力を高くした場合には、基材フィルムとダイシングフィルムとの剥離力が高くなり、基材フィルムがダイシングフィルムから両者の界面で剥離し難くなる。

しかしながら、ダイシングフィルムの基材フィルムが積層される面は、通常、ダイシングリングに貼付される。ダイシングフィルムの基材フィルムが積層される面の粘着力を高くした場合には、ダイシングフィルムにダイシングリングを貼付して、半導体ウェーハをダイシングした後に、ダイシングフィルムをダイシングリングから剥離するときに、ダイシングフィルムの一部が欠けて分離して、ダイシングリングに付着することがあった。

また、特許文献３に記載のように基材フィルムの粘着剤層が積層される面をコロナ放電処理した場合には、基材フィルムの粘着剤層が積層される面の粘着力を高くすることができる。しかしながら、コロナ放電処理により粘着力を高めた場合には、経時により粘着力が著しく低下することがあった。さらに、基材フィルムの厚みが薄い場合には、コロナ放電処理により、基材フィルムに穴が生じることがあった。

本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、基材フィルムを備えるダイシング・ダイボンディングテープの基材フィルムを得るのに用いられる基材フィルムの製造方法であって、半導体ウェーハをダイシングした後に、半導体チップ付きダイボンディングフィルムを基材フィルムから無理なく剥離することができ、さらにダイシング後に、ダイシングフィルムをダイシングリングから剥離するときに、ダイシングフィルムの一部が欠けて分離し、ダイシングリングに付着するのを抑制することができるダイシング・ダイボンディングテープを得ることができる基材フィルムの製造方法、及び該製造方法により得られた基材フィルムを用いたダイシング・ダイボンディングテープを提供することにある。

本発明によれば、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の面に貼付されたダイボンディングフィルムと、前記基材フィルムの前記一方の面とは反対側の他方の面に貼付されたダイシングフィルムとを備えるダイシング・ダイボンディングテープを得るのに用いられる基材フィルムの製造方法であって、架橋性樹脂と、光ラジカル発生剤とを含む基材フィルム形成用組成物を塗工用基材上に塗工し、塗膜を形成する工程と、前記塗膜の下面が前記塗工用基材で覆われて露出していない状態で、かつ前記塗膜の上面が露出している状態で、前記塗膜にエネルギー線を照射し、前記架橋性樹脂を架橋させることにより、前記塗工用基材上に基材フィルムを形成する工程とを備えることを特徴とする、基材フィルムの製造方法が提供される。

本発明の基材フィルムの製造方法のある特定の局面では、前記塗膜にエネルギー線を照射する前に、前記塗膜を乾燥する工程がさらに備えられる。

本発明に係る基材フィルムの製造方法では、前記架橋性樹脂として、（メタ）アクリル酸エステルポリマーを用いることが好ましい。この場合には、ダイボンディングフィルム付き半導体チップを基材フィルムからより一層容易に剥離することができる。従って、ダイシングフィルム付き半導体チップをピックアップする際に、半導体チップが破損するのを抑制することができる。

本発明に係るダイシング・ダイボンディングテープは、本発明の基材フィルムの製造方法により得られた基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の面に貼付されたダイボンディングフィルムと、前記基材フィルムの他方の面に貼付されたダイシングフィルムとを備え、前記基材フィルムの一方の面が、前記塗膜に前記エネルギー線を照射する際に露出していない側の面であり、前記基材フィルムの他方の面が、前記塗膜に前記エネルギー線を照射する際に露出している側の面であることを特徴とする。

本発明に係るダイシング・ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイシングフィルムの外周側面の少なくとも一部が、前記ダイボンディグフィルムの外周側面及び前記基材フィルムの外周側面よりも外側に張り出している。

本発明に係る基材フィルムの製造方法では、架橋性樹脂と、光ラジカル発生剤とを含む基材フィルム形成用組成物を塗工用基材上に塗工し、塗膜を形成した後、塗膜の下面が塗工用基材で覆われて露出していない状態で塗膜にエネルギー線を照射するので、塗膜の下面側では光ラジカル発生剤からラジカルが効果的に発生する。従って、塗膜の下面側では、発生したラジカルにより架橋性樹脂の架橋が速やかに進行する。また、塗膜の上面が露出している状態で塗膜にエネルギー線を照射するので、塗膜の上面側では大気中の酸素によりラジカルの発生が阻害される。従って、塗膜の上面側では、架橋性樹脂の架橋が緩やかに進行する。その結果、塗膜の上面側よりも塗膜の下面側の方が、高い架橋密度で架橋性樹脂が架橋する。従って、塗膜の両面で架橋性樹脂の架橋密度を異ならせることができるので、粘着力が両面で異なる基材フィルムを得ることができる。

本発明に係るダイシング・ダイボンディングテープでは、塗膜に上記エネルギー線を照射する際に露出していない側の面である基材フィルムの一方の面にダイボンディングフィルムが貼付されており、塗膜に上記エネルギー線を照射する際に露出している側の面である基材フィルムの他方の面にダイシングフィルムが貼付されているので、半導体ウェーハをダイシングした後に、半導体チップ付きダイボンディングフィルムを基材フィルムから無理なく剥離することができる。

さらに、本発明に係るダイシング・ダイボンディングテープでは、ダイシングリングに貼付されるダイシングフィルムの表面の粘着力を低くすることができるので、ダイシング後に、ダイシングフィルムをダイシングリングから剥離するときに、ダイシングフィルムの一部が欠けて分離し、ダイシングリングに付着するのを抑制することができる。よって、半導体チップを製造する際の作業性を高めることができる。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る基材フィルムの製造方法を説明するための部分切欠正面断面図である。

基材フィルムを製造する際には、先ず、架橋性樹脂と、光ラジカル発生剤とを含む基材フィルム形成用組成物を用意する。基材フィルム形成用組成物に含まれている成分は、後に詳述する。

図１（ａ）に示すように、基材フィルム形成用組成物を用意した後、該基材フィルム形成用組成物を塗工用基材１１の上面１１ａに塗工し、塗膜１２を形成する。

基材フィルム形成用組成物の塗工方法は特に限定されない。塗工方法としては、例えばダイコーター、リップコーター、コンマコーター又はグラビアコーター等を用いた塗工方法が挙げられる。

塗膜１２の厚さは、製造する基材フィルムの厚みに応じて適宜変更することができる。塗膜１２の厚さは、１０〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。

塗工用基材１１は特に限定されない。塗工用基材１１として、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）等のポリエステル系フィルム等が用いられる。塗工用基材１１の表面は、離型処理されていてもよい。

塗膜１２にエネルギー線を照射する前に、塗工用基材１１の上面１１ａに形成された塗膜１２を乾燥することが好ましい。乾燥温度は使用する溶剤の種類により適宜変更され得る。酢酸エチルやメチルエチルケトンなどを使用した場合には、乾燥温度は７０〜１２０℃程度である。

塗工用基材１１の上面１１ａに形成された塗膜１２の下面１２ａは、塗工用基材１１で覆われて露出していない。従って、塗膜１２の下面１２ａは、大気中の酸素と接触していない。塗膜１２の上面１２ｂは露出している。従って、塗膜１２の上面１２ｂは、大気中の酸素と接触している。

次に、図１（ｂ）に示すように、塗膜の１２の下面１２ａが塗工用基材１１で覆われて露出していない状態で、かつ塗膜１２の上面１２ｂが露出している状態で、塗膜１２にエネルギー線Ｙを照射する。

塗膜１２にエネルギー線Ｙを照射すると、塗膜１２中に含まれている架橋性樹脂が架橋する。塗膜１２の下面１２ａは大気中の酸素に接触していない。従って、塗膜１２の下面１２ａ側では、酸素により架橋性樹脂の架橋が阻害されずに、架橋性樹脂の架橋が速やかに進行する。塗膜１２の上面１２ｂは大気中の酸素に接触している。従って、塗膜１２の上面１２ｂ側では、酸素により架橋性樹脂の架橋が阻害される。架橋性樹脂を架橋させるために光ラジカル反応を利用しているため、塗膜１２の上面１２ｂ側では酸素により架橋性樹脂の架橋が阻害される。従って、塗膜１２の上面１２ｂ側よりも塗膜１２の下面１２ａ側の方が、高い架橋密度で架橋性樹脂が架橋する。

上記エネルギー線Ｙとしては、電子線、可視光線又は紫外線等が挙げられる。なかでも、照射エネルギーを容易に調整することができるので、紫外線が好ましい。エネルギー線Ｙの波長領域は、使用する光ラジカル開始剤の種類に応じて適した範囲内に設定される。エネルギー線Ｙの波長領域は、一般的には２００〜４００ｎｍ程度である。

上記エネルギー線Ｙを照射するための光源は、特に限定されない。光源として、超高圧水銀灯、Ｄｅｅｐ ＵＶ ランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ又はエキシマレーザー等を用いることができる。光源は、基材フィルム形成用組成物の感光波長に応じて適宜選択される。

エネルギー線Ｙの照射エネルギーは、１００〜１００００ｍＪ／ｃｍ^２程度である。照射エネルギーが小さすぎると、架橋性樹脂が充分に架橋しないことがある。照射エネルギーが大きすぎると、塗膜１２の上面１２ｂ側における架橋性樹脂の架橋が、大気中の酸素により充分に阻害されないことがある。

図１（ｃ）に示すように、塗膜１２に含まれている架橋性樹脂が架橋した結果、塗工用基材１１の上面１１ａに基材フィルム４が形成される。塗膜１２にエネルギー線を照射する際に露出していない側の面である基材フィルムの一方の面４ａでは、比較的高い架橋密度で架橋性樹脂が架橋している。従って、基材フィルム４の一方の面４ａの粘着力は無いか又は比較的低い。塗膜１２にエネルギー線を照射する際に露出している側の面である基材フィルム４の他方の面４ｂでは、比較的低い架橋密度で架橋性樹脂が架橋している。従って、基材フィルム４の他方の面４ｂの粘着力は比較的高い。本実施形態によれば、一方の面４ａの粘着力が、他方の面４ｂの粘着力よりも低い基材フィルム４を得ることができる。

従来、図９に示すように、架橋性樹脂の架橋に光ラジカル反応を利用する場合には、塗工用基材１１１の上面１１１ａに形成された塗膜１１２にエネルギー線を照射する前に、塗膜１１２の上面１１２ｂに基材１１３がさらに積層されていた。次に、塗膜１１２の下面１１２ａが塗工用基材１１１で覆われて露出していない状態で、かつ塗膜１１２の上面１１２ｂが基材１１３で覆われて露出していない状態で、塗膜１１２にエネルギー線Ｙを照射していた。これは、塗膜１１２中に含まれている架橋性樹脂の架橋が酸素により阻害されるのを防いで、塗膜１１２の両面で架橋性樹脂を均一に架橋させるためである。しかしながら、両面１１２ａ，１１２ｂが露出していない状態で塗膜１１２にエネルギー線Ｙを照射した場合には、粘着力が両面で異なる基材フィルムを得ることはできなかった。

これに対し、本実施形態では、酸素により架橋性樹脂の架橋が阻害されることを利用し、塗膜１２中に含まれている架橋性樹脂を塗膜１２の両面１２ａ，１２ｂで架橋密度が異なるように架橋させる。塗膜１２の下面１２ａが塗工用基材１１で覆われて露出していない状態で、かつ塗膜１２の上面１２ｂが露出している状態で、塗膜１２にエネルギー線Ｙを照射するので、基材フィルム４の粘着力を両面４ａ，４ｂで異ならせることができる。

本実施形態に係る基材フィルムの製造方法により得られた基材フィルム４は、ダイシング・ダイボンディングテープを得るのに用いられる。基材フィルム４の一方の面４ａにダイボンディングフィルムが貼付され、かつ基材フィルム４の他方の面４ｂにダイシングフィルムが貼付される。

図２（ａ），（ｂ）に、本発明の一実施形態に係る基材フィルムの製造方法により得られた基材フィルム４を用いたダイシング・ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図で示す。

図２（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシング・ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型フィルム２を有する。離型フィルム２の上面２ａに、ダイボンディングフィルム３、基材フィルム４及びダイシングフィルム５がこの順で積層されている。基材フィルム４の一方の面４ａに、ダイボンディングフィルム３が貼付されている。基材フィルム４の一方の面４ａとは反対側の他方の面４ｂに、ダイシングフィルム５が貼付されている。

ダイボンディングフィルム３の離型フィルム２が貼付された表面３ａは、半導体ウェーハが接合される面である。

ダイボンディングフィルム３、基材フィルム４及びダイシングフィルム５の平面形状は、円形である。但し、ダイボンディングフィルム３の径は、基材フィルム４の径と等しい。ダイボンディングフィルム３の径は、基材フィルム４の径と異なっていてもよい。ダイシングフィルム５の径は、ダイボンディングフィルム３及び基材フィルム４の径よりも大きい。基材フィルム４の側面は、ダイボンディングフィルム３により覆われていないことが好ましい。

ダイシングフィルム５は、基材５ａと、基材５ａの片面に積層された粘着剤５ｂとを有する。基材フィルム４の他方の面４ｂに、ダイシングフィルム５が粘着剤５ｂ側から貼付されている。

図２（ｂ）に示すように、ダイシングフィルム５は延長部５ｃを有する。ダイシングフィルム５の外周側面は、ダイボンディグフィルム３の外周側面及び基材フィルム４の外周側面よりも外側に張り出している。該張り出している部分である延長部５ｃが、粘着剤５ｂにより離型フィルム２の上面２ａに貼付されている。

上記延長部５ｃが設けられているのは、ダイボンディングフィルム３の表面３ａに半導体ウェーハを接合する際に、延長部５ｃに位置している粘着剤５ｂにダイシングリングを貼付するためである。ダイシングフィルムの外周側面の少なくとも一部は、ダイボンディグフィルム３の外周側面及び基材フィルム４の外周側面よりも外側に張り出していることが好ましい。この場合には、ダイシングフィルムの張り出している部分をダイシングリングに貼付することができる。

図２（ｂ）に示すように、長尺状の離型フィルム２の上面２ａに、ダイボンディングフィルム３、基材フィルム４及びダイシングフィルム５からなる複数の積層体が等間隔に配置されている。また、離型フィルム２の上面２ａに保護シート６，７が設けられている。保護シート６，７は、ダイシングフィルム５の外周側面よりも外側の領域に位置している。保護シート６，７が設けられている場合には、ダイシング・ダイボンディングテープ１が例えばロール状に巻回されたときに上記積層体に加わる圧力が、保護シート６，７の存在により軽減される。なお、保護シート６，７は必ずしも設けられていなくてもよい。

離型フィルムの厚み及び形状は特に限定されない。例えば正方形の離型フィルムが用いられてもよい。離型フィルムの上面に、ダイボンディングフィルム、基材フィルム及びダイシングフィルムからなる１つの積層体のみが配置されていてもよい。また、ダイボンディングフィルム、基材フィルム及びダイシングフィルムの厚み及び形状も特に限定されない。上記積層体及び離型フィルムは、ロール状に巻回されていなくてもよい。

ダイボンディングフィルム３付き半導体チップをピックアップする際に、基材フィルム４とダイボンディングフィルム３との剥離力は、基材フィルム４とダイシングフィルム５との剥離力よりも小さいことが好ましい。この場合には、ダイボンディングフィルム３を基材フィルム４から両者の界面で剥離しやすくなる。従って、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップを基材フィルム４からより一層容易に剥離することができる。

ダイボンディングフィルム３が貼付される一方の面４ａの粘着力が、ダイシングフィルム５が貼付される他方の面４ｂの粘着力よりも低いので、基材フィルム４とダイボンディングフィルム３との剥離力を基材フィルム４とダイシングフィルム５との剥離力よりも容易に小さくすることができる。

ダイボンディングフィルム３付き半導体チップをピックアップする際に、基材フィルム４とダイボンディングフィルム３との剥離力は、１５Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、７Ｎ／ｍ以下であることがより好ましい。基材フィルム４とダイボンディングフィルム３との剥離力が高すぎると、ダイボンディングフィルム３を基材フィルム４から両者の界面で剥離することが困難になることがある。基材フィルム４とダイボンディングフィルム３との剥離力は、１Ｎ／ｍ以上であることが好ましい。基材フィルム４とダイボンディングフィルム３との剥離力が低すぎると、ダイシングの際に半導体チップがダイボンディングフィルム３から剥離することがある。

また、基材フィルム４とダイシングフィルム５との剥離力は、５０Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、８０Ｎ／ｍ以上であることがより好ましい。基材フィルム４とダイシングフィルム５との剥離力が低すぎると、基材フィルム４がダイシングフィルム５から両者の界面で剥離しやすくなる。基材フィルム４とダイシングフィルム５との剥離力の上限に、特に制約はない。ただし基材フィルム４とダイシングフィルム５との剥離力が高すぎると、ダイシングフィルムとダイシングリングとの接着力も相対的に高くなり、ダイシングフィルムをダイシングリングから剥離するときに、ダイシングフィルムの一部が欠けて分離し、ダイシングリングに付着することがある。

（基材フィルム）
上記のようにして得られた基材フィルム４の一方の面４ａの粘着力は、他方の面４ｂの粘着力よりも低い。基材フィルム４は、それ自身の粘着力が両面４ａ，４ｂで異なる。基材フィルム４の一方の面４ａは、表面処理されていなくても、粘着力が無いか又は比較的低い。よって、基材フィルム４の一方の面４ａを表面処理しなくても、基材フィルム４とダイボンディングフィルム３との剥離力を比較的低くすることができる。

基材フィルム４は、表面処理されていないことが好ましい。基材フィルム４の表面には、離型剤が塗布されていないことが好ましい。また、基材フィルム４の表面には、凹凸が形成されていないことが好ましい。さらに、基材フィルム４の表面は、コロナ放電処理されていないことが好ましい。

基材フィルム４の表面に離型剤が塗布されていない場合には、ダイボンディングフィルム３に離型剤が付着することがない。そのため、ピックアップされたダイボンディングフィルム３付き半導体チップを基板上に確実に実装することができる。また、基材フィルム４の表面に凹凸が形成されていない場合には、ダイボンディングフィルム３と基材フィルム４との密着性を高めることができる。そのため、ダイシングの際に、ダイボンディングフィルム３が基材フィルム５から剥離するのを抑制することができる。さらに、基材フィルム４の表面がコロナ放電処理されていない場合には、基材フィルム４の表面の粘着力が経時により低下し難い。

粘着力が無いか又は比較的低い基材フィルム４の一方の面４ａにダイボンディングフィルム３を貼付し、かつ粘着力が比較的高い基材フィルム４の他方の面４ｂにダイシングフィルム５を貼付することにより、基材フィルム４とダイボンディングフィルム３との剥離力を、基材フィルム４とダイシングフィルム５との剥離力よりも容易に低くすることができる。

基材フィルム４は、架橋性樹脂と、光ラジカル発生剤とを含む基材フィルム形成用組成物を用いて形成されている。基材フィルム４は、架橋性樹脂が架橋した樹脂架橋体を含む。基材フィルム４は、架橋性樹脂が架橋した樹脂架橋体を主成分として含むことが好ましい。

上記架橋性樹脂は、架橋性反応基を有していれば特に限定されない。架橋性樹脂は、（メタ）アクリル樹脂であることが好ましい。この場合には、基材フィルム４の粘着力を両面でより一層容易に異ならせることができる。基材フィルム４は、（メタ）アクリル樹脂架橋体を主成分として含むことが好ましい。

なお、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル又はメタクリルを意味する。

上記（メタ）アクリル樹脂は特に限定されない。（メタ）アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルポリマーを用いた場合には、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップをピックアップする際に、ダイボンディングフィルム３の一部が欠けて分離するのを抑制することができる。また、ダイシングの際の切削性や、ダイシング後の剥離性を高めることができる。

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーは特に限定されない。上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーであることが好ましい。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーを用いた場合には、基材フィルム４の極性を充分に低くすることができ、かつ基材フィルム４の表面エネルギーを低くすることができる。さらに、ダイボンディングフィルム３を基材フィルム４からより一層剥離しやすくすることができる。アルキル基の炭素数が１８を超えると、基材フィルムを製造する際に、溶液重合が困難になる。そのため、基材フィルム４の製造が困難になることがある。（メタ）アクリル酸エステルポリマーのアルキル基の炭素数は６以上であることが好ましい。アルキル基の炭素数は６以上である場合、基材フィルム４の極性をより一層低くすることができる。

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとして用いて得られた（メタ）アクリル酸エステルポリマーであることが好ましい。上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、上記主モノマーと、官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させて得られた（メタ）アクリル酸エステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーのアルキル基の炭素数は、２以上であることが好ましく、６以上であることが特に好ましい。

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの重量平均分子量は、２０万〜２００万の範囲内にあることが好ましい。重量平均分子量が２０万未満であると、塗工成形時に多くの外観欠点が生じることがある。重量平均分子量が２００万を超えると、製造時に増粘しすぎてポリマー溶液を取り出すことができないことがある。

上記改質用モノマーは特に限定されない。上記改質用モノマーは、カルボキシル基を含有するモノマーではないことが好ましい。カルボキシル基を含有するモノマーを用いた場合には、基材フィルム４の極性が高くなり、ピックアップ性に悪影響を及ぼすことがある。

上記改質用モノマーとして使用することができるモノマーとしては、例えば、二重結合を有するブタジエン、スチレン、イソプレン又はアクリロニトリル等が挙げられる。

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは特に限定されない。上記（メタ）アルキルエステルモノマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する一級又は二級のアルキルアルコールと、（メタ）アクリル酸とのエステル化反応により得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーであることが好ましい。

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーの具体的としては、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル又は（メタ）アクリル酸ラウリル等が挙げられる。なかでも、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが特に好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、反応性二重結合を有することが好ましい。この場合には、（メタ）アクリル酸エステルポリマーを強固に架橋させることができる。（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、反応性二重結合を側鎖に有することが好ましい。

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーに反応性二重結合を導入する方法としては、水酸基又はカルボキシル基を側鎖に有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーと、水酸基又はカルボキシル基と反応する基と反応性二重結合とを有する化合物とを反応させる方法が挙げられる。

上記水酸基又はカルボキシル基と反応する基と反応性二重結合とを有する化合物の具体例としては、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート又は１，１−ビス（メタクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート等が挙げられる。

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーが反応性二重結合を有しない場合には、（メタ）アクリル酸エステルポリマーの他に、（メタ）アクリル基と反応可能な二重結合を有し、重量平均分子量が５００〜５００００の範囲内にあるオリゴマーを用いることが好ましい。このオリゴマーを用いた場合には、ダイボンディングフィルム３を基材フィルム４からより一層剥離しやすくすることができる。

上記オリゴマーとして、３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーが好適に用いられる。３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーの骨格は、適度に柔軟である。３官能未満のウレタンアクリルオリゴマーを用いた場合には、基材フィルム４の柔軟性が低くなりすぎることがある。１０官能を超えるウレタンアクリルオリゴマーを用いた場合には、基材フィルム４の柔軟性が高くなりすぎることがある。

上記３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーは、ポリプロピレンオキシド主鎖のウレタンアクリルオリゴマーであることが好ましい。

上記３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーの市販品としては、Ｕ−２ＰＰＡ、Ｕ−４ＨＡ、Ｕ−６ＨＡ、Ｕ−１５ＨＡ、ＵＡ−３２Ｐ、Ｕ−３２４Ａ Ｕ−１０８Ａ、Ｕ−２００ＡＸ、ＵＡ−４４００、ＵＡ−２２３５ＰＥ、ＵＡ−１６０ＴＭもしくはＵＡ−６１００（以上、いずれも新中村化学工業社製）、又はＵＮ−７６００、ＵＮ−７７００、ＵＮ−３３３もしくはＵＮ−１２５５（以上、いずれも根上工業社製）等が挙げられる。

（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、上記オリゴマーは１重量部以上の割合で配合されることが好ましく、５０重量部以下の割合で配合されることが好ましい。上記オリゴマーの量が多すぎると、原料が充分に溶解せずに、基材フィルム４を製造することが困難になることがある。

両末端に（メタ）アクリル基を有するオリゴマーを用いる場合には、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、オリゴマーは１〜１００重量部の割合で配合されることが好ましく、１〜５０重量部の割合で配合されることがより好ましい。多官能のウレタンアクリルオリゴマーを用いる場合には、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、オリゴマーは１〜５０重量部の割合で配合されることが好ましい。

上記架橋性樹脂を架橋させて樹脂架橋体を得るのに用いられる光ラジカル発生剤は特に限定されない。

上記光ラジカル発生剤の具体例としては、開裂型光ラジカル開始剤又は水素引き抜き型光ラジカル開始剤等が挙げられる。

上記光ラジカル発生剤の市販品としては、例えば、イルガキュア１８４、イルガキュア２９５９、イルガキュア９０７、イルガキュア８１９、イルガキュア６５１、イルガキュア３６９もしくはイルガキュア３７９（以上、いずれもチバ・スペシャリティーケミカルズ社製）、又はベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルもしくはルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ Ｊａｐａｎ社製）等が挙げられる。

架橋性樹脂１００重量部に対して、光ラジカル発生剤は０．１〜１０重量部の割合で配合されることが好ましく、０．１〜３重量部の割合で配合されることがより好ましい。光ラジカル発生剤の量が少なすぎると、架橋性樹脂を充分に架橋させることができないことがある。そのため、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップのピックアップ性を充分に高めることができないことがある。光ラジカル発生剤の量が多すぎると、残留成分が可塑化成分となることがある。そのため、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップのピックアップ性を充分に高めることができないことがある。

基材フィルム形成用組成物は、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。フィラーが含まれることにより、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップのピックアップ性をより一層高めることができる。

上記フィラーの平均粒径は、０．１〜１０μｍの範囲内にあることが好ましく、０．１〜５μｍの範囲内にあることがより好ましい。平均粒径が大きすぎると、基材フィルム４の面内厚みがばらつくことがある。平均粒径が小さすぎると、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップのピックアップ性を充分に高めることができないことがある。

上記フィラーは特に限定されない。フィラーとして、シリカ又はアルミナ等が用いられる。

フィラーを除く中間膜形成用組成物を構成する材料の合計１００重量部に対して、フィラーは０．１〜１５０重量部の割合で配合されることが好ましい。フィラーの量が多すぎると、基材フィルム４がエキスパンド時に破断してしまうことがある。フィラーの量が少なすぎると、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップのピックアップ性を充分に高めることができないことがある。

基材フィルム４のダイボンディングフィルム３が貼付される一方の面４ａの粘着力は、１５Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。基材フィルム４の一方の面４ａの粘着力は、１Ｎ／ｍ以上であることが好ましい。

基材フィルム４のダイシングフィルム５が貼付される他方の面４ｂの粘着力は、１５０Ｎ／ｍ以上であることが好ましい。

なお、基材フィルム４の一方の面４ａ及び他方の面４ｂの粘着力は、後述する実施例における粘着力の測定方法により測定され得る。

基材フィルム４の厚みは、１０〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。厚みが１０μｍ未満であると、充分なエキスパンド性が得られないことがある。厚みが１００μｍを超えると、厚みにばらつきが生じやすくなる。厚みがばらつくと、適切にダイシングすることができないことがある。

（ダイボンディングフィルム）
ダイボンディングフィルム３は、ダイシングの際に、半導体ウェーハごと切断される。ダイボンディングフィルム３は、ダイシング後に半導体チップごと取り出され、半導体チップのダイボンディングに用いられる。

ダイボンディングフィルム３は、例えば適宜の硬化性樹脂を含む硬化性組成物等を用いて形成される。硬化前の上記硬化性組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。また、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップをピックアップした後に、ダイボンディングフィルム３に熱や光のエネルギーを与えて硬化させることで、ダイボンディングフィルム３を介して、基板等の被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。

上記硬化性樹脂としては、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂等が挙げられる。

上記熱可塑性樹脂としては、例えばポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂又はポリ酢酸ビニル樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂又はポリウレタン樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光硬化性樹脂としては、例えば感光性オニウム塩等の光カチオン触媒を含有するエポキシ樹脂、又は感光性ビニル基を有するアクリル樹脂等が挙げられる。光硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化性樹脂として、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル酸メチル又はホットメルト型接着樹脂が好適に用いられる。ホットメルト型接着樹脂としては、アクリル酸ブチル等を主なモノマー単位とするポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂等が挙げられる。

ダイボンディングフィルム３は、熱硬化性組成物からなることがより好ましい。ダイボンディングフィルム３は、エポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、熱硬化剤とを含むことが好ましい。この場合には、ダイボンディングフィルム３を介して接合された半導体チップと基板との間又は複数の半導体チップ間における接合信頼性をより一層高めることができる。なお、エポキシ樹脂とは、一般的には、１分子中にエポキシ基を２個以上有し、かつ分子量３００〜８０００程度の比較的低分子のポリマー(プレポリマー)、又は該ポリマーのエポキシ基の開環反応によって生じた熱硬化性樹脂である。

ダイボンディングフィルム３は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーを１０〜１００重量部の割合で含むことが好ましく、１５〜５０重量部の割合で含むことがより好ましい。上記高分子ポリマーの量が多すぎると、流動性が低下して、ダイボンディングフィルム３と基材フィルム４との密着性が低くなることがある。そのため、ダイシングの際にダイボンディングフィルム３が基材フィルムから剥離しやすくなる。さらに、ダイボンディングフィルム３と半導体ウェーハとの密着性が低くなり、ダイシングの際に切削屑が生じやすくなる。上記高分子ポリマーの量が少なすぎると、ダイボンディングフィルム３の成形時に外観不良が生じやすくなる。

上記エポキシ樹脂は、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂であることが好ましい。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いた場合、硬化物は剛直になり、分子の運動が阻害される。そのため、硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性を高めることができる。

上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されない。上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の具体例としては、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、又は３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂の内の少なくとも一方の樹脂が好適に用いられる。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。

上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂の具体例としては、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂が挙げられる。上記ナフタレン型エポキシ樹脂の具体例としては、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、又は１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等が挙げられる。

上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量は、５００以上であることが好ましい。重量平均分子量が５００未満であると、硬化物の機械的強度、耐熱性又は耐湿性等が十分に高くならないことがある。上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量は、１０００以下であることが好ましい。重量平均分子量が１０００を超えると、硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。

上記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーは特に限定されない。該高分子ポリマーとしては、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基又はエポキシ基等を有するポリマーが挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子ポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いた場合、硬化物の可撓性を高めることができる。

また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂と、エポキシ基を有する高分子ポリマーとを用いた場合、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂により硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性を高めることができ、かつ上記エポキシ基を有する高分子ポリマーにより硬化物の可撓性を高めることができる。

上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの重量平均分子量は、１０万〜２００万の範囲内にあることが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーは、末端及び側鎖（ペンダント位）の内の少なくとも一方にエポキシ基を有していればよい。

上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの具体例としては、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、又はエポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキシ基含有アクリル樹脂が好適に用いられる。エポキシ基含有アクリル樹脂を用いた場合には、硬化物の機械的強度や耐熱性を高めることができる。エポキシ基を有する高分子ポリマーは、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。

上記熱硬化剤は特に限定さない。上記熱硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、又はカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。熱硬化剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。

なかでも、常温で液状の加熱硬化型硬化剤、又は多官能であり、かつ当量的に添加量が少なくてもよいジシアンジアミド等の潜在性硬化剤が好適に用いられる。この場合には、硬化前のダイボンディングフィルムの常温での柔軟性を高めることができ、かつハンドリング性を高めることができる。

上記常温で液状の加熱硬化型硬化剤の具体例としては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤が挙げられる。なかでも、疎水化されているので、メチルナジック酸無水物又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好適に用いられる。酸無水物系硬化剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。

上記熱硬化剤に加えて、硬化促進剤を用いてもよい。熱硬化剤と硬化促進剤とを併用することにより、硬化速度や硬化物の物性等を調整することができる。

上記硬化促進剤は特に限定されない。硬化促進剤の具体例としては、イミダゾール系硬化促進剤、又は３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。イミダゾール系硬化促進剤を用いた場合、硬化速度や硬化物の物性等を容易に調整することができる。硬化促進剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。

上記イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、又はイソシアヌル酸で塩基性を保護した商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」（四国化成工業社製）等が挙げられる。イミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。

酸無水物系硬化剤とイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合は、酸無水物系硬化剤の添加量を、エポキシ基の当量に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。酸無水物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、熱硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化後の硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出することがある。

また、アミン系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合には、アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。アミン物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、熱硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化後の硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く抽出水が塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出することがある。

上記熱硬化性樹脂組成物をフィルム状に成形し、ダイボンディングフィルム３を得る方法として、例えばダイコーター、リップコーター、コンマコーター又はグラビアコーター等が用いられる。なかでも、グラビアコーターが好ましい。グラビアコーターを用いた場合には、ダイボンディングフィルム３の厚み精度を高めることができる。さらに、異物が混入したとしても筋状のむら等が形成され難くなる。

（ダイシングフィルム）
ダイシングフィルム５は、ダイシングリングを貼り付けるために用いられている。また、ダイシングフィルム５は、ダイシング後のエキスパンド性を高めるために、又はダイボンディングフィルム３付き半導体チップのピックアップ性を高めるために用いられている。

ダイシングフィルム５は、基材５ａと、基材５ａの片面に積層された粘着剤５ｂとを有する。

基材５ａは特に限定されない。基材５ａの具体例としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、又はポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、ポリオレフィン系フィルムが好適に用いられる。ポリオレフィン系フィルムを用いた場合には、エキスパンド性を高めることができ、かつ環境負荷を小さくすることができる。

粘着剤５ｂは特に限定されない。粘着剤５ｂの具体例としては、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤又はゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、アクリル系粘着剤又はゴム系粘着剤が好ましく、アクリル系粘着剤がより好ましく、感圧タイプのアクリル系粘着剤がさらに好ましい。アクリル系粘着剤を用いた場合には、粘着剤５ｂの基材フィルム４への貼着力、及び粘着剤５ｂのダイシングリングからの剥離性を高めることができる。さらに、粘着剤５ｂの製造コストを低くすることができる。

粘着剤５ｂは、例えばダイシングリングを貼付することができるように構成されていることが好ましい。

基材５ａを構成する材料は、ポリオレフィン又はポリ塩化ビニルであることが特に好ましい。この材料を用いた場合には、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップをピックアップする際に、適度なエキスパンド性を得ることができる。

ダイシングフィルム５の基材フィルム４が貼付される面の粘着力、すなわちダイシングフィルム５の粘着剤５ｂの表面の粘着力は、５０〜５００Ｎ／ｍの範囲内にあることが好ましい。ダイシングフィルム５の基材フィルム４が貼付される面の粘着力が低すぎると、ダイシングフィルム５のダイシングリングへの貼り付け性が低下したり、ダイシングフィルム５と基材フィルム４との密着性が低下したりすることがある。ダイシングフィルム５の基材フィルム４が貼付される面の粘着力が高すぎると、ダイシングフィルム５をダイシングリングから剥離する際に、ダイシングフィルム５の一部が欠けて分離して、ダイシングリングに付着しやすくなる。

（離型フィルム）
離型フィルム２は、ダイボンディングフィルム３の表面３ａを保護するために用いられている。離型フィルム２は必ずしも用いられていなくてもよい。

離型フィルム２は特に限定されない。離型フィルム２の具体例としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、又はポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。これらのフィルムの片面は、シリコーン離型剤、又は長鎖アルキル基等を有する離型剤等を用いて離型処理されていてもよい。離型フィルム２は、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の合成樹脂フィルムであることが好ましい。合成樹脂フィルムは、平滑性及び厚み精度等に優れている。

（半導体チップの製造方法）
次に、上述したダイシング・ダイボンディングテープ１を用いて、半導体チップを製造する方法を図３〜図８を用いて以下説明する。

先ず、上述したダイシング・ダイボンディングテープ１と、図３に平面図で示す半導体ウェーハ２１とを用意する。

上記半導体ウェーハ２１の平面形状は、円形である。半導体ウェーハ２１の表面２１ａには、ストリートによってマトリックス状に区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている（図示せず）。後述するダイシングの際に、マトリックス状に区画された各領域ごとに半導体ウェーハ２１が分割される。

半導体ウェーハ２１が所定の厚みとなるように、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂが研磨されている。半導体ウェーハ２１の厚みは、３０μｍ以上であることが好ましい。半導体ウェーハ２１の厚みが３０μｍよりも薄いと、半導体ウェーハ２１の研削時やハンドリング時にクラック等が発生し、半導体ウェーハ２１が破損することがある。

図４に示すように、用意した半導体ウェーハ２１を裏返して、裏返された半導体ウェーハ２１をステージ２２上に載せる。すなわち、半導体ウェーハ２１を表面２１ａ側からステージ２２上に載せる。ステージ２２上には、半導体ウェーハ２１の外周側面２１ｃから一定間隔を隔てた位置に、円環状のダイシングリング２３が配置されている。ダイシングリング２３の高さは、半導体ウェーハ２１、ダイボンディングフィルム３及び基材フィルム４の合計厚みと等しいか又はわずかに低い。

次に、図５に示すように、ダイシング・ダイボンディングテープ１の離型フィルム２を剥離し、ダイボンディングフィルム３の表面３ａ及びダイシングフィルム５の延長部５ｃの粘着剤５ｂを露出させる。

離型フィルム２を剥離した後、又は離型フィルム２を剥離しながら、露出したダイボンディングフィルム３の表面３ａを、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに接合する。また、離型フィルム２を剥離した後、又は離型フィルム２を剥離しながら、露出したダイシングフィルム５の延長部５ｃの粘着剤５ｂを、ダイシングリング２３上に貼付する。粘着剤５ｂをダイシングリング２３上に貼付することにより、粘着剤５ｂがダイシングリング２３により支持される。

次に、図６に示すように、ダイボンディングフィルム３、基材フィルム４及びダイシングフィルム５からなる積層体が半導体ウェーハ２１に接合された状態で、ステージ２２から半導体ウェーハ２１を剥離して、取り出す。このとき、ダイシングリング２３がダイシングフィルム５に貼付された状態で、ステージ２２から半導体ウェーハ２１が取り出される。

図７に示すように、取り出された半導体ウェーハ２１を表面２１ａが上方になるように裏返して、別のステージ２４上に載せる。次に、半導体ウェーハ２１をダイボンディングフィルム３ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する。図７に矢印Ｘを付して示す方向すなわち半導体ウェーハ２１側から、半導体ウェーハ２１をダイシングする。

図８に示すように、ダイシング後に、半導体ウェーハ２１及びダイボンディングフィルム３はそれぞれ、両面を貫通するように切断されている。ダイボンディングフィルム３及び基材フィルム４に切断面３１が形成されている。ダイシングは、半導体ウェーハ２１及びダイボンディングフィルム３を貫通するように行われれば特に限定されない。例えば、ダイボンディングフィルム３と基材フィルム４との界面よりも深い位置に至るようにダイシングブレードが挿入され、基材フィルム４に切り込みが形成されてもよい。

半導体ウェーハ２１をダイシングする方法としては、ダイシングブレードを用いる方法、又はレーザーダイシングする方法等が挙げられる。

半導体ウェーハ２１を個々の半導体チップに分割した後、基材フィルム４及びダイシングフィルム５を引き延ばして、分割された半導体チップの間隔を拡張する。

基材フィルム４及びダイシングフィルム５を引き延ばした後に、半導体チップが接合された状態で、ダイボンディングフィルム３を基材フィルム４から剥離して取り出す。このようにして、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップを得ることができる。

基材フィルム４の一方の面４ａの粘着力は、無いか又は比較的低い。この基材フィルム４の一方の面４ａにダイボンディングフィルム３が貼付されているので、基材フィルム４とダイボンディングフィルム３との剥離力が比較的低い。従って、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップを基材フィルム４から、容易に剥離することができる。そのため、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップを取り出す際に、半導体チップが破損するのを抑制することができる。また、ダイボンディングフィルム３の一部が欠けてフィルム片として分離し、該フィルム片が基材フィルム４に付着するのを抑制することができる。よって、得られた半導体チップには、欠けのないダイボンディングフィルムが接合されているので、半導体チップをより一層確実にダイボンディングすることができる。

また、基材フィルム４とダイボンディングフィルム３との剥離力は比較的低いので、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップをピックアップする前に、光照射等により基材フィルム４とダイボンディングフィルム３との剥離力を低下させなくても、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップを基材フィルム３から容易に取り出すことができる。基材フィルム４は、例えば光の照射等により粘着力が低下するように構成されている必要はない。基材フィルム４は、光照射等により粘着力が低下しないことが好ましい。光照射等により粘着力が低下しない基材フィルム４を用いた場合には、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップをピックアップする前に、光照射等により粘着力を低下させなくてもよい。従って、半導体チップの製造効率を高めることができる。なお、光の照射とは、基材フィルム４等が自然光下に晒される場合を含まず、基材フィルム４に紫外線などを意図的に照射することをいう。

ダイボンディングフィルム３付き半導体チップを得た後に、ダイシングリング２３から、ダイシングフィルム５は剥離される。ダイシングリング２３は、ダイシングフィルム５の基材フィルム４が貼付された面に貼付されている。基材フィルム４の他方の面４ｂの粘着力は比較的高い。従って、基材フィルム４とダイシングフィルム５との剥離力を高めるために、ダイシングフィルム５の基材フィルム４が貼付される面の粘着力を高くする必要はなく、ダイシングフィルム５の基材フィルム４が貼付される面の粘着力を比較的低くすることができる。従って、ダイシングフィルム５とダイシングリング２３との剥離力を比較的低くすることができる。ダイシングフィルム５とダイシングリング２３との剥離力を比較的低くすることができるので、ダイシングフィルム５をダイシングリング２３から剥離するときに、ダイシングフィルム５の一部が欠けて分離して、ダイシングリング２３に付着するのを抑制することができる。

以下、実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明する。本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。

（実施例１）
（１）アクリル酸エステルポリマーの合成
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバジャパン社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）３．５重量部を反応させて、架橋性樹脂であるアクリル酸エステルポリマーを得た。アクリル酸エステルポリマーは、重量平均分子量が７０万であり、酸価が０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。

（２）中間膜形成用組成物の調製
得られたアクリル酸エステルポリマー１００重量部と、Ｕ−３２４Ａ（新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー）１０重量部と、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバジャパン社製）０．５重量部と、フィラーとしてのＳＥ４０５０（アドマテックス社製、シリカフィラー）３０重量部とを配合し、酢酸エチルに溶解させ、中間膜形成用組成物を得た。

（３）基材フィルムの作製
塗工用基材として離型処理された第１の離型ＰＥＴフィルム（＃３８１１、リンテック社製）を用意した。第１の離型ＰＥＴフィルム上に、アプリケーターを用いて、得られた中間膜形成用組成物を塗工し、塗膜を形成した。さらに１１０℃のオーブン内で塗膜を３分間乾燥した。乾燥後の塗膜の厚みは５０μｍであった。

塗膜の下面が塗工用基材で覆われて露出していない状態で、かつ塗膜の上面が露出している状態で、光源として高圧水銀灯を用いて、塗膜の上面側から塗膜に、３６５ｎｍの紫外線を２０００ｍＪ／ｃｍ^２の照射エネルギーとなるように、２０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線照度で１００秒間照射した。このようにして、塗膜中に含まれているアクリル酸エステルポリマーを架橋させることにより、第１の離型ＰＥＴフィルム上に厚み５０μｍの基材フィルムＬ１を形成した。

第１の離型ＰＥＴフィルム上に基材フィルムＬ１を形成した後、基材フィルムＬ１の上面に、第２の離型ＰＥＴフィルム（＃３８１１、リンテック社製）を貼付した。

（４）ダイボンディングフィルムの作製
Ｇ−２０５０Ｍ（日本油脂社製、エポキシ基含有アクリル系高分子ポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（大日本インキ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）８０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（大日本インキ社製、ナフタレン型エポキシ樹脂）５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３５重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部とを配合し、配合物を得た。この配合物を溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分濃度が６０重量％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。得られた塗液を離型フィルム上に塗工し、１１０℃のオーブン内で３分間乾燥した。このようにして、離型フィルム上に厚み４０μｍのダイボンディングフィルムを形成した。

（５）ダイシング・ダイボンディングテープの作製
塗膜に紫外線を照射する際に露出していない側の基材フィルムＬ１の一方の面に貼付された第１の離型ＰＥＴフィルムを剥離し、基材フィルムＬ１の一方の面を露出させた。次に、離型フィルム上に形成されたダイボンディングフィルムの表面に、基材フィルムＬ１を露出した一方の面側から、４０℃でラミネートした。

基材フィルムＬ１の一方の面にダイボンディングフィルムを貼付した後、基材フィルムＬ１の一方の面とは反対側の他方の面、すなわち塗膜に紫外線を照射する際に露出している側の基材フィルムＬ１の他方の面に貼付された第２の離型ＰＥＴフィルムを剥離し、基材フィルムＬ１の他方の面を露出させた。基材フィルムＬ１の露出した他方の面に、ダイシングフィルムＤＣ１（厚み８０μｍのオレフィンフィルムの片面に厚み１０μｍの微粘着型アクリル粘着剤が積層されたダイシングフィルム。このダイシングフィルムのＳＵＳに対する１８０度引き剥がし粘着力は６０Ｎ／ｍ）を粘着剤側から貼り付けた。このようにして、離型フィルム／ダイボンディングフィルム／基材フィルムＬ１／ダイシングフィルムＤＣ１がこの順で積層されたダイシング・ダイボンディングテープを作製した。

（比較例１）
実施例１の（２）基材フィルムの作製の際に、塗膜に紫外線を照射する前に、塗膜の上面に第２の離型ＰＥＴフィルム（＃３８１１、リンテック社製）を貼付したこと、並びに乾燥後の塗膜の上面に第２の離型ＰＥＴフィルムを貼付した後に、塗膜の両面が第１，第２の離型ＰＥＴフィルムで覆われて露出していない状態で塗膜に紫外線を照射したことを除いては実施例１と同様にして、基材フィルムＬ２を得た。

基材フィルムＬ１に代えて、基材フィルムＬ２を用いたことを除いては実施例１と同様にして、離型フィルム／ダイボンディングフィルム／基材フィルムＬ２／ダイシングフィルムＤＣ１がこの順で積層されたダイシング・ダイボンディングテープを作製した。

（比較例２）
ダイシングフィルムＤＣ１に代えて、ダイシングフィルムＤＣ２（厚み８０μｍのオレフィンフィルムの片面に厚み１０μｍの強粘着型アクリル粘着剤が積層されたダイシングフィルム、このダイシングフィルムのＳＵＳに対する１８０度引き剥がし粘着力は４００Ｎ／ｍ）を用いて、該ダイシングフィルムＤＣ２を粘着剤側から基材フィルムＬ２の他方の面に貼付したことを除いては、比較例１と同様にして、ダイシング・ダイボンディングテープを作製した。

（評価）
（１）粘着力
実施例１の基材フィルムＬ１の塗膜に紫外線を照射する際に露出していない側の一方の面の粘着力、実施例１の基材フィルムＬ１の塗膜に紫外線を照射する際に露出している側の他方の面の粘着力、及び比較例１の基材フィルムＬ２の両面の粘着力をそれぞれ評価した。

実施例１で得られた離型フィルム上のダイボンディングフィルムに、基材フィルムを粘着力を測定する面側からそれぞれ貼付した。次に、３００ｍｍ／分の剥離速度で、ダイボンディングフィルムと基材フィルムとの界面に対して１８０度方向に、基材フィルムをダイボンディングフィルムから剥離した。この剥離に要した力を、引張試験機ＡＧ−ＩＳ（島津製作所社製）を用いて、測定幅２５ｍｍで測定し、得られた値の平均値を基材フィルムの粘着力とした。

（２）剥離力
実施例１及び比較例１，２で得られたダイシング・ダイボンディングテープの基材フィルムとダイボンディングフィルムとの剥離力、及び基材フィルムとダイシングフィルムとの剥離力をそれぞれ評価した。

３００ｍｍ／分の剥離速度で、基材フィルムとダイボンディングフィルムとの界面に対して１８０度方向に、基材フィルムをダイボンディングフィルムから剥離した。このとき剥離に要した力を、島津製作所製ＡＧＳ−１００Ｄを用いて、測定幅２５ｍｍで測定し、得られた値の平均値を基材フィルムとダイボンディングフィルムとの剥離力とした。

また、３００ｍｍ／分の剥離速度で、基材フィルムとダイシングフィルムとの界面に対して１８０度方向に、基材フィルムをダイシングフィルムから剥離した。このとき剥離に要した力を、島津製作所製ＡＧＳ−１００Ｄを用いて、測定幅２５ｍｍで測定し、得られた値の平均値を基材フィルムとダイシングフィルムとの剥離力とした。

（３）半導体チップの製造時の評価
実施例１及び比較例１，２のダイシング・ダイボンディングテープの離型フィルムを剥離し、ダイボンディングフィルムの表面及びダイシングフィルムの粘着剤を露出させた。ダイボンディングフィルムを露出した表面側から、シリコンウェーハ（直径８ｉｎｃｈ、厚み８０μｍ）の片面に６０℃の温度でラミネートし、評価サンプルを作製した。また、評価サンプルを作製する際に、ダイシングフィルムを露出した粘着剤側から、ダイシングリングに貼付した。

次に、ダイシング装置ＤＦＤ６５１（ディスコ社製）を用いて、送り速度５０ｍｍ／秒で、評価サンプルを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングした。次に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、及びエキスパンド４ｍｍの各条件で、分割された半導体チップを連続的にピックアップした。このときのピックアップ性を下記の評価基準で評価した。

〔ピックアップ性の評価基準〕
○：半導体チップを１００個ピックアップしたときのピックアップ成功数が９８個以上
×：半導体チップを１００個ピックアップしたときのピックアップ成功数が９７個以下

また、ダイシング後に、ダイシングリングからダイシングフィルムを引き剥がした。ダイシングリングからダイシングフィルムを引き剥がした後に、ダイシングフィルムの粘着剤の一部が分離してダイシングリングに付着し、糊残りが生じているか否かを観察することにより、ダイシングリング引き剥がし性を評価した。糊残りが全く生じていない場合を「○」、糊残りが生じている場合を「×」として下記の表１に示した。

結果を下記表１に示す。

図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る基材フィルムの製造方法を説明するための部分切欠正面断面図である。 図２（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る基材フィルムの製造方法により得られた基材フィルムを用いたダイシング・ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図である。 図３は、半導体チップの製造に用いられる半導体ウェーハを示す平面図である。 図４は、ダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、半導体ウェーハをステージ上に載せた状態を示す部分切欠正面断面図である。 図５は、ダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムに半導体ウェーハを接合するときの状態を示す部分切欠正面断面図である。 図６は、ダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムに半導体ウェーハを接合した状態を示す部分切欠正面断面図である。 図７は、ダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルム付き半導体ウェーハを裏返して別のステージ上に載せた状態を示す部分切欠正面断面図である。 図８は、ダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体装置を製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムが接合された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した状態を示す部分切欠正面断面図である。 図９は、従来の基材フィルムの製造方法を説明するための部分切欠正面断面図である。

符号の説明

１…ダイシング・ダイボンディングテープ
２…離型フィルム
２ａ…上面
３…ダイボンディングフィルム
３ａ…表面
４…基材フィルム
４ａ…一方の面
４ｂ…他方の面
５…ダイシングフィルム
５ａ…基材
５ｂ…粘着剤
５ｃ…延長部
６，７…保護シート
１１…塗工用基材
１１ａ…上面
１２…塗膜
１２ａ…下面
１２ｂ…上面
２１…半導体ウェーハ
２１ａ…表面
２１ｂ…裏面
２１ｃ…外周側面
２２…ステージ
２３…ダイシングリング
２４…ステージ
３１…切断面

Claims (5)

1. 基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の面に貼付されたダイボンディングフィルムと、前記基材フィルムの前記一方の面とは反対側の他方の面に貼付されたダイシングフィルムとを備えるダイシング・ダイボンディングテープを得るのに用いられる前記基材フィルムの製造方法であって、
   架橋性樹脂と、光ラジカル発生剤とを含む基材フィルム形成用組成物を塗工用基材上に塗工し、塗膜を形成する工程と、
   前記塗膜の下面が前記塗工用基材で覆われて露出していない状態で、かつ前記塗膜の上面が露出している状態で、前記塗膜にエネルギー線を照射し、前記架橋性樹脂を架橋させることにより、前記塗工用基材上に前記基材フィルムを形成する工程とを備えることを特徴とする、基材フィルムの製造方法。
2. 前記塗膜にエネルギー線を照射する前に、前記塗膜を乾燥する工程をさらに備える、請求項１に記載の基材フィルムの製造方法。
3. 前記架橋性樹脂として、（メタ）アクリル酸エステルポリマーを用いる、請求項１または２に記載の基材フィルムの製造方法。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の基材フィルムの製造方法により得られた基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の面に貼付されたダイボンディングフィルムと、前記基材フィルムの他方の面に貼付されたダイシングフィルムとを備え、
   前記基材フィルムの一方の面が、前記塗膜に前記エネルギー線を照射する際に露出していない側の面であり、前記基材フィルムの他方の面が、前記塗膜に前記エネルギー線を照射する際に露出している側の面であることを特徴とする、ダイシング・ダイボンディングテープ。
5. 前記ダイシングフィルムの外周側面の少なくとも一部が、前記ダイボンディグフィルムの外周側面及び前記基材フィルムの外周側面よりも外側に張り出している、請求項４に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。

Images