TW201501900A - 模具成形用脫模片 - Google Patents

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Takeshi Sato
Takamasa Ichikawa
Yuichi Moriya
Takashi Mochizuki
Tomoaki Yamada
Shinichi Takahashi
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Tomoegawa Co Ltd
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Abstract

在習知經噴砂處理之脫模片具有下述問題:於噴砂處理時之製造步驟所生成殘存於基材表面的粒狀物會接觸於引線框架而阻礙模具樹脂對引線框架之密封,進而發生模具樹脂之樹脂洩漏,使半導體裝置之製品成品率變差之問題。爰此,本發明目的在於提供一種脫模片,其不會阻礙模具樹脂對引線框架之密封,可防止源自脫模片基材薄膜之低分子量成分附著於模具,且無模具樹脂之樹脂洩漏,可模具成形半導體裝置。本發明之脫模片係積層有含有微粒子之凹凸層、基材及樹脂層者。前述微粒子之含量為凹凸層總質量之10~85質量%為佳,凹凸層之表面粗度Ra為0.2μm≦Ra≦2.5μm為佳。

Description

模具成形用脫模片 發明領域
本發明係有關於一種使用於射出成形等模具成形之脫模片,尤其有關於一種使用於半導體裝置製造之脫模片。
發明背景
近年,伴隨攜帶型電腦、行動電話等電子機器之小型化、多機能化,除構成電子機器之電子零件的小型化、高積體化以外,亦需要電子零件的高密度安裝技術。在上述背景下,以可高密度安裝的CSP(Chip Scale Package:晶片尺度封裝)等面安裝型半導體裝置取代QFP(Quad Flat Package:四面扁平封裝)及SOP(Small Outline Package:小型封裝)等周邊安裝型半導體裝置而備受矚目。又,CSP中又尤以QFN(Quad Flat Non-Leaded:四面扁平無引線)封裝可適用習知的半導體裝置之製造技術來製造,故為理想,主要係作為100接腳以下之少端子型半導體裝置使用。
作為QFN封裝之製造方法,概略上周知為下述方法。首先,在黏著步驟中於引線框架之一面黏著接著片;接下來在晶粒黏著(die attach)步驟中將IC晶片等半導體晶 片各自搭載於多數形成於引線框架之半導體晶片搭載部(晶粒墊(die pad)部)。接下來在線結合步驟中,將半導體晶片與沿著引線框架之各半導體晶片搭載部外周而配設的多數引線藉由結合線電連接。其次,再於密封步驟中以模具樹脂密封已搭載於引線框架之半導體晶片。之後,在剝離步驟中將接著片自引線框架剝離即可形成配列有多數QFN封裝的QFN單位。最後在切割步驟中沿著各QFN封裝之外周切割該QFN單位,藉此即可製造多數QFN封裝。
習知,在QFN封裝之製造方法中係使用利用聚矽氧黏著劑或丙烯酸黏著劑之半導體裝置製造用接著片。藉由使用該等半導體裝置製造用接著片,與未使用該等接著片之情況相較下具有可改善密封步驟中之樹脂洩漏(模具溢料)的優點。然而其亦被指出有下述問題點:上述線結合步驟時,因接著片之接著層柔軟而使線結合性惡化;接著膠帶因各步驟之熱歷程而收縮,使引線框架翹曲;及因各步驟之熱歷程或電漿清潔等處理而於剝離接著膠帶時使接著層殘留於引線框架或模具樹脂側等問題點。
為了解決上述問題點,近年以不於引線框架黏著接著片而製造半導體裝置之方法備受矚目。即,如圖2所示之半導體裝置之製造方法。圖2(a)係多數半導體晶片11搭載於引線框架12之截面圖。
在半導體裝置之製造方法中,首先如圖2(b)所示,將半導體晶片11各自插合至下部模具13之各成形用空間部14內後,依序於該下部模具13上方設置脫模片15及上 部模具16。此時,該脫模片15係構成為:令多數捲架17位在上述下部模具13及上部模具16兩側,以使脫模片15於每一成形循環被供給捲回。
接下來如圖2(c)及(d)所示,以預定壓力將上部模具16及下部模具13箝制以使上述脫模片15密著於引線框架12上面後,將已熔融之模具樹脂注入至各成形用空間部14內並使其硬化預定時間而於各成形用空間部14各成形1個半導體裝置18。接下來如圖2(e)所示,使上部模具16及下部模具13自半導體裝置18脫離,即可於引線框架12上面形成半導體裝置18。之後將引線框架12切斷,即成為一個個的半導體裝置18。
習知,作為上述脫模片15係使用聚對苯二甲酸乙二酯薄膜及浸潤氟之玻璃布等(例如參照專利文獻1)。又係使用已對上述薄膜進行噴砂處理者。該薄膜之噴砂處理係為了利用該噴砂處理面接觸模具以令成形後自模具之脫模性良好而施行。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1:特開平8-142106號公報
發明概要
但,前述構成之脫模片有下述問題。即,噴砂處理係對薄膜以高速使多數砂粒(粒狀物)衝撞而於基材表面 形成凹凸之製造處理。這種經噴砂處理之薄膜,雖在製造步驟中會除去附著於表面之粒狀物,但並無法完全除去粒狀物。所以,有殘存於薄膜表面之粒狀物接觸引線框架而阻礙模具樹脂對引線框架之密封,進而發生模具樹脂之樹脂洩漏,使半導體裝置之製品成品率變差之問題。
又,在模具步驟中,時間雖短但須曝露於150℃~200℃之高溫下,因此脫模片之基材薄膜所含的低分子量成分會析出於片材表面,有時因該低分子量成分附著於模具而致使模具遭受污染。一旦模具之污染有所進展,即失去平坦性,因此樹脂洩漏(模具溢料)會變顯著。作為該對策唯有定期清掃模具,但由於須追加定期性清潔作業,會導致生產性落後之問題。
爰此,本發明目的在於提供一種脫模片,其不會阻礙模具樹脂對引線框架之密封,可防止源自脫模片基材薄膜之低分子量成分附著於模具,且不會有模具樹脂之樹脂洩漏,可將半導體裝置模具成形。
本發明係一種模具成型用脫模片,其特徵在於:於基材一面形成有凹凸層,於另一面形成有樹脂層,該凹凸層含有微粒子且表面呈凹凸。
又,前述微粒子之含量以凹凸層總質量之10~85質量%為佳。
又,前述凹凸層之表面粗度Ra以0.2μm≦Ra≦2.5μm為佳。
本發明之模具成形用脫模片不會阻礙模具樹脂對引線框架之密封,且無模具樹脂之樹脂洩漏,可模具成形半導體裝置。
1‧‧‧凹凸層
2‧‧‧基材
3‧‧‧樹脂層
4‧‧‧塗佈材
5‧‧‧微粒子
11‧‧‧半導體晶片
12‧‧‧引線框架
13‧‧‧下部模具
14‧‧‧空間部
15‧‧‧脫模片
16‧‧‧上部模具
17‧‧‧捲架
18‧‧‧半導體裝置
圖1係本發明之模具成型用脫模片。
圖2(a)~(e)係說明使用模具成形用脫模片來製造半導體裝置之步驟的概略圖。
用以實施發明之形態
如圖1所示,本發明之模具成形用脫模片(以下稱為脫模片)具有積層有含微粒子5之凹凸層1、基材2及樹脂層3之構成。
凹凸層1於塗佈材4含有微粒子5。在凹凸層1中,由於微粒子5表面被覆有塗佈材,因此微粒子5不會自凹凸層1剝離。所以不會發生已剝離之微粒子5接觸於引線框架而阻礙模具樹脂對引線框架之密封,進而發生模具樹脂之樹脂洩漏,使半導體裝置之製品成品率變差之問題。
作為塗佈材4,可舉如硬化型樹脂。作為硬化型樹脂,可使用已將具有丙烯醯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基等自由基聚合性官能基、或環氧基、乙烯基醚基、氧雜環丁烷基等陽離子聚合性官能基之單體、寡聚物、預聚物單獨或適當混合之組成物。作為單體之例,可舉如丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、甲氧聚乙烯 甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸苯氧乙酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、三羥甲丙烷三甲基丙烯酸酯等。就寡聚物、預聚物而言,可舉如聚酯丙烯酸酯、聚胺甲酸乙酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、醇酸丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯、聚矽氧丙烯酸酯等丙烯酸酯化合物;不飽和聚酯、伸丁二醇二環氧丙基醚、丙二醇二環氧丙基醚、新戊二醇二環氧丙基醚、雙酚A二環氧丙基醚及各種脂環式環氧基等環氧系化合物;及,3-乙基-3-羥甲基氧雜環丁烷、1,4-雙{[(3-乙基-3-氧雜環丁烷基)甲氧基]甲基}苯、二[1-乙基(3-氧雜環丁烷基)]甲基醚等氧雜環丁烷化合物。
在本發明中,上述硬化型樹脂中適合使用丙烯醯基丙烯酸酯樹脂。本發明中之丙烯醯基丙烯酸酯樹脂係具有丙烯醯基及/或甲基丙烯醯基之丙烯醯基丙烯酸酯樹脂,且為不具胺甲酸乙酯鍵結構之樹脂組成物。作為構成上述丙烯醯基丙烯酸酯樹脂之單體成分,可舉如(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸乙基己酯、苯乙烯、甲苯乙烯、N-乙烯吡咯啶酮等單官能單體以及多官能單體,例如三羥甲丙烷(甲基)丙烯酸酯、己二醇(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇(甲基)丙烯酸酯等。
上述硬化型樹脂可直接藉由電子線照射硬化,而利用紫外線照射進行硬化時,需要光聚合引發劑之添加。 作為光聚合引發劑,可將苯乙酮系、二苯基酮系、9-氧硫系、苯偶姻、苯偶姻甲基醚等自由基聚合引發劑及芳香族重氮鹽、芳香族鋶鹽、芳香族錪鹽、茂金屬化合物等陽離子聚合引發劑單獨或適當組合使用。又,進行熱硬化時,需要添加環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、亞胺系交聯劑及過氧化物系交聯劑等。藉由添加該等交聯劑並經過預定的熱歷程,可將上述硬化型樹脂硬化。
於本發明中之凹凸層1中,除上述硬化型樹脂外,還可在不妨礙其聚合硬化之範圍內添加使用高分子樹脂。該高分子樹脂係熱可塑性樹脂且可溶於後述之使用於凹凸層1塗料之有機溶劑,具體上可舉如丙烯酸樹脂、醇酸樹脂、聚酯樹脂等。
作為凹凸層1之乾燥後厚度,若考慮處置性,以5μm~50μm之範圍者且理想為5μm~20μm者為佳。
作為凹凸層1所含之微粒子5,可舉如有機微粒子及無機微粒子。
為了提升與模具之脫模性,使本發明中之凹凸層1含有有機微粒子及無機微粒子等。又,凹凸層1所含之微粒子5可抑制在卷取脫模片時極易造成的片材彼此嵌段之發生。就微粒子5之形狀而言不限於球形或不定形等,而為了防止對模具之損傷,以球形為佳。
微粒子5之平均一次粒徑以0.5μm~10μm為佳。微粒子5之平均一次粒徑低於0.5μm時,難以變成充分的凹凸且難以充分獲得與模具之剝離性。超過10μm者則易使被模具擠 壓之微粒子於樹脂層3之面側生成凸部,進而容易阻礙黏著層3與引線框架之密著性。
微粒子5之含量以凹凸層1總質量之10~85質量%為佳,20~70質量%較佳。微粒子5之含量低於凹凸層1總質量之10質量%時,微粒子5會埋入塗佈材4而難以變成充分的凹凸,且難以充分獲得與模具之剝離性。超過85質量%時則無法以塗佈材4完整被覆微粒子而使有微粒子5剝離之虞。
作為上述有機微粒子,可舉如丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂、苯乙烯-丙烯醯共聚物、聚乙烯樹脂、環氧樹脂、聚矽氧樹脂、聚氟化亞乙烯、聚四氟乙烯、二乙烯苯樹脂、苯酚樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、乙酸纖維素、尼龍、纖維素、苯胍[口+井]樹脂、三聚氰胺樹脂等。
又,作為無機微粒子,可舉如氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化鎂、硫酸鋇、硫酸鎂、氫氧化鋁、氫氧化鎂、氮化硼等金屬鹽、高嶺土、黏土、滑石、鋅華、鉛白、ZEEKLITE(Zeeklite公司製產品)、石英、矽藻土、波來鐵、膨土、雲母、合成雲母等。
又,為了使微粒子5均勻分散,宜使凹凸層1含有分散劑。作為該分散劑,可舉如鋁酸鹽系分散劑、鈦酸鹽系分散劑、含有羧基或羧酸酐基之聚合物、界面活性劑等。相對於前述硬化型樹脂100質量份,分散劑含量在5質量份以下,且理想以0.001~5質量份之範圍為佳。
又,凹凸層1之表面粗度Ra以0.2μm≦Ra≦2.5μm為佳,更以0.2μm≦Ra≦2.0μm為佳,尤以0.3μm≦Ra≦1.8μm 為佳。表面粗度Ra低於0.2μm時,難以獲得自模具良好的脫模性,故不理想;大於2.5μm時則脫模片整體厚度變得不均勻,而無法保持模具密封側之平坦性,因而易於發生模具樹脂之樹脂洩漏,故不理想。
凹凸層1之表面粗度Ra係JIS B 0601:2001中所規定之”算術平均粗度”。
接下來,作為基材2可適當使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、三乙醯纖維素(TAC)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚醯亞胺(PI)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚乙烯醇(PVA)、聚氯乙烯(PVC)、環烯烴共聚物(COC)、含降莰烯樹脂、聚醚碸、賽珞玢、芳香族聚醯胺等各種樹脂薄膜。
就基材2之厚度而言,從輕量化觀點看來以薄型為佳,若考慮處置性,以使用5μm~100μm之範圍者且理想為20μm~50μm者為佳。
又,作為樹脂層3含有微黏著性樹脂,作為該微黏著性樹脂,可舉如天然橡膠;苯乙烯-丁二烯系、聚異丁烯系、異戊二烯系等合成橡膠;丙烯酸樹脂,例如丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯之聚合物;烯烴樹脂,例如聚苯乙烯-乙烯/丁烯共聚物、聚乙烯、聚苯乙烯-乙烯-丙烯之共聚物;聚矽氧樹脂,例如乙烯基聚二甲基矽氧烷之共聚物、乙烯基三氯矽烷-烷氧矽烷共聚物;胺甲酸乙酯樹脂,例如藉由聚異氰酸酯與下述多元醇之反應而獲得者:聚酯多元醇、聚酯多元醇‧聚內酯多元醇等;聚酯 樹脂、飽和聚酯、不飽和聚酯等。
該等微黏著性樹脂中尤以丙烯酸樹脂為佳。丙烯酸樹脂係與引線框架之間可獲得適當的密著性及剝離性。丙烯酸樹脂宜含有下述丙烯酸系聚合物。
丙烯酸系聚合物以至少含有(甲基)丙烯酸烷基酯單體為佳,並以使含官能基之聚合物(選自含羧基單體、含羥基單體、含胺基單體、含醯胺基單體及含環氧基單體中之至少一種)與前述(甲基)丙烯酸烷基酯單體聚合而獲得者較佳。該等聚合物中又宜使用下述丙烯酸系聚合物:含有烷基之碳數為4~12的(甲基)丙烯酸烷基酯{(甲基)丙烯酸烷基酯}單體與含羥基單體且聚合而成者。相對於微黏著性樹脂固體成分100質量份,含有50質量份以上之丙烯酸系聚合物為佳,以60~99.9質量份之範圍較佳。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯(丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯)並無特別限制,可舉如(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸二級丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯等。而,作為單體成分之(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用或可將2種以上組合使用。該等丙烯酸酯中又以(甲基)丙烯酸正丁酯之單體尤佳。(甲基)丙烯酸烷基酯含量在丙烯酸系聚合物100質量份中佔1 ~100質量%即可,以50~99質量%為佳,70~98質量%更佳。
作為含羧基單體並無特別限定,可舉如(甲基)丙烯酸、伊康酸、馬來酸、延胡索酸、巴豆酸等。又,該等含羧基單體之酐亦可作為含羧基單體使用。
作為含羥基單體,可舉如丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸2-羥丙酯、甲基丙烯酸2-羥丙酯、丙烯酸3-羥丙酯、甲基丙烯酸3-羥丙酯、丙烯酸4-羥丁酯、甲基丙烯酸4-羥丁酯、丙烯酸2-羥-3-氯丙酯、甲基丙烯酸2-羥-3-氯丙酯、丙烯酸2-羥-3-苯氧丙酯、甲基丙烯酸2-羥-3-苯氧丙酯等。
作為含胺基單體,可舉如丙烯酸二甲基胺乙酯、甲基丙烯酸二甲基胺乙酯、丙烯酸二乙基胺乙酯、甲基丙烯酸二乙基胺乙酯等。
作為含醯胺基單體,可舉如丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、N-羥甲基甲基丙烯醯胺等。
作為含環氧基單體,可舉如丙烯酸環氧丙基醚、甲基丙烯酸環氧丙基醚、丙烯酸-2-乙基環氧丙基醚、甲基丙烯酸-2-環氧丙基醚等。
含羧基單體、含羥基單體、含胺基單體、含醯胺基單體及含環氧基單體係作為與交聯劑之交聯點發揮作用。含有該等官能基之單體係在0.1~15質量%之比率下作使用。
丙烯酸系聚合物可藉由公知的聚合方法製造,可舉如 溶液聚合法、乳化聚合法、塊狀聚合方法或利用紫外線照射之聚合方法等。又,聚合時使用的聚合引發劑、鏈轉移劑等可適當使用公知物。
丙烯酸系聚合物之重量平均分子量以10萬~200萬為佳,30萬~150萬較佳,40萬~120萬更佳。
又,微黏著性樹脂宜含有交聯劑。作為交聯劑,可舉如環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、亞胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑等。該等中又以環氧系交聯劑及異氰酸酯系交聯劑為佳。
環氧系交聯劑含有環氧化合物,作為環氧化合物可與如甘油二環氧丙基醚等。相對於丙烯酸系聚合物100質量份,環氧系交聯劑之使用量為0.001~2質量份,理想為0.01~1質量份,更理想為0.02~0.5質量份。環氧系交聯劑之使用量低於0.001質量份時,在密著性及耐久性之觀點上不甚理想。
異氰酸酯系交聯劑含有異氰酸酯化合物,作為異氰酸酯化合物,可舉如甲伸苯基二異氰酸酯、氯伸苯基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、伸茬基二異氰酸酯、二苯甲烷二異氰酸酯、經氫化之二苯甲烷二異氰酸酯等異氰酸酯單體及將該等異氰酸酯單體與三羥甲丙烷等多元醇加成之加成物系異氰酸酯化合物、三聚異氰酸酯化合物、縮二脲型化合物,此外還有使公知的聚醚多元醇或聚酯多元醇、丙烯醯多元醇、聚丁二烯多元醇、聚異戊二烯多元醇等加成反應而得 之胺甲酸乙酯預聚物型異氰酸酯等。該等異氰酸酯系化合物中,從與透光性基體之密著性提升之面向看來,以伸茬基二異氰酸酯等加成物系異氰酸酯化合物為佳。
相對於丙烯酸系聚合物100質量份,異氰酸酯系交聯劑之使用量為0.001~5質量份,理想為0.01~3質量份,更理想為0.02~2.5質量份。異氰酸酯系交聯劑之使用量低於0.001質量份時,在密著性及耐久性之觀點上不甚理想。
樹脂層3乾燥後的厚度方面,若考慮處置性,以使用3μm~50μm之範圍者且理想為3μm~30μm者為佳。
而,可因應需求於本樹脂層添加用以調整其接著力及剝離力之助劑。
在本發明中,為了使凹凸層1與基材2、基材2與樹脂層3充分接著,可於凹凸層1與基材2之間或/及基材2與樹脂層3之間設置易接著層。作為易接著層,可適當使用聚酯樹脂、環氧樹脂、醇酸樹脂、丙烯酸樹脂、尿素樹脂、胺甲酸乙酯樹脂等。尤其從接著性之觀點看來,以使用選自聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、胺甲酸乙酯樹脂之樹脂較佳,亦可將聚酯樹脂與丙烯酸樹脂、聚酯樹脂與胺甲酸乙酯樹脂以及丙烯酸樹脂與胺甲酸乙酯樹脂組合使用。
本發明之脫模片例如可依據下述來製造:將含有微粒子與有機溶劑之硬化型樹脂塗料塗覆至基體2上,並於乾燥後使其硬化而於基體2上形成凹凸層1,其後將樹脂層3塗覆至基體2之相反面而製造。又,可將含有有機溶劑之微 黏著性樹脂塗覆至基體2上而形成樹脂層3後,於其樹脂層3表面使保護剝離薄膜貼附後,將含有微粒子與有機溶劑之硬化型樹脂塗料塗覆至基體2之相反面,並於乾燥後使其硬化而形成凹凸層1,藉以製造脫模片。
作為將硬化型樹脂塗料及微黏著性樹脂塗覆至基體2上之手法,可適用一般的塗覆方式或印刷方式。具體上可使用氣動刮刀塗佈(air doctor coating)、棒塗、刮刀塗佈(blade coating)、刀式塗佈(knife coating)、反向塗佈、輸送輥塗佈、凹版輥塗佈、接觸塗佈(kiss coating)、澆鑄塗佈、噴塗、狹縫噴嘴塗佈、壓延塗佈、水壩式塗佈(dam coating)、浸塗、模塗等塗佈或凹印等凹版印刷、網版印刷等孔版印刷等印刷等。
實施例
接下來,使用實施例具體說明本發明,惟本發明不受此限定。
[實施例1]
將下述配方a所構成之原料混合,並以乾燥後層厚成為12μm的方式將凹凸層塗覆至聚對苯二甲酸乙二酯製基體(商品名:A4300、東洋紡公司製、厚度:38μm且於表面具備易接著層)上。接著將該凹凸層在100℃下乾燥2分鐘使溶劑揮發並同時使樹脂硬化。又,於已形成上述凹凸層之基體的另一面,以乾燥後層厚成為10μm的方式塗覆下述配方b所構成之丙烯酸系黏著劑塗料而形成黏著層,藉以獲得本發明之脫模片。該脫模片之凹凸面側的Ra藉由表面粗度測 定機(裝置名:型號:SJ-400、公司名:Mitsutoyo公司製)測定為1.1μm。
[配方a]
‧硬化性樹脂(丙烯醯基丙烯酸酯樹脂(商品名:ACRIT 6522MA、公司名:大成精細化工公司製))100質量份
‧球形有機微粒子(丙烯酸樹脂、平均一次粒徑6μm(商品名:Artperl GR-800、公司名:根上工業公司製))100質量份
‧硬化劑(商品名:CORONATE HL、日本聚氨酯公司製)10質量份
‧甲基乙基酮
[配方b]
(丙烯酸系黏著劑之調製)
於具備溫度計、攪拌機、還流冷卻管及氮導入管之燒瓶中投入丙烯酸正丁酯96.5質量份、丙烯酸3.5質量份、丙烯酸2-乙基己酯60質量份、偶氮雙異丁腈0.6質量份、乙酸乙酯100質量份、甲苯70質量份,並由氮導入管導入氮使燒瓶內成為氮氣體環境。其後將混合物加溫至80℃進行10小時的聚合反應而獲得重量平均分子量約120萬之高分子量體溶液。加入乙酸乙酯使該溶液成為固體成分20%後,添加硬化劑(商品名:CORONATE L、日本聚氨酯公司製)1.5質量份並予以攪拌而獲得丙烯酸系黏著劑。
[實施例2]
將下述配方c所構成之原料混合並以乾燥後層厚成為 12μm的方式將凹凸層塗覆至聚對苯二甲酸乙二酯製基體(商品名:A4300、東洋紡公司製、厚度:38μm且於表面具備易接著層)上。接著將該凹凸層在100℃下乾燥2分鐘使溶劑揮發後,在累算光量300mJ/cm2下進行紫外線照射,使其硬化。又,於形成上述凹凸層之基體之另一面,以乾燥後層厚成為10μm的方式塗覆實施例1之配方b所構成之丙烯酸系黏著劑塗料而形成黏著層,藉以獲得本發明之脫模片。該脫模片之凹凸面側的Ra藉由表面粗度測定機(裝置名:型號:SJ-400、公司名:Mitsutoyo公司製)測定為1.0μm。
[配方c]
‧硬化性樹脂(胺甲酸乙酯丙烯酸酯樹脂(商品名:UV-6300B、公司名:日本合成化學公司製))50質量份
‧硬化性樹脂(丙烯酸酯樹脂(商品名:A-TMM-3L、公司名:新中村化學公司製))10質量份
‧球形有機微粒子(丙烯酸樹脂、平均一次粒徑5μm(商品名:TAFTIC FH-S005、公司名:東洋紡公司製))60質量份
‧光聚合引發劑(商品名:IRGACURE 184、汽巴日本公司製)3質量份
‧甲基乙基酮
‧甲苯
[比較例1]
將背面經噴砂處理之聚對苯二甲酸乙二酯製基體(厚度50μm)上以乾燥後厚度成為10μm的方式使丙烯酸系黏著 劑形成之脫模片作為比較例。
該脫模片之噴砂處理面側的Ra藉由表面粗度測定機(裝置名:型號:SJ-400、公司名:Mitsutoyo公司製)測定為0.35μm。
[比較例2]
將實施例1之配方a設為:
‧硬化性樹脂(丙烯醯基丙烯酸酯樹脂(商品名:ACRIT 6522MA、公司名:大成精細化工公司製))100質量份
‧球形有機微粒子(丙烯酸樹脂、平均一次粒徑3μm(商品名:MX-300、公司名:總研化學公司製))8質量份
‧硬化劑(商品名:CORONATE HL、日本聚氨酯公司製)10質量份
‧甲基乙基酮
除此以外,以與實施例1同樣的方式製作出比較例2之脫模片。該脫模片之凹凸面側的Ra藉由表面粗度測定機(裝置名:型號:SJ-400、公司名:Mitsutoyo公司製)測定為0.12μm。
使用前述實施例1、2及比較例1、2之脫模片,以如圖2之製造過程製造出半導體裝置。其結果,在比較例1之脫模片中確認在脫模片與引線框架之間有模具樹脂洩漏,又確認有粉狀寡聚物物質附著於模具,該粉狀寡聚物物質產生自聚對苯二甲酸乙二酯製基體,推測係因模具之熱而造成。又,在比較例2之脫模片中雖無寡聚物物質附著模具,但凹凸層之凹凸不夠充分,因此模具密封後自模具 之脫模性不夠充分。另一方面,在本發明之實施例1及實施例2之脫模片中,在脫模片與引線框架之間無模具樹脂洩漏。又無粉狀寡聚物物質附著於模具。又,脫模片與模具之脫模性亦無問題。
1‧‧‧凹凸層
2‧‧‧基材
3‧‧‧樹脂層
4‧‧‧塗佈材
5‧‧‧微粒子

Claims (5)

  1. 一種模具成型用脫模片,其特徵在於:於基材一面形成有凹凸層,於另一面形成有樹脂層,該凹凸層含有微粒子且表面呈凹凸。
  2. 如請求項1之模具成形用脫模片,其中微粒子之含量為凹凸層總質量之10~85質量%。
  3. 如請求項1之模具成型用脫模片,其中凹凸層之表面粗度Ra為0.2μm≦Ra≦2.5μm。
  4. 如請求項1之模具成型用脫模片,其中前述微粒子之平均一次粒徑為0.5μm~10μm。
  5. 如請求項1之模具成型用脫模片,其中前述樹脂層具有微黏著性。
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