CN104112693A - 模制成型用脱模片 - Google Patents

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Abstract

一种模制成型用脱模片。使用以往的经过喷砂处理的脱模片，在喷砂处理时的制造过程所产生的残留在基材表面的粒状物接触引线框架，具有妨碍模制树脂密封到引线框架、发生模制树脂的树脂泄漏、半导体装置的产品成品率恶化的问题。因此，本发明的目的在于提供一种不妨碍模制树脂密封到引线框架、能够防止来自脱模片基材膜的低分子量成分附着到模型、没有模制树脂的树脂泄漏、且能够模制成型半导体装置的脱模片。本发明的脱模片是包含微粒的凹凸层、基材以及树脂层层叠的脱模片。所述微粒的含量优选是凹凸层的总质量的10质量%～85质量%，凹凸层的表面粗度Ra优选是0.2μm≤Ra≤2.5μm。

Description

模制成型用脱模片
技术领域
本发明涉及一种用于注塑成型等模制成型的脱模片，特别是用于制造半导体装置的脱模片。
背景技术
最近几年，随着便携式电脑、移动电话等电子设备的小型化、多功能化，除了需要构成电子设备的电子部件的小型化、高集成度之外，也需要电子部件的高密度安装技术。在此背景下，作为QFP（Quad Flat Package：四方扁平封装）和SOP（Small Outline Package：小外形封装）等外围安装式的半导体装置的替代品，能够高密度安装的CSP（Chip Scale Package：芯片级封装）等面安装型的半导体装置备受瞩目。此外，特别是CSP中的QFN（Quad Flat Non-leaded：四方扁平无引线）封装，因为能够应用现有的半导体装置的制造技术进行制造而成为优选封装，主要被用于100引脚（pin）以下的少端子型的半导体装置。
作为QFN封装的制造方法，已知大概有以下的方法。首先，在粘贴工序中，向引线框架的一个面粘贴粘合片，然后，在芯片粘接（die attach）工序中，向形成于引线框架的多个半导体芯片安装部（芯片承载（die pad）部）安装各个IC芯片等半导体芯片。然后，在引线接合工序中，利用接合线对沿引线框架的各个半导体芯片安装部的外周设置的多个引线和半导体芯片进行电连接。然后，在密封工序中，利用模制树脂密封安装于引线框架的半导体芯片。然后，在剥离工序中，通过将粘合片从引线框架剥离，能够形成排列有多个QFN封装的QFN单元。最后，在切割工序中，通过沿各个QFN封装的外周切割该QFN单元，能够制造多个QFN封装。
以往，在QFN封装的制造方法中，一直使用半导体装置制造用粘合片，其使用了硅胶粘合剂和丙烯酸树脂（acryl）粘合剂。使用这些半导体装置制造用粘合片，与不使用这些粘合片的情况比较，有改善密封工序中的树脂泄漏（模子毛刺（mold flash））的优点。然而，其也有以下问题等被指出：在进行上述引线接合工序时，由于粘合片的粘合层柔软的原因导致引线接合性恶化，因为各个工序的热经历导致胶带收缩、引线框架翘曲，因为各个工序的热经历和等离子清洗等处理，导致在剥离胶带时粘合层残留在引线框架和模制树脂这一侧。
为了解决上述问题，近年来在引线框架不粘贴粘合片而制造半导体装置的方法备受瞩目。即，如图2所示的半导体装置的制造方法。图2的（a）是多个半导体芯片11安装于引线框架12的截面的图。
半导体装置的制造方法中，首先，如图2的（b）所示，令半导体芯片11分别插合到下部模型13的各个成型用空间部14内后，令脱模片15以及上部模型16依次位于该下部模型13的上方。此时，该脱模片15，有多个卷轴17位于上述下部模型13以及上部模型16的两侧且脱模片15在每个成型的周期被返卷供给。
接着，如图2的（c）及（d）所示，为了使上述脱模片15紧贴到引线框架12的上面，将上部模型16和下部模型13用规定压力夹紧后，将融化了的模制树脂注入各个成型用空间部14内并令其在规定时间固化，每个成型用空间部14成型一个半导体装置18。接着，如图2的（e）所示，从半导体装置18解离上部模型16和下部模型13后，在12的上面形成半导体装置18。之后，切断引线框架12成为分别的半导体装置18。
以往，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜和氟浸渍的玻璃布（例如，参照专利文献1），作为上述的脱模片15。此外，使用对如上述的薄膜进行喷砂（sand blast）处理后的膜。该薄膜的喷砂处理，是通过使该喷砂处理面接触模型，改善成型后模型的脱模性的处理。
但是，前述结构的脱模片具有以下问题。即，喷砂处理，是使很多砂子（粒状物）高速撞击薄膜从而在基材的表面形成凹凸的制造处理。所述的经过喷砂处理的薄膜，虽然在制造工序中除去附着在其表面的粒状物，但是并未能够完全地除去粒状物。因此，残留在薄膜表面的粒状物与引线框架接触，从而妨碍了模制树脂朝引线框架的密封，发生模制树脂的树脂泄漏，半导体装置的产品成品率恶化。
此外，由于在模制工序中短时间内被暴露在150℃～200℃的高温，因此脱模片的基材膜所含有的低分子量成分会在片表面析出，由于该低分子量成分附着在模制模型而污染模型。因为模型的污染继续将失去平坦性，从而树脂泄漏（模制毛刺）变得显著。虽然只能采取定期地清扫模型作为对策，但是由此追加了定期地清洁工作，因此有生产性下降的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平8-142106号公报
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种不妨碍模制树脂朝引线框架的密封、能够防止来自脱模片基材膜的低分子量成分附着到模型、没有模制树脂的树脂泄漏、且能够模制成型半导体装置的脱模片。
本发明提供一种模制成型用脱模片，其特征在于，在基材的一面形成有凹凸层，而在另一面形成有树脂层，凹凸层含有微粒子并且表面是凹凸的。
此外，优选所述微粒子的含量是凹凸层的总质量的10质量%～85质量%。
此外，优选所述凹凸层的表面粗度Ra是0.2μm≤Ra≤2.5μm。
本发明的模制成型脱模片，不妨碍模制树脂密封到引线框架，没有模制树脂的树脂泄漏，且能够模制成型半导体装置。
附图说明
图1是本发明的模制成型用脱模片。
图2是对使用模制成型用脱模片制造半导体装置的工序进行说明的简图。
具体实施方式
本发明的模制成型用脱模片（以下称为脱模片），如图1所示，具有包含微粒子5的凹凸层1、基材2以及树脂层3层叠的结构。
凹凸层1在涂层材料4包含有微粒子5。由于在凹凸层1在微粒子5的表面被覆有涂层材料，因此微粒子5不会从凹凸层1剥离。因此，不会产生剥离的微粒子5接触引线框架、妨碍模制树脂密封到引线框架、发生模制树脂的树脂泄漏、半导体装置的产品成品率恶化的问题。
作为涂层材料4，能够列举出例如固化型树脂。作为固化型树脂，可单独使用具有丙烯酰基、甲基丙烯酰基、丙烯酰氧基以及甲基丙烯酰氧基等自由基聚合性官能基、或环氧基、乙烯基醚基以及氧杂环丁烷基等阳离子聚合性官能基的单体、低聚物以及预聚体，或把上述物质适当混合的组合物。作为单体的示例，能够列举出丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯（methoxy polyethylene methacrylate）、甲基丙烯酸环己酯、苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、以及三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯等。作为低聚物和预聚体，能够列举出聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、醇酸树脂丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯、以及有机硅丙烯酸酯等丙烯酸酯化合物、不饱和聚酯、1,4-丁二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、双酚A二缩水甘油醚和各种脂环族环氧树脂等环氧化合物、3-乙基-3-羟甲基氧杂环丁烷、1,4-二{[(3-乙基-3-氧杂环丁烷基)甲氧基]甲基}苯、二[1-乙基(3-氧杂环丁烷基)]甲基醚等氧杂环丁烷化合物。
在本发明中，上述固化型树脂中优选使用丙烯酸酯（acryl acrylate）类树脂。本发明的丙烯酸酯类树脂，是具有丙烯酰基和/或甲基丙烯酰基的丙烯酸酯类树脂，并且是不具有氨基甲酸酯键结构的树脂组合物。作为构成上述丙烯酸酯类树脂的单体成分，能够列举出(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸乙基己基酯、苯乙烯、甲基苯乙烯、以及N-乙烯基吡咯烷酮等单官能单体和多官能单体，例如三羟甲基丙烷(甲基)丙烯酸酯、己二醇(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、以及新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等。
上述固化型树脂，虽然能够直接地利用电子束照射而固化，但是当用紫外线照射进行固化时，需要添加光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，能够单独或者适当组合使用苯乙酮类、二苯甲酮类、噻吨酮类、苯偶姻以及苯偶姻甲基醚等自由基聚合引发剂、和芳香族重氮盐、芳香族锍盐、芳香族碘鎓盐以及金属茂化合物等阳离子聚合引发剂。此外，当进行热固化时，需要添加环氧类交联剂、异氰酸酯类交联剂、亚胺类交联剂以及过氧化物类交联剂等。通过添加这些交联剂，并且经过规定的热经历，能够固化上述固化型树脂。
在本发明的凹凸层1，除了上述固化型树脂，在不妨碍其聚合固化的范围内，能够添加使用高分子树脂。该高分子树脂是被用于后述的凹凸层1的涂料的可溶于有机溶剂的热塑性树脂，具体地能够列举出丙烯酸树脂、醇酸树脂以及聚酯树脂等。
作为凹凸层1的干燥后的厚度，考虑到处理性的话，优选厚度的范围在5μm～50μm，最好是5μm～20μm。
作为凹凸层1所含有的微粒子5，能够列举出有机微粒子和无机微粒子。
在本发明的凹凸层1，为了改善与模型的脱模性，含有有机微粒子和无机微粒子等。此外，凹凸层1所含有的微粒子5，对卷绕脱模片时易产生的片与片的粘连的发生进行抑制。作为微粒子5的形状，虽然对球形和不定形等不做限定，但为了防止损伤模型，球形的微粒子为好。
微粒子5的平均一次粒径优选是0.5μm～10μm。微粒子5的平均一次粒径不足0.5μm的不易形成充分的凹凸，不易充分获得与模型的剥离性。使用超过10μm的微粒子，被模型按压的微粒子容易在树脂层3的面侧产生凸部，容易阻碍树脂层3与引线框架的紧贴性。
微粒子5的含量优选是凹凸层1的总质量的10质量%～85质量%，更优选是20质量%～70质量%。如果微粒子5的含量小于凹凸层1的总质量的10质量%，则微粒子5被涂层材料4埋没，难以形成充分的凹凸，不能充分获得与模型的剥离性。如果超过85质量%，则微粒子不能完全被涂层材料4遮盖，微粒子5可能发生剥离。
作为上述有机微粒子，能够列举出例如：丙烯酸树脂、聚苯乙烯树脂、苯乙烯-丙烯酸共聚物、聚乙烯树脂、环氧树脂、有机硅树脂、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯、二乙烯基苯树脂、酚醛树脂、聚氨酯树脂、醋酸纤维素、尼龙、纤维素、苯胍胺树脂、以及蜜胺树脂等。
此外，作为无机微粒子，能够列举出二氧化硅、氧化钛、氧化铝、氧化锌、氧化镁、硫酸钡、硫酸镁、氢氧化铝、氢氧化镁、以及氮化硼等金属盐、高岭土、粘土、滑石、锌白、铅白、齐格勒（ジークライト）、石英、硅藻土、珍珠岩、膨润土、云母、和合成云母等。
此外，为了使微粒子5均一地分散，优选在凹凸层1含有分散剂。作为该分散剂，能够列举出铝酸盐基分散剂、钛酸酯系分散剂、含有羧基或羧酸酐基团的聚合物、以及表面活性剂等。分散剂的含量相对于100质量份的上述固化型树脂，在5质量份以下，或者优选0.001质量份～5质量份的范围。
此外，凹凸层1的表面粗度Ra优选是0.2μm≤Ra≤2.5μm，更优选是0.2μm≤Ra≤2.0μm，特别优选是0.3μm≤Ra≤1.8μm。表面粗度Ra如果不足0.2μm，由于难以获得从模型脱模的良好的脱模性所以不好，比2.5μm大时又因为脱模片整体的厚度不均一而不能保证模制密封侧的平坦性，因为容易发生模制树脂的树脂泄漏所以不好。
凹凸层1的表面粗度Ra是由JISB0601：2001规定的“算术平均粗糙度”。
接下来作为基材2，能够适当地使用对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、三醋酸纤维素（TAC）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚碳酸酯（PC）、聚酰亚胺（PI）、聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、聚乙烯醇（PVA）、聚氯乙烯（PVC）、环烯烃共聚物（COC）、含有降冰片烯树脂、聚醚砜、玻璃纸以及、芳族聚酰胺等各种树脂薄膜。
基材2的厚度，虽然从轻量化的观点出发是薄的好，但是考虑到处理性，期望是使用5μm～100μm、优选20μm～50μm的范围的厚度。
此外，作为树脂层3，含有微粘着性树脂，作为该微粘着性树脂，能够列举出例如：天然橡胶；苯乙烯-丁二烯系、聚异丁烯系、异戊二烯系等合成橡胶；丙烯酸树脂，例如，丙烯酸-2-乙基己基酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯的聚合物；烯烃树脂，例如，聚苯乙烯-乙烯/丁烯共聚物、聚乙烯、聚苯乙烯-乙烯-丙烯的共聚物；有机硅树脂，例如，乙烯基聚二甲基硅氧烷的共聚物、乙烯基三氯硅烷-烷氧基硅烷共聚物；聚氨酯树脂，例如，由多异氰酸酯和以下多元醇的反应所得的物质：聚酯多元醇、聚酯多元醇/聚内酯多元醇等；以及聚酯树脂、饱和聚酯、不饱和聚酯等。
在这些微粘着性树脂中丙烯酸树脂特为优选。丙烯酸树脂能够取得与引线框架之间较好的紧贴性以及剥离性。丙烯酸树脂优选含有下述的丙烯酸系聚合物。
丙烯酸系聚合物优选至少含有烷基(甲基)丙烯酸酯单体，更优选的是使含官能基的聚合物（从含有羧基的单体、含有羟基的单体、含有氨基的单体、含有酰胺基的单体、和含有环氧基的单体中选择至少一种）、与前述烷基(甲基)丙烯酸酯单体聚合而得到的聚合物。在这些聚合物中优选使用含有烷基的碳数为4～12的烷基(甲基)丙烯酸酯{(甲基)丙烯酸烷基酯}单体和含羟基的单体并聚合而成的丙烯酸系聚合物。相对于100质量份的微粘着性树脂固体成分，期望包含50质量份以上的丙烯酸系聚合物，优选60质量份～99.9质量份的范围。
作为烷基(甲基)丙烯酸酯（烷基丙烯酸酯，烷基(甲基)丙烯酸酯），虽然没有特别限制，但是能够列举出，例如，(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬基酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、以及(甲基)丙烯酸十二烷基等。此外，能够单独、或者对两种以上作为单体成分的(甲基)丙烯酸烷基酯进行组合而使用。在这些丙烯酸酯中，(甲基)丙烯酸正丁酯的单体特为优选。(甲基)丙烯酸烷基酯的含量，100质量份的丙烯酸系聚合物中，虽然1%质量～100%质量就可以，但是50%质量～99%质量为优选，70%质量～98%质量更优选。
作为含有羧基的单体，虽然没有特别限定，但是能够列举出例如：(甲基)丙烯酸、衣康酸、马来酸、富马酸、以及巴豆酸等。此外，也能够使用这些含有羧基的单体的酸酐作为含有羧基的单体。
作为含有羟基的单体，能够列举出例如：丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、丙烯酸-3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-3-羟基丙酯、丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、丙烯酸-2-羟基-3-氯丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基-3-氯丙酯、丙烯酸-2-羟基-3-苯氧基丙酯、以及(甲基)丙烯酸-2-羟基-3-苯氧基丙酯等。
作为含有氨基的单体，能够列举出例如：丙烯酸二甲氨基乙酯、(甲基)丙烯酸二甲氨基乙酯、丙烯酸二乙氨基乙酯、以及(甲基)丙烯酸二乙基氨基乙酯等。
作为含有酰胺基的单体，能够列举出例如：丙烯酰胺、(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烯酰胺、以及N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺等。
作为含有环氧基的单体，能够列举出例如：丙烯酸缩水甘油醚、(甲基)丙烯酸缩水甘油醚、丙烯酸-2-乙基缩水甘油醚、以及(甲基)丙烯酸-2-缩水甘油醚等。
含有羧基的单体、含有羟基的单体、含有氨基的单体、含有酰胺基的单体以及含有环氧基的单体作为与交联剂的交联点起作用。含有这些官能基的单体以0.1%质量～15%质量的比例被使用。
丙烯酸类聚合物，能够利用公知的聚合方法进行制造，例如，能够列举出溶液聚合法、乳化聚合法、块状聚合方法和利用紫外线照射的聚合方法等。此外，聚合时所使用的聚合引发剂、链转移剂等，可以适当使用公知的物质。
丙烯酸类聚合物的重均分子量，10万～200万是优选，30万～150万更较优选，40万～120万更优选。
此外，微粘着性树脂含有交联剂是优选。作为交联剂，能够列举出环氧类交联剂、异氰酸酯类交联剂、亚胺类交联剂、以及过氧化物类交联剂等。这些交联剂中，环氧类交联剂和异氰酸酯类交联剂是优选。
环氧类交联剂含有环氧化合物，作为环氧化合物，能够列举出例如甘油二缩水甘油基醚（glycerine diglycidyl ether）等。环氧类交联剂的使用量，相对于100质量份的丙烯酸类聚合物，是0.001质量份～2质量份，优选是0.01质量份～1质量份，更优选是0.02质量份～0.5质量份。环氧类交联剂的使用量不足0.001质量份的话紧贴性和耐久性不好。
异氰酸酯系交联剂含有异氰酸酯化合物，作为异氰酸酯化合物，能够列举出甲苯二异氰酸酯、氯苯二异氰酸酯（chlorophenylene diisocyanate）、六亚甲基二异氰酸酯、四亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、被氢化了的二苯基甲烷二异氰酸酯等异氰酸酯单体以及将这些异氰酸酯单体与三羟甲基丙烷等多元醇进行加成的加合物类异氰酸酯化合物、异氰脲酸酯化合物以及、缩二脲型化合物，此外使公知的聚醚多元醇、聚酯多元醇、丙烯酸多元醇、聚丁二烯多元醇以及、聚异戊二烯多元醇等加成反应的聚氨酯预聚物型的异氰酸酯等。在这些异氰酸酯化合物中，从改善与透光性基体的紧贴性的方面考虑，苯二亚甲基二异氰酸酯等加合物系异氰酸酯化合物是优选的。
异氰酸酯类交联剂的使用量，相对于100质量份的丙烯酸类聚合物，是0.001质量份～5质量份，优选是0.01质量份～3质量份，较优选是0.02质量份～2.5质量份。异氰酸酯系交联剂的使用量不足0.001质量份的话紧贴性和耐久性不好。
作为树脂层3干燥后的厚度，考虑到处理性，期望是使用3μm～50μm、优选3μm～30μm的范围的厚度。
此外，能够向该树脂层、根据需要添加用于调整其粘合力以及剥离力的助剂。
在本发明中，为了使凹凸层1与基材2、基材2与树脂层3充分地粘合，在凹凸层1与基材2之间或/和基材2与树脂层3之间设置易粘合层。作为易粘合层，能够优选使用聚酯树脂、环氧树脂、醇酸树脂、丙烯酸树脂、脲醛树脂（urea formaldehyde resin）、以及聚氨酯树脂等。特别地，从粘合性的点出发，使用选自聚酯树脂、丙烯酸树脂、以及聚氨酯树脂的树脂较好，也可以使用聚酯树脂和丙烯酸树脂、聚酯树脂和聚氨酯树脂、以及丙烯酸树脂和聚氨酯树脂的组合。
本发明的脱模片，在基材2上涂刷例如含有微粒和有机溶剂的固化型树脂涂料，干燥后，通过使其固化在基材2上形成凹凸层1。之后，能够通过在基材2的反面涂刷树脂层3而制造。此外，能够在基材2上涂刷含有有机溶剂的微粘着性树脂并且形成树脂层3后，使保护剥离膜粘贴到该树脂层3表面，然后在基材2的反面涂刷含有微粒和有机溶剂的固化型树脂涂料，干燥后，通过使其固化而形成凹凸层1来制造脱模片。
作为向基材2上涂刷固化型树脂涂料和微粘着性树脂的手法，适用一般的涂刷方式和印刷方式。具体地，能够使用气刀涂布（air doctor coating）、棒式涂布（bar coating）、刮刀涂布（blade coating）、刮刀涂布（knife coating）、反向涂布（reverse coating）、传递辊式涂布（transfer roll coating）、凹版辊涂布（gravure roll coating）、接触涂布（kiss coating）、流延涂布（castcoating）、喷涂（spray coating）、狭缝喷嘴涂布（slot orifice coating）、压延涂布（calendar coating）、坝涂（dam coating）、浸涂（dip coating）、以及模涂（die coating）等的涂布和凹版印刷等的凹版印刷和丝网印刷等的孔版印刷等的印刷等。
（实施例）
接下来，虽然使用本发明的实施例进行具体地说明，但并非是对本发明进行限定。
（实施例1）
混合包含下述配合a的原料，在聚对苯二甲酸乙二醇酯制的基体（商品名：A4300，东洋纺公司制，厚度：38μm，在表面具备易粘合层）上，涂刷干燥后层厚为12μm的凹凸层。接着，对该凹凸层用100℃进行2分钟的干燥使溶剂挥发，同时使树脂固化。此外，在形成了上述凹凸层的基体的其他面，涂刷干燥后层厚为10μm的包含下述配合b的丙烯酸系粘合剂涂料并形成粘合层，得到本发明的脱模片。该脱模片的凹凸面侧的Ra通过表面粗糙度测量仪（装置名：型号：SJ-400，公司名：Mitsutoyo公司制）测得，是1.1μm。
（配合a）
·固化性树脂（丙烯酸酯（acryl acrylate）类树脂（商品名：アクリット6522MA，公司名：大成精细化工公司制））100质量份
·球形的有机微粒子（丙烯酸树脂、平均一次粒径6μm（商品名：Art Perl GR-800，公司名：根上工业公司制））100质量份
·固化剂（商品名：CORONATE HL、日本聚氨酯公司制）10质量份
·甲基乙基酮
（配合b）
（丙烯酸系粘合剂的调制）
向具备温度计、搅拌机、回流冷凝管、和氮气导入管的烧瓶中，投入96.5质量份丙烯酸正丁酯、3.5质量份丙烯酸、60质量份丙烯酸-2-乙基己基酯、0.6质量份偶氮二异丁腈、100质量份乙酸乙酯、以及70质量份甲苯，并利用氮气导入管导入氮气使烧瓶内成为氮气气氛。之后，将混合物加温到80℃进行10小时的聚合反应，得到重均分子量约120万的高分子量体的溶液。加入乙酸乙酯使该溶液固形分成为20%，然后添加/搅拌1.5质量份的固化剂（商品名：CORONATE L、日本聚氨酯公司制）得到丙烯酸系粘合剂。
（实施例2）
混合包含下述配合c的原料，在聚对苯二甲酸乙二醇酯制的基体（商品名：A4300，东洋纺公司制，厚度：38μm，在表面具备易粘合层）上，涂刷干燥后层厚为12μm的凹凸层。接着，对该凹凸层用100℃进行2分钟的干燥使溶剂挥发后，用300mJ/cm2累积光量进行紫外线照射，使树脂固化。此外，在形成了上述凹凸层的基体的其他面，涂刷干燥后层厚为10μm的包含实施例1的配合b的丙烯酸系粘合剂涂料并形成粘合层，得到本发明的脱模片。该脱模片的凹凸面侧的Ra通过表面粗糙度测量仪（装置名：型号：SJ-400，公司名：Mitsutoyo公司制）测得，是1.0μm。
（配合c）
·固化型树脂（聚氨酯丙烯酸酯类树脂（商品名：UV-6300B，公司名：日本合成化学公司制））50质量份
·固化性树脂（丙烯酸酯类树脂（商品名：A-TMM-3L，公司名：新中村化学公司制））10质量份
·球形的有机微粒子（丙烯酸树脂、平均一次粒径5μm（商品名：Taftic FH-S005，公司名：东洋纺公司制））60质量份
·光聚合引发剂（商品名：IRGACURE184、汽巴日本公司制）3质量份
·甲基乙基酮
·甲苯
（比较例1）
选取使干燥后的厚度10μm的丙烯酸系粘合剂形成于背面进行了喷砂处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯制的基体（厚度5μm）的脱模片作为比较例。
该脱模片的喷砂处理面侧的Ra通过表面粗糙度测量仪（装置名：型号：SJ-400，公司名：Mitsutoyo公司制）测得，是0.35μm。
（比较例2）
除了选取实施例1的配合a为：
·固化性树脂（丙烯酸酯类树脂（商品名：アクリット6522MA，公司名：大成精细化工公司制））100质量份
·球形的有机微粒子（丙烯酸树脂、平均一次粒径3μm（商品名：MX-300，公司名：总研化学公司制））8质量份
·固化剂（商品名：CORONATE HL、日本聚氨酯公司制）10质量份
·甲基乙基酮
以外，其余与实施例1相同然后制作比较例2的脱模片。该脱模片的凹凸面侧的Ra通过表面粗糙度测量仪（装置名：型号：SJ-400，公司名：Mitsutoyo公司制）测得，为0.12μm。
使用前述实施例1、实施例2以及比较例1、比较例2的脱模片利用图2所示的制作过程制造半导体装置。结果，使用比较例1的脱模片，在脱模片和引线框架之间确认有模制树脂泄漏，此外确认有被认为是由于模型的热而导致的从聚对苯二甲酸乙二醇酯制的基体产生的粉状的低聚物物质附着在模型。此外，使用比较例2的脱模片虽然没有低聚物物质的模型附着，但由于凹凸层的凹凸不充分，因此从模制密封后的模型脱模的脱模性不充分。另一方面，使用本发明的实施例1以及实施例2的脱模片，脱模片与引线框架之间没有模制树脂泄漏。此外也没有粉状的低聚物物质附着在模型。此外，脱模片与模型的脱模性也没有问题。
符号说明
1、凹凸层             2、基材
3、树脂层。

Claims (5)

1.一种模制成型用脱模片，其特征在于，所述模制成型用脱模片在基材的一面形成有凹凸层，而在另一面形成有树脂层，所述凹凸层含有微粒子且表面是凹凸的。
2.根据权利要求1所述的模制成型用脱模片，其特征在于，微粒子的含量是凹凸层的总质量的10质量%至85质量%。
3.根据权利要求1所述的模制成型用脱模片，其特征在于，凹凸层的表面粗糙度Ra是0.2μm≤Ra≤2.5μm。
4.根据权利要求1所述的模制成型用脱模片，其特征在于，所述微粒子的平均一次粒径是0.5μm至10μm。
5.根据权利要求1所述的模制成型用脱模片，其特征在于，所述树脂层具有微粘着性。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109153155A (zh) * 2016-05-20 2019-01-04 日立化成株式会社 脱模膜
CN109155257A (zh) * 2016-05-20 2019-01-04 日立化成株式会社 半导体压缩成型用脱模片及使用其成型而成的半导体封装
CN111761763A (zh) * 2020-05-25 2020-10-13 余姚市远东化工有限公司 一种可以重复脱模的轮胎脱模剂及其制备方法
CN112789171A (zh) * 2018-10-09 2021-05-11 株式会社尼欧斯 层叠体及其制造方法
US20210394465A1 (en) * 2020-06-18 2021-12-23 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Multifunctional film

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6481396B2 (ja) * 2015-02-09 2019-03-13 住友ベークライト株式会社 離型フィルム
JP6449084B2 (ja) * 2015-03-30 2019-01-09 株式会社巴川製紙所 半導体装置製造用工程シート
JP6512899B2 (ja) * 2015-03-31 2019-05-15 株式会社巴川製紙所 半導体装置製造用工程シート
JP6434437B2 (ja) * 2016-03-24 2018-12-05 藤森工業株式会社 剥離性に優れた離型フィルム
JP6981054B2 (ja) * 2017-06-09 2021-12-15 住友ベークライト株式会社 モールド成形用離型フィルム及びモールド成形方法
JP6966888B2 (ja) * 2017-07-26 2021-11-17 リンテック株式会社 剥離フィルム
JP7112720B2 (ja) * 2018-06-29 2022-08-04 株式会社コバヤシ 半導体製造用離型フィルム
JP7347803B2 (ja) * 2019-03-20 2023-09-20 株式会社コバヤシ 金型と離型フィルムとの組合せ、離型フィルム、金型、及び成形体の製造方法
JP6819721B2 (ja) * 2019-04-26 2021-01-27 昭和電工マテリアルズ株式会社 半導体コンプレッション成型用離型シート及びこれを用いて成型される半導体パッケージ
KR102226153B1 (ko) * 2019-11-18 2021-03-10 실리콘밸리(주) 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름 및 그 제조방법
JP7264104B2 (ja) 2020-04-28 2023-04-25 株式会社村田製作所 積層型セラミック電子部品の製造方法および消失性インク
KR102297307B1 (ko) * 2020-08-18 2021-09-02 황진상 반도체 패키지 몰드용 엠보싱 이형필름의 제조방법 및 그에 따른 엠보싱 이형필름
KR102280585B1 (ko) * 2021-01-15 2021-07-23 씰테크 주식회사 반도체 패키지용 이형 필름 및 그 제조 방법
WO2024057771A1 (ja) * 2022-09-14 2024-03-21 株式会社レゾナック 離型フィルム及び半導体パッケージの製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1215501A (zh) * 1996-02-22 1999-04-28 日东电工株式会社 半导体器件及其制作方法
JP2004074713A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Hitachi Chem Co Ltd 半導体モールド用離型シート
JP2004088077A (ja) * 2002-06-28 2004-03-18 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエハ処理用部材
JP2004200467A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Hitachi Chem Co Ltd 半導体モールド用離型シート
JP2012207163A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体ウエハ等加工用粘着テープ

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158242A (ja) * 1999-11-30 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd 半導体モールド用離型シート及び樹脂封止半導体装置の製造法
JP2010087230A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Sanyo Electric Co Ltd 素子搭載用基板、半導体モジュール、携帯機器ならびに素子搭載用基板の製造方法
JP2011224915A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Oji Paper Co Ltd 転写シート
KR101194544B1 (ko) * 2011-01-20 2012-10-25 도레이첨단소재 주식회사 다이 익스포즈드 플립칩 패키지(ｄｅｆｃｐ)의 몰드 언더필 공정용 점착 마스킹 테이프

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1215501A (zh) * 1996-02-22 1999-04-28 日东电工株式会社 半导体器件及其制作方法
JP2004088077A (ja) * 2002-06-28 2004-03-18 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエハ処理用部材
JP2004074713A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Hitachi Chem Co Ltd 半導体モールド用離型シート
JP2004200467A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Hitachi Chem Co Ltd 半導体モールド用離型シート
JP2012207163A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体ウエハ等加工用粘着テープ

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109153155A (zh) * 2016-05-20 2019-01-04 日立化成株式会社 脱模膜
CN109155257A (zh) * 2016-05-20 2019-01-04 日立化成株式会社 半导体压缩成型用脱模片及使用其成型而成的半导体封装
CN109153155B (zh) * 2016-05-20 2020-11-10 昭和电工材料株式会社 脱模膜
CN109155257B (zh) * 2016-05-20 2023-09-15 株式会社力森诺科 半导体压缩成型用脱模片及使用其成型而成的半导体封装
CN112789171A (zh) * 2018-10-09 2021-05-11 株式会社尼欧斯 层叠体及其制造方法
CN112789171B (zh) * 2018-10-09 2023-01-03 株式会社尼欧斯 层叠体及其制造方法
CN111761763A (zh) * 2020-05-25 2020-10-13 余姚市远东化工有限公司 一种可以重复脱模的轮胎脱模剂及其制备方法
CN111761763B (zh) * 2020-05-25 2022-04-19 余姚市远东化工有限公司 一种可以重复脱模的轮胎脱模剂及其制备方法
US20210394465A1 (en) * 2020-06-18 2021-12-23 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Multifunctional film

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Publication number Publication date
JP6204051B2 (ja) 2017-09-27
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