CN104040696A - 带有保护膜形成层的切割片及芯片的制造方法 - Google Patents

带有保护膜形成层的切割片及芯片的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种带有保护膜形成层的切割片，其可以简便地制造具有均一性高、打印精度优异的保护膜的半导体芯片，可以容易地进行保护膜与基材薄膜之间的剥离，并且划片时的芯片的固定能力优异。本发明涉及的带有保护膜形成层的切割片的特征在于，在由基材薄膜和胶粘剂层构成的粘合片的胶粘剂层上，隔着剥离力调整层具有保护膜形成层，在粘合片的内周部，具有剥离力调整层与保护膜形成层的层叠体，在粘合片的外周部露出胶粘剂层，剥离力调整层与将保护膜形成层固化而得的保护膜之间的剥离力为0.05～5N/25mm。

Description

带有保护膜形成层的切割片及芯片的制造方法
技术领域
本发明涉及一种可以在芯片背面形成保护膜、并且可以提高芯片的制造效率的带有保护膜形成层的切割片(dicing sheet)。此外，本发明还涉及使用了带有保护膜形成层的切割片的芯片的制造方法。
背景技术
近年来，进行了使用被称作所谓的倒装(face down)方式的安装方法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片(以下也简称为“芯片”。)，将该电极与基板接合。由此，芯片的与电路面相反一侧的面(芯片背面)有时就会露出。
该露出了的芯片背面有时由有机膜保护。以往，该具有由有机膜构成的保护膜的芯片是将液状的树脂利用旋涂法涂敷在晶片背面，并在干燥、固化后将保护膜与晶片一起切割而得。但是，如此形成的保护膜由于其厚度精度不足，所以降低了产品的成品率。
为了解决上述问题，公开过具有剥离片和形成于该剥离片上的由能量射线固化性成分和粘合剂聚合物成分构成的保护膜形成层的芯片保护用薄膜(专利文献1)。
在半导体芯片不断薄型化/高密度化的现在，要求即使在暴露于严酷的温度条件下时，安装了带有保护膜的芯片的半导体装置也具有更高的可靠性。
根据本发明人等的研究，专利文献1中记载的芯片用保护薄膜在将保护膜形成层固化时会收缩，从而有可能产生半导体晶片翘曲的问题。特别是极薄的半导体晶片则上述问题尤其明显。一旦半导体晶片翘曲，就有可能使晶片破损、或使向保护膜上的标记(打印)精度降低。此外，就专利文献1中记载的芯片用保护薄膜而言，在制造带有保护膜的芯片时，需要在切割片上贴附带有保护膜的晶片、并切割晶片，因而制造工序复杂。
所以，如果采用在由基材薄膜和胶粘剂层构成的切割片的胶粘剂层上设置预先切成与晶片相同形状的保护膜形成层的构成，就可以将薄片的外周部贴附在环状框架上并固定，因此可以防止晶片的翘曲。此外，由于可以在此种被固定了的状态下进行划片(dicing)，因此不需要在保护膜形成层的固化后、另外贴附切割片而进行划片，从而可以简化制造工序。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009－138026号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是，在上述的构成的带有保护膜形成层的切割片中，胶粘剂层与保护膜形成层在保护膜形成层的加热固化工序中会熔融粘着，在利用划片将晶片单片化后，有可能无法剥离保护膜与胶粘剂层的界面。此外，在不设置胶粘剂层而在基材薄膜上直接设置保护膜形成层的情况下，也有可能因基材薄膜密合而使得保护膜的剥离变得困难，或者破坏保护膜或芯片。此外，相反地在保护膜与基材薄膜之间的密合性过低的情况下，在划片工序中保护膜及晶片的固定不够充分，有可能因划片刀所施加的力而使带有保护膜的芯片移动。
本发明是鉴于上述的事情而完成的。即，本发明的目的在于，提供一种带有保护膜形成层的切割片，其可以简便地制造具有均一性高、打印精度优异的保护膜的半导体芯片，可以容易地进行保护膜与基材薄膜之间的剥离，并且划片时的芯片的固定能力优异。
用于解决问题的方案
本发明包含以下的要旨。
(1)一种带有保护膜形成层的切割片，其在由基材薄膜和胶粘剂层构成的粘合片的胶粘剂层上，隔着剥离力调整层具有保护膜形成层，
在粘合片的内周部，具有剥离力调整层与保护膜形成层的层叠体，
在粘合片的外周部露出胶粘剂层，剥离力调整层与将保护膜形成层固化而成的保护膜之间的剥离力为0.05～5N/25mm。
(2)根据(1)所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，130℃下加热2小时时的剥离力调整层的热收缩率为－5～+5％。
(3)根据(1)或(2)所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，130℃下加热2小时时的基材薄膜的热收缩率为－5～+5％。
(4)根据(1)～(3)中任一项所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，粘合片与剥离力调整层的层叠体在波长532nm及1064nm下的总光线透过率为70％以上。
(5)根据(1)～(4)中任一项所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，保护膜形成层含有粘合剂聚合物成分及固化性成分。
(6)根据(1)～(5)中任一项所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，保护膜形成层含有着色剂，
波长300～1200nm下的保护膜形成层的最大透过率为20％以下。
(7)一种芯片的制造方法，将上述(1)～(6)中任一项所述的带有保护膜形成层的切割片的保护膜形成层贴附在工件上，依次进行以下的工序(1)、(2)、(3)：
工序(1)：将保护膜形成层固化而得到保护膜；
工序(2)：对工件和保护膜形成层或保护膜进行划片；以及
工序(3)：将保护膜形成层或保护膜与剥离力调整层剥离。
(8)根据(7)所述的芯片的制造方法，其中，
在所述工序(1)之后的任一工序中，进行下述工序(4)：
工序(4)：向保护膜上激光打印。
(9)根据(8)或(9)中记载的芯片的制造方法，其中，在所述工序(2)中，对剥离力调整层进行全切割(full cut)。
发明的效果
在半导体芯片背面形成保护膜时，通过使用本发明涉及的带有保护膜形成层的切割片，可以容易地进行保护膜与基材薄膜之间的剥离，并且划片时的芯片的移动得到抑制，从而可以在半导体芯片背面简便地形成均一性高、打印精度优异的保护膜。
附图说明
图1表示本发明涉及的带有保护膜形成层的切割片的剖面图。
具体实施方式
以下，对于本发明，也包括其最佳的方式在内进一步进行具体的说明。如图1所示，本发明涉及的带有保护膜形成层的切割片10在由基材薄膜1和胶粘剂层2构成的粘合片3的胶粘剂层2上，隔着剥离力调整层4具有保护膜形成层5，在粘合片3的内周部，具有剥离力调整层4与保护膜形成层5的层叠体，在粘合片3的外周部露出胶粘剂层2。也就是说，直径小于粘合片3的剥离力调整层4与保护膜形成层5的层叠体以同心圆状层叠在圆形的粘合片3的胶粘剂层2上。露出的外周部的胶粘剂层如图所示，被用于环状框架6的固定中。
(基材薄膜1)
本发明中的基材薄膜1没有特别限定，然而具体来说，优选熔点大于130℃的，或者优选不具有熔点的。此外，在130℃下加热2小时时的基材薄膜的热收缩率优选为－5～+5％。当基材薄膜的熔点为130℃以下、或热收缩率在上述范围外时，在保护膜形成层的固化时基材薄膜就会熔融或收缩，有可能难以保持基材薄膜的形状。此外，基材薄膜有时会与半导体芯片制造工序中的周边的装置熔融粘着。进而，有时会因基材薄膜的熔融、收缩所致的保护膜形成层的变形，而使向保护膜上的打印精度降低。此外，有时还会因基材薄膜的变形，而使粘合片的厚度精度降低，划片适应性受损。此外在划片后如果沿粘合片的纵向或横向产生变形，就有可能会降低芯片的整列性，并损害其拾取适应性。另外，所谓不具有熔点，是指熔点高于树脂的燃烧温度。
此外，优选在基材薄膜的MD方向(以长尺寸制造薄膜时的与搬送薄膜的方向平行的方向)、以及CD方向(在薄膜的同一面上与MD方向正交的方向)的任意一个方向中，拉伸测定中的断裂伸长率为100％以上，并且基材薄膜的25％应力为100MPa以下。通过使基材薄膜处于此种范围，在划片时将剥离力调整层完全地切断的情况下，切割片就会显示出良好的扩展适应性。
基材薄膜的熔点优选为140℃以上或不具有熔点，更优选熔点为200℃以上或不具有熔点。此外，130℃下加热2小时时的基材薄膜的热收缩率优选为－4～+4％。通过将基材薄膜的熔点或热收缩率设为上述范围，基材薄膜就会耐热性优异，并会良好地维持固化上述的保护膜形成层时的基材薄膜的形状保持性。另外，130℃下加热2小时时的基材薄膜的热收缩率是根据在130℃的环境下投入基材薄膜前后的基材薄膜的面积利用下式求出。
热收缩率(％)＝{(投入前的基材薄膜的面积)－(投入后的基材薄膜的面积)}/投入前的基材薄膜的面积×100
此外，基材薄膜的25％应力是通过将基材薄膜伸长25％时的力除以薄膜的截面积而得。
此外，基材薄膜的MD方向及CD方向的断裂伸长率优选为120％以上，更优选为250％以上。基材薄膜的25％应力优选为80MPa以下，更优选为70Ma以下。通过将基材薄膜的断裂伸长率和25％应力设为上述范围，切割片就会显示出更加良好的扩展(expand)性，并且可以抑制拾取时因相邻的芯片之间接触而造成的拾取不良或芯片的破损。
作为基材薄膜，例如可以举出聚丙烯薄膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜、丙烯酸树脂薄膜、耐热聚氨酯薄膜等。此外，也可以使用它们的交联薄膜或借助放射线/放电等的改性薄膜。基材薄膜只要满足上述物性，则也可以是上述薄膜的层叠体。
基材薄膜的厚度没有特别限定，优选为30～300μm，更优选为50～200μm。通过将基材薄膜的厚度设为上述范围，在利用划片切入后也具有充分的扩展性。此外，由于带有保护膜形成层的切割片具有足够的可挠性，因此相对于工件(例如半导体晶片等)来说显示出良好的贴附性。
(胶粘剂层2)
本发明的胶粘剂层可以利用以往公知的各种胶粘剂形成。作为此种胶粘剂，没有任何限定，然而例如可以使用橡胶系、丙烯酸系、硅酮系、聚乙烯基醚等胶粘剂。此外，也可以使用能量射线固化型或加热发泡型、水膨胀型的胶粘剂。作为能量射线固化(紫外线固化、电子束固化)型胶粘剂，特别优选使用紫外线固化型胶粘剂。
在制造后述的芯片时，将胶粘剂层贴附于位于其外周部的环状框架上。如果将胶粘剂层的外周部贴附在环状框架上，进行保护膜形成层的固化工序，则在将环状框架从胶粘剂层中取下时，就会有在环状框架中产生残胶的情况。此外，在保护膜形成层的固化工序中，胶粘剂层暴露于高温中而软化，容易产生残胶。由此，在上述的胶粘剂当中，从防止在环状框架上的残胶以及对胶粘剂层赋予耐热性的观点考虑，优选丙烯酸系、硅酮系的胶粘剂。
此外，贴附在环状框架上的部分(粘合片的外周部)的胶粘剂层的粘合力(贴附后，在130℃下经过2小时加热后的与SUS板的粘合力)优选为15N/25mm以下，更优选为10N/25mm以下，特别优选为5N/25mm以下。通过将粘合片的外周部的胶粘剂层的粘合力设为上述范围，向环状框架的贴附性就会优异，并可以防止在环状框架上的残胶。
胶粘剂层的厚度没有特别限定，然而优选为1～100μm，更优选为2～80μm，特别优选为3～50μm。
对于在基材薄膜表面设置胶粘剂层的方法，既可以将在剥离片上以达到给定的膜厚的方式涂敷而形成的胶粘剂层转印到基材薄膜表面，也可以在基材薄膜表面直接涂敷构成胶粘剂层的胶粘剂组合物而形成胶粘剂层。作为剥离片，可以使用与设置于后述的保护膜形成层上的材料相同的材料。像这样，通过在基材薄膜上设置胶粘剂层，就可以得到粘合片3。
(剥离力调整层4)
为了使得带有保护膜的芯片容易从带有保护膜形成层的切割片中剥离，而在胶粘剂层与保护膜形成层之间夹设本发明的剥离力调整层4。剥离力调整层与保护膜之间的剥离力为0.05～5N/25mm。剥离力调整层与保护膜之间的剥离力如下所示地测定。首先，将带有保护膜形成层的切割片裁割为25mm的宽度，将保护膜形成层贴附在硅镜面晶片上后，使之固化。对于固化，如果保护膜形成层为热固化性，则利用加热进行固化，其条件是130℃下2小时左右。此外，如果保护膜形成层是能量射线固化性，则在适当的条件下照射能量射线而使之固化，直至所含有的能量射线聚合性基团在实质上不存在为止。然后，将基材薄膜、胶粘剂层、以及剥离力调整层的层叠体在23℃60％相对湿度环境下以300mm/分钟的速度以180°从保护膜中剥离，取得其剥离力。在剥离力小于0.05N/25mm的情况下，在划片时无法将带有保护膜的芯片固定，芯片有可能移动。在剥离力大于5N/25mm的情况下，会有难以拾取带有保护膜的芯片的情况。剥离力更优选为0.05～3N/25mm。
为了将剥离力调整层从保护膜中的剥离力调整为上述的范围，优选从聚烯烃系薄膜中选择剥离力调整层的材料。由于聚烯烃系薄膜的极性低，因此通常使用极性高的材料的保护膜形成层的密合性不会过高，从而易于将剥离力调整为上述的范围。作为聚烯烃系薄膜，可以举出由聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－甲基丙烯酸共聚物、离聚物树脂等构成的薄膜。它们当中，从兼顾剥离力与耐热性的观点考虑，特别优选聚丙烯薄膜。
剥离力调整层也可以是进行了剥离处理的薄膜。作为进行了剥离处理的薄膜，可以使用与后述的带有保护膜形成层的切割片的作为任意的构成要素的剥离片相同种类的薄膜。该情况下，在选择了剥离性能过高的薄膜的情况下，就会有剥离力调整层与保护膜之间的剥离力变小，小于上述的优选的范围的下限的情况，因此需要选择剥离性能不过高的薄膜。
本发明的剥离力调整层4的熔点优选大于130℃或不具有熔点。另外，130℃下加热2小时时的剥离力调整层的热收缩率优选为－5～+5％。如果剥离力调整层的熔点为130℃以下、或热收缩率为上述范围外，则在保护膜形成层的固化时剥离力调整层就会熔融或收缩，有可能难以保持剥离力调整层的形状。此外，还会有剥离力调整层与半导体芯片制造工序中的周边的装置熔融粘着的情况。此外，还会因剥离力调整层的熔融、收缩所致的保护膜形成层的变形，而有向保护膜上的打印精度降低的情况。
剥离力调整层的熔点优选为140℃以上或不具有熔点，更优选熔点为200℃以上或不具有熔点。此外，130℃下加热2小时时的剥离力调整层的热收缩率优选为－4～+4％。通过将剥离力调整层的熔点或热收缩率设为上述范围，剥离力调整层就会耐热性优异，并会良好地维持上述的保护膜形成层固化时的剥离力调整层的形状保持性。另外，130℃下加热2小时时的剥离力调整层的热收缩率是根据在130℃的环境下投入剥离力调整层前后的剥离力调整层的面积利用下式求出。
热收缩率(％)＝{(投入前的剥离力调整层的面积)－(投入后的剥离力调整层的面积)}/投入前的剥离力调整层的面积×100
剥离力调整层的厚度没有特别限定，优选为3～300μm，更优选为5～150μm。此外，剥离力调整层是与后述的保护膜形成层大致相同的形状，是与所贴附的工件(半导体晶片等)相同的尺寸或大一圈的尺寸。
如果将如上所述的剥离力调整层4设于胶粘剂层3与保护膜形成层5之间，则作为次要的效果，会将保护膜形成层固化而形成保护膜，即使在将工件与保护膜切断后，在没有切断剥离力调整层的情况下，所得的芯片的位置也难以偏移。即，即使在保护膜形成层的固化时粘合片3发生热变形，粘合片3的变形也不会波及到芯片的整列部，芯片的整列状态得以维持。
进而，在上述粘合片3具有足够的耐热性、在保护膜形成层的固化条件下粘合片的变形也很小的情况下，在将工件与保护膜切断时，也可以将剥离力调整层4切断。通过切断剥离力调整层4，在划片后更容易使本发明的切割片扩展，芯片的拾取变得容易。
(保护膜形成层5)
本发明的保护膜形成层5没有特别限定，例如可以使用热固化性、热塑性、放射线固化性的保护膜形成层。在它们当中，在使用了热固化性的保护膜形成层的情况下，由于不存在剥离力调整层时胶粘剂层或基材薄膜与保护膜的密合的问题变得明显，因此可以理想地发挥本发明的效果。
保护膜形成层优选含有粘合剂聚合物成分(A)及固化性成分(B)。
(A)粘合剂聚合物成分
为了对保护膜形成层赋予充分的粘接性及造膜性(薄片加工性)可以使用粘合剂聚合物成分(A)。作为粘合剂聚合物成分(A)，可以使用以往公知的丙烯酸聚合物、聚酯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸聚氨酯树脂、硅酮树脂、橡胶系聚合物等。
粘合剂聚合物成分(A)的重均分子量(Mw)优选为1万～200万，更优选为10万～120万。如果粘合剂聚合物成分(A)的重均分子量过低，则保护膜形成层与剥离力调整层的剥离力就会变大，从而有引起保护膜形成层的转印不良的情况，如果过高则保护膜形成层的粘接性降低，无法向芯片等上转印，或在转印后有保护膜从芯片等中剥离的情况。
作为粘合剂聚合物成分(A)，优选使用丙烯酸聚合物。丙烯酸聚合物的玻璃化转换温度(Tg)优选处于－60～50℃，更优选处于－50～40℃，特别优选处于－40～30℃的范围。如果丙烯酸聚合物的玻璃化转换温度过低，则保护膜形成层与剥离力调整层的剥离力变大，从而会有引起保护膜形成层的转印不良的情况，如果过高则保护膜形成层的粘接性降低，无法向芯片等上转印，或在转印后有保护膜从芯片等中剥离的情况。
作为构成上述丙烯酸聚合物的单体，可以举出(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物。例如可以举出烷基的碳数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具体来说可以举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2－乙基己酯等。另外，还可以举出具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，具体来说可以举出(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基氧基乙酯、酰亚胺(甲基)丙烯酸酯等。作为还具有官能团的单体，可以举出具有羟基的(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2－羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2－羟基丙酯等；除此以外，还可以举出具有环氧基的(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。对于丙烯酸聚合物，包含具有羟基的单体的丙烯酸聚合物与后述的固化性成分(B)的相溶性良好，因此优选。此外，上述丙烯酸聚合物也可以是将丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等共聚合而成。
进而，作为粘合剂聚合物成分(A)，也可以配合用于保持固化后的保护膜的可挠性的热塑性树脂。作为此种热塑性树脂，优选重均分子量为1000～10万的树脂，更优选3000～8万的树脂。热塑性树脂的玻璃化转换温度优选为－30～120℃，更优选为－20～120℃。作为热塑性树脂，可以举出聚酯树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。这些热塑性树脂可以单独使用1种，或者混合使用2种以上。通过含有上述的热塑性树脂，保护膜形成层就会追随保护膜形成层的转印面，可以抑制空隙等的产生。
(B)固化性成分
固化性成分(B)可以使用热固化性成分和/或能量射线固化性成分。
作为热固化性成分，可以使用热固化树脂及热固化剂。作为热固化树脂，例如优选环氧树脂。
作为环氧树脂，可以使用以往公知的环氧树脂。作为环氧树脂，具体来说，可以举出多官能系环氧树脂、或联苯酚化合物、双酚A二缩水甘油醚或其氢化物、邻甲酚线性酚醛环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯酚型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、苯撑骨架型环氧树脂等、在分子中具有2官能以上的环氧化合物。它们可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。
在保护膜形成层中，相对于粘合剂聚合物成分(A)100质量份，优选含有1～1000质量份、更优选含有10～500质量份、特别优选含有20～200质量份的热固化树脂。如果热固化树脂的含量小于1质量份，则会有无法获得足够的粘接性的情况，如果大于1000质量份，则保护膜形成层与剥离力调整层的剥离力变大，从而会有引起保护膜形成层的转印不良的情况。
热固化剂作为针对热固化树脂、特别是环氧树脂的固化剂发挥作用。作为优选的热固化剂，可以举出在1个分子中具有2个以上的能够与环氧基反应的官能团的化合物。作为该官能团可以举出苯酚性羟基、醇性羟基、氨基、羧基及酸酐等。它们当中优选举出苯酚性羟基、氨基、酸酐等，更优选举出苯酚性羟基、氨基。
作为苯酚系固化剂的具体的例子，可以举出多官能系酚醛树脂、联苯酚、线性酚醛型酚醛树脂、双环戊二烯系酚醛树脂、Xylok型酚醛树脂、芳烷基酚醛树脂。作为胺系固化剂的具体的例子，可以举出DICY(双氰胺)。它们可以单独使用1种，或者混合使用2种以上。
热固化剂的含量优选相对于热固化树脂100质量份为0.1～500质量份，更优选为1～200质量份。如果热固化剂的含量少，则会因固化不足而有无法获得粘接性的情况，如果过多，则保护膜形成层的吸湿率升高，会有降低半导体装置的可靠性的情况。
作为能量射线固化性成分，可以使用含有能量射线聚合性基团，当受到紫外线、电子束等能量射线的照射时就会聚合固化的化合物(能量射线聚合性化合物)。作为此种能量射线固化性成分，具体来说，可以举出三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1，4－丁二醇二丙烯酸酯、1，6－己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯系低聚物、环氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及衣康酸低聚物等丙烯酸酯系化合物。此种化合物在分子内具有至少1个聚合性双键，通常来说，重均分子量为100～30000，优选为300～10000左右。能量射线聚合性化合物的配合量优选相对于粘合剂聚合物成分(A)100质量份含有1～1500质量份，更优选含有10～500质量份，特别优选含有20～200质量份。
此外，作为能量射线固化性成分，也可以使用在粘合剂聚合物成分(A)的主链或侧链上结合能量射线聚合性基团而成的能量射线固化型聚合物。此种能量射线固化型聚合物兼具作为粘合剂聚合物成分(A)的功能和作为固化性成分(B)的功能。
能量射线固化型聚合物的主骨架没有特别限定，也可以是作为粘合剂聚合物成分(A)通用的丙烯酸聚合物，此外还可以是聚酯、聚醚等，然而由于容易控制合成及物性，因此特别优选以丙烯酸聚合物作为主骨架。
与能量射线固化型聚合物的主链或侧链结合的能量射线聚合性基团例如为包含能量射线聚合性的碳－碳双键的基团，具体来说可以例示出(甲基)丙烯酰基等。能量射线聚合性基团也可以借助亚烷基、亚烷氧基、聚亚烷氧基与能量射线固化型聚合物结合。
结合有能量射线聚合性基团的能量射线固化型聚合物的重均分子量(Mw)优选为1万～200万，更优选为10万～150万。此外，能量射线固化型聚合物的玻璃化转换温度(Tg)优选处于－60～50℃，更优选处于－50～40℃，特别优选处于－40～30℃的范围。
能量射线固化型聚合物例如可以使含有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的丙烯酸系聚合物与在每1个分子中具有1～5个与该官能团反应的取代基和能量射线聚合性碳－碳双键的含有聚合性基团的化合物反应而得到。作为与该官能团反应的取代基，可以举出异氰酸酯基、缩水甘油基、羧基等。
作为含有聚合性基团的化合物，可以举出(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、m－异丙烯基－α，α－二甲基苄基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；(甲基)丙烯酸等。
丙烯酸聚合物优选为由具有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的(甲基)丙烯酸单体或其衍生物与可以与之共聚的其他的(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物构成的共聚物。
作为具有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的(甲基)丙烯酸单体或其衍生物，例如可以举出具有羟基的(甲基)丙烯酸2－羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2－羟基丙酯；具有羧基的丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸；具有环氧基的甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸缩水甘油酯等。
作为可以与上述单体共聚的其他的(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物，例如可以举出烷基的碳数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具体来说是(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2－乙基己酯等；具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，具体来说是(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸二环戊基酯、丙烯酸二环戊烯基酯、丙烯酸二环戊烯基氧基乙酯、酰亚胺丙烯酸酯等。此外，在上述丙烯酸聚合物上，也可以共聚乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等。
在使用能量射线固化型聚合物的情况下，也可以并用所述的能量射线聚合性化合物，此外也可以并用粘合剂聚合物成分(A)。本发明的保护膜形成层中的这三者的配合量的关系是，相对于能量射线固化型聚合物与粘合剂聚合物成分(A)的质量之和100质量份，能量射线聚合性化合物优选含有1～1500质量份、更优选含有10～500质量份、特别优选含有20～200质量份。
通过对保护膜形成层赋予能量射线固化性，可以简便地并且短时间地将保护膜形成层固化，提高带有保护膜的芯片的生产效率。以往，芯片用的保护膜一般是利用环氧树脂等热固化树脂形成，然而由于热固化树脂的固化温度大于200℃，另外固化时间需要2小时左右，因此会妨碍生产效率的提高。但是，由于利用能量射线照射将能量射线固化性的保护膜形成层在短时间内固化，因此可以简便地形成保护膜，可以有助于生产效率的提高。
其他的成分
保护膜形成层除了上述粘合剂聚合物成分(A)及固化性成分(B)以外还可以含有下述成分。
(C)着色剂
保护膜形成层优选含有着色剂(C)。通过在保护膜形成层中配合着色剂，在将半导体装置装入机器中时，就可以遮蔽从周围的装置中产生的红外线等，防止由它们造成的半导体装置的误动作，另外还会提高向将保护膜形成层固化而得的保护膜上打印产品编号等时的文字的可见性。即，在形成了保护膜的半导体装置或半导体芯片中，通常利用激光打标法(利用激光刮掉保护膜表面而进行打印的方法)在保护膜的表面打印产品编号等，而通过使保护膜含有着色剂(C)，就可以充分地获得保护膜的由激光刮掉的部分与并非如此的部分的对比度差，提高可见性。作为着色剂(C)，可以使用有机或无机的颜料及染料。在它们当中从电磁波或红外线遮蔽性的方面考虑优选黑色颜料。作为黑色颜料，可以使用炭黑、氧化铁、二氧化锰、苯胺黑、活性炭等，然而并不限定于此。从提高半导体装置的可靠性的观点考虑，特别优选炭黑。着色剂(C)既可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在使用了降低可见光和/或红外线与紫外线双方的透过性的着色剂、降低了紫外线的透过性的情况下，可以特别理想地发挥本发明的保护膜形成层的高固化性。作为降低可见光和/或红外线与紫外线双方的透过性的着色剂，除了上述的黑色颜料以外，只要是在可见光和/或红外线与紫外线双方的波长区域中具有吸收性或反射性的材料，就没有特别限定。
对于着色剂(C)的配合量，相对于构成保护膜形成层的全部固体成分100质量份，优选为0.1～35质量份，更优选为0.5～25质量份，特别优选为1～15质量份。
(D)固化促进剂
固化促进剂(D)是为了调整保护膜形成层的固化速度而使用的。固化促进剂(D)特别是在固化性成分(B)中并用环氧树脂和热固化剂的情况下优选使用。
作为优选的固化促进剂，可以举出三乙烯二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺类；2－甲基咪唑、2－苯基咪唑、2－苯基－4－甲基咪唑、2－苯基－4，5－二羟基甲基咪唑、2－苯基－4－甲基－5－羟基甲基咪唑等咪唑类；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类；四苯基硼四苯基膦、四苯基硼三苯基膦等四苯基硼盐等。它们可以单独使用1种，或者混合使用2种以上。
相对于固化性成分(B)100质量份，优选以0.01～10质量份、更优选以0.1～1质量份的量含有固化促进剂(D)。通过以上述范围的量含有固化促进剂(D)，即使暴露于高温高湿下，也会具有优异的粘接特性，即使在暴露于严酷的回流条件下时，也可以实现高可靠性。如果固化促进剂(D)的含量少，则会因固化不足而无法获得充分的粘接特性，如果过多，则具有高极性的固化促进剂在高温高湿下会通过在保护膜形成层中向粘接界面一侧移动、偏析，从而降低半导体装置的可靠性。
(E)偶联剂
偶联剂(E)是为了提高保护膜形成层对芯片的粘接性、密合性和/或保护膜的凝聚性而使用的。此外，通过使用偶联剂(E)，可以不损害将保护膜形成层固化而得的保护膜的耐热性地提高其耐水性。
作为偶联剂(E)，优选使用具有与粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)等所具有的官能团反应的基团的化合物。作为偶联剂(E)，优选硅烷偶联剂。作为此种偶联剂，可以举出γ－环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ－环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β－(3，4－环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ－(甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、γ－氨基丙基三甲氧基硅烷、N－6－(氨基乙基)－γ－氨基丙基三甲氧基硅烷、N－6－(氨基乙基)－γ－氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N－苯基－γ－氨基丙基三甲氧基硅烷、γ－脲基丙基三乙氧基硅烷、γ－巯基丙基三甲氧基硅烷、γ－巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3－三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。它们可以单独使用1种，或者混合使用2种以上。
相对于粘合剂聚合物成分(A)与固化性成分(B)的合计100质量份，通常以0.1～20质量份、优选以0.2～10质量份、更优选以0.3～5质量份的比例含有偶联剂(E)。如果偶联剂(E)的含量小于0.1质量份，则有可能无法获得上述的效果，如果大于20质量份，则有可能导致排出气体。
(F)无机填充材料
通过在保护膜形成层中配合无机填充材料(F)，可以调整固化后的保护膜的热膨胀系数，通过相对于半导体芯片将固化后的保护膜的热膨胀系数最佳化，可以提高半导体装置的可靠性。此外，还可以降低固化后的保护膜的吸湿率。
作为优选的无机填充材料，可以举出二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、氧化钛、氧化铁、碳化硅、氮化硼等的粉末、将它们球形化而得的珠子、单晶纤维及玻璃纤维等。在它们当中，优选二氧化硅填充剂及氧化铝填充剂。上述无机填充材料(F)可以单独使用，或混合使用2种以上。对于无机填充材料(F)的含量，相对于构成保护膜形成层的全部固体成分100质量份，通常可以在1～80质量份的范围中调整。
(G)光聚合引发剂
在保护膜形成层作为前述的固化性成分(B)含有能量射线固化性成分的情况下，在其使用时，照射紫外线等能量射线而使能量射线固化性成分固化。此时，通过在该组合物中含有光聚合引发剂(G)，可以减少聚合固化时间以及光线照射量。
作为此种光聚合引发剂(G)，具体来说，可以举出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶酰二甲基缩酮、2，4－二乙基噻吨酮、α－羟基环己基苯基甲酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰、二苯偶酰、二乙酰、1，2－二苯基甲烷、2－羟基－2－甲基－1－[4－(1－甲基乙烯基)苯基]丙酮、2，4，6－三甲基苯甲酰二苯基氧化膦及β－氯蒽醌等。光聚合引发剂(G)可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。
对于光聚合引发剂(G)的配合比例，相对于能量射线固化性成分100质量份优选含有0.1～10质量份，更优选含有1～5质量份。如果小于0.1质量份，则会因光聚合的不足而有无法获得令人满意的转印性的情况，如果大于10质量份，则会生成对光聚合无贡献的残留物，从而会有保护膜形成层的固化性不充分的情况。
(H)交联剂
为了调节保护膜形成层的初期粘接力及凝聚力，也可以添加交联剂。作为交联剂(H)可以举出有机多元异氰酸酯化合物、有机多元亚胺化合物等。
作为上述有机多元异氰酸酯化合物，可以举出芳香族多元异氰酸酯化合物、脂肪族多元异氰酸酯化合物、脂环族多元异氰酸酯化合物及这些有机多元异氰酸酯化合物的三聚物、以及使这些有机多元异氰酸酯化合物与多元醇化合物反应而得的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物等。
作为有机多元异氰酸酯化合物，例如可以举出2，4－甲苯二异氰酸酯、2，6－甲苯二异氰酸酯、1，3－二甲苯二异氰酸酯、1，4－二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷－4，4’－二异氰酸酯、二苯基甲烷－2，4’－二异氰酸酯、3－甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六甲撑二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷－4，4’－二异氰酸酯、二环己基甲烷－2，4’－二异氰酸酯、三羟甲基丙烷接枝甲苯二异氰酸酯及赖氨酸异氰酸酯。
作为上述有机多元亚胺化合物，可以举出N，N’－二苯基甲烷－4，4’－双(1－氮丙啶羧基酰胺)、三羟甲基丙烷－三－β－氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷－三－β－氮丙啶基丙酸酯及N，N’－甲苯－2，4－双(1－氮丙啶羧基酰胺)三乙烯密胺等。
相对于粘合剂聚合物成分(A)与能量射线固化型聚合物的合计量100质量份，通常以0.01～20质量份、优选以0.1～10质量份、更优选以0.5～5质量份的比率使用交联剂(H)。
(I)通用添加剂
在保护膜形成层中，除了上述的以外，也可以根据需要配合各种添加剂。作为各种添加剂，可以举出调平剂、增塑剂、防静电干扰剂、抗氧化剂、离子捕捉剂、吸除剂(gettering agent)、链转移剂等。
由如上所述的各成分构成的保护膜形成层具有粘接性和固化性，通过在未固化状态下向工件(半导体晶片、芯片等)推压而容易地粘接。此后经过固化最终可以提供抗冲击性高的保护膜，在粘接强度方面也优异，即使在严酷的高温高湿条件下也可以保持充分的保护功能。另外，保护膜形成层可以是单层结构，另外只要含有1层以上的包含上述成分的层，则也可以是多层结构。
保护膜形成层的厚度没有特别限定，然而优选为3～300μm，更优选为5～250μm，特别优选为7～200μm。
作为表示保护膜形成层的可见光线和/或红外线与紫外线的透过性的尺度的、波长300～1200nm下的最大透过率优选为20％以下，更优选为0～15％，进一步优选为大于0％而在10％以下，特别优选为0.001～8％。通过将波长300～1200nm的保护膜形成层的最大透过率设为上述范围，在保护膜形成层含有能量射线固化性成分(特别是紫外线固化性成分)的情况下，即使在保护膜形成层被着色的情况下，固化性也很优异。此外，由于可见光波长区域和/或红外波长区域的透过性低，因此可以获得防止半导体装置的由红外线引起的误动作、提高打印的可见性的效果。波长300～1200nm下的保护膜形成层的最大透过率可以利用上述着色剂(C)调整。而且，保护膜形成层的最大透过率是使用紫外-可见光谱检查装置((株)岛津制作所制)测定固化后的保护膜形成层(厚25μm)的300～1200nm中的总光线透过率，采用透过率最高的值(最大透过率)。
(剥离片)
在带有保护膜形成层的切割片中，也可以设置用于在供使用前的期间避免表面与外部的接触的剥离片。作为剥离片，例如可以使用聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜、聚氨酯薄膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物薄膜、离聚物树脂薄膜、乙烯/(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯/(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、氟树脂薄膜等透明薄膜。另外也可以使用它们的交联薄膜。此外还可以是它们的层叠薄膜。另外，可以使用将它们着色了的薄膜、不透明薄膜等。作为剥离剂，例如可以举出硅酮系、氟系、含有长链烷基的氨基甲酸酯等剥离剂。
剥离片的厚度通常为10～500μm，优选为15～300μm，特别优选为20～250μm左右。此外，带有保护膜形成层的切割片的厚度通常为1～500μm，优选为5～300μm，特别优选为10～150μm左右。
(带有保护膜形成层的切割片)
作为带有保护膜形成层的切割片的制造方法，可以举出如下所示的方法。首先，在剥离力调整层4上形成保护膜形成层5。保护膜形成层如下得到，即，将上述各成分以适当的比例在适当的溶媒中混合，将所得的保护膜形成层用组合物涂敷在剥离力调整层上并干燥而得。此外，也可以在剥离片上涂敷保护膜形成层用组合物并干燥而成膜，将其与剥离力调整层贴合，形成将保护膜形成层用2片薄片夹持的状态(剥离力调整层/保护膜形成层/剥离片)。保护膜形成层与剥离力调整层的贴合也可以伴随着加热进行。此时，在保护膜形成层为热固化性的情况下，优选在小于保护膜形成层的热固化温度下进行加热。
接着，在由2片薄片夹持的状态的情况下将剥离片剥离。此后，将保护膜形成层与剥离力调整层的层叠体以与应当贴附的工件(例如半导体晶片等)相同的尺寸或大一圈的圆形起模，除去以圆形起模的层叠体的周围。然后，将圆形的层叠体的剥离力调整层一侧贴附在另外准备的粘合片3的胶粘剂层2上，与向环状框架上的粘贴部分的外径匹配地将粘合片以同心圆状起模，通过除去起模了的粘合片的周围，而得到本发明的带有保护膜形成层的切割片。该情况下，也可以在将层叠体贴附在粘合片3的胶粘剂层2上后，在露出的保护膜形成层和胶粘剂层上贴合剥离片。
此外，作为其他的方法，首先在保护膜形成层由剥离力调整层和剥离片夹持的状态下，将剥离片保留不动，从剥离力调整层一侧进行半切，将剥离力调整层/保护膜形成层的层叠体以与应当贴附的工件(例如半导体晶片等)相同的尺寸或大一圈的圆形起模，将以圆形起模的层叠体的周围去渣。在该状态下，圆形的层叠体被保持在剥离片上。然后，将圆形的层叠体的剥离力调整层一侧贴附在另外准备的粘合片3的胶粘剂层2上。其后，保留剥离片，从基材薄膜一侧将粘合片与向环状框架上的粘贴部分的外径匹配地以同心圆状起模，通过除去起模了的粘合片的周围，而得到本发明的带有保护膜形成层的切割片。该情况下，可以在剥离片上以预切割的状态获得本发明的带有保护膜形成层的切割片，在使用时，从剥离片上剥离，将保护膜形成层一侧贴附在所需的工件上。
此外，在用能量射线固化型胶粘剂形成胶粘剂层的情况下，通过选择照射能量射线的范围，就可以以所需的位置、大小及形状形成粘合力降低了的胶粘剂层的部分、粘合力没有降低的胶粘剂层的部分。因此，可以向胶粘剂层的贴附环状框架的部分照射能量射线而降低粘合力，调整为所需的范围的粘合力。其结果是，向环状框架上的贴附性优异，可以防止在环状框架上的残胶。此外，本发明中，在剥离力调整层4与保护膜形成层5之间进行剥离，将保护膜形成层5转印到工件(芯片)一侧。所以，将剥离力调整层4与粘合片3之间的剥离力设定为大于剥离力调整层4与保护膜形成层5之间的剥离力。由此，对于贴附剥离力调整层4的部分，优选不降低粘合片的粘接力。所以，优选不向胶粘剂层的贴附保护膜形成层的部分照射能量，而是维持粘合力。此种胶粘剂层的局部固化可以如下实现，即，在基材薄膜1上局部地形成遮蔽能量射线的保护掩模，利用从基材薄膜一侧照射能量射线的方法等来实现。
此外，也可以在向环状框架上的粘贴部位(粘合片的外周部的露出了的胶粘剂层)上，另外设置环状的双面胶带或胶粘剂层。双面胶带具有胶粘剂层/芯材/胶粘剂层的构成，双面胶带中的胶粘剂层没有特别限定，可以使用上述粘合片中的胶粘剂同样地形成。另外，芯材优选具有耐热性，作为芯材，优选使用熔点为120℃以上的薄膜。如果将熔点小于120℃的薄膜作为芯材使用，则在将保护膜形成层加热固化时，就会有芯材熔融而不能保持形状、或与周边的装置熔融粘着的情况。作为芯材，例如优选使用聚酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、氟树脂薄膜、液晶聚合物薄膜等。
在如上所述的带有保护膜形成层的切割片中，粘合片与剥离力调整层的层叠体部分在波长532nm及波长1064nm下的总光线透过率优选为70％以上，更优选为75％以上。通过将粘合片与剥离力调整层的层叠体部分在波长532nm及波长1064nm下的总光线透过率设为上述范围，在半导体晶片上贴附带有保护膜形成层的切割片后，就可以隔着粘合片进行对保护膜的激光打标。所以，由于可以在将晶片固定在切割片上的状态下进行激光打标，因此可以抑制晶片的翘曲，提高打印精度。
在如上所述的带有保护膜形成层的切割片中，也可以在粘合片及剥离力调整层中设置贯穿粘合片及剥离力调整层的贯穿孔。通过设置贯穿孔，就可以抑制因在向保护膜进行激光打标时生成的气体而产生的异物的发生。
(芯片的制造方法)
下面，对于本发明涉及的带有保护膜形成层的切割片的利用方法，以将该薄片应用于芯片(例如半导体芯片等)的制造中的情况为例进行说明。
使用了本发明涉及的带有保护膜形成层的切割片的半导体芯片的制造方法的特征在于，向在表面形成有电路的半导体晶片(工件)的背面，贴附上述薄片的保护膜形成层，依次进行以下的工序(1)、(2)、(3)，得到在背面具有保护膜的半导体芯片。
工序(1)：将保护膜形成层固化而得到保护膜、
工序(2)：对工件和保护膜形成层或保护膜进行划片、
工序(3)：将保护膜形成层或保护膜与剥离力调整层剥离。
此外，本发明涉及的半导体芯片的制造方法也可以除了上述工序(1)～(3)以外，还包含下述的工序(4)，在上述工序(1)之后的任意一个工序中，进行工序(4)。
工序(4)：对保护膜进行激光打印。
工序(4)优选在工序(1)与工序(2)之间进行。通过对固化后的保护膜形成层进行激光打印，就会形成打印精度优异的材料。而另一方面，在工序(2)之后、工序(3)之前进行的情况下，会因划片时的芯片的微小的位置偏移而有使打印精度降低的情况。此外，在工序(3)之后进行的情况下，需要对各个芯片单独地进行激光打印，因而过程变得繁杂。
半导体晶片既可以是硅晶片，也可以是镓/砷等的化合物半导体晶片。晶片表面上的电路的形成可以利用包括蚀刻法、剥离(lift-off)法等以往所通用的方法的各种方法来进行。然后，研削半导体晶片的电路面的相反一面(背面)。研削方法没有特别限定，也可以利用使用了减薄机(grinder)等的公知的途径进行研削。在背面研削时，为了保护表面的电路而在电路面贴附被称作表面保护片的粘合片。背面研削是将晶片的电路面一侧(即表面保护片一侧)利用卡盘工作台(chuck table)等固定，利用减薄机研削没有形成电路的背面一侧。晶片的研削后的厚度没有特别限定，然而通常为20～500μm左右。其后，根据需要，除去在背面研削时产生的破碎层。破碎层的除去是利用化学蚀刻、等离子体蚀刻等来进行。
接着，在半导体晶片的背面，贴附上述带有保护膜形成层的切割片的保护膜形成层。其后，依次进行工序(1)、(2)、(3)。对于该过程的概要，在日本特开2002－280329号公报中详述过类似的工序，而以下再进一步进行说明。
首先，向在表面形成有电路的半导体晶片的背面，贴附上述带有保护膜形成层的切割片的保护膜形成层。然后，将保护膜形成层固化，在晶片的全面形成保护膜。通过将固化前的保护膜形成层贴附在半导体晶片上，保护膜形成层就会与晶片的贴附面很好地融合，提高保护膜与半导体芯片的粘接性。此外，在保护膜形成层的固化时，可以抑制带有保护膜形成层的切割片的收缩变形。在保护膜形成层中，由于含有固化性成分(B)，因此一般来说利用热固化或能量射线照射将保护膜形成层固化。而且，在保护膜形成层中配合有热固化性成分及能量射线固化性成分的情况下，可以利用加热和能量射线照射两者来进行保护膜形成层的固化，既可以同时地进行借助加热及能量射线照射的固化，也可以依次地进行。其结果是，在晶片背面形成由固化树脂构成的保护膜，与单独使用晶片的情况相比强度提高，因此可以减少处置时的变薄了的晶片的破损。此外，与在晶片或芯片的背面直接涂敷保护膜用的涂敷液而加以被膜化的涂敷法相比，保护膜的厚度的均一性优异。
然后，优选对固化了的保护膜形成层(保护膜)进行激光打印。激光打印可以利用激光打标法进行，通过利用激光的照射隔着粘合片地刮掉保护膜的表面，而在保护膜上标记出产品编号等。根据本发明的带有保护膜形成层的切割片，即使是极薄的晶片也可以抑制晶片的翘曲，因此会准确地确定激光的焦点，可以精度优良地进行打标。
然后，依照每条形成于晶片表面的电路对半导体晶片进行划片。以将晶片和保护膜一起切断的方式进行划片。划片方法没有特别限定，作为一例，可以举出如下的方法等，即，在晶片的划片时将带有保护膜形成层的切割片的周边部(粘合片的外周部)利用环状框架固定后，利用使用划片刀等旋转圆刀等的公知的手法进行晶片的芯片化。本发明的带有保护膜形成层的切割片由于具有剥离力调整层，保护膜与剥离力调整层具有适度的密合性，因此难以因划片刀所施加的力引起芯片移动的现象。划片的切入深度只要是将晶片及保护膜完全地切断的程度即可，既可以将剥离力调整层切断，也可以不切断。在不将剥离力调整层切断的情况下，所得的芯片的位置难以偏移。即，即使在保护膜形成层的固化时粘合片3发生热变形，粘合片3的变形也不会波及到芯片的整列部，芯片的整列状态得以维持，从而可以减少拾取不良。
进而，在上述粘合片3具有足够的耐热性、即便在保护膜形成层的固化条件下粘合片的变形也很小的情况下，在将晶片和保护膜切断时，也可以将剥离力调整层4完全地切断。通过将剥离力调整层4切断，就可以在划片后扩展本发明的切割片，拉开芯片间隔，使得芯片的拾取变得容易。
其后，在将剥离力调整层4切断的情况下，扩展上述粘合片。本发明的粘合片由于伸长性优异，因此本发明的带有保护膜形成层的切割片具有优异的扩展性，从而提高芯片的拾取性。另外，即使在如上所述地不将剥离力调整层切断的情况下，由于利用剥离力调整层维持芯片的整列性，因此不进行扩展也可以拾取芯片。
通过将被划片了的带有保护膜的半导体芯片利用夹头等通用机构拾取，而在保护膜与剥离力调整层的界面中加以剥离。其结果是，得到在背面具有保护膜的半导体芯片(带有保护膜的半导体芯片)。本发明的带有保护膜形成层的切割片由于具有剥离力调整层，因此保护膜不会与胶粘剂层或基材薄膜牢固地密合，可以容易地进行拾取。根据此种本发明，可以在芯片背面简便地形成均一性高的保护膜，难以产生划片工序或封装后的裂纹。另外，根据本发明，与将形成有保护膜的晶片转贴到划片胶带上而进行划片的以往的工序相比，可以不进行向划片胶带上的转贴地获得带有保护膜的芯片，可以实现制造工序的简化。此后，通过将半导体芯片以倒装方式安装在给定的基台上就可以制造半导体装置。另外，也可以通过将在背面具有保护膜的半导体芯片粘接在焊盘部或另外的半导体芯片等其他的部件上(芯片搭载部上)，来制造半导体装置。
[实施例]
以下，利用实施例对本发明进行说明，然而本发明并不限定于这些实施例。而且，在以下的实施例及比较例中，如下所示地测定、评价了＜剥离力调整层与保护膜之间的剥离力＞＜基材薄膜及剥离力调整层的热收缩率＞、＜热固化适应性＞、＜划片适应性＞、以及＜拾取适应性＞。另外，使用了下述的＜保护膜形成层用组合物＞、＜胶粘剂组合物＞、＜剥离力调整层＞。
＜剥离力调整层与保护膜之间的剥离力＞
对带有保护膜形成层的切割片，利用上述的方法测定出剥离力调整层与保护膜之间的剥离力。保护膜形成层的固化是通过将贴附了带有保护膜形成层的切割片的晶片投入130℃的加热烤炉中2小时而进行的。
＜加热固化工序适应性＞
在厚350μm、直径6英寸、进行了#2000研磨的硅晶片的研磨面上贴附带有保护膜形成层的切割片的保护膜形成层。然后，将贴附了带有保护膜形成层的切割片的晶片投入130℃的加热烤炉中2小时，使保护膜形成层固化。将在保护膜形成层与剥离力调整层(比较例2中是胶粘剂层)之间没有产生由基材薄膜或剥离力调整层的变形引起的剥离的情况设为A、将产生了剥离的情况设为B而进行了评价。
＜划片适应性＞
与加热固化工序适应性的评价相同地进行了保护膜形成层的固化。然后，使用划片机(Disco株式会社制、DFD651)，以40mm/秒的划刀速度在基材薄膜上以15μm的深度加入切槽地将晶片切划成3mm×3mm的尺寸的芯片。在划片中，将芯片没有从给定位置移动的情况设为A，将芯片因刀片的运动而被弹飞的情况设为B。
＜拾取适应性＞
在进行划片适应性的评价后，利用粘片机(Canon Machinery公司制、Bestem－D02)进行拾取，将可以拾取的情况设为A，将无法拾取的情况设为B。
＜基材薄膜及剥离力调整层的热收缩率＞
将基材薄膜及剥离力调整层分别裁割为10cm×10cm，投入热风烤炉中(130℃、2小时)。其后，取出基材薄膜及剥离力调整层，测定出薄膜的尺寸，利用下式求出热收缩率。
热收缩率(％)＝{(投入前的薄膜的面积)－(投入后的薄膜的面积)/投入前的薄膜的面积}×100
＜保护膜形成层＞
保护膜形成层(1)：使用了由2片剥离片夹持的作为保护膜形成层的LINTEC株式会社制的LC2850(25)。
保护膜形成层(2)：使用了由2片剥离片夹持的作为保护膜形成层的LINTEC株式会社制的LC2822H。
＜胶粘剂组合物＞
使用了如下得到的胶粘剂组合物，即，相对于在构成单元中以84重量％、8重量％、8重量％的比例含有丙烯酸2－乙基己酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸2－羟基乙酯的重均分子量60万的丙烯酸系聚合物100质量份，加入异氰酸酯系交联剂(TOYOCHEM株式会社制、BHS－8515)4质量份而得。
＜基材薄膜＞
厚140μm的具有平滑面及凹凸面的聚丙烯薄膜、CT265(三菱树脂株式会社制)
＜剥离力调整层用薄膜＞
厚140μm的具有平滑面及凹凸面的聚丙烯薄膜、CT265(三菱树脂株式会社制)
(实施例1)
从保护膜形成层(1)中剥离一方的剥离片，在保护膜形成层上使平滑面与之相面对地、在加热为70℃的同时层叠剥离力调整层用薄膜。保留剥离片，将保护膜形成层及剥离力调整层以与硅晶片相同的尺寸(直径6英寸)起模，得到以圆形起模的保护膜形成层/剥离力调整层的层叠体。
在粘合片用剥离片(SP－PET381031、LINTEC株式会社制)上以使干燥后为10μm的厚度的方式涂敷上述的胶粘剂组合物的溶液并干燥(干燥条件：在烤炉中120℃、3分钟)，通过将基材薄膜与胶粘剂层贴合而在基材薄膜上形成胶粘剂层，得到设置有剥离片的粘合片。
从上述粘合片中除去剥离片，在胶粘剂层上贴附上述的保护膜形成层/剥离力调整层的层叠体的剥离力调整层一侧，在保留剥离片的状态下，将粘合片与向环状框架上的粘贴部位的外径(直径205mm)匹配地以同心圆状起模。其后，将保护膜形成层上的剥离片剥离，得到带有保护膜形成层的切割片。将各评价结果表示于表1中。
(实施例2)
除了作为保护膜形成层使用保护膜形成层(2)以外，与实施例1相同地得到带有保护膜形成层的切割片。将各评价结果表示于表1中。
(实施例3)
除了作为保护膜形成层使用保护膜形成层(2)，在保护膜形成层上使凹凸面与之相面对地层叠剥离力调整层用薄膜以外，与实施例1相同地得到带有保护膜形成层的切割片。将各评价结果表示于表1中。
(实施例4)
作为基材薄膜，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱树脂株式会社制、T100)，作为剥离力调整层用薄膜，使用厚50μm的具有平滑面及凹凸面的聚丙烯薄膜(Futamura化学公司制、FOP－K)，在保护膜形成层上使平滑面与之相面对地层叠剥离力调整层用薄膜，除此以外，与实施例1相同地得到带有保护膜形成层的切割片。将各评价结果表示于表1中。
(比较例1)
作为保护膜形成层，使用保护膜形成层(2)，作为剥离力调整层用薄膜，使用厚100μm的具有平滑面及凹凸面的聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜(OG FILM公司制、XOFL)，在保护膜形成层上使凹凸面与之相面对地层叠剥离力调整层用薄膜，除此以外，与实施例1相同地得到带有保护膜形成层的切割片。将各评价结果表示于表1中。
(比较例2)
除了没有设置剥离力调整层以外，与实施例1相同地得到带有保护膜形成层的切割片。将各评价结果表示于表1中。
(比较例3)
作为剥离力调整层用薄膜，使用厚38μm的，一面被进行了剥离处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(LINTEC株式会社制、SP－381031)，在保护膜形成层上使剥离处理面与之相面对地层叠剥离力调整层用薄膜，除此以外，与实施例1相同地得到带有保护膜形成层的切割片。在该带有保护膜形成层的切割片中，在划片适应性的评价中，由于芯片因划刀的运动而被弹飞，因此无法进行拾取适应性的评价。将各评价结果表示于表1中。
[表1]
附图标记说明
1…基材薄膜；2…胶粘剂层；3…粘合片；4…剥离力调整层；5…保护膜形成层；6…环状框架；10…带有保护膜形成层的切割片。

Claims (9)

1.一种带有保护膜形成层的切割片，其中，
其在由基材薄膜和胶粘剂层构成的粘合片的胶粘剂层上，隔着剥离力调整层具有保护膜形成层，
在粘合片的内周部，具有剥离力调整层与保护膜形成层的层叠体，
在粘合片的外周部露出胶粘剂层，剥离力调整层与将保护膜形成层固化而得的保护膜之间的剥离力为0.05～5N/25mm。
2.根据权利要求1所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，
130℃下加热2小时时的剥离力调整层的热收缩率为－5～+5％。
3.根据权利要求1或2所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，
130℃下加热2小时时的基材薄膜的热收缩率为－5～+5％。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，
粘合片与剥离力调整层的层叠体在波长532nm及1064nm下的总光线透过率为70％以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，
保护膜形成层含有粘合剂聚合物成分及固化性成分。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的带有保护膜形成层的切割片，其中，
保护膜形成层含有着色剂，
波长300～1200nm下的保护膜形成层的最大透过率为20％以下。
7.一种芯片的制造方法，其将权利要求1～6中任一项所述的带有保护膜形成层的切割片的保护膜形成层贴附在工件上，依次进行以下的工序(1)、(2)、(3)：
工序(1)：将保护膜形成层固化而得到保护膜；
工序(2)：对工件和保护膜形成层或保护膜进行划片；以及
工序(3)：将保护膜形成层或保护膜与剥离力调整层剥离。
8.根据权利要求7所述的芯片的制造方法，其中，
在所述工序(1)之后的任一工序中，进行下述工序(4)：
工序(4)：对保护膜进行激光打印。
9.根据权利要求7或8所述的芯片的制造方法，其中，
在所述工序(2)中，对剥离力调整层进行全切割。
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