CN108291116B - 热固化性粘接片和半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供可以减少半导体晶片的翘曲，同时减少破片产生的热固化性粘接片、和半导体装置的制造方法。热固化性粘接片具有由树脂组合物形成的热固化性粘接层，所述树脂组合物具有：含有包含(甲基)丙烯酸酯和聚合引发剂的树脂成分和填料的热固化性粘接剂层，(甲基)丙烯酸酯包含固形(甲基)丙烯酸酯和三官能以上的(甲基)丙烯酸酯，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为55wt％以上，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.7E‑03以上，填料的掺混量相对于树脂成分100质量份为80～220质量份。

Description

热固化性粘接片和半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及：为了防止切割工序时的裂纹而补强半导体晶片的热固化性粘接片和半导体装置的制造方法。本申请以2015年12月14日在日本提出的日本专利申请号特愿2015-243651为基础主张优先权，该申请通过参照引用于本申请中。
背景技术
半导体芯片制造工序中，切割(个体化)工序对半导体晶片产生很大的应力。因此，有时在半导体晶片中产生被称为破片(chipping)的裂纹，不良率变高。
为了防止此种问题于未然，提出了：在临切割工序之前(背面研磨后)贴合补强半导体晶片的热固化性粘接片(例如，参照专利文献1)。
然而，伴随半导体晶片的薄型化，半导体晶片的翘曲量变大，因此可能难以贴合切割带。
现有技术文献
专利文献
专利文献1 : 日本特开2002-280329号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
本发明鉴于这样的以往的实际情况而提案，提供：可以减少半导体晶片的翘曲，同时减少破片产生的热固化性粘接片，以及半导体装置的制造方法。
用于解决课题的手段
为了解决上述的课题，本发明所涉及的热固化性粘接片的特征在于，具有由树脂组合物形成的热固化性粘接层，所述树脂组合物含有填料和包含(甲基)丙烯酸酯和聚合引发剂的树脂成分，上述(甲基)丙烯酸酯包含固形(甲基)丙烯酸酯和三官能以上的(甲基)丙烯酸酯，上述树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为55wt％以上，上述树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以上述(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.7E-03以上，上述填料的掺混量相对于树脂成分100质量份为80～220质量份。
另外，本发明所涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述的工序：研磨半导体晶片的研磨工序；在上述半导体晶片的研磨面粘贴热固化性粘接片的热固化性粘接片粘贴工序；使上述热固化性片固化，从而使上述半导体晶片的翘曲量减少的固化工序；在上述半导体晶片的热固化性粘接片面粘贴切割带的切割带粘贴工序；和将粘贴有切割带的晶片进行切割处理，获得单个片的半导体芯片的切割处理工序，上述热固化性粘接片具有由树脂组合物形成的热固化性粘接层，所述树脂组合物含有填料和包含(甲基)丙烯酸酯和聚合引发剂的树脂成分，上述(甲基)丙烯酸酯包含固形(甲基)丙烯酸酯和三官能以上的(甲基)丙烯酸酯，上述树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为55wt％以上，上述树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以上述(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.7E-03以上，上述填料的掺混量相对于树脂成分100质量份为80～220质量份。
发明效果
根据本发明，通过将热固化性粘接片贴合于半导体晶片的研磨面并使其固化，热固化性粘接片收缩，可以使半导体晶片的翘曲减少。因此，可以在使晶片平坦化的状态下进行切割，因此可以使破片减少，获得高品质的半导体装置。
附图说明
[图1] 图1是表示热固化性粘接片的概略的截面图。
[图2] 图2是表示BG带粘贴工序的概略的截面图。
[图3] 图3是表示研磨工序的概略的截面图。
[图4] 图4是表示热固化性粘接片粘贴工序的概略的截面图。
[图5] 图5是表示BG带剥离工序的概略的截面图。
[图6] 图6是表示固化工序的概略的截面图。
[图7] 图7是表示DC带粘贴工序的概略的截面图。
[图8] 图8是表示切割处理工序的概略的截面图。
[图9] 图9是表示扩展工序的概略的截面图。
[图10] 图10是表示拾取工序的概略的截面图。
[图11] 图11是表示安装工序的概略的截面图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式按照下述顺序详细地进行说明。
1. 热固化性粘接片
2. 半导体装置的制造方法
3. 实施例
＜1. 热固化性粘接片＞
本实施方式所涉及的热固化性粘接片具有在切割半导体晶片时贴合于半导体晶片的研磨面的热固化性粘接层，在切割工序时补强晶片，是防止被称为破片的裂纹的补强片。
图1是表示热固化性粘接片的概略的截面图。如图1所示，热固化性粘接片中，使基材膜层11与热固化性粘接层12层合。
作为基材膜层11，可以使用：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酯等的塑料膜，或由纸、布、无纺布等构成的多孔基材。
热固化性粘接层12由树脂组合物形成，所述树脂组合物含有：包含(甲基)丙烯酸酯和聚合引发剂的树脂成分，和填料。需说明的是，本说明书中，(甲基)丙烯酸酯意指包含丙烯酸酯(acrylate)和甲基丙烯酸酯(metacrylate)。
作为(甲基)丙烯酸酯，可以使用单官能(甲基)丙烯酸酯、双官能(甲基)丙烯酸酯、三官能以上的(甲基)丙烯酸酯。
作为单官能(甲基)丙烯酸酯，例如可举出：聚亚烷基二醇酯单体、具有直链或支链烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯等。作为聚亚烷基二醇酯单体的具体例，例如可举出：(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、丙烯酸4-羟基丁酯、聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丁二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯等，可以使用它们的1种或2种以上。
作为双官能(甲基)丙烯酸酯，例如可举出：三环癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、二羟甲基-三环癸烷二(甲基)丙烯酸酯、双酚AEO改性二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羟基-3-丙烯酰氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、二甘醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(200)二(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(400)二(甲基)丙烯酸酯、环己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、烷氧基化己二醇二(甲基)丙烯酸酯、烷氧基化环己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(4)双酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(10)双酚A二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(600)二(甲基)丙烯酸酯、烷氧基化新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二噁烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、异氰脲酸EO改性二(甲基)丙烯酸酯等，可以使用它们的1种或2种以上。这些之中，从反应性、交联性等的角度出发，可以优选使用三环癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯。作为可市场上获取的双官能(甲基)丙烯酸酯的具体例，可举出：新中村化学工业(株)的商品名“A-DCP”(三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯)等。
作为三官能以上的(甲基)丙烯酸酯，可举出：异氰脲酸EO改性三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、EO改性季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、ε-己内酯改性三-(-2-丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、ε-己内酯改性三(丙烯酰氧基乙基)(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(20)三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(3)三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(6)三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(9)三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(3)甘油三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(4)季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二(三羟甲基丙烷)四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、EO改性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、具有三官能～九官能的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等，可以使用它们的1种或2种以上。这些之中，从反应性、交联性等的角度出发，可以优选使用异氰脲酸EO改性三丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯。作为可市场上获取的三官能以上的(甲基)丙烯酸酯的具体例，可举出：东亚合成(株)的商品名“M-315”(异氰脲酸环氧乙烷改性二丙烯酸酯与异氰脲酸环氧乙烷改性三丙烯酸酯的混合物(异氰脲酸环氧乙烷改性二丙烯酸酯的含有率为3％～13％)、根上工业(株)的商品名“UN-3320HA”(多官能氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物)、“UN-6301”(脂肪族氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物)等。
在本实施方式中，为了使半导体晶片的翘曲减少、使破片减少，作为(甲基)丙烯酸酯，至少使用固形(甲基)丙烯酸酯和三官能以上的(甲基)丙烯酸酯。需说明的是，本说明书中，固形(甲基)丙烯酸酯是指常温(25℃)下为固体状的(甲基)丙烯酸酯，意指从熔点的观点来看，超过50℃。
作为固形(甲基)丙烯酸酯，可举出环氧(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等的高分子量的物质，优选为结晶性高、其熔点为50℃以下的物质。环氧(甲基)丙烯酸酯例如可以通过使环氧树脂与含乙烯基的一元羧酸反应而获得。作为环氧树脂，可举出：酚醛清漆型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂等，作为含乙烯基的一元羧酸，例如可举出：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸的二聚物、β-糠基(甲基)丙烯酸、β-苯乙烯基(甲基)丙烯酸、肉桂酸等。这些之中，从膜膜性的观点出发，可以优选使用使双酚A型苯氧基树脂或双酚F型苯氧基树脂与(甲基)丙烯酸反应而得的双酚型环氧(甲基)丙烯酸酯。作为可市场上获取的固形状的双酚型环氧(甲基)丙烯酸酯的具体例，可举出：昭和高分子(株)的商品名“VR-90”、“VR-60”等。
另外，固形(甲基)丙烯酸酯的重均分子量优选为500～10000、更优选为800～3000。若重均分子量为500以上则膜性有提升的倾向，若为10000以下则粘性有提升的倾向。
另外，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为55wt％以上、优选为60wt％以上、更优选为70wt％以上。若树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率变高则晶片的翘曲控制性有提升的倾向。
关于(甲基)丙烯酸酯，即使形式上具有双官能以上的(甲基)丙烯酰基，在分子量相对于官能团数显著较大的情况下，也有与单官能丙烯酸酯性质近似的倾向，晶片的翘曲控制性降低。因此，多官能(甲基)丙烯酸酯优选考虑将官能数除以分子量而得的“每单位分子量的官能数”进行选择。
在本实施方式中，通过使树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以每单位分子量的官能团数所得的值的总和、即平均交联密度为规定值以上，热固化性粘接层的收缩率变大，可消除晶片的翘曲。
即，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.7E-03以上。另外，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和的上限优选为5.0E-02以下、更优选为1.0E-02以下。若平均交联密度过小则难以消除半导体晶片的翘曲，若过大则与半导体晶片的密合性等特性有劣化的倾向。
另外，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率优选为85wt％以上、更优选为90wt％以上。树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率若过少则难以消除半导体晶片的翘曲，若过多则片特性有降低的倾向。
另外，(甲基)丙烯酸酯的重均分子量优选为100～100000、更优选为200～50000。重均分子量过小或过大，晶片的翘曲控制性均有降低的倾向。
作为聚合引发剂，可以使用作为自由基反应的引发剂的有机过氧化物。有机过氧化物的1分钟半衰期温度优选为130℃以下、更优选为80℃以上且120℃以下。1分钟半衰期温度若过大则难以获得大的反应速度，若过小则常温保管性有降低的倾向。
作为这样的有机过氧化物，例如可举出：过氧化二月桂酰(1分钟半衰期温度：116.4℃)、过氧化二苯甲酰(1分钟半衰期温度：130.0℃)、二(4-甲基苯甲酰)过氧化物(1分钟半衰期温度：128.2℃)、过氧化-2-乙基己酸1,1,3,3-四甲基丁酯(1分钟半衰期温度：124.3℃)、二(3,5,5-三甲基己酰)过氧化物(1分钟半衰期温度：112.6℃)、过氧化新戊酸叔丁酯(1分钟半衰期温度：110.3℃)、过氧化新戊酸叔己酯(1分钟半衰期温度：109.1℃)、过氧化新庚酸叔丁酯(1分钟半衰期温度：104.6℃)、过氧化新癸酸叔丁酯(1分钟半衰期温度：103.5℃)、过氧化新癸酸叔己酯(1分钟半衰期温度：100.9℃)、过氧化二碳酸二(2-乙基己基)酯(1分钟半衰期温度：90.6℃)、过氧化二碳酸二(4-叔丁基环己基)酯(1分钟半衰期温度92.1℃)、过氧化新癸酸1,1,3,3-四甲基丁基酯(1分钟半衰期温度：92.1℃)、过氧化二异丁酰(1分钟半衰期温度：85.1℃)、过氧化二碳酸二仲丁基酯(1分钟半衰期温度：85.1℃)、过氧化二碳酸二正丙基酯(1分钟半衰期温度：85.1℃)、过氧化新癸酸枯基酯(1分钟半衰期温度：85.1℃)等，可以使用它们的1种或2种以上。这些之中，从反应性、交联性等的角度出发，可以优选使用过氧化二月桂酰、过氧化-2-乙基己酸1,1,3,3-四甲基丁酯。作为可市场上获取的过氧化二月桂酰的具体例，可举出日油(株)的商品名“PEROYL L”等。
另外，有机过氧化物的含量相对于(甲基)丙烯酸酯80质量份优选为0.1质量份以上且20质量份以下、更优选为1质量份以上且10质量份以下。有机过氧化物的含量过少则反应性降低，若过多则产品寿命有减少的倾向。
另外，树脂成分也可以包含弹性体、苯氧基树脂等聚合物。作为弹性体，例如可举出：丙烯酸系弹性体、丁二烯系弹性体、乙烯系弹性体、丙烯系弹性体、苯乙烯系弹性体等，可以使用它们的1种或2种以上。这些之中，优选使用透明性优异的丙烯酸系弹性体。作为可市场上获取的丙烯酸系弹性体的具体例，可举出Nagase ChemteX (株)的商品名“SG-P3”等。另外，作为苯氧基树脂，例如可举出：芴型苯氧基树脂、双酚型苯氧基树脂、酚醛清漆型苯氧基树脂、萘型苯氧基树脂、联苯型苯氧基树脂等，可以使用它们的1种或2种以上。
另外，聚合物的重均分子量(Mw)优选为5000以上且150000以下、更优选为10000以上且80000以下。重均分子量(Mw)若过小则片特性有降低的倾向，若过多则与其他成分的相容性有变差的倾向。
另外，树脂成分中的聚合物的含有率优选为15wt％以下、更优选为5％以下。若树脂成分中的聚合物的含有率变高则晶片的翘曲控制性有降低的倾向。
另外，作为树脂成分，优选添加硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂，可以使用(甲基)丙烯酸系、环氧系、氨基系、巯基系、硫化物系、脲基系等，本实施方式中，优选使用(甲基)丙烯酸系硅烷偶联剂。由此，可以提升有机材料与无机材料的界面的密合可靠性。
填料使用无机或有机均可，优选使用对调准中使用的红外线具有透过性的材料。作为对红外线具有透过性的材料，例如可举出：二氧化硅、硅、锗、石英、蓝宝石等，可以使用它们的1种或2种以上。这些之中，从激光标记视认性的观点出发，优选使用二氧化硅。
另外，填料的掺混量相对于树脂成分100质量份为80～220质量份、优选为80～180质量份。填料的含量若过少，则将晶片的翘曲量减少的效果有降低的倾向，若过多则密合可靠性有降低的倾向。
另外，作为其他填料，优选添加黑色颜料等的着色剂。着色剂使激光标记部分与其他部分产生对比度差，使激光标记视认性提升。作为这样的着色剂，例如可举出：碳黑、钛黑、氧化钛、氧化铁等，可以使用它们的1种或2种以上。这些之中，从提升对比度差的观点出发优选使用碳黑。
另外，热固化性粘接片的波长1000nm下的透过率优选为30％以上。该红外线透过率若过低则难以利用红外线进行调准。
根据这样的热固化性粘接片，通过将其贴合于半导体晶片的研磨面并使其固化，热固化性粘接片收缩，可以使半导体晶片的翘曲减少。因此，可以在晶片经平坦化的状态下切割，因此可以使破片减少，获得高品质的半导体装置。
＜2. 半导体装置的制造方法＞
其次，对使用上述的热固化性粘接片的半导体装置的制造方法进行说明。本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法具有以下的工序：将半导体晶片进行研磨的研磨工序；将热固化性粘接片贴合于半导体晶片的研磨面并使其固化，使半导体晶片的翘曲量减少的工序；将切割带贴合于半导体晶片的热固化性粘接片面，并进行切割的切割工序。使半导体晶片的翘曲减少，可以在晶片经平坦化的状态下进行切割，因此可以使破片减少，获得高品质的半导体装置。
以下，对具体的半导体装置的制造方法进行说明。作为具体例表示的半导体装置的制造方法具有下述的工序：粘贴具有粘接剂层的保护带的保护带粘贴工序(A)、研磨工序(B)、热固化性树脂片粘贴工序(C)、保护带剥离工序(D)、固化工序(E)、粘合带粘贴工序(F)、切割处理工序(G)、扩展工序(H)、拾取工序(I)、和安装工序(J)。需说明的是，保护带剥离工序(D)也可在热固化性树脂片粘贴工序(C)之前进行。
[(A) 保护带粘贴工序]
图2是表示保护带粘贴工序的概略的截面图。在保护带粘贴工序中，在形成有突起电极22的晶片21面粘贴保护带30。关于粘贴保护带30的粘贴温度，从减少空隙、提升晶片密合性和防止晶片磨削后的翘曲的观点出发，为25℃以上且100℃以下、优选为40℃以上且80℃以下。
晶片21具有：形成于硅等半导体表面的集成电路、和被称为凸点的连接用的突起电极22。晶片21的厚度没有特别限定，但优选为200μm以上且1000μm以下。
作为突起电极22，没有特别限定，例如可举出：基于焊料的低熔点凸点或高熔点凸点、锡凸点、银-锡凸点、银-锡-铜凸点、金凸点、铜凸点等。另外，突起电极22的高度没有特别限定，优选为10μ以上且200μm以下。
保护带30被称为背面研磨带(Back Grind Tape)，在接着的研磨处理工序(B)中，保护晶片以防止损伤、破裂、污染等。如图2所示，保护带30中，热塑性树脂层31和基材膜层32层合，以突起电极22的形成面与热塑性树脂层31接触的状态被贴合，突起电极22嵌入热塑性树脂层31中。
作为热塑性树脂层31，可举出：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA，Ethylene VinylAcetate)、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚缩醛、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、氟树脂、聚苯硫醚、聚苯乙烯、ABS树脂、丙烯酸系树脂、聚碳酸酯、聚氨酯、聚氯乙烯、聚苯醚等，这些可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
作为基材膜层32，可以使用：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酯等的塑料膜，或由纸、布、无纺布等构成的多孔基材。
需说明的是，保护带30不限于上述的构成，在各层的表面或相邻的层间可以形成其他层。
[(B)研磨工序]
图3是表示研磨工序的概略的截面图。在研磨工序中，将保护带30粘贴面的相反面进行研磨处理。将粘贴有保护带30的晶片21的相反面固定于磨削装置进行研磨。该研磨工序中，通过研磨使晶片21的厚度为200μm以下、进一步为50μm以下。晶片21的厚度越变小，则晶片21的翘曲量越变大。需说明的是，晶片21的翘曲量是将晶片21放置于平面台(X、Y轴)时的翘曲(Z轴)的最大值。
[(C) 热固化性粘接片粘贴工序]
图4是表示热固化性粘接片粘贴工序的概略的截面图。在热固化性粘接片粘贴工序中，将热固化性粘接片的热固化性粘接层12粘贴于晶片21的研磨处理面。
[(D) 保护带剥离工序]
图5是表示保护带剥离工序的概略的截面图。在保护带剥离工序中，将保护带30剥离。
[(E) 固化工序]
图6是表示固化工序的概略的截面图。在固化工序中，使热固化性粘接层12固化。作为固化方法和固化条件，可以使用使热固化型的粘接剂固化的公知方法。在固化工序中，例如，通过以80～180℃的温度、0.1～5小时的时间进行固化，可使热固化性粘接层12固化。由此，热固化性粘接层12明显收缩，产生与晶片21的翘曲反方向的应力，因此可以使晶片21维持于平坦的状态。
[(F) 粘合带粘贴工序]
图7是表示粘合带粘贴工序的概略的截面图。在粘合带粘贴工序中，将粘合带40粘贴于研磨处理面。粘合带40被称为切割带(Dicing Tape)，是用于在切割工序(G)中保护、固定晶片21并将其保持至拾取工序(I)的带。
作为粘合带40，没有特别限定，可以使用公知的材料。通常，粘合带40具有粘合剂层和基材膜层。作为粘合剂层，例如可举出：聚乙烯系、丙烯酸系、橡胶系、氨基甲酸酯系等的粘合剂。另外，作为基材膜层，可以使用：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酯等塑料膜，或由纸、布、无纺布等构成的多孔基材。另外，作为粘合带的粘贴装置和条件，没有特别限定，可以使用公知的装置和条件。
[(G) 切割处理工序]
图8是表示切割处理工序的概略的截面图。在切割处理工序中，将粘贴有粘合带40的晶片21进行切割处理，以获得单个片的半导体芯片。作为切割方法，没有特别限定，例如可以使用以切割锯切削晶片21而切出等的公知方法。由于热固化性粘接片使晶片的翘曲减少，因此可以在使晶片平坦化的状态下进行切割，可以使破片减少。
[(H) 扩展工序]
图9是表示扩展工序的概略的截面图。在扩展工序中，例如将贴合有经分割的多个半导体芯片的粘合带40在放射方向上伸长，扩宽各个半导体芯片的间隔。
[(I) 拾取工序]
图10是表示拾取工序的概略的截面图。在拾取工序中，将贴合固定于粘合带40上的半导体芯片从粘合带40的下表面顶起而剥离，用夹头(collet)吸附该被剥离的半导体芯片。已拾取的半导体芯片被容纳在芯片托盘中，或者被输送到倒装芯片接合机的芯片搭载喷嘴。
[(J) 安装工序]
图11是表示安装工序的概略的截面图。在安装工序中，例如使用NCF(NonConductive Film，非导电膜)等的电路连接材料来连接半导体芯片和电路基板。作为电路基板，没有特别限定，可以使用：聚酰亚胺基板、玻璃环氧树脂基板等的塑料基板、陶瓷基板等。另外，作为连接方法，可以采用使用加热接合机、回流焊炉等的公知方法。
根据这样的半导体装置的制造方法，将热固化性粘接片贴合于半导体晶片的研磨面并使其固化，从而使半导体晶片翘曲量减少，因此可以抑制破片，容易地进行切割。
实施例
＜3. 实施例＞
以下，对本发明的实施例进行说明。在本实施例中，制作热固化性粘接片，将其贴合于产生有翘曲的带图案晶片上，制作了层合体。然后，对热固化性粘接片的膜膜性、切割时的破片抑制、和晶片的翘曲的控制性进行评价。
[热固化性粘接片的制作]
将下述成分掺混，调制了树脂组合物。使用刮棒涂布机将其涂布于经剥离处理的PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)上，在80℃的烘箱中使其干燥3分钟，制作了具有厚度20μm的热固化性粘接层的热固化性粘接片(覆盖剥离PET(25μm)/热固化性粘接层(20μm)/基础剥离PET(50μm))。
A-DCP：三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯(新中村化学工业(株)、每单位分子量的官能团数(官能团数/分子量)＝0.0065)
M-315：异氰脲酸环氧乙烷改性二丙烯酸酯与异氰脲酸环氧乙烷改性三丙烯酸酯的混合物(异氰脲酸环氧乙烷改性二丙烯酸酯的含有率为3％～13％)(东亚合成(株)、每单位分子量的官能团数(官能团数/分子量)＝0.007)
UN-3320HA：多官能氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(根上工业(株)、每单位分子量的官能团数(官能团数/分子量)＝0.004)
VR-90：双酚A型环氧丙烯酸酯(昭和高分子(株)、每单位分子量的官能团数(官能团数/分子量)＝0.0018)
UN-6301：脂肪族氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(根上工业(株)、每单位分子量的官能团数(官能团数/分子量)＝0.00006)
KBM-503：硅烷偶联剂(信越有机硅(株))
PEROIL L：过氧化二月桂酰(日油(株)制造、1分钟半衰期温度：116.4℃)
SG-P3：弹性体(Nagase ChemteX (株)制造)
AEROSIL R202：二氧化硅(日本AEROSIL (株))
＃3050B：碳黑(三菱化学(株))。
[层合体的制作]
通过压机将厚度20μm的热固化性粘接层贴合于带图案晶片上，在130℃、1小时的条件下进行固化，获得了层合体。
带图案晶片使用了厚度200μm的8英寸的晶片。另外，带图案晶片的平均翘曲量(样本数：10)为4mm。需说明的是，带图案晶片的翘曲量设为：将带图案晶片放置于平面台(X、Y轴)时的翘曲(Z轴)的最大值。
[膜膜性的评价]
对热固化性粘接片的膜性、粘性和层合性进行评价，将所有的评价为良好的情形评价为“○”，将任意1个的评价为不良的情形评价为“×”。
[切割时的破片抑制的评价]
将切割带层合于层合体的热固化性粘接层侧，观察切割后的层合体。将破片导致的不良率为不足5％的情形评价为“○”，将不良率为5％以上的情形评价为“×”。
[晶片的翘曲的控制性的评价]
与带图案晶片的翘曲量的测定同样，层合体的翘曲量设为：将层合体放置于平面台(X、Y轴)时的翘曲(Z轴)的最大值。将层合体的翘曲量为不足1.0mm者评价为“A”，将层合体的翘曲量为1.0mm以上且不足1.5mm者评价为“B”，将层合体的翘曲量为1.5mm以上且不足2.5mm者评价为“C”，将层合体的翘曲量为2.5mm以上者评价为“D”。
＜实施例1＞
如表1所示，向将三官能丙烯酸酯(M-315) 20质量份、双酚A型环氧丙烯酸酯(VR-90) 60质量份、偶联剂(KBM-503) 1质量份、有机过氧化物(PEROIL L) 3质量份掺混而得的树脂成分84质量份中，添加无机填料(AEROSIL R202) 100质量份，调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为119质量份，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为71wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为95wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.99E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为○、切割时的破片抑制的评价为○、薄晶片翘曲控制性的评价为A。
＜实施例2＞
如表1所示，除了添加无机填料(AEROSIL R202) 70质量份以外，与实施例1同样地调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为83质量份，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为71wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为95wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.99E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为○、切割时的破片抑制的评价为○、薄晶片翘曲控制性的评价为A。
＜实施例3＞
如表1所示，除了添加无机填料(AEROSIL R202) 150质量份以外，与实施例1同样地调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为179质量份，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为71wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为95wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.99E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为○、切割时的破片抑制的评价为○、薄晶片翘曲控制性的评价为A。
＜实施例4＞
如表1所示，除了将三官能丙烯酸酯(M-315) 15质量份、多官能氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(UN-3320HA) 5质量份掺混以外，与实施例1同样地调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为119质量份，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为71wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为95wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.80E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为○、切割时的破片抑制的评价为○、薄晶片翘曲控制性的评价为A。
＜实施例5＞
如表1所示，除了将三官能丙烯酸酯(M-315) 17质量份、脂肪族氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(UN-6301) 3质量份掺混以外，与实施例1同样地调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为119质量份，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为71wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为95wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.74E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为○、切割时的破片抑制的评价为○、薄晶片翘曲控制性的评价为B。
＜实施例6＞
如表1所示，除了将双官能丙烯酸酯(A-DCP) 3质量份、三官能丙烯酸酯(M-315)17质量份掺混以外，与实施例1同样地调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为119质量份，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为71wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为95wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.97E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为○、切割时的破片抑制的评价为○、薄晶片翘曲控制性的评价为B。
＜实施例7＞
如表1所示，除了添加碳黑5质量份以外，与实施例1同样地调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为125质量份、树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为71wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为95wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.99E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为○、切割时的破片抑制的评价为○、薄晶片翘曲控制性的评价为A。
＜实施例8＞
如表2所示，除了将双酚A型环氧丙烯酸酯(VR-90) 55质量份、弹性体(SG-P3) 5质量份掺混以外，与实施例1同样地调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为119质量份，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为65wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为89wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.88E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为○、切割时的破片抑制的评价为○、薄晶片翘曲控制性的评价为B。
＜实施例9＞
如表2所示，除了将双酚A型环氧丙烯酸酯(VR-90) 50质量份、弹性体(SG-P3) 10质量份掺混以外，与实施例1同样地调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为119质量份，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为60wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为85wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.77E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为○、切割时的破片抑制的评价为○、薄晶片翘曲控制性的评价为B。
＜比较例1＞
如表2所示，除了添加无机填料50质量份以外，与实施例1同样地调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为60质量份，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为71wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为95wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.99E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为×、切割时的破片抑制的评价为×、薄晶片翘曲控制性的评价为D。
＜比较例2＞
如表2所示，除了添加无机填料200质量份以外，与实施例1同样地调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为238质量份，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为71wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为95wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.99E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为×、切割时的破片抑制的评价为○、薄晶片翘曲控制性的评价为A。
＜比较例3＞
如表2所示，除了代替三官能丙烯酸酯，掺混脂肪族氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(UN-6301) 20质量份以外，与实施例1同样地调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为119质量份，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为71wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为95wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为1.31E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为○、切割时的破片抑制的评价为×、薄晶片翘曲控制性的评价为D。
＜比较例4＞
如表2所示，除了代替三官能丙烯酸酯，掺混双官能丙烯酸酯(A-DCP) 20质量份以外，与实施例1同样地调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为119质量份，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为71wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为95wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.87E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为×、切割时的破片抑制的评价为○、薄晶片翘曲控制性的评价为B。
＜比较例5＞
如表2所示，除了将双酚A型环氧丙烯酸酯(VR-90) 45质量份、弹性体(SG-P3) 15质量份掺混以外，与实施例1同样地调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为119质量份，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为54wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为82wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.66E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为○、切割时的破片抑制的评价为○、薄晶片翘曲控制性的评价为C。
＜比较例6＞
如表2所示，除了将双酚A型环氧丙烯酸酯(VR-90) 40质量份、弹性体(SG-P3) 15质量份掺混以外，与实施例1同样地调制了树脂组合物。相对于树脂成分100质量份，无机填料的掺混量为127质量份，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为51wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为81wt％，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.72E-03。使用该树脂组合物制作的热固化性粘接片的膜膜性的评价为×、切割时的破片抑制的评价为○、薄晶片翘曲控制性的评价为C。
[表1]
Figure DEST_PATH_IMAGE002
[表2]
Figure DEST_PATH_IMAGE004
如比较例1那样，填料量过少的情形，粘性和层合性变得不良，切割时的不良率大，无法使晶片的翘曲量大大减少。另外，如比较例2那样，填料量过多的情形，粘性和层合性变得不良。另外，如比较例3那样，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为不足2.7E-03的情形，切割时的不良率大，无法使晶片的翘曲量大大减少。另外，如比较例4那样，未掺混三官能以上的(甲基)丙烯酸酯的情形，粘性和层合性变得不良。另外，如比较例5、6那样，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率过低的情形，由于收缩不足而无法使晶片的翘曲量大大减少。
另一方面，如实施例1～9那样，含有包含(甲基)丙烯酸酯和聚合引发剂的树脂成分、和填料，且(甲基)丙烯酸酯包含固形(甲基)丙烯酸酯和三官能以上的(甲基)丙烯酸酯，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为55wt％以上，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.7E-03以上，填料的掺混量相对于树脂成分100质量份为80～220质量份，由此，膜膜性变得良好，切割时的不良率降低，可以使晶片的翘曲量大大减少。
另外，由实施例1～7可知，通过使树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为90wt％以上，可以使晶片的翘曲量大大减少。
符号说明
11 基材膜层、12 热固化性粘接层、21 晶片、22 突起电极、30 保护带、31 热塑性树脂层、32 基材膜层。

Claims (7)

1.热固化性粘接片，其具有由树脂组合物形成的热固化性粘接层，所述树脂组合物含有填料和包含(甲基)丙烯酸酯和聚合引发剂的树脂成分，
上述(甲基)丙烯酸酯包含固形(甲基)丙烯酸酯和三官能以上的(甲基)丙烯酸酯，
上述固形(甲基)丙烯酸酯是作为25℃下为固体状的(甲基)丙烯酸酯的双酚型环氧(甲基)丙烯酸酯，
上述树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为70wt％以上，
上述树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以上述(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.7E-03以上且5.0E-02以下，
上述填料的掺混量相对于树脂成分100质量份为80～220质量份。
2.权利要求1所述的热固化性粘接片，其中，上述(甲基)丙烯酸酯的重均分子量为200～50000。
3.权利要求1或2所述的热固化性粘接片，其中，上述树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率为90wt％以上。
4.权利要求1或2所述的热固化性粘接片，其中，上述填料包含黑色颜料。
5.权利要求3所述的热固化性粘接片，其中，上述填料包含黑色颜料。
6.半导体装置的制造方法，其具有下述的工序：
研磨半导体晶片的研磨工序；
将热固化性粘接片粘贴于上述半导体晶片的研磨面的热固化性粘接片粘贴工序；
使上述热固化性粘接片固化，从而使上述半导体晶片的翘曲量减少的固化工序；
将切割带粘贴于上述半导体晶片的热固化性粘接片面的切割带粘贴工序；和
将粘贴有切割带的晶片进行切割处理，获得单个片的半导体芯片的切割处理工序，
上述热固化性粘接片具有由树脂组合物形成的热固化性粘接层，所述树脂组合物含有填料和包含(甲基)丙烯酸酯和聚合引发剂的树脂成分，
上述(甲基)丙烯酸酯包含固形(甲基)丙烯酸酯和三官能以上的(甲基)丙烯酸酯，
上述固形(甲基)丙烯酸酯是作为25℃下为固体状的(甲基)丙烯酸酯的双酚型环氧(甲基)丙烯酸酯，
上述树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为70wt％以上，
上述树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以上述(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.7E-03以上且5.0E-02以下，
上述填料的掺混量相对于树脂成分100质量份为80～220质量份。
7.权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，在上述研磨工序中，研磨至厚度成为200μm以下。
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