WO2019143076A1 - 백 그라인딩 테이프 - Google Patents

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WO2019143076A1
WO2019143076A1 PCT/KR2019/000486 KR2019000486W WO2019143076A1 WO 2019143076 A1 WO2019143076 A1 WO 2019143076A1 KR 2019000486 W KR2019000486 W KR 2019000486W WO 2019143076 A1 WO2019143076 A1 WO 2019143076A1
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resin
grinding tape
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김세라
이광주
연보라
박성찬
김은영
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주식회사 엘지화학
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Definitions

  • the present invention relates to a back grinding tape.
  • Such a back grinding process which is easy to assemble by thinning the thickness of the chip by grinding the back surface of the wafer with a polishing wheel composed of fine diamond particles, is essentially performed in accordance with the demand for enlargement and thinning of the semiconductor, of and the frequent damage of the large amount of silicon residue (Dust) and particles (particle) wafer, such as contamination and cracking due to thereby the semiconductor wafer surface protecting adhesive film to turn back Gras per tape (back Grinding tape)
  • the role is becoming more important.
  • the adhesive film used in the process of grinding the wafer to a thickness of about 100 urn is required to have a thickness of about 50 m
  • the creep deformation of the adhesive tape is high, which may cause problems such as misalignment of the die after grinding.
  • the present invention also provides a grinding method of a wafer using the back grinding tape.
  • a polymer substrate comprising (Meth) acrylate resin containing 30 to 60 % by weight of a repeating unit derived from a monomer or an oligomer having a glass transition temperature of not lower than 01 : 1 , and the glass of the pressure-sensitive adhesive layer
  • a back grinding tape having a transition temperature of -201 : to- 101 : is provided. Further, in this specification, a method of grinding a wafer using the back grinding tape is provided.
  • (Meth) acrylate resin wherein the adhesive layer has a glass transition temperature of from -20 : 1 to 10 : 1 .
  • the inventors of the present invention conducted research on a back grinding tape comprising a polymer base material and an adhesive layer, and found that the above-mentioned pressure-sensitive adhesive layer contains 30 to 60 % by weight of repeating units derived from monomers or oligomers having a glass transition temperature of at least 01 ) Acrylate resin, has a glass transition temperature of -20 to 101 : 1, and is easy to grind a wafer having a thin thickness of about 50 m 2019/143076 1 »(1 ⁇ 1 ⁇ 2019/000486
  • the adhesive layer has a glass transition temperature of -201: to 101:
  • the adhesive layer is a cream of 10 to 30% under the above conditions (: scraping! )), It is possible to prevent the alignment of the die from being broken after the backgrinding process.
  • the modulus of the adhesive layer may be low, causing the 15 alignment of the die to be distorted or adhesive residue to be formed on the semiconductor circuit surface.
  • the deformation of the creep 661 refers to a deformation of a material with respect to a time when a constant force is applied to a predetermined material for a long time, and the deformation also tends to increase with time.
  • the back grinding tape of this embodiment can exhibit a creep strain rate of as low as 20 levels including the above-mentioned adhesive layer,
  • the die shift occurs.
  • the pressure-sensitive adhesive layer preferably contains 30 to 60 % by weight of a repeating unit derived from a monomer or oligomer having a glass transition temperature of at least 01 :
  • Or oligomer is 01: to 1001: it can have any glass transition temperature.
  • the (meth) acrylate resin may contain, in addition to the repeating unit derived from a monomer or oligomer having a glass transition temperature of 0 C or more, a (meth) acrylate-based repeating unit having an alkyl group having 2 to 12 carbon atoms or a (Meth) acrylate-based repeating unit.
  • the (meth) acrylate resin preferably contains 30 to 60 % by weight of a repeating unit derived from a monomer or oligomer having a glass transition temperature of 0 C or higher ; And it can contain a number of carbon atoms having an alkyl group of 2 to 12 (meth) acrylate-based repeating unit, or crosslinking a (meth) acrylate-based repeating unit of 40 to 70% by weight having a functional group.
  • the carbon number of 2 to 12 with the alkyl (meth) acrylate-based repeating unit is cyclopentyl (meth) acrylate, n- butyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, haeksil (meth) acrylate, n- octyl ( meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, 2-ethyl haeksil (meth) arc butyral acrylate, dodecyl (meth) acrylate or dodecyl (meth) derived from a monomer or an oligomer on a selected one kind from the group consisting of acrylate It can be a unit of a half unit.
  • the (meth) acrylate-based repeating unit containing a crosslinkable functional group examples include a (meth) acrylate-based repeating unit containing a hydroxyl group carboxyl group, a nitrogen-containing functional group, and the like.
  • the (meth) acrylate-based repeating unit may be derived from a (meth) acrylate-based monomer containing the crosslinkable functional group.
  • Examples of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate monomer include 2 -hydroxyethyl (meth) acrylate and 2 -hydroxypropyl (meth) acrylate.
  • Examples of the acrylate monomer include (meth) acrylic acid, and examples of the (meth) acrylate monomer containing a nitrogen-containing functional group include (meth) acrylonitrile N -vinylpyrrolidone or N- Vinyl caprolactam, and the like, but are not limited thereto. 2019/143076 1 »(1 ⁇ 1 ⁇ 2019/000486
  • the (meth) acrylate resins may be only 100 manil 20 to the 100,000 to 1.5 million, preferably a weight average molecular weight.
  • the (meth) If the weight average molecular weight of the acrylate resin is less than 100 002 residue on the adherend at the time of peeling the coating properties or cohesive strength is lowered namgeona, or cause the pressure-sensitive adhesive lead to fracture phenomena 5. If the weight-average molecular weight of the (meth) acrylate resin exceeds 1.5 million, the viscosity of the composition is too high to introduce a diluting solvent in an excess amount,
  • the adhesive layer may include an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive or a thermosetting pressure sensitive adhesive.
  • an ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive When an ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive is used, ultraviolet rays are irradiated to increase the cohesive force and the glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive 10 to lower the adhesive strength, and in the case of the thermosetting type pressure-
  • the (meth) acrylate-based resin may further include a vinyl acetate, styrene or acrylonitrile carbon-carbon double bond-containing user molecular weight compound and the like from the viewpoint of improvement of other functions such as compatibility.
  • the adhesive layer may further comprise a polyfunctional (meth) acrylate compound.
  • the polyfunctional (meth) acrylate compound has a weight average molecular weight of 100 to 100,000 , and at least one selected from the group consisting of a polyfunctional urethane (meth) acrylate and a polyfunctional (meth) acrylate monomer or an oligomer You can include it.
  • the content of the polyfunctional (meth) acrylate compound may be 5 parts by weight to 400 parts by weight, preferably 10 parts by weight to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the (meth) acrylate resin. If the content of the polyfunctional 25 (meth) acrylate compound is less than 5 parts by weight, the adhesive strength after curing may be insufficient, and if the content of the polyfunctional (meth) acrylate compound exceeds 400 parts by weight, May be lacking in cohesion.
  • the adhesive layer may further include a photoinitiator.
  • the type 30 of photoinitiator is also not particularly limited, and the use of common initiators known in the art 2019/143076 1 »(1 ⁇ 1 ⁇ 2019/000486
  • the content thereof may be 0.05 part by weight to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyfunctional (meth) acrylate compound. If the content of the photoinitiator is less than 0.05 part by weight, the curing reaction by ultraviolet irradiation may be insufficient. If the content of the photoinitiator is more than 20 parts by weight, crosslinking reaction may occur in a short amount of 5 units or an unreacted ultraviolet curable compound may be generated to cause residues on the surface of the adherend or the peeling force after curing may be excessively low.
  • the adhesive layer may be further comprising an isocyanate compound an aziridine compound, an epoxy compound and at least one crosslinking agent selected from the group consisting of a metal chelate compound.
  • the cross-linking agent is a polyfunctional (meth) acrylate compound is 100 parts by weight, preferably 2 parts by weight to 40 parts by weight based on may be included in an amount of 2 parts by weight to 20 parts by weight. If the content is less than 2 parts by weight, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive may be insufficient. If the content is more than 20 parts by weight, the ultraviolet ray pre-adhesion may be insufficient.
  • the adhesive layer is a rosin resin, a terpene 0; can be further included 6 ⁇ 611 ⁇ 2) resin, a phenol resin, a tackifier on the selected one member from the group consisting of styrene resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, and an aliphatic-aromatic copolymer petroleum resin jereul.
  • the method of applying and drying the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, and for example, a composition containing the respective components
  • the thickness of the adhesive layer 25, are not greatly limited, for example, 5 _
  • the polymer substrate is not particularly limited, and examples of the polymer substrate include polyurethane, polyethylene terephthalate, low density polyethylene linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene,
  • the thickness of the polymer substrate is not particularly limited, but may be in the range of, for example, 10 pm to 500 pm . According to another embodiment of the present invention, a method of grinding a wafer using the back grinding tape 10 may be provided.
  • the back grinding tape is adhered to one surface of the semiconductor wafer and the semiconductor wafer can be ground. After the grinding process, the back grinding tape may be subjected to ultraviolet ray irradiation or heat treatment to peel off the back grinding tape.
  • the mode of using the back-grinding tape in the process of grinding a semiconductor wafer is not limited to a wide range.
  • the back-grinding tape may be attached to a half-cut circuit surface at room temperature to a thickness of 50 pm,
  • the back surface of the circuit surface can be ground by fixing the tape-attached surface to the vacuum table.
  • the back grinding tape may be removed from the ground wafer by irradiating the back grinding tape with UV A 500 at 20 mJ / cm or more.
  • the present invention it is possible to easily apply the present invention to a process for grinding a wafer having a thin thickness, and to keep the creep 25 deformat ion of the adhesive tape at a low level, thereby preventing problems such as misalignment of the die after grinding And a grinding method of a wafer using the back grinding tape can be provided.
  • Chain transfer agent (CTA: chain transfer a gent) of n-DDM 400 pm, and as a solvent of ethyl acetate (EAc) 100 parts by weight of In, and at least 30 minutes at 30 ° C and injected with nitrogen to remove oxygen in the reactor And sufficiently mixed. Thereafter, the temperature was maintained at 50 ° C, and a concentration of 300 ppm of a reaction initiator, V-70 [2,2'-Azobis (4-methox y-2,4-dimethylvaleronitrile )
  • DBTDL dibut yl tin di laurate
  • a reaction was carried out at 40 ° C for 24 hours to introduce an ultraviolet curing agent into the side chain of the polymer in the first reaction product to prepare a 20 (meth) acrylate-based polymer resin (weight average molecular weight: about 900,000 g / mol) .
  • Example 1 The Preparation Example 1 of the (meth) the Second one isocyanate curing agent in an acrylate-based polymer resin, 100 I 78, and photo-initiator (13 184) 3 ⁇ to prepare a pressure-sensitive adhesive composition by mixing.
  • the pressure-sensitive adhesive composition was applied to the release-treated thickness of 38 cm and dried at 110 ° C for 3 minutes to obtain a pressure- Comparative Example 1
  • the pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release-treated PET having a thickness of 38 ⁇ m and dried at 110 ° C. for 3 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 20 ⁇ (glass transition temperature Tg -55 ° C).
  • the exemplary creep (creep) strain was measured when the fall of examples and comparative strength of 20,00 0 Pa at 90 ° C with respect to the example pressure-sensitive adhesive layer.
  • the pressure-sensitive adhesive layers of Examples and Comparative Examples were formed to have a thickness of 1 mm or more and then measured using ARES-G2 manufactured by TA Instruments. 8 _ 20 in the stainless steel plate 90 ° C using the applying a force of 20,000 Pa for 100 seconds to measure the cream (creep) strain of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • Experimental Example 2 Wafer grinding test

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Abstract

본 발명은, 고분자 기재; 및 점착층; 을 포함하고, 상기 점착층은 유리 전이 온도가 0 °C 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위를 30 내지 60중량% 포함하는 (메트) 아크릴레이트 수지를 포함하고, 상기 점착층의 유리 전이 온도가 -20 °C 내지 10 °C인 백 그라인딩 테이프와 백 그라인딩 테이프를 이용한 웨이퍼의 연삭 방법에 관한 것이다.

Description

【발명의 명칭】
백 그라인딩 테이프
【기술분야】
관련출원 (들)과의 상호인용
본 출원은 2018년 1월 22일자 한국특허출원 제 10-2018-0007963호 및
2019년 1월 8일자 한국특허출원 제 10-2019-0002459호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며， 해당 한국 특허 출원들의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
본발명은백 그라인딩 테이프에 관한것이다.
【발명의 배경이 되는기술】
최근 전자기기의 소형화, 고기능화， 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화， 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커지고 있다. 이를 반영하여, 반도체 칩 크기가 점점 커지고,동시에 칩의 두께는 얇아지며 회로의 집적도는 높아지고 있다. 그런데， 반도체 칩 자체의 모듈러스는 낮아져서 제조 공정이나 최종 제품의 신뢰성에 문제점을 야기하고 있다.
이러한， 반도체의 대형화 및 박형화의 요구에 따라, 웨이퍼 후면을 미세한 다이아몬드 입자로 구성된 연마훨로 갈아 칩의 두께를 얇게 함으로써 조립을 용이하게 하는 연삭(Back Grinding) 공정이 필수적으로 수행되는데, 상기 연삭 공정 중 다량의 실리콘 잔여물(Dust) 및 파티클(Particle)에 의한 오염과 균열 발생과 같은 웨이퍼의 손상이 빈번히 발생하고 있다.이에 따라 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 도는 백 그라인당 테입 (Back Grinding Tape)의 역할이 더욱 중요시되고 있다.
반도체 소자가 보자 소형화 및 박형화 되면서 웨이퍼 (wafer)를 기존보다 더 얇은 두께까지 연삭하여야 하는 공정이 요구되며, 이에 따라 웨이퍼를 100 urn 내외의 두께로 연삭하는 공정에서 사용하는 점착 필름을 50 m 내외의 두께로 웨이퍼를 연삭하는 공정에 적용하는 경우， 점착 테이프의 크리프 변형 (creep deformation)이 높아서, 연삭 이후에 다이의 얼라이먼트가 틀어지는등의 문제가 발생할수 있다.
【발명의 내용】 2019/143076 1»（：1^1{2019/000486
【해결하고자하는 과제】
본 발명은， 얇은 두께를 갖는 웨이퍼를 연삭하는 공정에 용이하게
Figure imgf000003_0001
수준으로 유지하여 연삭 이후에 다이의 얼라이먼트가 틀어지는 등의 문제를 방지할수 있는 백 그라인딩 테이프를 제공하기 위한 것이다.
또한， 본 발명은 상기 백 그라인딩 테이프를 이용한 웨이퍼의 연삭 방법을 제공하기 위한 것이다.
【과제의 해결 수단】
본명세서에서는, 고분자기재; 및 점착증;을포함하고, 상기 점착증은 유리 전이 온도가 01： 이상인 단량체 또는올리고머로부터 유래한반복단위를 30 내지 60중량% 포함하는 （메트）아크릴레이트 수지를 포함하고, 상기 점착층의 유리 전이 온도가 -201： 내지 101：인 백 그라인딩 테이프가제공된다. 또한， 본 명세서에서는, 상기 백 그라인딩 테이프를 이용한 웨이퍼의 연삭방법이 제공된다.
이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 백 그라인딩 테이프 및 웨이퍼 연삭방법에 대하여 보다구체적으로설명하기로한다.
Figure imgf000003_0002
（메타）크릴레이트［（11161；11）3（： 1 6］를모두포함하는의미이다. 상술한 바와 같이， 발명의 일 구현예에 따르면, 고분자 기재; 및 점착층 ;을포함하고 , 상가점착층은유리 전이 온도가얘 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위를 30 내지 60중량% 포함하는
（메트）아크릴레이트수지를포함하고， 상기 점착층의 유리 전이 온도가 -201： 내지 10 인 백그라인딩 테이프가제공될수 있다.
본 발명자들은 고분자 기재 및 점착층을 포함하는 백 그라인딩 테이프에 관한연구를진행하여, 상기 점착층이 유리 전이 온도가 01： 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위를 30 내지 60중량% 포함하는 （메트）아크릴레이트 수지를 포함하고， -20 내지 101：의 유리 전이 온도를 갖으며， 50 m 내외의 얇은 두께를 갖는 웨이퍼를 연삭하는 공정에 용이하게 2019/143076 1»（：1^1{2019/000486
Figure imgf000004_0001
수준으로 유지하여 연삭 이후에 다이의 얼라이먼트가 틀어지는 등의 문제를 방지할수있다는점을실험을통하여 확인하고발명을완성하였다.
보다구체적으로, 상기 점착층이 -201： 내지 101：의 유리 전이 온도를
Figure imgf000004_0002
공정에서 이면 연삭시 연마훨에 의해 받는수평방향의 힘에 대응될수 있으며， 상기 점착층이 상기 조건에서 10 내지 30%의 크림（: 근근!）） 변형을 가짐에 따라서 백 그라인딩 공정 후 다이의 얼라인먼트가 틀어지는 것을 방지할 수 10 있다.
상기 점착층에 대하여 90（：에서 20,000 의 힘을가할때 크립 !）） 변형이 10%미만이면, 점착층의 모듈러스가높아부착안정성이 저하되어 공정
Figure imgf000004_0003
가할 때 크림（ 661）） 변형이 30%초과이면, 점착층의 모듈러스가낮아다이의 15 얼라인먼트가틀어지거나반도체 회로면에 점착제 잔사가발생할수있다.
상기 크립（ 661）） 변형은소정의 재료에 일정한힘을장시간가할때의 시간에 따른 재료의 변형을 의미하며， 시간이 진행될수록 변형도도 증가하는 경향을보인다.
상기 구현예의 백 그라인딩 테이프는 상술한 점착층을 포함하여 낮은 20 수준의 크립 변형율을 나타낼 수 있으며, 이에 따라 백그라인딩
Figure imgf000004_0004
가해지더라도 점착층의 변형이 그리 크지 않을 수 있으며, 백그라인딩 공정 03 1¾1· ） 중 웨이퍼에 가해지는 힘에 의한 다이 쉬프트（ 근- 七） 발생을억제할수있다.
25 상기 점착층은 유리 전이 온도가 01： 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위를 30 내지 60중량% 포함하는
（메트）아크릴레이트 수지를 포함함에 따라 -201： 내지 10°（：의 유리 전이
Figure imgf000004_0005
또는올리고머는 01： 내지 1001：의 유리 전이 온도를가질수 있다.
30 상기 유리 전이 온도가 01： 이상인 단량체 또는올리고머로의 구체적인 예로는 메틸 아크릴레이트， 아이소보닐 （메트）아크릴레이트（i sobornyl （meth）acrylate） , 및 사이클로핵실 （메트）아크릴레이트（hydroxycyc lohexyl （meth）acryl ate）로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을들수 있다. 또한， 상기 （메트）아크릴레이트 수지는 상기 유리 전이 온도가 0 C 이상인 단량체 또는올리고머로부터 유래한반복 단위와함께， 탄소수 2내지 12의 알킬기를가지는 （메트）아크릴레이트계 반복 단위 또는가교성 관능기를 함유한（메트）아크릴레이트계 반복단위를더 포함할수있다.
구체적으로 상기 （메트）아크릴레이트 수지는 유리 전이 온도가 0 C 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위 30 내지 60중량%; 및 탄소수 2 내지 12의 알킬기를 가지는 （메트）아크릴레이트계 반복 단위 또는 가교성 관능기를 함유한 （메트）아크릴레이트계 반복 단위 40 내지 70중량%를 포함할수있다.
상기 탄소수 2 내지 12의 알킬기를 가지는 （메트）아크릴레이트계 반복 단위는 펜틸 （메타）아크릴레이트， n-부틸 （메타）아크릴레이트 에틸 （메타）아크릴레이트， 핵실 （메타）아크릴레이트 n-옥틸 （메타）아크릴레이트 이소옥틸 （메타）아크릴레이트， 2 -에틸핵실 （메타）아크랄레이트， 도데실 （메타）아크릴레이트 또는 데실 （메타）아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 1종이상의 단량체또는올리고머로부터 유래한반복단위일수있다.
상기 가교성 관능기를 함유한 （메트）아크릴레이트계 반복 단위의 구체적인 예로는 히드록시기 카복실기， 질소를 포함한 작용기 등을 함유한 （메트）아크릴레이트계 반복 단위를 들 수 있으며 상기 가교성 관능기를 함유한 （메트）아크릴레이트계 반복 단위는 상기 가교성 관능기를 함유한 （메트）아크릴레이트계 단량체로부터 유래할수있다.
이 때 히드록실기 함유 （메트）아크릴레이트계 단량체의 예로는， 2- 히드록시에틸 （메타）아크릴레이트 또는 2 -히드록시프로필 （메타）아크릴레이트 등을 들 수 있고， 카복실기 함유 （메트）아크릴레이트계 단량체의 예로는， （메타）아크릴산 등을 들 수 있으며， 질소를 포함한 작용기를 함유한 （메트）아크릴레이트계 단량체의 예로는 （메타）아크릴로니트릴 N-비닐 피롤리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있으나， 이에 제한되는 것은 아니다. 2019/143076 1»（：1^1{2019/000486
상기에서 （메트）아크릴레이트 수지는 중량평균분자량이 10만 내지 150만， 바람직하게는 20만 내지 100만일 수 있다. 상기 （메트）아크릴레이트 수지의 중량평균분자량이 10만 미만이면 코팅성 또는 응집력이 저하되어 박리 시에 피착체에 잔여물이 남거나， 또는점착제 파괴 현상이 일어날우려가 5 있다. 또한 상기 （메트）아크릴레이트 수지의 중량평균분자량이 150만을 초과하면， 점도가높아 희석 용제를 과량 투입해야 하며 코팅성이 저하될 수 있다
한편, 상기 점착층은 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 포함할수 있다. 자외선 경화형 점착제를사용할경우에는자외선을조사하여, 10 점착제의 응집력 및 유리전이온도를 올려 점착력을 저하시키고 열경화형 점착제의 경우는온도를가하여 점착력을저하시킨다.
상기 （메타）아크릴레이트계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서， 초산비닐, 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 탄소-탄소 이중결합함유저분자량화합물등이 추가로포함될수있다.
15 상기 점착층은다관능 （메트）아크릴레이트화합물를더 포함할수 있다.
상기 다관능 （메트）아크릴레이트 화합물은 100 내지 100, 000의 중량평균분자량을 가지며， 다관능성 우레탄 （메트）아크릴레이트 및 다관능성 （메트）아크릴레이트 단량체 또는 올리고머으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을포함할수있다.
Figure imgf000006_0001
평균분자량이다.
상기 다관능 （메트）아크릴레이트 화합물의 함량은 상기 （메트）아크릴레이트 수지 100 중량부에 대하여， 5 중량부 내지 400 중량부 바람직하게는 10 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 상기 다관능 25 （메트）아크릴레이트 화합물의 함량이 5 중량부 미만아면 경화 후 점착력 저하가 충분하지 않을 수 있고 상기 상기 다관능 （메트）아크릴레이트 화합물의 함량이 400 중량부를 초과하면 자외선 조사 전 점착제의 응집력이 부족할수 있다.
상기 점착층은 광개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 광개시제의 종류 30 역시 특별히 한정되지 않고， 이 분야에서 알려진 일반적인 개시제의 사용이 2019/143076 1»（：1^1{2019/000486
가능하며 그 함량은 상기 다관능 （메트）아크릴레이트 화합물 100 중량부에 대하여 0.05중량부내지 20중량부일 수 있다. 상기 광개시제의 함량이 0.05 중량부 미만이면， 자외선 조사에 의한 경화 반응이 부족할 수 있다. 상기 광개시제의 함량이 20 중량부를 초과하면 경화 과정에는 가교 반응이 짧은 5 단위로 일어나거나 미반응 자외선 경화형 화합물이 발생하여 피착체 표면의 잔사에 원인이 되거나경화후박리력이 지나치게 낮아질수있다.
상기 점착층은 이소시아네이트계 화합물 아지리딘계 화합물， 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 가교제를더 포함할수있다.
10 상기 가교제는 상기 다관능 （메트）아크릴레이트 화합물 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 40 중량부 바람직하게는 2 중량부 내지 20 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 2 중량부 미만이면， 점착제의 응집력이 부족할우려가 있고， 20중량부를초과하면， 자외선 조사전 점착력이 부족할 수있다.
15 상기 점착층은 로진 수지， 터펜 0；6印61½） 수지 페놀 수지， 스티렌 수지 지방족 석유 수지， 방향족 석유 수지 및 지방족 방향족 공중합 석유 수지로이루어진군에서 선택된 1종이상의 점착부여제를더 포함할수있다. 상기 점착층을 형성하는 점착제 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며， 예를 들면 상기 각각의 성분을 포함하는 조성물을
20 그대로， 또는 적당한 유기용제에 희석하여 콤마 코터 그라비아코터 다이 코터 또는 리버스코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후， 60 내지 2001：의 온도에서 10초 내지 30분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한 상기 과정에서는 점착제의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한
Figure imgf000007_0001
25 상기 점착층의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 5 _
Figure imgf000007_0002
한편， 상기 고분자 기재가 구체적으로 한정되는 것은 아니며， 예를 드렁 상기 고분자 기재는 폴리우레탄， 폴리에틸렌테레프탈레이트， 저밀도 폴리에틸렌 선형 폴리에틸렌， 중밀도 폴리에틸렌， 고밀도 폴리에틸렌，
30 초저밀도 폴리에틸렌 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체， 폴리프로필렌의 블록 공중합체 호모폴리프로필렌， 폴리메틸펜텐 polymethylpentene) 에틸렌- 초산비닐 공중합체 에틸렌-메타크릴산 공중합체 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체 에틸렌-아이오노머 공중합체 에틸렌-비닐알코올 공중합체 및 폴리부텐 스티렌의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 5 수지를포함할수있다.
상기 고분자 기재의 의 두께가크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 10 pm내지 500 _의 범위일수있다. 한편 발명의 다른 구현예에 따르면， 상기 백 그라인딩 테이프를 10 이용한웨이퍼의 연삭방법이 제공될수있다.
상기 백 그라인딩 테이프를반도체 웨이퍼의 일면에 점착시킨상태에서 반도체의 웨이퍼의 연삭공정이 진행될 수 있다. 상기 연삭공정 이후에 상기 백 그라인딩 테이프에 대하여 자외선 조사 또는 가열 처리 등을 하여 이를 박리할수있다.
15 반도체의 웨이퍼의 연삭공정에서 상기 백 그라인딩 테이프를사용하는 양태가크게 한정되는 것은 아니지만， 예를 들어 상기 백 그라인딩 테이프를 상온에서 50 pm 두께까지 하프-컷 된 회로 면에 부착한 후 백 그라이딩 테이프가 부착된 면을 진공 테이블에 고정하여 회로 면의 이면을 연삭할 수 있다. 그리고， 상기 연삭된 웨이퍼에 대하여 백 그라이딩 테이프에 UV A 500 20 mJ/cm 이상 조사하는 방법을 통하여 상기 백 그라인딩 테이프를 제거할 수 있다.
【발명의 효과】
본 발명에 따르면 얇은 두께를 갖는 웨이퍼를 연삭하는 공정에 용이하게 적용될 수 있으며， 점착 테이프의 크리프 변형 creep 25 deformat ion)을 낮은 수준으로 유지하여 연삭 이후에 다이의 얼라이먼트가 틀어지는 등의 문제를 방지할 수 있는 백 그라인딩 테이프와， 상기 백 그라인딩 테이프를이용한웨이퍼의 연삭방법이 제공될수 있다.
【발명을실시하기 위한구체적인내용】
발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단 하기의 30 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐， 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
［제조예: (메트)아크릴레이트수지의 제조］
제조예1
5 질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 하기 2-에틸핵실 아크릴레이트(2-EHA) 27g, 메틸 아크릴레이트(MA, 유리전이온도 86 °C) 48g와 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 25g로 구성되는 단량체들의 혼합물을투입하였다.
이어서， 상기 단량체 혼합물 100중량부를 기준으로
10 사슬이동제 (CTA: chain transfer agent )인 n-DDM 400pm과 용제로써 에틸아세테이트 (EAc) 100중량부를 투입하고， 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30°C에서 30분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도는 50°C로 상승 유지하고， 반응개시제인 V-70［2,2'-Azobis(4- methoxy-2 , 4-dimethyl valeroni tr i le)］ 300ppm의 농도를 투입하고 반응을
15 개시시킨후 24시간중합하여 1차반응물을제조하였다.
상기 1차 반응물에 2 -메타크로일옥시에틸이소시아네이트 (M0I) 24.6중량부 (1차 반응물 내의 HEA에 대하여 70몰%) 및 M0I 대비 1중량%의 촉매 (DBTDL: dibutyl tin di laurate)를 배합하고， 40°C에서 24시간 동안 반응시켜 1차 반응물 내의 중합체 측쇄에 자외선 경화기를 도입하여 20 (메타)아크릴레이트계 고분자 수지 (중량평균분자량: 약 90만 g/mol )를 제조하였다. 제조예 2
2 -에틸핵실 아크릴레이트 (2-EHA) 27g 히드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 25 25g로구성되는단량체들의 혼합물을투입한점을제외하고, 제조예 1과동일한 방법으로 (메타)아크릴레이트계 고분자 수지 (중량평균분자량: 약 90만 g/mol )를제조하였다.
［실시예및비교예: 백그라인딩 테이프의 제조］
30 실시예 1 상기 제조예 1의 （메타）아크릴레이트계 고분자 수지 100 요에 1이계 이소시아네이트 경화제 7 8， 및 광개시제（1 3대 184） 3 §을 혼합하여 점착제 조성물을 제조하였다. 상기 점착제 조성물을 이형 처리된 두께 38™의 묘에 도포하고， 110°（:에서 3분 동안 건조하여 두께 20™인
Figure imgf000010_0001
비교예 1
상기 제조예 2의 （메타）아크릴레이트계 고분자 수지 100 g에 TDI계 이소시아네이트 경화제 7 g, 및 광개시제（Irgacure 184） 3 용을 혼합하여 10 점착제 조성물을 제조하였다. 상기 점착제 조성물을 이형 처리된 두께 38um의 PET에 도포하고， 110°C에서 3분 동안 건조하여 두께 20·인 점착제층（유리전이온도 Tg -55°C）을형성하였다.
［실험예］
15 실험예 1: Creep측정 방법
상기 실시예 및 비교예의 점착제층에 대하여 90°C에서 20,000 Pa의 힘을가할때 크립（creep） 변형을측정하였다.
보다 구체적으로， 상기 실시예 및 비교예의 점착제층을 lmm 이상의 두께로 형성한 후 TA instruments社 ARES-G2를 사용하여 측정하였다 . 8 _ 20 stainless steel plate를 사용하여 90°C에서 20,000 Pa의 힘을 100초 동안 가하여， 점착제층의 크림（creep） 변형을측정하였다. 실험예 2: 웨이퍼의 연삭테스트
상기 실시예 및 비교예의 점착제이 사용된 백 그라인딩 테이프각각을 25 이용해서， 50 um 두께로 하프컷이 실시된 반도체 회로면에 백 그라인딩 테이프를 부착한 후 780 um의 웨이퍼를 50 um 두께까지 이면 연삭을 실시하였다. UV A 500 / 을 조사하여 백 그라인딩 테이프를 제거한 후 그라인딩 전，후다이의 얼라인먼트를비교하였다.
30 【표 1】 2019/143076 1»（：1^1{2019/000486
Figure imgf000011_0002
상기 표 1에서 확인되는 바와 같이， 실시예 1의 백 그라인딩 테이프의
Figure imgf000011_0001
이고그라인딩 전，후다이의 얼라인먼트가틀어지지 않는다는점이 확인되었다. 이에 반해서, 비교예 1의 백 그라인딩 테이프의 점착층 에 대하여 90亡에서 20,000 크의 힘을 가할 때 크립 ( : 변형이 100% 이고 그라인딩 전，후다이의 얼라인먼트가틀어져 다이가깨진다는점이 확인되었다.

Claims

2019/143076 1»（：1^1{2019/000486
【청구범위】
【청구항 11
고분자기재; 및 점착층;을포함하고,
상기 점착층은 유리 전이 온도가 01： 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위를 30 내지 60중량% 포함하는
（메트）아크릴레이트수지를포함하고，
상기 점착층의 유리 전이 온도가 -201： 내지 10°（：인， 백 그라인딩 테이프.
【청구항 2]
제 1항에 있어서,
상기 유리 전이 온도가 01： 이상인 단량체 또는 올리고머는 메틸 아크릴레이트， 아이소보닐 （메트）아크릴레이
Figure imgf000012_0001
（11161；]1）3 71 6） , 및 사이클로핵실 （메트）아크릴레이트（1¾선1 0 10116 1 （0161；]1）3（： 1 6）로 이루어진군에서 선택된 1종이상의 화합물을포함하는， 백 그라인딩 테이프.
【청구항 3]
제 1항에 있어서,
상기 （메트）아크릴레이트 수지는 상기 유리 전이 온도가 0 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위와 함께， 탄소수 2 내지 12의 알킬기를 가지는 （메트）아크릴레이트계 반복 단위 또는 가교성 관능기를 함유한（메트）아크릴레이트계 반복단위를더 포함하는,
백그라인딩 테이프.
【청구항 4]
제 3항에 있어서，
상기 （메트）아크릴레이트 수지는 유리 전이 온도가 0公 이상인 단량체 또는올리고머로부터 유래한반복단위 30내지 60중량%; 및
탄소수 2 내지 12의 알킬기를 가지는 （메트）아크릴레이트계 반복 단위 또는 가교성 관능기를 함유한 （메트）아크릴레이트계 반복 단위 40 내지 2019/143076 1»（：1^1{2019/000486
70중량%를포함하는, 백 그라인딩 테이프.
【청구항 5]
제 1항에 있어서，
Figure imgf000013_0001
변형이 10내지 30%인， 백 그라인딩 테이프.
【청구항 6]
제 1항에 있어서，
10 상기 점착층은 다관능 （메트）아크릴레이트 화합물를 더 포함하는, 백 그라인딩 테이프.
【청구항 7]
제 6항에 있어서，
15 상기 다관능 （메트）아크릴레이트 화합물은 100 내지 100, 000의 중량평균분자량을 가지며 다관능성 우레탄 （메트）아크릴레이트 및 다관능성 （메트）아크릴레이트 단량체 또는 올리고머으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을포함하는， 백 그라인딩 테이프.
20
【청구항 8]
제 1항에 있어서
상기 점착층은광개시제，
이소시아네이트계 화합물 아지리딘계 화합물 에폭시계 화합물 및 금속킬레이트계 화합물로이루어진군에서 선택된 1종이상의 가교제，
25 또는
로진수지， 터펜 대6 ½） 수지 페놀수지 스티렌수지， 지방족석유 수지, 방향족 석유 수지 및 지방족 방향족 공중합 석유 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종이상의 점착부여제를더 포함하는 백그라인딩 테이프.
30
【청구항 9] 2019/143076 1»（：1^1{2019/000486
제 1항에 있어서,
상기 고분자 기재는 저밀도 폴리에틸렌， 선형 폴리에틸렌， 중밀도 폴리에틸렌， 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체， 폴리프로필렌의 블록 공중합체， 호모폴리프로필렌， 폴리메틸펜텐 (1)01，61；1 1?61 6116 ) , 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌- 메타크릴산 공중합체 , 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체 , 에틸렌- 아이오노머 공중합체 , 에틸렌-비닐알코올 공중합체 및 폴리부텐， 스티렌의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 수지를 포함하는, 백 그라인딩 테이프.
【청구항 10】
제 1항의 백그라인딩 테이프를이용한웨이퍼의 연삭방법.
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