JP2017110055A - 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017110055A
JP2017110055A JP2015243651A JP2015243651A JP2017110055A JP 2017110055 A JP2017110055 A JP 2017110055A JP 2015243651 A JP2015243651 A JP 2015243651A JP 2015243651 A JP2015243651 A JP 2015243651A JP 2017110055 A JP2017110055 A JP 2017110055A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acrylate
meth
resin component
thermosetting adhesive
adhesive sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015243651A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6791626B2 (ja
Inventor
大地 森
Daichi Mori
大地 森
朋之 石松
Tomoyuki Ishimatsu
朋之 石松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Dexerials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dexerials Corp filed Critical Dexerials Corp
Priority to JP2015243651A priority Critical patent/JP6791626B2/ja
Priority to TW105141138A priority patent/TWI732806B/zh
Priority to KR1020187008663A priority patent/KR102032664B1/ko
Priority to CN201680070276.4A priority patent/CN108291116B/zh
Priority to PCT/JP2016/087089 priority patent/WO2017104669A1/ja
Priority to US15/768,197 priority patent/US10273386B2/en
Publication of JP2017110055A publication Critical patent/JP2017110055A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6791626B2 publication Critical patent/JP6791626B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】半導体ウエハの反りを低減するとともに、チッピングの発生を低減することができる熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】熱硬化性接着シートは、（メタ）アクリレートと、重合開始剤とを含む樹脂成分と、フィラーとを含有する熱硬化性接着剤層を有し、（メタ）アクリレートが、固形（メタ）アクリレートと、３官能以上の（メタ）アクリレートとを含み、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率が、５５ｗｔ％以上であり、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和が、２．７Ｅ−０３以上であり、フィラーの配合量が、樹脂成分１００質量部に対して８０〜２２０質量部である樹脂組成物から形成された熱硬化性接着層を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ダイシング工程時のクラックを防止するために、半導体ウエハを補強する熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体チップ製造工程において、ダイシング（個別化）工程は、半導体ウエハに対して多大なストレスを与える。このため、半導体ウエハにチッピングと呼ばれるクラックが発生し、不良率が高くなることがある。
こうした問題を未然に防ぐ目的で、ダイシング工程の直前（バックグラインド後）に半導体ウエハを補強する熱硬化性接着シートを貼り合わせることが提案されている（例えば特許文献１参照。）。
しかしながら、半導体ウエハの薄型化に伴い、半導体ウエハの反り量が大きくなっているため、ダイシングテープの貼り合わせが困難となることがあった。
特開２００２−２８０３２９号公報
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、半導体ウエハの反りを低減するとともに、チッピングの発生を低減することができる熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法を提供する。
前述した課題を解決するために、本発明に係る熱硬化性接着シートは、（メタ）アクリレートと、重合開始剤とを含む樹脂成分と、フィラーとを含有する樹脂組成物から形成された熱硬化性接着層を有し、前記（メタ）アクリレートが、固形（メタ）アクリレートと、３官能以上の（メタ）アクリレートとを含み、前記樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率が、５５ｗｔ％以上であり、前記（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、前記樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和が、２．７Ｅ−０３以上であり、前記フィラーの配合量が、樹脂成分１００質量部に対して８０〜２２０質量部であることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハを研磨するグラインド工程と、前記半導体ウエハの研磨面に熱硬化性接着シートを貼付する熱硬化性接着シート貼付工程と、前記熱硬化性シートを硬化させ、前記半導体ウエハの反り量を低減させる硬化工程と、前記半導体ウエハの熱硬化性接着シート面にダイシングテープを貼付するダイシングテープ貼付工程と、ダイシングテープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程とを有し、前記熱硬化性接着シートが、（メタ）アクリレートと、重合開始剤とを含む樹脂成分と、フィラーとを含有する樹脂組成物から形成された熱硬化性接着層を有し、前記（メタ）アクリレートが、固形（メタ）アクリレートと、３官能以上の（メタ）アクリレートとを含み、前記樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率が、５５ｗｔ％以上であり、前記（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、前記樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和が、２．７Ｅ−０３以上であり、前記フィラーの配合量が、樹脂成分１００質量部に対して８０〜２２０質量部であることを特徴とする。
本発明によれば、半導体ウエハの研磨面に熱硬化性接着シートを貼り合わせて硬化させることにより、熱硬化性接着シートが収縮し、半導体ウエハの反りを低減させることができる。このため、ウエハを平坦化させた状態でダイシングが可能となるため、チッピングを低減させ、高品質な半導体装置を得ることができる。
図１は、熱硬化性接着シートの概略を示す断面図である。 図２は、ＢＧテープ貼付工程の概略を示す断面図である。 図３は、グラインド工程の概略を示す断面図である。 図４は、熱硬化性接着シート貼付工程の概略を示す断面図である。 図５は、ＢＧテープ剥離工程の概略を示す断面図である。 図６は、硬化工程の概略を示す断面図である。 図７は、ＤＣテープ貼付工程の概略を示す断面図である。 図８は、ダイシング処理工程の概略を示す断面図である。 図９は、エキスパンド工程の概略を示す断面図である。 図１０は、ピックアップ工程の概略を示す断面図である。 図１１は、実装工程の概略を示す断面図である。
以下、本発明の実施の形態について、下記順序にて詳細に説明する。
１．熱硬化性接着シート
２．半導体装置の製造方法
３．実施例
＜１．熱硬化性接着シート＞
本実施の形態に係る熱硬化性接着シートは、半導体ウエハをダイシングする際に、半導体ウエハの研磨面に貼り合わされる熱硬化性接着層を有し、ダイシング工程時にウエハを補強し、チッピングと呼ばれるクラックを防止する補強シートである。
図１は、熱硬化性接着シートの概略を示す断面図である。図１に示すように、熱硬化性接着シートは、基材フィルム層１１と、熱硬化性接着層１２とが積層されている。
基材フィルム層１１としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステルなどのプラスチックフィルムや、紙、布、不織布等からなる多孔質基材を用いることができる。
熱硬化性接着層１２は、（メタ）アクリレートと、重合開始剤とを含む樹脂成分と、フィラーとを含有する樹脂組成物から形成される。なお、本明細書において、（メタ）アクリレートとは、アクリル酸エステル（アクリレート）とメタクリル酸エステル（メタクリレート）とを包含する意味である。
（メタ）アクリレートとしては、単官能（メタ）アクリレート、２官能（メタ）アクリレート、３官能以上の（メタ）アクリレートを用いることができる。
単官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、ポリアルキレングリコールエステル単量体、直鎖又は分岐鎖アルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。ポリアルキレングリコールエステル単量体の具体例としては、例えば、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリブチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレートなどが挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。
２官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、ジメチロール−トリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡＥＯ変性ジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−アクリロイロキシプロピル（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（２００）ジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（４００）ジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、アルコキシ化ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、アルコキシ化シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化（４）ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化（１０）ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（６００）ジ（メタ）アクリレート、アルコキシ化ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジオキサングリコールジ（メタ）アクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジ（メタ）アクリレートなどが挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。これらの中でも、反応性、架橋性などの点から、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレートを好ましく使用することができる。市場で入手可能な２官能（メタ）アクリレートの具体例としては、新中村化学工業（株）の商品名「Ａ−ＤＣＰ」（トリシクロデカンジメタノールジアクリレート）などが挙げられる。
３官能以上の（メタ）アクリレートとしては、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ペンタエリストリールトリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ペンタエリストリールトリ（メタ）アクリレート、ε−カプロラクトン変性トリス−（−２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ε−カプロラクトン変性トリス（アクロキシエチル）（メタ）アクリレート、エトキシ化（２０）トリメチロールプロパントリア（メタ）クリレート、プロポキシ化（３）トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化（６）トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化（９）トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化（３）グリセリルトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化（４）ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、３官能〜９官能を有するウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。これらの中でも、反応性、架橋性などの点から、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートを好ましく使用することができる。市場で入手可能な３官能以上の（メタ）アクリレートの具体例としては、東亞合成（株）の商品名「Ｍ−３１５」（イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性ジアクリレートとイソシアヌル酸エチレンオキサイド変性トリアクリレートの混合物（イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性ジアクリレートの含有率が３％〜１３％）、根上工業（株）の商品名「ＵＮ−３３２０ＨＡ」（多官能ウレタンアクリレートオリゴマー）、「ＵＮ−６３０１」（脂肪族ウレタンアクリレートオリゴマー）などが挙げられる。
本実施の形態では、半導体ウエハの反りを低減させ、チッピングを低減させるため、（メタ）アクリレートとして、少なくとも、固形（メタ）アクリレートと、３官能以上の（メタ）アクリレートとを用いる。なお、本明細書において、固形（メタ）アクリレートとは、常温（２５℃）において固体状の（メタ）アクリレートであり、融点の観点から言え言えば５０℃を超えることを意味する。
固形（メタ）アクリレートとしては、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどの高分子量のものが挙げられ、結晶性が高く、その融点が５０℃以下であるものが好ましい。エポキシ（メタ）アクリレートは、例えば、エポキシ樹脂と、ビニル基含有モノカルボン酸とを反応させることで得ることができる。エポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などが挙げられ、ビニル基含有モノカルボン酸としては、例えば、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸の二量体、β−フルフリル（メタ）アクリル酸、β−スチリル（メタ）アクリル酸、桂皮酸などが挙げられる。これらの中でも、フィルム膜性の観点から、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂又はビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂と、（メタ）アクリル酸とを反応させて得られるビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレートを好ましく用いることができる。市場で入手可能な固形状のビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレートの具体例としては、昭和高分子（株）の商品名「ＶＲ−９０」、「ＶＲ−６０」などが挙げられる。
また、固形（メタ）アクリレートの重量平均分子量は、好ましくは５００〜１００００、より好ましくは８００〜３０００である。重量平均分子量が５００以上であるとフィルム性が向上する傾向にあり、１００００以下であるとタック性が向上する傾向にある。
また、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は、５５ｗｔ％以上であり、好ましくは６０ｗｔ％以上、より好ましくは７０ｗｔ％以上である。樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率が高くなるとウエハの反り制御性が向上する傾向にある。
（メタ）アクリレートは、形式的に２官能以上の（メタ）アクリロイル基を有しても、官能基数に対して分子量が著しく大きい場合、単官能アクリレートと性質が近似する傾向があり、ウエハの反り制御性が低下する。このため、多官能（メタ）アクリレートは、官能数を分子量で除した「単位分子量あたりの官能数」を考慮して選択することが好ましい。
本実施の形態では、単位分子量あたりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和である、平均架橋密度が所定値以上であることにより、熱硬化性接着層の収縮率が大きくなり、ウエハの反りをキャンセルさせることが可能となる。
すなわち、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は、２．７Ｅ−０３以上である。また、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和の上限は、５．０Ｅ−０２以下であることが好ましく、１．０Ｅ−０２以下であることがより好ましい。平均架橋密度が小さすぎると半導体ウエハの反りをキャンセルさせるのが困難となり、大きすぎると半導体ウエハとの密着性などの特性が劣化する傾向にある。
また、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は、好ましくは８５ｗｔ％以上であり、より好ましくは９０ｗｔ％以上である。樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は少なすぎると、半導体ウエハの反りをキャンセルさせるのが困難となり、多すぎるとシート特性が低下する傾向がある。
また、（メタ）アクリレートの重量平均分子量は、好ましくは１００〜１０００００、より好ましくは２００〜５００００である。重量平均分子量は小さすぎても大きすぎてもウエハの反り制御性が低下する傾向にある。
重合開始剤としては、ラジカル反応の開始剤である有機過酸化物を用いることができる。有機過酸化物の１分間半減期温度は、好ましくは１３０℃以下、より好ましくは８０℃以上１２０℃以下である。１分間半減期温度は大きすぎると大きい反応速度を得るのが困難となり、小さすぎると常温保管性が低下する傾向にある。
このような有機過酸化物としては、例えば、ジラウロイルパーオキサイド（１分間半減期温度：１１６．４℃）、ジベンゾイルパーオキサイド（１分間半減期温度：１３０．０℃）、ジ（４−メチルベンゾイル）パーオキサイド（１分間半減期温度：１２８．２℃）、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート（１分間半減期温度：１２４．３℃）、ジ（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド（１分間半減期温度：１１２．６℃）、ｔ−ブチルパーオキシピバレート（１分間半減期温度：１１０．３℃）、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート（１分間半減期温度：１０９．１℃）、ｔ−ブチルパーオキシネオヘプタノエート（１分間半減期温度：１０４．６℃）、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート（１分間半減期温度：１０３．５℃）、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート（１分間半減期温度：１００．９℃）、ジ（２−エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート（１分間半減期温度：９０．６℃）、ジ（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート（１分間半減期温度９２．１℃）、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート（１分間半減期温度：９２．１℃）、ジイソブチリルパーオキサイド（１分間半減期温度：８５．１℃）、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート（１分間半減期温度：８５．１℃）、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート（１分間半減期温度：８５．１℃）、クミルパーオキシネオデカノエート（１分間半減期温度：８５．１℃）などが挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。これらの中でも、反応性、架橋性などの点から、ジラウロイルパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエートを好ましく使用することができる。市場で入手可能なジラウロイルパーオキサイドの具体例としては、日油（株）の商品名「パーロイルＬ」などが挙げられる。
また、有機過酸化物の含有量は、（メタ）アクリレート８０質量部に対して０．１質量部以上２０質量部以下であることが好ましく、１質量部以上１０質量部以下であることがより好ましい。有機過酸化物の含有量は少なすぎると反応性が低下し、多すぎると製品ライフが低下する傾向にある。
また、樹脂成分は、エラストマー、フェノキシ樹脂などのポリマーを含んでもよい。エラストマーとしては、例えば、アクリル系エラストマー、ブタジエン系エラストマー、エチレン系エラストマー、プロピレン系エラストマー、スチレン系エラストマーなどが挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。これらの中でも、透明性に優れるアクリル系エラストマーを用いることが好ましい。市場で入手可能なアクリル系エラストマーの具体例としては、ナガセケムテックス（株）の商品名「ＳＧ−Ｐ３」などが挙げられる。また、フェノキシ樹脂としては、例えば、フルオレン型フェノキシ樹脂、ビスフェノール型フェノキシ樹脂、ノボラック型フェノキシ樹脂、ナフタレン型フェノキシ樹脂、ビフェニル型フェノキシ樹脂などが挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。
また、ポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは５０００以上１５００００以下、より好ましくは１００００以上８００００以下である。重量平均分子量（Ｍｗ）が小さすぎるとシート特性が低下する傾向があり、多すぎると他の成分との相溶性が悪くなる傾向がある。
また、樹脂成分中のポリマーの含有率は、好ましくは１５ｗｔ％以下、より好ましくは５％以下である。樹脂成分中のポリマーの含有率が高くなるとウエハの反り制御性が低下する傾向にある。
また、樹脂成分として、シランカップリング剤を添加することが好ましい。シランカップリング剤としては、（メタ）アクリル系、エポキシ系、アミノ系、メルカプト系、スルフィド系、ウレイド系などを用いることができるが、本実施の形態では、（メタ）アクリル系シランカップリング剤が好ましく用いられる。これにより、有機材料と無機材料の界面における密着信頼性を向上させることができる。
フィラーは、無機又は有機のいずれも用いることができ、アライメントで使用される赤外線に透過性を有する材料を用いることが好ましい。赤外線に透過性を有する材料としては、例えば、シリカ、シリコン、ゲルマニウム、石英、サファイアなどが挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。これらの中でも、レーザーマーク視認性の観点からシリカを用いることが好ましい。
また、フィラーの配合量は、樹脂成分１００質量部に対して８０〜２２０質量部であり、８０〜１８０質量部であることが好ましい。フィラーの含有量は少なすぎると、ウエハの反り量を低減する効果が低下する傾向にあり、多すぎると密着信頼性が低下する傾向にある。
また、他のフィラーとして、黒色顔料などの着色剤を添加することが好ましい。着色剤は、レーザーマーキング部分と他の部分とにコントラスト差を生じさせ、レーザーマーク視認性を向上させる。このような着色剤としては、例えば、カーボンブラック、チタンブラック、酸化チタン、酸化鉄などが挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。これらの中でも、コントラスト差の向上の観点からカーボンブラックを用いることが好ましい。
また、熱硬化性接着シートの波長１０００ｎｍにおける透過率は、３０％以上であることが好ましい。この赤外線透過率が低すぎると、赤外線を利用したアライメントを行うことが困難となる。
このような熱硬化性接着シートによれば、半導体ウエハの研磨面に貼り合わせて硬化させることにより、熱硬化性接着シートが収縮し、半導体ウエハの反りを低減させることができる。このため、ウエハを平坦化させた状態でダイシングが可能となるため、チッピングを低減させ、高品質な半導体装置を得ることができる。
＜２．半導体装置の製造方法＞
次に、前述の熱硬化性接着シートを用いた半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハを研磨するグラインド工程と、半導体ウエハの研磨面に熱硬化性接着シートを貼り合わせて硬化させ、半導体ウエハの反り量を低減させる工程と、半導体ウエハの熱硬化性接着シート面にダイシングテープを貼り合わせ、ダイシングするダイシング工程とを有する。半導体ウエハの反りを低減させ、ウエハを平坦化させた状態でダイシングが可能となるため、チッピングを低減させ、高品質な半導体装置を得ることができる。
以下、具体的な半導体装置の製造方法について説明する。具体例として示す半導体装置の製造方法は、接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程（Ａ）と、グラインド工程（Ｂ）と、熱硬化性樹脂シート貼付工程（Ｃ）と、保護テープ剥離工程（Ｄ）と、硬化工程（Ｅ）と、粘着テープ貼付工程（Ｆ）と、ダイシング処理工程（Ｇ）と、エキスパンド工程（Ｈ）と、ピックアップ工程（Ｉ）と、実装工程（Ｊ）とを有する。なお、保護テープ剥離工程（Ｄ）は、熱硬化性樹脂シート貼付工程（Ｃ）の前に行ってもよい。
［（Ａ）保護テープ貼付工程］
図２は、保護テープ貼付工程の概略を示す断面図である。保護テープ貼付工程では、突起電極２２が形成されたウエハ２１面に保護テープ３０を貼り付ける。保護テープ３０を貼り付ける貼付温度は、ボイドの減少、ウエハ密着性の向上およびウエハ研削後の反り防止の観点から、２５℃以上１００℃以下、好ましくは４０℃以上８０℃以下である。
ウエハ２１は、シリコンなどの半導体表面に形成された集積回路と、バンプと呼ばれる接続用の突起電極２２とを有する。ウエハ２１の厚みは、特に限定されないが、好ましくは２００μｍ以上１０００μｍ以下である。
突起電極２２としては、特に限定はされないが、例えば、はんだによる低融点バンプ又は高融点バンプ、錫バンプ、銀−錫バンプ、銀−錫−銅バンプ、金バンプ、銅バンプなどが挙げられる。また、突起電極２２の高さは、特に制限はされないが、好ましくは１０μ以上２００μｍ以下である。
保護テープ３０は、バックグラインドテープ（Back Grind Tape）と呼ばれるものであり、次のグラインド処理工程（Ｂ）において、傷、割れ、汚染などからウエハを保護するものである。図２に示すように、保護テープ３０は、熱可塑性樹脂層３１と、基材フィルム層３２とが積層され、突起電極２２の形成面と熱可塑性樹脂層３１とが接する状態で貼り合わされ、突起電極２２は、熱可塑性樹脂層３１に埋め込まれる。
熱可塑性樹脂層３１としては、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ：Ethylene Vinyl Acetate）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、フッ素樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリフェニレンオキサイドなどが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
基材フィルム層３２としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステルなどのプラスチックフィルムや、紙、布、不織布等からなる多孔質基材を用いることができる。
なお、保護テープ３０は、前述の構成に限られることなく、各層の表面や隣接する層間に他の層を形成してもよい。
［（Ｂ）グラインド工程］
図３は、グラインド工程の概略を示す断面図である。グラインド工程では、保護テープ３０貼付面の反対面をグラインド処理する。保護テープ３０を貼り付けたウエハ２１の反対面を研削装置に固定して研磨する。このグラインド工程において、研磨によりウエハ２１の厚さは、２００μｍ以下、さらには５０μｍ以下である。ウエハ２１の厚さを小さくすればするほど、ウエハ２１の反り量が大きくなる。なお、ウエハ２１の反り量は、平面ステージ（Ｘ，Ｙ軸）にウエハ２１を置いたときの反り（Ｚ軸）の最大値である。
［（Ｃ）熱硬化性接着シート貼付工程］
図４は、熱硬化性接着シート貼付工程の概略を示す断面図である。熱硬化性接着シート貼付工程では、ウエハ２１のグラインド処理面に熱硬化性接着シートの熱硬化性接着層１２を貼付する。
［（Ｄ）保護テープ剥離工程］
図５は、保護テープ剥離工程の概略を示す断面図である。保護テープ剥離工程では、保護テープ３０を剥離する。
［（Ｅ）硬化工程］
図６は、硬化工程の概略を示す断面図である。硬化工程では、熱硬化性接着層１２を硬化させる。硬化方法及び硬化条件としては、熱硬化型の接着剤を硬化させる公知の方法を用いることができる。硬化工程では、例えば、８０〜１８０℃の温度、０．１〜５ｈの時間でキュアすることにより、熱硬化性接着層１２を硬化させることが可能である。これにより、熱硬化性接着層１２が大きく収縮し、ウエハ２１の反りと逆方向の応力が生じるため、ウエハ２１を平坦な状態に維持させることが可能となる。
［（Ｆ）粘着テープ貼付工程］
図７は、粘着テープ貼付工程の概略を示す断面図である。粘着テープ貼付工程では、グラインド処理面に粘着テープ４０を貼付する。粘着テープ４０は、ダイシングテープ（Dicing Tape）と呼ばれるものであり、ダイシング工程（Ｇ）において、ウエハ２１を保護、固定し、ピックアップ工程（Ｉ）まで保持するためのテープである。
粘着テープ４０としては、特に限定されず、公知のものを使用することができる。一般に、粘着テープ４０は、粘着剤層と、基材フィルム層とを有する。粘着剤層としては、例えば、ポリエチレン系、アクリル系、ゴム系、ウレタン系などの粘着剤が挙げられる。また、基材フィルム層としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステルなどのプラスチックフィルムや、紙、布、不織布等からなる多孔質基材を用いることができる。また、粘着テープの貼付装置及び条件としては、特に限定されず、公知の装置及び条件が用いられる。
［（Ｇ）ダイシング処理工程］
図８は、ダイシング処理工程の概略を示す断面図である。ダイシング処理工程では、粘着テープ４０が貼付されたウエハ２１をダイシング処理し、個片の半導体チップを得る。ダイシング方法としては、特に限定されず、例えばダイシングソーでウエハ２１を切削して切り出すなどの公知の方法を用いることができる。熱硬化性接着シートがウエハの反りを低減させているため、ウエハを平坦化させた状態でダイシングすることができ、チッピングを低減させることができる。
［（Ｈ）エキスパンド工程］
図９は、エキスパンド工程の概略を示す断面図である。エキスパンド工程では、例えば分割された複数個の半導体チップが貼着されている粘着テープ４０を放射方向に伸長させ、個々の半導体チップの間隔を広げる。
［（Ｉ）ピックアップ工程］
図１０は、ピックアップ工程の概略を示す断面図である。ピックアップ工程では、粘着テープ４０上に貼着固定された半導体チップを、粘着テープ４０の下面より突き上げて剥離させ、この剥離された半導体チップをコレットで吸着する。ピックアップされた半導体チップは、チップトレイに収納されるか、またはフリップチップボンダーのチップ搭載ノズルへと搬送される。
［（Ｊ）実装工程］
図１１は、実装工程の概略を示す断面図である。実装工程では、例えば半導体チップと回路基板とをＮＣＦ（Non Conductive Film）などの回路接続材料を用いて接続する。回路基板としては、特に限定されないが、ポリイミド基板、ガラスエポキシ基板などのプラスチック基板、セラミック基板などを用いることができる。また、接続方法としては、加熱ボンダー、リフロー炉などを用いる公知の方法を用いることができる。
このような半導体装置の製造方法によれば、熱硬化性接着シートを半導体ウエハの研磨面に貼り合わせて硬化させ、半導体ウエハの反り量を低減させるため、チッピングを抑制して容易にダイシングを行うことができる。
＜３．実施例＞
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、熱硬化性接着シートを作製し、これを反りが発生したパターン付ウエハに貼り合わせ、積層体を作製した。そして、熱硬化性接着シートのフィルム膜性、ダイシング時のチッピング抑制、及びウエハの反りの制御性について評価した。
［熱硬化性接着シートの作製］
下記成分を配合し、樹脂組成物を調製した。これを、剥離処理されたＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）にバーコーターを用いて塗布し、８０℃のオーブンで３分間乾燥させ、厚み２０μｍの熱硬化性接着層を有する熱硬化性接着シートを作製した（カバー剥離ＰＥＴ（２５μｍ）／熱硬化性接着層（２０μｍ）／ベース剥離ＰＥＴ（５０μｍ））。
Ａ−ＤＣＰ：トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（新中村化学工業（株）、単位分子量当たりの官能基数（官能基数／分子量）＝０．００６５）
Ｍ−３１５：イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性ジアクリレートとイソシアヌル酸 エチレンオキサイド変性トリアクリレートの混合物（イソシアヌル酸エチレンオキサイド 変性ジアクリレートの含有率が３％〜１３％）（東亞合成（株）、単位分子量当たりの官能基数（官能基数／分子量）＝０．００７）
ＵＮ−３３２０ＨＡ：多官能ウレタンアクリレートオリゴマー（根上工業（株）、単位分子量当たりの官能基数（官能基数／分子量）＝０．００４）
ＶＲ−９０：ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート（昭和高分子（株）、単位分子量当たりの官能基数（官能基数／分子量）＝０．００１８）
ＵＮ−６３０１：脂肪族ウレタンアクリレートオリゴマー（根上工業（株）、単位分子量当たりの官能基数（官能基数／分子量）＝０．００００６）
ＫＢＭ−５０３：シランカップリング剤（信越シリコーン（株））
パーロイルＬ：ジラウロイルパーオキサイド（日油（株）製、１分間半減期温度：１１６．４℃）
ＳＧ−Ｐ３：エラストマー（ナガセケムテックス（株）製）
アエロジルＲ２０２：シリカ（日本アエロジル（株））
＃３０５０Ｂ：カーボンブラック（三菱化学（株））
［積層体の作製］
厚み２０μｍの熱硬化性接着層をパターン付ウエハ上にプレス機にて貼り合わせ、１３０℃、１ｈの条件でキュアして積層体を得た。
パターン付ウエハは、厚み２００μｍの８インチのものを使用した。また、パターン付ウエハの平均反り量（サンプル数：１０）は、４ｍｍであった。なお、パターン付ウエハの反り量は、平面ステージ（Ｘ，Ｙ軸）にパターン付ウエハを置いたときの反り（Ｚ軸）の最大値とした。
［フィルム膜性の評価］
熱硬化性接着シートのフィルム性、タック性、及びラミネート性について評価し、全ての評価が良好である場合を「○」と評価し、いずれか１つの評価が不良である場合を「×」と評価した。
［ダイシング時のチッピング抑制の評価］
積層体の熱硬化性接着層側にダイシングテープをラミネートし、ダイシング後の積層体を観察した。チッピングによる不良率が５％未満である場合を「○」と評価し、不良率が５％以上である場合を「×」と評価した。
［ウエハの反りの制御性の評価］
パターン付ウエハの反り量の測定と同様に、積層体の反り量は、平面ステージ（Ｘ，Ｙ軸）に積層体を置いたときの反り（Ｚ軸）の最大値とした。積層体の反り量が１．０ｍｍ未満のものを「Ａ」、積層体の反り量が１．０ｍｍ以上１．５ｍｍ未満のものを「Ｂ」、積層体の反り量が１．５ｍｍ以上２．５ｍｍ未満のものを「Ｃ」、積層体の反り量が２．５ｍｍ以上のものを「Ｄ」と評価した。
＜実施例１＞
表１に示すように、３官能アクリレート（Ｍ−３１５）を２０質量部、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート（ＶＲ−９０）を６０質量部、カップリング剤（ＫＢＭ−５０３）を１質量部、有機過酸化物（パーロイルＬ）を３質量部配合した樹脂成分８４質量部に、無機フィラー（アエロジルＲ２０２）１００質量部を添加して樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は１１９質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は７１ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は９５ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は２．９９Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は○、ダイシング時のチッピング抑制の評価は○、薄ウエハ反り制御性の評価はＡであった。
＜実施例２＞
表１に示すように、無機フィラー（アエロジルＲ２０２）を７０質量部添加した以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は８３質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は７１ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は９５ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は２．９９Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は○、ダイシング時のチッピング抑制の評価は○、薄ウエハ反り制御性の評価はＡであった。
＜実施例３＞
表１に示すように、無機フィラー（アエロジルＲ２０２）を１５０質量部添加した以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は１７９質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は７１ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は９５ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は２．９９Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は○、ダイシング時のチッピング抑制の評価は○、薄ウエハ反り制御性の評価はＡであった。
＜実施例４＞
表１に示すように、３官能アクリレート（Ｍ−３１５）を１５質量部、多官能ウレタンアクリレートオリゴマー（ＵＮ−３３２０ＨＡ）を５質量部配合した以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は１１９質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は７１ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は９５ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は２．８０Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は○、ダイシング時のチッピング抑制の評価は○、薄ウエハ反り制御性の評価はＡであった。
＜実施例５＞
表１に示すように、３官能アクリレート（Ｍ−３１５）を１７質量部、脂肪族ウレタンアクリレートオリゴマー（ＵＮ−６３０１）を３質量部配合した以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は１１９質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は７１ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は９５ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は２．７４Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は○、ダイシング時のチッピング抑制の評価は○、薄ウエハ反り制御性の評価はＢであった。
＜実施例６＞
表１に示すように、２官能アクリレート（Ａ−ＤＣＰ）を３質量部、３官能アクリレート（Ｍ−３１５）を１７質量部配合した以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は１１９質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は７１ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は９５ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は２．９７Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は○、ダイシング時のチッピング抑制の評価は○、薄ウエハ反り制御性の評価はＢであった。
＜実施例７＞
表１に示すように、カーボンブラックを５質量部添加した以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は１２５質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は７１ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は９５ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は２．９９Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は○、ダイシング時のチッピング抑制の評価は○、薄ウエハ反り制御性の評価はＡであった。
＜実施例８＞
表２に示すように、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート（ＶＲ−９０）を５５質量部、エラストマー（ＳＧ−Ｐ３）を５質量部配合した以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は１１９質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は６５ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は８９ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は２．８８Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は○、ダイシング時のチッピング抑制の評価は○、薄ウエハ反り制御性の評価はＢであった。
＜実施例９＞
表２に示すように、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート（ＶＲ−９０）を５０質量部、エラストマー（ＳＧ−Ｐ３）を１０質量部配合した以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は１１９質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は６０ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は８５ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は２．７７Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は○、ダイシング時のチッピング抑制の評価は○、薄ウエハ反り制御性の評価はＢであった。
＜比較例１＞
表２に示すように、無機フィラーを５０質量部添加した以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は６０質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は７１ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は９５ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は２．９９Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は×、ダイシング時のチッピング抑制の評価は×、薄ウエハ反り制御性の評価はＤであった。
＜比較例２＞
表２に示すように、無機フィラーを２００質量部添加した以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は２３８質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は７１ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は９５ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は２．９９Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は×、ダイシング時のチッピング抑制の評価は○、薄ウエハ反り制御性の評価はＡであった。
＜比較例３＞
表２に示すように、３官能アクリレートに代えて脂肪族ウレタンアクリレートオリゴマー（ＵＮ−６３０１）を２０質量部配合した以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は１１９質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は７１ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は９５ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は１．３１Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は○、ダイシング時のチッピング抑制の評価は×、薄ウエハ反り制御性の評価はＤであった。
＜比較例４＞
表２に示すように、３官能アクリレートに代えて２官能アクリレート（Ａ−ＤＣＰ）を２０質量部配合した以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は１１９質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は７１ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は９５ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は２．８７Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は×、ダイシング時のチッピング抑制の評価は○、薄ウエハ反り制御性の評価はＢであった。
＜比較例５＞
表２に示すように、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート（ＶＲ−９０）を４５質量部、エラストマー（ＳＧ−Ｐ３）を１５質量部配合した以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は１１９質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は５４ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は８２ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は２．６６Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は○、ダイシング時のチッピング抑制の評価は○、薄ウエハ反り制御性の評価はＣであった。
＜比較例６＞
表２に示すように、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート（ＶＲ−９０）を４０質量部、エラストマー（ＳＧ−Ｐ３）を１５質量部配合した以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を調製した。樹脂成分１００質量部に対する無機フィラーの配合量は１２７質量部、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率は５１ｗｔ％、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率は８１ｗｔ％、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和は２．７２Ｅ−０３であった。この樹脂組成物を用いて作製した熱硬化性接着シートのフィルム膜性の評価は×、ダイシング時のチッピング抑制の評価は○、薄ウエハ反り制御性の評価はＣであった。

Figure 2017110055
Figure 2017110055
比較例１のようにフィラー量が少なすぎる場合、タック性及びラミネート性が不良となり、ダイシング時の不良率が大きく、ウエハの反り量を大きく低減させることができなかった。また、比較例２のようにフィラー量が多すぎる場合、タック性及びラミネート性が不良となった。また、比較例３のように、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和が、２．７Ｅ−０３未満の場合、ダイシング時の不良率が大きく、ウエハの反り量を大きく低減させることができなかった。また、比較例４のように、３官能以上の（メタ）アクリレートを配合しなかった場合、タック性及びラミネート性が不良となった。また、比較例５、６のように、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率が低すぎる場合、収縮不足によりウエハの反り量を大きく低減させることができなかった。
一方、実施例１〜９のように、（メタ）アクリレートと、重合開始剤とを含む樹脂成分と、フィラーとを含有し、（メタ）アクリレートが、固形（メタ）アクリレートと、３官能以上の（メタ）アクリレートとを含み、樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率が、５５ｗｔ％以上であり、（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和が、２．７Ｅ−０３以上であり、フィラーの配合量が、樹脂成分１００質量部に対して８０〜２２０質量部であることにより、フィルム膜性が良好となり、ダイシング時の不良率が低下し、ウエハの反り量を大きく低減させることができた。
また、実施例１〜７より、樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率が、９０ｗｔ％以上であることにより、ウエハの反り量を大きく低減させることができることが分かった。
１１ 基材フィルム層、１２ 熱硬化性接着層、２１ ウエハ、２２ 突起電極、３０ 保護テープ、３１ 熱可塑性樹脂層、３２ 基材フィルム層

Claims (7)

  1. （メタ）アクリレートと、重合開始剤とを含む樹脂成分と、フィラーとを含有する樹脂組成物から形成された熱硬化性接着層を有し、
    前記（メタ）アクリレートが、固形（メタ）アクリレートと、３官能以上の（メタ）アクリレートとを含み、
    前記樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率が、５５ｗｔ％以上であり、
    前記（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、前記樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和が、２．７Ｅ−０３以上であり、
    前記フィラーの配合量が、樹脂成分１００質量部に対して８０〜２２０質量部である、
    熱硬化性接着シート。
  2. 前記（メタ）アクリレートの重量平均分子量が、２００〜５００００である請求項１記載の熱硬化性接着シート。
  3. 前記固形（メタ）アクリレートが、ビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレートである請求項１又は２記載の熱硬化性接着シート。
  4. 前記樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率が、９０ｗｔ％以上である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の熱硬化性接着シート。
  5. 前記フィラーが、黒色顔料を含む請求項１乃至４のいずれか１項に記載の熱硬化性接着シート。
  6. 半導体ウエハを研磨するグラインド工程と、
    前記半導体ウエハの研磨面に熱硬化性接着シートを貼付する熱硬化性接着シート貼付工程と、
    前記熱硬化性シートを硬化させ、前記半導体ウエハの反り量を低減させる硬化工程と、
    前記半導体ウエハの熱硬化性接着シート面にダイシングテープを貼付するダイシングテープ貼付工程と、
    ダイシングテープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程とを有し、
    前記熱硬化性接着シートが、（メタ）アクリレートと、重合開始剤とを含む樹脂成分と、フィラーとを含有する樹脂組成物から形成された熱硬化性接着層を有し、
    前記（メタ）アクリレートが、固形（メタ）アクリレートと、３官能以上の（メタ）アクリレートとを含み、
    前記樹脂成分中の固形（メタ）アクリレートの含有率が、５５ｗｔ％以上であり、
    前記（メタ）アクリレートの単位分子量当たりの官能基数に、前記樹脂成分中の（メタ）アクリレートの含有率を乗じた値の総和が、２．７Ｅ−０３以上であり、
    前記フィラーの配合量が、樹脂成分１００質量部に対して８０〜２２０質量部である、
    半導体装置の製造方法。
  7. 前記グラインド工程では、厚みが２００μｍ以下となるまで研磨する請求項６記載の半導体装置の製造方法。
JP2015243651A 2015-12-14 2015-12-14 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法 Active JP6791626B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015243651A JP6791626B2 (ja) 2015-12-14 2015-12-14 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法
TW105141138A TWI732806B (zh) 2015-12-14 2016-12-13 熱硬化性接著片、及半導體裝置之製造方法
KR1020187008663A KR102032664B1 (ko) 2015-12-14 2016-12-13 열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법
CN201680070276.4A CN108291116B (zh) 2015-12-14 2016-12-13 热固化性粘接片和半导体装置的制造方法
PCT/JP2016/087089 WO2017104669A1 (ja) 2015-12-14 2016-12-13 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法
US15/768,197 US10273386B2 (en) 2015-12-14 2016-12-13 Thermosetting adhesive sheet and semiconductor device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015243651A JP6791626B2 (ja) 2015-12-14 2015-12-14 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020007736A Division JP6867522B2 (ja) 2020-01-21 2020-01-21 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017110055A true JP2017110055A (ja) 2017-06-22
JP6791626B2 JP6791626B2 (ja) 2020-11-25

Family

ID=59056658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015243651A Active JP6791626B2 (ja) 2015-12-14 2015-12-14 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10273386B2 (ja)
JP (1) JP6791626B2 (ja)
KR (1) KR102032664B1 (ja)
CN (1) CN108291116B (ja)
TW (1) TWI732806B (ja)
WO (1) WO2017104669A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019143076A1 (ko) * 2018-01-22 2019-07-25 주식회사 엘지화학 백 그라인딩 테이프
KR20190089725A (ko) * 2018-01-22 2019-07-31 주식회사 엘지화학 백 그라인딩 테이프
JP2019192776A (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 日東電工株式会社 粘着テープ搬送方法および粘着テープ搬送装置
WO2019235805A1 (ko) * 2018-06-04 2019-12-12 주식회사 엘지화학 백 그라인딩 테이프

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108003800B (zh) * 2017-12-15 2020-12-01 长春永固科技有限公司 一种可低温快速固化且低翘曲的丙烯酸酯胶黏剂及其制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007273768A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Nippon Steel Chem Co Ltd 接着シート及びその使用方法
JP2008218930A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Furukawa Electric Co Ltd:The エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム
JP2010106244A (ja) * 2008-09-30 2010-05-13 Sony Chemical & Information Device Corp アクリル系絶縁性接着剤
JP2010261026A (ja) * 2009-04-07 2010-11-18 Hitachi Chem Co Ltd 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP2010278324A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置
JP2011082368A (ja) * 2009-10-08 2011-04-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP2013109236A (ja) * 2011-11-22 2013-06-06 Hitachi Chemical Co Ltd 感光性樹脂組成物、感光性フィルム及び電子部品
JP2015019012A (ja) * 2013-07-12 2015-01-29 パナソニック株式会社 半導体装置の製造方法とそれに使用される半導体封止用アクリル樹脂組成物

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3544362B2 (ja) 2001-03-21 2004-07-21 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
JP2002299378A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Lintec Corp 導電体付接着シート、半導体装置製造方法および半導体装置
US20100272532A1 (en) * 2007-11-13 2010-10-28 Hegedues Viktor System and Method for Marking any Non-Living or Living Objects, and Marking Element and Use of Same for Marking any Objects, in particular for Object Control and Object Management
JP5456440B2 (ja) * 2009-01-30 2014-03-26 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム
JP2012180442A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Hitachi Chemical Co Ltd 接着フィルム及びこの接着フィルムを有する半導体装置
CN104039913B (zh) * 2011-11-02 2017-08-22 汉高知识产权控股有限责任公司 用于电子部件的粘合剂
JP5544052B2 (ja) * 2011-12-26 2014-07-09 リンテック株式会社 保護膜形成層付ダイシングシートおよびチップの製造方法
JP6001273B2 (ja) * 2012-02-13 2016-10-05 信越化学工業株式会社 半導体ウエハ用保護フィルム及び半導体チップの製造方法
TWI577767B (zh) * 2012-04-10 2017-04-11 住友電木股份有限公司 半導體裝置、晶粒黏附材料及半導體裝置之製造方法
US20160272854A1 (en) * 2014-03-04 2016-09-22 Sekisui Chemical Co., Ltd. Adhesive for mounting electronic component and adhesive film for mounting flip chip
CN106459717B (zh) * 2014-05-23 2021-01-15 迪睿合株式会社 粘接剂及连接结构体

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007273768A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Nippon Steel Chem Co Ltd 接着シート及びその使用方法
JP2008218930A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Furukawa Electric Co Ltd:The エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム
JP2010106244A (ja) * 2008-09-30 2010-05-13 Sony Chemical & Information Device Corp アクリル系絶縁性接着剤
JP2010261026A (ja) * 2009-04-07 2010-11-18 Hitachi Chem Co Ltd 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP2010278324A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置
JP2011082368A (ja) * 2009-10-08 2011-04-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP2013109236A (ja) * 2011-11-22 2013-06-06 Hitachi Chemical Co Ltd 感光性樹脂組成物、感光性フィルム及び電子部品
JP2015019012A (ja) * 2013-07-12 2015-01-29 パナソニック株式会社 半導体装置の製造方法とそれに使用される半導体封止用アクリル樹脂組成物

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019143076A1 (ko) * 2018-01-22 2019-07-25 주식회사 엘지화학 백 그라인딩 테이프
KR20190089725A (ko) * 2018-01-22 2019-07-31 주식회사 엘지화학 백 그라인딩 테이프
CN111406099A (zh) * 2018-01-22 2020-07-10 株式会社Lg化学 背面研磨带
KR102165321B1 (ko) * 2018-01-22 2020-10-14 주식회사 엘지화학 백 그라인딩 테이프
JP2019192776A (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 日東電工株式会社 粘着テープ搬送方法および粘着テープ搬送装置
CN110400770A (zh) * 2018-04-25 2019-11-01 日东电工株式会社 粘合带输送方法和粘合带输送装置
JP7109244B2 (ja) 2018-04-25 2022-07-29 日東電工株式会社 粘着テープ搬送方法および粘着テープ搬送装置
TWI805734B (zh) * 2018-04-25 2023-06-21 日商日東電工股份有限公司 黏著帶搬送方法及黏著帶搬送裝置
WO2019235805A1 (ko) * 2018-06-04 2019-12-12 주식회사 엘지화학 백 그라인딩 테이프
US11424153B2 (en) 2018-06-04 2022-08-23 Lg Chem, Ltd. Back grinding tape

Also Published As

Publication number Publication date
TWI732806B (zh) 2021-07-11
KR102032664B1 (ko) 2019-10-15
US10273386B2 (en) 2019-04-30
KR20180048817A (ko) 2018-05-10
US20180312728A1 (en) 2018-11-01
CN108291116B (zh) 2021-07-09
JP6791626B2 (ja) 2020-11-25
TW201739861A (zh) 2017-11-16
WO2017104669A1 (ja) 2017-06-22
CN108291116A (zh) 2018-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5823591B1 (ja) 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法
JP6517588B2 (ja) 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法
WO2017104669A1 (ja) 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法
JP6336905B2 (ja) フィルム状接着剤、半導体接合用接着シート、および半導体装置の製造方法
JP6454580B2 (ja) 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法
JP6950907B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP7079200B2 (ja) 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ及び半導体ウェハの加工方法
JP5437681B2 (ja) 粘着シートおよび半導体装置の製造方法
WO2017046869A1 (ja) 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
JP6046073B2 (ja) 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
JP2014175334A (ja) 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ
JP2011151110A (ja) 半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2009246216A (ja) 半導体加工用粘着テープ
JP6867522B2 (ja) 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法
JP5809685B2 (ja) 粘着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2010067772A (ja) ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190723

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190924

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191003

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20191023

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20200121

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20200602

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20200818

C23 Notice of termination of proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23

Effective date: 20200908

C03 Trial/appeal decision taken

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03

Effective date: 20201020

C30A Notification sent

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012

Effective date: 20201020

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201105

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6791626

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250