KR102165321B1 - 백 그라인딩 테이프 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 고분자 기재; 및 점착층;을 포함하고, 상기 점착층은 유리 전이 온도가 0℃ 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위를 30 내지 60중량% 포함하는 (메트)아크릴레이트 수지를 포함하고, 상기 점착층의 유리 전이 온도가 -20℃ 내지 10℃인 백 그라인딩 테이프와 백 그라인딩 테이프를 이용한 웨이퍼의 연삭 방법에 관한 것이다.

Description

백 그라인딩 테이프{BACK GRINDING TAPE}
본 발명은 백 그라인딩 테이프에 관한 것이다.
최근 전자기기의 소형화, 고기능화, 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화, 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커지고 있다. 이를 반영하여, 반도체 칩 크기가 점점 커지고, 동시에 칩의 두께는 얇아지며 회로의 집적도는 높아지고 있다. 그런데, 반도체 칩 자체의 모듈러스는 낮아져서 제조 공정이나 최종 제품의 신뢰성에 문제점을 야기하고 있다.
이러한, 반도체의 대형화 및 박형화의 요구에 따라, 웨이퍼 후면을 미세한 다이아몬드 입자로 구성된 연마휠로 갈아 칩의 두께를 얇게 함으로써 조립을 용이하게 하는 연삭(Back Grinding) 공정이 필수적으로 수행되는데, 상기 연삭 공정 중 다량의 실리콘 잔여물(Dust) 및 파티클(Particle)에 의한 오염과 균열 발생과 같은 웨이퍼의 손상이 빈번히 발생하고 있다. 이에 따라 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 도는 백 그라인딩 테입(Back Grinding Tape)의 역할이 더욱 중요시되고 있다.
반도체 소자가 보자 소형화 및 박형화 되면서 웨이퍼(wafer)를 기존보다 더 얇은 두께까지 연삭하여야 하는 공정이 요구되며, 이에 따라 웨이퍼를 100 ㎛ 내외의 두께로 연삭하는 공정에서 사용하는 점착 필름을 50 ㎛ 내외의 두께로 웨이퍼를 연삭하는 공정에 적용하는 경우, 점착 테이프의 크리프 변형 (creep deformation)이 높아서, 연삭 이후에 다이의 얼라이먼트가 틀어지는 등의 문제가 발생할 수 있다.
본 발명은, 얇은 두께를 갖는 웨이퍼를 연삭하는 공정에 용이하게 적용될 수 있으며, 점착 테이프의 크리프 변형 (creep deformation)을 낮은 수준으로 유지하여 연삭 이후에 다이의 얼라이먼트가 틀어지는 등의 문제를 방지할 수 있는 백 그라인딩 테이프를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 상기 백 그라인딩 테이프를 이용한 웨이퍼의 연삭 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 명세서에서는, 고분자 기재; 및 점착층;을 포함하고, 상기 점착층은 유리 전이 온도가 0℃ 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위를 30 내지 60중량% 포함하는 (메트)아크릴레이트 수지를 포함하고, 상기 점착층의 유리 전이 온도가 -20℃ 내지 10℃인 백 그라인딩 테이프가 제공된다.
또한, 본 명세서에서는, 상기 백 그라인딩 테이프를 이용한 웨이퍼의 연삭 방법이 제공된다.
이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 백 그라인딩 테이프 및 웨이퍼 연삭 방법에 대하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
본 명세서에서, (메타)아크릴레이트는 아크릴레이트[acrylate] 및 (메타)크릴레이트[(meth)acrylate]를 모두 포함하는 의미이다.
상술한 바와 같이, 발명의 일 구현예에 따르면, 고분자 기재; 및 점착층;을 포함하고, 상기 점착층은 유리 전이 온도가 0℃ 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위를 30 내지 60중량% 포함하는 (메트)아크릴레이트 수지를 포함하고, 상기 점착층의 유리 전이 온도가 -20℃ 내지 10℃인 백 그라인딩 테이프가 제공될 수 있다.
본 발명자들은 고분자 기재 및 점착층을 포함하는 백 그라인딩 테이프에 관한 연구를 진행하여, 상기 점착층이 유리 전이 온도가 0℃ 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위를 30 내지 60중량% 포함하는 (메트)아크릴레이트 수지를 포함하고, -20℃ 내지 10℃의 유리 전이 온도를 갖으며, 50 ㎛ 내외의 얇은 두께를 갖는 웨이퍼를 연삭하는 공정에 용이하게 적용될 수 있으며, 점착 테이프의 크리프 변형 (creep deformation)을 낮은 수준으로 유지하여 연삭 이후에 다이의 얼라이먼트가 틀어지는 등의 문제를 방지할 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다.
보다 구체적으로, 상기 점착층이 -20℃ 내지 10℃의 유리 전이 온도를 가짐에 따라서 90℃에서 20,000 Pa의 힘을 가할 때 크립(creep) 변형이 10 내지 30%일 수 있다. 90℃에서 20,000 Pa의 힘을 가하는 조건은 백 그라인딩 공정에서 이면 연삭 시 연마휠에 의해 받는 수평방향의 힘에 대응될 수 있으며, 상기 점착층이 상기 조건에서 10 내지 30%의 크립(creep) 변형을 가짐에 따라서 백 그라인딩 공정 후 다이의 얼라인먼트가 틀어지는 것을 방지할 수 있다.
상기 점착층에 대하여 90℃에서 20,000 Pa의 힘을 가할 때 크립(creep) 변형이 10% 미만이면, 점착층의 모듈러스가 높아 부착 안정성이 저하되어 공정 중에 탈착될 수 있다. 또한, 상기 점착층에 대하여 90℃에서 20,000 Pa의 힘을 가할 때 크립(creep) 변형이 30% 초과이면, 점착층의 모듈러스가 낮아 다이의 얼라인먼트가 틀어지거나 반도체 회로면에 점착제 잔사가 발생할 수 있다.
상기 크립(creep) 변형은 소정의 재료에 일정한 힘을 장시간 가할 때의 시간에 따른 재료의 변형을 의미하며, 시간이 진행될수록 변형도도 증가하는 경향을 보인다.
상기 구현예의 백 그라인딩 테이프는 상술한 점착층을 포함하여 낮은 수준의 크립 변형율을 나타낼 수 있으며, 이에 따라 백그라인딩 공정(backgrinding)에서 백 그라인딩 테이프가 부착된 반도체 웨어퍼에 힘이 가해지더라도 점착층의 변형이 그리 크지 않을 수 있으며, 백그라인딩 공정(backgrinding) 중 웨이퍼에 가해지는 힘에 의한 다이 쉬프트(die-shift) 발생을 억제할 수 있다.
상기 점착층은 유리 전이 온도가 0℃ 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위를 30 내지 60중량% 포함하는 (메트)아크릴레이트 수지를 포함함에 따라 -20℃ 내지 10℃의 유리 전이 온도를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 유리 전이 온도가 0℃ 이상인 단량체 또는 올리고머는 0℃ 내지 100℃의 유리 전이 온도를 가질 수 있다.
상기 유리 전이 온도가 0℃ 이상인 단량체 또는 올리고머로의 구체적인 예로는 메틸 아크릴레이트, 아이소보닐 (메트)아크릴레이트(isobornyl (meth)acrylate), 및 사이클로헥실 (메트)아크릴레이트(hydroxycyclohexyl (meth)acrylate)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 들 수 있다.
또한, 상기 (메트)아크릴레이트 수지는 상기 유리 전이 온도가 0℃ 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위와 함께, 탄소수 2 내지 12의 알킬기를 가지는 (메트)아크릴레이트계 반복 단위 또는 가교성 관능기를 함유한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 더 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 (메트)아크릴레이트 수지는 유리 전이 온도가 0℃ 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위30 내지 60중량%; 및 탄소수 2 내지 12의 알킬기를 가지는 (메트)아크릴레이트계 반복 단위 또는 가교성 관능기를 함유한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위 40 내지 70중량%를 포함할 수 있다.
상기 탄소수 2 내지 12의 알킬기를 가지는 (메트)아크릴레이트계 반복 단위는 펜틸 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트 또는 데실 (메타)아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위일 수 있다.
상기 가교성 관능기를 함유한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위의 구체적인 예로는 히드록시기, 카복실기, 질소를 포함한 작용기 등을 함유한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 들 수 있으며, 상기 가교성 관능기를 함유한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위는 상기 가교성 관능기를 함유한 (메트)아크릴레이트계 단량체로부터 유래할 수 있다.
이 때 히드록실기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체의 예로는, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 카복실기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체의 예로는, (메타)아크릴산 등을 들 수 있으며, 질소를 포함한 작용기를 함유한 (메트)아크릴레이트계 단량체의 예로는 (메타)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기에서 (메트)아크릴레이트 수지는 중량평균분자량이 10만 내지 150만, 바람직하게는 20만 내지 100만일 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트 수지의 중량평균분자량이 10만 미만이면, 코팅성 또는 응집력이 저하되어, 박리 시에 피착체에 잔여물이 남거나, 또는 점착제 파괴 현상이 일어날 우려가 있다. 또한, 상기 (메트)아크릴레이트 수지의 중량평균분자량이 150만을 초과하면, 점도가 높아 희석 용제를 과량 투입해야 하며 코팅성이 저하될 수 있다.
한편, 상기 점착층은 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 포함할 수 있다. 자외선 경화형 점착제를 사용할 경우에는 자외선을 조사하여, 점착제의 응집력 및 유리전이온도를 올려 점착력을 저하시키고, 열경화형 점착제의 경우는 온도를 가하여 점착력을 저하시킨다.
상기 (메타)아크릴레이트계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서, 초산비닐, 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 탄소-탄소 이중결합함유 저분자량 화합물 등이 추가로 포함될 수 있다.
상기 점착층은 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물를 더 포함할 수 있다.
상기 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물은 100 내지 100,000의 중량평균분자량을 가지며, 다관능성 우레탄 (메트)아크릴레이트 및 다관능성 (메트)아크릴레이트 단량체 또는 올리고머으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 중량 평균 분자량은 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.
상기 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 함량은 상기 (메트)아크릴레이트 수지 100 중량부에 대하여, 5 중량부 내지 400 중량부, 바람직하게는 10 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 상기 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 함량이 5 중량부 미만이면 경화 후 점착력 저하가 충분하지 않을 수 있고, 상기 상기 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 함량이 400 중량부를 초과하면 자외선 조사 전 점착제의 응집력이 부족할 수 있다.
상기 점착층은 광개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 광개시제의 종류 역시 특별히 한정되지 않고, 이 분야에서 알려진 일반적인 개시제의 사용이 가능하며, 그 함량은 상기 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물 100 중량부에 대하여 0.05 중량부 내지 20 중량부일 수 있다. 상기 광개시제의 함량이 0.05 중량부 미만이면, 자외선 조사에 의한 경화 반응이 부족할 수 있다. 상기 광개시제의 함량이 20 중량부를 초과하면 경화 과정에는 가교 반응이 짧은 단위로 일어나거나, 미반응 자외선 경화형 화합물이 발생하여 피착체 표면의 잔사에 원인이 되거나 경화 후 박리력이 지나치게 낮아질 수 있다.
상기 점착층은 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 가교제를 더 포함할 수 있다.
상기 가교제는 상기 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 40 중량부, 바람직하게는 2 중량부 내지 20 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 2 중량부 미만이면, 점착제의 응집력이 부족할 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착력이 부족할 수 있다.
상기 점착층은 로진 수지, 터펜(terpene) 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지 및 지방족 방향족 공중합 석유 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 점착 부여제를 더 포함할 수 있다.
상기 점착층을 형성하는 점착제 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 상기 각각의 성분을 포함하는 조성물을 그대로, 또는 적당한 유기용제에 희석하여 콤마 코터, 그라비아코터, 다이 코터 또는 리버스코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후, 60 내지 200℃의 온도에서 10초 내지 30분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 과정에서는 점착제의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징(aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.
상기 점착층의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 5 ㎛ 내지 300 ㎛, 또는 10 ㎛ 내지 100 ㎛의 범위일 수 있다.
한편, 상기 고분자 기재가 구체적으로 한정되는 것은 아니며, 예를 드렁 상기 고분자 기재는 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 저밀도 폴리에틸렌, 선형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체, 폴리프로필렌의 블록 공중합체, 호모폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐(polymethylpentene), 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌-아이오노머 공중합체, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 및 폴리부텐, 스티렌의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 수지를 포함할 수 있다.
상기 고분자 기재의 의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 10 ㎛ 내지 500 ㎛의 범위일 수 있다.
한편, 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 백 그라인딩 테이프를 이용한 웨이퍼의 연삭 방법이 제공될 수 있다.
상기 백 그라인딩 테이프를 반도체 웨이퍼의 일면에 점착시킨 상태에서 반도체의 웨이퍼의 연삭 공정이 진행될 수 있다. 상기 연삭 공정 이후에 상기 백 그라인딩 테이프에 대하여 자외선 조사 또는 가열 처리 등을 하여 이를 박리할 수 있다.
반도체의 웨이퍼의 연삭 공정에서 상기 백 그라인딩 테이프를 사용하는 양태가 크게 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 상기 백 그라인딩 테이프를 상온에서 50 ㎛ 두께까지 하프-컷 된 회로 면에 부착한 후 백 그라이딩 테이프가 부착된 면을 진공 테이블에 고정하여 회로 면의 이면을 연삭할 수 있다. 그리고, 상기 연삭된 웨이퍼에 대하여 백 그라이딩 테이프에 UV A 500 mJ/cm2 이상 조사하는 방법을 통하여 상기 백 그라인딩 테이프를 제거할 수 있다.
본 발명에 따르면, 얇은 두께를 갖는 웨이퍼를 연삭하는 공정에 용이하게 적용될 수 있으며, 점착 테이프의 크리프 변형 (creep deformation)을 낮은 수준으로 유지하여 연삭 이후에 다이의 얼라이먼트가 틀어지는 등의 문제를 방지할 수 있는 백 그라인딩 테이프와, 상기 백 그라인딩 테이프를 이용한 웨이퍼의 연삭 방법이 제공될 수 있다.
발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[제조예: (메트)아크릴레이트 수지의 제조]
제조예1
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 하기 2-에틸헥실 아크릴레이트(2-EHA) 27g, 메틸 아크릴레이트(MA, 유리전이온도 86 ℃) 48g와 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 25g로 구성되는 단량체들의 혼합물을 투입하였다.
이어서, 상기 단량체 혼합물 100중량부를 기준으로 사슬이동제(CTA:chain transfer agent)인 n-DDM 400pm과 용제로써 에틸아세테이트(EAc) 100중량부를 투입하고, 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30℃에서 30분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도는 50℃로 상승 유지하고, 반응개시제인 V-70[2,2'-Azobis(4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile)] 300ppm의 농도를 투입하고 반응을 개시시킨 후 24시간 중합하여 1차 반응물을 제조하였다.
상기 1차 반응물에 2-메타크로일옥시에틸이소시아네이트(MOI) 24.6중량부(1차 반응물 내의 HEA에 대하여 70몰%) 및 MOI 대비 1중량%의 촉매(DBTDL:dibutyl tin dilaurate)를 배합하고, 40℃에서 24시간 동안 반응시켜 1차 반응물 내의 중합체 측쇄에 자외선 경화기를 도입하여 (메타)아크릴레이트계 고분자 수지(중량평균분자량: 약 90만 g/mol)를 제조하였다.
제조예2
2-에틸헥실 아크릴레이트(2-EHA) 27g 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 25g로 구성되는 단량체들의 혼합물을 투입한 점을 제외하고, 제조예1과 동일한 방법으로 (메타)아크릴레이트계 고분자 수지(중량평균분자량: 약 90만 g/mol)를 제조하였다.
[실시예 및 비교예: 백 그라인딩 테이프의 제조]
실시예 1
상기 제조예 1의 (메타)아크릴레이트계 고분자 수지 100 g에 TDI계 이소시아네이트 경화제 7 g, 및 광개시제(Irgacure 184) 3 g을 혼합하여 점착제 조성물을 제조하였다. 상기 점착제 조성물을 이형 처리된 두께 38um의 PET에 도포하고, 110℃에서 3분 동안 건조하여 두께 20um인 점착제층(유리전이온도 Tg -17℃)을 형성하였다.
비교예1
상기 제조예 2의 (메타)아크릴레이트계 고분자 수지 100 g에 TDI계 이소시아네이트 경화제 7 g, 및 광개시제(Irgacure 184) 3 g을 혼합하여 점착제 조성물을 제조하였다. 상기 점착제 조성물을 이형 처리된 두께 38um의 PET에 도포하고, 110℃에서 3분 동안 건조하여 두께 20um인 점착제층(유리전이온도 Tg -55℃)을 형성하였다.
[실험예]
실험예1: Creep 측정 방법
상기 실시예 및 비교예의 점착제층에 대하여 90℃에서 20,000 Pa의 힘을 가할 때 크립(creep) 변형을 측정하였다.
보다 구체적으로, 상기 실시예 및 비교예의 점착제층을 1mm 이상의 두께로 형성한 후 TA instruments社 ARES-G2를 사용하여 측정하였다. 8 mm stainless steel plate를 사용하여 90℃에서 20,000 Pa의 힘을 100초 동안 가하여, 점착제층의 크립(creep) 변형을 측정하였다.
실험예2: 웨이퍼의 연삭 테스트
상기 실시예 및 비교예의 점착제이 사용된 백 그라인딩 테이프 각각을 이용해서, 50 um 두께로 하프컷이 실시된 반도체 회로면에 백 그라인딩 테이프를 부착한 후 780 um의 웨이퍼를 50 um 두께까지 이면 연삭을 실시하였다. UV A 500 mJ/㎠을 조사하여 백 그라인딩 테이프를 제거한 후 그라인딩 전,후 다이의 얼라인먼트를 비교하였다.
실시예1 비교예1
Creep 측정 (%) 20 100
웨이퍼의 연삭 테스트 그라인딩 전,후 다이의 얼라인먼트 유지 얼라인먼트가 틀어져 다이가 깨짐
상기 표1에서 확인되는 바와 같이, 실시예1의 백 그라인딩 테이프의 점착층 에 대하여 90℃에서 20,000 Pa의 힘을 가할 때 크립(creep) 변형이 20% 이고 그라인딩 전,후 다이의 얼라인먼트가 틀어지지 않는다는 점이 확인되었다.
이에 반해서, 비교예1의 백 그라인딩 테이프의 점착층 에 대하여 90℃에서 20,000 Pa의 힘을 가할 때 크립(creep) 변형이 100% 이고 그라인딩 전,후 다이의 얼라인먼트가 틀어져 다이가 깨진다는 점이 확인되었다.

Claims (10)

  1. 고분자 기재 및 점착층을 포함하고,
    상기 점착층은 유리 전이 온도가 0℃ 이상인 단량체 또는 올리고머로부터 유래한 반복 단위 30 내지 60 중량%; 및 탄소수 2 내지 12의 알킬기를 가지는 (메트)아크릴레이트계 반복 단위 및 가교성 관능기를 함유한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위 40 내지 70 중량%를 포함하는 (메트)아크릴레이트 수지를 포함하고,
    상기 (메트)아크릴레이트 수지의 측쇄에는 2-메타크로일옥시에틸이소시아네이트로부터 형성된 자외선 경화기가 도입되어 있고,
    상기 유리 전이 온도가 0℃ 이상인 단량체 또는 올리고머는 메틸 아크릴레이트이며,
    상기 점착층의 유리 전이 온도가 -20℃ 내지 10℃이고,
    상기 점착층에 대하여 90℃에서 20,000 Pa의 힘을 가할 때 크립(creep) 변형이 10 내지 30%인, 백 그라인딩 테이프.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 점착층은 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물를 더 포함하는, 백 그라인딩 테이프.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물은 100 내지 100,000의 중량평균분자량을 가지며, 다관능성 우레탄 (메트)아크릴레이트 및 다관능성 (메트)아크릴레이트 단량체 또는 올리고머으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 백 그라인딩 테이프.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 점착층은 광개시제,
    이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 가교제,
    또는
    로진 수지, 터펜(terpene) 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지 및 지방족 방향족 공중합 석유 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 점착 부여제를 더 포함하는, 백 그라인딩 테이프.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 기재는 저밀도 폴리에틸렌, 선형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체, 폴리프로필렌의 블록 공중합체, 호모폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐(polymethylpentene), 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌-아이오노머 공중합체, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 및 폴리부텐, 스티렌의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 수지를 포함하는, 백 그라인딩 테이프.
  10. 제1항의 백 그라인딩 테이프를 이용한 웨이퍼의 연삭 방법.
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