TW201343848A - 具有保護膜形成層之切割模片及晶片之製造方法 - Google Patents

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Abstract

〔課題〕提供一種可以簡便地製造具有均勻性變高且印字精度呈良好之保護膜之半導體晶片、可以容易地進行保護膜和基材薄膜之間之剝離並且切割時之晶片固定能力呈良好的具有保護膜形成層之切割模片。〔解決手段〕本發明之具有保護膜形成層之切割模片，其特徵在於：在由基材薄膜和黏著劑層而組成之黏著模片之黏著劑層上，透過剝離力調整層而具有保護膜形成層，在黏著模片之內圍部，具有剝離力調整層和保護膜形成層之層積體，在黏著模片之外圍部，露出黏著劑層，剝離力調整層以及硬化保護膜形成層之保護膜之間之剝離力係0.05～5N／25mm。

Description

具有保護膜形成層之切割模片及晶片之製造方法
本發明係關於一種可以在晶片之背面來形成保護膜並且可以提高晶片之製造效率的具有保護膜形成層之切割模片。此外，本發明係關於一種使用具有保護膜形成層之切割模片的晶片之製造方法。
在近年來，進行所謂使用稱為面朝下(face down)方式之構裝法之半導體裝置之製造。在面朝下(face down)方式，使用在電路面上具有凸塊等之電極之半導體晶片(在以下，也僅稱為「晶片」)，該電極係接合於基板。因此，剝出相反於晶片電路面之相反側之面(晶片背面)。
成為該剝出之晶片背面係藉由有機膜而進行保護。向來，具有由該有機膜而組成之保護膜之晶片係藉由旋轉塗佈法而將液體狀之樹脂，塗佈於晶圓背面，進行乾燥及硬化，一起切斷晶圓和保護膜，而得到晶片。但是，像這樣形成之保護膜之厚度精度係不充分，因此，降低製品之良品率。
為了解決前述之問題，因此，揭示：具有剝離模片以及形成於該剝離模片上而由能量射線硬化性成分和黏合劑聚合物成分來組成之保護膜形成層之晶片保護用薄膜(專利文獻1)。
在半導體晶片正在一直進行薄型化．高密度化之現在，即使是在曝露於嚴格溫度條件下之狀態，也在構裝具有保護膜之晶片之半導體裝置，還要求具有更加高之可靠性。
如果藉由本發明人們之檢討的話，則記載於專利文獻1之晶片用保護薄膜係恐怕會發生所謂收縮於硬化保護膜形成層之際而彎曲半導體晶圓之問題。特別是在極薄之半導體晶圓，前述之問題係變得顯著。在彎曲半導體晶圓之時，恐怕會破損晶圓或者是降低對於保護膜之標記(印字)精度。此外，在記載於專利文獻1之晶片用保護薄膜，於製造具有保護膜之晶片之際，必須在切割模片，來貼附具有保護膜之晶圓，切割晶圓，使得製造製程變得複雜。
於是，如果是將預先切下成為相同於晶圓之相同形狀之保護膜形成層來設置於由基材薄膜和黏著劑層而組成之切割模片之黏著劑層上之構造的話，則可以將模片之外圍部，貼附於環圈框架，進行固定，因此，可以防止晶圓之彎曲。此外，可以藉由此種固定之狀態而進行切割，因此，可以在硬化保護膜形成層之後，不需要另外貼附切割模片而進行切割，可以簡化製造製程。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2009-138026號公報
但是，在前述構造之具有保護膜形成層之切割模 片，黏著劑層和保護膜形成層係在保護膜形成層之加熱硬化製程，進行熔合，在藉由切割而使得晶圓呈個片化之後，恐怕會無法剝離保護膜和黏著劑層之界面。此外，也在無設置黏著劑層而在基材薄膜呈直接地設置保護膜形成層之狀態下，基材薄膜係進行密合，恐怕會不容易剝離保護膜或者是破壞保護膜或晶片。此外，相反地，在保護膜和基材薄膜之間之密合性呈過度低之狀態下，於切割製程，保護膜和晶圓之固定呈不充分，恐怕會由於來自切割模片之施加之力而移動具有保護膜之晶片。
本發明係有鑒於前述之狀況而完成的。也就是說，本發明之目的係提供一種可以簡便地製造具有均勻性變高且印字精度呈良好之保護膜之半導體晶片、可以容易地進行保護膜和基材薄膜之間之剝離並且切割時之晶片固定能力呈良好的具有保護膜形成層之切割模片。
本發明係包含以下之要旨。
(1)：一種具有保護膜形成層之切割模片，係在由基材薄膜和黏著劑層而組成之黏著模片之黏著劑層上，透過剝離力調整層而具有保護膜形成層，在黏著模片之內圍部，具有剝離力調整層和保護膜形成層之層積體，在黏著模片之外圍部，露出黏著劑層，剝離力調整層以及硬化保護膜形成層之保護膜之間之剝離力係0.05~5N/25mm。
(2)：如(1)所記載之具有保護膜形成層之切割模片，在130℃來2小時加熱時之剝離力調整層之熱收縮率係 -5~+5%。
(3)：如(1)或(2)所記載之具有保護膜形成層之切割模片，在130℃來2小時加熱時之基材薄膜之熱收縮率係-5~+5%。
(4)：如(1)至(3)中任一項所述之具有保護膜形成層之切割模片，黏著模片和剝離力調整層之層積體之波長532nm及1064nm之全光線透過率係70%以上。
(5)：如(1)至(4)中任一項所述之具有保護膜形成層之切割模片，保護膜形成層係含有黏合劑聚合物成分和硬化性成分。
(6)：如(1)至(5)中任一項所述之具有保護膜形成層之切割模片，保護膜形成層係含有著色劑，波長300~1200nm之保護膜形成層之最大透過率係20%以下。
(7)：一種晶片之製造方法，係將如前述(1)至(6)中任一項所述之具有保護膜形成層之切割模片之保護膜形成層，貼附於工件，按照該順序而進行以下之製程(1)、(2)、(3)；製程(1)：硬化保護膜形成層而得到保護膜；製程(2)：切割工件和保護膜形成層或保護膜；製程(3)：剝離保護膜形成層或保護膜和剝離力調整層。
(8)：如(7)所記載之晶片之製造方法，在前述製程(1)後之任何一個製程，進行下列之製程(4)；製程(4)：在保護膜，以雷射來進行印字。
(9)：如(7)或(8)所記載之晶片之製造方法， 在前述之製程(2)，對於剝離力調整層，進行全切割。
可以在半導體晶片之背面來形成保護膜之際，藉由使用本發明之具有保護膜形成層之切割模片而容易地進行保護膜和基材薄膜之間之剝離，並且，可以抑制在切割時之晶片之移動，在半導體晶片之背面，呈簡便地形成均勻性變高且印字精度呈良好之保護膜。
1‧‧‧基材薄膜
2‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧黏著模片
4‧‧‧剝離力調整層
5‧‧‧保護膜形成層
6‧‧‧環圈框架
10‧‧‧具有保護膜形成層之切割模片
1
圖1係顯示本發明之具有保護膜形成層之切割模片之剖面圖。
在以下，就本發明而言，也包含其最佳形態而更加具體地進行說明。正如圖1所示，本發明之具有保護膜形成層之切割模片10係在由基材薄膜1和黏著劑層2而組成之黏著模片3之黏著劑層2上，透過剝離力調整層4而具有保護膜形成層5，在黏著模片3之內圍部，具有剝離力調整層4和保護膜形成層5之層積體，在黏著模片3之外圍部，露出黏著劑層2。也就是說，直徑小於黏著模片3之剝離力調整層4和保護膜形成層5之層積體係呈同心圓狀地層積在圓形之黏著模片3之黏著劑層2上。露出之外圍部之黏著劑層係正如圖示而使用在環圈框架6之固定。
(基材薄膜1)
本發明之基材薄膜1係並無特別限定，但是，具 體地說，最好是熔點超過130℃，或者最好是不具有熔點。此外，在130℃之2小時加熱時之基材薄膜之熱收縮率係最好是-5~+5%。在基材薄膜之熔點為130℃以下或者是熱收縮率為前述之範圍外之時，在保護膜形成層之硬化時，恐怕會熔融或收縮基材薄膜而不容易維持基材薄膜之形狀。此外，基材薄膜係熔合於半導體晶片製造製程中之周邊裝置。此外，由於起因於基材薄膜之熔融、收縮來造成之保護膜形成層之變形而降低對於保護膜之印字精度。此外，由於基材薄膜之變形而降低黏著模片之厚度精度，損害切割適當性。此外，在切割後，在黏著模片之縱方向或橫方向來發生變形之時，降低晶片之排列性，損害檢取適當性。此外，所謂不具有熔點係指熔點高於樹脂之燃燒溫度。
此外，即使是在基材薄膜之MD方向(在薄膜成為長尺狀而進行製膜之狀態下之平行於搬送薄膜之方向之平行方向)以及CD方向(在薄膜之同一面上而直交於MD方向之方向)之任何一種，也最好是在拉伸測定之斷裂延伸度係100%以上，並且，基材薄膜之25%應力係100MPa以下。藉由基材薄膜位處於此種範圍而在切割時來完全地切斷剝離力調整層之狀態下，使得切割模片，顯示良好之膨脹適當性。
基材薄膜之熔點係最好是140℃以上或者是不具有熔點，更加理想是熔點為200℃以上或者是不具有熔點。此外，在130℃之2小時加熱時之基材薄膜之熱收縮率係最好是-4~+4%。藉由基材薄膜之熔點或熱收縮率，成為前述之範圍，而使得基材薄膜，具有良好之耐熱性，呈良好地保持在硬 化前述保護膜形成層時之基材薄膜之形狀保持性。此外，在130℃之2小時加熱時之基材薄膜之熱收縮率係在130℃之環境下，由投入基材薄膜之前後之基材薄膜面積，藉著下列之公式而求出熱收縮率。
熱收縮率(%)={(投入前之基材薄膜面積)-(投入後之基材薄膜面積)}/投入前之基材薄膜面積×100
此外，基材薄膜之25%應力係藉由以基材薄膜伸長25%時之力，除以薄膜之剖面積而得到25%應力。
此外，基材薄膜之MD方向以及CD方向之斷裂延伸度係最好是120%以上，更加理想是250%以上。基材薄膜之25%應力係最好是80MPa以下，更加理想是70MPa以下。可以藉由基材薄膜之斷裂延伸度和25%應力，成為前述之範圍，而使得切割模片，顯示更加良好之膨脹性，同時，可以抑制由於檢取時之相鄰接之晶片間呈接觸而造成之檢取不良或晶片之破損。
作為基材薄膜係列舉例如聚丙烯薄膜、聚丁稀對苯二甲酸酯薄膜、丙烯樹脂薄膜、耐熱聚胺基甲酸乙酯薄膜等。此外，也可以使用這些之交聯薄膜或者是藉由放射線．放電等而造成之改質薄膜。基材薄膜係只要是滿足前述之物性的話，則也可以是前述薄膜之層積體。
基材薄膜之厚度係並無特別限定，最好是30~300μm，更加理想是50~200μm。藉由基材薄膜之厚度，成為前述之範圍，而在由於切割來造成之切入後，也具有充分之膨 脹性。此外，具有保護膜形成層之切割模片係具有充分之可彎曲性，因此，對於工件(例如半導體晶圓等)而顯示良好之貼附性。
(黏著劑層2)
向來，本發明之黏著劑層係可以藉由習知之各種黏著劑而形成。作為此種黏著劑係完全無任何限定，但是，使用例如橡膠系、丙烯系、矽酮系、聚乙烯基醚等之黏著劑。此外，也可以使用能量射線硬化型或加熱發泡型、水膨潤型之黏著劑。作為能量射線硬化(紫外線硬化、電子線硬化)型黏著劑係特別最好是使用紫外線硬化型黏著劑。
黏著劑層係在製造後面敘述之晶片之際，於其外圍部，貼附於環圈框架。在黏著劑層之外圍部來貼附於環圈框架而進行保護膜形成層之硬化製程之時，在由黏著劑層來卸除環圈框架之際，於環圈框架，發生糊膏之殘留。此外，在保護膜形成層之硬化製程，黏著劑層係曝露於高溫而軟化，容易發生糊膏之殘留。因此，即使是在前述之黏著劑中，也由所謂對於環圈框架之糊膏殘留之防止以及對於黏著劑層之耐熱性之賦予之觀點來看的話，則最好是丙烯系、矽酮系之黏著劑。
此外，貼附於環圈框架之部分(黏著模片之外圍部)之黏著劑層之黏著力(在貼附後而對於在130℃來經過2小時加熱後之SUS板之黏著力)係最好是15N/25mm以下，更加理想是10N/25mm以下，特別最好是5N/25mm以下。可以藉由黏著模片之外圍部之黏著劑層之黏著力，成為前述之範圍，而使得對於環圈框架之貼附性呈良好，防止對於環圈框 架之糊膏殘留。
黏著劑層之厚度係並無特別限定，但是，最好是1~100μm，更加理想是2~80μm，特別最好是3~50μm。
在基材薄膜之表面來設置黏著劑層之方法係可以將塗佈及形成於剝離模片上而成為規定之膜厚之黏著劑層，來轉印於基材薄膜之表面，並且，也可以在基材薄膜之表面，直接地塗佈構成黏著劑層之黏著劑組成物而形成黏著劑層。作為剝離模片係可以使用相同於設置在後面敘述之保護膜形成層上之相同者。藉由像這樣，在基材薄膜上，設置黏著劑層，而得到黏著模片3。
(剝離力調整層4)
本發明之剝離力調整層4係為了容易由具有保護膜形成層之切割模片，來剝離具有保護膜之晶片，因此，介在於黏著劑層和保護膜形成層之間。剝離力調整層和保護膜之間之剝離力係0.05~5N/25mm。剝離力調整層和保護膜之間之剝離力係正如以下而進行測定。首先，在裁斷具有保護膜形成層之切割模片來成為25mm之幅寬而將保護膜形成層來貼附於矽鏡面晶圓之後，進行硬化。硬化係如果是保護膜形成層為熱硬化性的話，則藉由加熱而進行硬化，其條件係130℃、2小時程度。此外，如果是保護膜形成層為能量射線硬化性的話，則直到含有之能量射線聚合性基呈實質不存在為止，藉由適當之條件而照射能量射線，來進行硬化。接著，由保護膜開始，在23℃、60%相對濕度環境下，以300mm/分之速度、180°，來剝離基材薄膜、黏著劑層和剝離力調整層之層積體，測定其 剝離力。在剝離力未滿0.05N/25mm之狀態下，於切割時，無法固定具有保護膜之晶片，恐怕會移動晶片。在剝離力超過5N/25mm之狀態下，不容易檢取具有保護膜之晶片。剝離力係更加理想是0.05~3N/25mm。
為了調整來自剝離力調整層之保護膜之剝離力，成為前述之範圍，因此，最好是由聚烯烴系薄膜，來選擇剝離力調整層之材料。聚烯烴系薄膜係極性變低，因此，通常使用極性高之材料之保護膜形成層之密合性係並不會過度變高，容易調整剝離力，成為前述之範圍。作為聚烯烴系薄膜係列舉由聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、離子鍵聚合物樹脂等而組成之薄膜。即使是在這些當中，也由所謂剝離力和耐熱性之同時成立之觀點來看的話，則特別最好是聚丙烯薄膜。
剝離力調整層係可以是進行剝離處理之薄膜。作為進行剝離處理之薄膜係可以使用同種於作為後面敘述之具有保護膜形成層之切割模片之任意構成要素之剝離模片之同種者。在該狀態下，在選擇剝離性能呈過度高者之狀況，剝離力調整層和保護膜之間之剝離力變小，未滿前述理想範圍之下限，因此，必須選擇剝離性能無過度高者。
本發明之剝離力調整層4之熔點係最好是超過130℃或者是不具有熔點。此外，在130℃之2小時加熱時之剝離力調整層之熱收縮率係最好是-5~+5%。在剝離力調整層之熔點為130℃以下或者是熱收縮率為前述之範圍外之時，在保護膜形成層之硬化時，恐怕會熔融或收縮剝離力調整層而不 容易維持剝離力調整層之形狀。此外，剝離力調整層係熔合於半導體晶片製造製程中之周邊裝置。此外，由於起因於剝離力調整層之熔融、收縮來造成之保護膜形成層之變形而降低對於保護膜之印字精度。
剝離力調整層之熔點係最好是140℃以上或者是不具有熔點，更加理想是熔點為200℃以上或者是不具有熔點。此外，在130℃之2小時加熱時之剝離力調整層之熱收縮率係最好是-4~+4%。藉由剝離力調整層之熔點或熱收縮率，成為前述之範圍，而使得剝離力調整層，具有良好之耐熱性，呈良好地保持在硬化前述保護膜形成層時之剝離力調整層之形狀保持性。此外，在130℃之2小時加熱時之剝離力調整層之熱收縮率係在130℃之環境下，由投入剝離力調整層之前後之剝離力調整層面積，藉著下列之公式而求出熱收縮率。
熱收縮率(%)={(投入前之剝離力調整層面積)-(投入後之剝離力調整層面積)}/投入前之剝離力調整層面積×100
剝離力調整層之厚度係並無特別限定，最好是3~300μm，更加理想是5~150μm。此外，剝離力調整層係概略相同於後面敘述之保護膜形成層之形狀，成為相同於貼附之工件(半導體晶圓等)之同樣尺寸或者是更加大一圈之尺寸。
在前述之剝離力調整層4設置於黏著劑層3和保護膜形成層5之間之時，作為其次之效果係硬化保護膜形成層而成為保護膜，即使是在切斷工件和保護膜之後，也在無切斷 剝離力調整層之狀態下，不容易偏離得到之晶片位置。也就是說，在保護膜形成層之硬化時，即使是黏著模片3引起熱變形，也使得黏著模片3之變形，不影響至晶片之排列部為止，維持晶片之排列狀態。
此外，前述之黏著模片3係具有充分之耐熱性，即使是在保護膜形成層之硬化條件而黏著模片之變形小之狀態下，也可以在切斷工件和保護膜之際，來切斷剝離力調整層4。藉由切斷剝離力調整層4而在切割後，使得本發明之切割模片之膨脹，變得更加地容易，容易檢取晶片。
(保護膜形成層5)
本發明之保護膜形成層5係並無特別限定，可以使用例如熱硬化性、熱塑性、放射線硬化性之保護膜形成層。即使是在這些當中，在使用熱硬化性之保護膜形成層之狀態下，在不存在剝離力調整層之狀態下之黏著劑層或基材薄膜和保護膜之間之密合問題係變得顯著，因此，理想地發揮本發明之效果。
保護膜形成層係最好是含有黏合劑聚合物成分(A)和硬化性成分(B)。
(A)黏合劑聚合物成分
為了在保護膜形成層，賦予充分之接合性和造膜性(模片加工性)，因此，使用黏合劑聚合物成分(A)。作為黏合劑聚合物成分(A)係可以使用向來習知之丙烯聚合物、聚酯樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、丙烯胺基甲酸乙酯樹脂、矽酮樹脂、橡膠系聚合物等。
黏合劑聚合物成分(A)之重量平均分子量(Mw)係最好是1萬~200萬，更加理想是10萬~120萬。在黏合劑聚合物成分(A)之重量平均分子量呈過度低之時，保護膜形成層和剝離力調整層之間之剝離力變高，引起保護膜形成層之轉印不良，在過度高之時，降低保護膜形成層之接合性，無法轉印於晶片等，或者是在轉印後，由晶片等而剝離保護膜。
作為黏合劑聚合物成分(A)係最好是使用丙烯聚合物。丙烯聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)係最好是位處於-60~50℃、更加理想是-50~40℃、特別最好是-40~30℃之範圍。在丙烯聚合物之玻璃轉移溫度呈過度低之時，保護膜形成層和剝離力調整層之間之剝離力變高，引起保護膜形成層之轉印不良，在過度高之時，降低保護膜形成層之接合性，無法轉印於晶片等，或者是在轉印後，由晶片等而剝離保護膜。
作為構成前述丙烯聚合物之單體係列舉(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物。列舉例如烷基之碳數為1~18之烷基(甲基)丙烯酸酯，具體地列舉甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯等。此外，列舉具有環狀骨格之(甲基)丙烯酸酯，具體地列舉環己基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯、異冰片(甲基)丙烯酸酯、二環芬太尼(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基羥乙基(甲基)丙烯酸酯、醯亞胺(甲基)丙烯酸酯等。此外，作為具有官能基之單體係列舉具有羥基之羥基甲基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥 基丙基(甲基)丙烯酸酯等；另外，還列舉具有環氧基之環氧丙基(甲基)丙烯酸酯等。丙烯聚合物係包含具有羥基之單體之丙烯聚合物和後面敘述之硬化性成分(B)之相溶性呈良好，因此，變得理想。此外，前述之丙烯聚合物係可以是丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯、丙烯腈、苯乙烯等進行共聚合。
此外，作為黏合劑聚合物成分(A)係可以練合用以保持硬化後之保護膜之可彎曲性之熱塑性樹脂。作為此種熱塑性樹脂係最好是重量平均分子量為1000~10萬，更加理想是3000~8萬。理想是熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度係最好是-30~120℃、更加理想是-20~120℃。作為熱塑性樹脂係列舉聚酯樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。這些熱塑性樹脂係可以單獨1種或者是混合2種以上而使用。可以藉由含有前述之熱塑性樹脂而在保護膜形成層之轉印面，追蹤保護膜形成層，來抑制空隙等之發生。
(B)硬化性成分
硬化性成分(B)係使用熱硬化性成分及/或能量射線硬化性成分。
作為熱硬化性成分係使用熱硬化樹脂及熱硬化劑。作為熱硬化樹脂係最好是例如環氧樹脂。
作為環氧樹脂係可以使用向來習知之環氧樹脂。作為環氧樹脂係具體地列舉多官能系環氧樹脂或者是聯苯基化合物、雙酚A二環氧丙基醚或其加氫物、鄰甲酚酚醛環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯基型環氧樹脂、雙酚A型環 氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、苯撐骨格型環氧樹脂等之在分子中具有2官能以上之環氧化合物。這些係可以單獨1種或者是組合2種以上而使用。
在保護膜形成層，相對於黏合劑聚合物成分(A)之100質量份而包含熱硬化樹脂之最好是1~1000質量份、更加理想是10~500質量份、特別最好是20~200質量份。在熱硬化樹脂之含有量未滿1質量份之時，無法得到充分之接合性，在超過1000質量份之時，保護膜形成層和剝離力調整層之間之剝離力變高，引起保護膜形成層之轉印不良。
熱硬化劑係發揮作為對於熱硬化樹脂、特別是環氧樹脂之硬化劑之機能。作為理想之熱硬化劑係列舉在1分子中具有2個以上之可以反應於環氧基之官能基之化合物。作為其官能基係列舉苯酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基及酸酐等。在這些當中，最好是列舉苯酚性羥基、胺基、酸酐等，更加理想是列舉苯酚性羥基、胺基。
作為苯酚系硬化劑之具體例係列舉多官能系苯酚樹脂、聯苯酚、酚醛型苯酚樹脂、二環戊二烯系苯酚樹脂、XYLOC型苯酚樹脂、芳烷基苯酚樹脂。作為胺系硬化劑之具體例係列舉DICY(二氰基二醯胺)。這些係可以單獨1種或者是混合2種以上而使用。
熱硬化劑之含有量係相對於熱硬化樹脂100質量份而最好是0.1~500質量份，更加理想是1~200質量份。在熱硬化劑之含有量變少時，由於硬化不足而無法得到接合性，在過剩時，提高保護膜形成層之吸濕率而降低半導體裝置之可 靠性。
作為能量射線硬化性成分係包含能量射線聚合性基，在承受紫外線、電子線等之能量射線之照射時，可以使用聚合硬化之化合物(能量射線聚合性化合物)。作為此種能量射線硬化性成分係具體地列舉三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或者是1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己烷二醇二丙烯酸酯、聚乙烯乙二醇二丙烯酸酯、寡酯丙烯酸酯、胺基甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物、環氧變性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯以及衣康酸寡聚物等之丙烯酸酯系化合物。此種化合物係在分子內，具有至少1個之聚合性雙鍵，通常係重量平均分子量為100~30000，最好是300~10000程度。能量射線聚合性化合物之練合量係相對於黏合劑聚合物成分(A)之100質量份而包含最好是1~1500質量份、更加理想是10~500質量份、特別最好是20~200質量份。
此外，作為能量射線硬化性成分係可以使用在黏合劑聚合物成分(A)之主鏈或側鏈來鍵結能量射線聚合性基而組成之能量射線硬化型聚合物。此種能量射線硬化型聚合物係兼具作為黏合劑聚合物成分(A)之機能以及作為硬化性成分(B)之機能。
能量射線硬化型聚合物之主骨格係並無特別限定，可以是通用作為黏合劑聚合物成分(A)之丙烯聚合物，並且，也可以是聚酯、聚醚等，但是，由於合成及物性之控制變得容易，因此，特別最好是以丙烯聚合物，來作為主骨格。
鍵結於能量射線硬化型聚合物之主鏈或側鏈之能量射線聚合性基係例如包含能量射線聚合性之碳-碳雙鍵之基，可以具體地例舉(甲基)丙烯醯基等。能量射線聚合性基係可以透過烷撐基、烷撐氧基、聚烷撐氧基而鍵結於能量射線硬化型聚合物。
鍵結能量射線聚合性基之能量射線硬化型聚合物之重量平均分子量(Mw)係最好是1萬~200萬，更加理想是10萬~150萬。此外，能量射線硬化型聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)係最好是位處於-60~50℃、更加理想是-50~40℃、特別最好是-40~30℃之範圍。
能量射線硬化型聚合物係例如含有羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等之官能基之丙烯系聚合物以及在每1分子具有1~5個之反應於該官能基之取代基和能量射線聚合性碳-碳雙鍵之含聚合性基化合物，來進行反應而得到能量射線硬化型聚合物。作為反應於該官能基之取代基係列舉異氰酸酯基、環氧丙基、羧基等。
作為含聚合性基化合物係列舉(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、偏-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、環氧丙基(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸等。
丙烯聚合物係最好是由具有羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等之官能基之(甲基)丙烯單體或其衍生物和可以共聚於這個之其他之(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物而組成之共聚物。
作為具有羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等之官能基之(甲基)丙烯單體或其衍生物係列舉例如具有羥基之2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯；具有羧基之丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸；具有環氧基之環氧丙基甲基丙烯酸酯、環氧丙基丙烯酸酯等。
作為前述之可以共聚於單體之其他之(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物係列舉例如烷基之碳數為1~18之烷基(甲基)丙烯酸酯，具體地列舉甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯等，列舉具有環狀骨格之(甲基)丙烯酸酯，具體地列舉環己基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯、異冰片丙烯酸酯、二環芬太尼丙烯酸酯、二環戊烯基丙烯酸酯、二環戊烯基羥乙基丙烯酸酯、醯亞胺丙烯酸酯等。此外，可以在前述之丙烯聚合物，對於乙酸乙烯、丙烯腈、苯乙烯等，來進行共聚合。
即使是在使用能量射線硬化型聚合物之狀態下，也可以併用前述之能量射線聚合性化合物，並且，也可以併用黏合劑聚合物成分(A)。本發明之保護膜形成層中之這些三者之練合量之關係，相對於能量射線硬化型聚合物和黏合劑聚合物成分(A)之質量和100質量份而最好是包含能量射線聚合性化合物之1~1500質量份、更加理想是10~500質量份、特別最好是20~200質量份。
能夠藉由在保護膜形成層，賦予能量射線硬化性，而以簡便且短時間地硬化保護膜形成層，提高具有保護膜 之晶片之生產效率。向來，晶片用之保護膜係一般藉由環氧樹脂等之熱硬化樹脂而形成，但是，熱硬化樹脂之硬化溫度係超過200℃，並且，硬化時間係需要2小時程度，因此，成為生產效率提升之障礙。但是，能量射線硬化性之保護膜形成層係藉由能量射線之照射而以短時間，來進行硬化，因此，可以簡便地形成保護膜，可以有助於生產效率之提升。
其他成分
保護膜形成層係可以加入至前述之黏合劑聚合物成分(A)和硬化性成分(B)而包含下列之成分。
(C)著色劑
保護膜形成層係最好是含有著色劑(C)。可以藉由在保護膜形成層，練合著色劑，而在半導體裝置來組裝於機器之際，遮蔽由周圍之裝置來產生之紅外線等，防止由於這些來造成之半導體裝置之錯誤動作，並且，在硬化保護膜形成層而得到之保護膜，提高在印字製品編號等之際之文字辨識性。也就是說，在形成保護膜之半導體裝置或半導體晶片，於保護膜之表面，通常藉由雷射標記法(藉由雷射光而削取保護膜之表面來進行印字之方法)而印字品號等，但是，藉由保護膜來含有著色劑(C)，而充分地得到以保護膜之雷射光來削取之部分和非這樣部分之對比差異，提高辨識性。作為著色劑(C)係使用有機或無機之顏料和染料。即使是在這些當中，也由電磁波或紅外線遮蔽性之方面來看的話，則最好是黑色顏料。作為黑色顏料係使用碳黑、氧化鐵、二氧化錳、苯胺黑、活性碳等，但是，並非限定於這些。由提高半導體裝置之可靠性之觀 點來看的話，則特別最好是碳黑。著色劑(C)係可以單獨地使用1種，並且，也可以組合2種以上而使用。本發明之保護膜形成層之高度之硬化性係使用降低可見光及/或紅外線和紫外線兩者之透過性之著色劑，在降低紫外線之透過性之狀態下，特別最好是發揮高度之硬化性。作為降低可見光及/或紅外線和紫外線兩者之透過性之著色劑係除了前述之黑色顏料以外，如果是在可見光及/或紅外線和紫外線兩者之波長區域來具有吸收性或反射性的話，則並無特別限定。
著色劑(C)之練合量係相對於構成保護膜形成層之全固態成分100質量份而最好是0.1~35質量份、更加理想是0.5~25質量份、特別最好是1~15質量份。
(D)硬化促進劑
硬化促進劑(D)係為了調整保護膜形成層之硬化速度而使用。硬化促進劑(D)係特別是在硬化性成分(B)，最好是使用在併用環氧樹脂和熱硬化劑之狀態。
作為理想之硬化促進劑係列舉三乙烯二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)苯酚等之3級胺類；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等之咪唑類；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等之有機膦類；四苯基鏻四苯基硼酸酯、三苯基膦四苯基硼酸酯等之四苯基硼鹽等。這些係可以單獨1種或者是混合2種以上而使用。
硬化促進劑(D)係相對於硬化性成分(B)之100 質量份而最好是包含0.01~10質量份、更加理想是0.1~1質量份之量。可以藉由以前述範圍之量，來含有硬化促進劑(D)，而即使是在曝露於高溫度．高濕度之下，也具有良好之接合特性，即使是在曝露於嚴格之流動條件之狀態下，也可以達成高度之可靠性。在硬化促進劑(D)之含有量變少時，成為硬度不足而無法得到充分之接合特性，在過剩時，具有高極性之硬化促進劑係因為在高溫度．高濕度之下，於接合界面側，移動於保護膜形成層之中，進行偏析，而降低半導體裝置之可靠性。
(E)偶合劑
偶合劑(E)係可以為了提高保護膜形成層對於晶片之接合性、密合性及/或保護膜之凝集性而使用。此外，可以藉由使用偶合劑(E)，而不損害硬化保護膜形成層來得到之保護膜之耐熱性，提高其耐水性。
作為偶合劑(E)係最好是將具有反應於黏合劑聚合物成分(A)、硬化性成分(B)等之具有之官能基之基之化合物予以使用。作為偶合劑(E)係最好是矽烷偶合劑。作為此種偶合劑係列舉γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基甲矽烷基丙基)四硫酸 酐、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙酸基矽烷、咪唑矽烷等。這些係可以單獨1種或者是混合2種以上而使用。
偶合劑(E)係相對於黏合劑聚合物成分(A)和硬化性成分(B)之合計100質量份而通常以0.1~20質量份、最好是0.2~10質量份、更加理想是0.3~5質量份之比例來包含。在偶合劑(E)之含有量未滿0.1質量份之時，可能會無法得到前述之效果，在超過20質量份之時，可能會成為脫氣之原因。
(F)無機填充材料
可以藉由無機填充材料(F)，練合於保護膜形成層，而調整硬化後之保護膜之熱膨脹係數，可以藉由相對於半導體晶片而使得硬化後之保護膜之熱膨脹係數呈最適當化，來提高半導體裝置之可靠性。此外，也可以減低在硬化後之保護膜之吸濕率。
作為理想之無機填充材料係列舉二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、氧化鈦、氧化鐵、碳化矽、氮化硼等之粉末、這些呈球形化之顆粒、單結晶纖維和玻璃纖維等。即使是在這些當中，也最好是二氧化矽填充物和氧化鋁填充物。前述之無機填充材料(F)係可以單獨或者是混合2種以上而使用。無機填充材料(F)之含有量係可以相對於構成保護膜形成層之全固態成分100質量份而通常調整於1~80質量份之範圍。
(G)光聚合起始劑
保護膜形成層係在含有能量射線硬化性成分來作 為前述之硬化性成分(B)之狀態下，於其使用之際，照射紫外線等之能量射線，硬化能量射線硬化性成分。在此時，可以藉由在該組成物中，含有光聚合起始劑(G)，而減少聚合硬化時間以及光線照射量。
作為此種光聚合起始劑(G)係具體地列舉二苯甲酮、乙醯苯、苯偶因、苯偶因甲基醚、苯偶因乙基醚、苯偶因異丙基醚、苯偶因異丁基醚、苯偶因安息香酸、苯偶因安息香酸甲酯、苯偶因二甲基酮縮醇、2,4-二乙基噻噸酮、α-羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫化物、四甲基二烴胺荒醯單硫化物、偶氮二氮丁腈、苄基、二苄基、二乙醯基、1,2-二苯基甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯醯二苯基膦氧化物以及β-氯蒽醌等。光聚合起始劑(G)係可以單獨1種或者是組合2種以上而使用。
光聚合起始劑(G)之練合比例係相對於能量射線硬化性成分100質量份而最好是包含0.1~10質量份，更加理想是包含1~5質量份。在未滿0.1質量份之時，由於光聚合之不足而無法得到滿足之轉印性，在超過10質量份之時，生成無助於光聚合之殘留物，保護膜形成層之硬化性呈不充分。
(H)交聯劑
為了調節保護膜形成層之初期接合力和凝集力，因此，也可以添加交聯劑。作為交聯劑(H)係列舉有機多價異氰酸酯化合物、有機多價亞胺化合物等。
作為前述之有機多價異氰酸酯化合物係可以列舉 芳香族多價異氰酸酯化合物、脂肪族多價異氰酸酯化合物、脂環族多價異氰酸酯化合物和這些之有機多價異氰酸酯化合物之三聚物、以及這些有機多價異氰酸酯化合物和多元醇化合物來進行反應而得到之末端異氰酸酯胺基甲酸乙酯預聚體等。
作為有機多價異氰酸酯化合物係列舉例如2,4-甲代苯撐二異氰酸酯、2,6-甲代苯撐二異氰酸酯、1,3-苯撐二甲基二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、三羥甲基丙烷加合甲代苯撐二異氰酸酯以及賴氨酸異氰酸酯。
作為前述之有機多價亞胺化合物係可以列舉N,N’-二苯基甲烷-4,4’-雙(1-氮雜環丙烷羧基醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮雜環丙烷基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮雜環丙烷基丙酸酯和N,N’-甲苯-2,4-雙(1-氮雜環丙烷羧基醯胺)三乙烯三聚氰胺等。
交聯劑(H)係相對於黏合劑聚合物成分(A)和能量射線硬化型聚合物之合計量100質量份而通常以0.01~20質量份、最好是0.1~10質量份、更加理想是0.5~5質量份之比率來使用。
(I)通用添加劑
可以在保護膜形成層，除了前面之敘述以外，還配合需要而練合各種之添加劑。作為各種之添加劑係列舉矯平 劑、可塑劑、帶電防止劑、氧化防止劑、離子補捉劑、除氣劑、連鎖移動劑等。
前述之由各成分而組成之保護膜形成層係具有接合性和硬化性，藉由在未硬化狀態，擠壓於工件(半導體晶圓或晶片等)而容易地進行接合。接著，可以經過硬化而在最後造成高度之耐撞擊性之保護膜，也具有良好之接合強度，即使是在嚴格之高溫度．高濕度之條件下，也可以保持充分之保護機能。此外，保護膜形成層係可以是單層構造，並且，也可以是在限定包含1層以上之含有前述成分之層而成為多層構造。
保護膜形成層之厚度係並無特別限定，但是，最好是3~300μm、更加理想是5~250μm、特別最好是7~200μm。
成為顯示保護膜形成層之可見光線及/或紅外線和紫外線之透過性之尺度之波長300~1200nm之最大透過率係最好是20%以下、更加理想是0~15%、甚至最好是超過0%而成為10%以下、特別最好是0.001~8%。在藉由波長300~1200nm之保護膜形成層之最大透過率成為前述之範圍而使得保護膜形成層來含有能量射線硬化性成分(特別是紫外線硬化性成分)之狀態下，即使是著色保護膜形成層之狀況，也具有良好之硬化性。此外，可見光波長區域及/或紅外線波長區域之透過性變低，因此，得到所謂起因於半導體裝置之紅外線而造成之錯誤動作之防止或者是印字辨識性之提升之效果。波長300~1200nm之保護膜形成層之最大透過率係可以藉由前述之著色劑(C)而進行調整。此外，保護膜形成層之最大透過率係使用UV-vis光譜檢查裝置(島津製作所(股)公司 製)，測定在硬化後之保護膜形成層(厚度25μm)之300~1200nm之全光線透過率，成為透過率之最高值(最大透過率)。
(剝離模片)
可以在具有保護膜形成層之切割模片，一直到供應於使用為止之間，設置用以避免表面和外部之接觸之剝離模片。作為剝離模片係使用例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚乙烯對苯二甲酸酯薄膜、聚乙烯萘二甲酸酯薄膜、聚丁烯對苯二甲酸酯薄膜、聚胺基甲酸乙酯薄膜、乙烯乙酸乙烯基共聚物薄膜、離子鍵聚合物樹脂薄膜、乙烯．(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯．(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、氟樹脂薄膜等之透明薄膜。此外，也使用這些之交聯薄膜。此外，也可以是這些之層積薄膜。此外，也可以使用著色這些之薄膜、非透明薄膜等。作為剝離劑係列舉例如矽酮系、氟系、含長鏈烷基胺基甲酸酯等之剝離劑。
剝離模片之厚度係通常為10~500μm、最好是15~300μm、特別最好是20~250μm程度。此外，具有保護膜形成層之切割模片之厚度係通常為1~500μm、最好是5~300μm、特別最好是10~150μm程度。
(具有保護膜形成層之切割模片)
作為具有保護膜形成層之切割模片之製造方法係列舉以下之方法。首先在剝離力調整層4上，形成保護膜形成層5。保護膜形成層係以適當之比例來將前述之各成分混合於 適當之溶媒中而組成之保護膜形成層用組成物，來塗佈．乾燥於剝離力調整層上而得到保護膜形成層。此外，可以在剝離模片上，塗佈．乾燥保護膜形成層用組成物而進行成膜，將這個貼合於剝離力調整層，成為保護膜形成層來夾住於2片之模片之狀態(剝離力調整層/保護膜形成層/剝離模片)。保護膜形成層和剝離力調整層之貼合係可以隨著加熱而進行。在此時，在保護膜形成層為熱硬化性之狀態下，最好是在未滿保護膜形成層之熱硬化溫度，進行加熱。
接著，在夾住於2片之模片之狀態之情況下，將剝離模片予以剝離。接著，對於保護膜形成層和剝離力調整層之層積體，進行離模而成為相同於應該貼附之工件(例如半導體晶圓等)之相同尺寸或更加大一圈之圓形，除去離模成為圓形之層積體之周圍。接著，藉由將圓形層積體之剝離力調整層側，貼附於另外準備之黏著模片3之黏著劑層2，配合糊膏相對於環圈框架之外徑而呈同心圓狀地離模黏著模片，除去離模之黏著模片之周圍，來得到本發明之具有保護膜形成層之切割模片。也可以在該狀態下，在層積體來貼附於黏著模片3之黏著劑層2之後，於露出之保護膜形成層和黏著劑層，貼合剝離模片。
此外，作為其他之方法係首先以保護膜形成層來夾住於剝離力調整層和剝離模片之狀態，在仍然殘留剝離模片之情況下，由剝離力調整層側開始進行半切割，對於剝離力調整層/保護膜形成層之層積體，進行離模而成為相同於應該貼附之工件(例如半導體晶圓等)之相同尺寸或更加大一圈之圓 形，對於離模成為圓形之層積體之周圍，進行除渣。在該狀態下，圓形之層積體係保持在剝離模片上。接著，將圓形層積體之剝離力調整層側，貼附於另外準備之黏著模片3之黏著劑層2。然後，藉著在仍然殘留剝離模片之情況下，由基材薄膜側開始，配合糊膏相對於環圈框架之外徑而呈同心圓狀地離模黏著模片，除去離模之黏著模片之周圍，來得到本發明之具有保護膜形成層之切割模片。在該狀態下，在剝離模片上，以預切割之狀態，來得到本發明之具有保護膜形成層之切割模片，在使用之際，由剝離模片開始進行剝離，將保護膜形成層側，貼附於要求之工件。
此外，可以在藉由能量射線硬化型黏著劑而形成黏著劑層之狀態下，藉由選擇照射能量射線之範圍，而形成由於要求之位置、大小及形狀來降低黏著力之黏著劑層之部分以及無降低黏著力之黏著劑層之部分。因此，可以在貼附黏著劑層之環圈框架之部分，照射能量射線，降低黏著力，調整成為要求範圍之黏著力。結果，可以具有良好之對於環圈框架之貼附性，防止對於環圈框架之糊膏殘留。此外，在本發明，剝離於剝離力調整層4和保護膜形成層5之間，將保護膜形成層5轉印於工件(晶片)側。因此，剝離力調整層4和黏著模片3之間之剝離力係進行設定而更加大於剝離力調整層4和保護膜形成層5之間之剝離力。因此，在貼附剝離力調整層4之部分，最好是不降低黏著模片之接合力。因此，最好是在貼附黏著劑層之保護膜形成層之部分，無照射能量，維持黏著力。此種黏著劑層之部分硬化係可以藉由在基材薄膜1上，形成呈部分地 遮蔽能量射線之保護遮罩，由基材薄膜側開始照射能量射線之方法等，而達成部分硬化。
此外，可以在相對於環圈框架之糊膏(黏著模片之外圍部之露出之黏著劑層)上，另外設置環狀之雙面膠帶或黏著劑層。雙面膠帶係具有黏著劑層/芯材/黏著劑層之構造，雙面膠帶之黏著劑層係並無特別限定，可以使用前述黏著模片之黏著劑而同樣地形成。此外，芯材係最好是具有耐熱性，作為芯材係最好是使用熔點為120℃以上之薄膜。在使用熔點未滿120℃之薄膜來作為芯材之時，在加熱．硬化保護膜形成層之際，芯材係進行熔融而無法保持形狀，或者是熔合於周邊之裝置。作為芯材係最好是使用例如聚酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、氟樹脂薄膜、液晶聚合物薄膜等。
在前述之具有保護膜形成層之切割模片，黏著模片和剝離力調整層之層積體部分之波長532nm和波長1064nm之全光線透過率係最好是70%以上、更加理想是75%以上。可以藉由黏著模片和剝離力調整層之層積體部分之波長532nm和波長1064nm之全光線透過率，成為前述之範圍，而在半導體晶圓來貼附具有保護膜形成層之切割模片之後，隔著黏著模片而進行對於保護膜之雷射標記。因此，能夠以晶圓固定於切割模片之狀態，來進行雷射標記，所以，抑制晶圓之彎曲，提高印字精度。
在前述之具有保護膜形成層之切割模片，可以在黏著模片和剝離力調整層，設置貫通黏著模片和剝離力調整層 之貫通孔。可以藉由設置貫通孔，來抑制由於在進行對於保護膜之雷射標記時而發生之氣體來產生之異物之發生。
(晶片之製造方法)
接著，就本發明之具有保護膜形成層之切割模片之利用方法而言，以該模片適用於晶片(例如半導體晶片等)之製造之狀態，來作為例子而進行說明。
使用本發明之具有保護膜形成層之切割模片之半導體晶片之製造方法，其特徵在於：在表面來形成電路之半導體晶圓(工件)之背面，貼附前述模片之保護膜形成層，按照該順序而進行以下之製程(1)、(2)、(3)，得到在背面具有保護膜之半導體晶片。
製程(1)：硬化保護膜形成層而得到保護膜；製程(2)：切割工件和保護膜形成層或保護膜；製程(3)：剝離保護膜形成層或保護膜和剝離力調整層。
此外，本發明之半導體晶片之製造方法係除了前述之製程(1)~(3)以外，還可以包含以下之製程(4)，也可以在前述製程(1)後之任何一個製程，進行製程(4)。
製程(4)：在保護膜，以雷射來進行印字。
製程(4)係最好是進行於製程(1)和製程(2)之間。藉由在硬化後之保護膜形成層，進行雷射印字，而使得印字精度呈良好。另一方面，在進行於製程(2)之後且製程(3)之前之狀態下，由於切割時之晶片之微小位置之偏離而 降低印字精度。此外，在進行於製程(3)之後之狀態下，必須在各個之晶片，呈個別地進行雷射印字，製程變得煩雜。
半導體晶圓係可以是矽晶圓，並且，也可以是鎵、砷等之化合物半導體晶圓。對於晶圓表面之電路形成係可以藉由包含蝕刻法、微影法等之向來通用之方法之各種方法而進行。接著，研磨．削除半導體晶圓之電路面之相反面(背面)。研磨．削除法係並無特別限定，可以藉由使用研磨機等之習知手段而進行研磨．削除。在背面之研磨．削除時，為了保護表面之電路，因此，在電路面，貼附所謂表面保護模片之黏著模片。背面之研磨．削除係藉由夾頭台座等而固定晶圓之電路面側(也就是表面保護模片側)，藉由研磨機而研磨．削除無形成電路之背面側。晶圓之研磨．削除後之厚度係並無特別限定，但是，通常為20~500μm程度。然後，配合需要而除去在研磨．削除背面時來產生之破碎層。破碎層之除去係藉由化學蝕刻或電漿蝕刻等而進行。
接著，在半導體晶圓之背面，貼附前述之具有保護膜形成層之切割模片之保護膜形成層。然後，按照該順序而進行製程(1)、(2)、(3)。就該製程之概要而言，詳細地敘述類似於日本特開2002-280329號公報之製程，在以下，還更加地進行說明。
首先，在表面來形成電路之半導體晶圓之背面，貼附前述之具有保護膜形成層之切割模片之保護膜形成層。接著，硬化保護膜形成層，在晶圓之整個面，形成保護膜。藉由將硬化前之保護膜形成層，貼附於半導體晶圓，而使得保護膜 形成層，呈良好地熔合於晶圓之貼附面，提高保護膜和半導體晶片之接合性。此外，在保護膜形成層之硬化時，抑制具有保護膜形成層之切割模片之收縮變形。在保護膜形成層，包含硬化性成分(B)，因此，一般係藉由熱硬化或能量射線之照射而硬化保護膜形成層。此外，在保護膜形成層來練合熱硬化性成分和能量射線硬化性成分之狀態下，可以藉由加熱和能量射線照射之兩者而進行保護膜形成層之硬化，可以同時進行藉由加熱和能量射線照射而造成之硬化，也可以依序地進行。結果，在晶圓之背面，形成由硬化樹脂而組成之保護膜，比起單獨晶圓之狀態，還更加地提高強度，因此，可以減低在處理時而變薄之晶圓之破損。此外，比起在晶圓或晶片之背面而對於保護膜用之塗佈液呈直接地進行塗佈．被覆膜化之塗佈法，還具有更加良好之保護膜厚度之均一性。
接著，最好是在硬化之保護膜形成層(保護膜)，進行雷射印字。雷射印字係藉由雷射標記法而進行，藉由雷射光之照射，隔著黏著模片，來削除保護膜之表面，而在保護膜，標記品號等。如果藉由本發明之具有保護膜形成層之切割模片的話，則即使是極為薄之晶圓，也可以抑制晶圓之彎曲，因此，可以正確地決定雷射光之焦點，呈精度良好地進行標記。
接著，在每一個形成於晶圓表面之電路，來切割半導體晶圓。進行切割而一起切斷晶圓和保護膜。切割法係並無特別限定，作為一例係列舉在晶圓之切割時，在藉由環圈框架而固定具有保護膜形成層之切割模片之周邊部(黏著模片之外圍部)之後，以使用切割用刮刀等之旋轉圓刀刃等之習知之 手法，來進行晶圓之晶片化之方法等。本發明之具有保護膜形成層之切割模片係具有剝離力調整層，保護膜和剝離力調整層係具有適度之密合性，因此，不容易由於來自切割用刮刀而施加之力來移動晶片之現象。由於切割而造成之切入深度係如果是完全地切斷晶圓和保護膜之程度的話，則變得充分，可以切斷剝離力調整層，並且，也可以不切斷剝離力調整層。在不切斷剝離力調整層之狀態下，不容易偏離得到之晶片位置。也就是說，在保護膜形成層之硬化時，黏著模片3係即使是引起熱變形，也使得黏著模片3之變形不影響至晶片之排列部為止，維持晶片之排列狀態，減低檢取之不良。
此外，前述之黏著模片3係具有充分之耐熱性，即使是在保護膜形成層之硬化條件而使得黏著模片3之變形呈變小之狀態下，也可以在切斷晶圓和保護膜之際，完全地切斷剝離力調整層4。可以藉由切斷剝離力調整層4而在切割後，膨脹本發明之切割模片，分離晶片之間隔，容易進行晶片之檢取。
然後，在切斷剝離力調整層4之狀態下，膨脹前述之黏著模片。本發明之黏著模片係具有良好之伸張性，因此，本發明之具有保護膜形成層之切割模片係具有良好之膨脹性，提高晶片之檢取性。此外，正如前面之敘述，即使是在不切斷剝離力調整層之狀態下，也藉由剝離力調整層而維持晶片之排列性，因此，即使是不進行膨脹，也可以檢取晶片。
藉由以夾套等之通用手段，來檢取切割之具有保護膜之半導體晶片，而剝離於保護膜和剝離力調整層之間之界 面。結果，得到在背面具有保護膜之半導體晶片(具有保護膜之半導體晶片)。本發明之具有保護膜形成層之切割模片係具有剝離力調整層，因此，保護膜係無法牢固地密合於黏著劑層或基材薄膜，可以容易地進行檢取。如果藉由此種本發明的話，則可以在晶片之背面，呈簡便地形成高度之均勻性之保護膜，不容易發生在切割製程或封裝後之破裂。此外，如果藉由本發明的話，則比起將形成保護膜之晶圓重貼於切割帶而進行切割之習知之製程，還可以不進行對於切割帶之重貼而得到具有保護膜之晶片，達到製造製程之簡化。接著，可以藉由以面朝下方式，將半導體晶片來構裝於規定之基台上，而製造半導體裝置。此外，也可以藉由在模襯墊部或其他之半導體晶片等之其他構件上(晶片搭載部上)，接合在背面具有保護膜之半導體晶片，而製造半導體裝置。
實施例
在以下，藉由實施例而說明本發明，但是，本發明係並非限定於這些實施例。此外，在以下之實施例及比較例，<剝離力調整層和保護膜之間之剝離力>、<基材薄膜和剝離力調整層之熱收縮率>、<熱硬化適當性>、<切割適當性>以及<檢取適當性>係正如以下而進行測定．評價。此外，使用下列之<保護膜形成層用組成物>、<黏著劑組成物>和<剝離力調整層>。
<剝離力調整層和保護膜之間之剝離力>
就具有保護膜形成層之切割模片而言，藉由前述之方法而測定剝離力調整層和保護膜之間之剝離力。保護膜形 成層之硬化係藉由將貼附具有保護膜形成層之切割模片之晶圓，投入至130℃之加熱烤爐2小時，而進行硬化。
<加熱硬化製程適當性>
在厚度350μm、直徑6英吋之進行# 2000研磨之矽晶圓之研磨面，將具有保護膜形成層之切割模片之保護膜形成層予以貼附。接著，將貼附具有保護膜形成層之切割模片之晶圓，投入至130℃之加熱烤爐2小時而硬化保護膜形成層。以在保護膜形成層和剝離力調整層(位處於比較例2、黏著劑層)之間而無發生起因於基材薄膜或剝離力調整層之變形之剝離之狀態，來作為A，以產生剝離之狀態，來作為B而進行評價。
<切割適當性>
相同於加熱硬化製程適當性之評價而進行保護膜形成層之硬化。接著，使用切粒機(DISCO股份有限公司製、DFD651)，以葉片速度40mm/秒，在基材薄膜，造成切口而成為15μm之深度，在3mm×3mm尺寸之晶片，來切割晶圓。在切割，以晶片無由規定之位置開始動作之狀態，來作為A，以藉由葉片之動作而彈飛晶片之狀態，來作為B。
<檢取適當性>
在進行切割適當性之評價後，藉由晶片接合機(佳能機械公司製、Bestem-D02)而進行檢取，以能夠檢取之狀態，來作為A，以無法檢取之狀態，來作為B。
<基材薄膜和剝離力調整層之熱收縮率>
分別將基材薄膜和剝離力調整層，裁斷成為 10cm×10cm而投入至熱風烤爐(130℃、2小時)。然後，取出基材薄膜和剝離力調整層，測定薄膜之尺寸，藉由下列之公式而求出熱收縮率。
熱收縮率(%)={(投入前之薄膜面積)-(投入後之薄膜面積)}/投入前之薄膜面積×100
<保護膜形成層>
保護膜形成層(1)：使用成為夾持於2片之剝離模片之保護膜形成層之Lingteck股份有限公司製之LC2850(25)。
保護膜形成層(2)：使用成為夾持於2片之剝離模片之保護膜形成層之Lingteck股份有限公司製之LC2822H。
<黏著劑組成物>
使用相對於以84重量%、8重量%、8重量%之比例來包含2-乙基己基丙烯酸酯、甲基甲基丙烯酸酯、2-羥基乙基丙烯酸酯之構成單位之重量平均分子量60萬之丙烯系聚合物100質量份而加入4質量份之異氰酸酯系交聯劑(TOYOCHEM股份有限公司製、BHS-8515)之黏著劑組成物。
<基材薄膜>
厚度140μm之具有平滑面和凹凸面之聚丙烯薄膜、CT265(三菱樹脂股份有限公司製)
<剝離力調整層用薄膜>
厚度140μm之具有平滑面和凹凸面之聚丙烯薄 膜、CT265(三菱樹脂股份有限公司製)
(實施例1)
由保護膜形成層(1)來剝離某一邊之剝離模片，在保護膜形成層上，使得剝離力調整層用薄膜，對向於平滑面，加熱於70℃，同時，進行層積。殘留剝離模片，對於保護膜形成層和剝離力調整層，進行離模而成為相同於矽晶圓之相同尺寸(直徑6英吋)，得到離模成為圓形之保護膜形成層/剝離力調整層之層積體。
藉由在黏著模片用剝離模片(SP-PET381031、Lingteck股份有限公司製)之上，塗佈．乾燥(乾燥條件：在烤爐、120℃、3分鐘)前述之黏著劑組成物之溶液而在乾燥後，成為10μm之厚度，貼合基材薄膜和黏著劑層，來在基材薄膜上，形成黏著劑層，得到設置剝離模片之黏著模片。
由前述之黏著模片，來除去剝離模片，在黏著劑層上，貼附前述之保護膜形成層/剝離力調整層之層積體之剝離力調整層側，以殘留剝離模片之狀態，配合漿糊相對於環圈框架之外徑(直徑205mm)而對於黏著模片，呈同心圓狀地進行離模。然後，剝離保護膜形成層上之剝離模片，得到具有保護膜形成層之切割模片。將各評價結果，顯示於表1。
(實施例2)
除了使用保護膜形成層(2)來作為保護膜形成層以外，其餘係相同於實施例1而得到具有保護膜形成層之切割模片。將各評價結果，顯示於表1。
(實施例3)
除了使用保護膜形成層(2)來作為保護膜形成層，在保護膜形成層上，使得剝離力調整層用薄膜，對向於凹凸面而進行層積以外，其餘係相同於實施例1而得到具有保護膜形成層之切割模片。將各評價結果，顯示於表1。
(實施例4)
除了使用聚乙烯對苯二甲酸酯薄膜(三菱樹脂股份有限公司製、T100)來作為基材薄膜，使用厚度50μm之具有平滑面和凹凸面之聚丙烯薄膜(二村化學公司製、FOP-K)來作為剝離力調整層用薄膜，在保護膜形成層上，使得剝離力調整層用薄膜，對向於平滑面而進行層積以外，其餘係相同於實施例1而得到具有保護膜形成層之切割模片。將各評價結果，顯示於表1。
(比較例1)
除了使用保護膜形成層(2)來作為保護膜形成層，使用厚度100μm之具有平滑面和凹凸面之聚丁烯對苯二甲酸酯薄膜(OG薄膜公司製、XOFL)來作為剝離力調整層用薄膜，在保護膜形成層上，使得剝離力調整層用薄膜，對向於凹凸面而進行層積以外，其餘係相同於實施例1而得到具有保護膜形成層之切割模片。將各評價結果，顯示於表1。
(比較例2)
除了無設置剝離力調整層以外，其餘係相同於實施例1而得到具有保護膜形成層之切割模片。將各評價結果，顯示於表1。
(比較例3)
除了使用厚度38μm之單邊之面進行剝離處理之聚乙烯對苯二甲酸酯薄膜(Lingteck股份有限公司製、SP-381031)來作為剝離力調整層用薄膜，在保護膜形成層上，對向於剝離處理面而層積剝離力調整層用薄膜以外，其餘係相同於實施例1而得到具有保護膜形成層之切割模片。在該具有保護膜形成層之切割模片，於切割適當性之評價，藉由葉片而彈飛晶片，因此，無法進行檢取適當性之評價。將各評價結果，顯示於表1。
1‧‧‧基材薄膜
2‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧黏著模片
4‧‧‧剝離力調整層
5‧‧‧保護膜形成層
6‧‧‧環圈框架
10‧‧‧具有保護膜形成層之切割模片

Claims (9)

  1. 一種具有保護膜形成層之切割模片，在由基材薄膜和黏著劑層而組成之黏著模片之黏著劑層上，透過剝離力調整層而具有保護膜形成層，在黏著模片之內圍部，具有剝離力調整層和保護膜形成層之層積體，在黏著模片之外圍部，露出黏著劑層，剝離力調整層以及硬化保護膜形成層之保護膜之間之剝離力係0.05~5N/25mm。
  2. 如申請專利範圍第1項之具有保護膜形成層之切割模片，其中，在130℃來2小時加熱時之剝離力調整層之熱收縮率係-5~+5%。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之具有保護膜形成層之切割模片，其中，在130℃來2小時加熱時之基材薄膜之熱收縮率係-5~+5%。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之具有保護膜形成層之切割模片，其中，黏著模片和剝離力調整層之層積體之波長532nm及1064nm之全光線透過率係70%以上。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之具有保護膜形成層之切割模片，其中，保護膜形成層係含有黏合劑聚合物成分和硬化性成分。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之具有保護膜形成層之切割模片，其中，保護膜形成層係含有著色劑，波長300~1200nm之保護膜形成層之最大透過率係20%以下。
  7. 一種晶片之製造方法，將如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之具有保護膜形成層之切割模片之保護膜形成 層，貼附於工件，按照該順序而進行以下之製程(1)、(2)、(3)；製程(1)：硬化保護膜形成層而得到保護膜；製程(2)：切割工件和保護膜形成層或保護膜；製程(3)：剝離保護膜形成層或保護膜和剝離力調整層。
  8. 如申請專利範圍第7項之晶片之製造方法，其中，在前述製程(1)後之任何一個製程，進行下列之製程(4)；製程(4)：在保護膜，以雷射來進行印字。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之晶片之製造方法，其中，在前述之製程(2)，對於剝離力調整層，進行全切割。
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