TWI689412B - 樹脂膜形成用複合薄片、及附樹脂膜之晶片之製造方法 - Google Patents

樹脂膜形成用複合薄片、及附樹脂膜之晶片之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係提供一種樹脂膜形成用複合薄片，其係具有於支撐薄片上可形成樹脂膜之樹脂膜形成用薄膜為直接層合之構成，滿足下述要件(I)及(II)，要件(I)：將同矽晶圓黏貼側的前述樹脂膜形成用薄膜的表面(α)於矽晶圓上進行黏貼之後，在23℃的環境下，以拉伸速度300mm/分鐘、及拉伸角度180°的剝離條件(x)進行測試，由該矽晶圓將該樹脂膜形成用薄膜進行剝離所需要之剝離力(α1)為0.05~10.0N/25mm；要件(II)：以前述剝離條件(x)進行測試，由同前述支撐薄片之直接層合側的前述樹脂膜形成用薄膜的表面(β)，將前述支撐薄片進行剝離所需要之剝離力(β1)為剝離力(α1)以上的值。

Description

樹脂膜形成用複合薄片、及附樹脂膜之晶片之製造方法
本發明係關於樹脂膜形成用複合薄片、及使用樹脂膜形成用複合薄片之附樹脂膜之晶片之製造方法。
近年來，正進行使用亦即被稱為倒裝(Face down)方式之實裝法的半導體裝置之製造。在倒裝方式，係於半導體晶片之電路面上搭載具有撞擊等之電極之半導體晶片(以下亦單稱為「晶片」)，晶片之電極與基板接合。因此，有時變成和與基板之接合側相反側之晶片的表面(以下亦稱為「晶片之背面」)剝離。
於此成為剝離之晶片的背面中，有時形成由有機材料所構成之樹脂膜，被納入半導體裝置作為附樹脂膜之晶片。該樹脂膜亦可賦予於切割步驟或包裝之後作為用以防止裂縫的發生之保護膜的功能、或將所得到之晶片，作為用以與晶粒焊墊(die pad)部或其他半導體晶片等之其他構件上接著之接著膜的功能。
一般而言，此附樹脂膜之晶片係將包含樹脂之組成物 的溶液藉由旋塗法等，塗佈於晶圓之背面而形成塗膜後，使該塗膜乾燥及硬化而形成樹脂膜，藉由切割所得到之附樹脂膜之晶圓來製造。
且，藉由將硬化性之樹脂膜形成用薄片於晶圓的背面進行黏貼，於晶圓之切割前後藉由能量線之照射或加熱，使此樹脂膜形成用薄片硬化，而成為樹脂膜，亦可製造附樹脂膜之晶圓或附樹脂膜之晶片。
作為於如此之晶片的背面或晶圓的背面上形成樹脂膜之材料，提案有各式各樣的樹脂膜形成用薄膜。
例如於專利文獻1，揭示有一種晶片保護用薄膜，其係具有包含丙烯酸系共聚物所構成之聚合物成分、能量線硬化性成分、染料或顏料、無機填料、及光聚合起始劑之能量線硬化型保護膜形成層以2片之剝離薄片挾持之構成。
根據專利文獻1之記載，該晶片保護用薄膜藉由能量線之照射，可形成雷射標識認識性、硬度、及與晶圓的密著性良好之保護膜，與以往之晶片保護用薄膜相比較，步驟之簡略化變可能。
且，專利文獻2中，揭示有一種切割膠帶一體型晶圓背面保護薄膜，其係具有於基材上具有黏著劑層之切割膠帶、與於該切割膠帶之黏著劑層上具有經著色且有預定彈性率之晶圓背面保護薄膜。
根據專利文獻2之記載，成為該晶圓背面保護薄膜係在半導體晶圓之切割步驟，與半導體晶圓的保持力良好。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-138026號公報
[專利文獻2]日本特開2010-199543號公報
因此，將專利文獻1及2所記載之保護薄膜於晶圓進行黏貼之時，產生於晶圓上進行黏貼之保護薄膜的位置移位、或以晶圓上附著異物的狀態，可能導致引起於此晶圓上亦包含異物的方式將保護薄膜進行黏貼。如此之情況下，有欲將保護薄膜進行來自晶圓的再加工(重貼)的情況。
然而，將一度黏貼於晶圓上之保護薄膜，以不會於晶圓上產生殘渣，乾淨地進行再加工有困難的情況很多。
尤其是專利文獻1及2所揭示之保護薄膜，由於係以黏貼時與晶圓的密著性、或黏貼後與晶圓的保持力提昇作為目的者，一度黏貼於晶圓上時，由於與晶圓的密著性高，進行再加工非常困難。
亦即，欲將一度黏貼於晶圓之保護薄膜強力剝離時，藉由所施加之力破損晶圓、或即使將保護薄膜進行剝離，導致於晶圓上殘存保護薄膜之一部分，無法將該晶圓進行再利用。
於專利文獻1及2，針對所記載之保護薄膜，雖進行從黏貼時與晶圓的密著性、或黏貼後與晶圓的保持力的觀點的研討，但針對一度黏貼於晶圓之保護薄膜的再加工性的研討則完全沒有。
本發明係以提供一種再加工性優異，即使黏貼於矽晶圓之後亦可剝離之樹脂膜形成用複合薄片、及使用該樹脂膜形成用複合薄片之附樹脂膜之晶片之製造方法作為目的。
本發明者們發現，在具有於支撐薄片上樹脂膜形成用薄膜為直接層合之構成的樹脂膜形成用複合薄片，藉由調整由被著體即矽晶圓將樹脂膜形成用薄膜進行剝離所需要之剝離力、與剝離樹脂膜形成用薄膜與支撐薄片所需要之剝離力，可解決上述課題，而完成本發明。
亦即，本發明係提供下述[1]~[9]。
[1]一種樹脂膜形成用複合薄片，其係具有於支撐薄片上可形成樹脂膜之樹脂膜形成用薄膜為直接層合之構成，且滿足下述要件(I)及(II)，要件(I)：將同矽晶圓黏貼側的前述樹脂膜形成用薄膜的表面(α)於矽晶圓上進行黏貼之後，在23℃的環境下，以拉伸速度300mm/分鐘、及拉伸角度180°的剝離條件(x)進行測試，由該矽晶圓將該樹脂膜形成用薄膜進行剝離所需要之剝離力(α1)為0.05~10.0N/25mm； 要件(II)：以前述剝離條件(x)進行測試，由同前述支撐薄片之直接層合側的前述樹脂膜形成用薄膜的表面(β)，將前述支撐薄片進行剝離所需要之剝離力(β1)為剝離力(α1)以上的值。
[2]如上述[1]之樹脂膜形成用複合薄片，其中進一步滿足下述要件(III)，要件(III)：由前述樹脂膜形成用薄膜形成樹脂膜之時，以前述剝離條件(x)進行測試，由同前述支撐薄片之直接層合側的前述樹脂膜的表面(β’)，將前述支撐薄片進行剝離所需要之剝離力(β2)為0.02~5.0N/25mm。
[3]如上述[1]或[2]之樹脂膜形成用複合薄片，其中剝離力(β1)為0.05~20.0N/25mm。
[4]如上述[1]~[3]中任一項之樹脂膜形成用複合薄片，其中前述支撐薄片為僅由基材所構成之薄片。
[5]如上述[1]~[3]中任一項之樹脂膜形成用複合薄片，其中前述支撐薄片為於基材上具有黏著劑層之黏著薄片，且具有該黏著薄片之黏著劑層與前述樹脂膜形成用薄膜的表面(β)為直接層合之構成。
[6]如上述[5]之樹脂膜形成用複合薄片，其中前述黏著劑層為由含有能量線硬化型樹脂之黏著劑組成物所形成之層。
[7]如上述[1]~[6]中任一項之樹脂膜形成用複合薄片，其中前述樹脂膜形成用薄膜為含有聚合物成分(A)及 硬化性成分(B)。
[8]如上述[1]~[7]中任一項之樹脂膜形成用複合薄片，其中前述樹脂膜形成用薄膜為保護膜或接著膜的形成材料。
[9]一種附樹脂膜之晶片之製造方法，其係具有下述步驟(1)~(4)，步驟(1)：於加工物的背面，將如請求項1~8中任一項之樹脂膜形成用複合薄片進行黏貼之步驟；步驟(2)：將加工物進行切割之步驟步驟(3)：由樹脂膜形成用薄膜形成樹脂膜之步驟步驟(4)：將經由步驟(2)所得到之切割後的加工物進行拾取而得到晶片之步驟。
本發明之樹脂膜形成用複合薄片係再加工性優異，即使黏貼於矽晶圓之後亦可剝離，可將剝離後之矽晶圓進行再利用。因此，根據使用本發明之樹脂膜形成用複合薄片之附樹脂膜之晶片之製造方法，從生產性及經濟性的觀點來看有優勢。
1a、1b、1c、1d‧‧‧樹脂膜形成用複合薄片(複合薄片)
10‧‧‧支撐薄片
20‧‧‧樹脂膜形成用薄膜
21‧‧‧表面(α)
22‧‧‧表面(β)
30‧‧‧樹脂膜
31‧‧‧表面(α’)
32‧‧‧表面(β’)
40‧‧‧治具接著層
50‧‧‧載體薄片
100‧‧‧矽晶圓
[圖1]係本發明之一態樣的樹脂膜形成用複合薄片的截面圖。
[圖2]係表示將本發明之一態樣的樹脂膜形成用複合薄片於矽晶圓上進行黏貼時的構成之截面圖。
[圖3]係表示使用本發明之一態樣的樹脂膜形成用複合薄片，於矽晶圓上形成樹脂膜時的構成之截面圖。
在本說明書，例如所謂「(甲基)丙烯酸酯」，係作為表示「丙烯酸酯」及「丙烯酸甲酯」雙方之用語使用，對於其他類似用語亦相同。
且，所謂「能量線」，例如係指紫外線或電子束等，較佳為紫外線。
[樹脂膜形成用複合薄片的構成]
圖1係本發明之一態樣的樹脂膜形成用複合薄片的截面圖。
本發明之樹脂膜形成用複合薄片(以下亦單稱為「複合薄片」)亦如圖1所示，係具有於支撐薄片上可形成樹脂膜之樹脂膜形成用薄膜為直接層合之構成。
尚，針對本發明之複合薄片的形態，並未特別限制，例如可為長膠帶狀、單葉之標籤等之形態。
作為本發明之一態樣的複合薄片，可列舉如圖1(a)所示，具有於支撐薄片10上的表面上樹脂膜形成用薄膜20為直接層合之構成的複合薄片1a。
作為本發明之一態樣的複合薄片之樹脂膜形成用薄膜 20的形狀，以可包含與被著體即矽晶圓略為同一形狀或是矽晶圓的形狀之形狀較佳。
尚，圖1(a)之複合薄片1a雖表示支撐薄片10與樹脂膜形成用薄膜20為略為同一形狀，但如圖1(b)所示，樹脂膜形成用薄膜20的形狀可為較支撐薄片10的形狀更小之複合薄片1b。
且，作為本發明之一態樣的複合薄片，可列舉如圖1(c)所示，具有環狀之治具接著層40之複合薄片1c。
環狀之治具接著層40係與環狀框架等之治具接著時，以使對於該治具之接著力提昇為目的而設置者，可由具有基材(芯材)之雙面黏著薄片或黏著劑形成。
尚，於圖1(c)所示之複合薄片1c，治具接著層40雖設置在樹脂膜形成用薄膜20的表面(α)21上，但作為本發明之一態樣的複合薄片，可成為於如圖1(b)所示之複合薄片1b之支撐薄片10的表面上設置治具接著層40之構成。
尚，例如圖1(a)所示之複合薄片1a所具有之樹脂膜形成用薄膜20經表出之表面(α)21成為與被著體即矽晶圓的黏貼面。
因此，於表面(α)21為了防止異物之附著或刮傷等，如圖1(d)所示，可於樹脂膜形成用薄膜20的表面(α)21上，作為進一步於矽晶圓進行黏貼時層合可剝離之載體薄片50的複合薄片1d。
圖1(d)所示之複合薄片1d係表示於圖1(a)所示之複合薄片1a所具有之樹脂膜形成用薄膜20的表面(α)21上設置載體薄片50之構成。此載體薄片50係為了保存時防止樹脂膜形成用薄膜20的表面(α)21上附著污物等而設置者，將複合薄片1d黏貼於矽晶圓時被去除者。
尚，圖1(d)所示之複合薄片1d所具有之載體薄片50，雖可列舉由樹脂薄膜等之載體薄片用基材所構成者，但以於該樹脂薄膜等之載體薄片用基材的表面實施剝離處理之薄片較佳。
且，與複合薄片1d的構成相同，在圖1(b)之複合薄片1b，以被覆表面(α)21與支撐薄片10的表面的方式，可進一步設置該載體薄片，在圖1(c)所示之複合薄片1c，以被覆表面(α)21與治具接著層40的表面的方式，可設置該載體薄片。
於此，本發明之一態樣的複合薄片所具有之支撐薄片，可為僅由基材所構成之薄片，亦可為於基材上具有黏著劑層之黏著薄片。
尚，使用黏著薄片作為支撐薄片時，成為該黏著薄片之黏著劑層、與樹脂膜形成用薄膜20的表面(β)22為直接層合之構成。
且，作為於本發明之一態樣使用之支撐薄片，可為由具有實施剝離處理的表面之基材所構成之薄片。作為支撐薄片，使用由具有實施剝離處理的表面之基材所構成之薄片的複合薄片，成為實施基材之剝離處理的 表面、與樹脂膜形成用薄膜20的表面(β)22為直接層合之構成。
[樹脂膜形成用複合薄片之剝離力(α1)、(β1)、(β2)]
本發明之樹脂膜形成用複合薄片必須是滿足下述要件(I)及(II)。
要件(I)：將同矽晶圓黏貼側的前述樹脂膜形成用薄膜的表面(α)於矽晶圓上進行黏貼之後，在23℃的環境下，以拉伸速度300mm/分鐘、及拉伸角度180°的剝離條件(x)進行測試，由該矽晶圓將該樹脂膜形成用薄膜進行剝離所需要之剝離力(α1)為0.05~10.0N/25mm。
要件(II)：以前述剝離條件(x)進行測試，由同前述支撐薄片之直接層合側的前述樹脂膜形成用薄膜的表面(β)，將前述支撐薄片進行剝離所需要之剝離力(β1)為剝離力(α1)以上的值。
尚，在本說明書，上述要件(I)、(II)所規定之「剝離力(α1)」及「剝離力(β1)」，係意指藉由實施例所記載之條件及方法所測定之值。
圖2係表示將本發明之一態樣的樹脂膜形成用複合薄片於矽晶圓上進行黏貼時的構成之截面圖。
要件(I)所規定之「剝離力(α1)」如圖2所示，係規定矽晶圓100、與同矽晶圓黏貼側之樹脂膜形成用薄膜20的表面(α)21的境界面α1之剝離力者。
在本發明，剝離力(α1)必須為0.05~ 10.0N/25mm。
例如如專利文獻1及2所揭示，以往之樹脂膜形成用薄膜將矽與晶圓的密著性及保持性的提昇作為目的的情況多，而成為用以提高上述之剝離力(α1)之值的材料設計。
然而，剝離力(α1)超過10.0N/25mm時，將一旦黏貼於矽晶圓上之樹脂膜形成用薄膜進行再加工事實上變困難。亦即，認為如此的情況下，欲將黏貼於矽晶圓上之該樹脂膜形成用薄膜強力剝離時，有於矽晶圓上殘存樹脂膜形成用薄膜的一部分、或破損矽晶圓，無法再利用該矽晶圓。
因此，在本發明之複合薄片，為了得到再加工性優異，即使對矽晶圓黏貼後亦可剝離之複合薄片，將上述之剝離力(α1)調整至10.0N/25mm以下。
另一方面，上述之剝離力(α1)未滿0.05N/25mm時，有黏貼於矽晶圓後，尤其是於複合薄片之端部易產生浮起或剝落的傾向。
上述觀點來看，在本發明之一態樣，剝離力(α1)較佳為0.06~9.5N/25mm，更佳為0.07~9.2N/25mm，更佳為0.1~9.0N/25mm，再更佳為0.2~8.0N/25mm，再更佳為0.5~6.0N/25mm，又再更佳為0.5~4.0N/25mm、特佳為0.5~3.0N/25mm。
尚，在本發明之一態樣，作為剝離力(α1)之調整方法，例如可列舉適當選擇樹脂膜形成用薄膜中所包含之聚合物成分、硬化性成分、無機填充材、添加劑等之種 類或含量進行調整之方法。針對具體之剝離力(α1)的調整方法，可藉由適當考慮後述之各成分的項目所記載之事項，來進行調整。
要件(II)所規定之「剝離力(β1)」例如如圖2所示，係規定在同前述支撐薄片10直接層合側的樹脂膜形成用薄膜20的表面(β)22、與支撐薄片10的境界面β1之剝離力者。
尚，使用黏著薄片作為支撐薄片時，該「剝離力(β1)」成為規定在樹脂膜形成用薄膜的表面(β)、與作為支撐薄片使用之黏著薄片的黏著劑層的境界面之剝離力者。
在本發明，剝離力(β1)必要為上述之剝離力(α1)以上之值。
剝離力(β1)未滿剝離力(α1)之值時，將黏貼於矽晶圓之複合薄片進行再加工時，於矽晶圓上殘存樹脂膜形成用薄膜的全部或一部分，無法再利用該矽晶圓。
從使複合薄片之再加工性更加提昇的觀點來看，作為剝離力(β1)與剝離力(α1)的差異[(β1)-(α1)]，較佳為0.01N/25mm以上，更佳為0.1N/25mm以上，更佳為0.15N/25mm以上，再更佳為0.2N/25mm以上，又再更佳為0.5N/25mm以上、特佳為1.0N/25mm以上。
且，作為剝離力(β1)與剝離力(α1)的差異[β1-α1]，較佳雖為20N/25mm以下，更佳為12N/25mm以下，但在拾取經切割之矽晶圓時，從拾取性變為良好的觀點來看，更佳為8.0N/25mm以下，再更佳為6.0N/25mm以下，再更 佳為4.0N/25mm以下，又再更佳為2.5N/25mm以下。
在本發明之一態樣，作為剝離力(β1)，較佳為0.05~20.0N/25mm，更佳為0.2~18.0N/25mm，再更佳為0.5~16.0N/25mm，又再更佳為1.0~14.0N/25mm。
若剝離力(β1)為0.05N/25mm以上，將黏貼於矽晶圓之複合薄片進行再加工時，可防止在境界面β1，最終分離樹脂膜形成用薄膜與支撐薄片的現象。
另一方面，若剝離力(β1)為20.0N/25mm以下，在拾取經切割之矽晶圓時，可將拾取性變為良好。
尚，在本發明之一態樣，作為剝離力(β1)之調整方法，例如可列舉適當選擇樹脂膜形成用薄膜中所包含之上述之各成分的種類或含量、所使用之支撐薄片的種類(亦包含成為基材之樹脂薄膜的種類、構成剝離層之樹脂及添加劑的種類及摻合量、構成黏著劑層之樹脂及添加劑的種類及摻合量)進行調整之方法。
針對具體之剝離力(β1)的調整方法，藉由適當考慮後述之各成分的項目所記載之事項，可進行調整。
且，本發明之一態樣的複合薄片以進一步滿足下述要件(III)較佳。
要件(III)：由前述樹脂膜形成用薄膜形成樹脂膜之時，以前述剝離條件(x)進行測試，由同前述支撐薄片之直接層合側的前述樹脂膜的表面(β’)，將前述支撐薄片進行剝離所需要之剝離力(β2)為0.02~5.0N/25mm。
尚，在本說明書，上述要件(III)所規定之「剝離力 (β2)」係意指藉由實施例所記載之條件及方法所測定之值。
圖3係表示使用本發明之一態樣的樹脂膜形成用複合薄片，於矽晶圓上形成樹脂膜時的構成之截面圖。
要件(III)所規定之「剝離力(β2)」，例如如圖3所示，係規定在由樹脂膜形成用薄膜所形成之樹脂膜30的表面(β’)32、與支撐薄片10的境界面β2之剝離力者。
尚，使用黏著薄片作為支撐薄片時，該「剝離力(β2)」成為規定在樹脂膜的表面(β’)、與作為支撐薄片使用之黏著薄片的黏著劑層的境界面之剝離力者。
若剝離力(β2)為0.02N/25mm以上，拾取經切割之矽晶圓而得到晶片時，由於對於晶片有某程度的保持力，就在拾取前，可抑制晶片不勻分散的現象。
另一方面，若剝離力(β2)為5.0N/25mm以下，在拾取經切割之矽晶圓時，可將拾取性變為良好。
在本發明之一態樣，上述之剝離力(β2)從上述觀點來看，較佳為0.03~4.0N/25mm，更佳為0.05~2.5N/25mm，再更佳為0.10~2.0N/25mm，又再更佳為0.15~1.5N/25mm。
另一方面，作為圖3所示，在矽晶圓100、與由樹脂膜形成用薄膜所形成之樹脂膜30的矽晶圓層合側的表面(α’)31的境界面α2之剝離力(α2)，雖並未特別限制，但以至少較上述之剝離力(α1)及剝離力(β2)更大之值 較佳。
尚，在本發明之一態樣，作為剝離力(β2)之調整方法並未特別限制，可列舉與上述之剝離力(β1)相同之調製方法。
且，使用黏著薄片作為支撐薄片時，以使用具有由包含能量線硬化型樹脂之黏著劑組成物所形成之黏著劑層的黏著薄片較佳。藉由照射能量線，使黏著劑層的黏著力降低，以將剝離力(β2)成為屬於上述範圍的方式易進行調整。
[構成樹脂膜形成用複合薄片之各層]
以下，針對本發明之一態樣的構成樹脂膜形成用複合薄片之各層進行說明。
<樹脂膜形成用薄膜>
作為本發明之一態樣的複合薄片所具有之樹脂膜形成用薄膜，雖然若剝離力(α1)及(β1)為成為上述範圍者即可，但以包含聚合物成分(A)及硬化性成分(B)之樹脂膜形成用薄膜較佳。
尚，該樹脂膜形成用薄膜在不損及本發明的效果的範圍，可與成分(A)及(B)一起進一步含有選自無機填充材(C)、著色劑(D)、偶合劑(E)、及通用添加劑(F)中之1種以上。
以下，針對樹脂膜形成用薄膜所包含之上述成分(A) ~(F)進行說明。
且，剝離力(α1)、(β1)及(β2)之值，可藉由適當組合在以下各成分之適合事項進行考慮，來進行調整。
[聚合物成分(A)]
在本說明書，所謂「聚合物成分」，係意指質量平均分子量(Mw)為2萬以上，至少具有1種重複單位之化合物。
於本發明之一態樣所使用之樹脂膜形成用薄膜藉由含有聚合物成分(A)，可賦予可撓性及造膜性，可將薄片性狀維持性變為良好。
作為聚合物成分(A)之質量平均分子量(Mw)，上述觀點來看，較佳為2萬以上，更佳為2萬~300萬，更佳為5萬~200萬，再更佳為10萬~150萬。
尚，在本說明書之記載，聚合物成分等之質量平均分子量(Mw)之值係以凝膠滲透層析(GPC)法測定之標準聚苯乙烯換算之值，具體而言係根據實施例所記載之方法所測定之值。
聚合物成分(A)之含量，相對於樹脂膜形成用薄膜的全質量(100質量%)，較佳為5~50質量%，更佳為8~40質量%，再更佳為10~35質量%，又再更佳為15~30質量%。
尚，在本說明書，例如相對於上述之「樹脂膜形成用薄膜之全質量(100質量%)，成分(A)之含量」係 與相對於「樹脂膜形成用薄膜之形成材料即組成物中之有效成分的全質量(100質量%)之成分(A)之含量」同義，對於以下所說明之其他成分的含量亦相同。
亦即，在各成分之含量的規定，「相對於樹脂膜形成用薄膜之全質量(100質量%)」之用語，可換成「相對於樹脂膜形成用薄膜之形成材料即組成物之有效成分的全質量(100質量%)」之用語。
進而，所謂上述之「有效成分」，係意指去除不會對組成物中之溶劑等直接及間接反應或所形成之薄片的物性帶來影響之物質的成分，具體而言，係意指組成物中所包含之水及有機溶劑等之溶劑以外之成分。
作為聚合物成分(A)，雖以包含丙烯酸系聚合物(A1)較佳，但可包含丙烯酸系聚合物(A1)以外之聚酯、苯氧基樹脂、聚碳酸酯、聚醚、聚胺基甲酸乙酯、聚矽氧烷、橡膠系聚合物等之非丙烯酸系聚合物(A2)。
此等之聚合物成分可單獨或組合2種以上使用。
對於本發明之一態樣所使用之樹脂膜形成用薄膜中所包含之聚合物成分(A)的全質量(100質量%)，作為丙烯酸系聚合物(A1)之含量，較佳為50~100質量%，更佳為60~100質量%，再更佳為70~100質量%，又再更佳為80~100質量%。
(丙烯酸系聚合物(A1))
丙烯酸系聚合物(A1)之質量平均分子量(Mw)，從對樹 脂膜形成用薄膜賦予可撓性及造膜性的觀點來看，較佳為2萬~300萬，更佳為10萬~150萬，再更佳為15萬~120萬，又再更佳為25萬~100萬。
丙烯酸系聚合物(A1)之玻璃轉移溫度(Tg)從將剝離力(α1)、(β1)、及(β2)調整在上述範圍的觀點來看，較佳為-40℃以上，更佳為-20~50℃，再更佳為-10~30℃，又再更佳為0~20℃。
尚，在本說明書，丙烯酸系聚合物等之玻璃轉移溫度(Tg)之值係將以下述式(1)計算之絕對溫度(單位：K)表示之玻璃轉移溫度(TgK)換算成攝氏溫度(單位：℃)之值。
Figure 105103476-A0202-12-0018-1
[上述式(1)中，W1、W2、W3、W4‧‧‧係表示構成樹脂成分之單體成分的質量分率(質量%)，Tg1、Tg2、Tg3、Tg4‧‧‧係表示構成樹脂成分之各單體成分的均聚物之玻璃轉移溫度(單位：K)]。
作為丙烯酸系聚合物(A1)，可列舉將(甲基)丙烯酸烷酯作為主成分之聚合物，具體而言，與具有源自具有碳數1~18之烷基之(甲基)丙烯酸烷酯的構成單位(a1)之丙烯酸系聚合物較佳，從將剝離力(α1)、(β1)、及(β2)調整在上述之範圍的觀點來看，以具有構成單位(a1)、與構成單位(a1)以外之其他的構成單位(a2)的丙烯酸系共聚 物更佳。
丙烯酸系聚合物(A1)可單獨或組合2種以上使用。
尚，丙烯酸系聚合物(A1)為共聚物時，該共聚物的形態可為嵌段共聚物、無規共聚物、交互共聚物、接枝共聚物之任一種。
構成構成單位(a1)之(甲基)丙烯酸烷酯的烷基之碳數，從對樹脂膜形成用薄膜賦予可撓性及造膜性的觀點來看，較佳為1~18，更佳為1~12，再更佳為1~8。
作為(甲基)丙烯酸烷酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸n-辛酯、(甲基)丙烯酸n-壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等。
尚，此等之(甲基)丙烯酸烷酯可單獨或組合2種以上使用。
此等當中，以具有碳數1~3之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯較佳，更佳為(甲基)丙烯酸甲酯。
源自具有丙烯酸系聚合物(A1)中之碳數1~3之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯之構成單位(a1-1)之含量，相對於丙烯酸系聚合物(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為5~98質量%，更佳為10~95質量%，再更佳為20~90質量%。
尚，從將剝離力(α1)、(β1)、及(β2)調整在上 述之範圍的觀點來看，作為於本發明之一態樣使用之丙烯酸系聚合物(A1)，以一同具有源自具有碳數1~3之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯之構成單位(a1-1)、與源自具有碳數4~18(較佳為4~12，更佳為4~8)之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯之構成單位(a1-2)的共聚物較佳。
作為構成單位(a1-1)與構成單位(a1-2)的含有比[(a1-1)/(a1-2)]，較佳為1/99~99/1，更佳為10/90~90/10，再更佳為15/85~85/15。
丙烯酸系聚合物(A1)中的構成單位(a1)之含量，相對於丙烯酸系聚合物(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為50~100質量%，更佳為60~99質量%，再更佳為70~95質量%。
丙烯酸系聚合物(A1)在不損及本發明的效果的範圍，可具有源自上述之構成單位(a1)以外之其他單體的構成單位(a2)。
作為構成構成單位(a2)之單體，例如可列舉含羥基之單體、含羧基之單體、含環氧基之單體等之具有官能基之含官能基之單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等之乙烯基酯類單體；乙烯、丙烯、異丁烯等之烯烴類單體；苯乙烯、甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等之芳香族乙烯基單體：丁二烯、異戊二烯等之二烯系單體；(甲基)丙烯腈等之腈系單體等。
作為含羥基之單體，例如可列舉2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥丙基(甲基) 丙烯酸酯、2-羥丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥丁基(甲基)丙烯酸酯等之羥基(甲基)丙烯酸烷酯類；乙烯醇、烯丙醇等之不飽和醇類等。
此等當中，較佳為2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯。
作為含羧基之單體，可列舉(甲基)丙烯酸、馬來酸、富馬酸、衣康酸等。
作為含環氧基之單體，例如可列舉縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、β-甲基縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、(3,4-環氧環己基)(甲基)丙烯酸甲酯、3-環氧環-2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯等含環氧基之(甲基)丙烯酸酯；縮水甘油基巴豆酸酯、烯丙基縮水甘油基醚等之非丙烯酸系含環氧基之單體；等。
尚，具有源自含環氧基之單體的構成單位之Mw為2萬以上之丙烯酸系聚合物，雖具有熱硬化性，但並非硬化性成分(B)，而是成為包含在聚合物成分(A)之概念者。
從將剝離力(α1)、(β1)、及(β2)調整在上述之範圍的觀點來看，於本發明之一態樣使用之丙烯酸系聚合物(A1)，以與構成單位(a1)一同具有源自含羥基之單體的構成單位(a2-1)之共聚物較佳。
源自丙烯酸系聚合物(A1)中之含羥基之單體的構成單位(a2-1)之含量，相對於丙烯酸系聚合物(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為1~40質量%，更佳為2~30質量%，再更佳為5~25質量%。
且，尤其是從將剝離力(α1)調整在上述之範圍 的觀點來看，於本發明之一態樣使用之丙烯酸系聚合物(A1)，以與構成單位(a1)一同具有源自腈系單體的構成單位(a2-2)之共聚物較佳。
源自丙烯酸系聚合物(A1)中之腈系單體的構成單位(a2-2)之含量，相對於丙烯酸系聚合物(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為1~40質量%，更佳為2~35質量%，再更佳為5~30質量%。
源自丙烯酸系聚合物(A1)中之含環氧基之單體的構成單位之含量增加時，所得到之樹脂膜形成用薄膜與矽與晶圓的密著性提昇，有上昇剝離力(α1)之值的傾向。因此，在本發明之一態樣，源自丙烯酸系聚合物(A1)中之含環氧基之單體的構成單位之含量以越少越好。
作為源自丙烯酸系聚合物(A1)中之含環氧基之單體的構成單位之含量，相對於丙烯酸系聚合物(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為0~4質量%，更佳為0~3質量%，再更佳為0~2質量%，又再更佳為0質量%。
且，作為後述之硬化性成分(B)，使用環氧系熱硬化性成分時，由於羧基與環氧系熱硬化性成分中之環氧基已進行反應，故源自丙烯酸系聚合物(A1)中之含羧基之單體的構成單位之含量以較少者為佳。
作為硬化性成分(B)，使用環氧系熱硬化性成分時，源自含羧基之單體的構成單位之含量，相對於丙烯酸系聚合物(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為0~10質量%，更佳為0~5質量%，再更佳為0~2質量%，又再更 佳為0質量%。
丙烯酸系聚合物(A1)中的構成單位(a2)之含量，相對於丙烯酸系聚合物(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為1~40質量%，更佳為2~35質量%，再更佳為5~30質量%。
(非丙烯酸系聚合物(A2))
於本發明使用之樹脂膜形成用薄膜如有必要，作為上述之丙烯酸系聚合物(A1)以外之Mw2萬以上的聚合物成分，可含有非丙烯酸系聚合物(A2)。
作為非丙烯酸系聚合物(A2)，例如可列舉聚酯、苯氧基樹脂、聚碳酸酯、聚醚、聚胺基甲酸乙酯、聚矽氧烷、橡膠系聚合物等。
此等之非丙烯酸系聚合物(A2)可單獨或組合2種以上使用。
尚，具有環氧基之Mw為2萬以上的苯氧基樹脂雖具有熱硬化性，但並非硬化性成分(B)，而是成為包含在非丙烯酸系聚合物(A2)者。
作為非丙烯酸系聚合物(A2)之質量平均分子量(Mw)，較佳為2萬以上，更佳為2萬~10萬，再更佳為2萬~8萬。
[硬化性成分(B)]
硬化性成分(B)係擔任使樹脂膜形成用薄膜硬化，形 成硬質之樹脂膜的作用者。
於本發明使用之樹脂膜形成用薄膜，作為硬化性成分(B)，以包含熱硬化性成分(B1)及能量線硬化性成分(B2)中之至上一者較佳，從抑制由樹脂膜形成用薄膜所形成之樹脂膜的著色的觀點、使硬化反應充分進行的觀點、以及從成本削減的觀點來看，以包含熱硬化性成分(B1)更佳。
作為熱硬化性成分(B1)，以至少含有具有藉由加熱進行反應之官能基的化合物較佳，以含有具有環氧基之化合物(B11)更佳。
且，作為能量線硬化性成分(B2)，以含有具有藉由能量線照射進行反應之聚合性官能基的化合物(B21)較佳。
藉由此等之硬化性成分所具有之官能基彼此進行反應，形成三維網絡構造，以實現硬化。
(熱硬化性成分(B1))
作為熱硬化性成分(B1)，較佳為環氧系熱硬化性成分。
環氧系熱硬化性成分以使用與具有環氧基之化合物(B11)一同組合熱硬化劑(B12)者較佳。
尚，具有環氧基之化合物(B11)及熱硬化劑(B12)係質量平均分子量(Mw)未滿2萬之化合物，係與上述之聚合物成分(A)區分者。
具有質量平均分子量(Mw)為2萬以上之環氧基的化合物及熱硬化劑，成為包含在聚合物成分(A)者。
作為具有環氧基之化合物(B11)(以下亦稱為「環氧化合物(B11)」)，例如可列舉多官能系環氧樹脂、雙酚A二縮水甘油基醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯骨架型環氧樹脂等之於分子中具有2官能以上之環氧化合物等。
此等之環氧化合物(B11)可單獨或組合2種以上使用。
環氧化合物(B11)之質量平均分子量(Mw)雖未滿20,000，但從藉由與成分(A)組合使用，抑制形成樹脂膜形成用薄膜之組成物的黏度，使操作性提昇等之觀點來看，較佳為10,000以下，更佳為100~10,000。
尤其是從將剝離力(α1)調整在上述之範圍的觀點來看，樹脂膜形成用薄膜之形成材料即組成物，作為環氧化合物(B11)，以在25℃，一同含有液體之環氧化合物、與固體之環氧化合物者較佳。
作為包含在該組成物中，液體之環氧化合物與固體之環氧化合物的含有比[液體之環氧化合物/固體之環氧化合物]，從將剝離力(α1)調整在上述之範圍的觀點來看，較佳為5/95~95/5，更佳為10/90~90/10，再更佳為20/80~80/20，又再更佳為30/70~70/30。
尚，有液體之環氧化合物的比例越增加，剝離力(α1)之值變越大，固體之環氧化合物的比例越增加，剝離力 (α1)之值越縮小的傾向。
環氧化合物(B11)之含量相對於成分(A)100質量份，較佳為1~500質量份，更佳為3~300質量份，再更佳為10~150質量份，又再更佳為20~120質量份。
(熱硬化劑(B12))
熱硬化劑(B12)係作為對於環氧化合物(B11)之硬化劑進行功能。
作為熱硬化劑，以於1分子中具有2個以上可與環氧基進行反應之官能基的化合物較佳。
作為該官能基，可列舉酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、及酸酐等。此等當中，較佳為酚性羥基、胺基、或酸酐，更佳為酚性羥基及胺基，再更佳為胺基。
作為具有酚基之酚系熱硬化劑，例如可列舉多官能系酚樹脂、聯酚樹脂、酚醛清漆型酚樹脂、雙環戊二烯型酚樹脂、新酚(xylok)型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等。
作為具有胺基之胺系熱硬化劑，例如可列舉雙氰胺(DICY)等。
此等之熱硬化劑(B12)可單獨或組合2種以上使用。
熱硬化劑(B12)之含量相對於環氧化合物(B11)100質量份，較佳為0.1~500質量份，更佳為1~200質量份。
(硬化促進劑(B13))
為了調整樹脂膜形成用薄膜之熱硬化的速度，可使用硬化促進劑(B13)。硬化促進劑(B13)作為熱硬化性成分(B1)，以與環氧化合物(B11)併用較佳。
作為硬化促進劑(B13)，例如可列舉三乙烯二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、參(二甲基胺基甲基)酚等之3級胺類；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等之咪唑類；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等之有機膦類；四苯基鏻四苯基硼酸鹽、三苯基膦四苯基硼酸鹽等之四苯基硼鹽等。
此等之硬化促進劑(B13)可單獨或組合2種以上使用。
硬化促進劑(B13)之含量，從由樹脂膜形成用薄膜所形成之樹脂膜的接著性提昇、及使用複合薄片而製得之附樹脂膜之晶片的信賴性提昇的觀點來看，相對於環氧化合物(B11)及熱硬化劑(B12)之合計量100質量份，較佳為0.01~10質量份，更佳為0.1~6質量份，再更佳為0.3~4質量份。
(能量線硬化性成分(B2))
作為能量線硬化性成分(B2)，雖可單獨使用具有藉由能量線照射進行反應之聚合性官能基的化合物(B21)，但以與化合物(B21)一同組合光聚合起始劑(B22)使用較佳。
(具有藉由能量線照射進行反應之官能基的化合物(B21))
作為具有藉由能量線照射進行反應之聚合性官能基之化合物(B21)(以下亦稱為「能量線反應性化合物(B21)」)，若為具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等之聚合性官能基之化合物即可，例如可列舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、寡酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯系寡聚物、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、衣康酸寡聚物等。
此等之能量線反應性化合物(B21)可單獨或組合2種以上使用。
尚，能量線反應性化合物(B21)係質量平均分子量(Mw)未滿2萬之化合物，係與上述之聚合物成分(A)區分者。
質量平均分子量(Mw)為2萬以上之能量線反應性化合物，成為包含在聚合物成分(A)者。
能量線反應性化合物(B21)之質量平均分子量(Mw)雖未滿20,000未滿，但較佳為100~15,000，更佳為300~10,000。
能量線反應性化合物(B21)之含量相對於成分(A)100質量份，較佳為包含1~1500質量份，更佳為3~ 1200質量份。
(光聚合起始劑(B22))
藉由與上述之能量線反應性化合物(B21)一同併用光聚合起始劑(B22)，可縮短聚合硬化時間，即使減少光線照射量，亦能使樹脂膜形成用薄膜的硬化進行。
作為光聚合起始劑(B22)，例如可列舉安息香化合物、苯乙酮化合物、醯基膦氧化物化合物、茂鈦化合物、硫雜蒽酮化合物、過氧化物化合物等。
作為更具體之光聚合起始劑，例如可列舉1-羥基環己基苯基酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、苄基二苯基硫化物、四甲基秋蘭姆(Tetramethyl thiuram)單硫化物、偶氮二異丁腈、二苄基、二乙醯、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等。
此等之光聚合起始劑可單獨或組合2種以上使用。
光聚合起始劑(B22)之含量，從使樹脂膜形成用薄膜的硬化反應充分進行，同時抑制殘留物的生成的觀點來看，相對於能量線反應性化合物(B21)100質量份，較佳為0.1~10質量份，更佳為1~5質量份。
硬化性成分(B)之含量，相對於樹脂膜形成用薄膜的全質量(100質量%)，較佳為5~50質量%，更佳為8~40質量%，再更佳為10~30質量%，又再更佳為12~25質量%。
尚，在硬化性成分(B)之含量中，係包含上述之環氧化合物(B11)、熱硬化劑(B12)、及硬化促進劑(B13)之熱硬化性成分(B1)、以及包含能量線反應性化合物(B21)、及光聚合起始劑(B22)之能量線硬化性成分(B2)的合計含量。
[無機填充材(C)]
於本發明之一態樣使用之樹脂膜形成用薄膜，以進一步包含無機填充材(C)較佳。
藉由包含無機填充材(C)，變成可將由樹脂膜形成用薄膜所形成之樹脂膜的熱膨脹係數調整在適度之範圍，藉由最適化附樹脂膜之晶片的熱膨脹係數，可提昇被納入該晶片之半導體裝置的信賴性。且，變成亦可使由樹脂膜形成用薄膜所形成之樹脂膜的吸濕率減低。
作為無機填充材(C)，例如可列舉二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、氧化鈦、氧化鐵、碳化矽、氮化硼等之粉末、將此等球形化之珠、單結晶纖維及玻璃纖維等。
此等之無機填充材(C)可單獨或組合2種以上使用。
此等當中較佳為二氧化矽及氧化鋁。
作為無機填充材(C)之平均粒徑，較佳為0.01~50μm，更佳為0.05~30μm，再更佳為0.1~10μm。
尚，在本發明，無機填充材(C)之平均粒徑係意指使用雷射繞射散射式粒度分布測定裝置所測定之值，意指體 積中位粒徑(D50)。
無機填充材(C)之含量，相對於樹脂膜形成用薄膜的全質量(100質量%)，較佳為15~80質量%，更佳為20~75質量%，再更佳為30~70質量%，又再更佳為40~65質量%、特佳為45~60質量%。
尚，樹脂膜形成用薄膜中之無機填充材的含量越增加，有於剝離力(α1)及(β1)之值(，尤其是剝離力(β1)之值)縮小的傾向。
[著色劑(D)]
於本發明之一態樣使用之樹脂膜形成用薄膜中，以進一步包含著色劑(D)較佳。
藉由於樹脂膜形成用薄膜含有著色劑(D)，將具有由樹脂膜形成用薄膜所形成之樹脂膜的半導體晶片組裝在機器時，將從周圍之裝置所產生之紅外線等進行遮蔽，可防止半導體晶片之故障。
作為著色劑(D)，可使用有機或無機之顏料及染料。
作為染料，例如即使為酸性染料、反應染料、直接染料、分散染料、陽離子染料等之任一染料皆可使用。
且，作為顏料，並未特別限制，可從周知之顏料適當選擇使用。
此等當中，從電磁波或紅外線的遮蔽性良好，且藉由雷射標識法之識別性更為提昇的觀點來看，較佳為黑色顏 料。
作為黑色顏料，例如雖可列舉碳黑、氧化鐵、二氧化錳、苯胺黑、活性炭等，但從提高半導體晶片之信賴性的觀點來看，較佳為碳黑。
尚，此等之著色劑(D)可單獨或組合2種以上使用。
著色劑(D)之含量，相對於樹脂膜形成用薄膜的全質量(100質量%)，較佳為0.01~30質量%，更佳為0.05~25質量%，再更佳為0.1~15質量%，又再更佳為0.15~5質量%。
[偶合劑(E)]
於本發明之一態樣使用之樹脂膜形成用薄膜中，以進一步包含偶合劑(E)較佳。
藉由包含偶合劑(E)，由所得到之樹脂膜形成用薄膜所形成之樹脂膜不會損害耐熱性，亦可提昇耐水性。
作為偶合劑(E)，以與成分(A)或成分(B)所具有之官能基進行反應之化合物較佳，更佳為矽烷偶合劑。
作為矽烷偶合劑，例如可列舉γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽 烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。
此等之偶合劑(E)可單獨或組合2種以上使用。
作為偶合劑(E)，較佳為寡聚物型之偶合劑。
作為亦包含寡聚物型之偶合劑之偶合劑(E)的分子量，較佳為100~15000，更佳為150~10000，更佳為200~5000，再更佳為250~3000，又再更佳為350~2000。
尚，認為藉由含有偶合劑(E)，由於將樹脂膜形成用薄膜中之聚合物成分(A)、或被著體即矽晶圓的表面，於樹脂膜形成用薄片中任意包含之無機填充材(C)的表面進行結合，提昇接著性或凝集性，亦增加剝離力(α1)之值。
因此，偶合劑(E)之含量從將剝離力(α1)、(β1)、及(β2)調整在上述之範圍的觀點來看，尤其是從剝離力(α1)之調整的觀點來看，以少者較佳。
從上述觀點來看，偶合劑(E)之含量，相對於樹脂膜形成用薄膜的全質量(100質量%)，較佳為0.01~4質量%，更佳為0.05~2質量%，再更佳為0.10~1.5質量%，又再更佳為0.15~1質量%。
[通用添加劑(F)]
於本發明之一態樣使用之樹脂膜形成用薄膜，在不損及本發明的效果的範圍，除了上述之成分之外，如有必要可含有通用添加劑(F)。
作為通用添加劑(F)，例如可列舉交聯劑、整平劑、可塑劑、抗靜電劑、抗氧化劑、離子捕捉劑、吸氣劑、鏈轉移劑等。
此等之通用添加劑(F)之個別的含量，相對於樹脂膜形成用薄膜的全質量(100質量%)，較佳為0~10質量%，更佳為0~5質量%，再更佳為0~2質量%。
<樹脂膜形成用薄膜之製造方法>
作為本發明之一態樣的樹脂膜形成用薄膜之製造方法，並未特別限制，可藉由周知之方法製造。
例如，調製包含上述之各成分之樹脂膜形成用組成物後，適當加入有機溶劑進行稀釋，而得到樹脂膜形成用組成物之溶液。而且，將該樹脂膜形成用組成物之溶液以圖1，即於支撐薄片10、10’上藉由周知之塗佈方法進行塗佈以形成塗膜，藉由使該塗膜乾燥，可形成樹脂膜形成用薄膜。
作為樹脂膜形成用組成物之溶液的調製所使用之有機溶劑，例如可列舉甲苯、乙酸乙酯、甲基乙基酮等。
摻合有機溶劑時之樹脂膜形成用組成物之溶液的固形分濃度較佳為10~80質量%，更佳為20~70質量%，再 更佳為30~65質量%。
作為塗佈方法，例如可列舉旋塗法、噴塗法、棒塗法、刀塗佈法、輥塗法、輥刀塗佈法、刮刀塗佈法、模塗法、凹版塗佈法等。
当該樹脂膜形成用薄膜可為單層，亦可為2層以上之多層構造。
製造2層以上之多層構造的樹脂膜形成用薄膜時，例如於2個以上之支撐薄片上塗佈個別樹脂膜形成用組成物之溶液以形成塗膜，重疊經形成之各塗膜，而成為塗膜之積膜後，藉由進行乾燥，可製造多層構造所構成之樹脂膜形成用薄膜。
尚，本發明之一態樣的複合薄片所具有之樹脂膜形成用薄膜的厚度雖因應用途適當設定，但較佳為3~300μm，更佳為5~250μm，再更佳為7~200μm。尚，即使樹脂膜形成用薄膜為多層構造時，亦以全厚為上述範圍內較佳。
<支撐薄片>
作為於本發明之一態樣使用之支撐薄片，可列舉僅由基材所構成之薄片、或於基材上具有黏著劑層之黏著薄片。
本發明之一態樣的複合薄片所具有之支撐薄片，係發揮於樹脂膜形成用薄片的表面防止粉塵等之附著的剝離薄片、或是於切割步驟等用以保護樹脂膜形成用薄片的面之 切割薄片等之功能者。
作為支撐薄片的厚度，雖因應用途適當選擇，但從對複合薄片賦予充分之可撓性，對於矽晶圓之黏貼性變良好的觀點來看，較佳為10~500μm，更佳為20~350μm，再更佳為30~200μm。
尚，上述之支撐薄片的厚度中，並非構成支撐薄片之基材的厚度，而是具有黏著劑層的情況下，亦包含該等之層或膜的厚度。
(基材)
作為構成支撐薄片之基材，較佳為樹脂薄膜。
作為該樹脂薄膜，例如可列舉低密度聚乙烯(LDPE)薄膜或直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜等之聚乙烯薄膜、乙烯‧丙烯共聚物薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯化乙烯薄膜、氯化乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚胺基甲酸乙酯薄膜、乙烯‧乙酸乙烯酯共聚物薄膜、離聚物樹脂薄膜、乙烯‧(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯‧(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、氟樹脂薄膜等。
於本發明之一態樣使用之基材，可為由1種類之樹脂薄膜所構成之單層薄膜，亦可為層合2種類以上之樹脂薄膜的層合薄膜。
且，在本發明之一態樣，於上述之樹脂薄膜等之基材的表面，可將實施表面處理之薄片作為支撐薄片使用。
此等之樹脂薄膜可為交聯薄膜。
且，亦可使用著色此等之樹脂薄膜者、或實施印刷者等。
進而，樹脂薄膜可為將熱塑性樹脂藉由擠出形成進行薄片化者，可為經拉延者，可使用將硬化性樹脂藉由預定手段進行薄膜化及硬化而薄片化者。
此等之樹脂薄膜當中，由於耐熱性優異且具有適度之柔軟性故具有擴展適性，從拾取適性亦易維持的觀點來看，以包含聚丙烯薄膜之基材較佳。
尚，作為包含聚丙烯薄膜之基材的構成，可為僅由聚丙烯薄膜所構成之單層構造，亦可為由聚丙烯薄膜與其他樹脂薄膜所構成之複層構造。
樹脂膜形成用薄膜為熱硬化性時，藉由構成基材之樹脂薄膜具有耐熱性，抑制因基材的熱導致之損害，可抑制在半導體裝置之製造過程之問題的發生。
作為支撐薄片，使用僅由基材所構成之薄片時，作為與該基材之樹脂膜形成用薄膜的表面(β)接觸之面的表面張力，從將剝離力(β1)調整在上述之範圍的觀點來看，較佳為20~50mN/m，更佳為23~45mN/m，再更佳為25~40mN/m。
作為構成支撐薄片之基材的厚度，較佳為10~500μm，更佳為15~300μm，再更佳為20~200μm。
(黏著薄片)
作為於本發明之一態樣作為支撐薄片使用之黏著薄片，可列舉具有於上述之樹脂薄膜等之基材上由黏著劑所形成之黏著劑層。
作為黏著劑層之形成材料即黏著劑，可列舉包含黏著性樹脂之黏著劑組成物，該黏著劑組成物可進一步含有上述之交聯劑或黏著賦予劑等之通用添加劑。
作為該黏著性樹脂，注目在該樹脂的構造時，例如可列舉丙烯酸系樹脂、胺基甲酸乙酯系樹脂、橡膠系樹脂、矽氧系樹脂、乙烯基醚系樹脂等，注目在其樹脂的功能時，例如可列舉能量線硬化型黏著劑等。
在本發明之一態樣，從將剝離力(β2)調整在上述之範圍的觀點、以及將拾取性變良好之觀點來看，以具有由包含能量線硬化型樹脂之黏著劑組成物所形成之黏著劑層的黏著薄片較佳。
作為能量線硬化型樹脂，雖若為具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等之聚合性基之樹脂即可，但以具有聚合性基之黏著性樹脂較佳。
且，剝離力(β1)及(β2)調整在上述之範圍的觀點來看，以包含丙烯酸系樹脂之黏著劑較佳。
作為該丙烯酸系樹脂，以具有源自(甲基)丙烯酸烷酯之構成單位(x1)之丙烯酸系聚合物較佳，以具有構成單位(x1)、與源自含官能基之單體之構成單位(x2)的丙烯酸系 共聚物更佳。
作為上述(甲基)丙烯酸烷酯所具有之烷基之碳數，較佳為1~18，更佳為1~12，再更佳為1~8。
作為該(甲基)丙烯酸烷酯，可列舉與構成上述之構成單位(a1)的(甲基)丙烯酸烷酯相同者。
尚，(甲基)丙烯酸烷酯可單獨或併用2種以上。
構成單位(x1)之含量相對於丙烯酸系聚合物的全構成單位(100質量%)，通常為50~100質量%，較佳為50~99.9質量%，更佳為60~99質量%，再更佳為70~95質量%。
作為上述含官能基之單體，例如可列舉含羥基之單體、含羧基之單體、含環氧基之單體等，個別單體之具體例，可列舉與作為構成構成單位(a2)之單體例示者相同者。
尚，此等可單獨或併用2種以上。
構成單位(x2)之含量相對於丙烯酸系聚合物的全構成單位(100質量%)，通常0~40質量%，較佳為0.1~40質量%，更佳為1~30質量%，再更佳為5~20質量%。
且，作為於本發明之一態樣使用之丙烯酸系樹脂，可為對具有上述構成單位(x1)及(x2)之丙烯酸系共聚物，進一步與具有能量線聚合性基之化合物進行反應所得到之能量線硬化型丙烯酸系樹脂。
作為具有能量線聚合性基之化合物，若為具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等之聚合性基之化合物即可。
從使用包含丙烯酸系樹脂之黏著劑時，將剝離力(β1)及(β2)調整在上述之範圍的觀點來看，以與丙烯酸系樹脂一同含有交聯劑較佳。
作為該交聯劑，例如雖可列舉異氰酸酯系交聯劑、亞胺系交聯劑、環氧系交聯劑、唑啉系交聯劑、碳二亞胺系交聯劑等，但從將剝離力(β1)及(β2)調整至上述之範圍的觀點來看，較佳為異氰酸酯系交聯劑。
交聯劑的含量相對於上述黏著劑中所包含之丙烯酸系樹脂的全質量(100質量份)，較佳為0.01~20質量份，更佳為0.1~15質量份，再更佳為0.5~10質量份，又再更佳為1~8質量份。
於基材即上述之樹脂薄膜上，將黏著劑以周知之塗佈方法進行塗佈，並藉由使經形成之塗膜乾燥而形成剝離膜，可得到由實施剝離處理之基材所構成之支撐薄片。
尚，黏著劑進一步加入稀釋溶劑，可成為溶液形態、或可成為乳膠之形態。
尚，為了強固基材即樹脂薄膜與黏著劑層的接著，於設置樹脂薄膜之黏著劑層的面，依所期望，可實施藉由噴砂或溶劑處理等之凹凸化處理；電暈放電處理、電子束照射、電漿處理、臭氧處理、紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等之氧化處理；及底漆處理等。
作為黏著薄片之黏著劑層的表面張力，從將 剝離力(β1)調整至上述之範圍的觀點來看，較佳為20~50mN/m，更佳為23~45mN/m，再更佳為25~40mN/m。
黏著劑層的厚度較佳為1~100μm，更佳為2~80μm，特佳為3~50μm。
<治具接著層>
治具接著層可由具有基材(芯材)之雙面黏著薄片、或黏著劑形成。
作為該基材(芯材)，可列舉可作為上述之基材使用之樹脂薄膜，較佳為聚丙烯薄膜、及聚氯化乙烯薄膜。
且，作為上述黏著劑，可列舉與上述之黏著薄片之黏著劑層的形成材料即黏著劑相同者。
治具接著層的厚度較佳為1~200μm，更佳為5~100μm，再更佳為10~70μm。
<載體薄片>
作為載體薄片，若為使用時可剝離者則並未特別限制，可列舉可作為上述之基材使用之樹脂薄膜、或於該樹脂薄膜的表面上實施剝離處理的薄片等。
載體薄片的厚度並未特別限制，較佳為1~200μm，更佳為5~150μm，再更佳為10~100μm。
[樹脂膜形成用複合薄片的用途]
本發明之一態樣的複合薄片係於倒裝方式之晶片用半 導體晶圓或半導體晶片等之加工物的背面進行黏貼，可於加工物上形成樹脂膜。此樹脂膜具有作為保護半導體晶圓或半導體晶片等之加工物的背面之保護膜的功能。例如，黏貼於半導體晶圓時，由於具有樹脂膜補強晶圓之功能，故可防治晶圓的破損等。
由本發明之一態樣的複合薄片之樹脂膜形成用薄膜所形成之樹脂膜，亦可賦予作為接著薄膜的功能。接著薄膜通常黏貼於半導體晶圓的背面等，經由切割步驟切斷成個別的晶片之後，於基板等載置(晶粒接合)在預定之被著部，經由熱硬化步驟為了將半導體晶片進行接著固定而使用。
且，本發明之一態樣的複合薄片可作為於進行刀片切割或雷射切割時，用以固定半導體晶圓等之加工物的薄片使用，變成其他方式貼合切割薄片，不需要進行切割，可簡略化半導體裝置之製造步驟。
其他，本發明之複合薄片亦即即使在先切割法(於半導體晶圓從電路面側，形成較欲得到晶片的厚度更深之溝，藉由至少到達溝為止從半導體晶圓的背面側進行薄化處理，而得到晶片群之方法)亦可使用，可於經個片化之晶片群進行黏貼來使用。
[附樹脂膜之晶片之製造方法]
以下使用本發明之一態樣的複合薄片，說明製造附樹脂膜之晶片的方法之一例。
例如作為本發明之一態樣的附樹脂膜之晶片之製造方法，可列舉具有下述步驟(1)~(4)藉由刀片切割之方法。
步驟(1)：於加工物的背面，將本發明之一態樣的樹脂膜形成用複合薄片進行黏貼之步驟；步驟(2)：將加工物進行切割之步驟步驟(3)：由樹脂膜形成用薄膜形成樹脂膜之步驟步驟(4)：將經由步驟(2)所得到之切割後的加工物進行拾取而得到晶片之步驟。
尚，在本發明之一態樣的附樹脂膜之晶片之製造方法，無論步驟(1)後之步驟(2)~(4)順序，例如可為「步驟(1)、(2)、(3)、(4)」之順序，亦可為「步驟(1)、(3)、(2)、(4)」之順序，亦可為「步驟(1)、(2)、(4)、(3)」之順序。
<步驟(1)>
步驟(1)係於矽晶圓等之加工物的背面，將本發明之一態樣的複合薄片之樹脂膜形成用薄膜進行黏貼之步驟。
於本步驟使用之加工物，可為矽晶圓，且亦可為鎵及砷等之化合物半導體晶圓。且，半導體晶圓係於該表面形成電路，同時適宜研削背面等，可成為厚度為50~500μm程度者。
於此，本發明之複合薄片由於再加工性優異，在本步驟，加工物與複合薄片的黏貼無法沒有順利完成的情況下，可進行重新貼合。亦即，於加工物的背面 上，即使一旦黏貼複合薄片之樹脂膜形成用薄膜，亦可從加工物將該複合薄片進行乾淨剝離。於複合薄片剝離後之加工物的表面，由於樹脂膜形成用薄膜的殘渣難以產品，該加工物可進行再利用。
<步驟(2)>
步驟(2)係將加工物切割成於表面所形成之每一電路，於晶片進行加工之步驟。
尚，於本步驟進行切割之對象物即加工物，可為經由步驟(1)所得到之附樹脂膜形成用薄膜之加工物，亦可為步驟(1)之後，先經由步驟(3)所得到之附樹脂膜之加工物。
尚，加工物的切割可藉由周知之方法進行。
於此，步驟(1)之後經由本步驟時，得到經切割之附樹脂膜形成用薄膜之加工物，在其次之步驟(3)，藉由由樹脂膜形成用薄膜形成樹脂膜，而得到經切割之附樹脂膜之加工物。
另一方面，步驟(1)之後經由步驟(3)時，在本步驟將附樹脂膜之加工物進行切割，而得到經切割之附樹脂膜之加工物。
<步驟(3)>
步驟(3)係由黏貼於加工物之複合薄片的樹脂膜形成用薄膜形成樹脂膜之步驟。
通常樹脂膜雖使樹脂膜形成用薄膜硬化而形成，但若樹脂膜形成用薄膜本身為具有保護膜或接著膜的功能，則亦可將未硬化之樹脂膜形成用薄膜直接作為樹脂膜。
尚，形成之樹脂膜可為完全硬化者，雖亦可為一部分硬化者，但以完全硬化者較佳。
樹脂膜形成用薄膜的硬化可因應樹脂膜形成用薄膜中所包含之硬化性成分的種類，藉由因熱硬化及能量線的照射而硬化之任一種來進行。
作為進行熱硬化時之條件，硬化溫度較佳為100~150℃，硬化時間較佳為1~3小時。
且，作為藉由能量線之照射進行硬化情況之條件，藉由使用之能量線的種類而適當設定。例如使用紫外線時，照度較佳為170~250mw/cm2，光量為600~1000mJ/cm2。
<步驟(4)>
步驟(4)係將經由步驟(2)所得到之切割後的加工物藉由夾頭等之通用手段進行拾取而得到晶片之步驟。藉由經由本步驟，可得到經個別化之晶片。
於步驟(3)，使樹脂膜形成用薄膜硬化而形成樹脂膜時，若由樹脂膜的表面(β’)剝離前述支撐薄片所需要之剝離力(β2)之值為上述之範圍，係拾取適性良，可使附樹脂膜之晶片的生產性提昇。
尚，由未硬化之樹脂膜形成用薄膜的表面， 即使對於剝離支撐薄片所需要之剝離力的值，亦以與上述之剝離力(β2)相同的範圍較佳。
使用未硬化之樹脂膜形成用薄膜、與作為支撐薄片之黏著薄片進行層合之複合薄片時，此黏著薄片以具有由包含能量線硬化型樹脂之黏著劑組成物所形成之黏著劑層較佳。
若為具有如此黏著劑層之黏著薄片，於本步驟之拾取作業之前，藉由照射能量線，使黏著劑層的黏著力降低，可將拾取性變為良好。如此一來，認為藉由照射能量線，容易由未硬化之樹脂膜形成用薄膜的表面，將剝離該黏著薄片所需要之剝離力的值調整成與上述之剝離力(β2)相同的範圍。
經由以上之步驟所得到之附樹脂膜之晶片，可藉由以倒裝方式實裝在基材等之上，可製得半導體裝置。且，具有樹脂膜作為接著膜之功能的附樹脂膜之晶片，藉由於晶粒焊墊部或其他半導體晶片等之其他構件上(晶片搭載部上)進行接著，亦可製得半導體裝置。
[實施例]
在以下之記載，各成分之質量平均分子量(Mw)及玻璃轉移溫度(Tg)係藉由以下所示之方法所測定或是所算出之值。
<質量平均分子量(Mw)>
使用凝膠滲透層析裝置(東曹股份有限公司製、製品名「HLC-8220GPC」)，以下述之條件下測定，使用在標準聚苯乙烯換算所測定之值。
(測定條件)
‧管柱：「TSK guard column HXL-H」「TSK gel GMHXL(×2)」「TSK gel G2000HXL」(皆為東曹股份有限公司製)
‧管柱溫度：40℃
‧展開溶劑：四氫呋喃
‧流速：1.0mL/min
<玻璃轉移溫度(Tg)>
使用由上述之式(1)所算出之值。
實施例1~9、比較例1
摻合表1所示之種類及摻合量(有效成分比)之各成分，以甲基乙基酮進行稀釋，調製固形分濃度61質量%之樹脂膜形成用薄膜的樹脂膜形成用組成物之溶液。
而且於由具有實施剝離處理的表面之樹脂薄膜所構成之載體薄片(琳得科公司製、商品名「SP-PET3811」、厚度：38μm)之實施剝離處理的表面上，塗佈該樹脂膜形成用組成物之溶液，以120℃進行2分鐘之乾燥處理。而且於該載體薄片上形成厚度25μm之樹脂膜形成用薄膜，製 作由載體薄片及樹脂膜形成用薄膜所構成而成之層合體(1)。
而且於層合體(1)之樹脂膜形成用薄膜上，貼合表1所示之種類的支撐薄片(I)~(VII)之任一種，製得依支撐薄片、樹脂膜形成用薄膜、及載體薄片此順序層合之層合體(2)。
尚，使用支撐薄片(I)、(II)、(IV)~(VII)時，該樹脂膜形成用薄膜、與此等之支撐薄片的黏著劑層以直接層合的方式進行貼合，製得作層合體(2)。
使用在實施例及比較例之樹脂膜形成用組成物的調製，表1所記載之各成分的細節係如以下。
<聚合物成分>
‧(A-1)：丙烯酸乙酯(EA)、丙烯酸n-丁酯(BA)、及丙烯腈(AN)所構成之丙烯酸共聚物(Mw=85萬、Tg=12℃)。
‧(A-2)：丙烯酸甲酯(MA)、及丙烯酸2-羥乙酯(HEA)所構成之丙烯酸共聚物(MA/HEA=85/15(質量%)、Mw=37萬、Tg=6℃)。
‧(A-3)：丙烯酸甲酯(MA)、丙烯酸n-丁酯(BA)、丙烯酸2-羥乙酯(HEA)、及縮水甘油基丙烯酸甲酯(GMA)所構成之丙烯酸共聚物(MA/BA/HEA/GMA=70/10/15/5(質量%)、Mw=80萬、Tg=-1℃)。
<硬化性成分>
‧(B-1)：雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製、商品名「jER828」，於25℃為液體，相當於環氧化合物(B11)之化合物)。
‧(B-2)：雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製、商品名「jER1055」，於25℃為固體，相當於環氧化合物(B11)之化合物)。
‧(B-3)：雙環戊二烯型環氧樹脂(DIC(股)製、商品名「EpiclonHP-7200HH」，於25℃為固體，相當於環氧化合物(B11)之化合物)。
‧(B-4)：胺系硬化劑(ADEKA(股)製、商品名「Adeka Hardener3636AS」，相當於熱硬化劑(B12)之化合物)。
‧(B-5)：硬化促進劑(四國化成工業公司製、商品名「Curezo12PHZ」，相當於硬化促進劑(B13)之化合物)。
<無機填充材>
‧(C-1)：二氧化矽填料(Admatechs公司製、商品名「SC2050MA」)。
<著色劑>
‧(D-1)：碳黑(三菱化學公司製、商品名「#MA650」)。
<矽烷偶合劑>
‧(E-1)：矽烷偶合劑(日本尤尼卡(股)製、商品名「A-1110」)。
且，於實施例及比較例所使用，表1所記載之支撐薄片的細節係如以下。
‧支撐薄片(I)：
於厚度80μm之聚丙烯薄膜(三菱樹脂(股)製)一側的表面上，具有由黏著劑(i)所形成之厚度90μm之黏著劑層的黏著薄片(黏著劑層的表面的表面張力=30mN/m)。
該黏著劑(i)係包含由丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、及丙烯酸2-羥乙酯(HEA)所構成之丙烯酸系樹脂(2EHA/MMA/HEA=60/30/10(質量%)、Mw=50萬)100質量份(固形分)、及3官能苯二甲基二異氰酸酯系交聯劑(三井武田化學(股)製、商品名「TAKENATE D110N」)10質量份(固形分)。
‧支撐薄片(II)：
於厚度80μm之聚丙烯薄膜(三菱樹脂(股)製)一側的表面上，具有由黏著劑(ii)所形成之厚度90μm之黏著劑層的黏著薄片(黏著劑層的表面的表面張力=33mN/m)。
該黏著劑(ii)係包含由丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、及丙烯酸2-羥乙酯(HEA)所構成之丙烯酸系樹脂(2EHA/MMA/HEA=60/30/10(質量%)、 Mw=50萬)100質量份(固形分)、及3官能苯二甲基二異氰酸酯系交聯劑(三井武田化學(股)製、商品名「TAKENATE D110N」)5質量份(固形分比)。
‧支撐薄片(III)：
僅由厚度80μm之聚丙烯薄膜(三菱樹脂(股)製、表面張力=35mN/m)所構成之支撐薄片。
‧支撐薄片(IV)：
於厚度80μm之聚丙烯薄膜(三菱樹脂(股)製)一側的表面上，具有由能量線硬化型黏著劑(iii)所形成之厚度90μm之黏著劑層的黏著薄片。
該能量線硬化型黏著劑(iii)係於將丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)40質量份、乙酸乙烯基(VAc)40質量份、丙烯酸2-羥乙酯(HEA)20質量份進行共聚合所得到之預共聚物(2EHA/VAc/HEA=40/40/20(質量%))，進一步包含使2-異氰酸基乙基丙烯酸甲酯21.4質量份(相對於HEA之羥基100莫耳%，2-異氰酸基乙基丙烯酸甲酯的異氰酸基基成為80莫耳%的量)進行反應所得到之能量線硬化型丙烯酸系共聚物(質量平均分子量：60萬)100質量份(固形分)、及3官能苯二甲基二異氰酸酯系交聯劑(三井武田化學(股)製、商品名「TAKENATE D110N」)5質量份(固形分)。
‧支撐薄片(V)：
於厚度80μm之聚丙烯薄膜(三菱樹脂(股)製)一側的表面上，具有由黏著劑(iv)所形成之厚度10μm之黏著劑層的黏著薄片(黏著劑層的表面的表面張力=33mN/m)。
該黏著劑(iv)係包含由丙烯酸丁酯(BA)、丙烯酸甲酯(MA)、及丙烯酸2-羥乙酯(HEA)所構成之丙烯酸系樹脂(BA/MA/HEA=60/30/10(質量%)、Mw=80萬)100質量份(固形分)、及3官能苯二甲基二異氰酸酯系交聯劑(三井武田化學(股)製、商品名「TAKENATE D110N」)1質量份(固形分)。
‧支撐薄片(VI)：
於厚度80μm之聚丙烯薄膜(三菱樹脂(股)製)一側的表面上，具有由黏著劑(v)所形成之厚度10μm之黏著劑層的黏著薄片(黏著劑層的表面的表面張力=29mN/m)。
該黏著劑(v)係包含由丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、及丙烯酸2-羥乙酯(HEA)所構成之丙烯酸系樹脂(2EHA/MMA/HEA=50/40/10(質量%)、Mw=80萬)100質量份(固形分)、及3官能苯二甲基二異氰酸酯系交聯劑(三井武田化學(股)製、商品名「TAKENATE D110N」)10質量份(固形分)。
‧支撐薄片(VII)：
於厚度80μm之聚丙烯薄膜(三菱樹脂(股)製)一側的表面上，具有由黏著劑(vi)所形成之厚度10μm之黏著劑 層的黏著薄片(黏著劑層的表面的表面張力=33mN/m)。
該黏著劑(vi)係包含由丙烯酸丁酯(BA)、丙烯酸甲酯(MA)、及丙烯酸2-羥乙酯(HEA)所構成之丙烯酸系樹脂(BA/MA/HEA=60/30/10(質量%)、Mw=80萬)100質量份(固形分)、及3官能苯二甲基二異氰酸酯系交聯劑(三井武田化學(股)製、商品名「TAKENATE D110N」)2質量份(固形分)。
使用於實施例及比較例製作之層合體(1)及(2)，將剝離力(α1)、(β1)、及(β2)之測定藉由以下之方法進行。且，使用層合體(2)，將對於矽晶圓之再加工性的評估藉由以下之方法進行。將此等之結果示於表1。
<剝離力(α1)之測定>
於層合體(1)表出之樹脂膜形成用薄膜的表面上，作為後備膠帶，將黏著膠帶(琳得科公司製、商品名「PET25PLShin」，於厚度25μm之PET薄膜上具有包含丙烯酸系樹脂之厚度20μm之黏著劑層的黏著薄片)進行黏貼，切斷成橫25mm×縱150mm的大小，來製作試驗用樣品。
去除該試驗樣品之載體薄片，將經表出之樹脂膜形成用薄膜的表面、與實施乾式研磨拋光之矽晶圓(直徑：6英寸、厚度：500μm)的表面，使用層壓機(Fuji公司製、製品名「LAMIPACKER LPD3214」)進行黏貼，再靜置30分鐘。
靜置後，使用精密萬能試驗機(島津製作所(股)製、製品名「AutographAG-IS」)，在剝離角度180°、測定溫度23℃、拉伸速度300mm/分鐘，進行拉伸試驗，從矽晶圓，測定將上述後備膠帶及試驗樣品一起剝離時之荷重。
測定長度定為100mm，測定最初之10mm與最後之10mm從有效值排除。將所得到之測定值當中之最大值定為剝離力(α1)，記載於表1。
<剝離力(β1)之測定>
將層合體(2)切斷成橫25mm×縱150mm的大小，去除載體薄片，將表出樹脂膜形成用薄膜的表面者作為試驗樣品。
將由聚甲基丙烯酸甲酯所構成之支撐板、與該試驗樣品之經表出之樹脂膜形成用薄膜的表面透過雙面膠帶(於由聚對苯二甲酸乙二酯所構成之厚度25μm之基材的雙面分別具有由丙烯酸系黏著劑所構成之厚度10μm之黏著劑層的雙面膠帶)進行貼合，再靜置30分鐘。
尚，該雙面膠帶係具有於拉伸試驗時，可固定支撐板與樹脂膜形成用薄膜之黏著力者。
靜置後，使用精密萬能試驗機(島津製作所(股)製、製品名「AutographAG-IS」)，在剝離角度180°、測定溫度23℃、拉伸速度300mm/分鐘，進行拉伸試驗，從樹脂膜形成用薄膜的表面(β)，測定將支撐薄片(I)~(IV)之任一種進行剝離時之荷重。
測定長度定為100mm，測定最初之10mm與最後之10mm從有效值排除。將所得到之測定值當中之最小值定為剝離力(β1)，記載於表1。
<剝離力(β2)之測定>
將層合體(2)切斷成橫25mm×縱150mm的大小，去除載體薄片，將表出樹脂膜形成用薄膜的表面者作為試驗樣品。
將經表出之樹脂膜形成用薄膜的表面、與實施乾式研磨拋光之矽晶圓(直徑：6英寸、厚度：500μm)的表面，使用層壓機(Fuji公司製、製品名「LAMIPACKER LPD3214」)進行黏貼，再靜置30分鐘。
靜置後，於130℃加熱2小時，使樹脂膜形成用薄膜硬化以形成樹脂膜，與剝離力(β1)之測定同樣進行，從該樹脂膜的表面(β’)，測定將支撐薄片(I)~(IV)進行剝離時之荷重。
尚，針對實施例4，形成樹脂膜後，使用UV照射裝置(琳得科公司製、商品名「RAD2000m/8」，照射紫外線(照度：220mW/cm2、光量：190mJ/cm2)後，進行上述測定。
測定長度定為100mm，測定最初之10mm與最後之10mm從有效值排除。將所得到之測定值當中之最小值定為剝離力(β2)，記載於表1。
<對於矽晶圓之再加工性的評估>
將層合體(2)切斷成橫25mm×縱150mm的大小，去除載體薄片，將表出樹脂膜形成用薄膜的表面(β)者作為試驗樣品。
將經表出之樹脂膜形成用薄膜的表面、與實施乾式研磨拋光之矽晶圓(直徑：6英寸、厚度：500μm)的表面，使用層壓機(Fuji公司製、製品名「LAMIPACKER LPD3214」)進行黏貼，再靜置30分鐘。
靜置後，使用精密萬能試驗機(島津製作所(股)製、製品名「AutographAG-IS」)，在剝離角度180°、測定溫度23℃、拉伸速度300mm/分鐘，從矽晶圓將該試驗樣品(支撐薄片及樹脂膜形成用薄膜)進行剝離，以目視觀察，於矽晶圓的表面上是否附著有樹脂膜形成用薄膜的一部分。於其上，由下述之基準，對於矽晶圓之再加工性進行評估。
‧「A+」：於矽晶圓的表面上未觀察到樹脂膜形成用薄膜的附著物。
‧「A」：於矽晶圓的表面上，未觀察到樹脂膜形成用薄膜之直徑5mm以上的附著物，直徑未滿5mm的附著物雖僅確認到極些微，但其為可用醇等充分去除的程度。
‧「B」：於矽晶圓的表面上，未觀察到樹脂膜形成用薄膜之直徑10mm以上的附著物，直徑未滿10mm的附著物雖確認有若干，但其為可用醇等充分去除的程度。
‧「C」：於矽晶圓的表面上確認到樹脂膜形成用薄 膜之直徑10mm以上的附著物，即使用醇等亦難以去除。
Figure 105103476-A0202-12-0057-2
由表1，瞭解到本發明之一態樣即於實施例1~9製作之樹脂膜形成用薄膜與比較例1之樹脂膜形成用薄膜相比較，係再加工性優異。
[產業上之可利用性]
本發明之一態樣的樹脂膜形成用複合薄片，適合作為保護半導體晶片的背面之保護膜的形成材料、或是作為可於晶粒焊墊部或其他部位上接著之接著膜的形成 材料。
1a、1b、1c、1d‧‧‧樹脂膜形成用複合薄片(複合薄片)
10‧‧‧支撐薄片
20‧‧‧樹脂膜形成用薄膜
21‧‧‧表面(α)
22‧‧‧表面(β)
40‧‧‧治具接著層
50‧‧‧載體薄片

Claims (9)

  1. 一種樹脂膜形成用複合薄片，其係於支撐薄片上具有可形成樹脂膜之樹脂膜形成用薄膜為直接層合之構成，且滿足下述要件(I)及(II)，且前述樹脂膜形成用薄膜為含有聚合體成分(A)及熱硬化性成分(B)，要件(I)：將同矽晶圓黏貼側的前述樹脂膜形成用薄膜的表面(α)於矽晶圓上進行黏貼之後，在23℃的環境下，以拉伸速度300mm/分鐘、及拉伸角度180°的剝離條件(x)進行測試，由該矽晶圓將該樹脂膜形成用薄膜進行剝離所需要之剝離力(α1)為0.05~10.0N/25mm；要件(II)：以前述剝離條件(x)進行測試，由同前述支撐薄片之直接層合側的前述樹脂膜形成用薄膜的表面(β)，將前述支撐薄片進行剝離所需要之剝離力(β1)為剝離力(α1)以上的值。
  2. 如請求項1之樹脂膜形成用複合薄片，其中進一步滿足下述要件(III)，要件(III)：由前述樹脂膜形成用薄膜形成樹脂膜之時，以前述剝離條件(x)進行測試，由同前述支撐薄片之直接層合側的前述樹脂膜的表面(β’)，將前述支撐薄片進行剝離所需要之剝離力(β2)為0.02~5.0N/25mm。
  3. 如請求項1或2之樹脂膜形成用複合薄片，其中剝離力(β1)為0.05~20.0N/25mm。
  4. 如請求項1或2之樹脂膜形成用複合薄片，其中前述支撐薄片為僅由基材所構成之薄片。
  5. 如請求項1或2之樹脂膜形成用複合薄片，其中前述支撐薄片為於基材上具有黏著劑層之黏著薄片，且具有該黏著薄片之黏著劑層與前述樹脂膜形成用薄膜的表面(β)為直接層合之構成。
  6. 如請求項5之樹脂膜形成用複合薄片，其中前述黏著劑層為由含有能量線硬化型樹脂之黏著劑組成物所形成之層。
  7. 如請求項1或2之樹脂膜形成用複合薄片，其中剝離力(β1)與剝離力(α1)的差異[(β1)-(α1)]為0.01~20.0N/25mm。
  8. 如請求項1或2之樹脂膜形成用複合薄片，其中前述樹脂膜形成用薄膜為保護膜或接著膜的形成材料。
  9. 一種附樹脂膜之晶片之製造方法，其係具有下述步驟(1)~(4)，步驟(1)：於加工物的背面，將如請求項1~8中任一項之樹脂膜形成用複合薄片進行黏貼之步驟；步驟(2)：將加工物進行切割之步驟；步驟(3)：由樹脂膜形成用薄膜形成樹脂膜之步驟；步驟(4)：將經由步驟(2)所得到之切割後的加工物進行拾取而得到晶片之步驟。
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