TWI694129B - 樹脂膜形成用薄片、樹脂膜形成用複合薄片、及矽晶圓之再生方法 - Google Patents

樹脂膜形成用薄片、樹脂膜形成用複合薄片、及矽晶圓之再生方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種樹脂膜形成用薄片，其係用以貼附於矽晶圓，並於該矽晶圓上形成樹脂膜之薄片，且滿足下述要件(I)~(III)之再加工性及端部密著性優異者，要件(I)：前述樹脂膜形成用薄片之與矽晶圓貼附側之表面(α)之表面粗糙度(Ra)為50nm以下，要件(II)：前述樹脂膜形成用薄片之表面(α)之對於矽晶圓之黏著力(α 1)係1.0~7.0N/25mm，要件(III)：前述樹脂膜形成用薄片之與矽晶圓貼附側係相反側之表面(β)對於由特定黏著劑所形成之具有厚度10~50μm之黏著劑層之黏著薄片之黏著劑層之黏著力(β 1)為4.0N/25mm以上。

Description

樹脂膜形成用薄片、樹脂膜形成用複合薄片、及矽晶圓之再生方法
本發明係關於樹脂膜形成用薄片，及具有於支持薄片上層合有構成該樹脂膜形成用薄片之樹脂膜形成用複合薄片，以及矽晶圓之再生方法。
近年來進行著使用所謂稱為倒裝方式之封裝法之半導體裝置之製造。倒裝方式中，於基板之電路面上所裝載之凸塊等具有電極之半導體晶片(以下亦僅稱為「晶片」)，晶片之電極與基板接合。因此，有晶片與基板接合之側為相反側之表面(以下亦稱為「晶片之背面」)露出之情形。
成為該露出之晶片之背面形成由有機材料構成之樹脂膜，作為附樹脂膜之晶片有被封裝於半導體裝置之情形。該樹脂膜可承擔下述功能：用以防止切割步驟或封裝之後產生裂痕之作為保護膜之功能，或者用以於墊板部或另一半導體晶片等其他基材上接著所獲得之晶片之作為接著薄膜之功能。
一般該附樹脂膜之晶片係藉由旋轉塗佈法等將含樹脂之組成物之溶液塗佈於晶圓之背面形成塗膜後，使該塗膜乾燥及硬化，形成樹脂膜，並切割所獲得之附樹脂膜之晶圓而製造。
另外，亦可將硬化性之樹脂膜形成用薄片貼附於晶圓之背面，於晶圓之切割前後藉由能量線之照射或加熱，使該樹脂膜形成用薄片硬化後製得樹脂膜，而製造附樹脂膜之晶圓或附樹脂膜之晶片。
作為於如此晶片之背面或晶圓之背面上形成亦承擔作為保護膜或接著薄膜之功能之樹脂膜材料，提案出各種樹脂膜形成用薄片。
例如專利文獻1中揭示，含有由丙烯酸系共聚物構成之聚合物成分、能量線硬化性成分、染料或顏料、無機填料、及光聚合起始劑之能量線硬化型保護膜形成層係具有被2片剝離薄片夾著之構成之晶片保護用薄膜。
根據專利文獻1之記載，該晶片保護用薄膜係藉由能量線之照射，可形成雷射標記認識性、硬度、及與晶圓之密著性良好之保護膜，且與已往之晶片保護用薄膜相比較，可簡化步驟。
另外，專利文獻2中揭示，具有基材及黏著劑層之切割膠帶，與於該切割膠帶之黏著劑層上被著色，且具有具特定彈性率之晶圓背面保護薄膜之切割膠帶一體型晶圓背面保護薄膜。
根據專利文獻2之記載，該晶圓背面保護薄膜係半導 體晶圓之切割步驟中，與半導體晶圓之保持力良好。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2009-138026號公報
[專利文獻2]日本特開2010-199543號公報
有時，將記載於專利文獻1及2之保護薄膜貼附於晶圓上之步驟中，貼附於晶圓上之保護薄膜之位置產生位移時，引起於晶圓上附著異物之狀態，如該晶圓上亦含有異物之狀態貼附保護薄膜。該等狀況時難以從晶圓再加工(再剝離)一旦貼附於晶圓上之保護薄膜。
特別是揭示於專利文獻1及2之保護薄膜係將貼附時與晶圓之密著性或貼附後與晶圓之保持力之提升作為目的者，一旦貼附於晶圓上時與晶圓之密著性高，故非常難以再加工。
亦即，施予力而強制地剝離貼附於晶圓之保護薄膜時可能會損害晶圓，或者即使不損壞晶圓剝離保護薄膜時，於晶圓上有殘存一部分之保護薄膜之情形。
專利文獻1及2中有關所記載之保護薄膜，雖然有進行從與貼附時之晶圓之密著性，或與貼附後之晶圓之保持力之觀點之檢討，但是未進行任何有關一旦貼附於晶圓之 保護薄膜之再加工性之檢討。
並且，不僅貼附保護薄膜與晶圓後立即注意到重新貼附保護薄膜之必要性，貼附後晶圓上貼附有保護薄膜之積層體之狀態靜置24小時左右後亦注意到之情形多。
將保護薄膜貼附於晶圓後，當時間愈經過愈提升晶圓與保護薄膜之密著性，故一般難以再加工保護薄膜。
另外，亦可思及重視貼附於矽晶圓後之再加工性，使用粗糙地設計之與晶圓貼附側之表面之保護薄膜，如此保護薄膜係與晶圓貼附後，端部容易產生浮起或剝落，而產生端部密著性劣化之問題。
本發明係鑒於上述問題點所進行者，目的在於提供再加工性及端部密著性優異之樹脂膜形成用薄片，及於支持薄片上具有該樹脂膜形成用薄片層合構成樹脂膜形成用複合薄片，以及矽晶圓之再生方法。
本發明者們發現，經調整黏著力之樹脂膜形成用薄片，該黏著力係對於與矽晶圓貼附側之表面之表面粗糙度及矽晶圓之黏著力，以及對於與該表面係相反側之另一表面之一般黏著薄片之黏著劑層之黏著力，可解決上述課題而完成本發明。
亦即，本發明係提供下述〔1〕~〔10〕。
〔1〕一種樹脂膜形成用薄片，其係用以貼附於矽晶 圓，並於該矽晶圓上形成樹脂膜之薄片，且滿足下述要件(I)~(III)，要件(I)：前述樹脂膜形成用薄片之表面(α)之與矽晶圓貼附側之表面粗糙度(Ra)為50nm以下，要件(II)：前述樹脂膜形成用薄片之表面(α)之對於矽晶圓之黏著力(α 1)係1.0~7.0N/25mm，要件(III)：前述樹脂膜形成用薄片之表面(β)之與矽晶圓貼附側係相反側之對於由黏著劑所形成之具有黏著劑層之黏著薄片之黏著劑層之黏著力(β 1)為4.0N/25mm以上，前述黏著劑係含有具有源自丁基丙烯酸酯及丙烯酸之結構單元，質量平均分子量為60萬~100萬之丙烯酸系樹脂100質量份，與交聯劑0.01~10質量份，前述黏著薄片具有厚度10~50μm之黏著劑層。
〔2〕如〔1〕之樹脂膜形成用薄片，其中，23℃之儲藏彈性模數係0.10~20GPa。
〔3〕如〔1〕或〔2〕之樹脂膜形成用薄片，其中，前述樹脂膜形成用薄片之表面(β)之對於水之接觸角係70~110°。
〔4〕如〔1〕~〔3〕中任一項之樹脂膜形成用薄片，其中，其係含有聚合物成分(A)及硬化性成分(B)。
〔5〕如〔4〕之樹脂膜形成用薄片，其中，聚合物成分(A)含有丙烯酸系聚合物(A1)。
〔6〕如〔5〕之樹脂膜形成用薄片，其中，丙烯酸系聚合物(A1)具有源自烷基(甲基)丙烯酸酯之結構單位(a1)及源自腈系單體之結構單位(a2)之丙烯酸系共聚物。
〔7〕如〔1〕~〔6〕中任一項之樹脂膜形成用薄片，其中，其係用以於矽晶圓上形成保護膜。
〔8〕一種樹脂膜形成用複合薄片，其具有於支撐薄片上層合如〔1〕~〔7〕中任一項之樹脂膜形成用薄片之構成。
〔9〕如〔8〕之樹脂膜形成用複合薄片，其中，前述樹脂膜形成用薄片具有被兩片支撐薄片夾住之構成。
〔10〕一種矽晶圓之再生方法，其係從矽晶圓上直接貼附有如〔1〕~〔7〕中任一項之樹脂膜形成用薄片之表面(α)之層合體，再加工該樹脂膜形成用薄片而再生矽晶圓之方法，且其具有下述步驟(1)~步驟(2)，步驟(1)：於前述層合體之前述樹脂膜形成用薄片之表面(β)上，貼附具有基材及黏著劑層之黏著薄片之該黏著劑層之步驟，步驟(2)：拉伸步驟(1)中之貼附於前述樹脂膜形成用薄片之表面(β)上的前述黏著薄片，而再加工前述矽晶圓上所貼附之前述樹脂膜形成用薄片之步驟。
本發明之樹脂膜形成用薄片係再加工性及端 部密著性優異。
因此，一旦將本發明之樹脂膜形成用薄片貼附於矽晶圓後，產生重新貼附之必要性時，不損壞矽晶圓，且可邊抑制附著於矽晶圓上而殘存之貼附有樹脂膜形成用薄片之一部分，可邊從矽晶圓再加工該樹脂膜形成用薄片。其結果，有關再加工該樹脂膜形成用薄片後之矽晶圓，可再利用。
並且，本說明書中「再加工樹脂膜形成用薄片」意指再剝離一旦貼附於矽晶圓上之樹脂膜形成用薄片。
另外，「樹脂膜形成用薄片之再加工性」意指貼附於矽晶圓後，再加工時不損壞矽晶圓，且於矽晶圓上未殘存樹脂膜形成用薄片之一部分，可再剝離之性質。
1a、1b、1c、1d‧‧‧樹脂膜形成用複合薄片
10‧‧‧樹脂膜形成用薄片
11、11’‧‧‧支撐薄片
12‧‧‧夾具接著層
[圖1]本發明之一態樣之樹脂膜形成用複合薄片之剖面圖。
本說明書之記載中，各成分之質量平均分子量(Mw)及數平均分子量(Mn)之值係藉由凝膠滲透色譜(GPC)法所測定之標準聚苯乙烯換算之值，具體而言基於記載於實施例之方法所測定之值。
另外，本說明書中例如「(甲基)丙烯酸酯」意指作為表示「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」之兩者之用語所 使用，有關其他類似用語亦相同。
再者，本說明書中「能量射線」意指例如紫外線或電子束線等，紫外線為佳。
〔樹脂膜形成用薄片〕
本發明之樹脂膜形成用薄片係用以貼附於矽晶圓，並於該矽晶圓上形成樹脂膜之薄片，且滿足下述要件(I)~(III)，要件(I)：前述樹脂膜形成用薄片之表面(α)之與矽晶圓貼附側之表面粗糙度(Ra)為50nm以下(以下亦僅稱為「表面(α)之表面粗糙度(Ra)」)，要件(II)：前述樹脂膜形成用薄片之表面(α)之對於矽晶圓之黏著力(α 1)係1.0~7.0N/25mm(以下亦僅稱為「表面(α)之黏著力(α 1)」)，要件(III)：前述樹脂膜形成用薄片之表面(β)之與矽晶圓貼附側係相反側之對於由黏著劑所形成之具有黏著劑層之黏著薄片之黏著劑層之黏著力(β 1)(以下亦僅稱為「表面(β)之黏著力(β 1)」)為4.0N/25mm以上，前述黏著劑係含有具有源自丁基丙烯酸酯及丙烯酸之結構單元，質量平均分子量為60萬~100萬之丙烯酸系樹脂100質量份，與交聯劑0.01~10質量份，前述黏著薄片具有厚度10~50μm之黏著劑層。
本發明之樹脂膜形成用薄片之表面(α)係 與矽晶圓貼附側之面，表面(β)係與矽晶圓貼附後，用以從矽晶圓將該樹脂膜形成用薄片再加工而與汎用黏著薄片之黏著劑層貼附之貼附面。
並且，沒有特別限制本發明之樹脂膜形成用薄片之形態，例如亦可為長膠膠帶狀標籤、葉標籤(Leaf label)等形態。
另外，本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片係可由藉由1種之組成物形成之一層所構成之單層薄片，亦可由藉由2種以上之組成物形成之二層以上所構成之複層薄片。
並且，本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片係由二層以上所構成之複層薄片時，有關表面(α)側之層之形成材料之組成物(α’)與表面(β)側之層之形成材料之組成物(β’)係滿足上述要件(I)~(III)之方式分別調整所含有成分之種類或摻合量為佳。因此，組成物(α’)與組成物(β’)係彼此相異者為佳。
<要件(I)>
藉由滿足上述要件(I)，本發明之樹脂膜形成用薄片與晶圓貼附後，可抑制晶圓之端部之浮起或剝落之產生，且端部密著性優異者。
亦即，表面(α)之表面粗糙度(Ra)超過50nm時，將所獲得之樹脂膜形成用薄片貼附於矽晶圓時，與矽晶圓之密著性不充分，變成特別是於矽晶圓之端部容易產 生浮起或剝落，劣化端部密著性。如此密著性之降低，特別是產生端部密著性之降低時，亦變成切割時所使用洗淨水侵入至該樹脂膜形成用薄片與矽晶圓之界面，而造成污染矽晶圓之表面或者是產生切割時之碎裂之原因。
從上述觀點而言作為本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片之表面(α)之表面粗糙度(Ra)係佳為40nm以下，較佳為35nm以下，更佳為30nm以下，最佳為25nm以下。
另外，從使再加工性更提升之樹脂膜形成用薄片之設定之觀點而言，表面(α)之表面粗糙度(Ra)係佳為5nm以上，較佳為10nm以上，更佳為15nm以上。
並且，本說明書中表面(α)之表面粗糙度(Ra)係依JIS B0601：2001所測定之值，更具體而言意味藉由記載於實施例之方法所測定之值。
另外，表面(α)之表面粗糙度(Ra)係藉由將例如樹脂膜形成用薄片中所含有之無機填料或著色劑等微粒子成分之種類、平均粒徑、及含量等適宜設定而可調整。另外，藉由於樹脂膜形成用薄片之表面(α)上貼合具有表面之粗糙凹凸面之剝離薄膜之凹凸面，並轉印凹凸形狀之方法亦可調整。
<要件(II)>
本發明之樹脂膜形成用薄片係藉由滿足要件(II)，可邊良好地保持與矽晶圓之貼附後之密著性，特別是端部 密著性，可邊即使已經過24小時左右亦可再加工者。
例如揭示於專利文獻1及2般，已往之樹脂膜形成用薄片係將與矽晶圓之密著性及保持性之提升作為目的之情形多，進行著用以提升如要件(II)所特定之表面(α)之黏著力之值之材料設計。
然而，表面(α)之黏著力(α 1)超過7.0N/25mm時，有將所獲得之樹脂膜形成用薄片貼附於矽晶圓後之再加工變難之傾向。特別是因貼附於矽晶圓後之時間愈經過，矽晶圓與樹脂膜形成用薄片之密著性愈提升，故從矽晶圓強制地再加工樹脂膜形成用薄片時，藉由其再加工之力會有損壞矽晶圓之情形。
另一方面，表面(α)之黏著力(α 1)未達1.0N/25mm時，與矽晶圓之密著性不充分，特別是將所獲得之樹脂膜形成用薄片貼附於矽晶圓時，於矽晶圓之端部容易產生浮起或剝落，劣化端部密著性。
於是，本發明之樹脂膜形成用薄片中，將表面(α)之黏著力(α 1)調整至如要件(II)所特定之範圍。
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片之表面(α)之黏著力(α 1)係從提升與矽晶圓之密著性，特別是從與矽晶圓之貼附後提升端部密著性之樹脂膜形成用薄片之設定之觀點而言，佳為1.3N/25mm以上，較佳為1.5N/25mm以上，更佳為1.8N/25mm以上，最佳為2.0N/25mm以上，從提升再加工性之樹脂膜形成用薄片之設定之觀點而言，佳為6.8N/25mm以下，較佳為 6.5N/25mm以下，更佳為6.0N/25mm以下，最佳為5.5N/25mm以下。
並且，本說明書中表面(α)之黏著力(α 1)意味藉由實施例記載之方法所測定之值。
另外，表面(α)之黏著力(α 1)係適宜地選擇樹脂膜形成用薄片之表面(α)側之層之形成材料之組成物所含有之聚合物成分、硬化性成分、無機填料，及添加劑等種類或含量，如成為上述範圍之方式可調整。具體而言，若考量適宜組合樹脂膜形成用薄片中所含有各成分之項目之事項，則可容易調整。
<要件(III)>
本發明之樹脂膜形成用薄片係藉由滿足要件(III)，即使已經過24小時左右亦成為可再加工者。
將本發明之樹脂膜形成用薄片貼附於矽晶圓後，該樹脂膜形成用薄片產生需要再剝離之情形時，於該樹脂膜形成用薄片之表面(β)貼附汎用黏著薄片之黏著劑層，藉由拉伸該黏著薄片而從矽晶圓可再加工該樹脂膜形成用薄片。
此時，表面(β)之黏著力(β 1)未達4.0N/25mm時，即使於表面(β)貼附該黏著薄片之黏著劑層，並與該黏著薄片一起剝離該樹脂膜形成用薄片，一部分之該樹脂膜形成用薄片殘存於矽晶圓上之傾向高，再加工後之矽晶圓不可再利用。
從上述觀點而言，本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片之表面(β)之黏著力(β 1)係佳為4.5N/25mm以上，較佳為5.0N/25mm以上。
另外，作為表面(β)之黏著力之上限值，雖然沒有特別限制，但是表面(β)之黏著力(β 1)係通常20N/25mm以下。
要件(III)所特定之樹脂膜形成用薄片之表面(β)之黏著力(β 1)係由黏著劑所形成之具有黏著劑層之黏著薄片對於該黏著劑層之黏著力，黏著劑係含有具有源自丁基丙烯酸酯及丙烯酸之結構單元，質量平均分子量為60萬~100萬之丙烯酸酯系樹脂100質量份，與交聯劑0.01~10質量份，黏著薄片具有厚度10~50μm之黏著劑層。
此黏著劑之組成係特定市售之一般之丙烯酸酯系黏著劑，要件(III)係特定表面(β)之對於由一般之丙烯酸酯系黏著劑所形成之黏著劑層之黏著力。
並且，滿足要件(III)之黏著劑係廣泛地流通於市場之非常一般之丙烯酸酯系黏著劑。
因此，從矽晶圓將本發明之樹脂膜形成用薄片再加工時，所使用之黏著薄片之選擇性係非常廣泛，使用具有一般之由丙烯酸酯系黏著劑所構成之黏著劑層黏著薄片可再加工。
並且，更具體而言表面(β)之黏著力(β 1)意味藉由記載於實施例之方法所測定之值。
另外，表面(β)之黏著力(β 1)係適宜地選擇樹脂膜形成用薄片之表面(β)側之層之形成材料之組成物所含有之聚合物成分、硬化性成分、無機填料及添加劑等種類或含量，而可調整為如上述範圍。具體而言若考量適宜組合樹脂膜形成用薄片中所含有之各成分之項目之事項，則可容易調整。
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片中，從使再加工性更提升之樹脂膜形成用薄片之觀點而言，表面(β)之黏著力(β 1)係較表面(α)之黏著力(α 1)之黏著力更高之值為佳。
從上述觀點而言，作為黏著力(β 1)與黏著力(α 1)之差〔(β 1)-(α 1)〕，佳為0~8.0N/25mm，較佳為0.1~7.0N/25mm，更佳為0.5~6.0N/25mm，最佳為1.5~5.5N/25mm。
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片之23℃之儲藏彈性模數係佳為0.10~20GPa，較佳為0.15~15GPa，更佳為0.20~10GPa，最佳為0.30~5.0GPa。
若該儲藏彈性模數係0.10GPa以上，則將樹脂膜形成用薄片貼附於矽晶圓後，再度剝離時抑制該樹脂膜形成用薄片之如拉絲之變形現象，矽晶圓上未殘存一部分之樹脂膜形成用薄片，可剝離樹脂膜形成用薄片。
另一方面，若該儲藏彈性模數係20GPa以下，則對於矽晶圓之密著性可良好地設定。
並且，本說明書中樹脂膜形成用薄片之儲藏彈性模數意味藉由記載於實施例方法所測定之值。
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片之表面(β)之對於水之接觸角係從使再加工性更提升之樹脂膜形成用薄片之觀點而言，佳為70~110°，較佳為75~100°，更佳為80~95°，最佳為83~93°。
並且，本說明書中樹脂膜形成用薄片之表面(β)之對於水之接觸角係意味藉由記載於實施例之方法所測定之值。
<樹脂膜形成用薄片之構成成分>
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片係只要是滿足要件(I)~(III)之具有表面(α)及表面(β)者就沒有特別限制，但含有聚合物成分(A)及硬化性成分(B)者較佳。
再者，本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片係從滿足如要件(I)~(III)之形成表面(α)及表面(β)之觀點而言，不損及本發明之效果之範圍內含有上述成分(A)及(B)之同時，亦可含有無機填料(C)、著色劑(D)、偶合劑(E)、流平劑(F)、及選自汎用添加劑(G)之1種以上。
以下，說明有關可成為本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片之構成成分之上述成分(A)~(G)。
〔聚合物成分(A)〕
本說明書中「聚合物成分」意指質量平均分子量(Mw)為2萬以上，並具有至少1種之重複單元之化合物。
本發明之一態樣所使用之樹脂膜形成用薄片係藉由含有聚合物成分(A)，可賦予可翹性及造膜性，並且，具有良好之薄片狀之形狀維持性。其結果可將樹脂膜形成用薄片之23℃之儲藏彈性模數調整至上述之範圍。
作為聚合物成分(A)之質量平均分子量(Mw)，從將所獲得之樹脂膜形成用薄片之23℃之儲藏彈性模數調整至上述之範圍之觀點而言，佳為2萬以上，較佳為2萬~300萬，更佳為5萬~200萬，最佳為10萬~150萬。
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片中之聚合物成分(A)之含量係相對於樹脂膜形成用薄片之總量(100質量%)，佳為5~50質量%，較佳為8~40質量%，更佳為10~35質量%，最佳為15~30質量%。
並且，本說明書中「相對於樹脂膜形成用薄片之總量之成分(A)之含量」係與「相對於樹脂膜形成用薄片之形成材料之組成物中之有效成分之總量之成分(A)之含量」同義，針對以下所說明之其他成分之含量亦同義。
亦即，與所特定之各成分之含量之「相對於樹脂膜形成用薄片之總量(100質量%)」之語句亦可取代為「相對於樹脂膜形成用薄片之形成材料之組成物之有效成分之 總量(100質量%)」之語句，與特定之含量係同義。
再者，上述之「有效成分」意味去除對組成物中之溶劑等直接地及間接地所反應或所形成之薄片之物性未造成影響之物質之成分，具體而言意味水及有機溶劑等溶劑以外之成分。
作為聚合物成分(A)，含有丙烯酸系聚合物(A1)較佳，亦可含有丙烯酸系聚合物(A1)以外之聚酯、苯氧基樹脂、聚碳酸酯、聚醚、聚胺酯、聚矽氧烷、橡膠系聚合物等非丙烯酸系聚合物(A2)。
該等聚合物成分可單獨或組合2種以上使用。
作為對於本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片中所含有聚合物成分(A)之總量(100質量%)，丙烯酸系聚合物(A1)之含量係佳為50~100質量%，較佳為60~100質量%，更佳為70~100質量%，最佳為80~100質量%。
(丙烯酸系聚合物(A1))
丙烯酸系聚合物(A1)之質量平均分子量(Mw)係從對樹脂膜形成用薄片賦予可翹性及造膜性，並將樹脂膜形成用薄片之23℃之儲藏彈性模數調整至上述範圍之觀點而言，佳為2萬~300萬，較佳為10萬~150萬，更佳為15萬~120萬，最佳為25萬~100萬。
作為丙烯酸系聚合物(A1)，從樹脂膜形成用薄片之黏著力(α 1)及(β 1)調整至上述範圍之觀點 而言，具有源自烷基(甲基)丙烯酸酯之結構單元(a1)之丙烯酸系聚合物較佳，特別是從樹脂膜形成用薄片之黏著力(α 1)調整至上述範圍之觀點而言，具有該結構單元(a1)及源自腈系單體之結構單元(a2)之丙烯酸系共聚物更佳。
並且，本發明之一態樣所使用丙烯酸系聚合物(A1)係除了結構單元(a1)及(a2)以外，亦可進一步具有烷基(甲基)丙烯酸酯及不相當於腈系單體之源自其他單體之結構單元(a3)。
並且，丙烯酸系聚合物(A1)可單獨或組合2種以上使用。
另外，丙烯酸系聚合物(A1)係共聚物時，該共聚物之形態係亦可嵌段共聚物、無規共聚物、交替共聚物、接枝共聚物之任一者。
(結構單元(a1))
作為構成結構單元(a1)之烷基(甲基)丙烯酸酯之烷基之碳數，從對樹脂膜形成用薄片賦予可翹性及造膜性之觀點而言，佳為1~18，較佳為1~12，更佳為1~8。
作為烷基(甲基)丙烯酸酯可列舉例如甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯、戊基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、異辛基(甲基)丙烯酸酯、n-辛基(甲基)丙烯酸酯、n-壬基(甲基)丙 烯酸酯、異壬基(甲基)丙烯酸酯、癸基(甲基)丙烯酸酯、十二烷基(甲基)丙烯酸酯、十八烷基(甲基)丙烯酸酯等。
並且，該等烷基(甲基)丙烯酸酯係可單獨或組合2種以上使用。
該等中具有碳數1~3之烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯較佳，甲基(甲基)丙烯酸酯更佳。
丙烯酸系聚合物(A1)中之具有碳數1~3之源自烷基烷基(甲基)丙烯酸酯之結構單元(a1-1)之含量係相對於丙烯酸系聚合物(A1)之全結構單元(100質量%)，佳為5~99質量%，較佳為10~98質量%，更佳為20~97質量%，最佳為25~97質量%。
丙烯酸系聚合物(A1)中之結構單元(a1)之含量係相對於丙烯酸系聚合物(A1)之全結構單元(100質量%)，佳為50質量%以上，較佳為50~99質量%，更佳為55~98質量%，最佳為60~97質量%。
(結構單元(a2))
作為構成結構單元(a2)之腈系單體，可列舉例如(甲基)丙烯腈、α-氯(甲基)丙烯腈、α-乙氧基(甲基)丙烯腈、富馬腈等。
並且，該等腈系單體係可單獨或組合2種以上使用。
該等中(甲基)丙烯腈較佳。
丙烯酸系聚合物(A1)中之源自腈系單體之 結構單元(a2)之含量係相對於丙烯酸系聚合物(A1)之全結構單元(100質量%)，佳為1~50質量%，較佳為5~45質量%，更佳為10~42質量%，再更佳為15~40質量%，最佳為20~35質量%。
若結構單元(a2)之含量係1質量%以上，則容易將所獲得之樹脂膜形成用薄片之表面(α)之黏著力(α 1)調整至上述範圍。另一方面，若結構單元(a2)之含量係50質量%以下，則容易將該樹脂膜形成用薄片之表面(β)之黏著力(β 1)調整至上述範圍。
(結構單元(a3))
丙烯酸系聚合物(A1)係不損及本發明之效果之範圍內，除了上述結構單元(a1)及(a2)以外，烷基(甲基)丙烯酸酯及腈系單體亦可具有源自不相當於其他單體之結構單元(a3)。
作為構成結構單元(a3)之其他單體，可列舉例如含羥基單體、含羧基單體、含環氧基單體等具有官能基之含官能基單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯類單體；乙烯、丙烯、異丁烯等烯烴類單體；苯乙烯、甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等芳香族乙烯基單體：丁二烯、異戊二烯等二烯系單體等。
從將樹脂膜形成用薄片之黏著力(α 1)及(β 1)調整至上述範圍之觀點而言，本發明之一態樣所使用丙烯酸系聚合物(A1)係含有源自羥基之單體之結構 單元(a3-1)為較佳。
作為含有羥基之單體，可列舉例如2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥丁基(甲基)丙烯酸酯等羥烷基(甲基)丙烯酸酯類；乙烯醇、烯丙醇等不飽和醇類等。
該等中2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯為較佳。
丙烯酸系聚合物(A1)中源自含羥基單體之結構單元(a3-1)之含量係從將樹脂膜形成用薄片之黏著力(α 1)及(β 1)調整至上述範圍之觀點而言，相對於丙烯酸系聚合物(A1)之全結構單元(100質量%)，佳為0.5~30質量%，較佳為1~25質量%，更佳為2~20質量%，最佳為3~15質量%，特佳為3.5~12質量%。
再者，丙烯酸系聚合物(A1)中之源自含環氧基單體之結構單元之含量增多時，提升所獲得之樹脂膜形成用薄片與矽晶圓之密著性，而有提升黏著力(α 1)之值之傾向。因此，丙烯酸系聚合物(A1)中之源自含環氧基單體之結構單元之含量係愈少愈佳。
作為本發明之一態樣所使用丙烯酸系聚合物(A1)中之源自含環氧基單體之結構單元(a3-2)之含量係從上述觀點而言，相對於丙烯酸系聚合物(A1)之全結構單元(100質量%)，佳為0~15質量%，較佳為0~10質量%，更佳為0~5質量%，最佳為0~3.5質量%。
作為含環氧基單體，可列舉例如縮水甘油基 (甲基)丙烯酸酯、β-甲基縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、(3,4-環氧基環己基)甲基(甲基)丙烯酸酯、3-環氧基環-2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯等環氧基含有(甲基)丙烯酸酯；縮水甘油基丁烯酸酯、烯丙基縮水甘油基醚等含非丙烯系環氧基單體等。
使用環氧系熱硬化性成分作為後述之硬化性成分(B)時，因羧基與環氧系熱硬化性成分中之環氧基會產生反應，故丙烯酸系聚合物(A1)中之源自含羧基單體之結構單元之含量係愈少愈佳。
使用環氧系熱硬化性成分作為硬化性成分(B)時，本發明之一態樣所使用之源自含羧基單體之結構單元(a3-3)之含量係相對於丙烯酸系聚合物(A1)之全結構單元(100質量%)，佳為0~10質量%，較佳為0~5質量%，更佳為0~2質量%，最佳為0質量%(未含有結構單元(a3-3))。
並且，本說明書中具有源自含環氧基單體之結構單元之質量平均分子量係2萬以上之丙烯酸系聚合物係雖然具有熱硬化性，但是並非硬化性成分(B)，包含在聚合物成分(A)之概念。
作為含羧基單體，可列舉例如(甲基)丙烯酸、馬來酸、富馬酸、衣康酸等。
本發明之一態樣所使用丙烯酸系聚合物(A1)中之結構單元(a3)之含量係相對於丙烯酸系聚合物(A1)之全結構單元(100質量%)，佳為0~30質量 %，較佳為1~20質量%，更佳為2~10質量%。
(非丙烯酸系樹脂(A2))
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片係視需要作為上述丙烯酸系聚合物(A1)以外之聚合物成分，亦可含有非丙烯酸系聚合物(A2)。
作為非丙烯酸系聚合物(A2)，可列舉例如聚酯、苯氧基樹脂、聚碳酸酯、聚醚、聚胺酯、聚矽氧烷、橡膠系聚合物等。
該等非丙烯酸系聚合物(A2)可單獨或組合2種以上使用。
作為非丙烯酸系聚合物(A2)之質量平均分子量(Mw)係佳為2萬以上，較佳為2萬~10萬，更佳為2萬~8萬。
〔硬化性成分(B)〕
硬化性成分(B)係使樹脂膜形成用薄片硬化，分擔形成硬質之樹脂膜之任務，質量平均分子量(Mw)為未達2萬之化合物。
本發明所使用樹脂膜形成用薄片係作為硬化性成分(B)，含有熱硬化性成分(B1)與能量射線硬化性成分(B2)之至少1種較佳，從抑制樹脂膜形成用薄片所形成之樹脂膜之著色之觀點而言，使硬化反應充分地進行之觀點而言，以及降低成本之觀點而言，含有熱硬化性成分 (B1)更佳。
作為熱硬化性成分(B1)，係含有具有至少藉由加熱進行反應之官能基之化合物較佳，含有具有環氧基之化合物(B11)更佳。
另外，能量射線硬化性成分(B2)，係含有具有藉由能量射線照射進行反應之官能基之化合物(B21)為佳。
具有該等硬化性成分之官能基彼此進行反應，並藉由形成三次元網目構造而實現硬化。
藉由與成分(A)一起組合而使用，硬化性成分(B)之質量平均分子量(Mw)係從可抑制樹脂膜形成用薄片之形成材料之組成物之黏度，並使操作性提升等之觀點而言，佳為未達20,000，較佳為10,000以下，更佳為100~10,000。
(熱硬化性成分(B1))
作為熱硬化性成分(B1)，環氧系熱硬化性成分較佳。
環氧系熱硬化性成分係使用具有環氧基之化合物(B11)再組合熱硬化劑(B12)者較佳。
作為具有環氧基之化合物(B11)(以下，亦稱為「環氧化合物(B11)」)，可列舉例如多官能系環氧樹脂、雙酚A、二縮水甘油基醚及其氫化物、甲酚酚醛清漆環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯基型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F 型環氧樹脂、亞苯基骨架型環氧樹脂等之分子中具有2官能以上之環氧化合物等。
該等環氧化合物(B11)可單獨或組合2種以上使用。
該等中從將樹脂膜形成用薄片之黏著力(α 1)及(β 1)調整至上述範圍之觀點而言，含有選自酚醛清漆型環氧樹脂及聯苯基型環氧樹脂中之1種以上較佳，特別是從將樹脂膜形成用薄片之黏著力(α 1)調整至上述範圍之觀點而言，含有聯苯基型環氧樹脂較佳，含有聯苯基芳烷型環氧樹脂更佳。
選自酚醛清漆型環氧樹脂及聯苯基型環氧樹脂中之1種以上之合計含量係相對於環氧化合物(B11)之總量(100質量%)，佳為70~100質量%，較佳為80~100質量%，更佳為90~100質量%，最佳為95~100質量%。
另外，從將樹脂膜形成用薄片之黏著力(α 1)調整至上述範圍之觀點而言，聯苯基型環氧樹脂之含量係相對於環氧化合物(B11)之總量(100質量%)，佳為70~100質量%，較佳為80~100質量%，更佳為90~100質量%，最佳為95~100質量%。
環氧化合物(B11)之含量係相對於成分(A)100質量份，佳為1~500質量份，較佳為3~300質量份，更佳為5~150質量份，最佳為10~100質量份。
(熱硬化劑(B12))
熱硬化劑(B12)係作為對於環氧化合物(B11)之硬化劑做功能。
作為熱硬化劑1分子中具有2個以上之可與環氧基反應之官能基之化合物較佳。
作為該官能基可列舉苯酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基，及酸酐等。該等中苯酚性羥基、胺基、或酸酐較佳、苯酚性羥基及胺基較佳，胺基更佳。
作為具有苯酚基之苯酚系熱硬化劑，可列舉例如多官能系苯酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型苯酚樹脂、雙環戊二烯型苯酚樹脂、新酚型苯酚樹脂、芳烷型苯酚樹脂等。
作為具有胺基之胺系熱硬化劑，可列舉例如二氰基二醯胺(DICY)等。
該等熱硬化劑(B12)可單獨或組合2種以上使用。
從該等中將樹脂膜形成用薄片之黏著力(α 1)及(β 1)調整至上述範圍之觀點而言，含有苯酚系熱硬化劑為佳。
苯酚系熱硬化劑之含量係相對於熱硬化劑(B12)之總量(100質量%)，佳為50~100質量%，較佳為70~100質量%，更佳為80~100質量%，最佳為90~100質量%。
熱硬化劑(B12)之含量係相對於環氧化合物 (B11)100質量份，佳為0.1~500質量份，較佳為1~200質量份。
另外，本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片中，從將樹脂膜形成用薄片之黏著力(α 1)及(β 1)調整至上述範圍之觀點而言，作為環氧化合物(B1)含有聯苯基型環氧樹脂，且作為熱硬化劑(B12)含有苯酚系熱硬化劑，併用兩成分較佳。
並且，此時作為聚合物成分(A)含有具有源自腈系單體之結構單元(a2-1)之丙烯酸系聚合物(A1)更佳。
(硬化促進劑(B13))
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片係從藉由該薄片之加熱調整硬化速度之觀點而言，亦可含有硬化促進劑(B13)。
硬化促進劑(B13)係作為熱硬化性成分(B1)，併用環氧化合物(B11)較佳。
作為硬化促進劑(B13)，可列舉例如三乙烯二胺、苄二甲基胺、三乙醇胺、二甲基乙醇胺、三(二甲基甲胺)苯酚等3級胺類；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑等咪唑類；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類；四苯基鏻四苯基硼酸鹽、三苯基膦四苯基硼酸鹽等四苯基硼鹽等。
該等硬化促進劑(B13)可單獨或組合2種以上使 用。
硬化促進劑(B13)之含量係從提升由樹脂膜形成用薄片所形成之樹脂膜之接著性之觀點而言，相對於環氧化合物(B11)及熱硬化劑(B12)之合計量100質量份，佳為0.01~10質量份，較佳為0.1~6質量份，更佳為0.3~4質量份。
(能量射線硬化性成分(B2))
作為能量射線硬化性成分(B2)，雖然可單獨使用具有藉由能量射線照射進行反應之官能基之化合物(B21)，但是使用與化合物(B21)一起組合之光聚合起始劑(B22)較佳。
(具有藉由能量射線照射進行反應之官能基之化合物(B21))
作為具有藉由能量射線照射進行反應之官能基之化合物(B21)(以下，亦稱為「能量射線反應性化合物(B21)」)，可列舉例如三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇酯二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯、聚胺酯丙烯酸酯系低聚物、環氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、衣康酸低聚物等。
該等能量射線反應性化合物(B21)可單獨或組合2 種以上使用。
並且，能量射線反應性化合物(B21)之質量平均分子量(Mw)佳為100~30,000，較佳為300~10,000。
能量射線反應性化合物(B21)之含量係相對於成分(A)100質量份，佳為含有1~1500質量份，較佳為含有3~1200質量份。
(光聚合起始劑(B22))
藉由上述之與能量射線反應性化合物(B21)一起併用之光聚合起始劑(B22)，縮短聚合硬化時間，即使減少光線照射量亦可進行樹脂膜形成用薄片之硬化。
作為光聚合起始劑(B22)，可列舉例如苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物、過氧化物化合物等。
作為更具體之光聚合起始劑，可列舉例如1-羥基環己基苯基酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆、偶氮二異丁腈、二苄、丁二酮、β-爬行蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲醯二苯基氧化膦等。
該等光聚合起始劑可單獨或組合2種以上使用。
光聚合起始劑(B22)之含量係使樹脂膜形成用薄片之硬化反應充分地進行，從抑制殘留物之產生之觀點而言，相對於能量射線反應性化合物(B21)100質量份，佳為0.1~10質量份，較佳為1~5質量份。
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片中之硬化性成分(B)之含量係相對於樹脂膜形成用薄片之總量(100質量%)，佳為5~50質量%，較佳為8~40質量%，更佳為10~30質量%，最佳為12~25質量%。
並且，上述「硬化性成分(B)之含量」係指上述環氧化合物(B11)、熱硬化劑(B12)，與含硬化促進劑(B13)之熱硬化性成分(B1)，以及能量射線反應性化合物(B21)，與含光聚合起始劑(B22)之能量射線硬化性成分(B2)之合計含量。
作為本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片中之聚合物成分(A)及硬化性成分(B)之合計含量，相對於樹脂膜形成用薄片之總量(100質量%)，佳為40質量%以上，較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，最佳為70質量%以上。
〔無機填料(C)〕
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片係亦可進一步含有無機填料(C)。
藉由含有無機填料(C)，可將由樹脂膜形成用薄片所形成之樹脂膜之熱膨脹參數調整至適度範圍，並且，最適化附樹脂膜之晶片之熱膨脹參數，而可提升已嵌入該晶片之半導體裝置之信賴性。另外，亦可降低由樹脂膜形成用薄片所形成之樹脂膜之吸濕率。
作為無機填料(C)，可列舉例如矽石、氧化 鋁、滑石、碳酸鈣、氧化鈦、氧化鐵、碳化矽、氮化硼等粉末、將該等經球形化之微珠、單結晶纖維及玻璃纖維等。
該等無機填料(C)係可單獨或組合2種以上使用。
該等中矽石及氧化鋁較佳。
作為無機填料(C)之平均粒徑，從將樹脂膜形成用薄片之表面(α)之表面粗糙度(Ra)調整至上述範圍之觀點而言，佳為400nm以下，較佳為300nm以下，更佳為200nm以下，最佳為100nm以下，另一方面，從使用樹脂膜形成用薄片所製造之附樹脂膜之晶片之信賴性良好地設定之觀點而言，佳為10nm以上，較佳為20nm以上。
並且，本說明書中無機填料(C)之平均粒徑係使用雷射繞射散射式粒度分布測定裝置所測定之值，意味體積中位粒徑(D50)。
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片中之無機填料(C)之含量係從將樹脂膜形成用薄片之表面(α)之表面粗糙度(Ra)調整至上述範圍之觀點而言，相對於樹脂膜形成用薄片之總量(100質量%)，佳為0~50質量%，較佳為0~45質量%，更佳為0~40質量%，最佳為0~30質量%。
並且，將本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片設為由2種以上之組成物形成之二層以上構成之覆層體時，包含於該樹脂膜形成用薄片之表面(α)側之層之形 成材料之組成物中之無機填料(C)係減小平均粒徑，亦減少含量，而調整表面(α)之表面粗糙度(Ra)較佳。
另一方面，表面(β)側之層之形成材料之組成物中對表面(α)之表面粗糙度(Ra)未造成影響之範圍內，亦可摻合平均粒徑為0.01μm以上之無機填料(C’)。
作為無機填料(C’)之平均粒徑，通常為0.01~5μm，佳為0.02~3μm。
〔著色劑(D)〕
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片進一步亦可包含著色劑(D)。
藉由樹脂膜形成用薄片含有著色劑(D)，將具有由樹脂膜形成用薄片形成之樹脂膜之半導體晶片組入機器時，遮蔽由周圍之裝置所產生之紅外線等，可防止半導體晶片之錯誤作動。
作為著色劑(D)，可使用有機或無機之顏料及染料。
作為染料，可使用即使例如酸性染料、反應染料、直接染料、分散染料、陽離子染料等之任一者之染料。
另外，作為顏料，沒有特別限制，可適宜地選自習知之顏料而使用。
從該等中電磁波或者紅外線之遮蔽性良好，且使介由激光打標法之識別性更提升之觀點而言，黑色顏料較佳。
作為黑色顏料，雖然可列舉例如碳黑、氧化鐵、二氧 化錳、苯胺黑、活性碳等，但是從提高半導體晶片之信賴性之觀點而言，碳黑較佳。
並且，該等著色劑(D)係可單獨或組合2種以上使用。
作為著色劑(D)之平均粒徑，從將樹脂膜形成用薄片之表面(α)之表面粗糙度(Ra)調整至上述範圍之觀點而言，佳為400nm以下，較佳為300nm以下，更佳為200nm以下，最佳為100nm以下，另外，佳為10nm以上，較佳為20nm以上。
並且，本說明書中著色劑(D)之平均粒徑係使用雷射繞射散射式粒度分布測定裝置所測定之值，意味體積中位粒徑(D50)。
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片中之著色劑(D)之含量係相對於樹脂膜形成用薄片之總量(100質量%)，佳為0.01~30質量%，較佳為0.05~25質量%，更佳為0.1~15質量%，最佳為0.15~5質量%。
〔偶合劑(E)〕
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片係進一步亦可包含偶合劑(E)。
藉由含有偶合劑(E)，不損及所獲得之由樹脂膜形成用薄片形成之樹脂膜之耐熱性，亦可提升耐水性。另外，亦賦予與矽晶圓之貼附後之端部密著性之提升。
作為偶合劑(E)，與具有成分(A)或成分 (B)之官能基反應之化合物較佳，矽烷偶合劑更佳。
作為矽烷偶合劑，可列舉例如γ-環氧丙基三甲氧矽烷、γ-環氧丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧矽烷、γ-(甲基丙烯醯)三甲氧矽烷、γ-胺丙基三甲氧矽烷、N-6-(胺乙基)-γ-胺丙基三甲氧矽烷、N-6-(胺乙基)-γ-胺丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺丙基三甲氧矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰丙基三甲氧矽烷、γ-巰丙基甲基二甲氧矽烷、雙(3-三乙氧基甲矽烷基丙基)四硫烷、甲基三甲氧矽烷、甲基三乙氧矽烷、乙烯三甲氧矽烷、乙烯三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。
該等偶合劑(E)係可單獨或者組合2種以上使用。
作為偶合劑(E)，低聚物型偶合劑較佳。
作為亦包含低聚物型偶合劑之偶合劑(E)之分子量，佳為100~15000，較佳為150~10000，更佳為200~5000，再更佳為250~3000，最佳為350~2000。
並且，可思及藉由含有偶合劑(E)，被著體之矽晶圓或者樹脂膜形成用薄片中包含無機填料(C)時與無機填料(C)之表面鍵結，提升接著性或凝集性，亦提升樹脂膜形成用薄片之黏著力(α 1)。
因此，從獲得再加工性優異之樹脂膜形成用薄片之觀點而言，本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片中之偶合劑(E)之含量係愈少愈佳。
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片中之偶合劑 (E)之含量係相對於樹脂膜形成用薄片之總量(100質量%)，從上述觀點而言，佳為3.0質量%以下，較佳為1.5質量%以下，更佳為0.8質量%以下，最佳為0.3質量%以下，另一方面，從良好地設定該樹脂膜形成用薄片之與矽晶圓之貼附後之端部密著性之觀點而言，以及從將樹脂膜形成用薄片之表面(β)之黏著力(β 1)調整至上述範圍之觀點而言，佳為0.01質量%以上，較佳為0.05質量%以上，更佳為0.10質量%以上。
〔流平劑(F)〕
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片中進一步亦可含有流平劑(F)。
藉由含有流平劑(F)可將所獲得之樹脂膜形成用薄片之表面(α)之黏著力(α 1)容易調整至上述範圍。
作為流平劑(F)，可列舉例如聚矽氧系流平劑、氟系流平劑、丙烯系流平劑、乙烯系流平劑、及氟系與丙烯系已複合化之流平劑等。
該等流平劑(F)可單獨或組合2種以上使用。
從可將該等中樹脂膜形成用薄片之表面(α)之黏著力(α 1)容易調整至上述範圍之觀點而言，含有聚矽氧系流平劑較佳。
並且，樹脂膜形成用薄片中含有流平劑(F)時，容易將表面(α)之黏著力(α 1)調整至上述範圍，降低表面(β)之黏著力(β 1)，有降低樹脂膜形 成用薄片之再加工性之虞。因此，於樹脂膜形成用薄片之表面(β)側，流平劑之含量愈少愈佳。
從將所獲得之樹脂膜形成用薄片之表面(α)之黏著力(α 1)調整至上述範圍之觀點而言，流平劑(F)之含量係相對於樹脂膜形成用薄片之總量(100質量%)，佳為0.010質量%以上，較佳為0.050質量%以上，更佳為0.100質量%以上。
另外，從將該樹脂膜形成用薄片之表面(β)之黏著力(β 1)調整至上述範圍之觀點而言，流平劑(F)之含量係相對於樹脂膜形成用薄片之總量(100質量%)，佳為0.500質量%以下，較佳為0.300質量%以上，更佳為0.200質量%以上。
再者，從將樹脂膜形成用薄片之黏著力(α 1)及(β 1)平衡良好地調整之觀點而言，本發明之樹脂膜形成用薄片含有流平劑之薄片時，作為該樹脂膜形成用薄片之一態樣，具有由包含流平劑之組成物(α’)形成之層與由實質上未包含流平劑之組成物(β’)形成之層之複層薄片較佳。
組成物(α’)成為樹脂膜形成用薄片之表面(α)側之層之形成材料，組成物(β’)成為樹脂膜形成用薄片之表面(β)側之層之形成材料。
組成物(α’)中之流平劑(F)之含量係從將表面(α)之黏著力(α 1)調整至上述範圍之觀點，相對於組成物(α’)所含有之有效成分之總量(100質量 %)，佳為0.010~10質量%，較佳為0.050~7質量%，更佳為0.100~5質量%，最佳為0.150~2質量%。
另一方面，組成物(β’)中之流平劑(F)之含量係從將表面(β)之黏著力(β 1)調整至上述範圍之觀點而言，相對於組成物(β’)所含有之有效成分之總量(100質量%)，佳為0~0.500質量%，較佳為0~0.100質量%，更佳為0~0.010質量%，最佳為0~0.001質量%。
〔汎用添加劑(G)〕
本發明之一態樣所使用樹脂膜形成用薄片中，不損及本發明之效果之範圍內，上述成分以外視需要亦可含有汎用添加劑(G)。
作為汎用添加劑(G)，可列舉例如交聯劑、增塑劑、抗靜電劑、抗氧化劑、離子捕集劑、除氣劑、鏈轉移劑等。
該等中含有交聯劑為佳。
作為交聯劑可列舉例如異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、胺系交聯劑、胺基樹脂系交聯劑等。該等交聯劑係可單獨或組合2種以上使用。
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片中之該等汎用添加劑(G)之分別含量係相對於樹脂膜形成用薄片之總量(100質量%)，佳為0~10質量%，較佳為 0~5質量%，更佳為0~2質量%。
<樹脂膜形成用薄片之製造方法>
作為本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片之製造方法沒有特別限制，可藉由習知之方法製造。
例如調製成為樹脂膜形成用薄片之形成材料之含上述之各成分之樹脂膜形成用組成物後，適宜地添加有機溶劑進行稀釋，而獲得樹脂膜形成用組成物之溶液。然後，藉由習知之塗佈方法於支撐薄片上塗佈該樹脂膜形成用組成物之溶液形成塗膜，使該塗膜乾燥而可製造樹脂膜形成用薄片。
另外，本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片係二層以上之覆層體時，作為該樹脂膜形成用薄片之製造方法，可列舉例如於2片以上之支撐薄片上分別塗佈樹脂膜形成用組成物之溶液形成塗膜，並且，貼合該塗膜形成塗膜之積膜後，使乾燥而製造之方法等。
作為樹脂膜形成用組成物之溶液之調製所使用之有機溶劑，可列舉例如甲苯、乙酸乙酯、甲基乙基酮等。
已摻合有機溶劑時之樹脂膜形成用組成物之溶液之固體成分濃度係佳為10~80質量%，較佳為20~70質量%，更佳為30~65質量%。
作為塗佈方法可列舉例如旋轉塗佈法、噴塗法、棒塗法、刮刀塗佈法、輥塗法、輥刀塗佈法、刮刀塗佈法、模 塗法、凹版塗佈法等。
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片之厚度係視用途可適宜設定，佳為3~300μm，較佳為5~250μm，更佳為7~200μm。
並且，樹脂膜形成用薄片係由2層以上所構成之複層薄片時，該複層薄片之總厚度亦在於上述範圍較佳。
<樹脂膜形成用薄片之用途>
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片被貼附於倒裝方式之晶片用半導體晶圓或者半導體晶片等之矽晶圓之等之工件之背面，可於工件上形成樹脂膜。此樹脂膜具有作為保護半導體晶圓或者半導體晶片等之工件之背面之保護膜之功能。例如貼附於半導體晶圓時，因樹脂膜具有補強晶圓之機能，故可防止晶圓之損壞等。
亦即，本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片係為了於矽晶圓上形成保護膜之保護膜形成用薄片較佳。
另外，由本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片形成之樹脂膜亦可賦予作為接著薄膜之功能。亦即，使用本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片所形成之樹脂膜具有作為接著薄膜之功能時，具有該樹脂膜之晶片可接著於墊板部或另一半導體晶片等之其他基材上(晶片裝載部上)，而為了製造半導體裝置可賦予生產性之提升。
亦即，為了於矽晶圓上形成接著薄膜本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片亦可設為接著薄膜形成用薄片。
〔樹脂膜形成用複合薄片之構成〕
本發明之樹脂膜形成用複合薄片(以下，亦僅稱為「複合薄片」)係具有於支撐薄片上層合有可形成上述之樹脂膜之本發明之樹脂膜形成用薄片之構成。
並且，對於本發明之一態樣之複合薄片之形態沒有特別限制，例如亦可長膠膠帶狀、葉標籤等之形態。
圖1係本發明之一態樣之樹脂膜形成用複合薄片之剖面圖。
作為本發明之一態樣之複合薄片，如圖1(a)所示，可列舉於支撐薄片11上具有直接層合有樹脂膜形成用薄片10之構成之複合薄片1a。
作為本發明之一態樣之複合薄片之樹脂膜形成用薄片10之形狀，可具有與被著體之矽晶圓大概相同之形狀或者矽晶圓之形狀之形狀即可。
並且，雖然圖1(a)之複合薄片1a係支撐薄片11與樹脂膜形成用薄片10大概相同之形狀，但是如圖1(b)所示，亦可樹脂膜形成用薄片10之形狀係較支撐薄片11之形狀更小之複合薄片1b。
另外，作為本發明之一態樣之複合薄片係如圖1(c)所示，可列舉具有環狀之夾具接著層12之複合薄片1c。
環狀之夾具接著層12係與環圈框架等治具接著時，使對於該治具之接著力提升之目的而設置，可由具有基材 (芯材)之兩面黏著薄片或者黏著劑形成。
並且，圖1(c)所示之複合薄片1c中相對於圖1(a)之複合薄片1a，雖然表示進一步設置有夾具接著層12之構成，但是作為本發明之一態樣之複合薄片，亦可列舉於圖1(b)之複合薄片1b之支撐薄片11之面上設置有夾具接著層12之構成之複合薄片。
作為本發明之一態樣之複合薄片如圖1(d)所示，亦可作為樹脂膜形成用薄片10具有被2片之支撐薄片11、11’夾住之構成之複合薄片1d。
並且，亦可與複合薄片1d之構成同樣地於圖1(b)之複合薄片1b之所露出之樹脂膜形成用薄片10之面上設置與支撐薄片11為另一支撐薄片。
另外，亦可同樣地於圖1(c)所示之複合薄片1c之樹脂膜形成用薄片10之面上及夾具接著層12之面上設置與支撐薄片11為另一支撐薄片。
<支撐薄片>
本發明之一態樣之複合薄片具有之支撐薄片分擔防止灰塵等附著於樹脂膜形成用薄片之表面之剝離薄片，或者為了於切割步驟等保護樹脂膜形成用薄片之表面之切割薄片等之任務。
本發明所使用之支撐薄片係具有樹脂薄膜之構成較佳。
作為該樹脂薄膜可列舉例如低密度聚乙烯(LDPE) 薄膜或直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜等聚乙烯薄膜、乙烯‧丙烯共聚物薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚乙烯對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚乙烯萘二甲酸薄膜、聚丁烯對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚胺酯薄膜、乙烯‧乙酸乙烯共聚物薄膜、離聚物樹脂薄膜、乙烯‧(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯‧(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、氟樹脂薄膜等。
作為本發明之一態樣所使用之支撐薄片係可由1種類之樹脂薄膜所構成之單層薄膜，亦可由已層合2種以上之樹脂薄膜所構成之層合薄膜。
另外，上述之樹脂薄膜亦可為交聯薄膜。
並且，亦可使用將該等樹脂薄膜著色者或施予印刷者等。
再者，樹脂薄膜可為藉由將熱可塑性樹脂押出而形成薄片化者，亦可為已延伸者，亦可使用藉由特定手段將硬化性樹脂薄膜化及硬化而薄片化者。
該等樹脂薄膜中從耐熱性優異，且因具有適度柔軟性而具有擴展適應性，故亦容易維持拾取適應性之觀點而言，包含聚丙烯薄膜之樹脂薄膜較佳。
並且，作為具有包含聚丙烯薄膜之樹脂薄膜之支撐薄片之構成，可僅由聚丙烯薄膜構成之單層構造，亦可由聚丙烯薄膜與其他樹脂薄膜構成之複層構造。
樹脂膜形成用薄片係熱硬化性時，藉由構成支撐薄片之樹脂薄膜具有耐熱性，抑制支撐薄片之介由熱之損害，而可抑制半導體裝置之製造製程所產生之不利。
將支撐薄片作為用於防止灰塵等附著於樹脂膜形成用薄片之表面之剝離薄片時，作為該支撐薄片，與矽晶圓之貼附時或者切割步驟時由樹脂膜形成用薄片可容易地剝離樹脂薄膜較佳。
另外，作為該支撐薄片，於上述之樹脂薄膜之表面已施予剝離處理之樹脂薄膜亦可使用。
作為該剝離處理之方法，於上述之樹脂薄膜之表面上設置由剝離劑形成之剝離膜之方法較佳。
作為該剝離劑，可列舉例如包含選自丙烯系樹脂、醇酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、氟系樹脂、不飽和聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、蠟系樹脂等之樹脂之剝離劑等。
將支撐薄片作為用於為了於切割步驟等保護樹脂膜形成用薄片之表面之切割薄片時，作為該支撐薄片，於上述之樹脂薄膜上具有由黏著劑形成之黏著劑層之黏著薄片較佳。
作為包含於該黏著劑之黏著性樹脂，著眼於黏著性樹脂之構造時，可列舉例如丙烯系樹脂、聚胺酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧烷系樹脂、乙烯基醚系樹脂等，著眼於功能時，可列舉例如能量射線硬化型樹脂等。
本發明之一態樣中，從良好地設定拾取性之觀點而言，含有能量射線硬化型樹脂之黏著劑較佳。
並且，將由含有能量射線硬化型樹脂之黏著劑所形成之黏著劑層設置於樹脂薄膜上時，該黏著劑層亦可照射能量射線而硬化之黏著劑層、亦可照射能量射線前之未硬化之黏著劑層。並且，使用具有能量射線照射前之未硬化之黏著劑層之支撐薄片時，亦可拾取步驟前照射能量射線使該黏著劑層硬化。
作為支撐薄片之厚度，雖然視用途可適宜地選擇，但是佳為10~500μm，較佳為20~350μm，更佳為30~200μm。
並且，上述之支撐薄片之厚度係不僅構成支撐薄片之樹脂薄膜之厚度，具有黏著劑層或剝離膜之情形時亦包含該黏著劑層或剝離膜之厚度。
<夾具接著層>
夾具接著層係可由具有基材(芯材)之兩面黏著薄片或者含有黏著劑之黏著劑組成物形成。
作為該基材(芯材)可列舉作為上述之支撐薄片可使用之樹脂薄膜、聚丙烯薄膜較佳。
另外，作為上述黏著劑可列舉例如丙烯系樹脂、聚胺酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧烷系樹脂、乙烯基醚系樹脂等。
夾具接著層之厚度係佳為1~80μm，較佳為5~60μm，更佳為10~40μm。
〔矽晶圓之再生方法〕
本發明係亦提供由於矽晶圓上直接貼附有本發明之樹脂膜形成用薄片之表面(α)之層合體再加工該樹脂膜形成用薄片而再生矽晶圓之方法。
本發明之矽晶圓之再生方法係具有下述之步驟(1)~(2)。
步驟(1)：於前述層合體之前述樹脂膜形成用薄片之表面(β)上貼附基材及黏著劑層所具有黏著薄片之該黏著劑層之步驟， 步驟(2)：拉伸步驟(1)中於前述樹脂膜形成用薄片之表面(β)上貼附有前述黏著薄片，而再加工前述矽晶圓上所貼附之前述樹脂膜形成用薄片之步驟。
本發明之矽晶圓之再生方法係於矽晶圓上貼附本發明之樹脂膜形成用薄片後產生需要再加工之情形時，不損壞矽晶圓，且邊抑制貼附有之樹脂膜形成用薄片之一部分附著於矽晶圓上而殘存邊可再加工，利用本發明之樹脂膜形成用薄片之性質。
並且，本發明之一態樣之矽晶圓之再生方法係不僅適用於矽晶圓上緊接於直接貼附有本發明之樹脂膜形成用薄片之表面(α)之層合體，亦可適用於對於貼附起經過24小時左右而已提升矽晶圓與樹脂膜形成用薄片之密著性之狀態之層合體。
以下，針對本發明之矽晶圓之再生方法之步驟(1)及步驟(2)進行說明。
<步驟(1)>
步驟(1)係於前述層合體之前述樹脂膜形成用薄片之表面(β)上貼附具有基材及黏著劑層之黏著薄片之該黏著劑層之步驟。
作為本步驟所使用之黏著薄片，具有基材及黏著劑層。
作為該基材樹脂薄膜較佳，可列舉於上述之支撐薄片之項目所例示之樹脂薄膜。
作為該黏著劑層要件(III)所特定之具有源自丁基丙烯酸酯及丙烯酸之結構單元，且含有由質量平均分子量係60萬~100萬之丙烯系樹脂100質量份與交聯劑0.01~10質量份之黏著劑所形成之厚度10~50μm之黏著劑層較佳。
惟，本發明之一態樣中除了上述之黏著劑以外，若表面(β)之黏著力(β 1)可形成在於上述之範圍之黏著劑層之黏著劑，則可使用。
作為該黏著薄片之形狀，雖然沒有特別限定，但是從下列步驟(2)之操作性之觀點而言，與樹脂膜形成用薄片相同形狀，或者較樹脂膜形成用薄片更大形狀之黏著薄片較佳。
作為本步驟之表面(β)與黏著薄片之黏著劑層之貼附方法，可使用機械貼附，亦可以人工操作貼附。
並且，於矽晶圓貼附上述之本發明之一態樣之複合薄片所具有之樹脂膜形成用薄片之表面(α)，且於表面(β)側已層合作為切割薄片支撐薄片時，亦可利用該切割薄片作為本步驟之黏著薄片。
<步驟(2)>
步驟(2)係拉伸步驟(1)中於前述樹脂膜形成用薄片之表面(β)上貼附有前述黏著薄片，而再加工前述矽晶圓上所貼附之前述樹脂膜形成用薄片之步驟。
本步驟中係使用本發明之樹脂膜形成用薄片，因該樹脂膜形成用薄片之黏著力(α 1)及(β 1)在於上述之範圍，故藉由拉伸步驟(1)中於表面(β)貼附有黏著薄片，樹脂膜形成用薄片亦一起被沿拖，由矽晶圓可再加工前述樹脂膜形成用薄片。
沒有特別限制作為拉伸黏著薄片時之速度及角度，可適宜設定。
另外，雖然本步驟中亦可使用機械拉伸黏著薄片，但是從操作性之觀點而言，以人工操作拉伸黏著薄片，並且，由矽晶圓再加工前述樹脂膜形成用薄片較佳。
並且，本步驟中去除樹脂膜形成用薄片後視需要亦可以乙醇等之有機溶劑洗淨矽晶圓之表面。
經由上述之步驟，可再生一旦貼附有樹脂膜形成用薄片之矽晶圓。
〔實施例〕
製造例1~8所使用之各成分之質量平均分子量(Mw)或者數平均分子量(Mn)之測定法係如下所述。
<質量平均分子量(Mw)、數平均分子量(Mn)>
下述條件下藉由凝膠滲透色譜裝置(東曹股份有限公司製造，商品名「HLC-8220GPC」)進行測定，而使用標準聚苯乙烯換算之測定值。
(測定條件)
管柱：「TSK guard column HXL-H」「TSK gel GMHXL(×2)」「TSK gel G2000HXL」(任一者均東曹股份有限公司製造)
管柱溫度：40℃
展開溶劑：四氫呋喃
流速：1.0mL/min
製造例1~8
(樹脂膜形成用組成物之溶液之調製)
摻合表1所示種類及摻合量之各成分而分別調製樹脂膜形成用組成物(1)~(8)(表1中「簡稱為組成物(1)~(8)」)後，進一步以甲基乙基酮稀釋，調製固體成分濃度61質量%之組成物之溶液。
並且，表1中之各成分之摻合量係相對於各組成物之總量(成分(A)~(G)之合計摻合量)100質量%之比例(單位：質量%(有效成分比))。另外，記載於表1之各成分之細節係如下所述。
<聚合物成分(A)>
(A-1)：甲基丙烯酸酯(MA)與2-羥乙基丙烯酸酯(HEA)共聚所獲得之丙烯共聚物(構成比率：MA/HEA=95/5(質量%)，Mw=80萬)。
(A-2)：n-丁基丙烯酸酯(BA)、乙基丙烯酸酯(EA)、丙烯腈(AN)與縮水甘油基丙烯酸甲酯(GMA)共聚所獲得之丙烯共聚物(構成比率：BA/EA/AN/GMA=39/29/29/3(質量%)，Mw=80萬)。
(A-3)：n-丁基丙烯酸酯(BA)、甲基丙烯酸酯(MA)、縮水甘油基丙烯酸甲酯(GMA)與2-羥乙基丙烯酸酯(HEA)共聚所獲得之丙烯共聚物(構成比率：BA/MA/GMA/HEA=55/10/20/15(質量%)，Mw=80萬)。
(A-4)：n-丁基丙烯酸酯(BA)、乙基丙烯酸酯(EA)與縮水甘油基丙烯酸甲酯(GMA)共聚所獲得之丙烯共聚物(構成比率：BA/EA/GMA=53/44/3(質量%)，Mw=80萬)。
<硬化性成分(B)>
(B-1)：加成丙烯醯基之甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製造，商品名「CNA-147」，相當於前述成分(B11)之環氧化合物)。
(B-2)：聯苯基芳烷型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製造，商品名「NC-3000H」，相當於前述成分(B11)之環氧化合物)。
(B-3)：雙酚A型環氧樹脂(三菱化學股份有限公司製造，商品名「jER828」，相當於前述成分(B11)之環氧化合物)。
(B-4)：雙酚A型環氧樹脂(三菱化學股份有限公司製造，商品名「jER1055」，相當於前述成分(B11)之環氧化合物)。
(B-5)：二環戊二烯型環氧樹脂(DIC股份有限公司製造，商品名「EPICLON HP-7200HH」，相當於前述成分(B11)之環氧化合物)。
(B-6)：伸聯苯芳烷型苯酚樹脂(明和化成股份有限公司製造，商品名「MEH-7851-H」，相當於前述成分(B12)之熱硬化劑)。
(B-7)：二氰基二醯胺(ADEKA股份有限公司製造，商品名「ADEKA HARDENER3636AS」，相當於前述成分(B12)之熱硬化劑)。
(B-8)：咪唑系硬化促進劑(四國化成工業股份有限公司製造，商品名「Curezol 2PHZ」，相當於前述成分(B13)之硬化促進劑)。
<無機填料(C)>
(C-1)：矽石填料(平均粒徑=50nm)。
(C-2)：矽石填料(平均粒徑=500nm)。
<著色劑(D)>
(D-1)：碳黑(平均粒徑=28nm)。
<矽烷偶合劑(E)>
(E-1)：矽烷偶合劑(信越化學工業股份有限公司製造，商品名「KBM-403」)。
<流平劑(F)>
(F-1)：聚矽氧系流平劑(摩曼帝夫特性材料日本公司製造，商品名「XF 42-334」)。
<汎用添加劑(G)>
(G-1)：異氰酸酯系交聯劑(TOYOCHEM股份有限公司製造，商品名「BHS 8515」)。
Figure 104138951-A0202-12-0052-1
實施例1
於由已施予剝離處理之樹脂薄膜所構成之第1之支撐薄片(琳得科公司製造，商品名「SP-PET 3811」、厚度：38μm)之剝離處理面上塗佈製造例2所調製之樹脂膜形成用組成物(2)之溶液，使乾燥而形成塗膜(α’)。
然後，於與第1之支撐薄片相同之第2之支撐薄片之 剝離處理面上塗佈製造例1所調製之樹脂膜形成用組成物(1)之溶液，使乾燥形成塗膜(β’)。
之後，貼合此2片之支撐薄片上所形成之塗膜(α’)與(β’)，於120℃進行乾燥處理2分鐘，形成2層之合計之厚度係25μm之樹脂膜形成用薄片，製作由第1之支撐薄片/樹脂膜形成用薄片/第2之支撐薄片所構成之樹脂膜形成用複合薄片。
另外，該複合薄片中第1之支撐薄片去除時所露出之該樹脂膜形成用薄片之表面係與矽晶圓貼附側之「表面(α)」，去除第2之支撐薄片時所露出之該樹脂膜形成用薄片之表面係「表面(β)」。
實施例2
實施例1中取代「製造例2所調製之樹脂膜形成用組成物(2)之溶液」，使用「製造例3所調製之樹脂膜形成用組成物(3)之溶液」以外，同樣地製作樹脂膜形成用複合薄片。
實施例3
實施例1中取代「製造例2所調製之樹脂膜形成用組成物(2)之溶液」，使用「製造例4所調製之樹脂膜形成用組成物(4)之溶液」以外，同樣地製作樹脂膜形成用複合薄片。
實施例4
實施例1中取代「製造例2所調製之樹脂膜形成用組成物(2)之溶液」，除了使用「製造例5所調製之樹脂膜形成用組成物(5)之溶液」以外，同樣地製作樹脂膜形成用複合薄片。
實施例5
於由已施予剝離處理之樹脂薄膜所構成之第1之支撐薄片(琳得科公司製造，商品名「SP-PET3811」，厚度：38μm)之剝離處理面上塗佈製造例6所調製之樹脂膜形成用組成物(6)之溶液形成塗膜後，於120℃進行乾燥處理2分鐘，而形成厚度25μm之樹脂膜形成用薄片。
然後，貼合所形成之樹脂膜形成用薄片之表面和與第1之支撐薄片相同者之第2之支撐薄片之剝離處理面，製作由第1之支撐薄片/樹脂膜形成用薄片/第2之支撐薄片所構成之樹脂膜形成用複合薄片。
比較例1
實施例5中取代「製造例6所調製之樹脂膜形成用組成物(6)之溶液」，除了使用「製造例3所調製之樹脂膜形成用組成物(3)之溶液」以外，同樣地製作樹脂膜形成用複合薄片。
比較例2
實施例5中取代「製造例6所調製之樹脂膜形成用組成物(6)之溶液」，除了使用「製造例7所調製之樹脂膜形成用組成物(7)之溶液」以外，同樣地製作樹脂膜形成用複合薄片。
比較例3
實施例5中取代「製造例6所調製之樹脂膜形成用組成物(6)之溶液」，除了使用「製造例8所調製之樹脂膜形成用組成物(8)之溶液」以外，同樣地製作樹脂膜形成用複合薄片。
使用實施例及比較例所製作之複合薄片，如下述進行以下之物性值之測定及評價。表2表示該等結果。
<要件(I)：樹脂膜形成用薄片之表面(α)之表面粗糙度(Ra)之測定>
去除實施例及比較例所製作之複合薄片具有之第1之支撐薄片，相對於所露出之樹脂膜形成用薄片之表面(α)，使用接觸式表面粗糙度計(三豐股份有限公司製造，商品名「SURFTEST SV-3000」)，將截止值λ c設為0.8mm，將評價長度Ln設為4mm，依JIS B0601：2001測定。
<要件(II)：對於矽晶圓之樹脂膜形成用薄片之表面 (α)之黏著力之測定>
去除實施例及比較例所製作之複合薄片具有之第1之支撐薄片，使用膠帶貼片機(琳得科(股)製造，商品名「Adwill RAD-3600 F/12」)，於70℃邊加熱邊貼附所露出之樹脂膜形成用薄片之表面(α)與經# 2000研磨之矽晶圓(直徑：200mm、厚度：600μm)之研磨面。
然後，去除複合薄片之第2之支撐薄片，使用2kg輥於70℃加熱之加熱板上貼附所露出之樹脂膜形成用薄片之表面(β)與作為裱褙膠帶所使用之市售之黏著薄片(琳得科(股)製造，商品名「PET 50(A)PAT1」，寬度：25mm)之黏著劑層後，23℃、50%RH(相對濕度)之環境下靜置24小時。
靜置後，使用萬能試驗機((股)島津製作所製造，商品名「Autograph AG-IS」)以剝離角度180°、剝離速度0.3m/min之條件進行拉伸試驗，測定由矽晶圓之表面剝離保護膜形成用薄片與裱褙膠帶時之負載。將此負載之值設為矽晶圓之對於樹脂膜形成用薄片之表面(α)之黏著力。
並且，進行作為裱褙膠帶所使用之上述之市售之黏著薄片之拉伸試驗時，於保護膜形成用薄片和該黏著薄片之黏著劑層之界面未進行剝離，具有於該保護膜形成用薄片和矽晶圓之界面可安定地剝離程度之黏著力。
<要件(III)：對於黏著薄片之黏著劑層樹脂膜形成用薄 片之表面(β)之黏著力之測定>
於室溫(25℃)使用橡膠輥矽晶圓上貼附樹脂膜形成用薄片之固定用之兩面黏著膠帶(琳得科(股)製，商品名「TL-4100S-50」)。並且，選擇該兩面黏著膠帶於拉伸試驗時可充分地固定保護膜形成用薄片者。
然後，去除此兩面黏著膠帶之接著面與於實施例及比較例所製作之複合薄片具有之第1之支撐薄片，使用膠帶貼片機(琳得科(股)製，商品名「Adwill RAD-3600 F/12」)於室溫貼附所露出之樹脂膜形成用薄片之表面(α)。
之後，去除複合薄片具有之第2之支撐薄片，使用2kg輥於23℃貼附所露出之樹脂膜形成用薄片之表面(β)與後述之黏著薄片之黏著劑層，並且，23℃、50%RH(相對濕度)之環境下靜置20分鐘。
靜置後，使用萬能試驗機((股)島津製作所製造，商品名「Autograph AG-IS」)，以剝離角度180°、剝離速度0.3m/min之條件進行拉伸試驗，測定由保護膜形成用薄片之表面(β)剝離黏著薄片時之負載。將此負載之值設為黏著薄片之對於黏著劑層之樹脂膜形成用薄片之表面(β)之黏著力。
(貼附於表面(β)之黏著薄片之細節)
使用於由已施予電暈處理之乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物(構成比率：乙烯/甲基丙烯酸甲酯=90/10(質量 比))所構成之樹脂薄膜之電暈處理面上具有由下述黏著劑組成物所形成之厚度20μm之黏著劑層之黏著薄片。
黏著劑組成物：相對於共聚丁基丙烯酸酯(BA)及丙烯酸(AA)所獲得之丙烯共聚物(BA/AA=90/10(質量比)、Mw=70萬)100質量份，摻合甲苯二異氰酸酯系交聯劑(商品名「Coronate L」，NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY公司製造)5質量份者。
<樹脂膜形成用薄片之23℃之儲藏彈性模數之測定>
複數層合已去除於實施例及比較例所製作之複合薄片具有之2片之支撐薄片而所構成之樹脂膜形成用薄片後，製作厚度0.18mm、寬度4.5mm、長度20.0mm之試驗樣品。
針對該試驗樣品，使用動態黏彈性測定裝置(TA instruments公司製造，商品名「DMA Q800」)，以拉伸模式於頻率11Hz、23℃、大氣環境下測定樹脂膜形成用薄片之23℃之儲藏彈性模數(單位：GPa)。
<對於樹脂膜形成用薄片之表面(β)之水之接觸角之測定>
去除於實施例及比較例所製作之複合薄片具有之第2之支撐薄片，對所露出之樹脂膜形成用薄片之表面(β)滴下蒸餾水10ml後，靜置10分鐘。
靜置後使用自動接觸角測定器(KRUSS公司製造， 商品名「DSA 100S」)，測定表面(β)與水滴形成之角度，將該角度設為「對於表面(β)之水之接觸角」。
<評價(1)：樹脂膜形成用薄片之再加工性>
去除於實施例及比較例所製作之複合薄片具有之第1之支撐薄片，使用膠帶貼片機(琳得科(股)製造，商品名「Adwill RAD-3600 F/12」)，邊於70℃加熱邊貼附所露出之樹脂膜形成用薄片之表面(α)與經# 2000研磨之矽晶圓(直徑：200mm、厚度：600μm)之研磨面，然後，於23℃、50%RH(相對濕度)之環境下靜置24小時。
靜置後，去除複合薄片具有之第2之支撐薄片，於室溫(25℃)貼附所露出之樹脂膜形成用薄片之表面(β)與市售之汎用切割膠帶(琳得科(股)製造，商品名「Adwill D-510T」，上述要件(III)所具有由特定之黏著劑所形成之黏著劑層之黏著薄片)之黏著層之表面，並且，靜置20分鐘。
之後，以人工操作之方式拉伸汎用切割膠帶，由矽晶圓再加工樹脂膜形成用薄片時，觀察是否可再加工，以及再加工後之矽晶圓之表面上有無殘存物之附著，藉由下述基準評價樹脂膜形成用薄片之再加工性。
A：從矽晶圓可完全地剝離保護膜形成用薄片。再加工後之矽晶圓上未觀察到目視可確認之保護膜形成用薄片之殘存物。
B：從矽晶圓可剝離保護膜形成用薄片。雖然再加工後之矽晶圓上觀察到某些保護膜形成用薄片之殘存物，但是若使用乙醇擦拭則可完全地去除之程度。
C：再生中損壞矽晶圓，或即使不損壞矽晶圓而亦可再加工，但是再加工後之矽晶圓上確認到難以使用乙醇擦拭程度之保護膜形成用薄片之殘存物。
<評價(2)：樹脂膜形成用薄片之端部密著性>
去除於實施例及比較例所製作之複合薄片具有之第1之支撐薄片，使用膠帶貼片機(琳得科(股)製造，商品名「Adwill RAD-3600 F/12」)，邊於70℃加熱邊貼附所露出之樹脂膜形成用薄片之表面(α)與經# 2000研磨之矽晶圓(直徑：200mm、厚度：600μm)之研磨面，然後，亦去除第2之支撐薄片，貼附矽晶圓與樹脂膜形成用薄片。
之後，目視觀察貼附有樹脂膜形成用薄片之矽晶圓之端部，並且，視0.5mm以上之卷曲或缺失之數，藉由下述基準評價樹脂膜形成用薄片之端部密著性。
A：0.5mm以上之卷曲或缺失之數係0處。
B：0.5mm以上之卷曲或缺失之數係1~4處。
C：0.5mm以上之卷曲或缺失之數係5處以上。
Figure 104138951-A0202-12-0061-2
藉由表2得知，本發明之一態樣之實施例1~5所製作之樹脂膜形成用薄片成為再加工性及端部密著性之兩者均優異之結果。
另一方面，比較例1之樹脂膜形成用薄片係因表面(β)之黏著力(β 1)之值低，故使用黏著薄片再加工該樹脂膜形成用薄片之操作時，該樹脂膜形成用薄片之一部分殘存於矽晶圓上，成為再加工性劣化之結果。
另外，比較例3之樹脂膜形成用薄片係因表面(α)之黏著力(α 1)之值高，故再加工黏著薄片使用該樹脂膜形成用薄片之操作之途中，損壞矽晶圓，成為再加工性劣化之結果。
並且，比較例2之樹脂膜形成用薄片係雖然再加工性良好，但是矽晶圓之貼附後之端部成為密著性劣化之結果。
〔產業上利用可能性〕
本發明之一態樣之樹脂膜形成用薄片係適宜作為保護半導體晶片之背面之保護膜之形成材料，或者作為可接著於沖模墊部或其他部位上之接著薄膜之形成材料。

Claims (8)

  1. 一種樹脂膜形成用薄片，其係用以貼附於矽晶圓，並於該矽晶圓上形成樹脂膜之樹脂膜形成用薄片，且滿足下述要件(I)~(III)，並且前述樹脂膜形成用薄片之表面(β)之對於水之接觸角係70~110°，進而，含有聚合物成分(A)及硬化性成分(B)，要件(I)：前述樹脂膜形成用薄片之表面(α)之與矽晶圓貼附側之表面粗糙度(Ra)為50nm以下，要件(II)：前述樹脂膜形成用薄片之表面(α)之對於矽晶圓之黏著力(α 1)係1.0~7.0N/25mm，要件(III)：前述樹脂膜形成用薄片之表面(β)之與矽晶圓貼附側係相反側之對於由黏著劑所形成之具有黏著劑層之黏著薄片之黏著劑層之黏著力(β 1)為4.0N/25mm以上，前述黏著劑係含有具有源自丁基丙烯酸酯及丙烯酸之結構單元，質量平均分子量為60萬~100萬之丙烯酸系樹脂100質量份，與交聯劑0.01~10質量份，前述黏著薄片具有厚度10~50μm之黏著劑層。
  2. 如申請專利範圍第1項之樹脂膜形成用薄片，其中，23℃之儲藏彈性模數係0.10~20GPa。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之樹脂膜形成用薄片，其中，聚合物成分(A)含有丙烯酸系聚合物(A1)。
  4. 如申請專利範圍第3項之樹脂膜形成用薄片，其 中，丙烯酸系聚合物(A1)具有源自烷基(甲基)丙烯酸酯之結構單位(a1)及源自腈系單體之結構單位(a2)之丙烯酸系共聚物。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之樹脂膜形成用薄片，其中，其係用以於矽晶圓上形成保護膜。
  6. 一種樹脂膜形成用複合薄片，其具有於支撐薄片上層合如申請專利範圍第1~5項中任一項之樹脂膜形成用薄片之構成。
  7. 如申請專利範圍第6項之樹脂膜形成用複合薄片，其中，前述樹脂膜形成用薄片具有被兩片支撐薄片夾住之構成。
  8. 一種矽晶圓之再生方法，其係從矽晶圓上直接貼附有如申請專利範圍第1~5項中任一項之樹脂膜形成用薄片之表面(α)之層合體，再加工該樹脂膜形成用薄片而再生矽晶圓之方法，且其具有下述步驟(1)~(2)，步驟(1)：於前述層合體之前述樹脂膜形成用薄片之表面(β)上，貼附具有基材及黏著劑層之黏著薄片之該黏著劑層之步驟，步驟(2)：拉伸步驟(1)中之貼附於前述樹脂膜形成用薄片之表面(β)上的前述黏著薄片，而再加工前述矽晶圓上所貼附之前述樹脂膜形成用薄片之步驟。
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