CN107001664B - 树脂膜形成用片、树脂膜形成用复合片、及硅晶片的再生方法 - Google Patents

树脂膜形成用片、树脂膜形成用复合片、及硅晶片的再生方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种再剥离性及端部密合性优异的树脂膜形成用片，其是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，该树脂膜形成用片满足下述要件(I)～(III)。要件(I)：待与硅晶片粘贴一侧的所述树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为50nm以下；要件(II)：所述树脂膜形成用片的表面(α)相对于硅晶片的粘合力(α1)为1.0～7.0N/25mm；要件(III)：和待与硅晶片粘贴一侧相反侧的所述树脂膜形成用片的表面(β)相对于具有由特定粘合剂形成的厚度10～50μm的粘合剂层的粘合片的该粘合剂层的粘合力(β1)为4.0N/25mm以上。

Description

树脂膜形成用片、树脂膜形成用复合片、及硅晶片的再生方法
技术领域
本发明涉及树脂膜形成用片、及具有在支撑片上叠层有该树脂膜形成用片的结构的树脂膜形成用复合片、以及硅晶片的再生方法。
背景技术
近年来，使用了被称为所谓倒装(face down)方式的安装法来进行半导体装置的制造。在倒装方式中，在基板的电路面上搭载有具有凸块等电极的半导体芯片(以下，也简称为“芯片”)，且芯片的电极与基板接合。因此，有时会导致和与基板接合一侧相反侧的芯片的表面(以下，也称为“芯片的背面”)发生剥露。
有时在该发生了剥露的芯片的背面形成由有机材料形成的树脂膜，从而以带树脂膜的芯片的形式组装在半导体装置中。该树脂膜能够担负起用于防止在切割工序、封装之后产生裂纹的作为保护膜的功能、用于将所得芯片粘接在晶垫部或另外的半导体芯片等其它构件上的作为粘接膜的功能。
一般来说，该带树脂膜的芯片是通过在将包含树脂的组合物的溶液利用旋涂法等涂布在晶片的背面而形成涂膜之后，使该涂膜干燥及固化而形成树脂膜，并对所得带树脂膜的晶片进行切割而制造的。
另外，通过将固化性的树脂膜形成用片粘贴于晶片的背面，并在进行晶片切割的前后通过照射能量线或进行加热而使该树脂膜形成用片固化来获得树脂膜，由此也可以制造带树脂膜的晶片或带树脂膜的芯片。
作为在这样的芯片的背面、晶片的背面上形成也担负着作为保护膜、粘接膜的功能的树脂膜的材料，已提出了各种树脂膜形成用片。
例如，在专利文献1中公开了一种芯片保护用膜，其是具有能量线固化型保护膜形成层被2片剥离片夹持而成的结构的芯片保护用膜，所述能量线固化型保护膜形成层包含：包含丙烯酸类共聚物的聚合物成分、能量线固化性成分、染料或颜料、无机填料、及光聚合引发剂。
根据专利文献1的记载，该芯片保护用膜能够通过照射能量线而形成激光打标识别性、硬度、以及与晶片的密合性良好的保护膜，并且与现有的芯片保护用膜相比，能够实现工序的简化。
另外，专利文献2中公开了一种切割胶带一体型晶片背面保护膜，其具有包含基材及粘合剂层的切割胶带，并在该切割胶带的粘合剂层上具有经过了着色、且具有给定弹性模量的晶片背面保护膜。
根据专利文献2的记载，该晶片背面保护膜在半导体晶片的切割工序中与半导体晶片之间的保持力良好。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-138026号公报
专利文献2：日本特开2010-199543号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在将专利文献1及2中记载的保护膜粘贴在晶片上的工序中，可能会发生粘贴在晶片上的保护膜产生位置的偏差、或在晶片上附着有异物的状态下以在该晶片上还包含异物的形式粘贴了保护膜的情况。在这样的情况下，是很难将暂时粘贴在了晶片上的保护膜从晶片进行再剥离的。
特别是，就专利文献1及2中公开的保护膜而言，如果出于提高粘贴时与晶片之间的密合性、粘贴后与晶片之间的保持力的目的而暂时地粘贴在晶片上，则由于与晶片之间的密合性高，因而进行再剥离是极其困难的。
也就是说，如果要强行将粘贴在晶片上的保护膜剥离，则可能出现在施加力时发生晶片的破损、或即使在未发生晶片破损的情况下剥下了保护膜也会在晶片上残存部分保护膜的情况。
在专利文献1及2中，针对所记载的保护膜，从粘贴时与晶片之间的密合性、粘贴后与晶片之间的保持力的观点出发而进行了研究，但完全没有关于暂时地粘贴在晶片上的保护膜的再剥离性的研究。
需要说明的是，不仅在刚刚将保护膜和晶片进行粘贴之后会意识到保护膜重贴的必要性，很多情况下，在粘贴之后，在以晶片上粘贴有保护膜的叠层体的状态静置24小时左右之后也会意识到保护膜重贴的必要性。
在将保护膜粘贴于晶片之后，经过的时间越长则晶片与保护膜之间的密合性越会提高，因此通常会导致难以对保护膜进行再剥离。
另外，也关注到粘贴于硅晶片之后的再剥离性而考虑了使用对与晶片粘贴一侧的表面进行了粗糙化设计的保护膜，但这样的保护膜在与晶片粘贴之后，端部容易发生翘起或剥离，会产生端部密合性不良的问题。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供再剥离性及端部密合性优异的树脂膜形成用片、及具有在支撑片上叠层有该树脂膜形成用片的结构的树脂膜形成用复合片、以及硅晶片的再生方法。
解决问题的方法
本发明人等发现，对待与硅晶片粘贴一侧的表面的表面粗糙度及相对于硅晶片的粘合力、以及与该表面相反一侧的另一表面的相对于通常的粘合片的粘合剂层的粘合力进行调整而得到的树脂膜形成用片，可以解决上述课题，进而完成了本发明。
即，本发明提供下述[1]～[10]。
[1]一种树脂膜形成用片，其是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，该树脂膜形成用片满足下述要件(I)～(III)。
要件(I)：待与硅晶片粘贴一侧的上述树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为50nm以下。
要件(II)：所述树脂膜形成用片的表面(α)相对于硅晶片的粘合力(α1)为1.0～7.0N/25mm。
要件(III)：和待与硅晶片粘贴一侧相反侧的上述树脂膜形成用片的表面(β)相对于具有粘合剂层的粘合片的该粘合剂层的粘合力(β1)为4.0N/25mm以上，所述粘合剂层由粘合剂形成且厚度为10～50μm，所述粘合剂包含具有源自丙烯酸丁酯及丙烯酸的结构单元且重均分子量为60万～100万的丙烯酸类树脂100质量份、和交联剂0.01～10质量份。
[2]上述[1]所述的树脂膜形成用片，其在23℃时的储能模量为0.10～20GPa。
[3]上述[1]或[2]所述的树脂膜形成用片，其中，所述树脂膜形成用片的表面(β)相对于水的接触角为70～110°。
[4]上述[1]～[3]中任一项所述的树脂膜形成用片，其包含聚合物成分(A)及固化性成分(B)。
[5]上述[4]所述的树脂膜形成用片，其中，聚合物成分(A)包含丙烯酸类聚合物(A1)。
[6]上述[5]所述的树脂膜形成用片，其中，丙烯酸类聚合物(A1)是具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元(a1)及源自腈类单体的结构单元(a2)的丙烯酸类共聚物。
[7]上述[1]～[6]中任一项所述的树脂膜形成用片，其是用于在硅晶片上形成保护膜的保护膜形成用片。
[8]一种树脂膜形成用复合片，其具有在支撑片上叠层有上述[1]～[7]中任一项所述的树脂膜形成用片的结构。
[9]上述[8]所述的树脂膜形成用复合片，其中，上述树脂膜形成用片具有被2片支撑片夹持的结构。
[10]一种硅晶片的再生方法，其包括：将上述[1]～[7]中任一项所述的树脂膜形成用片的表面(α)直接粘贴在硅晶片上而形成叠层体，对该树脂膜形成用片进行再剥离而由所述叠层体再生硅晶片，
其中，该再生方法具有下述工序(1)～(2)：
工序(1)：将具有基材及粘合剂层的粘合片的该粘合剂层粘贴在所述叠层体的所述树脂膜形成用片的表面(β)上的工序。
工序(2)：对在工序(1)中粘贴在上述树脂膜形成用片的表面(β)上的所述粘合片进行牵拉，对粘贴在所述硅晶片上的所述树脂膜形成用片进行再剥离的工序。
发明的效果
本发明的树脂膜形成用片的再剥离性及端部密合性优异。
因此，在暂时将本发明的树脂膜形成用片粘贴于硅晶片之后产生了重贴的必要性的情况下，能够在不导致硅晶片发生破损、且抑制所粘贴的树脂膜形成用片的一部分附着并残存在硅晶片上的同时，将该树脂膜形成用片从硅晶片进行再剥离。其结果，对于再剥离了该树脂膜形成用片之后的硅晶片，能够实现再利用。
需要说明的是，在本说明书中，“将树脂膜形成用片进行再剥离”是指，将暂时粘贴在硅晶片上的树脂膜形成用片进行再剥离。
另外，“树脂膜形成用片的再剥离性”是指，在粘贴于硅晶片之后进行再剥离时，能够在不导致硅晶片发生破损、并且不在硅晶片上残存树脂膜形成用片的一部分的情况下实现再剥离的性质。
附图说明
[图1]是本发明的一个实施方式的树脂膜形成用复合片的剖面图。
符号说明
1a、1b、1c、1d 树脂膜形成用复合片
10 树脂膜形成用片
11、11’ 支撑片
12 夹具粘接层
具体实施方式
在本说明书的记载中，各成分的重均分子量(Mw)及数均分子量(Mn)的值是利用凝胶渗透色谱(GPC)法测定的标准聚苯乙烯换算的值，具体而言，是基于实施例中记载的方法而测定的值。
另外，在本说明书中，例如在使用“(甲基)丙烯酸酯”的用语时，表示的是“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者，其它类似用语也同样。
此外，在本说明书中，所述“能量线”是指例如紫外线、电子束等，优选紫外线。
[树脂膜形成用片]
本发明的树脂膜形成用片是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其满足下述要件(I)～(III)。
要件(I)：待与硅晶片粘贴一侧的上述树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)(以下也简称为“表面(α)的表面粗糙度(Ra)”)为50nm以下。
要件(II)：上述树脂膜形成用片的表面(α)相对于硅晶片的粘合力(α1)(以下也简称为“表面(α)的粘合力(α1)”)为1.0～7.0N/25mm。
要件(III)：和待与硅晶片粘贴一侧相反侧的上述树脂膜形成用片的表面(β)相对于具有粘合剂层的粘合片的该粘合剂层的粘合力(β1)(以下也简称为“表面(β)的粘合力(β1)”)为4.0N/25mm以上，所述粘合剂层由粘合剂形成且厚度为10～50μm，所述粘合剂包含具有源自丙烯酸丁酯及丙烯酸的结构单元且重均分子量为60万～100万的丙烯酸类树脂100质量份、和交联剂0.01～10质量份。
本发明的树脂膜形成用片的表面(α)是待与硅晶片粘贴一侧的面，表面(β)是为了在与硅晶片粘贴之后将该树脂膜形成用片从硅晶片再剥离而粘贴的与通用的粘合片的粘合剂层的粘贴面。
需要说明的是，本发明的树脂膜形成用片的形态没有特殊限制，可以是例如长条带状、单叶标签等形态。
另外，本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片可以是由1种组合物形成的一层构成的单层体，也可以是包含由2种以上组合物形成的二层以上的多层体。
需要说明的是，本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片为包含二层以上的多层体的情况下，对于作为表面(α)侧的层的形成材料的组合物(α’)、和作为表面(β)侧的层的形成材料的组合物(β’)，优选以满足上述要件(I)～(III)的方式对各自包含的成分的种类、配合量进行调整。为此，优选使组合物(α’)和组合物(β’)相互不同。
<要件(I)>
本发明的树脂膜形成用片通过满足上述要件(I)，在与晶片粘贴之后，晶片端部的翘起、剥离的发生得到抑制、且端部密合性优异。
即，如果表面(α)的表面粗糙度(Ra)超过50nm，则在将所得树脂膜形成用片粘贴于硅晶片时，与硅晶片的密合性不充分，特别是硅晶片的端部容易发生翘起、剥离，端部密合性不良。发生这样的密合性的降低、特别是端部密合性的降低时，还会因切割时使用的洗涤水浸入到该树脂膜形成用片与硅晶片的界面而成为引起硅晶片的表面受到污染、切割时产生碎屑的原因。
从上述观点出发，作为本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)，优选为40nm以下、更优选为35nm以下、进一步优选为30nm以下、更进一步优选为25nm以下。
另外，从得到再剥离性进一步提高的树脂膜形成用片的观点出发，表面(α)的表面粗糙度(Ra)优选为5nm以上、更优选为10nm以上、进一步优选为15nm以上。
需要说明的是，在本说明书中，表面(α)的表面粗糙度(Ra)是基于JIS B0601:2001而测定的值，更具体而言，是指利用实施例中记载的方法而测定的值。
另外，表面(α)的表面粗糙度(Ra)例如可以通过对树脂膜形成用片中可包含的无机填充材料、着色剂等的微粒成分的种类、平均粒径、及含量等进行适当设定来调整。另外，还可以通过在树脂膜形成用片的表面(α)上贴合表面具有表面粗糙的凹凸面的剥离膜的凹凸面从而转印凹凸形状的方法来调整。
<要件(II)>
本发明的树脂膜形成用片通过满足要件(II)，不仅能够保持良好的与硅晶片粘贴之后的密合性、特别是端部密合性，即使经过24小时左右也能够实现再剥离。
例如，对于专利文献1及2中公开的那样的以往的树脂膜形成用片而言，多数情况下其目的在于提高与硅晶片的密合性及保持性，所进行的是用以提高要件(II)所规定的那样的表面(α)的粘合力值的材料设计。
然而，如果表面(α)的粘合力(α1)超过7.0N/25mm，则存在将所得树脂膜形成用片粘贴于硅晶片之后的再剥离变得困难的倾向。特别是，由于粘贴于硅晶片之后所经过的时间越长则硅晶片与树脂膜形成用片之间的密合性越高，因此，欲强行将树脂膜形成用片从硅晶片进行再剥离时，有时出现由于其欲进行再剥离的力而导致硅晶片发生破损的情况。
另一方面，表面(α)的粘合力(α1)低于1.0N/25mm时，会导致与硅晶片的密合性不充分，特别是，在将所得树脂膜形成用片粘贴于硅晶片时，硅晶片的端部容易发生翘起或剥离，端部密合性不良。
为此，在本发明的树脂膜形成用片中，将表面(α)的粘合力(α1)调整至要件(II)中规定的范围。
对于本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片的表面(α)的粘合力(α1)而言，从得到与硅晶片的密合性、特别是与硅晶片粘贴之后的端部密合性得到提高的树脂膜形成用片的观点出发，优选为1.3N/25mm以上、更优选为1.5N/25mm以上、进一步优选为1.8N/25mm以上、更进一步优选为2.0N/25mm以上，从获得再剥离性得到提高的树脂膜形成用片的观点出发，优选为6.8N/25mm以下、更优选为6.5N/25mm以下、进一步优选为6.0N/25mm以下、更进一步优选为5.5N/25mm以下。
需要说明的是，在本说明书中，表面(α)的粘合力(α1)是指利用实施例中记载的方法而测定的值。
另外，对于表面(α)的粘合力(α1)，例如可以对作为树脂膜形成用片的表面(α)侧的层的形成材料的组合物中包含的聚合物成分、固化性成分、无机填充材料及添加剂等的种类、含量进行适当选择，从而调整至上述范围。具体而言，将树脂膜形成用片中包含的各成分的项目中的事项进行适当组合来考虑时，能够容易地进行调整。
<要件(III)>
本发明的树脂膜形成用片通过满足要件(III)，即使经过24小时左右也能够实现再剥离。
在将本发明的树脂膜形成用片粘贴于硅晶片之后产生了将该树脂膜形成用片进行再剥离的必要的情况下，通过在该树脂膜形成用片的表面(β)粘贴通用的粘合片的粘合剂层并对该粘合片进行牵拉，可以将该树脂膜形成用片从硅晶片上再剥离。
此时，如果表面(β)的粘合力(β1)低于4.0N/25mm，则在将该粘合片的粘合剂层粘贴于表面(β)之后，即使想要将该树脂膜形成用片与该粘合片一起剥离，在硅晶片上残存该树脂膜形成用片的一部分的倾向也较高，再剥离后的硅晶片无法实现再利用。
从上述观点出发，本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片的表面(β)的粘合力(β1)优选为4.5N/25mm以上、更优选为5.0N/25mm以上。
另外，作为表面(β)的粘合力的上限值，并无特殊限制，但表面(β)的粘合力(β1)通常为20N/25mm以下。
要件(III)中规定的树脂膜形成用片的表面(β)的粘合力(β1)，是相对于具有由粘合剂形成的厚度10～50μm的粘合剂层的粘合片的该粘合剂层的粘合力，所述粘合剂包含具有源自丙烯酸丁酯及丙烯酸的结构单元且重均分子量为60万～100万的丙烯酸类树脂100质量份、和交联剂0.01～10质量份。
该粘合剂的组成规定了市售的通常的丙烯酸类粘合剂，要件(III)规定的是表面(β)相对于由通常的丙烯酸类粘合剂形成的粘合剂层的粘合力。
需要说明的是，满足要件(III)的粘合剂是市场上广泛流通的极为常规的丙烯酸类粘合剂。
因此，将本发明的树脂膜形成用片从硅晶片再剥离时使用的粘合片的选择性极为宽泛，可以使用具有由通常的丙烯酸类粘合剂形成的粘合剂层的粘合片来进行再剥离。
需要说明的是，更具体而言，表面(β)的粘合力(β1)是指利用实施例中记载的方法而测定的值。
另外，对于表面(β)的粘合力(β1)，可以对作为树脂膜形成用片的表面(β)侧的层的形成材料的组合物中包含的聚合物成分、固化性成分、无机填充材料及添加剂等的种类、含量进行适当选择，从而调整至上述范围。具体而言，将树脂膜形成用片中包含的各成分的项目中的事项进行适当组合来考虑时，能够容易地进行调整。
在本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片中，从得到再剥离性进一步提高了的树脂膜形成用片的观点出发，优选表面(β)的粘合力(β1)为高于表面(α)的粘合力(α1)的粘合力的值。
从上述观点出发，作为粘合力(β1)与粘合力(α1)之差[(β1)-(α1)]，优选为0～8.0N/25mm、更优选为0.1～7.0N/25mm、进一步优选为0.5～6.0N/25mm、更进一步优选为1.5～5.5N/25mm。
本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片的在23℃时的储能模量优选为0.10～20GPa、更优选为0.15～15GPa、进一步优选为0.20～10GPa、更进一步优选为0.30～5.0GPa。
该储能模量为0.10GPa以上时，在将树脂膜形成用片粘贴于硅晶片之后再次进行剥离时，可以抑制该树脂膜形成用片发生诸如拉丝那样的变形的现象，能够在不使硅晶片上残存树脂膜形成用片的一部分的情况下将树脂膜形成用片剥离。
另一方面，该储能模量为20GPa以下时，可以使相对于硅晶片的密合性变得良好。
需要说明的是，在本说明书中，树脂膜形成用片的储能模量是指利用实施例中记载的方法而测定的值。
对于本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片的表面(β)相对于水的接触角而言，从得到再剥离性进一步提高的树脂膜形成用片的观点出发，优选为70～110°、更优选为75～100°、进一步优选为80～95°、更进一步优选为83～93°。
需要说明的是，在本说明书中，树脂膜形成用片的表面(β)相对于水的接触角是指利用实施例中记载的方法而测定的值。
<树脂膜形成用片的构成成分>
本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片只要是具有满足要件(I)～(III)的表面(α)及表面(β)的片材就没有特殊限制，但优选为包含聚合物成分(A)及固化性成分(B)的片。
进一步，从形成满足要件(I)～(III)那样的表面(α)及表面(β)的观点出发，本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片可以在不破坏本发明效果的范围内，在包含上述成分(A)及(B)的同时包含选自无机填充材料(C)、着色剂(D)、偶联剂(E)、流平剂(F)及通用添加剂(G)中的1种以上。
以下，针对能够成为本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片的构成成分的上述成分(A)～(G)进行说明。
[聚合物成分(A)]
在本说明书中，所述“聚合物成分”是指重均分子量(Mw)为2万以上、且具有至少1种重复单元的化合物。
对于本发明的一个实施方式中使用的树脂膜形成用片而言，通过含有聚合物成分(A)，能够赋予挠性及成膜性，使片状的形状保持性良好。其结果，能够将树脂膜形成用片在23℃时的储能模量调整至上述范围。
作为聚合物成分(A)的重均分子量(Mw)，从将所得树脂膜形成用片在23℃时的储能模量调整至上述范围的观点出发，优选为2万以上、更优选为2万～300万、更优选为5万～200万、进一步优选为10万～150万。
对于本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片中的聚合物成分(A)的含量而言，相对于树脂膜形成用片的总量(100质量％)，优选为5～50质量％、更优选为8～40质量％、进一步优选为10～35质量％、更进一步优选为15～30质量％。
需要说明的是，在本说明书中，“相对于树脂膜形成用片的总量的成分(A)的含量”与“相对于作为树脂膜形成用片的形成材料的组合物中的有效成分的总量的成分(A)的含量”同义，关于以下说明的其它成分的含量，也同样。
即，在各成分的含量的规定中，即使将“相对于树脂膜形成用片的总量(100质量％)”的用语替换为“相对于作为树脂膜形成用片的形成材料的组合物的有效成分的总量(100质量％)”的用语，含量的规定也同义。
进一步，上述的“有效成分”是指组合物中除了溶剂等不会直接地及间接地对反应、形成的片的物性造成影响的物质以外的成分，具体而言，是指水及有机溶剂等溶剂以外的成分。
作为聚合物成分(A)，优选包含丙烯酸类聚合物(A1)，但也可以包含丙烯酸类聚合物(A1)以外的聚酯、苯氧基树脂、聚碳酸酯、聚醚、聚氨酯、聚硅氧烷、橡胶类聚合物等非丙烯酸类聚合物(A2)。
这些聚合物成分可以单独使用或将2种以上组合使用。
作为相对于本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片中包含的聚合物成分(A)的总量(100质量％)的丙烯酸类聚合物(A1)的含量，优选为50～100质量％、更优选为60～100质量％、进一步优选为70～100质量％、更进一步优选为80～100质量％。
(丙烯酸类聚合物(A1))
从为树脂膜形成用片赋予挠性及成膜性、将树脂膜形成用片在23℃时的储能模量调整至上述范围的观点出发，丙烯酸类聚合物(A1)的重均分子量(Mw)优选为2万～300万、更优选为10万～150万、进一步优选为15万～120万、更进一步优选为25万～100万。
作为丙烯酸类聚合物(A1)，从将树脂膜形成用片的粘合力(α1)及(β1)调整至上述范围的观点出发，优选为具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元(a1)的丙烯酸类聚合物，特别是，从将树脂膜形成用片的粘合力(α1)调整至上述范围的观点出发，更优选为具有该结构单元(a1)及源自腈类单体的结构单元(a2)的丙烯酸类共聚物。
需要说明的是，在本发明的一个实施方式所使用的丙烯酸类聚合物(A1)中，除了结构单元(a1)及(a2)以外，还可以具有源自不属于(甲基)丙烯酸烷基酯及腈类单体的其它单体的结构单元(a3)。
需要说明的是，丙烯酸类聚合物(A1)可以单独使用或将2种以上组合使用。
另外，丙烯酸类聚合物(A1)为共聚物的情况下，该共聚物的形态可以是嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任意形态。
(结构单元(a1))
作为构成结构单元(a1)的(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基的碳原子数，从为树脂膜形成用片赋予挠性及成膜性的观点出发，优选为1～18、更优选为1～12、进一步优选为1～8。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等。
需要说明的是，这些(甲基)丙烯酸烷基酯可以单独使用或将2种以上组合使用。
这些当中，优选具有碳原子数1～3的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯，更优选(甲基)丙烯酸甲酯。
相对于丙烯酸类聚合物(A1)的全部结构单元(100质量％)，丙烯酸类聚合物(A1)中源自具有碳原子数1～3的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元(a1-1)的含量优选为5～99质量％、更优选为10～98质量％、进一步优选为20～97质量％、更进一步优选为25～97质量％。
相对于丙烯酸类聚合物(A1)的全部结构单元(100质量％)，丙烯酸类聚合物(A1)中的结构单元(a1)的含量优选为50质量％以上、更优选为50～99质量％、进一步优选为55～98质量％、更进一步优选为60～97质量％。
(结构单元(a2))
作为构成结构单元(a2)的腈类单体，可列举例如：(甲基)丙烯腈、α-氯(甲基)丙烯腈、α-乙氧基(甲基)丙烯腈、富马腈等。
需要说明的是，这些腈类单体可以单独使用或将2种以上组合使用。
这些当中，优选(甲基)丙烯腈。
相对于丙烯酸类聚合物(A1)的全部结构单元(100质量％)，丙烯酸类聚合物(A1)中的源自腈类单体的结构单元(a2)的含量优选为1～50质量％、更优选为5～45质量％、更优选为10～42质量％、进一步优选为15～40质量％、更进一步优选为20～35质量％。
结构单元(a2)的含量为1质量％以上时，容易将所得树脂膜形成用片的表面(α)的粘合力(α1)调整至上述范围。另一方面，结构单元(a2)的含量为50质量％以下时，容易将该树脂膜形成用片的表面(β)的粘合力(β1)调整至上述范围。
(结构单元(a3))
在不破坏本发明效果的范围内，丙烯酸类聚合物(A1)中除了上述的结构单元(a1)及(a2)以外，还可以具有源自不属于(甲基)丙烯酸烷基酯及腈类单体的其它单体的结构单元(a3)。
作为构成结构单元(a3)的其它单体，可列举例如：含羟基单体、含羧基单体、含环氧基单体等具有官能团的含官能团单体；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯类单体；乙烯、丙烯、异丁烯等烯烃类单体；苯乙烯、甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等芳香族乙烯基单体；丁二烯、异戊二烯等二烯类单体；等等。
从将树脂膜形成用片的粘合力(α1)及(β1)调整至上述范围的观点出发，本发明的一个实施方式中所使用的丙烯酸类聚合物(A1)优选包含源自含羟基单体的结构单元(a3-1)。
作为含羟基单体，可列举例如：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯类；乙烯醇、烯丙醇等不饱和醇类等。
这些当中，优选(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯。
从将树脂膜形成用片的粘合力(α1)及(β1)调整至上述范围的观点出发，相对于丙烯酸类聚合物(A1)的全部结构单元(100质量％)，丙烯酸类聚合物(A1)中的源自含羟基单体的结构单元(a3-1)的含量优选为0.5～30质量％、更优选为1～25质量％、进一步优选为2～20质量％、更进一步优选为3～15质量％、特别优选为3.5～12质量％。
进一步，丙烯酸类聚合物(A1)中的源自含环氧基单体的结构单元的含量增加时，所得树脂膜形成用片与硅晶片之间的密合性提高、粘合力(α1)的值存在上升的倾向。因此，丙烯酸类聚合物(A1)中的源自含环氧基单体的结构单元的含量越少越优选。
作为本发明的一个实施方式所使用的丙烯酸类聚合物(A1)中的源自含环氧基单体的结构单元(a3-2)的含量，从上述观点出发，相对于丙烯酸类聚合物(A1)的全部结构单元(100质量％)，优选为0～15质量％、更优选为0～10质量％、进一步优选为0～5质量％、更进一步优选为0～3.5质量％。
作为含环氧基单体，可列举例如：(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸β-甲基缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸(3,4-环氧环己基)甲酯、(甲基)丙烯酸3-环氧环-2-羟基丙酯等含环氧基的(甲基)丙烯酸酯；巴豆酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油基醚等非丙烯酸类含环氧基单体；等等。
在使用环氧类热固性成分作为后面叙述的固化性成分(B)的情况下，羧基与环氧类热固性成分中的环氧基会发生反应，因此，丙烯酸类聚合物(A1)中的源自含羧基单体的结构单元的含量越少越优选。
在使用环氧类热固性成分作为固化性成分(B)的情况下，相对于丙烯酸类聚合物(A1)的全部结构单元(100质量％)，本发明的一个实施方式中使用的源自含羧基单体的结构单元(a3-3)的含量优选为0～10质量％、更优选为0～5质量％、进一步优选为0～2质量％、更进一步优选为0质量％(不包含结构单元(a3-3))。
需要说明的是，在本说明书中，具有源自含环氧基单体的结构单元且重均分子量为2万以上的丙烯酸类聚合物是具有热固性的，但不视为固化性成分(B)，而是包含在聚合物成分(A)的概念中。
作为含羧基单体，可列举例如：(甲基)丙烯酸、马来酸、富马酸、衣康酸等。
相对于丙烯酸类聚合物(A1)的全部结构单元(100质量％)，本发明的一个实施方式所使用的丙烯酸类聚合物(A1)中的结构单元(a3)的含量优选为0～30质量％、更优选为1～20质量％、进一步优选为2～10质量％。
(非丙烯酸类树脂(A2))
本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片也可以根据需要而含有作为上述丙烯酸类聚合物(A1)以外的聚合物成分的非丙烯酸类聚合物(A2)。
作为非丙烯酸类聚合物(A2)，可列举例如：聚酯、苯氧基树脂、聚碳酸酯、聚醚、聚氨酯、聚硅氧烷、橡胶类聚合物等。
这些非丙烯酸类聚合物(A2)可以单独使用或将2种以上组合使用。
作为非丙烯酸类聚合物(A2)的重均分子量(Mw)，优选为2万以上、更优选为2万～10万、进一步优选为2万～8万。
[固化性成分(B)]
固化性成分(B)是起到使树脂膜形成用片固化而形成硬质的树脂膜的作用的成分，是重均分子量(Mw)低于2万的化合物。
本发明所使用的树脂膜形成用片中，作为固化性成分(B)，优选包含热固性成分(B1)及能量线固化性成分(B2)中的至少一者，从抑制由树脂膜形成用片形成的树脂膜的着色的观点、使固化反应充分进行的观点、以及降低成本的观点出发，更优选包含热固性成分(B1)。
作为热固性成分(B1)，优选含有至少具有会通过加热而发生反应的官能团的化合物，更优选含有具有环氧基的化合物(B11)。
另外，能量线固化性成分(B2)优选含有具有会通过照射能量线而发生反应的官能团的化合物(B21)。
这些固化性成分所具有的官能团彼此发生反应而形成三维网状结构，由此实现固化。
对于固化性成分(B)的重均分子量(Mw)而言，从通过与成分(A)组合使用而抑制作为树脂膜形成用片的形成材料的组合物的粘度、使操作性提高等观点出发，优选低于20,000、更优选为10,000以下、进一步优选为100～10,000。
(热固性成分(B1))
作为热固性成分(B1)，优选环氧类热固性成分。
作为环氧类热固性成分，优选在使用具有环氧基的化合物(B11)的同时组合使用热固化剂(B12)。
作为具有环氧基的化合物(B11)(以下也称为“环氧化合物(B11)”)，可列举例如：多官能性环氧树脂、双酚A二缩水甘油基醚及其加氢物、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等分子中具有2官能以上的环氧化合物等。
这些环氧化合物(B11)可以单独使用或将2种以上组合使用。
这些当中，从将树脂膜形成用片的粘合力(α1)及(β1)调整至上述范围的观点出发，优选包含选自酚醛清漆型环氧树脂及联苯型环氧树脂中的1种以上，特别是，从将树脂膜形成用片的粘合力(α1)调整至上述范围的观点出发，更优选包含联苯型环氧树脂，进一步优选包含联苯芳烷基型环氧树脂。
相对于环氧化合物(B11)的总量(100质量％)，选自酚醛清漆型环氧树脂及联苯型环氧树脂中的1种以上的总含量优选为70～100质量％、更优选为80～100质量％、进一步优选为90～100质量％、更进一步优选为95～100质量％。
另外，从将树脂膜形成用片的粘合力(α1)调整至上述范围的观点出发，相对于环氧化合物(B11)的总量(100质量％)，联苯型环氧树脂的含量优选为70～100质量％、更优选为80～100质量％、进一步优选为90～100质量％、更进一步优选为95～100质量％。
相对于成分(A)100质量份，环氧化合物(B11)的含量优选为1～500质量份、更优选为3～300质量份、进一步优选为5～150质量份、更进一步优选为10～100质量份。
(热固化剂(B12))
热固化剂(B12)作为相对于环氧化合物(B11)的固化剂而发挥功能。
作为热固化剂，优选1分子中具有2个以上能够与环氧基反应的官能团的化合物。
作为该官能团，可列举：酚羟基、醇羟基、氨基、羧基及酸酐等。这些官能团中，优选酚羟基、氨基或酸酐，更优选酚羟基及氨基，进一步优选氨基。
作为具有酚基的酚类热固化剂，可列举例如：多官能酚醛树脂、联苯酚、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯型酚醛树脂、XYLOK型酚醛树脂、芳烷基型酚醛树脂等。
作为具有氨基的胺类热固化剂，可列举例如：双氰胺(DICY)等。
这些热固化剂(B12)可以单独使用或将2种以上组合使用。
这些当中，从将树脂膜形成用片的粘合力(α1)及(β1)调整至上述范围的观点出发，优选包含酚类热固化剂。
相对于热固化剂(B12)的总量(100质量％)，酚类热固化剂的含量优选为50～100质量％、更优选为70～100质量％、进一步优选为80～100质量％、更进一步优选为90～100质量％。
相对于环氧化合物(B11)100质量份，热固化剂(B12)的含量优选为0.1～500质量份、更优选为1～200质量份。
需要说明的是，在本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片中，从将树脂膜形成用片的粘合力(α1)及(β1)调整至上述范围的观点出发，优选包含联苯型环氧树脂作为环氧化合物(B1)、并包含酚类热固化剂作为热固化剂(B12)，将两种成分组合使用。
需要说明的是，在这种情况下，作为聚合物成分(A)，更优选包含具有源自腈类单体的结构单元(a2-1)的丙烯酸类聚合物(A1)。
(固化促进剂(B13))
对于本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片而言，从调整该片的基于加热的固化速度的观点出发，也可以含有固化促进剂(B13)。
固化促进剂(B13)优选与作为热固性成分(B1)的环氧化合物(B11)组合使用。
作为固化促进剂(B13)，可列举例如：三亚乙基二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺类；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类；四苯基
Figure BDA0001301935780000171
四苯硼酸盐、三苯基膦四苯基硼酸酯等四苯基硼盐等。
这些固化促进剂(B13)可以单独使用或将2种以上组合使用。
从提高由树脂膜形成用片形成的树脂膜的粘接性的观点出发，相对于环氧化合物(B11)及热固化剂(B12)的总量100质量份，固化促进剂(B13)的含量优选为0.01～10质量份、更优选为0.1～6质量份、进一步优选为0.3～4质量份。
(能量线固化性成分(B2))
作为能量线固化性成分(B2)，也可以单独使用具有通过照射能量线而发生反应的官能团的化合物(B21)，但优选在使用化合物(B21)的同时组合使用光聚合引发剂(B22)。
(具有通过照射能量线而发生反应的官能团的化合物(B21))
作为具有通过照射能量线而发生反应的官能团的化合物(B21)(以下也称为“能量线反应性化合物(B21)”)，可列举例如：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物、环氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、衣康酸低聚物等。
这些能量线反应性化合物(B21)可以单独使用或将2种以上组合使用。
需要说明的是，能量线反应性化合物(B21)的重均分子量(Mw)优选为100～30,000、更优选为300～10,000。
相对于成分(A)100质量份，能量线反应性化合物(B21)的含量优选为1～1500质量份、更优选为3～1200质量份。
(光聚合引发剂(B22))
通过在使用上述能量线反应性化合物(B21)的同时组合使用光聚合引发剂(B22)，可以缩短聚合固化时间，即使减少光线照射量，也能够使树脂膜形成用片的固化进行。
作为光聚合引发剂(B22)，可列举例如：苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化物化合物等。
作为更具体的光聚合引发剂，可列举例如：1-羟基环己基苯基酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、丁二酮、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苄基二苯基氧化膦等。
这些光聚合引发剂可以单独使用或将2种以上组合使用。
从使树脂膜形成用片的固化反应充分进行、同时抑制残留物的生成的观点出发，相对于能量线反应性化合物(B21)100质量份，光聚合引发剂(B22)的含量优选为0.1～10质量份、更优选为1～5质量份。
相对于树脂膜形成用片的总量(100质量％)，本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片中的固化性成分(B)的含量优选为5～50质量％、更优选为8～40质量％、进一步优选为10～30质量％、更进一步优选为12～25质量％。
需要说明的是，上述的“固化性成分(B)的含量”是指上述的包含环氧化合物(B11)、热固化剂(B12)及固化促进剂(B13)的热固性成分(B1)、以及包含能量线反应性化合物(B21)及光聚合引发剂(B22)的能量线固化性成分(B2)的总含量。
作为本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片中的聚合物成分(A)及固化性成分(B)的总含量，相对于树脂膜形成用片的总量(100质量％)，优选为40质量％以上、更优选为50质量％以上、进一步优选为60质量％以上、更进一步优选为70质量％以上。
[无机填充材料(C)]
本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片也可以进一步包含无机填充材料(C)。
通过包含无机填充材料(C)，能够将由树脂膜形成用片形成的树脂膜的热膨胀系数调整至适当的范围，使带树脂膜的芯片的热膨胀系数达到最优化，由此能够提高组装有该芯片的半导体装置的可靠性。另外，还能够降低由树脂膜形成用片形成的树脂膜的吸湿率。
作为无机填充材料(C)，可列举例如：二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、氧化钛、氧化铁、碳化硅、氮化硼等的粉末、将这些材料进行球形化而成的珠、单晶纤维及玻璃纤维等。
这些无机填充材料(C)可以单独使用或将2种以上组合使用。
这些无机填充材料中，优选二氧化硅及氧化铝。
作为无机填充材料(C)的平均粒径，从将树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)调整至上述范围的观点出发，优选为400nm以下、更优选为300nm以下、进一步优选为200nm以下、更进一步优选为100nm以下，另一方面，从使得使用树脂膜形成用片而制造的带树脂膜的芯片的可靠性良好的观点出发，优选为10nm以上、更优选为20nm以上。
需要说明的是，在本说明书中，无机填充材料(C)的平均粒径是使用激光衍射散射式粒度分布测定装置而测定的值，表示体积中值粒径(D50)。
从将树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)调整至上述范围的观点出发，相对于树脂膜形成用片的总量(100质量％)，本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片中的无机填充材料(C)的含量优选为0～50质量％、更优选为0～45质量％、进一步优选为0～40质量％、更进一步优选为0～30质量％。
需要说明的是，在本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片为包含由2种以上组合物形成的二层以上的多层体的情况下，对于作为该树脂膜形成用片的表面(α)侧的层的形成材料的组合物中包含的无机填充材料(C)，优选减小平均粒径、减少含量，从而对表面(α)的表面粗糙度(Ra)进行调整。
另一方面，在不会对表面(α)的表面粗糙度(Ra)造成影响的范围内，也可以在作为表面(β)侧的层的形成材料的组合物中配合平均粒径为0.01μm以上的无机填充材料(C’)。
作为无机填充材料(C’)的平均粒径，通常为0.01～5μm、优选为0.02～3μm。
[着色剂(D)]
本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片也可以进一步包含着色剂(D)。通过使树脂膜形成用片含有着色剂(D)，在将具有由树脂膜形成用片形成的树脂膜的半导体芯片组装到设备中时，能够屏蔽由周围的装置产生的红外线等，从而防止半导体芯片的误工作。
作为着色剂(D)，可使用有机或无机的颜料及染料。
作为染料，例如酸性染料、活性染料、直接染料、分散染料、阳离子染料等中的任意染料均可以使用。
另外，作为颜料，没有特殊限制，可以从公知的颜料中适当选择使用。
这些当中，从对电磁波、红外线的屏蔽性良好、且可进一步提高基于激光打标法的识别性的观点出发，优选黑色颜料。
作为黑色颜料，可列举例如：炭黑、氧化铁、二氧化锰、苯胺黑、活性炭等，但从提高半导体芯片的可靠性的观点出发，优选炭黑。
需要说明的是，这些着色剂(D)可以单独使用或将2种以上组合使用。
作为着色剂(D)的平均粒径，从将树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)调整至上述范围的观点出发，优选为400nm以下、更优选为300nm以下、进一步优选为200nm以下、更进一步优选为100nm以下，另外，优选为10nm以上、更优选为20nm以上。
需要说明的是，本说明书中，着色剂(D)的平均粒径是使用激光衍射散射式粒度分布测定装置而测定的值，表示体积中值粒径(D50)。
相对于树脂膜形成用片的总量(100质量％)，本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片中的着色剂(D)的含量优选为0.01～30质量％、更优选为0.05～25质量％、进一步优选为0.1～15质量％、更进一步优选为0.15～5质量％。
[偶联剂(E)]
本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片也可以进一步包含偶联剂(E)。
通过包含偶联剂(E)，可以在不破坏所得由树脂膜形成用片形成的树脂膜的耐热性的情况下使其耐水性提高。另外，还有利于与硅晶片粘贴后的端部密合性的提高。
作为偶联剂(E)，优选为与成分(A)、成分(B)所具有的官能团反应的化合物，更优选为硅烷偶联剂。
作为硅烷偶联剂，可列举例如：γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-脲丙基三乙氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。
这些偶联剂(E)可以单独使用或将2种以上组合使用。
作为偶联剂(E)，优选低聚物型偶联剂。
作为也包括低聚物型偶联剂的偶联剂(E)的分子量，优选为100～15000、更优选为150～10000、进一步优选为200～5000、更进一步优选为250～3000、再进一步优选为350～2000。
需要说明的是，可以认为，通过含有偶联剂(E)，会与作为被粘附物的硅晶片、在树脂膜形成用片中含有无机填充材料(C)的情况下会与无机填充材料(C)的表面结合而使粘接性、凝聚性提高，从而树脂膜形成用片的粘合力(α1)也上升。
因此，从得到再剥离性优异的树脂膜形成用片这样的观点出发，本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片中的偶联剂(E)的含量越少越优选。
从上述观点出发，本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片中的偶联剂(E)的含量相对于树脂膜形成用片的总量(100质量％)优选为3.0质量％以下、更优选为1.5质量％以下、进一步优选为0.8质量％以下、更进一步优选为0.3质量％以下，另一方面，从使该树脂膜形成用片与硅晶片粘贴后的端部密合性良好的观点、以及将树脂膜形成用片的表面(β)的粘合力(β1)调整至上述范围的观点出发，优选为0.01质量％以上、更优选为0.05质量％以上、进一步优选为0.10质量％以上。
[流平剂(F)]
本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片也可以进一步包含流平剂(F)。
通过包含流平剂(F)，能够容易地将所得树脂膜形成用片的表面(α)的粘合力(α1)调整至上述范围。
作为流平剂(F)，可列举例如：有机硅类流平剂、氟类流平剂、丙烯酸类流平剂、乙烯基类流平剂、以及氟类与丙烯酸类经复合化而成的流平剂等。
这些流平剂(F)可以单独使用或将2种以上组合使用。
这些当中，从能够容易地将树脂膜形成用片的表面(α)的粘合力(α1)调整至上述范围的观点出发，优选包含有机硅类流平剂。
需要说明的是，树脂膜形成用片中包含流平剂(F)时，容易将表面(α)的粘合力(α1)调整至上述范围，但存在导致表面(β)的粘合力(β1)降低、树脂膜形成用片的再剥离性降低的隐患。因此，在树脂膜形成用片的表面(β)侧，流平剂的含量越少越优选。
从将所得树脂膜形成用片的表面(α)的粘合力(α1)调整至上述范围的观点出发，相对于树脂膜形成用片的总量(100质量％)，流平剂(F)的含量优选为0.010质量％以上、更优选为0.050质量％以上、进一步优选为0.100质量％以上。
另外，从将该树脂膜形成用片的表面(β)的粘合力(β1)调整至上述范围的观点出发，相对于树脂膜形成用片的总量(100质量％)，流平剂(F)的含量优选为0.500质量％以下、更优选为0.300质量％以下、进一步优选为0.200质量％以下。
进一步，从平衡良好地调整树脂膜形成用片的粘合力(α1)及(β1)的观点出发，在本发明的树脂膜形成用片为包含流平剂的片的情况下，作为该树脂膜形成用片的实施方式之一，优选为具有由包含流平剂的组合物(α’)形成的层和由实质上不包含流平剂的组合物(β’)形成的层的多层体。
组合物(α’)为树脂膜形成用片的表面(α)侧的层的形成材料，组合物(β’)为树脂膜形成用片的表面(β)侧的层的形成材料。
从将表面(α)的粘合力(α1)调整至上述范围的观点出发，相对于组合物(α’)中包含的有效成分的总量(100质量％)，组合物(α’)中流平剂(F)的含量优选为0.010～10质量％、更优选为0.050～7质量％、进一步优选为0.100～5质量％、更进一步优选为0.150～2质量％。
另一方面，从将表面(β)的粘合力(β1)调整至上述范围的观点出发，相对于组合物(β’)中包含的有效成分的总量(100质量％)，组合物(β’)中流平剂(F)的含量优选为0～0.500质量％、更优选为0～0.100质量％、进一步优选为0～0.010质量％、更进一步优选为0～0.001质量％。
[通用添加剂(G)]
在本发明的一个实施方式中使用的树脂膜形成用片中，在不破坏本发明效果的范围内，除了上述成分以外，还可以根据需要而含有通用添加剂(G)。
作为通用添加剂(G)，可列举例如：交联剂、增塑剂、抗静电剂、抗氧剂、离子捕获剂、吸气剂、链转移剂等。
这些当中，优选含有交联剂。
作为交联剂，可列举例如：异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、氮杂环丙烷类交联剂、金属螯合物类交联剂、胺类交联剂、氨基树脂类交联剂等。这些交联剂可以单独使用或将2种以上组合使用。
本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片中的这些通用添加剂(G)各自的含量相对于树脂膜形成用片的总量(100质量％)优选为0～10质量％、更优选为0～5质量％、进一步优选为0～2质量％。
<树脂膜形成用片的制造方法>
作为本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片的制造方法，没有特殊限制，可利用公知的方法制造。
例如，在制备作为树脂膜形成用片的形成材料的包含上述各成分的树脂膜形成用组合物之后，适当加入有机溶剂进行稀释，得到树脂膜形成用组合物的溶液。然后，将该树脂膜形成用组合物的溶液利用公知的涂布方法涂布在支撑片上而形成涂膜，并使该涂膜干燥，由此可制造树脂膜形成用片。
另外，本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片为二层以上的多层体的情况下，作为该树脂膜形成用片的制造方法，可列举例如：通过在2片以上的支撑片上分别涂布树脂膜形成用组合物的溶液而形成涂膜，并贴合该涂膜而形成涂膜的叠膜，然后进行干燥而制造的方法等。
作为用于制备树脂膜形成用组合物的溶液的有机溶剂，可列举例如：甲苯、乙酸乙酯、甲乙酮等。
配合有机溶剂的情况下的树脂膜形成用组合物的溶液的固体成分浓度优选为10～80质量％、更优选为20～70质量％、进一步优选为30～65质量％。
作为涂布方法，可列举例如：旋涂法、喷涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、辊刀涂布法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等。
本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片的厚度可根据用途而适当设定，但优选为3～300μm、更优选为5～250μm、进一步优选为7～200μm。
需要说明的是，树脂膜形成用片为由2层以上构成的多层体的情况下，也优选该多层体的总厚度在上述范围。
<树脂膜形成用片的用途>
本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片能够粘贴于倒装方式的芯片用半导体晶片、半导体芯片等硅晶片等工件的背面而在工件上形成树脂膜。该树脂膜具有保护半导体晶片、半导体芯片等工件的背面的作为保护膜的功能。例如，在粘贴于半导体晶片的情况下，树脂膜具有补强晶片的功能，因此能够防止晶片的破损等。
即，本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片优选为用于在硅晶片上形成保护膜的保护膜形成用片。
另外，由本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片形成的树脂膜还能够赋予作为粘接膜的功能。即，使用本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片而形成的树脂膜具有作为粘接膜的功能的情况下，具有该树脂膜的芯片可以粘接在晶垫部或其它的半导体芯片等其它构件上(芯片搭载部上)，能够有助于用以制造半导体装置的生产性的提高。
即，也可以将本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片作为用以在硅晶片上形成粘接膜的粘接膜形成用片。
[树脂膜形成用复合片的构成]
本发明的树脂膜形成用复合片(以下也简称为“复合片”)具有在支撑片上叠层有能够形成上述树脂膜的本发明的树脂膜形成用片的结构。
需要说明的是，关于本发明的一个实施方式的复合片的形态，没有特殊限制，可以是例如长条带状、单叶标签等形态。
图1是本发明的一个实施方式的树脂膜形成用复合片的剖面图。
作为本发明的一个实施方式的复合片，可列举图1(a)所示那样的具有在支撑片11上直接叠层有树脂膜形成用片10的结构的复合片1a。
作为本发明的一个实施方式的复合片的树脂膜形成用片10的形状，只要是与作为被粘附物的硅晶片基本相同的形状、或者能够包含硅晶片的形状即可。
需要说明的是，图1(a)的复合片1a中，支撑片11和树脂膜形成用片10为基本相同的形状，但也可以是如图1(b)所示那样的树脂膜形成用片10的形状小于支撑片11的形状的复合片1b。
另外，作为本发明的一个实施方式的复合片，可列举如图1(c)所示那样的具有环状的夹具粘接层12的复合片1c。
环状的夹具粘接层12是出于在与环状框架等夹具粘接时提高对于该夹具的粘接力的目的而设置的层，其可以由具有基材(芯材)的双面粘合片、或者由粘合剂形成。
需要说明的是，在图1(c)所示的复合片1c中，所示出的是相对于图1(a)的复合片1a进一步设置有夹具粘接层12的结构，但作为本发明的一个实施方式的复合片，也可以列举在图1(b)的复合片1b的支撑片11的面上设置有夹具粘接层12的结构的复合片。
作为本发明的一个实施方式的复合片，还可以是如图1(d)所示那样的具有树脂膜形成用片10被2片支撑片11、11’的结构的复合片1d。
需要说明的是，也可以与复合片1d的结构同样地，在图1(b)的复合片1b的外露的树脂膜形成用片10的面上设置与支撑片11不同的支撑片。
另外，同样地，还可以在图1(c)所示的复合片1c的树脂膜形成用片10的面上及夹具粘接层12的面上设置与支撑片11不同的支撑片。
<支撑片>
本发明的一个实施方式的复合片所具有的支撑片是起到防止在树脂膜形成用片的表面附着灰尘等的剥离片、或用于在切割工序等中对树脂膜形成用片的表面进行保护的切割片等的作用的片材。
本发明中使用的支撑片优选为具有树脂膜的结构。
作为该树脂膜，可列举例如：低密度聚乙烯(LDPE)膜、直链低密度聚乙烯(LLDPE)膜等聚乙烯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、离聚物树脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜、氟树脂膜等。
作为在本发明的一个实施方式中使用的支撑片，可以是由1种树脂膜构成的单层膜，也可以是将2种以上树脂膜叠层而成的叠层膜。
另外，上述树脂膜也可以是交联膜。
另外，还可以使用对这些树脂膜进行着色而得到的片、或实施印刷而得到的片等。
进一步，树脂膜可以是通过挤出成型将热塑性树脂制成片而得到的膜，也可以是经过拉伸的膜，还可以使用将固化性树脂利用给定方法进行薄膜化及固化后制成片而得到的膜。
这些树脂膜中，从耐热性优异、且由于具有适度的柔软性而具有膨胀适应性、还容易保持拾取适应性的观点出发，优选包含聚丙烯膜的树脂膜。
需要说明的是，作为具有包含聚丙烯膜的树脂膜的支撑片的结构，可以是仅由聚丙烯膜构成的单层结构，也可以是由聚丙烯膜和其它树脂膜构成的多层结构。
树脂膜形成用片为热固性的情况下，构成支撑片的树脂膜具有耐热性，由此可抑制由热引起的支撑片的损伤，从而能够抑制在半导体装置的制造工艺中不良状况的发生。
将支撑片作为防止在树脂膜形成用片的表面附着灰尘等的剥离片使用的情况下，作为该支撑片，优选为在与硅晶片粘贴时、切割工序时能够容易地从树脂膜形成用片上剥离的树脂膜。
另外，作为该支撑片，也可以使用对上述树脂膜的表面实施了剥离处理的树脂膜。
作为该剥离处理的方法，优选在上述树脂膜的表面上设置由剥离剂形成的剥离膜的方法。
作为该剥离剂，可列举包含例如选自丙烯酸类树脂、醇酸类树脂、有机硅类树脂、氟类树脂、不饱和聚酯类树脂、聚烯烃类树脂、蜡类树脂等中的树脂的剥离剂等。
将支撑片作为用于在切割工序等中对树脂膜形成用片的表面进行保护的切割片使用的情况下，作为该支撑片，优选为在上述树脂膜上具有由粘合剂形成的粘合剂层的粘合片。
作为该粘合剂中包含的粘合性树脂，在着眼于粘合性树脂的结构的情况下，可列举例如丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、橡胶类树脂、有机硅类树脂、乙烯基醚类树脂等，在着眼于功能的情况下，可列举例如能量线固化型树脂等。
在本发明的一个实施方式中，从使拾取性良好的观点出发，优选包含能量线固化型树脂的粘合剂。
需要说明的是，在树脂膜上设置由包含能量线固化型树脂的粘合剂形成的粘合剂层的情况下，该粘合剂层可以是照射能量线而发生了固化的粘合剂层，也可以是照射能量线之前的未固化的粘合剂层。需要说明的是，在使用具有照射能量线之前的未固化的粘合剂层的支撑片的情况下，也可以在拾取工序之前照射能量线而使该粘合剂层固化。
作为支撑片的厚度，可根据用途来适当选择，优选为10～500μm、更优选为20～350μm、进一步优选为30～200μm。
需要说明的是，上述支撑片的厚度不仅是构成支撑片的树脂膜的厚度，在具有粘合剂层或剥离膜的情况下，也包括该粘合剂层或剥离膜的厚度。
<夹具粘接层>
夹具粘接层可以由具有基材(芯材)的双面粘合片形成、或由包含粘合剂的粘合剂组合物形成。
作为该基材(芯材)，可列举能够用作上述支撑片的树脂膜，优选为聚丙烯膜。
另外，作为上述粘合剂，可列举例如：丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、橡胶类树脂、有机硅类树脂、乙烯基醚类树脂等。
夹具粘接层的厚度优选为1～80μm、更优选为5～60μm、进一步优选为10～40μm。
[硅晶片的再生方法]
本发明还提供从本发明的树脂膜形成用片的表面(α)直接粘贴在硅晶片上而成的叠层体将该树脂膜形成用片再剥离而再生硅晶片的方法。
本发明的硅晶片的再生方法包括下述工序(1)～(2)。
工序(1)：将具有基材及粘合剂层的粘合片的该粘合剂层粘贴在上述叠层体的上述树脂膜形成用片的表面(β)上的工序；
工序(2)：对在工序(1)中粘贴在上述树脂膜形成用片的表面(β)上的上述粘合片进行牵拉，将粘贴在上述硅晶片上的上述树脂膜形成用片再剥离的工序。
本发明的硅晶片的再生方法是利用了本发明的树脂膜形成用片的性质的再生方法，该方法在将本发明的树脂膜形成用片粘贴在硅晶片上之后产生了再剥离的必要的情况下，能够在不导致硅晶片发生破损、并且抑制所粘贴的树脂膜形成用片的一部分附着残存在硅晶片上的同时实现再剥离。
需要说明的是，本发明的一个实施方式的硅晶片的再生方法不仅能够适用于刚刚将本发明的树脂膜形成用片的表面(α)直接粘贴于硅晶片上之后的叠层体，对于在粘贴后经过了24小时左右、硅晶片与树脂膜形成用片之间的密合性提高了的状态的叠层体也能够适用。
以下，针对本发明的硅晶片的再生方法的工序(1)及(2)进行说明。
<工序(1)>
工序(1)是将具有基材及粘合剂层的粘合片的该粘合剂层粘贴在上述叠层体的上述树脂膜形成用片的表面(β)上的工序。
作为在本工序中使用的粘合片，是具有基材及粘合剂层的粘合片。
作为该基材，优选树脂膜，可列举在上述支撑片的项目中示例出的树脂膜。
作为该粘合剂层，优选为要件(III)所规定的、由包含具有源自丙烯酸丁酯及丙烯酸的结构单元且重均分子量为60万～100万的丙烯酸类树脂100质量份、和交联剂0.01～10质量份的粘合剂形成的厚度10～50μm的粘合剂层。
需要说明的是，在本发明的一个实施方式中，除了上述粘合剂以外，只要是能够形成使表面(β)的粘合力(β1)达到上述范围的粘合剂层的粘合剂即可使用。
作为该粘合片的形状，没有特殊限定，但从在后续的工序(2)中的操作性的观点出发，优选形状与树脂膜形成用片为相同、或形状大于树脂膜形成用片的粘合片。
作为本工序中的表面(β)与粘合片的粘合剂层的粘贴方法，可以使用机械进行粘贴，也可以通过手动作业进行。
需要说明的是，将上述本发明的一个实施方式的复合片所具有的树脂膜形成用片的表面(α)粘贴于硅晶片、且在表面(β)侧已经叠层有作为支撑片的切割片的情况下，也可以将该切割片用作本工序的粘合片。
<工序(2)>
工序(2)是对在工序(1)中粘贴在上述树脂膜形成用片的表面(β)上的上述粘合片进行牵拉，从而将粘贴在上述硅晶片上的上述树脂膜形成用片进行再剥离的工序。
在本工序中，由于使用了本发明的树脂膜形成用片、且该树脂膜形成用片的粘合力(α1)及(β1)在上述范围，因此通过在工序(1)中对粘贴于表面(β)的粘合片进行牵拉，可使树脂膜形成用片也一起被拉拽下来，从而将上述树脂膜形成用片从硅晶片进行再剥离。
作为牵拉粘合片时的速度及角度，没有特殊限制，可以进行适当设定。
另外，在本工序中，也可以使用机械对粘合片进行牵拉，但从操作性的观点出发，优选通过手动作业牵拉粘合片，将上述树脂膜形成用片从硅晶片再剥离。
需要说明的是，在本工序中，在除去树脂膜形成用片之后，也可以根据需要而利用乙醇等有机溶剂对硅晶片的表面进行洗涤。
通过经过以上工序，能够使暂时粘贴有树脂膜形成用片的硅晶片实现再生。
实施例
制造例1～8中使用的各成分的重均分子量(Mw)或数均分子量(Mn)的测定法如下所述。
<重均分子量(Mw)、数均分子量(Mn)>
使用凝胶渗透色谱装置(东曹株式会社制、制品名“HLC-8220GPC”)在下述条件下进行测定，使用了经标准聚苯乙烯换算而测定的值。
(测定条件)
·色谱柱：“TSK guard column HXL-H”“TSK gel GMHXL(×2)”“TSK gelG2000HXL”(均由东曹株式会社制造)
·柱温：40℃
·洗脱溶剂：四氢呋喃
·流速：1.0mL/min
制造例1～8
(树脂膜形成用组合物的溶液的制备)
在配合表1所示种类及配合量的各成分而分别制备了树脂膜形成用组合物(1)～(8)(表1中，简记为“组合物(1)～(8)”)，然后进一步利用甲乙酮进行稀释，制备了固体成分浓度61质量％的组合物的溶液。
需要说明的是，表1中各成分的配合量是相对于各组合物的总量(成分(A)～(G)的总配合量)100质量％而言的比例(单位：质量％(有效成分比))。另外，表1中记载的各成分的详情如下所述。
<聚合物成分(A)>
·(A-1)：将丙烯酸甲酯(MA)及丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)共聚而得到的丙烯酸共聚物(构成比率：MA/HEA＝95/5(质量％)、Mw＝80万)。
·(A-2)：将丙烯酸正丁酯(BA)、丙烯酸乙酯(EA)、丙烯腈(AN)及甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)共聚而得到的丙烯酸共聚物(构成比率：BA/EA/AN/GMA＝39/29/29/3(质量％)、Mw＝80万)。
·(A-3)：将丙烯酸正丁酯(BA)、丙烯酸甲酯(MA)、甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)及丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)共聚而得到的丙烯酸共聚物(构成比率：BA/MA/GMA/HEA＝55/10/20/15(质量％)、Mw＝80万)。
·(A-4)：将丙烯酸正丁酯(BA)、丙烯酸乙酯(EA)及甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)共聚而得到的丙烯酸共聚物(构成比率：BA/EA/GMA＝53/44/3(质量％)、Mw＝80万)。
<固化性成分(B)>
·(B-1)：丙烯酰基加成甲酚酚醛清漆型环氧树脂(日本化药株式会社制、商品名“CNA-147”、相当于上述成分(B11)的环氧化合物)。
·(B-2)：联苯芳烷基型环氧树脂(日本化药株式会社制、商品名“NC-3000H”、相当于上述成分(B11)的环氧化合物)。
·(B-3)：双酚A型环氧树脂(三菱化学株式会社制、商品名“jER828”、相当于上述成分(B11)的环氧化合物)。
·(B-4)：双酚A型环氧树脂(三菱化学株式会社制、商品名“jER1055”、相当于上述成分(B11)的环氧化合物)。
·(B-5)：双环戊二烯型环氧树脂(DIC株式会社制、商品名“Epiclon HP-7200HH”、相当于上述成分(B11)的环氧化合物)。
·(B-6)：联苯芳烷基型酚醛树脂(明和化成株式会社制、商品名“MEH-7851-H”、相当于上述成分(B12)的热固化剂)。
·(B-7)：双氰胺(株式会社ADEKA制、商品名“Adeka Hardener 3636AS”、相当于上述成分(B12)的热固化剂)。
·(B-8)：咪唑类固化促进剂(四国化成工业株式会社制、商品名“CUREZOL 2PHZ”、相当于上述成分(B13)的固化促进剂)。
<无机填充材料(C)>
·(C-1)：二氧化硅填料(平均粒径＝50nm)。
·(C-2)：二氧化硅填料(平均粒径＝500nm)。
<着色剂(D)>
·(D-1)：炭黑(平均粒径＝28nm)。
<硅烷偶联剂(E)>
·(E-1)：硅烷偶联剂(信越化学工业株式会社制、商品名“KBM-403”)。
<流平剂(F)>
·(F-1)：有机硅类流平剂(Momentive Performance Materials Japan公司制、商品名“XF42-334”)。
<通用添加剂(G)>
·(G-1)：异氰酸酯类交联剂(Toyo Chem公司制、商品名“BHS 8515”)。
[表1]
Figure BDA0001301935780000311
*上述表中的值表示的是相对于各组合物的总量(成分(A)～(G)的总配合量)100质量％而言的各成分的配合量(单位：质量％(有效成分比))。
实施例1
在由实施了剥离处理的树脂膜构成的第1支撑片(琳得科株式会社制、商品名“SP-PET3811”、厚度：38μm)的剥离处理面上涂布制造例2中制备的树脂膜形成用组合物(2)的溶液，并使其干燥，形成了涂膜(α’)。
另外，在作为与第1支撑片相同的材料的第2支撑片的剥离处理面上涂布制造例1中制备的树脂膜形成用组合物(1)的溶液，并使其干燥，形成了涂膜(β’)。
然后，将在这2片支撑片上形成的涂膜(α’)和(β’)贴合，于120℃进行2分钟干燥处理，形成了2层的合计厚度为25μm的树脂膜形成用片，制作了由第1支撑片/树脂膜形成用片/第2支撑片构成的树脂膜形成用复合片。
需要说明的是，在该复合片中，除去了第1支撑片时外露的该树脂膜形成用片的表面是待与硅晶片粘贴一侧的“表面(α)”，除去了第2支撑片时外露的该树脂膜形成用片的表面为“表面(β)”。
实施例2
在实施例1中，代替“制造例2中制备的树脂膜形成用组合物(2)的溶液”而使用了“制造例3中制备的树脂膜形成用组合物(3)的溶液”，除此以外，同样地制作了树脂膜形成用复合片。
实施例3
在实施例1中，代替“制造例2中制备的树脂膜形成用组合物(2)的溶液”而使用了“制造例4中制备的树脂膜形成用组合物(4)的溶液”，除此以外，同样地制作了树脂膜形成用复合片。
实施例4
在实施例1中，代替“制造例2中制备的树脂膜形成用组合物(2)的溶液”而使用了“制造例5中制备的树脂膜形成用组合物(5)的溶液”，除此以外，同样地制作了树脂膜形成用复合片。
实施例5
在由实施了剥离处理的树脂膜构成的第1支撑片(琳得科株式会社制、商品名“SP-PET3811”、厚度：38μm)的剥离处理面上涂布制造例6中制备的树脂膜形成用组合物(6)的溶液而形成涂膜，于120℃进行2分钟的干燥处理，形成了厚度25μm的树脂膜形成用片。
然后，将所形成的树脂膜形成用片的表面和作为与第1支撑片相同的材料的第2支撑片的剥离处理面贴合，制作了由第1支撑片/树脂膜形成用片/第2支撑片构成的树脂膜形成用复合片。
比较例1
在实施例5中，代替“制造例6中制备的树脂膜形成用组合物(6)的溶液”而使用了“制造例3中制备的树脂膜形成用组合物(3)的溶液”，除此以外，同样地制作了树脂膜形成用复合片。
比较例2
在实施例5中，代替“制造例6中制备的树脂膜形成用组合物(6)的溶液”而使用了“制造例7中制备的树脂膜形成用组合物(7)的溶液”，除此以外，同样地制作了树脂膜形成用复合片。
比较例3
在实施例5中，代替“制造例6中制备的树脂膜形成用组合物(6)的溶液”而使用了“制造例8中制备的树脂膜形成用组合物(8)的溶液”，除此以外，同样地制作了树脂膜形成用复合片。
使用在实施例及比较例中制作的复合片，如下所述地进行了以下的物性值测定及评价。它们的结果如表2所示。
<要件(I)：树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)的测定>
对于将实施例及比较例中制作的复合片所具有的第1支撑片除去而外露的树脂膜形成用片的表面(α)，使用接触式表面粗糙度仪(Mitutoyo公司制、制品名“SURFTEST SV-3000”)，将截断值λc设为0.8mm、评价长度Ln设为4mm，基于JIS B0601:2001而进行了测定。
<要件(II)：树脂膜形成用片的表面(α)相对于硅晶片的粘合力的测定>
使用带式贴片机(琳得科株式会社制、制品名“Adwill RAD-3600F/12”)，对于将实施例及比较例中制作的复合片所具有的第1支撑片除去而外露的树脂膜形成用片的表面(α)、和经过了#2000研磨的硅晶片(直径：200mm、厚度：600μm)的研磨面，在加热至70℃的同时进行了粘贴。
接着，对于将复合片的第2支撑片除去而外露的树脂膜形成用片的表面(β)、和作为内衬带使用的市售的粘合片(琳得科株式会社制、商品名“PET50(A)PAT1”、宽度：25mm)的粘合剂层，在加热至70℃的热板上、使用2kg的辊进行粘贴，然后在23℃、50％RH(相对湿度)的环境中静置了24小时。
静置后，使用万能试验机(株式会社岛津制作所制、制品名“Autograph AG-IS”)，在剥离角度180°、剥离速度0.3m/min的条件下进行牵拉试验，对从硅晶片的表面剥离保护膜形成用片及内衬带时的载荷进行了测定。将该载荷的值作为树脂膜形成用片的表面(α)相对于硅晶片的粘合力。
需要说明的是，作为内衬带使用的上述市售的粘合片在进行牵拉试验时，在保护膜形成用片和该粘合片的粘合剂层的界面未发生剥离，是具有能够在该保护膜形成用片和硅晶片的界面稳定地进行剥离的程度的粘合力的粘合片。
<要件(III)：树脂膜形成用片的表面(β)相对于粘合片的粘合剂层的粘合力的测定>
在室温(25℃)下、使用胶辊将树脂膜形成用片的固定用的双面胶带(琳得科株式会社制、商品名“TL-4100S-50”)粘贴在硅晶片上。需要说明的是，该双面胶带使用了在牵拉试验时能够充分固定保护膜形成用片的胶带。
接着，使用带式贴片机(琳得科株式会社制、制品名“Adwill RAD-3600F/12”)将该双面胶带的粘接面、和将实施例及比较例中制作的复合片所具有的第1支撑片除去而外露的树脂膜形成用片的表面(α)于室温下进行了粘贴。
然后，对于将复合片所具有的第2支撑片除去而外露的树脂膜形成用片的表面(β)和后述的粘合片的粘合剂层，于23℃、使用2kg的辊进行粘贴，并在23℃、50％RH(相对湿度)的环境中静置了20分钟。
静置后，使用万能试验机(株式会社岛津制作所制、制品名“Autograph AG-IS”)，在剥离角度180°、剥离速度0.3m/min的条件下进行牵拉试验，对从保护膜形成用片的表面(β)剥离粘合片时的载荷进行了测定。将该载荷的值作为树脂膜形成用片的表面(β)相对于粘合片的粘合剂层的粘合力。
(粘贴于表面(β)的粘合片的详情)
使用了在实施了电晕处理的由乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物(构成比率：乙烯/甲基丙烯酸甲酯＝90/10(质量比))形成的树脂膜的电晕处理面上具有由下述粘合剂组合物形成的厚度20μm的粘合剂层的粘合片。
·粘合剂组合物：相对于将丙烯酸丁酯(BA)及丙烯酸(AA)共聚而得到的丙烯酸共聚物(BA/AA＝90/10(质量比)、Mw＝70万)100质量份配合甲苯二异氰酸酯类交联剂(商品名“Coronate L”、日本聚氨酯工业株式会社制)5质量份而得到的组合物。
<树脂膜形成用片在23℃时的储能模量的测定>
将多片将在实施例及比较例中制作的复合片所具有的2片支撑片除去而成的树脂膜形成用片叠层，制作了厚度0.18mm、宽度4.5mm、长度20.0mm的试验样品。
对于该试验样品，使用动态粘弹性测定装置(TA Instruments公司制、制品名“DMAQ800”，以拉伸模式，在频率11Hz、23℃、大气氛围中对树脂膜形成用片在23℃时的储能模量(单位：GPa)进行了测定。
<树脂膜形成用片的表面(β)相对于水的接触角的测定>
对于将实施例及比较例中制作的复合片所具有的第2支撑片除去而外露的树脂膜形成用片的表面(β)滴加蒸馏水10ml，并静置了10分钟。
静置后，使用自动接触角测量仪(KRUSS公司制、制品名“DSA100S”)测定表面(β)与水滴之间所成的角度，将该角度作为“表面(β)相对于水的接触角”。
<评价(1)：树脂膜形成用片的再剥离性>
使用带式贴片机(琳得科株式会社制、制品名“Adwill RAD-3600F/12”)，对于将实施例及比较例中制作的复合片所具有的第1支撑片除去而外露的树脂膜形成用片的表面(α)、和经过了#2000研磨的硅晶片(直径：200mm、厚度：600μm)的研磨面，在加热至70℃的同时进行了粘贴，并在23℃、50％RH(相对湿度)的环境中静置了24小时。
静置后，对于将复合片所具有的第2支撑片除去而外露的树脂膜形成用片的表面(β)、和市售的通用切割带(琳得科株式会社制、商品名“Adwill D-510T”、具有由上述要件(III)中规定的粘合剂形成的粘合剂层的粘合片)的粘合层的表面，于室温(25℃)进行粘贴，并静置了20分钟。
其后，对于在欲通过利用手动作业牵拉通用切割带而将树脂膜形成用片从硅晶片上再剥离时，能够实现再剥离、以及在再剥离后的硅晶片的表面上有无残存物的附着，根据以下标准而对树脂膜形成用片的再剥离性进行了评价。
A：能够将保护膜形成用片从硅晶片上完全剥离，在再剥离后的硅晶片上，未观察到可通过目测而确认的保护膜形成用片的残存物。
B：能够将保护膜形成用片从硅晶片剥离，在再剥离后的硅晶片上，观察到了一些保护膜形成用片的残存物，但该残存物是能够利用乙醇擦拭而完全除去的程度。
C：在再剥离中发生了硅晶片的破损，或者即便能够在不导致硅晶片破损的情况下实现再剥离，在再剥离后的硅晶片上也会确认到难以利用乙醇擦拭的程度的保护膜形成用片的残存物。
<评价(2)：树脂膜形成用片的端部密合性>
使用带式贴片机(琳得科株式会社制、制品名“Adwill RAD-3600F/12”)，对于将实施例及比较例中制作的复合片所具有的第1支撑片除去而外露的树脂膜形成用片的表面(α)、和经过了#2000研磨的硅晶片(直径：200mm、厚度：600μm)的研磨面，在加热至70℃的同时进行了粘贴，然后将第2支撑片也除去，将硅晶片和树脂膜形成用片粘贴。
接着，对粘贴有树脂膜形成用片的硅晶片的端部进行肉眼观察，根据0.5mm以上的翻卷或缺损的个数、基于以下标准对树脂膜形成用片的端部密合性进行了评价。
A：0.5mm以上的翻卷或缺损的个数为0个部位。
B：0.5mm以上的翻卷或缺损的个数为1～4个部位。
C：0.5mm以上的翻卷或缺损的个数为5个部位以上。
[表2]
Figure BDA0001301935780000361
由表2可知，作为本发明的一个实施方式的实施例1～5所制作的树脂膜形成用片，得到了再剥离性及端部密合性两者均优异的结果。
另一方面，比较例1的树脂膜形成用片由于表面(β)的粘合力(β1)的值低，因此在进行使用了粘合片的该树脂膜形成用片的再剥离作业时，该树脂膜形成用片的一部分残存在硅晶片上，得到了再剥离性不良的结果。
另外，比较例3的树脂膜形成用片由于表面(α)的粘合力(α1)的值高，因此在使用了粘合片的该树脂膜形成用片的再剥离作业的过程中发生了硅晶片的破损，得到了再剥离性不良的结果。
另外，比较例2的树脂膜形成用片虽然再剥离性良好，但得到了硅晶片粘贴后的端部密合性不良的结果。
工业实用性
本发明的一个实施方式的树脂膜形成用片适宜作为保护半导体芯片的背面的保护膜的形成材料、或作为能够粘接在晶垫部或其它部位上的粘接膜的形成材料。

Claims (14)

1.一种树脂膜形成用片，其是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，该树脂膜形成用片满足下述要件(I)～(III)：
要件(I)：待与硅晶片粘贴一侧的所述树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为50nm以下；
要件(II)：所述树脂膜形成用片的表面(α)相对于硅晶片的粘合力(α1)为1.0～7.0N/25mm；
要件(III)：和待与硅晶片粘贴一侧相反侧的所述树脂膜形成用片的表面(β)相对于具有粘合剂层的粘合片的该粘合剂层的粘合力(β1)为4.0N/25mm以上，所述粘合剂层由粘合剂形成且厚度为10～50μm，所述粘合剂包含具有源自丙烯酸丁酯及丙烯酸的结构单元且重均分子量为60万～100万的丙烯酸类树脂100质量份、和交联剂0.01～10质量份。
2.根据权利要求1所述的树脂膜形成用片，其在23℃时的储能模量为0.10～20GPa。
3.根据权利要求1所述的树脂膜形成用片，其中，所述树脂膜形成用片的表面(β)相对于水的接触角为70～110°。
4.根据权利要求2所述的树脂膜形成用片，其中，所述树脂膜形成用片的表面(β)相对于水的接触角为70～110°。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的树脂膜形成用片，其包含聚合物成分(A)及固化性成分(B)。
6.根据权利要求5所述的树脂膜形成用片，其中，聚合物成分(A)包含丙烯酸类聚合物(A1)。
7.根据权利要求6所述的树脂膜形成用片，其中，丙烯酸类聚合物(A1)是具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元(a1)及源自腈类单体的结构单元(a2)的丙烯酸类共聚物。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的树脂膜形成用片，其是用于在硅晶片上形成保护膜的保护膜形成用片。
9.根据权利要求5所述的树脂膜形成用片，其是用于在硅晶片上形成保护膜的保护膜形成用片。
10.根据权利要求6所述的树脂膜形成用片，其是用于在硅晶片上形成保护膜的保护膜形成用片。
11.根据权利要求7所述的树脂膜形成用片，其是用于在硅晶片上形成保护膜的保护膜形成用片。
12.一种树脂膜形成用复合片，其具有在支撑片上叠层有权利要求1～11中任一项所述的树脂膜形成用片的结构。
13.根据权利要求12所述的树脂膜形成用复合片，其中，所述树脂膜形成用片具有被2片支撑片夹持的结构。
14.一种硅晶片的再生方法，其包括：将权利要求1～11中任一项所述的树脂膜形成用片的表面(α)直接粘贴在硅晶片上而形成叠层体，对该树脂膜形成用片进行再剥离而由所述叠层体再生硅晶片，
其中，该再生方法具有下述工序(1)～(2)：
工序(1)：将具有基材及粘合剂层的粘合片的该粘合剂层粘贴在所述叠层体的所述树脂膜形成用片的表面(β)上的工序；
工序(2)：对在工序(1)中粘贴在所述树脂膜形成用片的表面(β)上的所述粘合片进行牵拉，对粘贴在所述硅晶片上的所述树脂膜形成用片进行再剥离的工序。
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