JP2003003131A - 半導体ウエハ保護シートの剥離用テープ - Google Patents
半導体ウエハ保護シートの剥離用テープInfo
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- JP2003003131A JP2003003131A JP2001183436A JP2001183436A JP2003003131A JP 2003003131 A JP2003003131 A JP 2003003131A JP 2001183436 A JP2001183436 A JP 2001183436A JP 2001183436 A JP2001183436 A JP 2001183436A JP 2003003131 A JP2003003131 A JP 2003003131A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 オートメーション化されたテープ剥離機中に
おいても、スムースな剥離動作を行うことができ、かつ
剥離用テープの基材フィルム成分による異物発生を抑え
ることできる半導体ウエハ保護シートの剥離用テープを
提供すること。 【解決手段】 基材フィルムの片面に金属膜層、次いで
当該金属膜層上にシリコーン層を、もう一方の片面に粘
着剤層を有することを特徴とする半導体ウエハ保護シー
トの剥離用テープ。
おいても、スムースな剥離動作を行うことができ、かつ
剥離用テープの基材フィルム成分による異物発生を抑え
ることできる半導体ウエハ保護シートの剥離用テープを
提供すること。 【解決手段】 基材フィルムの片面に金属膜層、次いで
当該金属膜層上にシリコーン層を、もう一方の片面に粘
着剤層を有することを特徴とする半導体ウエハ保護シー
トの剥離用テープ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばシリコンや
ガリウム−ヒ素などの半導体ウエハの回路パター形成面
に貼着された半導体ウエハ保護シートを剥がすための剥
離用テープに関する。詳しくは、かかる剥離用テープは
前記保護シート上に貼着した後、剥離テープを引き剥が
すことにより、それに接着した前記保護シートを半導体
ウエハより剥離するものである。
ガリウム−ヒ素などの半導体ウエハの回路パター形成面
に貼着された半導体ウエハ保護シートを剥がすための剥
離用テープに関する。詳しくは、かかる剥離用テープは
前記保護シート上に貼着した後、剥離テープを引き剥が
すことにより、それに接着した前記保護シートを半導体
ウエハより剥離するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの製造工程における半導体
ウエハの裏面研削工程では、半導体ウエハの回路パター
形成面に保護シートが貼着されている。半導体ウエハ表
面に貼着されたかかる保護シートは裏面研削工程後には
剥離除去されるが、その際には剥離テープが使用されて
いる。剥離テープとしては、通常、フレキシブルな基材
フィルムの片面に粘着剤層を設けた粘着テープが用いら
れる。
ウエハの裏面研削工程では、半導体ウエハの回路パター
形成面に保護シートが貼着されている。半導体ウエハ表
面に貼着されたかかる保護シートは裏面研削工程後には
剥離除去されるが、その際には剥離テープが使用されて
いる。剥離テープとしては、通常、フレキシブルな基材
フィルムの片面に粘着剤層を設けた粘着テープが用いら
れる。
【０００３】剥離テープによる保護シートの剥離除去
は、通常、オートメーション化された剥離機により、剥
離テープを半導体ウエハ表面の保護シート上に貼り、剥
離テープを介して保護テープを剥離するという一連の動
作が行なわれている。オートメーション化された機械に
おいては、剥離テープによるスムースな剥離動作を行な
うため、剥離テープには多くのステンレス製、ゴム製、
テフロン（登録商標）製のロ−ラーや、金属、プラスチ
ック製の各種部品に接触する。その結果、その動作が長
期にわたると剥離テープとそれらロ−ラー等の部品との
擦れにより、基材フィルム成分がそれら部品周辺に蓄積
される。その蓄積が多くなると、異物として半導体ウエ
ハ上に落下し、半導体パターンの破壊、動作信頼性の低
下などの不具合が生じる。
は、通常、オートメーション化された剥離機により、剥
離テープを半導体ウエハ表面の保護シート上に貼り、剥
離テープを介して保護テープを剥離するという一連の動
作が行なわれている。オートメーション化された機械に
おいては、剥離テープによるスムースな剥離動作を行な
うため、剥離テープには多くのステンレス製、ゴム製、
テフロン（登録商標）製のロ−ラーや、金属、プラスチ
ック製の各種部品に接触する。その結果、その動作が長
期にわたると剥離テープとそれらロ−ラー等の部品との
擦れにより、基材フィルム成分がそれら部品周辺に蓄積
される。その蓄積が多くなると、異物として半導体ウエ
ハ上に落下し、半導体パターンの破壊、動作信頼性の低
下などの不具合が生じる。
【０００４】剥離テープとしては、基材フィルムの粘着
剤層を設けた面の反対面に金属膜層を設けたものものが
ある。かかる剥離テープによれば、金属膜層により基材
フィルムとローラー等の部品との直接接触を防止でき、
基材フィルムの擦れによる部品周辺への異物の蓄積を抑
えられる。しかし、当該剥離テープでは、金属膜層とロ
ーラー等の部品との擦れ抵抗が大きく、剥離テープによ
るスムースな剥離動作を行なううえで好ましくない。
剤層を設けた面の反対面に金属膜層を設けたものものが
ある。かかる剥離テープによれば、金属膜層により基材
フィルムとローラー等の部品との直接接触を防止でき、
基材フィルムの擦れによる部品周辺への異物の蓄積を抑
えられる。しかし、当該剥離テープでは、金属膜層とロ
ーラー等の部品との擦れ抵抗が大きく、剥離テープによ
るスムースな剥離動作を行なううえで好ましくない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、オートメー
ション化されたテープ剥離機中においても、スムースな
剥離動作を行うことができ、かつ剥離用テープの基材フ
ィルム成分による異物発生を抑えることできる半導体ウ
エハ保護シートを剥がすための剥離用テープを提供する
ことを目的とする。
ション化されたテープ剥離機中においても、スムースな
剥離動作を行うことができ、かつ剥離用テープの基材フ
ィルム成分による異物発生を抑えることできる半導体ウ
エハ保護シートを剥がすための剥離用テープを提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す構造の剥
離用テープにより前記目的を達成できることを見出し本
発明を完成するに至った。
解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す構造の剥
離用テープにより前記目的を達成できることを見出し本
発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち本発明は、基材フィルムの片面に
金属膜層、次いで当該金属膜層上にシリコーン層を、も
う一方の片面に粘着剤層を有することを特徴とする半導
体ウエハ保護シートの剥離用テープ、に関する。
金属膜層、次いで当該金属膜層上にシリコーン層を、も
う一方の片面に粘着剤層を有することを特徴とする半導
体ウエハ保護シートの剥離用テープ、に関する。
【０００８】オートメーション化されたテープ剥離機中
のローラー等の部分に発生する異物は、剥離用テープの
基材フィルム表面がローラー等の部品と擦れることによ
り、基材フィルム表面に存在する低分子量成分が徐々に
部品に蓄積することにより起ると考えられる。上記本発
明の剥離用テープでは、基材フィルムの片面に設けてい
る金属膜層が、基材フィルム層からの低分子量物の移行
を阻止するバリア層として機能し、基材フィルム成分に
よる異物発生を防止することができる。また金属膜層
は、半導体ウエハ保護シートを剥がす際に発生する剥離
帯電を抑える効果もある。さらに、本発明の剥離用テー
プでは、前記金属膜層上にシリコーン層を設けているた
め、オートメーション化されたテープ剥離機中において
も、剥離用テープによる保護シートのスムースな剥離動
作を行うことができる。
のローラー等の部分に発生する異物は、剥離用テープの
基材フィルム表面がローラー等の部品と擦れることによ
り、基材フィルム表面に存在する低分子量成分が徐々に
部品に蓄積することにより起ると考えられる。上記本発
明の剥離用テープでは、基材フィルムの片面に設けてい
る金属膜層が、基材フィルム層からの低分子量物の移行
を阻止するバリア層として機能し、基材フィルム成分に
よる異物発生を防止することができる。また金属膜層
は、半導体ウエハ保護シートを剥がす際に発生する剥離
帯電を抑える効果もある。さらに、本発明の剥離用テー
プでは、前記金属膜層上にシリコーン層を設けているた
め、オートメーション化されたテープ剥離機中において
も、剥離用テープによる保護シートのスムースな剥離動
作を行うことができる。
【０００９】前記半導体ウエハ保護シートの剥離用テー
プにおいて、当該剥離用テープを巻回した状態で、４０
℃で２４時間放置後に巻戻したときの、シリコーン層の
粘着剤層への転写量が、蛍光Ｘ線分析装置により検出し
たケイ素原子の量で、０．１ｋｃｐｓ以下であることが
好ましい。
プにおいて、当該剥離用テープを巻回した状態で、４０
℃で２４時間放置後に巻戻したときの、シリコーン層の
粘着剤層への転写量が、蛍光Ｘ線分析装置により検出し
たケイ素原子の量で、０．１ｋｃｐｓ以下であることが
好ましい。
【００１０】金属膜層上に設けるシリコーン層はオート
メーション剥離機のローラー等の部品との擦れ抵抗を低
減するが、シリコーン層が転写性を有する場合には、シ
リコーンが異物として部品周辺に蓄積するおそれがある
ため、シリコーン層としては転写性の低いものが好まし
い。シリコーンの転写性は、たとえば、前記方法により
測定してシリコーン層の粘着剤層への転写量により規定
することができる。前記転写量は、少ないほどよく、
０．１ｋｃｐｓ以下、さらには０．０８ｋｃｐｓ以下で
あるのが好ましい。前記転写量が０．１ｋｃｐｓを超え
るとシリコ−ンの転写が多くなり、オートメーション機
のローラー等の部品を汚す可能性が高くなる。
メーション剥離機のローラー等の部品との擦れ抵抗を低
減するが、シリコーン層が転写性を有する場合には、シ
リコーンが異物として部品周辺に蓄積するおそれがある
ため、シリコーン層としては転写性の低いものが好まし
い。シリコーンの転写性は、たとえば、前記方法により
測定してシリコーン層の粘着剤層への転写量により規定
することができる。前記転写量は、少ないほどよく、
０．１ｋｃｐｓ以下、さらには０．０８ｋｃｐｓ以下で
あるのが好ましい。前記転写量が０．１ｋｃｐｓを超え
るとシリコ−ンの転写が多くなり、オートメーション機
のローラー等の部品を汚す可能性が高くなる。
【００１１】また、前記半導体ウエハ保護シートの剥離
用テープにおいて、シリコーン層の塗布量が０．００５
〜０．０８ｇ／ｍ2 であることが好ましい。
用テープにおいて、シリコーン層の塗布量が０．００５
〜０．０８ｇ／ｍ2 であることが好ましい。
【００１２】上記転写量はシリコーン層の塗布量に依存
し、シリコーン層の塗布量が多くなると、シリコーンの
粘着剤層への転写性が増加したり、シリコーンの脱落に
より半導体ウエハを汚染する懸念があるため、シリコー
ン層の塗布量は０．０８ｇ／ｍ2 以下、さらには０．０
５ｇ／ｍ2 以下であるのが好ましい。一方、シリコーン
層の塗布量が少なすぎるとシリコーン層の擦れ抵抗低減
効果が低くなるため、シリコーン層の塗布量は０．００
５ｇ／ｍ2 以上、さらには０．０１ｇ／ｍ2 以上である
のが好ましい。シリコーン層の塗布量は、特に０．０１
〜０．０５ｇ／ｍ2 であるのが好ましい。
し、シリコーン層の塗布量が多くなると、シリコーンの
粘着剤層への転写性が増加したり、シリコーンの脱落に
より半導体ウエハを汚染する懸念があるため、シリコー
ン層の塗布量は０．０８ｇ／ｍ2 以下、さらには０．０
５ｇ／ｍ2 以下であるのが好ましい。一方、シリコーン
層の塗布量が少なすぎるとシリコーン層の擦れ抵抗低減
効果が低くなるため、シリコーン層の塗布量は０．００
５ｇ／ｍ2 以上、さらには０．０１ｇ／ｍ2 以上である
のが好ましい。シリコーン層の塗布量は、特に０．０１
〜０．０５ｇ／ｍ2 であるのが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体ウエハ保護
シートの剥離用テープを図面を参照しつつ詳細に説明す
る。図１に示すように、本発明の剥離用テープ１は、基
材フィルム１１の片面に、金属膜層１２、次いで当該金
属膜層１２上にシリコーン層１３が設けられており、も
う一方の片面に粘着剤層１４が設けられている。また、
必要に応じて、粘着剤層１４上にはセパレータを有す
る。剥離用テープ１は、図２に示すように巻回した状態
で保存または使用することができる。
シートの剥離用テープを図面を参照しつつ詳細に説明す
る。図１に示すように、本発明の剥離用テープ１は、基
材フィルム１１の片面に、金属膜層１２、次いで当該金
属膜層１２上にシリコーン層１３が設けられており、も
う一方の片面に粘着剤層１４が設けられている。また、
必要に応じて、粘着剤層１４上にはセパレータを有す
る。剥離用テープ１は、図２に示すように巻回した状態
で保存または使用することができる。
【００１４】なお、図３は、半導体ウエハ３の表面に、
粘着剤層２２により貼着した保護フィルム２の基材フィ
ルム２１上に、剥離用テープ１を貼着している概念図で
あり、かかる状態から剥離用テープ１を引き剥がすこと
により半導体ウエハ３から保護フィルム２を剥離除去す
る。したがって、剥離用テープ１（粘着剤層１４）の保
護フィルム２（基材フィルム２１）に対する接着力は、
保護フィルム２（粘着剤層２２）の半導体ウエハ３に対
する接着力よりも高くなるようなものを、剥離用テープ
１の粘着剤層１４として形成する。
粘着剤層２２により貼着した保護フィルム２の基材フィ
ルム２１上に、剥離用テープ１を貼着している概念図で
あり、かかる状態から剥離用テープ１を引き剥がすこと
により半導体ウエハ３から保護フィルム２を剥離除去す
る。したがって、剥離用テープ１（粘着剤層１４）の保
護フィルム２（基材フィルム２１）に対する接着力は、
保護フィルム２（粘着剤層２２）の半導体ウエハ３に対
する接着力よりも高くなるようなものを、剥離用テープ
１の粘着剤層１４として形成する。
【００１５】剥離用テープ１の基材フィルム１１は、必
要な強度を有するフレキシブルな柔軟体であれば特に制
限されない。一般的には、プラスチックフィルムが用い
られ、金属膜層１４との密着ないし変形追従性に優れる
ものが好ましく用いられる。このようなプラスチックフ
ィルムの材料としては、たとえば、ポリエチレンテレフ
タレートなどのポリエステル；ポリエチレン、ポリプロ
ピレンなどのポリオレフィン；ポリイミド；ポリエーテ
ルエーテルケトン；ポリ塩化ビニルなどのポリ塩化ビニ
ル系樹脂；ポリカーボネート；エチレン・酢酸ビニル共
重合体；エチレン・エチルアクリレート共重合体；エチ
レンプロピレン共重合体などがあげられる。これらは単
独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて混合または
ラミネートしたものでもよい。
要な強度を有するフレキシブルな柔軟体であれば特に制
限されない。一般的には、プラスチックフィルムが用い
られ、金属膜層１４との密着ないし変形追従性に優れる
ものが好ましく用いられる。このようなプラスチックフ
ィルムの材料としては、たとえば、ポリエチレンテレフ
タレートなどのポリエステル；ポリエチレン、ポリプロ
ピレンなどのポリオレフィン；ポリイミド；ポリエーテ
ルエーテルケトン；ポリ塩化ビニルなどのポリ塩化ビニ
ル系樹脂；ポリカーボネート；エチレン・酢酸ビニル共
重合体；エチレン・エチルアクリレート共重合体；エチ
レンプロピレン共重合体などがあげられる。これらは単
独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて混合または
ラミネートしたものでもよい。
【００１６】基材フィルム１１の厚さは、特に制限され
ないが、通常は１０μｍ〜１ｍｍ程度、好ましくは２５
〜５００μｍとされる。１０μｍ未満では剥離時の応力
に耐えられず剥離用テープ１が契れる可能性があり、１
ｍｍを超えると基材フィルム１１の剛性によりテープの
変形が困難となり半導体ウエハ保護フィルム２を剥離し
難くなるおそれがある。
ないが、通常は１０μｍ〜１ｍｍ程度、好ましくは２５
〜５００μｍとされる。１０μｍ未満では剥離時の応力
に耐えられず剥離用テープ１が契れる可能性があり、１
ｍｍを超えると基材フィルム１１の剛性によりテープの
変形が困難となり半導体ウエハ保護フィルム２を剥離し
難くなるおそれがある。
【００１７】金属膜層１２は、基材フィルム１１中の低
分子成分が剥離用テープ１表面に現れないように設けた
バリア層である。金属膜層１２の形成法は特に制限され
ないが、たとえば、蒸着法や金属箔ラミネート法により
形成することができる。蒸着法による場合には、たとえ
ば、アルミニウム、チタン、鉄、ニッケル、銅、亜鉛、
銀、インジウム、スズ、金、鉛等の金属、さらにはこれ
らの金属を含む合金やこれらの金属の酸化物などが用い
られる。金属箔ラミネート法では、金属箔として、たと
えば、アルミミウム、鉄、ステンレス、銅等の金属やこ
れら金属を含む合金などが用いられる。
分子成分が剥離用テープ１表面に現れないように設けた
バリア層である。金属膜層１２の形成法は特に制限され
ないが、たとえば、蒸着法や金属箔ラミネート法により
形成することができる。蒸着法による場合には、たとえ
ば、アルミニウム、チタン、鉄、ニッケル、銅、亜鉛、
銀、インジウム、スズ、金、鉛等の金属、さらにはこれ
らの金属を含む合金やこれらの金属の酸化物などが用い
られる。金属箔ラミネート法では、金属箔として、たと
えば、アルミミウム、鉄、ステンレス、銅等の金属やこ
れら金属を含む合金などが用いられる。
【００１８】金属膜層１２の厚さは、特に制限されない
が、１０Å〜１００μｍ程度、好ましくは２００Å〜１
０μｍが一般的である。１０Å未満では、基材フィルム
１１中の低分子量成分の移動を阻止するバリア効果が少
なくなり、異物が発生し易くなる。１００μｍを超える
と、金属膜層１２が硬くなる傾向があり、剥離の際に必
要な剥離用テープ１のフレキシブル性が低下してしまう
場合がある。
が、１０Å〜１００μｍ程度、好ましくは２００Å〜１
０μｍが一般的である。１０Å未満では、基材フィルム
１１中の低分子量成分の移動を阻止するバリア効果が少
なくなり、異物が発生し易くなる。１００μｍを超える
と、金属膜層１２が硬くなる傾向があり、剥離の際に必
要な剥離用テープ１のフレキシブル性が低下してしまう
場合がある。
【００１９】シリコーン層１３の形成は、一般的には、
ポリジメチルシロキサンまたはそのメチル基の一部をフ
ェニル基で置換した共重合物等が用いられる。シリコー
ン層１３は、架橋構造とすることができる。架橋方式と
しては、ポリメチルハイドロジェンシロキサンなどのシ
ロキサン系架橋剤の白金触媒またはスズ触媒による架橋
方式や過酸化物等による架橋方式を採用できる。またア
セチレン系制御剤を用いることもできる。反応性の違い
からは縮合反応型、付加反応型などの熱硬化型シリコー
ン、電子線硬化型、紫外線硬化型などの放射線硬化型シ
リコーンなどが例示できる。シリコーン層１３は前述の
転写量、塗布量を満足するものが好ましい。シリコーン
層１３の塗布量、転写量は、蛍光Ｘ分析装置にて測定さ
れる。
ポリジメチルシロキサンまたはそのメチル基の一部をフ
ェニル基で置換した共重合物等が用いられる。シリコー
ン層１３は、架橋構造とすることができる。架橋方式と
しては、ポリメチルハイドロジェンシロキサンなどのシ
ロキサン系架橋剤の白金触媒またはスズ触媒による架橋
方式や過酸化物等による架橋方式を採用できる。またア
セチレン系制御剤を用いることもできる。反応性の違い
からは縮合反応型、付加反応型などの熱硬化型シリコー
ン、電子線硬化型、紫外線硬化型などの放射線硬化型シ
リコーンなどが例示できる。シリコーン層１３は前述の
転写量、塗布量を満足するものが好ましい。シリコーン
層１３の塗布量、転写量は、蛍光Ｘ分析装置にて測定さ
れる。
【００２０】粘着剤層１４の形成には、従来から公知の
各種粘着剤が用いられる。たとえばアクリル系、天然ゴ
ム系、合成ゴム系、ポリエステル系、ウレタンアクリレ
ート系などの各種粘着剤があげられる。これら粘着剤は
単独で用いらてもよく、２種以上を組み合わせてもよ
い。また、粘着力をコントロールするために、各種架橋
剤、可塑剤、粘着付与剤、界面活性剤等を適宜に配合す
ることができる。
各種粘着剤が用いられる。たとえばアクリル系、天然ゴ
ム系、合成ゴム系、ポリエステル系、ウレタンアクリレ
ート系などの各種粘着剤があげられる。これら粘着剤は
単独で用いらてもよく、２種以上を組み合わせてもよ
い。また、粘着力をコントロールするために、各種架橋
剤、可塑剤、粘着付与剤、界面活性剤等を適宜に配合す
ることができる。
【００２１】粘着剤層１４の厚さは、特に制限されない
が、通常、５〜２００μｍ程度、好ましくは２０〜１０
０μｍ程度である。５μｍ未満では保護フィルム２との
十分な接着が得られずこれを剥離できない場合が生じ、
２００μｍを超えると、その厚さゆえに粘着剤層１４中
で粘着剤が破壊され保護フィルム２を剥離できなかった
り、粘着剤による汚染を生じる場合がある。
が、通常、５〜２００μｍ程度、好ましくは２０〜１０
０μｍ程度である。５μｍ未満では保護フィルム２との
十分な接着が得られずこれを剥離できない場合が生じ、
２００μｍを超えると、その厚さゆえに粘着剤層１４中
で粘着剤が破壊され保護フィルム２を剥離できなかった
り、粘着剤による汚染を生じる場合がある。
【００２２】
【発明の効果】本発明の半導体ウエハ保護フィルムの剥
離用テープは、金属膜層が基材フィルム中の低分子量成
分の移行を防止するバリア層として機能し、しかも金属
膜層上には脱落、転写の少ないシリコーン層を有してい
るため、オートメーション化された半導体ウエハ用保護
フィルムの剥離機中においても、スムースな剥離動作を
行うことができ、かつ剥離機の部品周辺部に基材中の異
物蓄積を防止でき、異物の脱落、防止による半導体ウエ
ハへの悪影響を低減できる。
離用テープは、金属膜層が基材フィルム中の低分子量成
分の移行を防止するバリア層として機能し、しかも金属
膜層上には脱落、転写の少ないシリコーン層を有してい
るため、オートメーション化された半導体ウエハ用保護
フィルムの剥離機中においても、スムースな剥離動作を
行うことができ、かつ剥離機の部品周辺部に基材中の異
物蓄積を防止でき、異物の脱落、防止による半導体ウエ
ハへの悪影響を低減できる。
【００２３】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。なお、シリコーン層の粘着剤層への転写
量、シリコーン層の塗布量は下記方法により測定したも
のである。
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。なお、シリコーン層の粘着剤層への転写
量、シリコーン層の塗布量は下記方法により測定したも
のである。
【００２４】（シリコーン層の塗布量および粘着剤層へ
の転写量の測定）剥離用テープを巻回した状態で、４０
℃で２４時間放置後に巻戻してから、粘着剤層表面を蛍
光Ｘ線分析装置（を用いてケイ素原子の量（ｋｃｐｓ）
を検出した。装置：ＲＩＧＡＫＵ製，Ｓｙｓｔｅｍ３２
７０Ｅ。Ｘ線源：Ｒｈ。Ｘ線取出角度：６０°。測定面
積：３０ｍｍφ。その他：ＰＥＴ分子結晶を用いた。
の転写量の測定）剥離用テープを巻回した状態で、４０
℃で２４時間放置後に巻戻してから、粘着剤層表面を蛍
光Ｘ線分析装置（を用いてケイ素原子の量（ｋｃｐｓ）
を検出した。装置：ＲＩＧＡＫＵ製，Ｓｙｓｔｅｍ３２
７０Ｅ。Ｘ線源：Ｒｈ。Ｘ線取出角度：６０°。測定面
積：３０ｍｍφ。その他：ＰＥＴ分子結晶を用いた。
【００２５】実施例１
基材フィルムとして、５０μｍのポリエステル（ＰＥ
Ｔ）フィルムを用い、その上に０．１μｍ程度のアルミ
ニウム蒸着膜を設けた。さらにその上に、付加型の熱硬
化型のポリジメチルシロキサンを主成分とするシリコー
ン溶液１００ｇ（３０％ベース）に白金触媒を添加した
シリコーン塗布液を、グラビア塗工にて塗布した後、１
５０℃で３分間加熱し架橋してシリコーン層を形成し
た。シリコーン層の塗布量は、０．０３５ｇ／ｍ2 とし
た。
Ｔ）フィルムを用い、その上に０．１μｍ程度のアルミ
ニウム蒸着膜を設けた。さらにその上に、付加型の熱硬
化型のポリジメチルシロキサンを主成分とするシリコー
ン溶液１００ｇ（３０％ベース）に白金触媒を添加した
シリコーン塗布液を、グラビア塗工にて塗布した後、１
５０℃で３分間加熱し架橋してシリコーン層を形成し
た。シリコーン層の塗布量は、０．０３５ｇ／ｍ2 とし
た。
【００２６】次いで、天然ゴム：メチルメタクリレート
系ポリマ−＝５：１（重量比）の混合物１００重量部
に、ポリイソシアネート架橋剤５重量部を混合したもの
のトルエン溶液を、前記基材フィルムの蒸着膜の反対面
に塗布し、１５０℃で５分間加熱して粘着剤層を形成
し、半導体ウエハ保護フィルムの剥離用テープを得た。
当該剥離用テープのシリコーン層の粘着剤層への転写量
は、０．０９ｋｃｐｓであった。
系ポリマ−＝５：１（重量比）の混合物１００重量部
に、ポリイソシアネート架橋剤５重量部を混合したもの
のトルエン溶液を、前記基材フィルムの蒸着膜の反対面
に塗布し、１５０℃で５分間加熱して粘着剤層を形成
し、半導体ウエハ保護フィルムの剥離用テープを得た。
当該剥離用テープのシリコーン層の粘着剤層への転写量
は、０．０９ｋｃｐｓであった。
【００２７】実施例２
基材フィルムとして、１００μｍのポリプロピレン（Ｐ
Ｐ）フィルムを用い、その上に、１２μｍのアルミニウ
ム箔を１５０℃にてラミネートした。さらにその上に、
実施例１と同様のシリコーン塗布液を用い、同様の方法
によりシリコーン層を形成した。ただし、シリコーン層
の塗布量は、０．０２８ｇ／ｍ2 とした。
Ｐ）フィルムを用い、その上に、１２μｍのアルミニウ
ム箔を１５０℃にてラミネートした。さらにその上に、
実施例１と同様のシリコーン塗布液を用い、同様の方法
によりシリコーン層を形成した。ただし、シリコーン層
の塗布量は、０．０２８ｇ／ｍ2 とした。
【００２８】次いで、アクリル系粘着剤（アクリル酸ブ
チル８０重量部、アクリロニトリル１５重量部およびア
クリル酸５重量部をトルエン溶液中で共重合して得られ
たポリマーに、エポキシ系架橋剤０．１重量部を添加し
て得られたもの）を、前記基材フィルムのアルミニウム
箔面の反対面に塗布し、１３０℃で２分間加熱して粘着
剤層を形成し、半導体ウエハ保護フィルムの剥離用テー
プを得た。当該剥離用テープのシリコーン層の粘着剤層
への転写量は、０．０８ｋｃｐｓであった。
チル８０重量部、アクリロニトリル１５重量部およびア
クリル酸５重量部をトルエン溶液中で共重合して得られ
たポリマーに、エポキシ系架橋剤０．１重量部を添加し
て得られたもの）を、前記基材フィルムのアルミニウム
箔面の反対面に塗布し、１３０℃で２分間加熱して粘着
剤層を形成し、半導体ウエハ保護フィルムの剥離用テー
プを得た。当該剥離用テープのシリコーン層の粘着剤層
への転写量は、０．０８ｋｃｐｓであった。
【００２９】参考例１
実施例２において、シリコーン塗布液の量が２倍となる
ようにグラビアを交換して、加熱条件を１２０℃で２分
間としてシリコーン層を形成したこと以外はと実施例２
と同様にして半導体ウエハ保護フィルムの剥離用テープ
を得た。シリコーン層の塗布量は、０．０６ｇ／ｍ2 で
あった。また当該剥離用テープのシリコーン層の粘着剤
層への転写量は、０．１５ｋｃｐｓであった。
ようにグラビアを交換して、加熱条件を１２０℃で２分
間としてシリコーン層を形成したこと以外はと実施例２
と同様にして半導体ウエハ保護フィルムの剥離用テープ
を得た。シリコーン層の塗布量は、０．０６ｇ／ｍ2 で
あった。また当該剥離用テープのシリコーン層の粘着剤
層への転写量は、０．１５ｋｃｐｓであった。
【００３０】比較例１
実施例１においてポリエステルフィルムにアルミニウム
蒸着膜を設けることなくシリコーン層を形成したこと以
外は、実施例１と同様にして半導体ウエハ保護フィルム
の剥離用テープを得た。シリコーン層の塗布量は、０．
０３５ｇ／ｍ2であった。また当該剥離用テープのシリ
コーン層の粘着剤層への転写量は、０．０９ｋｃｐｓで
あった。
蒸着膜を設けることなくシリコーン層を形成したこと以
外は、実施例１と同様にして半導体ウエハ保護フィルム
の剥離用テープを得た。シリコーン層の塗布量は、０．
０３５ｇ／ｍ2であった。また当該剥離用テープのシリ
コーン層の粘着剤層への転写量は、０．０９ｋｃｐｓで
あった。
【００３１】比較例２
実施例１においてシリコーン層を形成しなかったこと以
外は、実施例１と同様にして半導体ウエハ保護フィルム
の剥離用テープを得た。
外は、実施例１と同様にして半導体ウエハ保護フィルム
の剥離用テープを得た。
【００３２】（評価試験）上記で得られた剥離用テープ
を、日東精機株式会社製の半導体ウエハ保護フィルム剥
離機ＨＲ−８５００IIに適用した。保護フィルム（日東
電工（株）製，エレップホルダーＢＴ−１５０Ｅ−Ｃ
Ｍ）を貼着した８インチの半導体ウエハ１０００枚につ
いてランニング試験を行ない以下の項目を評価した。結
果を表１に示す。
を、日東精機株式会社製の半導体ウエハ保護フィルム剥
離機ＨＲ−８５００IIに適用した。保護フィルム（日東
電工（株）製，エレップホルダーＢＴ−１５０Ｅ−Ｃ
Ｍ）を貼着した８インチの半導体ウエハ１０００枚につ
いてランニング試験を行ない以下の項目を評価した。結
果を表１に示す。
【００３３】（剥離動作性）ランニング試験において、
スムースな剥離動作を行うことができているか否かを以
下の基準で判断した。
スムースな剥離動作を行うことができているか否かを以
下の基準で判断した。
【００３４】○：ＨＲ−８５００IIがトラブルなく連続
動作可能。
動作可能。
【００３５】×：ＨＲ−８５００IIが停止する。シリコ
ーン処理しないと巻戻し力が大とｓなり機械が動かず。
ーン処理しないと巻戻し力が大とｓなり機械が動かず。
【００３６】（走行後異物確認）剥離機のローラー上に
異物が付着しているか否かを確認した。また、異物につ
ていはその成分が、基材成分かシリコーン成分を分析し
て確認した。
異物が付着しているか否かを確認した。また、異物につ
ていはその成分が、基材成分かシリコーン成分を分析し
て確認した。
【００３７】
【表１】
【図１】半導体ウエハ保護フィルムの剥離用テープの断
面図である。
面図である。
【図２】剥離用テープを巻回した概念図である。
【図３】剥離用テープを、半導体ウエハ保護フィルムに
適用した概念図である。
適用した概念図である。
【符号の説明】
１：半導体ウエハ保護フィルムの剥離用テープ
１１：基材フィルム
１２：金属膜層
１３：シリコーン層
１４：粘着剤層
２：半導体ウエハ保護フィルム
３：半導体ウエハ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 山本 雅之
大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東
電工株式会社内
Ｆターム(参考） 4J004 AA04 AA05 AA10 AA14 AA15
CA04 CA05 CA06 CB03 CC03
CC05 CE01 DA04 DB01 EA01
FA08
4J040 CA031 DF001 ED001 EF181
MA02 MA10 MA11
Claims (3)
- 【請求項１】 基材フィルムの片面に金属膜層、次いで
当該金属膜層上にシリコーン層を、もう一方の片面に粘
着剤層を有することを特徴とする半導体ウエハ保護シー
トの剥離用テープ。 - 【請求項２】 剥離用テープを巻回した状態で、４０℃
で２４時間放置後に巻戻したときの、シリコーン層の粘
着剤層への転写量が、蛍光Ｘ線分析装置により検出した
ケイ素原子の量で、０．１ｋｃｐｓ以下であることを特
徴とする請求項１記載の半導体ウエハ保護シートの剥離
用テープ。 - 【請求項３】 シリコーン層の塗布量が０．００５〜
０．０８ｇ／ｍ2 であることを特徴とする請求項１また
は２記載の半導体ウエハ保護シートの剥離用テープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001183436A JP2003003131A (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 半導体ウエハ保護シートの剥離用テープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001183436A JP2003003131A (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 半導体ウエハ保護シートの剥離用テープ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003003131A true JP2003003131A (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=19023387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001183436A Pending JP2003003131A (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 半導体ウエハ保護シートの剥離用テープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003003131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016113998A1 (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | リンテック株式会社 | 樹脂膜形成用シート、樹脂膜形成用複合シート、及びシリコンウエハの再生方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000334885A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-05 | Toyo Metallizing Co Ltd | 離型フィルム |
-
2001
- 2001-06-18 JP JP2001183436A patent/JP2003003131A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000334885A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-05 | Toyo Metallizing Co Ltd | 離型フィルム |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016113998A1 (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | リンテック株式会社 | 樹脂膜形成用シート、樹脂膜形成用複合シート、及びシリコンウエハの再生方法 |
| JPWO2016113998A1 (ja) * | 2015-01-14 | 2017-10-19 | リンテック株式会社 | 樹脂膜形成用シート、樹脂膜形成用複合シート、及びシリコンウエハの再生方法 |
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