JP2010056328A

JP2010056328A - チップ保護用フィルム

Info

Publication number: JP2010056328A
Application number: JP2008220218A
Authority: JP
Inventors: Takanori Yamakawa; 貴紀山川; Yasumasa Morishima; 泰正盛島; Shinichi Ishiwatari; 伸一石渡
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2008-08-28
Filing date: 2008-08-28
Publication date: 2010-03-11
Anticipated expiration: 2028-08-28
Also published as: JP5144433B2

Abstract

【課題】ウエハへの貼り付け作業の効率化を図ることができるエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを提供する。
【解決手段】本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムは、ウエハの回路形成面の裏面に貼り付けられるエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムであって、剥離フィルムと、該剥離フィルム上に形成されたエネルギー線硬化型保護膜形成層とを有し、エネルギー線硬化型保護膜形成層をウエハに貼合した際のウエハからの剥離力をＡ、エネルギー線硬化型保護膜形成層の離型フィルムからの剥離力をＢとしたときに、エネルギー線による硬化前はＡ＜Ｂ、硬化後はＡ＞Ｂの関係を満たすように構成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、エネルギー線硬化型チップ保護用フィルムに関し、特に、フェースダウン（ｆａｃｅｄｏｗｎ）方式で実装される半導体チップの裏面を保護するためのエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムに関する。

近年、集積回路等の半導体素子の実装技術として、ダイシング前のウエハ状態のままでパッケージングを行い、最終段階で、チップ単位に切断されるＷＬ−ＣＳＰ（ＷａｆｅｒＬｅｖｅｌＣｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ）の実用化が進んでいる。ＷＬ−ＣＳＰにおいては、ベアチップとほぼ同サイズで配線長が短いことから、小型・薄型・高速という特徴を有しており、例えば携帯電話向けのＣＳＰとして採用されている。

このようなＷＬ−ＣＳＰでは、半導体パッケージ基板（再配線、あるいはＩｎｔｅｒｐｏｓｅｒともいう）としてバンプ付きテープ基板が用いられ、このテープ基板に形成されたバンプと、半導体ウエハの回路形成面に形成されたバンプとが直接接続される。このとき、半導体ウエハは、その回路形成面がテープ基板に向いた、いわゆるフェースダウン方式でテープ基板に実装される。
半導体ウエハが実装されたテープ基板は、ダイシングソーによりチップ単位で切断（ダイシング）され、これにより、半導体チップと同サイズのＣＳＰを得ることができる。

上記のようなＣＳＰは、チップの裏面が樹脂封止されておらず、外部に露出した状態となる。そこで、チップの裏面を保護・補強するために、種々のチップ保護用フィルムが提案されている。チップ保護用フィルムは、ダイシング前のウエハ裏面に貼り付けることにより、ダイシングの際のチッピングを抑制する機能を併せ持つ。

例えば、特許文献１には、剥離シートと、剥離シートの剥離面上に形成された熱硬化性成分またはエネルギー線硬化性成分と、バインダーポリマーとからなる保護膜形成層とを有するチップ用保護膜形成用シート（チップ保護用フィルム）が開示されている。特許文献１では、このチップ用保護膜形成用シートの保護膜形成層を半導体ウエハ裏面に貼り付け、保護膜形成層から剥離シートを剥離した後、加熱またはエネルギー線照射により保護膜形成層を硬化し、ウエハ全面に保護膜を形成する。これにより、ウエハ単独の場合と比べて強度が向上するので、ダイシング時のウエハの破損が低減される。

チップ保護用フィルムを半導体ウエハの裏面に貼り付ける際には、従来、半導体ウエハの裏面全体をカバー可能な所定寸法に切断されたチップ保護用フィルムを半導体ウエハの裏面に貼り付け、貼り付けたチップ保護用フィルムをウエハの外周縁に沿って手動又は切断装置により切断し、これにより、裏面からはみ出ているチップ保護用フィルムの余分な部分を除去していた（例えば、特許文献２参照）。
特開２００４−２６０１９０号公報特公平６−１７７１号公報

ところが、特に、近年の半導体ウエハの薄膜化の傾向に伴って、半導体ウエハの破壊強度が極端に低下してきており、半導体ウエハの裏面に保護用フィルムを貼り合わせる時に生じる応力や、保護用フィルムを半導体ウエハの外周縁に沿って切断する際の応力によって、半導体ウエハの破壊が生じるおそれがある。

このような問題に対して、チップ保護用フィルムのウエハへの貼合方法や切断方法からのアプローチが種々なされているが、チップ保護用フィルムの余分な部分を切断、除去する工程自体が、ウエハへの貼り付け作業の効率化を妨げる要因となっている。

そこで、本発明は、ウエハへの貼り付け作業の効率化を図ることができるエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを提供することを目的とする。

本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムは、ウエハの回路形成面の裏面に貼り付けられるエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムであって、
剥離フィルムと、該剥離フィルム上に形成されたエネルギー線硬化型保護膜形成層とを有し、
前記エネルギー線硬化型保護膜形成層をウエハに貼合した際のウエハからの剥離力をＡ、前記エネルギー線硬化型保護膜形成層の前記離型フィルムからの剥離力をＢとしたときに、エネルギー線による硬化前はＡ＜Ｂ、硬化後はＡ＞Ｂの関係を満たすことを特徴とする。

本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムは、好ましくは前記剥離力Ａが、前記エネルギー線硬化型保護膜形成層を５０〜１００℃で加熱貼合した際のウエハからの剥離力である。

本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムは、好ましくは前記剥離力Ｂが、エネルギー線による硬化前で１．０Ｎ／２５ｍｍ以上であり、硬化後で０．０１〜１．０Ｎ／２５ｍｍの範囲であり、より好ましくは、前記剥離力Ｂが、エネルギー線による硬化前で１．０Ｎ／２５ｍｍ以上であり、硬化後で０．１〜０．５Ｎ／２５ｍｍの範囲である。

また、本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムは、好ましくは前記剥離フィルムが、少なくとも前記エネルギー線硬化型保護膜形成層との接触面に異接着処理が施されている。

また、本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムは、好ましくは前記エネルギー線硬化型保護膜形成層側の前記剥離フィルムの表面粗さＲｚが、０．５〜１０μｍの範囲である。

本発明によれば、エネルギー線硬化型保護膜形成層をウエハに貼合した際のウエハからの剥離力をＡ、エネルギー線硬化型保護膜形成層の離型フィルムからの剥離力をＢとしたときに、エネルギー線による硬化後はＡ＞Ｂの関係を満たすことで、従来行われていたチップ保護用フィルムの余分な部分を切断、除去する工程を要することなく、ウエハの外周縁に沿って保護膜を転写、形成することができる。したがって、ウエハへの貼り付け作業の効率化を図ることができ、しかも、従来の切断工程において発生していたウエハの破損を生じさせることもない。
一方、エネルギー線による硬化前はＡ＜Ｂの関係を満たすことで、硬化前であればエネルギー線硬化型保護膜形成層をウエハ裏面から剥離することができ、ウエハ裏面への貼り直しを行うことができる。

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを示す断面図であり、図２は、本発明の第２の実施形態に係るエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを示す断面図である。

図１に示すエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム１０は、第１剥離シート１Ａと、第２剥離シート１Ｂと、エネルギー線硬化型保護膜形成層２を有する。保護膜形成層２の一方の面１１上には、第１剥離シート１Ａが配置されており、他方の面１２上には、第２剥離シート１Ｂが配置されている。

また、図２に示すエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム１０Ａは、剥離シート１Ｃと、エネルギー線硬化型保護膜形成層２を有する。保護膜形成層２の一方の面１２上には、剥離シート１Ｃが配置されている。

上記のように構成された本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム１０，１０Ａは、エネルギー線硬化型保護膜形成層をウエハに貼合した際のウエハからの剥離力をＡ、エネルギー線硬化型保護膜形成層の離型フィルムからの剥離力をＢとしたときに、エネルギー線による硬化前はＡ＜Ｂ、硬化後はＡ＞Ｂの関係を満たすよう構成されている。

エネルギー線による硬化後は、剥離力Ａ＞剥離力Ｂの関係を満たすことで、硬化後にエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムをウエハ裏面から剥離すると、エネルギー線硬化型保護膜形成層のウエハ裏面との接触部分はウエハ裏面に転写され、その他の部分は剥離フィルム上に残った状態でウエハ裏面から剥離される。したがって、従来行われていたチップ保護用フィルムの余分な部分を切断、除去する工程を要することなく、ウエハの外周縁に沿って保護膜を転写、形成することができ、ウエハへの貼り付け作業の効率化を図ることができる。また、従来の切断工程において発生していたウエハの破損を生じさせることもない。

一方、エネルギー線による硬化前は剥離力Ａ＜剥離力Ｂの関係を満たすことで、硬化前であればエネルギー線硬化型保護膜形成層をウエハ裏面から剥離することができ、ウエハ裏面への貼り直しを行うことが可能となる。例えば、ウエハ裏面とチップ保護用フィルムとの間に空気が入った場合には、その後のウエハのダイシング工程やチップのピックアップ工程での歩留まりの低下をもたらす虞があるが、本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムは、ユーザー側で自由に貼り直すことができるので、このような不具合の回避に有効である。

好ましくは、剥離力Ｂが、エネルギー線による硬化前で１．０Ｎ／２５ｍｍ以上であり、硬化後で０．０１〜１．０Ｎ／２５ｍｍの範囲であり、より好ましくは、剥離力Ｂが、エネルギー線による硬化前で１．０Ｎ／２５ｍｍ以上であり、硬化後で０．１〜０．５Ｎ／２５ｍｍの範囲である。硬化前の剥離フィルムからの剥離力Ｂが小さすぎると、エネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを貼り直しが困難となり、リペア性が低下する。また、硬化後の剥離フィルムからの剥離力Ｂが大きすぎると、ウエハへの転写性が低下する。

本発明において、硬化前後でのエネルギー線硬化型保護膜形成層のウエハからの剥離力Ａは、以下の剥離試験によって得られる。
予め２５ｍｍ幅の短冊状に形成したエネルギー線硬化型保護膜形成層をウエハに５０〜１００℃の温度で加熱貼合し、その後、引張試験機（ＪＩＳＢ７７２１）を使用し、ＪＩＳＺ０２３７に準拠した９０°剥離法で引張速さ５０ｍｍ／ｍｉｎにて、エネルギー線照射（照射量１,０００ｍＪ／ｃｍ^２）の前後での各剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）を測定する。

また、本発明において、硬化前後でのエネルギー線硬化型保護膜形成層の剥離フィルムからの剥離力Ｂは、以下の剥離試験によって得られる。
予め２５ｍｍ幅の短冊状に形成したエネルギー線硬化型保護膜形成層を引張試験機（ＪＩＳＢ７７２１）を使用し、Ｔ字剥離法で引張速さ３００ｍｍ／ｍｉｎにて、エネルギー線照射（照射量１，０００ｍＪ／ｃｍ^２）の前後での各剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）を測定する。

次に、剥離シートとエネルギー線硬化型保護膜形成層の構成について説明する。また、このチップ保護用フィルムの製造方法と使用方法についても、説明する。

＜剥離フィルム＞
図１に示す剥離フィルム１Ａ、１Ｂと図２に示す剥離フィルム１Ｃは、エネルギー線硬化型保護膜形成層２を保護するために、保護膜形成層２に対して剥離可能に配置される。

剥離フィルムは、上述した硬化前後における上記剥離力Ａと剥離力Ｂとの関係を満たし、且つ、エネルギー線透過性を有する。フィルムの構成材料としては、これら条件を満たすことを条件に、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルムなどを用いることができる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらのフィルムの積層フィルムであってもよい。これらの中でも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム及びポリプロピレンフィルムが好ましい。

また、エネルギー線硬化型保護膜形成層２の剥離フィルムからの剥離力Ｂを調整するために、剥離フィルムの少なくともエネルギー線硬化型保護膜形成層２との接触面にコロナ処理等の異接着処理を施こしてもよいし、エンボス加工、サンドマット加工等の表面凹凸加工を施してもよい。

エネルギー線硬化型保護膜形成層側の剥離フィルムのＪＩＳＢ０６０１に従って測定された１０点平均表面粗さＲｚは、０．５〜１０μｍの範囲であることが好ましい。これによって保護幕形成層の表面を粗くすることができ、レーザーマーキングした際の認識性を高めることができる。Ｒｚが小さすぎるとフィルム表面の光沢度が高くなり、レーザーマーク認識性が低下し、大きすぎるとフィルム厚みバラツキの面で問題となる。

剥離フィルムの膜厚は、好ましくは１０μｍ〜２００μｍであり、さらに好ましくは２５μｍ〜５０μｍである。膜厚が１０μｍ未満であるとロール状に巻いた際や貼合作業時にシワが入りやすい等の問題がある。膜厚が２００μｍを超えると剥離フィルムの剥離が困難であり、フィルムカット性も悪化する。また、コストの面でも不利となる。

＜エネルギー線硬化型保護膜形成層＞
エネルギー線硬化型保護膜形成層は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって硬化し、ウエハの裏面に保護膜を形成する。
エネルギー線硬化型保護膜形成層としては、上述した硬化前後における上記剥離力Ａと剥離力Ｂとの関係を満たす限り、特に限定されないが、例えば、（Ａ）バインダーポリマー成分、（Ｂ）エネルギー線硬化性成分、（Ｃ）光重合開始剤、（Ｄ）シリカを含むことができる。さらに必要に応じて（Ｅ）染料および顔料や、（Ｆ）その他の成分を含んでいてもよい。

（Ａ）バインダーポリマー成分
本発明では、フィルムとしての可とう性や操作性を向上させるために、ポリマー成分を使用する。ポリマー成分としては、例えば、アクリル系共重合体、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等を用いることができ、特に、二重結合を有するアクリル系共重合体が好ましい。このアクリル系共重合体の重量平均分子量は、５万以上、特に２０万〜１００万の範囲にあるのが好ましい。分子量が低すぎるとシート形成が不十分となり、高すぎると他の成分との相溶性が悪くなり、結果としてフィルム形成が妨げられる。

（Ｂ）エネルギー線硬化性成分
エネルギー線硬化性成分は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物からなるものである。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、重量平均分子量が１００〜３００００の範囲、より好ましくは３００〜１００００の範囲にあるものが用いられる。

エネルギー線硬化性成分としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ポリエステル型またはポリエーテル型のウレタンアクリレートオリゴマー、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、エポキシアクリレート等が挙げられる。

これらの中でも、紫外線硬化型樹脂が特に好ましい。具体的には、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー、及びオリゴエステルアクリレート等が好ましく、硬度、耐熱性、接着性等の面からエポキシアクリレートが特に好ましい。

（Ｃ）光重合開始剤
エネルギー線硬化型保護膜形成層に光重合開始剤を混入することにより、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。
光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４−ジエチルチオキサンソン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、アシルホスフィンオキシドなどが挙げられる。
これらの中でも、３５０ｎｍ以上の長波長域の光も吸収し、染料及び顔料を添加した系でも硬化可能なアシルホスフィンオキシドが特に好ましい。

（Ｄ）シリカ
無機フィラーとしてのシリカは、硬化後の硬化性保護膜形成層の熱膨張係数をウエハの熱膨張係数に近づける機能を有し、これにより加工途中のウエハの反りを低減することができる。
このようなシリカは、特に限定されないが、平均粒径が、０．１〜１０μｍの球状合成シリカが好ましい。

シリカの添加量は、一般に、（Ａ）バインダーポリマー成分と、（Ｂ）エネルギー線硬化性成分の合計１００質量部に対して、好ましくは１００〜７００質量部、より好ましくは２００〜４００質量部が適当である。

（Ｅ）染料および顔料
染料および／または顔料は、主として硬化被膜（保護膜）に形成されるレーザマーキングの印字の認識性を向上するために添加される。この顔料としては、例えばアゾ系の黒色の有機顔料が用いられるが、これに限定されず顔料としては、カーボンブラックや、各種の無機顔料が挙げられる。また、顔料としては、インダスレン系、インドフェノール系、フタロシアニン系などの各種有機顔料が挙げられる。

染料と顔料の添加量は、その種類により様々であるが、一般に、（Ａ）バインダーポリマー成分と（Ｂ）エネルギー線硬化性成分の合計１００質量部に対して、好ましくは１〜５０質量部、より好ましくは３〜２５質量部が適当である。

（Ｆ）その他の成分
エネルギー線硬化型保護膜形成層には、上記成分のほかに、必要に応じて、架橋剤、カップリング剤、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、応力緩和剤としてブタジエン系ゴムやシリコーンゴム等を含有させることができる。また、エポキシ樹脂やその熱硬化のためのフェノール樹脂及び潜在性硬化剤を含有させてもよい。

架橋剤は、硬化前の凝集力を調節するためのものであり、有機多価イソシアナート化合物、有機多価イミン化合物、有機金属キレート化合物等が挙げられる。

カップリング剤は、硬化被膜の耐熱性を損なわずに、接着性や密着性を向上させ、また耐水性（耐湿熱性）も向上させる。カップリング剤には、その汎用性とコスト面等から、シラン系（シランカップリング剤）が好ましい。

＜製造方法＞
次に、本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの製造方法を説明する。
本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムは、第１の剥離フィルムの剥離面上に、上述したエネルギー線硬化型保護膜形成層を構成する各成分を含む組成物を、ロールナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなどの一般に公知の方法に準じて直接または転写により塗工して、乾燥させることで得ることができる。上記の組成物は、必要に応じて、溶剤に溶解しまたは分散させて塗布しても良い。次に、保護膜形成層の上に、第２の剥離シートを貼り合わせる。これにより、図１に示す３層構成のチップ保護用フィルムを得ることができる。

エネルギー線硬化型保護膜形成層の厚さは、好ましくは３〜３００μｍとするのがよい。エネルギー線硬化型保護膜形成層の厚さが薄すぎると、保護と補強効果が得にくく、また色むら等の問題が発生しやすくなる。また、厚すぎると、エネルギー線照射のみではフィルム全体を硬化させることが難しくなる。

＜使用方法＞
次に、本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの使用方法の一例を説明する。
まず、図１に示す第１の剥離フィルム１Ａを剥離した後、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム１０のエネルギー線硬化型保護膜形成層２を、ローラ１０２を用いてウエハ１００の裏面１０１に５０〜１００℃、０．０５〜０．５ＭＰａで加熱・加圧した状態で貼り合わせる。このときの保護膜形成層２のウエハからの剥離力Ａは、剥離フィルム１Ｂからの剥離力Ｂよりも小さい。

次に、図４（ａ）に示すように、例えばＵＶランプ５を用いて、１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射し、保護膜形成層２を硬化させる。この硬化処理によって、保護膜形成層２の剥離フィルムからの剥離力Ｂが急激に低下し、ウエハからの剥離力Ａが、剥離力Ｂよりも大きくなる。

次に、図４（ｂ）に示すように、エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム１０をウエハ１００の裏面１０１から剥離する。このとき、保護膜形成層２のウエハからの剥離力Ａが、剥離フィルム１Ｂからの剥離力Ｂよりも大きいことから、図４（ｃ）に示すように、エネルギー線硬化型保護膜形成層のウエハ裏面との接触部分はウエハ裏面に転写され、その他の部分は剥離フィルム１Ｂ上に残った状態でウエハ裏面から剥離される。すなわち、チップ保護用フィルム１０側に残った保護膜形成層２には円形穴２Ｈが形成され、半導体ウエハ１００の裏面１０１のみに硬化性保護膜形成層２を転写することができる。したがって、従来行われていたチップ保護用フィルムの余分な部分を切断、除去する工程が不要となり、ウエハへの貼り付け作業の効率化を図ることができる。また、従来の切断工程において発生していたウエハの破損を生じさせることもない。
その後、得られた保護膜付きウエハをダイシングすることにより、保護用フィルムで保護されたチップを得ることができる。

次に、一旦ウエハ１００の裏面１０１に貼り付けたエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを再剥離し、貼り直す場合について説明する。
まず、一方の剥離フィルム１Ａを剥離した後、図５（ａ）に示すように、エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム１０のエネルギー線硬化型保護膜形成層２を、ウエハ１００の裏面に５０〜１００℃、０．０５〜０．５ＭＰａで加熱・加圧した状態で貼り合わせる。このとき、保護膜形成層２のウエハ１００からの剥離力Ａは、剥離フィルム１Ｂからの剥離力Ｂよりも小さいことから、図５（ｂ）に示すように、エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム１０をウエハ１００の裏面１０１から剥離すると、保護膜形成層２は、図５（ｃ）に示すように、ウエハ裏面Ｗに転写されることなく、ウエハＷ裏面から剥離される。このように、硬化前であればエネルギー線硬化型保護膜形成層をウエハ裏面から剥離することができるので、ウエハ裏面への貼り直しを自由に行うことができる。

次に、本発明を本発明の実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明は、以下に説明する実施例に限定されない。

（実施例１〜４および比較例１〜５）
表１に、実施例１〜４のエネルギー線硬化型保護膜形成層の組成、使用した剥離シートの種類、ＵＶ硬化前後での保護膜形成層の剥離フィルムからの剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）、ＵＶ硬化前後での保護膜形成層のウエハからの剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）、剥離フィルムの表面粗さＲｚ、リペア性、及び保護膜形成層の転写性を示す。
また、表２に、比較例１〜５のエネルギー線硬化型保護膜形成層の組成、使用した剥離シートの種類、ＵＶ硬化前後での保護膜形成層の剥離フィルムからの剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）、ＵＶ硬化前後での保護膜形成層のウエハからの剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）、剥離フィルムの表面粗さＲｚ、リペア性、及び保護膜形成層の転写性を示す。

表１及び表２に記載のＵＶ硬化型及び熱硬化型の各保護膜形成層の組成は、それぞれ下記のとおりである。なお、表１及び表２における数値の単位はいずれも質量部である。
（ＵＶ硬化型）
ポリマー成分［重量平均分子量８０万、ガラス転移温度１０℃のアクリル系共重合体］
１００部
ＵＶ硬化性成分［エポキシアクリレート（ビスＡ系）］１００部
光重合開始剤［アシルホスフィンオキシド系］４部
シリカ［球状合成シリカ（平均粒径１．２μｍ）］３００部
染料および顔料［黒色顔料（アゾ系）］５部
（熱硬化型）
ポリマー成分［重量平均分子量８０万、ガラス転移温度１０℃のアクリル系共重合体］
１００部
熱硬化性成分［ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂］１００部
硬化剤［ジシアンジアミド］５部
硬化促進剤［２−メチルイミダゾール］０．５部
シリカ［球状合成シリカ（平均粒径１．２μｍ）］３００部
染料および顔料［黒色顔料（アゾ系）］５部

表１及び表２に示す組合せに従って、保護膜形成層用塗布液を、厚さ３８μｍの第１の剥離フィルム上に、乾燥膜厚が３０μｍとなるように１３０°、３分で塗布乾燥したのち、その上に同じ種類の第２の剥離フィルムを貼り合わせ、第１の剥離フィルム／エネルギー線硬化型保護膜形成層／第２の剥離フィルムからなる３層構成のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを作製した。

各エネルギー線硬化型チップ保護用フィルムについて、下記の測定方法により、対フィルム剥離力、対ウエハ剥離力、及び１０点表面粗さＲｚを測定した。また、下記の評価方法により、リペア性（再剥離性）、保護膜形成層の転写性、及びレーザーマーク認識性を評価した。結果を、表１及び表２に併せて示す。

＜対ウエハ剥離力（剥離力Ａ）＞
エネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを２５ｍｍ幅にカットし、第１の剥離フィルムを剥離した側をウエハに７０℃の加熱温度にて貼り合わせた。ＵＶ照射（照射量１，０００ｍＪ／ｃｍ^２）前後での保護膜形成層のウエハからの剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）を、引張試験機（ＪＩＳＢ７７２１）を使用し、ＪＩＳＺ０２３７に準拠した９０°剥離法で引張速さ５０ｍｍ／ｍｉｎにて測定した。

＜対剥離フィルム剥離力（剥離力Ｂ）＞
エネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを２５ｍｍ幅にカットし、ＵＶ照射（照射量１，０００ｍＪ／ｃｍ^２）前後での保護膜形成層の第２の剥離フィルムからの剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）を、引張試験機（ＪＩＳＢ７７２１）を使用し、Ｔ字剥離法で引張速さ３００ｍｍ／ｍｉｎにて測定した。

＜表面粗さＲｚ＞
１０点平均表面粗さＲｚは、ＪＩＳＢ０６０１に準じて、触針式測定器（ＴＥＮＣＯＲ製）を使用して測定した。

＜リペア性＞
エネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの第１の剥離フィルムを剥離し、保護膜形成層をウエハに７０℃の加熱温度にて貼り合わせた。その後、第２の剥離フィルムと保護膜形成層を剥離し、ウエハから保護膜形成層が再剥離可能かどうかを確認した。保護膜形成層がウエハ面積の９０％以上剥離したものを○、３０％以上９０％未満剥離したものを△、３０％未満を×として評価した。

＜保護膜形成層の転写性＞
エネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの第１の剥離フィルムを剥離し、保護膜形成層をウエハに７０℃の加熱温度にて貼り合わせた。第２の剥離フィルム側からＵＶ照射（照射量１，０００ｍＪ／ｃｍ^２）した後、第２の剥離フィルムと保護膜形成層を剥離し、ウエハ部分のみに保護膜形成層が転写し、バリの発生の有無を確認した。発生したバリ部がウエハの外周部の２％以下であるものを○、２％超〜１０％未満であるものを△、１０％以上であるものを×として評価した。

＜レーザーマーク認識性＞
保護膜形成層の第１の剥離フィルムを剥離し、保護膜形成層をウエハに貼り合わせ、第２の剥離フィルム側から紫外線照射機を用いて紫外線を１，０００ｍＪ／ｃｍ^２照射（照度４０ｍＷ／ｃｍ^２を２５秒）した。その後、第２の剥離フィルムを剥離し、レーザーマーキングを行った（キーエンス製：ＭＬ−Ｇ９３２０使用、文字高さ０．７５ｍｍ、文字幅０．５ｍｍ）。その後、レーザーマーキングの印字の認識性を顕微鏡により観察した。
認識性の評価は、顕微鏡搭載のＣＣＤカメラを用いて行った。ＣＣＤカメラによるコントラスト値が８０％を超えるものを○、８０％以下３０％以上のものを△、３０％未満のものを×とした。

本発明の実施例１〜４では、ＵＶ照射前ではウエハからのリペア可能であり、ＵＶ照射後ではウエハ部のみに保護膜形成層の転写が可能であった。
これに対し、熱硬化型の保護膜形成層である比較例１〜３では、ＵＶ照射前後で剥離フィルムからの剥離力、ウエハからの剥離力に差がないため、リペア性及び転写性の両立が不可であった。また、ＵＶ硬化型の保護膜形成層である比較例４では、剥離フィルムからの剥離力が小さすぎるためにリペア性がなく、比較例５では、剥離フィルムからの剥離力が大きすぎるために転写することができなかった。

本発明の第１の実施形態に係るエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを示す断面図である。本発明の第２の実施形態に係るエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを示す断面図である。本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの使用方法を説明するための図（その１）である。本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの使用方法を説明するための図（その２）である。本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの使用方法を説明するための斜視図（その３）である。

符号の説明

１Ａ、１Ｂ、１Ｃ剥離フィルム
２エネルギー線硬化型保護膜形成層
１０，１０Ａエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム

Claims

ウエハの回路形成面の裏面に貼り付けられるエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムであって、
剥離フィルムと、該剥離フィルム上に形成されたエネルギー線硬化型保護膜形成層とを有し、
前記エネルギー線硬化型保護膜形成層をウエハに貼合した際のウエハからの剥離力をＡ、前記エネルギー線硬化型保護膜形成層の前記離型フィルムからの剥離力をＢとしたときに、エネルギー線による硬化前はＡ＜Ｂ、硬化後はＡ＞Ｂの関係を満たすことを特徴とするエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。
前記剥離力Ａが、前記エネルギー線硬化型保護膜形成層を５０〜１００℃で加熱貼合した際のウエハからの剥離力であることを特徴とする請求項１に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。
前記剥離力Ｂが、エネルギー線による硬化前で１．０Ｎ／２５ｍｍ以上であり、硬化後で０．０１〜１．０Ｎ／２５ｍｍの範囲であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。
前記剥離力Ｂが、エネルギー線による硬化前で１．０Ｎ／２５ｍｍ以上であり、硬化後で０．１〜０．５Ｎ／２５ｍｍの範囲であることを特徴とする請求項３に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。
前記剥離フィルムが、少なくとも前記エネルギー線硬化型保護膜形成層との接触面に異接着処理が施されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか1項に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。
前記エネルギー線硬化型保護膜形成層側の前記剥離フィルムの表面粗さＲｚが、０．５〜１０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。