JPWO2017077809A1 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
この構成によれば、バンプ付ウエハのバンプ形成面に、エネルギー線硬化性樹脂層を形成できる。また、このエネルギー線硬化性樹脂層を硬化させることで、バンプ付ウエハのバンプ形成面に第1保護膜を形成できる。このエネルギー線硬化性樹脂層は、エネルギー線により短時間で硬化させることができるので、効率よく第1保護膜を形成できる。そして、第1保護膜を有するバンプ付ウエハをダイシングすることで、第1保護膜を有するバンプ付チップが得られる。このようにして、バンプ付チップのバンプ形成面が保護された半導体装置を製造できる。
この構成によれば、バンプ付ウエハのバンプ形成面とは反対側の面に、第2保護膜形成層を形成できる。また、貼り合わせた第2支持シートによりバンプ付ウエハを支持しながら、バンプ付ウエハをダイシングできる。
この構成によれば、バンプ付ウエハのバンプ形成面とは反対側の面(裏面)に、第2保護膜形成層を形成すると共に、第2支持シートも形成できる。このように、第2保護膜形成層と第2支持シートとを一つの工程で形成できるので、製造効率を向上できる。また、この第2支持シートによりバンプ付ウエハを支持しながら、バンプ付ウエハをダイシングできる。
この構成によれば、第2保護膜形成層を硬化させて、第2保護膜を形成することで、バンプ付チップの裏面が保護された半導体装置を製造できる。
この構成によれば、第1保護膜を有するバンプ付チップをボンディングすることで、バンプ付チップのバンプ形成面が保護された半導体装置を製造できる。
この構成によれば、バンプ付ウエハを加工している間は、第1支持シートとエネルギー線硬化性樹脂層との間を強固に固定できる。一方で、バンプ付ウエハの加工後には、第1支持シートを、エネルギー線硬化性樹脂層または第1保護膜から容易に剥離できる。
このように、第1保護膜はバンプの一部分を少なくとも覆うので、実装後のバンプ付チップに発生するバンプの付根部のクラックの発生を防止できる。
以下、本発明について実施形態を例に挙げて、図面に基づいて説明する。本発明は実施形態の内容に限定されない。なお、図面においては、説明を容易にするために拡大または縮小をして図示した部分がある。
まず、本実施形態に用いる第1保護膜形成用シートおよびバンプ付ウエハについて説明する。この第1保護膜形成用シートは、バンプ付ウエハのバンプ形成面に、第1保護膜を形成するためのシートである。
本実施形態に用いる第1保護膜形成用シート1は、図1に示すように、第1基材111および第1粘着剤層112を備える第1支持シート11と、エネルギー線硬化性樹脂層12と、を備えている。なお、エネルギー線硬化性樹脂層12の表面は、ウエハに貼着されるまでの間、剥離フィルムなどにより保護されていてもよい。
また、第1支持シート11は、その使用目的に応じて適宜選択できる。例えば、第1支持シート11がバックグラインドの際の支持を目的とする場合には、公知のバックグラインドテープを用いることができる。
プラスチックフィルムとしては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、およびフッ素樹脂フィルムなどが挙げられる。これらのフィルムは、単層フィルムであってもよく、積層フィルムであってもよい。また、積層フィルムの場合には、1種のフィルムを積層してもよく、2種以上のフィルムを積層してもよい。
第1基材111の厚みは、通常、5μm以上1000μm以下であり、好ましくは、10μm以上500μm以下である。
このような第1粘着剤層112により、被着体を加工している間は第1支持シート11とエネルギー線硬化性樹脂層12の間を強固に固定し、その後、エネルギー線硬化性樹脂層12を被着体に固着残存させて第1支持シート11から剥離することが容易となる。なお、第1粘着剤層112がエネルギー線硬化型の場合、第1粘着剤層112に、紫外線などのエネルギー線を照射することで硬化させると、第1粘着剤層112の凝集力が高まり、第1粘着剤層112とエネルギー線硬化性樹脂層12との間の粘着力を低下または消失させることができる。
第1粘着剤層112の厚みは、通常、1μm以上500μm以下であり、好ましくは、3μm以上100μm以下である。
エネルギー線硬化性化合物は、エネルギー線重合性基を含み、エネルギー線の照射を受けると重合硬化する。このようなエネルギー線硬化性化合物としては、エネルギー線重合性低分子化合物およびエネルギー線硬化型重合体が挙げられる。なお、エネルギー線としては、紫外線(UV)および電子線(EB)などが挙げられる。これらの中でも、紫外線が好ましい。
エネルギー線硬化型重合体としては、公知のエネルギー線硬化型重合体を用いることができる。例えば、バインダーポリマーの主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型重合体が挙げられる。
また、エネルギー線硬化性樹脂組成物は、連鎖移動剤、着色剤、フィラー、バインダーポリマー成分、および熱硬化性成分などの各種添加成分を含有していてもよい。
エネルギー線硬化性樹脂層12の厚みは、通常、1μm以上500μm以下であり、好ましくは、3μm以上100μm以下である。
本実施形態に用いるバンプ付ウエハ2は、図2に示すように、半導体ウエハ21と、バンプ22と、を備えている。なお、バンプ22は、半導体ウエハ21の回路のある側に形成される。また、以下場合により、バンプ付ウエハ2のバンプ22の形成されている面を、バンプ形成面2Aをいい、バンプ付ウエハ2のバンプ22の形成されていない面を、裏面2Bという。
半導体ウエハ21の厚みは、通常、10μm以上1000μm以下であり、好ましくは、50μm以上750μm以下である。
バンプ22の高さは、通常、5μm以上1000μm以下であり、好ましくは、50μm以上500μm以下である。
バンプ22の側方から見た断面形状は、特に限定されないが、半円形、半楕円形、円形、三角形、長方形または台形などであってもよい。
バンプ22の種類としては、特に限定されないが、ボールバンプ、マッシュルームバンプ、スタッドバンプ、コーンバンプ、シリンダーバンプ、ドットバンプ、およびキューブバンプなどが挙げられる。
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図3A〜図3Eは、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す説明図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、先ず、図3Aに示すように、第1支持シート11およびエネルギー線硬化性樹脂層12を備える第1保護膜形成用シート1のエネルギー線硬化性樹脂層12を、バンプ付ウエハ2のバンプ形成面2Aに、貼り合わせる工程(第1保護膜形成用シート貼着工程)を備える方法により、バンプ付ウエハ2のバンプ形成面2Aにエネルギー線硬化性樹脂層12を形成する。
次に、図3Bに示すように、バンプ付ウエハ2の裏面2Bに第2支持シート3の第2粘着剤層32を貼り合わせる工程(第2支持シート貼着工程)を行う。その後、図3Cに示すように、エネルギー線硬化性樹脂層12にエネルギー線を照射して硬化させて、第1保護膜12aを形成する工程(第1保護膜形成工程)と、第1支持シート11を剥離する工程(第1支持シート剥離工程)とを行う。これらの工程を備える方法により、第1支持シート11を、硬化後の第1保護膜12aから剥離する。
次いで、図3Dおよび図3Eに示すように、第1保護膜12aを有するバンプ付ウエハ2をダイシングする工程(ダイシング工程)と、ダイシングして個片化された、第1保護膜12aを有するバンプ付チップ2aをピックアップし、被着体である基板4にボンディングする工程(ボンディング工程)とを行う。これらの工程を備える方法により、バンプ付チップ2aのバンプ形成面2Aが保護された半導体装置100を製造する。
以下、第1保護膜形成用シート貼着工程、第2支持シート貼着工程、第1保護膜形成工程、第1支持シート剥離工程、ダイシング工程およびボンディング工程について、より詳細に説明する。
ここで、貼着方法としては公知の方法を採用でき、特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロールなどにより押圧しながら行われる。圧着の条件は特に限定されないが、圧着温度は、40℃以上120℃以下が好ましい。ロール圧力は、0.1MPa以上20MPa以下が好ましい。圧着速度は、1mm/sec以上20mm/sec以下が好ましい。
ここで、貼着方法としては公知の方法を採用でき、特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロールなどにより押圧しながら行われる。圧着の条件は、特に限定されず、適宜設定できる。
第2支持シート3は、公知の支持シートを用いることができ、第1支持シート11と同様の支持シートを用いることができる。また、第2支持シート3は、その使用目的に応じて適宜選択できる。例えば、第2支持シート3がダイシングの際の支持を目的とする場合には、公知のダイシングテープを用いることができる。
ここでは、第2支持シート3は、第2基材31と、第2粘着剤層32とを備えているが、第2粘着剤層32がなくてもよい。第2基材31および第2粘着剤層32は、第1保護膜形成用シート1における第1基材111および第1粘着剤層112と同様である。
照射するエネルギー線は、エネルギー線硬化性樹脂層12の種類に応じて異なり、特に限定されない。例えば、エネルギー線硬化性樹脂層12が紫外線で硬化する場合には、エネルギー線として、紫外線を照射すればよい。
このような場合、紫外線照射装置は、特に限定されず、公知の紫外線照射装置を用いることができる。
第1保護膜形成用シート1に対する紫外線の照射条件については、光量が、50mJ/cm2以上2000mJ/cm2以下であることが好ましく、100mJ/cm2以上1000mJ/cm2以下であることがより好ましい。また、照度は、50mW/cm2以上500mJ/cm2以下であることが好ましい。光源としては、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、DeepUVランプ、および紫外線LEDなどが挙げられる。ピーク波長は、180nm以上420nm以下であることが好ましい。
なお、この第1支持シート剥離工程は、前記第1保護膜形成工程の前に行ってもよいが、前記第1保護膜形成工程の前に行うことがより好ましい。第1粘着剤層112が紫外線硬化性を有する場合には、前記第1保護膜形成工程で、第1支持シート11側から紫外線を照射することで、第1粘着剤層112が硬化する。これにより、第1粘着剤層112と第1保護膜12aとの界面の接着力が低下して、第1粘着剤層112を第1保護膜12aから剥離しやすくなる。
ダイシング装置は、特に限定されず、公知のダイシング装置を用いることができる。また、ダイシングの条件についても、特に限定されない。なお、ダイシングブレードの代わりに、レーザーダイシング法およびステルスダイシング法などを用いてもよい。
第2粘着剤層32が紫外線硬化型の場合、ダイシング工程の後には、第2支持シート3の第2粘着剤層32に、第2支持シート3側から紫外線を照射してもよい。これにより、第2粘着剤層32が硬化し、第2粘着剤層32とバンプ付チップ2aとの界面の接着力が低下して、バンプ付チップ2aをピックアップしやすくなる。
基板4としては、特に限定されないが、リードフレーム、配線基板、並びに、表面に回路が形成されたシリコンウエハおよびシリコンチップなどを用いることができる。チップ搭載用基板41の材質としては、特に限定されないが、セラミックおよびプラスチックなどが挙げられる。また、プラスチックとしては、エポキシ、ビスマレイミドトリアジン、およびポリイミドなどが挙げられる。
以上のようにして、バンプ付チップ2aのバンプ形成面2Aが第1保護膜12aにより保護された半導体装置100を製造することができる。
本実施形態によれば、次のような作用効果を奏することができる。
(1)第1保護膜12aを有するバンプ付ウエハ2をダイシングすることで、第1保護膜12aを有するバンプ付チップ2aが得られる。第1保護膜12aを有するバンプ付チップ2aをボンディングすることで、バンプ付チップ2aのバンプ形成面2Aが第1保護膜12a(バンプ形成面保護膜)により保護された半導体装置100を製造できる。
(2)エネルギー線硬化性樹脂層12は、エネルギー線により短時間で硬化させることができるので、効率よく第1保護膜12aを形成できる。
(3)第1基材111とエネルギー線硬化性樹脂層12との間に第1粘着剤層112を備えるので、第2支持シート貼着工程および第1保護膜形成工程では、第1支持シート11とエネルギー線硬化性樹脂層12との間を強固に固定できる。一方で、第1支持シート剥離工程では、第1支持シート11を、第1保護膜12aから容易に剥離できる。
(4)第1保護膜12aはバンプ22の一部分を少なくとも覆うので、実装後のバンプ付チップ2aに発生するバンプ22のクラックの発生を防止できる。
(5)第2支持シート3によりバンプ付ウエハ2を支持しながら、バンプ付ウエハ2をダイシングできる。
次に、本発明の第2実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態の第1保護膜形成用シート1および基板4は、前記第1実施形態における第1保護膜形成用シート1および基板4とそれぞれ実質的に同様であるから、その詳細な説明は省略または簡略化する。
第2実施形態に係る半導体装置の製造方法では、前記第1実施形態と比較して、第2保護膜形成層を、前記バンプ付ウエハのバンプ形成面とは反対側の面に、形成する工程と、第2支持シートを、前記第2保護膜形成層に、貼り合わせる工程と、をさらに備えている。この第2保護膜形成層を硬化させて、第2保護膜を形成することで、バンプ付チップのバンプ形成面とは反対側の面(裏面2B)を保護できる。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、先ず、図4Aに示すように、第1支持シート11およびエネルギー線硬化性樹脂層12を備える第1保護膜形成用シート1のエネルギー線硬化性樹脂層12を、バンプ付ウエハ2のバンプ形成面2Aに、貼り合わせる工程(第1保護膜形成用シート貼着工程)を備える方法により、バンプ付ウエハ2のバンプ形成面2Aにエネルギー線硬化性樹脂層12を形成する。
次に、図4Bに示すように、バンプ付ウエハ2の裏面2Bを研削する工程(バックグラインド工程)を行う。そして、図4Cに示すように、研削後のバンプ付ウエハ2の裏面2Bに第2保護膜形成層5を形成する工程(第2保護膜形成工程)を行う。
次に、図4Dに示すように、バンプ付ウエハ2の裏面2B側にある第2保護膜形成層5に第2支持シート3の第2粘着剤層32を貼り合わせる工程(第2支持シート貼着工程)を行う。その後、図4Eに示すように、エネルギー線硬化性樹脂層12にエネルギー線を照射して硬化させて、第1保護膜12aを形成する工程(第1保護膜形成工程)と、第1支持シート11を剥離する工程(第1支持シート剥離工程)とを行う、これら工程を備える方法により、第1支持シート11を、硬化後の第1保護膜12aから剥離する。
次いで、図4Fおよび図4Gに示すように、第1保護膜12aを有するバンプ付ウエハ2をダイシングする工程(ダイシング工程)と、ダイシングして個片化された、第1保護膜12aを有するバンプ付チップ2aをピックアップし、被着体である基板4にボンディングする工程(ボンディング工程)とを行う。これらの工程を備える方法により、バンプ付チップ2aのバンプ形成面2Aおよび裏面2Bが保護された半導体装置100を製造する。
バックグラインドに用いる研削装置は、特に限定されず、公知の研削装置を用いることができる。また、バックグラインドの条件についても、特に限定されない。
第2保護膜形成層5は、公知の熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物、または、公知のエネルギー線硬化性化合物を含有するエネルギー線硬化性樹脂組成物を用いて形成することができる。
第2保護膜形成層5の形成方法は、特に限定されず、例えば、公知の裏面保護フィルムを用いて形成してもよい。
第2保護膜形成層5を硬化させる条件は、第2保護膜形成層5の種類に応じて異なり、特に限定されない。例えば、第2保護膜形成層5が紫外線で硬化する場合には、紫外線を照射すればよい。また、第2保護膜形成層5が加熱により硬化する場合には、加熱処理を施せばよい。
また、第2保護膜形成層5を硬化させて、第2保護膜5aを形成する工程は、第2保護膜形成層5の形成後であれば、いつでもよい。第2保護膜5aを形成する工程は、例えば、第1支持シート剥離工程の前に行えばよい。第1保護膜形成工程で第1支持シート11側から紫外線を照射する場合には、第2支持シート3側からも同時に紫外線を照射すれば、一つの工程とすることができ、製造効率の点で好ましい。なお、第2保護膜5aを形成する工程は、第2支持シート貼着工程の前でもよいし、ダイシング工程の前でもよいし、或いは、ボンディング工程の前でもよい。
貼着方法としては、前記第1実施形態における第2支持シート貼着工程での貼着方法と同様の方法を採用できる。
本実施形態によれば、前記第1実施形態の作用効果(1)〜(5)の他に、次のような作用効果を奏することができる。
(6)バンプ付ウエハ2のバンプ形成面2Aとは反対側の面(裏面2B)に、第2保護膜形成層5を形成できる。そして、第2保護膜形成層5を硬化させて、第2保護膜5aとすることで、バンプ付チップ2aの裏面2Bを第2保護膜5a(裏面保護膜)により保護できる。
(7)第1支持シート11によりバンプ付ウエハ2を支持しながら、バンプ付ウエハ2の裏面2Bを研削できる。そして、バンプ付ウエハ2の厚みを薄くすることができる。
次に、本発明の第3実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態の第1保護膜形成用シート1および基板4は、前記第1実施形態における第1保護膜形成用シート1および基板4とそれぞれ実質的に同様であるから、その詳細な説明は省略または簡略化する。
第3実施形態に係る半導体装置の製造方法では、前記第2実施形態と比較して、第2支持シートおよび第2保護膜形成層を備える第2保護膜形成用シートを用いて、第2支持シートおよび第2保護膜形成層を一つの工程で形成する点で相違する。
まず、本実施形態に用いる第2保護膜形成用シートについて説明する。
本実施形態に用いる第2保護膜形成用シート6は、図5に示すように、第2基材31および第2粘着剤層32を備える第2支持シート3と、第2保護膜形成層5と、を備えている。なお、第2保護膜形成層5の表面は、ウエハに貼着されるまでの間、剥離フィルムなどにより保護されていてもよい。
なお、第2支持シート3と、第2保護膜形成層5とは、図5に示すように、同じサイズであってもよいが、これに限定されない。例えば、第2保護膜形成層5のサイズは、バンプ付ウエハ2と同じサイズか、或いは、バンプ付ウエハ2より大きいサイズであってもよい。この場合、第2支持シート3のサイズは、第2保護膜形成層5より大きいサイズであればよい。
第2保護膜形成層5は、前記第2実施形態における第2保護膜形成層5と同様である。
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図6A〜図6Fは、第3実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す説明図である。
次に、図6Bに示すように、バンプ付ウエハ2の裏面2Bを研削する工程(バックグラインド工程)を行う。そして、図6Cに示すように、第2支持シート3および第2保護膜形成層5を備える第2保護膜形成用シート6の第2保護膜形成層5を、研削後のバンプ付ウエハ2の裏面2Bに、貼り合わせる工程(第2保護膜形成用シート貼着工程)を備える方法により、バンプ付ウエハ2の裏面2Bに第2保護膜形成層5を形成する。
次に、図6Dに示すように、エネルギー線硬化性樹脂層12にエネルギー線を照射して硬化させて、第1保護膜12aを形成する工程(第1保護膜形成工程)と、第1支持シート11を剥離する工程(第1支持シート剥離工程)とを行う。これらの工程を備える方法により、第1支持シート11を、硬化後の第1保護膜12aから剥離する。
次いで、図6Eおよび図6Fに示すように、第1保護膜12aを有するバンプ付ウエハ2をダイシングする工程(ダイシング工程)と、ダイシングして個片化された、第1保護膜12aを有するバンプ付チップ2aをピックアップし、被着体である基板4にボンディングする工程(ボンディング工程)とを行う。これらの工程を備える方法により、バンプ付チップ2aのバンプ形成面2Aおよび裏面2Bが保護された半導体装置100を製造する。
本実施形態におけるバックグラインド工程については、前記第2実施形態におけるバックグラインド工程と同様の方法を採用できる。
ここで、貼着方法としては公知の方法を採用でき、特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロールなどにより押圧しながら行われる。圧着の条件は特に限定されないが、圧着温度は、40℃以上120℃以下が好ましい。ロール圧力は、0.1MPa以上20MPa以下が好ましい。圧着速度は、1mm/sec以上20mm/sec以下が好ましい。
本実施形態によれば、前記第1実施形態の作用効果(1)〜(5)、並びに、前記第2実施形態の作用効果(6)および(7)の他に、次のような作用効果を奏することができる。
(8)第2保護膜形成層5と第2支持シート3とを一つの工程で形成できるので、製造効率を向上できる。
本発明は前述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれる。
例えば、前述の実施形態では、第1支持シート11(第1基材111および第1粘着剤層112)と、エネルギー線硬化性樹脂層12とを備える第1保護膜形成用シート1を用いているが、これに限定されない。例えば、第1保護膜形成用シート1としては、下記(i)〜(viii)に示すような積層シートが挙げられる。なお、スラッシュは層の区切りを示している。
(i) 第1基材/エネルギー線硬化性樹脂層
(ii) 第1基材/第1粘着剤層/エネルギー線硬化性樹脂層
(iii) 第1基材/中間層/エネルギー線硬化性樹脂層
(iv) 第1基材/中間層/第1粘着剤層/エネルギー線硬化性樹脂層
(v) 最外層/第1基材/エネルギー線硬化性樹脂層
(vi) 最外層/第1基材/第1粘着剤層/エネルギー線硬化性樹脂層
(vii) 最外層/第1基材/中間層/エネルギー線硬化性樹脂層
(viii) 最外層/第1基材/中間層/第1粘着剤層/エネルギー線硬化性樹脂層
ここで、中間層としては、緩衝層、易接着コート層および帯電防止層などが挙げられる。中間層の材質としては、特に限定はされず、たとえばアクリル系、ゴム系、シリコーン系などの各種の粘着剤組成物、および紫外線硬化型樹脂、並びに、熱可塑性エラストマーなどが用いられる。最外層としては、易滑性コート層、緩衝層および帯電防止層などが挙げられる。また、第1基材の積層面(エネルギー線硬化性樹脂層、第1粘着剤層または中間層が積層される面)には、表面処理が施されていてもよい。
(i) 第2基材/被着物
(ii) 第2基材/第2粘着剤層/被着物
(iii) 第2基材/中間層/被着物
(iv) 第2基材/中間層/第2粘着剤層/被着物
(v) 最外層/第2基材/被着物
(vi) 最外層/第2基材/第2粘着剤層/被着物
(vii) 最外層/第2基材/中間層/被着物
(viii) 最外層/第2基材/中間層/第2粘着剤層/被着物
ここで、中間層としては、易接着コート層、緩衝層および帯電防止層などが挙げられる。また、中間層の材質としては、第1支持シート11での中間層と同様である。最外層としては、易滑性コート層、緩衝層および帯電防止層などが挙げられる。また、第2基材の積層面(被着物、第2粘着剤層または中間層が積層される面)には、表面処理が施されていてもよい。
前述の第1実施形態では、バックグラインド工程を行っていないが、これに限定されない。例えば、第1保護膜形成用シート貼着工程の後に、バックグラインド工程を行ってもよい。この場合、第1支持シート11によりバンプ付ウエハ2を支持しながら、バンプ付ウエハ2の裏面2Bを研削できる。そして、バンプ付ウエハ2の厚みを薄くすることができる。
前述の第2実施形態では、第2保護膜形成層5からなるシートを研削後のバンプ付ウエハ2の裏面2Bに貼り合わせているが、これに限定されない。例えば、樹脂組成物を研削後のバンプ付ウエハ2の裏面2Bに塗布し、硬化させることにより、第2保護膜形成層5を形成してもよい。
Claims (6)
- 第1支持シートおよびエネルギー線硬化性樹脂層を備える第1保護膜形成用シートの前記エネルギー線硬化性樹脂層を、複数のバンプが形成されているバンプ付ウエハのバンプ形成面に、貼り合わせる工程と、
前記エネルギー線硬化性樹脂層にエネルギー線を照射して硬化させて、第1保護膜を形成する工程と、
前記第1支持シートを剥離する工程と、
前記第1保護膜を有する前記バンプ付ウエハをダイシングする工程と、を備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
第2保護膜形成層を、前記バンプ付ウエハのバンプ形成面とは反対側の面に、形成する工程と、
第2支持シートを、前記第2保護膜形成層に、貼り合わせる工程と、をさらに備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
第2支持シートおよび第2保護膜形成層を備える第2保護膜形成用シートの前記第2保護膜形成層を、前記バンプ付ウエハのバンプ形成面とは反対側の面に、貼り合わせる工程を、さらに備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2または請求項3に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2保護膜形成層を硬化させて第2保護膜を形成する工程を、さらに備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
ダイシングして個片化された、前記第1保護膜を有するバンプ付チップを、ボンディングする工程を、さらに備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1支持シートが、第1基材および第1粘着剤層を備え、
前記第1粘着剤層が、前記エネルギー線硬化性樹脂層と接している
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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