WO2022210705A1 - 樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法、及び、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置 - Google Patents

樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法、及び、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置 Download PDF

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拓 根本
章生 加太
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    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film, and an apparatus for manufacturing a singulated workpiece with a resin film.
  • a method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film in which a resin film is formed on the surface opposite to the circuit surface of a workpiece such as a semiconductor chip, and machining of a singulated workpiece with a resin film. It is related with the manufacturing apparatus of a thing.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2021-062250 filed in Japan on March 31, 2021, the content of which is incorporated herein.
  • a semiconductor chip with a resin film containing an organic material (semiconductor chip with a resin film) on the surface (back surface) opposite to the circuit surface of the semiconductor chip is sometimes handled.
  • the resin film include a thermoset product of a thermosetting resin film-forming film. After attaching the film, the thermosetting resin film-forming film is thermally cured and the semiconductor wafer is separated into semiconductor chips, thereby fabricating semiconductor chips with a resin film.
  • a semiconductor chip that does not have bumps on its circuit surface is the most commonly used one, and the back surface of the semiconductor chip is usually used as the resin film forming film for die-bonding the semiconductor chip to the circuit forming surface of the substrate.
  • a film adhesive is provided. That is, the film for resin film formation in this case is a film adhesive.
  • semiconductor devices have been manufactured using a mounting method called the so-called facedown method.
  • the face-down method a semiconductor chip having protruding electrodes such as bumps on a circuit surface is used, and the protruding electrodes are joined to a substrate. Therefore, the back surface of the semiconductor chip on the side opposite to the circuit surface may be exposed.
  • a back surface protective film containing an organic material is formed as a resin film on the exposed back surface of the semiconductor chip, and the semiconductor chip may be incorporated into a semiconductor device as a semiconductor chip with a back surface protective film.
  • the backside protective film is used to prevent cracks from occurring in the semiconductor chip after the dicing process and packaging.
  • a blade dicing method in which a dicing blade (circular blade) is pressed against the surface of the wafer while performing cutting, or dicing is performed prior to back grinding to adjust the thickness of the wafer.
  • a pre-dicing method is known (for example, Patent Document 1).
  • cut grooves are formed from the wafer surface by dicing, then the back surface is ground so as to reach at least the bottom surface of the cut grooves, and the back surface is ground to adjust the thickness and divide the semiconductor wafer into chips at the same time. It is something to do.
  • a method in which a modified layer is formed in advance inside a semiconductor wafer, the wafer is expanded in the surface direction, and the semiconductor wafer is divided at the modified layer (see, for example, Patent Documents 2).
  • a resin film forming film 13 is laminated on the back surface 8b of a workpiece such as a semiconductor wafer 8 having a circuit surface (FIG. 9A), and the resin film forming film 13 is thermally cured to form a resin film 13' (FIG. 9(B)), the resin film 13′ is laser marked (FIG. 9(C)), the support sheet 10 is laminated on the resin film 13′ (FIG. 9(D)), the workpiece such as the semiconductor wafer 8 and the resin film 13′ is diced to form semiconductor chips 7 with a resin film (that is, singulated workpieces with a resin film (FIGS.
  • FIGS. 9(E) to 9(F)) the semiconductor chips 7 with a resin film are formed.
  • a method of picking up from the support sheet 10 (FIG. 9(G)).
  • the order of the curing process and the laser marking process is arbitrary.
  • a resin film-forming film 13 is laminated on the back surface 8b of the semiconductor wafer 8 having a circuit surface (FIG. 9A), and the resin film-forming film 13 is laser-marked. After that, the resin film forming film 13 may be thermally cured to form a resin film 13', and then the steps shown in FIGS. 9(D) to 9(G) may be performed.
  • FIG. 9(D) to 9(G) the steps shown in FIGS. 9(D) to 9(G) may be performed.
  • a first lamination step of laminating the resin film forming film 13 on the back surface 8b of the semiconductor wafer 8, and in FIG. and the lamination step may be performed in the same apparatus (for example, Patent Document 3).
  • the step of thermosetting the resin film forming film 13 in FIG. 9B and the second lamination step of laminating the support sheet 10 on the resin film 13' in FIG. 9D are conventionally performed separately. equipment.
  • a second lamination step of laminating the support sheet 10 on the resin film 13′, and in FIGS. 9E to 9F, the semiconductor wafer 8 and the resin film 13′ are diced. The process to do is also performed by a separate apparatus.
  • a resin film-forming composite sheet 1 in which a resin film-forming film 13 and a support sheet 10 are integrated is used for manufacturing a semiconductor chip with a resin film (for example, Patent Document 2).
  • a method for manufacturing a resin film-coated semiconductor chip 7 using the resin film-forming composite sheet 1 includes, for example, the steps shown in FIG. That is, the resin film-forming film 13 of the resin film-forming composite sheet 1 in which the resin film-forming film 13 and the support sheet 10 are laminated is attached to the back surface 8b of a work such as a semiconductor wafer 8 having a circuit surface (FIG. 10). (A′)), the circuit surface protection tape 17 is peeled off (FIG. 10(B′)), the resin film forming film 13 is thermally cured to form a resin film 13′ (FIG. 10(C′)), and the supporting sheet is Laser marking is applied to the resin film 13' from the 10 side (FIG.
  • FIG. 10(D') A method of picking up a semiconductor chip 7 with a resin film from a support sheet 10 (FIG. 10(G')) is known (FIG. 10(E') to (FIG. 10(F'))).
  • FIG. 10(E') A method of picking up a semiconductor chip 7 with a resin film from a support sheet 10 (FIG. 10(G')) is known (FIG. 10(E') to (FIG. 10(F'))).
  • the order of the curing step and laser marking step is arbitrary.
  • the step of thermally curing the resin film 13' to form the resin film 13' is performed by separate apparatuses.
  • the steps of dicing the semiconductor wafer 8 and the resin film 13' in (E') to (F') of FIG. 10 are performed by separate devices.
  • a laminate including the work such as a semiconductor wafer is prepared.
  • An in-line process that transports the wafers one by one is possible.
  • the curing process of the resin film-forming film is performed off-line.
  • the step of laminating the support sheet 10 and the step of curing the resin film forming film are performed by separate apparatuses. Further, the step of curing the resin film-forming film and the step of dicing a workpiece such as a semiconductor wafer are conventionally performed by separate apparatuses.
  • a plurality of laminates obtained by laminating the support sheet 10 on the workpiece with the resin film-forming film interposed therebetween are stored in one cassette and are manually transported to an apparatus for curing the resin film-forming film.
  • a plurality of laminates obtained by curing are contained in one cassette, and are manually transported to an apparatus for dicing a work. Manual transportation significantly lowers the production efficiency of the resin film-attached singulated workpiece. Furthermore, there is a risk that these laminates will be contaminated or damaged while they are stored in cassettes and transported.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film that can be manufactured efficiently and at low cost.
  • the present invention provides the following method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film and a manufacturing apparatus for a singulated workpiece with a resin film.
  • An energy ray-curable resin is applied to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece having a circuit surface, or to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the workpiece.
  • the resin film-formed film of a laminate comprising the resin film-formed film and the workpiece laminated in this order or a laminate comprising the resin film-formed film and the workpiece processed in this order.
  • a curing step of forming a resin film by irradiating energy rays a curing step of forming a resin film by irradiating energy rays
  • a cleaving step of cleaving the resin film-forming film or the resin film A method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film, wherein the cutting step to the curing step, or the curing step to the cutting step are performed in an in-line process.
  • An energy ray-curable resin is applied to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece having a circuit surface, or to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the workpiece.
  • the curing step and the cutting step, The laminating step, the curing step, and the cutting step are performed in this order,
  • Attachment to form a laminate comprising, on a support sheet, an energy ray-curable resin film-forming film and a workpiece having a circuit surface, or a workpiece obtained by processing the workpiece, in this order.
  • process and a curing step of irradiating the resin film-forming film with energy rays to form a resin film a cutting step of cutting the resin film-forming film or the resin film; an expanding step of expanding the support sheet after the cutting step;
  • An energy ray-curable resin is applied to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece having a circuit surface, or to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the workpiece.
  • the resin film-formed film of a laminate comprising the resin film-formed film and the workpiece laminated in this order or a laminate comprising the resin film-formed film and the workpiece processed in this order.
  • a curing means for forming a resin film by irradiating energy rays The resin film forming film or a cutting means for cutting the resin film,
  • An energy ray-curable resin is applied to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece having a circuit surface, or to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the workpiece.
  • processing means for forming a workpiece by subjecting a portion of the workpiece to be singulated to modified layer processing or half dicing; and the cutting means, [5] or [6], wherein the cleaving means is a means for cleaving the resin film-forming film or the resin film along a modified layer-processed portion or a half-diced portion of the work piece; ].
  • a support sheet and energy ray curing are applied to the surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the above-mentioned work.
  • a laminate comprising the support sheet, the resin film-forming film, and the work in this order, or a laminate comprising the support sheet, the resin film-forming film, and the work-processed product in this order.
  • Curing means for irradiating the resin film forming film of the laminate with energy rays to form a resin film; a cutting means for cutting the resin film-forming film or the resin film; and an expanding means for expanding the support sheet after the breaking means,
  • a method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film which can be manufactured efficiently and at low cost.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of a process in an example of a method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to an embodiment
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of a process in an example of a method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to an embodiment
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view schematically showing part of the steps in another example of the method for manufacturing the singulated workpiece with the resin film of the embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the steps in still another example of the method for manufacturing the singulated workpiece with resin film according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of a process in an example of a method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to an embodiment
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view schematically showing part of the
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the steps in still another example of the method for manufacturing the singulated workpiece with resin film according to the embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the steps in still another example of the method for manufacturing the singulated workpiece with resin film according to the embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the steps in still another example of the method for manufacturing the singulated workpiece with resin film according to the embodiment.
  • 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a support sheet 10 having an adhesive layer 12 provided on a base material 11.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the steps in still another example of the method for manufacturing the singulated workpiece with resin film according to the embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the steps in still another example of the method for manufacturing the singulated workpiece with resin film according to the embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the steps in still another example of the method for manufacturing the singulated workpiece with resin film according to the embodiment. It is a schematic sectional drawing which shows typically an example of the manufacturing method of the conventional singulated workpiece with a resin film.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view schematically showing another example of a conventional method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film.
  • the method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film of the present invention comprises: An energy ray-curable resin film-forming film on the surface opposite to the circuit surface of a workpiece having a circuit surface, or to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the workpiece is laminated, the laminate comprising the resin film-forming film and the work in this order, or the resin film-forming film of the laminate comprising the resin film-forming film and the workpiece processed in this order, energy rays
  • a curing step of forming a resin film by irradiation; a cleaving step of cleaving the resin film-forming film or the resin film, From the breaking step to the hardening step, or from the hardening step to the breaking step are performed in an in-line process.
  • the method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film of the present invention includes: An energy ray-curable resin film-forming film on the surface opposite to the circuit surface of a workpiece having a circuit surface, or to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the workpiece to form a laminate comprising the resin film-forming film and the workpiece in this order, or a laminate comprising the resin film-forming film and the workpiece processed in this order; a laminating step of forming a laminate comprising, on a support sheet, an energy ray-curable resin film-forming film and a workpiece having a circuit surface, or a workpiece obtained by processing the workpiece, in this order; a curing step of irradiating the resin film-forming film with energy rays to form a resin film; a cutting step of cutting the resin film-forming film or the resin film; an expanding step of expanding the support sheet after the cutting step; A method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film, wherein
  • a method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to the present invention includes a curing step of irradiating an energy beam-curable resin film-forming film with an energy beam to form a resin film. Since the method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film of the present invention uses an energy ray-curable resin film-forming film, the curing step for forming the resin film can be completed in a short time.
  • an energy ray irradiation unit is incorporated into a production line that performs a cutting process for cutting a resin film-forming film or a resin film, these processes can be performed with the same apparatus, and production can be performed. remarkably improved.
  • FIGS. 1A and 1B An example of the method for manufacturing the singulated workpiece 21 with the resin film according to the first embodiment is shown in FIGS. 1A and 1B.
  • a portion of the workpiece 14 to be singulated is subjected to modified layer processing 141 to form the workpiece 14'.
  • modified layer processing 141 to form the workpiece 14'.
  • a semiconductor wafer is used as the workpiece 14 shown in FIG. 1A(a).
  • a semiconductor wafer (workpiece 14) has a circuit surface 14a on one surface thereof, and bumps 41 are formed on the circuit surface 14a.
  • the circuit surface 14a and the bumps 41 of the semiconductor wafer are preferably protected by a circuit surface protection tape 17 (FIG. 1A(c)).
  • the workpiece 14 is not limited as long as it has a circuit surface 14a on one side and the other side can be called a back surface.
  • a semiconductor wafer having a circuit surface on one side, or individual electronic components separated into pieces and sealed with a sealing resin, and having a terminal forming surface (in other words, circuit surface) of a semiconductor device with terminals on one side.
  • a semiconductor device panel or the like made up of a semiconductor device assembly with terminals can be exemplified.
  • Wafers include elemental semiconductors such as silicon, germanium, and selenium, and compound semiconductors such as GaAs, GaP, InP, CdTe, ZnSe, and SiC; semiconductor wafers; insulators such as sapphire and glass; substrate wafers.
  • a "semiconductor device panel" refers to an assembly in which a plurality of semiconductor devices each having at least one electronic component sealed with a sealing resin layer are arranged side by side in a plane.
  • the surface of the work on which the circuit is formed is referred to as the "circuit surface”.
  • the surface opposite to the circuit surface of the workpiece is sometimes called the "back surface”.
  • the surface of the workpiece on which the circuit is formed is sometimes referred to as the "circuit surface”
  • the surface opposite to the circuit surface of the workpiece is sometimes referred to as the "back surface”.
  • the circuit surface protection tape 17 for example, the surface protection sheets disclosed in JP-A-2016-192488 and JP-A-2009-141265 can be used.
  • the circuit surface protection tape 17 has an adhesive layer 12 having appropriate removability.
  • the adhesive layer 12 may be formed of a general-purpose weak adhesive type adhesive such as a rubber-based, acrylic resin, silicone resin, urethane resin, vinyl ether resin, or the like.
  • the adhesive layer 12 may be an energy ray-curable adhesive that is cured by irradiation with an energy ray and becomes removable.
  • the circuit surface protection tape 17 may have a double-sided tape shape, and the outer side of the circuit surface protection tape 17 may be fixed to a hard support, and the workpiece 14 may be fixed to the hard support. .
  • the surface 14b opposite to the circuit surface 14a of the workpiece 14' is ground after the portion of the workpiece 14 to be singulated is subjected to the modified layer processing 141, so that the vibration during grinding is reduced. It can be separated into individual pieces by impact or impact. In this embodiment, by scraping off the crushed layer after the modified layer is cleaved by grinding, the strength of the singulated work piece 14 ′ is improved, so that the singulated work piece 14 is thinner. ' can be manufactured.
  • the method for manufacturing the singulated workpiece 21 with the resin film according to the first embodiment further comprises: The exposed surface 13a of the resin film-forming film 13 of the resin film-forming composite sheet 1 in which the support sheet 10 and the resin film-forming film 13 are laminated on the surface 14'b of the workpiece 14' opposite to the circuit surface 14a. to form a third laminate 103 comprising the resin film-forming film 13 and the workpiece 14' in this order on the support sheet 10 (FIGS. 1B(g) to 1B(h)); , The resin film-forming film 13 in the third laminate 103 is cut along the modified layer-processed 141 part of the workpiece 14 ′, and a plurality of pieces with the resin film-forming film 13 are formed on the support sheet 10 .
  • the resin film forming film 13 in the fourth laminate 104 is irradiated with energy rays (E) from the support sheet 10 side to form a resin film 13 ′, and a plurality of resin films are formed on the support sheet 10
  • the cutting step (FIG. 1B(j)) to the curing step (FIG. 1B(k)) are performed in an in-line process.
  • in-line process refers to a process that is performed in a facility in which multiple devices that perform one or multiple steps are connected, or in one device that performs multiple steps. It refers to the process of transporting a stack of workpieces or workpieces one by one between one process and the next process.
  • off-line process refers to a process in which two or more stacks each containing a workpiece or workpiece are transported between one process and the next process, and multiple devices that are not connected can include a process of performing multiple steps at .
  • energy ray means an electromagnetic wave or charged particle beam that has energy quanta.
  • energy rays include ultraviolet rays, radiation, electron beams, and the like.
  • Ultraviolet rays can be applied by using, for example, a high-pressure mercury lamp, a fusion lamp, a xenon lamp, a black light, an LED lamp, or the like as an ultraviolet light source.
  • the electron beam can be generated by an electron beam accelerator or the like.
  • energy ray-curable means the property of curing by irradiation with energy rays
  • non-energy ray-curable means the property of not curing even when irradiated with energy rays. means.
  • Curing conditions for forming a protective film by curing an energy ray-curable resin film-forming film are not particularly limited as long as the degree of curing is such that the protective film sufficiently exhibits its function. It may be appropriately selected according to the type of the linear-curing resin film-forming film.
  • the illuminance of the energy ray is preferably 4 to 280 mW/cm 2 . It is preferable that the light quantity of the energy beam during the curing is 3 to 1000 mJ/cm 2 .
  • the steps from the cutting step to the curing step are performed in an in-line process, so the fourth laminated body 104 can be conveyed one by one without being stored in a cassette.
  • the apparatus space can be further reduced. It is no longer necessary to manually transport the fourth laminate 104, and the production efficiency of the singulated workpiece with the resin film can be improved.
  • a device for breaking the resin film-forming film 13 for example, a device for breaking the resin film-forming film 13 by stretching (expanding) the support sheet 10); By connecting the devices to each other, it is possible to cope by modifying the conventional device without designing from scratch, and the initial cost can be reduced.
  • this embodiment can suppress contamination and damage during transportation of the fourth laminate 104, and can save the time required for transportation and storage between steps of the fourth laminate 104. . As a result, it is possible to efficiently manufacture individualized workpieces with resin films at low cost.
  • the workpiece 14 is singulated by grinding the workpiece 14', so that the workpiece 14 is already separated in the stacking step. ' is singulated. Therefore, by cutting the resin film-formed film 13, the individualized workpiece 20 with the resin film-formed film 13 can be easily obtained. Therefore, it is not necessary to add means for singulating the workpiece 14' in addition to the breaking means to an apparatus that performs in-line processes from the breaking step to the hardening step. When expanding means is employed as the cutting means, it is not necessary to add blade dicing means or laser cutting means to the apparatus, and the apparatus can be simplified.
  • the resin film is formed along the modified layer processed 141 of the workpiece 14 ′.
  • the film 13 is cut, it is preferable to cut the resin film-forming film 13 by expanding the support sheet 10 .
  • the resin film is formed by a laser or a blade. This is because it may be difficult to cut the forming film 13 .
  • the workpiece 14' is separated into individual pieces at the time of the affixing step (FIGS. 1B(g) to 1B(h)), but the workpiece 14' is cleaved by grinding to obtain individual pieces.
  • the workpiece 14' is cleaved by grinding to obtain individual pieces.
  • an expanding process for expanding the support sheet 10 is separately performed after the cutting process and the curing process, it is preferable to perform the cutting process to the expanding process in an in-line process.
  • the intervals between the individualized workpieces 14' are narrow. 14' may come into contact with each other and be damaged.
  • the likelihood of breakage due to contact between the work pieces during subsequent offline processing is reduced.
  • the entire process from singulation of the workpiece 14' to the hardening process is performed inline, and from the viewpoint of reducing the possibility of damage to the singulated workpiece 14', the grinding process It is also preferable to carry out the in-line process from the step of forming to the lamination step.
  • the third laminated body 103 and the fourth laminated body 104 are conveyed one by one without being stored in a cassette. can do.
  • the apparatus space can be further reduced. It is no longer necessary to manually transport the third laminated body 103 and the fourth laminated body 104, and the production efficiency of the singulated workpiece with the resin film can be improved.
  • a device for laminating the workpiece 14' (a device for attaching the resin film forming composite sheet 1 to the workpiece 14') can be connected to the same device.
  • this embodiment can suppress contamination and damage during transportation of the third laminate 103 and the fourth laminate 104, and also prevents the third laminate 103 and the fourth laminate 104 from being conveyed The time required for storage between processes can be saved. As a result, it is possible to efficiently manufacture individualized workpieces with resin films at low cost.
  • the circuit surface 14a of the workpiece 14' is protected by the circuit surface protection tape 17, and after the application process (FIGS. 1B(g) to 1B(h)), the circuit surface 14a of the workpiece 14' is It is preferable to include a peeling process for peeling the circuit surface protection tape 17 from the circuit surface 14a (FIGS. 1B(h) to 1B(i)).
  • the method for manufacturing the singulated workpiece 21 with the resin film of the present embodiment further includes a step of laser marking the resin film-forming film 13 by irradiating a laser from the support sheet 10 side (FIG. 1B(l)). and a step of picking up the singulated workpiece 21 with the resin film from the support sheet 10 (FIG. 1B(m)).
  • a step of laser marking the resin film-forming film 13 by irradiating a laser from the support sheet 10 side (FIG. 1B(l)).
  • a step of picking up the singulated workpiece 21 with the resin film from the support sheet 10 FIG. 1B(m)
  • the method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to the present embodiment is not limited to that shown in FIGS. A part of the configuration may be changed or deleted, or another configuration may be added to what has been described so far.
  • the surface 14'b of the workpiece 14' opposite to the circuit surface 14a is formed without using the composite sheet 1 for forming a resin film.
  • the exposed surface 13a of the resin film-forming film 13 is attached to form a second laminate 102 in which the resin film-forming film 13 and the workpiece 14' are laminated (Fig. 2(e) to Fig. 2 (f))
  • the support sheet 10 is attached to the exposed surface 13b of the resin film-forming film 13 in the second laminate 102, and the resin film-forming film 13 and the workpiece 14' are placed on the support sheet 10. and a bonding step (FIGS.
  • the sticking process is carried out after the lamination process, and the sticking process is usually carried out before the cutting process.
  • the lamination step may be an offline process, and the steps from the attaching step to the curing step may be performed by an in-line process. It is possible to obtain the effects of improving efficiency by shortening the storage time and reducing the risk of damage to the third laminate 103 .
  • the stacking means for performing the stacking process and the sticking means for performing the sticking process usually have similar mechanisms and are integrated together. It is more preferable to carry out the lamination step and the application step in an in-line process as well, because it is easy to make the process easy.
  • the support sheet 10 is a pressure-sensitive adhesive sheet having the pressure-sensitive adhesive layer 12 on the substrate 11, a Each component may migrate to each other.
  • the amount of migration of such components increases as the contact time between the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the resin film-forming film 13 increases.
  • FIGS. 3A and 3B An example of the method for manufacturing the singulated workpiece 21 with the resin film of the second embodiment is shown in FIGS. 3A and 3B.
  • the work piece 14' is formed by half-dicing 142 a portion of the work piece 14 to be singulated. 3A(a) to 3A(b)) and grinding the surface 14b opposite to the circuit surface 14a of the work piece 14' half-diced 142, the work piece and a grinding step (FIGS. 3A(c) to 3A(d)) for singulating 14′.
  • a semiconductor wafer (work 14) having a circuit surface 14a on one side is used as the work 14 shown in FIG. 1A(a).
  • the circuit surface 14a and the bumps 41 of the semiconductor wafer are protected by the circuit surface protection tape 17 (FIG. 3A(c)). Since the workpiece 14' in this embodiment is half diced 142, it is singulated when grinding the surface 14b opposite to the circuit surface 14a of the workpiece 14'. It can be a work piece 20 .
  • the work piece 14' In the grinding process (FIGS. 3A(c) to 3A(d)) for singulating the work piece 14', the work piece 14' is not singulated by vibration and impact during grinding. , the back surface of the work piece 14' is ground, and the back surface reaches the grooves formed by the half dicing process 142, whereby the workpiece 14' is singulated.
  • the circuit surface protection tape 17 can hold a plurality of singulated workpieces 20 .
  • the workpiece 14' is separated into individual pieces when the surface 14b opposite to the circuit surface 14a is ground. A pieced workpiece 20 can be obtained.
  • the support sheet 10 and the resin The exposed surface 13a of the resin film-forming film 13 of the resin film-forming composite sheet 1 laminated with the film-forming film 13 is adhered, and the resin film-forming film 13 and the workpiece 14 are placed on the support sheet 10.
  • a pasting step (FIGS. 3B(g) to 3B(h)) for forming a third laminate 103 having ' in this order, The resin film-forming film 13 in the third laminate 103 is cut along the half-diced portion 142 of the workpiece 14' to form a plurality of resin films on the support sheet 10.
  • a cutting step (FIG.
  • the sixth laminate 106 is formed from the bonding step (FIGS. 3B(g) to 3B(h)) for forming the third laminate 103.
  • the curing step (FIG. 3B(k)) may be performed in an in-line process.
  • the workpiece 14 ′ is usually obtained by the modified layer processing 141
  • the interval between the singulated workpieces 14' is greater than that.
  • the intervals between the individualized workpieces 14' may be small, and when the hardening process is performed by an offline process after the stacking process, or the cutting process and the hardening process are performed by an offline process. In some cases, damage may occur due to contact between the singulated work pieces 14'. Therefore, by in-line processing these steps, it is possible to reduce the possibility of breakage of the singulated workpiece 14'.
  • the resin film forming film 13 is laminated on the workpiece 14 instead of the workpiece 14', the resin film forming film 13 is irradiated with energy rays to form the resin film 13', and then the workpiece 14 is singulated and By performing the cutting of the resin film 13' all at once, it is possible to avoid performing the curing process in the state of the individualized workpieces 14'.
  • FIGS. 1A and 4 An example of the method for manufacturing the singulated workpiece 21 with the resin film of the third embodiment is shown in FIGS. 1A and 4.
  • FIG. In the method for manufacturing the singulated workpiece 21 with the resin film of the third embodiment, the workpiece 14' is formed by subjecting the portion of the workpiece 14 to be singulated to the modified layer processing 141.
  • a processing step (FIGS. 1A(a) to 1A(b))
  • a grinding step FIG. 1A (c) to FIG. 1A (d)).
  • a semiconductor wafer (work 14) having a circuit surface 14a on one side is used as the work 14 shown in FIG. 1A(a).
  • the circuit surface 14a and bumps 41 of the semiconductor wafer are protected with a circuit surface protection tape 17 (FIG. 1A(c)).
  • the description of the circuit surface protection tape 17 is the same as the description of the circuit surface protection tape 17 in the method for manufacturing the resin film-attached singulated workpiece according to the first embodiment.
  • the surface 14b of the workpiece 14' on the side opposite to the circuit surface 14a is ground after the modified layer processing 141 is performed on the portion of the workpiece 14 to be singulated. It can be separated into individual pieces by vibrations and impacts of time.
  • the crushed layer after the modified layer is cleaved is also scraped off by grinding, so that the strength of the singulated workpiece is improved, so that a thinner singulated workpiece can be manufactured.
  • the method for manufacturing the singulated workpiece 21 with a resin film further comprises: The exposed surface 13a of the resin film-forming film 13 of the resin film-forming composite sheet 1 in which the support sheet 10 and the resin film-forming film 13 are laminated on the surface 14'b of the workpiece 14' opposite to the circuit surface 14a. to form a third laminate 103 comprising the resin film-forming film 13 and the workpiece 14' in this order on the support sheet 10 (FIGS. 4(g) to 4(h)); , The resin film forming film 13 in the third laminate 103 is irradiated with energy rays (E) from the support sheet 10 side to form a resin film 13 ′, and the resin film 13 ′ and A curing step (FIG.
  • E energy rays
  • the curing step (FIG. 4(j)) to the breaking step (FIG. 4(l)) are performed in an in-line process.
  • a lamination step of forming the second laminate 102 having the resin film forming film 13 and the workpiece 14' in this order is performed. done.
  • the workpiece 14' is singulated by grinding the workpiece 14' in the grinding process, so that the workpiece 14' is already singulated in the stacking process. Therefore, by cutting the resin film-forming film 13, the individualized workpieces 21 with the resin film can be easily obtained.
  • the lamination step, the breaking step (preferably, the breaking step that also serves as the expanding step by expanding the support sheet 10), and the curing step are made into an in-line process to form a resin film on the work and singulate it.
  • the workpiece 14' with the resin film can be efficiently obtained, and the manufacturing apparatus can be simplified. Furthermore, even if there is substantially no space between adjacent individualized workpieces 14', the resin film 13' can be easily cleaved by expanding the support sheet 10.
  • the fifth laminate 105 can be conveyed sheet by sheet without being housed in a cassette by executing the curing process to the cutting process in an in-line process.
  • the apparatus space can be further reduced. It is no longer necessary to manually transport the fifth laminate 105, and the production efficiency of the singulated workpiece with the resin film can be improved.
  • a device for irradiating energy rays (E) to the resin film forming film 13 from the side of the support sheet 10, and a device for breaking the resin film 13' (for example, by expanding the support sheet 10, the resin film 13' is By connecting the cutting device), it is possible to modify the conventional device without designing it from scratch, and the initial cost can be reduced.
  • the workpiece 14 is singulated by grinding the workpiece 14'. There is no need to add singulation means for the work piece 14' apart from the breaking means to the apparatus implemented in .
  • the curing process to the expanding process are performed in an in-line process (that is, from the cutting process to It is preferable to perform in-line processes up to the expanding step).
  • the intervals between the individualized workpieces 14' are narrow. 14' may come into contact with each other and be damaged.
  • the expanding step is performed within an in-line process, the likelihood of breakage due to contact between the work pieces during subsequent offline processing is reduced.
  • the hardening process to the expanding process are naturally performed by performing the inline process from the hardening process to the splitting process.
  • the processes from the cutting process to the expanding process may be performed in-line.
  • the process of obtaining a resin film by curing the resin film forming film using the workpieces 14' The same can be obtained in the method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to another embodiment, in which a cleaving step of cleaving the resin film is subsequently performed.
  • the circuit surface 14a of the workpiece 14' is protected by the circuit surface protection tape 17, and after the application process (FIGS. 4(g) to 4(h)), the circuit surface 14a of the workpiece 14' It is preferable to provide a peeling process for peeling the circuit surface protection tape 17 from the circuit surface 14a of ' (FIGS. 4(h) to 4(i)).
  • the bonding process (FIGS. 4(g) to 4(h)) to the breaking process (FIG. 4(l)) are executed as an in-line process. preferably.
  • the third laminated body 103 and the fifth laminated body 105 can be conveyed one by one without being stored in a cassette.
  • the apparatus space can be further reduced. It is no longer necessary to manually transport the third laminated body 103 and the fifth laminated body 105, and the production efficiency of the singulated workpiece with the resin film can be improved.
  • a device for irradiating energy rays (E) to the resin film forming film 13 from the side of the support sheet 10 and a device for cutting the resin film 13', a conventional device can be used without designing from scratch. can be modified to reduce the initial cost.
  • This embodiment can further suppress contamination and breakage during transportation of the third laminate 103 and during transportation of the fifth laminate 105, and as a result, singulated workpieces with resin films can be produced. can be manufactured efficiently and at low cost.
  • the circuit surface 14a of the workpiece 14' is further removed after the bonding step (FIGS. 4(g) to 4(h)).
  • a laser is applied to the resin film 13' from the support sheet 10 side. It comprises a process of irradiating and laser marking (Fig. 4(k)) and a process of picking up (Fig. 4(m)) after the cutting process (Fig. 4(l)).
  • the laser marking process is not limited to this, and the resin film forming film 13 may be irradiated with a laser from the support sheet 10 side in any order.
  • the method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to the present embodiment is not limited to that shown in FIGS. A part of the configuration may be changed or deleted, or another configuration may be added to what has been described so far.
  • the exposed surface 13a of the resin film forming film 13 is attached to the surface 14'b of the workpiece 14' opposite to the circuit surface 14a.
  • a lamination step (FIGS. 2(e) to 2(f)) for forming a second laminate 102 in which the resin film forming film 13 and the workpiece 14′ are laminated, and a resin film in the second laminate 102
  • a bonding step of bonding the support sheet 10 to the exposed surface 13b of the forming film 13 to form the third laminate 103 having the resin film forming film 13 and the workpiece 14' on the support sheet 10 in this order (Fig. 4(g) to FIG. 4(h)).
  • the sticking process is performed after the laminating process.
  • the sticking process is usually performed before the cutting process, but the sticking process may be performed after the curing process to form a laminate having the resin film 13' and the workpiece 14' in this order on the support sheet 10. good (not shown).
  • the lamination step may be an offline process, and the steps from the affixing step to the curing step may be performed by an inline process.
  • the laminating means for performing the lamination step and the laminating means for performing the laminating step usually have similar mechanisms and can be easily integrated. .
  • the support sheet 10 is a pressure-sensitive adhesive sheet having the pressure-sensitive adhesive layer 12 on the substrate 11, the adhesive layer 12 and the resin film-forming film 13 will Each component may migrate to each other.
  • the in-line process of the sticking step and the curing step can prevent such an increase in migration of ingredients.
  • the modified layer processing 141 is performed on the portion of the workpiece 14 to be singulated to form the work piece 14 ′, and the work piece 14 that has undergone the modified layer processing 141 ' instead of grinding the surface 14b on the opposite side of the circuit surface 14a of ', a processing step of forming a workpiece 14' by half dicing 142 a portion of the workpiece 14 to be singulated. (FIGS. 3A(a) to 3A(b)) and by grinding the surface 14b opposite to the circuit surface 14a of the work piece 14' half-diced 142, thereby dividing the work piece 14' into individual pieces. and a grinding step (FIGS. 3A(c) to 3A(d)) for separating into pieces.
  • the method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to the present embodiment further includes a bonding step (FIGS. 3B(g) to 3B(h)) for forming the third laminate 103, and and a curing step (FIG. 3B(k)) for forming the sixth laminate 106, and a breaking step for forming the fourth laminate 104 (FIG. 3B ( j)) to the curing step (FIG. 3B(k)) forming the sixth laminate 106 are performed in an in-line process.
  • the sixth laminate 106 is formed from the bonding step (FIGS. 3B(g) to 3B(h)) for forming the third laminate 103. Up to the curing step (FIG. 3B(k)) may be performed in an in-line process.
  • FIGS. 3A and 5 An example of the method for manufacturing the individualized workpiece 21 with the resin film of the fourth embodiment is shown in FIGS. 3A and 5.
  • FIG. In the method for manufacturing the singulated work piece 21 with the resin film of the fourth embodiment, the portion of the work piece 14 to be singulated is half-diced 142 to form the work piece 14'. 3A(a) to 3A(b)) and grinding the surface 14b opposite to the circuit surface 14a of the work piece 14' half-diced 142, the work piece and a grinding step (FIGS. 3A(c) to 3A(d)) for singulating 14′.
  • a semiconductor wafer (work 14) having a circuit surface 14a on one side is used as the work 14 shown in FIG. 3A(a).
  • the circuit surface 14a and the bumps 41 of the semiconductor wafer are protected by the circuit surface protection tape 17 (FIG. 3A(c)).
  • the workpiece 14' is singulated when the surface 14b on the side opposite to the circuit surface 14a is ground. Therefore, when the resin film 13' is broken, the singulated workpiece with the resin film can be easily processed. You can get item 21.
  • the method for manufacturing the singulated workpiece 21 with a resin film further comprises: The resin film formation of the resin film forming composite sheet 1 in which the support sheet 10 and the resin film forming film 13 are laminated on the surface 14'b of the singulated workpiece 20 opposite to the circuit surface 14a. a lamination step of forming the third laminate 103 by attaching the exposed surface 13a of the film 13 (FIGS. 5(g) to 5(h)); The resin film forming film 13 in the third laminate 103 is irradiated with energy rays (E) from the support sheet 10 side to form a resin film 13 ′, and on the support sheet 10 , the a curing step (FIG.
  • a cutting step (FIG. 5(l)) of forming a sixth laminate 106 in which the singulated workpieces 21 are laminated From the curing step (FIG. 5(j)) for forming the fifth laminate 105 to the breaking step (FIG. 5(l)) for forming the sixth laminate 106, an in-line process is performed.
  • a second laminate 102 is formed which includes the resin film forming film 13 and the singulated workpiece 20 in this order.
  • the curing step for forming the fifth laminated body 105 to the breaking step for forming the sixth laminated body 106 are performed in an in-line process, thereby achieving singulation with a resin film according to the third embodiment.
  • the possibility of contamination or damage during transportation of the fifth laminate 105 can be reduced, and the singulated workpiece with the resin film can be efficiently manufactured. well and can be manufactured at low cost.
  • the third laminate 103 is less likely to be contaminated or damaged during transportation. It is possible to efficiently manufacture individualized workpieces with resin films at low cost.
  • the circuit surface 14a of the workpiece 14' is protected by the circuit surface protection tape 17, and the lamination steps for forming the third laminate 103 (Fig. 5(g) to Fig. 5(h) )), it is preferable to include a peeling step of peeling off the circuit surface protection tape 17 from the circuit surface 14a of the workpiece 14' (FIGS. 5(h) to 5(i)).
  • the cutting step is a step of laser blade cutting, plasma cutting, or etching cutting of the resin film 13' along the half-diced portion 142 of the workpiece 14'. is preferred.
  • the singulated workpiece 20 is divided into the singulated workpiece 21 with a plurality of resin films 13' by cutting the resin film 13' along the portions where the resin film 13' is half-diced 142. can do.
  • Laser blade cleaving, plasma cleaving, etching cleaving, and the like can be cited as means for cleaving the resin film 13'.
  • the method for manufacturing the singulated workpiece 21 with the resin film of the present embodiment includes the steps of forming the third laminate 103 (FIGS. 5(g) to 5(h)) to the sixth laminate 106. It is preferable to perform an in-line process up to the cleaving step (FIG. 5(l)) for forming the .
  • the lamination step of forming the third laminate 103 to the breaking step of forming the sixth laminate 106 are performed in an in-line process, thereby achieving singulation with a resin film according to the third embodiment.
  • the possibility of contamination or damage during transportation of the third laminate 103 and transportation of the fifth laminate 105 can be reduced.
  • the individualized workpiece with the resin film can be manufactured efficiently and at low cost.
  • the workpiece is processed.
  • a peeling step (FIGS. 5(h) to 5(j)) for peeling the circuit surface protection tape 17 from the circuit surface 14a of the object 14′, and a curing step for forming the fifth laminate 105 (FIG. 5(j) )
  • the resin film 13 ′ is irradiated with a laser from the support sheet 10 side for laser marking (FIG. 5(k))
  • a cutting step for forming the sixth laminate 106 FIG. 5(l)
  • a step of picking up (FIG. 5(m)).
  • the laser marking process is not limited to this, and the resin film forming film 13 may be irradiated with a laser from the support sheet 10 side in any order.
  • the method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to the present embodiment is not limited to that shown in FIGS. A part of the configuration may be changed or deleted, or another configuration may be added to what has been described so far.
  • FIGS. 7A and 7B An example of the method for manufacturing the singulated workpiece 21 with the resin film of the fifth embodiment is shown in FIGS. 7A and 7B.
  • the method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to the fifth embodiment includes a grinding step of grinding a surface 14b on the opposite side of the circuit surface 14a of the workpiece 14 (FIGS. 7A(c) to 7A(d) )When, A first laminate comprising the resin film-forming film 13 and the work 14 in this order by laminating the energy ray-curable resin film-forming film 13 on the ground surface 14b of the work 14 opposite to the circuit surface. A lamination step (FIGS.
  • the workpiece 14 ′ subjected to modified layer processing 141 or the workpiece processed 14 ′ subjected to half dicing processing 142 instead, the surface 14b opposite to the circuit surface 14a of the workpiece 14 which has not been subjected to these processes is ground, and the resin film forming film 13 is laminated on the workpiece 14 in the lamination step. It is different from the manufacturing method of the singulated workpiece with resin film according to the first embodiment.
  • a composite sheet for resin film formation is used in the lamination step. A stack (not shown) comprising 14 in that order is formed.
  • the lamination process of this embodiment also serves as a sticking process.
  • a separate step of adhering the support sheet 10 to the resin film-formed film 13 is performed. good too.
  • the workpiece 14 is to be singulated after the grinding step and before the breaking step of breaking the resin film-forming film.
  • a processing step (FIGS. 7B(h') to 7B(i)) of forming a workpiece 14' by modifying a portion 141 may be provided. From the viewpoint of preventing the workpiece 14' from being cleaved by pressing in the stacking process, the processing process is usually performed after the stacking process.
  • the workpiece 14 or the workpiece 14' is simultaneously singulated to obtain the singulated workpiece 20.
  • the resin film-forming film 13 and the work 14 are generally cut together by blade dicing or the like, and the work 14 are singulated at the same time.
  • the support sheet 10 is expanded to divide the resin film-forming film 13 and the workpiece 14 along the modified layer into individual pieces. be done.
  • the processes from the cutting step to the curing step are performed in an in-line process, thereby improving the efficiency of the process. is planned.
  • the work piece 14' that has undergone the modified layer processing 141 is not singulated before the breaking step (expanding step), but the work piece 14' is modified. Since the layer-processed portion 141 is fragile, if the workpiece 14' is unintentionally cleaved during transportation in the off-line process, damage may occur due to contact between the individualized workpieces 14'.
  • the machining to breaking steps in an in-line process it is preferable to perform the machining to breaking steps in an in-line process to reduce the possibility of breakage of the singulated work piece 14'. If the work 14 is not processed by the modified layer 141 and the cutting process does not depend on the expansion of the support sheet 10, the gap between the individualized work pieces 14' may be narrow, so the cutting process By executing the steps up to the curing step as an in-line process, it is possible to prevent contact between the singulated workpieces 14'.
  • the method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to the present embodiment is not limited to that shown in FIGS.
  • the configuration of the part may be changed or deleted, or another configuration may be added to the configuration described above.
  • FIGS. 7A and 8 An example of the method for manufacturing the singulated workpiece 21 with the resin film of the sixth embodiment is shown in FIGS. 7A and 8.
  • FIG. The method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to the sixth embodiment includes a grinding step of grinding the surface 14b of the workpiece 14 opposite to the circuit surface 14a (FIGS. 7A(c) to 7A(d) )When, A first laminated body 101 comprising the resin film-forming film 13 and the work 14 in this order by laminating the energy ray-curable resin film-forming film 13 on the surface 14b of the ground work 14 opposite to the circuit surface. A lamination step (FIGS.
  • the workpiece 14 ′ subjected to the modified layer processing 141 or the workpiece 14 ′ subjected to the half dicing processing 142 instead, the surface 14b on the side opposite to the circuit surface 14a of the workpiece 14 that has not been subjected to these processes is ground, and the resin film forming film 13 is laminated on the workpiece 14 in the lamination step. It is different from the manufacturing method of the singulated workpiece with the resin film according to the third embodiment. As in the first embodiment and the fifth embodiment, the lamination process of this embodiment also serves as the sticking process.
  • a separate step of adhering the support sheet 10 to the resin film-formed film 13 is performed. good too.
  • the sticking step may be after the curing step.
  • the portion of the workpiece 14 to be singulated is subjected to modified layer processing 141 . 8(h') to 8(i)) for forming the workpiece 14'.
  • the processing process is usually performed after the stacking process.
  • the work 14 or the work piece 14 ′ is singulated at the same time, and the singulated work piece 20 is obtained.
  • the resin film 13′ and the work 14 are generally cut together by blade dicing or the like, and the work 14 is individually cut. Shredding takes place at the same time.
  • the expansion of the support sheet 10 causes the work 14 to move along the modified layer at the same time as the resin film 13'. Divided and individualized.
  • the efficiency of the process is improved by executing the in-line process from the curing step to the breaking step (that is, from the curing step to the step of expanding the support sheet 10).
  • the work piece 14' that has undergone the modification layer processing 141 is not separated into individual pieces before the breaking step (expanding step), but the work piece 14' is modified.
  • the portion processed 141 may be unintentionally cleaved during transportation of the off-line process, and breakage may occur due to contact between the singulated workpieces 14'.
  • the working step is performed before the hardening step, the working, hardening, and breaking steps can be performed in an in-line process. preferably run in
  • the working step is performed after the hardening step, it is preferable to perform the working step to the breaking step in an inline process, and it is more preferable to perform the hardening step, the working step, and the breaking step in an inline process.
  • the method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to the present embodiment is not limited to that shown in FIGS.
  • the configuration of the part may be changed or deleted, or another configuration may be added to the configuration described above.
  • the composition of the resin film-forming composition for forming the resin film-forming film 13 preferably contains a binder polymer component and an energy ray-curable component.
  • binder polymer component A binder polymer component is used to provide the resin film-forming film 13 with sufficient adhesiveness and film-forming properties (sheet formability).
  • the binder polymer component conventionally known acrylic resins, polyester resins, urethane resins, acrylic urethane resins, silicone resins, rubber-based polymers, and the like can be used.
  • the weight average molecular weight (Mw) is a polystyrene conversion value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method unless otherwise specified.
  • the glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably -60 to 50°C, more preferably -50 to 40°C, particularly preferably -40 to 30°C.
  • glass transition temperature refers to the temperature at the inflection point of the DSC curve obtained by measuring the DSC curve of a sample using a differential scanning calorimeter.
  • thermoplastic resin other than the acrylic resin may be blended with the acrylic resin.
  • a thermoplastic resin preferably has a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000, more preferably 3,000 to 80,000.
  • the glass transition temperature of the thermoplastic resin is preferably -30 to 120°C, more preferably -20 to 120°C.
  • thermoplastic resins include polyester resins, urethane resins, phenoxy resins, polybutene, polybutadiene, and polystyrene. These thermoplastic resins can be used singly or in combination of two or more.
  • the energy ray-curable component As the energy ray-curable component, a low-molecular weight compound (energy ray-polymerizable compound) that contains an energy ray-polymerizable group and polymerizes and cures when irradiated with an energy ray such as an ultraviolet ray or an electron beam can be used.
  • an energy ray-curable component has at least one polymerizable double bond in the molecule and usually has a weight average molecular weight of about 100 to 30,000, preferably about 300 to 10,000.
  • an energy ray-curable polymer in which an energy ray-polymerizable group is bonded to the main chain or side chain of the binder polymer component may be used.
  • Such an energy ray-curable polymer has both a function as a binder polymer component and a function as a curable component.
  • the main skeleton of the energy ray-curable polymer is not particularly limited, and may be an acrylic resin commonly used as a binder polymer component, or may be a polyester resin, a polyether resin, or the like. It is particularly preferable to use an acrylic resin as the main skeleton because the control of is easy.
  • the energy ray-polymerizable compound described above may be used in combination, or a binder polymer component may be used in combination.
  • the resin film-forming film 13 By imparting energy ray curability to the resin film-forming film 13, the resin film-forming film 13 can be cured simply and in a short time, and the production efficiency of the singulated workpiece 21 with the resin film is improved.
  • resin films for singulated workpieces have generally been formed from thermosetting resins such as epoxy resin, but the curing temperature of thermosetting resins exceeds 200° C., and the curing time is about 2 hours. Therefore, it was an obstacle to improving production efficiency.
  • the energy ray-curable resin film forming film 13 is cured in a short time by energy ray irradiation (E), a protective film can be easily formed, which can contribute to an improvement in production efficiency.
  • the resin film-forming film 13 preferably contains components such as a colorant, a photopolymerization initiator, a coupling agent, and an inorganic filler in addition to the binder polymer component and the energy ray-curable component.
  • the resin film forming film 13 may contain various additives as necessary.
  • various additives include cross-linking agents, leveling agents, plasticizers, antistatic agents, antioxidants, ion scavengers, gettering agents, chain transfer agents and the like.
  • the resin film-forming composition preferably further contains a solvent.
  • a resin film-forming composition containing a solvent is easy to handle.
  • a known organic solvent can be used as the solvent.
  • the resin film-forming film 13 can be obtained by, for example, applying and drying the resin film-forming composition composed of the components as described above.
  • the resin film forming film 13 has adhesiveness and curability, and may be adhered by being pressed against a work such as a semiconductor wafer in an uncured state.
  • the film 13 may be heated and adhered to the workpiece. It gives a resin film through curing, and has a function of protecting the singulated workpiece 20 in the singulated workpiece 21 with the resin film.
  • the resin film-forming film 13 may have a single-layer structure, or may have a multi-layer structure as long as it contains one or more layers containing the above components.
  • the thickness of the resin film forming film 13 is not particularly limited, it is preferably 3 to 300 ⁇ m, more preferably 5 to 250 ⁇ m, particularly preferably 7 to 200 ⁇ m.
  • the term "thickness” refers to the thickness of five randomly selected locations on a cut surface cut at random in the thickness direction of an object, measured with a contact thickness gauge, and the average is a value represented by
  • Examples of the support sheet 10 include a sheet composed only of the substrate 11 and an adhesive sheet having an adhesive layer 12 on the substrate 11 .
  • the thickness of the support sheet 10 is appropriately selected depending on the application, but is preferably 10 to 500 ⁇ m, more preferably 20 ⁇ m, from the viewpoint of imparting sufficient flexibility and improving the sticking property to the silicon wafer. ⁇ 350 ⁇ m, more preferably 30-200 ⁇ m.
  • the thickness of the support sheet 10 includes not only the thickness of the base material 11 constituting the support sheet 10, but also the thickness of those layers and films when the pressure-sensitive adhesive layer 12 is provided.
  • a resin film is preferable.
  • the resin film include polyethylene films such as low-density polyethylene (LDPE) films and linear low-density polyethylene (LLDPE) films, ethylene/propylene copolymer films, polypropylene films, polybutene films, polybutadiene films, and polymethylpentene.
  • LDPE low-density polyethylene
  • LLDPE linear low-density polyethylene
  • ethylene/propylene copolymer films polypropylene films
  • polybutene films polybutadiene films
  • polymethylpentene polymethylpentene
  • the substrate 11 may be a single-layer film made of one type of resin film, or may be a laminated film in which two or more types of resin films are laminated. Further, a sheet obtained by subjecting the surface of the substrate 11 such as the resin film described above to a surface treatment may be used as the support sheet 10 .
  • resin films may be crosslinked films. Colored or printed films of these resin films can also be used. Further, the resin film may be a sheet formed by extruding a thermoplastic resin, or may be a stretched one, or a sheet formed by thinning and curing a curable resin by a predetermined means. may be used.
  • the substrate 11 containing a polypropylene film is preferable from the viewpoint that it has excellent heat resistance, has expandability because it has appropriate flexibility, and is easy to maintain pick-up aptitude.
  • the structure of the substrate 11 containing the polypropylene film may be a single-layer structure consisting of only the polypropylene film, or may be a multi-layer structure consisting of the polypropylene film and another resin film.
  • the thickness of the base material 11 constituting the support sheet 10 is preferably 10-500 ⁇ m, more preferably 15-300 ⁇ m, still more preferably 20-200 ⁇ m.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of a support sheet 10 having a base material 11 and an adhesive layer 12 provided thereon.
  • the support sheet 10 has the pressure-sensitive adhesive layer 12
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the support sheet 10 is laminated on the resin film-forming film 13 .
  • the adhesive that is the material for forming the adhesive layer 12 includes an adhesive composition containing an adhesive resin, and the adhesive composition further contains general-purpose additives such as the above-described cross-linking agent and tackifier.
  • the tacky resin also includes a resin that develops tackiness only when combined with a component other than the tacky resin, such as a tackifier.
  • examples of the adhesive resin include acrylic resin, urethane resin, phenoxy resin, silicone resin, saturated polyester resin, and vinyl ether resin, and acrylic resin is preferable.
  • an energy ray curable adhesive, a heat foaming adhesive, an energy ray foaming adhesive, and the like can be mentioned.
  • an energy ray-curable adhesive formed from a pressure-sensitive adhesive composition containing an energy ray-curable resin from the viewpoint of adjusting the peel force to a certain range and from the viewpoint of improving pick-up properties.
  • a pressure-sensitive adhesive sheet having an agent layer 12 or a pressure-sensitive adhesive sheet having a slightly adhesive layer 12 is preferable.
  • the energy ray-curable resin may be a resin having a polymerizable group such as a (meth)acryloyl group or a vinyl group, and may be an adhesive resin having a polymerizable group. It is preferable to use a photopolymerization initiator together with the energy ray-curable resin.
  • the support sheet 10 transmits energy rays in order to irradiate (E) the energy rays (E) from the side of the support sheet 10 to the energy ray-curable resin film forming film 13 to form the resin film 13'.
  • the support sheet 10 is preferably transparent in order to optically inspect the resin film forming film 13 or the resin film 13' through the support sheet 10.
  • FIG. The support sheet 10 is preferably transparent in order to perform laser marking by irradiating the resin film forming film 13 or the resin film 13' with a laser from the support sheet 10 side.
  • the energy ray-curable resin film-forming film for example, those disclosed in International Publication Nos. 2017/188200 and 2017/188218 can also be used.
  • the resin film-forming composite sheet 1 comprises a support sheet 10 consisting only of a substrate 11 or a support sheet 10 that is an adhesive sheet, and the resin film-forming film 13 is laminated in the thickness direction thereof. It is configured.
  • the resin film-forming composite sheet 1 used in the first embodiment suppresses migration of components between the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the resin film-forming film 13 even when the support sheet 10 is a pressure-sensitive adhesive sheet. It is usually designed so that there is no problem even if it occurs, and the problem of component migration as described above is unlikely to occur.
  • An apparatus for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to the present invention has the following aspects. ⁇ 11> An energy ray-curable resin is applied to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece having a circuit surface, or to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the workpiece. For the resin film-formed film of a laminate comprising the resin film-formed film and the workpiece laminated in this order, or a laminate comprising the resin film-formed film and the workpiece processed in this order.
  • a curing means for forming a resin film by irradiating energy rays The resin film forming film or a cutting means for cutting the resin film,
  • An energy ray-curable resin is applied to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece having a circuit surface, or to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the workpiece.
  • the curing means and the breaking means are performed in this order,
  • processing means for forming a workpiece by subjecting the portion of the workpiece to be singulated to modified layer processing or half dicing; and the cutting means, ⁇ 11> or ⁇ 12, wherein the cleaving means is a means for cleaving the resin film-forming film or the resin film along the modified layer-processed portion or the half-diced portion of the workpiece. >.
  • a support sheet and energy ray curing are provided on the surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or to the surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the work. a laminate comprising the support sheet, the resin film-forming film, and the work in this order, or a laminate comprising the support sheet, the resin film-forming film, and the work-processed product in this order.
  • Curing means for forming a resin film by irradiating energy rays onto the resin film forming film of the laminate; a cutting means for cutting the resin film-forming film or the resin film; and an expanding means for expanding the support sheet after the breaking means,
  • the method for manufacturing a singulated workpiece with a resin film and the apparatus for manufacturing a singulated workpiece with a resin film according to the present invention can be used for manufacturing semiconductor devices.
  • SYMBOLS 1 Composite sheet for resin film formation, 7... Semiconductor chip, 8... Semiconductor wafer, 8b... Back surface of semiconductor wafer, 10... Support sheet, 11... Base material, 12.
  • Adhesive layer 13 Resin film-forming film 13a Exposed surface of resin film-forming film 13′ Resin film 14 Work 14a Circuit surface of work 14b... the surface opposite to the circuit surface of the work (rear surface), 14'... the workpiece, 14'a... the circuit surface of the workpiece, 14'b...
  • Second release film 16 Jig adhesive layer 17 Circuit surface protection tape , 18...fixing jig, 20...singulated workpiece, 21...singulated workpiece with resin film, 41...bump, 101...first laminate, 102... second laminate, 103... third laminate, 104... fourth laminate, 105... fifth laminate, 106... sixth laminate, 141... modified Layer processing, 142 Half dicing processing, EX Expand cutting, E Energy beam irradiation, M Laser marking, P Pick-up, L Laser cutting

Abstract

回路面を有するワーク、又は、ワークを加工することにより得られるワーク加工物（１４'）の回路面（１４ａ）とは反対側の面（１４'ｂ）に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルム（１３）を積層し、樹脂膜形成フィルム（１３）を割断する割断工程（ｊ）から、樹脂膜形成フィルム（１３）に対してエネルギー線照射して樹脂膜（１３'）を形成する硬化工程（ｋ）まで、又は、硬化工程（ｋ）から割断工程（ｊ）までをインラインプロセスで実行する、樹脂膜付き個片化ワーク加工物（２１）の製造方法。

Description

樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法、及び、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置
　本発明は、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法、及び、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置に関する。詳しくは、半導体チップ等のワーク加工物の回路面とは反対側の面に樹脂膜が形成された、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法、及び、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置に関する。
　本願は、２０２１年３月３１日に日本に出願された特願２０２１－０６２２５０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　半導体装置の製造過程においては、半導体チップの回路面とは反対側の面（裏面）に、有機材料を含有する樹脂膜を備えたもの（樹脂膜付き半導体チップ）が取り扱われることがある。前記樹脂膜としては、例えば、熱硬化性の樹脂膜形成フィルムの熱硬化物等が挙げられ、この場合、半導体ウエハの回路面とは反対側の面（裏面）に熱硬化性の樹脂膜形成フィルムを貼付した後、熱硬化性の樹脂膜形成フィルムの熱硬化と、半導体ウエハの半導体チップへの個片化と、を行うことで、樹脂膜付き半導体チップを作製する。
　回路面にバンプを備えていない半導体チップは、最も汎用されているものであり、その裏面には、通常、前記樹脂膜形成フィルムとして、半導体チップを基板の回路形成面にダイボンディングするために用いるフィルム状接着剤を備える。すなわち、この場合の樹脂膜形成用フィルムは、フィルム状接着剤である。
　近年、いわゆるフェースダウン（ｆａｃｅ　ｄｏｗｎ）方式と呼ばれる実装法を適用した半導体装置の製造が行われている。フェースダウン方式においては、回路面上にバンプ等の突状電極を有する半導体チップが用いられ、前記突状電極が基板と接合される。このため、半導体チップの回路面とは反対側の裏面は剥き出しとなることがある。
　剥き出しとなる半導体チップの裏面には、樹脂膜として、有機材料を含有する裏面保護膜が形成され、裏面保護膜付き半導体チップとして半導体装置に取り込まれることがある。裏面保護膜は、ダイシング工程やパッケージングの後に、半導体チップにおいてクラックが発生するのを防止するために利用される。
　半導体ウエハの半導体チップへの個片化には、ウエハの表面にダイシングブレード（円形刃）を押し当てながら切削加工するブレードダイシング法や、ウエハの厚さを調整する裏面研削に先立ってダイシングを行う、先ダイシング法が知られている（例えば、特許文献１）。先ダイシング法は、ダイシングによりウエハ表面から切り込み溝を形成しておき、その後、少なくとも切り込み溝の底面に達するように裏面を研削し、裏面研削により厚さ調整と半導体ウエハのチップへの分割を同時に行うものである。また、あらかじめ半導体ウエハの内部に改質層を形成しておき、ウエハの表面方向にエキスパンドして、前記改質層の部位において前記半導体ウエハを分割する方法も知られている（例えば、特許文献２）。
　これらの樹脂膜付き個片化ワーク加工物は、例えば、図９に示される工程を経て製造される。すなわち、回路面を有する半導体ウエハ８等のワークの裏面８ｂに、樹脂膜形成フィルム１３を積層し（図９（Ａ））、樹脂膜形成フィルム１３を熱硬化させて樹脂膜１３’とし（図９（Ｂ））、樹脂膜１３’にレーザーマーキングし（図９（Ｃ））、樹脂膜１３’に支持シート１０を積層し（図９（Ｄ））、半導体ウエハ８等のワーク及び樹脂膜１３’をダイシングして、樹脂膜付き半導体チップ７（すなわち、樹脂膜付き個片化ワーク加工物（図９（Ｅ）～図９（Ｆ）））を形成し、樹脂膜付き半導体チップ７を、支持シート１０からピックアップする方法が知られている（図９（Ｇ））。硬化工程及びレーザーマーキング工程の順番は任意であり、回路面を有する半導体ウエハ８の裏面８ｂに、樹脂膜形成フィルム１３を積層し（図９（Ａ））、樹脂膜形成フィルム１３にレーザーマーキングした後、樹脂膜形成フィルム１３を熱硬化させて樹脂膜１３’とし、その後、図９（Ｄ）～図９（Ｇ）の工程を経てもよい。図９（Ａ）で、半導体ウエハ８の裏面８ｂに、樹脂膜形成フィルム１３を積層する第一の積層工程と、図９（Ｄ）で、樹脂膜１３’に支持シート１０を積層する第二の積層工程とは、同一の装置内で行われることがある（例えば、特許文献３）。しかし、図９（Ｂ）で、樹脂膜形成フィルム１３を熱硬化させる工程と、図９（Ｄ）で、樹脂膜１３’に支持シート１０を積層する第二の積層工程とは、従来、別々の装置で行われている。また、図９（Ｄ）で、樹脂膜１３’に支持シート１０を積層する第二の積層工程と、図９（Ｅ）～図９（Ｆ）で、半導体ウエハ８及び樹脂膜１３’をダイシングする工程も、別々の装置で行われている。
　また、樹脂膜形成フィルム１３及び支持シート１０が一体化された、樹脂膜形成用複合シート１が、樹脂膜付き半導体チップの製造に使用されている（例えば、特許文献２）。
　樹脂膜形成用複合シート１を用いる、樹脂膜付き半導体チップ７の製造方法は、例えば、図１０に示される工程を経る。すなわち、回路面を有する半導体ウエハ８等のワークの裏面８ｂに、樹脂膜形成フィルム１３及び支持シート１０が積層されてなる樹脂膜形成用複合シート１の樹脂膜形成フィルム１３を貼付し（図１０（Ａ’））、回路面保護用テープ１７を剥離し（図１０（Ｂ’））、樹脂膜形成フィルム１３を熱硬化させて樹脂膜１３’とし（図１０（Ｃ’））、支持シート１０の側から、樹脂膜１３’にレーザーマーキングし（図１０（Ｄ’））、半導体ウエハ８及び樹脂膜１３’をダイシングして、樹脂膜付き半導体チップ７（すなわち、樹脂膜付き個片化ワーク加工物）とし（図１０（Ｅ’）～（図１０（Ｆ’）））、樹脂膜付き半導体チップ７を、支持シート１０からピックアップする（図１０（Ｇ’））方法が知られている。硬化工程及びレーザーマーキング工程の順番は任意である。この場合も、図１０（Ａ’）で半導体ウエハ８の裏面８ｂに樹脂膜形成用複合シート１の樹脂膜形成フィルム１３を積層する工程と、図１０（Ｃ’）で樹脂膜形成フィルム１３を熱硬化させて樹脂膜１３’とする工程は、別々の装置で行われており、図１０（Ｃ’）で樹脂膜形成フィルム１３を熱硬化させて樹脂膜１３’とする工程と、図１０（Ｅ’）～図１０（Ｆ’）で半導体ウエハ８及び樹脂膜１３’をダイシングする工程は、別々の装置で行われている。
特開２０１６－２１９７０６号公報 特開２０１８－０５６２８２号公報 国際公開第２０２０／２１８５１６号
　半導体ウエハ等のワークに、樹脂膜形成フィルムを介して支持シート１０を積層する工程と、半導体ウエハ等のワークをダイシングする工程との間においては、半導体ウエハ等のワークを含む積層体を一枚ずつ搬送するインラインプロセスが可能である。ところが、上記の従来のプロセスでは、樹脂膜形成フィルムの硬化工程をオフラインで行っており、そこで一度ワークを生産ラインから外さなくてはならず、半導体ウエハ等のワークに、樹脂膜形成フィルムを介して支持シート１０を積層する工程と、樹脂膜形成フィルムを硬化させる工程は、別々の装置で行われている。また、樹脂膜形成フィルムを硬化させる工程と、半導体ウエハ等のワークをダイシングする工程は、従来、別々の装置で行われている。
　ワークに、樹脂膜形成フィルムを介して支持シート１０を積層して得られる積層体は、一のカセットに複数枚収容されて、樹脂膜形成フィルムを硬化させる装置に人の手によって搬送されている。また、硬化させて得られる積層体は、一のカセットに複数枚収容されて、ワークをダイシングする装置に人の手によって搬送されている。人の手による搬送は、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の生産効率を著しく低下させる。
　さらに、これらの積層体がカセットに収容されて搬送される間に汚染したり、破損したりするおそれがある。
　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、効率よく、かつ低コストで製造可能な樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法を提供することを課題とする。
　本発明は、以下の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法、及び、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置を提供する。
［１］　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムが積層された、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体の前記樹脂膜形成フィルムに対して、エネルギー線照射して樹脂膜を形成する硬化工程と、
　前記樹脂膜形成フィルム、若しくは、前記樹脂膜を割断する割断工程と、を備え、
　前記割断工程から前記硬化工程まで、又は、前記硬化工程から前記割断工程までをインラインプロセスで実行する、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法。
［２］　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムを積層して、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体を形成する積層工程と、
　前記硬化工程と、前記割断工程と、を備え、
　前記積層工程と、前記硬化工程と、前記割断工程と、をこの順に行い、
　前記積層工程から前記硬化工程まで、及び、前記硬化工程から前記割断工程までをインラインプロセスで実行する、［１］に記載の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法。
［３］　前記ワークの個片化しようとする箇所を改質層加工又はハーフダイシング加工することで、ワーク加工物を形成する加工工程と、
　前記割断工程と、を備え、
　前記割断工程が、前記ワーク加工物の改質層加工された箇所又はハーフダイシング加工された箇所に沿って、前記樹脂膜形成フィルム又は前記樹脂膜を割断する工程である、［１］又は［２］に記載の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法。
［４］　支持シート上に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルム、及び、回路面を有するワーク、若しくは、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物をこの順に備える積層体を形成する貼付工程と、
　前記樹脂膜形成フィルムに対して、エネルギー線照射して樹脂膜を形成する硬化工程と、
　前記樹脂膜形成フィルム、若しくは、前記樹脂膜を割断する割断工程と、
　前記割断工程の後に、前記支持シートをエキスパンドするエキスパンド工程と、を備え、
　前記割断工程から前記エキスパンド工程までをインラインプロセスで実行する、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法。
［５］　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムが積層された、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体の前記樹脂膜形成フィルムに対して、エネルギー線照射して樹脂膜を形成する硬化手段と、
　前記樹脂膜形成フィルム、若しくは、前記樹脂膜を割断する割断手段と、を備え、
　前記割断手段から前記硬化手段まで、又は、前記硬化手段から前記割断手段までをインラインプロセスで実行する、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置。
［６］　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムを積層して、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体を形成する積層手段と、
　前記硬化手段と、前記割断手段と、を備え、
　前記積層手段と、前記硬化手段と、前記割断手段と、をこの順に行い、
　前記積層手段から前記硬化手段まで、及び、前記硬化手段から前記割断手段までをインラインプロセスで実行する、［５］に記載の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置。
［７］　前記ワークの個片化しようとする箇所を改質層加工又はハーフダイシング加工することで、ワーク加工物を形成する加工手段と、
　前記割断手段と、を備え、
　前記割断手段が、前記ワーク加工物の改質層加工された箇所又はハーフダイシング加工された箇所に沿って、前記樹脂膜形成フィルム又は前記樹脂膜を割断する手段である、［５］又は［６］に記載の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置。
［８］　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、支持シート及びエネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムが積層された、前記支持シート、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記支持シート、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体の前記樹脂膜形成フィルムに対して、エネルギー線照射して樹脂膜を形成する硬化手段と、
　前記樹脂膜形成フィルム、若しくは、前記樹脂膜を割断する割断手段と、
　前記割断手段の後に、前記支持シートをエキスパンドするエキスパンド手段と、を備え、
　前記割断手段から前記エキスパンド手段までをインラインプロセスで実行する、［５］～［７］のいずれか一項に記載の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置。
　本発明によれば、効率よく、かつ低コストで製造可能な樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法が提供される。
実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法の一例における工程の一部を模式的に示す概略断面図である。 実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法の一例における工程の一部を模式的に示す概略断面図である。 実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法の他の一例における工程の一部を模式的に示す概略断面図である。 実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法のさらに他の一例における工程の一部を模式的に示す概略断面図である。 実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法のさらに他の一例における工程の一部を模式的に示す概略断面図である。 実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法のさらに他の一例における工程の一部を模式的に示す概略断面図である。 実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法のさらに他の一例における工程の一部を模式的に示す概略断面図である。 基材１１上に粘着剤層１２が設けられた支持シート１０の一例を示す概略断面図である。 実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法のさらに他の一例における工程の一部を模式的に示す概略断面図である。 実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法のさらに他の一例における工程の一部を模式的に示す概略断面図である。 実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法のさらに他の一例における工程の一部を模式的に示す概略断面図である。 従来の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法の一例を模式的に示す概略断面図である。 従来の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法の他の一例を模式的に示す概略断面図である。
＜＜樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法＞＞
　本発明の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、
　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムが積層された、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体の前記樹脂膜形成フィルムに対して、エネルギー線照射して樹脂膜を形成する硬化工程と、
　前記樹脂膜形成フィルム、若しくは、前記樹脂膜を割断する割断工程と、を備え、
　前記割断工程から前記硬化工程まで、又は、前記硬化工程から前記割断工程までをインラインプロセスで実行する。
　また、本発明の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、
　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムを積層して、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体を形成する積層工程と、
　支持シート上に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルム、及び、回路面を有するワーク、若しくは、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物をこの順に備える積層体を形成する貼付工程と、
　前記樹脂膜形成フィルムに対して、エネルギー線照射して樹脂膜を形成する硬化工程と、
　前記樹脂膜形成フィルム、若しくは、前記樹脂膜を割断する割断工程と、
　前記割断工程の後に、前記支持シートをエキスパンドするエキスパンド工程と、を備え、
　前記割断工程から前記エキスパンド工程までをインラインプロセスで実行する、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法。
　熱硬化性の樹脂膜形成フィルムを用いた場合、熱硬化させて樹脂膜を得るために、通常は１時間以上の熱硬化工程が必要になり、同一装置で逐次に、樹脂膜形成フィルム、若しくは、樹脂膜を割断する割断工程を行うことができない。
　本発明の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムに対して、エネルギー線照射して樹脂膜を形成する硬化工程を備える。本発明の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムを用いるので、樹脂膜を形成する硬化工程を短時間に完了させることができる。そして、樹脂膜形成フィルム、若しくは、樹脂膜を割断する割断工程を行う生産ラインに、エネルギー線照射のユニットを組み込むことさえしてしまえば、同一の装置でこれらの工程を行うことができ、生産性が著しく向上する。
　以下、第１実施形態～第６実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
＜第１実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法＞
　第１実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法の一例は、図１Ａ及び図１Ｂで示される。
　第１実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法は、ワーク１４の個片化しようとする箇所を改質層加工１４１することで、ワーク加工物１４’を形成する加工工程（図１Ａ（ａ）～図１Ａ（ｂ））と、改質層加工１４１されたワーク加工物１４’の回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削する研削工程（図１Ａ（ｃ）～図１Ａ（ｄ））と、を備える。
　本実施形態において、図１Ａ（ａ）に示されるワーク１４として、半導体ウエハを用いている。半導体ウエハ（ワーク１４）の一方の面に回路面１４ａを有しており、回路面１４ａにはバンプ４１が形成されている。また、半導体ウエハの回路面１４ａ及びバンプ４１が、半導体ウエハの裏面研削時に潰れたり、ウエハ裏面におけるディンプルやクラックが発生したりすることを防止するために、半導体ウエハの回路面１４ａ及びバンプ４１を、回路面保護用テープ１７によって保護することが好ましい（図１Ａ（ｃ））。
　ワーク１４としては、一方に回路面１４ａを有し、他方の面が裏面と云えるものであれば限定されない。ワーク１４として、一方に回路面を有する半導体ウエハや、個片化され個々の電子部品が封止樹脂で封止され、一方に、端子付き半導体装置の端子形成面（換言すると回路面）を有する端子付き半導体装置集合体からなる半導体装置パネル等を例示することができる。
　ウエハとしては、シリコン、ゲルマニウム、セレン等の元素半導体や、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ等の化合物半導体、で構成される半導体ウエハ；サファイア、ガラス等の絶縁体で構成される絶縁体ウエハが挙げられる。
　「半導体装置パネル」とは、少なくとも一個の電子部品が封止樹脂層で封止された複数の半導体装置が、平面的に並んで配置された集合体を云う。
　本明細書においては、回路が形成されている側のワークの面を「回路面」と称する。そして、ワークの回路面とは反対側の面を「裏面」ということがある。回路が形成されている側のワーク加工物の面を「回路面」と称し、ワーク加工物の回路面とは反対側の面を「裏面」ということがある。
　回路面保護用テープ１７としては、例えば、特開２０１６－１９２４８８号公報、特開２００９－１４１２６５号公報に開示された表面保護用シートを用いることができる。回路面保護用テープ１７は、適度な再剥離性を有する粘着剤層１２を備えている。粘着剤層１２は、ゴム系、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ビニルエーテル樹脂など汎用の弱粘着タイプの粘着剤から形成されてもよい。また、粘着剤層１２は、エネルギー線の照射により硬化して再剥離性となるエネルギー線硬化型粘着剤であってもよい。回路面保護用テープ１７が両面テープ形状となっており、回路面保護用テープ１７のさらに外側が硬質支持体に固定されていてもよく、硬質の支持体にワーク１４が固定されていてもよい。
　本実施形態は、ワーク１４の個片化しようとする箇所を改質層加工１４１した後に、ワーク加工物１４’の回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削するので、研削する時の振動や衝撃により個片化できる。本実施形態は、改質層が劈開した後の破砕層も研削により削り取ることで、個片化されたワーク加工物１４’の強度が向上するため、より薄い個片化されたワーク加工物１４’を製造できる。
　第１実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法は、さらに、
　ワーク加工物１４’の回路面１４ａとは反対側の面１４’ｂに、支持シート１０及び樹脂膜形成フィルム１３が積層された樹脂膜形成用複合シート１の樹脂膜形成フィルム１３の露出面１３ａを貼付して、支持シート１０上に、樹脂膜形成フィルム１３及びワーク加工物１４’をこの順に備える第三積層体１０３を形成する貼付工程（図１Ｂ（ｇ）～図１Ｂ（ｈ））と、
　第三積層体１０３中の樹脂膜形成フィルム１３を、ワーク加工物１４’の改質層加工１４１された箇所に沿って割断して、支持シート１０上に、複数の樹脂膜形成フィルム１３付き個片化ワーク加工物２０が積層された第四積層体１０４を形成する割断工程（図１Ｂ（ｊ））と、
　第四積層体１０４中の樹脂膜形成フィルム１３に対して、支持シート１０の側からエネルギー線照射（Ｅ）して樹脂膜１３’を形成して、支持シート１０上に、複数の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１が積層された第六積層体１０６を形成する硬化工程（図１Ｂ（ｋ））と、を備え、
　割断工程（図１Ｂ（ｊ））から硬化工程（図１Ｂ（ｋ））までをインラインプロセスで実行する。
　本明細書において、「インラインプロセス」とは、一の若しくは複数の工程を行う装置を複数台連結した施設内で、又は、複数の工程を行う一の装置内で行うプロセスであって、一の工程とその次の工程との間において、ワーク若しくはワーク加工物を含む積層体を一枚ずつ搬送するプロセスを云う。また、「オフラインプロセス」とは、一の工程とその次の工程との間において、ワーク若しくはワーク加工物を含む積層体を二枚以上ずつ搬送するプロセスをいい、連結されていない複数台の装置で複数の工程を行うプロセスを含み得る。
　本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味する。エネルギー線の例としては、紫外線、放射線、電子線等が挙げられる。紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンランプ、キセノンランプ、ブラックライト又はＬＥＤランプ等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
　また、本明細書において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線照射しても硬化しない性質を意味する。
　エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムをエネルギー線硬化させて、保護膜を形成するときの硬化条件は、保護膜が十分にその機能を発揮する程度の硬化度となる限り特に限定されず、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムの種類に応じて、適宜選択すればよい。
　例えば、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムのエネルギー線硬化時における、エネルギー線の照度は、４～２８０ｍＷ／ｃｍ２であることが好ましい。そして、前記硬化時における、エネルギー線の光量は、３～１０００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。
　本実施形態は、割断工程から硬化工程までをインラインプロセスで実行するので、第四積層体１０４を、カセットに収容することなく、一枚ずつ搬送することができる。同一装置内で行うことにより、装置スペースをより低減できる。第四積層体１０４を人の手によって搬送する必要がなくなり、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の生産効率を向上させることができる。樹脂膜形成フィルム１３を割断する装置（例えば、支持シート１０を伸張（エキスパンド）することにより、樹脂膜形成フィルム１３を割断する装置）と、樹脂膜形成フィルム１３に対してエネルギー線照射（Ｅ）する装置を連結させて行うことにより、一から設計せずとも従来の装置を改造することで対応ができ、初期費用の低減ができる。そして、本実施形態は、第四積層体１０４を搬送する間の汚染、破損を抑制することができ、また、第四積層体１０４の、搬送および工程間の保管に要する時間を省くことができる。結果、樹脂膜付き個片化ワーク加工物を、効率よく、かつ低コストで製造可能である。
　本実施形態に係る樹脂膜付きワーク加工物の製造方法においては、上述した研削工程において、ワーク加工物１４’の研削によりワーク１４の個片化を行うことにより、積層工程においてすでにワーク加工物１４’が個片化されている。そのため、樹脂膜形成フィルム１３を割断することで、簡便に、樹脂膜形成フィルム１３付き個片化ワーク加工物２０を得ることができる。したがって、割断工程から硬化工程までをインラインプロセスで実行する装置に、割断手段とは別にワーク加工物１４’の個片化手段を追加する必要がない。割断手段として、エキスパンド手段を採用する場合には、装置にブレードダイシング手段やレーザー切断手段を追加する必要がなく、装置を簡略化することができる。また、本実施形態の割断工程のように、ワーク加工物１４’を改質層加工１４１により得る場合には、ワーク加工物１４’の改質層加工１４１された箇所に沿って、樹脂膜形成フィルム１３を割断するが、支持シート１０のエキスパンドにより樹脂膜形成フィルム１３を割断することが好ましい。研削によりワーク加工物１４’を劈開させることによる個片化の場合には、隣り合う個々の個片化されたワーク加工物１４’の間隔は実質的に存在しないため、レーザーやブレードによる樹脂膜形成フィルム１３の切断が困難な場合があるためである。
　本実施形態では、貼付工程（図１Ｂ（ｇ）～図１Ｂ（ｈ））の時点でワーク加工物１４’は個片化されているが、研削によりワーク加工物１４’を劈開させることによる個片化の場合には、隣り合う個々の個片化されたワーク加工物１４’の間隔は実質的に存在せず、個々の樹脂膜形成フィルム１３付き個片化ワーク加工物２０の間隔は小さい。そのため、第四積層体１０４を長い搬送距離の間で搬送すると、隣り合う個片化されたワーク加工物１４’同士が接触して、個片化されたワーク加工物１４’の端部が破損するおそれがある。本実施形態では、割断工程（図１Ｂ（ｊ））から硬化工程（図１Ｂ（ｋ））までをインラインプロセスで実行するので、割断工程（図１Ｂ（ｊ））と、硬化（図１Ｂ（ｋ））との間の搬送距離は極めて短く、個片化されたワーク加工物１４’の端部が破損するおそれを低減させることができる。
　また、割断工程及び硬化工程の後に、別途支持シート１０をエキスパンドするエキスパンド工程を行う場合、割断工程からエキスパンド工程までをインラインプロセスで実行することが好ましい。支持シート１０のエキスパンド前は、個片化された前記ワーク加工物１４’の間隔が狭く、これらの工程をオフラインプロセスで行うと、工程移行時の搬送によって、個片化された前記ワーク加工物１４’同士が接触して破損する可能性がある。しかしながら、エキスパンド工程をインラインプロセス内で実行した後は、その後のオフラインプロセスにおける、前記ワーク加工物同士の接触による破損の可能性が低減される。
　本実施形態において、ワーク加工物１４’の個片化から、硬化工程までの全プロセスをインラインで行い、個片化されたワーク加工物１４’が破損する可能性を低減する観点から、研削工程から積層工程までをインラインプロセスで行うことも好ましい。
　さらに、本実施形態は、貼付工程（図１Ｂ（ｇ）～図１Ｂ（ｈ））から硬化工程（図１Ｂ（ｋ））までをインラインプロセスで実行することが好ましい。
　本実施形態では、貼付工程（図１Ｂ（ｇ）～図１Ｂ（ｈ））と同時に、樹脂膜形成フィルム１３及びワーク加工物１４’をこの順に備える第二積層体１０２を形成する積層工程が行われる。
　本実施形態は、貼付工程（すなわち、積層工程）から硬化工程までをインラインプロセスで実行することにより、第三積層体１０３及び第四積層体１０４を、カセットに収容することなく、一枚ずつ搬送することができる。同一装置内で行うことにより、装置スペースをより低減できる。第三積層体１０３及び第四積層体１０４を人の手によって搬送する必要がなくなり、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の生産効率を向上させることができる。樹脂膜形成フィルム１３を割断する装置と、樹脂膜形成フィルム１３に対してエネルギー線照射（Ｅ）する装置を連結させて行うことにより、一から設計せずとも従来の装置を改造することで対応ができ、初期費用の低減ができる。さらに、ワーク加工物１４’に積層する装置（樹脂膜形成用複合シート１をワーク加工物１４’に貼付する装置）をも同一の装置に連結させることが可能である。そして、本実施形態は、第三積層体１０３及び第四積層体１０４を搬送する間の汚染、破損を抑制することができ、また、第三積層体１０３及び第四積層体１０４の、搬送および工程間における保管に要する時間を省くことができる。結果、樹脂膜付き個片化ワーク加工物を、効率よく、かつ低コストで製造可能である。
　この場合には、貼付工程から、割断工程までの間においても、隣り合う個片化されたワーク加工物１４’同士が接触して、個片化されたワーク加工物１４’の端部が破損する可能性を低減することができる。
　本実施形態において、ワーク加工物１４’の回路面１４ａは、回路面保護用テープ１７に保護され、貼付工程（図１Ｂ（ｇ）～図１Ｂ（ｈ））の後に、ワーク加工物１４’の回路面１４ａから、回路面保護用テープ１７を剥離する剥離工程を備えることが好ましい（図１Ｂ（ｈ）～図１Ｂ（ｉ））。
　本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法は、さらに、樹脂膜形成フィルム１３に、支持シート１０の側からレーザーを照射してレーザーマーキングする工程（図１Ｂ（ｌ））と、樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１を、支持シート１０からピックアップする工程（図１Ｂ（ｍ））とを備えることが好ましい。本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法は、樹脂膜形成フィルム１３に、支持シート１０が積層されるので、支持シート１０の側から支持シート１０越しにレーザーを照射すると、樹脂膜形成フィルム１３の支持シート１０と接している面にレーザーマーキングすることができる。
（第１実施形態の変形例）
　本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、図１Ａ及び図１Ｂに示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図１Ａ及び図１Ｂに示すものの一部の構成が変更又は削除されたものや、これまでに説明したものにさらに他の構成が追加されたものであってもよい。
　例えば、本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、樹脂膜形成用複合シート１を用いずに、ワーク加工物１４’の回路面１４ａとは反対側の面１４’ｂに、樹脂膜形成フィルム１３の露出面１３ａを貼付して、樹脂膜形成フィルム１３及びワーク加工物１４’が積層された第二積層体１０２を形成する積層工程（図２（ｅ）～図２（ｆ））と、第二積層体１０２中の樹脂膜形成フィルム１３の露出面１３ｂに、支持シート１０を貼付して、支持シート１０上に、樹脂膜形成フィルム１３及びワーク加工物１４’をこの順に備える第三積層体１０３を形成する貼付工程（図２（ｇ）～図１Ｂ（ｈ））と、を備えていてもよい。
　なお、図２以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
　この場合、積層工程の後に、貼付工程が実施され、貼付工程は通常、割断工程前に実施される。また、積層工程、貼付工程、割断工程、及び、硬化工程をインラインプロセスで実行することが好ましい。積層工程から硬化工程までをインラインプロセスで実行することにより、第二積層体１０２を、カセットに収容することなく、一枚ずつ搬送することができ、第三積層体１０３を、カセットに収容することなく、一枚ずつ搬送することができるので、樹脂膜付き個片化ワーク加工物を、より効率よく、かつ低コストで製造可能である。
　さらに、積層工程はオフラインプロセスとし、貼付工程から硬化工程までをインラインプロセスにより実行してもよく、この場合であっても、貼付工程から硬化工程までの間の、第三積層体１０３の搬送や保管時間の短縮による効率化、第三積層体１０３が破損することのリスクを低減するという効果を得ることができる。本実施形態に係る樹脂膜付きワーク加工物の製造方法を実施するための製造装置において、積層工程を行う積層手段と貼付工程を行う貼付手段とは、通常、類似の機構を備えており、一体化することが容易であるため、積層工程と貼付工程をもインラインプロセスで実行することがより好ましい。
　このように積層工程後に貼付工程を実行する場合において、支持シート１０が基材１１上に粘着剤層１２を有する粘着シートであると、粘着剤層１２と樹脂膜形成フィルム１３との間で、相互にそれぞれの成分が移行する可能性がある。このような成分の移行の量は、粘着剤層１２と樹脂膜形成フィルム１３とが接触している時間が長いほど、増大していく。本発明に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法では、貼付工程から硬化工程までをインラインプロセスで実行することが可能であり、貼付工程と、硬化工程との間の時間を短縮することが可能である。これにより、上記の成分移行の増大を防ぎ、成分移行に伴う樹脂膜形成フィルム１３の特性の変化等、例えば、硬化性能の低下等の問題が発生する可能性を低減することができる。
＜第２実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法＞
　第２実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法の一例は、図３Ａ及び図３Ｂで示される。
　第２実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法は、前記ワーク１４の個片化しようとする箇所をハーフダイシング加工１４２することで、前記ワーク加工物１４’を形成する加工工程（図３Ａ（ａ）～図３Ａ（ｂ））と、ハーフダイシング加工１４２された前記ワーク加工物１４’の前記回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削することにより、前記ワーク加工物１４’を個片化する研削工程（図３Ａ（ｃ）～図３Ａ（ｄ））と、を備える。
　本実施形態において、図１Ａ（ａ）に示されるワーク１４として、一方の面に回路面１４ａを有する半導体ウエハ（ワーク１４）を用いている。半導体ウエハの回路面１４ａ及びバンプ４１を、回路面保護用テープ１７によって保護する（図３Ａ（ｃ））。本実施形態における前記ワーク加工物１４’は、ハーフダイシング加工１４２されるので、前記ワーク加工物１４’の前記回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削する時に個片化され、個片化ワーク加工物２０とすることができる。
　ワーク加工物１４’を個片化する研削工程（図３Ａ（ｃ）～図３Ａ（ｄ））においては、研削する時の振動や衝撃によりワーク加工物１４’が個片化されるのではなく、ワーク加工物１４’の裏面が研削されて、ハーフダイシング加工１４２により形成された溝に裏面が到達することにより個片化される。本実施形態において、回路面保護用テープ１７は、複数の個片化ワーク加工物２０を保持することができる。
　前記ワーク加工物１４’は前記回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削する時に個片化されるので、前記樹脂膜形成フィルム１３を割断する時に、簡便に、樹脂膜形成フィルム１３付き個片化ワーク加工物２０を得ることができる。
　本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、さらに、個片化ワーク加工物２０の前記回路面１４ａとは反対側の面１４’ｂに、前記支持シート１０及び前記樹脂膜形成フィルム１３が積層された樹脂膜形成用複合シート１の前記樹脂膜形成フィルム１３の露出面１３ａを貼付して、前記支持シート１０上に、前記樹脂膜形成フィルム１３及び前記ワーク加工物１４’をこの順に備える第三積層体１０３を形成する貼付工程（図３Ｂ（ｇ）～図３Ｂ（ｈ））と、
　前記第三積層体１０３中の前記樹脂膜形成フィルム１３を、前記ワーク加工物１４’の前記ハーフダイシング加工１４２された箇所に沿って割断して、前記支持シート１０上に、複数の樹脂膜形成フィルム１３付き個片化ワーク加工物２０が積層された第四積層体１０４を形成する割断工程（図３Ｂ（ｊ））と、
　前記第四積層体１０４中の前記樹脂膜形成フィルム１３に対して、前記支持シート１０の側からエネルギー線照射（Ｅ）して樹脂膜１３’を形成して、前記支持シート１０上に、複数の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１が積層された第六積層体１０６を形成する硬化工程（図３Ｂ（ｋ））と、を備え、
　第四積層体１０４を形成する割断工程（図３Ｂ（ｊ））から第六積層体１０６を形成する硬化工程（図３Ｂ（ｋ））までをインラインプロセスで実行する。
　本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、第三積層体１０３を形成する貼付工程（図３Ｂ（ｇ）～図３Ｂ（ｈ））から第六積層体１０６を形成する硬化工程（図３Ｂ（ｋ））までをインラインプロセスで実行してもよい。
　ワーク加工物１４’の裏面を研削して、ハーフダイシング加工１４２により形成された溝に裏面が到達することにより個片化する場合、通常は改質層加工１４１によりワーク加工物１４’を得る場合よりも個片化されたワーク加工物１４’の間隔は大きい。しかしながら、歩留まり向上等のため、個片化されたワーク加工物１４’の間隔は小さいこともあり、積層工程後に硬化工程をオフラインプロセスで行う場合や、割断工程と硬化工程とをオフラインプロセスで行う場合に、個片化されたワーク加工物１４’同士の接触による破損が起こり得る。そのため、これらの工程をインラインプロセス化することで、個片化されたワーク加工物１４’の破損の可能性を低減することができる。ワーク加工物１４’ではなく、ワーク１４に樹脂膜形成フィルム１３を積層する場合には、樹脂膜形成フィルム１３にエネルギー線照射して樹脂膜１３’を形成した後に、ワーク１４の個片化及び樹脂膜１３’の割断を一括して行うことで、個片化されたワーク加工物１４’の状態で硬化工程を行うことを回避することができる。
　しかしながら、ワーク加工物１４’を研削工程で個片化する場合、必ず硬化工程はワーク加工物１４’が個片化された状態で行われるため、硬化工程のインラインプロセス化により、個片化されたワーク加工物１４’の破損を防止できる。
＜第３実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法＞
　第３実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法の一例は、図１Ａ及び図４で示される。
　第３実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法は、前記ワーク１４の個片化しようとする箇所を改質層加工１４１することで、前記ワーク加工物１４’を形成する加工工程（図１Ａ（ａ）～図１Ａ（ｂ））と、改質層加工１４１された前記ワーク加工物１４’の前記回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削する研削工程（図１Ａ（ｃ）～図１Ａ（ｄ））と、を備える。
　本実施形態における加工工程（図１Ａ（ａ）～図１Ａ（ｂ））から、研削工程（図１Ａ（ｃ）～図１Ａ（ｄ））は、第１実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法における加工工程（図１Ａ（ａ）～図１Ａ（ｂ））から、研削工程（図１Ａ（ｃ）～図１Ａ（ｄ））と同じである。
　本実施形態において、図１Ａ（ａ）に示されるワーク１４として、一方の面に回路面１４ａを有する半導体ウエハ（ワーク１４）を用いている。半導体ウエハの回路面１４ａ及びバンプ４１を、回路面保護用テープ１７によって保護する（図１Ａ（ｃ））。回路面保護用テープ１７についての説明は、第１実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法における回路面保護用テープ１７についての説明と同様である。
　本実施形態は、前記ワーク１４の個片化しようとする箇所を改質層加工１４１した後に、前記ワーク加工物１４’の前記回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削するので、研削する時の振動や衝撃により個片化できる。本実施形態は、改質層が劈開した後の破砕層も研削により削り取ることで、個片化ワーク加工物の強度が向上するため、より薄い個片化ワーク加工物を製造できる。
　第３実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法は、さらに、
　ワーク加工物１４’の回路面１４ａとは反対側の面１４’ｂに、支持シート１０及び樹脂膜形成フィルム１３が積層された樹脂膜形成用複合シート１の樹脂膜形成フィルム１３の露出面１３ａを貼付して、支持シート１０上に、樹脂膜形成フィルム１３及びワーク加工物１４’をこの順に備える第三積層体１０３を形成する貼付工程（図４（ｇ）～図４（ｈ））と、
　第三積層体１０３中の樹脂膜形成フィルム１３に対して、支持シート１０の側からエネルギー線照射（Ｅ）して樹脂膜１３’を形成して、支持シート１０上に、樹脂膜１３’及び前記ワーク加工物１４’をこの順に備える第五積層体１０５を形成する硬化工程（図４（ｊ））と、
　第五積層体１０５中の樹脂膜１３’を、ワーク加工物１４’の改質層加工１４１された箇所に沿って割断して、支持シート１０上に、複数の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１が積層された第六積層体１０６を形成する割断工程（図４（ｌ））と、を備え、
　硬化工程（図４（ｊ））から割断工程（図４（ｌ））までをインラインプロセスで実行する。
　本実施形態は、貼付工程（図４（ｇ）～図４（ｈ））と同時に、前記樹脂膜形成フィルム１３及びワーク加工物１４’をこの順に備える第二積層体１０２を形成する積層工程が行われる。
　本実施形態においても、第１実施形態と同様、研削工程において、ワーク加工物１４’の研削によりワーク１４の個片化を行うことにより、積層工程においてすでにワーク加工物１４’が個片化されているため、樹脂膜形成フィルム１３を割断することで、簡便に、樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１を得ることができる。また、積層工程、割断工程（好ましくは、支持シート１０のエキスパンドによる、エキスパンド工程を兼ねた割断工程）、及び、硬化工程をインラインプロセス化して、ワークへの樹脂膜形成と、個片化された樹脂膜付きワーク加工物１４’を効率的に得ることができ、製造装置の簡略を図り得る。さらに、隣り合う個々の個片化されたワーク加工物１４’の間隔が実質的に存在しなくても、支持シート１０のエキスパンドにより、容易に樹脂膜１３’を割断し得る。
　本実施形態においても、第１実施形態と同様に、隣り合う個々の個片化されたワーク加工物１４’の間隔は実質的に存在せず、個々の樹脂膜形成フィルム１３付き個片化ワーク加工物２０の間隔は小さい。しかしながら、硬化工程から割断工程までをインラインプロセスで実行するので、硬化工程と、割断との間の搬送距離は極めて短く、個片化されたワーク加工物１４’の端部が破損するおそれを低減させることができる。
　本実施形態は、硬化工程から割断工程までをインラインプロセスで実行することにより、第五積層体１０５を、カセットに収容することなく、一枚ずつ搬送することができる。同一装置内で行うことにより、装置スペースをより低減できる。第五積層体１０５を人の手によって搬送する必要がなくなり、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の生産効率を向上させることができる。
　樹脂膜形成フィルム１３に対して前記支持シート１０の側からエネルギー線照射（Ｅ）する装置と、樹脂膜１３’を割断する装置（例えば、支持シート１０をエキスパンドすることにより、樹脂膜１３’を割断する装置）を連結させて行うことにより、一から設計せずとも従来の装置を改造することで対応ができ、初期費用の低減ができる。本実施形態に係る樹脂膜付きワーク加工物の製造方法においては、上述した研削工程において、ワーク加工物１４’の研削によりワーク１４の個片化を行うため、硬化工程から割断工程までをインラインプロセスで実行する装置に、割断手段とは別にワーク加工物１４’の個片化手段を追加する必要がない。割断手段として、エキスパンド手段を採用する場合には、装置にブレードダイシング手段やレーザー切断手段を追加する必要がなく、装置を簡略化することができる。そして、本実施形態は、さらに、第五積層体１０５を搬送する間の汚染、破損を抑制することができる。結果、樹脂膜付き個片化ワーク加工物を、効率よく、かつ低コストで製造可能である。
　この場合には、硬化工程から割断工程までの間においても、隣り合う個片化されたワーク加工物１４’同士が接触して、個片化されたワーク加工物１４’の端部が破損する可能性を低減することができる。
　割断工程を支持シート１０のエキスパンドにより行う場合や、割断工程の後に、別途支持シート１０をエキスパンドするエキスパンド工程を行う場合、硬化工程からエキスパンド工程までをインラインプロセスで実行すること（すなわち、割断工程からエキスパンド工程までをインラインプロセスで実行すること）が好ましい。支持シート１０のエキスパンド前は、個片化された前記ワーク加工物１４’の間隔が狭く、これらの工程をオフラインプロセスで行うと、工程移行時の搬送によって、個片化された前記ワーク加工物１４’同士が接触して破損する可能性がある。しかしながら、エキスパンド工程をインラインプロセス内で実行した後は、その後のオフラインプロセスにおける、前記ワーク加工物同士の接触による破損の可能性が低減される。
　なお割断工程を支持シート１０のエキスパンドにより行う場合は、硬化工程から割断工程までをインラインプロセスで実行することで、当然に、硬化工程からエキスパンド工程までがインラインプロセスで実行される。割断工程の後に、エキスパンド工程を行う場合には、割断工程からエキスパンド工程までをインラインプロセス化すればよい。
　このような個片化された前記ワーク加工物１４’同士の接触による破損の可能性を低減する効果については、ワーク加工物１４’を用い、樹脂膜形成フィルムを硬化させて樹脂膜を得る工程の後に、樹脂膜を割断する割断工程を行う、他の実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法においても、同様に得ることができる。
　本実施形態において、ワーク加工物１４’の回路面１４ａは、回路面保護用テープ１７に保護されており、貼付工程（図４（ｇ）～図４（ｈ））の後に、ワーク加工物１４’の回路面１４ａから、回路面保護用テープ１７を剥離する剥離工程を備えることが好ましい（図４（ｈ）～図４（ｉ））。
　本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法は、貼付工程（図４（ｇ）～図４（ｈ））から割断工程（図４（ｌ））までをインラインプロセスで実行することが好ましい。
　本実施形態は、貼付工程から割断工程までをインラインプロセスで実行することにより、第三積層体１０３及び第五積層体１０５を、カセットに収容することなく、一枚ずつ搬送することができる。同一装置内で行うことにより、装置スペースをより低減できる。第三積層体１０３及び第五積層体１０５を人の手によって搬送する必要がなくなり、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の生産効率を向上させることができる。樹脂膜形成フィルム１３に対して前記支持シート１０の側からエネルギー線照射（Ｅ）する装置と、樹脂膜１３’を割断する装置を連結させて行うことにより、一から設計せずとも従来の装置を改造することで対応ができ、初期費用の低減ができる。本実施形態は、さらに、第三積層体１０３を搬送する間、及び、第五積層体１０５を搬送する間の汚染、破損を抑制することができ、結果、樹脂膜付き個片化ワーク加工物を、効率よく、かつ低コストで製造可能である。
　仮に、第五積層体１０５を形成する硬化工程をオフラインプロセスで行う場合には、第三積層体１０３を形成する貼付工程から第五積層体１０５を形成する硬化工程の間と、第五積層体１０５を形成する硬化工程から樹脂膜１３’を割断して第六積層体１０６を形成する割断工程の間に、二度の搬送が必要となる。そのため、これらの搬送に伴う積層体の保管の必要性も生じうる。本実施形態によれば、これらの二度の搬送および保管を省略することができ、プロセスの著しい効率化が達成される。
　本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法は、さらに貼付工程（図４（ｇ）～図４（ｈ））の後に、ワーク加工物１４’の回路面１４ａから、回路面保護用テープ１７を剥離する剥離工程（図４（ｈ）～図４（ｊ））と、硬化工程（図４（ｊ））の後に、樹脂膜１３’に支持シート１０の側からレーザーを照射してレーザーマーキングする工程（図４（ｋ））と、割断工程（図４（ｌ））の後に、ピックアップする工程（図４（ｍ））とを備える。レーザーマーキングする工程は、これに限らず、任意の順番に、樹脂膜形成フィルム１３に、支持シート１０の側からレーザーを照射してもよい。
（第３実施形態の変形例）
　本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、図１Ａ及び図４に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図１Ａ及び図４に示すものの一部の構成が変更又は削除されたものや、これまでに説明したものにさらに他の構成が追加されたものであってもよい。
　本実施形態においても、第１実施形態の変形例と同様、ワーク加工物１４’の回路面１４ａとは反対側の面１４’ｂに、樹脂膜形成フィルム１３の露出面１３ａを貼付して、樹脂膜形成フィルム１３及び前記ワーク加工物１４’が積層された第二積層体１０２を形成する積層工程（図２（ｅ）～図２（ｆ））と、第二積層体１０２中の樹脂膜形成フィルム１３の露出面１３ｂに、支持シート１０を貼付して、支持シート１０上に、樹脂膜形成フィルム１３及びワーク加工物１４’をこの順に備える第三積層体１０３を形成する貼付工程（図４（ｇ）～図４（ｈ））と、を備えていてもよい。この場合、積層工程の後に、貼付工程が実施される。貼付工程は、通常、割断工程前に行われるが、硬化工程後に貼付工程を行って、支持シート１０上に、樹脂膜１３’及びワーク加工物１４’をこの順に備える積層体を形成してもよい（図示せず。）。積層工程はオフラインプロセスとし、貼付工程から硬化工程までをインラインプロセスにより実行してもよいが、本実施形態に係る樹脂膜付きワーク加工物の製造方法を実施するための製造装置において、積層工程を行う積層手段と貼付工程を行う貼付手段とは、通常、類似の機構を備え、一体化することが容易であるため、積層工程、貼付工程、及び、硬化工程をインラインプロセスで実行することが好ましい。
　積層工程後、硬化工程前に貼付工程を行う場合、支持シート１０が基材１１上に粘着剤層１２を有する粘着シートであると、粘着剤層１２と樹脂膜形成フィルム１３との間で、相互にそれぞれの成分が移行する可能性がある。第１実施形態と同様、貼付工程と硬化工程をインラインプロセス化することにより、このような成分移行の増大を防ぎ得る。
　第１実施形態と同様、ワーク１４の個片化しようとする箇所を改質層加工１４１することで、ワーク加工物１４’を形成する加工工程と、改質層加工１４１されたワーク加工物１４’の回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削する研削工程に代えて、ワーク１４の個片化しようとする箇所をハーフダイシング加工１４２することで、ワーク加工物１４’を形成する加工工程（図３Ａ（ａ）～図３Ａ（ｂ））と、ハーフダイシング加工１４２されたワーク加工物１４’の回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削することにより、ワーク加工物１４’を個片化する研削工程（図３Ａ（ｃ）～図３Ａ（ｄ））と、を備えていてもよい。
　なお、加工工程及び研削工程は、第３実施形態と第１実施形態で同一であるため、生じる作用効果も同様である。
　本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、さらに、第三積層体１０３を形成する貼付工程（図３Ｂ（ｇ）～図３Ｂ（ｈ））と、第四積層体１０４を形成する割断工程（図３Ｂ（ｊ））と、第六積層体１０６を形成する硬化工程（図３Ｂ（ｋ））と、を備え、第四積層体１０４を形成する割断工程（図３Ｂ（ｊ））から第六積層体１０６を形成する硬化工程（図３Ｂ（ｋ））までをインラインプロセスで実行する。
　本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、第三積層体１０３を形成する貼付工程（図３Ｂ（ｇ）～図３Ｂ（ｈ））から第六積層体１０６を形成する硬化工程（図３Ｂ（ｋ））までをインラインプロセスで実行してもよい。
＜第４実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法＞
　第４実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法の一例は、図３Ａ及び図５で示される。
　第４実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法は、前記ワーク１４の個片化しようとする箇所をハーフダイシング加工１４２することで、前記ワーク加工物１４’を形成する加工工程（図３Ａ（ａ）～図３Ａ（ｂ））と、ハーフダイシング加工１４２された前記ワーク加工物１４’の前記回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削することにより、前記ワーク加工物１４’を個片化する研削工程（図３Ａ（ｃ）～図３Ａ（ｄ））と、を備える。
　本実施形態において、図３Ａ（ａ）に示されるワーク１４として、一方の面に回路面１４ａを有する半導体ウエハ（ワーク１４）を用いている。半導体ウエハの回路面１４ａ及びバンプ４１を、回路面保護用テープ１７によって保護する（図３Ａ（ｃ））。
　前記ワーク加工物１４’は前記回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削する時に個片化されるので、前記樹脂膜１３’を割断する時には、簡便に、樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１を得ることができる。
　第４実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法は、さらに、
　個片化ワーク加工物２０の前記回路面１４ａとは反対側の面１４’ｂに、前記支持シート１０及び前記樹脂膜形成フィルム１３が積層された樹脂膜形成用複合シート１の前記樹脂膜形成フィルム１３の露出面１３ａを貼付して、前記第三積層体１０３を形成する積層工程（図５（ｇ）～図５（ｈ））と、
　前記第三積層体１０３中の前記樹脂膜形成フィルム１３に対して、前記支持シート１０の側からエネルギー線照射（Ｅ）して樹脂膜１３’を形成して、前記支持シート１０上に、前記樹脂膜１３’及び個片化ワーク加工物２０をこの順に備える第五積層体１０５を形成する硬化工程（図５（ｊ））と、
　前記第五積層体１０５中の前記樹脂膜１３’を、前記個片化ワーク加工物２０の前記ハーフダイシング加工１４２された箇所に沿って割断して、前記支持シート１０上に、複数の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１が積層された第六積層体１０６を形成する割断工程（図５（ｌ））と、を備え、
　前記第五積層体１０５を形成する硬化工程（図５（ｊ））から第六積層体１０６を形成する割断工程（図５（ｌ））までをインラインプロセスで実行する。
　本実施形態は、前記支持シート１０上に、前記樹脂膜形成フィルム１３及び個片化ワーク加工物２０をこの順に備える第三積層体１０３を形成する積層工程（図５（ｇ）～図５（ｈ））と同時に、前記樹脂膜形成フィルム１３及び個片化ワーク加工物２０をこの順に備える第二積層体１０２が形成される。
　本実施形態において、前記第五積層体１０５を形成する硬化工程から前記第六積層体１０６を形成する割断工程までをインラインプロセスで実行することにより、第３実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法と同様に、前記第五積層体１０５を搬送する間に汚染したり、破損したりするおそれを低減させることができ、樹脂膜付き個片化ワーク加工物を、効率よく、かつ低コストで製造可能である。
　本実施形態において、前記第三積層体１０３を形成する積層工程から前記第五積層体１０５を形成する硬化工程までをインラインプロセスで実行することが好ましい。これにより、第３実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法と同様に、前記第三積層体１０３を搬送する間に汚染したり、破損したりするおそれを低減させることができ、樹脂膜付き個片化ワーク加工物を、効率よく、かつ低コストで製造可能である。
　本実施形態において、ワーク加工物１４’の回路面１４ａは、回路面保護用テープ１７に保護されており、前記第三積層体１０３を形成する積層工程（図５（ｇ）～図５（ｈ））の後に、ワーク加工物１４’の回路面１４ａから、回路面保護用テープ１７を剥離する剥離工程を備えることが好ましい（図５（ｈ）～図５（ｉ））。
　本実施形態において、前記割断工程は、前記ワーク加工物１４’の前記ハーフダイシング加工１４２された箇所に沿って、前記樹脂膜１３’をレーザーブレード割断、プラズマ割断、又は、エッチング割断する工程であることが好ましい。
　本実施形態において、前記個片化ワーク加工物２０は、樹脂膜１３’をハーフダイシング加工１４２された箇所に沿って割断することにより、複数の樹脂膜１３’付き個片化ワーク加工物２１とすることができる。樹脂膜１３’を割断する手段としては、レーザーブレード割断、プラズマ割断、エッチング割断等を挙げることができる。
　本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法は、前記第三積層体１０３を形成する積層工程（図５（ｇ）～図５（ｈ））から前記第六積層体１０６を形成する割断工程（図５（ｌ））までをインラインプロセスで実行することが好ましい。
　本実施形態において、前記第三積層体１０３を形成する積層工程から前記第六積層体１０６を形成する割断工程までをインラインプロセスで実行することにより、第３実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法と同様に、前記第三積層体１０３を搬送する間、及び、前記第五積層体１０５を搬送する間に汚染したり、破損したりするおそれを低減させることができ、樹脂膜付き個片化ワーク加工物を、効率よく、かつ低コストで製造可能である。
　本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法は、さらに、前記第三積層体１０３を形成する積層工程（図５（ｇ）～図５（ｈ））の後に、ワーク加工物１４’の回路面１４ａから、回路面保護用テープ１７を剥離する剥離工程（図５（ｈ）～図５（ｊ））と、第五積層体１０５を形成する硬化工程（図５（ｊ））の後に、樹脂膜１３’に支持シート１０の側からレーザーを照射してレーザーマーキングする工程（図５（ｋ））と、第六積層体１０６を形成する割断工程（図５（ｌ））の後に、ピックアップする工程（図５（ｍ））とを備える。レーザーマーキングする工程は、これに限らず、任意の順番に、樹脂膜形成フィルム１３に、支持シート１０の側からレーザーを照射してもよい。
　本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、図１Ａ及び図５に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図１Ａ及び図５に示すものの一部の構成が変更又は削除されたものや、これまでに説明したものにさらに他の構成が追加されたものであってもよい。
＜第５実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法＞
　第５実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法の一例は、図７Ａ及び図７Ｂで示される。
　第５実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、ワーク１４の回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削する研削工程（図７Ａ（ｃ）～図７Ａ（ｄ））と、
　研削された前記ワーク１４の回路面とは反対側の面１４ｂに、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルム１３を積層して、樹脂膜形成フィルム１３及び前記ワーク１４をこの順に備える第一積層体１０１を形成する積層工程（図７Ｂ（ｇ）～図７Ｂ（ｈ））と、
　前記樹脂膜形成フィルム１３を割断する割断工程（図７Ｂ（ｊ））と、
　前記樹脂膜形成フィルム１３に対して、エネルギー線照射して樹脂膜１３’を形成する硬化工程（図７Ｂ（ｋ））と、を備え、
　積層工程（図７Ｂ（ｇ）～図７Ｂ（ｈ））から硬化工程（図７Ｂ（ｋ））まで、又は、割断工程（図７Ｂ（ｊ））から硬化工程（図７Ｂ（ｋ））までをインラインプロセスで実行する。
　第５実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、研削工程において、改質層加工１４１された前記ワーク加工物１４’又はハーフダイシング加工１４２された前記ワーク加工物１４’に代えて、これらの加工が行われていないワーク１４の前記回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削し、積層工程において、ワーク１４に樹脂膜形成フィルム１３を積層する点が、上述した第１実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法と異なる。本実施形態では、積層工程において、第１実施形態と同様、樹脂膜形成用複合シートを用いており、第一積層体１０１の形成と同時に、支持シート１０上に、樹脂膜形成フィルム１３及びワーク１４をこの順に備える積層体（図示せず。）が形成される。すなわち、本実施形態の積層工程は、貼付工程を兼ねるものである。なお、第１実施形態と同じく、樹脂膜形成複合シートを用いずに、積層工程後、通常は割断工程よりも前に、別途支持シート１０を樹脂膜形成フィルム１３に貼付する貼付工程を行ってもよい。
　本実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、上記研削工程の後であって、樹脂膜形成フィルムを割断する割断工程の前に、ワーク１４の個片化しようとする箇所を改質層加工１４１することで、ワーク加工物１４’を形成する加工工程（図７Ｂ（ｈ’）～図７Ｂ（ｉ））を備えていてもよい。積層工程における押圧により、ワーク加工物１４’が劈開することを防止する観点から、通常、加工工程は積層工程よりも後に行う。
　そして、割断工程において、ワーク１４又はワーク加工物１４’が同時に個片化され、個片化ワーク加工物２０が得られる。
　樹脂膜形成フィルム１３を割断する割断工程において、ワーク１４が改質層加工１４１されていない場合には、通常、樹脂膜形成フィルム１３及びワーク１４を一括してブレードダイシング等により切断し、ワーク１４の個片化が同時に行われる。
　一方、割断工程において、改質層加工１４１が実施されている場合には、支持シート１０のエキスパンドにより、樹脂膜形成フィルム１３と同時にワーク１４が、改質層に沿って分割され、個片化される。
　本実施形態においても、割断工程から硬化工程まで（すなわち、前記支持シート１０をエキスパンドする割断工程から前記樹脂膜１３’を形成する硬化工程まで）をインラインプロセスで実行することにより、プロセスの効率化が図られる。
　また、改質層加工１４１されたワーク加工物１４’は、本実施形態においては、割断工程（エキスパンド工程）よりも前の時点では個片化されていないが、ワーク加工物１４’の改質層加工１４１された部分は脆いため、オフラインプロセスの搬送中に意図せずワーク加工物１４’が劈開した場合には、個片化されたワーク加工物１４’同士の接触による破損が起こり得る。したがって、加工工程から割断工程までをインラインプロセスで実行し、個片化されたワーク加工物１４’の破損の可能性を低減することが好ましい。ワーク１４が改質層加工１４１されておらず、割断工程が支持シート１０のエキスパンドによらない場合は、個片化されたワーク加工物１４’間の間隔が狭いことがあるため、割断工程から硬化工程までをインラインプロセスで実行することで、個片化されたワーク加工物１４’同士の接触を防止することができる。
　本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は図７Ａ及び図７Ｂに示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図７Ａ及び図７Ｂに示すものの一部の構成が変更又は削除されたものや、これまでに説明したものにさらに他の構成が追加されたものであってもよい。
＜第６実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法＞
　第６実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の製造方法の一例は、図７Ａ及び図８で示される。
　第６実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、ワーク１４の回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削する研削工程（図７Ａ（ｃ）～図７Ａ（ｄ））と、
　研削されたワーク１４の回路面とは反対側の面１４ｂに、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルム１３を積層して、樹脂膜形成フィルム１３及び前記ワーク１４をこの順に備える第一積層体１０１を形成する積層工程（図８（ｇ）～図８（ｈ））と、
　樹脂膜形成フィルム１３に対して、エネルギー線照射して樹脂膜１３’を形成する硬化工程（図８（ｊ））と、
　樹脂膜１３’を割断する割断工程（図８（ｌ））と、を備え、
　前記樹脂膜１３’を形成する硬化工程（図８（ｊ））から樹脂膜１３’を割断する割断工程（図８（ｌ））までをインラインプロセスで実行する。
　第６実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、研削工程において、改質層加工１４１されたワーク加工物１４’又はハーフダイシング加工１４２された前記ワーク加工物１４’に代えて、これらの加工が行われていないワーク１４の前記回路面１４ａとは反対側の面１４ｂを研削し、積層工程において、ワーク１４に樹脂膜形成フィルム１３を積層する点が、上述した第３実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法と異なる。第１実施形態及び第５実施形態と同様、本実施形態の積層工程は貼付工程を兼ねるものである。なお、第１実施形態と同じく、樹脂膜形成複合シートを用いずに、積層工程後、通常は割断工程よりも前に、別途支持シート１０を樹脂膜形成フィルム１３に貼付する貼付工程を行ってもよい。貼付工程は、硬化工程の後であってもよい。
　本実施形態に係る樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は、研削工程の後であって、割断工程の前に、前記ワーク１４の個片化しようとする箇所を改質層加工１４１することで、前記ワーク加工物１４’を形成する加工工程（図８（ｈ’）～図８（ｉ））を備えていてもよい。積層工程における押圧により、ワーク加工物１４’が劈開することを防止する観点から、通常、加工工程は積層工程よりも後に行う。
　そして、樹脂膜１３’を割断する割断工程において、ワーク１４又はワーク加工物１４’が同時に個片化され、個片化ワーク加工物２０が得られる。
　樹脂膜１３’を割断する割断工程において、ワーク１４が改質層加工１４１されていない場合には、通常、樹脂膜１３’及びワーク１４を一括してブレードダイシング等により切断し、ワーク１４の個片化が同時に行われる。
　一方、樹脂膜１３’を割断する割断工程において、改質層加工１４１が実施されている場合には、支持シート１０のエキスパンドにより、樹脂膜１３’と同時にワーク１４が、改質層に沿って分割され、個片化される。
　本実施形態においても、硬化工程から割断工程まで（すなわち、硬化工程から支持シート１０をエキスパンドする工程まで）をインラインプロセスで実行することにより、プロセスの効率化が図られる。
　また、第５実施形態と同様、改質層加工１４１されたワーク加工物１４’は、割断工程（エキスパンド工程）よりも前の時点では個片化されていないが、ワーク加工物１４’の改質層加工１４１された部分がオフラインプロセスの搬送中に意図せず劈開し、個片化されたワーク加工物１４’同士の接触による破損が起こり得る。したがって、オフラインプロセスの搬送中のワーク加工物１４’の劈開の可能性を低減することが好ましく、加工工程を硬化工程前に行う場合には、加工工程、硬化工程、及び、割断工程をインラインプロセスで実行することが好ましい。一方、硬化工程後に、加工工程を行う場合には、加工工程から割断工程までをインラインプロセスで実行することが好ましく、硬化工程、加工工程、及び、割断工程をインラインプロセスで実行することがより好ましい。
　本実施形態の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法は図７Ａ及び図８に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図７Ａ及び図８に示すものの一部の構成が変更又は削除されたものや、これまでに説明したものにさらに他の構成が追加されたものであってもよい。
＜樹脂膜形成組成物＞
　樹脂膜形成フィルム１３を形成するための樹脂膜形成組成物の組成としては、バインダーポリマー成分及びエネルギー線硬化性成分を含有することが好ましい。
（バインダーポリマー成分）
　樹脂膜形成フィルム１３に十分な接着性及び造膜性（シート形成性）を付与するためにバインダーポリマー成分が用いられる。バインダーポリマー成分としては、従来公知のアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等を用いることができる。
　なお、本実施形態において、重量平均分子量（Ｍｗ）とは、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値である。
　バインダーポリマー成分として、アクリル樹脂が好ましく用いられる。アクリル樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは－６０～５０℃、さらに好ましくは－５０～４０℃、特に好ましくは－４０～３０℃の範囲にある。
　本明細書において「ガラス転移温度」とは、示差走査熱量計を用いて、試料のＤＳＣ曲線を測定し、得られたＤＳＣ曲線の変曲点の温度で表される。
　さらに、硬化後の保護膜の可とう性を保持するために、アクリル樹脂と共にアクリル樹脂以外の熱可塑性樹脂を配合してもよい。そのような熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が１０００～１０万のものが好ましく、３０００～８万のものがさらに好ましい。熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは－３０～１２０℃、さらに好ましくは－２０～１２０℃のものが好ましい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレンなどが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、１種単独で、又は２種以上混合して使用することができる。
（エネルギー線硬化性成分）
　エネルギー線硬化性成分としては、エネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する低分子化合物（エネルギー線重合性化合物）を用いることができる。このようなエネルギー線硬化性成分としては、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が１００～３００００、好ましくは３００～１００００程度である。
　また、エネルギー線硬化性成分として、バインダーポリマー成分の主鎖又は側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されたエネルギー線硬化型重合体を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化型重合体は、バインダーポリマー成分としての機能と、硬化性成分としての機能を兼ね備える。
　エネルギー線硬化型重合体の主骨格は特に限定はされず、バインダーポリマー成分として汎用されているアクリル樹脂であってもよく、またポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂等であっても良いが、合成及び物性の制御が容易であることから、アクリル樹脂を主骨格とすることが特に好ましい。
　エネルギー線硬化型重合体を使用する場合であっても、前記したエネルギー線重合性化合物を併用してもよく、またバインダーポリマー成分を併用してもよい。
　樹脂膜形成フィルム１３にエネルギー線硬化性を付与することで、樹脂膜形成フィルム１３を簡便かつ短時間で硬化でき、樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１の生産効率が向上する。従来、個片化ワーク加工物用の樹脂膜は、一般にエポキシ樹脂などの熱硬化樹脂により形成されていたが、熱硬化樹脂の硬化温度は２００℃を超え、また硬化時間は２時間程度を要しているため、生産効率向上の障害となっていた。しかし、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルム１３は、エネルギー線照射（Ｅ）により短時間で硬化するため、簡便に保護膜を形成でき、生産効率の向上に寄与しうる。
　樹脂膜形成フィルム１３は、上記バインダーポリマー成分及びエネルギー線硬化性成分に加えて、着色剤、光重合開始剤、カップリング剤、無機充填材等の成分を含むことが好ましい。
（汎用添加剤）
　樹脂膜形成フィルム１３には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、架橋剤、レベリング剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、ゲッタリング剤、連鎖移動剤などが挙げられる。
（溶媒）
　樹脂膜形成組成物は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する樹脂膜形成組成物は、取り扱い性が良好となる。溶媒としては、公知の有機溶媒を用いることができる。
　上記のような各成分からなる樹脂膜形成組成物を、例えば、塗布し、乾燥させることで樹脂膜形成フィルム１３を得ることができる。樹脂膜形成フィルム１３は、接着性と硬化性とを有し、未硬化状態で、半導体ウエハ等のワークに押圧することで接着するものであってもよいし、押圧する際に、樹脂膜形成フィルム１３を加熱してワーク加工物に接着するものであってもよい。そして硬化を経て樹脂膜を与えるものであり、樹脂膜付き個片化ワーク加工物２１において、個片化ワーク加工物２０の保護機能を有する。なお、樹脂膜形成フィルム１３は単層構造であってもよく、また上記成分を含む層を１層以上含む限りにおいて多層構造であってもよい。
　樹脂膜形成フィルム１３の厚さは特に限定されないが、好ましくは３～３００μｍ、さらに好ましくは５～２５０μｍ、特に好ましくは７～２００μｍである。
　本明細書において、「厚さ」とは、対象物の厚さ方向に無作為に切断した切断面において、無作為に選択した５か所の厚さを接触式厚み計で測定し、その平均で表される値である。
＜支持シート＞
　支持シート１０としては、基材１１のみから構成されたシートや、基材１１上に粘着剤層１２を有する粘着シートが挙げられる。
　支持シート１０の厚さとしては、用途に応じて適宜選択されるが、十分な可とう性を付与し、シリコンウエハに対する貼付性を良好とする観点から、好ましくは１０～５００μｍ、より好ましくは２０～３５０μｍ、更に好ましくは３０～２００μｍである。
　なお、上記の支持シート１０の厚さには、支持シート１０を構成する基材１１の厚さだけでなく、粘着剤層１２を有する場合には、それらの層や膜の厚さも含む。
（基材）
　支持シート１０を構成する基材１１としては、樹脂フィルムが好ましい。
　前記樹脂フィルムとしては、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルムや直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム等のポリエチレンフィルム、エチレン・プロピレン共重合体フィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム等が挙げられる。
　基材１１は、１種類の樹脂フィルムからなる単層フィルムであってもよく、２種類以上の樹脂フィルムを積層した積層フィルムであってもよい。
　また、上述の樹脂フィルム等の基材１１の表面に、表面処理を施したシートを支持シート１０として用いてもよい。
　これらの樹脂フィルムは、架橋フィルムであってもよい。
　また、これらの樹脂フィルムを着色したもの、又は印刷を施したもの等も使用できる。
　さらに、樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂を押出形成によりシート化したものであってもよく、延伸されたものであってもよく、硬化性樹脂を所定手段により薄膜化及び硬化してシート化したものが使われてもよい。
　これらの樹脂フィルムの中でも、耐熱性に優れ、且つ、適度な柔軟性を有するためにエキスパンド適性を有し、ピックアップ適性も維持されやすいとの観点から、ポリプロピレンフィルムを含む基材１１が好ましい。
　なお、ポリプロピレンフィルムを含む基材１１の構成としては、ポリプロピレンフィルムのみからなる単層構造であってもよく、ポリプロピレンフィルムと他の樹脂フィルムとからなる複層構造であってもよい。
　支持シート１０を構成する基材１１の厚さとしては、好ましくは１０～５００μｍ、より好ましくは１５～３００μｍ、更に好ましくは２０～２００μｍである。
（粘着シート）
　本発明の一態様で支持シート１０として用いる粘着シートとしては、上述の樹脂フィルム等の基材１１上に、粘着剤から形成した粘着剤層１２を有するものが挙げられる。
　図６は、基材１１上に粘着剤層１２が設けられた支持シート１０の一例を示す概略断面図である。
　支持シート１０が粘着剤層１２を備えるときは、樹脂膜形成フィルム１３に、支持シート１０の粘着剤層１２を積層する。
　粘着剤層１２の形成材料である粘着剤としては、粘着性樹脂を含む粘着剤組成物が挙げられ、前記粘着剤組成物は、さらに上述の架橋剤や粘着付与剤等の汎用添加剤を含有してもよい。粘着性樹脂は、粘着付与剤等の粘着性樹脂以外の成分と組み合わせることにより初めて粘着性を発現する樹脂をも含む。
　前記粘着性樹脂としては、その樹脂の構造に着目した場合、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ビニルエーテル樹脂等が挙げられ、アクリル樹脂が好ましい。また、その樹脂の機能に着目した場合、例えば、エネルギー線硬化型粘着剤や、加熱発泡型粘着剤、エネルギー線発泡型粘着剤等が挙げられる。
　本発明の一態様において、剥離力を一定の範囲に調整する観点、並びに、ピックアップ性を良好とする観点から、エネルギー線硬化型樹脂を含む粘着剤組成物から形成されたエネルギー線硬化性の粘着剤層１２を有する粘着シート又は、微粘着性の粘着剤層１２を有する粘着シートが好ましい。
　エネルギー線硬化型樹脂としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基等の重合性基を有する樹脂であればよく、重合性基を有する粘着性樹脂であってもよい。エネルギー線硬化型樹脂には、光重合開始剤を併用することが好ましい。
　支持シート１０は、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルム１３に対して、支持シート１０の側からエネルギー線照射（Ｅ）して樹脂膜１３’を形成するために、エネルギー線を透過させるものが好ましい。
　樹脂膜形成フィルム１３又は樹脂膜１３’を、支持シート１０を介して光学的に検査するためにも、支持シート１０は透明であることが好ましい。樹脂膜形成フィルム１３又は樹脂膜１３’に対して、支持シート１０の側からレーザーを照射してレーザーマーキングするためにも、支持シート１０は透明であることが好ましい。
　エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムとしては、例えば、国際公開第２０１７／１８８２００号、国際公開第２０１７／１８８２１８号に開示されたものを用いることもできる。
＜樹脂膜形成用複合シート＞
　樹脂膜形成用複合シート１は、基材１１のみからなる支持シート１０、又は粘着シートである支持シート１０等の支持シート１０に前記樹脂膜形成フィルム１３が、これらの厚さ方向において積層されて構成されている。
　第一実施形態で用いられる樹脂膜形成用複合シート１は、支持シート１０が粘着シートであっても、粘着剤層１２と樹脂膜形成フィルム１３との間の成分の移行を抑制するか、移行が生じても問題がないように設計されていることが通常であり、上述したような成分移行の問題は生じにくい。
＜＜樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置＞＞
　本発明の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置は、以下の側面を有する。
＜１１＞　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムが積層された、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体の前記樹脂膜形成フィルムに対して、エネルギー線照射して樹脂膜を形成する硬化手段と、
　前記樹脂膜形成フィルム、若しくは、前記樹脂膜を割断する割断手段と、を備え、
　前記割断手段から前記硬化手段まで、又は、前記硬化手段から前記割断手段までをインラインプロセスで実行する、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置。
＜１２＞　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムを積層して、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体を形成する積層手段と、
　前記硬化手段と、前記割断手段と、をこの順に行い、
　前記積層手段から前記硬化手段まで、及び、前記硬化手段から前記割断手段までをインラインプロセスで実行する、＜１１＞に記載の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置。
＜１３＞　前記ワークの個片化しようとする箇所を改質層加工又はハーフダイシング加工することで、ワーク加工物を形成する加工手段と、
　前記割断手段と、を備え、
　前記割断手段が、前記ワーク加工物の改質層加工された箇所又はハーフダイシング加工された箇所に沿って、前記樹脂膜形成フィルム又は前記樹脂膜を割断する手段である、＜１１＞又は＜１２＞に記載の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置。
＜１４＞　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、支持シート及びエネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムが積層された、前記支持シート、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記支持シート、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体の樹脂膜形成フィルムに対して、エネルギー線照射して樹脂膜を形成する硬化手段と、
　前記樹脂膜形成フィルム、若しくは、前記樹脂膜を割断する割断手段と、
　前記割断手段の後に、前記支持シートをエキスパンドするエキスパンド手段と、を備え、
　前記割断手段から前記エキスパンド手段までをインラインプロセスで実行する、＜１１＞～＜１３＞のいずれか一項に記載の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置。
　本発明の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法、及び、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置は、半導体装置の製造に用いることができる。
　１・・・樹脂膜形成用複合シート、７・・・半導体チップ、８・・・半導体ウエハ、８ｂ・・・半導体ウエハの裏面、１０・・・支持シート、１１・・・基材、１２・・・粘着剤層、１３・・・樹脂膜形成フィルム、１３ａ・・・樹脂膜形成フィルムの露出面、１３’・・・樹脂膜、１４・・・ワーク、１４ａ・・・ワークの回路面、１４ｂ・・・ワークの回路面とは反対側の面（裏面）、１４’・・・ワーク加工物、１４’ａ・・・ワーク加工物の回路面、１４’ｂ・・・ワーク加工物の回路面とは反対側の面（裏面）、１５１・・・第１剥離フィルム、１５２・・・第２剥離フィルム、１６・・・治具用接着剤層、１７・・・回路面保護用テープ、１８・・・固定用治具、２０・・・個片化ワーク加工物、２１・・・樹脂膜付き個片化ワーク加工物、４１・・・バンプ、１０１・・・第一積層体、１０２・・・第二積層体、１０３・・・第三積層体、１０４・・・第四積層体、１０５・・・第五積層体、１０６・・・第六積層体、１４１・・・改質層加工、１４２・・・ハーフダイシング加工、ＥＸ・・・エキスパンド割断、Ｅ・・・エネルギー線照射、Ｍ・・・レーザーマーキング、Ｐ・・・ピックアップ、Ｌ・・・レーザー割断

Claims (8)

  1. 　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムが積層された、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体の前記樹脂膜形成フィルムに対して、エネルギー線照射して樹脂膜を形成する硬化工程と、
    　前記樹脂膜形成フィルム、若しくは、前記樹脂膜を割断する割断工程と、を備え、
    　前記割断工程から前記硬化工程まで、又は、前記硬化工程から前記割断工程までをインラインプロセスで実行する、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法。
  2. 　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムを積層して、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体を形成する積層工程と、
    　前記硬化工程と、前記割断工程と、を備え、
    　前記積層工程と、前記硬化工程と、前記割断工程と、をこの順に行い、
    　前記積層工程から前記硬化工程まで、及び、前記硬化工程から前記割断工程までをインラインプロセスで実行する、請求項１に記載の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法。
  3. 　前記ワークの個片化しようとする箇所を改質層加工又はハーフダイシング加工することで、ワーク加工物を形成する加工工程と、
    　前記割断工程と、を備え、
    　前記割断工程が、前記ワーク加工物の改質層加工された箇所又はハーフダイシング加工された箇所に沿って、前記樹脂膜形成フィルム又は前記樹脂膜を割断する工程である、請求項１又は２に記載の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法。
  4. 　支持シート上に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルム、及び、回路面を有するワーク、若しくは、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物をこの順に備える積層体を形成する貼付工程と、
    　前記樹脂膜形成フィルムに対して、エネルギー線照射して樹脂膜を形成する硬化工程と、
    　前記樹脂膜形成フィルム、若しくは、前記樹脂膜を割断する割断工程と、
    　前記割断工程の後に、前記支持シートをエキスパンドするエキスパンド工程と、を備え、
    　前記割断工程から前記エキスパンド工程までをインラインプロセスで実行する、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造方法。
  5. 　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムが積層された、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体の前記樹脂膜形成フィルムに対して、エネルギー線照射して樹脂膜を形成する硬化手段と、
    　前記樹脂膜形成フィルム、若しくは、前記樹脂膜を割断する割断手段と、を備え、
    　前記割断手段から前記硬化手段まで、又は、前記硬化手段から前記割断手段までをインラインプロセスで実行する、樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置。
  6. 　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムを積層して、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体を形成する積層手段と、
    　前記硬化手段と、前記割断手段と、を備え、
    　前記積層手段と、前記硬化手段と、前記割断手段と、をこの順に行い、
    　前記積層手段から前記硬化手段まで、及び、前記硬化手段から前記割断手段までをインラインプロセスで実行する、請求項５に記載の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置。
  7. 　前記ワークの個片化しようとする箇所を改質層加工又はハーフダイシング加工することで、ワーク加工物を形成する加工手段と、
    　前記割断手段と、を備え、
    　前記割断手段が、前記ワーク加工物の改質層加工された箇所又はハーフダイシング加工された箇所に沿って、前記樹脂膜形成フィルム又は前記樹脂膜を割断する手段である、請求項５又は６に記載の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置。
  8. 　回路面を有するワークの回路面とは反対側の面に、又は、前記ワークを加工することにより得られるワーク加工物の回路面とは反対側の面に、支持シート及びエネルギー線硬化性の樹脂膜形成フィルムが積層された、前記支持シート、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワークをこの順に備える積層体、又は、前記支持シート、前記樹脂膜形成フィルム及び前記ワーク加工物をこの順に備える積層体の前記樹脂膜形成フィルムに対して、エネルギー線照射して樹脂膜を形成する硬化手段と、
    　前記樹脂膜形成フィルム、若しくは、前記樹脂膜を割断する割断手段と、
    　前記割断手段の後に、前記支持シートをエキスパンドするエキスパンド手段と、を備え、
    　前記割断手段から前記エキスパンド手段までをインラインプロセスで実行する、請求項５～７のいずれか一項に記載の樹脂膜付き個片化ワーク加工物の製造装置。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007214457A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工装置及び方法
JP2016219706A (ja) * 2015-05-25 2016-12-22 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
WO2019009123A1 (ja) * 2017-07-06 2019-01-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6776081B2 (ja) 2016-09-28 2020-10-28 リンテック株式会社 保護膜付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法
TW202110652A (zh) 2019-04-26 2021-03-16 日商琳得科股份有限公司 第三積層體之製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007214457A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工装置及び方法
JP2016219706A (ja) * 2015-05-25 2016-12-22 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
WO2019009123A1 (ja) * 2017-07-06 2019-01-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム

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