TW202246066A - 具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法、以及具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明為一種具樹脂膜之單片化工件加工物(21)的製造方法，係將割斷步驟(j)至硬化步驟(k)或將硬化步驟(k)至割斷步驟(j)在線內程序實行；前述割斷步驟(j)係在具有電路面之工件或在藉由將工件進行加工而獲得之工件加工物(14’)中與電路面(14’a)為相反側的面(14’b)，積層能量線硬化性的樹脂膜形成膜(13)，將樹脂膜形成膜(13)加以割斷；前述硬化步驟(k)係對樹脂膜形成膜(13)進行能量線照射來形成樹脂膜(13’)。

Description

具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法、以及具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置
本發明係關於一種具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法、以及具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置。詳細而言，係關於一種具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法、以及具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置，前述具樹脂膜之單片化工件加工物係在半導體晶片等工件加工物之與電路面為相反側的面形成有樹脂膜。 本案係基於2021年3月31日在日本提出申請之日本特願2021-062250號主張優先權，將該申請案的內容援用於此。
於半導體裝置的製造過程中，有時會使用具樹脂膜之半導體晶片，係在半導體晶片中與電路面為相反側的面(內面)具備含有有機材料之樹脂膜而成者。作為前述樹脂膜，例如可舉出熱硬化性的樹脂膜形成膜之熱硬化物等，這種情況，在半導體晶圓中與電路面為相反側的面(內面)貼附熱硬化性的樹脂膜形成膜之後，進行熱硬化性的樹脂膜形成膜之熱硬化及半導體晶圓之單片化為半導體晶片，藉此製作具樹脂膜之半導體晶片。
在電路面未具備凸塊之半導體晶片最為通用，在該半導體晶片的內面，通常是具備用以將半導體晶片黏晶於基板的電路形成面所用之膜狀接著劑來作為前述樹脂膜形成膜。亦即，這種情況的樹脂膜形成用膜為膜狀接著劑。
近年來，應用著被稱為所謂倒裝(face down)方式之構裝法來製造半導體裝置。倒裝方式中，使用在電路面上具有凸塊等突狀電極之半導體晶片，而前述突狀電極與基板接合。因此，有時半導體晶片中與電路面為相反側的內面會變得裸露。
於變得裸露之半導體晶片的內面，有時形成含有有機材料之內面保護膜來作為樹脂膜，並以具內面保護膜之半導體晶片的形式組入至半導體裝置。內面保護膜係用於防止在切割(dicing)步驟或封裝(packaging)後，於半導體晶片中產生龜裂。
半導體晶圓單片化為半導體晶片，已知有：一邊將切割刀(圓形刃)抵貼晶圓的表面一邊進行切削加工之刀片切割法、或是在調整晶圓的厚度之內面磨削之前先進行切割之先切割法(例如，專利文獻1)。先切割法係先藉由切割而自晶圓表面形成切入溝槽，之後以至少到達切入溝槽的底面的方式來磨削內面，並藉由內面磨削來同時進行厚度調整與半導體晶圓之分割為晶片。再者，尚已知有：預先在半導體晶圓的內部先形成改質層，朝晶圓的表面方向進行擴展，於前述改質層的部位將前述半導體晶圓進行分割之方法(例如，專利文獻2)。
這些具樹脂膜之單片化工件加工物係例如經過如圖9所示之步驟來製造。亦即，已知以下的方法：在具有電路面之半導體晶圓8等工件的內面8b積層樹脂膜形成膜13(圖9(A))，使樹脂膜形成膜13熱硬化而作為樹脂膜13’(圖9(B))，對樹脂膜13’進行雷射標記(圖9(C))，在樹脂膜13’積層支撐片10(圖9(D))，切割半導體晶圓8等工件及樹脂膜13’，形成具樹脂膜之半導體晶片7(亦即，具樹脂膜之單片化工件加工物(圖9(E)至圖9(F)))，自支撐片10拾取具樹脂膜之半導體晶片7(圖9(G))。硬化步驟及雷射標記步驟的順序為任意，亦可在具有電路面之半導體晶圓8的內面8b積層樹脂膜形成膜13(圖9(A))，對樹脂膜形成膜13進行雷射標記後，使樹脂膜形成膜13熱硬化而作為樹脂膜13’，之後經過圖9(D)至圖9(G)的步驟。圖9(A)中在半導體晶圓8的內面8b積層樹脂膜形成膜13之第一積層步驟、與圖9(D)中在樹脂膜13’積層支撐片10之第二積層步驟，有時會在同一個裝置內進行(例如專利文獻3)。然而，圖9(B)中使樹脂膜形成膜13熱硬化之步驟、與圖9(D)中在樹脂膜13’積層支撐片10之第二積層步驟，以往是在各別的裝置進行。再者，圖9(D)中在樹脂膜13’積層支撐片10之第二積層步驟、與圖9(E)至圖9(F)中切割半導體晶圓8及樹脂膜13’之步驟，也是在各別的裝置進行。
再者，使樹脂膜形成膜13及支撐片10一體化而成的樹脂膜形成用複合片1係使用於製造具樹脂膜之半導體晶片(例如，專利文獻2)。
使用樹脂膜形成用複合片1的具樹脂膜之半導體晶片7的製造方法係例如經過如圖10所示之步驟。亦即，已知以下的方法：在具有電路面之半導體晶圓8等工件的內面8b貼附由樹脂膜形成膜13及支撐片10所積層而成之樹脂膜形成用複合片1中的樹脂膜形成膜13(圖10(A’))，將電路面保護用帶17加以剝離(圖10(B’))，使樹脂膜形成膜13熱硬化而作為樹脂膜13’(圖10(C’))，從支撐片10之側對樹脂膜13’進行雷射標記(圖10(D’))，切割半導體晶圓8及樹脂膜13’，作為具樹脂膜之半導體晶片7(亦即，具樹脂膜之單片化工件加工物)(圖10(E’)至圖10(F’))，自支撐片10拾取具樹脂膜之半導體晶片7(圖10(G’))。硬化步驟及雷射標記步驟的順序為任意。這種情況亦為圖10(A’)中在半導體晶圓8的內面8b積層樹脂膜形成用複合片1的樹脂膜形成膜13之步驟、與圖10(C’)中使樹脂膜形成膜13熱硬化而作為樹脂膜13’之步驟是在各別的裝置進行，圖10(C’)中使樹脂膜形成膜13熱硬化而作為樹脂膜13’之步驟、與圖10(E’)至圖10(F’)中切割半導體晶圓8及樹脂膜13’之步驟是在各別的裝置進行。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-219706號公報。 [專利文獻2]日本特開2018-056282號公報。 [專利文獻3]國際公開第2020/218516號。
[發明所欲解決之課題]
在半導體晶圓等工件經由樹脂膜形成膜而積層支撐片10之步驟、與切割半導體晶圓等工件之步驟之間，可為將包含半導體晶圓等工件之積層體一片一片搬運之線內程序。然而，在上述以往的程序，是將樹脂膜形成膜的硬化步驟以離線進行，於是勢必要將工件從生產線移開一次，在半導體晶圓等工件經由樹脂膜形成膜而積層支撐片10之步驟、與使樹脂膜形成膜硬化之步驟是在各別的裝置進行。再者，使樹脂膜形成膜硬化之步驟、與切割半導體晶圓等工件之步驟以往是在各別的裝置進行。
在工件經由樹脂膜形成膜而積層支撐片10所獲得之積層體係以複數片收容於一個匣室(cassette)，藉由人工而搬運至使樹脂膜形成膜硬化之裝置。再者，使之硬化所獲得之積層體係以複數片收容於一個匣室，藉由人工而搬運至切割工件之裝置。藉由人工之搬運，會使得具樹脂膜之單片化工件加工物的生產效率顯著低落。 並且，在這些積層體收容於匣室而搬運之間有受到污染、或破損之虞。
本發明是鑒於上述事情而完成，目的在於提供一種效率佳且能以低成本製造的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法。 [用以解決課題之手段]
本發明係提供以下的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法、以及具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置。 [1]　一種具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法，係具備下列步驟：對積層體的樹脂膜形成膜進行能量線照射來形成樹脂膜之硬化步驟，前述積層體係在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層有能量線硬化性的樹脂膜形成膜而成之依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體、或是依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體；以及，將前述樹脂膜形成膜或是將前述樹脂膜加以割斷之割斷步驟；將前述割斷步驟至前述硬化步驟或將前述硬化步驟至前述割斷步驟在線內程序實行。
[2]　如[1]所記載之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法，其中係具備下列步驟：在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層能量線硬化性的樹脂膜形成膜，來形成依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體、或是依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體之積層步驟；以及，前述硬化步驟與前述割斷步驟；依序進行前述積層步驟、前述硬化步驟、及前述割斷步驟；將前述積層步驟至前述硬化步驟、及將前述硬化步驟至前述割斷步驟在線內程序實行。 [3]　如[1]或[2]所記載之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法，其中係具備下列步驟：將前述工件欲進行單片化的部位進行改質層加工或進行半切割加工，藉此形成工件加工物之加工步驟；以及，前述割斷步驟；前述割斷步驟為沿著前述工件加工物經改質層加工之部位或經半切割加工之部位，將前述樹脂膜形成膜或前述樹脂膜加以割斷之步驟。
[4]　一種具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法，係具備下列步驟：於支撐片上形成積層體之貼附步驟，前述積層體依序具備有能量線硬化性的樹脂膜形成膜及具有電路面之工件或是藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物；對前述樹脂膜形成膜進行能量線照射來形成樹脂膜之硬化步驟；將前述樹脂膜形成膜或是將前述樹脂膜加以割斷之割斷步驟；以及，在前述割斷步驟之後，進行將前述支撐片加以擴展之擴展步驟；將前述割斷步驟至前述擴展步驟在線內程序實行。
[5]　一種具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置，係具備下列手段：對積層體的樹脂膜形成膜進行能量線照射來形成樹脂膜之硬化手段，前述積層體係在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層有能量線硬化性的樹脂膜形成膜而成之依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體、或是依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體；以及，將前述樹脂膜形成膜或是將前述樹脂膜加以割斷之割斷手段；將前述割斷手段至前述硬化手段或將前述硬化手段至前述割斷手段在線內程序實行。
[6]　如[5]所記載之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置，其中係具備下列手段：在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層能量線硬化性的樹脂膜形成膜，來形成依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體、或是依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體之積層手段；以及，前述硬化手段與前述割斷手段；依序進行前述積層手段、前述硬化手段、及前述割斷手段；將前述積層手段至前述硬化手段、及將前述硬化手段至前述割斷手段在線內程序實行。
[7]　如[5]或[6]所記載之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置，其中係具備下列手段：將前述工件欲進行單片化的部位進行改質層加工或進行半切割加工，藉此形成工件加工物之加工手段；以及，前述割斷手段；前述割斷手段為沿著前述工件加工物經改質層加工之部位或經半切割加工之部位，將前述樹脂膜形成膜或前述樹脂膜加以割斷之手段。
[8]　如[5]至[7]中任一項所記載之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置，其中係具備下列手段：對積層體的樹脂膜形成膜進行能量線照射來形成樹脂膜之硬化手段，前述積層體係在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層有有支撐片及能量線硬化性的樹脂膜形成膜而成之依序具備有前述支撐片、前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體；或是依序具備有前述支撐片、前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體；將前述樹脂膜形成膜或是將前述樹脂膜加以割斷之割斷手段；以及，在前述割斷手段之後，進行將前述支撐片加以擴展之擴展手段；將前述割斷手段至前述擴展手段在線內程序實行。 [發明功效]
根據本發明，可提供一種效率佳且能以低成本製造的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法。
[具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法] 本發明的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法，係具備下列步驟：對積層體的樹脂膜形成膜進行能量線照射來形成樹脂膜之硬化步驟，前述積層體係在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層有能量線硬化性的樹脂膜形成膜而成之依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體、或是依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體；以及，將前述樹脂膜形成膜或是將前述樹脂膜加以割斷之割斷步驟；將前述割斷步驟至前述硬化步驟或將前述硬化步驟至前述割斷步驟在線內程序實行。
再者，本發明的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法，係具備下列步驟：在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層能量線硬化性的樹脂膜形成膜，來形成依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體、或是依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體之積層步驟；於支撐片上形成積層體之貼附步驟，前述積層體依序具備有能量線硬化性的樹脂膜形成膜及具有電路面之工件或是藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物；對前述樹脂膜形成膜進行能量線照射來形成樹脂膜之硬化步驟；將前述樹脂膜形成膜或是將前述樹脂膜加以割斷之割斷步驟；以及，在前述割斷步驟之後，進行將前述支撐片加以擴展之擴展步驟；將前述割斷步驟至前述擴展步驟在線內程序實行。
使用熱硬化性的樹脂膜形成膜的情況，為了使之熱硬化而獲得樹脂膜，通常會需要1小時以上的熱硬化步驟，而無法在同一個裝置逐步地進行將樹脂膜形成膜或者將樹脂膜加以割斷之割斷步驟。 本發明的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法係具備：對能量線硬化性的樹脂膜形成膜進行能量線照射來形成樹脂膜之硬化步驟。本發明的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法由於使用能量線硬化性的樹脂膜形成膜，而能夠使形成樹脂膜之硬化步驟在短時間完成。然後，在進行將樹脂膜形成膜或是將樹脂膜加以割斷之割斷步驟的生產線，只要內建有能量線照射的單元，就能夠在同一個裝置進行這些步驟，生產性會顯著地提升。
以下，針對第1實施形態至第6實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法係使用圖式來加以說明。另外，以下之說明中所用之圖式有時為了容易理解特徵，就方便起見而將成為特徵之部分放大表示，各構成要素之尺寸比率等不見得與實際相同。
[第1實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法] 第1實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法之一例係以圖1A及圖1B來表示。
第1實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法係具備下列步驟：將工件14欲進行單片化的部位進行改質層加工141，藉此形成工件加工物14’之加工步驟(圖1A(a)至圖1A(b))；以及，將經改質層加工141而成之工件加工物14’中與電路面14’a為相反側的面14’b進行磨削之磨削步驟(圖1A(c)至圖1A(d))。
於本實施形態中，是使用半導體晶圓來作為圖1A(a)所示之工件14。在半導體晶圓(工件14)的一面具有電路面14a，而在電路面14a形成有凸塊41。再者，為了防止半導體晶圓的電路面14a及凸塊41於半導體晶圓之內面磨削時被壓壞，或者防止於晶圓內面中產生凹坑(dimple)或龜裂，較佳為藉由電路面保護用帶17來保護半導體晶圓的電路面14a及凸塊41(圖1A(c))。
作為工件14，只要於一面具有電路面14a且另一面可謂內面則並無限定。作為工件14，可例示下述工件等：於一面具有電路面的半導體晶圓；或者由具端子之半導體裝置集合體所構成的半導體裝置面板，前述具端子之半導體裝置集合體係經單片化且各個電子零件經密封樹脂密封，並且於一面具有具端子之半導體裝置的端子形成面(換言之為電路面)。
作為晶圓，可舉出以矽、鍺、硒等之元素半導體或以GaAs、GaP、InP、CdTe、ZnSe、SiC等之化合物半導體所構成之半導體晶圓；以藍寶石、玻璃等之絕緣體所構成之絕緣體晶圓。 所謂「半導體裝置面板」，係指至少一個電子零件經密封樹脂層所密封而成的複數之半導體裝置以平面地排列所配置而成的集合體。
本說明書中，是將形成有電路之側的工件的面稱為「電路面」。然後，有時將工件中與電路面為相反側的面稱為「內面」。有時將形成有電路之側的工件加工物的面稱為「電路面」，將工件加工物中與電路面為相反側的面稱為「內面」。
作為電路面保護用帶17，例如可使用日本特開2016-192488號公報、日本特開2009-141265號公報所揭示之表面保護用片。電路面保護用帶17具備著具有適度的再剝離性之黏著劑層12。黏著劑層12亦可由橡膠系、丙烯酸樹脂、聚矽氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、乙烯醚樹脂等通用之弱黏著型的黏著劑所形成。再者，黏著劑層12亦可為藉由能量線的照射進行硬化而成為再剝離性之能量線硬化型黏著劑。電路面保護用帶17成為雙面帶形狀，電路面保護用帶17的更外側亦可固定於硬質支撐體，亦可將工件14固定於硬質之支撐體。
本實施形態由於是在將工件14欲進行單片化的部位進行改質層加工141之後，將工件加工物14’中與電路面14’a為相反側的面14’b進行磨削，因此能夠藉由進行磨削時的振動或衝撃來單片化。本實施形態係改質層經劈開後的破碎層亦藉由磨削而削除，藉此經單片化之工件加工物14’的強度提升，故能夠製造更薄的經單片化之工件加工物14’。
第1實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法進而具備下列步驟：在工件加工物14’中與電路面14’a為相反側的面14’b，貼附積層有支撐片10及樹脂膜形成膜13之樹脂膜形成用複合片1中的樹脂膜形成膜13的露出面13a，形成在支撐片10上依序具備有樹脂膜形成膜13及工件加工物14’的第三積層體103之貼附步驟(圖1B(g)至圖1B(h))；將第三積層體103中的樹脂膜形成膜13沿著工件加工物14’經改質層加工141的部位來割斷，形成在支撐片10上積層有複數的具樹脂膜形成膜13之單片化工件加工物20的第四積層體104之割斷步驟(圖1B(j))；以及，對第四積層體104中的樹脂膜形成膜13，從支撐片10之側進行能量線照射(E)來形成樹脂膜13’，形成在支撐片10上積層有複數的具樹脂膜之單片化工件加工物21的第六積層體106之硬化步驟(圖1B(k))；將割斷步驟(圖1B(j))至硬化步驟(圖1B(k))在線內程序實行。
於本說明書中，所謂「線內程序」，係指在將進行一個或是複數個步驟之裝置以複數台連結而成的設施內、或是在進行複數個步驟之一個裝置內所進行之程序中，於一個步驟與下一個步驟之間，將包含工件或是工件加工物之積層體一片一片搬運之程序。再者，所謂「離線程序」，是指於一個步驟與下一個步驟之間，將包含工件或是工件加工物之積層體每次搬運二片以上之程序，可包含以未連結之複數台的裝置進行複數個步驟之程序。
於本說明書中，所謂「能量線」，係指電磁波或帶電粒子束之中具有能量量子之射線。作為能量線之例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、熔合燈、氙燈、黑光燈或LED(Light Emitting Diode；發光二極體)燈等作為紫外線源來照射。電子束則可照射藉由電子束加速器等而產生之電子束。 另外，於本說明書中，所謂「能量線硬化性」，係指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」，係指即便進行能量線照射亦不硬化之性質。
使能量線硬化性的樹脂膜形成膜進行能量線硬化來形成保護膜時的硬化條件，只要保護膜成為充分發揮該功能之程度的硬化度則沒有特別限定，依據能量線硬化性的樹脂膜形成膜的種類來適當選擇即可。 例如，於能量線硬化性的樹脂膜形成膜的能量線硬化時之能量線的照度較佳為4mW/cm 2至280mW/cm 2。然後，於前述硬化時之能量線的光量較佳為3mJ/cm 2至1000mJ/cm 2。
本實施形態由於是將割斷步驟至硬化步驟在線內程序實行，能夠不將第四積層體104收容於匣室而可一片一片搬運。藉由在同一個裝置內進行，能夠更加減少裝置空間。變得不需要藉由人工來搬運第四積層體104，能夠提升具樹脂膜之單片化工件加工物的生產效率。藉由使得將樹脂膜形成膜13加以割斷之裝置(例如，藉由伸展(擴展)支撐片10來割斷樹脂膜形成膜13之裝置)與對樹脂膜形成膜13進行能量線照射(E)之裝置連結而進行，即便不從頭設計也能夠以改造以往的裝置來應對，可降低初始費用。然後，本實施形態能夠抑制搬運第四積層體104之間的污染、破損，再者能夠節省第四積層體104之在搬運及步驟間的保管所需時間。就結果而言，可效率佳且以低成本製造具樹脂膜之單片化工件加工物。
在本實施形態之具樹脂膜之工件加工物的製造方法中，於上述的磨削步驟中，藉由利用工件加工物14’的磨削來進行工件14的單片化，在積層步驟中使得工件加工物14’已經被單片化。因此，藉由割斷樹脂膜形成膜13，能夠簡便地獲得具樹脂膜形成膜13之單片化工件加工物20。因此，在將割斷步驟至硬化步驟在線內程序實行之裝置，無需追加與割斷手段不同之工件加工物14’的單片化手段。在採用擴展手段來作為割斷手段的情況，無需在裝置追加刀片切割手段或雷射切斷手段，能夠將裝置加以簡略化。再者，如本實施形態的割斷步驟般，藉由改質層加工141來獲得工件加工物14’的情況，係沿著工件加工物14’經改質層加工141的部位來割斷樹脂膜形成膜13，較佳為利用支撐片10的擴展來割斷樹脂膜形成膜13。在藉由利用磨削使工件加工物14’被劈開之單片化的情況，此乃由於相鄰之各個經單片化之工件加工物14’的間隔實質上不存在，故會有藉由雷射或刀片來切斷樹脂膜形成膜13為困難的情況的緣故。
在本實施形態，在貼附步驟(圖1B(g)至圖1B(h))的時點，工件加工物14’正被單片化，但在藉由利用磨削使工件加工物14’被劈開之單片化的情況，相鄰之各個經單片化之工件加工物14’的間隔實質上不存在，各個具樹脂膜形成膜13之單片化工件加工物20的間隔小。因此，若在長搬運距離之間搬運第四積層體104，則相鄰的經單片化之工件加工物14’彼此接觸，經單片化之工件加工物14’的端部有破損之虞。在本實施形態，由於是將割斷步驟(圖1B(j))至硬化步驟(圖1B(k))在線內程序實行，故割斷步驟(圖1B(j))與硬化(圖1B(k))之間的搬運距離極短，能夠降低經單片化之工件加工物14’的端部破損之虞。
再者，在割斷步驟及硬化步驟之後，另外進行擴展支撐片10之擴展步驟的情況，較佳為將割斷步驟至擴展步驟在線內程序實行。支撐片10的擴展前，經單片化之前述工件加工物14’的間隔狹窄，若在離線程序進行這些步驟，則因步驟轉移時的搬運，經單片化之前述工件加工物14’彼此有接觸而破損的可能性。然而，將擴展步驟在線內程序內實行後，於之後的離線程序中，因前述工件加工物彼此的接觸所導致之破損的可能性會降低。
於本實施形態中，就將工件加工物14’的單片化至硬化步驟的全程序在線內進行，降低經單片化之工件加工物14’破損的可能性之觀點而言，亦佳為將磨削步驟至積層步驟在線內程序進行。
進而，本實施形態較佳為將貼附步驟(圖1B(g)至圖1B(h))至硬化步驟(圖1B(k))在線內程序實行。
在本實施形態，是與貼附步驟(圖1B(g)至圖1B(h))同時進行形成依序具備有樹脂膜形成膜13及工件加工物14’的第二積層體102之積層步驟。
本實施形態藉由將貼附步驟(亦即，積層步驟)至硬化步驟在線內程序實行，而能夠不將第三積層體103及第四積層體104收容於匣室而可一片一片搬運。藉由在同一個裝置內進行，能夠更加減少裝置空間。變得不需要藉由人工來搬運第三積層體103及第四積層體104，能夠提升具樹脂膜之單片化工件加工物的生產效率。藉由使得將樹脂膜形成膜13加以割斷之裝置與對樹脂膜形成膜13進行能量線照射(E)之裝置連結而進行，即便不從頭設計也能夠以改造以往的裝置來應對，可降低初始費用。進而，亦可將積層於工件加工物14’之裝置(將樹脂膜形成用複合片1貼附至工件加工物14’之裝置)連結到同一個裝置。然後，本實施形態能夠抑制搬運第三積層體103及第四積層體104之間的污染、破損，再者能夠節省第三積層體103及第四積層體104之在搬運及於步驟間的保管所需時間。就結果而言，可效率佳且以低成本製造具樹脂膜之單片化工件加工物。
在這種情況，即使是在貼附步驟至割斷步驟之間，仍能夠減少相鄰的經單片化之工件加工物14’彼此接觸，經單片化之工件加工物14’的端部破損的可能性。
於本實施形態中，較佳為具備：工件加工物14’的電路面14’a被電路面保護用帶17保護著，在貼附步驟(圖1B(g)至圖1B(h))之後，自工件加工物14’的電路面14’a將電路面保護用帶17加以剝離之剝離步驟(圖1B(h)至圖1B(i))。
本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法較佳為進而具備：從支撐片10之側對樹脂膜形成膜13照射雷射來進行雷射標記之步驟(圖1B(l))、與自支撐片10拾取具樹脂膜之單片化工件加工物21之步驟(圖1B(m))。本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法，由於在樹脂膜形成膜13積層有支撐片10，故若從支撐片10之側越過支撐片10照射雷射，則能夠在樹脂膜形成膜13中與支撐片10接觸的面進行雷射標記。
[第1實施形態的變形例] 本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法並不限定於圖1A及圖1B所示的步驟，在無損於本發明之效果的範圍內，亦可為圖1A及圖1B所示之步驟的一部分的構成經變更或削除而成，或者在至此已說明的步驟進而追加其他的構成而成。
例如，本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法係亦可具備下列步驟：不使用樹脂膜形成用複合片1，而在工件加工物14’中與電路面14’a為相反側的面14’b貼附樹脂膜形成膜13的露出面13a，形成積層有樹脂膜形成膜13及工件加工物14’的第二積層體102之積層步驟(圖2(e)至圖2(f))；以及，在第二積層體102中的樹脂膜形成膜13的露出面13b貼附支撐片10，形成在支撐片10上依序具備有樹脂膜形成膜13及工件加工物14’的第三積層體103之貼附步驟(圖2(g)至圖1B(h))。 另外，在圖2以後的圖中，對於已說明之圖所示相同的構成要素，標附與該已說明之圖的情況相同的符號，並省略該構成要素之詳細說明。
這種情況，在積層步驟之後實施貼附步驟，貼附步驟通常是在割斷步驟前實施。再者，較佳為將積層步驟、貼附步驟、割斷步驟、及硬化步驟在線內程序實行。藉由將積層步驟至硬化步驟在線內程序實行，由於能夠不將第二積層體102收容於匣室而可一片一片搬運，且能夠不將第三積層體103收容於匣室而可一片一片搬運，故可效率更佳且以低成本製造具樹脂膜之單片化工件加工物。
並且，積層步驟亦可作為離線程序，而將貼附步驟至硬化步驟藉由線內程序來實行，即使在這種情況，仍能夠獲得因貼附步驟至硬化步驟之間的第三積層體103之搬運或保管時間的縮短所帶來之效率化、降低第三積層體103破損的風險這種效果。在用以實施本實施形態之具樹脂膜之工件加工物的製造方法之製造裝置中，進行積層步驟之積層手段與進行貼附步驟之貼附手段由於通常會具備類似的機構，容易進行一體化，故更佳為將積層步驟與貼附步驟亦在線內程序實行。
像這樣在積層步驟後實行貼附步驟的情況中，若支撐片10為在基材11上具有黏著劑層12之黏著片，則在黏著劑層12與樹脂膜形成膜13之間，各自的成分有互相遷移的可能性。這種成分之遷移的量，黏著劑層12與樹脂膜形成膜13接觸的時間越長會越增加。在本發明之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法，可將貼附步驟至硬化步驟在線內程序實行，可縮短貼附步驟與硬化步驟之間的時間。藉此，能夠防止上述之成分遷移的增加，能夠降低伴隨成分遷移所致樹脂膜形成膜13之特性的變化等(例如硬化性能的低落等)問題發生的可能性。
[第2實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法] 第2實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法之一例係以圖3A及圖3B來表示。 第2實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法係具備下列步驟：將前述工件14欲進行單片化的部位進行半切割加工142，藉此形成工件加工物14’之加工步驟(圖3A(a)至圖3A(b))；以及，藉由將經半切割加工142而成之前述工件加工物14’中與電路面14’a為相反側的面14’b進行磨削，將前述工件加工物14’進行單片化之磨削步驟(圖3A(c)至圖3A(d))。
於本實施形態中，是使用於一側的面具有電路面14a之半導體晶圓(工件14)來作為圖1A(a)所示之工件14。將半導體晶圓的電路面14a及凸塊41藉由電路面保護用帶17來保護(圖3A(c))。本實施形態中的前述工件加工物14’係進行半切割加工142，故在將前述工件加工物14’中與前述電路面14’a為相反側的面14’b進行磨削時被單片化，而能夠做為單片化工件加工物20。
將工件加工物14’進行單片化之磨削步驟(圖3A(c)至圖3A(d))中，並不是藉由磨削時的振動或衝撃而使工件加工物14’單片化，而是藉由工件加工物14’的內面被磨削，內面到達因半切割加工142所形成的溝槽而單片化。於本實施形態中，電路面保護用帶17能夠保持複數的單片化工件加工物20。
前述工件加工物14’由於是在將與前述電路面14’a為相反側的面14’b進行磨削時被單片化，故在將前述樹脂膜形成膜13加以割斷時，能夠簡便地獲得具樹脂膜形成膜13之單片化工件加工物20。
本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法進而具有下列步驟：在單片化工件加工物20中與前述電路面14’a為相反側的面14’b，貼附積層有前述支撐片10及前述樹脂膜形成膜13之樹脂膜形成用複合片1中的前述樹脂膜形成膜13的露出面13a，形成在前述支撐片10上依序具備有前述樹脂膜形成膜13及前述工件加工物14’的第三積層體103之貼附步驟(圖3B(g)至圖3B(h))；將前述第三積層體103中的前述樹脂膜形成膜13沿著前述工件加工物14’經前述半切割加工142的部位來割斷，形成在前述支撐片10上積層有複數的具樹脂膜形成膜13之單片化工件加工物20的第四積層體104之割斷步驟(圖3B(j))；以及，對前述第四積層體104中的前述樹脂膜形成膜13，從前述支撐片10之側進行能量線照射(E)來形成樹脂膜13’，形成在前述支撐片10上積層有複數的具樹脂膜之單片化工件加工物21的第六積層體106之硬化步驟(圖3B(k))；將形成第四積層體104之割斷步驟(圖3B(j))至形成第六積層體106之硬化步驟(圖3B(k))在線內程序實行。 本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法亦可將形成第三積層體103之貼附步驟(圖3B(g)至圖3B(h))至形成第六積層體106之硬化步驟(圖3B(k))在線內程序實行。
藉由磨削工件加工物14’的內面，使得內面到達因半切割加工142所形成的溝槽以單片化的情況，通常此經單片化之工件加工物14’的間隔比起藉由改質層加工141獲得工件加工物14’時還要大。然而，為了良率提升等，經單片化之工件加工物14’的間隔亦有小的情形，於積層步驟後將硬化步驟在離線程序進行時、或將割斷步驟與硬化步驟在離線程序進行時，可能會發生經單片化之工件加工物14’彼此的接觸所導致之破損。因此，藉由將這些步驟進行線內程序化，能夠降低經單片化之工件加工物14’的破損的可能性。在並非工件加工物14’而是於工件14積層樹脂膜形成膜13的情況，對樹脂膜形成膜13進行能量線照射形成了樹脂膜13’後，一併進行工件14的單片化及樹脂膜13’的割斷，藉此能夠避免以經單片化之工件加工物14’的狀態進行硬化步驟。
然而，以磨削步驟將工件加工物14’進行單片化的情況，由於硬化步驟必定要在工件加工物14’經單片化狀態進行，故藉由硬化步驟的線內程序化，能夠防止經單片化之工件加工物14’的破損。
[第3實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法] 第3實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法之一例係以圖1A及圖4來表示。 第3實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法係具備下列步驟：將前述工件14欲進行單片化的部位進行改質層加工141，藉此形成前述工件加工物14’之加工步驟(圖1A(a)至圖1A(b))；以及，將經改質層加工141而成之前述工件加工物14’中與前述電路面14’a為相反側的面14’b進行磨削之磨削步驟(圖1A(c)至圖1A(d))。
本實施形態中的加工步驟(圖1A(a)至圖1A(b))至磨削步驟(圖1A(c)至圖1A(d))，與第1實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法中的加工步驟(圖1A(a)至圖1A(b))至磨削步驟(圖1A(c)至圖1A(d))相同。
於本實施形態中，是使用於一側的面具有電路面14a之半導體晶圓(工件14)來作為圖1A(a)所示之工件14。將半導體晶圓的電路面14a及凸塊41藉由電路面保護用帶17來保護(圖1A(c))。關於電路面保護用帶17的說明，與第1實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法中關於電路面保護用帶17的說明是同樣的。
本實施形態由於是在將前述工件14欲進行單片化的部位進行改質層加工141之後，將前述工件加工物14’中與前述電路面14’a為相反側的面14’b進行磨削，因此能夠藉由進行磨削時的振動或衝撃來單片化。本實施形態係改質層經劈開後的破碎層亦藉由磨削而削除，藉此提升單片化工件加工物的強度，故能夠製造更薄的單片化工件加工物。
第3實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法進而具備下列步驟：在工件加工物14’中與電路面14’a為相反側的面14’b，貼附積層有支撐片10及樹脂膜形成膜13之樹脂膜形成用複合片1中的樹脂膜形成膜13的露出面13a，形成在支撐片10上依序具備有樹脂膜形成膜13及工件加工物14’的第三積層體103之貼附步驟(圖4(g)至圖4(h))；對第三積層體103中的樹脂膜形成膜13，從支撐片10之側進行能量線照射(E)來形成樹脂膜13’，形成在支撐片10上依序具備有樹脂膜13’及前述工件加工物14’的第五積層體105之硬化步驟(圖4(j))；以及，將第五積層體105中的樹脂膜13’沿著工件加工物14’經改質層加工141的部位來割斷，形成在支撐片10上積層有複數的具樹脂膜之單片化工件加工物21的第六積層體106之割斷步驟(圖4(l))；將硬化步驟(圖4(j))至割斷步驟(圖4(l))在線內程序實行。
本實施形態是與貼附步驟(圖4(g)至圖4(h))同時進行形成依序具備有前述樹脂膜形成膜13及工件加工物14’的第二積層體102之積層步驟。
在本實施形態中亦與第1實施形態同樣地，於磨削步驟中，由於藉由利用工件加工物14’的磨削來進行工件14的單片化，在積層步驟中工件加工物14’已經被單片化，因此藉由割斷樹脂膜形成膜13，能夠簡便地獲得具樹脂膜之單片化工件加工物21。再者，將積層步驟、割斷步驟(較佳為兼具藉由支撐片10的擴展所進行之擴展步驟的割斷步驟)、及硬化步驟進行線內程序化，能夠有效率地在工件形成樹脂膜，並有效率地獲得經單片化的具樹脂膜之工件加工物14’，可謀求製造裝置的簡化。進而，即使相鄰之各個經單片化之工件加工物14’的間隔實質上不存在，藉由支撐片10的擴展仍可容易地割斷樹脂膜13’。
在本實施形態中亦與第1實施形態同樣地，相鄰之各個經單片化之工件加工物14’的間隔實質上不存在，各個具樹脂膜形成膜13之單片化工件加工物20的間隔小。然而，由於是將硬化步驟至割斷步驟在線內程序實行，故硬化步驟與割斷之間的搬運距離極短，能夠降低經單片化之工件加工物14’的端部破損之虞。
本實施形態藉由將硬化步驟至割斷步驟在線內程序實行，能夠不將第五積層體105收容於匣室而可一片一片搬運。藉由在同一個裝置內進行，能夠更加減少裝置空間。變得不需要藉由人工來搬運第五積層體105，能夠提升具樹脂膜之單片化工件加工物的生產效率。
藉由將從前述支撐片10之側對樹脂膜形成膜13進行能量線照射(E)之裝置與將樹脂膜13’加以割斷之裝置(例如，藉由擴展支撐片10來割斷樹脂膜13’之裝置)連結而進行，即便不從頭設計也能夠以改造以往的裝置來應對，可降低初始費用。在本實施形態之具樹脂膜之工件加工物的製造方法中，由於在上述的磨削步驟中，藉由工件加工物14’的磨削來進行工件14的單片化，故在將硬化步驟至割斷步驟在線內程序實行之裝置，無需追加與割斷手段不同之工件加工物14’的單片化手段。在採用擴展手段來作為割斷手段的情況，無需在裝置追加刀片切割手段或雷射切斷手段，能夠將裝置加以簡略化。然後，本實施形態進而能夠抑制搬運第五積層體105之間的污染、破損。就結果而言，可效率佳且以低成本製造具樹脂膜之單片化工件加工物。
在這種情況，即使是在硬化步驟至割斷步驟之間，仍能夠減少相鄰的經單片化之工件加工物14’彼此接觸，經單片化之工件加工物14’的端部破損的可能性。
藉由支撐片10的擴展來進行割斷步驟的情況、或在割斷步驟之後另外進行擴展支撐片10之擴展步驟的情況，較佳為將硬化步驟至擴展步驟在線內程序實行(亦即，將割斷步驟至擴展步驟在線內程序實行)。支撐片10的擴展前，經單片化之前述工件加工物14’的間隔狹窄，若在離線程序進行這些步驟，則因步驟遷移時的搬運，經單片化之前述工件加工物14’彼此有接觸而破損的可能性。然而，將擴展步驟在線內程序內實行後，於之後的離線程序中，因前述工件加工物彼此的接觸所導致之破損的可能性會降低。
此外，藉由支撐片10的擴展來進行割斷步驟的情況，藉由將硬化步驟至割斷步驟在線內程序實行，當然硬化步驟至擴展步驟是在線內程序實行。在割斷步驟之後進行擴展步驟的情況，將割斷步驟至擴展步驟進行線內程序化即可。
針對降低這種經單片化之前述工件加工物14’彼此的接觸所導致之破損的可能性之效果，即使在其他實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法(使用工件加工物14’，使樹脂膜形成膜硬化而獲得樹脂膜的步驟之後，進行將樹脂膜加以割斷之割斷步驟)中，同樣能夠獲得該效果。
於本實施形態中，較佳為具備：工件加工物14’的電路面14’a被電路面保護用帶17保護，在貼附步驟(圖4(g)至圖4(h))之後，自工件加工物14’的電路面14’a將電路面保護用帶17加以剝離之剝離步驟(圖4(h)至圖4(i))。
本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法較佳為將貼附步驟(圖4(g)至圖4(h))至割斷步驟(圖4(l))在線內程序實行。
本實施形態藉由將貼附步驟至割斷步驟在線內程序實行，能夠不將第三積層體103及第五積層體105收容於匣室而可一片一片搬運。藉由在同一個裝置內進行，能夠更加減少裝置空間。變得不需要藉由人工來搬運第三積層體103及第五積層體105，能夠提升具樹脂膜之單片化工件加工物的生產效率。藉由使得從前述支撐片10之側對樹脂膜形成膜13進行能量線照射(E)之裝置與將樹脂膜13’加以割斷之裝置連結而進行，即便不從頭設計也能夠以改造以往的裝置來應對，可降低初始費用。本實施形態進而能夠抑制搬運第三積層體103之間及搬運第五積層體105之間的污染、破損，就結果而言，可效率佳且以低成本製造具樹脂膜之單片化工件加工物。
假如是將形成第五積層體105之硬化步驟在離線程序進行的情況，在形成第三積層體103之貼附步驟至形成第五積層體105之硬化步驟之間、與形成第五積層體105之硬化步驟至割斷樹脂膜13’來形成第六積層體106之割斷步驟之間，變得需要兩次的搬運。因此，伴隨這些搬運也會產生積層體之保管的必要性。若根據本實施形態，能夠省略這些兩次的搬運及保管，可達成程序的顯著效率化。
本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法進而具備下列步驟：在貼附步驟(圖4(g)至圖4(h))之後，自工件加工物14’的電路面14’a將電路面保護用帶17加以剝離之剝離步驟(圖4(h)至圖4(j))；在硬化步驟(圖4(j))之後，從支撐片10之側對樹脂膜13’照射雷射進行雷射標記之步驟(圖4(k))；以及，在割斷步驟(圖4(l))之後，進行拾取之步驟(圖4(m))。進行雷射標記之步驟不限於此，亦可以任意的順序從支撐片10之側對樹脂膜形成膜13照射雷射。
[第3實施形態的變形例] 本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法並不限定於圖1A及圖4所示的步驟，在無損於本發明之效果的範圍內，亦可為圖1A及圖4所示之步驟的一部分的構成經變更或削除而成，或者在至此已說明的步驟進而追加其他的構成而成。
在本實施形態中，亦可與第1實施形態的變形例同樣地具備下列步驟：在工件加工物14’中與電路面14’a為相反側的面14’b貼附樹脂膜形成膜13的露出面13a，形成積層有樹脂膜形成膜13及前述工件加工物14’的第二積層體102之積層步驟(圖2(e)至圖2(f))；以及，在第二積層體102中的樹脂膜形成膜13的露出面13b貼附支撐片10，形成在支撐片10上依序具備有樹脂膜形成膜13及工件加工物14’的第三積層體103之貼附步驟(圖4(g)至圖4(h))。這種情況，在積層步驟之後實施貼附步驟。貼附步驟通常是在割斷步驟前進行，但亦可在硬化步驟後進行貼附步驟，形成在支撐片10上依序具備有樹脂膜13’及工件加工物14’的積層體(未以圖表示)。積層步驟雖然亦可作為離線程序，而將貼附步驟至硬化步驟藉由線內程序來實行，但在用以實施本實施形態之具樹脂膜之工件加工物的製造方法之製造裝置中，進行積層步驟之積層手段與進行貼附步驟之貼附手段由於通常會具備類似的機構，容易進行一體化，故較佳為將積層步驟、貼附步驟、及硬化步驟在線內程序實行。
在積層步驟後、硬化步驟前進行貼附步驟的情況，若支撐片10為在基材11上具有黏著劑層12之黏著片，則在黏著劑層12與樹脂膜形成膜13之間，各自的成分有互相遷移的可能性。與第1實施形態同樣地，藉由將貼附步驟與硬化步驟進行線內程序化，可防止這種成分遷移的增加。
與第1實施形態同樣地亦可具備下列步驟：將工件14欲進行單片化的部位進行半切割加工142，藉此形成工件加工物14’之加工步驟(圖3A(a)至圖3A(b))；以及，藉由將經半切割加工142而成之工件加工物14’中與電路面14’a為相反側的面14’b進行磨削，將工件加工物14’進行單片化之磨削步驟(圖3A(c)至圖3A(d))來代替下列步驟：將工件14欲進行單片化的部位進行改質層加工141，藉此形成工件加工物14’之加工步驟；以及，將經改質層加工141而成之工件加工物14’中與電路面14’a為相反側的面14’b進行磨削之磨削步驟。
另外，加工步驟及磨削步驟由於在第3實施形態與第1實施形態中為相同，故所產生的作用效果亦相同。
本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法進而具備：形成第三積層體103之貼附步驟(圖3B(g)至圖3B(h))、形成第四積層體104之割斷步驟(圖3B(j))、以及形成第六積層體106之硬化步驟(圖3B(k))；將形成第四積層體104之割斷步驟(圖3B(j))至形成第六積層體106之硬化步驟(圖3B(k))在線內程序實行。 本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法亦可將形成第三積層體103之貼附步驟(圖3B(g)至圖3B(h))至形成第六積層體106之硬化步驟(圖3B(k))在線內程序實行。
[第4實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法] 第4實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法之一例係以圖3A及圖5來表示。 第4實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法具備下列步驟：將前述工件14欲進行單片化的部位進行半切割加工142，藉此形成前述工件加工物14’之加工步驟(圖3A(a)至圖3A(b))；以及，藉由將經半切割加工142而成之前述工件加工物14’中與前述電路面14’a為相反側的面14’b進行磨削，將前述工件加工物14’進行單片化之磨削步驟(圖3A(c)至圖3A(d))。
於本實施形態中，是使用於一側的面具有電路面14a之半導體晶圓(工件14)來作為圖3A(a)所示之工件14。將半導體晶圓的電路面14a及凸塊41藉由電路面保護用帶17來保護(圖3A(c))。
前述工件加工物14’由於是在將與前述電路面14’a為相反側的面14’b進行磨削時被單片化，故在將前述樹脂膜13’加以割斷時，能夠簡便地獲得具樹脂膜之單片化工件加工物21。
第4實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法進而具備下列步驟：在單片化工件加工物20中與前述電路面14’a為相反側的面14’b，貼附積層有前述支撐片10及前述樹脂膜形成膜13之樹脂膜形成用複合片1中的前述樹脂膜形成膜13的露出面13a，形成前述第三積層體103之積層步驟(圖5(g)至圖5(h))；對前述第三積層體103中的前述樹脂膜形成膜13，從前述支撐片10之側進行能量線照射(E)來形成樹脂膜13’，形成在前述支撐片10上依序具備有前述樹脂膜13’及單片化工件加工物20的第五積層體105之硬化步驟(圖5(j))；以及，將前述第五積層體105中的前述樹脂膜13’沿著前述單片化工件加工物20經前述半切割加工142的部位來割斷，形成在前述支撐片10上積層有複數的具樹脂膜之單片化工件加工物21的第六積層體106之割斷步驟(圖5(l))；將形成前述第五積層體105之硬化步驟(圖5(j))至形成第六積層體106之割斷步驟(圖5(l))在線內程序實行。
本實施形態是與形成在前述支撐片10上依序具備有前述樹脂膜形成膜13及單片化工件加工物20的第三積層體103之積層步驟(圖5(g)至圖5(h))同時地形成依序具備有前述樹脂膜形成膜13及單片化工件加工物20的第二積層體102。
於本實施形態中，藉由將形成前述第五積層體105之硬化步驟至形成前述第六積層體106之割斷步驟在線內程序實行，與第3實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法同樣地能夠降低在搬運前述第五積層體105之間受到污染、或破損之虞，可效率佳且以低成本製造具樹脂膜之單片化工件加工物。
於本實施形態中，較佳為將形成前述第三積層體103之積層步驟至形成前述第五積層體105之硬化步驟在線內程序實行。藉此，與第3實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法同樣地能夠降低在搬運前述第三積層體103之間受到污染、或破損之虞，可效率佳且以低成本製造具樹脂膜之單片化工件加工物。
於本實施形態中，工件加工物14’的電路面14’a受到電路面保護用帶17保護，在形成前述第三積層體103之積層步驟(圖5(g)至圖5(h))之後，較佳為具備自工件加工物14’的電路面14’a將電路面保護用帶17加以剝離之剝離步驟(圖5(h)至圖5(i))。
於本實施形態中，前述割斷步驟較佳為沿著前述工件加工物14’經前述半切割加工142的部位，將前述樹脂膜13’加以雷射刀割斷、電漿割斷、或蝕刻割斷的步驟。
於本實施形態中，前述單片化工件加工物20藉由沿著將樹脂膜13’進行了半切割加工142的部位來加以割斷，能夠成為複數的具樹脂膜13’之單片化工件加工物21。做為將樹脂膜13’加以割斷之手段，能夠舉出：雷射刀割斷、電漿割斷、蝕刻割斷等。
本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法較佳為將形成前述第三積層體103之積層步驟(圖5(g)至圖5(h))至形成前述第六積層體106之割斷步驟(圖5(l))在線內程序實行。
於本實施形態中，藉由將形成前述第三積層體103之積層步驟至形成前述第六積層體106之割斷步驟在線內程序實行，與第3實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法同樣地能夠降低在搬運前述第三積層體103之間、及在搬運前述第五積層體105之間受到污染、或破損之虞，可效率佳且以低成本製造具樹脂膜之單片化工件加工物。
本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法進而具備下列步驟：在形成前述第三積層體103之積層步驟(圖5(g)至圖5(h))之後，自工件加工物14’的電路面14’a將電路面保護用帶17加以剝離之剝離步驟(圖5(h)至圖5(j))；在形成第五積層體105之硬化步驟(圖5(j))之後，從支撐片10之側對樹脂膜13’照射雷射進行雷射標記之步驟(圖5(k))；以及，在形成第六積層體106之割斷步驟(圖5(l))之後，進行拾取之步驟(圖5(m))。進行雷射標記之步驟不限於此，亦可以任意的順序從支撐片10之側對樹脂膜形成膜13照射雷射。
本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法並不限定於圖1A及圖5所示的步驟，在無損於本發明之效果的範圍內，亦可為圖1A及圖5所示之步驟的一部分的構成經變更或削除而成，或者在至此已說明的步驟進而追加其他的構成而成。
[第5實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法] 第5實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法之一例係以圖7A及圖7B來表示。 第5實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法係具備下列步驟：將工件14中與電路面14a為相反側的面14b進行磨削之磨削步驟(圖7A(c)至圖7A(d))；在經磨削之前述工件14中與電路面為相反側的面14b，積層能量線硬化性的樹脂膜形成膜13，形成依序具備有樹脂膜形成膜13及前述工件14的第一積層體101之積層步驟(圖7B(g)至圖7B(h))；將前述樹脂膜形成膜13加以割斷之割斷步驟(圖7B(j))；以及，對前述樹脂膜形成膜13進行能量線照射來形成樹脂膜13’之硬化步驟(圖7B(k))；將積層步驟(圖7B(g)至圖7B(h))至硬化步驟(圖7B(k))或將割斷步驟(圖7B(j))至硬化步驟(圖7B(k))在線內程序實行。
第5實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法，與上述的第1實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法不同之處在於：在磨削步驟中，代替經改質層加工141而成之前述工件加工物14’或經半切割加工142而成之前述工件加工物14’，而對於未進行這些加工之工件14中與前述電路面14a為相反側的面14b進行磨削，在積層步驟中，於工件14積層樹脂膜形成膜13。在本實施形態之積層步驟中，與第1實施形態同樣地使用樹脂膜形成用複合片，與第一積層體101的形成同時來形成在支撐片10上依序具備有樹脂膜形成膜13及工件14的積層體(未以圖表示)。亦即，本實施形態的積層步驟係兼具貼附步驟。另外，亦可與第1實施形態相同，不使用樹脂膜形成複合片，而在積層步驟後且通常比割斷步驟還更之前，另外進行將支撐片10貼附於樹脂膜形成膜13之貼附步驟。
本實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法亦可在上述磨削步驟之後，且將樹脂膜形成膜加以割斷之割斷步驟之前，具備將工件14欲進行單片化的部位進行改質層加工141，藉此形成工件加工物14’之加工步驟(圖7B(h’)至圖7B(i))。就防止因著積層步驟中的按壓造成工件加工物14’劈開之觀點而言，通常加工步驟會比積層步驟還要後面進行。
然後在割斷步驟中，工件14或工件加工物14’同時被單片化，獲得單片化工件加工物20。
在將樹脂膜形成膜13加以割斷之割斷步驟中，在工件14未被改質層加工141的情況，通常是藉由刀片切割等來將樹脂膜形成膜13及工件14一併切斷，同時進行工件14的單片化。
另一方面，在割斷步驟中實施改質層加工141的情況，藉由支撐片10的擴展，工件14係與樹脂膜形成膜13同時地沿著改質層被分割而單片化。
在本實施形態中，亦藉由將割斷步驟至硬化步驟(亦即，將前述支撐片10進行擴展之割斷步驟至形成前述樹脂膜13’之硬化步驟)在線內程序實行來謀求程序的效率化。 再者，經改質層加工141而成之工件加工物14’於本實施形態中，在比割斷步驟(擴展步驟)更前面的時點雖然還尚未單片化，但由於工件加工物14’經改質層加工141的部分易碎，於離線程序的搬運中當工件加工物14’意外地劈開了的情況，可能會發生經單片化之工件加工物14’彼此的接觸所導致之破損。因此，較佳為將加工步驟至割斷步驟在線內程序實行，來降低經單片化之工件加工物14’之破損的可能性。在工件14未經改質層加工141而割斷步驟並不依照支撐片10的擴展來進行的情況，由於有時經單片化之工件加工物14’間的間隔狹窄，故藉由將割斷步驟至硬化步驟在線內程序實行，能夠防止經單片化之工件加工物14’彼此的接觸。
本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法並不限定於圖7A及圖7B所示的步驟，在無損於本發明之效果的範圍內，亦可為圖7A及圖7B所示之步驟的一部分的構成經變更或削除而成，或者在至此已說明的步驟進而追加其他的構成而成。
[第6實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法] 第6實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物21的製造方法之一例係以圖7A及圖8來表示。 第6實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法係具備下列步驟：將工件14中與電路面14a為相反側的面14b進行磨削之磨削步驟(圖7A(c)至圖7A(d))；在經磨削之工件14中與電路面為相反側的面14b，積層能量線硬化性的樹脂膜形成膜13，形成依序具備有樹脂膜形成膜13及前述工件14的第一積層體101之積層步驟(圖8(g)至圖8(h))；對樹脂膜形成膜13進行能量線照射來形成樹脂膜13’之硬化步驟(圖8(j))；以及，將樹脂膜13’加以割斷之割斷步驟(圖8(l))；將形成前述樹脂膜13’之硬化步驟(圖8(j))至將樹脂膜13’加以割斷之割斷步驟(圖8(l))在線內程序實行。
第6實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法，與上述的第3實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法不同之處在於：在磨削步驟中，代替經改質層加工141而成之工件加工物14’或經半切割加工142而成之前述工件加工物14’，將未進行這些加工之工件14中與前述電路面14a為相反側的面14b加以磨削，在積層步驟中，於工件14積層樹脂膜形成膜13。與第1實施形態及第5實施形態同樣地，本實施形態的積層步驟係兼具貼附步驟。另外，亦可與第1實施形態相同，不使用樹脂膜形成複合片，而在積層步驟後且通常比割斷步驟還更之前，另外進行將支撐片10貼附於樹脂膜形成膜13之貼附步驟。貼附步驟亦可在硬化步驟之後。
本實施形態之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法亦可在磨削步驟之後，且割斷步驟之前，具備將前述工件14欲進行單片化的部位進行改質層加工141，藉此形成前述工件加工物14’之加工步驟(圖8(h’)至圖8(i))。就防止因著積層步驟中的按壓造成工件加工物14’劈開之觀點而言，通常加工步驟會比積層步驟還要後面進行。
然後，在將樹脂膜13’加以割斷之割斷步驟中，工件14或工件加工物14’同時被單片化，獲得單片化工件加工物20。
在將樹脂膜13’加以割斷之割斷步驟中，在工件14未被改質層加工141的情況，通常是藉由刀片切割等來將樹脂膜13’及工件14一併切斷，同時進行工件14的單片化。
另一方面，在將樹脂膜13’加以割斷之割斷步驟中實施有改質層加工141的情況，藉由支撐片10的擴展，工件14係與樹脂膜13’同時地沿著改質層被分割而單片化。
在本實施形態中，亦藉由將硬化步驟至割斷步驟(亦即，硬化步驟至將支撐片10進行擴展之步驟)在線內程序實行來謀求程序的效率化。 再者，與第5實施形態同樣地，經改質層加工141而成之工件加工物14’在比割斷步驟(擴展步驟)更前面的時點雖然還尚未單片化，但工件加工物14’經改質層加工141的部分可能會在離線程序的搬運中意外地劈開而發生經單片化之工件加工物14’彼此的接觸所導致之破損。因此，較佳為降低離線程序之搬運中的工件加工物14’之劈開的可能性，在加工步驟於硬化步驟前進行的情況，較佳為將加工步驟、硬化步驟、及割斷步驟在線內程序實行。另一方面，在加工步驟於硬化步驟後進行的情況，較佳為將加工步驟至割斷步驟在線內程序實行，更佳為將硬化步驟、加工步驟、及割斷步驟在線內程序實行。
本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法並不限定於圖7A及圖8所示的步驟，在無損於本發明之效果的範圍內，亦可為圖7A及圖8所示之步驟的一部分的構成經變更或削除而成，或者在至此已說明的步驟進而追加其他的構成而成。
[樹脂膜形成組成物] 作為用以形成樹脂膜形成膜13之樹脂膜形成組成物的組成，較佳為含有黏結劑聚合物成分及能量線硬化性成分。
[黏結劑聚合物成分] 為了對樹脂膜形成膜13賦予充分的接著性及造膜性(片形成性)，可使用黏結劑聚合物成分。作為黏結劑聚合物成分，能夠使用以往公知的丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、橡膠系聚合物等。 另外，於本實施形態中，所謂重量平均分子量(Mw)，只要沒有特別另外說明則係指藉由凝膠滲透層析(GPC；Gel Permeation Chromatography)法所測定之聚苯乙烯換算值。
作為黏結劑聚合物成分，可較佳地使用丙烯酸樹脂。丙烯酸樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為在-60℃至50℃，進而較佳為在-50℃至40℃，特佳為在-40℃至30℃的範圍      。 本說明書中所謂的「玻璃轉移溫度」，是使用差示掃描量熱儀來測定試料的DSC(Differential scanning calorimetry；差示掃描量熱法)曲線，並以獲得之DSC曲線的反曲點的溫度來表示。
進而，為了保持硬化後之保護膜的可撓性，亦可與丙烯酸樹脂一起調配丙烯酸樹脂以外的熱塑性樹脂。作為這樣的熱塑性樹脂，較佳為重量平均分子量為1000至10萬，進而較佳為3000至8萬。熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度較佳為-30℃至120℃，進而較佳為-20℃至120℃。作為熱塑性樹脂，可列舉：聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。這些熱塑性樹脂能夠單獨使用1種，或是混合2種以上來使用。
[能量線硬化性成分] 作為能量線硬化性成分，能夠使用：含有能量線聚合性基，若受到紫外線、電子束等能量線的照射則進行聚合硬化之低分子化合物(能量線聚合性化合物)。作為這樣的能量線硬化性成分，在分子內具有至少1個聚合性雙鍵，重量平均分子量通常為100至30000，較佳為300至10000左右。
再者，作為能量線硬化性成分，亦可使用在黏結劑聚合物成分的主鏈或側鏈鍵結有能量線聚合性基之能量線硬化型聚合物。這樣的能量線硬化型聚合物兼備了作為黏結劑聚合物成分之功能與作為硬化性成分之功能。
能量線硬化型聚合物的主骨架並沒有特別限定，亦可為作為黏結劑聚合物成分所通用之丙烯酸樹脂，另外亦可為聚酯樹脂、聚醚樹脂等，但就容易合成及控制物性而言，特佳為以丙烯酸樹脂作為主骨架。
即使在使用能量線硬化型聚合物的情況，亦可併用前述之能量線聚合性化合物，且亦可併用黏結劑聚合物成分。
藉由對樹脂膜形成膜13賦予能量線硬化性，能夠簡便地且以短時間將樹脂膜形成膜13硬化，使具樹脂膜之單片化工件加工物21的生產效率提升。以往，單片化工件加工物用的樹脂膜，一般是藉由環氧樹脂等的熱硬化樹脂來形成，但由於熱硬化樹脂的硬化溫度超過200℃，且硬化時間需要2小時左右，故成為了生產效率提升的障礙。然而，能量線硬化性的樹脂膜形成膜13藉由能量線照射(E)而以短時間硬化，能夠簡便地形成保護膜，可有助於生產效率的提升。
樹脂膜形成膜13較佳為除了含有上述黏結劑聚合物成分及能量線硬化性成分之外，還含有著色劑、光聚合起始劑、偶合劑、無機填充材等成分。
[通用添加劑] 於樹脂膜形成膜13，除了上述成分以外，亦可視需要而調配各種添加劑。作為各種添加劑，可列舉：交聯劑、調平劑、塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、離子捕捉劑、吸氣劑(gettering agent)、鏈轉移劑等。
[溶媒] 樹脂膜形成組成物較佳為進而含有溶媒。含有溶媒之樹脂膜形成組成物係操作性變得良好。作為溶媒，能夠使用公知的有機溶媒。
能夠藉由將由如上述的各成分所構成之樹脂膜形成組成物例如進行塗佈並加以乾燥來獲得樹脂膜形成膜13。樹脂膜形成膜13具有接著性與硬化性，亦可在未硬化狀態下藉由按壓於半導體晶圓等工件來進行接著，亦可於進行按壓時將樹脂膜形成膜13進行加熱而接著於工件加工物。然後經過硬化而提供樹脂膜，在具樹脂膜之單片化工件加工物21中具有單片化工件加工物20的保護功能。另外，樹脂膜形成膜13可為單層結構，或者只要含有1層以上之包含上述成分的層則亦可為多層結構。
樹脂膜形成膜13的厚度並無特別限定，較佳為3μm至300μm，進而較佳為5μm至250μm，特佳為7μm至200μm。 本說明書中，所謂「厚度」係指在對象物的厚度方向上隨機地切斷而成的切斷面中，以接觸式厚度計測定隨機選擇的5處之厚度，並以該5處的平均來表示的值。
[支撐片] 作為支撐片10，可舉出僅由基材11所構成之片、或在基材11上具有黏著劑層12之黏著片。
作為支撐片10的厚度，可依用途而適當選擇，就賦予充分的可撓性，使對矽晶圓的貼附性良好之觀點而言，較佳為10μm至500μm，更佳為20μm至350μm，進而較佳為30μm至200μm。 另外，關於上述支撐片10的厚度，不僅是構成支撐片10之基材11的厚度，於具有黏著劑層12的情況，亦包含這些層或膜的厚度。
[基材] 做為構成支撐片10之基材11，較佳為樹脂膜。 作為前述樹脂膜，例如可列舉：低密度聚乙烯(LDPE；Low Density Polyethylene)膜或直鏈低密度聚乙烯(LLDPE；Linear Low Density Polyethylene)膜等聚乙烯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、離子聚合物樹脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟樹脂膜等。 基材11可為由1種樹脂膜所構成之單層膜，亦可為將2種以上之樹脂膜積層而成的積層膜。 再者，亦可將對上述樹脂膜等之基材11的表面實施了表面處理之片用作支撐片10。
這些樹脂膜亦可為交聯膜。 再者，亦可使用將這些樹脂膜加以著色而得之膜、或經實施印刷而得之膜。 並且，樹脂膜亦可使用藉由擠出成形將熱塑性樹脂製成片而成的樹脂膜，亦可使用經延伸而成的樹脂膜，亦可使用藉由預定方法將硬化性樹脂加以薄膜化及硬化而製成片而成的樹脂膜。
在這些樹脂膜中，就耐熱性優異且因具有適度之柔軟性而具有擴展適性，亦容易維持拾取適性之觀點而言，較佳為含有聚丙烯膜之基材11。 另外，作為含有聚丙烯膜之基材11的構成，可為僅由聚丙烯膜所構成之單層結構，亦可為由聚丙烯膜與其他樹脂膜所構成之複層結構。
作為構成支撐片10之基材11的厚度，較佳為10μm至500μm，更佳為15μm至300μm，進而較佳為20μm至200μm。
[黏著片] 作為於本發明之一態樣中用作支撐片10的黏著片，可舉出：於上述樹脂膜等基材11上具有由黏著劑所形成之黏著劑層12的黏著片。 圖6為表示在基材11上設置有黏著劑層12而成的支撐片10之一例之概略剖面圖。 當支撐片10具備黏著劑層12時，將支撐片10的黏著劑層12積層於樹脂膜形成膜13。
關於作為黏著劑層12的形成材料之黏著劑，可舉出含有黏著性樹脂之黏著劑組成物，前述黏著劑組成物亦可進而含有上述交聯劑或賦黏劑等通用添加劑。黏著性樹脂亦包含藉由與賦黏劑等黏著性樹脂以外的成分組合才展現黏著性之樹脂。 作為前述黏著性樹脂，在著眼於該樹脂之結構的情況，例如可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯氧基樹脂、聚矽氧樹脂、飽和聚酯樹脂、乙烯醚樹脂等，較佳為丙烯酸樹脂。再者，在著眼於該樹脂之功能的情況，例如可列舉：能量線硬化型黏著劑或是加熱發泡型黏著劑、能量線發泡型黏著劑等。 本發明之一態樣中，就將剝離力調整在一定的範圍之觀點、以及使拾取性良好之觀點而言，較佳為具有能量線硬化性的黏著劑層12(由含有能量線硬化型樹脂之黏著劑組成物所形成)之黏著片或是具有微黏著性的黏著劑層12之黏著片。 作為能量線硬化型樹脂，只要為具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等聚合性基之樹脂即可，亦可為具有聚合性基之黏著性樹脂。較佳為在能量線硬化型樹脂中併用光聚合起始劑。
為了從支撐片10之側對能量線硬化性的樹脂膜形成膜13進行能量線照射(E)來形成樹脂膜13’，支撐片10較佳為使能量線穿透。 也為了經由支撐片10來光學性地檢查樹脂膜形成膜13或樹脂膜13’，支撐片10較佳為透明。也為了從支撐片10之側對樹脂膜形成膜13或樹脂膜13’照射雷射來進行雷射標記，支撐片10較佳為透明。
作為能量線硬化性的樹脂膜形成膜，例如亦能夠使用國際公開第2017/188200號、國際公開第2017/188218號所揭示的能量線硬化性的樹脂膜形成膜。
[樹脂膜形成用複合片] 樹脂膜形成用複合片1係僅由基材11所構成之支撐片10或作為黏著片之支撐片10等的支撐片10與前述樹脂膜形成膜13在這些層的厚度方向上積層而構成。 在第一實施形態所使用之樹脂膜形成用複合片1，通常是以即使支撐片10為黏著片仍可抑制黏著劑層12與樹脂膜形成膜13之間的成分遷移、或就算發生遷移也沒問題的方式而設計，不易發生如上述般成分遷移之問題。
[具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置] 本發明之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置具有以下的態樣。 ＜11＞　一種具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置，係具備下列手段：對積層體的樹脂膜形成膜進行能量線照射來形成樹脂膜之硬化手段，前述積層體係在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層有能量線硬化性的樹脂膜形成膜而成之依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體、或是依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體；以及，將前述樹脂膜形成膜或是將前述樹脂膜加以割斷之割斷手段；將前述割斷手段至前述硬化手段或將前述硬化手段至前述割斷手段在線內程序實行。
＜12＞　如＜11＞所記載之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置，其中係依序進行下列手段：在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層能量線硬化性的樹脂膜形成膜，形成依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體、或是依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體之積層手段；以及，前述硬化手段與前述割斷手段；將前述積層手段至前述硬化手段、及將前述硬化手段至前述割斷手段在線內程序實行。 ＜13＞　如＜11＞或＜12＞所記載之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置，其中係具備下列手段：將前述工件欲進行單片化的部位進行改質層加工或進行半切割加工，藉此形成工件加工物之加工手段；以及，前述割斷手段；前述割斷手段為沿著前述工件加工物經改質層加工之部位或經半切割加工之部位，將前述樹脂膜形成膜或前述樹脂膜加以割斷之手段。
＜14＞　如＜11＞至＜13＞中任一項所記載之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置，其中係具備下列手段：對積層體的樹脂膜形成膜進行能量線照射來形成樹脂膜之硬化手段，前述積層體係在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層有有支撐片及能量線硬化性的樹脂膜形成膜而成之依序具備有前述支撐片、前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體，或是依序具備有前述支撐片、前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體；將前述樹脂膜形成膜或是將前述樹脂膜加以割斷之割斷手段；以及，在前述割斷手段之後，進行將前述支撐片加以擴展之擴展手段；將前述割斷手段至前述擴展手段在線內程序實行。 [產業可利用性]
本發明之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法、以及具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置能夠用於製造半導體裝置。
1:樹脂膜形成用複合片 7:具樹脂膜之半導體晶片 8:半導體晶圓 8b:半導體晶圓的內面 10:支撐片 11:基材 12:黏著劑層 13:樹脂膜形成膜 13a,13b:樹脂膜形成膜的露出面 13’:樹脂膜 14:工件 14a:工件的電路面 14b:工件中與電路面為相反側的面(內面) 14’:工件加工物 14’a:工件加工物的電路面 14’b:工件加工物中與電路面為相反側的面(內面) 151:第1剝離膜 152:第2剝離膜 16:治具用接著劑層 17:電路面保護用帶 18:固定用治具 20:單片化工件加工物 21:具樹脂膜之單片化工件加工物 41:凸塊 101:第一積層體 102:第二積層體 103:第三積層體 104:第四積層體 105:第五積層體 106:第六積層體 141:改質層加工 142:半切割加工 EX:擴展割斷 E:能量線照射 M:雷射標記 P:拾取 L:雷射割斷
[圖1A]為示意地表示本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法之一例中的步驟的一部分之概略剖面圖。 [圖1B]為示意地表示本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法之一例中的步驟的一部分之概略剖面圖。 [圖2]為示意地表示本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法的其他之一例中的步驟的一部分之概略剖面圖。 [圖3A]為示意地表示本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法的進而其他之一例中的步驟的一部分之概略剖面圖。 [圖3B]為示意地表示本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法的進而其他之一例中的步驟的一部分之概略剖面圖。 [圖4]為示意地表示本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法的進而其他之一例中的步驟的一部分之概略剖面圖。 [圖5]為示意地表示本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法的進而其他之一例中的步驟的一部分之概略剖面圖。 [圖6]為表示在基材11上設置有黏著劑層12而成的支撐片10之一例之概略剖面圖。 [圖7A]為示意地表示本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法的進而其他之一例中的步驟的一部分之概略剖面圖。 [圖7B]為示意地表示本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法的進而其他之一例中的步驟的一部分之概略剖面圖。 [圖8]為示意地表示本實施形態的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法的進而其他之一例中的步驟的一部分之概略剖面圖。 [圖9]為示意地表示習知的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法之一例之概略剖面圖。 [圖10]為示意地表示習知的具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法的其他之一例之概略剖面圖。
1:樹脂膜形成用複合片
10:支撐片
13:樹脂膜形成膜
13a:樹脂膜形成膜的露出面
13’:樹脂膜
14’:工件加工物
14’a:工件加工物的電路面
14’b:工件加工物中與電路面為相反側的面(內面)
16:治具用接著劑層
17:電路面保護用帶
18:固定用治具
20:單片化工件加工物
21:具樹脂膜之單片化工件加工物
41:凸塊
102:第二積層體
103:第三積層體
104:第四積層體
106:第六積層體
EX:擴展割斷
E:能量線照射
M:雷射標記
P:拾取

Claims (8)

  1. 一種具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法，係具備下列步驟： 對積層體的樹脂膜形成膜進行能量線照射來形成樹脂膜之硬化步驟，前述積層體係在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層有能量線硬化性的樹脂膜形成膜而成之依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體、或是依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體；以及 將前述樹脂膜形成膜或是將前述樹脂膜加以割斷之割斷步驟； 將前述割斷步驟至前述硬化步驟或將前述硬化步驟至前述割斷步驟在線內程序實行。
  2. 如請求項1所記載之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法，其中係具備下列步驟： 在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層能量線硬化性的樹脂膜形成膜，來形成依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體、或是依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體之積層步驟；以及 前述硬化步驟與前述割斷步驟； 依序進行前述積層步驟、前述硬化步驟、及前述割斷步驟； 將前述積層步驟至前述硬化步驟、及將前述硬化步驟至前述割斷步驟在線內程序實行。
  3. 如請求項1或2所記載之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法，其中係具備下列步驟： 將前述工件欲進行單片化的部位進行改質層加工或進行半切割加工，藉此形成工件加工物之加工步驟；以及 前述割斷步驟； 前述割斷步驟為沿著前述工件加工物經改質層加工之部位或經半切割加工之部位，將前述樹脂膜形成膜或前述樹脂膜加以割斷之步驟。
  4. 一種具樹脂膜之單片化工件加工物的製造方法，係具備下列步驟： 於支撐片上形成積層體之貼附步驟，前述積層體依序具備有能量線硬化性的樹脂膜形成膜及具有電路面之工件或是藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物； 對前述樹脂膜形成膜進行能量線照射來形成樹脂膜之硬化步驟； 將前述樹脂膜形成膜或是將前述樹脂膜加以割斷之割斷步驟；以及 在前述割斷步驟之後，進行將前述支撐片加以擴展之擴展步驟； 將前述割斷步驟至前述擴展步驟在線內程序實行。
  5. 一種具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置，係具備下列手段： 對積層體的樹脂膜形成膜進行能量線照射來形成樹脂膜之硬化手段，前述積層體係在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層有能量線硬化性的樹脂膜形成膜而成之依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體、或是依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體；以及 將前述樹脂膜形成膜或是將前述樹脂膜加以割斷之割斷手段； 將前述割斷手段至前述硬化手段或將前述硬化手段至前述割斷手段在線內程序實行。
  6. 如請求項5所記載之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置，其中係具備下列手段： 在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層能量線硬化性的樹脂膜形成膜，形成依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體、或是依序具備有前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體之積層手段；以及 前述硬化手段與前述割斷手段； 依序進行前述積層手段、前述硬化手段、及前述割斷手段； 將前述積層手段至前述硬化手段、及將前述硬化手段至前述割斷手段在線內程序實行。
  7. 如請求項5或6所記載之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置，其中係具備下列手段： 將前述工件欲進行單片化的部位進行改質層加工或進行半切割加工，藉此形成工件加工物之加工手段；以及 前述割斷手段； 前述割斷手段為沿著前述工件加工物經改質層加工之部位或經半切割加工之部位，將前述樹脂膜形成膜或前述樹脂膜加以割斷之手段。
  8. 如請求項5至7中任一項所記載之具樹脂膜之單片化工件加工物的製造裝置，其中係具備下列手段： 對積層體的樹脂膜形成膜進行能量線照射來形成樹脂膜之硬化手段，前述積層體係在具有電路面之工件中與電路面為相反側的面、或在藉由將前述工件進行加工而獲得之工件加工物中與電路面為相反側的面積層有支撐片及能量線硬化性的樹脂膜形成膜而成之依序具備有前述支撐片、前述樹脂膜形成膜及前述工件的積層體；或是依序具備有前述支撐片、前述樹脂膜形成膜及前述工件加工物的積層體； 將前述樹脂膜形成膜或是將前述樹脂膜加以割斷之割斷手段；以及 在前述割斷手段之後，進行將前述支撐片加以擴展之擴展手段； 將前述割斷手段至前述擴展手段在線內程序實行。
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