TW202110652A - 第三積層體之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種第三積層體之製造方法，工件(14)的一面為電路面(14a)，另一面為內面(14b)，第三積層體之製造方法依序包含：第一積層步驟，於工件(14)的內面(14b)側貼附內面保護膜形成用膜(13)；及第二積層步驟，於內面保護膜形成用膜(13)貼附支撐片(10)；於自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之間，將於工件(14)積層有內面保護膜形成用膜(13)之第二積層體一片一片地搬送，使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程，或者於同一裝置內進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程。

Description

第三積層體之製造方法

本發明係關於一種第三積層體之製造方法。詳細而言，本發明係關於一種將半導體晶圓等工件、內面保護膜形成用膜及支撐片依序積層而成之第三積層體之製造方法。 本申請案係基於2019年4月26日於日本提出申請之日本特願2019-086303號而主張優先權，將該申請案之內容援用於此。

近年來，正應用被稱為所謂倒裝(face down)方式之構裝法來製造半導體裝置。倒裝方式中，使用在電路面上具有凸塊等電極之半導體晶片，前述電極與基板接合。因此，有時半導體晶片中的與電路面為相反側之內面裸露。

於該裸露之半導體晶片的內面，有時形成有含有機材料之樹脂膜作為內面保護膜，以附內面保護膜之半導體晶片之形式組入至半導體裝置。內面保護膜係用於在切割(dicing)步驟或封裝(packaging)後，防止半導體晶片中產生龜裂(例如專利文獻1、專利文獻2)。

此種附內面保護膜之半導體晶片例如係經過圖9所示之步驟而製造。亦即，已知有下述方法：於具有電路面之半導體晶圓8的內面8b，積層內面保護膜形成用膜13(圖9(A))，使內面保護膜形成用膜13進行熱硬化或能量線硬化而製成內面保護膜13’(圖9(B))，對內面保護膜13’進行雷射標記(laser marking)(圖9(C))，於內面保護膜13’積層支撐片10(圖9(D))，將半導體晶圓8及內面保護膜13’加以切割，製成附內面保護膜之半導體晶片7(圖9(E)及圖9(F))，自支撐片10拾取附內面保護膜之半導體晶片7(圖9(G))。硬化步驟及雷射標記步驟之順序為任意，亦可於具有電路面之半導體晶圓8的內面8b積層內面保護膜形成用膜13(圖9(A))，對內面保護膜形成用膜13進行雷射標記後，使內面保護膜形成用膜13進行熱硬化或能量線硬化而製成內面保護膜13’，然後經過圖9(D)至圖9(G)之步驟。圖9(A)中，於半導體晶圓8的內面8b積層內面保護膜形成用膜13的第一積層步驟、與圖9(D)中於內面保護膜13’積層支撐片10的第二積層步驟先前係利用不同的裝置來進行。

另外，內面保護膜形成用膜13及支撐片10一體化而成的保護膜形成用複合片亦被用於附內面保護膜之半導體晶片之製造(例如專利文獻2)。

使用保護膜形成用複合片的附內面保護膜之半導體晶片之製造方法例如經過圖10所示之步驟。亦即，已知有下述方法：於具有電路面之半導體晶圓8的內面8b，貼附由內面保護膜形成用膜13及支撐片10所積層而成之保護膜形成用複合片1中的內面保護膜形成用膜13(圖10(A’))，剝離電路面保護用帶17(圖10(B’))，使內面保護膜形成用膜13進行熱硬化或能量線硬化而製成內面保護膜13’(圖10(C’))，自支撐片10之側對內面保護膜13’進行雷射標記(圖10(D’))，將半導體晶圓8及內面保護膜13’加以切割，製成附內面保護膜之半導體晶片7(圖10(E’)及圖10(F’))，自支撐片10拾取附內面保護膜之半導體晶片7(圖10(G’))。於該情形時，硬化步驟及雷射標記步驟之順序亦為任意。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第4271597號公報。 [專利文獻2]日本專利第5363662號公報。

[發明所欲解決之課題]

如上文所述，圖9(A)中於半導體晶圓8的內面8b積層內面保護膜形成用膜13的第一積層步驟、與圖9(D)中於內面保護膜13’積層支撐片10的第二積層步驟先前係利用不同的裝置來進行。由前述第一積層步驟所得之積層體係收容於一個匣盒，藉由人工作業而被搬送至進行第二步驟之裝置，該藉由人工作業進行之搬送致使附內面保護膜之半導體晶片之生產效率降低。 進而，有時由前述第一積層步驟所得之積層體於收容於匣盒而被搬送之期間中出現污染、破損。

另外，圖10所示之先前的附保護膜之半導體晶片之製造方法中，由於使用將內面保護膜形成用膜13及支撐片10一體化而成之保護膜形成用複合片1，故而能夠以一個步驟來進行將內面保護膜形成用膜13貼附於成為內面保護膜形成用膜13之保護對象的工件(亦即半導體晶圓8)的步驟與貼附支撐片10的步驟。然而，於使用保護膜形成用複合片1之情形時，必須對照內面保護膜形成用膜13之特性及支撐片10之特性進行組合，為了實現達成目的之附保護膜之半導體晶片之製造方法，必須準備多種保護膜形成用複合片1。

另外，通常保護膜形成用複合片1可藉由將經衝壓加工成預定大小之內面保護膜形成用膜13積層於支撐片10，將該積層體衝壓加工成切割夾具尺寸，將無用部分加以去除而製造。與如圖9之方法般於硬質的半導體晶圓8上依序積層內面保護膜形成用膜13、支撐片10之情形不同，於上述保護膜形成用複合片1之製造中，將分別為軟質之內面保護膜形成用膜13與支撐片10加以貼合，故而有難易度高，良率惡化，導致製造成本變高之問題。

本發明係鑒於上述情況而成，其課題在於提供一種第三積層體之製造方法，能夠高效率且以低成本製造將半導體晶圓等工件、內面保護膜形成用膜及支撐片依序積層而成之第三積層體。 [用以解決課題之手段]

本發明提供以下之第三積層體之製造方法。

[1]一種第三積層體之製造方法，係製造將工件、內面保護膜形成用膜及支撐片依序積層而成之第三積層體；並且，前述工件的一面為電路面，另一面為內面；前述第三積層體之製造方法依序包含：第一積層步驟，於前述工件的前述內面側貼附前述內面保護膜形成用膜；以及第二積層步驟，於前述內面保護膜形成用膜貼附前述支撐片；於自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之間，將於前述工件積層有前述內面保護膜形成用膜之第二積層體一片一片地搬送；使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程，或者於同一裝置內進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程。 [2]一種第三積層體之製造方法，係製造將工件、內面保護膜形成用膜及支撐片依序積層而成之第三積層體；前述工件的一面為電路面，另一面為內面；前述第三積層體之製造方法依序包含：第一積層步驟，於前述工件的前述內面側貼附前述內面保護膜形成用膜；以及第二積層步驟，於前述內面保護膜形成用膜貼附前述支撐片；自前述第一積層步驟之貼附開始地點至前述第二積層步驟之貼附結束地點為止之間的前述工件之搬送距離為7000mm以下；使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程，或者於同一裝置內進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程。 [3]一種第三積層體之製造方法，係製造將工件、內面保護膜形成用膜及支撐片依序積層而成之第三積層體；前述工件的一面為電路面，另一面為內面；前述第三積層體之製造方法依序包含：第一積層步驟，於前述工件的前述內面側貼附前述內面保護膜形成用膜；以及第二積層步驟，於前述內面保護膜形成用膜貼附前述支撐片；自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述第二積層步驟之貼附結束時為止之間的前述工件之搬送時間為400秒以下；使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程，或者於同一裝置內進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程。 [4]如[3]所記載之第三積層體之製造方法，其中自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述第二積層步驟之貼附結束時為止之間的前述工件之搬送時間為150秒以下。 [發明功效]

根據本發明，提供一種第三積層體之製造方法，能夠高效率且以低成本製造將半導體晶圓等工件、內面保護膜形成用膜及支撐片依序積層而成之第三積層體。

以下，對作為應用本發明之實施形態的第三積層體之製造方法加以詳細說明。再者，以下之說明中所用之圖式有時為了容易地理解特徵，為方便起見而將成為特徵之部分放大表示，各構成要素之尺寸比率等不限於與實際相同。

[第三積層體之製造方法] 圖1係示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之一例的概略剖面圖。本實施形態之第三積層體之製造方法係製造將工件14、內面保護膜形成用膜13及支撐片10依序積層而成之第三積層體19，並且工件14的一面為電路面14a，另一面為內面14b(圖1(a))，上述第三積層體之製造方法依序包含：第一積層步驟(圖1(b))，於工件14的內面14b側貼附內面保護膜形成用膜13；以及第二積層步驟(圖1(d))，於內面保護膜形成用膜13貼附支撐片10(圖1(a)至圖1(e))。

於本實施形態中，使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程(圖1(b)至圖1(d))，或者於同一裝置內進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程。 因此，於本實施形態中，能夠於自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之間，將於工件14積層有內面保護膜形成用膜13之第二積層體不收容於匣盒，而是一片一片地搬送至圖1(d)所示之第二積層步驟。藉由在同一裝置內進行，而能夠進一步減少裝置空間。藉由使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結來進行過程，即便不從頭開始設計，亦能夠藉由改造先前之裝置而應對，能夠減少初期費用。而且，由於不將第二積層體收容於匣盒而搬送至裝置外，故而生產效率提高，且能夠抑制第二積層體之污染、破損。 所謂使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行過程，係指實施使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結的步驟、及進行前述第一積層步驟至前述第二積層步驟的步驟，或者利用將貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而成的裝置來實施前述第一積層步驟至前述第二積層步驟。

用於第一積層步驟之內面保護膜形成用膜13可事先加工成工件之形狀，或亦可於即將進行第一積層步驟之前於同一裝置內進行加工。於工件之大小在所使用之製造線中為一定之情形時，能夠事先進行加工之前者方式較有效率，於有可能變更工件之大小之情形時，若為後者方式則不會浪費內面保護膜形成用膜，有成本優點。

另外，於另一實施形態中，可將自前述第一積層步驟之貼附開始地點至前述第二積層步驟之貼附結束地點為止之間的工件14之搬送距離設計為7000mm以下，能夠減少裝置空間。自前述第一積層步驟之貼附開始地點至前述第二積層步驟之貼附結束地點為止之間的工件14之搬送距離亦可設為6500mm以下，亦可設為6000mm以下，亦可設為4500mm以下，亦可設為3000mm以下。 另外，自前述第一積層步驟之貼附開始地點至前述第二積層步驟之貼附結束地點為止之間的工件14之搬送距離亦可設為200nm至7000mm以下，亦可設為200nm至6000mm，亦可設為200nm至4500mm，亦可設為200nm至3000mm。 本說明書中，所謂自第一積層步驟之貼附開始地點至第二積層步驟之貼附結束地點為止之間的工件14之搬送距離，係指自第一積層步驟之貼附開始地點至第二積層步驟之貼附結束地點為止，工件14實際移動之距離。

另外，於另一實施形態中，可將自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述第二積層步驟之貼附結束時為止之間的工件14之搬送時間設為400秒以下，亦可設為150秒以下，能夠縮短步驟時間。自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述第二積層步驟之貼附結束時為止之間的工件14之搬送時間亦可設為130秒以下，亦可設為110秒以下，亦可設為90秒以下，亦可設為70秒以下。 自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述第二積層步驟之貼附結束時為止之間的工件14之搬送時間亦可設為15秒至400秒，亦可設為15秒至150秒，亦可設為15秒至130秒，亦可設為15秒至110秒，亦可設為15秒至90秒，亦可設為15秒至70秒。

自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述第二積層步驟之貼附結束時為止之間的工件14之搬送時間係大致分為第一積層步驟耗費之時間、自進行第一積層步驟之場所朝進行第二積層步驟之場所的搬送時間、第二積層步驟耗費之時間這三個時間。

前述第一積層步驟耗費之時間可設為40秒以下，亦可為設為15秒以下，能夠縮短步驟時間。前述第一積層步驟耗費之時間亦可設為10秒以下，亦可設為8秒以下。 另外，前述第一積層步驟耗費之時間亦可設為3秒至40秒，亦可設為3秒至15秒，亦可設為3秒至10秒，亦可設為3秒至8秒。

前述自進行第一積層步驟之場所朝進行第二積層步驟之場所的搬送時間可設為200秒以下，亦可設為75秒以下，能夠縮短步驟時間。前述自進行第一積層步驟之場所朝進行第二積層步驟之場所的搬送時間亦可設為60秒以下，亦可設為37秒以下。 另外，前述自進行第一積層步驟之場所朝進行第二積層步驟之場所的搬送時間亦可設為3秒至200秒，亦可設為3秒至75秒，亦可設為3秒至60秒，亦可設為3秒至37秒。

前述第二積層步驟耗費之時間可設為160秒以下，亦可設為60秒以下，能夠縮短步驟時間。前述第二積層步驟耗費之時間亦可設為40秒以下，亦可設為25秒以下。 另外，前述第二積層步驟耗費之時間亦可設為3秒至160秒，亦可設為3秒至60秒，亦可設為3秒至40秒，亦可設為3秒至25秒。

自圖1(b)所示之本實施形態之第一積層步驟之貼附開始地點至圖1(d)所示之第二積層步驟之貼附結束地點為止的前述工件之搬送距離可設為7000mm以下，亦可設為6500mm以下，亦可設為6000mm以下，亦可設為4500mm以下，亦可設為3000mm以下。自圖1(b)所示之本實施形態之第一積層步驟之貼附開始時至圖1(d)所示之第二積層步驟之貼附結束時為止的前述工件之搬送時間可設為400秒以下，亦可設為150秒以下，亦可設為130秒以下，亦可設為110秒以下，亦可設為90秒以下，亦可設為70秒以下。

本實施形態之第三積層體之製造方法可使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行過程，或者於同一裝置內進行過程。 作為同一裝置，例如可藉由具備內面保護膜形成用膜貼附工作臺、支撐片貼附工作臺及搬送臂之裝置來實施。 具體而言，投入至上述裝置之工件14係藉由搬送臂而朝內面保護膜形成用膜貼附工作臺進行搬送，並使內面14b向上而設置。於內面保護膜形成用膜貼附工作臺中，於前述工件14的內面14b側，貼附事先於裝置外或即將貼附之前於裝置內加工成與工件14對照之尺寸的內面保護膜形成用膜13，成為第二積層體。第二積層體係藉由搬送臂而朝前述支撐片貼附工作臺進行搬送，以內面保護膜形成用膜側向上而設置。於支撐片貼附工作臺中，於前述第二積層體的內面保護膜形成用膜13貼附支撐片10，成為第三積層體。

於第一積層步驟中於工件14的內側貼附保護膜形成膜13之速度、及於第二積層步驟中於保護膜形成膜13貼附支撐片10之速度亦可設為100mm/s以下，亦可設為80mm/s以下，亦可設為60mm/s以下，亦可設為40mm/s以下。藉由第一積層步驟中之前述貼附之速度、及第二積層步驟中之前述貼附之速度為前述上限値以下，則能夠使工件14與保護膜形成膜13之間的密接性、保護膜形成膜13與支撐片10之間的密接性良好。 第一積層步驟中之前述貼附之速度、及第二積層步驟中之前述貼附之速度亦可設為2mm/s以上，亦可設為5mm/s以上，亦可設為10mm/s以上。藉由第一積層步驟中之前述貼附之速度、及第二積層步驟中之前述貼附之速度為前述下限値以上，則能夠提高第三積層體19的生產效率，並且將自第一積層步驟之貼附開始時至第二積層步驟之貼附結束時為止之間的工件14之搬送時間設為400秒以下。 第一積層步驟中之前述貼附之速度、及第二積層步驟中之前述貼附之速度亦可設為2mm/s至100mm/s，亦可設為2mm/s至80mm/s，亦可設為5mm/s至60mm/s，亦可設為10mm/s至40mm/s。

前述裝置較佳為具備1個至5個內面保護膜形成用膜貼附工作臺，更佳為具備1個至3個內面保護膜形成用膜貼附工作臺。若裝置內之內面保護膜形成用膜貼附工作臺之個數為前述範圍之下限値以上，則生產效率提高，若裝置內之內面保護膜形成用膜貼附工作臺之個數為前述範圍之上限値以下，則能夠減少裝置之空間。

前述裝置較佳為具備1個至5個支撐片貼附工作臺，更佳為具備1個至3個支撐片貼附工作臺。若裝置內之支撐片貼附工作臺之個數為前述範圍之下限値以上，則生產效率提高，若裝置內之支撐片貼附工作臺之個數為前述範圍之上限値以下，則能夠減少裝置之空間。

前述裝置較佳為對照各搬送路徑而具備搬送臂。若將搬送臂之個數相對於工作臺之總數之比率設為1以上，則能夠提高生產效率。另外，於具備2個以上之工作臺之情形時，若將搬送臂之個數相對於工作臺之總數之比率設為超過0且未達1(例如，相對於2個工作臺，搬送臂之總數為1)，則能夠減少裝置之空間。

作為使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行過程之具體例，可列舉：使具有貼附內面保護膜形成用膜之機構的裝置、與具有貼附支撐片之機構的裝置連續，於各機構間，使用搬送臂來將於工件14貼附有內面保護膜形成用膜13之第二積層體一片一片地搬送。

於本實施形態中，作為圖1(a)所示之工件14使用半導體晶圓。半導體晶圓的一面為電路面14a，形成有凸塊。另外，為了防止半導體晶圓的電路面14a及凸塊於半導體晶圓之內面磨削時被壓壞，或者防止於晶圓內面中產生凹坑(dimple)或龜裂，半導體晶圓的電路面14a及凸塊亦可由電路面保護用帶17進行保護。電路面保護用帶17為內面磨削用帶，作為工件14之半導體晶圓的內面(亦即，工件的內面14b)亦可為經磨削之面。

作為工件14，只要於一面具有電路面14a且另一面可謂內面，則並無限定。作為工件14，可例示下述工件等：半導體晶圓，於一面具有電路面；或者半導體裝置面板，由附端子之半導體裝置集合體所構成，上述附端子之半導體裝置集合體係經單片化之各個電子零件經密封樹脂密封，並且於一面具有附端子之半導體裝置的端子形成面(換言之，電路面)。

作為電路面保護用帶17，例如可使用日本特開2016-192488號公報、日本特開2009-141265號公報所揭示之表面保護用片。電路面保護用帶17具備具有適度之再剝離性的黏著劑層。前述黏著劑層亦可由橡膠系、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、乙烯醚樹脂等通用之弱黏著型之黏著劑所形成。另外，前述黏著劑層亦可為藉由能量線之照射硬化而成為再剝離性之能量線硬化型黏著劑。電路面保護用帶17成為雙面帶形狀，電路面保護用帶17之進而外側亦可固定於硬質支撐體，亦可將工件14固定於硬質之支撐體。

於本說明書中，所謂「能量線」，係指電磁波或帶電粒子束中具有能量量子之射線。作為能量線之例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、熔合燈、氙燈、黑光燈或LED(Light Emitting Diode；發光二極體)燈等作為紫外線源而照射。關於電子束，可照射藉由電子束加速器等而產生之電子束。 另外，於本說明書中，所謂「能量線硬化性」，係指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」，係指即便照射能量線亦不硬化之性質。

於圖1(b)所示之本實施形態之第一積層步驟中，內面保護膜形成用膜13可用作圖2所示之第一積層體5。圖2所示之第一積層體5於內面保護膜形成用膜13的一面上具備第一剝離膜151，於另一面上具備第二剝離膜152。將第一剝離膜151加以剝離後，於第一積層步驟中，於工件14的內面14b相向地貼附將內面保護膜形成用膜13的前述剝離膜加以剝離而得之露出面13a(圖1(b))。此時之內面保護膜形成用膜13可使用事先對照工件14之形狀進行加工之加工品，或亦可於即將積層之前於裝置內進行加工而使用。繼而，較佳為將第二剝離膜152加以剝離，製成第二積層體(圖1(c))。

圖2所示之內面保護膜形成用膜例如係於厚度10μm至100μm之第二剝離膜152的剝離面上，藉由刀片塗佈機而塗佈含有溶劑之保護膜形成組成物後，利用烘箱於120℃乾燥2分鐘，形成內面保護膜形成用膜。繼而，可於內面保護膜形成用膜疊合厚度10μm至100μm之第一剝離膜151的剝離面而將兩者加以貼合，獲得由第一剝離膜151、內面保護膜形成用膜(圖2中之內面保護膜形成用膜13)(厚度：3μm至50μm)、及第二剝離膜152所構成之第一積層體5。此種第一積層體5例如適合製成輥狀而保管。

於圖1(d)所示之第二積層步驟中，對於在工件14的內面14b所積層之內面保護膜形成用膜13來積層支撐片10。支撐片10例如為厚度80μm、直徑為270mm之圓形之聚對苯二甲酸乙二酯膜，亦可於外周部具備夾具用接著劑層16。本實施形態中，工件14亦可與內面保護膜形成用膜13一併固定於固定用夾具18。此外，亦可於內面保護膜形成用膜13積層支撐片10，並且經由夾具用接著劑層16而固定於固定用夾具18(圖1(e))。

[保護膜形成組成物] 作為用以形成內面保護膜形成用膜之保護膜形成組成物之組成，較佳為含有黏合劑聚合物成分及硬化性成分。

[黏合劑聚合物成分] 為了對內面保護膜形成用膜賦予充分之接著性及造膜性(片形成性)，可使用黏合劑聚合物成分。作為黏合劑聚合物成分，可使用先前公知之丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂、橡膠系聚合物等。

黏合劑聚合物成分之重量平均分子量(Mw)較佳為1萬至200萬，更佳為10萬至120萬。若黏合劑聚合物成分之重量平均分子量過低，則內面保護膜形成用膜與支撐片之黏著力變高，有時引起內面保護膜形成用膜之轉印不良，若黏合劑聚合物成分之重量平均分子量過高，則內面保護膜形成用膜之接著性降低，有時無法轉印至晶片等，或者內面保護膜於轉印後自晶片等剝離。 亦即，若Mw為前述範圍之下限値以上，則內面保護膜形成用膜與支撐片之黏著力不會變得過高，能夠抑制內面保護膜形成用膜之轉印不良。若Mw為前述範圍之上限値以下，則抑制內面保護膜形成用膜之接著性之降低，而抑制下述不良狀況之產生：無法轉印至晶片等，或內面保護膜於轉印後自晶片等剝離。 再者，於本實施形態中，重量平均分子量(Mw)只要無特別說明，則為藉由GPC(Gel Permeation Chromatography；凝膠滲透層析)法所測定之聚苯乙烯換算値。

作為黏合劑聚合物成分，可較佳地使用丙烯酸樹脂。丙烯酸樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為處於-60℃至50℃之範圍，特佳為處於-50℃至40℃之範圍，尤佳為處於-40℃至30℃之範圍。若丙烯酸樹脂之玻璃轉移溫度過低，則內面保護膜形成用膜與支撐片之剝離力變大，有時引起內面保護膜形成用膜之轉印不良，若丙烯酸樹脂之玻璃轉移溫度過高，則內面保護膜形成用膜之接著性降低，有時無法轉印至晶片等，或內面保護膜於轉印後自晶片等剝離。 亦即，若Tg為前述範圍之下限値以上，則內面保護膜形成用膜與支撐片之剝離力不會變得過大，能夠抑制內面保護膜形成用膜之轉印不良。若Tg為前述範圍之上限値以下，則抑制內面保護膜形成用膜之接著性之降低，而抑制下述不良狀況之產生：無法轉印至晶片等，或內面保護膜於轉印後自晶片等剝離。 於本說明書中，所謂「玻璃轉移溫度」，係使用示差掃描熱量計來測定試樣之DSC(Differential Scanning Calorimetry；示差掃描熱析)曲線，以所得之DSC曲線之反曲點之溫度表示。

作為構成上述丙烯酸樹脂之單體，可列舉(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物。例如可列舉烷基之碳數為1至18之(甲基)丙烯酸烷基酯，具體可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。另外，可列舉具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯，具體可列舉：(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、醯亞胺(甲基)丙烯酸酯等。進而，作為具有官能基之單體，可列舉：具有羥基之(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯等；此外，可列舉具有環氧基之(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。作為丙烯酸樹脂，含有具有羥基之單體的丙烯酸樹脂係與後述之硬化性成分之相溶性良好，故而較佳。另外，上述丙烯酸樹脂亦可將丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等進行共聚合。

再者，於本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」，係包含「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者之概念。關於與(甲基)丙烯酸類似之用語亦相同，例如所謂「(甲基)丙烯酸酯」，為包含「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者之概念，所謂「(甲基)丙烯醯基」，為包含「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者之概念。

進而，作為黏合劑聚合物成分，亦可為了保持硬化後之保護膜之可撓性而調配熱塑性樹脂。作為此種熱塑性樹脂，較佳為重量平均分子量為1000至10萬，特佳為3000至8萬。熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度較佳為-30℃至120℃，特佳為-20℃至120℃。作為熱塑性樹脂，可列舉：聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。這些熱塑性樹脂可單獨使用一種，或混合使用兩種以上。藉由含有上述熱塑性樹脂，可使內面保護膜形成用膜追隨內面保護膜形成用膜之轉印面而抑制孔隙等之產生。

[硬化性成分] 硬化性成分可使用熱硬化性成分以及／或者能量線硬化性成分。

作為熱硬化性成分，可使用熱硬化樹脂及熱硬化劑。作為熱硬化樹脂，例如較佳為環氧樹脂。

作為環氧樹脂，可使用先前公知之環氧樹脂。作為環氧樹脂，具體可列舉：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚或其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、或伸苯基骨架型環氧樹脂等分子中具有二官能以上之環氧化合物。這些環氧樹脂可單獨使用一種，或可組合使用兩種以上。

於內面保護膜形成用膜，相對於黏合劑聚合物成分100質量份，包含較佳為1質量份至1000質量份、更佳為10質量份至500質量份，尤佳為20質量份至200質量份之熱硬化樹脂。若熱硬化樹脂之含量未達1質量份，則有時無法獲得充分之接著性，若熱硬化樹脂之含量超過1000質量份，則內面保護膜形成用膜與黏著片或基材膜之剝離力變高，有時引起內面保護膜形成用膜之轉印不良。 亦即，若熱硬化樹脂之含量為前述範圍之下限値以上，則可獲得充分之接著性。若熱硬化樹脂之含量為前述範圍之上限値以下，則內面保護膜形成用膜與黏著片或基材膜之剝離力不會變得過高，而抑制內面保護膜形成用膜之轉印不良。

熱硬化劑作為對熱硬化樹脂、尤其是環氧樹脂之硬化劑發揮功能。作為較佳之熱硬化劑，可列舉一分子中具有兩個以上之可與環氧基反應之官能基的化合物。作為該官能基，可列舉：酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基及酸酐等。這些當中，較佳可列舉酚性羥基、胺基、酸酐等，特佳可列舉酚性羥基、胺基。

作為酚系硬化劑之具體例，可列舉：多官能系酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯系酚樹脂、新酚醛(Xylok)型酚樹脂、芳烷基酚樹脂。作為胺系硬化劑之具體例，可列舉DICY(Dicyandiamide，二氰二胺)。這些硬化劑可單獨使用一種，或混合使用兩種以上。

相對於熱硬化樹脂100質量份，熱硬化劑之含量較佳為0.1質量份至500質量份，更佳為1質量份至200質量份。若熱硬化劑之含量少，則有時因硬化不足而無法獲得接著性，若熱硬化劑之含量過剩，則有時內面保護膜形成用膜之吸濕率變高而使半導體裝置之可靠性降低。 亦即，若熱硬化劑之含量為前述範圍之下限値以上，則不易引起硬化不足，容易獲得接著性。若熱硬化劑之含量為前述範圍之上限値以下，則內面保護膜形成用膜之吸濕率不會提高，不易使半導體裝置之可靠性降低。

作為能量線硬化性成分，可使用：含有能量線聚合性基，若受紫外線、電子束等能量線照射則聚合硬化之低分子化合物(能量線聚合性化合物)。作為此種能量線硬化性成分，具體可列舉：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、寡聚酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物、環氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及衣康酸寡聚物等丙烯酸酯系化合物。此種化合物於分子內具有至少一個聚合性雙鍵，通常重量平均分子量為100至30000，較佳為300至10000左右。相對於黏合劑聚合物成分100質量份，能量線聚合性化合物之調配量較佳為1質量份至1500質量份，更佳為10質量份至500質量份，尤佳為20質量份至200質量份。

另外，作為能量線硬化性成分，亦可使用在黏合劑聚合物成分的主鏈或側鏈鍵結有能量線聚合性基之能量線硬化型聚合物。此種能量線硬化型聚合物兼具作為黏合劑聚合物成分之功能、與作為硬化性成分之功能。

能量線硬化型聚合物之主骨架並無特別限定，亦可為作為黏合劑聚合物成分而通用之丙烯酸樹脂，另外亦可為聚酯樹脂、聚醚樹脂等，就容易合成及控制物性之方面而言，尤佳為以丙烯酸樹脂作為主骨架。

鍵結於能量線硬化型聚合物的主鏈或側鏈之能量線聚合性基例如為含有能量線聚合性之碳-碳雙鍵的基，具體可例示(甲基)丙烯醯基等。能量線聚合性基亦可經由伸烷基、伸烷氧基、聚伸烷氧基而鍵結於能量線硬化型聚合物。

鍵結有能量線聚合性基之能量線硬化型聚合物之重量平均分子量(Mw)較佳為1萬至200萬，更佳為10萬至150萬。另外，能量線硬化型聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為處於-60℃至50℃之範圍，特佳為處於-50℃至40℃之範圍，尤佳為處於-40℃至30℃之範圍。

能量線硬化型聚合物例如係使含有羥基、羧基、胺基、經取代之胺基、環氧基等官能基之丙烯酸樹脂與含聚合性基之化合物反應而獲得，上述含聚合性基之化合物係每一分子具有1個至5個與前述官能基反應之取代基以及能量線聚合性碳-碳雙鍵。作為與前述官能基反應之取代基，可列舉：異氰酸酯基、縮水甘油基、羧基等。

作為含聚合性基之化合物，可列舉：(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；(甲基)丙烯酸等。

丙烯酸樹脂較佳為下述共聚物，該共聚物係由具有羥基、羧基、胺基、經取代之胺基、環氧基等官能基之(甲基)丙烯酸單體或其衍生物與能夠與該(甲基)丙烯酸單體或其衍生物共聚合的其他(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物所構成。

作為具有羥基、羧基、胺基、經取代之胺基、環氧基等官能基之(甲基)丙烯酸單體或其衍生物，例如可列舉：具有羥基之(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯；具有羧基之丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸；具有環氧基之甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸縮水甘油酯等。

作為能夠與上述單體共聚合之其他(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物，例如可列舉烷基之碳數為1至18之(甲基)丙烯酸烷基酯，具體可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等；可列舉具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯，具體可列舉：(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸二環戊酯、丙烯酸二環戊烯酯、丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、醯亞胺丙烯酸酯等。另外，亦可將乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等共聚合於上述丙烯酸樹脂。

於使用能量線硬化型聚合物之情形時，亦可併用前述能量線聚合性化合物，另外亦可併用黏合劑聚合物成分。關於本發明中之內面保護膜形成用膜中的這些三者之調配量之關係，相對於能量線硬化型聚合物及黏合劑聚合物成分之質量之和100質量份，含有較佳為1質量份至1500質量份、更佳為10質量份至500質量份、尤佳為20質量份至200質量份之能量線聚合性化合物。

藉由對內面保護膜形成用膜賦予能量線硬化性，而能夠使內面保護膜形成用膜簡便且於短時間硬化，附保護膜之晶片之生產效率提高。先前，晶片用之保護膜通常係藉由環氧樹脂等熱硬化樹脂而形成，但熱硬化樹脂之硬化溫度需要超過200℃，另外硬化時間需要2小時左右，故而妨礙生產效率提高。然而，能量線硬化性之內面保護膜形成用膜係藉由能量線照射而於短時間硬化，故而能夠簡便地形成保護膜，可有助於提高生產效率。

內面保護膜形成用膜可除了上述黏合劑聚合物成分及硬化性成分以外，進而含有下述成分。

[著色劑] 內面保護膜形成用膜較佳為含有著色劑。藉由在內面保護膜形成用膜調配著色劑，而能夠於將半導體裝置組入至機器時，遮蔽自周圍之裝置產生的紅外線等，防止由這些紅外線等導致之半導體裝置之誤動作。另外，對使內面保護膜形成用膜硬化而得之保護膜進行製品編號等之印字時的文字之視認性提高。亦即，對於形成有保護膜之半導體裝置或半導體晶片而言，產品編號等通常係藉由雷射標記法(藉由雷射光削去保護膜表面而進行印字之方法)而於保護膜的表面印字，而藉由保護膜含有著色劑，從而可充分獲得保護膜中的被雷射光削去之部分及未被削去之部分的對比度差，視認性提高。作為著色劑，可使用有機或無機之顏料及染料。這些當中，就電磁波或紅外線遮蔽性之方面而言，較佳為黑色顏料。作為黑色顏料，可使用碳黑、氧化鐵、二氧化錳、苯胺黑、活性炭等，但不限定於這些。就提高半導體裝置之可靠性之觀點而言，尤佳為碳黑。著色劑可單獨使用一種，或亦可組合使用兩種以上。於使用使可見光以及／或者紅外線與紫外線兩者之透過性降低的著色劑來降低了紫外線之透過性之情形時，本發明中之內面保護膜形成用膜之高硬化性可尤佳地發揮。作為使可見光以及／或者紅外線與紫外線兩者之透過性降低的著色劑，除了上述黑色顏料以外，只要於可見光以及／或者紅外線與紫外線兩者之波長區域具有吸收性或反射性，則並無特別限定。

相對於構成內面保護膜形成用膜之總固形物100質量份，著色劑之調配量較佳為0.1質量份至35質量份，特佳為0.5質量份至25質量份，尤佳為1質量份至15質量份。

[硬化促進劑] 硬化促進劑係為了調整內面保護膜形成用膜之硬化速度而使用。硬化促進劑尤其可較佳地用於在硬化性成分中併用環氧樹脂與熱硬化劑之情形。

作為較佳之硬化促進劑，可列舉：三乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)苯酚等三級胺類；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑類；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類；四苯基鏻四苯基硼酸鹽、三苯基膦四苯基硼酸鹽等四苯基硼鹽等。這些硬化促進劑可單獨使用一種，或混合使用兩種以上。

相對於硬化性成分100質量份，硬化促進劑係以較佳為0.01質量份至10質量份、特佳為0.1質量份至1質量份之量而含有。藉由以上述範圍之量含有硬化促進劑，則即便暴露於高溫度、高濕度下亦具有優異之接著特性，即便於暴露於嚴酷之回焊條件之情形時，亦能夠達成高可靠性。若硬化促進劑之含量少，則因硬化不足而無法獲得充分之接著特性，若硬化促進劑之含量過剩，則具有高極性之硬化促進劑於高溫度、高濕度下在內面保護膜形成用膜中移動至接著界面側，發生偏析，導致半導體裝置之可靠性降低。

[偶合劑] 偶合劑亦可為了提高內面保護膜形成用膜對晶片之接著性、密接性以及／或者保護膜之凝聚性而使用。另外，藉由使用偶合劑，能夠不損及使內面保護膜形成用膜硬化所得之保護膜之耐熱性，而提高該保護膜之耐水性。

作為偶合劑，可較佳地使用含有與黏合劑聚合物成分、硬化性成分等所具有之官能基反應的基之化合物。作為偶合劑，較理想為矽烷偶合劑。作為此種偶合劑，可列舉：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。這些偶合劑可單獨使用一種，或混合使用兩種以上。

相對於黏合劑聚合物成分及硬化性成分之合計100質量份，偶合劑係以通常為0.1質量份至20質量份、較佳為0.2質量份至10質量份、更佳為0.3質量份至5質量份之比率而含有。若偶合劑之含量未達0.1質量份，則有可能無法獲得上述效果，若偶合劑之含量超過20質量份，則有可能導致釋氣。 亦即，若偶合劑之含量為上述範圍之下限値以上，則可獲得偶合劑之效果，若偶合劑之含量為上限値以下，則抑制釋氣。

[無機填充材] 藉由將無機填充材調配於內面保護膜形成用膜，而能夠調整硬化後之保護膜的熱膨脹係數，藉由對半導體晶片進行硬化後之保護膜之熱膨脹係數的最適化，而能夠提高半導體裝置之可靠性。另外，亦能夠降低硬化後之保護膜之吸濕率。

作為較佳之無機填充材，可列舉：二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、氧化鈦、氧化鐵、碳化矽、氮化硼等之粉末，將這些粉末加以球形化而成之珠粒、單晶纖維及玻璃纖維等。這些無機填充材中，較佳為二氧化矽填料及氧化鋁填料。上述無機填充材可單獨使用或混合使用兩種以上。關於無機填充材之含量，相對於構成內面保護膜形成用膜之總固形物100質量份，通常可於1質量份至80質量份之範圍進行調整。

[光聚合起始劑] 於內面保護膜形成用膜含有能量線硬化性成分作為前述硬化性成分之情形時，於使用時照射紫外線等能量線而使能量線硬化性成分硬化。此時，藉由使前述組成物中含有光聚合起始劑，而能夠減少聚合硬化時間以及光線照射量。

作為此種光聚合起始劑，具體可列舉：二苯甲酮、苯乙酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮、2,4-二乙基噻噸酮、α-羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、苯偶醯、二苯偶醯、二乙醯、1,2-二苯基甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦及β-氯蒽醌等。光聚合起始劑可單獨使用一種，或者組合使用兩種以上。

關於光聚合起始劑之調配比率，相對於能量線硬化性成分100質量份，較佳為含有0.1質量份至10質量份，更佳為含有1質量份至5質量份。若未達0.1質量份，則有時因光聚合之不足而無法獲得令人滿意之轉印性，若超過10質量份則有時生成無助於光聚合之殘留物，內面保護膜形成用膜之硬化性變得不充分。 亦即，若光聚合起始劑之調配比率為前述範圍之下限値以上，則光聚合充分進行，可獲得令人滿意之轉印性，若光聚合起始劑之調配比率為前述範圍之上限値以下，則抑制無助於光聚合之殘留物之生成，內面保護膜形成用膜之硬化性變得充分。

[交聯劑] 為了調節內面保護膜形成用膜之初期接著力及凝聚力，亦可添加交聯劑。作為交聯劑，可列舉有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物等。

作為上述有機多元異氰酸酯化合物，可列舉：芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物、脂環族多元異氰酸酯化合物及這些有機多元異氰酸酯化合物之三聚物、以及使這些有機多元異氰酸酯化合物與多元醇化合物反應而得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。

作為有機多元異氰酸酯化合物，例如可列舉：2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、三羥甲基丙烷加合甲苯二異氰酸酯及離胺酸異氰酸酯。

作為上述有機多元亞胺化合物,可列舉：N,N’-二苯基甲烷-4,4’-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯及N,N’-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。

相對於黏合劑聚合物成分及能量線硬化型聚合物之合計量100質量份，交聯劑係以通常為0.01質量份至20質量份、較佳為0.1質量份至10質量份、更佳為0.5質量份至5質量份之比率使用。

[通用添加劑] 於內面保護膜形成用膜，除了上述成分以外，亦可根據需要而調配各種添加劑。作為各種添加劑，可列舉：調平劑、塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、離子捕捉劑、除氣劑、鏈轉移劑等。

[溶劑] 保護膜形成組成物較佳為進而含有溶劑。含有溶劑之保護膜形成組成物係操作性變良好。 前述溶劑並無特別限定，作為較佳之溶劑，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。 保護膜形成組成物所含有之溶劑可僅為一種，或亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些溶劑之組合及比率可任意地選擇。

就能夠將保護膜形成組成物中之含有成分更均勻地混合之方面而言，保護膜形成組成物所含有之溶劑較佳為甲基乙基酮等。

將由如上述之各成分所構成之保護膜形成組成物加以塗佈並乾燥所得之內面保護膜形成用膜具有接著性及硬化性，於未硬化狀態下，藉由按壓於工件(半導體晶圓或晶片等)而容易地接著。於按壓時，亦可將內面保護膜形成用膜進行加熱。而且，能夠經過硬化而最終形成耐衝擊性高之保護膜，接著強度亦優異，於嚴酷之高溫度、高濕度條件下亦可保持充分之保護功能。再者，內面保護膜形成用膜可為單層結構，另外，只要含有一層以上之包含上述成分之層，則亦可為多層結構。 內面保護膜形成用膜之於常溫不氣化的成分彼此之含量之比率係與保護膜形成組成物中之前述成分彼此之含量之比率相同。再者，於本說明書中，所謂「常溫」，係指不特別冷或特別熱之溫度、亦即平常之溫度，例如可列舉15℃至25℃之溫度。

保護膜形成組成物之塗敷只要藉由公知之方法進行即可，例如可列舉：使用氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模塗機(die coater)、刀片塗佈機、網版塗佈機、邁耶棒塗佈機、輕觸式塗佈機等各種塗佈機之方法。

保護膜形成組成物之乾燥條件並無特別限定，於保護膜形成組成物含有後述之溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥。含有溶劑之保護膜形成組成物例如較佳為以70℃至130℃且10秒鐘至5分鐘之條件進行乾燥。

內面保護膜形成用膜之厚度並無特別限定，較佳為3μm至300μm，特佳為5μm至250μm，尤佳為7μm至200μm。 於本說明書中，所謂「厚度」，為於沿對象物的厚度方向隨機切斷而得之切斷面中，利用接觸式厚度計測定隨機選擇之五處之厚度，以五處之平均厚度表示之値。

[支撐片] 作為本發明之一態樣所用之支撐片10，可列舉僅由基材11構成之片、或於基材11上具有黏著劑層12之黏著片。 本發明之一態樣之第三積層體所具有的支撐片發揮防止灰塵等附著於內面保護膜形成用膜的表面之剝離片、或用以於切割步驟等中保護內面保護膜形成用膜的面之切割片等之作用。

作為支撐片之厚度，可根據用途而適當選擇，就賦予充分之可撓性，使對矽晶圓之貼附性良好之觀點而言，較佳為10μm至500μm，更佳為20μm至350μm，特佳為30μm至200μm。 再者，關於上述支撐片之厚度，不僅為構成支撐片之基材之厚度，於具有黏著劑層之情形時，亦包含這些層或膜之厚度。

[基材] 作為構成支撐片10之基材11，較佳為樹脂膜。 作為前述樹脂膜，例如可列舉：LDPE(Low Density Polyethylene；低密度聚乙烯)膜或LLDPE(Linear Low Density Polyethylene；直鏈低密度聚乙烯)膜等聚乙烯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、離子聚合物樹脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟樹脂膜等。 本發明之一態樣所用之基材可為由一種樹脂膜所構成之單層膜，亦可為將兩種以上之樹脂膜積層而成之積層膜。 另外，於本發明之一態樣中，亦可將對上述樹脂膜等基材的表面實施了表面處理之片用作支撐片。

這些樹脂膜亦可為交聯膜。 另外，亦可使用將這些樹脂膜加以著色而得之膜、或實施印刷而得之膜。 進而，樹脂膜亦可藉由擠出形成將熱塑性樹脂製成片而成，亦可經延伸，亦可使用藉由預定方法將硬化性樹脂加以薄膜化及硬化而製成之片。

這些樹脂膜中，就耐熱性優異，且因具有適度之柔軟性而具有擴展適性，亦容易維持拾取適性之觀點而言，較佳為含有聚丙烯膜之基材。 再者，作為含有聚丙烯膜之基材之構成，可為僅由聚丙烯膜所構成之單層結構，亦可為由聚丙烯膜與其他樹脂膜所構成之多層結構。 於內面保護膜形成用膜為熱硬化性之情形時，藉由構成基材之樹脂膜具有耐熱性，則能夠抑制基材因熱所致之損傷，抑制半導體裝置之製造製程中發生不良狀況。

於使用僅由基材構成之片作為支撐片之情形時，作為前述基材中的與內面保護膜形成用膜的表面接觸之面之表面張力，就將剝離力調節至一定範圍之觀點而言，較佳為20mN/m至50mN/m，更佳為23mN/m至45mN/m，特佳為25mN/m至40mN/m。

作為構成支撐片之基材之厚度，較佳為10μm至500μm，更佳為15μm至300μm，特佳為20μm至200μm。

[黏著片] 作為於本發明之一態樣中用作支撐片10之黏著片，可列舉：於上述樹脂膜等基材11上具有由黏著劑所形成之黏著劑層12的黏著片。 圖11為表示於基材11上設有黏著劑層12之支撐片10之一例的概略剖面圖。 於支撐片10具備黏著劑層12時，於第二積層步驟中，於內面保護膜形成用膜13積層支撐片10的黏著劑層12。

關於作為黏著劑層之形成材料的黏著劑，可列舉含有黏著性樹脂之黏著劑組成物，前述黏著劑組成物亦可進而含有上述交聯劑或增黏劑等通用添加劑。 作為前述黏著性樹脂，於著眼於該樹脂之結構之情形時，例如可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯氧基樹脂、矽酮樹脂、飽和聚酯樹脂、乙烯醚樹脂等，較佳為丙烯酸樹脂。另外，於著眼於該樹脂之功能之情形時，例如可列舉：能量線硬化型黏著劑或加熱發泡型黏著劑、能量線發泡型黏著劑等。 於本發明之一態樣中，就將剝離力調整至一定範圍之觀點、以及使拾取性良好之觀點而言，較佳為具有由含有能量線硬化型樹脂之黏著劑組成物所形成之能量線硬化性黏著劑層的黏著片、或具有微黏著性黏著劑層的黏著片。 作為能量線硬化型樹脂，只要為具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等聚合性基之樹脂即可，較佳為具有聚合性基之黏著性樹脂。

於第一積層步驟中，於發生了未對半導體晶圓等工件整個面張貼內面保護膜形成用膜、產生內面保護膜形成用膜的鼓起、產生內面保護膜形成用膜的皺褶等內面保護膜形成用膜之貼附不良之情形時，支撐片亦能夠兼作內面保護膜形成用膜之剝除用片。即便於第一積層步驟發生了內面保護膜形成用膜之貼附不良之情形時，亦直接經由第二積層步驟製造第三積層體。然後，藉由使內面保護膜形成用膜與支撐片一併自半導體晶圓等工件脫離，而能夠將半導體晶圓等工件進行再加工。此時，若考慮到生產節拍，則需要自固定用夾具(亦即環形框架)迅速剝除支撐片，夾具用接著劑層較佳為能量線硬化性。另外，藉由使用在基材上設有能量線硬化性黏著劑層的支撐片，則能夠不經由夾具用接著劑層而於環形框架等固定用夾具直接固定支撐片，且藉由照射紫外線等能量線，而能夠使再加工性優異。

另外，就將剝離力調整至一定範圍之觀點而言，較佳為含有丙烯酸樹脂之黏著劑。 作為前述丙烯酸樹脂，較佳為具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元(x1)的丙烯酸系聚合物，更佳為具有構成單元(x1)、及源自含官能基之單體之構成單元(x2)的丙烯酸系共聚物。

作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯所具有之烷基之碳數，較佳為1至18，更佳為1至12，特佳為1至8。 作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，可列舉與上述黏合劑聚合物成分之部分中說明之(甲基)丙烯酸烷基酯相同的(甲基)丙烯酸烷基酯。 再者，(甲基)丙烯酸烷基酯亦可單獨使用或併用兩種以上。 相對於丙烯酸系聚合物之總構成單元(100質量%)，構成單元(x1)之含量通常為50質量%至100質量%，較佳為50質量%至99.9質量%，更佳為60質量%至99質量%，特佳為70質量%至95質量%。

作為上述含官能基之單體，例如可列舉：含羥基之單體、含羧基之單體、含環氧基之單體等，各單體之具體例可列舉與黏合劑聚合物成分之部分中例示之單體相同的單體。 再者，這些單體亦可單獨使用或併用兩種以上。 相對於丙烯酸系聚合物之總構成單元(100質量%)，構成單元(x2)之含量通常為0質量%至40質量%，較佳為0.1質量%至40質量%，更佳為1質量%至30質量%，特佳為5質量%至20質量%。

另外，作為本發明之一態樣中所用之丙烯酸樹脂，亦可為能量線硬化型丙烯酸樹脂，該能量線硬化型丙烯酸樹脂係針對具有上述構成單元(x1)及構成單元(x2)之丙烯酸系共聚物，進而使之與具有能量線聚合性基之化合物進行反應而獲得。 作為具有能量線聚合性基之化合物，只要為具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等聚合性基之化合物即可。

於使用含有丙烯酸樹脂之黏著劑之情形時，就將剝離力調整至一定範圍之觀點而言，較佳為與丙烯酸系樹脂一併而含有交聯劑。 作為前述交聯劑，例如可列舉：異氰酸酯系交聯劑、亞胺系交聯劑、環氧系交聯劑、噁唑啉系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑等，就將剝離力調整至一定範圍之觀點而言，較佳為異氰酸酯系交聯劑。 相對於上述黏著劑中所含之丙烯酸樹脂之總質量(100質量份)，交聯劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.1質量份至15質量份，特佳為0.5質量份至10質量份，進而更佳為1質量份至8質量份。

支撐片10可由一層(單層)構成，或亦可由兩層以上之多層構成。於支撐片由多層構成之情形時，這些多層之構成材料及厚度可相互相同亦可不同，這些多層之組合只要不損及本發明之效果，則並無特別限定。

再者，於本說明書中，不限於支撐片之情形，所謂「多層可相互相同亦可不同」，係指「可使所有層相同，或可使所有層不同，或可使僅一部分層相同」，進而所謂「多層互不相同」，係指「各層之構成材料及厚度的至少一者互不相同」。

支撐片可為透明，或亦可為不透明，亦可根據目的而著色。 例如，於內面保護膜形成用膜具有能量線硬化性之情形時，支撐片較佳為使能量線透過。 例如，為了經由支撐片對內面保護膜形成用膜進行光學檢查，支撐片較佳為透明。

於本實施形態中，工件14之電路面14a係由電路面保護用帶17保護，於前述第二積層步驟之後，可包含自工件14的電路面14a剝離電路面保護用帶17的剝離步驟。於本實施形態中，電路面保護用帶17於貼著於電路面14a之側，具有藉由能量線之照射發生硬化而成為再剝離性的能量線硬化性黏著劑層。於前述剝離步驟中，藉由對電路面保護用帶17的黏著劑層照射能量線，使黏著劑層硬化成為再剝離性，而能夠使電路面保護用帶17自工件14的電路面14a容易地剝離。

本實施形態之第三積層體之製造方法亦可包含下述步驟：自支撐片10之側對內面保護膜形成用膜13照射雷射而進行雷射標記。本實施形態之第三積層體之製造方法係於內面保護膜形成用膜13積層支撐片10，故而若自支撐片10之側穿過支撐片照射雷射，則能夠對內面保護膜形成用膜13中的與支撐片10接觸之面進行雷射標記。

圖3為示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之另一例的概略剖面圖。再者，圖3以後之圖中，對與已說明之圖所示的構成要素相同的構成要素標註與已說明之圖之情形相同的符號，省略詳細說明。

於本實施形態中，工件14為半導體裝置面板，該半導體裝置面板係由將至少一個電子零件62經密封樹脂層64密封之半導體裝置以平面形式排列配置而成的集合體所構成。本實施形態之第三積層體之製造方法係製造將作為工件14之半導體裝置面板、內面保護膜形成用膜13及支撐片10依序積層而成之第三積層體19，並且，工件14的一面為電路面14a，另一面為內面14b(圖3(a’))，上述第三積層體之製造方法依序包含：第一積層步驟(圖3(b’))，於工件14的內面14b側貼附內面保護膜形成用膜13；以及第二積層步驟(圖3(c’))，於內面保護膜形成用膜13貼附支撐片10(圖3(a’)至圖3 (d’))。 於本實施形態中，使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程(圖3(a’)至圖3 (d’))，或者於同一裝置內進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程(圖3(a’)至圖3 (d’))。 因此，於本實施形態中，能夠於自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之間，毋須將於工件14積層有內面保護膜形成用膜13之第二積層體收容於匣盒，而是一片一片地搬送至圖3(d’)所示之第二積層步驟。藉由在同一裝置內進行前述過程，而能夠減少裝置空間。藉由使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行前述過程，即便不從頭開始設計，亦能夠藉由改造先前之裝置而應對，可減少初期費用。另外，由於毋須將第二積層體收容於匣盒而搬送至裝置外，故而生產效率提高，且能夠抑制第二積層體之污染、破損。

用於第一積層步驟之內面保護膜形成用膜13可事先加工成工件之形狀，或亦可於即將進行第一積層步驟之前於同一裝置內進行加工。於工件之大小在所使用之製造線中為一定之情形時，能夠事先進行加工的前者方式較有效率，於有可能變更工件之大小之情形時，若為後者方式則不會浪費內面保護膜形成用膜，有成本優點。

另外，於另一實施形態中，可將自前述第一積層步驟之貼附開始地點至前述第二積層步驟之貼附結束地點為止之間的工件14之搬送距離設計為7000mm以下，能夠減少裝置空間。自前述第一積層步驟之貼附開始地點至前述第二積層步驟之貼附結束地點為止之間的工件14之搬送距離亦可設為6500mm以下，亦可設為6000mm以下，亦可設為4500mm以下，亦可設為3000mm以下。

另外，於另一實施形態中，可將自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述第二積層步驟之貼附結束時為止之間的工件14之搬送時間設為400秒以下，亦可設為150秒以下，能夠縮短步驟時間。自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述第二積層步驟之貼附結束時為止之間的工件14之搬送時間亦可設為130秒以下，亦可設為110秒以下，亦可設為90秒以下，亦可設為70秒以下。

於將自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述第二積層步驟之貼附結束時為止之間的工件14之搬送時間，大致分為第一積層步驟耗費之時間、自進行第一積層步驟之場所朝進行第二積層步驟之場所的搬送時間、第二積層步驟耗費之時間這三個時間之情形時，各時間之較佳範圍與圖1之製造方法中說明之較佳範圍相同。

本實施形態之第三積層體之製造方法能夠使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行前述過程，或者於同一裝置內進行前述過程。 作為同一裝置，較佳為使用圖1之製造方法中說明之裝置。

於本實施形態中，半導體裝置面板可將各個半導體裝置於大致圓形之區域內以平面形式排列而形成，亦可將各個半導體裝置於大致矩形之區域內以平面形式排列而形成。

圖3所示之本實施形態中，亦與圖1所示之實施形態同樣地，於內面保護膜形成用膜13積層支撐片10，故而若自支撐片10之側穿過支撐片照射雷射，則能夠對內面保護膜形成用膜13中的與支撐片10接觸之面進行雷射標記。

[第四積層體之製造方法] 本實施形態之第四積層體之製造方法係製造將工件14、內面保護膜13’及支撐片10依序積層而成之第四積層體19’，該第四積層體之製造方法包含：硬化步驟，使藉由前述第三積層體之製造方法所製造之第三積層體19的內面保護膜形成用膜13硬化，製成內面保護膜13’。

圖4係示意性地表示第四積層體之製造方法之實施形態之一例的概略剖面圖。本實施形態之第四積層體之製造方法於前述第二積層步驟之後，包含：剝離步驟(圖4(e))，自工件14的電路面14a剝離電路面保護用帶17；自支撐片10之側內面對保護膜形成用膜13照射雷射而進行雷射標記的步驟(圖4(f))；以及硬化步驟(圖4(g))，使內面保護膜形成用膜13硬化而製成內面保護膜13’。本實施形態中使用熱硬化性之內面保護膜形成用膜，本實施形態之硬化步驟中，以130℃、2小時之條件進行熱硬化。

關於對熱硬化性之內面保護膜形成用膜進行熱處理而熱硬化來形成內面保護膜時之硬化條件，只要內面保護膜成為充分發揮該內面保護膜之功能的程度之硬化度，則並無特別限定，只要根據熱硬化性內面保護膜形成用膜之種類而適當選擇即可。

例如，熱硬化時之加熱溫度較佳為100℃至200℃，更佳為110℃至180℃，尤佳為120℃至170℃。另外，前述熱硬化時之加熱時間較佳為0.5小時至5小時，更佳為0.5小時至3小時，尤佳為1小時至2小時。於硬化步驟中進行熱硬化之情形時，考慮到電路面保護用帶17之耐熱性，前述剝離步驟之順序較佳為在硬化步驟之前。

圖5為示意性地表示第四積層體之製造方法之實施形態之另一例的概略剖面圖。本實施形態之第四積層體之製造方法於前述第二積層步驟之後，包含：剝離步驟(圖5(e))，自工件14的電路面14a剝離電路面保護用帶17；硬化步驟(圖5(f’))，使內面保護膜形成用膜13硬化而製成內面保護膜13’；以及自支撐片10之側對內面保護膜13’照射雷射而進行雷射標記之步驟(圖5(g’))。

[附內面保護膜之半導體裝置之製造方法] 圖6係示意性地表示附內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之一例的概略剖面圖。本實施形態之附內面保護膜之半導體裝置之製造方法包含：將藉由前述第四積層體之製造方法所製造之第四積層體19’的工件14及內面保護膜13’加以切割，製成附內面保護膜之半導體裝置21的步驟(圖6(h)及圖6(i))；以及自支撐片10拾取附內面保護膜之半導體裝置21的步驟(圖6(j))。

圖7係示意性地表示附內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之另一例的概略剖面圖。本實施形態之附內面保護膜之半導體裝置之製造方法包含：將藉由前述第三積層體之製造方法所製造之第三積層體19的內面保護膜形成用膜13及工件14加以切割，製成附內面保護膜形成用膜之半導體裝置21’的步驟(圖7(h’)及圖7(i’))；自支撐片10拾取附內面保護膜形成用膜之半導體裝置21’的步驟(圖7(j’))；以及使內面保護膜形成用膜13硬化而製成內面保護膜13’的硬化步驟(圖7(k’))。

圖8係示意性地表示附內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之另一例的概略剖面圖。本實施形態之附內面保護膜之半導體裝置之製造方法包含：將藉由前述第三積層體之製造方法所製造之第三積層體19的內面保護膜形成用膜13及工件14切割，製成附內面保護膜形成用膜之半導體裝置21’的步驟(圖8(h)及圖8(i))；使內面保護膜形成用膜13硬化而製成內面保護膜13’的硬化步驟(圖8(j’))；以及自支撐片10拾取附內面保護膜之半導體裝置21的步驟。

本實施形態之附內面保護膜之半導體裝置之製造方法中，內面保護膜形成用膜13為熱硬化性，於本實施形態之製成內面保護膜的步驟中，例如使內面保護膜形成用膜13以130℃、2小時之條件進行熱硬化。

關於使熱硬化性內面保護膜形成用膜進行熱硬化而形成內面保護膜時之硬化條件，如上所述，只要內面保護膜成為充分發揮該內面保護膜之功能的程度之硬化度，則並無特別限定，只要根據熱硬化性內面保護膜形成用膜之種類而適當選擇即可。

本實施形態之附內面保護膜之半導體裝置之製造方法亦可為：內面保護膜形成用膜13為能量線硬化性，前述製成內面保護膜之步驟為對內面保護膜形成用膜13照射能量線而進行能量線硬化的步驟。

關於使能量線硬化性內面保護膜形成用膜進行能量線硬化而形成保護膜時之硬化條件，只要保護膜成為充分發揮該保護膜之功能的程度之硬化度，則並無特別限定，只要根據能量線硬化性內面保護膜形成用膜之種類而適當選擇即可。 例如，能量線硬化性內面保護膜形成用膜之能量線硬化時的能量線之照度較佳為4mW/cm² 至280mW/cm² 。而且，前述硬化時的能量線之光量較佳為3mJ/cm² 至1000mJ/cm² 。

作為能量線硬化性之內面保護膜形成用膜，例如也可使用國際公開第2017/188200號、國際公開第2017/188218號所揭示的膜。 [產業可利用性]

本發明之第三積層體之製造方法能夠用於製造附內面保護膜之半導體裝置。

1:保護膜形成用複合片 5:第一積層體 6:第二積層體 7:附內面保護膜之半導體晶片 8:半導體晶圓 8b:半導體晶圓的內面 9:半導體晶片 10:支撐片 11:基材 12:黏著劑層 13:內面保護膜形成用膜 13’:內面保護膜 13a:內面保護膜形成用膜的剝離了剝離膜151之露出面 13b:內面保護膜形成用膜的剝離了剝離膜152之露出面 14:工件 14a:工件的電路面 14b:工件的內面 16:夾具用接著劑層 17:電路面保護用帶 18:固定用夾具 19:第三積層體 19’:第四積層體 20:半導體裝置 21:附內面保護膜之半導體裝置 21’:附內面保護膜形成用膜之半導體裝置 62:電子零件 63:電路基板 63a:端子形成面 64:密封樹脂層 151:第一剝離膜 152:第二剝離膜

[圖1]係示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之一例的概略剖面圖。[圖2]係表示內面保護膜形成用膜之一例的概略剖面圖。[圖3]係示意性地表示第三積層體之製造方法之實施形態之另一例的概略剖面圖。[圖4]係示意性地表示第四積層體之製造方法之實施形態之一例的概略剖面圖。[圖5]係示意性地表示第四積層體之製造方法之實施形態之另一例的概略剖面圖。[圖6]係示意性地表示附內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之一例的概略剖面圖。[圖7]係示意性地表示附內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之另一例的概略剖面圖。[圖8]係示意性地表示附內面保護膜之半導體裝置之製造方法之實施形態之另一例的概略剖面圖。[圖9]係示意性地表示先前之附內面保護膜之半導體晶片之製造方法之一例的概略剖面圖。[圖10]係示意性地表示先前之附內面保護膜之半導體晶片之製造方法之另一例的概略剖面圖。 [圖11]係表示於基材11上設有黏著劑層12之支撐片10之一例的概略剖面圖。

6:第二積層體

10:支撐片

13:內面保護膜形成用膜

13a:內面保護膜形成用膜的剝離了剝離膜151之露出面

13b:內面保護膜形成用膜的剝離了剝離膜152之露出面

14:工件

14a:工件的電路面

14b:工件的內面

16:夾具用接著劑層

17:電路面保護用帶

18:固定用夾具

19:第三積層體

152:第二剝離膜

Claims (4)

1. 一種第三積層體之製造方法，係製造將工件、內面保護膜形成用膜及支撐片依序積層而成之第三積層體； 前述工件的一面為電路面，另一面為內面； 前述第三積層體之製造方法依序包含： 第一積層步驟，於前述工件的前述內面側貼附前述內面保護膜形成用膜；以及 第二積層步驟，於前述內面保護膜形成用膜貼附前述支撐片； 於自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之間，將於前述工件積層有前述內面保護膜形成用膜之第二積層體一片一片地搬送； 使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程，或者於同一裝置內進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程。
2. 一種第三積層體之製造方法，係製造將工件、內面保護膜形成用膜及支撐片依序積層而成之第三積層體； 前述工件的一面為電路面，另一面為內面； 前述第三積層體之製造方法依序包含： 第一積層步驟，於前述工件的前述內面側貼附前述內面保護膜形成用膜；以及 第二積層步驟，於前述內面保護膜形成用膜貼附前述支撐片； 自前述第一積層步驟之貼附開始地點至前述第二積層步驟之貼附結束地點為止之間的前述工件之搬送距離為7000mm以下； 使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程，或者於同一裝置內進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程。
3. 一種第三積層體之製造方法，係製造將工件、內面保護膜形成用膜及支撐片依序積層而成之第三積層體； 前述工件的一面為電路面，另一面為內面； 前述第三積層體之製造方法依序包含： 第一積層步驟，於前述工件的前述內面側貼附前述內面保護膜形成用膜；以及 第二積層步驟，於前述內面保護膜形成用膜貼附前述支撐片； 自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述第二積層步驟之貼附結束時為止之間的前述工件之搬送時間為400秒以下； 使貼附內面保護膜形成用膜之裝置與貼附支撐片之裝置連結而進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程，或者於同一裝置內進行自前述第一積層步驟至前述第二積層步驟為止之過程。
4. 如請求項3所記載之第三積層體之製造方法，其中自前述第一積層步驟之貼附開始時至前述第二積層步驟之貼附結束時為止之間的前述工件之搬送時間為150秒以下。

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