KR20220004964A - 제3 적층체의 제조 방법, 제4 적층체의 제조 방법 및 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법, 그리고, 제3 적층체 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 워크(14)의, 일방의 면이 회로면(14a)이고, 타방의 면이 이면(14b)이며, 이면 보호막 형성용 필름(13)의, 일방의 면이 평활면(13b)이고, 타방의 면이 평활면(13b)보다 거친 조면(粗面)(13a)이며, 워크(14)의 이면(14b)에, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 조면(13a)을 마주보게 첩부하는 제1 적층 공정과, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에, 지지 시트(10)를 첩부하는 제2 적층 공정을, 이 순으로 포함하는, 제3 적층체(19)의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

제3 적층체의 제조 방법, 제4 적층체의 제조 방법 및 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법, 그리고, 제3 적층체

본 발명은, 제3 적층체의 제조 방법, 제4 적층체의 제조 방법, 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법, 및 제3 적층체에 관한 것이다. 상세하게는, 반도체 웨이퍼 등의 워크와, 이면 보호막 형성용 필름과, 지지 시트가, 이 순으로 적층된 제3 적층체의 제조 방법, 반도체 웨이퍼 등의 워크와, 이면 보호막과, 지지 시트가, 이 순으로 적층된 제4 적층체의 제조 방법, 및 이들을 이용하는 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법, 그리고, 반도체 웨이퍼 등의 워크와, 이면 보호막 형성용 필름과, 지지 시트가, 이 순으로 적층된 제3 적층체에 관한 것이다.

본원은, 2019년 4월 26일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2019-086298호에 의거하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.

최근, 소위 페이스 다운(face down) 방식이라고 불리는 실장법을 적용한 반도체 장치의 제조가 행해지고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서는, 회로면 상에 범프 등의 전극을 가지는 반도체 칩이 이용되고, 상기 전극이 기판과 접합된다. 이 때문에, 반도체 칩의 회로면과는 반대측의 이면은 노출이 될 수 있다.

이 노출이 된 반도체 칩의 이면에는, 이면 보호막으로서, 유기 재료를 함유하는 수지막이 형성되고, 이면 보호막 부착 반도체 칩으로서 반도체 장치에 도입될 경우가 있다. 이면 보호막은, 다이싱 공정이나 패키징 후에, 반도체 칩에 있어서 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위해 이용된다(예를 들면, 특허문헌 1, 2).

이러한 이면 보호막 부착 반도체 칩은, 예를 들면, 도 9에 나타나는 공정을 거쳐 제조된다. 즉, 회로면을 가지는 반도체 웨이퍼(8)의 이면(8b)에, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 적층하고(도 9의 (A)), 이면 보호막 형성용 필름(13)을 열경화 또는 에너지선 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하고(도 9의 (B)), 이면 보호막(13')에 레이저 마킹하고(도 9의 (C)), 이면 보호막(13')에, 지지 시트(10)를 적층하고(도 9의 (D)), 반도체 웨이퍼(8) 및 이면 보호막(13')을 다이싱하여, 이면 보호막 부착 반도체 칩(7)으로 하고(도 9의 (E) 및 도 9의 (F)), 이면 보호막 부착 반도체 칩(7)을, 지지 시트(10)로부터 픽업하는 방법이 알려져 있다. 경화 공정 및 레이저 마킹 공정의 순번은 임의이며, 회로면을 가지는 반도체 웨이퍼(8)의 이면(8b)에, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 적층하고(도 9의 (A)), 이면 보호막 형성용 필름(13)에 레이저 마킹한 후, 표면 보호막 형성용 필름(13)을 열경화 또는 에너지선 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하고, 그 후, 도 9의 (D)∼도 9의 (G)의 공정을 거쳐도 된다. 여기에서, 도 9의 (A)에서, 반도체 웨이퍼(8)의 이면(8b)에, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 적층하는 장치와, 도 9의 (D)에서, 이면 보호막(13')에 지지 시트(10)를 적층하는 장치와는, 다른 장치에서 행해지고 있다. 이들 방법은, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 개편화된 반도체 칩으로서의 반도체 장치뿐만 아니라, 적어도 한 개의 전자 부품이 봉지(封止) 수지에 의해 봉지된 반도체 장치의 집합체로 이루어지는 반도체 장치 패널로부터, 마찬가지로 다이싱하여, 적어도 한 개의 전자 부품이 봉지 수지에 의해 봉지된 반도체 장치를 제조하는 경우에도 이용된다.

또한, 이면 보호막 형성용 필름(13) 및 지지 시트(10)가 일체화된, 보호막 형성용 복합 시트가, 이면 보호막 부착 반도체 칩의 제조에 사용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 2).

보호막 형성용 복합 시트를 이용하는, 이면 보호막 부착 반도체 칩의 제조 방법은, 예를 들면, 도 10에 나타나는 공정을 거친다. 즉, 회로면을 가지는 반도체 웨이퍼(8)의 이면(8b)에, 이면 보호막 형성용 필름(13) 및 지지 시트(10)가 적층되어 이루어지는 보호막 형성용 복합 시트(1)의 이면 보호막 형성용 필름(13)을 첩부하고(도 10의 (A')), 회로면 보호용 테이프(17)를 박리하고(도 10의 (B')), 이면 보호막 형성용 필름(13)을 열경화 또는 에너지선 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하고(도 10의 (C')), 지지 시트(10)측으로부터, 이면 보호막(13')에 레이저 마킹하고(도 10의 (D')) 반도체 웨이퍼(8) 및 이면 보호막(13')을 다이싱하여, 이면 보호막 부착 반도체 칩(7)으로 하고(도 10의 (E') 및 도 10의 (F')), 이면 보호막 부착 반도체 칩(7)을, 지지 시트(10)로부터 픽업하는 방법이 알려져 있다. 이 경우에도, 경화 공정 및 레이저 마킹 공정의 순번은 임의이다. 이들 방법도, 반도체 칩으로서의 반도체 장치뿐만 아니라, 적어도 한 개의 전자 부품이 봉지 수지에 의해 봉지된 반도체 장치의 집합체로 이루어지는 반도체 장치 패널로부터, 마찬가지로 다이싱하여, 적어도 한 개의 전자 부품이 봉지 수지에 의해 봉지된 반도체 장치를 제조하는 경우에도 이용된다.

일본 특허공보 제4271597호 일본 특허공보 제5363662호

도 9에 나타나는, 반도체 웨이퍼(8)의 이면(8b)에, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 적층하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 노출되어 있는 이면 보호막 형성용 필름(13) 또는 이면 보호막(13')에 직접 레이저 마킹할 수 있다. 그러나, 도 10에 나타나는, 반도체 웨이퍼(8)의 이면(8b)에, 보호막 형성용 복합 시트(1)의 이면 보호막 형성용 필름(13)을 첩부하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 지지 시트(10)측으로부터, 지지 시트(10) 너머로, 레이저광을 조사하여 레이저 마킹하게 되지만, 이면 보호막 형성용 필름(13)과 지지 시트(10)와의 계면(界面)에서 인자(印字)된 문자나 기호의 윤곽이 흐려져, 인자 후의 시인성이 나빠진다.

그래서, 본 발명은, 이면 보호막에 대하여 지지 시트 너머로 레이저 마킹하는 것이 가능하며, 레이저 마크의 시인성이 양호한, 반도체 웨이퍼 등의 워크와, 이면 보호막 형성용 필름과, 지지 시트가, 이 순으로 적층된 제3 적층체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 이면 보호막에 대하여 지지 시트 너머로 레이저 마킹하는 것이 가능하며, 레이저 마크의 시인성이 양호한, 반도체 웨이퍼 등의 워크와, 이면 보호막과, 지지 시트가, 이 순으로 적층된 제4 적층체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 이들을 이용하는 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 이하의 제3 적층체의 제조 방법, 제4 적층체의 제조 방법 및 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법, 그리고, 제3 적층체를 제공한다.

[1] 워크와, 이면 보호막 형성용 필름과, 지지 시트가, 이 순으로 적층된 제3 적층체의 제조 방법으로서,

상기 워크의, 일방의 면이 회로면이고, 타방의 면이 이면이며,

상기 이면 보호막 형성용 필름의, 일방의 면이 평활면이고, 타방의 면이 상기 평활면보다 거친 조면(粗面)이며,

상기 워크의 상기 이면에, 상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 조면을 마주보게 첩부하는 제1 적층 공정과,

상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 평활면에, 상기 지지 시트를 첩부하는 제2 적층 공정을, 이 순으로 포함하는, 제3 적층체의 제조 방법.

[2] 적어도, 상기 제1 적층 공정으로부터 상기 제2 적층 공정까지의 사이를, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치와 지지 시트를 첩부하는 장치를 연결시켜 행하거나, 또는, 동일한 장치 내에서 행하는, 상기 [1]에 기재된 제3 적층체의 제조 방법.

[3] 상기 제1 적층 공정으로부터 상기 제2 적층 공정까지의 사이에 있어서, 상기 워크에 상기 이면 보호막 형성용 필름이 첩부된 제2 적층체를 한 장씩 반송하는, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 제3 적층체의 제조 방법.

[4] 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 지점으로부터 상기 제2 적층 공정의 첩부 완료 지점까지의 사이의 상기 워크의 반송 거리가 7000㎜ 이하인, 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 한 항에 기재된 제3 적층체의 제조 방법.

[5] 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 시부터 상기 제2 적층 공정의 첩부 완료 시까지의 사이의 상기 워크의 반송 시간이 150s 이하인, 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 한 항에 기재된 제3 적층체의 제조 방법.

[6] 상기 워크의 상기 회로면이, 회로면 보호용 테이프로 보호되어 있고,

상기 제2 적층 공정 후에, 상기 워크의 상기 회로면으로부터, 상기 회로면 보호용 테이프를 박리시키는 박리 공정을 포함하는, 상기 [1] 내지 [5] 중 어느 한 항에 기재된 제3 적층체의 제조 방법.

[7] 상기 워크의 상기 이면이 연삭된 면이며, 상기 회로면 보호용 테이프가 이면 연삭용 테이프인, 상기 [6]에 기재된 제3 적층체의 제조 방법.

[8] 상기 워크가 반도체 웨이퍼인, 상기 [1] 내지 [7] 중 어느 한 항에 기재된 제3 적층체의 제조 방법.

[9] 상기 워크가, 적어도 한 개의 전자 부품이 봉지 수지에 의해 봉지된 반도체 장치의 집합체로 이루어지는 반도체 장치 패널인, 상기 [1] 내지 [7] 중 어느 한 항에 기재된 제3 적층체의 제조 방법.

[10] 상기 지지 시트가, 기재 상에 점착제층이 마련되어 있고,

상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 평활면에, 상기 지지 시트의 상기 점착제층을 첩부하는 제2 적층 공정을 포함하는, 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 한 항에기재된 제3 적층체의 제조 방법.

[11] 상기 점착제층이, 에너지선 경화성인, 상기 [10]에 기재된 제3 적층체의 제조 방법.

[12] 상기 이면 보호막 형성용 필름에, 상기 지지 시트측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정을 포함하는, 상기 [1] 내지 [11] 중 어느 한 항에 기재된 제3 적층체의 제조 방법.

[13] 상기 [1] 내지 [12] 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법으로 제조된 제3 적층체의, 상기 이면 보호막 형성용 필름을 경화시켜 이면 보호막으로 하는 공정을 포함하는,

워크와, 이면 보호막과, 지지 시트가, 이 순으로 적층된 제4 적층체의 제조 방법.

[14] 상기 이면 보호막에, 상기 지지 시트측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정을 포함하는, 상기 [13]에 기재된 제4 적층체의 제조 방법.

[15] 상기 [13] 또는 [14]에 기재된 제조 방법으로 제조된 제4 적층체의, 상기 워크 및 상기 이면 보호막을 다이싱하여, 이면 보호막 부착 반도체 장치로 하는 공정과, 상기 이면 보호막 부착 반도체 장치를, 상기 지지 시트로부터 픽업하는 공정을 포함하는,

이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법.

[16] 상기 [1] 내지 [12] 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법으로 제조된 제3 적층체의, 상기 이면 보호막 형성용 필름 및 상기 워크를 다이싱하여, 이면 보호막 형성용 필름 부착 반도체 장치로 하는 공정과,

상기 이면 보호막 형성용 필름을 경화시켜 이면 보호막으로 하는 공정과,

이면 보호막 형성용 필름 부착 반도체 장치, 또는, 이면 보호막 부착 반도체 장치를, 상기 지지 시트로부터 픽업하는 공정을 포함하는,

이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법.

[17] 상기 이면 보호막 형성용 필름이 열경화성이며, 상기 이면 보호막으로 하는 공정이, 상기 이면 보호막 형성용 필름을 열처리하여 열경화시키는, 상기 [15] 또는 [16]에 기재된 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법.

[18] 상기 이면 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성이며, 상기 이면 보호막으로 하는 공정이, 상기 이면 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 에너지선 경화시키는, 상기 [15] 또는 [16]에 기재된 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법.

[19] 워크와, 이면 보호막 형성용 필름과, 지지 시트가, 이 순으로 적층된 제3 적층체로서,

상기 워크의, 일방의 면이 회로면이고, 타방의 면이 이면이며,

상기 이면 보호막 형성용 필름의, 일방의 면이 평활면이고, 타방의 면이 상기 평활면보다 거친 조면이며,

상기 워크의 상기 이면에, 상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 조면이 첩합되고,

상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 평활면에, 상기 지지 시트가 첩합되어있는 제3 적층체.

본 발명에 의하면, 이면 보호막에 대하여 지지 시트 너머로 레이저 마킹하는 것이 가능하며, 레이저 마크의 시인성이 양호한, 워크와, 이면 보호막 형성용 필름과, 지지 시트가, 이 순으로 적층된 제3 적층체의 제조 방법이 제공된다. 또한, 본 발명은, 이면 보호막에 대하여 지지 시트 너머로 레이저 마킹하는 것이 가능하며, 레이저 마크의 시인성이 양호한, 워크와, 이면 보호막과, 지지 시트가, 이 순으로 적층된 제4 적층체의 제조 방법이 제공된다. 또한, 본 발명은, 이들을 이용하는 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

도 1은 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 이면 보호막 형성용 필름의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 제4 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 5는 제4 적층체의 제조 방법의 실시형태의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 6은 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 7은 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 8은 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 9는 종래의 이면 보호막 부착 반도체 칩의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 10은 종래의 이면 보호막 부착 반도체 칩의 제조 방법의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 11은 기재(11) 상에 점착제층(12)이 마련된 지지 시트(10)의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.

이하, 본 발명을 적용한 실시형태인 제3 적층체의 제조 방법, 제4 적층체의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법에 대해서 상세하게 설명한다. 또, 이하의 설명에서 이용하는 도면은, 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상 특징이 되는 부분을 확대하여 나타내고 있는 경우가 있으며, 각 구성 요소의 치수 비율 등이 실제와 같다고는 할 수 없다.

<<제3 적층체의 제조 방법>>

도 1은, 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 제3 적층체의 제조 방법은, 워크(14)와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 지지 시트(10)가, 이 순으로 적층된 제3 적층체(19)의 제조 방법으로서, 워크(14)의, 일방의 면이 회로면(14a)이고, 타방의 면이 이면(14b)이며(도 1의 (a)), 이면 보호막 형성용 필름(13)의, 일방의 면이 평활면(13b)이고, 타방의 면이 평활면(13b)보다 거친 조면(13a)이며, 워크(14)의 이면(14b)에, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 조면(13a)을 마주보게 첩부하는 제1 적층 공정(도 1의 (b))과, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에, 지지 시트(10)를 첩부하는 제2 적층 공정(도 1의 (d))을, 이 순으로 포함한다(도 1의 (a)∼도 1의 (e)).

즉, 본 실시형태의 제3 적층체는, 워크(14)와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 지지 시트(10)가, 이 순으로 적층된 제3 적층체로서, 워크(14)의, 일방의 면이 회로면(14a)이고, 타방의 면이 이면(14b)이며, 이면 보호막 형성용 필름(13)의, 일방의 면이 평활면(13b)이고, 타방의 면이 평활면(13b)보다 거친 조면(13a)이며, 워크(14)의 이면(14b)에, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 조면(13a)이 첩합되고, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에, 지지 시트(10)가 첩합되어 있다(도 1의 (e)).

본 실시형태에 있어서, 도 1의 (a)에 나타내는 워크(14)로서, 반도체 웨이퍼를 이용하고 있다. 반도체 웨이퍼의 일방의 면은 회로면(14a)이며, 범프가 형성되어 있다. 또한, 반도체 웨이퍼의 회로면(14a) 및 범프가, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 시에 무너지거나, 웨이퍼 이면에 있어서의 딤플이나 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위해, 반도체 웨이퍼의 회로면(14a) 및 범프는, 회로면 보호용 테이프(17)에 의해 보호되고 있다. 회로면 보호용 테이프(17)는 이면 연삭용 테이프이며, 워크(14)인 반도체 웨이퍼의 이면(즉, 워크의 이면(14b))은 연삭된 면이다.

워크(14)로서는, 일방에 회로면(14a)이 있고, 타방의 면이 이면이라고 할 수 있는 것이면 한정되지 않는다. 워크(14)로서, 일방에 회로면을 가지는 반도체 웨이퍼나, 개편화되어 개개의 전자 부품이 봉지 수지에 의해 봉지되고, 한편, 단자 부착 반도체 장치의 단자 형성면(환언하면 회로면)을 가지는 단자 부착 반도체 장치 집합체로 이루어지는 반도체 장치 패널 등을 예시할 수 있다.

회로면 보호용 테이프(17)로서는, 예를 들면, 일본 특허공개공보 2016-192488호, 일본 특허공개공보 2009-141265호에 개시된 표면 보호용 시트를 이용할 수 있다. 회로면 보호용 테이프(17)는, 적당한 재박리성을 가지는 점착제층을 구비하고 있다. 상기 점착제층은, 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 우레탄계, 비닐에테르계 등 범용(汎用)인 약점착 타입의 점착제로 형성되어도 된다. 또한, 상기 점착제층은, 에너지선의 조사에 의해 경화하여 재박리성이 되는 에너지선 경화형 점착제여도 된다. 회로면 보호용 테이프(17)가 양면 테이프 형상으로 되어 있으며, 회로면 보호용 테이프(17)의 더 외측이 경질 지지체에 고정되어 있어도 되고, 경질인 지지체에 워크(14)가 고정되어 있어도 된다.

본 명세서에 있어서 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 가지는 것을 의미한다. 에너지선의 예로서는, 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. 자외선은, 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 램프, 제논 램프, 블랙 라이트 또는 LED 램프 등을 이용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은, 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.

또한, 본 명세서에 있어서, 「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화하는 성질을 의미하고, 「비에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 성질을 의미한다.

도 1의 (b)에 나타나는 본 실시형태의 제1 적층 공정에서, 이면 보호막 형성용 필름(13)은, 도 2에 나타내는 제1 적층체(5)로서 이용할 수 있다. 도 2에 나타내는 제1 적층체(5)는, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 일방의 면(즉, 조면(13a)) 상에 제1 박리 필름(151)을 구비하고, 조면(13a)과는 반대측인 타방의 면(즉, 평활면(13b)) 상에 제2 박리 필름(152)을 구비한다. 조면(13a)측의 제1 박리 필름(151)을 박리하고 나서, 제1 적층 공정에서, 워크(14)의 이면(14b)에, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 조면(13a)을 마주보게 적층한다(도 1의 (b)). 이때의 이면 보호막 형성용 필름(13)은, 사전에 워크(14)의 형상에 맞춰 가공되어 있는 것을 이용해도 되고, 직전에, 장치 내에서 가공하여 이용해도 된다. 다음으로, 평활면(13b)측의 제2 박리 필름(152)을 박리하여, 제2 적층체(6)로 하는(도 1의 (c)) 것이 바람직하다.

도 2에 나타내는 이면 보호막 형성용 필름은, 예를 들면, 두께 38㎛인 제2 박리 필름(152)의 박리면 상에, 용매를 함유하는 보호막 형성 조성물을, 나이프 코터로 도포한 후, 오븐에서 120℃에서 2분간 건조시켜, 이면 보호막 형성용 필름을 형성한다. 그 다음에, 이면 보호막 형성용 필름에 두께 38㎛인 제1 박리 필름(151)의 박리면을 겹쳐 양자를 첩합하고, 제1 박리 필름(151)과, 이면 보호막 형성용 필름(도 2에서의 이면 보호막 형성용 필름(13))(두께: 25㎛)과, 제2 박리 필름(152)으로 이루어지는 이면 보호막 형성용 필름을 얻을 수 있다. 이러한 이면 보호막 형성용 필름은, 예를 들면, 롤상으로서 보관하는데 호적(好適)하다. 또한, 제1 박리 필름(151)의 박리면을, 예를 들면, 표면 거칠기(Ra)가 200㎚인 조면으로 하고, 제2 박리 필름(152)의 박리면을, 상기 조면의 표면 거칠기보다 평활한, 예를 들면, 표면 거칠기(Ra)가 30㎚인 평활면으로 함으로써, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 일방의 면을, 평활면(13b)으로 할 수 있으며, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 상기 일방의 면과는 반대측인 타방의 면을, 평활면(13b)보다 거친 조면(13a)으로 할 수 있다. 그리고, 조면(13a)측의 제1 박리 필름(151)을 박리하고 나서, 제1 적층 공정에서, 워크(14)의 이면(14b)에, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 조면(13a)을 마주보게 첩합한다.

혹은, 제1 박리 필름(151)의 박리면의 면 거칠기(Ra)와, 제2 박리 필름(152)의 박리면의 표면 거칠기가, 같은 평활면이어도, 예를 들면, 다음과 같이 하여, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 일방의 면을, 평활면(13b)으로 할 수 있으며, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 상기 일방의 면과는 반대측인 타방의 면을, 평활면(13b)보다 거친 조면(13a)으로 할 수 있다.

즉, 제2 박리 필름(152)의, 표면 거칠기(Ra)가 30㎚인 박리면 상에, 용매를 함유하는 보호막 형성 조성물을, 나이프 코터로 도포한 후, 오븐에서 120℃에서 2 분간 건조시켜, 이면 보호막 형성용 필름을 형성한다. 그 다음에, 이면 보호막 형성용 필름에 두께 38㎛인 제1 박리 필름(151)의, 표면 거칠기(Ra)가 30㎚인 박리면을 겹쳐, 예를 들면, 23℃, 0.4㎫의 조건으로 양자를 첩합하여, 제1 박리 필름(151)과, 이면 보호막 형성용 필름(도 2에서의 이면 보호막 형성용 필름(13))(두께: 25㎛)과, 제2 박리 필름(152)으로 이루어지는 이면 보호막 형성용 필름을 얻을 수 있다. 이에 따라, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 조면(13a)과 제1 박리 필름(151) 사이는 경박리면이 되고, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)과 제2 박리 필름(152) 사이를 상기 경박리면의 박리 강도보다 큰 박리 강도인 중박리면이 된다. 이러한 이면 보호막 형성용 필름도, 예를 들면, 롤상으로서 보관하는데 호적하다.

이면 보호막 형성용 필름의 제1 박리 필름(151)측의 표면 거칠기는, 이면 보호막 형성용 필름에 제1 박리 필름(151)의 박리면을 첩합하는 온도 및 압력의 조건에 의해 조정할 수 있다. 이면 보호막 형성용 필름에 제1 박리 필름(151)의 박리면을 첩합하는 온도 및 압력의 조건을 높게 하면, 이면 보호막 형성용 필름의 제1 박리 필름(151)측의 표면 거칠기는, 제1 박리 필름(151)의 박리면의 표면 거칠기에 충실해진다.

상기 워크의 상기 이면측에 마주보게 되는, 상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 조면의 표면 거칠기(Ra)는, 32∼1200㎚여도 되고, 32∼1000㎚인 것이 바람직하고, 32∼900㎚인 것이 보다 바람직하고, 32∼800㎚인 것이 특히 바람직하다.

상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 조면의 표면 거칠기(Ra)가 큰 쪽이, 실질적으로, 박리 필름과의 접하는 면적이 작아진다. 따라서, 상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 조면의 표면 거칠기(Ra)는, 상기 하한치 이상임으로써, 상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 조면측을 박리할 때에는 우선적으로 벗겨지기 쉬워진다.

이에 따라, 박리력이 작은 측의 박리 필름을 박리할 때에, 이면 보호막 형성용 필름의 박리력이 작은 측의 박리 필름으로부터의 박리가 적절히 행해지지 않고, 표면 보호막 형성용 필름이 응집 파괴되는 등 하여, 이면 보호막 형성용 필름의 일부가, 박리력이 작은 측의 박리 필름 상에 잔존하는, 박리 불량(소위, 파팅(parting))의 리스크를 저감할 수 있다.

상기 지지 시트측에 마주보게 되는, 상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 평활면의 표면 거칠기(Ra)는, 20∼80㎚인 것이 바람직하고, 24∼50㎚인 것이 보다 바람직하고, 28∼32㎚인 것이 더 바람직하다.

상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 평활면의 표면 거칠기(Ra)에 대한, 상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 조면의 표면 거칠기(Ra)의 비(조면의 표면 거칠기(Ra)／평활면의 표면 거칠기(Ra))는 1.1∼50이어도 되고, 1.2∼45여도 되고, 1.3∼35여도 되고, 1.4∼30이어도 되고, 1.5∼24여도 된다.

도 1의 (d)에 나타나는 제2 적층 공정에서, 워크(14)의 이면(14b)에 적층된 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에, 지지 시트(10)를 적층한다. 지지 시트(10)는, 예를 들면, 두께 80㎛, 직경이 270㎜인 원형의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이며, 외주부(外周部)에, 지그용 점착제층(16)을 구비하고 있다. 본 실시형태에서는, 워크(14)는, 이면 보호막 형성용 필름(13)과 함께 고정용 지그(18)에 고정되어 있다. 그리고, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에, 지지 시트(10)를 적층함과 함께, 지그용 점착제층(16)을 개재하여, 고정용 지그(18)에 고정된다(도 1의 (e)).

종래, 도 9의 (A)에서, 반도체 웨이퍼(8)의 이면(8b)에, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 적층하는 장치와, 도 9의 (D)에서, 이면 보호막(13')에 지지 시트(10)를 적층하는 장치와는, 별개의 장치로 행해지고, 각각의 적층체는, 복수의 적층체가 하나의 카세트에 수용되어, 다음 장치로 반송하는 것이 행해지고 있었다.

그러나, 본 실시형태에 있어서는, 적어도, 도 1의 (b)에 나타나는 제1 적층 공정으로부터, 도 1의 (d)에 나타나는 제2 적층 공정까지의 사이를, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치와 지지 시트를 첩부하는 장치를 연결시켜 행할 수 있고, 또한, 동일한 장치 내에서 행할 수 있다. 따라서, 상기 제1 적층 공정으로부터 상기 제2 적층 공정까지의 사이에서, 워크(14)에 이면 보호막 형성용 필름(13)이 첩부된 제2 적층체를 카세트에 수용하지 않고, 도 1의 (d)에 나타나는 제2 적층 공정으로, 한 장씩 반송할 수 있다. 동일 장치 내에서 행함으로써, 장치 스페이스를 보다 저감할 수 있다. 연결한 장치 내에서 행함으로써, 처음부터 설계하지 않고도 종래의 장치를 개조함으로써 대응할 수 있어 초기 비용을 저감할 수 있다. 그리고, 제2 적층체가 카세트에 수용되어 장치 외로 반송될 경우가 없기 때문에, 제조 효율이 향상되며, 또한 제2 적층체의 오염, 파손을 억제할 수 있다.

본 실시형태에 있어서, 제1 적층 공정 후에, 이면 보호막 형성용 필름(13)으로부터 평활면(13b)측의 제2 박리 필름(152)을 박리하는 공정도, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치와, 제2 박리 필름을 박리하는 장치와, 지지 시트를 첩부하는 장치를 연결시켜 행할 수 있고, 또는, 동일한 장치 내에서 행할 수 있다.

제1 적층 공정에 이용하는 이면 보호막 형성용 필름(13)은, 사전에 워크의 형상으로 가공되어 있어도 되고, 제1 적층 공정을 행하기 직전에 동일 장치 내에서 가공되어도 된다. 사용되는 제조 라인에서 워크의 크기가 일정한 경우에는 사전에 가공할 수 있는 전자의 쪽이 효율적이고, 워크의 크기가 변경될 가능성이 있는 경우에는, 후자이면 이면 보호막 형성용 필름의 낭비가 생기지 않아, 비용 메리트가 있다.

제1 적층 공정 전에, 제1 적층체(5)의 이면 보호막 형성용 필름(13)으로부터, 조면(13a)측의 제1 박리 필름(151)을 박리하는 공정도, 제1 박리 필름을 박리하는 장치와, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치를 연결시켜 행할 수 있고, 또는, 동일한 장치 내에서 행할 수도 있다.

본 실시형태에 있어서는, 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 지점으로부터 상기 제2 적층 공정의 첩부 완료 지점(또는 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 지점으로부터 경화 공정의 경화 완료 지점)까지의 사이의 워크(14)의 반송 거리를 7000㎜ 이하로 설계할 수 있어, 장치 스페이스를 감소시킬 수 있다. 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 지점으로부터 상기 제2 적층 공정의 첩부 완료 지점(또는 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 지점으로부터 경화 공정의 경화 완료 지점)까지의 사이의 워크(14)의 반송 거리는 6500㎜ 이하로 할 수도 있고, 6000㎜ 이하로 할 수도 있고, 4500㎜ 이하로 할 수도 있고, 3000㎜ 이하로 할 수도 있다.

본 실시형태에 있어서는, 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 시부터 상기 제2 적층 공정의 첩부 완료 시까지의 사이의 워크(14)의 반송 시간을 150s 이하로 할 수 있어, 공정 시간을 단축할 수 있다. 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 시부터 상기 제2 적층 공정의 첩부 완료 시까지의 사이의 워크(14)의 반송 시간은 130s 이하로 할 수도 있고, 110s 이하로 할 수도 있고, 90s 이하로 할 수도 있고, 70s 이하로 할 수도 있다.

본 실시형태에 있어서는, 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 시부터 상기 경화 공정의 경화 완료 시까지의 사이의 워크(14)의 반송 시간을 400s 이하로 할 수 있어, 공정 시간을 단축할 수 있다. 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 시부터 상기 경화 공정의 경화 완료 시까지의 사이의 워크(14)의 반송 시간은 300s 이하로 할 수도 있고, 250s 이하로 할 수도 있고, 200s 이하로 할 수도 있고, 150s 이하로 할 수도 있다.

제3 적층체의 제조 방법에 있어서의 제1 적층 공정에서 워크(14)의 이면(14b)에 이면 보호막 형성용 필름(13)의 조면(13a)을 첩부하는 속도, 및 제3 적층체의 제조 방법에 있어서의 제2 적층 공정에서 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에 지지 시트(10)를 첩부하는 속도는, 100㎜／s 이하로 할 수도 있고, 80㎜／s 이하로 할 수도 있고, 60㎜／s 이하로 할 수도 있고, 40㎜／s 이하로 할 수도 있다. 제1 적층 공정에서의 상기 첩부하는 속도, 및 제2 적층 공정에서의 상기 첩부하는 속도가 상기 상한치 이하임으로써, 워크(14)와 이면 보호막 형성용 필름(13) 사이의 밀착성, 이면 보호막 형성용 필름(13)과 지지 시트(10) 사이의 밀착성을 양호한 것으로 할 수 있다.

제1 적층 공정에서의 상기 첩부하는 속도, 및 제2 적층 공정에서의 상기 첩부하는 속도는 2㎜／s 이상으로 할 수도 있고, 5㎜／s 이상으로 할 수도 있고, 10㎜／s 이상으로 할 수도 있다. 제1 적층 공정에서의 상기 첩부하는 속도, 및 제2 적층 공정에서의 상기 첩부하는 속도가 상기 하한치 이상임으로써, 제2 적층체(6) 및 제3 적층체(19)의 생산 효율을 향상시킴과 함께, 제1 적층 공정의 첩부 개시 시부터 제2 적층 공정의 첩부 완료 시까지의 사이의 워크(14)의 반송 시간을, 150s 이하로 할 수 있고, 제1 적층 공정의 첩부 개시 시부터 경화 공정의 경화 완료 시까지의 사이의 워크(14)의 반송 시간을, 400s 이하로 할 수 있다.

도 1의 (b)에 나타나는 본 실시형태의 제1 적층 공정의 첩부 개시 지점으로부터, 도 1의 (d)에 나타나는 제2 적층 공정의 첩부 완료 지점까지의 상기 워크의 반송 거리는 7000㎜ 이하로 할 수 있고, 6500㎜ 이하로 할 수 있고, 6000㎜ 이하로 할 수 있고, 4500㎜ 이하로 할 수도 있고, 3000㎜ 이하로 할 수도 있다. 도 1의 (b)에 나타나는 본 실시형태의 제1 적층 공정의 첩부 개시 시부터, 도 1의 (d)에 나타나는 제2 적층 공정의 첩부 완료 시까지의 상기 워크의 반송 시간은, 150s 이하로 할 수 있고, 130s 이하로 할 수 있고, 110s 이하로 할 수 있다.

또한, 도 1의 (b)에 나타나는 본 실시형태의 제1 적층 공정의 첩부 개시 지점으로부터, 도 4의 (g)에 나타나는 경화 공정의 경화 완료 지점까지의 상기 워크의 반송 거리는 7000㎜ 이하로 할 수 있고, 6500㎜ 이하로 할 수 있고, 6000㎜ 이하로 할 수 있고, 4500㎜ 이하로 할 수도 있고, 3000㎜ 이하로 할 수도 있다.

도 1의 (b)에 나타나는 본 실시형태의 제1 적층 공정의 첩부 개시 지점으로부터, 도 4의 (g)에 나타나는 경화 공정의 경화 완료 지점까지의 사이의 워크(14)의 반송 시간을 400s 이하로 할 수 있고, 300s 이하로 할 수도 있고, 250s 이하로 할 수도 있고, 200s 이하로 할 수도 있고, 150s 이하로 할 수도 있다.

(보호막 형성 조성물)

이면 보호막 형성용 필름을 형성하기 위한 보호막 형성 조성물의 조성으로서는, 바인더 폴리머 성분 및 경화성 성분을 함유하는 것이 바람직하다.

(바인더 폴리머 성분)

이면 보호막 형성용 필름에 충분한 접착성 및 조막성(시트 형성성)을 부여하기 위해 바인더 폴리머 성분이 사용된다. 바인더 폴리머 성분으로서는, 종래 공지의 아크릴 폴리머, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 아크릴우레탄 수지, 실리콘 수지, 고무계 폴리머 등을 사용할 수 있다.

바인더 폴리머 성분의 중량 평균 분자량(Mw)은 1만∼200만인 것이 바람직하고, 10만∼120만인 것이 보다 바람직하다. 바인더 폴리머 성분의 중량 평균 분자량이 너무 낮으면 이면 보호막 형성용 필름과 지지 시트와의 점착력이 높아져, 이면 보호막 형성용 필름의 전사 불량이 일어날 경우가 있고, 너무 높으면 이면 보호막 형성용 필름의 접착성이 저하되어, 칩 등으로 전사할 수 없게 되거나, 혹은 전사 후에 칩 등으로부터 이면 보호막이 박리할 경우가 있다.

바인더 폴리머 성분으로서, 아크릴 폴리머가 바람직하게 사용된다. 아크릴 폴리머의 유리 전이 온도(Tg)는, 바람직하게는 -60∼50℃, 더 바람직하게는 -50∼40℃, 특히 바람직하게는 -40∼30℃의 범위에 있다. 아크릴 폴리머의 유리 전이 온도가 너무 낮으면 이면 보호막 형성용 필름과 지지 시트와의 박리력이 커져 이면 보호막 형성용 필름의 전사 불량이 일어날 경우가 있고, 너무 높으면 이면 보호막 형성용 필름의 접착성이 저하되어, 칩 등으로 전사할 수 없게 되거나, 혹은 전사 후에 칩 등으로부터 이면 보호막이 박리할 경우가 있다.

상기 아크릴 폴리머를 구성하는 모노머로서는, (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체를 들 수 있다. 예를 들면, 알킬기의 탄소수가 1∼18인 알킬(메타)아크릴레이트, 구체적으로는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 환상 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트, 구체적으로는 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 이미드(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 관능기를 가지는 모노머로서, 수산기를 가지는 히드록시메틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고; 그 외, 에폭시기를 가지는 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 아크릴 폴리머는, 수산기를 가지고 있는 모노머를 함유하고 있는 아크릴 폴리머가, 후술하는 경화성 성분과의 상용성이 좋기 때문에 바람직하다. 또한, 상기 아크릴 폴리머는, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등이 공중합되어 있어도 된다.

또한, 바인더 폴리머 성분으로서, 경화 후의 보호막의 가요성을 유지하기 위한 열가소성 수지를 배합해도 된다. 그러한 열가소성 수지로서는, 중량 평균 분자량이 1000∼10만인 것이 바람직하고, 3000∼8만인 것이 더 바람직하다. 열가소성 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -30∼120℃이며, 더 바람직하게는 -20∼120℃이다. 열가소성 수지로서는, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리스티렌 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는, 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 열가소성 수지를 함유함으로써, 이면 보호막 형성용 필름의 전사면에 이면 보호막 형성용 필름이 추종하여 보이드 등의 발생을 억제할 수 있다.

(경화성 성분)

경화성 성분은, 열경화성 성분 및／또는 에너지선 경화성 성분이 사용된다.

열경화성 성분으로서는, 열경화 수지 및 열경화제가 사용된다. 열경화 수지로서는, 예를 들면, 에폭시 수지가 바람직하다.

에폭시 수지로서는, 종래 공지의 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 에폭시 수지로서는, 구체적으로는, 다관능계 에폭시 수지나, 비페닐 화합물, 비스페놀 A 디글리시딜에테르나 그 수첨물, 오르토크레졸노볼락에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 분자 중에 2관능 이상 가지는 에폭시 화합물을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

이면 보호막 형성용 필름에는, 바인더 폴리머 성분 100질량부에 대하여, 열경화 수지가, 바람직하게는 1∼1000질량부, 보다 바람직하게는 10∼500질량부, 특히 바람직하게는 20∼200질량부 포함된다. 열경화 수지의 함유량이 1질량부 미만이면 충분한 접착력이 얻어지지 않을 경우가 있고, 1000질량부를 초과하면 이면 보호막 형성용 필름과 점착 시트 또는 기재 필름과의 박리력이 높아져, 이면 보호막 형성용 필름의 전사 불량이 일어날 경우가 있다.

열경화제는, 열경화 수지, 특히 에폭시 수지에 대한 경화제로서 기능한다. 바람직한 열경화제로서는, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 가지는 화합물을 들 수 있다. 그 관능기로서는 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복시기 및 산무수물 등을 들 수 있다. 이들 중 바람직하게는 페놀성 수산기, 아미노기, 산무수물 등을 들 수 있고, 더 바람직하게는 페놀성 수산기, 아미노기를 들 수 있다.

페놀계 경화제의 구체적인 예로서는, 다관능계 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 자이로크형 페놀 수지, 아랄킬페놀 수지를 들 수 있다. 아민계 경화제의 구체적인 예로서는, DICY(디시안디아미드)를 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.

열경화제의 함유량은, 열경화 수지 100질량부에 대하여, 0.1∼500질량부인 것이 바람직하고, 1∼200질량부인 것이 보다 바람직하다. 열경화제의 함유량이 적으면 경화 부족으로 접착성이 얻어지지 않을 경우가 있고, 과잉이면 이면 보호막 형성용 필름의 흡습률이 높아져 반도체 장치의 신뢰성을 저하시킬 경우가 있다.

에너지선 경화성 성분으로서는, 에너지선 중합성기를 포함하고, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화하는 저분자 화합물(에너지선 중합성 화합물)을 사용할 수 있다. 이러한 에너지선 경화성 성분으로서 구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 혹은 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트 및 이타콘산 올리고머 등의 아크릴레이트계 화합물을 들 수 있다. 이러한 화합물은, 분자 내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 가지며, 통상은, 중량 평균 분자량이 100∼30000, 바람직하게는 300∼10000 정도이다. 에너지선 중합성 화합물의 배합량은, 바인더 폴리머 성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 1∼1500질량부, 보다 바람직하게는 10∼500질량부, 특히 바람직하게는 20∼200질량부 포함된다.

또한, 에너지선 경화성 성분으로서, 바인더 폴리머 성분의 주쇄 또는 측쇄에, 에너지선 중합성기가 결합되어 이루어지는 에너지선 경화형 중합체를 사용해도 된다. 이러한 에너지선 경화형 중합체는, 바인더 폴리머 성분으로서의 기능과, 경화성 성분으로서의 기능을 겸비한다.

에너지선 경화형 중합체의 주골격은 특별히 한정은 되지 않고, 바인더 폴리머 성분으로서 범용되고 있는 아크릴 폴리머여도 되고, 또한 폴리에스테르, 폴리에테르 등이어도 되지만, 합성 및 물성의 제어가 용이하므로, 아크릴 폴리머를 주골격으로 하는 것이 특히 바람직하다.

에너지선 경화형 중합체의 주쇄 또는 측쇄에 결합하는 에너지선 중합성기는, 예를 들면 에너지선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기이며, 구체적으로는 (메타)아크릴로일기 등을 예시할 수 있다. 에너지선 중합성기는, 알킬렌기, 알킬렌옥시기, 폴리알킬렌옥시기를 통해 에너지선 경화형 중합체에 결합하고 있어도 있다.

에너지선 중합성기가 결합된 에너지선 경화형 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 1만∼200만인 것이 바람직하고, 10만∼150만인 것이 보다 바람직하다. 또한, 에너지선 경화형 중합체의 유리 전이 온도(Tg)는, 바람직하게는 -60∼50℃, 더 바람직하게는 -50∼40℃, 특히 바람직하게는 -40∼30℃의 범위에 있다.

에너지선 경화형 중합체는, 예를 들면, 히드록시기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 함유하는 아크릴 폴리머와, 당해 관능기와 반응하는 치환기와 에너지선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 1분자마다 1∼5개를 가지는 중합성기 함유 화합물을 반응시켜 얻어진다. 당해 관능기와 반응하는 치환기로서는, 이소시아네이트기, 글리시딜기, 카르복시기 등을 들 수 있다.

중합성기 함유 화합물로서는, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트; (메타)아크릴산 등을 들 수 있다.

아크릴 폴리머는, 히드록시기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 가지는 (메타)아크릴 모노머 또는 그 유도체와, 이것과 공중합 가능한 다른 (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로 이루어지는 공중합체인 것이 바람직하다.

히드록시기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 가지는 (메타)아크릴 모노머 또는 그 유도체로서는, 예를 들면, 히드록시기를 가지는 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트; 카르복시기를 가지는 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산; 에폭시기를 가지는 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트 등을 들 수 있다.

상기 모노머와 공중합 가능한 다른 (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로서는, 예를 들면, 알킬기의 탄소수가 1∼18인 알킬(메타)아크릴레이트, 구체적으로는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고; 환상 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트, 구체적으로는 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸아크릴레이트, 이미드아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 상기 아크릴 폴리머에는, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등이 공중합되어 있어도 된다.

에너지선 경화형 중합체를 사용할 경우에도, 상기한 에너지선 중합성 화합물을 병용해도 되고, 또한 바인더 폴리머 성분을 병용해도 된다. 본 발명에 있어서의 이면 보호막 형성용 필름 중 이들 삼자의 배합량의 관계는, 에너지선 경화형 중합체 및 바인더 폴리머 성분의 질량의 합 100질량부에 대하여, 에너지선 중합성 화합물이 바람직하게는 1∼1500질량부, 보다 바람직하게는 10∼500질량부, 특히 바람직하게는 20∼200질량부 포함된다.

이면 보호막 형성용 필름에 에너지선 경화성을 부여함으로써, 이면 보호막 형성용 필름을 간편하며 또한 단시간에 경화할 수 있어, 보호막 부착 칩의 생산 효율이 향상된다. 종래, 칩의 보호막은, 일반적으로 에폭시 수지 등의 열경화 수지에 의해 형성되어 있었지만, 열경화 수지의 경화 온도는 200℃를 초과하고, 또한 경화 시간은 2시간 정도를 요하고 있기 때문에, 생산 효율 향상의 저해가 되고 있었다. 그러나, 에너지선 경화성의 이면 보호막 형성용 필름은, 에너지선 조사에 의해 단시간에 경화하기 때문에, 간편하게 보호막을 형성할 수 있어, 생산 효율의 향상에 기여할 수 있다.

이면 보호막 형성용 필름은, 상기 바인더 폴리머 성분 및 경화성 성분에 더하여 하기 성분을 포함할 수 있다.

(착색제)

이면 보호막 형성용 필름은, 착색제를 함유하는 것이 바람직하다. 이면 보호막 형성용 필름에 착색제를 배합함으로써, 반도체 장치를 기기에 도입했을 때에, 주위의 장치로부터 발생하는 적외선 등을 차폐하여, 그들에 의한 반도체 장치의 오작동을 방지할 수 있고, 또한, 이면 보호막 형성용 필름을 경화하여 얻은 보호막에, 제품 번호 등을 인자했을 때의 문자의 시인성이 향상된다. 즉, 보호막을 형성된 반도체 장치나 반도체 칩에서는, 보호막의 표면에 품번 등이 통상 레이저 마킹 법(레이저광에 의해 보호막 표면을 깎아내어 인자를 행하는 방법)에 의해 인자되지만, 보호막이 착색제를 함유함으로써, 보호막의 레이저광에 의해 깎아내진 부분과 그렇지 않은 부분의 콘트라스트 차가 충분히 얻어져, 시인성이 향상된다. 착색제로서는, 유기 또는 무기의 안료 및 염료가 사용된다. 이들 중에서도, 전자파나 적외선 차폐성의 점에서 흑색 안료가 바람직하다. 흑색 안료로서는, 카본 블랙, 산화철, 이산화망간, 아닐린 블랙, 활성탄 등이 이용되지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 반도체 장치의 신뢰성을 높이는 관점에서는, 카본 블랙이 특히 바람직하다. 착색제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 본 발명에 있어서의 이면 보호막 형성용 필름의 높은 경화성은, 가시광 및／또는 적외선과 자외선과의 양방의 투과성을 저하시키는 착색제를 사용하고, 자외선의 투과성이 저하된 경우에, 특히 바람직하게 발휘된다. 가시광 및／또는 적외선과 자외선과의 양방의 투과성을 저하시키는 착색제로서는, 상기의 흑색 안료 외, 가시광 및／또는 적외선과 자외선과의 양방의 파장 영역에서 흡수성 또는 반사성을 가지는 것이면 특별히 한정되지 않는다.

착색제의 배합량은, 이면 보호막 형성용 필름을 구성하는 전체 고형분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1∼35질량부, 더 바람직하게는 0.5∼25질량부, 특히 바람직하게는 1∼15질량부이다.

(경화 촉진제)

경화 촉진제는, 이면 보호막 형성용 필름의 경화 속도를 조정하기 위해 사용된다. 경화 촉진제는, 특히 경화성 성분에 있어서, 에폭시 수지와 열경화제를 병용할 경우에 바람직하게 사용된다.

바람직한 경화 촉진제로서는, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민류; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류; 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐붕소염 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.

경화 촉진제는, 경화성 성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01∼10질량부, 더 바람직하게는 0.1∼1질량부의 양으로 포함된다. 경화 촉진제를 상기 범위의 양으로 함유함으로써, 고온 고습도 하에 노출되어 우수한 접착 특성을 가져, 엄격한 리플로우 조건에 노출되었을 경우에도 높은 신뢰성을 달성할 수 있다. 경화 촉진제의 함량이 적으면 경화 부족으로 충분한 접착 특성이 얻어지지 않고, 과잉이면 높은 극성을 가지는 경화 촉진제는 고온 고습도 하에서 이면 보호막 형성용 필름 중을 접착 계면측으로 이동하여, 편석(偏析)함으로써 반도체 장치의 신뢰성을 저하시킨다.

(커플링제)

커플링제는, 이면 보호막 형성용 필름의 칩에 대한 접착성, 밀착성 및／또는 보호막의 응집성을 향상시키기 위해 사용해도 된다. 또한, 커플링제를 사용함으로써, 이면 보호막 형성용 필름을 경화하여 얻어지는 보호막의 내열성을 손상시키지 않고, 그 내수성을 향상시킬 수 있다.

커플링제로서는, 바인더 폴리머 성분, 경화성 성분 등이 가지는 관능기와 반응하는 기를 가지는 화합물이 바람직하게 사용된다. 커플링제로서는, 실란 커플링제가 바람직하다. 이러한 커플링제로서는 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-(메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-우레이드프로필트리에톡시실란, γ-멜캅토프로필트리메톡시실란, γ-멜캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라설판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.

커플링제는, 바인더 폴리머 성분 및 경화성 성분의 합계 100질량부에 대하여, 통상 0.1∼20질량부, 바람직하게는 0.2∼10질량부, 보다 바람직하게는 0.3∼5질량부의 비율로 포함된다. 커플링제의 함유량이 0.1질량부 미만이면 상기의 효과가 얻어지지 않을 가능성이 있고, 20질량부를 초과하면 아웃 가스의 원인이 될 가능성이 있다.

(무기 충전재)

무기 충전재를 이면 보호막 형성용 필름에 배합함으로써, 경화 후의 보호막에 있어서의 열팽창 계수를 조정하는 것이 가능해지고, 반도체 칩에 대하여 경화 후의 보호막의 열팽창 계수를 최적화함으로써 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 경화 후의 보호막의 흡습률을 감소시키는 것도 가능해진다.

바람직한 무기 충전재로서는, 실리카, 알루미나, 탈크, 탄산칼슘, 산화티탄, 산화철, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말, 이들을 구형화(球形化)한 비드, 단결정 섬유 및 유리 섬유 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실리카 필러 및 알루미나 필러가 바람직하다. 상기 무기 충전재는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 무기 충전재의 함유량은, 이면 보호막 형성용 필름을 구성하는 전체 고형분 100질량부에 대하여, 통상 1∼80질량부의 범위에서 조정이 가능하다.

(광중합개시제)

이면 보호막 형성용 필름이, 상술한 경화성 성분으로서 에너지선 경화성 성분을 함유할 경우에는, 그 사용에 있어서, 자외선 등의 에너지선을 조사하여, 에너지선 경화성 성분을 경화시킨다. 이때, 당해 조성물 중에 광중합개시제를 함유시킴으로써, 중합 경화 시간 그리고 광선 조사량을 적게 할 수 있다.

이러한 광중합개시제로서 구체적으로는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티오잔톤, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, 1,2-디페닐메탄, 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판온, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 및 β-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다. 광중합개시제는 1종류 단독으로, 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

광중합개시제의 배합 비율은, 에너지선 경화성 성분 100질량부에 대하여 0.1∼10질량부 포함되는 것이 바람직하고, 1∼5질량부 포함되는 것이 보다 바람직하다. 0.1질량부 미만이면 광중합의 부족으로 만족스러운 전사성이 얻어지지 않을 경우가 있고, 10질량부를 초과하면 광중합에 기여하지 않는 잔류물이 생성되어, 이면 보호막 형성용 필름의 경화성이 불충분해질 경우가 있다.

(가교제)

이면 보호막 형성용 필름의 초기 접착력 및 응집력을 조절하기 위해, 가교제를 첨가할 수도 있다. 가교제로서는 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물 등을 들 수 있다.

상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로서는, 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 지환족 다가 이소시아네이트 화합물 및 이들 유기 다가 이소시아네이트 화합물의 삼량체, 그리고 이들 유기 다가 이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머 등을 들 수 있다.

유기 다가 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들면 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-자일릴렌디이소시아네이트, 1,4-자일렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트, 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, 트리메틸올프로판어덕트톨릴렌디이소시아네이트 및 리신이소시아네이트를 들 수 있다.

상기 유기 다가 이민 화합물로서는, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트 및 N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 들 수 있다.

가교제는 바인더 폴리머 성분 및 에너지선 경화형 중합체의 합계량 100질량부에 대하여 통상 0.01∼20질량부, 바람직하게는 0.1 내지 10질량부, 보다 바람직하게는 0.5∼5질량부의 비율로 사용된다.

(범용 첨가제)

이면 보호막 형성용 필름에는, 상기 외에, 필요에 따라 각종 첨가제가 배합되어도 된다. 각종 첨가제로서는 레벨링제, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 이온 포착제, 게터링제, 연쇄 이동제 등을 들 수 있다.

(용매)

보호막 형성 조성물은, 용매를 더 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 보호막 형성 조성물은, 취급성이 양호해진다.

상기 용매는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 것으로서, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 아세트산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로퓨란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 가지는 화합물) 등을 들 수 있다.

접착제 조성물이 함유하는 용매는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상일 경우, 그들 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

접착제 조성물이 함유하는 용매는, 접착제 조성물 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 메틸에틸케톤 등인 것이 바람직하다.

상기와 같은 각 성분으로 이루어지는 보호막 형성 조성물을, 도포하고, 건조시켜 얻어지는 이면 보호막 형성용 필름은, 접착성과 경화성을 가져, 미경화 상태에서는 워크(반도체 웨이퍼나 칩 등)에 압압(押壓)함으로써 용이하게 접착한다. 압압할 때에, 이면 보호막 형성용 필름을 가열해도 된다. 그리고 경화를 거쳐 최종적으로는 내충격성이 높은 보호막을 부여할 수 있으며, 접착 강도도 우수하여, 엄격한 고온 고습도 조건 하에서도 충분한 보호 기능을 유지할 수 있다. 또, 이면 보호막 형성용 필름은 단층 구조여도 되고, 또한 상기 성분을 포함하는 층을 1층 이상 포함하는 한에 있어서 다층 구조여도 된다.

이면 보호막 형성용 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 3∼300㎛, 더 바람직하게는 5∼250㎛, 특히 바람직하게는 7∼200㎛이다.

<지지 시트>

본 발명의 일 태양에서 사용하는 지지 시트(10)로서는, 기재(11)만으로 구성된 시트나, 기재(11) 상에 점착제층(12)을 가지는 점착 시트를 들 수 있다.

본 발명의 일 태양의 제3 적층체가 가지는 지지 시트는, 이면 보호막 형성용 필름의 표면에 먼지 등의 부착을 방지하는 박리 시트, 혹은, 다이싱 공정 등에서 이면 보호막 형성용 필름의 면을 보호하기 위한 다이싱 시트 등의 역할을 하는 것이다.

지지 시트의 두께로서는, 용도에 따라 적절히 선택되지만, 복합 시트에 충분한 가요성을 부여하고, 실리콘 웨이퍼에 대한 첩부성을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 10∼500㎛, 보다 바람직하게는 20∼350㎛, 더 바람직하게는 30∼200㎛이다.

또, 상기 지지 시트의 두께에는, 지지 시트를 구성하는 기재의 두께뿐만 아니라, 점착제층을 가질 경우에는, 그들 층이나 막의 두께도 포함한다.

(기재)

지지 시트(10)를 구성하는 기재(11)로서는, 수지 필름이 바람직하다.

당해 수지 필름으로서는, 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름이나 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 에틸렌·프로필렌 공중합체 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등을 들 수 있다.

본 발명의 일 태양에서 사용하는 기재는, 1종류의 수지 필름으로 이루어지는 단층 필름이어도 되고, 2종류 이상의 수지 필름을 적층한 적층 필름이어도 된다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서는, 상술한 수지 필름 등의 기재의 표면에, 표면 처리를 실시한 시트를 지지 시트로서 사용해도 된다.

이들 수지 필름은, 가교 필름이어도 된다.

또한, 이들 수지 필름을 착색한 것, 또는 인쇄를 실시한 것 등도 사용할 수 있다. 또한, 수지 필름은, 열가소성 수지를 압출 성형에 의해 시트화 한 것이어도 되고, 연신된 것이어도 되고, 경화성 수지를 소정 수단에 의해 박막화 및 경화하여 시트화 한 것이 사용되어도 된다.

이들 수지 필름 중에서도, 내열성이 우수하며, 또한, 적당한 유연성을 가지기 위해 익스팬드 적성을 가지고, 픽업 적성도 유지되기 쉽다는 관점에서, 폴리프로필렌 필름을 포함하는 기재가 바람직하다.

또, 폴리프로필렌 필름을 포함하는 기재의 구성으로서는, 폴리프로필렌 필름만으로 이루어지는 단층 구조여도 되고, 폴리프로필렌 필름과 다른 수지 필름으로 이루어지는 복층 구조여도 된다.

이면 보호막 형성용 필름이 열경화성인 경우, 기재를 구성하는 수지 필름이 내열성을 가짐으로써, 기재의 열에 의한 대미지를 억제하고, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서의 결함의 발생을 억제할 수 있다.

지지 시트로서, 기재만으로 구성된 시트를 사용할 경우, 당해 기재의 이면 보호막 형성용 필름의 표면과 접하는 면의 표면 장력으로서는, 박리력을 일정한 범위로 조정하는 관점에서, 바람직하게는 20∼50mN／m, 보다 바람직하게는 23∼45mN／m, 더 바람직하게는 25∼40mN／m이다.

지지 시트를 구성하는 기재의 두께로서는, 바람직하게는 10∼500㎛, 보다 바람직하게는 15∼300㎛, 더 바람직하게는 20∼200㎛이다.

(점착 시트)

본 발명의 일 태양에서 지지 시트(10)로서 사용하는 점착 시트로서는, 상술한 수지 필름 등의 기재(11) 상에, 점착제로 형성한 점착제층(12)을 가지는 것을 들 수 있다.

도 11은, 기재(11) 상에 점착제층(12)이 마련된 지지 시트(10)의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.

지지 시트(10)가 점착제층(12)을 구비하는 것일 때에는, 제2 적층 공정에서, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에, 지지 시트(10)의 점착제층(12)을 첩부한다.

점착제층의 형성 재료인 점착제로서는, 점착성 수지를 포함하는 점착제 조성물을 들 수 있고, 당해 점착제 조성물은, 상술한 가교제나 점착 부여제 등의 범용 첨가제를 더 함유해도 된다.

당해 점착성 수지로서는, 그 수지의 구조에 착목했을 경우, 예를 들면, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지, 비닐에테르계 수지 등을 들 수 있고, 그 수지의 기능에 착목했을 경우, 예를 들면, 에너지선 경화형 점착제나, 가열 발포형 점착제, 에너지선 발포형 점착제 등을 들 수 있다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 박리력을 일정한 범위로 조정하는 관점, 그리고, 픽업성을 양호하게 하는 관점에서, 에너지선 경화형 수지를 포함하는 점착제 조성물로 형성된 에너지선 경화성의 점착제층을 가지는 점착 시트 또는, 미세 점착성의 점착제층을 가지는 점착 시트가 바람직하다.

에너지선 경화형 수지로서는, (메타)아크릴로일기, 비닐기 등의 중합성기를 가지는 수지이면 되지만, 중합성기를 가지는 점착성 수지인 것이 바람직하다.

제1 적층 공정에서, (a) 반도체 웨이퍼 등의 워크에 대하여 이면 보호막 형성용 필름이 전면에 첩부되어 있지 않고, (b) 이면 보호막 형성용 필름의 들뜸이 발생하고, (c) 이면 보호막 형성용 필름에 주름이 발생하는 등의 이면 보호막 형성용 필름의 첩부 불량이 일어났을 경우에, 지지 시트는, 이면 보호막 형성용 필름의 박리용 시트도 겸할 수 있다. 제1 적층 공정에서, 이면 보호막 형성용 필름의 첩부 불량이 일어났을 경우에도, 그대로, 제2 적층 공정을 거쳐, 제3 적층체를 제조한다. 그 후, 반도체 웨이퍼 등의 워크로부터, 이면 보호막 형성용 필름을 지지 시트와 함께 탈리시킴으로써, 반도체 웨이퍼 등의 워크를 리워크할 수 있다. 이때, 생산 택트를 고려하면, 링 프레임 등의 고정용 지그로부터 신속하게 지지 시트를 벗길 필요가 있으며, 지그용 점착제층은, 에너지선 경화성인 것이 바람직하다. 또한, 기재 상에, 에너지선 경화성의 점착제층이 마련된 지지 시트를 사용함으로써, 지그용 점착제층을 개재하지 않고, 링 프레임 등의 고정용 지그에, 직접 지지 시트를 고정할 수 있으며, 또한, 자외선 등의 에너지선을 조사함으로써, 리워크성이 우수한 것으로 할 수 있다.

또한, 박리력을 일정한 범위로 조정하는 관점에서, 아크릴계 수지를 포함하는 점착제가 바람직하다.

당해 아크릴계 수지로서는, 알킬(메타)아크릴레이트에 유래하는 구성 단위(x1)를 가지는 아크릴계 중합체가 바람직하고, 구성 단위(x1)와, 관능기 함유 모노머에 유래하는 구성 단위(x2)를 가지는 아크릴계 공중합체가 보다 바람직하다.

상기 알킬(메타)아크릴레이트가 가지는 알킬기의 탄소수로서는, 바람직하게는 1∼18, 보다 바람직하게는 1∼12, 더 바람직하게는 1∼8이다.

당해 알킬(메타)아크릴레이트로서는, 상술한 바인더 폴리머 성분의 부분에서 설명한 알킬(메타)아크릴레이트와 같은 것을 들 수 있다.

또, 알킬(메타)아크릴레이트는, 단독으로 또는 2종 이상을 병용해도 된다.

구성 단위(x1)의 함유량은, 아크릴계 중합체의 전체 구성 단위(100질량％)에 대하여, 통상 50∼100질량％, 바람직하게는 50∼99.9질량％, 보다 바람직하게는 60∼99질량％, 더 바람직하게는 70∼95질량％이다.

상기 관능기 함유 모노머로서는, 예를 들면, 히드록시기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있고, 각각의 모노머의 구체예는, 바인더 폴리머 성분의 부분에서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다.

또, 이들은, 단독으로 또는 2종 이상을 병용해도 된다.

구성 단위(x2)의 함유량은, 아크릴계 중합체의 전체 구성 단위(100질량％)에 대하여, 통상 0∼40질량％, 바람직하게는 0.1∼40질량％, 보다 바람직하게는 1∼30질량％, 더 바람직하게는 5∼20질량％이다.

또한, 본 발명의 일 태양에서 사용하는 아크릴계 수지로서는, 상기 구성 단위 (x1) 및 (x2)를 가지는 아크릴계 공중합체에 대하여, 또한 에너지선 중합성기를 가지는 화합물과 반응하여 얻어지는, 에너지선 경화형 아크릴계 수지여도 된다.

에너지선 중합성기를 가지는 화합물로서는, (메타)아크릴로일기, 비닐기 등의 중합성기를 가지는 화합물이면 된다.

아크릴계 수지를 포함하는 점착제를 사용할 경우, 박리력을 일정한 범위로 조정하는 관점에서, 아크릴계 수지와 함께, 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.

당해 가교제로서는, 예를 들면, 이소시아네이트계 가교제, 이민계 가교제, 에폭시계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 카르보디이미드계 가교제 등을 들 수 있지만, 박리력을 일정한 범위로 조정하는 관점에서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.

가교제의 함유량은, 상기 점착제 중에 포함되는 아크릴계 수지의 전체 질량(100질량부)에 대하여, 바람직하게는 0.01∼20질량부, 보다 바람직하게는 0.1∼15질량부, 더 바람직하게는 0.5∼10질량부, 보다 더 바람직하게는 1∼8질량부이다.

지지 시트(10)는, 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 다층으로 이루어지는 것이어도 된다. 지지 시트가 복수층으로 이루어질 경우, 이들 복수층의 구성 재료 및 두께는, 서로 동일해도 달라도 되고, 이들 복수층의 조합은, 본 발명의 효과를 해치지 않는 한, 특별히 한정되지 않는다.

또, 본 명세서에 있어서는, 지지 시트의 경우에 한하지 않고, 「복수층이 서로 동일해도 달라도 된다」는 것은, 「모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 달라도 되고, 일부의 층만 동일해도 된다」는 것을 의미하고, 「복수층이 서로 다르다」는 것은, 「각 층의 구성 재료 및 두께 중 적어도 일방이 서로 다른」 것을 의미한다.

지지 시트는, 투명해도 되고, 불투명해도 되고, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다.

예를 들면, 이면 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 가질 경우에는, 지지 시트는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다.

예를 들면, 이면 보호막 형성용 필름을, 지지 시트를 개재하여 광학적으로 검사하기 위해서는, 지지 시트는 투명한 것이 바람직하다.

본 실시형태에 있어서, 워크(14)의 회로면(14a)은, 회로면 보호용 테이프(17)로 보호되어 있으며, 상기 제2 적층 공정 후에, 워크(14)의 회로면(14a)으로부터, 회로면 보호용 테이프(17)를 박리시키는 박리 공정을 포함할 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 회로면 보호용 테이프(17)는, 회로면(14a)에 점착되어 있는 측에, 에너지선의 조사에 의해 경화하여 재박리성이 되는 에너지선 경화성의 점착제층을 가진다. 상기 박리 공정에서는, 회로면 보호용 테이프(17)의 점착제층에 에너지선을 조사하여, 점착제층을 경화하여 재박리성으로 시킴으로써, 워크(14)의 회로면(14a)으로부터, 회로면 보호용 테이프(17)를 용이하게 박리시킬 수 있다.

본 실시형태의 제3 적층체의 제조 방법은, 이면 보호막 형성용 필름(13)에, 지지 시트(10)측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정을 포함하는 것이어도 된다. 본 실시형태의 제3 적층체의 제조 방법은, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에, 지지 시트(10)를 적층하므로, 지지 시트(10)측으로부터 지지 시트 너머로 레이저를 조사하면, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에 레이저 마킹하게 되어, 조면(13a)에 레이저 마킹할 경우에 비해, 보다 선명하게 레이저 마킹할 수 있다.

도 10에 나타나는 종래의 이면 보호막 부착 반도체 칩의 제조 방법의 일례에서는, 도 10의 (A')에서 보호막 형성용 복합 시트(1)의 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)이 반도체 웨이퍼(8)의 이면(8b)에 점착되므로, 도 10의 (D')에서 지지 시트(10)측으로부터 지지 시트 너머로 레이저를 조사할 경우, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 조면(13a)에 레이저 마킹하게 된다. 이면 보호막 형성용 필름(13)의 조면(13a)과 지지 시트(10)와의 계면은 밀착성이 손상되므로, 지지 시트 너머로 레이저를 조사하면, 레이저 조사된 곳에서, 이면 보호막 형성용 필름(13)과 지지 시트(10)와의 계면에서 인자된 문자나 기호의 윤곽이 흐려져 버려, 인자 후의 시인성이 손상된다.

한편, 본 실시형태의 제3 적층체의 제조 방법은, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에, 지지 시트(10)를 적층하므로, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)과 지지 시트(10)와의 계면은 양호한 밀착성이 유지된다. 따라서, 그 후, 지지 시트(10)측으로부터 지지 시트 너머로 레이저를 조사할 경우, 도 1의 (b)∼도 1의 (e) 및 도 4의 (f)에 나타나는 바와 같이, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에 레이저 마킹하게 되어, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)과 지지 시트(10)와의 계면에서 인자된 문자나 기호가 번지는 것이 방지되므로, 조면(13a)에 레이저 마킹할 경우에 비해, 보다 선명하게 레이저 마킹할 수 있다.

또한, 본 실시형태의 제3 적층체의 제조 방법은, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에, 지지 시트(10)를 적층하므로, 그 후, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막(13')으로 한 후에, 지지 시트(10)측으로부터 지지 시트 너머로 레이저를 조사해도, 이면 보호막(13')의 평활면(13'b)에 레이저 마킹하게 되어, 조면(13'a)에 레이저 마킹할 경우에 비해, 보다 선명하게 레이저 마킹할 수 있다.

도 9에 나타나는 종래의 이면 보호막 부착 반도체 칩의 제조 방법의 일례에서는, 도 9의 (B)에서, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)이 노출된 상태에서 열경화된다. 한편, 본 실시형태의 제3 적층체의 제조 방법은, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에, 지지 시트(10)를 적층하므로, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시킬 때, 지지 시트(10)에 접촉하여, 평활면(13b)이 보호된 상태가 된다. 따라서, 그 후, 지지 시트(10)측으로부터 지지 시트 너머로 레이저를 조사해도, 경화 공정에서 지지 시트(10)로 보호된 상태인, 이면 보호막(13')의 평활면(13'b)에 레이저 마킹하게 되어, 노출된 상태에서 열경화된 이면 보호막(13')의 평활면(13'b)에 레이저 마킹할 경우에 비해, 보다 선명하게 레이저 마킹할 수 있다.

도 3은, 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 또, 도 3 이후의 도면에서, 이미 설명이 끝난 상태인 도면에 나타내는 것과 같은 구성 요소에는, 그 설명이 끝난 상태인 도면의 경우와 같은 부호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다.

본 실시형태에 있어서, 워크(14)는, 적어도 한 개의 전자 부품(62)이 봉지 수지층(64)에 의해 봉지된 반도체 장치가, 평면적으로 나란히 배치된 집합체로 이루어지는 반도체 장치 패널이다. 본 실시형태의 제3 적층체의 제조 방법은, 워크(14)인 반도체 장치 패널과, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 지지 시트(10)가, 이 순으로 적층된 제3 적층체(19)의 제조 방법으로서, 워크(14)인 반도체 장치 패널의, 일방의 면이 회로면이고, 타방의 면이 이면(14b)이며(도 3의 (a')), 이면 보호막 형성용 필름(13)의, 일방의 면이 평활면(13b)이고, 타방의 면이 평활면(13b)보다 거친 조면(13a)이며, 워크(14)의 이면(14b)에, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 조면(13a)을 마주보게 첩부하는 제1 적층 공정(도 3의 (b'))과, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에, 지지 시트(10)를 첩부하는 제2 적층 공정(도 3의 (c'))을, 이 순으로 포함한다(도 3의 (a')∼도 3의 (d')).

본 실시형태에 있어서, 반도체 장치 패널은, 개개의 반도체 장치가 대략 원형인 영역 내에 평면적으로 나란히 형성된 것이어도 되고, 개개의 반도체 장치가 대략 직사각형인 영역 내에 평면적으로 나란히 형성된 것이어도 된다.

도 3에 나타나는 본 실시형태에 있어서도, 도 1에 나타나는 실시형태와 마찬가지로, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에, 지지 시트(10)를 적층하므로, 지지 시트(10)측으로부터 지지 시트 너머로 레이저를 조사하면, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b) 또는 이면 보호막(13')의 평활면(13'b)에 레이저 마킹하게 되어, 조면(13a) 또는 조면(13'a)에 레이저 마킹할 경우에 비해, 보다 선명하게 레이저 마킹할 수 있다. 또한, 그 후, 경화 공정에서 지지 시트(10)로 보호된 상태인, 이면 보호막(13')의 평활면(13'b)에 레이저 마킹하게 되므로, 지지 시트(10)측으로부터 지지 시트 너머로 레이저를 조사해도, 노출된 상태에서 열경화된 이면 보호막(13')의 평활면(13'b)에 레이저 마킹할 경우에 비해, 보다 선명하게 레이저 마킹할 수 있다.

<<제4 적층체의 제조 방법>>

본 실시형태의 제4 적층체의 제조 방법은, 상기 제3 적층체의 제조 방법으로 제조된 제3 적층체(19)의, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하는 경화 공정을 포함하는, 워크(14)와, 이면 보호막(13')과, 지지 시트(10)가, 이 순으로 적층된 제4 적층체(19')의 제조 방법이다.

도 4는, 제4 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 제4 적층체의 제조 방법은, 상기 제2 적층 공정 후에, 워크(14)의 회로면(14a)으로부터, 회로면 보호용 테이프(17)를 박리시키는 박리 공정(도 4의 (e))과, 이면 보호막 형성용 필름(13)에, 지지 시트(10)측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정(도 4의 (f))과, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하는 경화 공정(도 4의 (g))을 포함한다. 본 실시형태에서는 열경화성의 이면 보호막 형성용 필름을 사용하고 있으며, 본 실시형태의 경화 공정에서는, 130℃, 2h의 조건으로 열경화시키고 있다.

열경화성의 이면 보호막 형성용 필름을 열처리하여 열경화시켜, 이면 보호막을 형성할 때의 경화 조건은, 이면 보호막이 충분히 그 기능을 발휘할 정도의 경화도가 되는 한, 특별히 한정되지 않고, 열경화성의 이면 보호막 형성용 필름의 종류에 따라, 적절히 선택하면 된다.

예를 들면, 열경화 시의 가열 온도는, 100∼200℃인 것이 바람직하고, 110∼180℃인 것이 보다 바람직하고, 120∼170℃인 것이 특히 바람직하다. 그리고, 상기 열경화 시의 가열 시간은 0.5∼5시간인 것이 바람직하고, 0.5∼3시간인 것이 보다 바람직하고, 1∼2시간인 것이 특히 바람직하다. 경화 공정에서, 열경화시킬 경우, 상기 박리 공정의 순번은, 회로면 보호용 테이프(17)의 내열성을 고려하여, 경화 공정보다 전인 것이 바람직하다.

도 4에서 나타나는 본 실시형태에 있어서는, 상술한 바와 같이, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에 지지 시트(10)가 적층되어 있으므로, 지지 시트(10)측으로부터 지지 시트 너머로 레이저를 조사하면, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에 레이저 마킹하게 되어, 조면(13a)에 레이저 마킹할 경우에 비해, 보다 선명하게 레이저 마킹할 수 있다.

도 5는, 제4 적층체의 제조 방법의 실시형태의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 제4 적층체의 제조 방법은, 상기 제2 적층 공정 후에, 워크(14)의 회로면(14a)으로부터, 회로면 보호용 테이프(17)를 박리시키는 박리 공정(도 5의 (e))과, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하는 경화 공정(도 5의 (f'))과, 이면 보호막(13')에, 지지 시트(10)측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정(도 5의 (g'))을 포함한다.

도 5에서 나타나는 본 실시형태에 있어서는, 상술한 바와 같이, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 평활면(13b)에 지지 시트(10)가 적층되어 있으므로, 지지 시트(10)측으로부터 지지 시트 너머로 레이저를 조사하면, 이면 보호막(13')의 평활면(13'b)에 레이저 마킹하게 되어, 조면(13'a)에 레이저 마킹할 경우에 비해, 보다 선명하게 레이저 마킹할 수 있다. 또한, 경화 공정에서 지지 시트(10)로 보호된 상태인, 이면 보호막(13')의 평활면(13'b)에 레이저 마킹하게 되므로, 지지 시트(10)측으로부터 지지 시트 너머로 레이저를 조사하면, 노출된 상태에서 열경화 된 이면 보호막(13')의 평활면(13'b)에 레이저 마킹할 경우에 비해, 보다 선명하게 레이저 마킹할 수 있다.

<<이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법>>

도 6은, 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 제4 적층체의 제조 방법으로 제조된 제4 적층체(19')의, 워크(14) 및 이면 보호막(13')을 다이싱하여, 이면 보호막 부착 반도체 장치(21)로하는 공정(도 6의 (h) 및 도 6의 (i))과, 이면 보호막 부착 반도체 장치(21)를, 지지 시트(10)로부터 픽업하는 공정(도 6의 (j))을 포함한다.

도 7은, 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 제3 적층체의 제조 방법으로 제조된 제3 적층체(19)의, 이면 보호막 형성용 필름(13) 및 워크(14)를 다이싱하여, 이면 보호막 형성용 필름 부착 반도체 장치(21')로 하는 공정(도 7의 (h') 및 도 7의 (i'))과, 이면 보호막 형성용 필름 부착 반도체 장치(21')를, 지지 시트(10)로부터 픽업하는 공정(도 7의 (j'))과, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하는 경화 공정(도 7의 (k'))을 포함한다.

도 8은, 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 제3 적층체의 제조 방법으로 제조된 제3 적층체(19)의, 이면 보호막 형성용 필름(13) 및 워크(14)를 다이싱하여, 이면 보호막 형성용 필름 부착 반도체 장치(21')로 하는 공정(도 8의 (h') 및 도 8의 (i'))과, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하는 경화 공정(도 8의 (j'))과, 이면 보호막 부착 반도체 장치(21)를, 지지 시트(10)로부터 픽업하는 공정을 포함한다.

본 실시형태의 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법은, 이면 보호막 형성용 필름(13)이 열경화성이며, 본 실시형태의 이면 보호막으로 하는 공정에서는, 예를 들면, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 130℃, 2h의 조건으로 열경화시키고 있다.

열경화성의 이면 보호막 형성용 필름을 열경화시켜, 이면 보호막을 형성할 때의 경화 조건은, 상술한 바와 같이, 이면 보호막이 충분히 그 기능을 발휘할 정도의 경화도가 되는 한, 특별히 한정되지 않고, 열경화성의 이면 보호막 형성용 필름의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.

본 실시형태의 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법은, 이면 보호막 형성용 필름(13)이 에너지선 경화성이며, 상기 이면 보호막으로 하는 공정이, 이면 보호막 형성용 필름(13)에 에너지선을 조사하여 에너지선 경화시키는 공정이어도 된다.

에너지선 경화성의 이면 보호막 형성용 필름을 에너지선 경화시켜, 보호막을 형성할 때의 경화 조건은, 보호막이 충분히 그 기능을 발휘할 정도의 경화도가 되는 한 특별히 한정되지 않고, 에너지선 경화성 이면 보호막 형성용 필름의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.

예를 들면, 에너지선 경화성 이면 보호막 형성용 필름의 에너지선 경화 시에 있어서의 에너지선의 조도는, 4∼280mW／㎠ 인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 경화 시에 있어서의 에너지선의 광량은, 3∼1000mJ／㎠ 인 것이 바람직하다.

에너지선 경화성의 이면 보호막 형성용 필름으로서는, 예를 들면, 국제공개 제2017／188200호, 국제공개 제2017／188218호에 개시된 것을 사용할 수도 있다.

(실시예)

이하, 구체적인 실시예에 의해, 본 발명에 대해서 보다 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 이하에 나타내는 실시예에, 아무런 한정되는 것이 아니다.

[실시예 1]

다음 각 성분을, 표 1에 나타내는 배합비(고형분 환산)로 혼합하고, 고형분 농도가 보호막 형성 조성물의 총 질량에 대하여, 50질량％가 되도록 메틸에틸케톤으로 희석하여, 이면 보호막 형성용 필름을 형성하기 위한 보호막 형성 조성물을 조제했다.

(A-1): 바인더 폴리머: n-부틸아크릴레이트 55질량부, 메틸아크릴레이트 10질량부, 글리시딜메타크릴레이트 20질량부 및 2-히드록시에틸아크릴레이트 15질량부를 공중합하여 이루어지는 (메타)아크릴산에스테르 공중합체(중량 평균 분자량: 80만, 유리 전이 온도: -28℃)

(B-1) 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠사제, jER828, 에폭시 당량 184∼194g／eq)

(B-2) 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠사제, jER1055, 에폭시 당량 800∼900g／eq)

(B-3) 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사제, 에피크론 HP-7200HH, 에폭시 당량 255∼260g／eq)

(B-4) 크레졸노볼락형 에폭시 수지(니혼가야쿠사제 EOCN-104, 에폭시 당량 220g／eq)

(C-1) 열활성 잠재성 에폭시 수지 경화제: 디시안디아미드(ADEKA사제, 아데카 하드너 EH-3636AS, 활성 수소량 21g／eq)

(D-1) 경화 촉진제: 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(시코쿠가세이고교사제, 큐어졸 2PHZ)

(E-1) 부정형 실리카 필러(타츠모리사제, SV-10 평균 입경 8㎛)

(F-1) 실란 커플링제: γ-글리시독시프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠고교사제, KBM403, 메톡시 당량: 12.7mmol／g, 분자량: 236.3)

(G-1) 착색제: 프탈로시아닌계 청색 색소(Pigment Blue 15:3) 32질량부와, 이소인돌리논계 황색 색소(Pigment Yellow 139) 18질량부와, 안트라퀴논계 적색 색소(Pigment Red 177) 50질량부를 혼합하고, 상기 3종의 색소의 합계량／스티렌아크릴 수지량＝1／3(중량비)이 되도록 안료화하여 얻어진 안료.

(이면 보호막 형성용 필름의 형성)

폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)제 필름의 편면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리되어 이루어지는 박리 필름(린텍사제 「SP-PET501031」, 두께 50㎛, 상기 제2 박리 필름에 상당)의 박리 처리면(표면 거칠기(Ra): 30㎚)에, 상기에서 얻어진 조성물(Ⅲ-1)을 도공하고, 100℃에서 3분 건조시킴으로써, 두께가 25㎛인 이면 보호막 형성용 필름을 형성했다.

또한, 이 이면 보호막 형성용 필름의 노출면(박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측의 표면)에, 별도로, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)제 필름의 편면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리되어 이루어지는 박리 필름(린텍사제 「SP-PET381031」, 두께 38㎛, 상기 제1 박리 필름에 상당)의 박리 처리면(표면 거칠기(Ra): 30㎚)을, 제1 박리 필름측으로부터, 라미네이트 롤로, 온도: 23±5℃, 압력: 0.4㎫, 속도: 1m／min의 조건으로 첩합하여, 이면 보호막 형성용 필름의 양면에 박리 필름이 적층된 적층 시트(즉, 제1 적층체)를 제작했다.

(박리 불량의 발생 빈도 평가)

제2 박리 필름／이면 보호막 형성용 필름／제1 박리 필름의 적층 시트를 A4 사이즈로 10매 제작했다.

상기 적층 시트로부터, 제1 박리 필름을 A4 사이즈의 단변측으로부터 벗겼다.

10매의 적층 시트 중, 제1 박리 필름을 A4 사이즈의 단변측으로부터, 벗기기 시작할 때에, 박리 불량이 발생한 매수를 이하의 기준으로 판정하고, 박리 불량의 발생 빈도를 평가했다.

박리 불량 발생 0∼1매 … A: 매우 좋음.

박리 불량 발생 2∼3매 … B: 좋음.

박리 불량 발생 4∼5매 … C: 보통.

박리 불량 발생 6∼10매 … D: 뒤떨어짐.

(표면 거칠기(Ra)의 측정)

광간섭식 표면 형상 측정 장치(Veeco Metrology Group사제, 제품명 「WYKO WT1100」)를 이용하여, PSI 모드로 배율 10배로, 측정 대상의 표면의 표면 거칠기(Ra)를, 면 내에서 10점 측정하고, 평균치의 소수 첫째 자리를 반올림하여 정수의 수치를 얻었다.

제2 박리 필름／이면 보호막 형성용 필름／제1 박리 필름의 적층 시트에 대해서, 제1 박리 필름을 박리시킴으로써, 미경화의 이면 보호막 형성용 필름의 워크측의 표면 거칠기(Ra)를 측정하고, 제2 박리 필름을 박리시킴으로써, 이면 보호막 형성용 필름의 지지 시트측의 표면 거칠기(Ra)를 측정했다.

[지지 시트의 제조]

박리 필름(린텍사제 「SP-PET381031」, 두께 38㎛)의 박리 처리면에, 점착제 조성물을 도공하고, 100℃에서 3분 건조시켜, 자외선 경화형의 점착제층(건조 후 두께 10㎛)을 형성하고, 노출면(박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측의 표면)에, 별도로, 기재인 폴리프로필렌 필름(두께 80㎛, 군제사제)을 첩합하여 지지 시트를 얻었다.

상기 점착제 조성물은, (메타)아크릴산알킬에스테르 공중합체 100질량부(고형분), 3관능 자일릴렌디이소시아네이트계 가교제(미쓰이다케다케미컬사제 「타케네이트 D110N」) 6.6질량부(고형분), 및 광중합개시제(BASF사제 「이루가큐어 127」) 3.0질량부(고형분)를 함유하고, 메틸에틸케톤, 톨루엔 및 아세트산에틸의 혼합 용매를 사용하여, 고형분 농도를 30질량％로 조절한 것이다. 또한, 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 공중합체는, 아크릴산2-에틸헥실(이하 「2EHA」로 약기할 수 있음) 70질량부와, 아세트산비닐(이하 「VAc」로 약기할 수 있음) 10질량부와, 아크릴산2-히드록시에틸(이하 「HEA」로 약기할 수 있음) 20질량부를 공중합시켜 얻어진 프리 공중합체는, 또한, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(메타크릴산2-이소시아나토에틸, 이하, 「MOI」로 약기할 수 있음) 21.4질량부(HEA 중의 수산기의 총 몰수에 대하여, MOI 중의 이소시아네이트기의 총 몰수가 0.8배 되는 양)를 반응시켜 얻어진, 중량 평균 분자량 700000의 자외선 경화형 아크릴계 공중합체이다.

(워크)

워크로서, #2000 연마면을 가지는, 12인치 실리콘 웨이퍼(두께 100㎛)를 사용했다.

(제3 적층체의 제조)

제3 적층체의 제조에 있어서, 동일 장치 내에서, 제1 박리 필름을 박리하는 기구와, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 기구와, 제2 박리 필름을 박리하는 기구와, 지지 시트를 첩부하는 기구를 연속시켜, 각 기구간에 있어서, 워크인 실리콘 웨이퍼 이면 보호막 형성용 필름이 첩부된 제2 적층체를, 반송 아암을 이용하여, 한 장씩 반송하여 행했다.

처음에, 제2 박리 필름／이면 보호막 형성용 필름／제1 박리 필름으로 이루어지는 적층 시트(즉, 제1 적층체)로부터, 이면 보호막 형성용 필름 및 제1 박리 필름을, 워크인 실리콘 웨이퍼의 형상으로 따내기 가공함과 함께 제1 박리 필름을 박리하고, 상기 실리콘 웨이퍼의 #2000 연마면에, 온도: 23℃, 압력: 0.5㎫의 조건으로, 제2 박리 필름／이면 보호막 형성용 필름을 첩부했다.

다음으로, 이 제2 박리 필름／이면 보호막 형성용 필름／실리콘 웨이퍼로 이루어지는 적층체로부터, 제2 박리 필름을 박리하고, 워크인 실리콘 웨이퍼에 이면 보호막 형성용 필름이 첩부된 제2 적층체를 얻었다.

또한, 상기 지지 시트의 박리 필름을 박리하고, 동일 장치 내에 가지는 웨이퍼 마운터를 이용하여, 상기 지지 시트의 점착제층의 노출면과, 상기 이면 보호막 형성용 필름의 노출면을, 첩부 속도: 20㎜／s, 프레스압: 0.3㎫의 첩부 조건으로 첩합하고, 지지 시트, 이면 보호막 형성용 필름 및 반도체 웨이퍼가 이 순으로 적층되어 구성된 제3 적층체를 얻었다.

실리콘 웨이퍼에 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 제1 적층 공정의 첩부 개시 시부터, 이면 보호막 형성용 필름에 지지 시트를 첩부하는 제2 적층 공정의 첩부 완료 시까지의 사이의 워크 반송 시간은 60s였다.

실리콘 웨이퍼에 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 제1 적층 공정의 첩부 개시 지점으로부터, 이면 보호막 형성용 필름에 지지 시트를 첩부하는 제2 적층 공정의 첩부 완료 지점까지의 사이의 워크 반송 거리는 2900㎜였다.

(열경화)

제3 적층체를 130℃, 2h의 조건으로, 열처리하여, 지지 시트, 이면 보호막 및 실리콘 웨이퍼가 이 순으로 적층되어 구성된 제4 적층체를 얻었다.

(레이저 마킹 평가)

제4 적층체에 대해서, 레이저 인자 장치(EO 테크닉스사제 「CSM300M」)를 이용하여, 제4 적층체 중의 이면 보호막 중, 점착제층측의 면에, 지지 시트 너머로 레이저광을 조사함으로써, 인자를 행했다. 이때, 0.3㎜×0.2㎜ 크기의 문자를 인자했다.

그 다음에, 이 이면 보호막의 인자(레이저 인자)를, 지지 시트를 개재하여 육안으로 관찰하고, 하기 기준에 따라서, 인자(문자)의 시인성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

○: 인자는, 선명하며, 용이하게 시인 가능하다.

×: 인자는, 불선명하며, 시인 불가능하다.

[표 1]

[실시예 2]

실시예 1에서, 제2 박리 필름／이면 보호막 형성용 필름／제1 박리 필름의 적층 시트(즉, 제1 적층체)를 제작할 때의, 이면 보호막 형성용 필름의 노출면에 제1 박리 필름을 첩합하는 조건을, 온도: 40℃, 압력: 0.5㎫, 속도: 1m／min의 조건으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 박리 불량이 발생한 매수를 조사하여, 박리 불량의 발생 빈도를 평가하고, 표면 거칠기(Ra)를 측정했다.

또한, 실시예 1과 마찬가지로, 제2 적층체, 제3 적층체 및 제4 적층체를 제조하고, 레이저 마킹 평가를 했다. 결과를 표 1에 나타냈다.

[실시예 3]

실시예 1에서, 제2 박리 필름／이면 보호막 형성용 필름／제1 박리 필름의 적층 시트(즉, 제1 적층체)를 제작할 때의, 이면 보호막 형성용 필름의 노출면에 제1 박리 필름을 첩합하는 조건을, 온도: 50℃, 압력: 0.5㎫, 속도: 1m／min의 조건으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 박리 불량이 발생한 매수를 조사하여, 박리 불량의 발생 빈도를 평가하고, 표면 거칠기(Ra)를 측정했다.

또한, 실시예 1과 마찬가지로, 제2 적층체, 제3 적층체 및 제4 적층체를 제조하고, 레이저 마킹 평가를 했다. 결과를 표 1에 나타냈다.

[실시예 4]

실시예 1에서, 제2 박리 필름／이면 보호막 형성용 필름／제1 박리 필름의 적층 시트(즉, 제1 적층체)를 제작할 때의, 이면 보호막 형성용 필름의 노출면에 제1 박리 필름을 첩합하는 조건을, 온도: 60℃, 압력: 0.5㎫, 속도: 1m／min의 조건으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 박리 불량이 발생한 매수를 조사하여, 박리 불량의 발생 빈도를 평가하고, 표면 거칠기(Ra)를 측정했다.

또한, 실시예 1과 마찬가지로, 제2 적층체, 제3 적층체 및 제4 적층체를 제조하고, 레이저 마킹 평가를 했다. 결과를 표 1에 나타냈다.

[실시예 5]

실시예 1에서, 제2 박리 필름／이면 보호막 형성용 필름／제1 박리 필름의 적층 시트(즉, 제1 적층체)를 제작할 때의, 이면 보호막 형성용 필름의 노출면에 제1 박리 필름을 첩합하는 조건을, 온도: 70℃, 압력: 0.5㎫, 속도: 1m／min의 조건으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 박리 불량이 발생한 매수를 조사하여, 박리 불량의 발생 빈도를 평가하고, 표면 거칠기(Ra)를 측정했다.

또한, 실시예 1과 마찬가지로, 제2 적층체, 제3 적층체 및 제4 적층체를 제조하고, 레이저 마킹 평가를 했다. 결과를 표 1에 나타냈다.

[실시예 6]

실시예 1에서, 제2 박리 필름／이면 보호막 형성용 필름／제1 박리 필름의 적층 시트(즉, 제1 적층체)를 제작할 때의, 이면 보호막 형성용 필름의 노출면에 제1 박리 필름을 첩합하는 조건을, 온도: 70℃, 압력: 0.7㎫, 속도: 1m／min의 조건으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 박리 불량이 발생한 매수를 조사하여, 박리 불량의 발생 빈도를 평가하고, 표면 거칠기(Ra)를 측정했다.

또한, 실시예 1과 마찬가지로, 제2 적층체, 제3 적층체 및 제4 적층체를 제조하고, 레이저 마킹 평가를 했다. 결과를 표 1에 나타냈다.

[실시예 7]

실시예 1에서, 제2 박리 필름／이면 보호막 형성용 필름／제1 박리 필름의 적층 시트(즉, 제1 적층체)를 제작할 때의, 이면 보호막 형성용 필름의 노출면에 제1 박리 필름을 첩합하는 조건을, 온도: 70℃, 압력: 0.8㎫, 속도: 1m／min의 조건으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 박리 불량이 발생한 매수를 조사하여, 박리 불량의 발생 빈도를 평가하고, 표면 거칠기(Ra)를 측정했다.

또한, 실시예 1과 마찬가지로, 제2 적층체, 제3 적층체 및 제4 적층체를 제조하고, 레이저 마킹 평가를 했다. 결과를 표 1에 나타냈다.

[실시예 8]

실시예 1에서, 제2 박리 필름／이면 보호막 형성용 필름／제1 박리 필름의 적층 시트(즉, 제1 적층체)를 제작할 때의, 이면 보호막 형성용 필름의 노출면에 제1 박리 필름을 첩합하는 조건을, 온도: 70℃, 압력: 0.9㎫, 속도: 1m／min의 조건으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 박리 불량이 발생한 매수를 조사하여, 박리 불량의 발생 빈도를 평가하고, 표면 거칠기(Ra)를 측정했다.

또한, 실시예 1과 마찬가지로, 제2 적층체, 제3 적층체 및 제4 적층체를 제조하고, 레이저 마킹 평가를 했다. 결과를 표 1에 나타냈다.

[비교예 1]

(이면 보호막 형성용 필름의 형성)

폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)제 필름의 편면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리되어 이루어지는 박리 필름(테이진듀퐁필름사제, U4Z-50, 두께: 50㎛, 상기 제2 박리 필름에 상당)의 박리 처리면(표면 거칠기: 218㎚)에, 상기에서 얻어진 조성물(Ⅲ-1)을 도공하고, 100℃에서 3분 건조시킴으로써, 두께가 25㎛인 이면 보호막 형성용 필름을 형성했다.

또한, 이 이면 보호막 형성용 필름의 노출면(박리 필름을 구비하고 있는 측과 반대측의 표면)에, 별도로, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)제 필름의 편면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리되어 이루어지는 박리 필름(린텍사제 「SP-PET381031」, 두께 38㎛, 상기 제1 박리 필름에 상당)의 박리 처리면(표면 거칠기: 30㎚)을, 제1 박리 필름측으로부터, 라미네이트 롤로, 온도: 70℃, 압력: 0.9㎫, 속도: 1m／min의 조건으로 첩합하여, 이면 보호막 형성용 필름의 양면에 박리 필름이 적층된 적층 시트(즉, 제1 적층체)를 제작했다.

실시예 1과 마찬가지로 하여, 박리 불량이 발생한 매수를 조사하여, 박리 불량의 발생 빈도를 평가하고, 표면 거칠기(Ra)를 측정했다.

또한, 실시예 1과 마찬가지로, 제2 적층체, 제3 적층체 및 제4 적층체를 제조하고, 레이저 마킹 평가를 했다. 결과를 표 1에 나타냈다.

[표 2]

본 발명의 제3 적층체의 제조 방법, 및 제4 적층체의 제조 방법은, 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조에 이용할 수 있다.

1: 보호막 형성용 복합 시트
5: 제1 적층체
6: 제2 적층체
7: 이면 보호막 부착 반도체 칩
8: 반도체 웨이퍼
8b: 반도체 웨이퍼의 이면
9: 반도체 칩
10: 지지 시트
11: 기재
12: 점착제층
13: 이면 보호막 형성용 필름
13': 이면 보호막
13a: 이면 보호막 형성용 필름의 조면
13b: 이면 보호막 형성용 필름의 평활면
14: 워크
14a: 워크의 회로면
14b: 워크의 이면
151: 제1 박리 필름
152: 제2 박리 필름
16: 지그용 점착제층
17: 회로면 보호용 테이프
18: 고정용 지그
19: 제3 적층체
19': 제4 적층체
20: 반도체 장치
21: 이면 보호막 부착 반도체 장치
21': 이면 보호막 형성용 필름 부착 반도체 장치
62: 전자 부품
63: 회로 기판
63a: 단자 형성면
64: 봉지 수지층

Claims (19)

1. 워크와, 이면 보호막 형성용 필름과, 지지 시트가, 이 순으로 적층된 제3 적층체의 제조 방법으로서,
   상기 워크의, 일방의 면이 회로면이고, 타방의 면이 이면이며,
   상기 이면 보호막 형성용 필름의, 일방의 면이 평활면이고, 타방의 면이 상기 평활면보다 거친 조면(粗面)이며,
   상기 워크의 상기 이면에, 상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 조면을 마주보게 첩부하는 제1 적층 공정과,
   상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 평활면에, 상기 지지 시트를 첩부하는 제2 적층 공정을, 이 순으로 포함하는, 제3 적층체의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서,
   적어도, 상기 제1 적층 공정으로부터 상기 제2 적층 공정까지의 사이를, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치와 지지 시트를 첩부하는 장치를 연결시켜 행하거나, 또는, 동일한 장치 내에서 행하는, 제3 적층체의 제조 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 제1 적층 공정으로부터 상기 제2 적층 공정까지의 사이에 있어서, 상기 워크에 상기 이면 보호막 형성용 필름이 첩부된 제2 적층체를 한 장씩 반송하는, 제3 적층체의 제조 방법.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 지점으로부터 상기 제2 적층 공정의 첩부 완료 지점까지의 사이의 상기 워크의 반송 거리가 7000㎜ 이하인, 제3 적층체의 제조 방법.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 시부터 상기 제2 적층 공정의 첩부 완료 시까지의 사이의 상기 워크의 반송 시간이 150s 이하인, 제3 적층체의 제조 방법.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 워크의 상기 회로면이, 회로면 보호용 테이프로 보호되어 있고,
   상기 제2 적층 공정 후에, 상기 워크의 상기 회로면으로부터, 상기 회로면 보호용 테이프를 박리시키는 박리 공정을 포함하는, 제3 적층체의 제조 방법.
7. 제6항에 있어서,
   상기 워크의 상기 이면이 연삭된 면이며, 상기 회로면 보호용 테이프가 이면 연삭용 테이프인, 제3 적층체의 제조 방법.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 워크가 반도체 웨이퍼인, 제3 적층체의 제조 방법.
9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 워크가, 적어도 한 개의 전자 부품이 봉지 수지에 의해 봉지된 반도체 장치의 집합체로 이루어지는 반도체 장치 패널인, 제3 적층체의 제조 방법.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 시트가, 기재 상에 점착제층이 마련되어 있고,
    상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 평활면에, 상기 지지 시트의 상기 점착제층을 첩부하는 제2 적층 공정을 포함하는, 제3 적층체의 제조 방법.
11. 제10항에 있어서,
    상기 점착제층이, 에너지선 경화성인, 제3 적층체의 제조 방법.
12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이면 보호막 형성용 필름에, 상기 지지 시트측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정을 포함하는, 제3 적층체의 제조 방법.
13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법으로 제조된 제3 적층체의, 상기 이면 보호막 형성용 필름을 경화시켜 이면 보호막으로 하는 공정을 포함하는,
    워크와, 이면 보호막과, 지지 시트가, 이 순으로 적층된 제4 적층체의 제조 방법.
14. 제13항에 있어서,
    상기 이면 보호막에, 상기 지지 시트측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정을 포함하는, 제4 적층체의 제조 방법.
15. 제13항 또는 제14항에 기재된 제조 방법으로 제조된 제4 적층체의, 상기 워크 및 상기 이면 보호막을 다이싱하여, 이면 보호막 부착 반도체 장치로 하는 공정과,
    상기 이면 보호막 부착 반도체 장치를, 상기 지지 시트로부터 픽업하는 공정을 포함하는,
    이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법.
16. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법으로 제조된 제3 적층체의, 상기 이면 보호막 형성용 필름 및 상기 워크를 다이싱하여, 이면 보호막 형성용 필름 부착 반도체 장치로 하는 공정과,
    상기 이면 보호막 형성용 필름을 경화시켜 이면 보호막으로 하는 공정과,
    이면 보호막 형성용 필름 부착 반도체 장치, 또는, 이면 보호막 부착 반도체 장치를, 상기 지지 시트로부터 픽업하는 공정을 포함하는,
    이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법.
17. 제15항 또는 제16항에 있어서,
    상기 이면 보호막 형성용 필름이 열경화성이며, 상기 이면 보호막으로 하는 공정이, 상기 이면 보호막 형성용 필름을 열처리하여 열경화시키는, 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법.
18. 제15항 또는 제16항에 있어서,
    상기 이면 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성이며, 상기 이면 보호막으로 하는 공정이, 상기 이면 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 에너지선 경화시키는, 이면 보호막 부착 반도체 장치의 제조 방법.
19. 워크와, 이면 보호막 형성용 필름과, 지지 시트가, 이 순으로 적층된 제3 적층체로서,
    상기 워크의, 일방의 면이 회로면이고, 타방의 면이 이면이며,
    상기 이면 보호막 형성용 필름의, 일방의 면이 평활면이고, 타방의 면이 상기 평활면보다 거친 조면이며,
    상기 워크의 상기 이면에, 상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 조면이 첩합되고,
    상기 이면 보호막 형성용 필름의 상기 평활면에, 상기 지지 시트가 첩합되어있는 제3 적층체.

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