KR20210130133A

KR20210130133A - 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법

Info

Publication number: KR20210130133A
Application number: KR1020217009864A
Authority: KR
Inventors: 모토키 노즈에; 케이스케 시노미야
Original assignee: 린텍 가부시키가이샤
Priority date: 2019-02-26
Filing date: 2020-02-25
Publication date: 2021-10-29
Also published as: TWI822962B; WO2020175428A1; CN112839767A; JP7453208B2; JPWO2020175428A1; TW202105484A

Abstract

본 실시형태의 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법은, 워크 가공물과, 상기 워크 가공물의 돌출상 전극 형성면에 형성된 제1 보호막을 구비한 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법으로서, 워크의 돌출상 전극 형성면에 열경화성 수지 필름을 첩부하는 공정과, 첩부 후의 상기 열경화성 수지 필름을 열경화시켜, 제1 보호막을 형성하는 공정과, 상기 워크에 대해, 그 상기 제1 보호막을 구비하고 있는 측으로부터, 상기 제1 보호막을 개재하여 레이저 광을 조사함으로써, 상기 워크의 내부에 개질층을 형성하는 공정과, 상기 개질층을 형성한 후의 상기 워크를 그 회로면에 대해 평행한 방향으로 상기 제1 보호막과 함께 익스팬드함으로써, 상기 개질층의 부위에 있어서 상기 워크를 분할하여, 워크 가공물을 얻는 공정을 갖는다.

Description

제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법

본 발명은 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법에 관한 것이다.

본원은 2019년 2월 26일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2019-032827호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.

종래, MPU나 게이트 어레이 등에 사용하는 다핀의 LSI 패키지를 프린트 배선 기판에 실장하는 경우에는, 돌출상 전극(예를 들면, 범프, 필러 등)을 구비한 워크(예를 들면, 반도체 웨이퍼 등)를 사용하여, 이른바 페이스 다운 방식에 의해, 워크 가공물(예를 들면, 반도체 웨이퍼의 분할물인 반도체 칩 등) 중의 돌출상 전극을 기판 상의 상대응하는 단자부에 대면, 접촉시켜, 용융/확산 접합한다는 플립 칩 실장 방법이 채용되어 왔다.

이 실장 방법을 채용하는 경우, 워크의 회로면 및 돌출상 전극을 보호하는 목적으로, 경화성 수지 필름을 돌출상 전극의 표면과 워크의 회로면에 첩부하고, 이 필름을 경화시켜, 이들의 면에 보호막을 형성하는 경우가 있다.

한편, 본 명세서에 있어서는, 돌출상 전극의 표면과, 워크 또는 워크 가공물의 회로면을 합친 것을 「돌출상 전극 형성면」이라고 칭하는 경우가 있다.

경화성 수지 필름은 통상, 가열에 의해 연화한 상태로, 워크의 돌출상 전극 형성면에 첩부된다. 이와 같이 함으로써, 돌출상 전극의 꼭대기부를 포함하는 상부는 경화성 수지 필름을 관통하여, 경화성 수지 필름으로부터 돌출된다. 그 한편으로, 경화성 수지 필름은 워크의 돌출상 전극을 덮도록 하여 돌출상 전극 사이에 퍼지고, 회로면에 밀착함과 함께, 돌출상 전극의 표면, 특히 회로면의 근방 부위의 표면을 덮어, 돌출상 전극을 매입한다. 이 후, 경화성 수지 필름은 추가로 경화에 의해, 워크의 회로면과, 돌출상 전극의 회로면의 근방 부위의 표면을 피복하여, 이들의 영역을 보호하는 보호막이 된다.

반도체 웨이퍼를 사용한 경우, 이 실장 방법으로 사용하는 반도체 칩은 예를 들면, 회로면에 돌출상 전극이 형성된 반도체 웨이퍼의 상기 회로면과는 반대측의 면을 연삭하거나 다이싱하여 분할함으로써 얻어진다.

이러한 반도체 칩을 얻는 과정에 있어서는, 통상, 반도체 웨이퍼의 회로면 및 돌출상 전극을 보호하는 목적으로, 경화성 수지 필름을 돌출상 전극 형성면에 첩부하고, 이 필름을 경화시켜, 돌출상 전극 형성면에 보호막을 형성한다.

또한, 반도체 웨이퍼는 반도체 칩으로 분할되어 최종적으로, 돌출상 전극 형성면에 보호막을 구비한 반도체 칩(본 명세서에 있어서는, 「보호막이 형성된 반도체 칩」이라고 칭하는 경우가 있다)이 된다(특허문헌 1 참조).

이러한 돌출상 전극 형성면에 보호막을 구비한 워크 가공물(본 명세서에 있어서는, 「보호막이 형성된 워크 가공물」이라고 칭하는 경우가 있다)은 또한, 기판 상에 탑재되어 패키지가 되고, 추가로 이 패키지를 이용하여, 목적으로 하는 장치가 구성된다. 보호막이 형성된 반도체 칩이 기판 상에 탑재된 경우에는, 이에 의해 얻어진 반도체 패키지를 이용하여, 목적으로 하는 반도체 장치가 구성된다.

일본 특허 제5515811호 공보

특허문헌 1에서 개시되어 있는 것을 비롯하여, 종래의 경화성 수지 필름을 사용한 경우, 워크의 분할(예를 들면, 반도체 웨이퍼의 반도체 칩으로의 분할)은 통상, 다이싱 블레이드를 사용한 블레이드 다이싱에 의해 행해지고 있었다. 그러나, 이 방법은 가장 널리 보급되어 있으나, 예를 들면, 사이즈가 작은 워크 가공물 또는 두께가 얇은 워크 가공물의 제조에는 적합하지 않았다. 이는, 이러한 워크 가공물에서 균열이나 결함이 발생하기 쉽기 때문이다.

이에, 본 발명은 돌출상 전극 형성면에 보호막을 구비한 워크로부터 그 분할에 의해, 워크 가공물을 제조하는 신규 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 워크 가공물과, 상기 워크 가공물의 돌출상 전극을 갖는 면에 형성된 제1 보호막을 구비한 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법으로서, 워크의 돌출상 전극을 갖는 면에, 열경화성 수지 필름을 첩부하는 공정과, 첩부 후의 상기 열경화성 수지 필름을 열경화시켜, 제1 보호막을 형성하는 공정과, 상기 워크에 대해, 그 상기 제1 보호막을 구비하고 있는 측으로부터, 상기 제1 보호막을 개재하여 레이저 광을 조사함으로써, 상기 워크의 내부에 개질층을 형성하는 공정과, 상기 개질층을 형성한 후의 상기 워크를 그 회로면에 대해 평행한 방향으로 상기 제1 보호막과 함께 익스팬드함으로써, 상기 개질층의 부위에 있어서 상기 워크를 분할하여, 워크 가공물을 얻는 공정을 갖는, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법을 제공한다.

본 발명의 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법에 있어서는, 상기 워크 가공물을 얻는 공정에 있어서, 상기 개질층의 부위에 있어서 상기 워크를 분할함과 함께, 상기 제1 보호막을 절단해도 된다.

본 발명의 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법에 있어서는, 상기 열경화성 수지 필름은 에폭시기를 갖는 아크릴 수지 이외의 열경화성 성분을 함유하고, 상기 열경화성 수지 필름에 있어서의, 상기 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 상기 열경화성 성분의 함유량의 비율이 40질량％ 이상이며, 두께가 200㎛인 1층의 상기 열경화성 수지 필름, 또는 두께가 200㎛ 미만인 상기 열경화성 수지 필름이 2층 이상 적층되어 구성된 합계 두께가 200㎛인 적층 필름의, 파장 1342㎚의 광투과율이 50％ 이상이어도 된다.

본 발명의 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법에 있어서는, 상기 열경화성 수지 필름은 에폭시기를 갖는 아크릴 수지 이외의 2종 이상의 열경화성 성분을 함유하고, 상기 열경화성 수지 필름에 있어서의, 상기 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 전체 종류의 상기 열경화성 성분의 합계 함유량의 비율이 40질량％ 이상이며, 상기 열경화성 수지 필름이 함유하는 상기 열경화성 성분에 대해, 그 종류마다 하기 식:

X＝[열경화성 성분의 열경화 반응에 관한 관능기의 당량(g/eq)]×[열경화성 수지 필름의 열경화성 성분의 함유량(질량부)]／[열경화성 수지 필름의 전체 종류의 열경화성 성분의 합계 함유량(질량부)]

로 산출되는 X값을 구하고, 상기 열경화성 수지 필름이 함유하는 전체 종류의 상기 열경화성 성분에 있어서의 상기 X값의 합계값을 구했을 때, 상기 합계값이 400g/eq 이하가 되어도 된다.

본 발명에 의하면, 돌출상 전극 형성면에 보호막을 구비한 워크로부터 그 분할에 의해, 워크 가공물을 제조하는 신규 제조 방법이 제공된다.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 있어서, 경화성 수지 필름을 사용하여, 돌출상 전극 형성면에 제1 보호막을 형성한 상태의 일 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에서 사용하는 제1 보호막 형성용 시트의 일 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에서 사용하는 제1 보호막 형성용 시트의 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에서 사용하는 제1 보호막 형성용 시트의 또 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시형태에 있어서, 제1 보호막 형성용 시트를 사용한 경우의, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시형태에 있어서, 제1 보호막 형성용 시트를 사용한 경우의, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 5c는 본 발명의 일 실시형태에 있어서, 제1 보호막 형성용 시트를 사용한 경우의, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시형태에 있어서, 제1 보호막 형성용 시트를 사용한 경우의, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시형태에 있어서, 제1 보호막 형성용 시트를 사용한 경우의, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.

본 발명의 일 실시형태에 따른 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법은, 워크 가공물과, 상기 워크 가공물의 돌출상 전극을 갖는 면(본 명세서에 있어서는, 「돌출상 전극 형성면」이라고 칭하는 경우가 있다)에 형성된 제1 보호막을 구비한 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법으로서, 워크의 돌출상 전극을 갖는 면(즉, 돌출상 전극 형성면)에 열경화성 수지 필름을 첩부하는 공정(본 명세서에 있어서는, 「첩부 공정」이라고 약기하는 경우가 있다)과, 첩부 후의 상기 열경화성 수지 필름을 열경화시켜, 제1 보호막을 형성하는 공정(본 명세서에 있어서는, 「제1 보호막 형성 공정」이라고 약기하는 경우가 있다)과, 상기 워크에 대해, 그 상기 제1 보호막을 구비하고 있는 측으로부터, 상기 제1 보호막을 개재하여 레이저 광을 조사함으로써, 상기 워크의 내부에 개질층을 형성하는 공정(본 명세서에 있어서는, 「개질층 형성 공정」이라고 약기하는 경우가 있다)과, 상기 개질층을 형성한 후의 상기 워크를 그 회로면에 대해 평행한 방향으로 상기 제1 보호막과 함께 익스팬드함으로써, 상기 개질층의 부위에 있어서 상기 워크를 분할하여, 워크 가공물을 얻는 공정(본 명세서에 있어서는, 「분할 공정」이라고 약기하는 경우가 있다)을 갖는다.

상기 제조 방법에 있어서는, 상기 열경화성 수지 필름을 단독으로, 또는 상기 열경화성 수지 필름을 구비한 제1 보호막 형성용 시트를 사용함으로써, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물을 제조할 수 있다.

본 실시형태에 있어서, 워크로는 예를 들면, 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다.

워크 가공물로는 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 분할물인 반도체 칩 등을 들 수 있다.

워크의 가공에는 예를 들면, 분할이 포함된다.

돌출상 전극으로는 예를 들면, 범프, 필러 등을 들 수 있다. 돌출상 전극은 워크의 접속 패드부에 형성되어 있고, 공정 땜납, 고온 땜납, 금, 또는 구리 등으로 구성된다.

이하, 우선, 본 실시형태에서 사용하는 것에 바람직한 상기 열경화성 수지 필름 및 제1 보호막 형성용 시트에 대해 상세하게 설명한다.

◇열경화성 수지 필름, 제1 보호막 형성용 시트

본 실시형태에 있어서의 열경화성 수지 필름으로는 예를 들면, 워크의 돌출상 전극을 갖는 면(즉, 돌출상 전극 형성면)에 첩부하고, 열경화시킴으로써, 상기 면에 제1 보호막을 형성하기 위한 열경화성 수지 필름으로서, 상기 열경화성 수지 필름은 에폭시기를 갖는 아크릴 수지 이외의 열경화성 성분을 함유하며, 상기 열경화성 수지 필름에 있어서의, 상기 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 상기 열경화성 성분의 함유량의 비율이 40질량％ 이상이고, 두께가 200㎛인 1층의 상기 열경화성 수지 필름, 또는 두께가 200㎛ 미만인 상기 열경화성 수지 필름이 2층 이상 적층되어 구성된 합계 두께가 200㎛인 적층 필름의, 파장 1342㎚의 광투과율이 50％ 이상인 것을 들 수 있다.

또한, 본 실시형태에 있어서의 제1 보호막 형성용 시트는 제1 지지 시트를 구비하고, 상기 제1 지지 시트의 한쪽 면 상에 상기 열경화성 수지 필름을 구비한 것이다. 상기 제1 보호막 형성용 시트에 있어서, 상기 「열경화성 수지 필름」은 「열경화성 수지층」이라고 칭하기도 한다.

상기 제1 보호막 형성용 시트는 그 열경화성 수지 필름(열경화성 수지층)을 개재하여, 워크의 돌출상 전극 형성면(즉, 돌출상 전극의 표면과 워크의 회로면)에 첩부되어 사용된다. 그리고, 첩부 후의 열경화성 수지 필름은 가열에 의해 유동성이 증대하고, 돌출상 전극의 꼭대기부를 포함하는 상부는 열경화성 수지 필름을 관통하여, 열경화성 수지 필름으로부터 돌출된다. 또한, 열경화성 수지 필름은 돌출상 전극을 덮도록 하여 돌출상 전극 사이에 퍼지고, 상기 회로면과 밀착함과 함께, 돌출상 전극의 표면, 특히 상기 회로면 근방 부위의 표면을 덮고, 돌출상 전극을 매입한다. 이 상태의 열경화성 수지 필름은 추가로 가열에 의해 경화하고, 최종적으로 제1 보호막을 형성하여, 상기 회로면과 돌출상 전극을 이들에 밀착한 상태로 보호한다. 이와 같이, 본 실시형태의 열경화성 수지 필름을 사용함으로써, 워크의 회로면과, 돌출상 전극의 상기 회로면 근방의 부위, 즉 기부가 제1 보호막으로 충분히 보호된다.

제1 보호막 형성용 시트를 첩부한 후의 워크는 예를 들면, 필요에 따라 상기 회로면과는 반대측의 면이 연삭된 후, 제1 지지 시트가 제거되고, 이어서, 열경화성 수지 필름의 가열에 의한 돌출상 전극의 매입 및 제1 보호막의 형성이 행해진다. 또한, 워크의 분할(즉, 워크 가공물로의 개편화)과 제1 보호막의 절단이 행해지고, 이에 의해 얻어진 절단 후의 제1 보호막을 돌출상 전극 형성면에 구비한 워크 가공물(본 명세서에 있어서는, 「제1 보호막이 형성된 워크 가공물」이라고 칭하는 경우가 있다)을 사용하여, 반도체 장치가 제조된다. 이들의 공정에 대해서는 추후 상세하게 설명한다.

한편, 본 명세서에 있어서는, 특별히 언급이 없는 한, 단순한 「경화성 수지 필름」이라는 기재는 「경화 전의 경화성 수지 필름」을 의미하고, 단순한 「경화성 수지층」이라는 기재는 「경화 전의 경화성 수지층」을 의미한다. 예를 들면, 「열경화성 수지 필름」이란, 「경화 전의 열경화성 수지 필름」을 의미하고, 「제1 보호막」이란, 열경화성 수지 필름의 경화물을 의미한다.

상기 열경화성 수지 필름은 워크를 워크 가공물로 분할(다시 말하면, 개편화)하는 방법으로서, 종래와는 상이한 방법을 적용하는데 바람직하다. 여기서, 「종래와는 상이한 방법」이란 후술하는 방법이다.

즉, 상기 열경화성 수지 필름으로부터 형성된 제1 보호막을 돌출상 전극 형성면에 구비한 워크에 대해 레이저 광을 조사함으로써, 워크의 내부에 개질층을 형성한다. 이어서, 이 개질층을 형성한 후의 워크에 대해 힘을 가한다. 보다 구체적으로는, 본 실시형태에 있어서는, 워크를 그 회로면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드한다. 이에 의해, 상기 개질층의 부위에 있어서 상기 워크를 분할한다. 이 때, 제1 보호막에도 힘을 가하는 것, 보다 구체적으로는, 제1 보호막을 그 워크에 대한 첩부면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드하는 것에 의해, 동시에 제1 보호막도 절단 가능한 경우가 있다. 이 때, 제1 보호막은 워크의 분할 개소를 따라 절단된다. 그 경우에는, 즉시, 워크 가공물과, 상기 워크 가공물의 상기 돌출상 전극 형성면에 형성된 절단 후의 제1 보호막을 구비한 제1 보호막이 형성된 워크 가공물이 얻어진다. 한편, 워크를 분할했을 때, 동시에 제1 보호막을 절단할 수 없었던 경우에는, 추가로, 워크의 분할 후, 제1 보호막을 절단한다. 이에 의해, 상기와 동일한 제1 보호막이 형성된 워크 가공물이 얻어진다.

이러한 개질층의 형성을 수반하는 워크의 분할 방법은 스텔스 다이싱(등록상표)라고 하며, 워크에 레이저 광을 조사함으로써, 조사 부위의 워크를 절삭하면서, 워크를 그 표면으로부터 절단해 가는 레이저 다이싱과는 본질적으로 완전히 상이하다.

＜＜열경화성 성분의 함유량의 비율＞＞

상기 열경화성 수지 필름에 있어서, 상술한 함유량의 비율을 규정하는 「열경화성 성분」이란, 가열에 의해 경화 반응을 나타내는 성분이다. 단, 에폭시기를 갖는 아크릴 수지는 이 열경화성 성분에 포함시키지 않는다.

열경화성 성분으로는 예를 들면, 후술하는 열경화성 성분(B)을 들 수 있다.

열경화성 성분(B)으로는 예를 들면, 에폭시계 열경화성 수지, 폴리이미드 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 에폭시계 열경화성 수지는 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)로 이루어지고, 이들 2종의 성분은 모두, 상술한 함유량의 비율의 규정 대상이 된다.

한편, 열경화성 성분에 포함시키지 않는 에폭시기를 갖는 아크릴 수지로는 예를 들면, 후술하는 중합체 성분(A)에 있어서의 아크릴 수지 중, 에폭시기를 갖는 것을 들 수 있다. 예를 들면, 글리시딜기를 갖는 아크릴 수지는 에폭시기를 갖는 아크릴 수지에 포함된다.

상기 열경화성 수지 필름이 함유하는 상기 열경화성 성분은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

상기 열경화성 수지 필름에 있어서의, 상기 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 상기 열경화성 성분의 함유량의 비율([열경화성 수지 필름의 열경화성 성분의 함유량(질량부)]/[열경화성 수지 필름의 총 질량(질량부)]×100)은 상술한 바와 같이, 40질량％ 이상이다. 열경화성 수지 필름이 2종 이상의 열경화성 성분을 함유하는 경우, 상술한 열경화성 성분의 함유량(질량부)이란, 이들 2종 이상의 전체 종류의 열경화성 성분의 합계 함유량(질량부)을 의미한다.

이러한 상기 함유량의 비율의 조건을 만족함으로써, 열경화성 수지 필름은 워크의 돌출상 전극 형성면에 대한 첩부시에 돌출상 전극의 꼭대기부를 포함하는 상부에 있어서의 잔존을 억제할 수 있고, 제1 보호막을 형성하기 위한 수지 필름으로서 적절한 특성을 갖는다. 이와 같이, 열경화성 수지 필름의 돌출상 전극 형성면에 대한 첩부시에 돌출상 전극의 상부에 있어서, 열경화성 수지 필름이 잔존하지 않는, 다시 말하면, 돌출상 전극의 상부가 첩부한 열경화성 수지 필름을 관통하여 돌출됨으로써, 최종적으로 얻어지는 워크 가공물은 플립 칩 실장했을 때, 그 돌출상 전극에 의해, 기판과 충분히 전기적으로 결합 가능해진다. 즉, 열경화성 수지 필름이 돌출상 전극의 상부에 있어서의 잔존을 억제할 수 있는 것이 아니면, 워크 가공물을 실용으로 제공할 수 없다.

상술한 유리한 효과가 보다 현저히 얻어지는 점에서, 상기 열경화성 수지 필름에 있어서의, 상기 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 상기 열경화성 성분의 함유량의 비율은 예를 들면, 50질량％ 이상, 60질량％ 이상, 70질량％ 이상, 및 80질량％ 이상 중 어느 하나여도 된다.

상기 함유량의 비율의 상한값은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 열경화성 수지 필름의 조막성이 보다 양호해지는 점에서는, 상기 함유량의 비율은 90질량％ 이하인 것이 바람직하다.

상기 함유량의 비율은 상술한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 상기 함유량의 비율은 40∼90질량％, 50∼90질량％, 60∼90질량％, 70∼90질량％, 및 80∼90질량％ 중 어느 하나여도 된다.

＜＜열경화성 수지 필름의 광투과율＞＞

두께가 200㎛인 1층의 상기 열경화성 수지 필름의, 파장 1342㎚의 광투과율은 상술한 바와 같이, 50％ 이상이다.

또한, 두께가 200㎛ 미만인 상기 열경화성 수지 필름이 2층 이상 적층되어 구성된 합계 두께가 200㎛인 적층 필름의, 파장 1342㎚의 광투과율은 상술한 바와 같이, 50％ 이상이다.

워크를 분할하여 워크 가공물을 제작하는 방법으로서, 앞서 설명한 워크의 내부에 있어서의 개질층의 형성을 수반하는 방법을 적용하는 경우, 파장 1342㎚의 레이저 광을 워크에 조사함으로써, 개질층을 형성할 수 있다. 이 때, 레이저 광은 워크에 대해 그 회로면측으로부터 조사해도 되고, 그 이면측으로부터 조사해도 된다. 단, 레이저 광을 워크에 대해 그 회로면측으로부터 조사하는 경우에는, 회로면에 형성되어 있는 제1 보호막을 개재하여, 레이저 광을 조사하게 된다.

한편, 열경화성 수지 필름과, 그 경화물(예를 들면, 제1 보호막)에서는 동일한 파장의 광투과율은 거의 또는 완전히 동일하게 된다. 따라서, 두께가 200㎛인 1층의 열경화성 수지 필름의, 파장 1342㎚의 광투과율이 50％ 이상인 경우, 그 경화물의 파장 1342㎚의 광투과율도 50％ 이상이 된다. 동일하게, 상기 적층 필름의 파장 1342㎚의 광투과율이 50％ 이상인 경우, 그 경화물의 파장 1342㎚의 광투과율도 50％ 이상이 된다. 즉, 이러한 광투과율의 조건을 만족하는 것과 동일한 조성의 열경화성 수지 필름을 사용하여 형성된 제1 보호막은 파장 1342㎚의 레이저 광을 양호하게 투과시킨다. 따라서, 이러한 제1 보호막을 회로면에 구비한 워크는, 그 회로면측으로부터 레이저 광을 조사하여, 워크의 내부에 개질층을 형성하기 위한 것으로서 바람직하다.

상술한 효과가 보다 현저해지는 점에서는, 두께가 200㎛인 1층의 열경화성 수지 필름, 또는 합계 두께가 200㎛인 적층 필름의, 파장 1342㎚의 광투과율은 예를 들면, 60％ 이상, 70％ 이상, 80％ 이상, 및 85％ 이상 중 어느 하나여도 된다.

두께가 200㎛인 1층의 열경화성 수지 필름, 또는, 합계 두께가 200㎛인 적층 필름의, 파장 1342㎚의 광투과율의 상한값은 특별히 한정되지 않고, 높을수록 바람직하다. 예를 들면, 열경화성 수지 필름의 제조가 비교적 용이한 점에서는, 상기 광투과율은 95％ 이하인 것이 바람직하다.

상기 광투과율은 상술한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 상기 광투과율은 예를 들면, 50∼95％, 60∼95％, 70∼95％, 80∼95％, 및 85∼95％ 중 어느 하나여도 된다.

두께가 200㎛인 1층의 열경화성 수지 필름과, 합계 두께가 200㎛인 상기 적층 필름에서, 이들의 함유 성분이 동일하면, 이들(1층의 열경화성 수지 필름과 적층 필름)의 광투과율은 광의 파장이 1342㎚인 경우에 한정되지 않고, 서로 동일하게 된다.

상기 적층 필름을 구성하는 두께가 200㎛ 미만인 열경화성 수지 필름의 층수는 특별히 한정되지 않으나, 2∼6인 것이 바람직하다. 이러한 층수이면, 상기 적층 필름을 보다 용이하게 제작할 수 있다.

상기 적층 필름을 구성하는 두께가 200㎛ 미만인 열경화성 수지 필름의 두께는 모두 동일해도 되고, 모두 상이해도 되며, 일부만 동일해도 된다.

본 실시형태에 있어서, 상기 광투과율의 특정 대상인 1층의 상기 열경화성 수지 필름 또는 적층 필름에 있어서, 두께를 200㎛로 규정하는 이유는, 이러한 두께의 열경화성 수지 필름 또는 적층 필름을 사용함으로써, 상기 광투과율을 보다 고정밀도 그리고 용이하게 측정할 수 있기 때문이다.

본 실시형태에 있어서, 1층의 열경화성 수지 필름 및 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 열경화성 수지 필름의 두께는 모두, 후술하는 바와 같이, 200㎛로 한정되는 것은 아니다.

상기 광투과율은 예를 들면, 후술하는 착색제(I), 충전재(D) 등의 열경화성 수지 필름의 함유 성분의 종류 및 함유량, 그리고 열경화성 수지 필름의 표면 상태 등을 조절함으로써, 조절할 수 있다.

＜＜X값의 합계값＞＞

상기 열경화성 수지 필름이 에폭시기를 갖는 아크릴 수지 이외의 2종 이상의 상기 열경화성 성분을 함유하는 경우, 열경화성 수지 필름에 있어서는, 열경화성 수지 필름이 함유하는 열경화성 성분에 대해, 그 종류마다 하기 식:

X＝[열경화성 성분의 열경화 반응에 관한 관능기의 당량(g/eq)]×[열경화성 수지 필름의 열경화성 성분의 함유량(질량부)]/[열경화성 수지 필름의 전체 종류의 열경화성 성분의 합계 함유량(질량부)]

로 산출되는 X값을 구하고, 상기 열경화성 수지 필름이 함유하는 전체 종류의 상기 열경화성 성분에 있어서의 상기 X값의 합계값을 구했을 때, 상기 합계값이 예를 들면, 400g/eq 이하가 되어도 된다.

열경화성 수지 필름이 이러한 조건을 만족하는 경우에는, 앞서 설명한 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조시에 개질층의 부위에 있어서 워크를 분할할 때, 동시에 제1 보호막도 절단할 수 있다. 이 때문에, 제1 보호막을 절단하기 위한 공정을 별도 설치할 필요가 없고, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물을 높은 효율로 제조할 수 있다.

상기 X값은 상기 열경화성 수지 필름이 함유하는 1종의 열경화성 성분에 대해 상기 식에 의해 산출한다.

상기 X값의 산출 대상인 「열경화성 성분」이란, 상기 열경화성 수지 필름에 있어서, 상술한 함유량의 비율을 규정하는 「열경화성 성분」과 동일하다.

X값을 산출하기 위한 「열경화성 성분의 열경화 반응에 관한 관능기」란 예를 들면, 후술하는 에폭시 수지(B1)의 경우에는 에폭시기이고, 후술하는 열경화제(B2)의 경우에는 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복시기, 산기가 무수물화된 기 등이다. 단, 이들은 상기 관능기의 일 예이다.

상기 열경화성 수지 필름이 p종(p는 2 이상의 정수이다)의 열경화성 성분을 함유하는 경우를 생각한다. 이들 열경화성 성분을 그 종류별로 M₁, M_p라고 한다. 그리고, 열경화성 성분 M₁의 상기 관능기의 당량을 m₁(g/eq)이라고 하고, 열경화성 성분 M_p의 상기 관능기의 당량을 m_p(g/eq)라고 하며, 열경화성 수지 필름의 열경화성 성분 M₁의 함유량을 C₁(질량부)이라고 하고, 열경화성 수지 필름의 열경화성 성분 M_p의 함유량을 C_p(질량부)라고 한다.

이 때, 열경화성 성분 M₁에 대해 상기 X값(이하, 「X₁값」이라고 칭한다)은 하기 식에 의해 산출된다.

동일하게, 열경화성 성분 M_p에 대해서도, 상기 X값(이하, 「X_p값」이라고 칭한다)은 하기 식에 의해 산출된다.

그리고, 상기 열경화성 수지 필름이 함유하는 전체 종류의 열경화성 성분(M₁,…, M_p)에 있어서의 상기 X값(X₁,…, X_p)의 합계값은 이하와 같이 된다.

열경화성 성분의 관능기의 당량(m₁, m_p(g/eq))이 일정값으로 특정되지 않고, 폭을 갖고 수치 범위에서 특정되어 있는 경우에는, 그 수치 범위의 하한값 및 상한값으로부터 산출되는 평균값을 관능기의 당량으로서 채용하면 된다.

상술한 유리한 효과가 보다 현저히 얻어지는 점에서, 상기 열경화성 수지 필름에 있어서, 상기 X값의 합계값은 예를 들면, 375g/eq 이하, 350g/eq 이하, 및 325g/eq 이하 중 어느 하나여도 된다.

상기 X값의 합계값의 하한값은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 열경화성 수지 필름에 있어서, 과잉 가교 반응에 기인하는 유연성의 저하가 억제되는 점에서는, 상기 X값의 합계값은 100g/eq 이상인 것이 바람직하다.

상기 X값의 합계값은 상술한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 상기 X값의 합계값은 100∼400g/eq, 100∼375g/eq, 100∼350g/eq, 및 100∼325g/eq 중 어느 하나여도 된다.

상기 열경화성 수지 필름으로 바람직한 것으로는 예를 들면, 상술한 광투과율과, X값의 합계값과의 조건을 모두 만족하는 것을 들 수 있다.

즉, 상기 열경화성 수지 필름은 에폭시기를 갖는 아크릴 수지 이외의 2종 이상의 열경화성 성분을 함유하고, 상기 열경화성 수지 필름에 있어서의, 상기 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 전체 종류의 상기 열경화성 성분의 합계 함유량의 비율이 40질량％ 이상이며,

두께가 200㎛인 1층의 상기 열경화성 수지 필름, 또는 두께가 200㎛ 미만인 상기 열경화성 수지 필름이 2층 이상 적층되어 구성된 합계 두께가 200㎛인 적층 필름의, 파장 1342㎚의 광투과율이 50％ 이상이고,

상기 열경화성 수지 필름이 함유하는 상기 열경화성 성분에 대해, 그 종류마다 하기 식:

로 산출되는 X값을 구하고, 상기 열경화성 수지 필름이 함유하는 전체 종류의 상기 열경화성 성분에 있어서의 상기 X값의 합계값을 구했을 때, 상기 합계값이 400g/eq 이하가 되는 것이 바람직하다.

＜＜제1 보호막의 파단 강도＞＞

크기가 20㎜×130㎜이고, 두께가 40㎛인 제1 보호막의 하기 방법으로 측정된 파단 강도는 예를 들면, 55MPa 이하여도 된다. 상기 파단 강도가 상기 상한값 이하인 제1 보호막과 동일한 조성의 제1 보호막은, 후술하는 익스팬드에 의한 절단이 보다 용이하다.

상기 제1 보호막의 파단 강도로는, 제1 보호막에 있어서의 그리퍼 사이의 거리를 80㎜로 하고, 제1 보호막의 인장 속도를 200㎜/min으로 하여, 그리퍼에 의해 제1 보호막을 그 표면에 대해 평행한 방향에 있어서 인장했을 때에 측정되는 최대 응력을 채용할 수 있다.

최대 응력의 측정 대상인 제1 보호막으로는, 열경화성 수지 필름을 130℃에서 2시간 가열함으로써, 열경화시켜 얻어진 것을 사용할 수 있다.

상술한 효과가 보다 현저해지는 점에서는, 제1 보호막의 상기 파단 강도는 예를 들면, 52.5MPa 이하, 50MPa 이하, 및 47.5MPa 이하 중 어느 하나여도 된다.

제1 보호막의 상기 파단 강도의 하한값은 특별히 한정되지 않는다. 제1 보호막의 보호능이 보다 높아지는 점에서는, 제1 보호막의 상기 파단 강도는 0.1MPa 이상인 것이 바람직하다.

제1 보호막의 상기 파단 강도는 상술한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 제1 보호막의 상기 파단 강도는 예를 들면, 0.1∼55MPa, 0.1∼52.5MPa, 0.1∼50MPa, 및 0.1∼47.5MPa 중 어느 하나여도 된다.

제1 보호막의 상기 파단 강도는 예를 들면, 후술하는 열경화성 수지층 형성용 조성물의 함유 성분, 특히, 중합체 성분(A), 커플링제(E), 충전재(D) 등의 종류 및 함유량, 그리고 제1 보호막의 두께(다시 말하면, 열경화성 수지 필름의 두께) 등을 조절함으로써, 조절할 수 있다.

회로면 상에 돌출상 전극을 갖는 워크 및 워크 가공물에 있어서, 회로면과는 반대측의 면(이면)은 노출되는 경우가 있다. 이 때문에, 이 이면에는 유기 재료를 함유하는 보호막(본 명세서에 있어서는, 제1 보호막과 구별하기 위해, 「제2 보호막」이라고 칭하는 경우가 있다)이 형성되는 경우가 있다. 제2 보호막은 워크의 분할이나 패키징 후, 워크 가공물에 있어서 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위해 이용된다. 이러한 이면에 제2 보호막을 구비한 제2 보호막이 형성된 워크 가공물은, 최종적으로는 반도체 장치 등의 목적으로 하는 기판 장치에 장착된다.

한편, 제2 보호막에는 워크 가공물에 관한 정보가 레이저로 마킹 가능하거나, 워크 가공물의 이면을 은폐하는 기능이 요구되는 경우가 있다. 이러한 요구를 충족하는 것으로서, 경화에 의해 제2 보호막을 형성 가능한, 광의 투과 특성이 조절된 경화성 수지 필름이 알려져 있다.

그러나, 워크 가공물의 이면을 보호하기 위한 제2 보호막과, 워크 가공물의 돌출상 전극 형성면을 보호하기 위한 제1 보호막에서는, 워크 가공물에서의 형성 위치가 상이하기 때문에, 요구되는 특성도 서로 상이하다. 따라서, 제2 보호막을 형성 가능한 열경화성 수지 필름을 제1 보호막의 형성용으로서 즉시 사용하는 것은 통상 곤란하다.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 있어서, 열경화성 수지 필름을 사용하여, 돌출상 전극 형성면에 제1 보호막을 형성한 상태의 일 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 한편, 이하의 설명에서 사용하는 도면은, 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대하여 나타내는 경우가 있고, 각 구성요소의 치수 비율 등이 실제와 동일하다고는 한정되지 않는다.

여기에 나타내는 워크(90)의 회로면(90a)에는 복수개의 돌출상 전극(91)이 형성되어 있다. 도 1 중, 부호(90b)는 워크(90)의 회로면(90a)과는 반대측의 면(이면)을 나타낸다.

돌출상 전극(91)은 구의 일부가 평면에 의해 잘라진 형상을 갖고 있고, 그 잘라져 노출된 부위에 상당하는 평면이 워크(90)의 회로면(90a)에 접촉한 상태로 되어 있다.

돌출상 전극(91)의 형상은 거의 구형이다.

제1 보호막(12')은 본 실시형태의 열경화성 수지 필름을 사용하여 형성된 것이며, 워크(90)의 회로면(90a)을 피복하고, 추가로 돌출상 전극(91)의 표면(91a) 중, 돌출상 전극(91)의 꼭대기부(910)와 그 근방 이외의 영역을 피복하고 있다. 이와 같이, 제1 보호막(12')은 돌출상 전극(91)의 꼭대기부(910)와 그 근방 이외의 표면(91a)에 밀착함과 함께, 워크(90)의 회로면(90a)에도 밀착하여, 돌출상 전극(91)을 매입하고 있다.

돌출상 전극(91)의 상기와 같은 거의 구형이라고 하는 형상은, 상기 경화성 수지 필름을 사용하여 제1 보호막을 형성하는데, 특히 유리하다.

돌출상 전극(91)의 높이(H₉₁)는 특별히 한정되지 않으나, 50∼500㎛인 것이 바람직하다. 돌출상 전극(91)의 높이(H₉₁)가 상기 하한값 이상임으로써, 돌출상 전극(91)의 기능을 보다 향상시킬 수 있다. 돌출상 전극(91)의 높이(H₉₁)가 상기 상한값 이하임으로써, 워크(90)의 돌출상 전극 형성면(즉, 돌출상 전극(91)의 표면(91a)과, 워크(90)의 회로면(90a))에 대한 열경화성 수지 필름의 첩부시에 돌출상 전극(91)의 꼭대기부(910)를 포함하는 상부에 있어서의 열경화성 수지 필름의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아지고, 그 결과, 돌출상 전극(91)의 상부에 있어서의 제1 보호막(12')의 형성을 억제하는 효과가 보다 높아진다.

한편, 본 명세서에 있어서, 「돌출상 전극의 높이」란, 돌출상 전극 중, 워크 또는 워크 가공물의 회로면으로부터 가장 높은 위치에 존재하는 부위(즉, 꼭대기부)에서의 높이를 의미한다.

돌출상 전극(91)의 폭(W₉₁)은 특별히 한정되지 않으나, 50∼600㎛인 것이 바람직하다. 돌출상 전극(91)의 폭(W₉₁)이 상기 하한값 이상임으로써, 돌출상 전극(91)의 기능을 보다 향상시킬 수 있다. 돌출상 전극(91)의 폭(W₉₁)이 상기 상한값 이하임으로써, 워크(90)의 돌출상 전극 형성면(즉, 돌출상 전극(91)의 표면(91a)과, 워크(90)의 회로면(90a))에 대한 열경화성 수지 필름의 첩부시에 돌출상 전극(91)의 꼭대기부(910)를 포함하는 상부에 있어서의 열경화성 수지 필름의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아지고, 그 결과, 돌출상 전극(91)의 상부에 있어서의 제1 보호막(12')의 형성을 억제하는 효과가 보다 높아진다.

한편, 본 명세서에 있어서, 「돌출상 전극의 폭」이란, 워크 또는 워크 가공물의 회로면에 대해 수직인 방향으로부터 돌출상 전극을 내려다 보아 평면에서 바라 봤을 때, 돌출상 전극 표면 상의 상이한 2점 사이를 직선으로 이어 얻어지는 선분의 최대값을 의미한다.

이웃하는 돌출상 전극(91) 간의 거리(D₉₁)는 특별히 한정되지 않으나, 100∼800㎛인 것이 바람직하다. 돌출상 전극(91) 간의 거리(D₉₁)가 상기 하한값 이상임으로써, 워크(90)의 돌출상 전극 형성면(즉, 돌출상 전극(91)의 표면(91a)과, 워크(90)의 회로면(90a))에 대한 열경화성 수지 필름의 첩부시에 돌출상 전극(91)의 꼭대기부(910)를 포함하는 상부에 있어서의 열경화성 수지 필름의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아지고, 그 결과, 돌출상 전극(91)의 상부에 있어서의 제1 보호막(12')의 형성을 억제하는 효과가 보다 높아진다. 돌출상 전극(91) 간의 거리(D₉₁)가 상기 상한값 이하임으로써, 돌출상 전극(91)의 배치 형태의 자유도가 보다 높아진다.

한편, 본 명세서에 있어서, 「이웃하는 돌출상 전극 간의 거리」란, 이웃하는 돌출상 전극끼리의 표면 사이의 거리의 최소값을 의미한다.

워크(90)의 돌출상 전극(91)을 제외한 부위의 두께(T₉₀)는 워크(90)의 사용 목적에 따라 적절히 선택하면 되고, 특별히 한정되지 않는다.

예를 들면, 워크(90)의 이면(90b)을 연삭한 후의 상기 두께(T₉₀)는 50∼500㎛인 것이 바람직하다. 이면(90b)을 연삭한 후의 워크(90)의 두께(T₉₀)가 상기 하한값 이상임으로써, 워크(90)의 분할(다시 말하면, 워크 가공물로의 개편화)시, 워크 가공물의 파손을 억제하는 효과가 보다 높아진다. 이면(90b)을 연삭한 후의 워크(90)의 두께(T₉₀)가 상기 상한값 이하임으로써, 박형의 워크 가공물이 얻어진다.

워크(90)의 이면(90b)을 연삭하기 전의 상기 두께(T₉₀)는 250∼1500㎛인 것이 바람직하다.

본 실시형태의 열경화성 수지 필름의 사용 대상인 워크는 도 1에 나타내는 것으로 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 일부의 구성이 변경, 삭제, 또는 추가된 것이어도 된다.

예를 들면, 도 1에서는 돌출상 전극으로서 상기와 같은 거의 구형의 형상(구의 일부가 평면에 의해 잘라진 형상)의 것을 나타내고 있으나, 이러한 거의 구형의 형상을 높이 방향(도 1에 있어서는, 워크(90)의 회로면(90a)에 대해 직교하는 방향)으로 연신하여 이루어지는 형상, 즉, 거의 장구인 회전 타원체의 형상(다시 말하면, 장구인 회전 타원체의 긴 축 방향의 일단을 포함하는 부위가 평면에 의해 잘라진 형상)의 돌출상 전극이나, 상기와 같은 거의 구형의 형상을 높이 방향으로 압착하여 이루어지는 형상, 즉, 거의 편구인 회전 타원체의 형상(다시 말하면, 편구인 회전 타원체의 단축 방향의 일단을 포함하는 부위가 평면에 의해 잘라진 형상)의 돌출상 전극도 바람직한 형상의 돌출상 전극으로서 들 수 있다. 이러한, 거의 회전 타원체의 형상의 돌출상 전극도 상기의 거의 구형의 돌출상 전극과 동일하게, 본 실시형태의 열경화성 수지 필름을 사용하여 제1 보호막을 형성하는데, 특히 유리하다.

돌출상 전극으로는 이들 이외에도, 예를 들면, 원기둥 형상, 타원기둥 형상, 각기둥 형상, 타원뿔 형상, 각뿔 형상, 원뿔대 형상, 타원뿔대 형상, 또는 각뿔대 형상인 것; 원기둥, 타원기둥, 각기둥, 원뿔대, 타원뿔대, 또는 각뿔대와, 상술한 거의 구 또는 거의 회전 타원체가 조합된 형상을 갖는 것도 들 수 있다.

한편, 여기까지에서 설명한 돌출상 전극의 형상은 본 실시형태에 있어서의 열경화성 수지 필름의 적용시에 있어서, 바람직한 일 예에 지나지 않고, 본 발명에 있어서, 돌출상 전극의 형상은 이들에 한정되지 않는다.

이하, 본 발명의 구성에 대해 상세하게 설명한다.

◎제1 지지 시트

상기 제1 지지 시트는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 지지 시트가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층의 구성 재료 및 두께는 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 특별히 한정되지 않는다.

한편, 본 명세서에 있어서는, 제1 지지 시트의 경우에 한정되지 않고, 「복수층이 서로 동일해도 상이해도 된다」란, 「모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되며, 일부의 층만이 동일해도 된다」는 것을 의미하고, 추가로 「복수층이 서로 상이하다」란, 「각 층의 구성 재료 및 두께가 적어도 한쪽이 서로 상이하다」는 것을 의미한다.

바람직한 제1 지지 시트로는 예를 들면, 제1 기재와, 상기 제1 기재 상에 형성된 제1 점착제층을 구비한 것(다시 말하면, 제1 기재 및 제1 점착제층이 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 이루어지는 것), 제1 기재와, 상기 제1 기재 상에 형성된 제1 중간층과, 상기 제1 중간층 상에 형성된 제1 점착제층을 구비한 것(다시 말하면, 제1 기재, 제1 중간층, 및 제1 점착제층이 이 순서로 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 이루어지는 것), 제1 기재만으로 이루어지는 것 등을 들 수 있다.

본 실시형태의 제1 보호막 형성용 시트의 예를 이러한 제1 지지 시트의 종류마다, 이하, 도면을 참조하면서 설명한다.

도 2는 본 발명의 일 실시형태에서 사용하는 제1 보호막 형성용 시트의 일 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.

여기에 나타내는 제1 보호막 형성용 시트(1)는 제1 지지 시트로서, 제1 기재 및 제1 점착제층이 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 이루어지는 것을 사용하고 있다. 즉, 제1 보호막 형성용 시트(1)는 제1 기재(11)와, 제1 기재(11)의 한쪽 면 상에 형성된 제1 점착제층(13)과, 제1 점착제층(13)의 제1 기재(11)측과는 반대측의 면(13a) 상에 형성된 열경화성 수지층(열경화성 수지 필름)(12)을 구비하여 구성되어 있다.

제1 지지 시트(101)는 제1 기재(11) 및 제1 점착제층(13)의 적층체이다. 그리고, 제1 보호막 형성용 시트(1)는 제1 지지 시트(101)와, 제1 지지 시트(101)의 한쪽 면(101a) 상, 다시 말하면, 제1 점착제층(13)의 한쪽 면(13a) 상에 형성된 열경화성 수지층(12)을 구비한 것이라고 할 수 있다.

제1 보호막 형성용 시트(1) 중의 열경화성 수지층(12)에 있어서, 상술한 열경화성 성분의 함유량의 비율은 40질량％ 이상이어도 된다. 또한, 제1 보호막 형성용 시트(1) 중의 두께가 200㎛인 1층의 열경화성 수지층(12), 또는 두께가 200㎛ 미만인 열경화성 수지층(12)이 2층 이상 적층되어 구성된 합계 두께가 200㎛인 적층 필름의, 파장 1342㎚의 광투과율은 50％ 이상이어도 된다. 또한, 제1 보호막 형성용 시트(1) 중의 열경화성 수지층(12)이 상술한 2종 이상의 열경화성 성분을 함유하는 경우, 열경화성 수지층(12)에 있어서, 열경화성 수지층(12)이 함유하는 열경화성 성분에 대해, 그 종류마다 상기 X값을 구하고, 열경화성 수지층(12)이 함유하는 전체 종류의 상기 열경화성 성분에 있어서의 상기 X값의 합계값을 구했을 때, 상기 합계값이 예를 들면, 400g/eq 이하가 되어도 된다.

도 3은 본 발명의 일 실시형태에서 사용하는 제1 보호막 형성용 시트의 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.

한편, 도 3 이후의 도면에 있어서, 이미 설명된 도면에 나타내는 것과 동일한 구성요소에는 그 설명된 도면의 경우와 동일한 부호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다.

여기에 나타내는 제1 보호막 형성용 시트(2)는 제1 지지 시트로서, 제1 기재, 제1 중간층, 및 제1 점착제층이 이 순서로 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 이루어지는 것을 사용하고 있다. 즉, 제1 보호막 형성용 시트(2)는 제1 기재(11)와, 제1 기재(11)의 한쪽 면 상에 형성된 제1 중간층(14)과, 제1 중간층(14)의 제1 기재(11)측과는 반대측의 면 상에 형성된 제1 점착제층(13)과, 제1 점착제층(13)의 제1 중간층(14)측과는 반대측의 면(13a) 상에 형성된 열경화성 수지층(열경화성 수지 필름)(12)을 구비하여 구성되어 있다.

제1 지지 시트(102)는 제1 기재(11), 제1 중간층(14), 및 제1 점착제층(13)의 적층체이다. 그리고, 제1 보호막 형성용 시트(2)는 제1 지지 시트(102)를 구비하고, 제1 지지 시트(102)의 한쪽 면(102a) 상, 다시 말하면, 제1 점착제층(13)의 한쪽 면(13a) 상에 열경화성 수지층(12)을 구비하고 있다고 할 수 있다.

제1 보호막 형성용 시트(2)는 다시 말하면, 도 2에 나타내는 제1 보호막 형성용 시트(1)에 있어서, 제1 기재(11)와 제1 점착제층(13)과의 사이에 추가로 제1 중간층(14)을 구비한 것이다.

제1 보호막 형성용 시트(2) 중의 열경화성 수지층(12)에 있어서, 상술한 열경화성 성분의 합계 함유량의 비율은 40질량％ 이상이어도 된다. 또한, 제1 보호막 형성용 시트(2) 중의 두께가 200㎛인 1층의 열경화성 수지층(12), 또는 두께가 200㎛ 미만인 열경화성 수지층(12)이 2층 이상 적층되어 구성된 합계 두께가 200㎛인 적층 필름의, 파장 1342㎚의 광투과율은 50％ 이상이어도 된다. 또한, 제1 보호막 형성용 시트(2) 중의 열경화성 수지층(12)이 상술한 2종 이상의 열경화성 성분을 함유하는 경우, 열경화성 수지층(12)에 있어서, 열경화성 수지층(12)이 함유하는 열경화성 성분에 대해, 그 종류마다 상기 X값을 구하고, 열경화성 수지층(12)이 함유하는 전체 종류의 상기 열경화성 성분에 있어서의 상기 X값의 합계값을 구했을 때, 상기 합계값이 예를 들면, 400g/eq 이하가 되어도 된다.

도 4는 본 발명의 일 실시형태에서 사용하는 제1 보호막 형성용 시트의 또 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.

여기에 나타내는 제1 보호막 형성용 시트(3)는 제1 지지 시트로서, 제1 기재만으로 이루어지는 것을 사용하고 있다. 즉, 제1 보호막 형성용 시트(3)는 제1 기재(11)와, 제1 기재(11) 상에 형성된 열경화성 수지층(열경화성 수지 필름)(12)을 구비하여 구성되어 있다.

제1 지지 시트(103)는 제1 기재(11)만으로 구성되어 있다. 그리고, 제1 보호막 형성용 시트(3)는 제1 지지 시트(103)를 구비하고, 제1 지지 시트(103)의 한쪽 면(103a) 상, 다시 말하면, 제1 기재(11)의 한쪽 면(11a) 상에, 열경화성 수지층(12)을 구비하고 있다고 할 수 있다.

제1 보호막 형성용 시트(3)는 다시 말하면, 도 2에 나타내는 제1 보호막 형성용 시트(1)에 있어서, 제1 점착제층(13)이 생략된 것이다.

제1 보호막 형성용 시트(3) 중의 열경화성 수지층(12)에 있어서, 상술한 열경화성 성분의 합계 함유량의 비율은 40질량％ 이상이어도 된다. 또한, 제1 보호막 형성용 시트(3) 중의 두께가 200㎛인 1층의 열경화성 수지층(12), 또는 두께가 200㎛ 미만인 열경화성 수지층(12)이 2층 이상 적층되어 구성된 합계 두께가 200㎛인 적층 필름의, 파장 1342㎚의 광투과율은 50％ 이상이어도 된다. 또한, 제1 보호막 형성용 시트(3) 중의 열경화성 수지층(12)이 상술한 2종 이상의 열경화성 성분을 함유하는 경우, 열경화성 수지층(12)에 있어서, 열경화성 수지층(12)이 함유하는 열경화성 성분에 대해, 그 종류마다 상기 X값을 구하고, 열경화성 수지층(12)이 함유하는 전체 종류의 상기 열경화성 성분에 있어서의 상기 X값의 합계값을 구했을 때, 상기 합계값이 예를 들면, 400g/eq 이하가 되어도 된다.

이어서, 제1 지지 시트의 구성에 대해 설명한다.

본 실시형태에 있어서, 제1 지지 시트로는, 공지의 것을 사용해도 되고, 목적에 따라 적절히 제1 지지 시트를 선택할 수 있다.

○제1 기재

상기 제1 기재는 시트형 또는 필름형이며, 그 구성 재료로는 예를 들면, 각종 수지를 들 수 있다.

제1 기재를 구성하는 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

제1 기재는 1층(단층)만이어도 되고, 2층 이상의 복수층이어도 되며, 복수층인 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.

제1 기재의 두께는 50∼200㎛인 것이 바람직하다.

여기서, 「제1 기재의 두께」란, 제1 기재 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 제1 기재의 두께란, 제1 기재를 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.

제1 기재는 상기 수지 등의 주된 구성 재료 이외에 충전재, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 촉매, 연화제(가소제) 등의 공지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다.

제1 기재는 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 되고, 다른 층이 증착되어 있어도 된다.

후술하는 제1 점착제층 또는 열경화성 수지층이 에너지선 경화성을 갖는 경우, 제1 기재는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다.

제1 기재는 예를 들면, 실시예에서 후술하는 바와 같은 수지제 필름의 편면이 실리콘 처리 등에 의해 박리 처리되어 이루어지는 박리 필름이어도 된다.

제1 기재는 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 수지를 함유하는 제1 기재는 상기 수지를 함유하는 수지 조성물을 성형함으로써 제조할 수 있다.

○제1 점착제층

상기 제1 점착제층은 시트형 또는 필름형이며, 점착제를 함유한다.

상기 점착제로는 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 고무계 수지, 실리콘 수지, 에폭시계 수지, 폴리비닐에테르, 폴리카보네이트 등의 점착성 수지를 들 수 있고, 아크릴 수지가 바람직하다.

한편, 본 발명에 있어서, 「점착성 수지」란, 점착성을 갖는 수지와, 접착성을 갖는 수지의 양쪽을 포함하는 개념이며, 예를 들면, 수지 자체가 점착성을 갖는 것 뿐만이 아니라, 첨가제 등의 다른 성분과의 병용에 의해 점착성을 나타내는 수지나, 열 또는 물 등의 트리거의 존재에 의해 접착성을 나타내는 수지 등도 포함한다.

제1 점착제층은 1층(단층)만이어도 되고, 2층 이상의 복수층이어도 되며, 복수층인 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.

제1 점착제층의 두께는 3∼40㎛인 것이 바람직하다.

여기서, 「제1 점착제층의 두께」란, 제1 점착제층 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 제1 점착제층의 두께란, 제1 점착제층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.

제1 점착제층은 에너지선 경화성 점착제를 사용하여 형성된 것이어도 되고, 비에너지선 경화성 점착제를 사용하여 형성된 것이어도 된다. 에너지선 경화성의 점착제를 사용하여 형성된 제1 점착제층은 경화 전 및 경화 후에서의 물성을 용이하게 조절할 수 있다.

본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미하고, 그 예로서 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다.

자외선은 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 램프, 크세논 램프, 블랙 라이트, 또는 LED 램프 등을 이용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.

본 발명에 있어서, 「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화하는 성질을 의미하고, 「비에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 성질을 의미한다.

＜제1 점착제 조성물＞

제1 점착제층은 점착제를 함유하는 제1 점착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 제1 점착제층의 형성 대상면에 제1 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 제1 점착제층을 형성할 수 있다. 제1 점착제층의 보다 구체적인 형성 방법은 다른 층의 형성 방법과 함께, 추후 상세하게 설명한다.

제1 점착제 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커텐 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 메이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다.

제1 점착제 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않으나, 제1 점착제 조성물은 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 제1 점착제 조성물은 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건으로 건조시켜도 된다.

제1 점착제층이 에너지선 경화성인 경우, 에너지선 경화성 점착제를 함유하는 제1 점착제 조성물, 즉, 에너지선 경화성의 제1 점착제 조성물로는 예를 들면, 비에너지선 경화성의 점착성 수지(I-1a)(이하, 「점착성 수지(I-1a)」라고 약기하는 경우가 있다)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 제1 점착제 조성물(I-1); 상기 점착성 수지(I-1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성의 점착성 수지(I-2a)(이하, 「점착성 수지(I-2a)」라고 약기하는 경우가 있다)를 함유하는 제1 점착제 조성물(I-2); 상기 점착성 수지(I-2a)와, 에너지선 경화성 저분자 화합물을 함유하는 제1 점착제 조성물(I-3) 등을 들 수 있다.

＜제1 점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 제1 점착제 조성물＞

제1 점착제 조성물(I-1), 제1 점착제 조성물(I-2), 또는 제1 점착제 조성물(I-3)의 함유 성분은, 이들 3종의 제1 점착제 조성물 이외의 전반적인 제1 점착제 조성물(본 명세서에 있어서는, 「제1 점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 제1 점착제 조성물」이라고 칭한다)에서도 동일하게 사용할 수 있다.

제1 점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 제1 점착제 조성물로는, 에너지선 경화성의 점착제 조성물 이외에, 비에너지선 경화성의 점착제 조성물도 들 수 있다.

비에너지선 경화성의 제1 점착제 조성물로는 예를 들면, 상기 점착성 수지(I-1a)를 함유하는 제1 점착제 조성물(I-4)을 들 수 있다.

제1 점착제 조성물(I-4)은 상기 점착성 수지(I-1a)로서 아크릴 수지를 함유하는 것이 바람직하고, 또한 1종 또는 2종 이상의 가교제를 함유하는 것이 보다 바람직하다.

＜제1 점착제 조성물의 제조 방법＞

제1 점착제 조성물(I-1)∼(I-4) 등의 상기 제1 점착제 조성물은 상기 점착제와, 필요에 따라 상기 점착제 이외의 성분 등의 제1 점착제 조성물을 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.

각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다.

용매를 사용하는 경우에는, 용매를 용매 이외 중 어느 배합 성분과 혼합하여 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로써 사용해도 되고, 용매 이외 중 어느 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다.

배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다.

각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도와 시간은, 각 배합 성분이 열화하지 않는 한, 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되나, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다.

○제1 중간층

상기 제1 중간층은 시트형 또는 필름형이며, 그 구성 재료는 목적에 따라 적절히 선택하면 되고, 특별히 한정되지 않는다.

예를 들면, 돌출상 전극 형성면에 형성되어 있는 제1 보호막에 상기 회로면 상에 존재하는 돌출상 전극의 형상이 반영됨으로써, 제1 보호막이 변형되는 것의 억제를 목적으로 하는 경우, 상기 제1 중간층의 바람직한 구성 재료로는, 제1 중간층의 첩부성이 보다 향상되는 점에서, 우레탄(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

제1 중간층은 1층(단층)만이어도 되고, 2층 이상의 복수층이어도 되며, 복수층인 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.

제1 중간층의 두께는 보호 대상이 되는 워크 또는 워크 가공물의 표면에 존재하는 돌출상 전극의 높이에 따라 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 비교적 높이가 높은 돌출상 전극의 영향도 용이하게 흡수할 수 있는 점에서는, 제1 중간층의 두께는 50∼600㎛인 것이 바람직하다.

여기서, 「제1 중간층의 두께」란, 제1 중간층 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 제1 중간층의 두께란, 제1 중간층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.

＜＜제1 중간층 형성용 조성물＞＞

제1 중간층은 그 구성 재료를 함유하는 제1 중간층 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 제1 중간층의 형성 대상면에 제1 중간층 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시키거나 에너지선의 조사에 의해 경화시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 제1 중간층을 형성할 수 있다. 제1 중간층의 보다 구체적인 형성 방법은 다른 층의 형성 방법과 함께, 추후 상세하게 설명한다.

제1 중간층 형성용 조성물은 예를 들면, 제1 점착제 조성물의 경우와 동일한 방법으로 도공할 수 있다.

제1 중간층 형성용 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 제1 점착제 조성물의 건조 조건과 동일하면 된다.

제1 중간층 형성용 조성물은 에너지선 경화성을 갖는 경우, 건조 후, 추가로 에너지선의 조사에 의해 경화시켜도 된다.

＜제1 중간층 형성용 조성물의 제조 방법＞

제1 중간층 형성용 조성물은 예를 들면, 배합 성분이 상이한 점 이외에는, 상기 제1 점착제 조성물의 경우와 동일한 방법으로 제조할 수 있다.

◎열경화성 수지 필름(열경화성 수지층)

상기 열경화성 수지 필름(열경화성 수지층)은 워크 및 워크 가공물의 회로면, 그리고 이 회로면 상에 형성된 돌출상 전극을 보호하기 위한 필름(층)이다.

상기 열경화성 수지 필름은 열경화에 의해 제1 보호막을 형성한다.

한편, 본 명세서에 있어서는, 열경화성 수지 필름이 경화한 후(다시 말하면, 제1 보호막을 형성한 후)여도, 제1 지지 시트 및 열경화성 수지 필름의 경화물(다시 말하면, 제1 지지 시트 및 제1 보호막)의 적층 구조가 유지되고 있는 한, 이 적층 구조체를 「제1 보호막 형성용 시트」라고 칭한다.

상기 열경화성 수지 필름은 열경화성의 특성 이외에, 에너지선 경화성의 특성을 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다.

단, 열경화성 수지 필름이 에너지선 경화성의 특성을 갖는 경우, 열경화성 수지 필름으로부터의 제1 보호막의 형성에 대해서는, 열경화성 수지 필름의 열경화의 기여가 에너지선 경화의 기여보다 큰 것으로 한다.

상기 열경화성 수지 필름은 에너지선 경화성의 유무에 상관없이, 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 열경화성 수지 필름이 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.

열경화성 수지 필름의 두께는 에너지선 경화성의 유무에 상관없이, 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 3∼80㎛인 것이 보다 바람직하며, 5∼60㎛인 것이 특히 바람직하다. 열경화성 수지 필름의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 보호능이 보다 높은 제1 보호막을 형성할 수 있다. 열경화성 수지 필름의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 워크의 돌출상 전극 형성면에 대한 열경화성 수지 필름의 첩부시에 돌출상 전극의 상부에 있어서의 열경화성 수지 필름의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다. 또한 열경화성 수지 필름의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 워크의 분할시에 제1 보호막을 보다 양호하게 절단할 수 있다.

여기서, 「열경화성 수지 필름의 두께」란, 열경화성 수지 필름 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 열경화성 수지 필름의 두께란, 열경화성 수지 필름을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.

＜＜열경화성 수지층 형성용 조성물＞＞

열경화성 수지 필름은 그 구성 재료를 함유하는 열경화성 수지층 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 열경화성 수지 필름은 그 형성 대상면에 열경화성 수지층 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 형성할 수 있다. 열경화성 수지층 형성용 조성물에 있어서의 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 열경화성 수지 필름에 있어서의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일하게 된다.

열경화성 수지층 형성용 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커텐 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 메이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다.

열경화성 수지층 형성용 조성물의 건조 조건은 열경화성 수지 필름의 에너지선 경화성의 유무에 상관없이, 특별히 한정되지 않는다. 단, 열경화성 수지층 형성용 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 열경화성 수지층 형성용 조성물은 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건으로 건조시켜도 된다. 단, 열경화성 수지층 형성용 조성물은 이 조성물 자체와, 이 조성물로부터 형성된 열경화성 수지 필름이 열경화하지 않도록, 가열 건조시키는 것이 바람직하다.

열경화성 수지 필름을 열경화시키고, 제1 보호막을 형성할 때의 경화 조건은 제1 보호막이 충분히 그 기능을 발휘하는 정도의 경화도가 되는 한, 특별히 한정되지 않고, 열경화성 수지 필름의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.

예를 들면, 열경화성 수지 필름의 열경화시의 가열 온도는 100∼200℃인 것이 바람직하고, 110∼180℃인 것이 보다 바람직하며, 120∼170℃인 것이 특히 바람직하다. 그리고, 상기 열경화시의 가열 시간은 0.5∼5시간인 것이 바람직하고, 0.5∼4시간인 것이 보다 바람직하며, 1∼3시간인 것이 특히 바람직하다.

바람직한 열경화성 수지 필름으로는 예를 들면, 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)을 함유하는 것을 들 수 있다. 중합체 성분(A)은 중합성 화합물이 중합 반응하여 형성되었다고 간주할 수 있는 성분이다. 또한, 열경화성 성분(B)은 열을 반응의 트리거로서, 경화(중합) 반응할 수 있는 성분이다. 한편, 본 명세서에 있어서 중합 반응에는 중축합 반응도 포함된다.

＜열경화성 수지층 형성용 조성물(III-1)＞

바람직한 열경화성 수지층 형성용 조성물로는 예를 들면, 상기 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)을 함유하는 열경화성 수지층 형성용 조성물(III-1)(본 명세서에 있어서는, 단순히 「조성물(III-1)」이라고 약기하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다.

[중합체 성분(A)]

중합체 성분(A)은 열경화성 수지 필름에 조막성이나 가요성 등을 부여하기 위한 중합체 화합물이다. 중합체 성분(A)은 열가소성을 갖고, 열경화성을 갖지 않는다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 중합체 성분(A)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

중합체 성분(A)으로는 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지, 실리콘 수지, 포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 중합체 성분(A)은 폴리비닐아세탈 또는 아크릴 수지인 것이 바람직하다.

중합체 성분(A)에 있어서의 상기 폴리비닐아세탈로는 공지의 것을 들 수 있다.

그 중에서도, 바람직한 폴리비닐아세탈로는 예를 들면, 폴리비닐포르말, 폴리비닐부티랄 등을 들 수 있고, 폴리비닐부티랄이 보다 바람직하다.

폴리비닐부티랄로는, 하기 식 (i)-1, (i)-2, 및 (i)-3으로 나타내는 구성 단위를 갖는 것을 들 수 있다.

(식 중, l, m, 및 n은 각각 독립적으로 1 이상의 정수이다)

폴리비닐아세탈의 중량 평균 분자량(Mw)은 5000∼200000인 것이 바람직하고, 8000∼100000인 것이 보다 바람직하다. 폴리비닐아세탈의 중량 평균 분자량이 이러한 범위임으로써, 열경화성 수지 필름을 상기 돌출상 전극 형성면에 첩부했을 때, 돌출상 전극의 상부에 있어서의 열경화성 수지 필름의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.

폴리비닐아세탈의 유리 전이 온도(Tg)는 40∼80℃인 것이 바람직하고, 50∼70℃인 것이 보다 바람직하다. 폴리비닐아세탈의 Tg가 이러한 범위임으로써, 열경화성 수지 필름을 상기 돌출상 전극 형성면에 첩부했을 때, 돌출상 전극의 상부에 있어서의 열경화성 수지 필름의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.

폴리비닐아세탈을 구성하는 3종 이상의 모노머의 비율은 임의로 선택할 수 있다.

중합체 성분(A)에 있어서의 아크릴 수지란, (메타)아크릴산 또는 그 유도체로부터 유도된 구성 단위를 갖는 수지를 의미한다.

한편, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」 및 「메타크릴산」의 양쪽을 포함하는 개념으로 한다. (메타)아크릴산과 유사한 용어에 대해서도 동일하며, 예를 들면, 「(메타)아크릴로일기」란, 「아크릴로일기」 및 「메타크릴로일기」의 양쪽을 포함하는 개념이고, 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양쪽을 포함하는 개념이다.

또한, 본 명세서에 있어서, 어느 특정 화합물의 「유도체」란, 그 화합물의 1개 이상의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기(치환기)로 치환된 구조를 갖는 것을 의미한다. 예를 들면, (메타)아크릴산에스테르는 (메타)아크릴산의 유도체이다.

중합체 성분(A)에 있어서의 상기 아크릴 수지로는, 공지의 아크릴 중합체를 들 수 있다.

아크릴 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 10000∼2000000인 것이 바람직하고, 100000∼1500000인 것이 보다 바람직하다. 아크릴 수지의 중량 평균 분자량이 상기 하한값 이상임으로써, 열경화성 수지 필름의 형상 안정성(보관시의 경시 안정성)이 향상된다. 아크릴 수지의 중량 평균 분자량이 상기 상한값 이하임으로써, 피착체의 요철면에 열경화성 수지 필름이 추종하기 쉬워지고, 피착체와 열경화성 수지 필름 사이에서 보이드 등의 발생이 보다 억제된다.

한편, 본 명세서에 있어서, 「중량 평균 분자량」이란, 특별히 언급이 없는 한, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값이다.

아크릴 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -60∼70℃인 것이 바람직하고, -30∼50℃인 것이 보다 바람직하다. 아크릴 수지의 Tg가 상기 하한값 이상임으로써, 예를 들면, 열경화성 수지 필름의 경화물과 지지 시트와의 접착력이 억제되고, 지지 시트의 박리성이 적당히 향상된다. 아크릴 수지의 Tg가 상기 상한값 이하임으로써, 열경화성 수지 필름 및 그 경화물의 피착체와의 접착력이 향상된다.

아크릴 수지로는 예를 들면, 1종 또는 2종 이상의 (메타)아크릴산에스테르의 중합체; (메타)아크릴산, 이타콘산, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 및 N-메틸올아크릴아미드 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 모노머의 공중합체 등을 들 수 있다.

아크릴 수지를 구성하는 상기 (메타)아크릴산에스테르로는 예를 들면, ((메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴) 등의, 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가, 탄소수가 1∼18의 사슬형 구조인 (메타)아크릴산알킬에스테르;

(메타)아크릴산이소보르닐, (메타)아크릴산디시클로펜타닐 등의 (메타)아크릴산시클로알킬에스테르;

(메타)아크릴산벤질 등의 (메타)아크릴산아랄킬에스테르;

(메타)아크릴산디시클로펜테닐에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐에스테르;

(메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐옥시알킬에스테르;

(메타)아크릴산이미드;

(메타)아크릴산글리시딜 등의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르;

(메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르;

(메타)아크릴산N-메틸아미노에틸 등의 치환 아미노기 함유 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다. 여기서, 「치환 아미노기」란, 아미노기의 1개 또는 2개의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환되어 이루어지는 기를 의미한다.

아크릴 수지는 예를 들면, 상기 (메타)아크릴산에스테르 이외에, (메타)아크릴산, 이타콘산, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌, 및 N-메틸올아크릴아미드 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 모노머가 공중합하여 이루어지는 것이어도 된다.

아크릴 수지를 구성하는 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

아크릴 수지는 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 다른 화합물과 결합 가능한 관능기를 갖고 있어도 된다. 아크릴 수지의 상기 관능기는 후술하는 가교제(F)를 개재하여 다른 화합물과 결합해도 되고, 가교제(F)를 개재하지 않고 다른 화합물과 직접 결합하고 있어도 된다. 아크릴 수지가 상기 관능기에 의해 다른 화합물과 결합함으로써, 제1 보호막 형성용 시트를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 향상되는 경향이 있다.

본 발명에 있어서는, 예를 들면, 중합체 성분(A)으로서, 폴리비닐아세탈 및 아크릴 수지 이외의 열가소성 수지(이하, 단순히 「열가소성 수지」라고 약기하는 경우가 있다)를 폴리비닐아세탈 및 아크릴 수지를 사용하지 않고 단독으로 사용해도 되고, 폴리비닐아세탈 또는 아크릴 수지와 병용해도 된다. 상기 열가소성 수지를 사용함으로써, 제1 보호막의 제1 지지 시트로부터의 박리성이 향상되거나 피착체의 요철면에 열경화성 수지 필름이 추종하기 쉬워지고, 피착체와 열경화성 수지 필름 사이에 보이드 등의 발생이 보다 억제되는 경우가 있다.

상기 열가소성 수지의 중량 평균 분자량은 1000∼100000인 것이 바람직하고, 3000∼80000인 것이 보다 바람직하다.

상기 열가소성 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -30∼150℃인 것이 바람직하고, -20∼120℃인 것이 보다 바람직하다.

상기 열가소성 수지로는 예를 들면, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 페녹시 수지, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리스티렌 등을 들 수 있다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 상기 열가소성 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

조성물(III-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 중합체 성분(A)의 함유량의 비율(즉, 열경화성 수지 필름에 있어서의 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 중합체 성분(A)의 함유량의 비율)은 예를 들면, 중합체 성분(A)의 종류에 상관없이, 5∼60질량％, 5∼45질량％, 5∼30질량％, 및 5∼15질량％ 중 어느 하나여도 된다.

중합체 성분(A)은 열경화성 성분(B)에도 해당하는 경우가 있다. 본 발명에 있어서는, 조성물(III-1)이 이러한 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)의 양쪽에 해당하는 성분을 함유하는 경우, 조성물(III-1)은 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)을 함유한다고 간주한다.

[열경화성 성분(B)]

열경화성 성분(B)은 열경화성을 갖고, 열경화성 수지 필름을 열경화시켜, 경질의 제1 보호막을 형성하기 위한 성분이다.

또한, 열경화성 수지 필름에 있어서, 상술한 함유량의 비율을 규정하는 「열경화성 성분」과, 상기 X값의 산출 대상인 「열경화성 성분」의 양쪽에 열경화성 성분(B)은 해당한다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 열경화성 성분(B)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

열경화성 성분(B)으로는 예를 들면, 에폭시계 열경화성 수지, 폴리이미드 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 열경화성 성분(B)은 에폭시계 열경화성 수지인 것이 바람직하다.

(에폭시계 열경화성 수지)

에폭시계 열경화성 수지는 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)로 이루어진다.

열경화성 수지 필름에 있어서, 상술한 함유량의 비율을 규정하는 「열경화성 성분」과, 상기 X값의 산출 대상인 「열경화성 성분」의 양쪽에 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)는 모두 해당한다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 에폭시계 열경화성 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

·에폭시 수지(B1)

에폭시 수지(B1)로는 공지의 것을 들 수 있고, 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지, 비페닐 화합물, 비스페놀A 디글리시딜에테르 및 그 수첨물, 오쏘크레졸노볼락 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 2관능 이상의 에폭시 화합물을 들 수 있다.

에폭시 수지(B1)로는 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용해도 된다. 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지는 불포화 탄화수소기를 갖지 않는 에폭시 수지보다 아크릴 수지와의 상용성이 높다. 이 때문에, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용함으로써, 제1 보호막 형성용 시트를 사용하여 얻어진 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 신뢰성이 향상된다.

불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지의 에폭시기의 일부가 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 변환되어 이루어지는 화합물을 들 수 있다. 이러한 화합물은 예를 들면, 에폭시기에 (메타)아크릴산 또는 그 유도체를 부가 반응시킴으로써 얻어진다.

또한, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는 예를 들면, 에폭시 수지를 구성하는 방향 고리 등에 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합한 화합물 등을 들 수 있다.

불포화 탄화수소기는 중합성을 갖는 불포화기이며, 그 구체적인 예로는 에테닐기(비닐기), 2-프로페닐기(알릴기), (메타)아크릴로일기, (메타)아크릴아미드기 등을 들 수 있고, 아크릴로일기가 바람직하다.

에폭시 수지(B1)의 수평균 분자량은 특별히 한정되지 않으나, 열경화성 수지 필름의 경화성, 그리고 경화 후의 수지막의 강도 및 내열성의 점에서, 300∼30000인 것이 바람직하고, 300∼10000인 것이 보다 바람직하며, 300∼3000인 것이 특히 바람직하다.

에폭시 수지(B1)의 에폭시 당량은 100∼1000g/eq인 것이 바람직하고, 150∼970g/eq인 것이 보다 바람직하다.

에폭시 수지(B1)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 그러한 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

·열경화제(B2)

열경화제(B2)는 에폭시 수지(B1)에 대한 경화제로서 기능한다.

열경화제(B2)로는 예를 들면, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 상기 관능기로는 예를 들면, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복시기, 산기가 무수물화된 기 등을 들 수 있고, 페놀성 수산기, 아미노기, 또는 산기가 무수물화된 기인 것이 바람직하며, 페놀성 수산기 또는 아미노기인 것이 보다 바람직하다.

열경화제(B2) 중, 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 경화제로는 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아랄킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다.

열경화제(B2) 중, 아미노기를 갖는 아민계 경화제로는 예를 들면, 디시안디아미드 등을 들 수 있다.

열경화제(B2)는 불포화 탄화수소기를 갖고 있어도 된다.

불포화 탄화수소기를 갖는 열경화제(B2)로는 예를 들면, 페놀 수지의 수산기의 일부가 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 치환되어 이루어지는 화합물, 페놀 수지의 방향 고리에 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합하여 이루어지는 화합물 등을 들 수 있다.

열경화제(B2)에 있어서의 상기 불포화 탄화수소기는, 상술한 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지에 있어서의 불포화 탄화수소기와 동일한 것이다.

열경화제(B2)로서 페놀계 경화제를 사용하는 경우에는, 제1 보호막의 제1 지지 시트로부터의 박리성이 향상되는 점에서, 열경화제(B2)는 연화점 또는 유리 전이 온도가 높은 것이 바람직하다.

열경화제(B2) 중, 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아랄킬형 페놀 수지 등의 수지 성분의 수평균 분자량은 300∼30000인 것이 바람직하고, 400∼10000인 것이 보다 바람직하며, 500∼3000인 것이 특히 바람직하다.

열경화제(B2) 중 예를 들면, 비페놀, 디시안디아미드 등의 비수지 성분의 분자량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 60∼500인 것이 바람직하다.

열경화제(B2)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 그러한 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름에 있어서, 열경화제(B2)의 함유량은 에폭시 수지(B1)의 함유량 100질량부에 대해 예를 들면, 0.1∼500질량부, 1∼250질량부, 1∼150질량부, 1∼100질량부, 1∼75질량부, 및 1∼50질량부 중 어느 하나여도 된다. 열경화제(B2)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 열경화성 수지 필름의 경화가 보다 진행되기 쉬워진다. 열경화제(B2)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 열경화성 수지 필름의 흡습률이 저감되고, 제1 보호막 형성용 시트를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름에 있어서, 열경화성 성분(B)의 함유량(예를 들면, 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)의 총 함유량)은 중합체 성분(A)의 함유량 100질량부에 대해 예를 들면, 300∼1400질량부, 400∼1300질량부, 500∼1100질량부, 600∼1000질량부, 및 700∼900질량부 중 어느 하나여도 된다. 열경화성 성분(B)의 상기 함유량이 이러한 범위임으로써, 예를 들면, 제1 보호막과 제1 지지 시트와의 접착력이 억제되고, 제1 지지 시트의 박리성이 향상된다.

[경화 촉진제(C)]

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름은 경화 촉진제(C)를 함유하고 있어도 된다. 경화 촉진제(C)는 조성물(III-1)의 경화 속도를 조정하기 위한 성분이다.

바람직한 경화 촉진제(C)로는 예를 들면, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3차 아민; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류(1개 이상의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환된 이미다졸); 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류(1개 이상의 수소 원자가 유기기로 치환된 포스핀); 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등을 들 수 있다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 경화 촉진제(C)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

경화 촉진제(C)를 사용하는 경우, 조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름에 있어서, 경화 촉진제(C)의 함유량은 열경화성 성분(B)의 함유량 100질량부에 대해 예를 들면, 0.01∼10질량부 및 0.1∼7질량부 중 어느 하나여도 된다. 경화 촉진제(C)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 경화 촉진제(C)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 경화 촉진제(C)의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 예를 들면, 고극성의 경화 촉진제(C)가 고온·고습도 조건하에서 열경화성 수지 필름 중에 있어서 피착체와의 접착 계면측으로 이동하여 편석하는 것을 억제하는 효과가 높아진다. 그 결과, 제1 보호막 형성용 시트를 사용하여 얻어진 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 신뢰성이 보다 향상된다.

[충전재(D)]

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름은 충전재(D)를 함유하고 있어도 된다. 열경화성 수지 필름이 충전재(D)를 함유함으로써, 열경화성 수지 필름을 경화하여 얻어진 제1 보호막은 열팽창 계수의 조정이 용이해진다. 그리고, 이 열팽창 계수를 제1 보호막의 형성 대상물에 대해 최적화함으로써, 제1 보호막 형성용 시트를 사용하여 얻어진 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 신뢰성이 보다 향상된다. 또한, 열경화성 수지 필름이 충전재(D)를 함유함으로써, 제1 보호막의 흡습률을 저감하거나 방열성을 향상시킬 수도 있다.

충전재(D)는 유기 충전재 및 무기 충전재 중 어느 하나여도 되나, 무기 충전재인 것이 바람직하다.

바람직한 무기 충전재로는 예를 들면, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 티탄 화이트, 벵갈라, 탄화 규소, 질화붕소 등의 분말; 이들 무기 충전재를 구형화한 비즈; 이들 무기 충전재의 표면 개질품; 이들 무기 충전재의 단결정 섬유; 유리 섬유 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 무기 충전재는 실리카 또는 알루미나인 것이 바람직하고, 실리카인 것이 보다 바람직하다.

충전재(D)의 평균 입자 직경은 목적에 따라 적절히 선택하면 되고, 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 0.02∼2㎛여도 된다.

한편, 본 명세서에 있어서 「평균 입자 직경」이란, 특별히 언급이 없는 한, 레이저 회절 산란법에 따라 구해진 입도 분포 곡선에 있어서의 적산치 50％에서의 입자 직경(D₅₀)의 값을 의미한다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 충전재(D)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

조성물(III-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 충전재(D)의 함유량의 비율(즉, 열경화성 수지 필름에 있어서의 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 충전재(D)의 함유량의 비율)은 예를 들면, 3∼60질량％, 4∼40질량％, 5∼30질량％, 5∼20질량％, 및 5∼15질량％ 중 어느 하나여도 된다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기의 제1 보호막의 열팽창 계수의 조정이 보다 용이해진다.

[커플링제(E)]

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름은 커플링제(E)를 함유하고 있어도 된다. 커플링제(E)로서, 무기 화합물 또는 유기 화합물과 반응 가능한 관능기를 갖는 것을 사용함으로써, 열경화성 수지 필름의 피착체에 대한 접착성 및 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 커플링제(E)를 사용함으로써, 열경화성 수지 필름의 경화물은 내열성을 저해하지 않고 내수성이 향상된다.

커플링제(E)는 중합체 성분(A), 열경화성 성분(B) 등이 갖는 관능기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 실란 커플링제인 것이 보다 바람직하다.

바람직한 상기 실란 커플링제로는 예를 들면, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란, 3-글리시딜옥시메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필메틸디에톡시실란, 3-(페닐아미노)프로필트리메톡시실란, 3-아닐리노프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라설판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 커플링제(E)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

커플링제(E)를 사용하는 경우, 조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름에 있어서, 커플링제(E)의 함유량은 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)의 총 함유량 100질량부에 대해 예를 들면, 0.03∼20질량부, 0.05∼10질량부, 및 0.1∼5질량부 중 어느 하나여도 된다. 커플링제(E)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 충전재(D)의 수지에 대한 분산성의 향상이나, 열경화성 수지 필름의 피착체와의 접착성의 향상 등, 커플링제(E)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 커플링제(E)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 아웃 가스의 발생이 보다 억제된다.

[가교제(F)]

중합체 성분(A)으로서, 상술한 아크릴 수지 등의 다른 화합물과 결합 가능한 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 관능기를 갖는 것을 사용하는 경우, 조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름은 가교제(F)를 함유하고 있어도 된다. 가교제(F)는 중합체 성분(A) 중의 상기 관능기를 다른 화합물과 결합시켜 가교하기 위한 성분이고, 이와 같이 가교함으로써, 열경화성 수지 필름의 초기 접착력 및 응집력을 조절할 수 있다.

가교제(F)로는 예를 들면, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물, 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제), 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.

상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로는 예를 들면, 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 및 지환족 다가 이소시아네이트 화합물(이하, 이들 화합물을 포괄하여 「방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등」이라고 약기하는 경우가 있다); 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등의 삼량체, 이소시아누레이트체, 및 어덕트체; 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머 등을 들 수 있다. 상기 「어덕트체」는 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 또는 지환족 다가 이소시아네이트 화합물과, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판, 또는 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물의 반응물을 의미한다. 상기 어덕트체의 예로는, 후술하는 바와 같은 트리메틸올프로판의 자일릴렌디이소시아네이트 부가물 등을 들 수 있다. 또한, 「말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머」란, 우레탄 결합을 가지면서, 분자의 말단부에 이소시아네이트기를 갖는 프리폴리머를 의미한다.

상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로서, 보다 구체적으로는 예를 들면, 2,4-톨릴2,4-톨릴렌디이소시아네이트; 2,6-톨릴렌디이소시아네이트; 1,3-자일릴렌디이소시아네이트; 1,4-자일릴렌디이소시아네이트; 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트; 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트; 헥사메틸렌디이소시아네이트; 이소포론디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트; 트리메틸올프로판 등의 폴리올의 전부 또는 일부의 수산기에 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 및 자일릴렌디이소시아네이트 중 어느 1종 또는 2종 이상이 부가된 화합물; 리신디이소시아네이트 등을 들 수 있다.

상기 유기 다가 이민 화합물로는 예를 들면, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 들 수 있다.

가교제(F)로서 유기 다가 이소시아네이트 화합물을 사용하는 경우, 중합체 성분(A)으로는, 수산기 함유 중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 가교제(F)가 이소시아네이트기를 갖고, 중합체 성분(A)이 수산기를 갖는 경우, 가교제(F)와 중합체 성분(A)의 반응에 의해, 열경화성 보호막 형성용 필름에 가교 구조를 간편하게 도입할 수 있다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 가교제(F)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

가교제(F)를 사용하는 경우, 조성물(III-1)에 있어서, 가교제(F)의 함유량은 중합체 성분(A)의 함유량 100질량부에 대해 예를 들면, 0.01∼20질량부, 0.1∼10질량부, 및 0.5∼5질량부 중 어느 하나여도 된다. 가교제(F)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 가교제(F)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 가교제(F)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 가교제(F)의 과잉 사용이 억제된다.

[에너지선 경화성 수지(G)]

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하고 있어도 된다. 열경화성 수지 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하고 있음으로써, 에너지선의 조사에 의해 특성을 변화시킬 수 있다.

에너지선 경화성 수지(G)는 에너지선 경화성 화합물을 중합(경화)하여 얻어진 것이다.

상기 에너지선 경화성 화합물로는 예를 들면, 분자 내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖는 화합물을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트계 화합물이 바람직하다.

상기 아크릴레이트계 화합물로는 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트 등의 사슬형 지방족 골격 함유 (메타)아크릴레이트; 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트 등의 고리형 지방족 골격 함유 (메타)아크릴레이트; 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트; 올리고에스테르(메타)아크릴레이트; 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머; 에폭시 변성 (메타)아크릴레이트; 상기 폴리알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트 이외의 폴리에테르(메타)아크릴레이트; 이타콘산 올리고머 등을 들 수 있다.

상기 에너지선 경화성 화합물의 중량 평균 분자량은, 100∼30000인 것이 바람직하고, 300∼10000인 것이 보다 바람직하다.

중합에 사용하는 상기 에너지선 경화성 화합물은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 에너지선 경화성 수지(G)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

에너지선 경화성 수지(G)를 사용하는 경우, 조성물(III-1)에 있어서, 조성물(III-1)의 총 질량에 대한 에너지선 경화성 수지(G)의 함유량의 비율은 예를 들면, 1∼95질량％, 5∼90질량％, 및 10∼85질량％ 중 어느 하나여도 된다.

[광중합 개시제(H)]

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하는 경우, 에너지선 경화성 수지(G)의 중합 반응을 효율적으로 진행하기 위해, 광중합 개시제(H)를 함유하고 있어도 된다.

조성물(III-1)에 있어서의 광중합 개시제(H)로는 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드 등의 설파이드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판온; 2-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물 등을 들 수 있다.

또한, 상기 광중합 개시제로는 예를 들면, 1-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물; 아민 등의 광증감제 등도 들 수 있다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 광중합 개시제(H)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

광중합 개시제(H)를 사용하는 경우, 조성물(III-1)에 있어서, 광중합 개시제(H)의 함유량은 에너지선 경화성 수지(G)의 함유량 100질량부에 대해 예를 들면, 0.1∼20질량부, 1∼10질량부, 및 2∼5질량부 중 어느 하나여도 된다.

[착색제(I)]

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름은 착색제(I)를 함유하고 있어도 된다.

착색제(I)로는 예를 들면, 무기계 안료, 유기계 안료, 유기계 염료 등, 공지의 것을 들 수 있다.

상기 유기계 안료 및 유기계 염료로는 예를 들면, 아미늄계 색소, 시아닌계 색소, 메로시아닌계 색소, 크로코늄계 색소, 스쿠아릴륨계 색소, 아즈레늄계 색소, 폴리메틴계 색소, 나프토퀴논계 색소, 피릴륨계 색소, 프탈로시아닌계 색소, 나프탈로시아닌계 색소, 나프토락탐계 색소, 아조계 색소, 축합 아조계 색소, 인디고계 색소, 페리논계 색소, 페릴렌계 색소, 디옥사진계 색소, 퀴나크리돈계 색소, 이소인돌리논계 색소, 퀴노프탈론계 색소, 피롤계 색소, 티오인디고계 색소, 금속 착체계 색소(금속 착염 염료), 디티올 금속 착체계 색소, 인돌페놀계 색소, 트리아릴메탄계 색소, 안트라퀴논계 색소, 나프톨계 색소, 아조메틴계 색소, 벤즈이미다졸론계 색소, 피란트론계 색소, 및 스렌계 색소 등을 들 수 있다.

상기 무기계 안료로는 예를 들면, 카본 블랙, 코발트계 색소, 철계 색소, 크롬계 색소, 티탄계 색소, 바나듐계 색소, 지르코늄계 색소, 몰리브덴계 색소, 루테늄계 색소, 백금계 색소, ITO(인듐 주석 옥사이드)계 색소, ATO(안티몬 주석 옥사이드)계 색소 등을 들 수 있다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 착색제(I)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

착색제(I)를 사용하는 경우, 열경화성 수지 필름의 착색제(I)의 함유량은 목적에 따라 적절히 조절하면 된다. 예를 들면, 조성물(III-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 착색제(I)의 함유량의 비율(즉, 열경화성 수지 필름에 있어서의 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 착색제(I)의 함유량의 비율)은 0.1∼5질량％이어도 된다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 착색제(I)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 상기 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 열경화성 수지 필름의 광투과성의 과도한 저하가 억제된다.

[범용 첨가제(J)]

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 범용 첨가제(J)를 함유하고 있어도 된다.

범용 첨가제(J)는 공지의 것이어도 되고, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있으며, 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는 예를 들면, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 게터링제 등을 들 수 있다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 범용 첨가제(J)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

조성물(III-1) 및 열경화성 수지 필름의 범용 첨가제(J)의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택하면 된다.

[용매]

조성물(III-1)은 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 조성물(III-1)은 취급성이 양호해진다.

상기 용매는 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다.

조성물(III-1)이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.

조성물(III-1)이 함유하는 용매는 조성물(III-1) 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 메틸에틸케톤 등인 것이 바람직하다.

조성물(III-1)의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 용매 이외의 성분의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.

＜＜열경화성 수지층 형성용 조성물의 제조 방법＞＞

조성물(III-1) 등의 열경화성 수지층 형성용 조성물은 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.

용매를 사용하는 경우에는, 용매를 용매 이외 중 어느 배합 성분과 혼합하여 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로써 사용해도 되고, 용매 이외 중 어느 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다.

배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다.

각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도와 시간은 각 배합 성분이 열화하지 않는 한, 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되나, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다.

◇제1 보호막 형성용 시트의 제조 방법

상기 제1 보호막 형성용 시트는 상술한 각 층을 대응하는 위치 관계가 되도록 순차적으로 적층함으로써 제조할 수 있다. 각 층의 형성 방법은 앞서 설명한 바와 같다.

예를 들면, 제1 지지 시트를 제조할 때, 제1 기재 상에 제1 점착제층 또는 제1 중간층을 적층하는 경우에는, 제1 기재 상에 상술한 제1 점착제 조성물 또는 제1 중간층 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시키거나, 또는 에너지선을 조사함으로써, 제1 점착제층 또는 제1 중간층을 적층할 수 있다.

한편, 예를 들면, 제1 기재 상에 적층된 제1 점착제층의 위에 추가로 열경화성 수지층(열경화성 수지 필름)을 적층하는 경우에는, 제1 점착제층 상에 열경화성 수지층 형성용 조성물을 도공하여, 열경화성 수지층을 직접 형성하는 것이 가능하다. 동일하게, 제1 기재 상에 적층된 제1 중간층의 위에 추가로 제1 점착제층을 적층하는 경우에는, 제1 중간층 상에 제1 점착제 조성물을 도공하여, 제1 점착제층을 직접 형성하는 것이 가능하다. 이와 같이 어느 조성물을 사용하여, 연속하는 2층의 적층 구조를 형성하는 경우에는, 상기 조성물로부터 형성된 층의 위에 추가로 다른 조성물을 도공하여 새롭게 층을 형성하는 것이 가능하다. 단, 이들 2층 중 나중에 적층하는 층은 다른 박리 필름 상에 상기 조성물을 사용하여 미리 형성해 두고, 이 형성된 층의 상기 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측의 노출면을 이미 형성된 나머지의 층의 노출면과 첩합함으로써, 연속하는 2층의 적층 구조를 형성하는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 조성물은 박리 필름의 박리 처리면에 도공하는 것이 바람직하다. 박리 필름은 적층 구조의 형성 후, 필요에 따라 제거하면 된다.

예를 들면, 제1 기재 상에 제1 점착제층이 적층되고, 상기 제1 점착제층 상에 열경화성 수지층이 적층되어 이루어지는 제1 보호막 형성용 시트(제1 지지 시트가 제1 기재 및 제1 점착제층의 적층물인 제1 보호막 형성용 시트)를 제조하는 경우에는, 제1 기재 상에 제1 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 제1 기재 상에 제1 점착제층을 적층해 두어, 별도, 박리 필름 상에 열경화성 수지층 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 열경화성 수지층을 형성해 두고, 이 열경화성 수지층의 노출면을 제1 기재 상에 적층된 제1 점착제층의 노출면과 첩합하여, 열경화성 수지층을 제1 점착제층 상에 적층함으로써, 제1 보호막 형성용 시트가 얻어진다.

또한, 예를 들면, 제1 기재 상에 제1 중간층이 적층되고, 상기 제1 중간층 상에 제1 점착제층이 적층되어 이루어지는 제1 지지 시트를 제조하는 경우에는, 제1 기재 상에 제1 중간층 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시키거나, 또는 에너지선을 조사함으로써, 제1 기재 상에 제1 중간층을 적층해 두어, 별도, 박리 필름 상에 제1 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 제1 점착제층을 형성해 두고, 이 제1 점착제층의 노출면을 제1 기재 상에 적층된 제1 중간층의 노출면과 첩합하여, 제1 점착제층을 제1 중간층 상에 적층함으로써, 제1 지지 시트가 얻어진다. 이 경우, 예를 들면, 추가로 별도, 박리 필름 상에 열경화성 수지층 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 경화성 수지층을 형성해 두어, 이 경화성 수지층의 노출면을 제1 중간층 상에 적층된 제1 점착제층의 노출면과 첩합하여, 열경화성 수지층을 제1 점착제층 상에 적층함로써, 제1 보호막 형성용 시트가 얻어진다.

한편, 제1 기재 상에 제1 점착제층 또는 제1 중간층을 적층하는 경우에는, 상술한 바와 같이 제1 기재 상에 제1 점착제 조성물 또는 제1 중간층 형성용 조성물을 도공하는 방법 대신에, 박리 필름 상에 제1 점착제 조성물 또는 제1 중간층 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시키거나, 또는 에너지선을 조사함으로써, 박리 필름 상에 제1 점착제층 또는 제1 중간층을 형성해 두어, 이들 층의 노출면을 제1 기재의 한쪽의 표면과 첩합함으로써, 제1 점착제층 또는 제1 중간층을 제1 기재 상에 적층해도 된다.

어느 방법에 있어서도, 박리 필름은 목적으로 하는 적층 구조를 형성 후의 임의의 타이밍에서 제거하면 된다.

이와 같이, 제1 보호막 형성용 시트를 구성하는 제1 기재 이외의 층은 모두, 박리 필름 상에 미리 형성해 두고, 목적으로 하는 층의 표면에 첩합하는 방법으로 적층할 수 있기 때문에, 필요에 따라 이러한 공정을 채용하는 층을 적절히 선택하여, 제1 보호막 형성용 시트를 제조하면 된다.

한편, 제1 보호막 형성용 시트는 통상, 그 제1 지지 시트와는 반대측의 최표층(예를 들면, 열경화성 수지층)의 면에 박리 필름이 첩합된 상태로 보관된다. 따라서, 이 박리 필름(바람직하게는, 그 박리 처리면) 상에 열경화성 수지층 형성용 조성물 등의 최표층을 구성하는 층을 형성하기 위한 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 최표층을 구성하는 층을 형성해 두고, 이 층의 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측의 노출면 상에 나머지의 각 층을 상술한 어느 방법으로 적층하여, 박리 필름을 제거하지 않고 첩합된 상태인 채로 함으로써도, 제1 보호막 형성용 시트가 얻어진다.

제1 지지 시트로는 시판품을 사용해도 된다.

◇제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법

이하, 도면을 참조하면서, 본 실시형태의 제조 방법에 대해 상세하게 설명한다.

도 5a∼도 5c 및 도 6a∼도 6b는 상기 워크 가공물의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다. 여기에서는, 도 2에 나타내는 제1 보호막 형성용 시트(1)를 사용한 경우의 제조 방법에 대해 설명한다.

＜＜첩부 공정＞＞

상기 첩부 공정에 있어서는, 도 5a에 나타내는 바와 같이, 워크(90)의 돌출상 전극 형성면(즉, 돌출상 전극(91)의 표면(91a)과 워크(90)의 회로면(90a))에 열경화성 수지 필름(12)을 첩부한다. 본 공정을 행함으로써, 열경화성 수지 필름(12)이 다수개 존재하는 돌출상 전극(91) 사이로 퍼지고, 돌출상 전극 형성면에 밀착하면서, 돌출상 전극(91)의 표면(91a), 특히 워크(90)의 회로면(90a)의 근방 부위의 표면(91a)을 덮고, 돌출상 전극(91)을 매입하여, 이들의 영역을 피복하고 있는 상태로 할 수 있다. 또한, 본 공정을 행함으로써, 돌출상 전극(91)의 꼭대기부(910)를 포함하는 상부는, 열경화성 수지 필름(12)을 관통하여, 열경화성 수지 필름(12)으로부터 돌출된다.

첩부 공정에 있어서는, 예를 들면, 열경화성 수지 필름(12)을 단독으로 사용해도 되나, 여기에 나타내는 바와 같이, 제1 지지 시트(101)와 제1 지지 시트(101)상에 형성된 열경화성 수지 필름(12)을 구비하여 구성된 제1 보호막 형성용 시트(1)를 사용하는 것이 바람직하다. 후술하는 바와 같이, 워크(90)의 이면(90b)을 연삭하는 경우에는, 제1 지지 시트(101)로서, 백 그라인드용 표면 보호 테이프를 사용할 수 있다.

첩부 공정에 있어서, 여기에 나타내는 바와 같은 제1 보호막 형성용 시트(1)를 사용하는 경우에는, 제1 보호막 형성용 시트(1) 중의 열경화성 수지 필름(12)을 워크(90)의 돌출상 전극 형성면에 첩부함으로써, 제1 보호막 형성용 시트(1) 자체를 워크(90)의 돌출상 전극 형성면에 첩부하면 된다.

한편, 본 명세서에 있어서는, 여기에 나타내는 바와 같은 워크의 돌출상 전극 형성면에 제1 보호막 형성용 시트가 첩부되어 구성된 것을 「제1 적층 구조체」라고 칭하는 경우가 있다. 도 5a에 있어서는, 제1 적층 구조체(201)로서 워크(90)의 돌출상 전극 형성면에 제1 보호막 형성용 시트(1)가 첩부되어 구성된 것을 나타내고 있다.

첩부 공정에 있어서는, 열경화성 수지 필름(12) 중, 워크(90)에 대향하고 있는 측의 노출면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(12a)를 워크(90)의 돌출상 전극 형성면(즉, 돌출상 전극(91)의 표면(91a)과 워크(90)의 회로면(90a))에 압착시킴으로써, 열경화성 수지 필름(12)을 돌출상 전극 형성면에 첩부할 수 있다.

첩부 공정에 있어서는, 열경화성 수지 필름(12)을 가열하면서 돌출상 전극 형성면에 첩부하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 열경화성 수지 필름(12)과 돌출상 전극 형성면 사이, 즉, 열경화성 수지 필름(12)과, 워크(90)의 회로면(90a) 사이, 그리고 열경화성 수지 필름(12)과, 돌출상 전극(91)의 표면(91a) 사이 중 어느 하나에 있어서도, 공극부의 발생을 보다 억제할 수 있다. 또한, 돌출상 전극(91)의 꼭대기부(910)를 포함하는 상부에 있어서, 열경화성 수지 필름(12)의 잔존을 보다 억제할 수 있고, 최종적으로 이 상부에 있어서, 제1 보호막의 잔존을 보다 억제할 수 있다.

첩부시의 열경화성 수지 필름(12)의 가열 온도는 과도한 고온이 아니면 되고, 예를 들면, 60∼100℃인 것이 바람직하다. 여기서, 「과도한 고온」이란, 예를 들면, 열경화성 수지 필름(12)의 열경화가 진행되는 등, 열경화성 수지 필름(12)에 목적 이외의 작용이 발현되는 온도를 의미한다.

열경화성 수지 필름(12)을 돌출상 전극 형성면에 첩부할 때, 열경화성 수지 필름(12)에 가하는 압력(본 명세서에 있어서는, 「첩부 압력」이라고 칭하는 경우가 있다)은 0.3∼1MPa인 것이 바람직하다.

첩부 공정에 의해, 제1 적층 구조체(201)를 형성한 후는, 이 제1 적층 구조체(201)를 그대로 다음 공정에서 사용해도 되나, 필요에 따라, 워크(90)의 이면(90b)을 연삭함으로써, 워크(90)의 두께를 조절해도 된다. 워크(90)의 이면(90b)을 연삭한 후의 제1 적층 구조체(201)도 워크(90)의 두께가 상이한 점을 제외하면, 도 5a에 나타내는 상태가 된다.

워크(90)의 이면(90b)의 연삭은 그라인더를 사용하는 방법 등, 공지의 방법으로 행할 수 있다.

워크(90)의 이면(90b)을 연삭하기 전 및 연삭한 후의 워크(90)의 돌출상 전극(91)을 제외한 부위의 두께는 앞서 설명한 바와 같다.

첩부 공정에 의해, 제1 적층 구조체(201)를 형성한 후는, 제1 적층 구조체(201) 중의 열경화성 수지 필름(12)으로부터, 제1 지지 시트(101)를 제거한다. 워크(90)의 이면(90b)을 연삭한 경우에는, 이 연삭 후에 제1 지지 시트(101)를 제거하는 것이 바람직하다.

이러한 공정을 행함으로써, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 워크(90)의 돌출상 전극 형성면에 열경화성 수지 필름(12)을 구비하고 있고, 제1 지지 시트(101)를 구비하지 않고 구성된 제2 적층 구조체(다시 말하면, 열경화성 수지 필름 부착 워크)(202)가 얻어진다.

제2 적층 구조체(202)에 있어서는, 돌출상 전극(91)의 꼭대기부(910)를 포함하는 상부는 열경화성 수지 필름(12)을 관통하여, 돌출되고, 노출되어 있다.

제1 점착제층(13)이 에너지선 경화성인 경우에는, 에너지선의 조사에 의해, 제1 점착제층(13)을 경화시키고, 제1 점착제층(13)의 점착성을 저하시킨 후에 열경화성 수지 필름(12)으로부터 제1 지지 시트(101)를 제거하는 것이 바람직하다.

＜＜제1 보호막 형성 공정＞＞

상기 제1 보호막 형성 공정에 있어서는, 첩부 후의 열경화성 수지 필름(12)을 열경화시키고, 도 5c에 나타내는 바와 같이, 제1 보호막(12')을 형성한다.

제1 적층 구조체(201)를 형성한 경우에는, 제1 보호막 형성 공정은 제1 지지 시트(101)를 제거한 후에 행할 수 있다.

또한, 워크(90)의 이면(90b)을 연삭한 경우에는, 제1 보호막 형성 공정은 상기 이면(90b)의 연삭 후에 행할 수 있다.

본 공정을 행함으로써, 워크(90)의 돌출상 전극 형성면에 제1 보호막(12')을 구비하여 구성된 제3 적층 구조체(다시 말하면, 제1 보호막이 형성된 워크)(203)가 얻어진다. 도 5c 중, 부호(12a')는 제1 보호막(12')의 워크(90)와의 접촉면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)을 나타낸다.

열경화성 수지 필름(12)의 경화 조건은 제1 보호막(12')이 충분히 그 기능을 발휘할 수 있는 정도의 경화도가 되는 한, 특별히 한정되지 않고, 열경화성 수지 필름(12)의 종류에 따라, 적절히 선택하면 된다.

예를 들면, 열경화성 수지 필름(12)의 열경화시에 있어서의 가열 온도 및 가열 시간은 앞서 설명한 바와 같다.

열경화성 수지 필름(12)의 열경화시에 있어서는, 경화성 수지 필름(12)을 가압해도 되고, 그 경우의 가압 압력은 0.3∼1MPa인 것이 바람직하다.

도 5b에 나타내는 제2 적층 구조체(열경화성 수지 필름 부착 워크)(202)에 있어서는, 돌출상 전극(91)의 꼭대기부(910)를 포함하는 상부에 있어서, 열경화성 수지 필름(12)의 잔존이 억제되어 있다. 이 때문에, 본 공정의 종료 후, 돌출상 전극(91)의 상기 상부에 있어서는, 제1 보호막(12')의 잔존도 억제된다.

＜＜개질층 형성 공정＞＞

상기 개질층 형성 공정에 있어서는, 도 6a에 나타내는 바와 같이, 워크(90)에 대해 그 제1 보호막(12')을 구비하고 있는 측으로부터, 제1 보호막(12')을 개재하여 레이저 광(R)을 조사함으로써, 워크(90)의 내부에 개질층(900)을 형성한다.

개질층 형성 공정 후는, 후술하는 워크(90)의 분할(즉, 다이싱)을 행하기 때문에, 개질층 형성 공정은 제3 적층 구조체(제1 보호막이 형성된 워크)(203) 중의 워크(90)의 이면(90b)에 다이싱 시트 또는 제2 보호막 형성용 시트를 첩부하고 나서 행하는 것이 바람직하다.

한편, 본 명세서에 있어서는, 이와 같이 워크의 돌출상 전극 형성면에 제1 보호막을 구비하고, 워크의 이면에 다이싱 시트 또는 제2 보호막 형성용 시트를 구비하여 구성된 것을 「제4 적층 구조체」라고 칭하는 경우가 있다.

또한, 제4 적층 구조체 중의 워크의 내부에 개질층이 형성된 구성을 갖는 것을 「제5 적층 구조체」라고 칭하는 경우가 있다.

도 6a에 있어서는, 제5 적층 구조체(205)로서, 워크(90)의 돌출상 전극 형성면에 제1 보호막(12')을 구비하고, 워크(90)의 이면(90b)에 제2 보호막 형성용 시트(8)를 구비하며, 워크(90)의 내부에 개질층(900)이 형성되어 구성된 것을 나타내고 있다.

여기에 나타내는 제2 보호막 형성용 시트(8)는 제2 기재(81)와, 제2 기재(81) 상에 형성된 제2 점착제층(83)과, 제2 점착제층(83) 상에 형성된 수지층(수지 필름)(82)을 구비하여 구성되어 있다.

제2 기재(81) 및 제2 점착제층(83)의 적층체는 제2 지지 시트(801)이다.

따라서, 제2 보호막 형성용 시트(8)는 제2 지지 시트(801)와, 제2 지지 시트(801)의 한쪽 면(801a) 상, 다시 말하면, 제2 점착제층(83)의 한쪽 면(83a) 상에 형성된 수지층(수지 필름)(82)을 구비한 것이라고 할 수 있다.

수지층(수지 필름)(82)은 워크(90)의 이면(90b)에 제2 보호막을 형성하기 위한 것이다. 제2 보호막은 워크(90)의 이면(90b)을 피복하여 보호한다. 보다 구체적으로는, 제2 보호막은 워크의 분할시나, 워크의 분할에 의해 얻어진 워크 가공물을 패키징하여 목적으로 하는 기판 장치를 제조할 때까지의 사이에 워크 가공물에 있어서 크랙이 발생하는 것을 방지한다.

수지층(82)은 열경화성 및 에너지선 경화성 중 어느 한쪽만의 특성을 갖고 있어도 되고, 양쪽의 특성을 갖고 있어도 되며, 양쪽의 특성을 갖고 있지 않아도 된다. 수지층(82)이 경화성인(즉, 열경화성 및 에너지선 경화성의 적어도 한쪽의 특성을 갖는) 경우에는, 그 경화물이 제2 보호막이다. 수지층(82)이 비경화성인(즉, 열경화성 및 에너지선 경화성의 양쪽의 특성을 갖지 않는) 경우에는, 수지층(82)이 워크(90)의 이면(90b)에 첩부된 단계에서, 제2 보호막이 형성되었다고 간주한다.

제2 점착제층(83)은 제1 점착제층(13)과 동일하게, 에너지선 경화성 및 비에너지선 경화성 중 어느 하나여도 된다. 에너지선 경화성인 제2 점착제층(83)은 그 경화 전 및 경화 후에서의 물성을 용이하게 조절할 수 있다.

제2 기재(81)는 예를 들면, 앞서 설명한 제1 보호막 형성용 시트 중의 제1 기재(예를 들면, 제1 보호막 형성용 시트(1) 중의 제1 기재(11))와 동일한 것이어도 된다.

상기 제조 방법에 있어서는, 제2 보호막 형성용 시트로서, 제2 보호막 형성용 시트(8) 이외의 것을 사용해도 된다.

상기 제조 방법에 있어서는, 제2 보호막 형성용 시트(8)에 한정되지 않고, 제2 보호막 형성용 시트로서 공지의 것을 사용할 수 있다.

동일하게, 상기 제조 방법에 있어서는, 다이싱 시트로서 공지의 것을 사용할 수 있다.

개질층 형성 공정에 있어서는, 워크(90)의 내부 중, 워크(90)의 분할 개소가 되는 특정 영역에 초점을 설정하고, 이 초점에 수렴하도록, 레이저 광(R)을 조사한다. 이 레이저 광(R)의 조사에 의해, 조사 영역에 개질층(900)이 형성된다.

열경화성 수지 필름(12) 및 제1 보호막(12')이 파장 1342㎚의 광의 투과성을 갖고, 바람직하게는 열경화성 수지 필름(12) 및 제1 보호막(12')의 파장 1342㎚의 광투과율이 앞서 설명한 바와 같이 높은 경우에는, 파장 1342㎚의 레이저 광이 제1 보호막(12')을 양호하게 투과한다. 따라서, 워크(90)에 대해 그 제1 보호막(12')을 구비하고 있는 측으로부터, 제1 보호막(12')을 개재하여 레이저 광(R)을 조사해도, 워크(90)의 내부에 개질층(900)을 양호하게 형성할 수 있다.

＜＜분할 공정＞＞

상기 분할 공정에 있어서는, 개질층(900)을 형성 후의 워크(90)를 제1 보호막(12')과 함께, 다시 말하면, 제5 적층 구조체(205)를 그 회로면(90a)에 대해 평행한 방향(도 6a 중, 화살표(E)의 방향)으로 익스팬드함으로써, 개질층(900)의 부위에 있어서 워크(90)를 분할하여, 워크 가공물(9)을 얻는다.

본 공정에 있어서는, 이와 같이 워크(90)를 분할하면서, 제1 보호막(12')을 절단하는 것이 가능한 경우가 있다. 그 경우에는, 도 6b에 나타내는 바와 같이, 워크 가공물(9)과, 워크 가공물(9)의 돌출상 전극 형성면(즉, 돌출상 전극(91)의 표면(91a)과 워크 가공물(9)의 회로면(9a))에 형성된 제1 보호막(절단 후의 제1 보호막(120'))을 구비한 제1 보호막이 형성된 워크 가공물(990)이 즉시 얻어진다(이 경우, 본 공정을 「분할·절단 공정」이라고 칭하는 경우가 있다).

즉, 상기 제조 방법은 상기 분할 공정(다시 말하면, 워크 가공물을 얻는 공정)에 있어서, 상기 개질층의 부위에 있어서 상기 워크를 분할함과 함께, 상기 제1 보호막을 절단하는 것이어도 된다.

이 경우, 본 공정을 행함으로써, 돌출상 전극 형성면에 절단 후의 제1 보호막(120')을 구비한 워크 가공물(9)(즉, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물(990))이 제2 지지 시트(801) 상에 복수개(다수) 정렬한 상태의 제6 적층 구조체(206)가 얻어진다. 도 6b 중, 부호(120a')는 절단 후의 제1 보호막(120')의 워크 가공물(9)과의 접촉면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)을 나타내고, 부호(9b)는 워크 가공물(9)의 이면을 나타낸다.

상기 분할·절단 공정에 있어서, 제1 보호막(12')은 워크(90)의 분할 개소를 따라 절단되고, 최종적으로는 워크 가공물(9)의 외주를 따라 절단된 상태가 된다.

본 공정에 있어서, 워크(90)의 분할시, 동시에 제1 보호막(12')이 절단되는지 아닌지는 제1 보호막(12'), 다시 말하면, 열경화성 수지 필름(12)의 조성이나, 익스팬드의 조건으로 결정된다.

예를 들면, 제1 보호막(12')이 상기 X값의 합계값의 조건을 만족하는 열경화성 수지 필름(12)으로부터 형성되어 있는 경우에는, 분할 공정에 있어서, 제1 보호막(12')은 용이하게 절단할 수 있다(분할·절단 공정). 그 결과, 돌출상 전극 형성면에 절단 후의 제1 보호막(120')을 구비한 워크 가공물(9)을 높은 효율로 제조할 수 있다.

한편, 제1 보호막(12')이 상기 X값의 합계값의 조건을 만족하지 않는 열경화성 수지 필름(12)으로 형성되어 있는 경우에는, 워크(90)의 분할 후(즉, 상기 분할 공정 후)에, 제1 보호막(12')을 절단하는(본 명세서에 있어서는, 본 공정을 「절단 공정」이라고 칭하는 경우가 있다) 것이 바람직하다. 이에 의해, 상기와 동일한 제1 보호막이 형성된 워크 가공물(990)이 얻어진다.

상기 절단 공정은 예를 들면, 워크 가공물(9)(보다 구체적으로는, 미절단의 제1 보호막을 구비한 워크 가공물)을 제2 지지 시트(801)로부터 분리하여 픽업하는 공정에서 동시에 행할 수 있다. 이와 같이, 워크(9)의 분할 후에 별도, 제1 보호막(12')의 절단 공정을 행하는 경우에는, 상기 절단 공정에 있어서, 워크 가공물(9)은 반드시, 도 6b에 나타내는 바와 같이, 제2 보호막 형성용 시트(8)를 그대로의 상태로 구비하고 있는 것으로는 한정되지 않는다.

분할 공정(또는 분할·절단 공정)에 있어서, 상기 익스팬드는 -15∼5℃의 온도 조건하에서 행하는 것이 바람직하다. 익스팬드시의 온도가 상기 상한값 이하임으로써, 제1 보호막(12')의 절단이 보다 용이해진다. 익스팬드시의 온도가 상기 하한값 이상임으로써, 과잉 냉각을 피할 수 있다.

여기에서는, 상기 분할 공정(또는 분할·절단 공정)을 행함으로써, 제2 보호막 형성용 시트(8) 중의 수지층(82)도 절단한 경우를 나타내고 있으나, 수지층(82)의 절단은 분할 공정(또는 분할·절단 공정) 후에 공지의 방법에 따라 별도 행해도 된다. 도 6b 중, 절단 후의 수지층(82)에는 부호(820)를 부여하고 있다. 또한, 여기에서는, 수지층(82)을 절단한 경우를 나타내고 있으나, 수지층(82)의 단계에서는 절단하지 않고, 이를 경화시켜 얻어진 제2 보호막을 절단해도 된다.

상기 제조 방법에 있어서, 수지층(82) 또는 제2 보호막은 제1 보호막(12')의 경우와 동일하게, 워크(90)의 분할 개소를 따라 절단된다.

한편, 본 명세서에 있어서는, 상기 수지층이 절단된 후여도, 제2 지지 시트 및 상기 수지층(다시 말하면, 제2 지지 시트 및 절단 후의 상기 수지층)의 적층 구조가 유지되고 있는 한, 이 적층 구조를 「제2 보호막 형성용 시트」라고 칭한다.

본 실시형태의 바람직한 제조 방법의 일 예로는, 워크 가공물과, 상기 워크 가공물의 돌출상 전극을 갖는 면에 형성된 제1 보호막을 구비한 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법으로서,

워크의 돌출상 전극을 갖는 면에 열경화성 수지 필름을 첩부하는 공정과,

첩부 후의 상기 열경화성 수지 필름을 열경화시켜, 제1 보호막을 형성하는 공정과,

상기 워크에 대해, 그 상기 제1 보호막을 구비하고 있는 측으로부터, 상기 제1 보호막을 개재하여 레이저 광을 조사함으로써, 상기 워크의 내부에 개질층을 형성하는 공정과,

상기 개질층을 형성한 후의 상기 워크를 그 회로면에 대해 평행한 방향으로, 상기 제1 보호막과 함께 익스팬드함으로써, 상기 개질층의 부위에 있어서 상기 워크를 분할하여, 워크 가공물을 얻는 공정을 가지며,

상기 열경화성 수지 필름을 첩부하는 공정에 있어서, 상기 열경화성 수지 필름을 60∼100℃에서 가열하고, 상기 열경화성 수지 필름에 0.3∼1MPa의 압력을 가하면서, 상기 열경화성 수지 필름을 상기 워크의 돌출상 전극을 갖는 면에 첩부하는 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법을 들 수 있다.

본 실시형태의 바람직한 제조 방법의 다른 예로는, 워크 가공물과, 상기 워크 가공물의 돌출상 전극을 갖는 면에 형성된 제1 보호막을 구비한 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법으로서,

상기 열경화성 수지 필름이 중합체 성분(A)과, 에폭시기를 갖는 아크릴 수지 이외의 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)와, 충전재(D)를 함유하며,

상기 열경화성 수지 필름에 있어서의, 상기 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 상기 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)의 총 함유량의 비율이 40질량％ 이상이고,

상기 열경화성 수지 필름에 있어서의, 상기 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 상기 중합체 성분(A)의 함유량의 비율이 5∼30질량％이며,

상기 열경화성 수지 필름에 있어서의, 상기 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 상기 충전재(D)의 함유량의 비율이 5∼20질량％인 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법을 들 수 있다.

상기 열경화성 수지 필름이 중합체 성분(A)과, 에폭시기를 갖는 아크릴 수지 이외의 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)와, 충전재(D)를 함유하고,

상기 열경화성 수지 필름에 있어서의, 상기 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 상기 충전재(D)의 함유량의 비율이 5∼20질량％이고,

두께가 200㎛인 1층의 상기 열경화성 수지 필름, 또는 두께가 200㎛ 미만인 상기 열경화성 수지 필름이 2층 이상 적층되어 구성된 합계 두께가 200㎛인 적층 필름의, 파장 1342㎚의 광투과율이 50％ 이상인, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법을 들 수 있다.

상기 열경화성 수지 필름을 첩부하는 공정에 있어서, 상기 열경화성 수지 필름을 60∼100℃에서 가열하고, 상기 열경화성 수지 필름에 0.3∼1MPa의 압력을 가하면서, 상기 열경화성 수지 필름을 상기 워크의 돌출상 전극을 갖는 면에 첩부하고,

◇기판 장치의 제조 방법

상술한 제조 방법에 의해, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물(다시 말하면, 제6 적층 구조체)을 얻은 후는, 공지의 방법에 의해, 이 제1 보호막이 형성된 워크 가공물을 기판의 회로면에 플립 칩 접속한 후, 패키지로 하여, 이 패키지를 사용함으로써, 목적으로 하는 기판 장치를 제조할 수 있다(도시 생략). 제1 보호막이 형성된 반도체 칩을 사용한 경우에는, 반도체 패키지를 제작한 후, 이 반도체 패키지를 사용함으로써, 목적으로 하는 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또한, 제1 보호막 및 제2 보호막을 구비한 반도체 칩을 사용한 경우에는, 이들 보호막이 형성된 반도체 칩을 플립 칩 접속하여, 목적으로 하는 반도체 장치를 제조할 수 있다.

실시예

이하, 구체적인 실시예에 의해, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에 의해 한정되는 것은 전혀 아니다.

한편, 이하에 나타내는 비교예에서 제조하고 있는 각 목적물에는, 편의상, 실시예에서 제조하고 있는 각 목적물과 동일한 명칭을 부여하고 있다.

열경화성 수지층 형성용 조성물의 제조에 사용한 성분을 이하에 나타낸다.

[중합체 성분(A)]

(A)-1: 폴리비닐부티랄(세키스이 화학 공업사 제조 「에스렉 SV-10」, 중량 평균 분자량 65000, 유리 전이 온도 66℃)

(A)-2: 폴리비닐부티랄(세키스이 화학 공업사 제조 「에스렉 BL-10」, 중량 평균 분자량 25000, 유리 전이 온도 59℃)

(A)-3: 아크릴산n-부틸(55질량부), 아크릴산메틸(10질량부), 메타크릴산글리시딜(20질량부), 및 아크릴산2-히드록시에틸(15질량부)을 공중합하여 이루어지는 아크릴 수지(중량 평균 분자량 800000, 유리 전이 온도 -28℃)

[열경화성 성분(B)]

·에폭시 수지(B1)

(B1)-1: 비스페놀 A형 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-4810-1000」, 에폭시 당량 404∼412g/eq)

(B1)-2: 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「EPICLON HP-7200」, 에폭시 당량 265g/eq)

(B1)-3: 액상 변성 에폭시 수지(미츠비시 화학사 제조 「YX7110」, 에폭시 당량 962g/eq)

(B1)-4: 액상 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 아크릴 고무 미립자의 혼합물(닛폰 쇼쿠바이사 제조 「BPA328」, 에폭시 당량 235g/eq)

(B1)-5: 고형 비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 화학사 제조 「에피코트 1055」, 분자량 1600, 연화점 93℃, 에폭시 당량 800∼900g/eq)

(B1)-6: 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(닛폰 화약사 제조 「XD-1000-L」, 에폭시 당량 248g/eq)

·열경화제(B2)

(B2)-1: 노볼락형 페놀 수지(쇼와 전공사 제조 「쇼우놀 BRG-556」, 수산기당량 104g/eq)

(B2)-2: 디시안디아미드(ADEKA사 제조 「아데카하드너 EH-3636AS」, 고체 분산형 잠재성 경화제, 활성 수소량 21g/eq)

[경화 촉진제(C)]

(C)-1: 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(시코쿠 화성 공업사 제조 「큐어졸 2PHZ」)

[충전재(D)]

(D)-1: 실리카 필러(아드마텍스사 제조 「YA050C-MKK」, 평균 입자 직경 0.05㎛)

(D)-2: 실리카 필러(아드마텍스사 제조 「SC2050MA」, 에폭시계 화합물로 표면 수식된 실리카 필러, 평균 입자 직경 500㎚)

(D)-3: 실리카 필러(타츠모리사 제조 「SV-10」, 평균 입자 직경 8㎛)

[커플링제(E)]

(E)-1: 실란 커플링제(미츠비시 화학사 제조 「MKC 실리케이트 MSEP2」, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란을 부가시킨 실리케이트 화합물)

[착색제(I)]

(I)-1: 카본 블랙(미츠비시 화학사 제조 「MA-600B」)

[실시예 1]

＜＜제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조＞＞

＜열경화성 수지층 형성용 조성물의 제조＞

중합체 성분(A)-1(9.9질량부), 에폭시 수지(B1)-1(37.8질량부), 에폭시 수지(B1)-2(25.0질량부), 열경화제(B2)-1(18.1질량부), 경화 촉진제(C)-1(0.2질량부), 및 충전재(D)-1(9.0질량부)를 혼합하고, 추가로 메틸에틸케톤으로 희석하여, 23℃에서 교반함으로써, 상술한 메틸에틸케톤 이외의 6개 성분의 합계 농도가 55질량％인 열경화성 수지층 형성용 조성물(III-1)을 조제했다. 이들 성분과, 그 함유량을 표 1에 나타낸다. 한편, 표 1 중의 함유 성분의 란의 「-」라는 기재는, 열경화성 수지층 형성용 조성물이 그 성분을 함유하고 있지 않은 것을 의미한다. 또한, 표 1 중의 「열경화성 성분의 함유량의 비율(질량％)」이란, 「열경화성 수지 필름에 있어서의, 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 열경화성 성분의 함유량의 비율」을 의미한다.

＜열경화성 수지 필름의 제조＞

폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 편면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET381031」, 두께 38㎛)을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 열경화성 수지층 형성용 조성물(III-1)을 도공하고, 100℃에서 2분 건조시킴으로써, 두께 30㎛의 열경화성 수지 필름을 제작했다.

＜제1 보호막 형성용 시트의 제조＞

이어서, 얻어진 열경화성 수지 필름의 노출면(다시 말하면, 상기 박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측의 면)에 백 그라인드용 표면 보호 테이프(린텍사 제조 「Adwill E-8180HR」)의 한쪽 면을 첩합함으로써, 제1 보호막 형성용 시트를 제작했다. 상기 표면 보호 테이프는 제1 지지 시트에 상당한다.

＜제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조＞

상기에서 얻어진 제1 보호막 형성용 시트 중의 열경화성 수지 필름으로부터, 상기 박리 필름을 제거하고, 이에 의해 생긴 열경화성 수지 필름의 노출면(다시 말하면, 상기 표면 보호 테이프를 구비하고 있는 측과는 반대측의 면)을 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 압착시킴으로써, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 제1 보호막 형성용 시트를 첩부했다. 이 때, 제1 보호막 형성용 시트의 첩부는 첩부 장치(롤러식 라미네이터, 린텍사 제조 「RAD-3510 F/12」)를 이용하고, 테이블 온도 90℃, 첩부 속도 2㎜/sec, 첩부 압력 0.5MPa의 조건에서 열경화성 수지 필름을 가열하면서 행했다. 반도체 웨이퍼로는, 범프의 높이가 210㎛이고, 범프의 폭이 250㎛이며, 이웃하는 범프 간의 거리가 400㎛이고, 범프를 제외한 부위의 두께가 750㎛인 것을 사용했다.

이상에 의해, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 제1 보호막 형성용 시트가 첩부되어 구성된 제1 적층 구조체를 얻었다.

이어서, 그라인더(디스코사 제조 「DGP8760」)를 이용하여, 얻어진 제1 적층 구조체에 있어서의 반도체 웨이퍼의 범프 형성면과는 반대측의 면(이면)을 연삭했다. 이 때, 반도체 웨이퍼의 범프를 제외한 부위의 두께가 250㎛가 될 때까지, 상기 이면을 연삭했다.

이어서, 상기 표면 보호 테이프(다시 말하면, 제1 지지 시트)를 제1 적층 구조체 중의 열경화성 수지 필름으로부터 제거했다.

이상에 의해, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 열경화성 수지 필름을 구비하여 구성된 제2 적층 구조체(열경화성 수지 필름이 형성된 반도체 웨이퍼)를 얻었다.

이어서, 열경화 장치(린텍사 제조 「RAD-9100 m/12」)를 이용하여, 상기에서 얻어진 제2 적층 구조체 중의 열경화성 수지 필름을 처리 온도 130℃, 처리 압력 0.5MPa, 처리 시간 2시간의 조건에서 가열 가압 처리함으로써 열경화시켜 제1 보호막을 형성했다.

이상에 의해, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 제1 보호막을 구비하여 구성된 제3 적층 구조체(다시 말하면, 제1 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼)를 얻었다.

이어서, 얻어진 제3 적층 구조체 중의 반도체 웨이퍼의 상기 이면(다시 말하면, 연삭면)에 다이싱 테이프(린텍사 제조 「Adwill D-841」)를 첩부함으로써, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 제1 보호막을 구비하고 상기 이면에 다이싱 테이프를 구비하여 구성된 제4 적층 구조체를 얻었다. 상기 다이싱 테이프는 제2 지지 시트에 상당한다.

이어서, 다이싱 장치(디스코사 제조 「DFL7361」)를 이용하여, 제4 적층 구조체 중의 반도체 웨이퍼에 대해 그 내부로 설정된 초점에 수렴하도록, 그 제1 보호막을 구비하고 있는 측으로부터, 제1 보호막을 개재하여 레이저 광을 조사함으로써, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성했다. 이 때, 레이저 광의 파장은 1342㎚로 하고, 출력은 0.7W로 하며, 주파수는 90kHz로 했다.

이상에 의해, 제4 적층 구조체 중의 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층이 형성된 구성을 갖는 제5 적층 구조체를 얻었다.

이어서, 0℃의 환경하에서, 이 개질층을 형성한 후의 반도체 웨이퍼(다시 말하면, 제5 적층 구조체)를 그 회로면에 대해 평행한 방향으로 제1 보호막과 함께 익스팬드함으로써, 개질층의 부위에 있어서, 반도체 웨이퍼를 분할하면서, 제1 보호막을 반도체 웨이퍼의 분할 개소를 따라 절단했다. 이 때, 다이 세퍼레이터(디스코사 제조 「DDS2300」)를 이용하여 제5 적층 구조체 중의 제2 지지 시트를 다이 세퍼레이터 중의 테이블 상에 재치하면서, 제5 적층 구조체의 주연부를 고정하고, 이 상태로, 밀어올림 속도 50㎜/sec, 밀어올림량 20㎜의 조건으로 테이블을 밀어올림으로써, 반도체 웨이퍼 및 제1 보호막을 익스팬드했다. 얻어진 반도체 칩의 크기는 2㎜×2㎜였다.

이상에 의해, 범프 형성면에 절단 후의 제1 보호막을 구비한 반도체 칩(즉, 제1 보호막이 형성된 반도체 칩)이 제2 지지 시트(다시 말하면, 상기 다이싱 테이프) 상에 복수개(다수) 정렬한 상태의 제6 적층 구조체를 얻었다.

＜＜열경화성 수지 필름의 평가＞＞

＜범프의 상부에 있어서의 열경화성 수지 필름의 잔존 억제성의 확인＞

상술한 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조시에 반도체 웨이퍼의 범프 형성면측으로부터, 주사형 전자 현미경(키엔스사 제조 「VE-9800」)을 이용하고, 가속 전압을 5keV로 하여, 제1 적층 구조체를 관찰했다. 그리고, 하기 평가 기준에 따라, 제1 적층 구조체 중의 범프의 상부에 있어서의 열경화성 수지 필름의 잔존 억제성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(평가 기준)

A: 범프와 열경화성 수지 필름과의 경계를 확인할 수 있고, 범프의 상부에 열경화성 수지 필름이 잔존하고 있지 않은 것을 확인할 수 있다.

B: 범프와 열경화성 수지 필름과의 경계를 확인할 수 없고, 범프의 상부에 열경화성 수지 필름이 잔존하고 있는 것을 확인할 수 있다.

＜열경화성 수지 필름의 광투과율의 측정＞

열경화성 수지층 형성용 조성물(III-1)의 도공량을 변경한 점 이외에는, 상술한 열경화성 수지 필름의 제조시와 동일한 방법으로, 시험용의 열경화성 수지 필름(두께 40㎛)을 5장 제조했다.

이어서, 이들 5장의 시험용의 열경화성 수지 필름을 이들의 두께 방향에 있어서 적층함으로써, 적층 필름(두께 200㎛)을 얻었다.

이어서, 분광 광도계(SHIMADZU사 제조 「UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600」)를 이용하여, 이 적층 필름에 대해, 파장 1342㎚의 광투과율을 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

＜＜제1 보호막의 평가＞＞

＜반도체 웨이퍼의 분할성의 평가＞

디지털 현미경(키엔스사 제조 「VH-Z100」)을 이용하여, 상기에서 얻어진 제6 적층 구조체를 그 제1 보호막측으로부터 관찰했다. 이 때, 관찰 영역으로는 제2 지지 시트의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 정렬면 중, 중앙부에 상당하는 제1 영역과, 제1 영역에 대해 점 대칭이 되는 주연부측의 위치에 있고, 또한, 제1 영역으로부터의 거리가 동등한 제2 영역, 제3 영역, 제4 영역, 및 제5 영역의 합계 5개 영역을 선택했다. 이들 5개 영역은 모두, 반도체 웨이퍼가 정상적으로 분할되었다고 가정했을 때, 5행 5열로 25개의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩을 포함하는 영역으로 했다. 또한, 제2 영역과 제3 영역을 잇는 제1 선분의 거의 중앙부에 제1 영역이 존재하고, 제4 영역과 제5 영역을 잇는 제2 선분의 거의 중앙부에 제1 영역이 존재하며, 시계 방향으로, 제2 영역, 제4 영역, 제3 영역, 및 제5 영역이 이 순서로 위치하도록, 이들 5개 영역을 선택했다. 제1 선분과 제2 선분은 서로 직교하게 된다. 그리고, 이들 5개 영역을 관찰하고, 하기 평가 기준에 따라, 반도체 웨이퍼의 분할성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(평가 기준)

A: 5개 영역 모두(제1 영역∼제5 영역의 모든 영역)에 있어서, 반도체 웨이퍼가 정상적으로 분할되어 있다.

B: 적어도 1개 영역(제1 영역∼제5 영역의 적어도 어느 영역)에 있어서, 반도체 웨이퍼가 정상적으로 분할되어 있지 않은 개소가 있다.

＜반도체 웨이퍼의 분할시에 있어서의 제1 보호막의 절단성의 평가＞

상술한 반도체 웨이퍼의 분할성의 평가시, 동시에 하기 평가 기준에 따라, 제1 보호막의 절단성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(평가 기준)

A: 5개 영역 모두(제1 영역∼제5 영역의 모든 영역)에 있어서, 제1 보호막이 정상적으로 절단되어 있다.

B: 적어도 1개 영역(제1 영역∼제5 영역의 적어도 어느 영역)에 있어서, 제1 보호막이 정상적으로 절단되어 있지 않은 개소가 있다.

＜제1 보호막의 파단 강도의 측정＞

열경화성 수지층 형성용 조성물(III-1)의 도공량을 변경한 점 이외에는, 상술한 열경화성 수지 필름의 제조시와 동일한 방법으로, 시험용의 열경화성 수지 필름(두께 40㎛)을 제조했다.

이어서, 이 시험용의 열경화성 수지 필름을 130℃에서 2시간 가열함으로써 열경화시켰다.

이어서, 이 경화물(즉, 제1 보호막)로부터, 크기가 20㎜×130㎜인 절편을 잘라내고 이를 시험편으로 했다.

만능 인장 시험기(시마즈 제작소사 제조 「오토 그래프 AG-IS」)를 이용하여 그리퍼 사이의 거리를 80㎜로 하고, 인장 속도를 200㎜/min로 하여, 상기 시험편을 그 표면에 대해 평행한 방향에 있어서, 그리퍼에 의해 인장하고, 이 때의 상기 시험편의 최대 응력을 측정하여, 이를 제1 보호막의 파단 강도로서 채용했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

[실시예 2]

＜＜제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조＞＞

＜열경화성 수지층 형성용 조성물의 제조＞

중합체 성분(A)-2(10.0질량부), 에폭시 수지(B1)-2(30.0질량부), 에폭시 수지(B1)-3(33.0질량부), 열경화제(B2)-1(16.0질량부), 경화 촉진제(C)-1(0.2질량부), 및 충전재(D)-1(11.0질량부)를 혼합하고, 또한 메틸에틸케톤으로 희석하여, 23℃에서 교반함으로써, 상술한 메틸에틸케톤 이외의 6개 성분의 합계 농도가 55질량％인 수지층 형성용 조성물을 조제했다. 이들 성분과, 그 함유량을 표 1에 나타낸다.

＜열경화성 수지 필름 및 제1 보호막 형성용 시트의 제조＞

수지층 형성용 조성물로서, 상기에서 얻어진 것을 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 열경화성 수지 필름 및 제1 보호막 형성용 시트를 제조했다.

＜제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조＞

제1 보호막 형성용 시트로서, 상기에서 얻어진 것을 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(다시 말하면, 제6 적층 구조체)의 제조를 시도했다.

＜＜열경화성 수지 필름 및 제1 보호막의 평가＞＞

본 실시예에서 제조한 열경화성 수지 필름 및 제1 보호막에 대해 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

[비교예 1]

＜＜제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조＞＞

＜열경화성 수지층 형성용 조성물의 제조＞

중합체 성분(A)-3(21.0질량부), 에폭시 수지(B1)-4(10.0질량부), 에폭시 수지(B1)-5(2.0질량부), 에폭시 수지(B1)-6(5.6질량부), 열경화제(B2)-2(0.5질량부), 경화 촉진제(C)-1(0.5질량부), 충전재(D)-2(6.0질량부), 충전재(D)-3(54.0질량부), 커플링제(E)-1(0.4질량부), 및 착색제(I)-1(1.9질량부)를 혼합하고, 또한 메틸에틸케톤으로 희석하여, 23℃에서 교반함으로써, 상술한 메틸에틸케톤 이외의 10개 성분의 합계 농도가 55질량％인 수지층 형성용 조성물을 조제했다. 이들 성분과, 그 함유량을 표 1에 나타낸다.

＜열경화성 수지 필름 및 제1 보호막 형성용 시트의 제조＞

＜제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조＞

＜＜열경화성 수지 필름 및 제1 보호막의 평가＞＞

본 비교예에서 제조한 열경화성 수지 필름 및 제1 보호막에 대해, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

상기 결과로부터 명백한 바와 같이, 실시예 1에서는 범프 형성면에 제1 보호막을 구비한 반도체 웨이퍼로부터 반도체 칩, 즉, 제1 보호막이 형성된 반도체 칩을 양호하게 제조할 수 있었다.

실시예 1에 있어서, 열경화성 수지 필름은 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 대한 첩부시에 범프의 상부에 있어서의 잔존을 억제할 수 있으며, 바람직한 특성을 갖고 있었다.

실시예 1에서는, 열경화성 수지 필름에 있어서의, 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 열경화성 성분의 함유량의 비율은 80.9질량％였다.

또한, 실시예 1에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 분할성이 양호했다.

실시예 1에 있어서, 열경화성 수지 필름의 파장 1342㎚의 광투과율이 높고, 그 결과, 이 필름으로부터 형성된 제1 보호막의 광투과율도 동일하게 높으며, 제1 보호막을 개재하여 반도체 웨이퍼에 레이저 광을 조사했을 때, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 양호하게 형성할 수 있었다.

또한, 실시예 1에서는, 반도체 웨이퍼의 분할시에 있어서의 제1 보호막의 절단성도 양호하고, 익스팬드에 의한 반도체 웨이퍼의 분할시에 제1 보호막도 절단할 수 있으며, 상기 분할 공정(즉, 분할·절단 공정)에 있어서, 제1 보호막이 형성된 반도체 칩이 즉시 얻어졌다.

실시예 1에 있어서, X값의 합계값은 296(＝{408×37.8／(37.8＋25.0＋18.1)}＋{265×25.0／(37.8＋25.0＋18.1)}＋{104×18.1／(37.8＋25.0＋18.1)})g/eq이고, 제1 보호막의 파단 강도는 45MPa였다.

실시예 2에서도, 범프 형성면에 제1 보호막을 구비한 반도체 웨이퍼로부터 반도체 칩을 양호하게 제조할 수 있었다.

실시예 2에 있어서도, 열경화성 수지 필름은 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 대한 첩부시에 범프의 상부에 있어서의 잔존을 억제할 수 있으며, 바람직한 특성을 갖고 있었다.

실시예 2에서는, 열경화성 수지 필름에 있어서의, 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 열경화성 성분의 함유량의 비율은 78.8질량％였다.

또한, 실시예 2에 있어서도, 반도체 웨이퍼의 분할성이 양호했다.

실시예 2에 있어서, 열경화성 수지 필름의 파장 1342㎚의 광투과율이 높고, 그 결과, 이 필름으로부터 형성된 제1 보호막의 광투과율도 동일하게 높고, 제1 보호막을 개재하여 반도체 웨이퍼에 레이저 광을 조사했을 때, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 양호하게 형성할 수 있었다.

실시예 2에서는, 반도체 웨이퍼의 분할시에 있어서의 제1 보호막의 절단성이 열악했으나, 이 제1 보호막은 이후의 공정에서 절단 가능하고, 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(절단된 제1 보호막을 구비한 반도체 칩)을 제조 가능한 것이었다.

실시예 2에 있어서, X값의 합계값은 524(＝{265×30.0／(30.0＋33.0＋16.0)}＋{962×33.0／(30.0＋33.0＋16.0)}＋{104×16.0／(30.0＋33.0＋16.0)})g/eq이고, 제1 보호막의 파단 강도는 60MPa였다.

이에 대해, 비교예 1에서는, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 대한 열경화성 수지 필름의 첩부시에 범프의 상부에 있어서의 열경화성 수지 필름의 잔존을 억제할 수 없었다.

비교예 1에서는, 열경화성 수지 필름에 있어서의, 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 열경화성 성분의 함유량의 비율은 17.8질량％였다.

또한, 비교예 1에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 분할성이 열악했다.

비교예 1에 있어서, 열경화성 수지 필름의 파장 1342㎚의 광투과율이 낮고, 그 결과, 이 필름으로부터 형성된 제1 보호막의 광투과율도 동일하게 낮으며, 제1 보호막을 개재하여 반도체 웨이퍼에 레이저 광을 조사했을 때, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 적절히 형성할 수 없었다. 그 결과, 반도체 웨이퍼를 정상적으로 분할할 수 없었다.

비교예 1에서는 반도체 웨이퍼의 분할시에 제1 보호막을 절단할 수 없었으나, 이 결과에 제1 보호막 자체의 특성이 어느 정도 영향을 미치고 있는지를 판단할 수 없고, 반도체 웨이퍼의 분할시에 있어서의 제1 보호막의 절단성은 평가 불능이었다. 단, 제1 보호막의 파단 강도가 25MPa로 작았던 점에서, 제1 보호막을 절단할 수 없었던 원인은 주로 반도체 웨이퍼의 분할성이 열악했다는 것에 있다고 추측되었다.

본 발명은 플립 칩 실장 방법에서 사용되는, 접속 패드부에 돌출상 전극을 갖는 워크 가공물 등의 제조에 이용 가능하다.

1, 2, 3…제1 보호막 형성용 시트, 11…제1 기재, 11a…제1 기재의 한쪽 면, 12…열경화성 수지층(열경화성 수지 필름), 12'…제1 보호막, 120'…절단 후의 제1 보호막, 13…제1 점착제층, 13a…제1 점착제층의 한쪽 면, 14…제1 중간층, 101, 102, 103…제1 지지 시트, 101a, 102a, 103a…제1 지지 시트의 표면, 201…제1 적층 구조체, 202…제2 적층 구조체, 203…제3 적층 구조체, 205…제5 적층 구조체, 206…제6 적층 구조체, 90…워크, 90a…워크의 회로면, 91…돌출상 전극, 91a…돌출상 전극의 표면, 900…개질층, 990…제1 보호막이 형성된 워크 가공물, R…레이저 광

Claims

워크 가공물과, 상기 워크 가공물의 돌출상 전극을 갖는 면에 형성된 제1 보호막을 구비한 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법으로서,
워크의 돌출상 전극을 갖는 면에 열경화성 수지 필름을 첩부하는 공정과,
첩부 후의 상기 열경화성 수지 필름을 열경화시켜, 제1 보호막을 형성하는 공정과,
상기 워크에 대해, 그 상기 제1 보호막을 구비하고 있는 측으로부터, 상기 제1 보호막을 개재하여 레이저 광을 조사함으로써, 상기 워크의 내부에 개질층을 형성하는 공정과,
상기 개질층을 형성한 후의 상기 워크를 그 회로면에 대해 평행한 방향으로 상기 제1 보호막과 함께 익스팬드함으로써, 상기 개질층의 부위에 있어서 상기 워크를 분할하여, 워크 가공물을 얻는 공정을 갖는, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 워크 가공물을 얻는 공정에 있어서, 상기 개질층의 부위에 있어서 상기 워크를 분할함과 함께, 상기 제1 보호막을 절단하는, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 열경화성 수지 필름은 에폭시기를 갖는 아크릴 수지 이외의 열경화성 성분을 함유하고,
상기 열경화성 수지 필름에 있어서의, 상기 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 상기 열경화성 성분의 함유량의 비율이 40질량％ 이상이며,
두께가 200㎛인 1층의 상기 열경화성 수지 필름, 또는 두께가 200㎛ 미만인 상기 열경화성 수지 필름이 2층 이상 적층되어 구성된 합계 두께가 200㎛인 적층 필름의, 파장 1342㎚의 광투과율이 50％ 이상인, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열경화성 수지 필름은 에폭시기를 갖는 아크릴 수지 이외의 2종 이상의 열경화성 성분을 함유하고,
상기 열경화성 수지 필름에 있어서의, 상기 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 전체 종류의 상기 열경화성 성분의 합계 함유량의 비율이 40질량％ 이상이며,
상기 열경화성 수지 필름이 함유하는 상기 열경화성 성분에 대해, 그 종류마다 하기 식:
X＝[열경화성 성분의 열경화 반응에 관한 관능기의 당량(g/eq)]×[열경화성 수지 필름의 열경화성 성분의 함유량(질량부)]／[열경화성 수지 필름의 전체 종류의 열경화성 성분의 합계 함유량(질량부)]
로 산출되는 X값을 구하고, 상기 열경화성 수지 필름이 함유하는 전체 종류의 상기 열경화성 성분에 있어서의 상기 X값의 합계값을 구했을 때, 상기 합계값이 400g/eq 이하가 되는, 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법.