CN103620743A - 半导体加工用划片胶带 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种半导体加工用划片胶带，其在将半导体晶片进行划片处理的工序中具有充分保持晶片的粘合力，且在封装体划片后，不会发生被单片化的封装体贴合至托盘或装置等。本发明提供一种半导体加工用划片胶带，其特征在于，在基材薄膜的至少一面，形成有放射线固化型粘合剂层；上述粘合剂层由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成；上述粘合剂层的厚度为10～30μm；上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JISZ0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0～2.0N/25mm胶带宽度；并且上述粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为50～150mN/mm2。

Description

半导体加工用划片胶带
技术领域
本发明涉及适合在将半导体晶片划片成芯片时等中固定保持晶片的划片胶带（dicing tape），特别涉及适合作为高密度实装半导体封装加工用的半导体加工用划片胶带。 
背景技术
以往，在对于形成有电路图案的半导体晶片进行分离成芯片状的、所谓划片加工时，晶片的固定采用了使用半导体加工用胶带的拾取（pickup）方式。在该方式中，大直径的晶片以贴合、固定于半导体加工用胶带的状态被划片成芯片状，清洗、干燥后，经过拾取工序，通过树脂密封而被封装化。 
近年来，作为使半导体元件小型化的方式之一，各公司开发了在图案电路侧具有电极的倒装芯片型封装体。在该倒装芯片型封装体中，晶片级芯片尺寸封装体（WLCSP）通过对结束预处理的晶片依次进行聚酰亚胺涂布、Cu再配置布线形成、Cu柱形成、树脂密封、树脂研磨、端子形成这样的封装处理后，最后切割为各个芯片来制作的，其为尺寸级别与芯片尺寸相同的封装体。 
如此，被树脂整体密封的WLCSP一般通过将半导体芯片键合（bonding）到玻璃环氧基板或引线架，用封装模制树脂整体模制后进行固化，将固化得到的物质粘贴至半导体加工用胶带并固定，利用划片刀片进行划片来得到。在封装的划片工序中，切断时的负荷大。此外，封装树脂含有脱模剂，其表面具有拥有微小的凹凸的构造。因此，对于半导体加工用胶带使用有柔软的粘合剂，以便能够牢固地保持封装体，并且防止发生在划片时封装体飞溅等问题。 
但是，由于划片刀切入至胶带，因此在使用这样的柔软的粘合剂的情况下，有时会发生胶带粘合层的卷翘，卷翘的微小胶球残留在被单片化的封装体的侧面。由于这样残留于封装体侧面的微小胶球，在拾取封装体后输送时，有时会产生封装体附着于托盘或输送管而无法剥离的问题。 
作为抑制胶球的对策，报道有如下划片胶带：单体成分的至少1种为（甲 基）丙烯酸烷基酯，并且将该烷基为脂环式烃基的共聚物作为基础聚合物（base polymer）的粘合剂形成在基材薄膜的至少一面（专利文献1）。该划片胶带可认为是侧面粘合剂的附着防止性非常优秀的粘合胶带。 
另一方面，从在划片时保持晶片的观点出发，粘合剂层的厚度越厚越优选。但是，实际情况是，根据上述的传统型划片胶带，在粘合剂层的厚度很厚的情况下，有时会产生封装体侧面的残胶，从而期望进一步的改善。 
另一方面，为了使残留在封装体侧面的微小胶球失去粘合性，已知有如下方法：在划片后，将半导体加工用胶带与基板连同环形框架放入加热炉，使微小胶球固化。然而，在这种情况下，若半导体加工用胶带中的基材或粘合剂层的耐热性低，则存在如下问题：在加热工序后，拾取封装体时，粘合剂大量残留于贴合至粘合剂层的封装体树脂面（封装体背面）的封装体激光标记（package laser mark）部分，使印刷在封装体的激光标记变得不清楚。此外还存在这样的问题：在从环形框架剥离胶带时，胶残留于环形框架，而在应该重复使用的环形框架的再使用上产生障碍。 
现有技术文献 
专利文献 
专利文献1：日本特开2007-100064号公报 
发明内容
发明要解决的课题 
因此，本发明是鉴于如上所述的现有技术的问题而完成的，本发明的课题在于提供一种半导体加工用划片粘合胶带，其在对半导体晶片进行划片处理的工序中，具有充分保持晶片或其被切断了的芯片的粘合力，并且在封装体划片后，即使在微小胶球附着于被单片化的封装体时，在不进行热处理工序的情况下，也不会贴合至托盘或装置，并且在通过输送管输送时不会发生附着至装置或被单片化的封装体彼此附着。 
用于解决课题的手段 
本发明人等为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现，通过使用拥有在放射线照射前后具有特定粘合强度及探头粘着性峰强度的放射线固化型粘合剂层的半导体加工用划片胶带，从而在保持芯片方面可获得充分的密合性， 并且，即使在微小胶球附着于被单片化的封装体时，也能够在封装体不贴合到托盘或输送管的情况下进行输送，由此完成本发明。 
即，本发明提供： 
（1）一种半导体加工用划片胶带，其特征在于，其在将半导体封装体划片的工序中进行使用；在基材薄膜的至少一面，形成有放射线固化型粘合剂层；上述粘合剂层由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成；上述粘合剂层的厚度为10～30μm；上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0～2.0N/25mm胶带宽度；并且上述粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为50～150mN/mm2； 
（2）根据（1）所述的半导体加工用划片胶带，其特征在于，上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射前的粘合力为5.0～10.0N/25mm胶带宽度，并且上述粘合剂层在放射线照射前的探头粘着性峰强度为250～750mN/mm2；及 
（3）根据（1）或（2）所述的半导体加工用划片胶带，其特征在于，构成上述粘合剂层的树脂组合物的玻璃化转变温度为-30～-10℃，上述树脂组合物中的上述基础聚合物含有丙烯酸甲酯及丙烯酸2-乙基己酯作为单体成分； 
（4）一种半导体加工用划片胶带，其特征在于，其在将半导体封装体划片的工序中进行使用；在基材薄膜的至少一面，形成有放射线固化型粘合剂层；上述粘合剂层由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成，所述丙烯酸系聚合物含有丙烯酸甲酯及丙烯酸2-乙基己酯作为单体成分；上述树脂组合物的玻璃化转变温度为-30～-11℃；上述粘合剂层的厚度为10～30μm；上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0～1.9N/25mm胶带宽度；上述粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为54～148mN/mm2；上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射前的粘合力为5.3～9.7N/25mm胶带宽度；并且上述粘合剂层在放射线照射前的探头粘着性峰强度为253～723mN/mm2。 
发明效果 
本申请发明的半导体加工用划片胶带是在基材薄膜的至少一面形成放射线 固化型粘合剂层而形成的，由于粘合剂层由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成，因此在减低对半导体晶片或封装体的污染性的方面优秀。此外，通过使该粘合剂层的厚度为10～30μm，从而可以在划片时，防止晶片的崩边（Chipping）或封装体侧面的残胶，并且充分保持晶片。进而，该粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0～2.0N/25mm胶带宽度，由此能够抑制拾取时周围芯片的散乱、或输送时封装体从胶带脱离。并且，该粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为50～150mN/mm2，由此即使在封装体中产生胶球的情况下，也能够抑制封装体在托盘或输送管上的附着。 
附图说明
图1为本发明的半导体加工用划片胶带的概略剖面图。 
具体实施方式
以下，参照附图，对于本发明的半导体加工用划片胶带的优选实施方式进行说明。 
本发明的半导体加工用划片胶带1是在基材薄膜3的至少一面形成放射线固化型粘合剂层5而形成的。作为基材薄膜3，只要是通常用于半导体加工用胶带的材料就没有特别限定，但在本发明的半导体加工用划片胶带1中，为了使粘合力在拾取时比粘贴时低，需要用放射线照射粘合剂层，因此优选具有充分的放射线透过性的材料。由此，特别适合使用塑料薄膜。作为代表性的材料，例如可以举出低密度聚乙烯、直链聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离子键树脂、乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物、乙烯-（甲基）丙烯酸酯（无规、交替）共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二酯等聚酯；聚酰亚胺、聚醚酮、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、氟树脂、硅酮树脂、纤维素系树脂以及它们的交联体等聚合物。 
基材薄膜3的制膜方法可以利用以往公知的制膜方法来进行。例如，可适 合使用压延制膜、铸造制膜、吹胀挤压、T型模具挤压等方法。 
如此获得的基材薄膜3的厚度通常为10～300μm，优选为30～200μm左右。另外，基材薄膜3可以为单层薄膜或多层薄膜中的任一者，也可以为将2种以上的上述树脂干搀和的混合基材。多层薄膜可以使用上述树脂等、利用共挤压法、干式层压法等常规的薄膜层压法来制造。此外，基材薄膜3可以在无拉伸下使用，也可以根据需要施加单轴或双轴的拉伸处理。对于这样制造的基材薄膜3的表面，可根据需要施加粗化处理、电晕放电处理、底漆处理、交联处理等常规的物理或化学处理。 
接着，对于在半导体加工用划片胶带1中的放射线固化型粘合剂层5进行说明。本发明人等对于半导体加工用划片胶带1中的放射线固化型粘合剂层5的放射线照射后的粘合力进行了深入研究，结果发现，通过使粘合强度为1.0～2.0N/25mm胶带宽度，从而能够抑制拾取时周围芯片的散乱，或输送时封装体从胶带脱离。另一方面，得知，在粘合力小于1.0N/25mm胶带宽度的情况下，封装体从胶带的脱离会频繁发生，在大于2.0N/25mm胶带宽度的情况下，在拾取时无法将封装体从胶带剥离，而产生拾取不良。 
此外，本发明人等进一步深入研究在大气气氛条件下对半导体加工用划片胶带1中的放射线固化型粘合剂层5进行放射线照射时的粘着性峰强度。其结果发现，通过将该值设为50～150mN/mm2，即使在封装体上产生胶球的情况下，也能够抑制封装体在托盘或输送管上的附着。另一方面，得知，若粘着性峰强度超过150mN/mm2，则胶球的黏性强，而封装体在托盘或输送管上的附着会频繁发生；若粘着性峰强度小于50mN/mm2，则在拾取划片后被单片化的封装体时，容易发生在针推起时周围芯片的散乱、或在拾取后暂时保管或输送时封装体从胶带的脱离。 
另外，一般而言，封装树脂在表面有微小凹凸，在保持凹凸小的封装体的情况下，粘合剂层需要具有充分的粘合力；在保持凹凸大的封装体的情况下，粘合剂层需要具有充分的粘着性峰强度。因此，优选本发明的半导体加工用划片胶带1中的放射线固化型粘合剂层5相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射前的粘合力为5.0～10.0N/25mm胶带宽度，放射线照射前的探头粘着性的波峰强度为250～750mN/mm2。通过使放射线照射前的粘合力及粘着性峰强度在这些数值范围内，即使在使用各种封装体进行加工的情况下，也能够牢固保持 封装体，而能够防止在划片时被单片化的封装体的飞散。另一方面，若放射线照射前的粘合力/粘着性强度过低，则在划片时封装体容易飞散，若过高，则与封装体的密合过强，而容易产生剥离时的残胶、或基材与粘合剂间的界面剥离。 
鉴于如以上的本发明人等的研究结果，对本发明的半导体加工用划片胶带1中的粘合剂层5进行说明。该粘合剂层5由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成。这是因为，丙烯酸系聚合物通常在减低对半导体晶片或封装体的污染性方面优秀。此外，本发明的半导体加工用划片胶带1中的粘合剂层5由于能够防止划片时的封装体飞散，并且在拾取时提高自封装体的剥离性，因此在粘贴至半导体零件（半导体晶片等）的被粘物时，具有能够防止芯片剥离的程度的充分的粘合力，并可以使粘合力在拾取时比粘贴时低。即，作为粘合剂层5，可以使用借助紫外线、电子束等固化的放射线固化型粘合剂层。 
这样的放射线固化型粘合剂层5是由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成、且具有碳-碳双键等的放射线固化型官能团的物质。具体而言，可以举出通过在含有丙烯酸系聚合物的树脂组合物中配合放射线固化型单体成分或低聚物成分（以下，将它们称为放射线固化型成分）来制备的物质；或者作为基础聚合物，以丙烯酸系聚合物为基本架构，且在聚合物的侧链或主链中或者在主链末端具有碳-碳双键的物质。 
首先，作为丙烯酸系聚合物，例如优选使用（甲基）丙烯酸烷基酯的聚合物；或根据需要以粘合性、凝聚力、耐热性等的改性为目的将共聚性单体与（甲基）丙烯酸烷基酯共聚的共聚物。另外，（甲基）丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本说明书中的（甲基）全部具有相同的意义。作为（甲基）丙烯酸烷基酯的烷基酯基，例如可以举出甲酯、乙酯、丁酯、2-乙基己酯、辛酯、异壬酯等。 
一般而言，粘合力或粘着性峰强度可通过在调整基础聚合物的主链结钩结构的同时，调整其侧链长度来进行控制。因此，在本发明的半导体加工用划片胶带1中，构成基础聚合物的丙烯酸系聚合物可以为例如具有（甲基）丙烯酸的羟烷基酯（例如，羟乙酯、羟丁酯、羟己酯等）、（甲基）丙烯酸缩水甘油酯、（甲基）丙烯酸、伊康酸、马来酸酐、（甲基）丙烯酰胺、（甲基）丙烯酸N-羟甲基酰胺、（甲基）丙烯酸烷基氨基烷基酯（例如，甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯等）、N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯酰吗啉、乙酸乙烯酯、 苯乙烯、丙烯腈等作为共聚性单体的聚合物。这些共聚性单体可使用1种或2种以上。进而，上述丙烯酸系聚合物为了进行交联，可根据需要含有多官能性单体等作为共聚用单体成分。 
作为构成粘合剂层的树脂组合物的丙烯酸系聚合物，特别优选为含有丙烯酸甲酯及丙烯酸2-乙基己酯的聚合物。这是因为，期待通过使均聚物中的玻璃化转变温度高的丙烯酸甲酯与均聚物中的玻璃化转变温度低的丙烯酸2-乙基己酯共聚，粘合力与粘着性峰强度的控制变得容易。 
上述丙烯酸系聚合物可通过使单一单体或2种以上的单体混合物进行聚合反应来得到。聚合反应可以用溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等中的任一种方式来进行。另外，从防止半导体晶片等的污染等的观点考虑，优选粘合剂层中低分子量物的含量小。因此，丙烯酸系聚合物的重均分子量为20万以上，优选为20万～300万左右，更优选为50万～300万左右。 
接着，在放射线固化型粘合剂层5中，作为与含有丙烯酸系聚合物的树脂组合物一起配合的放射线固化型成分，只要是在拾取工序时能够提供使划片胶带与半导体容易剥离的特性的成分就没有特别限定，但作为单体成分或低聚物成分的例子，可以举出三羟甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、四乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,6-己二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯等（甲基）丙烯酸与多元醇的酯化物；丙烯酸酯低聚物；2-丙烯基-3-丁烯基氰脲酸酯、三（2-甲基丙烯酰氧基乙基）异氰脲酸酯等异氰脲酸酯或异氰脲酸酯化合物等。放射线固化型成分可以单独使用1种，也可以将2种以上混合使用。 
放射线固化型成分的配合量并没有特别限制，但若考虑到在拾取时，即在放射线照射后，使剥离粘合力下降，在进行90°剥离试验时，相对于根据JIS Z0237的SUS304的粘合力设为1.0～2.0N/25mm胶带宽度，则相对于丙烯酸系共聚物100质量份优选为25～150质量份。若放射线固化型成分过少，则在拾取时无法充分降低粘合力；若放射线固化型成分过多，则会成为封装体从胶带脱离的原因，在拾取工序时产生周围芯片散乱。 
接着，对于在上述的丙烯酸系聚合物中导入碳-碳双键的情况进行说明。作为在丙烯酸系聚合物中导入碳-碳双键的方法，可以举出如下方法：在聚合物的侧链具有官能团，使具有能够与其进行加成反应的官能团和碳-碳双键的化合物 进行加成。作为具有能够在丙烯酸系化合物的侧链进行加成反应的官能团的化合物，在成为加成反应的对象的侧链为羧基的情况下，可以举出甲基丙烯酸缩水甘油酯或芳基缩水甘油醚等，在成为加成反应的对象的侧链为环氧基的情况下，可以举出丙烯酸等，在成为加成反应的对象的侧链为羟基的情况下，可以举出2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯等。 
在如上所述的粘合剂层5中，例如可以含有多官能异氰酸酯系化合物或环氧基系化合物、三聚氰胺系化合物或金属盐系化合物、金属螯合物系化合物或氨基树脂系化合物或过氧化物等适宜的交联剂作为固化剂。固化剂为借助其使粘合剂层交联的物质，通过调整其含量，可以控制粘合剂层5的交联密度，并控制半导体加工用划片胶带1的保持性。粘合剂层5中的固化剂的含量虽然没有特别限定，但优选相对于基础聚合物100质量份为0.1～10质量份。进而，在本发明所使用的放射线固化型粘合剂中，可根据需要含有以往公知的各种粘合赋予剂、抗老化剂、填充剂、着色剂等常规添加剂。 
进而，在如上所述的放射线固化型粘合剂层5中，也可以含有用于由紫外线等进行固化的光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可以举出苯偶姻甲醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚等苯偶姻烷基醚类；苯偶酰、苯偶姻、二苯甲酮、α-羟基环己基苯基酮类的芳香族酮类；苯偶酰二甲基缩酮（Benzil dimethyl ketal）等芳族缩酮类；聚乙烯基二苯甲酮（polyvinyl benzophenone）、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮等噻吨酮类等。对于光聚合引发剂的配合量也没有特别限定，但相对于构成粘合剂层5的丙烯酸系聚合物等的基础聚合物100质量份，例如可以为0.1～10质量份，优选为0.5～10质量份。 
另外，在本发明的半导体加工用划片胶带1中，构成放射线照射前的粘合剂层5的树脂组合物的玻璃化转变温度优选为-30～-10℃。若玻璃化转变温度过低，则粘合剂的凝聚力变低，因此在封装体的划片时，容易产生粘合剂层5的卷翘，而有时胶球附着至被单片化的封装体。另一方面，若玻璃化转变温度过高，则有时在划片工序中晶片保持力不足，产生晶片飞散或封装体弹出，而具有容易使产品的成品率变差的情况。 
而且，这样的玻璃化转变温度的范围可根据构成粘合剂层5的树脂组合物中的基础聚合物的聚合物结构、分子量、所配合的放射线固化型成分、固化剂、 光聚合引发剂、粘合赋予剂、抗老化剂、填充剂、或着色剂等的种类或量来适当调整。 
本发明的半导体加工用划片胶带1可通过在基材薄膜3的表面上，直接涂布粘合剂溶液，干燥、或根据需要加热使其交联，如上述那样形成粘合剂层来得到。此时，半导体加工用划片胶带1中的粘合剂层5的厚度优选为10～30μm。在粘合剂层5小于10μm的情况下，无法在划片时充分保持晶片；在粘合剂层5比30μm厚的情况下，晶片的崩边或封装体侧面的残胶会增加。 
进而，根据需要在该粘合剂层5的表面上贴合隔膜（seperator）7，由此可以制造本发明的半导体加工用划片胶带1。或者，也可以采用另行地在隔膜7上形成粘合剂层5后、将它们贴合到基材薄膜3的方法等。并且，这些粘合剂层5可以为1层，也可以为2层以上层压而成。 
另外，隔膜7是为了保护粘合剂层的目的、为了标签加工的目的、或者为了使粘合剂光滑的目的而根据需要设置的。作为隔膜7的构成材料，可以举出纸、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二酯等合成树脂薄膜等。也可以对于隔膜7的表面，为了提高自粘合剂层5的剥离性，根据需要进行硅酮处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。此外，也可以根据需要进行防紫外线处理，以使半导体加工用划片胶带1不会因环境紫外线而产生反应。隔膜7的厚度通常为10～200μm，优选为25～100μm左右。 
如以上所述的半导体加工用划片胶带1可根据用途制成片状、辊状等适宜形状。也可以使用预先切断加工成所需形状者。 
本发明的半导体加工用划片胶带1在粘贴至作为被切断物的半导体零件后，按照常规方法进行划片。作为半导体零件，可以举出硅半导体、化合物半导体、半导体封装体、玻璃、陶瓷等，但本发明的半导体加工用划片胶带1特别用于将半导体封装体划片的工序。在划片工序中，通常使刀片高速旋转，将被切断体切断为预定尺寸。通过使用本发明的半导体加工用划片胶带1，可以在划片工序中采用切入至半导体加工用划片胶带1的被称为全切割（full cut）的切断方式。 
在划片后，通常会进行拾取工序，但在之前通过进行放射线照射，使半导体加工用划片胶带1中的粘合剂层5固化而使其粘合性降低。由此，半导体零件从半导体加工用划片胶带1的剥离变得容易。另外，在拾取工序中，可设置扩展（expand）工序。此外，放射线照射的手段并无特别限定，例如可以利用紫 外线照射等来进行。 
根据以下的实施例可知，特别优选构成本发明的半导体加工用划片胶带1的粘合剂层具备以下特性。 
粘合剂层5由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成，该丙烯酸系聚合物含有丙烯酸甲酯及丙烯酸2-乙基己酯作为单体成分，树脂组合物的玻璃化转变温度优选为-30～-11℃。 
此外，粘合剂层5的厚度优选为10～30μm。 
优选地，粘合剂层5在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0～1.9N/25mm胶带宽度；粘合剂层5在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为54～148mN/mm2。 
优选地，粘合剂层5在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射前的粘合力为5.3～9.7N/25mm胶带宽度；粘合剂层5在放射线照射前的探头粘着性峰强度为253～723mN/mm2。 
实施例 
以下，根据实施例进一步详细说明本发明，但本发明并非限定于这些实施例。 
[基材薄膜] 
作为基材薄膜，使用厚度为150μm的直链状低密度聚乙烯。对于该薄膜的一面实施了电晕处理。 
[丙烯酸系聚合物] 
·基础聚合物A～E 
将丙烯酸甲酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羟乙酯作为原料，以下述表1所示的配合比（质量份）进行聚合，得到含有丙烯酸系聚合物的基础聚合物。 
·基础聚合物F～H 
将丙烯酸甲酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羟乙酯作为原料，以下述表1所示的配合比（质量份）进行聚合。进而，使2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯进行加成反应，由此得到在侧链末端具有碳-碳双键的丙烯酸系基础聚合物。 
进而，相对于基础聚合物100质量份，加入作为聚异氰酸酯的日本聚氨酯 公司制的CORONATE L（商品名）1质量份、作为光聚合引发剂的日本CIBA-GEIGY公司制的IRUGACURE184（商品名）（α-羟基环己基苯基酮）5.0质量份并混合，制备构成粘合剂层的树脂组合物。 
[表1] 
Figure BDA0000433272110000111
<实施例1> 
相对于基础聚合物B100质量份，以季戊四醇三丙烯酸酯与二异氰酸酯反应所得到的放射线固化型低聚物（碳-碳双键的每1分子的平均含量为6个）50质量份、作为固化剂的聚异氰酸酯化合物（日本聚氨酯公司制，商品名CORONATE L）2质量份、光聚合引发剂（Ciba Specialty Chemicals Inc.制，商品名IRUGACURE651）3质量份的配合比进行混合，得到粘合剂组合物。 
将所得到的粘合剂组合物以厚度为20μm的方式涂布在基材薄膜的电晕处理面，制作半导体加工用划片胶带。 
<实施例2> 
将粘合剂组合物中的基础聚合物改为C，除此以外，与实施例1同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<实施例3> 
将放射线固化型低聚物的配合比改为25质量份，除此以外，与实施例2同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<实施例4> 
将粘合剂组合物中的基础聚合物改为D，并将相对于D100质量份的放射线固化型低聚物的配合比改为100质量份，除此以外，利用与实施例1同样的方法得到半导体加工用划片胶带。 
<实施例5> 
将放射线固化型低聚物的配合比改为50质量份，除此以外，与实施例4同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<实施例6> 
将放射线固化型低聚物的配合比改为25质量份，除此以外，与实施例4同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<实施例7> 
相对于基础聚合物G100质量份，以作为固化剂的聚异氰酸酯化合物（日本聚氨酯公司制，商品名CORONATE L）2质量份，光聚合引发剂（Ciba Specialty Chemicals Inc.制，商品名IRUGACURE651）3质量份的配合比进行混合，得到粘合剂组合物。 
将所得到的粘合剂组合物以厚度为20μm的方式涂布在基材薄膜的电晕处理面，制作半导体加工用划片胶带。 
<实施例8> 
将粘合剂组合物中的基础聚合物改为H，除此以外，与实施例7同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<实施例9> 
将粘合剂层的厚度改为10μm，除此以外，与实施例7同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<实施例10> 
将粘合剂层的厚度改为30μm，除此以外，与实施例7同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<比较例1> 
将粘合剂组合物中的基础聚合物改为A，并将相对于A100质量份的放射线固化型低聚物的配合比改为100质量份，除此以外，与实施例1同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<比较例2> 
将放射线固化型低聚物的配合比改为50质量份，除此以外，与比较例1同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<比较例3> 
将放射线固化型低聚物的配合比改为25质量份，除此以外，与比较例1同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<比较例4> 
将粘合剂组合物中的基础聚合物改为B，并将相对于B100质量份的放射线固化型低聚物的配合比改为100质量份，除此以外，与实施例1同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<比较例5> 
将放射线固化型低聚物的配合比改为25质量份，除此以外，与比较例4同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<比较例6> 
将相对于基础聚合物C100质量份的放射线固化型低聚物的配合比改为100质量份，除此以外，与实施例2同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<比较例7> 
将粘合剂组合物中的基础聚合物改为E，并将相对于E100质量份的放射线固化型低聚物的配合比改为100质量份，除此以外，与实施例1同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<比较例8> 
将放射线固化型低聚物的配合比改为25质量份，除此以外，与比较例7同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<比较例9> 
相对于基础聚合物F100质量份，以作为固化剂的聚异氰酸酯化合物（日本聚氨酯公司制，商品名CORONATE L）2质量份，光聚合引发剂（Ciba Specialty Chemicals Inc.制，商品名IRUGACURE651）3质量份的配合比进行混合，得到粘合剂组合物。 
将所得到的粘合剂组合物以厚度为20μm的方式涂布在基材薄膜的电晕处理面，制作半导体加工用划片胶带。 
<比较例10> 
将粘合剂层的厚度改为7μm，除此以外，与实施例7同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
<比较例11> 
将粘合剂层的厚度改为33μm，除此以外，与实施例7同样地操作，得到半导体加工用划片胶带。 
对于上述实施例及比较例中得到的半导体加工用划片胶带，进行以下的评 价。关于实施例的评价结果示于表2，关于比较例的评价结果示于表3。 
[试验1：粘合力测定（放射线照射前）] 
从各半导体加工用划片胶带采取3个宽25mm×长300mm的试验片，在将它们贴合于用JIS R6253所规定的280号耐水砂纸进行表面处理的JIS G4305中规定的厚度为1.5mm～2.0mm的SUS304钢板上后，以2kg的橡胶辊来回滚压3次进行压接，放置1小时后，使用测定值在其容量的15～85%范围内的适合JISB7721的拉伸试验机测定粘合力。测定利用90°剥离法，此时的拉伸速度为50mm/min。测定温度为23℃，测定湿度为49%。 
[试验2：粘合力测定（放射线照射后）] 
对于用与试验1同样的方法制作的试样，以200mJ/cm2进行紫外线照射，在照射后放置1小时，用与试验1同样的方法测定粘合力。 
[试验3：粘着性峰强度测定（放射线照射前）] 
从各半导体加工用划片胶带采取3个宽25mm×长300mm的试验片，使用（株）力世科（RHESCA）制的粘性试验机TAC-II型，测定被粘体侧的粘合剂层探头粘着性峰强度。测定条件如下。 
Figure BDA0000433272110000141
结果采用n=5的平均值。 
[试验4：粘着性峰强度（放射线照射后、大气气氛下）] 
对于用与试验1同样的方法制作的试样，在大气气氛下使用高压水银灯以200mJ/cm2进行紫外线照射，照射后放置1小时，用与试验3同样的方法评价探头粘着性峰强度。 
[试验5：粘合剂的玻璃化转变温度（Tg）测定] 
将放射线照射前的半导体加工用划片胶带浸渍于甲醇，使粘合剂层溶胀，然后用单刃刀从基材薄膜剥离粘合剂组合物。将所得到的粘合剂组合物放入铝制容器，使用SEIKO INSTRUMENTS公司制的差示扫描量热仪（DSC）RDC220 型测定玻璃化转变温度。测定条件如下。 
Figure BDA0000433272110000151
[评价1：划片时保持力试验] 
在23℃、50%RH的条件下，将厚度为0.5mm的、191mm×51mm的铜引线框架基板封装体贴合至各半导体加工用划片胶带，从贴合胶带经过1小时后，切断为3mm×3mm见方。划片条件如下。 
Figure BDA0000433272110000152
在划片后以目视确认环形框架，当被单片化的封装体不见5个以上时评价为「×」，当不见1个以上且4个以下时评价为「△」，若是不见个数为零则评价为「○」。 
[评价2：放射线照射后保持力试验（芯片散乱）] 
在评价1的划片后，使用高压水银灯以200mJ/cm2进行紫外线照射，拾取被单片化的封装体。拾取条件如下。 
Figure BDA0000433272110000153
Figure BDA0000433272110000161
拾取50个在上述条件下单片化的封装体，以目视确认拾取场所附近的芯片散乱。无法确认到拾取场所附近的芯片排列的打乱、飞散者评价为「○」，排列虽被打乱但留在粘合胶带上而可回收者评价为「△」，飞散在粘合胶带外者评价为「×」。 
[评价3：在托盘上的附着性] 
拾取50个在评价2中单片化的封装体，计算拾取的封装体附着于ABS树脂制的托盘上、且即使将脱盘倒过来也不会落下的封装体的数量。若连1个附着的封装体都没有则评价为「○」，当1个以上且小于10个时评价为「△」，当10个以上时评价为「×」。 
[表2] 
Figure BDA0000433272110000171
[表3] 
由表2可确认到，在半导体加工用划片胶带中，当粘合剂层的厚度为10～30μm，粘合剂层在进行90°剥离试验时放射线照射后的粘合力为 1.0～2.0N/25mm胶带宽度，且在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为50～150mN/mm2时（实施例1～10），在划片时可获得对封装体的高保持力，在放射线照射后拾取封装体也不会发生散乱。进而，被拾取的封装体也不会附着在托盘上。该原因可认为，由于本发明的半导体加工用划片胶带中的粘合剂层在划片时难以在被单片化的封装体上残留胶球，并且即使在有胶球附着的情况下，通过在拾取前进行放射线照射，使粘合剂层在维持适度粘合力的同时固化。 
另外，粘合剂层只要是由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成的放射线固化型粘合剂层，就不论是在含有丙烯酸系聚合物的树脂组合物中配合放射线固化型成分的粘合剂层（实施例1～6），还是以丙烯酸系聚合物为基本骨架、且在聚合物的侧链或主链中或者在主链末端上具有碳-碳双键的粘合剂层（实施例7～10），都可获得同样的结果。 
另一方面，在半导体加工用划片胶带中，尽管粘合剂层的厚度为10～30μm，但是当粘合剂层在进行90°剥离试验时放射线照射后的粘合力小于1.0N/25mm胶带宽度时（比较例1、4、6、7、9），虽然拾取工序后未见到在托盘上的附着，但芯片散乱是多见的。该原因可认为，由于放射线照射使粘合剂层固化过度，无法维持拾取时所需的粘合力，而产生拾取不良。 
此外，当粘合剂层在进行90°剥离试验时放射线照射后的粘合力超过2.0N/25mm胶带宽度时（比较例3、5、8），虽然未见到芯片散乱，但在拾取工序后封装体在托盘上的附着增加。这表示即使在放射线照射后，粘合剂层的固化也未进行充分，而在粘合力过高的状态下进入拾取工序。 
进而，当粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度小于50mN/mm2时（比较例6、7），在拾取工序中可见芯片散乱。该原因可认为，由于放射线照射使粘合剂层固化过度，无法获得充分的粘着性，而产生拾取不良。另一方面，当在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度超过150mN/mm2时（比较例2、3、5、11），在拾取工序后，较多发生封装体在托盘上的附着。该原因可认为，即使在放射线照射后，粘合剂层的固化也未进行充分，而处于粘着性过高的状态，因此由于附着在封装体的胶球，封装体牢固地贴合在托盘上。 
另外，即使当粘合剂层在进行90°剥离试验时放射线照射后的粘合力为 1.0～2.0N/25mm胶带宽度，且在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为50～150mN/mm2时，在粘合剂层的厚度小于10μm的情况下（比较例10），在划片时也可确认到封装体的飞散。由此显示，为了在划片时获得充分的保持性，粘合剂层的厚度必须在10μm以上。 
此外，当粘合剂层在进行90°剥离试验时放射线照射前的粘合力小于5.0N/25mm胶带宽度、或者放射线照射前的探头粘着性峰强度小于250mN/mm2时（比较例1、2、3、7、8、10），可确认到在划片时封装体无法充分被保持。尤其，即使当粘合剂层在进行90°剥离试验时放射线照射前的粘合力在5.0～10.0N/25mm胶带宽度的范围内（比较例7、10）、或者超过10.0N/25mm胶带宽度时（比较例8），如果放射线照射前的探头粘着性峰强度小于250mN/mm2，则划片时的保持性变得不充分，而劣于本发明的半导体加工用划片胶带。 
此外，如果对于使用了在基础聚合物中添加有放射线固化型低聚物的粘合剂组合物的实施例1～6、比较例1～8，以粘合剂的玻璃化转变温度为横轴，绘制放射线照射前的粘合力及粘着性峰强度，则可知玻璃化转变温度越高，放射线照射前的粘合力会越强，粘着性峰强度会越弱这样的相关性。尤其，在将低聚物配合比例为25质量份的实施例3、实施例6、比较例3、比较例5、比较例8进行比较时；在将低聚物配合比例为50质量份的实施例1、实施例2、实施例5、比较例2进行比较时；或者在将低聚物配合比例为100质量份的实施例4、比较例1、比较例4、比较例6、比较例7进行比较时，该相关性明确。 
以上，虽然对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明并非限定于所述例。只要是本领域技术人员，就可以理解，很显然在本申请中所公开的技术思想范围内，能够想到各种变形例或修正例，它们也当然属于本发明的技术范围内。 
符号说明 
1…半导体加工用划片胶带 
3…基材薄膜 
5…粘合剂层 
7…隔膜 。

Claims (4)

1.一种半导体加工用划片胶带，其特征在于，
其在将半导体封装体划片的工序中进行使用；
在基材薄膜的至少一面，形成有放射线固化型粘合剂层；
上述粘合剂层由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成；
上述粘合剂层的厚度为10～30μm；
上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0～2.0N/25mm胶带宽度；并且
上述粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为50～150mN/mm2。
2.根据权利要求1所述的半导体加工用划片胶带，其特征在于，上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射前的粘合力为5.0～10.0N/25mm胶带宽度，并且上述粘合剂层在放射线照射前的探头粘着性峰强度为250～750mN/mm2。
3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用划片胶带，其特征在于，构成上述粘合剂层的树脂组合物的玻璃化转变温度为-30～-10℃，上述树脂组合物中的上述基础聚合物含有丙烯酸甲酯及丙烯酸2-乙基己酯作为单体成分。
4.一种半导体加工用划片胶带，其特征在于，
其在将半导体封装体划片的工序中进行使用；
在基材薄膜的至少一面，形成有放射线固化型粘合剂层；
上述粘合剂层由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成，所述丙烯酸系聚合物含有丙烯酸甲酯及丙烯酸2-乙基己酯作为单体成分；
上述树脂组合物的玻璃化转变温度为-30～-11℃；
上述粘合剂层的厚度为10～30μm；
上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0～1.9N/25mm胶带宽度；
上述粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为54～148mN/mm2；
上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射前的粘合力为5.3～9.7N/25mm胶带宽度；并且
上述粘合剂层在放射线照射前的探头粘着性峰强度为253～723mN/mm2。
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