DE112015001075T5 - Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element und Verfahren zur Herstellung von Chips unter Verwendung der Folie - Google Patents

Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element und Verfahren zur Herstellung von Chips unter Verwendung der Folie Download PDF

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Takuo Nishida
Yosuke Koma
Misaki Sakamoto
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Abstract

Als eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die stabil eine Verbesserung der Ablösbarkeit der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element und eine Unterdrückung einer Verschlechterung der Zuverlässigkeit von Elementen erreichen kann, die Chips aufweisen, hergestellt aus einem halbleiterbezogenen Element unter Verwendung der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, wird eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element (1) bereitgestellt, die ein Basismaterial (2) und eine Haftklebeschicht (3) aufweist, die an oder über einer Oberfläche des Basismaterials (2) bereitgestellt ist, wobei die Haftklebeschicht (3) eine oder mehrere Art(en) von durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindungen mit einer durch einen Energiestrahl polymerisierbaren funktionellen Gruppe aufweist, wobei zumindest eine Art der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindungen ein polymerisierbares verzweigtes Polymer ist, das ein Polymer mit einer verzweigten Struktur ist, wobei ein Kontaktwinkel an einer Messzielfläche 40° oder weniger bei Messung mit einem Wassertropfen in einer Umgebung von 25°C und einer relativen Feuchte von 50% ist, wobei die Messzielfläche hergestellt wird durch: Befestigen einer Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element (1) an einer Seite der Haftklebeschicht (3) an einer Spiegelfläche eines Siliziumwafers; Bestrahlen der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element (1) mit einem Energiestrahl zur Verringerung einer Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht (3) an der Spiegelfläche des Siliziumwafers; und danach Entfernen der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element (1) vom Siliziumwafer, so dass die Spiegelfläche des Siliziumwafers, an welcher die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element (1) befestigt wurde, als die Messzielfläche erhalten wird.

Description

  • [Technisches Gebiet]
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die in der Herstellung von Chips verwendet wird, die Elemente sind, die durch Teilen und Verarbeiten eines halbleiterbezogenen Elements wie eines Siliziumwafers gebildet werden. Die vorliegende Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung von Chips unter Verwendung der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element.
  • [Stand der Technik]
  • Ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung von Chips aus einem halbleiterbezogenen Element wie einem Siliziumwafer kann wie folgt erwähnt werden. Zuerst wird eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element hergestellt, die ein Basismaterial und eine Haftklebeschicht enthält, und die Oberfläche der Folie an der Seite der Haftklebeschicht wird an einer Oberfläche eines halbleiterbezogenen Elements befestigt, an welcher Schaltungen gebildet sind (diese Oberfläche kann in der vorliegenden Beschreibung als ein ”Vorderflächenelement” bezeichnet werden). Das halbleiterbezogene Element wird dann von der Seite einer freiliegenden Oberfläche gegenüber dem Vorderflächenelement zur Verringerung der Dicke des halbleiterbezogenen Elements geschliffen. Anschließend wird eine weitere Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element an der geschliffenen Oberfläche des halbleiterbezogenen Elements befestigt (diese Oberfläche kann in der vorliegenden Beschreibung als ein ”Rückflächenelement” bezeichnet werden) und die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die am Vorderflächenelement befestigt ist, wird entfernt. Danach wird ein Teilungsprozess für das halbleiterbezogene Element durchgeführt, an dem die andere Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element befestigt ist, und es wird eine Struktur in einem Zustand erhalten, in dem viele Chips an der Oberfläche der anderen Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element an der Seite der Haftklebeschicht befestigt sind. Schließlich können die Chips erhalten werden, nachdem sie einzeln aus der Struktur genommen wurden.
  • Wenn somit Chips aus einem halbleiterbezogenen Element hergestellt werden, kann manchmal ein Vorgang zum Befestigen einer Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element an und Entfernen desselben von der Oberfläche des halbleiterbezogenen Elements oder den Oberflächen der Chips (einschließlich eines Abnahmevorgangs, hier und in weiterer Folge) durchgeführt werden. halbleiterbezogene Elemente können eine verringerte Dicke von etwa mehreren zehn Mikrometern haben, wie im Fall eines Siliziumwafers nach dem Schleifen, und daher ist eine Verbesserung der Ablösbarkeit einer Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element ein wichtiges Thema hinsichtlich einer Qualitätskontrolle der halbleiterbezogenen Elemente.
  • Die ”Ablösbarkeit”, wie in der vorliegenden Beschreibung verwendet, bezieht sich auf eine von Eigenschaften einer Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, d. h. eine Eigenschaft zum Vermeiden von Qualitätsproblemen, wie Rissen und Brüchen, einer Klebefläche beim Entfernen der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element von der Klebefläche (ein halbleiterbezogenes Element oder Chips in einem Zustand, in dem die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element daran befestigt ist, kann hier und in weiterer Folge mit einem Sammelbegriff als ”Klebefläche” bezeichnet werden). Die Eignung für eine Abnahme, die eine Eigenschaft ist, Risse, Brüche usw. von Chips zu vermeiden, indem die Kraft verringert wird, die auf die Chips bei der Abnahme der Chips von einer Zerteilungsfolie ausgeübt wird, kann als ein spezielles Beispiel der obengenannten Ablösbarkeit festgehalten werden. Durch Verwendung einer Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die in ihrer Ablösbarkeit ausgezeichnet ist, ist unwahrscheinlich, dass Probleme wie Risse und Brüche einer Klebefläche beim Entfernen der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element von der Klebefläche auftreten.
  • Zur Verbesserung der Ablösbarkeit einer Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element ist die Haftklebeschicht der Folie üblicherweise so gestaltet, dass die Haftklebeeigenschaft durch einen speziellen Stimulus verringert wird, der ein Ausstrahlen eines Energiestrahls, wie Ultraviolettstrahl und Elektronenstrahl sein kann.
  • In Hinblick auf ein Eliminieren eines Misslingens der Abnahme, d. h. in Hinblick auf eine Verbesserung der Ablösbarkeit bei der Abnahme von einem Zerteilungsband, offenbart Patentliteratur 1 eine Technik zum Einarbeiten einer Verbindung, die eine freie Epoxidgruppe enthält, in eine Haftklebeschicht.
  • [Literatur nach dem Stand der Technik]
  • [Patentliteratur]
    • [Patentliteratur 1] JP2008-192917A
  • [Kurzdarstellung der Erfindung]
  • [Probleme, die durch die Erfindung zu lösen sind]
  • Wie in Patentliteratur 1 offenbart, ist die Einarbeitung einer Verbindung, die eine freie Epoxidgruppe enthält, in eine Haftklebeschicht ein effektives Mittel, die Abnahmezeit zu verringern und die Abnahmekraft zu verringern. Wenn jedoch die Ablösbarkeit einer Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element nur durch die obengenannten Mittel weiter verringert werden soll, ist es notwendig, den Gehalt der Verbindung, die eine freie Epoxidgruppe enthält, in der Haftklebeschicht zu erhöhen. Die gegenwärtigen Erfinder haben eine Möglichkeit entdeckt, dass, wenn Chips aus einem halbleiterbezogenen Element unter Verwendung einer Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element hergestellt werden, die eine Haftklebeschicht aufweist, in welcher der Gehalt der Verbindung, die eine freie Epoxidgruppe enthält, erhöht ist, die Zuverlässigkeit von Elementen, welche die Chips enthalten (spezielle Beispiele enthalten Form-Chips und Chips mit Schutzfilmen), schwierig aufrechtzuerhalten ist.
  • Angesichts solcher bestehender Umstände ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Bereitstellung einer Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die stabil die Verschlechterung der Zuverlässigkeit von Elementen unterdrücken kann, die Chips aufweisen, die aus einem halbleiterbezogenen Element unter Verwendung der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element hergestellt wurden, und das vorzugsweise die Ablösbarkeit der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element verbessern kann. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist eine Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung von Chips unter Verwendung der Folie.
  • [Mittel zur Lösung der Probleme]
  • Das Ergebnis von Untersuchungen der Erfinder, um die obengenannten Aufgaben zu lösen, war die folgende neuartige Erkenntnis. Das heißt, durch Verwendung einer Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die eine Haftklebeschicht aufweist, die ein Polymer mit einer durch einen Energiestrahl polymerisierbaren funktionellen Gruppe und einer verzweigten Struktur aufweist (ein solches Polymer wird in der vorliegenden Beschreibung auch als ein ”polymerisierbares verzweigtes Polymer”) bezeichnet, kann stabil eine Verringerung einer Verschlechterung in der Zuverlässigkeit von Elementen erreicht werden, die Chips aufweisen, die aus einem halbleiterbezogenen Element unter Verwendung der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element hergestellt wurden. Verglichen mit der Verbindung, die eine freie Epoxidgruppe enthält, wie in Patentliteratur 1 offenbart, kann das polymerisierbare verzweigte Polymer die Ablösbarkeit der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element selbst dann verbessern, wenn der Gehalt in der Haftklebeschicht der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element gering ist.
  • Die vorliegende Erfindung, die aufgrund einer solchen Erkenntnis ausgeführt wurde, ist wie folgt:
    • (1) Eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die ein Basismaterial und eine Haftklebeschicht aufweist die an oder über einer Oberfläche des Basismaterials bereitgestellt ist, wobei die Haftklebeschicht eine oder mehrere Art(en) von durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindungen mit einer durch einen Energiestrahl polymerisierbaren funktionellen Gruppe aufweist, wobei zumindest eine Art der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindungen ein polymerisierbares verzweigtes Polymer ist, das ein Polymer mit einer verzweigten Struktur ist, wobei ein Kontaktwinkel von Wasser auf einer Messzielfläche 40° oder weniger bei Messung mit einem Wassertropfen in einer Umgebung von 25°C und einer relativen Feuchte von 50% ist, wobei die Messzielfläche hergestellt wird durch: Befestigen einer Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element an einer Seite der Haftklebeschicht an einer Spiegelfläche eines Siliziumwafers; Bestrahlen der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element mit einem Energiestrahl zur Verringerung einer Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht an der Spiegelfläche des Siliziumwafers; und danach Entfernen der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element vom Siliziumwafer, so dass die Spiegelfläche des Siliziumwafers, an welcher die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element befestigt wurde, als die Messzielfläche erhalten wird.
    • (2) Die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wie oben beschrieben (1), wobei das polymerisierbare verzweigte Polymer ein polystyroläquivalentes gewichtsgemitteltes Molekulargewicht von 100.000 oder weniger hat.
    • (3) Die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wie oben beschrieben (1) oder (2), wobei die durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindungen eine polymerisierbare hochmolekulare Verbindung aufweisen, die eine Substanz mit einem polystyroläquivalenten gewichtsgemittelten Molekulargewicht von 100.000 oder mehr ist.
    • (4) Die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wie in einem der obenstehenden Punkte (1) bis (3) beschrieben, wobei die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element eine Haftfestigkeit von 100 mN/25 mm oder weniger hat, wobei die Haftfestigkeit gemessen wird durch: Herstellen einer Hauptfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element an einer Seite der Haftklebeschicht als eine Messzielfläche; Herstellen einer Spiegelfläche eines Siliziumwafers als eine Klebefläche; Befestigen der Messzielfläche und der Klebefläche aneinander; dann Bestrahlen der Haftklebeschicht mit einem Energiestrahl zur Verringerung einer Haftklebeeigenschaft der Messzielfläche an der Klebefläche; und danach Durchführen eines 180° Schältests gemäß JIS Z0237: 2000 zur Messung der Haftfestigkeit.
    • (5) Ein Verfahren zur Herstellung von Chips, aufweisend: einen Befestigungsschritt zum Befestigen der Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, wie in einem der obenstehenden Punkte (1) bis (4) beschrieben, an der Seite der Haftklebeschicht an einer Oberfläche eines halbleiterbezogenen Elements; einen Teilungsschritt zum Teilen des halbleiterbezogenen Elements auf der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, um mehrere Chips zu erhalten, die an der Haftklebeschicht befestigt sind; einen Bestrahlungsschritt zum Bestrahlen der Haftklebeschicht mit einem Energiestrahl zur Verringerung einer Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht an Oberflächen der mehreren Chips, die an der Haftklebeschicht befestigt sind; und einen Abnahmeschritt zum Trennen der mehreren Chips von der Haftklebeschicht der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, um einzelne Chips zu erhalten.
    • (6) Das Verfahren zur Herstellung wie oben beschrieben (5), wobei das halbleiterbezogene Element einen Siliziumwafer mit einer penetrierenden Elektrode aufweist.
  • [Vorteilhafte Wirkung der Erfindung]
  • Durch Verwendung der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, aus einem halbleiterbezogenen Element Chips herzustellen, bei welchen es unwahrscheinlich ist, dass sie eine Verschlechterung der Zuverlässigkeit von Elementen, welche die Chips aufweisen, erfahren. In einer bevorzugten Ausführungsform kann auch eine Verbesserung der Ablösbarkeit der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element erreicht werden.
  • [Kurze Beschreibung der Zeichnung(en)]
  • 1 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • [Bests Form(en) zur Ausführung der Erfindung]
  • In der Folge werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben.
  • Wie in 1 dargestellt, weist die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Basismaterial 2 und eine Haftklebeschicht 3, die an oder über einer Oberfläche des Basismaterials 2 bereitgestellt ist, auf. Das halbleiterbezogene Element, wie in der vorliegenden Beschreibung verwendet, bezeichnet ein Material, das zur Halbleiterherstellung verwendet wird, und Beispiele dafür enthalten Wafer eines Halbleiters wie Silizium, SiC und GaN, Substrate aus Keramiken wie Aluminiumoxid und Saphir, Halbleiterpackungen und Glaselemente.
  • 1. Basismaterial
  • Einsatzmaterialien für das Basismaterial 2 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind nicht besonders eingeschränkt, vorausgesetzt, dass das Basismaterial 2 nicht bricht, wenn die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 verwendet wird, wie wenn die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 an einer Klebefläche befestigt wird und wenn die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 von der Klebefläche entfernt wird. Das Basismaterial 2 kann üblicherweise aus einem Film bestehen, der ein Material auf Harzbasis als Hauptmaterial enthält.
  • Spezielle Beispiele des Films enthalten: einen Copolymerfilm auf Ethylenbasis, wie Ethylen-Vinylacetat-Copolymer-Film, Ethylen-(meth)acrylsäure-Copolymer-Film und Ethylen-(meth)acrylester-Copolymer-Film; einen Film auf Polyolefinbasis, wie einen Film aus Polyethylen niedriger Dichte (LDPE), einen Film aus linearem Polyethylen niedriger Dichte (LLDPE), einen Film aus Polyethylen hoher Dichte (HDPE), einen Film aus Polyethylen mittlerer Dichte (MDPE) und andere Polyethylenfilme, einen Polypropylenfilm, einen Polybutenfilm, einen Polybutadienfilm, einen Polymethylpentenfilm, einen Ethylen-Norbornen-Copolymer-Film und einen Norbornenharzfilm; einen Film auf Polyvinylchloridbasis, wie Polyvinylchloridfilm und Vinylchlorid-Copolymer-Film; einen Film auf Polyesterbasis, wie Polyethylenterephthalatfilm und Polybutylenterephthalatfilm; einen Polyurethanfilm; einen Polyimidfilm; einen Polystyrolfilm; einen Polycarbonatfilm; und einen Fluorharzfilm. Es kann auch ein modifizierter Film davon verwendet werden, wie ein vernetzter Film und ein Ionomerfilm. Das obenstehende Basismaterial 2 kann ein Film sein, der eine Art davon aufweist, oder kann auch ein laminierter Film sein, der eine Art davon aufweist, oder kann auch ein laminierter Film sein, der eine Kombination von zwei oder mehr Arten davon aufweist. Die ”(Meth)acrylsäure”, wie in der vorliegenden Beschreibung verwendet, bedeutet sowohl Acrylsäure als auch Methacrylsäure. Dasselbe gilt für andere ähnliche Begriffe.
  • Es ist bevorzugt, dass der Film, der das Basismaterial 2 bildet, zumindest eine Art eines Copolymer-Films auf Ethylenbasis und eines Films auf Polyolefinbasis aufweist.
  • Der Copolymer-Film auf Ethylenbasis ist in seinen mechanischen Eigenschaften leicht in einem weiten Bereich zu kontrollieren, wie durch Variieren des Copolymerisationsverhältnisses. Daher kann das Basismaterial 2, das einen Copolymer-Film auf Ethylenbasis aufweist, leicht die mechanischen Eigenschaften erfüllen, die als jene des Basismaterials der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform erforderlich sind. Zusätzlich hat der Copolymer-Film auf Ethylenbasis eine relativ hohe Grenzflächenhafteigenschaft an der Haftklebeschicht 3 und daher ist unwahrscheinlich, dass er eine Delaminierung an der Grenzfläche zwischen dem Basismaterial 2 und der Haftklebeschicht 3 verursacht, wenn die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 verwendet wird.
  • Der Copolymer-Film auf Ethylenbasis und der Film auf Polyolefinbasis enthalten jeweils nur eine geringe Menge an Komponenten, welche die Eigenschaften als solche einer Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element negativ beeinflussen (zum Beispiel kann in einem Film auf Polyvinylchloridbasis oder dergleichen ein Weichmacher, der in dem Film enthalten ist, vom Basisfilm 2 zur Haftklebeschicht 3 wandern und kann dann in einer Oberfläche der Haftklebeschicht 3 gegenüber der Oberfläche, die dem Basisfilm 2 zugewandt ist, verteilt werden, wodurch die Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht 3 an der Klebefläche verschlechtert wird). Daher ist es unwahrscheinlich, dass ein Problem, wie dass die Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht 3 an der Klebefläche verschlechtert ist, eintritt. Das heißt, der Copolymer-Film auf Ethylenbasis und der Film auf Polyolefinbasis haben eine ausgezeichnete Stabilität.
  • Das Basismaterial 2 kann auch verschiedene Zusätze, wie Pigment, Farbstoff, feuerhemmendes Mittel, Weichmacher, antistatisches Mittel, Gleitmittel und Füllmittel, in dem Film enthalten, der das obengenannte Material auf Harzbasis als das Hauptmaterial enthält. Beispiele für das Pigment enthalten Titandioxid und Kohleschwarz. Beispiele für das Füllmittel enthalten ein organisches Material wie Melaminharz und ein anorganisches Material wie pyrogene Kieselsäure, und ein Material auf Metallbasis wie Nickelteilchen. Der Gehalt solcher Zusätze ist nicht eingeschränkt, kann aber innerhalb eines Bereichs liegen, in dem das Basismaterial 2 eine erwünschte Funktion aufweist und die Geschmeidigkeit und/oder Flexibilität nicht verliert.
  • Wenn ein Ultraviolettstrahl als Energiestrahl zur Bestrahlung verwendet wird, um die Haftklebeschicht 3 zu härten, ist bevorzugt, dass das Basismaterial 2 Transparenz für den Ultraviolettstrahl hat. Wenn der Elektronenstrahl als der Energiestrahl verwendet wird, ist bevorzugt, dass das Basismaterial 2 Transparenz für den Elektronenstrahl hat.
  • Es ist bevorzugt, dass eine Komponente mit einer oder mehreren Art(en), ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Carboxylgruppe und einem Ion und Salz davon, an einer Oberfläche des Basismaterials 2 an der Seite der Haftklebeschicht 3 vorhanden ist (in der Folge auch als eine ”erste Basismaterialfläche” bezeichnet). Die obengenannte Komponente in dem Basismaterial 2 und Komponenten, die zur Haftklebeschicht 3 gehören (dies können beispielsweise Komponenten sein, welche die Haftklebeschicht 3 bilden, und Komponenten wie ein Vernetzungsmittel (C), die bei der Bildung der Haftklebeschicht 3 verwendet werden) können chemisch miteinander interagieren, um die Möglichkeit eines Auftretens einer Delaminierung zwischen ihnen zu verringern.
  • Eine spezielle Strategie, die ein Vorhandensein einer solchen Komponente an der ersten Basismaterialfläche ermöglicht, ist nicht eingeschränkt. Eine solche spezielle Strategie kann eine Gestaltung des Basismaterials 2 selbst aus zum Beispiel einem Ethylen-(Meth)acrylsäure-Copolymer-Film, einem ionomeren Harzfilm oder dergleichen enthalten, sowie eine Verwendung eines Harzes mit einer oder mehreren Art(en), ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Carboxylgruppe und einem Ion und Salz davon, als das Harz, das ein Material zur Bildung des Basismaterials 2 ist. Eine andere Strategie, die ein Vorhandensein der obengenannten Komponente an der ersten Basismaterialfläche ermöglicht, kann sein, dass zum Beispiel ein Film auf Polyolefinbasis als das Basismaterial 2 verwendet wird, und die Seite der ersten Basismaterialfläche einer Koronabehandlung unterzogen und/oder mit einer Grundierungsschicht versehen wird. Zusätzlich kann (können) eine oder mehrere Art(en) von Beschichtungsfilmen an der der ersten Basismaterialfläche gegenüberliegenden Oberfläche des Basismaterials 2 vorgesehen sein.
  • Die Dicke des Basismaterials 2 ist nicht eingeschränkt, vorausgesetzt, dass Probleme wie ein Bruch nicht eintreten, wenn die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 verwendet wird. Die Dicke kann vorzugsweise in einem Bereich von 20 μm oder mehr und 450 μm oder weniger, bevorzugter in einem Bereich von 25 μm oder mehr und 400 μm oder weniger, und besonders bevorzugt in einem Bereich von 50 μm oder mehr und 350 μm oder weniger liegen.
  • 2. Haftklebeschicht
  • Die Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird aus einer Haftkleberzusammensetzung gebildet, die ein Hauptmittel (A) und eine durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) enthält und ferner nach Bedarf andere Komponenten wie ein Vernetzungsmittel (C) enthalten kann. Wenn die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) eine Eigenschaft wie jene des Hauptmittels (A) hat, kann, wie später beschrieben wird, die Haftkleberzusammensetzung keine Komponente enthalten, um unabhängig das Hauptmittel (A) zu sein, außer die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) mit einer Eigenschaft wie jene des Hauptmittels (A).
  • (1) Hauptmittel Agent (A)
  • Die Art des Hauptmittels (A) ist nicht eingeschränkt, vorausgesetzt, dass das Hauptmittel (A) der Haftklebeschicht, insbesondere der Haftklebeschicht vor Bestrahlung mit einem Energiestrahl, ermöglicht, eine angemessene Haftklebeeigenschaft zu haben. Beispiele für ein solches Hauptmittel (A) enthalten Harzmaterialien auf Kautschukbasis, Acrylbasis, Silikonbasis und Polyvinyletherbasis. In der Folge wird ein Polymer auf Acrylbasis (A1) als eine Art des Material auf Acrylbasis relativ ausführlich beschrieben.
  • Es kann ein allgemein bekanntes Polymer auf Acrylbasis als das Polymer auf Acrylbasis (A1) verwendet werden. Angesichts der filmbildenden Fähigkeit der Beschichtung kann das polystyroläquivalente gewichtsgemittelte Molekulargewicht (Mw) des Polymers auf Acrylbasis (A1) vorzugsweise 10.000 oder mehr und 2.000.000 oder weniger und bevorzugter 100.000 oder mehr und 1.500.000 oder weniger sein.
  • In der vorliegenden Beschreibung, die die Beispiele enthält, bezieht sich der Wert des polystyroläquivalenten gewichtsgemittelten Molekulargewichts (Mw) auf einen Wert, der als Standardpolystyroläquivalentwert durch Gelpermeationschromatographie (GPC) unter Verwendung eines Tetrahydrofuran-(THF)Lösemittels gemessen wird. Im Speziellen ist die Messung mit einem GPC-Messapparat (”HLC-8220GPC”, erhältlich von der TOSOH CORPORATION) unter den folgenden Bedingungen durchzuführen:
    Säulen: TSKgelGMHXL → TSKgelGMHXL → TSKge12000HXL
    Messtemperatur: 40°C
    Strömungsrate: 1 ml/min
    Detektor: Differentialrefraktometer
  • Die Glasübergangstemperatur Tg des Polymers auf Acrylbasis (A1) kann vorzugsweise in einem Bereich von –70°C oder höher und 30°C oder niedriger liegen und ferner vorzugsweise in einem Bereich von –60°C oder höher und 20°C oder niedriger. Die Glasübergangstemperatur Tg kann dann mit der Fox-gleichung berechnet werden.
  • Das obengenannte Polymer auf Acrylbasis (A1) kann ein Homopolymer sein, das aus einer Art von Monomer auf Acrylbasis gebildet ist, ein Copolymer, das aus mehreren Arten von Monomeren auf Acrylbasis gebildet ist, oder ein Copolymer, das aus einer oder mehreren Art(en) von Monomeren auf Acrylbasis und einem Monomer oder Monomeren, die keine Monomere auf Acrylbasis sind, gebildet ist. Spezielle Arten einer Verbindung als das Monomer auf Acrylbasis sind nicht eingeschränkt und spezielle Beispiele dafür enthalten (Meth)acrylsäure, (Meth)acrylester und Derivate davon (wie Acrylonitrile). Spezielle Beispiele des (Meth)acrylesters enthalten: (Meth)acrylat mit einem kettenartigen Skelett, wie Methyl(meth)acrylat, Ethyl(meth)acrylat, Propyl(meth)acrylat, Butyl(meth)acrylat, 2-Ethylhexyl(meth)acrylat, Decyl(meth)acrylat, Lauryl(meth)acrylat und Stearyl(meth)acrylat; (Meth)acrylat mit einem zyklischen Skelett, wie Cyclohexyl(meth)acrylat, Benzyl(meth)acrylat, Isobornyl(meth)acrylat, Dicyclopentanyl(meth)acrylat, Tetrahydrofurfuryl(meth)acrylat und Imidacrylat; (Meth)acrylat mit einer Hydroxylgruppe, wie 2-Hydroxyethyl(meth)acrylat und 2-Hydroxypropyl(meth)acrylat; und (Meth)acrylat mit einer reaktionsfähigen funktionellen Gruppe, die keine Hydroxylgruppe ist, wie Glycidyl(meth)acrylat und N-Methylaminoethyl(meth)acrylat. Beispiele für ein Monomer, das keines der Monomere auf Acrylbasis ist, enthalten Olefin wie Ethylen und Norbornen, Vinylacetat und Styrol. Wenn das Monomer auf Acrylbasis Alkyl(meth)acrylat ist, ist bevorzugt, dass die Kohlenstoffzahl der Alkylgruppe in einem Bereich von 1 bis 18 ist.
  • Wenn die Haftkleberzusammensetzung zur Bildung der Haftklebeschicht 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein Vernetzungsmittel (C) enthält, das zum Vernetzen des Polymers auf Acrylbasis (A1) imstande ist, wie später beschrieben wird, ist die Art einer reaktionsfähigen funktionellen Gruppe, die in dem Polymer auf Acrylbasis (A1) enthalten ist, nicht eingeschränkt und kann auf der Basis der Art des Vernetzungsmittels (C) und dergleichen passend bestimmt werden. Wenn das Vernetzungsmittel (C) eine Polyisocyanatverbindung ist, enthalten spezielle Beispiele der reaktionsfähigen funktionellen Gruppe, die in dem Polymer auf Acrylbasis (A1) enthalten sind, eine Hydroxylgruppe, Carboxylgruppe und Aminogruppe. Von diesen kann vorzugsweise eine Hydroxylgruppe wegen der hohen Reaktionsfähigkeit mit einer Isocyanatgruppe verwendet werden, wenn das Vernetzungsmittel (C) eine Polyisocyanatverbindung ist. Ein Verfahren zum Einführen einer Hydroxylgruppe als die reaktionsfähige funktionelle Gruppe in das Polymer auf Acrylbasis (A1) ist nicht eingeschränkt. Ein Beispiel kann ein Verfahren sein, welches das Polymer auf Acrylbasis (A1) veranlasst, ein Skelett zu haben, das eine Bestandseinheit auf der Basis eines Acrylats mit einer Hydroxylgruppe, wie 2-Hydroxyethyl(meth)acrylate, enthält.
  • (2) Durch Energiestrahlen polymerisierbare Verbindung (B)
  • Eine spezielle Konfiguration der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindung (B), die in der Haftkleberzusammensetzung zur Bildung der Haftklebeschicht 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform enthalten ist, ist nicht eingeschränkt, vorausgesetzt, dass die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) eine durch einen Energiestrahl polymerisierbare Gruppe hat und zu einer Polymerisationsreaktion imstande ist, wenn sie mit einem Energiestrahl wie Ultraviolettstrahl und Elektronenstrahl bestrahlt wird. Die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) wird polymerisiert, um dadurch die Hafteigenschaft der Haftklebeschicht 3 an der Oberfläche der Klebefläche zu verringern, so dass die Klebefläche leicht von der Haftklebeschicht 3 gelöst werden kann. Die Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) in einem Zustand bis zur Bestrahlung mit dem Energiestrahl enthalten, da die Polymerisationsreaktion der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Gruppe im Wesentlichen nicht vor der Bestrahlung mit dem Energiestrahl eintritt.
  • Die Art der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Gruppe ist nicht eingeschränkt. Spezielle Beispiele dafür enthalten eine funktionelle Gruppe mit einer ethylenisch ungesättigten Bindung, wie eine Vinylgruppe und (Meth)acryloylgruppe. Wenn die Haftkleberzusammensetzung das Vernetzungsmittel (C) enthält, kann die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Gruppe vorzugsweise eine funktionelle Gruppe mit einer ethylenisch ungesättigten Bindung sein und insbesondere kann eine (Meth)acryloylgruppe vom Standpunkt der hohen Reaktionsfähigkeit während der Bestrahlung mit dem Energiestrahl bevorzugter sein.
  • Eine Art der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindung (B) kann in der Haftkleberzusammensetzung enthalten sein oder es können auch zwei oder mehr Arten verwendet werden. Das Molekulargewicht einer Verbindung, welche die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) bildet, ist nicht eingeschränkt. Wenn das Molekulargewicht ungebührlich klein ist, betrifft eine Überlegung die Verflüchtigung der Verbindung im Herstellungsprozess, die die Stabilität der Zusammensetzung der Haftklebeschicht 3 verschlechtern könnte. Daher kann das Molekulargewicht einer Verbindung, welche die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) bildet, vorzugsweise 100 oder mehr, bevorzugter 200 oder mehr und besonders bevorzugt 300 oder mehr, als gewichtsgemitteltes Molekulargewicht (Mw), sein.
  • Eine spezielle Art einer Verbindung, welche die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) bildet, ist nicht eingeschränkt. Spezielle Beispiele einer solchen Verbindung enthalten: Alkyl(meth)acrylat mit einem kettenartigen Skelett, wie Trimethylolpropan-tri(meth)acrylat, Tetramethylolmethan-tetra(meth)acrylat, Pentaerythritol-tri(meth)acrylat, Dipentaerythritol-monohydroxy-penta(meth)acrylat, Dipentaerythritol-hexa(meth)acrylat, 1,4-butyleneglycol-di(meth)acrylat und 1,6-Hexandiol-di(meth)acrylat; Alkyl(meth)acrylat mit einem zyklischen Skelett, wie Dicyclopentadiendimethoxy-di(meth)acrylat und Isobornyl-(meth)acrylate; und eine Verbindung auf Acrylatbasis, wie Polyethylenglycol-di(meth)acrylat, Oligoester-(meth)acrylat, Urethan-(meth)acrylatoligomer, epoxidmodifiziertes (Meth)acrylat und Polyether-(meth)acrylat. Wenn das Hauptmittel (A) das Polymer auf Acrylbasis (A1) enthält, kann die Verbindung auf Acrylatbasis von den obengenannten Verbindungen aufgrund ihrer hohen Kompatibilität mit dem Polymer auf Acrylbasis (A1) bevorzugt sein.
  • Die Anzahl der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Gruppen, die in einem Molekül der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindung (B) enthalten ist, ist nicht eingeschränkt, kann aber vorzugsweise 2 oder mehr, bevorzugter 3 oder mehr und besonders bevorzugt 5 oder mehr sein.
  • Zumindest eine Art der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindungen (B), die in der Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform enthalten ist, ist ein polymerisierbares verzweigtes Polymer (B1), das ein Polymer mit einer verzweigten Struktur ist.
  • Das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1), wie in der vorliegenden Beschreibung verwendet, bezeichnet ein Polymer, das eine Art der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindung (B) ist und eine durch einen Energiestrahl polymerisierbare Gruppe und eine verzweigte Struktur hat. Das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1) hat eine Funktion zur Verbesserung der Ablösbarkeit der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element. Gemäß dem Merkmal, dass das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1) eine verzweigte Struktur hat, kann die Ablösbarkeit der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element leicht verbessert werden, selbst wenn die Ansatzmenge gering ist. Die Ansatzmenge des polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) kann somit verringert werden, um dadurch die Vergrößerung im Wasserkontaktwinkel nach Entfernung zu unterdrücken, wie später ausführlicher beschrieben wird. Ferner ist gemäß dem Merkmal, dass das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1) eine durch einen Energiestrahl polymerisierbare Gruppe hat, die polymerisierbar ist, unwahrscheinlich, dass Substanzen, die von dem polymerisierbaren verzweigten Polymer (B1) nach der Bestrahlung mit dem Energiestrahl stammen, von der Haftklebeschicht zur Klebefläche für die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wandern. Eine spezielle Konfiguration des polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) (spezielle Beispiele dafür enthalten das Molekulargewicht, den Grad der verzweigten Struktur und die Anzahl der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Gruppen in einem Molekül) ist nicht eingeschränkt. Ein Verfahren zum Erhalten eines solchen polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) kann enthalten: Erhalten eines Polymers mit einer verzweigten Struktur, zum Beispiel durch Polymerisieren eines Monomers mit zwei oder mehr radikal polymerisierbaren Doppelbindungen in einem Molekül, eines Monomer mit einer aktiven Wasserstoffgruppe und einer radikal polymerisierbare Doppelbindung in einem Molekül und eines Monomers mit einer radikal polymerisierbaren Doppelbindung in einem Monomer; und Umsetzen des Polymers mit einer Verbindung, die eine funktionelle Gruppe in einem Molekül hat, die imstande ist, mit einer aktiven Wasserstoffgruppe zur Bildung einer Bindung und zumindest einer radikal polymerisierbaren Doppelbindung zu reagieren.
  • Angesichts einer leichten und mäßigen Unterdrückung der Wechselwirkung mit dem Hauptmittel (A) (einschließlich der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindung (B) mit einer Eigenschaft wie jener des Hauptmittels (A), wie später ausführlicher beschrieben wird) kann das polystyroläquivalente gewichtsgemittelte Molekulargewicht (Mw) des polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) vorzugsweise 1000 oder mehr und 100.000 oder weniger und bevorzugter 3000 oder mehr und 30.000 oder weniger sein. Die Anzahl der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Gruppen, die in einem Molekül des polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) enthalten sind, ist nicht eingeschränkt.
  • Der Gehalt des polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) in der Haftklebeschicht 3 ist nicht eingeschränkt, vorausgesetzt, dass der Wasserkontaktwinkel nach Entfernung, der später beschrieben wird, innerhalb eines vorgegebenen Bereichs sein kann. Wenn der obengenannte Gehalt ungebührlich hoch ist, erhöht sich die Menge an organischen Substanzen, die zur Oberfläche des halbleiterbezogenen Elements wandern, an dem die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 befestigt ist, um den Wasserkontaktwinkel nach Entfernung zu vergrößern. Wenn der Gehalt des polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) in der Haftklebeschicht 3 ungebührlich nieder ist, geht die Signifikanz, dass das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1) enthalten ist, verloren. Daher kann im Normalfall die Haftkleberzusammensetzung zur Bildung der Haftklebeschicht 3 vorzugsweise 0,01 Masseteile oder mehr und bevorzugter 0,1 Masseteile oder mehr, des polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) zur Gesamtsumme von 100 Masseteilen des Hauptmittels (A) und einer polymerisierbaren hochmolekularen Verbindung (B2), die später beschrieben wird, enthalten (wenn die obengenannte Haftkleberzusammensetzung auch die polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2) enthält, die später beschrieben wird, bezeichnet der Masseteile des Hauptmittels (A), wie in der vorliegenden Beschreibung verwendet, die Gesamtsumme der Masseteile des Hauptmittels (A) und der Masseteile der polymerisierbaren hochmolekularen Verbindung (B2)). Gemäß dem Merkmal, dass das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1) eine verzweigte Struktur hat, kann, selbst wenn der Gehalt in der Haftklebeschicht 3 relativ gering ist, eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 erhalten werden, die eine ausgezeichnete Ablösbarkeit aufweist.
  • Abhängig von der Art des polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) kann das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1) zur Oberfläche des halbleiterbezogenen Elements wandern und kann als Teilchen gemessen werden, die auf der Oberfläche des halbleiterbezogenen Elements verbleiben. Solche Teilchen (einschließlich jener, die hier und in weiterer Folge nicht von dem polymerisierbaren verzweigten Polymer (B1) stammen) können möglicherweise die Zuverlässigkeit eines Produkts verschlechtern, das auf dem halbleiterbezogenen Element basiert. Daher ist bevorzugt, dass die Anzahl von Teilchen, die auf der Oberfläche des halbleiterbezogenen Elements verbleiben, gering ist. Im Speziellen kann die Anzahl von Teilchen, die auf der Oberfläche eines halbleiterbezogenen Elements eines Siliziumwafers verbleiben und einen Teilchendurchmesser von 0,20 μm oder mehr aufweisen, vorzugsweise kleiner als 200, bevorzugter 150 oder weniger, noch bevorzugter kleiner als 100 und besonders bevorzugt 50 oder weniger sein. In Hinblick auf eine leichte Erfüllung einer solchen Anforderung für die Teilchen kann der Gehalt des polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) vorzugsweise kleiner als 8,0 Masseteile, bevorzugter 5,0 Masseteile oder weniger, noch bevorzugter kleiner als 3,0 Masseteile, besonders bevorzugt 2,5 Masseteile oder weniger und äußerst bevorzugt 2,0 Masseteile oder weniger zu 100 Masseteilen des Hauptmittels (A) sein.
  • In Bezug auf die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B), die in der Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform enthalten ist, kann zumindest eine Art der Materialien, welche die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) bilden, eine Eigenschaft wie jene des Hauptmittels (A) haben. Spezielle Beispiele für eine solche durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) mit einer Eigenschaft wie jener des Hauptmittels (A) enthalten eine polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2), die eine Substanz mit einer durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Gruppe und mit einem polystyroläquivalenten gewichtsgemittelten Molekulargewicht (Mw) von 100.000 oder mehr ist.
  • Die polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2) hat eine Eigenschaft wie jene des Hauptmittels (A). Daher führt ein Enthalten der polymerisierbaren hochmolekularen Verbindung (B2) zu Vorteilen, wie, dass die Zusammensetzung zur Bildung der Haftklebeschicht 3 vereinfacht werden kann (das Hauptmittel (A) muss nicht zusätzlich enthalten sein, wenn die Haftklebeschicht 3 die polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2) enthält) und die bestehende Dichte der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Gruppen in der Haftklebeschicht 3 leicht kontrolliert werden kann. In Hinblick darauf, der polymerisierbaren hochmolekularen Verbindung (B2) zu ermöglichen, stabiler eine Eigenschaft wie jene des Hauptmittels (A) zu haben, kann das polystyroläquivalente gewichtsgemittelte Molekulargewicht (Mw) der polymerisierbaren hochmolekularen Verbindung (B2) vorzugsweise 200.000 oder mehr und 2.000.000 oder weniger und bevorzugter 300.000 oder mehr und 1.500.000 oder weniger sein.
  • Wenn die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) die polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2) enthält, ist es leicht, die Ablösbarkeit im Vergleich zu dem Fall verbessern, in dem die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) aus einer niedermolekularen Verbindung besteht.
  • Der Grund für das Vorhergesagte ist folgender. Wenn die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) eine niedermolekulare Verbindung ist, kann es notwendig sein, ein Hauptmittel (A), das keine Energiestrahl-Polymerisierbarkeit aufweist, zuzugeben, um die kohäsive Eigenschaft der Haftklebeschicht beizubehalten, aber ein solches Hauptmittel (A) wird selbst durch Bestrahlung mit dem Energiestrahl nicht in die vernetzte Struktur eingegliedert. Andererseits, wenn die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) die polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2) enthält, kann die kohäsive Eigenschaft aufrechterhalten werden, selbst wenn kein solches Hauptmittel (A), das keine Energiestrahl-Polymerisierbarkeit aufweist, zugegeben wird oder die zugegebene Menge gering ist. Daher kann eine stark vernetzte Struktur in der Haftklebeschicht 3 gebildet werden, da die Menge an Komponenten, die durch Bestrahlung mit dem Energiestrahl nicht in die vernetzte Struktur eingegliedert werden, gering ist, und eine Tendenz besteht, dass die Haftklebeeigenschaft signifikant verringert ist, um die Ablösbarkeit zu verbessern.
  • Wenn ferner die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) die polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2) enthält, steigt die Wahrscheinlichkeit, dass das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1) in eine solche stark vernetzte Struktur wie die obengenannte aufgrund der Bestrahlung mit dem Energiestrahl eingegliedert wird.
  • Ein spezielles Beispiel der polymerisierbaren hochmolekularen Verbindung (B2) kann eine Verbindung sein, die ein Polymer auf Acrylbasis ist und eine Bestandseinheit mit einer durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Gruppe an der Hauptkette oder an einer Seitenkette hat. Eine solche polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2) kann zum Beispiel durch ein Verfahren wie unten hergestellt werden. Das heißt, die polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2) kann erhalten werden durch: Herstellen eines Polymers auf Acrylbasis, das ein Copolymer ist, das so konfiguriert ist, dass es eine Bestandseinheit basierend auf (Meth)acrylat enthält, die eine funktionelle Gruppe wie eine Hydroxylgruppe, Carboxylgruppe, Aminogruppe, substituierte Aminogruppe und Epoxidgruppe und eine Bestandseinheit auf der Basis von Alkyl(meth)acrylat enthält; Herstellen einer Verbindung mit einer funktionellen Gruppe in einem Molekül, die mit der obengenannten funktionellen Gruppe und einer durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Gruppe (z. B. einer Gruppe mit einer ethylenischen Doppelbindung) reaktionsfähig ist; und Umsetzen des Polymers auf Acrylbasis und der Verbindung miteinander, um dadurch die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Gruppe zu dem obengenannten Polymer auf Acrylbasis hinzuzufügen.
  • Beispiele für den Energiestrahl zum Härten der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindung (B) enthalten ionisierende Strahlung, d. h. Röntgen, Ultraviolettstrahl, Elektronenstrahl oder dergleichen. Von diesen kann Ultraviolettstrahl bevorzugt sein, da die Einführung eines Bestrahlungsgeräts relativ leicht ist.
  • Wenn Ultraviolettstrahl als die ionisierende Strahlung verwendet wird, können Nah-Ultraviolettstrahlen, enthaltend Strahlen mit Wellenlängen von etwa 200 bis 380 nm in Hinblick auf ein leichtes Management verwendet werden. Die Ultraviolettstrahlmenge kann gemäß der Art der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindung (B) und der Dicke der Haftklebeschicht 3 passend ausgewählt werden und kann üblicherweise etwa 50 bis 500 mJ/cm2, vorzugsweise 100 bis 450 mJ/cm2 und bevorzugter 200 bis 400 mJ/cm2 sein. Die Beleuchtungsstärke des Ultraviolettstrahls kann üblicherweise etwa 50 bis 500 mW/cm2, vorzugsweise 100 bis 450 mW/cm2 und bevorzugter 200 bis 400 mW/cm2 sein. Die Ultraviolettstrahlquelle ist nicht besonders eingeschränkt und Beispiele dafür, die zu verwenden sind, enthalten eine Hochdruckquecksilberlampe, Halogen-Metalldampflampe und UV-LED.
  • Wenn Elektronenstrahl als die ionisierende Strahlung verwendet wird, kann die Beschleunigungsspannung entsprechend der Art der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindung (B) und der Dicke der Haftklebeschicht 3 passend gewählt werden und kann im Allgemeinen vorzugsweise etwa 10 bis 1000 kV sein. Die Bestrahlungsmenge kann in einem Bereich eingestellt sein, in dem die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) angemessen reagiert, der üblicherweise ein Bereich von 10 bis 1000 krad ist. Die Elektronenstrahlquelle ist nicht besonders eingeschränkt, und Beispiele dafür, die zu verwenden sind, enthalten verschiedene Elektronenstrahlbeschleuniger, wie jene vom Cockcroft-Walton-Typ, Van de Graaff-Typ, Resonanztransformatortyp, Transformatortyp mit isoliertem Kern, linearen Typ, Dynamitrontyp und Hochfrequenztyp.
  • (3) Vernetzungsmittel (C)
  • Wie zuvor beschrieben, kann die Haftkleberzusammensetzung zur Bildung der Haftklebeschicht 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein Vernetzungsmittel (C) enthalten, das mit dem Hauptmittel (A) wie dem Polymer auf Acrylbasis (A1) reaktionsfähig ist. In diesem Fall kann die Haftklebeschicht 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein vernetztes Produkt enthalten, das durch die Vernetzungsreaktion des Hauptmittels (A) und des Vernetzungsmittels (C) erhalten wird.
  • Der Gehalt des Vernetzungsmittels (C) ist nicht eingeschränkt. Zur einfachen Bildung des obengenannten vernetzten Produkts kann der Gehalt des Vernetzungsmittels (C) vorzugsweise 0,02 Masseteile oder mehr und 10 Masseteile oder weniger zu 100 Masseteilen des Hauptmittels (A) sein. Beispiele für die Art des Vernetzungsmittels (C) enthalten: eine Verbindung auf Isocyanatbasis; eine Verbindung auf Epoxidbasis; eine Verbindung auf Metallchelatbasis; eine Polyiminverbindung wie eine Verbindung auf Aziridinbasis; Melaminharz; Harnstoffharz; Dialdehyde; Methylolpolymer; Metallalkoxid; und Metallsalz. Von diesen kann eine Polyisocyanatverbindung als Vernetzungsmittel (C) bevorzugt sein, da die Vernetzungsreaktion leichter kontrolliert werden kann, usw.
  • Die Polyisocyanatverbindung ist eine Verbindung, die zwei oder mehr Isocyanatgruppen in einem Molekül hat. Beispiele dafür enthalten: aromatisches Polyisocyanat, wie Tolylendiisocyanat, Diphenylmethandiisocyanat und Xylylendiisocyanat; alicyclische Isocyanatverbindung, wie Dicyclohexylmethan-4,4'-diisocyanat, Bicycloheptantriisocyanat, Cyclopentylendiisocyanat, Cyclohexylendiisocyanat, Methylcyclohexylendiisocyanat und hydriertes Hylylendiisocyanat; und Isocyanat mit einem kettenartigen Skelett, wie Hexamethylendiisocyanat, Trimethylhexamethylendiisocyanat und Lysindiisocyanat.
  • Es können auch Biuretprodukte und Isocyanuratprodukte dieser Verbindungen und modifizierte Produkte wie Adduktprodukte, die Reaktionsprodukte dieser Verbindungen sind, und nichtaromatische niedermolekulare aktive wasserstoffhaltige Verbindungen wie Ethylenglycol, Trimethylolpropan und Rizinusöl verwendet werden. Die obengenannte Polyisocyanatverbindung kann aus einer Art von Substanz bestehen oder kann auch aus zwei oder mehr Arten von Substanzen bestehen.
  • Wenn die Haftkleberzusammensetzung zur Bildung der Haftklebeschicht 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform das Vernetzungsmittel (C) enthält, kann vorzugsweise ein geeigneter Vernetzungspromotor darin enthalten sein, abhängig von der Art des Vernetzungsmittels (C) und dergleichen. Wenn das Vernetzungsmittel (C) zum Beispiel eine Polyisocyanatverbindung umfasst, kann die Haftkleberzusammensetzung zur Bildung der Haftklebeschicht 3 vorzugsweise einen Vernetzungspromotor auf der Basis einer organometallischen Verbindung enthalten, wie eine Organozinnverbindung.
  • (4) Andere Komponenten
  • Die Haftkleberzusammensetzung zur Bildung der Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann zusätzlich zu den obengenannten Komponenten verschiedene Zusätze enthalten, wie einen Photopolymerisationsinitiator, ein Färbungsmaterial, z. B. einen Farbstoff und ein Pigment, ein antistatisches Mittel, ein flammhemmendes Mittel und ein Füllmittel. Es ist bevorzugt, dass die Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform im Wesentlichen frei von einer Verbindung ist, die eine freie Epoxidgruppe enthält, wie in Patentliteratur 1 offenbart.
  • Hier wird der Photopolymerisationsinitiator relativ ausführlich beschrieben. Beispiele des Photopolymerisationsinitiators enthalten Photoinitiatoren, wie Benzoinverbindung, Acetophenonverbindung, Acylphosphinoxidverbindung, Titanocenverbindung, Thioxanthonverbindung und Peroxidverbindung und Photosensitizer, wie Amin und Chinon. Im Speziellen können 1-Hydroxycyclohexylphenylketon, Benzoin, Benzoinmethylether, Benzoinethylether, Benzoinisopropylether, Benzyldiphenylsulfid, Tetramethylthiurammonosulfid, Azobisisobutyronitril, Dibenzyl, Diacetyl, β-Chloranthrachinon, 2,4,6-Trimethylbenzoyldiphenylphosphinoxid und dergleichen als Beispiele genannt werden. Wenn Ultraviolettstrahl als Energiestrahl verwendet wird, kann der Photopolymerisationsinitiator dadurch verstärkt werden, um die Bestrahlungszeit und Bestrahlungsmenge zu verringern.
  • (5) Physikalische Eigenschaften, Form usw.
  • i) Wasserkontaktwinkel nach Entfernung
  • Die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform hat einen Wasserkontaktwinkel nach Entfernung von 40°C oder weniger. Der Wasserkontaktwinkel nach Entfernung ist wie folgt definiert.
  • Zuerst wird die Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform an der Seite der Haftklebeschicht 3 an einer Spiegelfläche eines flachen Siliziumwafers befestigt, die keiner besonderen Oberflächenbehandlung unterzogen, aber gereinigt wird. Anschließend wird die Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 mit einem Energiestrahl bestrahlt, um die Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht 3 an der Spiegelfläche des Siliziumwafers zu verringern, und danach wird die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 vom Siliziumwafer entfernt. Die Spiegelfläche des Siliziumwafers, an der die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 befestigt wurde (in der vorliegenden Beschreibung als ”Siliziumfläche nach Entfernung” bezeichnet), wird somit als Messzielfläche erhalten und der Kontaktwinkel an der Messzielfläche, der mit einem Wassertropfen in einer Umgebung von 25°C und einer relativen Feuchte von 50% gemessen wird, wird in der vorliegenden Beschreibung als ein ”Wasserkontaktwinkel nach Entfernung” bezeichnet.
  • Ein geringer Wasserkontaktwinkel nach Entfernung gibt an, dass die Menge an organischen Substanzen, die an der Siliziumfläche nach Entfernung haftet, gering ist, d. h., die Menge an organischen Substanzen, die von der Haftklebeschicht 3 zur Spiegelfläche des Siliziumwafers gewandert ist, ist gering. Solche organischen Substanzen, die von der Haftklebeschicht 3 zur Oberfläche eines halbleiterbezogenen Elements wandern, verbleiben auf Oberflächen von Chips, die durch einen Zerteilungsprozess erhalten werden und können möglicherweise eine der Ursachen für eine Verschlechterung der Zuverlässigkeit von Elementen sein, welche die Chips aufweisen. Zusätzlich können die organischen Substanzen, die zur Spiegelfläche des Siliziumwafers wandern, einen teilchenförmigen Rückstand bilden, bezeichnet als Teilchen, und wenn Chips, die aus einem solchen Wafer erhalten werden, verwendet werden, bestehen Bedenken, dass sich die Benetzbarkeit mit Dichtungsharz verschlechtern könnte und dass die Zuverlässigkeit schlecht sein könnte, wenn eine Auswertung der Zuverlässigkeit auf hoher Ebene durchgeführt wird.
  • Wenn in dieser Hinsicht eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wie in Patentliteratur 1 offenbart, die eine Haftschicht aufweist, die eine Verbindung aufweist, die eine freie Epoxidgruppe enthält, als Schutzschicht verwendet wird, verschlechtert sich die Zuverlässigkeit der Haftung eines Schutzfilms an einem halbleiterbezogenen Element, wie in Beispielen festgestellt wurde, die zur Modelltestung durchgeführt wurden. Der Grund dafür scheint zu sein, dass die Menge der Verbindung, die eine freie Epoxidgruppe enthält, die von der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element zur Klebefläche wandert, groß ist.
  • Im Gegensatz dazu kann, wie zuvor beschrieben, das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1) die Ablösbarkeit der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 selbst dann verbessern, wenn der Gehalt des polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) in der Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 relativ gering ist. Im Fall der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist daher die Menge an organischen Substanzen, die von der Haftklebeschicht 3 zu einer Klebefläche wandern, relativ gering, wenn die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 von der Klebefläche entfernt wird. Somit ist es unwahrscheinlich, dass in der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform der Wasserkontaktwinkel nach Entfernung zunimmt. Somit sind die Chips, die aus einem halbleiterbezogenen Element unter Verwendung der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform hergestellt werden, von ausgezeichneter Ablösbarkeit, insbesondere hinsichtlich der Eignung für eine Abnahme, und es ist unwahrscheinlich, dass sich die Zuverlässigkeit von Elementen, welche die Chips aufweisen, verschlechtert.
  • Gemäß dem Merkmal der vorliegenden Ausführungsform, dass das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1) in der Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 in einem Bereich enthalten ist, in dem der Wasserkontaktwinkel nach Entfernung 40° oder weniger ist, ist es wie oben beschrieben möglich, stabiler zu erreichen, dass die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 mit ausgezeichneter Ablösbarkeit erhalten werden kann, und es ist unwahrscheinlich, dass sich die Zuverlässigkeit in den Elementen verschlechtert, welche die Chips aufweisen, die aus einem halbleiterbezogenen Element unter Verwendung der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 hergestellt wurden.
  • Da bevorzugt ist, dass die Menge an organischen Substanzen, die an der Siliziumfläche nach Entfernung haften, gering ist, kann der Wasserkontaktwinkel nach Entfernung vorzugsweise 30° oder weniger, bevorzugter 25° oder weniger, noch bevorzugter 22,5° oder weniger, besonders bevorzugt 20° oder weniger und äußerst bevorzugt 16° oder weniger sein. Die untere Grenze des Wasserkontaktwinkels nach Entfernung kann 13° sein, ein Wert, der bei einer Messung für eine Messzielfläche erhalten wird, die eine Spiegelfläche eines Siliziumwafers ist, bevor die Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 daran befestigt wird.
  • ii) Haftfestigkeit nach Bestrahlung
  • Die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann vorzugsweise eine Haftfestigkeit nach Bestrahlung von 100 mN/25 mm oder weniger haben. Die Haftfestigkeit nach Bestrahlung ist wie folgt definiert.
  • Zuerst wird die Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform an der Seite der Haftklebeschicht 3 als Messzielfläche hergestellt, die an einer Spiegelfläche eines Siliziumwafers als Klebefläche befestigt wird. Anschließend wird die Seite der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 mit einem Energiestrahl bestrahlt, um die Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht 3 an der Spiegelfläche des Siliziumwafers zu verringern. Anschließend wird ein 180° Schältest gemäß JIS Z0237: 2000 durchgeführt, mit der Ausnahme, dass als Klebefläche anstelle der Oberfläche einer Edelstahltestplatte die obengenannte Spiegelfläche des Siliziumwafers verwendet wird. Die Haftfestigkeit der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1, wie durch diesen Test gemessen, wird in der vorliegenden Beschreibung als ”Haftfestigkeit nach Bestrahlung” bezeichnet.
  • Gemäß dem Merkmal der vorliegenden Ausführungsform, dass die Haftfestigkeit nach Bestrahlung der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 100 mN/25 mm oder weniger ist, kann leicht die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 mit ausgezeichneter Ablösbarkeit erhalten werden. Angesichts einer stabileren Verbesserung der Ablösbarkeit der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 kann die Haftfestigkeit nach Bestrahlung der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 vorzugsweise 90 mN/25 mm oder weniger, bevorzugter 70 mN/25 mm oder weniger, noch bevorzugter 50 mN/25 mm oder weniger, besonders bevorzugt 40 mN/25 mm oder weniger und äußerst bevorzugt 35 mN/25 mm oder weniger sein.
  • iii) Abnahmekraft
  • Die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann vorzugsweise eine Abnahmekraft von 2,5 N oder weniger haben. Die Abnahmekraft ist wie folgt definiert.
  • Zuerst wird ein Siliziumwafer (Durchmesser: 153 mm, Dicke: 650 μm) mit einem Schleifapparat (als ein Beispiel für einen speziellen Apparat kann ”DFG8540”, erhältlich von DISCO Corporation, genannt werden) zu einer Dicke von 100 μm geschliffen. Die Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 an der Seite der Haftklebeschicht 3 wird an der geschliffenen Oberfläche befestigt. In diesem Augenblick wird auch die Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 an der Seite der Haftklebeschicht 3 an einem Ringrahmen befestigt, der eine ringförmige Spannvorrichtung ist, die den Siliziumwafer umschließend angeordnet ist. Der Siliziumwafer wird mit einem Zerteilungsapparat (als ein Beispiel für einen speziellen Zerteilungsapparat kann ”A-WD-4000B”, erhältlich von TOKYO SEIMITSU CO., LTD., genannt werden) zu einer Chipgröße von 10 mm × 10 mm geschnitten. Nach der Zerteilung wird die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 stationär 24 Stunden in einer Umgebung von 23°C und einer relativen Feuchte von 50% gehalten. Danach wird die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 mit einem Energiestrahl von der Oberfläche an der Seite des Basismaterials 2 zur Verringerung der Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht 3 an der geschliffenen Oberfläche des Siliziumwafers bestrahlt. Anschließend wird eine rohrförmige Spannvorrichtung gegen einen Bereich zwischen dem Innenumfang des Ringrahmens und dem Umfangsendabschnitt des Wafers auf der Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 an der Seite des Basismaterials 2 gepresst. Der Ringrahmen wird dann 2 mm nach unten gezogen, um die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 zu expandieren.
  • Danach werden Anhebestifte mit der Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 an der Seite des Basismaterials 2 in Kontakt gebracht, um den Chip abzunehmen. Die Anzahl von Anhebestiften ist vier und die Stiftpositionen befinden sich an Scheitelpunkten eines Quadrats mit Seiten von 8 mm. Das Anhebungsmaß der Stifte ist 1,5 mm und die Anhebegeschwindigkeit ist 0,3 mm/sec. Die Maximallast (Einheit: N), die während der Abnahme, die unter der obengenannten Bedingung durchgeführt wird, auf die Anhebestifte ausgeübt wird, ist in der vorliegenden Beschreibung als ”Abnahmekraft” bezeichnet.
  • Gemäß dem Merkmal der vorliegenden Ausführungsform, dass die Abnahmekraft der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 2,5 N oder weniger ist, kann die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 mit ausgezeichneter Ablösbarkeit leicht erhalten werden. In Hinblick auf eine Verbesserung der Ablösbarkeit der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 kann die Abnahmekraft der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 vorzugsweise 2,0 N oder weniger sein.
  • iv) Dicke
  • Die Dicke der Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist nicht eingeschränkt. Die Dicke der Haftklebeschicht 3 kann üblicherweise 3 μm bis 100 μm und vorzugsweise 5 μm bis 80 μm sein.
  • v) Trennschicht
  • Zum Schutz der Haftklebeschicht 3, bis die Haftklebeschicht 3 an einem halbleiterbezogenen Element befestigt wird, kann die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform so konfiguriert sein, dass die Trennfläche einer Trennschicht an der Oberfläche der Haftklebeschicht 3 befestigt ist, die der dem Basismaterial 2 zugewandten Seite gegenüberliegt. Die Trennschicht kann beliebig gestaltet sein und Beispiele dafür enthalten einen Kunststofffilm, der einer Trennbehandlung mit einem Trennmittel usw. unterzogen wird. Spezielle Beispiele für den Kunststofffilm enthalten einen Film aus Polyester, wie Polyethylenterephthalat, Polybutylenterephthalat und Polyethylennaphthalat, und einen Film aus Polyolefin, wie Polypropylen und Polyethylen. Beispiele für das zu verwendende Trennmittel enthalten jene auf Silikonbasis, Fluorbasis und langkettiger Alkylbasis, von welchen das Trennmittel auf Silikonbasis bevorzugt ist, da eine stabile Eigenschaft bei geringen Kosten erhalten werden kann. Die Dicke der Trennschicht ist nicht besonders eingeschränkt, kann aber üblicherweise etwa 20 μm oder mehr und 250 μm oder weniger sein.
  • 3. Herstellungsverfahren für eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element
  • Das Herstellungsverfahren für die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 ist im Detail nicht eingeschränkt, vorausgesetzt, dass die Haftklebeschicht 3, die aus der zuvor beschriebenen Haftkleberzusammensetzung gebildet ist, an oder über einer Oberfläche des Basismaterials 2 bereitgestellt sein kann. Als ein Beispiel kann die Haftklebeschicht 3 gebildet werden durch: Herstellen einer Beschichtungszusammensetzung, welche die zuvor beschriebene Haftkleberzusammensetzung enthält und, falls notwendig, ein Lösemittel enthält; Beschichten einer Oberfläche des Basismaterials 2 mit der Haftkleberzusammensetzung oder der Beschichtungszusammensetzung mit einem Beschichter, wie einem Walzenbeschichter, Vorhang-Streichbeschichter, Sprühbeschichter, Düsenbeschichter und Rakelbeschichter zur Bildung eines Beschichtungsfilms; und Trocknen des Beschichtungsfilms auf der einen Oberfläche. Eigenschaften der Haftkleberzusammensetzung oder der Beschichtungszusammensetzung sind nicht eingeschränkt, vorausgesetzt, dass die Beschichtung ausgeführt werden kann.
  • Wenn die Haftkleberzusammensetzung oder die Beschichtungszusammensetzung das Vernetzungsmittel (C) enthält, können Bedingungen für die obengenannte Trocknung (wie Temperatur und Zeit) geändert werden oder es kann separat ein Erwärmungsprozess bereitgestellt sein, wodurch die Vernetzungsreaktion des Hauptmittels (A) und Vernetzungsmittels (C) im Beschichtungsfilm beschleunigt wird, so dass eine vernetzte Struktur mit einer gewünschten bestehenden Dichte in der Haftklebeschicht 3 gebildet wird. Zur ausreichenden Beschleunigung dieser Vernetzungsreaktion kann, nachdem die Haftklebeschicht 3 unter Anwendung des obengenannten Verfahrens oder dergleichen auf das Basismaterial 2 laminiert wurde, eine Alterung durchgeführt werden, so dass die erhaltene Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 zum Beispiel mehrere Tage in einer Umgebung von 23°C und einer relativen Feuchte von 50% stationär angeordnet ist.
  • Ein anderes Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 kann enthalten: Beschichten der Trennfläche der zuvor beschriebenen Trennschicht mit der Haftkleberzusammensetzung oder der Beschichtungszusammensetzung zur Bildung eines Beschichtungsfilms; Trocknen derselben zur Bildung eines Laminats, das die Haftklebeschicht 3 und die Trennschicht umfasst; und Befestigen der Oberfläche des Laminats an der Seite der Haftklebeschicht 3 an der ersten Basismaterialfläche des Basismaterials 2, so dass ein Laminat aus der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 und der Trennschicht erhalten wird. Die Trennschicht dieses Laminats kann als Prozessmaterial entfernt werden oder kann weiterhin die Haftklebeschicht 3 schützen, bis die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 an einem halbleiterbezogenen Element befestigt ist.
  • 4. Herstellungsverfahren von Chips
  • In den letzten Jahren, wurde als ein halbleiterbezogenes Element zum Bereitstellen von Chips ein Element verwendet, das einen Siliziumwafer aufweist, in dem penetrierende Elektroden vorhanden sind, die mit einer TSV-(Through Silicon Via, Siliziumdurchkontaktierung)Technik gebildet sind (ein solches halbleiterbezogenes Element mit penetrierenden Elektroden wird in der vorliegenden Beschreibung auch als ”TSV-Wafer” bezeichnet). Im Fall einer Ausführung der Abnahme für Chips, die aus einem solchen TSV-Wafer gebildet werden (in der vorliegenden Beschreibung auch als ”TSV-Chips” bezeichnet), ist es notwendig, die Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht einer Zerteilungsfolie (die ein spezielles Anwendungsbeispiel für eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element ist) an den Oberflächen von TSV-Chips ausreichend zu verringern, so dass keine Risse an den Durchgangslochabschnitten von TSV-Chips entstehen, wenn die TSV-Chips über die Zerteilungsfolie mit einer Spannzange oder dergleichen angehoben werden. Das heißt, die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die in Herstellung von TSV-Chips aus einem TSV-Wafer verwendet wird, muss eine ausgezeichnete Ablösbarkeit haben.
  • Die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist eine ausgezeichnete Ablösbarkeit auf und kann daher zweckdienlich als Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element zur Herstellung von TSV-Chips aus einem TSV-Wafer verwendet werden. Ein Verfahren zur Herstellung von Chips aus einem halbleiterbezogenen Element unter Verwendung der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf ein spezielles Beispiel einer Herstellung von TSV-Chips aus einem TSV-Wafer unter Verwendung der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform als Zerteilungsfolie beschrieben.
  • Zuerst kann die Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform an der Seite der Haftklebeschicht 3 an einer Hauptfläche eines TSV-Wafers befestigt werden, die eine Oberfläche eines halbleiterbezogenen Elements darstellt (Befestigungsschritt). Die eine Hauptfläche des TSV-Wafers kann eine glatte Oberfläche sein oder kann auch eine Oberfläche mit Unregelmäßigkeiten sein. Die Region in der Nähe des äußeren Umfangs der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 kann üblicherweise an einem Ringrahmen befestigt sein.
  • Anschließend kann der TSV-Wafer auf der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 zerteilt werden, um mehrere TSV-Chips zu erhalten, die an der Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 befestigt sind (Zerteilungsschritt). Das spezielle Verfahren zum Zerteilen des TSV-Wafers ist nicht eingeschränkt. Beispiele für das Verfahren enthalten ein Verfahren zum Zerteilen des TSV-Wafers mit einem rotierenden Messer, ein Verfahren zum Zerteilen des TSV-Wafers mit Laserablation und ein Verfahren, das ein vorläufiges Formen einer modifizierten Schicht im TSV-Wafer wie mit einem Laser und ein anschließendes Zerteilen des TSV-Wafers durch Ausüben von Kraft enthält.
  • Nach dem Zerteilungsschritt kann die Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 mit einem Energiestrahl bestrahlt werden, um die Polymerisationsreaktion der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindung (B) in der Haftklebeschicht 3 zu beschleunigen, um die Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht 3 an den Oberflächen der mehreren TSV-Chips, die an der Haftklebeschicht 3 befestigt sind, zu verringern (Bestrahlungsschritt). Die Art von Energiestrahl, Bestrahlungsbedingung und andere Bedingungen sind wie oben beschrieben. Für eine leichtere Durchführung des folgenden Abnahmeschritts für die mehreren TSV-Chips, die auf der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 angeordnet sind, kann ein Expansionsschritt zum Expandieren der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 in eine Richtung oder Richtungen auf der Hauptfläche durchgeführt werden. Das Ausmaß dieser Expansion kann unter Berücksichtigung eines Raums, den benachbarte TSV-Chips haben sollten, der Zugfestigkeit des Basismaterials 2, und dergleichen passend eingestellt werden.
  • Nach dem Bestrahlungsschritt können die mehreren TSV-Chips von der Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 getrennt werden, um einzelne TSV-Chips zu erhalten (Abnahmeschritt). Im Allgemeinen kann jeder der TSV-Chips über eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 mit Hilfe einer Spannzange herausgenommen werden, so dass der TSV-Chip von den anderen TSV-Chips getrennt wird und die Befestigungsfläche des herausstehenden TSV-Chips an der Haftklebeschicht 3 verringert ist. Der herausstehende TSV-Chip kann aufgenommen werden, beispielsweise mit einem Ansaugmittel. Die derart im obengenannten Abnahmeschritt abgenommenen TSV-Chips können zum folgenden Schritt, wie zu einem Transportschritt, geleitet werden.
  • Wenn die Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht an den Oberflächen der TSV-Chips im Abnahmeschritt hoch ist (nicht ausreichend verringert ist), verschlechtern sich möglicherweise die mechanischen Eigenschaften der TSV-Chips an Teilen, wo die penetrierenden Elektroden gebildet werden und/oder in deren Nähe, abhängig vom Lochdurchmesser und der Teilung der penetrierenden Elektroden. Wenn die Verschlechterung in den mechanischen Eigenschaften der TSV-Chips signifikant ist, können die TSV-Chips Risse bilden, wenn der Abnahmeschritt ausgeführt wird.
  • Wenn in einem Zerteilungsfolie, deren Haftklebeschicht eine Verbindung enthält, die eine freie Epoxidgruppe enthält, wie in der zuvor beschriebenen Patentliteratur 1 offenbart, eine Ablösekraft zwischen den Chips und dem Zerteilungsfolie zum Abnehmen der Chips ausgeübt wird, tritt vorzugsweise eine Trennung (ein Bruch) an der Grenzfläche zwischen der Verbindung, die eine freie Epoxidgruppe enthält, und anderen Verbindungen, die die Haftklebeschicht bilden, oder in der Verbindung, die eine freie Epoxidgruppe enthält, auf, um dadurch die Abnahmekraft zu verringern. Wenn die Trennung (der Bruch) an oder in solchen Abschnitten auftritt, tritt unvermeidlich die Wanderung der Verbindung, die eine freie Epoxidgruppe enthält, von der Haftklebeschicht zu den Chips ein.
  • Im Gegensatz dazu weist die Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1) auf. Gemäß diesem Merkmal ist es möglich, die Menge an organischen Substanzen zu verringern, die von der Haftklebeschicht 3 zu einem halbleiterbezogenen Element wandern, und die mechanische Last zu verringern, die von dem halbleiterbezogenen Element im Abnahmeschritt aufgenommen wird. Obwohl es nicht offensichtlich ist, wie das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1) dazu beiträgt, sowohl die Unterdrückung der wandernden Substanzen als auch die Verringerung der Abnahmelast zu erreichen, scheint das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1) eine Tendenz zu haben, dass es wahrscheinlich in der Nähe der Grenzfläche mit dem halbleiterbezogenen Element (TSV-Wafer) in der Haftklebeschicht 3 vorhanden ist. Eine andere Möglichkeit ist, dass das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1) mit anderen, durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindungen (B) aufgrund der Bestrahlung mit dem Energiestrahl polymerisiert werden kann.
  • Wie oben beschrieben, ist es gemäß dem Verfahren zur Herstellung von Chips gemäß der vorliegenden Ausführungsform, möglich, das Auftreten einer unangemessenen Abnahme von Chips zu vermeiden und das Ausmaß einer Wanderung organischer Substanzen von der Haftklebeschicht 3 zu den Chips zu verringern. Daher ermöglicht das Verfahren zur Herstellung von Chips gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Herstellung von Chips mit ausgezeichneter Qualität und kann eine Verschlechterung in der Zuverlässigkeit von Elementen vermeiden, welche die Chips aufweisen, die durch das Herstellungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform hergestellt wurden.
  • Die bisher erklärten Ausführungsformen sind für ein besseres Verständnis der vorliegenden Erfindung beschrieben und sind nicht zur Einschränkung der vorliegenden Erfindung beschrieben. Daher ist beabsichtigt, dass die in den obengenannten Ausführungsformen offenbarten Elemente alle Designänderungen und -äquivalente enthalten, die in den technischen Umfang der vorliegenden Erfindung fallen.
  • Zum Beispiel kann eine Zwischenschicht zwischen dem Basismaterial und der Haftklebeschicht bereitgestellt sein. Durch Ändern der physikalischen Eigenschaften der Haftklebeschicht und Zwischenschicht kann die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element eine andere Funktion haben. Ein spezielles Beispiel ist wie folgt. In einem Zustand vor der Bestrahlung mit dem Energiestrahl kann der Speicherelastizitätsmodul G' bei 23°C der Haftklebeschicht größer eingestellt werden als der Speicherelastizitätsmodul G' bei 23°C der Zwischenschicht. Selbst wenn das halbleiterbezogene Element eine unregelmäßige Region, wie im obengenannten TSV-Wafer hat, kann sich die Zwischenschicht gemäß dieser Einstellung gemäß dem projizierten Profil verformen, das durch die gesamte unregelmäßige Form entsteht, wodurch sich die Haftklebeschicht so verformen kann, dass sie der unregelmäßigen Region des halbleiterbezogenen Elements folgt. Wenn daher die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element mit einer Haftklebeschicht und Zwischenschicht, die solche physikalischen Eigenschaften haben, als Zerteilungsfolie verwendet wird, ist es unwahrscheinlich, dass Probleme im Zerteilungsschritt eintreten, wie Wasserimprägnierung in die Grenzfläche zwischen dem Wafer und der Folie und Absplitterung. Ferner ist gemäß dem obengenannten Merkmal unwahrscheinlich, dass das Material (der Haftkleber), das die Haftklebeschicht mit hohem Speicherelastizitätsmodul G' bildet, in Vertiefungen des halbleiterbezogenen Elements mit einer unregelmäßigen Region gelangt. Wenn daher das halbleiterbezogene Element in Chips geteilt wird und die Chips abgenommen werden, ist es unwahrscheinlich, dass Probleme mit einem Verbleiben des Haftklebers in den Vertiefungen der Chips eintreten.
  • Wenn die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Zwischenschicht hat, ist der Speicherelastizitätsmodul G' bei 23°C der Haftklebeschicht vor dem Härten nicht eingeschränkt. Zum Beispiel kann der Speicherelastizitätsmodul G' bei 23°C der Haftklebeschicht vor dem Härten vorzugsweise 3 × 105 Pa oder mehr und bevorzugter 3,5 × 105 Pa oder mehr und 1 × 107 Pa oder weniger sein. Gemäß dem Merkmal, dass der Speicherelastizitätsmodul G' bei 23°C der Haftklebeschicht vor dem Härten innerhalb des obengenannten Bereichs liegt, ist es unwahrscheinlicher, dass Probleme eintreten, dass der Haftkleber in den Vertiefungen der Chips verbleibt, die durch Zerteilen des halbleiterbezogenen Elements mit einer unregelmäßigen Region erhalten werden.
  • Wenn die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Zwischenschicht hat, ist der Speicherelastizitätsmodul G' bei 23°C der Zwischenschicht nicht eingeschränkt. Zum Beispiel kann der Speicherelastizitätsmodul G' bei 23°C der Zwischenschicht vorzugsweise 1 × 104 Pa oder mehr und kleiner als 1 × 105 Pa, bevorzugter 1 × 104 Pa oder mehr und 9 × 104 Pa oder weniger und besonders bevorzugt 1 × 104 Pa oder mehr und 8 × 104 Pa oder weniger sein. Gemäß dem Merkmal, dass der Speicherelastizitätsmodul G' bei 23°C der Zwischenschicht innerhalb des obengenannten Bereichs eingestellt ist, kann die Haftklebeschicht leichter dem projizierten Profil folgen, das durch die gesamte unregelmäßige Region des halbleiterbezogenen Elements entsteht.
  • Die Dicke der Zwischenschicht kann vorzugsweise 5 μm oder mehr und 50 μm oder weniger sein. Wenn die Dicke der Zwischenschicht innerhalb des obengenannten Bereichs liegt, kann sich die Zwischenschicht leicht gemäß der Verformung der Haftklebeschicht verformen. Die Dicke der Zwischenschicht kann bevorzugter 10 μm oder mehr und 40 μm oder weniger, noch bevorzugter 15 μm oder mehr und 35 μm oder weniger, und besonders bevorzugt 20 μm oder mehr und 30 μm oder weniger sein.
  • Die Zwischenschicht kann zum Beispiel unter Verwendung einer Reihe allgemein bekannter Haftkleber gebildet werden. Beispiele für solche Haftkleber enthalten, sind aber darauf nicht eingeschränkt, Haftkleber auf Kautschukbasis, Acrylbasis, Urethanbasis, Silikonbasis und Polyvinyletherbasis. Es können auch Haftkleber des durch Energiestrahl härtbaren Typs, wärmeformbaren Typs und wasserquellbaren Typs verwendet werden. Bei Verwendung eines Haftklebers des durch einen Energiestrahl härtbaren (wie durch Ultraviolettstrahl härtbaren und durch Elektronenstrahl härtbaren) Typs ist bevorzugt, einen Haftkleber des durch Ultraviolettstrahl härtbaren Typs zu verwenden.
  • Wenn das Material, das die Zwischenschicht bildet, ein Material auf Acrylbasis ist, kann das Material auf Acrylbasis ein Material sein, das eine ähnliche Zusammensetzung wie jenes für den Haftkleber auf Acrylbasis hat, beispielsweise ein Material, das die Haftklebeschicht 3 der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bildet. Im Speziellen kann der Haftkleber auf Acrylbasis ein Hauptmittel (A) und eine durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) enthalten und kann ferner, falls notwendig, andere Komponenten wie ein Vernetzungsmittel (C) enthalten. Das Hauptmittel (A) kann ein Polymer auf Acrylbasis (A1) enthalten und die durch einen Energiestrahl polymerisierbare Verbindung (B) kann eine polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2) enthalten.
  • Wenn das Material, das die Zwischenschicht bildet, ein Material auf Urethanbasis ist, kann das Material ein urethanhaltiges gehärtetes Material umfassen, wie in JP2013-197390A beschrieben ist. Hier ist das urethanhaltige gehärtete Material ein gehärtetes Material, das durch Energiestrahlhärten einer Verbindung erhalten wird, die Urethanoligomer und/oder Urethan(meth)acrylatoligomer und ein Monomer vom energiehärtbaren Typ enthält, das bei Bedarf zugegeben wird.
  • [Beispiele]
  • In der Folge wird die vorliegende Erfindung im Speziellen unter Bezugnahme auf Beispiele, usw. näher beschrieben, aber der Umfang der vorliegenden Erfindung ist nicht auf diese Beispiele, usw. beschränkt.
  • «Beispiel 1»
  • (1) Herstellung einer Haftkleberzusammensetzung
  • A Haftkleberzusammensetzung (Lösemittel: Toluol, Ansatzmenge jeder Komponente ist in Feststoffgehaltäquivalent) wurde mit folgender Zusammensetzung hergestellt:
    • i) als polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2), 100 Masseteile eines Reaktionsprodukts, das durch Umsetzen von Methacryloyloxyethylisocyanat mit einem Acrylpolymer (Butylacrylat/Methylmethacrylat/2-Hydroxyethylacrylat = 60/10/30 (Masseverhältnis), polystyroläquivalentes gewichtsgemitteltes Molekulargewicht = 600.000) erhalten wurde, so dass die äquivalente Menge des Methacryloyloxyethylisocyanats 80% zum 2-Hydroxyethylacrylat wäre;
    • ii) 0,15 Masseteile eines polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) (”OD-007”, erhältlich von Nissan Chemical Industries, Ltd., polystyroläquivalentes gewichtsgemitteltes Molekulargewicht: 14.000);
    • iii) als Vernetzungsmittel (C), 1,0 Masseteile einer Isocyanatkomponente (”BHS-8515”, erhältlich von TOYO INK CO., LTD.); und
    • iv) 3,0 Masseteile eines Photopolymerisationsinitiators (”IRGACURE (eingetragenes Warenzeichen) 184”, erhältlich von BASF SE).
  • (2) Produktion einer Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element
  • Es wurde eine Trennschicht (”SP-PET381031”, erhältlich von LINTEC Corporation) mit einer Trennmittelschicht auf Silikonbasis hergestellt, die auf einer Hauptfläche eines Polyethylenterephthalatfilms mit einer Dicke von 38 μm gebildet wurde. Die Trennfläche dieser Trennschicht wurde mit der zuvor beschriebenen Haftkleberzusammensetzung beschichtet, so dass die letztendlich erhaltene Dicke der Haftklebeschicht 10 μm war. Der derart erhaltene Beschichtungsfilm mit der Trennschicht wurde 1 Minute durch eine Umgebung von 100°C laufen gelassen, um dadurch den Beschichtungsfilm zu trocknen, und es wurde ein Laminat, das die Trennschicht und die Haftklebeschicht enthielt, erhalten.
  • Eine Oberfläche eines Ethylen-Methacrylsäure-Copolymer-(EMAA)Films wurde einer Koronabehandlung unterzogen (Dicke: 80 μm, Oberflächenspannung auf der koronabehandelten Oberfläche: 54 mN/m) und die koronabehandelte Oberfläche wurde als die erste Basismaterialfläche verwendet. Die Oberfläche des obengenannten Laminats an der Seite der Haftklebeschicht wurde an der ersten Basismaterialfläche befestigt und eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die das Basismaterial und die Haftklebeschicht wie in 1 dargestellt enthielt, wurde somit in einem Zustand erhalten, in dem ferner die Trennschicht auf die Oberfläche an der Seite der Haftklebeschicht laminiert war.
  • «Beispiel 2»
  • Eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wurde durch Durchführen desselben Vorgangs wie in Beispiel 1 erhalten, mit der Ausnahme, dass der Gehalt des polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1), das in der Haftkleberzusammensetzung enthalten war, 0,03 Masseteile war.
  • «Beispiel 3»
  • Eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wurde durch Durchführen desselben Vorgangs wie in Beispiel 1 erhalten, mit der Ausnahme, dass das polymerisierbare verzweigte Polymer (B1) nicht in der Haftkleberzusammensetzung enthalten war.
  • «Beispiel 4»
  • Eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wurde durch Durchführen desselben Vorgangs wie in Beispiel 1 erhalten, mit der Ausnahme, dass der Gehalt des polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1), das in der Haftkleberzusammensetzung enthalten war, 3,0 Masseteile war.
  • «Beispiel 5»
  • Eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wurde durch Durchführen desselben Vorgangs wie in Beispiel 1 erhalten, mit der Ausnahme, dass die Zusammensetzung der Haftkleberzusammensetzung in Beispiel 1 wie folgt geändert wurde:
    • i) als polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2), 100 Masseteile eines Reaktionsprodukts, das durch Umsetzen von Methacryloyloxyethylisocyanat mit einem Acrylpolymer (2-Ethylhexylacrylat/Vinylacetat/2-Hydroxyethylacrylat = 40/40/20 (Masseverhältnis), polystyroläquivalentes gewichtsgemitteltes Molekulargewicht = 550,000) erhalten wurde, so dass die äquivalente Menge des Methacryloyloxyethylisocyanats 80% zum 2-Hydroxyethylacrylat war;
    • ii) 8,75 Masseteile einer Epoxidgruppe-haltigen Verbindung (”Seikaseven SS02-063”, erhältlich von Dainichiseika Color & Chemicals Mfg. Co., Ltd.);
    • iii) als Vernetzungsmittel (C), 1 Masseteil einer Isocyanatkomponente (”BHS-8515”, erhältlich von TOYOCHEM CO., LTD.); und
    • iv) 3 Masseteile eines Photopolymerisationsinitiators (”IRGACURE 184”, erhältlich von BASF SE).
  • «Beispiel 6»
  • (1) Herstellung einer Haftkleberzusammensetzung A
  • Ein Acrylpolymer wurde durch Umsetzen von Butylacrylat/Methylmethacrylat/2-Hydroxyethylacrylat = 62/10/28 (Masseverhältnis) erhalten. Das Acrylpolymer wurde mit Methacryloyloxyethylisocyanat umgesetzt, um eine polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2) (polystyroläquivalentes gewichtsgemitteltes Molekulargewicht = 400.000) zu erhalten, so dass 80 mol des Methacryloyloxyethylisocyanats im Sinne von 100 mol des 2-Hydroxyethylacrylats im Acrylhaftkleberpolymer reagieren würden. Eine Haftkleberzusammensetzung A wurde durch Mischen, in einem Lösemittel, von 100 Masseteilen der polymerisierbaren hochmolekularen Verbindung (B2), 3 Masseteilen eines Photopolymerisationsinitiators (α-Hydroxycyclohexylphenylketon (”IRGACURE 184”, erhältlich von BASF SE)), 8 Masseteilen (Feststoffgehaltäquivalent) eines Vernetzungsmittels (polyvalente Isocyanatverbindung (”BHS-8515”, erhältlich von TOYOCHEM CO., LTD.) und 0,15 Masseteilen eines polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) (”OD-007”, erhältlich von Nissan Chemical Industries, Ltd., polystyroläquivalentes gewichtsgemitteltes Molekulargewicht = 14.000) erhalten.
  • (2) Herstellung einer Zusammensetzung für die Zwischenschicht
  • Ein Acrylpolymer (polystyroläquivalentes gewichtsgemitteltes Molekulargewicht = 900.000) wurde durch Umsetzen von 2-Ethylhexylacrylat/2-Hydroxyethylacrylat = 95/5 (Masseverhältnis) erhalten. Eine Zusammensetzung für die Zwischenschicht wurde durch Mischen von 100 Masseteilen des obengenannten Acrylpolymers und 0,5 Masseteilen (Feststoffgehaltäquivalent) eines Vernetzungsmittels (polyvalente Isocyanatverbindung (”BHS-8515”, erhältlich von TOYOCHEM CO., LTD.) in einem Lösemittel erhalten.
  • (3) Herstellung einer Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element
  • Ein Trennfilm (”SP-PET381031 (PF)”, erhältlich von LINTEC Corporation) wurde mit der obengenannten Zusammensetzung für die Zwischenschicht beschichtet, die dann getrocknet wurde (Trocknungsbedingung: 100°C für 1 Minute), um eine Zwischenschicht (Dicke: 20 μm) zu erhalten, die auf dem Trennfilm gebildet war. Anschließend wurden die Zwischenschicht und ein Basismaterial (Ethylen-Methacrylsäure-Copolymer-Film, Dicke: 80 μm) aneinander befestigt und der Trennfilm wurde von der Zwischenschicht entfernt, um die Zwischenschicht auf das Basismaterial zu übertragen.
  • Ein anderer Trennfilm (”SP-PET381031 (PF)”, erhältlich von LINTEC Corporation) wurde auf die obengenannte Haftkleberzusammensetzung A aufgetragen, die dann getrocknet wurde (Trocknungsbedingung: 100°C für 1 Minute), um eine Haftklebeschicht (Dicke: 10 μm) zu erhalten, die auf dem Trennfilm gebildet war.
  • Danach wurden die Zwischenschicht mit dem Basismaterial und die Haftklebeschicht mit dem Trennfilm aneinander befestigt, um eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element zu erhalten.
  • «Beispiel 7»
  • Ein Acrylhaftkleberpolymer wurde durch Umsetzen von Butylacrylat/Methylmethacrylat/2-Hydroxyethylacrylat = 62/10/28 (Masseverhältnis) erhalten. Das Acrylhaftkleberpolymer wurde mit Methacryloyloxyethylisocyanat umgesetzt, um eine polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2) (polystyroläquivalentes gewichtsgemitteltes Molekulargewicht = 600.000) zu erhalten, so dass 80 mol des Methacryloyloxyethylisocyanats im Sinne von 100 mol der 2-Hydroxyethylacrylat im Acrylhaftkleberpolymer reagieren würden. Eine Haftkleberzusammensetzung B wurde durch Mischen, in einem Lösemittel, von 100 Masseteilen der polymerisierbaren hochmolekularen Verbindung (B2), 3 Masseteilen eines Photopolymerisationsinitiators (α-Hydroxycyclohexylphenylketon (”IRGACURE 184”, erhältlich von BASF SE)), 8 Masseteilen (Feststoffgehaltäquivalent) eines Vernetzungsmittels (polyvalente Isocyanatverbindung (”BHS-8515”, erhältlich von TOYOCHEM CO., LTD.) und 0,15 Masseteilen eines polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) (”OD-007”, erhältlich von Nissan Chemical Industries, Ltd., polystyroläquivalentes gewichtsgemitteltes Molekulargewicht = 14.000), erhalten.
  • Eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wurde durch Durchführen desselben Vorgangs wie in Beispiel 6 erhalten, mit der Ausnahme, dass die erhaltene Haftkleberzusammensetzung B als Ersatz für die Haftkleberzusammensetzung A verwendet wurde.
  • «Beispiel 8»
  • Eine Haftkleberzusammensetzung C wurde durch Mischen, in einem Lösemittel, von 100 Masseteilen einer polymerisierbaren hochmolekularen Verbindung (B2), hergestellt wie in Beispiel 6, 3 Masseteilen eines Photopolymerisationsinitiators (α-Hydroxycyclohexylphenylketon (”IRGACURE 184”, erhältlich von BASF SE)) und 8 Masseteilen (Feststoffgehaltäquivalent) eines Vernetzungsmittels (polyvalente Isocyanatverbindung (”BHS-8515”, erhältlich von TOYOCHEM CO., LID), erhalten.
  • Eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wurde durch Durchführen desselben Vorgangs wie in Beispiel 6 erhalten, mit der Ausnahme, dass die erhaltene Haftkleberzusammensetzung C als Ersatz für die Haftkleberzusammensetzung A verwendet wurde.
  • «Beispiel 9»
  • Eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 6 erhalten mit der Ausnahme, dass die Dicke der Haftklebeschicht 30 μm war.
  • «Beispiel 10»
  • Eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wurde durch Durchführen desselben Vorgangs wie in Beispiel 1 erhalten, mit der Ausnahme, dass die Zusammensetzung der Haftkleberzusammensetzung in Beispiel 1 wie folgt geändert wurde:
    • i) als polymerisierbare hochmolekulare Verbindung (B2), 100 Masseteile eines Reaktionsprodukts, das durch Umsetzen von Methacryloyloxyethylisocyanat mit einem Acrylpolymer (Butylacrylat/Methylmethacrylat/2-Hydroxyethylacrylat = 60/10/30 (Masseverhältnis), polystyroläquivalentes gewichtsgemitteltes Molekulargewicht = 600.000) erhalten wurde, so dass die äquivalente Menge des Methacryloyloxyethylisocyanat 80% zum 2-Hydroxyethylacrylat wäre;
    • ii) 8,75 Masseteile eines polymerisierbaren verzweigten Polymers (B1) (”OD-007”, erhältlich von Nissan Chemical Industries, Ltd., polystyroläquivalentes gewichtsgemitteltes Molekulargewicht = 14.000);
    • iii) als Vernetzungsmittel (C), 1,0 Masseteile einer Isocyanatkomponente (”BHS-8515”, erhältlich von TOYO INK CO., LTD.); und
    • iv) 3,0 Masseteile eines Photopolymerisationsinitiators (”IRGACURE (eingetragenes Warenzeichen) 184”, erhältlich von BASF SE).
  • Eine Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wurde erhalten, indem danach derselbe Vorgang wie in Beispiel 1 unter Verwendung der erhaltenen Haftkleberzusammensetzung ausgeführt wurde.
  • «Beispielhafter Test 1» <Messung des Wasserkontaktwinkels nach Entfernung>
  • Zuerst wurde die Oberfläche an der Seite der Haftklebeschicht der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die in jedem der Beispiele und Vergleichsbeispiele hergestellt worden war, an einer Spiegelfläche eines trockenpolierten Siliziumwafers (Durchmesser: 153 mm, Dicke: 650 μm) befestigt, der keiner besonderen Oberflächenbehandlung unterzogen, aber gereinigt wurde. der Siliziumwafer und die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wurden 24 Stunden in einer Umgebung von 23°C und einer relativen Feuchte von 50% gehalten. Anschließend wurde die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element mit einem Energiestrahl unter Verwendung eines Ultraviolettstrahl-Bestrahlungsapparats (”RAD2000m/8”, erhältlich von LINTEC Corporation) (Beleuchtungsstärke: 230 mW/cm2, Lichtmenge: 190 mJ/cm2, mit Stickstoffspülung bei einer Strömungsrate von 30 L/min) bestrahlt, um die Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht an der Spiegelfläche des Siliziumwafers zu verringern. Die Messung der Beleuchtungsstärke und Lichtmenge wurde mit einem ”UV METER UVPF-36”, erhältlich von EYE GRAPHICS CO., LTD), durchgeführt. Danach wurde die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element vom Siliziumwafer entfernt.
  • Die Spiegelfläche des Siliziumwafers, an der die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element befestigt worden war (Siliziumfläche nach Entfernung), wurde somit als Messzielfläche erhalten und ein Kontaktwinkel auf der Messzielfläche wurde für einen Wassertropfen von 2 μl in einer Umgebung von 25°C und einer relativen Feuchte von 50% unter Verwendung eines automatischen Kontaktwinkelmessgeräts (”DSA100S”, erhältlich von KRUSS GmbH) erhalten und als Wasserkontaktwinkel nach Entfernung gemessen. Messergebnisse des Wasserkontaktwinkels nach Entfernung sind in Tabelle 1 angeführt.
  • «Beispielhafter Test 2» <Messung der Teilchenanzahl>
  • Die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die in jedem der Beispiele und Vergleichsbeispiele hergestellt worden war, wurde an einer Spiegelfläche eines trockenpolierten Siliziumwafers (Durchmesser: 153 mm, Dicke: 650 μm) befestigt und 24 Stunden stationär in diesem Zustand in einer Umgebung von 23°C und einer relativen Feuchte von 50% angeordnet. Nach der stationären Anordnung wurde die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element mit einem Ultraviolettstrahl als Energiestrahl unter denselben Bedingungen wie im beispielhaften Test 1 von der Basismaterialfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element bestrahlt. Danach wurde das Zerteilungsband vom Siliziumwafer entfernt und die Anzahl von Teilchen, die auf der Entfernungsfläche des Siliziumwafers verblieb und einen Teilchendurchmesser von 0,20 μm oder mehr hatte, wurde mit einem Wafer-Oberflächentestgerät (”LS-6600”, erhältlich von Hitachi High-Technologies Corporation) gemessen. Die Messergebnisse der Teilchenanzahlsind in Tabelle 1 angeführt.
  • «Beispielhafter Test 3» <Messung der Haftfestigkeit nach Bestrahlung>
  • Die Oberfläche an der Seite der Haftklebeschicht der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die in jedem der Beispiele und Vergleichsbeispiele hergestellt worden war, wurde als Messzielfläche verwendet, die an einer Spiegelfläche eines Siliziumwafers als Klebefläche befestigt wurde. Der Siliziumwafer und die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element wurden 20 Minuten in einer Umgebung von 23°C und einer relativen Feuchte von 50% gehalten. Anschließend wurde die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element mit einem Energiestrahl unter derselben Bedingung wie im beispielhaften Test 1 von seiner Seite bestrahlt, um die Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht an der Klebefläche zu verringern.
  • Anschließend wurde ein 180° Schältest gemäß JIS Z0237: 2000 durchgeführt, mit der Ausnahme, dass die Klebefläche von der Oberfläche einer Edelstahlplatte zu der obengenannten Spiegelfläche des Siliziumwafers geändert wurde. Die Haftfestigkeit der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 1, die durch diesen Test gemessen wurde, wurde als die Haftfestigkeit nach Bestrahlung der Folie verwendet. Messergebnisse der Haftfestigkeit nach Bestrahlung sind in Tabelle 1 angeführt.
  • «Beispielhafter Test 4» <Messung der Abnahmekraft>
  • Ein Siliziumwafer (Durchmesser: 153 mm, Dicke: 650 μm) wurde mit einem Schleifapparat (”DFG8540”, erhältlich von DISCO Corporation) auf eine Dicke von 100 μm geschliffen. Die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die in jedem der Beispiele und Vergleichsbeispiele hergestellt worden war, wurde an der geschliffenen Oberfläche des Siliziumwafers befestigt. Zusätzlich wurde die Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element an der Seite der Haftklebeschicht auch an einem Ringrahmen befestigt, der eine ringförmige Spannvorrichtung war, die so angeordnet wurde, dass sie den Siliziumwafer umgab.
  • Anschließend wurde der Siliziumwafer auf eine Chipgröße von 10 mm × 10 mm mittels eines Vollschnittprozesses zerteilt, wobei mit einem Zerteilungsapparat (”A-WD-4000B”, erhältlich von TOKYO SEIMITSU CO., LTD.) und einer Zerteilungsklinge ”NBC-ZH2050 27HECC”, erhältlich von DISCO Corporation, in die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element mit einer Tiefe von 20 μm geschnitten wurde.
  • Nach der Zerteilung wurde die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element 24 Stunden stationär in einer Umgebung von 23°C und einer relativen Feuchte von 50% angeordnet. Danach wurde die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element mit einem Energiestrahl unter derselben Bedingung wie im beispielhaften Test 1 von der Basismaterialfläche bestrahlt, um die Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht an der geschliffenen Oberfläche des Siliziumwafers zu verringern.
  • Anschließend wurde eine rohrförmige Spannvorrichtung auf eine Region zwischen dem Innenumfang des Ringrahmens und dem Umfangsendabschnitt des Wafers auf der Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element an der Seite des Basismaterials gepresst. Der Ringrahmen wurde dann 2 mm nach unten gezogen, um die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element zu expandieren.
  • Nach der Bestrahlung mit dem Energiestrahl wurden Anhebestifte mit der Basismaterialfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element in Kontakt gebracht, um jeden Chip abzunehmen. Die Anzahl von Anhebestiften war vier und die Stiftpositionen befanden sich an Scheitelpunkten eines Quadrats mit Seiten von 8 mm. Das Anhebungsmaß der Stifte war 1,5 mm und die Anhebegeschwindigkeit war 0,3 mm/sec. Die Maximallast (Einheit: N), die während der Abnahme, die unter der obengenannten Bedingung durchgeführt wurde, auf die Anhebestifte ausgeübt wurde, wurde als Abnahmekraft verwendet. Die Messergebnisse der Abnahmekraft sind in Tabelle 1 angeführt.
  • «Beispielhafter Test 5» <Haftungszuverlässigkeitstest für Chips mit Schutzfilmen>
  • Zur Auswertung der Wirkung von Substanzen, die von der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element zu einer Klebefläche zu Produkten wanderten, die Chips aufwiesen, wurde ein Modelltest wie folgt durchgeführt.
  • Die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die in jedem der Beispiele und Vergleichsbeispiele hergestellt worden war, wurde an einem Siliziumwafer (#2000 poliertes Produkt, Dicke: 350 μm) befestigt und 1 Tag stationär in einer Umgebung von 23°C und einer relativen Feuchte von 50% angeordnet. Die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element nach stationärer Anordnung wurde mit einem Energiestrahl unter derselben Bedingung wie im beispielhaften Test 1 bestrahlt, um die Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht an der geschliffenen Oberfläche des Siliziumwafers zu verringern.
  • Danach wurde die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element entfernt und ein Band für eine Schutzfilmbildung (”Adwill LC285022”, erhältlich von LINTEC Corporation) wurde bei 70°C erwärmt und mit einer Montagevorrichtung (”RAD3600F/12”, erhältlich von LINTEC Corporation) an der Oberfläche des Siliziumwafers befestigt, die aufgrund der obengenannten Entfernung frei lag. Somit wurde eine Laminatstruktur erhalten, die das Band zur Schutzfilmbildung und den Siliziumwafer enthielt. Die Laminatstruktur wurde 2 Stunden in einer Umgebung von 130°C zur Härtung des Bandes zur Schutzfilmbildung erwärmt, und ein Schutzfilm wurde erhalten.
  • Ein Zerteilungsband (”Adwill D-686H”, erhältlich von LINTEC Corporation) wurde mit einer Montagevorrichtung (”RAD2700F/12Sa”, erhältlich von LINTEC Corporation) an der Oberfläche des derart erhaltenen Schutzfilms befestigt. Danach wurde der Siliziumwafer mit dem Schutzfilm in Chips mit Schutzfilmen von 3 mm × 3 mm geschnitten. Anschließend wurden die Chips mit Schutzfilmen auf dem Zerteilungsband abgenommen.
  • Die Chips mit Schutzfilmen, die durch das obengenannte Verfahren erhalten wurden, wurden 24 Stunden in einer Umgebung von 125°C erwärmt. Die Chips mit Schutzfilmen wurden dann 168 Stunden stationär in einer Umgebung von 85°C und einer relativen Feuchte von 85 zur Absorption von Feuchtigkeit angeordnet und danach wurde ein IR-Rückfluss einer Erwärmungszeit von 1 Minute dreimal durchgeführt, wobei die maximale Temperatur 260°C betrugt, mit einem Vorwärmen bei 160°C (Rückflussofen: ”WL-15-20DNX Typ”, erhältlich von Sagami-Rikou Co. Ltd). Danach wurde ein Zyklus aus Unterziehen der Chips einer Temperaturänderung zwischen –65°C und 150°C und abwechselndem Halten der Chips 10 Minuten bei jeder Temperatur wiederholt 1000 Zyklen durchgeführt (verwendeter Apparat: Thermal Shock Chamber, erhältlich von ESPEC CORP).
  • Zur Auswertung der Haftungszuverlässigkeit der Schutzfilme der Chips mit Schutzfilmen wurde der Haftungszustand der Schutzfilme mit einem rasterarbeiten Ultraschalltestapparat (”Hye-Focus”, erhältlich von Hitachi Construction Machinery Co., Ltd) beobachtet. Die Auswertung der Haftungszuverlässigkeit wurde in dem Sinn durchgeführt, ob eine Delaminierung des Schutzfilms am Endabschnitt jedes Chips mit Schutzfilm vorhanden war oder nicht. Wenn keine Delaminierung des Schutzfilms am Endabschnitt des beobachteten Chips mit Schutzfilm vorhanden war, war das Auswertungsergebnis ”A” (gut) und wenn eine Delaminierung vorhanden war, war das Auswertungsergebnis ”B” (schlecht). Die Auswertungsergebnisse sind in Tabelle 1 angeführt.
  • «Beispielhafter Test 6» <Bestätigung der Anpassung an Unregelmäßigkeiten>
  • Die Trennschicht wurde von der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element entfernt, die in jedem der Beispiele 6 bis 9 erzeugt worden war, und die freiliegende Oberfläche der Haftklebeschicht wurde mit einem Befestigungsapparat (”RAD-3510F/12”, erhältlich von LINTEC Corporation) an einem Wafer befestigt, der mit Unregelmäßigkeiten gebildet war, angeordnet in 2 Reihen und 5 Spalten, mit einem Durchmesser von 28 μm, einer Teilung von 35 μm und einer Höhe von 12 μm. Die Bedingungen des Befestigungsapparats waren wie folgt:
    Einschubmaß: 15 μm
    Projektionsmaß: 150 μm
    Befestigungsbelastung: 0,35 MPa
    Befestigungsgeschwindigkeit: 5 mm/sec
    Befestigungstemperatur: 23°C
  • Der Befestigungszustand der Haftklebeschicht um die Unregelmäßigkeiten wurde von der Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element an der Seite des Basismaterials beobachtet. Im Speziellen wurden Blasen, die zwischen der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element und dem Wafer erzeugt wurden, beobachtet. Wenn die Folie ohne Blasen an der Waferoberfläche befestigt werden konnte, die sich zwischen einer Gruppe von Elektroden, die in 2 Reihen und 5 Spalten auf dem obengenannten Wafer angeordnet waren, und einer benachbarten Gruppe befand, aber die Folie nicht an der Waferoberfläche einer 35 μm Teilung befestigt werden konnte, die sich innerhalb der Gruppe befand, war das Bestätigungsergebnis gut (”A” in Table 1), und wenn die Folie nicht an der Waferoberfläche befestigt werden konnte, die sich zwischen den benachbarten Gruppen befand, war das Bestätigungsergebnis schlecht (”B” in Table 1). Die Beobachtung wurde mit einem digitalen optischen Mikroskop (”VHX-1000”, erhältlich von KEYENCE CORPORATION) durchgeführt. Ergebnisse sind in Tabelle 1 angeführt. [Tabelle 1]
    Wasserkontaktwinkel nach Entfernung (°) Anzahl von Teilchen (Stücken) Haftfestigkeit nach Bestrahlung (mN/25 mm) Abnahmekraft (N) ZuverlässigHaftung des Schutzfilms Anpassung an Unregelmäßigkeiten Anmerkung
    Beispiel 1 20 20 35 2 A - Beispiel der Erfindung
    Beispiel 2 15 20 90 3 A - Beispiel der Erfindung
    Beispiel 3 15 20 120 4 A - Vergleichsbeispiel
    Beispiel 4 30 100 25 1 A - Beispiel der Erfindung
    Beispiel 5 30 20 65 3 B - Vergleichsbeispiel
    Beispiel 6 25 20 55 2 A A Beispiel der Erfindung
    Beispiel 7 27 20 48 2 A A Beispiel der Erfindung
    Beispiel 8 27 20 125 4 A A Vergleichsbeispiel
    Beispiel 9 35 20 45 2 A A Beispiel der Erfindung
    Beispiel 10 41 200 20 1 B - Vergleichsbeispiel
  • [Industrielle Anwendbarkeit]
  • Die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element gemäß der vorliegenden Erfindung kann zweckdienlich als Rückschlifffolie, Schutzfolie, Zerteilungsfolie, usw. für ein halbleiterbezogenes Element wie einen Siliziumwafer und TSV-Wafer verwendet werden.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element
    2
    Basismaterial
    3
    Haftklebeschicht

Claims (6)

  1. Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, die ein Basismaterial und eine Haftklebeschicht aufweist, die an oder über einer Oberfläche des Basismaterials bereitgestellt ist, wobei die Haftklebeschicht eine oder mehrere Art(en) von durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindungen mit einer durch einen Energiestrahl polymerisierbaren funktionellen Gruppe aufweist, wobei zumindest eine Art der durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindungen ein polymerisierbares verzweigtes Polymer ist, das ein Polymer mit einer verzweigten Struktur ist, wobei ein Kontaktwinkel von Wasser auf einer Messzielfläche 40° oder weniger bei Messung mit einem Wassertropfen in einer Umgebung von 25°C und einer relativen Feuchte von 50% ist, wobei die Messzielfläche hergestellt wird durch: Befestigen einer Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element an einer Seite der Haftklebeschicht an einer Spiegelfläche eines Siliziumwafers; Bestrahlen der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element mit einem Energiestrahl zur Verringerung einer Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht an der Spiegelfläche des Siliziumwafers; und danach Entfernen der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element vom Siliziumwafer, so dass die Spiegelfläche des Siliziumwafers, an welcher die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element befestigt wurde, als die Messzielfläche erhalten wird.
  2. Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element nach Anspruch 1, wobei das polymerisierbare verzweigte Polymer ein polystyroläquivalentes gewichtsgemitteltes Molekulargewicht von 100.000 oder weniger hat.
  3. Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element nach Anspruch 1 oder 2, wobei die durch einen Energiestrahl polymerisierbaren Verbindungen eine polymerisierbare hochmolekulare Verbindung umfasst, die eine Substanz mit einem polystyroläquivalenten gewichtsgemittelten Molekulargewicht von 100.000 oder mehr ist.
  4. Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element eine Haftfestigkeit von 100 mN/25 mm oder weniger hat, wobei die Haftfestigkeit gemessen wird durch: Herstellen einer Hauptfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element an einer Seite der Haftklebeschicht als eine Messzielfläche; Herstellen einer Spiegelfläche eines Siliziumwafers als eine Klebefläche; Befestigen der Messzielfläche und der Klebefläche aneinander; dann Bestrahlen der Haftklebeschicht mit einem Energiestrahl zur Verringerung einer Haftklebeeigenschaft der Messzielfläche an der Klebefläche; und danach Durchführen eines 180° Schältests gemäß JIS Z0237: 2000 zur Messung der Haftfestigkeit.
  5. Verfahren zur Herstellung von Chips, aufweisend: einen Befestigungsschritt zum Befestigen der Oberfläche der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element nach einem der Ansprüche 1 bis 4 an der Seite der Haftklebeschicht an einer Oberfläche eines halbleiterbezogenen Elements; einen Teilungsschritt zum Teilen des halbleiterbezogenen Elements auf der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, um mehrere Chips zu erhalten, die an der Haftklebeschicht befestigt sind; einen Bestrahlungsschritt zum Bestrahlen der Haftklebeschicht mit einem Energiestrahl zur Verringerung einer Haftklebeeigenschaft der Haftklebeschicht an Oberflächen der mehreren Chips, die an der Haftklebeschicht befestigt sind; und einen Abnahmeschritt zum Trennen der mehreren Chips von der Haftklebeschicht der Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element, um einzelne Chips zu erhalten.
  6. Verfahren zur Herstellung nach Anspruch 5, wobei das halbleiterbezogene Element einen Siliziumwafer mit einer penetrierenden Elektrode aufweist.
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