KR20140069508A - 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 - Google Patents

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 Download PDF

Info

Publication number
KR20140069508A
KR20140069508A KR1020120136835A KR20120136835A KR20140069508A KR 20140069508 A KR20140069508 A KR 20140069508A KR 1020120136835 A KR1020120136835 A KR 1020120136835A KR 20120136835 A KR20120136835 A KR 20120136835A KR 20140069508 A KR20140069508 A KR 20140069508A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor wafer
protecting
film
adhesive film
pressure
Prior art date
Application number
KR1020120136835A
Other languages
English (en)
Inventor
양승용
김지호
유용식
조경래
최재원
Original Assignee
제일모직주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제일모직주식회사 filed Critical 제일모직주식회사
Priority to KR1020120136835A priority Critical patent/KR20140069508A/ko
Publication of KR20140069508A publication Critical patent/KR20140069508A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본원 발명은 실란 커플링제가 함유된 점착층을 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름으로서, 이를 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 부착한 후 12 시간 후의 보이드 면적의 증가율이 10% 이하인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름에 관한 것이다.

Description

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름{ADHESIVE FILM FOR PROTECTING SURFACE OF SEMICONDUCTOR WAFER}
본원 발명은 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치를 제조하는 공정은 고순도의 실리콘 단결정을 슬라이스하여 반도체 웨이퍼를 제작한 후 이의 일면에 범프를 포함하는 회로를 형성하고, 상기 반도체 웨이퍼의 범프 형성면 뒷면을 연삭하는 공정을 거친다. 그 다음 상기 웨이퍼를 다이싱하는 공정, 상기 분할된 반도체 칩을 리드 프레임에 접합하는 다이본딩 공정 등을 수행한 후, 필요한 경우 웨이퍼를 적층하여 에폭시 수지 등으로 몰딩하여 반도체 장치를 제조하고 있다.
상기 공정 중 반도체 웨이퍼의 범프 비형성면을 연삭하는 공정에 있어서 범프 형성면을 보호함이 없이 연삭을 수행하는 경우에는, 특히 범프가 형성된 주변을 따라 웨이퍼에 크랙이 생기는 등 웨이퍼가 파손되거나 상기 범프가 위치한 부분에 상응하는 웨이퍼 뒷면 부위가 움푹하게 패이는 딤플 (dimple)이 발생하는 등의 문제가 있다. 나아가, 연삭 시 발생하는 연삭 찌꺼기로 범프 형성면이 오염될 위험이 있고 연삭 후 웨이퍼의 두께 정밀도가 저하되어 다이싱 등의 후속 공정에 영향을 미칠 수 있으며 이는 곧 제품의 불량으로 이어지기도 한다.
따라서 웨이퍼의 연삭 시에는 웨이퍼 및 웨이퍼에 형성된 범프의 파손 방지 및 오염물 침투 방지 등을 위하여 범프 형성면에 보호 필름을 부착한 후 수행하는 것이 바람직하다.
이러한 반도체 웨이퍼의 표면 보호용 점착 필름에 관한 선행 기술로 대한민국공개특허 제10-2006-0120113호는 반도체 웨이퍼의 외경보다 작은 직경 부위에는 점착층을 형성하지 아니하고 보호 필름 중 웨이퍼의 가장자리에 대응되는 부분에만 점착층이 형성된 보호 필름을 개시하고 있다. 상기 선행 기술은 웨이퍼에 보호 필름을 점착하는 과정에서 웨이퍼의 범프 형성면에는 점착 물질이 직접 접촉하지 않아 추후 필름의 박리가 용이하고 박리 시 범프의 파손 문제, 이물이 남는 문제가 없다는 이점이 있다.
그러나, 상기 선행 기술의 경우 연삭 시 회로 상에 형성된 범프를 보호하지 못하는 문제가 있고, 더욱이 이는 최근 반도체 기술의 발달에 따라 점차로 경박단소화되고 회로에 형성된 범프의 크기 및 범프 사이의 간격 또한 작아지는 추세에 있는 반도체 칩의 보호에 적합하지 못한 면이 있다.
따라서 점착력이 우수하고 범프 보호에 탁월하면서도 사용 후 박리가 용이하여 범프 파손이나 이물 잔류 문제가 없는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 개발이 요구되고 있는 실정이다.
대한민국공개특허공보 A 제10-2006-0120113호 (2006.11.24.공개)
본원 발명은 반도체 웨이퍼의 표면 중 범프 비형성면의 연삭 공정 시 범프 형성면에 부착하여 웨이퍼 및 웨이퍼의 범프 형성면의 파손 및 오염을 방지하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제공하고자 한다.
구체적으로, 본원 발명은 범프에 대한 추종성이 우수하여 범프 형성면에 충분히 밀착됨으로써 웨이퍼 연삭 시 웨이퍼의 파손 및 오염을 효과적으로 방지하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본원 발명은 경화 후 박리가 용이하여 필름 박리 시 범프의 파손이나 이물 잔류 현상이 발생하지 않는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본원 발명은 반도체 웨이퍼의 표면 중 범프 비형성면의 연삭 공정 시, 웨이퍼 및 웨이퍼의 범프 형성면의 파손 및 오염을 방지하기 위한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제공한다.
구체적으로, 본원 발명은 기재 필름, 중간층, 및 실란 커플링제가 함유된 점착층을 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름으로서, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 웨이퍼의 범프 형성면에 부착한 후 12 시간 후의 보이드 면적의 증가율이 10% 이하인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제공한다.
본원 발명의 반도체 표면 보호용 점착 필름은 반도체 웨이퍼의 표면 중 범프 비형성면의 연삭 공정 시 범프 형성면에 부착하여 웨이퍼 및 웨이퍼의 범프 형성면의 파손 및 오염을 방지하는 효과를 나타낸다.
보다 구체적으로 본원 발명의 상기 필름은 범프에 대한 추종성이 우수하여 범프 형성면에 충분히 밀착됨으로써 웨이퍼 연삭 시 웨이퍼의 파손 및 오염을 효과적으로 방지하는 효과를 나타낸다.
또한, 본원 발명의 상기 필름은 경화 후 박리가 용이하여 필름의 박리 시 발생할 수 있는 범프의 파손이나 이물 잔류 현상 등을 방지하는 효과를 나타낸다.
도 1a는 본원 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 대략적으로 도시한 단면도이다.
도 1b는 본원 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 대략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 반도체 웨이퍼의 범프 형성면 일부를 대략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름이 부착되어 보이드가 형성된 반도체 웨이퍼의 범프 형성면 일부를 대략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 실험예 2에 따라 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 범프 추종성을 관찰한 결과를 나타낸 현미경 사진이다. A, B, C, D 및 E는 각각 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1, 비교예 2 및 비교예 3의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 부착 직후의 상태를 촬영한 것이다.
도 5는 실험예 3에 따라 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 부착 후 보이드 면적 증가 정도를 나타낸 현미경 사진이다. A', B' 및 C'은 각각 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 부착 후 72 시간 후의 상태를 촬영한 것이다.
이하, 본원 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다. 본원 명세서에 기재되지 않은 내용은 본원 발명의 기술 분야 또는 유사 분야에서 숙련된 자이면 충분히 인식하고 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략한다.
본원 발명은 반도체 웨이퍼의 표면 중 범프 비형성면의 연삭 공정 시, 웨이퍼 및 웨이퍼의 범프 형성면의 파손 및 오염을 방지하기 위한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제공한다.
구체적으로, 도 1a를 참조하면, 본원 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(10)은 기재 필름(3), 중간층(2), 및 실란 커플링제가 함유된 점착층(1)을 포함한다. 본원 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(10)은 웨이퍼의 범프 형성면에 부착한 후 12 시간 후의 보이드 면적의 증가율이 10% 이하일 수 있다. 구체적으로, 24 시간 후의 보이드 면적 증가율이 10% 이하일 수 있으며, 보다 구체적으로 72 시간 후의 보이드 면적 증가율이 10% 이하일 수 있다.
본원 발명의 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름은 단층 또는 2 층 이상의 기재 필름, 상기 기재 필름의 일면에 적층된 단층 또는 2 층 이상의 중간층, 및 상기 중간층에 적층된 점착층을 포함할 수 있다.
또한, 도 1b를 참조하면, 본원 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(20)은 점착층(1)의 상면 (上面)에 이형 필름(4)을 추가로 포함할 수 있다. 본원 발명의 다른 양태에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(20)은 이형 필름(4)을 추가로 포함하는 것 외에 다른 구성이 본원 발명의 일 양태에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(10)과 실질적으로 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.
점착층 (1)
점착층(1)은 상기 실란 커플링제를 함유할 수 있으며, 경화제, 및 경화 개시제를 포함할 수 있다.
점착층(1)에 사용되는 바인더 수지로는 바람직하게는 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 점착층(1)에서 사용 가능한 상기 아크릴 수지는 아크릴 단량체를 단독으로 중합하거나 아크릴 단량체 및 이와 중합 가능한 다른 관능성 단량체를 공중합하여 얻은 아크릴 중합체일 수 있다. 상기 아크릴 수지의 비제한적인 예로, 알킬(메타)아크릴레이트, 수산기로 치환된 알킬(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산, 비닐 아세테이트 또는 이들로부터 변성된 아크릴 단량체 등과, 이들과 반응할 수 있는 관능기를 갖는 화합물을 공중합하여 제조된 아크릴 공중합체를 들 수 있다. 상기 아크릴 단량체의 비제한적인 예로는, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, 펜틸(메타)아크릴레이트, 헥실(메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 2 종 이상을 혼합하여 사용될 수 있다. 상기 아크릴 단량체의 중합 방법은 특별히 제한되지 않는다.
점착층(1)에서 사용되는 상기 경화제는 바람직하게는 라디칼 중합성 물질일 수 있다. 상기 라디칼 중합성 물질은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 일반적으로 사용하는 것을 사용할 수 있다. 상기 라디칼 중합성 물질의 비제한적인 예로는 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노하이드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 2 종 이상을 혼합하여 사용될 수 있다.
점착층(1)에서 사용되는 상기 경화제는 보다 바람직하게는 이소시아네이트계 경화제일 수 있다. 상기 이소시아네이트계 경화제의 비제한적인 예로는 트리메틸올프로판 톨루엔 디이소시아네이트, 2,4-트릴렌 디이소시이네이트, 2,6-트릴렌 디이소시이네이트, 수소화 트릴렌 디이소시이네이트, 1,3-크실렌 디이소시이네이트, 1,4-크실렌 디이소시이네이트, 4,4-디페닐메탄 디이소시이네이트, 1,3-비스이소시아나토메틸사이클로헥산, 테트라메틸크실렌 디이소시이네이트, 1,5-나프탈렌 디이소시이네이트, 2,2,4-트리메틸 헥사메틸렌 디이소시이네이트, 2,4,4-트리메틸 헥사메틸렌 디이소시이네이트, 트리메틸올프로판의 트릴렌 디이소시이네이트 어덕트(adduct), 트리메틸올프로판의 크실렌 디이소시이네이트 어덕트, 트리페닐메탄트리디이소시이네이트, 메틸렌비스트리이소시아네이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 2 종 이상을 혼합하여 사용될 수 있다.
상기 이소시아네이트계 경화제 중 보다 바람직하게는 톨루엔 디이소시아네이트 어덕트형 (TDI adduct type)을 사용할 수 있다.
점착층(1)에서 사용되는 상기 경화제는 상기 점착층의 바인더 수지, 예를 들어 아크릴 수지의 100 중량부에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 15 중량부로 함유될 수 있고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 10 중량부로 함유될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 1 내지 5 중량부로 함유될 수 있다. 상기 범위 내에서 점착층의 바인더 수지가 충분히 경화될 수 있도록 해주며 경화물의 경도가 지나치게 높아지는 것을 방지하여 점착력이 저하되는 것을 방지하는 이점이 있다.
점착층(1)에서 사용되는 상기 실란 커플링제는 특별히 제한되지 아니하며 통상적으로 알려진 실란 커플링제를 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제의 비제한적인 예로는, 에폭시가 함유된 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)-에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란; 아민기가 함유된 N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필렌메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실리-N-(1,3-디메틸부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란; 머캅토가 함유된 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리에톡시실란; 이소시아네이트가 함유된 3-이소시아네이트 프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트 프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 2 종 이상을 혼합하여 사용될 수 있다.
상기 실란 커플링제는 보다 바람직하게는 이소시아네이트계 실란 커플링제일 수 있다.
점착층(1)에서 사용되는 상기 실란 커플링제는 상기 점착층의 바인더 수지, 예를 들어 아크릴 수지의 100 중량부에 대하여 바람직하게는 0.01 내지 2 중량부로 함유될 수 있으며, 보다 바람직하게는 0.01 내지 1.5 중량부로 함유될 수 있고, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 1 중량부로 함유될 수 있다. 상기 범위 내에서 점착층의 점착력을 향상시키고 금속 범프에 대한 우수한 추종성을 획득할 수 있다.
점착층(1)은 바람직하게는 UV 경화형일 수 있다. 점착층이 UV 경화형인 경우, 본원 발명의 상기 점착층은 광개시제를 추가로 함유할 수 있다. 점착층(1)에서 사용 가능한 상기 광개시제는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 것을 사용할 수 있다. 상기 광개시제의 비제한 적인 예로는, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티오람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 2 종 이상을 혼합하여 사용될 수 있다.
점착층(1)에서 사용되는 상기 광개시제는 상기 점착층의 바인더 수지, 예를 들어 아크릴 수지의 100 중량부에 대하여 바람직하게는 0.01 내지 15 중량부로 함유될 수 있고, 보다 바람직하게는 0.01 내지 10 중량부로 함유될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 5 중량부로 함유될 수 있다. 상기 범위 내에서 점착층이 UV 조사에 의해 충분히 경화되어 상기 점착층을 반도체 웨이퍼의 범프 형성면으로부터 범프의 파손이나 이물 잔류 등이 없이 용이하게 박리할 수 있다.
본원 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름에 있어서 상기 점착층(1)의 두께는 웨이퍼 표면의 오염을 방지하고 점착력, 범프 추종성 등을 적절히 조절하기 위하여 바람직하게는 1 내지 50 ㎛일 수 있고, 보다 바람직하게는 1 내지 40 ㎛일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 1 내지 30 ㎛일 수 있다. 본원 발명의 점착층이 상기 범위의 두께를 갖는 경우, 점착층의 두께가 지나치게 얇은 경우에 발생할 수 있는 필름 박리 시 점착 물질 일부가 웨이퍼 표면에 잔류하여 웨이퍼 표면을 오염시키는 문제, 및 점착층의 두께가 지나치게 두꺼운 경우에 발생할 수 있는 범프 추종성 저하 문제 등을 방지할 수 있다.
중간층(2)
중간층(2)은 버퍼층(Buffer layer)이라고도 불리며, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 기재 필름과 점착층 사이에 존재하여 웨이퍼에 형성된 범프를 감싸주어 보호하는 역할을 한다.
중간층(2)은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 공지된 성분으로 공지된 방법에 의해 제조된 것을 사용할 수 있다.
중간층(2)의 베이스 수지로는 바람직하게는 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 본원 발명에서 사용 가능한 상기 아크릴 수지는 아크릴 단량체를 단독으로 중합하거나 아크릴 단량체 및 이와 중합 가능한 다른 관능성 단량체를 공중합하여 얻은 아크릴 중합체일 수 있다. 상기 아크릴 수지의 비제한적인 예로, 알킬(메타)아크릴레이트, 수산기로 치환된 알킬(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산, 비닐 아세테이트 또는 이들로부터 변성된 아크릴 단량체 등과, 이들과 반응할 수 있는 관능기를 갖는 화합물을 공중합하여 제조된 아크릴 공중합체를 들 수 있다. 상기 아크릴 단량체의 비제한적인 예로는, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, 펜틸(메타)아크릴레이트, 헥실(메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 2 종 이상을 혼합하여 사용될 수 있다. 상기 아크릴 단량체의 중합 방법은 특별히 제한되지 않는다.
중간층(2)은 단층으로 이루어지거나 2 층 이상으로 구성된 복수층일 수 있다.
중간층(2)의 두께는 바람직하게는 20 ㎛ 내지 180 ㎛일 수 있고, 보다 바람직하게는 30 ㎛ 내지 150 ㎛일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 40 ㎛ 내지 120 ㎛일 수 있다. 중간층(2)의 두께가 상기 범위 내인 경우, 두께가 지나치게 얇은 경우에 발생할 수 있는 웨이퍼 범프 비형성면 연삭 시 쿠션성이 저하되어 범프 형성면이 파손되는 문제, 및 두께가 지나치게 두꺼운 경우 발생할 수 있는 필름 박리 시 범프 파손 문제 등을 방지할 수 있다.
기재 필름(3)
기재 필름(3)은 상당한 탄성을 갖는 층으로 반도체 웨이퍼의 범프 비형성면의 연삭 공정 시 압력 및 충격으로부터 웨이퍼를 보호하고 나아가 박막화된 웨이퍼의 휨 현상 등을 억제하는 역할을 한다.
기재 필름(3)은 적당한 탄성을 나타내고 범프 비형성면의 연삭 시 물 세정 등에 대한 내수성 등을 갖는 것이라면 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 것을 사용할 수 있다.
기재 필름(3)의 비제한적인 예로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등과 같이 폴리에스테르계 수지를 함유하는 수지 조성물, 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀계 수지를 함유하는 수지 조성물, 에틸렌 비닐 아세테이트 (EVA) 등의 아세테이트계 수지를 함유하는 수지 조성물, 또는 폴리이미드계 수지를 함유하는 수지 조성물로 형성된 필름 등을 들 수 있다.
기재 필름(3)은 단층으로 이루어지거나 2 층 이상으로 구성된 복수층일 수 있다.
기재 필름(3)의 두께는 바람직하게는 35 ㎛ 내지 250 ㎛일 수 있고, 보다 바람직하게는 90 ㎛ 내지 125 ㎛일 수 있다. 기재 필름(3)의 두께가 상기 범위 내인 경우, 두께가 지나치게 얇은 경우에 발생할 수 있는 필름 강도 저하 문제, 범프 비형성면의 연삭 시 딤플 발생이 심화되는 문제, 및 두께가 지나치게 두꺼운 경우 발생할 수 있는 필름 생산성 저하 문제 등을 방지할 수 있다.
본원 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제조하는 방법은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법을 사용할 수 있다. 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제조하는 방법은 특별한 장치나 설비가 필요하지 아니하며, 그 비제한적인 예로 다음과 같은 방법으로 제조할 수 있다: 단층 또는 복층으로 형성된 기재 필름의 일면에 중간층 조성물을 적절한 두께로 코팅한 후 건조시킨다. 이때 필요한 경우 중간층을 복층으로 제조할 수 있다. 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 일면에 점착층 조성물을 코팅한 후 이를 상기 중간층 조성물이 코팅된 기재 필름과 합지하여 기재 필름-중간층-점착층-이형 필름 순으로 적층되도록 한 후 건조시켜 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제조할 수 있다.
본원 발명의 실시예들에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름은 범프에 대한 추종성이 우수하여, 필름을 웨이퍼의 범프 형성면에 부착한 후 12 시간 후의 보이드 면적의 증가율이 바람직하게는 10% 이하이고, 보다 바람직하게는 24 시간 후의 보이드 면적 증가율이 10% 이하일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 72 시간 후의 보이드 면적 증가율이 10% 이하일 수 있다. 상기 범위 내에서 웨이퍼 연삭 가공 시 보호 필름이 웨이퍼의 범프에 충분히 밀착되어 웨이퍼 파손을 효과적으로 방지할 수 있는 이점이 있다.
도 2 및 도 3을 참조하여 보이드 면적 및 증가율에 대해 설명한다. 상기 보이드 면적의 증가율이란, 범프(31)가 다수 형성되어 있는 웨이퍼 (또는 반도체 칩)(30)에 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 라미네이션한 직후의 보이드 면적(A)을 측정하고, 점착 후 12 시간 내지 72 시간 후의 보이드 면적(B)을 측정하여 보이드 면적의 증가율((B-A)/A×100(%))을 계산한 값을 의미한다. 도 2 및 도 3은 밑면 직경 80 ㎛, 높이 70 ㎛, 피치 (pitch) 230 ㎛인 범프(31)를 사용하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 20 mm/초로 라미네이션한 경우를 예시한다. 상기 보이드 면적(m)이란, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름이 부착된 상기 웨이퍼의 범프 형성면에 있어서, 이를 현미경으로 관찰하였을 때 상기 필름으로 둘러싸인 각각의 범프 마다 형성되는, 범프 모양을 따라 부풀어오른 필름 부분의 밑면적을 의미한다. 상기 보이드 면적은 도 3에 나타난 바와 같이 보이드의 평균 직경(d)을 측정하여 계산할 수 있다.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예를 기술함으로써 본원 발명을 보다 상세히 설명한다. 다만, 하기의 실시예, 비교예 및 실험예는 본원 발명의 일 예시에 불과하며, 본원 발명의 내용이 이에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.
< 실시예 1>
1. 점착층 조성물의 제조
1-1. 1 L의 유리 자켓 반응기에 유기 용매인 에틸아세테이트 140 g을 먼저 투입하고, 상기 반응기 상부 중앙에 교반 장치를 설치하고 한쪽에는 환류 냉각기를, 다른 한쪽에는 질소 공급 라인을 설치하였으며, 교반 속도를 200 rpm으로 유지하면서 자켓에 온도 조절이 가능한 증류수 순환 장치를 연결하여 온도를 60℃로 조절하였다. 그 다음 1 시간 동안 지속적으로 질소가 공급되도록 하였다.
용액 온도를 65℃로 올린 후 에틸아세테이트 200 g, 2-에틸헥실아크릴레이트 138 g, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 40 g, 아크릴 산 10 g, 및 아조비스이소부틸로니트릴 1.0 g을 혼합하고 상기 혼합액을 드랍핑 펀넬 (dropping funnel)을 이용하여 3 시간 동안 적하하였다.
그 다음, 이에 아조비스이소부틸로니트릴 0.2 g 및 에틸아세테이트 4 g의 혼합액을 투입한 다음, 온도를 70℃로 승온시킨 후 이를 5 시간 동안 유지시켰다. 이후 아조비스이소부틸로니트릴 0.2 g 및 에틸아세테이트 4 g 혼합액을 투입하고 1 시간 동안 방치하였다.
마지막으로 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 24 g과 에틸아세테이트 20 g을 투입하고 6 시간 동안 방치한 뒤 중합 반응을 종결하였다. 반응 종결 후 에틸아세테이트를 추가 투입하여 고형분 함량을 40%로 보정하여 아크릴 공중합체 용액을 제조하였다.
1-2. 상기 1-1에서 제조된 아크릴 수지 조성물 100 g에 열경화제 (AK-75, 애경화학) 3 g, 실란 커플링제 (KBE-9007, Shin-Etsu) 0.1 g, 및 광개시제 (IC-184, Ciba-Geigy)를 혼합하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름에 사용할 점착층 조성물을 제조하였다.
2. 중간층 조성물의 제조
2-1. 1 L의 유리 자켓 반응기에 유기 용매인 에틸아세테이트 80 g과 톨루엔 80 g을 먼저 투입하고, 상기 반응기 상부 중앙에 교반 장치를 설치하고 한쪽에는 환류 냉각기를, 다른 한쪽에는 질소 공급 라인을 설치하였으며, 교반 속도를 150 rpm으로 유지하면서 자켓에 온도 조절이 가능한 증류수 순환 장치를 연결하여 온도를 60℃로 조절하였다. 그 다음 1 시간 동안 지속적으로 질소가 공급되도록 하였다.
용액 온도를 75℃로 올린 후 에틸아세테이트 70 g과 톨루엔 70 g, 2-에틸헥실 아크릴레이트 60 g, 에틸 아크릴레이트 60 g, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 20 g, 메틸 아크릴레이트 40 g, 및 아조비스이소부틸로니트릴 1.0 g을 혼합하고 상기 혼합액을 드랍핑 펀넬을 이용하여 5 시간 동안 적하하였다.
그 다음, 이에 아조비스이소부틸로니트릴 0.2 g 및 에틸아세테이트 4 g의 혼합액을 투입한 다음, 온도를 70℃로 승온시킨 후 이를 5 시간 동안 유지시켰다. 반응 종결 후 에틸아세테이트를 추가 투입하여 고형분 함량을 35%로 보정하여 아크릴 공중합체를 제조하였다.
2-2. 상기 2-1에서 제조된 아크릴 공중합체 용액 100 g에 열경화제 (AK-75, 애경화학) 0.001 g을 혼합하여 중간층 조성물을 제조하였다.
3. 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조
3-1. 5 개의 기재 필름 (HUSH1317, Achilles)을 준비하고, 상기 각 기재 필름의 일면에 상기 2-2에서 제조한 중간층 조성물을 두께 90 ㎛로 코팅한 후 40℃에서 12 시간 동안 건조하여 중간층을 형성하였다.
3-2. 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 보호 필름 5 개를 준비하고, 상기 각 PET 보호 필름의 일면에 각각 상기 실시예 1-2에서 제조한 점착층 조성물을 두께 10 ㎛로 코팅하여 점착층을 형성하였다.
3-3. 상기 3-1에서 제조한 중간층 조성물이 코팅된 기재 필름 1 개 당, 상기 3-2에서 제조한 점착층 조성물이 코팅된 PET 보호 필름 1 개씩을 합지하여 총 5 개의 시료를 제작하였다. 상기 각 시료를 40℃에서 48 시간 동안 건조하여 점착층 성분이 상이한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 5 개를 제조하였다.
< 실시예 2>
상기 실시예 1에 있어서, 점착층 조성물에 실란 커플링제를 0.3 g 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제조하였다.
< 비교예 1>
상기 실시예 1에 있어서, 점착층 조성물에 실란 커플링제를 사용하지 않는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제조하였다.
< 비교예 2>
상기 실시예 1에 있어서, 점착층 조성물에 실란 커플링제를 3 g 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제조하였다.
< 비교예 3>
상기 실시예 1에 있어서, 점착층 조성물에 실란 커플링제를 5 g 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제조하였다.
상기 실시예 1, 2 및 비교예 1 내지 3에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 점착층 조성을 하기 표 1에 나타내었다.
조성(g) 실시예 1 실시예 2 비교예 1 비교예 2 비교예 3

점착층		 아크릴 수지 100 100 100 100 100
열경화제 3 3 3 3 3
실란 커플링제 0.1 0.3 - 3 5
광개시제 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2
< 실험예 1> 점착력 측정
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 점착력을 측정하기 위하여 한국 공업 규격 KS-A-01107 (점착 테이프 및 점착 시이트의 시험 방법)의 8항에 따라 실험을 수행하였다.
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 보호 필름 5개를 각각 폭 25 mm, 길이 250 mm의 크기로 제단하고, 상기 각각의 보호 필름을 Sus-304 판 (폭 50 mm, 길이 200 mm)에 부착한 후 2 kg 하중의 압착 롤러를 이용하여 300 mm/분의 속도로 1 회 왕복시켜 압착하였다. 압착 후 30분 경과 후에 시험편의 접은 부분을 180˚로 뒤집어 약 25 mm를 벗긴 후, 10 N 로드셀 (Load Cell)에서 인장 강도기의 위쪽 클립에 상기 시험편을, 아래쪽 클립에 상기 필름을 고정시키고, 300 mm/분의 인장 속도로 당겨 벗길 때의 하중을 측정하였다.
상기 인장 시험기는 "Instron Series 1X/s Automated materials Tester-3343"을 사용하였다.
< 실험예 2> 범프 추종성 측정
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 각 보호 필름의 범프 추종성을 측정하기 위하여, 현미경을 이용하여 각 필름의 범프 밀착성을 관찰하였다.
범프 밀착성은 밑면 직경 80 ㎛, 높이 70 ㎛, 피치 (pitch) 230 ㎛인 범프(31)가 다수 형성되어 있는 웨이퍼(30) (도 2 참조)에 상기 제조된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 각각을 20 mm/초로 라미네이션한 직후 형성된 보이드의 직경을 측정하는 방식으로 수행하였다.
보이드 직경이 범프 직경의 1.7 배 이하이면 '○', 1.7 배 초과이나 이웃하는 범프와 터널이 발생하지 않거나 약간 발생한 정도이면 '△', 범프 밀착이 불량하여 이웃하는 범프 간에 터널이 심하게 발생한 경우는 '×'로 평가하였다.
< 실험예 3> 보이드 면적의 증가율 측정
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 각 보호 필름의 보이드 면적의 증가율을 측정하기 위하여, 밑면 직경 80 ㎛, 높이 70 ㎛, 피치 230 ㎛인 범프가 다수 형성되어 있는 웨이퍼에 상기 제조된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 각각을 20 mm/초로 라미네이션한 직후 형성된 보이드의 밑 면적(A)을 측정하고, 점착 후 12 시간 후, 및 72 시간 후의 보이드의 밑 면적(B)을 측정하여 보이드 면적의 증가율 ((B-A)/A×100(%))을 계산하였다 (도 6).
< 실험예 4> 연삭 후 웨이퍼의 파손 여부 및 이물 잔류 여부 측정
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 각 보호 필름을 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 부착하여 연삭 공정을 수행한 다음, 이에 700 mJ/cm2의 UV를 조사한 후 웨이퍼로부터 각 보호 필름을 박리하였다.
박리 후 반도체 웨이퍼를 현미경으로 관찰하여 웨이퍼, 범프의 파손 여부 및 웨이퍼의 범프 형성면에 보호 필름의 이물이 남아 있는지 여부를 관찰하였다.
< 실험예 5> TTV ( Total thickness variation ) 측정
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 각 보호 필름을 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 부착하여 연삭 공정을 수행한 다음, 이에 700 mJ/cm2의 UV를 조사한 후 웨이퍼로부터 각 보호 필름을 박리하였다.
박리 후 반도체 웨이퍼의 연삭된 표면을 관찰하여 표면의 단차 (Step)를 측정하고, 상기 단차의 평균값을 계산하는 방식으로 TTV를 측정하였다.
TTV가 20 ㎛ 이하인 경우를 '양호'로 평가하고, 20 ㎛를 초과하는 경우에는 '불량'으로 평가하였다.
상기 실험예 1 내지 5에 따른 측정 결과를 하기 표 2, 도 4 및 도 5에 나타내었다.
물성 실시예 1 실시예 2 비교예 1 비교예 2 비교예 3
점착력(N/25 mm) 8.2 7.9 6.5 5.7 5.0
범프 추종성 ○ ○ △ × ×




보이드		 필름 부착 직후
면적(㎛2)		 11535 11447 13698 측정 불가 측정 불가
부착 후 12 시간 후
면적(㎛2)		 11915 11508 16687 〃 〃
부착 후 72 시간 후
면적(㎛2)		 11989 11520 16968 〃 〃
12 시간 후 보이드 면적 증가율(%) 약 3.3% 약 0.5% 약 21.8% 〃 〃
웨이퍼 파손 여부 파손 없음 파손 없음 파손 없음 파손 있음 파손 있음
이물 잔류 여부 없음 없음 없음 없음 없음
TTV 양호 양호 불량 불량 불량
도 4는 실시예 및 비교예들에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 웨이퍼에 부착한 직후의 상태를 촬영한 것으로 범프의 추종성을 측정한 것이다. A, B, C, D 및 E는 각각 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1, 비교예 2 및 비교예 3의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 부착 직후의 상태이다. 실시예 1 내지 3의 경우 보이드 직경이 범프 직경의 1.7 배 이하로 범프 추종성이 우수하였다. 실시예 1은 보이드의 직경이 약 121.22 ㎛, 실시예 2는 120.76 ㎛, 실시예 3은 132.10 ㎛였다. 반면에, 비교예 1은 이웃하는 범프 간에 터널이 약간 발생하였고, 비교예 2 및 3은 범프 밀착이 불량하여 이웃하는 범프 간에 터널이 심하게 발생하여 보이드 직경의 측정이 불가하였다.
도 5는 실험예 3에 따라 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 부착 후 보이드 면적 증가 정도를 나타낸 현미경 사진이다. A', B' 및 C'은 각각 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 부착 후 72 시간 후의 상태를 촬영한 것이다. 72 시간 경과 후에 실시예 1은 보이드 직경이 123.53 ㎛, 실시예 2는 121.14 ㎛, 비교예 1은 147.02 ㎛로 비교예 1이 직경이 가장 크게 증가하였다. 비교예 2 및 3은 이웃하는 범프 간에 터널형으로 발생하여 직경 측정이 불가하였다. 표 2 및 도 5에 의하면, 실시예 1 및 2는 필름 부착 후 12 시간 경과 시 보이드 면적 증가율이 10% 미만이었으며, 72 시간이 경과한 후에도 보이드 면적 증가율의 변화가 크게 없는 반면, 비교예 1의 경우 필름 부착 후 12 시간 경과 시 보이드 면적 증가율이 10%를 초과하였다. 비교예 2 및 3은 접착력이 열악하여 필름이 부착되지 않았고 보이드가 크게 발생하여 인접한 보이드끼리 연결되므로 보이드 면적의 측정이 불가하였다.
1 점착층
2 중간층
3 기재 필름
4 이형 필름
10, 20 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름
30 웨이퍼
31 범프
d 보이드 직경
m 보이드 면적

Claims (8)

  1. 기재 필름, 중간층, 및 실란 커플링제가 함유된 점착층을 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름으로서, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 웨이퍼의 범프 형성면에 부착한 후 12 시간 후의 보이드 면적의 증가율이 10% 이하인, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  2. 제1항에 있어서, 상기 점착층은 아크릴 수지 및 경화제를 추가로 함유하는, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  3. 제1항에 있어서, 상기 실란 커플링제가 상기 아크릴 수지 100 중량부에 대하여 0.01 내지 2 중량부로 함유된, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  4. 제1항에 있어서, 상기 실란 커플링제로 이소시아네이트계 실란 커플링제를 사용하고, 상기 경화제로 이소시아네이트계 경화제를 사용하는, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  5. 제4항에 있어서, 상기 이소시아네이트계 실란 커플링제는 3-이소시아네이트 프로필트리메톡시실란 또는 3-이소시아네이트 프로필트리에톡시실란인, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  6. 제4항에 있어서, 상기 이소시아네이트계 경화제는 톨루엔 디이소시아네이트 어덕트형인, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 점착층은 UV 경화형인, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  8. 제7항에 있어서, 상기 점착층은 광개시제를 추가로 함유하는, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
KR1020120136835A 2012-11-29 2012-11-29 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 KR20140069508A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120136835A KR20140069508A (ko) 2012-11-29 2012-11-29 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120136835A KR20140069508A (ko) 2012-11-29 2012-11-29 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140069508A true KR20140069508A (ko) 2014-06-10

Family

ID=51124582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120136835A KR20140069508A (ko) 2012-11-29 2012-11-29 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140069508A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109791887A (zh) * 2016-10-05 2019-05-21 琳得科株式会社 第一保护膜形成用片

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109791887A (zh) * 2016-10-05 2019-05-21 琳得科株式会社 第一保护膜形成用片
KR20190056385A (ko) * 2016-10-05 2019-05-24 린텍 가부시키가이샤 제1 보호막 형성용 시트
CN109791887B (zh) * 2016-10-05 2023-04-28 琳得科株式会社 第一保护膜形成用片

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101375397B1 (ko) 점착 시트
KR101411080B1 (ko) 웨이퍼 가공용 점착 테이프
KR101708909B1 (ko) 점착시트 및 반도체 웨이퍼의 가공방법, 반도체 칩의 제조방법
KR102152605B1 (ko) 보호막 형성용 필름
TWI448531B (zh) 半導體晶圓表面保護用黏著帶及半導體晶圓之製造方法
KR101392535B1 (ko) 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프 및 그것을 이용한 반도체 웨이퍼의 제조방법
KR101330128B1 (ko) 점착제 조성물, 반도체 웨이퍼용 다이싱 테이프 및 그 제조방법 및 장치
JP6169067B2 (ja) 電子部品加工用粘着テープ
JP5282113B2 (ja) 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート
KR20160130249A (ko) 반도체 관련 부재 가공용 시트 및 당해 시트를 사용하는 칩의 제조 방법
KR101766174B1 (ko) 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법
JP2019091903A (ja) ダイシングシートおよび当該ダイシングシートを用いるチップの製造方法
KR20170070048A (ko) 표면 보호 시트용 기재 및 표면 보호 시트
TW201802207A (zh) 半導體晶圓加工用黏著帶及半導體晶圓之加工方法
KR20190084972A (ko) 반도체 가공용 점착 시트
KR20170131338A (ko) 다이싱 시트, 다이싱 시트의 제조 방법, 및 몰드 칩의 제조 방법
JP7488678B2 (ja) 半導体加工用保護シートおよび半導体装置の製造方法
KR102545004B1 (ko) 방사선 경화형 다이싱용 점착 테이프
TW201505832A (zh) 保護膜形成用複合膜片、保護膜形成用複合膜片之製造方法以及具有保護膜之晶片的製造方法
KR20140069508A (ko) 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름
KR20170130345A (ko) 다이싱 시트, 다이싱 시트의 제조 방법, 및 몰드 칩의 제조 방법
EP4242280A1 (en) Adhesive tape and processing method
JP2013073975A (ja) 半導体ウエハ加工用テープ
KR20170114858A (ko) 반도체용 점착 조성물, 이의 제조방법 및 반도체용 보호 필름
CN113471129A (zh) 半导体加工用保护片及半导体装置的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application