TWI448531B - 半導體晶圓表面保護用黏著帶及半導體晶圓之製造方法 - Google Patents

半導體晶圓表面保護用黏著帶及半導體晶圓之製造方法 Download PDF

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Description

半導體晶圓表面保護用黏著帶及半導體晶圓之製造方法
本發明係關於一種半導體晶圓表面保護用黏著帶及半導體晶圓之製造方法。更詳細而言係關於一種可應用於其表面具有凹凸之半導體晶圓之背面研削步驟的半導體晶圓表面保護用黏著帶及半導體晶圓之製造方法。
於半導體晶圓之製造步驟中，對於圖案形成後之半導體晶圓，通常為了使其厚度變薄而於半導體晶圓背面實施背面研削、蝕刻等處理。此時，為了保護半導體晶圓表面之圖案，而於該圖案面貼附半導體晶圓表面保護用黏著帶。半導體晶圓表面保護用黏著帶一般係於基材膜積層黏著劑層而成，於半導體晶圓之表面貼附黏著劑層而使用。
近年來，隨著行動電話及個人電腦等之小型化、高功能化，開發出與打線接合(wire bonding)相比可節約空間地安裝之倒裝晶片(flip chip)安裝。倒裝晶片安裝係於將晶片表面與基板電性連接時，藉由形成於半導體晶圓表面之球狀或圓柱狀之凸塊而連接。於如此形成凸塊之半導體晶圓之背面研削步驟中，根據該半導體晶圓之形狀，發生切削水進入半導體晶圓與黏著帶之間而污染半導體晶圓之所謂滲流(seepage)的風險較高， 因此要求半導體晶圓與黏著帶之更強之密接性，但若提高密接性則黏著帶之剝離性會變差。尤其是存在半導體晶圓之厚度變得更薄之傾向，加工成100 μm以下之厚度之情形亦不罕見，因剝離性之變差而容易導致半導體晶圓破損。
為了解決該問題，業界提出有使用放射線硬化型之黏著劑， 於將半導體晶圓表面保護用黏著帶剝離時使黏著力降低之方法(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-215769號公報
然而，對於先前之放射線硬化型之黏著帶，若使其放射線硬化，則存在黏著劑嵌入至凸塊等半導體晶圓表面之凹凸中，投錨效應變強，而變得難以剝離之情形，於此情形時，會產生凸塊部之破損或剝離後於半導體晶圓之表面殘留黏著劑的問題。該問題隨著以提高半導體之可靠性為目的之凸塊之高凸塊化及凸塊間距離之窄間距化而更加明顯。
因此，本發明之課題在於提供一種於半導體晶圓加工時牢固地密接於半導體晶圓上，並且於剝離時，可在不發生半導體晶圓之破損及糊劑殘留之情況下剝離之半導體晶圓表面保護用黏著帶及使用其之半導體晶圓之製造方法。
鑒於上述課題，本發明者等人進行了努力研究，結果發現放 射線照射前後之黏著力與硬化收縮值較為重要，並不斷進行進一步研究，從而完成本發明。
即，上述課題係藉由以下手段而達成。
(1)一種半導體晶圓表面保護用黏著帶，其係貼合於半導體晶圓並於背面研削時使用者，且於基材膜上具有至少1層之放射線硬化型黏著劑層，下述硬化收縮值S為0.3~1.8，對於不鏽鋼研削面之放射線照射前之黏著力A為1.5~20 N/25 mm，且放射線照射後之黏著力B為0.01~1.5 N/25 mm，於上述半導體晶圓之半導體晶圓表面保護用黏著帶之貼合面側之表面存在的凹凸之頂部之高度與底部之高度的最大差為10~300μm，上述放射線硬化型黏著劑層之厚度為1~30μm。硬化收縮值S={(B/A)/(D/C)}(上式中，A表示對於不鏽鋼研削面之放射線照射前之黏著力，B表示對於不鏽鋼研削面之放射線照射後之黏著力，C表示黏著帶面之放射線照射前之黏附力(峰值)，D表示黏著帶面之放射線照射後之黏附力(峰值))
(2)如(1)之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中於上述基材膜與上述放射線硬化型黏著劑層之間，具有於25℃或60℃之儲存模數為1×104 ~1×106 Pa的放射線非硬化型黏著劑層或由樹脂構成之中間層。
(3)如(1)或(2)之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中於具有上述放射線硬化型黏著劑層之側之基材膜上存在的層之合計厚度為於上述半 導體晶圓面存在的凹凸之頂部之高度與底部之高度的上述最大差以上。
(4)一種半導體晶圓之製造方法，其包含利用基材膜上具有黏著劑層之表面保護用黏著帶保護半導體晶圓之晶圓表面，並對該晶圓之背面進行研削而加工半導體晶圓之步驟者，且表面保護用黏著帶係於基材膜上具有至少1層之放射線硬化型黏著劑層，下述硬化收縮值S為0.3~1.8，對於不鏽鋼研削面之放射線照射前之黏著力A為1.5~20 N/25 mm，且放射線照射後之黏著力B為0.01~1.5 N/25 mm，於半導體晶圓之半導體晶圓表面保護用黏著帶之貼合面側之表面存在的凹凸之頂部之高度與底部之高度的最大差為10~300μm，上述放射線硬化型黏著劑層之厚度為1~30μm。硬化收縮值S={(B/A)/(D/C)}(上式中，A表示對於不鏽鋼研削面之放射線照射前之黏著力，B表示對於不鏽鋼研削面之放射線照射後之黏著力，C表示黏著帶面之放射線照射前之黏附力，D表示黏著帶面之放射線照射後之黏附力)
(5)如(4)之半導體晶圓之製造方法，其中上述表面保護用黏著帶於上述基材膜與上述放射線硬化型黏著劑層之間，具有於25℃或60℃之儲存模數為1×104 ~1×106 Pa的放射線非硬化型黏著劑層或由樹脂構成之中間層。
(6)如(4)或(5)之半導體晶圓之製造方法，其中於具有上述放射線硬化型黏著劑層之側之基材膜上存在的層之合計厚度為於上述半導體晶圓面存在的凹凸之頂部之高度與底部之高度的上述最大差以上。
根據本發明，可提供一種藉由於半導體晶圓加工時牢固地密接於半導體晶圓而大幅度降低滲流等之發生，且可在不發生半導體晶圓之破損及糊劑殘留之情況下剝離的半導體晶圓表面保護用黏著帶及半導體晶圓之製造方法。
以下，對本發明之實施形態進行詳細說明。
<<半導體晶圓表面保護用黏著帶>>
本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶係於基材膜之至少單面形成放射線硬化型黏著劑層。
此處，放射線硬化型黏著劑層係藉由放射線[例如紫外線之類的光線(亦包括雷射光線)、電子束等游離放射線]之照射而硬化。所照射之放射線較佳為紫外線。
<硬化收縮值>
本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶之硬化收縮值S為0.3~1.8。藉由將該硬化收縮值S設為0.3~1.8，可抑制由黏著劑向半導體晶圓表面之嵌入所導致之投錨效應的產生，可抑制對剝離性之不良影響。
此處，硬化收縮值S係根據下式求出。
硬化收縮值S={(B/A)/(D/C)}
式中，A表示對於不鏽鋼(Steel Use Stainless，SUS)研削面 之放射線照射前之黏著力，B表示對於不鏽鋼研削面之放射線照射後之黏著力，C表示黏著帶面之放射線照射前之黏附力，D表示黏著帶面之放射線照射後之黏附力。
於本發明中，硬化收縮值S更佳為1.5以下，進而較佳為1.0以下。
黏著力與黏附力係藉由以下之測定而獲得。
再者，不鏽鋼(Steel Use Stainless，SUS)係JIS G 4305中所規定之SUS304鋼板，且為經砂紙打磨者。關於研削方法係根據JIS Z 0237而完成，砂紙係使用第280號之粗糙度者。
[黏著力之測定]
自半導體晶圓加工用黏著帶切出寬度25 mm、長度300 mm之試片。於利用JIS R 6253中規定之第280號水砂紙而進行最後加工之JIS G 4305中規定之厚度為1.5 mm的不鏽鋼(Steel Use Stainless，SUS)板上，將2 kg之橡膠輥來回3次而將上述試片壓接，放置1小時後，使用測定值為其容量之15~85%之範圍內之適合JIS B 7721的拉伸試驗機[例如為Instron公司製造之拉伸試驗機(雙柱桌上型5567)]，測定放射線照射前之黏著力A。同樣地，對壓接黏著帶後經過1小時者自黏著帶貼合面之基材膜背面照射1000 mJ/cm2 (照度為40 mW/cm2 )之紫外線，放置1小時後，測定放射線照射後之黏著力B。測定係藉由180°剝離法，於拉伸速度為300 mm/min、25℃、相對濕度為50%之條件下進行，分別對各黏著帶實施3次，求出其平均值，並將其作為黏著力。
[黏附力之測定]
自半導體晶圓加工用黏著帶切出寬度25 mm、長度150 mm作為試片。使用黏性試驗機(例如，商品名：TACII，力世科(RHESCA)製造)，於貼合於半導體晶圓表面之黏著劑層側，將3 mm φ之圓柱狀探針以30 mm/min之速度壓入，將以停止荷重100 gf保持1秒後，以600 mm/min之速度提拉時的峰荷重作為放射線照射前之黏附力C。於試片切出後，自基材膜背面照射1000 mJ/cm2 之紫外線(照度為40 mW/cm2 )並放置1小時，將所獲得者作為試片，以同樣之方法求出放射線照射後之黏附力D。測定係於25℃、相對濕度為50%之條件下進行，於各黏著帶之各試片上測定不同之5點，求出其平均值，並將其作為黏附力。
SUS鋼板與黏著帶之接著主要得益於物理作用(凡得瓦耳力等)、化學作用(界面彼此之化學鍵結)及機械作用(投錨效應)。
若藉由放射線使黏著帶硬化，則放射線硬化型黏著劑進行高彈性化且低極性化，而上述作用降低，因此可平穩地進行黏著帶之剝離。但是，關於投錨效應，由於黏著帶於放射線硬化時會收縮，故而會因黏著劑嵌入經研削之SUS鋼板之微細凹凸中而增加。
本發明中所謂之黏著力係將此接著性以上述剝離時之黏著力所表示者。
另一方面，黏附力表示瞬間之接著難易度，難以受到投錨效應之影響。
因此，若硬化收縮值S為0.3~1.8，則對於具有如凸塊般之凹凸的面亦可更平穩地剝離。
<黏著力>
關於本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶，上述所測定之放射線硬 化後之黏著力B於25℃為0.01~1.5 N/25 mm。
再者，就硬化之目的而言，較佳為放射線硬化後之黏著力B低於下述放射線硬化前之黏著力A。
放射線硬化後之黏著力B較佳為0.01~1.0 N/25 mm。
此處，近年來，於黏著帶之剝離時有時進行例如50℃左右之加溫，於此情形時，較佳為於剝離時之溫度亦滿足上述範圍。
藉由將放射線硬化後之黏著力B設為0.01~1.5 N/25 mm，可降低黏著劑於半導體晶圓表面之殘存、或將半導體晶圓表面之凸塊剝離之風險。若放射線硬化後之黏著力B超過1.5 N/25 mm，則無法獲得此種效果。反之，若未達0.01 N/25 mm，則於剝離前表面保護用黏著帶隆起，根據情形而存在表面保護用黏著帶發生捲曲，產生剝離失誤之可能性。
如此，藉由將放射線硬化後之黏著力B設為0.01~1.5 N/25 mm，而具有於半導體晶圓剝離時抑制半導體晶圓之破損及黏著劑殘留之效果。
關於本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶，上述所測定之放射線硬化前之黏著力A於25℃為1.5~20 N/25 mm。
若放射線硬化前之黏著力A未達1.5 N/25 mm，則對半導體晶圓表面凹凸之密接性降低，存在發生半導體晶圓研削時之灰塵侵入或黏著帶自半導體晶圓表面之隆起的可能性，反之，若超過20 N/25 mm，則由於密接性過強，故而於放射線硬化中亦難以使黏著力降低，若加強放射線硬化，則因其硬化收縮使投錨效應增大。
於本發明中，放射線硬化前之黏著力A較佳為1.5~15 N/25 mm，更佳為2~15 N/25 mm，進而較佳為2~10 N/25 mm。又，放射線硬化 後之黏著力B較佳為0.01~1.0 N/25 mm，更佳為0.05~1.0 N/25 mm，進而較佳為0.1~1.0 N/25 mm。
<黏附力>
於本發明中，就貼合至半導體晶圓上時之作業性，放射線硬化前之黏附力C較佳為50~600 kPa，更佳為100~300 kPa。又，放射線硬化後之黏附力D較佳為3~100 kPa。
硬化收縮值S可藉由下述方式適當調節黏著劑組成物之分子量、添加劑之種類或量、放射線硬化型黏著劑層之厚度等而使之處於本發明之範圍內。
以下，對滿足上述硬化收縮值、黏著力、黏附力之半導體晶圓表面保護用黏著帶的各構成要素進行詳細說明。
<基材膜>
基材膜較佳為由樹脂膜構成者，可使用公知之塑膠、橡膠等。例如可列舉：聚烯烴(polyolefin)樹脂[聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚1-丁烯、聚-4-甲基-1-戊烯等聚烯烴(polyalkene)樹脂，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物等乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物，乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、離子聚合物等之α-烯烴之均聚物或共聚物、或該等之混合物]、聚酯樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯)、聚碳酸酯樹脂、聚胺酯樹脂、工程塑膠(聚甲基丙烯酸甲酯等)、合成橡膠類(苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物)、熱塑性彈性體(聚醯胺-多元醇共聚物等)、及該等之混合物。又，亦可使用將該等積層為多層而成者。
於本發明中，基材膜較佳為聚烯烴樹脂、其中較佳為乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜。
關於基材膜之厚度，就強伸度特性、表面保護帶之剝離性、 於貼合機中之切割性之觀點而言，若為聚乙烯或乙烯共聚物等具有柔軟性之基材，則宜為50~300μm，若為聚酯等具有剛性之基材，則宜為10~100μm。
於本發明中，基材膜之厚度較佳為50~300μm。
<中間層>
作為防止進行表面具有凹凸之半導體晶圓之背面研削時之研削灰塵侵入等的方法，可考慮使黏著帶追隨半導體晶圓之整個面之凹凸的方法、及使黏著帶僅密接於半導體晶圓周邊部的方法。於前一方法中，若使放射線硬化型之黏著劑具有追隨凹凸之功能，則需要與半導體晶圓表面之凹凸同等或其以上之黏著劑厚度，因此硬化收縮變大而成為剝離不良之原因。另一方面，若將黏著劑層之厚度變薄，而以1層之基材膜追隨凹凸，則需要使其成為儲存模數未達1×106 Pa的低彈性之基材膜，若使用此種低彈性之膜，則有背面研削後之變薄之半導體晶圓之平坦保持力變差、及黏著帶之製造性變差之虞。
於本發明中，為了解決此種問題，較佳為於基材膜與放射線硬化型黏著劑層之間具有有凹凸追隨性之中間層。
此處，中間層係於基材膜與放射線硬化型黏著劑層之間所具有之層，該中間層可僅為樹脂層或樹脂膜(非黏著性之樹脂層或樹脂膜)，亦可為放射線非硬化型之黏著劑層。又，亦可具有複數個中間層。
於中間層為樹脂層或樹脂膜之情形時，可使用公知之樹脂膜。又，於中間層為放射線非硬化型之黏著劑層之情形時，可使用先前之放射線非硬化型之黏著劑層。
於本發明中，為了實現凹凸追隨性，較佳為中間層之儲存模 數為1×104 ~1×106 Pa，進而較佳為3×104 ~5×105 Pa。若儲存模數為1×104 Pa以下，則由於剛性過低，故而存在成為因外層之紫外線硬化型黏著劑之硬化收縮而變得易於嵌入半導體晶圓中，或凝集力不足而發生糊劑殘留等之原因的可能性，若儲存模數為1×106 Pa以上，則對半導體晶圓之凹凸追隨性不充分。為了提高半導體晶圓與黏著帶之密接性等，有時於黏著帶之貼合時進行加熱。於此情形時，例如較佳為於60℃等加熱溫度成為上述儲存模數。
(放射線非硬化型黏著劑之中間層)
用作中間層之放射線非硬化型之黏著劑(黏著劑樹脂、基礎樹脂)例如可使用(甲基)丙烯酸系黏著劑。(甲基)丙烯酸系黏著劑可列舉由源自(甲基)丙烯酸酯單體或(甲基)丙烯酸酯單體及(甲基)丙烯酸之結構單元構成的(甲基)丙烯酸酯共聚物。此處，(甲基)丙烯酸酯單體例如可列舉(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、烷基之碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷基酯、醇部分具有羥基之(甲基)丙烯酸酯(例如丙烯酸羥基乙酯)。
除黏著成分以外之其他成分較佳為與黏著成分之相溶性良 好者，若為於黏著性上不會產生問題者，則可視需要調配黏著賦予劑、黏著調整劑、界面活性劑或其他改質劑等。又，亦可適宜地添加無機化合物填料。於本發明中，需要中間層為放射線非硬化型，但亦可於不對硬化收 縮造成影響之範圍內，以提高剝離性、提高凝集力、提高與中間層上之放射線硬化型黏著劑層之層間密接性等為目的，而添加少量(例如相對於中間層之上述黏著劑樹脂(基礎樹脂)100質量份為1~50質量份)放射線硬化型之低聚物等。
再者，由於將中間層設為放射線非硬化型之主要目的是抑制硬化收縮，故而即便中間層為放射線硬化型，亦可於貼合於半導體晶圓上之前使之放射線硬化，調整彈性模數及黏著物性而使用。
黏著劑組成物視需要可含有交聯劑。交聯劑係選自聚異氰酸 酯類、三聚氰胺-甲醛樹脂、及環氧樹脂中之化合物，可單獨使用或組合使用2種以上。藉由可與(甲基)丙烯酸系共聚物反應之交聯結構，可於塗佈黏著劑後提高黏著劑之凝集力。
聚異氰酸酯類並無特別限定，例如可列舉六亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯(isophorone diisocyanate)、4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、2,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、離胺酸三異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯(tolylene diisocyanate)、苯二亞甲基二異氰酸酯、4,4'-二苯醚二異氰酸酯、4,4'-[2,2-雙(4-苯氧基苯基)丙烷]二異氰酸酯等。可使用市售品Coronate L(日本聚氨酯股份有限公司製造)等。
又，三聚氰胺-甲醛樹脂可使用NIKALAC MX-45(三和化學股份有限公司製造)、Melan(日立化成工業股份有限公司製造)等。
進而，環氧樹脂可使用TETRAD-X(三菱化學股份有限公司製造)等。
交聯劑之添加量相對於上述黏著劑樹脂(基礎樹脂)100質 量份較佳為0.1~20質量份，可根據黏著劑樹脂(基礎樹脂)之可與交聯劑反應之官能基(例如羥基、羧基、胺基、巰基)之數量，又，為了獲得所需之黏著物性及彈性模數，而適當地調整其量。若添加量未達0.1質量份，則有凝集力提高效果不充分之傾向，若超過20質量份，則有於黏著劑之調配及塗佈作業中硬化反應急速地進行，而形成交聯結構之傾向，因此有損害作業性之虞。為了設為上述儲存模數，交聯劑之添加量較佳為0.1~5質量份。
中間層可藉由將上述黏著劑組成物塗佈於基材膜上並乾 燥，或將其塗佈於下述剝離膜上，使之乾燥並轉印至基材膜上而形成。又，亦可藉由與設置於中間層上之放射線硬化型黏著劑層一併積層、塗佈並使之乾燥之方法而形成，該方法於提高中間層與放射線硬化型黏著劑層間之層間密接性及作業之效率化之方面有用。
(樹脂層或樹脂膜之中間層)
中間層亦可為樹脂層或樹脂膜。樹脂層或樹脂膜為單純之樹脂層或樹脂膜，由於並非以黏著為目的者，故而較佳為非黏著性。
此種樹脂層或樹脂膜例如可列舉聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物之類的乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、離子聚合物等之α-烯烴之均聚物或共聚物、或該等之混合物。亦可具有2層以上之該等樹脂層或樹脂膜。
中間層中所使用之樹脂層或樹脂膜就製造性及彈性模數之易調整性方面而言，較佳為使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，若乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中 之乙酸乙烯酯之含有率為20~50質量%，則於儲存模數、耐熱性、及製造操作之方面適宜。
樹脂層或樹脂膜之積層方法若為不對樹脂層或樹脂膜之厚度精度、及該樹脂層或樹脂膜中之缺陷造成影響之範圍內，則並無特別限定，例如可列舉藉由共擠壓之製膜或藉由接著劑之貼合等。
對於設置放射線硬化型黏著劑層(或具有複數個中間層之情 形時為放射線非硬化型黏著劑層)之側的樹脂層或樹脂膜表面上，為了提高與放射線硬化型黏著劑層(或具有複數個中間層之情形時為放射線非硬化型黏著劑層)之密接性，亦可適當地實施電暈處理或設置底塗層等處理。
中間層之厚度較佳為30~500μm，進而較佳為80~300μm。
<放射線硬化型黏著劑層>
關於本發明，於基材膜上、較佳為中間層上，具有至少1層之藉由放射線照射而硬化且黏著力降低之放射線硬化型黏著劑層。此處，至少1層之放射線硬化型黏著劑層於貼合時與半導體晶圓面接觸。
構成放射線硬化型黏著劑層之黏著劑組成物只要為於將黏 著劑層貼合於表面具有凹凸之晶圓時追隨該凹凸，並且硬化收縮值較小者，則無特別限定，但主成分之聚合物(黏著劑基礎樹脂)較佳為(甲基)丙烯酸樹脂。藉由使用(甲基)丙烯酸樹脂作為主成分之聚合物，黏著力之控制變得容易，可控制彈性模數等，因此可減少半導體晶圓被有機物污染、或於半導體晶圓表面保護用黏著帶之剝離後黏著劑殘存於半導體晶圓的情況。
構成黏著劑層之黏著劑組成物並無特別限定，但較佳為於背 面研削步驟時不會導致晶圓破裂，且具有圖案表面不會因研削時之灰塵侵入而被污染之程度的密接性者。隨著半導體晶圓之薄厚化亦存在因黏著劑之放射線硬化收縮而導致晶圓破裂之危險，因此宜為放射線硬化後之收縮較小者、因加熱步驟而產生之氣體較少者、即便經過加熱步驟後藉由放射線照射亦使黏著力充分降低者。
為了藉由放射線之照射進行硬化，黏著劑基礎樹脂等樹脂具 有乙烯性不飽和基(非芳香族性之碳-碳雙鍵)，或對黏著劑基礎樹脂併用具有乙烯性不飽和基之化合物。
於本發明中，具有乙烯性不飽和基之黏著劑基礎樹脂等樹脂較佳為使用側鏈具有乙烯性不飽和基之樹脂。藉由使乙烯性不飽和基固定於黏著劑基礎樹脂等之側鏈，可容易地抑制由乙烯性不飽和基之放射線交聯點間之距離收縮所引起之硬化收縮。
於對黏著劑基礎樹脂併用具有乙烯性不飽和基之化合物之情形時，為了抑制硬化收縮，如實施例所示，可列舉使乙烯性不飽和基之官能基數減少至例如5官能以下，及使添加之量不過量而適當地(例如相對於黏著劑基礎樹脂100質量份為50~100質量份)添加等。
又，較佳為黏著劑組成物中含有光聚合起始劑，較佳為為了調整放射線硬化後之收縮而含有交聯劑。
(具有乙烯性不飽和基之樹脂)
具有乙烯性不飽和基之樹脂可為任意者，較佳為(甲基)丙烯酸樹脂。
作為樹脂中所含有之雙鍵之量的指標之碘值較佳為0.5~20。該碘值更佳為0.8~10。若碘值為0.5以上，則可獲得放射線照射後之黏著力之降低 效果，若碘值為20以下，則可防止過度之放射線硬化，可抑制硬化收縮。藉由調整雙鍵之量，尤其可調整放射線硬化後之黏著力。
又，關於具有乙烯性不飽和基之樹脂，玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-70℃~0℃。若玻璃轉移溫度(Tg)為-70℃以上，則對於放射線照射等所產生之熱的耐熱性增加。
具有乙烯性不飽和基之樹脂為藉由任何方式製造者均可，但較佳為使側鏈具有官能基(α)之(甲基)丙烯酸樹脂、與具有乙烯性不飽和基及與上述樹脂中之官能基(α)反應之官能基(β)的化合物反應，而於(甲基)丙烯酸樹脂之側鏈上導入乙烯性不飽和基之方法。
乙烯性不飽和基為任何基均可，較佳為(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯氧基、(甲基)丙烯醯胺基、烯丙基、1-丙烯基、乙烯基(包括苯乙烯或取代苯乙烯)，更佳為(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯氧基。
作為與官能基(α)反應之官能基(β)，可列舉羧基、羥基、胺基、巰基、環狀酸酐基、環氧基、異氰酸酯基等。
此處，於官能基(α)與官能基(β)中之一個官能基為羧基、羥基、胺基、巰基、或環狀酸酐基之情形時，另一個官能基可列舉環氧基、異氰酸酯基，於一個官能基為環狀酸酐基之情形時，另一個官能基可列舉羧基、羥基、胺基、巰基。再者，於一個官能基為環氧基之情形時，另一個官能基亦可為環氧基。
側鏈具有官能基(α)之(甲基)丙烯酸樹脂可藉由使具有官能基(α)之(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸或(甲基)丙烯醯胺聚合而獲得。
作為官能基(α)，可列舉羧基、羥基、胺基、巰基、環狀酸酐基、環 氧基、異氰酸酯基等，較佳為羧基、羥基，尤佳為羥基。
此種單體可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、反 丁烯二酸、鄰苯二甲酸、丙烯酸2-羥基烷基酯類、甲基丙烯酸2-羥基烷基酯類、二醇單丙烯酸酯類、二醇單甲基丙烯酸酯類、N-羥甲基丙烯醯胺、N-羥甲基甲基丙烯醯胺、烯丙醇、丙烯酸N-烷基胺基乙酯類、甲基丙烯酸N-烷基胺基乙酯類、丙烯醯胺類、甲基丙烯醯胺類、順丁烯二酸酐、衣康酸酐、反丁烯二酸酐、鄰苯二甲酸酐、丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚、利用具有羥基或羧基及放射線硬化性碳-碳雙鍵之單體將聚異氰酸酯化合物之一部分異氰酸酯基進行胺酯化而成者等。
於該等之中，較佳為丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羥基烷基酯類、甲基丙烯酸2-羥基烷基酯類、丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯，更佳為丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羥基烷基酯類、甲基丙烯酸2-羥基烷基酯類，進而較佳為丙烯酸2-羥基烷基酯類、甲基丙烯酸2-羥基烷基酯類。
具有乙烯性不飽和基之樹脂、尤其是具有乙烯性不飽和基之 樹脂較佳為上述單體與(甲基)丙烯酸酯等其他單體之共聚物。
(甲基)丙烯酸酯可列舉丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正戊酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸己酯、及該等所對應之甲基丙烯酸酯。
(甲基)丙烯酸酯可為1種，亦可為2種以上，較佳為併用醇部分之碳數 為5以下者與碳數為6~12者。
具有乙烯性不飽和基之樹脂較佳為除(甲基)丙烯酸酯以外，進而共聚合(甲基)丙烯酸而成者。
關於上述(甲基)丙烯酸樹脂，例如如日本特開2003-82307號 公報中所記載，可將以(甲基)丙烯酸烷基酯作為主成分之單體混合物、含有自由基聚合性官能基且乙烯或環氧丙烷之平均加成莫耳數為15以下之非離子陰離子系反應性乳化劑、及藉由利用氧化還原系聚合起始劑所進行之乳化聚合而獲得之(甲基)丙烯酸酯乳液系聚合物作為主成分。
又，可使用以(甲基)丙烯酸酯乳液系聚合物作為主成分，使 作為主單體之(甲基)丙烯酸烷基酯與視需要之可與該等主單體共聚合之其他單體乳化聚合而獲得的聚合物。
具有乙烯性不飽和基之樹脂、尤其是具有乙烯性不飽和基之 樹脂之聚合反應可為溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合中之任意者。
於使側鏈具有官能基(α)之(甲基)丙烯酸樹脂與具有乙烯性不飽和基及與上述樹脂中之官能基(α)反應之官能基(β)的化合物反應之情形時，藉由使一方過量進行反應，殘留未反應之官能基，而可調整為所需之黏著物性及彈性模數。
藉由溶液聚合而進行之情形時之有機溶劑可使用酮系、酯 系、醇系、芳香族系之有機溶劑，其中較佳為甲苯、乙酸乙酯、異丙醇、苯甲基賽路蘇、乙基賽路蘇、丙酮、甲基乙基酮等一般為(甲基)丙烯酸系聚合物之良溶劑且沸點為60~120℃之溶劑，若為乳化聚合，則較佳為使用水 或與水混合之水溶性溶劑，且使用界面活性劑。
聚合起始劑通常使用α,α'-偶氮二異丁腈等偶氮系、過氧化苯甲醯等有機過氧化物系等之自由基產生劑。此時，視需要可併用觸媒、聚合抑制劑，藉由調節聚合溫度及聚合時間，可獲得所需分子量之樹脂。又，關於調節分子量，較佳為使用硫醇系或四氯化碳系之溶劑。
具有乙烯性不飽和基之樹脂之質量平均分子量較佳為20萬~150萬左右，更佳為70萬~120萬。藉由形成如此分子量較大之高分子，可在不過度地提高放射線硬化之交聯密度的情況下保持凝集力，因此於抑制硬化收縮方面有優勢。又，藉由減少低分子量成分，可抑制半導體晶圓表面污染，例如較佳為將分子量為10萬以下之分子設為整體之10%以下等。若分子量超過150萬，則有於合成時及塗佈時發生凝膠化之可能性。再者，若具有乙烯性不飽和基之樹脂之羥值為5~100 mgKOH/g，則因放射線照射後之黏著力減少，可進一步降低膠帶剝離不良之危險性，因此較佳。
對具有乙烯性不飽和基及與官能基(α)反應之官能基(β)的化合物進行說明。
乙烯性不飽和基較佳為上文所說明之基，較佳之範圍亦相同。
與官能基(α)反應之官能基(β)可列舉上文所說明之基。作為官能基(β)，尤佳為異氰酸酯基。
具有乙烯性不飽和基及與官能基(α)反應之官能基(β)的化合物可列舉具有官能基(α)之單體之化合物、醇部分具有異氰酸酯基之(甲基)丙烯酸酯，較佳為醇部分具有異氰酸酯基之(甲基)丙烯酸酯。醇部分具有異氰酸酯基之(甲基)丙烯酸酯較佳為於醇部分之末端具有異氰酸 酯基者，較佳為除醇部分之異氰酸酯基以外之碳數為2~8、較佳為醇部為直鏈烷基者。醇部分具有異氰酸酯基之(甲基)丙烯酸酯例如可較佳地列舉丙烯酸2-異氰酸基乙酯、甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯。
(交聯劑)
交聯劑較佳為聚異氰酸酯類、三聚氰胺-甲醛樹脂或具有2個以上之環氧基的環氧化合物，尤佳為聚異氰酸酯類。
交聯劑可單獨使用或組合使用2種以上。交聯劑藉由使樹脂聚合物進行交聯，可於黏著劑塗佈後提高黏著劑之凝集力。又，藉由調整其添加量，尤其可調整放射線交聯前之黏著力。
聚異氰酸酯類例如可列舉六亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲 基-六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、2,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、離胺酸三異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯、4,4'-二苯醚二異氰酸酯、4,4'-[2,2-雙(4-苯氧基苯基)丙烷]二異氰酸酯等，具體而言，作為市售品，可使用Coronate L(日本聚氨酯股份有限公司製造)等。
關於三聚氰胺-甲醛樹脂，作為市售品，可使用NIKALAC MX-45(三和化學股份有限公司製造)、Melan(日立化成工業股份有限公司製造)等。並且，環氧樹脂可使用TETRAD-X(三菱化學股份有限公司製造)等。
交聯劑之添加量相對於具有乙烯性不飽和基之樹脂100質 量份較佳為0.1~20質量份，進而較佳為1.0~10質量份，根據具有乙烯性不飽和基之樹脂之官能基數，又，為了獲得所需之黏著物性及彈性模數， 而適當地調整其量。若交聯劑之量未達0.1質量份，則有凝集力提高效果不充分之傾向，若超過20質量份，則有於黏著劑之調配及塗佈作業中硬化反應急速地進行，而形成交聯結構之傾向，因此有損害作業性之虞。藉由利用交聯劑使其交聯，可防止由放射線硬化引起之急遽之交聯，且可抑制硬化收縮。
(光聚合起始劑)
於放射線硬化型黏著劑層，視需要可包含光聚合起始劑。光聚合起始劑若為藉由透射基材之放射線而反應者，則無特別限定，可使用先前已知者。例如可列舉二苯基酮、4,4'-二甲胺基二苯基酮、4,4'-二乙胺基二苯基酮、4,4'-二氯二苯基酮等二苯基酮類，苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮類，2-乙基蒽醌、第三丁基蒽醌等蒽醌類，2-氯-9-氧硫、安息香乙醚、安息香異丙醚、苯偶醯(benzil)、2,4,5-三芳基咪唑二聚物(咯吩二聚物)、吖啶系化合物、醯基氧化膦類等，該等可單獨使用或組合使用2種以上。
光聚合起始劑之添加量相對於具有乙烯性不飽和基之樹脂100質量份較佳為0.1~10質量份，更佳為0.5~5質量份，更佳為0.5~3質量份。若光聚合起始劑之添加量較多，則由於放射線硬化在多處急遽地發生，故而硬化收縮增大，因此與先前之放射線硬化型之表面保護用黏著帶相比，減少光聚合起始劑之量亦於抑制硬化收縮之方面有用。
(其他添加物)
於放射線硬化型黏著劑層中，視需要可調配黏著賦予劑、黏著調整劑、界面活性劑等、或其他改質劑等。又，亦可適當地添加無機化合物填料。
放射線硬化型黏著劑層可藉由將放射線硬化型黏著劑組成 物塗佈於基材膜上(設置有中間層之情形時為中間層上)並使之乾燥，或將其塗佈於下述剝離膜上，使其乾燥並轉印至基材膜(設置有中間層之情形時為中間層上)而形成。
藉由具有放射線硬化型黏著劑層，自半導體晶圓之剝離變輕，對於發揮該效果，有一定以上之厚度即可，若變得過厚，則硬化收縮增大，故而欠佳。具體而言，放射線硬化型黏著劑層之厚度為1~30μm，更佳為5~20μm。放射線硬化型黏著劑層亦可為積層複數層放射線硬化型黏著劑層而成之構成。
於本發明中，較佳為半導體晶圓表面保護用黏著帶之具有放射線硬化型黏著劑層之側之基材膜上之層的合計厚度為於保護之半導體晶圓之貼合面側之表面存在的凹凸之頂部之高度與底部之高度的最大差以上，更佳為該最大差之120%以上。
即，於具有中間層之情形時，較佳為加上中間層及放射線硬 化型黏著劑層之合計厚度為於加工之半導體晶圓面存在的凹凸之頂部之高度與底部之高度的最大差以上，更佳為該最大差之120%以上。
再者，本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶係用在於所貼合之半導體晶圓之貼合面側之表面存在的凹凸之頂部之高度與底部之高度的最大差為10~300μm之半導體晶圓，進而較佳為用於該最大差為80~200μm之半導體晶圓。
(剝離膜)
剝離膜亦稱為隔離膜或剝離層、剝離襯墊，係基於保護放射線硬化型黏著劑層之目的，又，基於使放射線硬化型黏著劑變得平滑之目的，視需 要而設置。作為剝離膜之構成材料，可列舉聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等之合成樹脂膜或紙等。對於剝離膜之表面，為了提高自放射線硬化型黏著劑層之剝離性，視需要亦可實施聚矽氧處理、長鏈烷基處理、氟處理等剝離處理。又，視需要亦可為了不使黏著劑層因環境紫外線而發生反應，而實施抗紫外線處理。剝離膜之厚度通常為10~100μm，較佳為25~50μm左右。
<<半導體晶圓之製造方法>>
於本發明中之半導體晶圓之製造方法中，包括利用半導體晶圓表面保護用黏著帶保護半導體晶圓之晶圓表面，並對該晶圓之背面進行研削而加工半導體晶圓之步驟。
本發明之半導體晶圓係使用於貼合半導體晶圓表面保護用黏著帶之半導體晶圓之貼合面側之表面存在的凹凸之頂部之高度與底部之高度的最大差為10~300μm之半導體晶圓。
關於保護半導體晶圓之晶圓表面時使用之半導體晶圓表面保護用黏著帶之具有放射線硬化型黏著劑層之側之基材膜上之層的合計厚度，較佳為根據所保護之半導體晶圓之表面凹凸之高低度，而使用半導體晶圓表面保護用黏著帶，並且使用合計厚度為於半導體晶圓之貼合面側之表面存在的凹凸之頂部之高度與底部之高度之最大差以上的表面保護用黏著帶。
如此，可藉由如下方式應對：事先對所保護之半導體晶圓之 表面凹凸進行調查，調整表面保護用黏著帶之具有放射線硬化型黏著劑層之側之基材膜上之層的合計厚度，或預先製作複數個不同厚度之表面保護用黏著帶並自該等中選擇並使用。
考慮半導體晶圓表面保護用黏著帶與所保護之半導體晶圓之表面凹凸的關係而使用半導體晶圓表面保護用黏著帶，除此以外，可應用通常之半導體晶圓之製造步驟。
具體而言，首先於半導體晶圓之電路圖案面(表面)，以放 射線硬化型黏著劑層成為貼合面之方式貼合本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶。其次，將半導體晶圓之無電路圖案之面側研削至半導體晶圓之厚度成為特定厚度、例如10~200μm。其後，以貼合有該半導體晶圓表面保護用黏著帶之面為下側並載置於加熱吸附台，於此狀態，亦可於半導體晶圓之無電路圖案之經研削之面側貼合切晶-黏晶膜。其後，於半導體晶圓表面保護用黏著帶之基材膜之背面，接著熱密封型(熱融接型)或黏著型之剝離帶，並自半導體晶圓剝離半導體晶圓表面保護用黏著帶。
[實施例]
以下，基於實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。
藉由下述方式製備黏著劑組成物，使用以下方法製作半導體晶圓表面保護用黏著帶，並對其性能進行評價。
[黏著劑組成物之製備]
[黏著劑組成物2A]
相對於由丙烯酸2-乙基己酯80質量份、丙烯酸2-羥基乙酯19質量份、甲基丙烯酸1質量份所構成之共聚物100質量份，添加作為聚異氰酸酯之Coronate L(日本聚氨酯股份有限公司製造)0.5質量份並混合，獲得黏著劑組成物2A。測定儲存模數，結果為4×104 Pa。
[黏著劑組成物2B]
相對於由丙烯酸2-乙基己酯85質量份、丙烯酸2-羥基乙酯14質量份、甲基丙烯酸1質量份所構成之共聚物100質量份，使作為放射線反應基之異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯10質量份進行反應，添加作為聚異氰酸酯之Coronate L 0.3質量份、作為光聚合起始劑之SPEEDCURE BKL 5.0質量份並混合，獲得黏著劑組成物2B。測定儲存模數，結果為3×104 Pa。
[黏著劑組成物2C]
將Coronate L(日本聚氨酯股份有限公司製造)之調配量變更為0.3質量份，除此以外，以與2A相同之方法獲得黏著劑組成物2C。測定儲存模數，結果為3×104 Pa。
[黏著劑組成物2D]
將Coronate L(日本聚氨酯股份有限公司製造)變更為1.0質量份、SPEEDCURE BKL變更為2.0質量份，除此以外，以與2B相同之方法獲得黏著劑組成物2D。測定儲存模數，結果為6×104 Pa。
[黏著劑組成物2E]
相對於由丙烯酸2-乙基己酯69質量份、丙烯酸2-羥基乙酯20質量份、甲基丙烯酸甲酯10質量份、甲基丙烯酸1質量份所構成之共聚物100質量份，使作為放射線反應基之異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯10質量份進行反應，添加作為聚異氰酸酯之Coronate L(日本聚氨酯股份有限公司製造)1.0質量份、作為光聚合起始劑之SPEEDCURE BKL 3.0質量份並混合，獲得黏著劑組成物2E。測定儲存模數，結果為4×104 Pa。
[黏著劑組成物2F]
相對於由丙烯酸2-乙基己酯80質量份、丙烯酸2-羥基乙酯19質量份、甲基丙烯酸1質量份所構成之共聚物100質量份，添加5官能之丙烯酸胺基甲酸酯低聚物70質量份、作為聚異氰酸酯之Coronate L(日本聚氨酯股份有限公司製造)3.0質量份、作為光聚合起始劑之SPEEDCURE BKL 3.0質量份並混合，獲得黏著劑組成物2F。測定儲存模數，結果為5×104 Pa。
[黏著劑組成物2G]
相對於由丙烯酸2-乙基己酯85質量份、丙烯酸2-羥基乙酯14質量份、甲基丙烯酸1質量份所構成之共聚物100質量份，添加5官能之丙烯酸胺基甲酸酯低聚物100質量份、作為聚異氰酸酯之Coronate L(日本聚氨酯股份有限公司製造)2.0質量份、作為光聚合起始劑之SPEEDCURE BKL 3.0質量份並混合，獲得黏著劑組成物2G。測定儲存模數，結果為4×104 Pa。
[黏著劑組成物2H]
相對於由丙烯酸2-乙基己酯60質量份、丙烯酸2-羥基乙酯20質量份、丙烯酸丁酯17質量份、甲基丙烯酸3質量份所構成之共聚物100質量份，添加6官能之丙烯酸胺基甲酸酯低聚物100質量份、作為聚異氰酸酯之Coronate L(日本聚氨酯股份有限公司製造)3.0質量份、作為光聚合起始劑之SPEEDCURE BKL 5.0質量份並混合，獲得黏著劑組成物2H。測定儲存模數，結果為4×104 Pa。
[黏著劑組成物2I]
相對於由丙烯酸2-乙基己酯60質量份、丙烯酸2-羥基乙酯20質量份、丙烯酸丁酯15質量份、甲基丙烯酸5質量份所構成之共聚物100質量份，添加6官能之丙烯酸胺基甲酸酯低聚物70質量份、作為聚異氰酸酯之 Coronate L(日本聚氨酯股份有限公司製造)2.0質量份、作為光聚合起始劑之SPEEDCURE BKL 5.0質量份並混合，獲得黏著劑組成物2I。測定儲存模數，結果為4×104 Pa。
[黏著劑組成物2J]
將Coronate L(日本聚氨酯股份有限公司製造)之調配量變更為2.0質量份，除此以外，以與2B相同之方法獲得黏著劑組成物2J。測定儲存模數，結果為8×104 Pa。
此處，儲存模數係藉由以下方式測定。
[儲存模數]
儲存模數係使用動態黏彈性測定裝置(例如為TA Instruments公司製造之ARES)，以頻率0.6 rad/sec進行測定。溫度係自0升溫至100℃，確認25℃及60℃之儲存模數之值。再者，實施例中表示60℃之值。
於樣品為黏著劑組成物之情形時，係使用將塗佈於經脫模處理之隔離膜上並乾燥之黏著劑積層約2 mm之厚度，並將其衝壓為顆粒狀者。於樣品為樹脂層之情形時，於經脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET，polyethylene terephthalate)膜上將樹脂層製成膜，自以50 mm×50 mm之方式切出者剝離PET膜，重疊至成為約2 mm之厚度為止，於加熱爐中以150℃實施3小時加熱後，衝壓為顆粒狀，製成樣品。
[放射線硬化性半導體晶圓表面保護用黏著帶之製作]
<實施例1>
於厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之隔離膜上，以乾燥後之膜厚成為95μm之方式塗佈黏著劑組成物2A作為中間層，並使之乾燥 後，與厚度為200μm之由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜構成之基材膜貼合。進而，於厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之隔離膜上，以乾燥後之膜厚成為5μm之方式塗佈黏著劑組成物2D，使之乾燥後，與已剝離隔離膜之中間層面貼合，獲得厚度為300μm之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<實施例2>
於厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之隔離膜上，以乾燥後之膜厚成為90μm之方式塗佈黏著劑組成物2A作為中間層，使之乾燥後，與厚度為200μm之由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜構成之基材膜貼合。進而，於厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之隔離膜上，以乾燥後之膜厚成為30μm之方式塗佈黏著劑組成物2E，使之乾燥後，與已剝離隔離膜之中間層面貼合，獲得厚度為320μm之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<實施例3>
藉由共擠出製膜，製作聚丙烯樹脂(PP)50μm與60℃之儲存模數為9×104 Pa之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)150μm的積層基材膜(合計厚度為200μm)。於厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之隔離膜上，以乾燥後之膜厚成為20μm之方式塗佈黏著劑組成物2F，使之乾燥後，與上述積層基材膜之EVA膜面貼合，獲得厚度為220μm之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<實施例4>
藉由共擠出製膜，製作低密度聚乙烯(LDPE)50μm與60℃之儲存模 數為1×105 Pa之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)200μm的積層基材膜(合計厚度為250μm)。於厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之隔離膜上，以乾燥後之膜厚成為10μm之方式塗佈黏著劑組成物2D，使之乾燥後，與上述積層基材膜之EVA膜面貼合，獲得厚度為260μm之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<實施例5>
於厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之隔離膜上，以乾燥後之膜厚成為30μm之方式塗佈黏著劑組成物2G，使之乾燥後，與厚度為100μm之由低密度聚乙烯(LDPE)膜構成之基材膜貼合，獲得厚度為130μm之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<比較例1>
使用黏著劑組成物2B代替2A作為中間層，除此以外，以與實施例1相同之方法獲得半導體晶圓保護用黏著帶。
<比較例2>
於厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之隔離膜上，以乾燥後之膜厚成為60μm之方式塗佈黏著劑組成物2H，使之乾燥後，與厚度為200μm之由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜構成之基材膜貼合。進而，於厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之隔離膜上，以乾燥後之膜厚成為60μm之方式塗佈黏著劑組成物2H，使之乾燥後，於將隔離膜剝離後，與之前塗佈、乾燥之2H面貼合，獲得厚度為320μm之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<比較例3>
於厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之隔離膜上，以乾燥後之膜厚成為90μm之方式塗佈黏著劑組成物2C作為中間層，使之乾燥後，與厚度為100μm之由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜構成之基材膜貼合。進而，於厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之隔離膜上，以乾燥後之膜厚成為30μm之方式塗佈黏著劑組成物2I，使之乾燥後，與已剝離隔離膜之中間層面貼合，獲得厚度為220μm之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<比較例4>
於厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之隔離膜上，以乾燥後之膜厚成為30μm之方式塗佈黏著劑組成物2J，使之乾燥後，與厚度為100μm之由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜構成之基材膜貼合，獲得厚度為130μm之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
對如此製作之各半導體晶圓加工用黏著帶之黏著力及黏附力進行測定。
[黏著力]
自半導體晶圓加工用黏著帶切出寬度25 mm、長度300 mm之試片。於利用JIS R 6253中規定之第280號水砂紙而進行最後加工之JIS G 4305中規定之厚度為1.5 mm的不鏽鋼(Steel Use Stainless，SUS)板上，將2 kg之橡膠輥來回3次而將上述試片壓接，放置1小時後，使用測定值為其容量之15~85%之範圍內之適合JIS B 7721之Instron公司製造的拉力試驗機(雙柱桌上型5567)，測定放射線照射前之黏著力A。同樣地，對壓接黏著帶後經過1小時者自黏著帶貼合面之基材膜背面照射1000 mJ/cm2 (照度為40 mW/cm2 )之紫外線，放置1小時後，測定放射線照射後之黏著力B。測定係藉由180°剝離法，於拉伸速度為300 mm/min、25℃、相對濕度為50%之條件下進行，分別對各黏著帶實施3次，求出其平均值，並將其作為黏著力。
[黏附力]
自半導體晶圓加工用黏著帶切出寬度25 mm、長度150 mm作為試片。使用黏性試驗機(商品名：TACII，力世科(RHESCA)製造)，於半導體晶圓表面所貼合之黏著劑層側，將3 mm φ圓柱狀探針以30 mm/min之速度壓入，將以停止荷重100 gf保持1秒後，以600 mm/min之速度提拉時的峰荷重作為放射線照射前之黏附力C。於試片切出後，自基材膜背面照射1000 mJ/cm2 之紫外線(照度為40 mW/cm2 )並放置1小時，將所獲得者作為試片，以同樣之方法獲得放射線照射後之黏附力D。測定係於25℃、相對濕度為50%之條件下進行，於各黏著帶之各試片上測定不同之5點，求出其平均值，並將其作為黏附力。
[性能評價]
對實施例1~5、比較例1~4之各半導體晶圓加工用黏著帶進行下述評價。
(晶圓研削後之晶圓背面狀態)
使用日東精機股份有限公司製造之DR8500II(商品名)作為貼合機，於表面具有高度為100μm之凸塊的直徑為8吋之半導體晶圓，以貼合溫度60℃貼合半導體晶圓加工用黏著帶。其後，使用DISCO股份有限公司製造之DFG8760(商品名)，每次將2片附有凸塊之半導體晶圓研削加工至75μm 之厚度，以目視實施半導體晶圓背面之觀察。關於半導體晶圓背面狀態之評價，將2片半導體晶圓中未產生一處破損或小凹坑者作為良品表示為AA，將未產生破損但部分性地產生較薄之小凹坑者作為良品表示為A，將2片半導體晶圓中均破損或於半導體晶圓上全面性地產生小凹坑者作為不良品表示為C。又，對研削後之自晶圓外周部的切削水滲入進行調查。將未見滲入者設為A，將可見滲入者設為C。
(黏著劑殘存評價)
對研削後之半導體晶圓照射1000 mJ/cm2 之紫外線，使用Lintec股份有限公司製造之RAD2700(商品名)於剝離溫度25℃進行剝離。於剝離後以目視觀察半導體晶圓之破損及黏著劑殘留。將2片半導體晶圓中均未產生一處破損及黏著劑殘留者作為良品表示為A，將只要有1片產生1處以上之破損或黏著劑殘留者作為不良品表示為C。
如表1所示，於硬化收縮值S為0.3~1.8，且滿足放射線照射前之黏著力A為1.5~20 N/25 mm，放射線照射後之黏著力B為0.01~1.5 N/25 mm之實施例1~5中，於研削時良好地密接於半導體晶圓，防止研削水之滲入，又，未產生半導體晶圓加工用黏著帶剝離後之對半導體晶圓表面的黏著劑殘留及半導體晶圓之破損。另一方面，如表1所示，於硬化收縮值S較大之比較例1、2、3中，由於該硬化收縮S較大，而主要於凸塊之接合部中確認有糊劑殘留。又，於放射線照射前之黏著力A較低之比較例4中，雖然未產生糊劑殘留，但由於密接性不足而確認有由研削水滲入所導致之對半導體晶圓表面的污染。
如此，關於本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶，即便為表面具有凹凸之半導體晶圓，因放射線硬化之硬化收縮亦較小，於剝離時不會產生半導體晶圓之破損及黏著劑殘留。
雖然將本發明與其實施態樣一併進行了說明，但只要我等未特別指定，則於說明之任何細節部分均非意在限定我等之發明，應當在不背離隨附之申請專利範圍所示之發明之精神與範圍之情況下被廣泛地解釋。
本申請案係主張基於2012年7月6日在日本提出專利申請之日本特願2012-153087之優先權者，該等於本文中作為參照，其內容作為本說明書之記載之一部分而併入本文。

Claims (6)

  1. 一種半導體晶圓表面保護用黏著帶，其係貼合於半導體晶圓並於背面研削時使用者，且於基材膜上具有至少1層之放射線硬化型黏著劑層，下述硬化收縮值S為0.3~1.8，對於不鏽鋼研削面之放射線照射前之黏著力A為1.5~20 N/25 mm，且放射線照射後之黏著力B為0.01~1.5 N/25 mm，於上述半導體晶圓之半導體晶圓表面保護用黏著帶之貼合面側之表面存在的凹凸之頂部之高度與底部之高度的最大差為10~300μm，且上述放射線硬化型黏著劑層之厚度為1~30μm，硬化收縮值S={(B/A)/(D/C)}(上式中，A表示對於不鏽鋼研削面之放射線照射前之黏著力，B表示對於不鏽鋼研削面之放射線照射後之黏著力，C表示黏著帶面之放射線照射前之黏附力，D表示黏著帶面之放射線照射後之黏附力)。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中於上述基材膜與上述放射線硬化型黏著劑層之間，具有於25℃或60℃之儲存模數為1×104 ~1×106 Pa的放射線非硬化型黏著劑層或由樹脂構成之中間層。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中於具有上述放射線硬化型黏著劑層之側之基材膜上存在的層之合計厚度為於上述半導體晶圓面存在的凹凸之頂部之高度與底部之高度的上述最大差以上。
  4. 一種半導體晶圓之製造方法，其包含利用基材膜上具有黏著劑層之表面保護用黏著帶保護半導體晶圓之晶圓表面，並對該晶圓之背面進行研削 而加工半導體晶圓之步驟者，且表面保護用黏著帶於基材膜上具有至少1層之放射線硬化型黏著劑層，下述硬化收縮值S為0.3~1.8，對於不鏽鋼研削面之放射線照射前之黏著力A為1.5~20 N/25 mm，且放射線照射後之黏著力B為0.01~1.5 N/25 mm，於上述半導體晶圓之半導體晶圓表面保護用黏著帶之貼合面側之表面存在的凹凸之頂部之高度與底部之高度的最大差為10~300μm，上述放射線硬化型黏著劑層之厚度為1~30μm，硬化收縮值S={(B/A)/(D/C)}(上式中，A表示對於不鏽鋼研削面之放射線照射前之黏著力，B表示對於不鏽鋼研削面之放射線照射後之黏著力，℃表示黏著帶面之放射線照射前之黏附力，D表示黏著帶面之放射線照射後之黏附力)。
  5. 如申請專利範圍第4項之半導體晶圓之製造方法，其中上述表面保護用黏著帶於上述基材膜與上述放射線硬化型黏著劑層之間，具有於25℃或60℃之儲存模數為1×104 ~1×106 Pa的放射線非硬化型黏著劑層或由樹脂構成之中間層。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項之半導體晶圓之製造方法，其中於具有上述放射線硬化型黏著劑層之側之基材膜上存在的層之合計厚度為於上述半導體晶圓面存在的凹凸之頂部之高度與底部之高度的上述最大差以上。
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