WO2020032175A1 - 端子保護用テープ及び電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法 - Google Patents

端子保護用テープ及び電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法 Download PDF

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沙也香 坂東
明徳 佐藤
康喜 中石
岡本 直也
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Definitions

  • the present invention relates to a terminal protecting tape and a method for manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic wave shielding film using the same.
  • Priority is claimed on Japanese Patent Application No. 2018-149699, filed on August 8, 2018, the content of which is incorporated herein by reference.
  • a semiconductor device having a plurality of electronic components is used as a semiconductor device including eutectic solder, high-temperature solder, gold, etc.
  • An electrode on which a convex electrode hereinafter, referred to as a “terminal” in the present specification is formed is used. Then, a mounting method is adopted in which the terminals are brought into face-to-face contact with corresponding terminal portions on the chip mounting board, and fusion / diffusion bonding is performed.
  • Patent Document 1 In response to such measures against heat and noise, for example, as disclosed in Patent Document 1, a method is employed in which an electronic component module is covered with a conductive material to form a shield layer.
  • a shield layer is formed by heating and curing a conductive resin applied to a top surface and side surfaces of an individualized electronic component module.
  • a method of forming a shield layer by covering a semiconductor device with terminals with a conductive material methods such as sputtering, ion plating, and spray coating are also known.
  • a conductive resin is applied to the external terminal electrodes provided on the back surface of the collective substrate while being embedded in the adhesive sheet. Since the masking portion is provided at a predetermined position of the adhesive sheet, it is possible to prevent the external terminal electrode and the electromagnetic wave shielding film from being electrically short-circuited.
  • the external terminal electrode cannot be kept sufficiently embedded in the adhesive sheet, and the external terminal electrode and the electromagnetic wave shielding film may be electrically short-circuited. is there. Further, providing a masking portion at a predetermined position on the adhesive sheet is complicated in the process.
  • the present invention is directed to a terminal protecting tape used in a process of forming an electromagnetic wave shielding film on a terminal-equipped semiconductor device, in which even a terminal electrode having irregularities such as solder balls and easily floating is embedded. It is an object of the present invention to provide a terminal protecting tape capable of performing the above-mentioned, and a method for manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic wave shielding film using the same.
  • the present invention provides the following terminal protecting tape and a method of manufacturing a semiconductor device with an electromagnetic wave shielding film using the same.
  • a terminal protecting tape used in a step of forming an electromagnetic wave shielding film on a semiconductor device with terminals, Having a viscoelastic layer A terminal protection tape, wherein the value of tan ⁇ at 50 ° C. in the dynamic viscoelasticity measurement of the viscoelastic layer is 0.2 or more, and the thickness of the viscoelastic layer is 80 to 800 ⁇ m.
  • the storage elastic modulus G ′ (50 ° C.) (MPa) of the viscoelastic layer at 50 ° C., the height h0 ( ⁇ m) of the terminal, and the thickness d1 ( ⁇ m) of the viscoelastic layer are: The terminal protection tape according to the above [1], which satisfies the following expressions (1) and (2). 0.01 MPa ⁇ G ′ (50 ° C.) ⁇ 15 MPa (1) 1.2 ⁇ d1 / h0 ⁇ 5.0 (2) [3] The terminal protection tape according to the above [1] or [2], wherein the storage elastic modulus G ′ (25 ° C.) (MPa) at 25 ° C.
  • a method for manufacturing a semiconductor device with an electromagnetic wave shielding film comprising: [8] A step of embedding terminals of the semiconductor device assembly with terminals in the viscoelastic layer of the terminal protection tape according to any one of [1] to [6]; Dicing the semiconductor device assembly with terminals to form the semiconductor device assembly with terminals as a semiconductor device with terminals in which terminals are embedded in a viscoelastic layer of the terminal protection tape; Forming an electromagnetic wave shielding film on an exposed surface of the terminal-equipped semiconductor device that is not embedded in the viscoelastic layer of the terminal protection tape;
  • a method for manufacturing a semiconductor device with an electromagnetic wave shielding film comprising:
  • a terminal protection tape used in a process of forming an electromagnetic wave shielding film on a terminal-equipped semiconductor device, wherein the terminal protection tape is capable of being embedded even when a terminal electrode such as a solder ball is likely to float. And a method for manufacturing a semiconductor device with an electromagnetic wave shielding film using the same.
  • FIG. 1 is a sectional view schematically showing one embodiment of the terminal protecting tape of the present invention.
  • the main portions may be enlarged, and the dimensional ratios and the like of the respective components may be the same as actual ones. Is not always the case.
  • the terminal protection tape 1 shown in FIG. 1 is a terminal protection tape 1 used in a process of forming an electromagnetic wave shielding film on a terminal-equipped semiconductor device, and includes a viscoelastic layer 12 composed of an embedding layer 13 and an adhesive layer 14. Have.
  • the value of tan ⁇ at 50 ° C. is 0.2 or more, and the thickness of the viscoelastic layer 12 is 80 to 800 ⁇ m.
  • the terminal protection tape of the present embodiment may include a release film 21 on the outermost layer on the side of the buried layer 13 of the viscoelastic layer 12, and the adhesive layer 14 of the viscoelastic layer 12 A release film 20 may be provided on the outermost layer on the side of.
  • the terminal protection tape of the present embodiment is not limited to the tape shown in FIG. 1, and a part of the tape shown in FIG. 1 is changed, deleted, or added within a range that does not impair the effects of the present invention. It may be something.
  • the terminal protection tape 1 shown in FIG. 1 is obtained by peeling off both of the release films 20 and 21, placing the film on a support, and pressing the terminal-equipped semiconductor device from above onto the terminal side.
  • the terminal can be embedded in the viscoelastic layer 12 and further used for forming an electromagnetic wave shielding film thereon.
  • the value of tan ⁇ at 50 ° C. is 0.2 or more and the thickness of the viscoelastic layer 12 is 80 to 800 ⁇ m.
  • Even a terminal electrode having irregularities such as a solder ball and easily floating can be embedded, and the terminal forming surface of the target terminal-equipped semiconductor device can be embedded in the viscoelastic layer 12.
  • the terminal protection tape of the present embodiment may have a configuration having an adhesive layer 14, an embedding layer 13, and a base material 11 in this order.
  • a release film 20 may be provided on the outermost layer of the viscoelastic layer 12 on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 14.
  • the terminal protection tape 2 shown in FIG. 2 is obtained by peeling the release film 20 and pressing the semiconductor device with terminals against the viscoelastic layer 12 on the base material 11 as a support with the terminals facing down.
  • the terminal can be embedded in the viscoelastic layer 12 and further used to form an electromagnetic wave shielding film thereon.
  • the thickness of the viscoelastic layer 12 is 80 to 800 ⁇ m.
  • a terminal electrode having irregularities such as a solder ball and easily floating can be embedded, and the terminal forming surface of the target terminal-equipped semiconductor device can be embedded in the viscoelastic layer 12.
  • the terminal protection tape of the present embodiment has a configuration having an adhesive layer 14, an embedding layer 13, and a base material 11 in this order.
  • a release film 20 may be provided on the outermost layer of the elastic layer 12 on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 14, and a second layer for bonding to a support is provided on the side of the substrate 11 opposite to the viscoelastic layer 12. It may be provided with the pressure-sensitive adhesive layer 15 (that is, a bonded pressure-sensitive adhesive layer), or may be a double-sided tape having a release film 22 on the outermost layer on the side of the second pressure-sensitive adhesive layer 15.
  • the attached semiconductor device can be used in a process of pressing the terminal side down to bury the terminal in the viscoelastic layer 12 and further form an electromagnetic wave shielding film thereon.
  • the value of tan ⁇ at 50 ° C. is 0.2 or more and the thickness of the viscoelastic layer 12 is 80 to 800 ⁇ m.
  • even a terminal electrode that is likely to float, such as a solder ball, can be embedded, and the terminal formation surface of the target semiconductor device with a terminal can be in close contact with the viscoelastic layer 12. .
  • the viscoelastic layer is used to protect the terminal forming surface (in other words, the circuit surface) of the terminal-equipped semiconductor device and the terminals provided on the terminal forming surface.
  • the value of tan ⁇ at 50 ° C. is 0.2 or more, and the thickness of the viscoelastic layer is 80 to 800 ⁇ m.
  • the value of tan ⁇ at 50 ° C. is 0.2 or more, and the thickness of the viscoelastic layer is 80 to 800 ⁇ m. It is possible to embed even a terminal electrode of various shapes and sizes, such as a ball, which is likely to float.
  • the viscoelastic layer preferably has an embedding layer and an adhesive layer. Since the viscoelastic layer has the embedded layer and the pressure-sensitive adhesive layer, the above-mentioned preferable dynamic viscoelasticity can be easily obtained, and also, a suitable adhesiveness can be provided to the terminal forming surface and the terminal. Can be.
  • tan ⁇ of the viscoelastic layer at 50 ° C.” can be obtained by dividing the loss elastic modulus G ”(50 ° C.) of the viscoelastic layer at 50 ° C. by the storage elastic modulus G ′ (50 ° C.).
  • the “tan ⁇ of the viscoelastic layer at 25 ° C.” described later can be obtained by dividing the loss elastic modulus G ”of the viscoelastic layer at 25 ° C. (25 ° C.) by the storage elastic modulus G ′ (25 ° C.).
  • the “loss elastic modulus G” and the “storage elastic modulus G ′” of the viscoelastic layer are obtained by measuring the viscoelastic layer with a shear viscosity measuring device at a frequency of 1 Hz and a heating rate of 10 ° C./min. Under the measurement conditions described above, the temperature can be increased from room temperature to 100 ° C. for measurement.
  • the value of tan ⁇ at 50 ° C. needs to be 0.2 or more, preferably 0.3 or more, more preferably 0.5 or more. .
  • the value of tan ⁇ at 50 ° C. is equal to or more than the lower limit, the followability to the terminal electrode and the fluidity of the viscoelastic layer can be ensured, so that the embedding property of the terminal electrode (hereinafter also referred to as embedding property) is improved.
  • the value of tan ⁇ at 50 ° C. can be 3.5 or less, can be 3.0 or less, and can be 2.5 or less.
  • the upper and lower limits of tan ⁇ at 50 ° C. can be arbitrarily combined.
  • tan ⁇ at 50 ° C. is preferably 0.2 or more and 3.5 or less, more preferably 0.3 or more and 3.0 or less, and even more preferably 0.5 or more and 2.5 or less. .
  • the thickness of the viscoelastic layer needs to be 80 to 800 ⁇ m, preferably 100 to 790 ⁇ m, and more preferably 130 to 780 ⁇ m.
  • the thickness of the viscoelastic layer is equal to or more than the lower limit, even a terminal electrode that is likely to float such as a solder ball can be embedded.
  • the thickness of the buried layer is equal to or less than the upper limit, the terminal protection tape is prevented from being excessively thick.
  • the “thickness of the viscoelastic layer” means the thickness of the entire viscoelastic layer, and the thickness of the viscoelastic layer composed of a plurality of embedded layers and pressure-sensitive adhesive layers is Means the total thickness of
  • the “layer thickness” is measured using a constant-pressure thickness measuring device according to JIS K77130 as a value represented by an average of thicknesses measured at five locations selected at random. be able to.
  • the storage elastic modulus G ′ (50 ° C.) (MPa) at 50 ° C. of the viscoelastic layer satisfies the following expression (1). 0.01 MPa ⁇ G ′ (50 ° C.) ⁇ 15 MPa (1)
  • G ′ (50 ° C.) is preferably 0.01 to 15 MPa, more preferably 0.02 to 12.5 MPa, and even more preferably 0.03 to 10 MPa.
  • the thickness d1 ( ⁇ m) of the viscoelastic layer and the height h0 ( ⁇ m) of the terminal satisfy the following expression (2). 1.2 ⁇ d1 / h0 ⁇ 5.0 (2)
  • d1 / h0 is preferably 1.2 to 5.0, more preferably 1.3 to 5.0, and even more preferably 1.4 to 5.0.
  • the storage elastic modulus G ′ (25 ° C.) (MPa) of the viscoelastic layer at 25 ° C. preferably satisfies the following expression (3). 0.05 MPa ⁇ G ′ (25 ° C.) ⁇ 20 MPa (3)
  • G ′ (25 ° C.) is preferably 0.05 to 20 MPa, more preferably 0.06 to 15 MPa, and even more preferably 0.07 to 10 MPa.
  • the value of tan ⁇ at 25 ° C. may be from 0.10 to 1.4, preferably from 0.20 to 1.0, and more preferably from 0.30 to 0.1. 8 is more preferable.
  • the terminal forming surface of the semiconductor device with terminals When the terminal forming surface of the semiconductor device with terminals is in close contact with the viscoelastic layer 12, it is preferable that the terminal forming surface of the semiconductor device with terminals be in direct contact with the adhesive layer 14 of the viscoelastic layer 12.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 14 is preferably set to be harder than the buried layer 13 in order to prevent the terminal formation surface and the terminal from remaining on the terminal.
  • the buried layer is a layer of the viscoelastic layer that embeds and protects the terminals of the semiconductor device with terminals.
  • the burying layer is in the form of a sheet or a film, and its constituent material is not particularly limited as long as it satisfies the above-mentioned relationship.
  • sheet-like or film-like means a thin film-like material having small in-plane thickness variation and flexibility.
  • the purpose is to suppress deformation of the viscoelastic layer by reflecting the shape of the terminal present on the semiconductor surface in the viscoelastic layer covering the terminal forming surface of the semiconductor device with terminals to be protected.
  • urethane (meth) acrylate resin, acrylic resin, or the like may be used as a preferable constituent material of the burying layer, since the sticking property of the burying layer is further improved.
  • the buried layer may be only one layer (single layer), or may be two or more layers. When there are plural layers, these layers may be the same or different from each other. Not limited. In the present specification, not only the case of a buried layer but also “a plurality of layers may be the same or different from each other” means “all layers may be the same or all layers may be different. May mean that only some of the layers may be the same, "and" the plurality of layers are different from each other "means that at least one of the constituent materials and the thickness of each layer is different from each other. Means
  • the thickness of the buried layer can be appropriately adjusted according to the height of the terminals on the terminal formation surface of the terminal-equipped semiconductor device to be protected within a range where the thickness of the viscoelastic layer is 80 to 800 ⁇ m.
  • the thickness is preferably from 50 to 600 ⁇ m, more preferably from 70 to 550 ⁇ m, particularly preferably from 80 to 500 ⁇ m, from the viewpoint that the influence of a high terminal can be easily absorbed.
  • the thickness of the buried layer is equal to or larger than the lower limit, a viscoelastic layer having higher terminal protection performance can be formed.
  • productivity and suitability for winding in a roll shape are improved.
  • “the thickness of the buried layer” means the thickness of the entire buried layer.
  • the thickness of the buried layer composed of a plurality of layers means the total thickness of all the layers constituting the buried layer. means.
  • the buried layer preferably has a soft property suitable for embedding the terminal, and is preferably softer than the adhesive layer.
  • the buried layer can be formed using a buried layer forming composition containing the constituent material.
  • a burying layer can be formed at a target site by applying a burying layer forming composition on a surface to be formed with a burying layer, drying the composition as needed, and curing the composition by irradiation with energy rays.
  • the composition for forming an embedding layer is applied to a release film, dried if necessary, and cured by irradiation with energy rays, so that an embedding layer having a target thickness can be formed, and a target portion can be formed.
  • the buried layer can be transferred.
  • the content ratio of components that do not vaporize at room temperature is usually the same as the content ratio of the components in the embedded layer.
  • the “normal temperature” means a temperature at which cooling or heating is not particularly performed, that is, a normal temperature, for example, a temperature of 15 to 30 ° C. or the like.
  • the coating of the composition for forming an embedded layer may be performed by a known method, for example, an air knife coater, a blade coater, a bar coater, a gravure coater, a roll coater, a roll knife coater, a curtain coater, a die coater, a knife coater, Examples include a method using various coaters such as a screen coater, a Meyer bar coater, and a kiss coater.
  • the conditions for drying the composition for forming an embedded layer are not particularly limited. However, when the composition for forming an embedded layer contains a solvent described below, it is preferable to dry by heating. In this case, for example, 70 to 130 ° C. For 10 seconds to 5 minutes. When the composition for forming a buried layer has energy ray curability, it is preferably cured by irradiation with energy rays.
  • the burying layer forming composition examples include a burying layer forming composition (I) containing an acrylic resin.
  • composition for forming embedded layer (I) contains an acrylic resin.
  • a composition containing the adhesive resin (1-2a) can be used as the composition (I) for forming an embedded layer.
  • the adhesive resin (I-1a) and the energy ray-curable compound used in the composition (I) for forming an embedded layer are the adhesive resin (I-1a) used in the first adhesive composition (I-1) described later.
  • the description is the same as that for the energy ray-curable compound.
  • the adhesive resin (I-2a) used in the composition (I) for forming an embedded layer is the same as the description of the adhesive resin (I-2a) used in the first adhesive composition (I-2) described later.
  • the composition (I) for forming an embedded layer preferably further contains a crosslinking agent.
  • the crosslinking agent used in the composition (I) for forming an embedded layer is the same as the description of the crosslinking agent used in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) and the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) described later.
  • the composition (I) for forming a buried layer may further contain a photopolymerization initiator and other additives.
  • the photopolymerization initiator and other additives used in the composition (I) for forming the buried layer are the same as those used in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) and the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) described later. This is the same as the description of the polymerization initiator and other additives.
  • the composition (I) for forming a buried layer may contain a solvent.
  • the solvent used in the burying layer forming composition (I) is the same as the solvent used in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) and the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) described later.
  • the embedded layer embeds the terminal. It can be designed to have soft properties suitable for Further, by adjusting the content of the crosslinking agent in the burying layer forming composition (I), the burying layer can be designed to have a soft property suitable for embedding the terminal.
  • composition for forming embedded layer such as the composition (I) for forming a buried layer is obtained by blending each component for constituting the composition.
  • the order of addition of each component is not particularly limited, and two or more components may be added simultaneously.
  • the solvent may be mixed with any of the components other than the solvent, and may be used by previously diluting the components, or may be used by diluting any of the components other than the solvent in advance. Alternatively, a solvent may be used by mixing with these components.
  • the method of mixing each component at the time of blending is not particularly limited, and a method of mixing by rotating a stirrer or a stirring blade; a method of mixing using a mixer; a method of mixing by adding ultrasonic waves, and the like. What is necessary is just to select suitably.
  • the temperature and time during addition and mixing of each component are not particularly limited as long as each component is not deteriorated, and may be appropriately adjusted, but the temperature is preferably 15 to 30 ° C.
  • the composition of the buried layer is obtained by removing the solvent from the above-mentioned composition (I) for forming a buried layer.
  • the embedment layer forming composition (I) includes an adhesive resin (I-1a), which is an acrylic resin, of the first adhesive composition (I-1) described below, an energy ray-curable compound,
  • the content ratio of the adhesive resin (I-1a) which is an acrylic resin to the total mass of the embedding layer (1) in the embedding layer (1) is 50 to 99% by mass. Is preferably 55 to 95% by mass, and more preferably 60 to 90% by mass.
  • the content ratio of the adhesive resin (I-1a), which is an acrylic resin, to the total mass of the embedding layer (1) may be 45 to 90% by mass, or 50 to 85% by mass. %. Further, the content ratio of the energy ray-curable compound to the total mass of the burying layer (1) is preferably 0.5 to 50% by mass, more preferably 5 to 45% by mass.
  • the content ratio of the crosslinking agent to the total mass of the embedding layer (1) is preferably from 0.1 to 10% by mass, and more preferably from 0.2 to 9% by mass. More preferably, it is more preferably 0.3 to 8% by mass.
  • the burying layer forming composition (I) contains an energy ray-curable adhesive resin (1-2a) having an unsaturated group introduced into a side chain of the acrylic resin (I-1a).
  • the content of the energy-ray-curable adhesive resin (1-2a) in which an unsaturated group is introduced into a side chain in the embedded layer (2) is 10 to 70 in the embedded layer (2). %, More preferably from 15 to 65% by mass, even more preferably from 20 to 60% by mass.
  • the embedding layer (2) contains a crosslinking agent
  • the content ratio of the crosslinking agent to the total mass of the embedding layer (2) is preferably from 0.1 to 10% by mass, and more preferably from 0.2 to 9% by mass. More preferably, it is more preferably 0.3 to 8% by mass.
  • the embedding layer (2) of the present embodiment may further contain the adhesive resin (I-1a) which is the acrylic resin.
  • the content ratio of the adhesive resin (I-1a), which is an acrylic resin, to the total mass of the embedding layer (2) is preferably from 45 to 95% by mass, and more preferably from 50 to 90% by mass. More preferably, the content is 55 to 85% by mass.
  • the content ratio of the adhesive resin (I-1a), which is an acrylic resin, to the total mass of the embedding layer (2) may be 25 to 80% by mass, It may be up to 75% by mass or 35 to 70% by mass.
  • the adhesive resin (1-2a) is used in an amount of 100 parts by mass.
  • the content of (1-1a) is preferably from 100 to 200 parts by mass, more preferably from 110 to 180 parts by mass, and still more preferably from 120 to 170 parts by mass.
  • Adhesive resin (I-1a) which is an acrylic resin contained in the buried layer (1), an energy ray-curable compound, and unsaturated in the side chain of the adhesive resin (I-1a) contained in the buried layer (2)
  • the composition and the like of the energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (1-2a) into which the group is introduced may be determined by the pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) which is an acrylic resin used in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) described later. ), An energy ray-curable compound, and an energy ray-curable adhesive resin (1-2a) in which an unsaturated group is introduced into a side chain of the adhesive resin (I-1a).
  • the embedding layer (2) containing the adhesive resin (1-2a), the adhesive resin (1-1a), and the crosslinking agent is preferable.
  • the adhesive resin (1-1a) is preferably an acrylic polymer having a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate and a unit derived from a carboxy group-containing monomer.
  • the adhesive resin (1-2a) has an isocyanate group and an energy beam polymerizable unsaturated group in an acrylic polymer having a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate and a unit derived from a hydroxyl group-containing monomer.
  • An acrylic polymer obtained by reacting an unsaturated group-containing compound is preferable.
  • the crosslinking agent compounds exemplified in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) described later can be used, and it is particularly preferable to use tolylene diisocyanate.
  • the content ratio of the structural unit derived from the alkyl (meth) acrylate to the total mass of the adhesive resin (1-1a) is preferably from 75 to 99% by mass, more preferably from 80 to 98% by mass. , 85 to 97% by mass. According to another aspect of the present invention, the content ratio of the structural unit derived from the alkyl (meth) acrylate to the total mass of the adhesive resin (1-1a) may be 70 to 95% by mass, or 80 to 95% by mass. May be.
  • the content ratio of the structural unit of the carboxy group-containing monomer to the total mass of the adhesive resin (1-1a) is preferably from 1.0 to 30% by mass, more preferably from 2.0 to 25% by mass. And more preferably 3.0 to 20% by mass.
  • the content ratio of the structural unit of the carboxy group-containing monomer to the total mass of the adhesive resin (1-1a) may be 3.0 to 20% by mass, or 5.0 to 15% by mass. May be.
  • the alkyl (meth) acrylate in the adhesive resin (1-1a) preferably has 4 to 12 carbon atoms, and more preferably 4 to 8 carbon atoms.
  • an alkyl acrylate is preferable.
  • the alkyl (meth) acrylate is particularly preferably n-butyl acrylate.
  • Examples of the carboxy-containing monomer in the adhesive resin (1-1a) include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids, ethylenically unsaturated dicarboxylic acids, and anhydrides of ethylenically unsaturated dicarboxylic acids. Saturated monocarboxylic acids are preferred, (meth) acrylic acid is more preferred, and acrylic acid is particularly preferred.
  • the weight average molecular weight of the pressure-sensitive adhesive resin (1-1a) of the present embodiment is preferably from 100,000 to 800,000, more preferably from 150,000 to 700,000, and from 200,000 to 600. More preferably, it is 2,000.
  • “weight average molecular weight” is a polystyrene conversion value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method, unless otherwise specified.
  • the content ratio of the structural unit derived from the alkyl (meth) acrylate to the total mass of the adhesive resin (1-2a) is preferably 1.0 to 95% by mass, and is 2.0 to 90% by mass. More preferably, the content is 3.0 to 85% by mass.
  • the content of the unit derived from the hydroxyl group-containing monomer with respect to the total mass of the adhesive resin (1-2a) is preferably from 1.0 to 50% by mass, more preferably from 2.0 to 45% by mass, More preferably, it is 3.0 to 40% by mass.
  • the alkyl (meth) acrylate in the adhesive resin (1-2a) preferably has an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 4.
  • the adhesive resin (1-2a) preferably has two or more types of structural units derived from an alkyl (meth) acrylate, and a structural unit derived from methyl (meth) acrylate and n-butyl (meth) acrylate. And more preferably a structural unit derived from methyl methacrylate and n-butyl acrylate.
  • the hydroxyl group-containing monomer in the adhesive resin (1-2a) those exemplified in the first adhesive composition (I-1) described later can be used, and 2-hydroxyethyl acrylate is used. Is particularly preferred.
  • the unsaturated group-containing compound having an isocyanate group and an energy-ray polymerizable unsaturated group the compounds exemplified in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) described below can be used, and 2-methacryloyloxyethyl It is particularly preferred to use isocyanates.
  • the amount of the unsaturated group-containing compound having an isocyanate group and an energy ray-polymerizable unsaturated group is preferably 10 to 150 mol, more preferably 20 to 140 mol. Preferably, it is more preferably from 30 to 130 mol.
  • the weight average molecular weight of the adhesive resin (1-2a) of the present embodiment is preferably from 10,000 to 500,000, more preferably from 20,000 to 400,000, and from 30,000 to 300. More preferably, it is 2,000.
  • the pressure-sensitive adhesive layer constituting the viscoelastic layer may be referred to as a “first pressure-sensitive adhesive layer” to be distinguished from a second pressure-sensitive adhesive layer to be attached to a support described later.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer has a sheet shape or a film shape and contains a pressure-sensitive adhesive.
  • the adhesive include an acrylic resin (an adhesive made of a resin having a (meth) acryloyl group), a urethane-based resin (an adhesive made of a resin having a urethane bond), and a rubber-based resin (a resin having a rubber structure).
  • Adhesives silicone resins (adhesives comprising a resin having a siloxane bond), epoxy resins (adhesives comprising a resin having an epoxy group), and adhesive resins such as polyvinyl ether and polycarbonate. Based resins are preferred.
  • the "adhesive resin” is a concept that includes both a resin having adhesiveness and a resin having adhesiveness. Resins that exhibit tackiness when used in combination with other components such as additives, and resins that exhibit adhesiveness due to the presence of a trigger such as heat or water are also included.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer may be only one layer (single layer), or may be two or more layers. In the case of a plurality of layers, the plurality of layers may be the same or different from each other. The combination is not particularly limited.
  • the thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer is preferably from 1 to 800 ⁇ m, more preferably from 2 to 100 ⁇ m, and particularly preferably from 8 to 20 ⁇ m.
  • the thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer means the thickness of the entire first pressure-sensitive adhesive layer.
  • the thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer including a plurality of layers is the first pressure-sensitive adhesive layer. Means the total thickness of all the layers constituting
  • the first pressure-sensitive adhesive layer may be formed using an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive, or may be formed using a non-energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer formed by using the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive can easily adjust physical properties before and after curing.
  • the “energy beam” means an electromagnetic wave or a charged particle beam having an energy quantum, and examples thereof include an ultraviolet ray and an electron beam.
  • the ultraviolet light can be emitted by using, for example, a high-pressure mercury lamp, a fusion H lamp, a xenon lamp, or the like as an ultraviolet light source.
  • the electron beam can be emitted from an electron beam generated by an electron beam accelerator or the like.
  • energy ray-curable means a property of being cured by irradiation with an energy ray
  • non-energy ray-curable means a property of not being cured even by irradiation of an energy ray.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer can be formed using a first pressure-sensitive adhesive composition containing a pressure-sensitive adhesive.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition is applied to the surface on which the first pressure-sensitive adhesive layer is to be formed and, if necessary, dried, so that the first pressure-sensitive adhesive layer can be formed at a target portion.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition is applied to the release film, and dried if necessary, whereby the first pressure-sensitive adhesive layer having a desired thickness can be formed. Can also be transcribed. A more specific method of forming the first pressure-sensitive adhesive layer will be described later in detail together with the method of forming the other layers.
  • the content ratio of components that do not vaporize at room temperature is usually the same as the content ratio of the components in the first pressure-sensitive adhesive layer.
  • “normal temperature” means a temperature at which cooling or heating is not particularly performed, that is, a normal temperature, for example, a temperature of 15 to 25 ° C.
  • the application of the first pressure-sensitive adhesive composition may be performed by a known method, for example, an air knife coater, a blade coater, a bar coater, a gravure coater, a roll coater, a roll knife coater, a curtain coater, a die coater, a knife coater, Examples include a method using various coaters such as a screen coater, a Meyer bar coater, and a kiss coater.
  • the drying condition of the first pressure-sensitive adhesive composition is not particularly limited. However, when the first pressure-sensitive adhesive composition contains a solvent described below, it is preferable to dry by heating. In this case, for example, 70 to 130 ° C. For 10 seconds to 5 minutes.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition containing the energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive includes, for example, a non-energy First pressure-sensitive adhesive composition containing a radiation-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) (hereinafter sometimes abbreviated as “pressure-sensitive resin (I-1a)”) and an energy-ray-curable compound (I-1):
  • An energy-ray-curable adhesive resin (I-2a) having an unsaturated group introduced into a side chain of the non-energy-ray-curable adhesive resin (I-1a) hereinafter referred to as “adhesive Resin (I-2a) "), comprising: a first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) containing the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) and an energy-ray-curable low-molecular compound.
  • First pressure-sensitive adhesive composition (I-1) contains the non-energy-ray-curable adhesive resin (I-1a) and the energy-ray-curable compound.
  • the adhesive resin (I-1a) is preferably an acrylic resin.
  • the acrylic resin include an acrylic polymer having at least a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate.
  • the structural unit of the acrylic resin may be only one type, or two or more types. When two or more types are used, their combination and ratio can be arbitrarily selected.
  • alkyl (meth) acrylate examples include those in which the alkyl group constituting the alkyl ester has 1 to 20 carbon atoms.
  • the alkyl group is linear or branched. Is preferred. More specifically, as the alkyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid n-butyl, isobutyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, n-octyl (
  • the acrylic polymer preferably has a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having 4 or more carbon atoms in the alkyl group.
  • the alkyl group preferably has 4 to 12 carbon atoms, and more preferably 4 to 8 carbon atoms, from the viewpoint of further improving the adhesive strength of the first pressure-sensitive adhesive layer.
  • the alkyl (meth) acrylate having 4 or more carbon atoms in the alkyl group is preferably an alkyl acrylate.
  • the acrylic polymer further has a constituent unit derived from a functional group-containing monomer in addition to the constituent unit derived from the alkyl (meth) acrylate.
  • a functional group-containing monomer for example, the functional group becomes a starting point of crosslinking by reacting with a crosslinking agent described below, or the functional group reacts with the unsaturated group in the unsaturated group-containing compound, Those which can introduce an unsaturated group into the side chain of the acrylic polymer are exemplified.
  • Examples of the functional group in the functional group-containing monomer include a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, and an epoxy group. That is, examples of the functional group-containing monomer include a hydroxyl group-containing monomer, a carboxy group-containing monomer, an amino group-containing monomer, and an epoxy group-containing monomer.
  • hydroxyl group-containing monomer examples include hydroxymethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth) Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as 2-hydroxybutyl acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate; non- (meth) acrylic resins such as vinyl alcohol and allyl alcohol; Saturated alcohols (that is, unsaturated alcohols having no (meth) acryloyl skeleton) and the like can be mentioned.
  • carboxy group-containing monomer examples include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids (monocarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond) such as (meth) acrylic acid and crotonic acid; fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, citracone Ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as acids (dicarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond); anhydrides of the above ethylenically unsaturated dicarboxylic acids; carboxyalkyl (meth) acrylates such as 2-carboxyethyl methacrylate and the like.
  • monocarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond such as (meth) acrylic acid and crotonic acid
  • fumaric acid, itaconic acid maleic acid, citracone
  • Ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as acids (dicarboxylic acids having
  • the functional group-containing monomer is preferably a hydroxyl group-containing monomer and a carboxy group-containing monomer, and more preferably a hydroxyl group-containing monomer.
  • the functional group-containing monomer constituting the acrylic polymer may be only one kind, two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the structural unit derived from the functional group-containing monomer is preferably from 1 to 35% by mass, more preferably from 3 to 32% by mass, based on the total amount of the structural unit. It is particularly preferred that the content is 5 to 30% by mass.
  • the acrylic polymer may have a constituent unit derived from another monomer in addition to the constituent unit derived from the alkyl (meth) acrylate and the constituent unit derived from the functional group-containing monomer.
  • the other monomer is not particularly limited as long as it is copolymerizable with an alkyl (meth) acrylate or the like. Examples of the other monomer include styrene, ⁇ -methylstyrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, acrylamide and the like.
  • the other monomer constituting the acrylic polymer may be only one kind, two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the acrylic polymer can be used as the non-energy radiation curable adhesive resin (I-1a).
  • the functional group in the acrylic polymer is reacted with an unsaturated group-containing compound having an energy ray polymerizable unsaturated group (energy ray polymerizable group)
  • the above-mentioned energy ray curable adhesive is used. It can be used as a resin (I-2a).
  • energy beam polymerizable means a property of being polymerized by irradiation with an energy beam.
  • the pressure-sensitive resin (I-1a) contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one kind, or two or more kinds, and when two or more kinds are used, their combination and ratio are You can choose any.
  • the content of the pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) is 5 to 99% by mass based on the total mass of the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1). Preferably, it is 10 to 95% by mass, more preferably 15 to 90% by mass.
  • Examples of the energy ray-curable compound contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) include a monomer or oligomer having an energy ray-polymerizable unsaturated group and curable by irradiation with energy rays.
  • monomers include, for example, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4 Poly (meth) acrylates such as -butylene glycol di (meth) acrylate and 1,6-hexanediol (meth) acrylate; urethane (meth) acrylate; polyester (meth) acrylate; polyether (meth) acrylate; epoxy ( (Meth) acrylate and the like.
  • examples of the oligomer include oligomers obtained by polymerizing the monomers exemplified above.
  • the energy ray-curable compound is preferably a urethane (meth) acrylate or a urethane (meth) acrylate oligomer in that the molecular weight is relatively large and the storage elastic modulus of the first pressure-sensitive adhesive layer is not easily reduced.
  • oligomer means a substance having a weight average molecular weight or formula weight of 5,000 or less.
  • the energy ray-curable compound contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one kind, or two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof are optional. You can choose.
  • the content of the energy ray-curable compound is 1 to 95% by mass based on the total mass of the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1). Is preferably 5 to 90% by mass, more preferably 10 to 85% by mass.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a crosslinking agent.
  • the crosslinking agent reacts with the functional group, for example, to crosslink the adhesive resins (I-1a).
  • the crosslinking agent include isocyanate-based crosslinking agents (crosslinking agents having an isocyanate group) such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, and adducts of these diisocyanates; epoxy-based crosslinking agents such as ethylene glycol glycidyl ether ( A crosslinker having a glycidyl group); an aziridine crosslinker such as hexa [1- (2-methyl) -aziridinyl] trifosphatriazine (a crosslinker having an aziridinyl group); a metal chelate crosslinker such as an aluminum chelate (metal Crosslinking agents having a chelate structure); isocyanurate crosslinking agents (crosslinking agents having an isocyanuric acid skeleton); The crosslink
  • the crosslinking agent contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one kind, two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the pressure-sensitive resin (I-1a). , More preferably 0.1 to 20 parts by mass, particularly preferably 1 to 10 parts by mass.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may further contain a photopolymerization initiator.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) containing a photopolymerization initiator sufficiently undergoes a curing reaction even when irradiated with a relatively low energy ray such as ultraviolet rays.
  • photopolymerization initiator examples include benzoin compounds such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate, and benzoin dimethyl ketal; acetophenone, 2-hydroxy Acetophenone compounds such as -2-methyl-1-phenyl-propan-1-one and 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one; bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine Acylphosphine oxide compounds such as oxide and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; sulfidation such as benzylphenyl sulfide and tetramethylthiuram monosulfide ⁇ -ketol compound such as 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; azo compound such
  • the photopolymerization initiator contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one kind, two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and the ratio thereof can be arbitrarily selected. .
  • the content of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the energy ray-curable compound. , 0.03 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.05 to 5 parts by mass.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may contain other additives that do not correspond to any of the above-mentioned components, as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the other additives include an antistatic agent, an antioxidant, a softener (plasticizer), a filler (filler), a rust inhibitor, a colorant (pigment, dye), a sensitizer, and a tackifier.
  • known additives such as a reaction retarder and a crosslinking accelerator (catalyst).
  • the reaction retarder is used for the purpose of the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) during storage, for example, by the action of a catalyst mixed in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • the other additives contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one kind, two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
  • the content of other additives is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may contain a solvent. Since the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) contains a solvent, the suitability for coating on the surface to be coated is improved.
  • the solvent is preferably an organic solvent.
  • organic solvent include ketones such as methyl ethyl ketone and acetone; esters such as ethyl acetate (carboxylic acid esters); ethers such as tetrahydrofuran and dioxane; cyclohexane and n-hexane.
  • ketones such as methyl ethyl ketone and acetone
  • esters such as ethyl acetate (carboxylic acid esters)
  • ethers such as tetrahydrofuran and dioxane
  • cyclohexane and n-hexane cyclohexane and n-hexane.
  • Aliphatic hydrocarbons aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene
  • alcohols such as 1-propanol and 2-propanol.
  • the solvent used in the production of the adhesive resin (I-1a) may be used as it is in the first adhesive composition (I-1) without removing it from the adhesive resin (I-1a).
  • a solvent of the same or different type as that used in the production of the pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) may be separately added during the production of the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • the solvent contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one kind, two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the solvent is not particularly limited, and may be appropriately adjusted.
  • First pressure-sensitive adhesive composition (I-2) has a non-energy radiation curable pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) having an energy-curable pressure-sensitive adhesive having an unsaturated group introduced into a side chain thereof. Contains resin (I-2a).
  • Adhesive resin (I-2a) The adhesive resin (I-2a) is obtained, for example, by reacting a functional group in the adhesive resin (I-1a) with an unsaturated group-containing compound having an energy-ray-polymerizable unsaturated group.
  • the unsaturated group-containing compound can bind to the adhesive resin (I-1a) by reacting with the functional group in the adhesive resin (I-1a) in addition to the energy ray polymerizable unsaturated group.
  • It is a compound having a group.
  • the energy ray polymerizable unsaturated group include a (meth) acryloyl group, a vinyl group (also referred to as an ethenyl group), an allyl group (also referred to as a 2-propenyl group), and the like, and a (meth) acryloyl group Is preferred.
  • Examples of the group capable of binding to a functional group in the adhesive resin (I-1a) include an isocyanate group and a glycidyl group capable of binding to a hydroxyl group or an amino group, and a hydroxyl group and amino group capable of binding to a carboxy group or an epoxy group. And the like.
  • the unsaturated group-containing compound examples include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, and glycidyl (meth) acrylate, and (meth) acryloyloxyethyl isocyanate is preferable, and among them, 2-methacryloyl Oxyethyl isocyanate is particularly preferred.
  • the isocyanate compound is capable of bonding to the hydroxyl group in the adhesive resin (I-1a). When the total hydroxyl group in the adhesive resin (I-1a) is 100 mol, the amount of the isocyanate compound used is 10%. It is preferably from 150 to 150 mol, more preferably from 20 to 140 mol, even more preferably from 30 to 130 mol.
  • the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be only one kind, or two or more kinds, and when two or more kinds are used, their combination and ratio are You can choose any.
  • the content of the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) is 5 to 99% by mass based on the total mass of the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2). Preferably, it is 10 to 95% by mass, more preferably 10 to 90% by mass.
  • the first adhesive composition Product (I-2) may further contain a crosslinking agent.
  • the same crosslinking agent as in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) can be used.
  • the crosslinking agent contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be only one kind, two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the pressure-sensitive resin (I-2a). , More preferably 0.1 to 20 parts by mass, particularly preferably 1 to 10 parts by mass.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may further contain a photopolymerization initiator.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) containing a photopolymerization initiator sufficiently undergoes a curing reaction even when irradiated with a relatively low energy ray such as ultraviolet rays.
  • the photopolymerization initiator in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be the same as the photopolymerization initiator in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • the photopolymerization initiator contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be only one kind, two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
  • the content of the photopolymerization initiator is 0.01 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the pressure-sensitive resin (I-2a). Is preferably 0.03 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.05 to 5 parts by mass.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may contain other additives that do not correspond to any of the above-mentioned components, as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Examples of the other additives in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) include the same as the other additives in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • the other additives contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be only one kind, two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
  • the content of other additives is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may contain a solvent for the same purpose as in the case of the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • Examples of the solvent in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) include the same solvents as those in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • the solvent contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be only one kind, two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the solvent is not particularly limited, and may be appropriately adjusted.
  • First pressure-sensitive adhesive composition (I-3) contains the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) and an energy-ray-curable low-molecular compound.
  • the content of the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) is 5 to 99% by mass based on the total mass of the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3). Preferably, it is 10 to 95% by mass, more preferably 15 to 90% by mass.
  • Examples of the energy ray-curable low molecular weight compound contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) include monomers and oligomers having an energy ray-polymerizable unsaturated group and curable by irradiation with energy rays. And the same energy ray-curable compound contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • the energy ray-curable low molecular weight compound contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be only one kind, or two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and the ratio thereof are as follows. You can choose any.
  • the content of the energy ray-curable low molecular weight compound is 0.01 to 300 parts by mass based on 100 parts by mass of the pressure-sensitive resin (I-2a). Parts by mass, more preferably 0.03 to 200 parts by mass, and particularly preferably 0.05 to 100 parts by mass.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may further contain a photopolymerization initiator.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) containing a photopolymerization initiator sufficiently undergoes a curing reaction even when irradiated with relatively low energy rays such as ultraviolet rays.
  • the photopolymerization initiator in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be the same as the photopolymerization initiator in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • the photopolymerization initiator contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be only one kind, two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
  • the content of the photopolymerization initiator was determined based on 100 parts by mass of the total content of the pressure-sensitive resin (I-2a) and the energy-ray-curable low-molecular compound. It is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.03 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.05 to 5 parts by mass.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may contain other additives that do not correspond to any of the above-mentioned components, as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Examples of the other additives include the same as the other additives in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • the other additives contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be only one kind, two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
  • the content of other additives in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may contain a solvent for the same purpose as in the case of the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • Examples of the solvent in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) include the same solvents as those in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • the solvent contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be only one kind, two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the solvent is not particularly limited, and may be appropriately adjusted.
  • First pressure-sensitive adhesive composition other than first pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) >> So far, the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2), and the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) have mainly been described. Described as the general first pressure-sensitive adhesive compositions other than these three first pressure-sensitive adhesive compositions (in the present embodiment, “first pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I- The first pressure-sensitive adhesive composition other than 3) may be used in the same manner.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition other than the first pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) includes, in addition to the energy-ray-curable first pressure-sensitive adhesive composition, a non-energy-ray-curable first pressure-sensitive adhesive.
  • An adhesive composition is also included.
  • the non-energy radiation-curable first pressure-sensitive adhesive composition include, for example, an acrylic resin (a resin having a (meth) acryloyl group), a urethane resin (a resin having a urethane bond), and a rubber resin (having a rubber structure).
  • Resin a resin containing an adhesive resin such as a silicone resin (a resin having a siloxane bond), an epoxy resin (a resin having an epoxy group), polyvinyl ether, or polycarbonate, and a resin containing an acrylic resin.
  • an adhesive resin such as a silicone resin (a resin having a siloxane bond), an epoxy resin (a resin having an epoxy group), polyvinyl ether, or polycarbonate, and a resin containing an acrylic resin.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition other than the first pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) preferably contains one or more crosslinking agents, and the content thereof is as described above. It can be the same as in the case of the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) and the like.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition such as the first pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) comprises a first pressure-sensitive adhesive such as the pressure-sensitive adhesive and, if necessary, a component other than the pressure-sensitive adhesive. It is obtained by blending each component for constituting the composition. The order of addition of each component is not particularly limited, and two or more components may be added simultaneously.
  • the solvent may be mixed with any of the components other than the solvent, and may be used by previously diluting the components, or may be used by diluting any of the components other than the solvent in advance. Alternatively, a solvent may be used by mixing with these components.
  • the method of mixing each component at the time of blending is not particularly limited, and a method of mixing by rotating a stirrer or a stirring blade; a method of mixing using a mixer; a method of mixing by adding ultrasonic waves, and the like. What is necessary is just to select suitably.
  • the temperature and time during addition and mixing of each component are not particularly limited as long as each component is not deteriorated, and may be appropriately adjusted, but the temperature is preferably 15 to 30 ° C.
  • composition of the first pressure-sensitive adhesive layer is obtained by removing the solvent from the above-described first pressure-sensitive adhesive layer composition.
  • the content of the pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) is preferably 50 to 99% by mass, more preferably 55 to 95% by mass, and still more preferably 60 to 90% by mass.
  • the content ratio of the adhesive resin (I-1a) to the total mass of the first adhesive layer (I-1) may be 25 to 80% by mass, It may be up to 75% by mass or 35 to 70% by mass. Further, the content ratio of the energy ray-curable compound to the total mass of the first pressure-sensitive adhesive layer (I-1) is preferably 1 to 50% by mass, more preferably 2 to 48% by mass, and 5 to 50% by mass. More preferably, it is 45 mass%. When the first pressure-sensitive adhesive layer (I-1) contains a crosslinking agent, the content ratio of the crosslinking agent to the total weight of the first pressure-sensitive adhesive layer (I-1) is preferably 0.1 to 10% by mass. , More preferably 0.2 to 9% by mass, even more preferably 0.3 to 8% by mass.
  • the content of the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) is preferably 50 to 99% by mass, more preferably 60 to 98% by mass, and still more preferably 70 to 97% by mass.
  • the content ratio of the cross-linking agent to the total mass of the first pressure-sensitive adhesive layer (I-2) may be 0.1 to 10% by mass. Preferably, it is 0.2 to 9% by mass, more preferably 0.3 to 8% by mass.
  • the content ratio of the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) is preferably 50 to 99% by mass, more preferably 55 to 95% by mass, and still more preferably 60 to 90% by mass. Further, the content ratio of the energy ray-curable low molecular weight compound to the total mass of the first pressure-sensitive adhesive layer (I-3) is preferably 1 to 50% by mass, more preferably 2 to 48% by mass. And more preferably 5 to 45% by mass.
  • the content ratio of the crosslinking agent to the total weight of the first pressure-sensitive adhesive layer (I-3) is preferably 0.1 to 10% by mass. , More preferably 0.2 to 9% by mass, even more preferably 0.3 to 8% by mass.
  • the first adhesive layer (I-2) contains an adhesive resin (1-2a) and a crosslinking agent.
  • the adhesive resin (1-2a) is obtained by adding an isocyanate group and an energy ray polymerizable unsaturated group to an acrylic polymer having a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate and a unit derived from a hydroxyl group-containing monomer. It is preferably an acrylic polymer obtained by reacting an unsaturated group-containing compound having the same.
  • the crosslinking agent the compounds exemplified in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) can be used, and it is particularly preferable to use tolylene diisocyanate.
  • the content ratio of the structural unit derived from the alkyl (meth) acrylate to the total mass of the adhesive resin (1-2a) is preferably from 50 to 99% by mass, more preferably from 60 to 98% by mass. , 70 to 97% by mass.
  • the content ratio of the unit derived from the hydroxyl group-containing monomer to the total mass of the adhesive resin (1-2a) is preferably 0.5 to 15% by mass, more preferably 1.0 to 10% by mass, More preferably, it is 2.0 to 10% by mass.
  • the alkyl (meth) acrylate in the adhesive resin (1-2a) preferably has an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 4.
  • the adhesive resin (1-2a) preferably has two or more types of structural units derived from an alkyl (meth) acrylate, and a structural unit derived from methyl (meth) acrylate and n-butyl (meth) acrylate. And more preferably a structural unit derived from methyl methacrylate and n-butyl acrylate.
  • the hydroxyl group-containing monomer in the adhesive resin (1-2a) those exemplified in the aforementioned first adhesive composition (I-1) can be used, and 2-hydroxyethyl acrylate is used. Is particularly preferred.
  • the unsaturated group-containing compound having an isocyanate group and an energy beam polymerizable unsaturated group the compounds exemplified in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) can be used, and 2-methacryloyloxyethyl isocyanate is used. It is particularly preferred to do so.
  • the amount of the unsaturated group-containing compound having an isocyanate group and an energy ray-polymerizable unsaturated group is preferably 20 to 80 mol, more preferably 25 to 75 mol. Preferably, it is more preferably 30 to 70 mol.
  • the substrate is in the form of a sheet or a film, and examples of its constituent materials include various resins.
  • the resin include polyethylene such as low-density polyethylene (also called LDPE), linear low-density polyethylene (also called LLDPE), and high-density polyethylene (also called HDPE); polypropylene, polybutene, polybutadiene, and polymethyl.
  • Polyolefins other than polyethylene such as pentene and norbornene resins; ethylene-vinyl acetate copolymer (also referred to as EVA), ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, ethylene- Ethylene copolymers such as norbornene copolymers (ie, copolymers obtained using ethylene as a monomer); vinyl chloride resins such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymers (ie, vinyl chloride as a monomer) Resin obtained using styrene); polystyrene Polycycloolefin; polyethylene terephthalate (also referred to as PET), polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene isophthalate, polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate, all aromatic units in which all structural units have an aromatic cyclic group Polyesters such as aromatic polyesters; Copo
  • the resin examples include a polymer alloy such as a mixture of the polyester and another resin.
  • the polymer alloy of the polyester and the other resin preferably has a relatively small amount of the resin other than the polyester.
  • the resin for example, a cross-linked resin obtained by cross-linking one or more of the above-listed resins; a modification of an ionomer or the like using one or more of the above-listed resins; Resins are also included.
  • (meth) acrylic acid is a concept including both “acrylic acid” and “methacrylic acid”.
  • (meth) acrylate is a concept that includes both “acrylate” and “methacrylate”
  • (meth) acryloyl group” Is a concept encompassing both an “acryloyl group” and a “methacryloyl group”.
  • the resin constituting the base material may be only one kind, or two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the base material may be only one layer (single layer), or may be two or more layers. In the case of a plurality of layers, the plurality of layers may be the same or different from each other. Not limited.
  • the thickness of the substrate is preferably from 5 to 1000 ⁇ m, more preferably from 10 to 500 ⁇ m, further preferably from 15 to 300 ⁇ m, and particularly preferably from 20 to 150 ⁇ m.
  • the thickness of the substrate means the thickness of the entire substrate, for example, the thickness of the substrate composed of a plurality of layers is the total thickness of all the layers constituting the substrate. means.
  • the base material has a high thickness accuracy, that is, a base material in which the thickness variation is suppressed regardless of the position.
  • a material that can be used to form such a base material having a high thickness accuracy include polyethylene, polyolefins other than polyethylene, polyethylene terephthalate, and ethylene-vinyl acetate copolymer ( EVA) and the like.
  • the base material contains known additives such as a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, an organic lubricant, a catalyst, and a softener (plasticizer) in addition to the main constituent materials such as the resin. You may.
  • the substrate may be transparent or opaque, may be colored according to the purpose, or may have another layer deposited.
  • the viscoelastic layer is energy ray-curable, the substrate preferably transmits energy rays.
  • the substrate can be manufactured by a known method.
  • a base material containing a resin can be manufactured by molding a resin composition containing the resin.
  • the release film may be one known in the art.
  • As the preferred release film for example, at least one surface of a resin film such as polyethylene terephthalate is subjected to release treatment by silicone treatment or the like; at least one surface of the film is a release surface composed of polyolefin. And the like.
  • the thickness of the release film is preferably the same as the thickness of the substrate.
  • the second pressure-sensitive adhesive layer (that is, the bonded pressure-sensitive adhesive layer) is a pressure-sensitive adhesive layer for bonding the terminal protecting tape of the present embodiment to a support.
  • the second pressure-sensitive adhesive layer may be known in the art, and may be appropriately selected from those described in the first pressure-sensitive adhesive layer according to the support.
  • the second pressure-sensitive adhesive composition for forming the second pressure-sensitive adhesive layer is the same as the first pressure-sensitive adhesive composition, and the method for producing the second pressure-sensitive adhesive composition is the same as the method for producing the first pressure-sensitive adhesive composition. Same as the method.
  • the terminal protection tape can be manufactured by sequentially laminating the above-described respective layers in a corresponding positional relationship.
  • the method for forming each layer is as described above.
  • the above-described composition for forming an embedded layer is applied on the release-treated surface of the release film, and dried if necessary, whereby the embedded layer is laminated.
  • the above-mentioned first pressure-sensitive adhesive composition is applied, and dried if necessary, whereby the first pressure-sensitive adhesive layer is laminated.
  • a terminal protection tape in which an embedding layer and a first pressure-sensitive adhesive layer are laminated on a substrate in this order in the thickness direction can be manufactured by the following method. For example, by peeling the release film on the side of the embedded layer of the terminal protection tape in which the above-mentioned release film, embedding layer, first pressure-sensitive adhesive layer, and release film are laminated in this order, and bonding this to the base material A terminal protection tape in which an embedding layer, a first pressure-sensitive adhesive layer, and a release film are laminated on a substrate in this order can be obtained. The release film may be removed when using the terminal protection tape.
  • the embedding layer is laminated on the base material by extruding the embedding layer forming composition on the base material.
  • the first pressure-sensitive adhesive composition is coated on the release-treated surface of the release film, and dried as necessary to laminate the first pressure-sensitive adhesive layer. Then, by bonding the first pressure-sensitive adhesive layer on the release film to the buried layer on the base material, the terminal protection tape in which the buried layer, the first pressure-sensitive adhesive layer, and the release film are laminated on the base material in this order Can be obtained.
  • the release film may be removed when using the terminal protection tape.
  • the terminal protection tape in the form of a double-sided tape in which the second pressure-sensitive adhesive layer, the base material, the embedding layer, and the first pressure-sensitive adhesive layer are laminated in this order in the thickness direction can be manufactured by the following method.
  • a terminal protecting tape is prepared in which the above-described embedded layer, first adhesive layer, and release film are laminated on the base material in this order.
  • the above-mentioned second pressure-sensitive adhesive composition is applied, and dried if necessary, whereby the second pressure-sensitive adhesive layer is laminated.
  • the release film, the second pressure-sensitive adhesive layer, the base material, the embedding layer, the first pressure-sensitive adhesive layer, and the release film can be obtained in this order.
  • the release film may be removed when using the terminal protection tape.
  • the terminal protection tape provided with other layers other than the above-described layers, in the above-described manufacturing method, such that the stacking position of the other layer is an appropriate position so that the stacking position of the other layer is an appropriate position. It can be manufactured by appropriately adding one or both of them.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a method of manufacturing a semiconductor device with an electromagnetic wave shielding film according to the present embodiment, in which a terminal protecting tape 3 having an adhesive layer 14, a buried layer 13, and a base material 11 in this order is illustrated.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device with an electromagnetic wave shielding film, which is performed by fixing the semiconductor device to a support 30 as shown in FIG.
  • the semiconductor device 65 with the terminal is placed on the viscoelastic layer 12 of the terminal protection tape with the terminal 91 side, that is, the terminal formation surface 63a of the circuit board 63 facing downward. Then, the terminal 91 is embedded in the viscoelastic layer 12. At this time, the viscoelastic layer 12 is brought into contact with the terminals 91 of the semiconductor device with terminals 65, and the semiconductor device with terminals 65 is pressed against the terminal protection tape. Thus, the outermost surface of the viscoelastic layer 12 on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 14 is sequentially pressed against the surface of the terminal 91 and the terminal forming surface 63 a of the circuit board 63.
  • the viscoelastic layer 12 is softened, spreads between the terminals 91 so as to cover the terminals 91, closely adheres to the terminal formation surface 63 a, and has a surface of the terminals 91, particularly a terminal.
  • the terminal 91 is embedded so as to cover the surface in the vicinity of the formation surface 63a.
  • a known method of pressing and attaching various sheets to an object can be applied, and examples thereof include a method using a laminating roller or a vacuum laminator.
  • the pressure at which the terminal-equipped semiconductor device 65 is pressure-bonded to the terminal protection tape is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 1.5 MPa, more preferably 0.3 to 1.3 MPa. .
  • the heating temperature is preferably from 30 to 70 ° C, more preferably from 35 to 65 ° C, and particularly preferably from 40 to 60 ° C. Further, it is preferable that the first pressure-sensitive adhesive layer 14 of the viscoelastic layer 12 is bonded to the terminal forming surface 63a.
  • the conductive resin 101 is applied to the exposed surface of the terminal-equipped semiconductor device 65 (FIG. 5C), and is further cured by heat to form the electromagnetic shielding film 10 made of a conductive material (FIG. 5D).
  • a method of forming the electromagnetic wave shielding film 10 by coating with a conductive material a method such as sputtering, ion plating, or spray coating can also be used.
  • the value of tan ⁇ at 50 ° C. is 0.2 or more and the thickness of the viscoelastic layer 12 is 80 to 800 ⁇ m.
  • a terminal electrode such as a solder ball, which is likely to float
  • the terminal forming surface 63a of the circuit board 63 is closely attached to the viscoelastic layer 12.
  • the semiconductor device with terminal 65 covered with the electromagnetic wave shielding film 10 can be taken out (FIG. 5E). ).
  • the semiconductor device with terminals 65 to be subjected to electromagnetic wave shielding may be a separately manufactured semiconductor device with terminals 65, which is singulated by dicing. Terminal-equipped semiconductor device 65.
  • a semiconductor device with terminals 65 in which individual electronic components 61 and 62 are singulated and sealed with a sealing resin 64 is formed using a terminal protection tape 3.
  • the semiconductor device with terminals 65 is shielded from the semiconductor device assembly with terminals 6 by using the terminal protection tape 2 before the individualization as follows. Can also.
  • FIG. 6 shows a method for manufacturing a semiconductor device with an electromagnetic wave shielding film according to the present embodiment, using a terminal protection tape 2 having an adhesive layer 14, a buried layer 13, and a base material 11 in this order.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of a method for shielding a semiconductor device with terminals 65 from electromagnetic waves.
  • the semiconductor device assembly with terminals 6 connected to the viscoelastic layer 12 of the terminal protection tape by the circuit board 63 is connected to the terminal 91, that is, the circuit.
  • the terminal 91 is buried in the viscoelastic layer 12 as in the case of FIGS. 5A and 5B by pressing the terminal forming surface 63a of the substrate 63 downward.
  • the terminal 91 is embedded in the viscoelastic layer 12 of the terminal protection tape while applying pressure to the terminal-equipped semiconductor device assembly 6 from above, as in the case of FIGS. 5A and 5B. .
  • the pressure at which the terminal-equipped semiconductor device assembly 6 is crimped to the terminal protection tape is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 1.5 MPa, and more preferably 0.3 to 1.3 MPa. More preferred.
  • the heating temperature is preferably from 30 to 70 ° C, more preferably from 35 to 65 ° C, and particularly preferably from 40 to 60 ° C. Further, it is preferable that the first pressure-sensitive adhesive layer 14 of the viscoelastic layer 12 is bonded to the terminal forming surface 63a.
  • the terminal protecting tape of the present embodiment used in the step of forming the electromagnetic wave shielding film also functions as the dicing tape of the semiconductor device assembly 6 with terminals.
  • a dicing tape is used in the method of manufacturing a semiconductor device with an electromagnetic wave shielding film shown in FIG. 5 when the semiconductor device with terminals 65 to be subjected to electromagnetic wave shielding is the semiconductor device with terminals 65 singulated by a dicing method. An operation of picking up the upper semiconductor device with terminals and replacing the semiconductor device with terminal protection tape (FIG. 5A) is required.
  • the operation of attaching the semiconductor device with terminals 65 on the dicing tape to the terminal protection tape can be omitted.
  • the conductive resin 101 is applied to the exposed surface of the terminal-equipped semiconductor device 65 (FIG. 6D). At this time, if the conductive resin 101 is not sufficiently separated at the boundary between the terminal-equipped semiconductor devices 65 of the terminal-equipped semiconductor device assembly 6, even if the terminal-protecting tape is stretched using an expanding device or the like. Good. In a state where the conductive resin 101 is applied to each side surface of the singulated semiconductor device with terminal 65, the individual semiconductor device with terminal 65 can be singulated. Further, the conductive resin 101 applied to the top surface and the side surface of the singulated semiconductor device with terminals 65 is heated and cured, and the electromagnetic wave shielding film 10 made of a conductive material is formed on the exposed surface of the semiconductor device with terminals 65. Is formed (FIG. 6E). The electromagnetic shielding film 10 may be formed by directly sputtering a conductive material on the semiconductor device with terminal 65 (FIG. 6C) (FIG. 6E).
  • the value of tan ⁇ at 50 ° C. is 0.2 or more and the thickness of the viscoelastic layer 12 is 80 to 800 ⁇ m.
  • the terminals of the semiconductor device assembly 6 in the viscoelastic layer 12, even the terminal electrodes such as solder balls which are likely to float can be embedded. 12 can be adhered.
  • the terminal 91 which is a terminal electrode, from being electrically short-circuited to the electromagnetic wave shielding film 10, and it is not necessary to provide a complicated masking portion in the process.
  • the semiconductor device 65 with the terminal covered with the electromagnetic wave shielding film 10 can be taken out (FIG. 6F). .
  • the height h0 of the terminal 91 is preferably lower than the thickness d1 of the viscoelastic layer 12, and preferably 1.2 ⁇ d1 / h0 ⁇ 5.0.
  • the thickness is preferably 50 to 300 ⁇ m, more preferably 60 to 270 ⁇ m, and particularly preferably 80 to 240 ⁇ m.
  • the height of the terminal 91 is greater than or equal to the lower limit, the function of the terminal 91 can be further improved.
  • the height of the terminal 91 is equal to or less than the upper limit, the effect of suppressing the remaining of the viscoelastic layer 12 above the terminal 91 is further increased.
  • the height of the terminal means the height of the terminal at a portion located at the highest position from the terminal formation surface.
  • the height h0 of the terminals 91 can be an average thereof.
  • the terminal height can be measured by, for example, a non-contact type three-dimensional light interference type surface roughness meter (trade name: Wyko NT1100, manufactured by Veeco Japan).
  • the width of the terminal 91 is not particularly limited, but is preferably 170 to 350 ⁇ m, more preferably 200 to 320 ⁇ m, and particularly preferably 230 to 290 ⁇ m.
  • the width of the terminal 91 is equal to or larger than the lower limit, the function of the terminal 91 can be further improved.
  • the height of the terminal 91 is equal to or less than the upper limit, the effect of suppressing the remaining of the viscoelastic layer 12 above the terminal 91 is further increased.
  • the “terminal width” is obtained by connecting two different points on the terminal surface with a straight line when the terminal is viewed from above in a direction perpendicular to the terminal formation surface and viewed in plan. It means the maximum value of the line segment.
  • the “terminal width” refers to the maximum diameter (terminal diameter) of the terminal when the terminal is viewed from above and in plan view.
  • the distance between adjacent terminals 91 (that is, the pitch between terminals) is not particularly limited, but is preferably 250 to 800 ⁇ m, more preferably 300 to 600 ⁇ m, and particularly preferably 350 to 500 ⁇ m.
  • the distance is equal to or more than the lower limit, the embedding property of the terminal 91 can be further improved.
  • the distance is equal to or less than the upper limit, the effect of suppressing the remaining of the viscoelastic layer 12 above the terminal 91 becomes higher.
  • the “distance between adjacent terminals” means a minimum value of a distance between surfaces of adjacent terminals.
  • HEA 2-hydroxyethyl acrylate
  • BA n-butyl acrylate
  • MMA methyl methacrylate
  • AAc acrylic acid
  • composition A for laminating pressure-sensitive adhesive layer 33.6 parts by mass of an acrylic copolymer (weight average molecular weight (Mw) 400,000) composed of 90 parts by mass of BA and 10 parts by mass of AAc, 66.4 parts by mass of ethyl methyl ketone as a solvent, and polyepoxy as a crosslinking agent 0.2 parts by mass of a compound (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., product name "TETRAD-C”) was added, and the mixture was stirred for 30 minutes to prepare a composition A for forming a laminated adhesive layer.
  • an acrylic copolymer weight average molecular weight (Mw) 400,000
  • composition A for forming a pressure-sensitive adhesive layer is applied to a release-treated surface of a release film (“SP-PET381031” manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 ⁇ m) in which one surface of a polyethylene terephthalate film is subjected to release treatment by silicone treatment. Then, by heating and drying at 100 ° C. for 1 minute, a laminated adhesive layer A having a thickness of 20 ⁇ m was produced.
  • SP-PET381031 manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 ⁇ m
  • composition B for forming pressure-sensitive adhesive layer A solution of a resin obtained by adding 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (about 50 mol% based on HEA) to an acrylic copolymer consisting of 74 parts by mass of BA, 20 parts by mass of MMA, and 6 parts by mass of HEA (adhesive base, solid 35% by mass). To 100 parts by mass of this pressure-sensitive adhesive base agent, 0.5 parts by mass of tolylene diisocyanate (manufactured by Toyochem Corporation, product name “BHS-8515”, solid content concentration: 37.5%) as a crosslinking agent was added, and 30 parts by mass were added. The mixture was stirred for minutes to prepare a composition B for forming an adhesive layer.
  • 2-methacryloyloxyethyl isocyanate about 50 mol% based on HEA
  • the composition B for forming the pressure-sensitive adhesive layer is coated on a release-treated surface of a release film (“SP-PET381031”, manufactured by Lintec, 38 ⁇ m in thickness) manufactured by subjecting one surface of a polyethylene terephthalate film to release treatment by silicone treatment, By heating and drying at 100 ° C. for 1 minute, a pressure-sensitive adhesive layer B having a thickness of 20 ⁇ m was produced.
  • SP-PET381031 manufactured by Lintec, 38 ⁇ m in thickness
  • composition A for forming buried layer 100 parts by mass of a solution (solid content: 33.6% by mass) of an acrylic copolymer (weight average molecular weight (Mw) 400,000) composed of 90 parts by mass of BA and 10 parts by mass of AAc, 62 parts by mass of BA, 10 parts by mass of MMA, and HEA28 A solution (solid content of 100,000 average weight molecular weight (Mw)) of a resin obtained by adding 2-methacryloyloxyethyl isocyanate to an acrylic copolymer consisting of parts by mass and adding an addition ratio of 80 mol% to 100 mol% of HEA.
  • a solution solid content: 33.6% by mass
  • an acrylic copolymer weight average molecular weight (Mw) 400,000
  • composition A for forming an embedded layer was prepared.
  • composition B for forming buried layer 33.6 parts by mass of an acrylic copolymer (weight average molecular weight (Mw) 400,000) composed of 90 parts by mass of BA and 10 parts by mass of AAc, 66.4 parts by mass of ethyl methyl ketone as a solvent, and polyepoxy as a crosslinking agent 0.2 parts by mass of a compound (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., product name “TETRAD-C”) was added, and the mixture was stirred for 30 minutes to prepare a composition B for forming an embedded layer.
  • an acrylic copolymer weight average molecular weight (Mw) 400,000
  • Base material A polyethylene terephthalate (PET) film (product name “Cosmoshine A4100”, thickness 50 ⁇ m, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) was used for the base material 11.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the release film 22 on the side of the bonding adhesive layer 15 of the terminal protection tape 3 in the form of FIG. 3 is peeled off and adhered to the SUS plate 30 to prepare a sample for embedding evaluation in the form of FIG.
  • the release film 20 on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 14 was peeled off, and the SUS plate 30 was placed on a hot plate whose temperature was adjusted to 50 ° C. with its side facing down.
  • the viscoelastic layer 12 is subjected to a pressing pressure (load 1.1 MPa), a pressing time 40 s and a heating time 50 Pressed at ° C.
  • the evaluation of the embedding property was performed for a semiconductor device with nine terminals.
  • the terminal-equipped semiconductor device was left to cool to room temperature, and after one hour, the embedding property was confirmed by observing from the side, and the lower surfaces of all the terminal-equipped semiconductor devices were adhered to the terminal protection tape, When the terminal was hidden by the terminal protection tape and could not be observed, the embedding property after one hour of pressing was evaluated as good (A).
  • the lower surface of at least one semiconductor device with a terminal floats from the terminal protection tape, and the terminal that can be observed between the terminal protection tape and the semiconductor device main body has a poor embedding property after one hour of pressing ( B).
  • Example 1 ⁇ Manufacture of terminal protection tape>
  • the composition A for forming an embedding layer is applied to the release-treated surface of a release film (“SP-PET381031” manufactured by Lintec Co., thickness 38 ⁇ m) in which one surface of a film made of polyethylene terephthalate is subjected to release treatment by silicone treatment.
  • release of a release film (“SP-PET382150” manufactured by Lintec Co., thickness 38 ⁇ m) in which one side of a polyethylene terephthalate film was subjected to release treatment by silicone treatment on the composition A for forming an embedded layer.
  • the treated surface was laminated to produce a buried layer having a thickness of 50 ⁇ m.
  • the surfaces of the embedding layer from which the laminated release film was peeled off were stuck together to form an embedding layer having a thickness of 100 ⁇ m.
  • the embedding layer was bonded and laminated to produce an embedding layer A having a thickness of 300 ⁇ m.
  • An embedding layer A having a thickness of 300 ⁇ m was bonded to a pressure-sensitive adhesive layer B having a thickness of 20 ⁇ m to produce a terminal protection tape 1 of Example 1 having a viscoelastic layer 12 having a thickness of 320 ⁇ m as shown in FIG. .
  • the viscoelastic layer having a thickness of 960 ⁇ m was formed by peeling off both release films of the terminal protection tape 1 of Example 1 and laminating three viscoelastic layers 12 having a thickness of 320 ⁇ m. From this, a cylindrical evaluation sample having a diameter of 8 mm and a thickness of 960 ⁇ m was prepared, and this sample was set in a shear viscosity measurement device. At this time, the sample was placed on the installation location of the measurement device, and the sample was fixed to the installation location by pressing a measurement jig from above the sample.
  • the shear storage modulus G ′ and tan ⁇ (loss modulus G ′′ / storage modulus G ′) from room temperature to 100 ° C. were measured under the measurement conditions of a frequency of 1 Hz and a heating rate of 10 ° C./min.
  • the shear storage modulus G ′ and tan ⁇ (loss modulus G ′′ / storage modulus G ′) at 25 ° C. and 50 ° C. were determined. Table 1 shows the results.
  • the release film on the side of the embedded layer A of the terminal protection tape 1 of Example 1 was peeled off, and a polyethylene terephthalate (PET) film (product name “Cosmoshine A4100”, thickness 50 ⁇ m, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) as a base material was removed.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the terminal protection tape 2 of Example 1 having the viscoelastic layer 12 in the form of the base material 11 / embedding layer 13 / adhesive layer 14 shown in FIG.
  • the peeling film on the side of the bonding adhesive layer A of the terminal protecting tape 3 of Example 1 was peeled off and adhered to a SUS plate to prepare a sample for embedding evaluation in the form of FIG.
  • the release film on the side of the pressure-sensitive adhesive layer B was peeled off, and the SUS plate was placed on a hot plate whose temperature was adjusted to 50 ° C. with its side facing down.
  • the evaluation of the embedding property was performed for a semiconductor device with nine terminals.
  • the ratio (d1 / h0) of the thickness d1 ( ⁇ m) of the viscoelastic layer 12 to the terminal height h0 ( ⁇ m) is 1.6.
  • Example 2 ⁇ Manufacture of terminal protection tape> A 470 ⁇ m-thick embedded layer A was manufactured on the release-treated surface of the release film in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the embedded layer A was changed. An embedding layer A having a thickness of 470 ⁇ m was laminated on a pressure-sensitive adhesive layer B having a thickness of 20 ⁇ m to produce a terminal protection tape 1 of Example 2 having a viscoelastic layer 12 having a thickness of 490 ⁇ m as shown in FIG.
  • Example 3 ⁇ Manufacture of terminal protection tape> A 770 ⁇ m-thick embedded layer A was manufactured on the release-treated surface of the release film in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the embedded layer A was changed. An embedding layer A having a thickness of 770 ⁇ m was laminated on a pressure-sensitive adhesive layer B having a thickness of 20 ⁇ m to manufacture a terminal protecting tape 1 of Example 3 having a viscoelastic layer 12 having a thickness of 790 ⁇ m as shown in FIG.
  • Good embedding property (A)) When the embedding property after pressing for 1 hour was confirmed, as shown in FIG. 5B, the lower surfaces of all the semiconductor devices with terminals were adhered to the terminal protection tape, and the terminals were connected to the terminal protection tape. And could not be observed (good embedding after 1 hour of pressing (A)). Table 1 shows the results.
  • Example 4 ⁇ Manufacture of terminal protection tape> A buried layer A having a thickness of 120 ⁇ m was manufactured on the release-treated surface of the release film in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the buried layer A was changed. An embedding layer A having a thickness of 120 ⁇ m was laminated on a pressure-sensitive adhesive layer B having a thickness of 20 ⁇ m to manufacture a terminal protection tape 1 of Example 4 having a viscoelastic layer 12 having a thickness of 140 ⁇ m as shown in FIG.
  • the lower surfaces of all the semiconductor devices with terminals were adhered to the terminal protection tape, and the terminals were connected to the terminal protection tape. And could not be observed (good embedding immediately after pressing (A)).
  • the embedding property after pressing for 1 hour was confirmed, as shown in FIG. 5B, the lower surfaces of all the semiconductor devices with terminals were adhered to the terminal protection tape, and the terminals were connected to the terminal protection tape. And could not be observed (good embedding after 1 hour of pressing (A)).
  • Table 1 shows the results.
  • a viscoelastic layer having a thickness of 1000 ⁇ m was formed by laminating a plurality of pressure-sensitive adhesive layers B having a thickness of 20 ⁇ m. From this, a cylindrical evaluation sample having a diameter of 8 mm and a thickness of 1000 ⁇ m was prepared. Using this sample, the shear storage modulus G ′ and tan ⁇ (loss modulus G ′′ / storage modulus) were used in the same manner as in Example 1. G ′) were measured, and the shear storage modulus G ′ and tan ⁇ (loss modulus G ′′ / storage modulus G ′) at 25 ° C. and 50 ° C. were determined. Table 1 shows the results.
  • a pressure-sensitive adhesive layer B having a thickness of 20 ⁇ m is laminated on the side of the substrate A on the side of the easy-adhesion treatment surface, and the bonded pressure-sensitive adhesive layer A is laminated on the side of the substrate A opposite to the pressure-sensitive adhesive layer B.
  • the terminal protecting tape of Comparative Example 1 was manufactured.
  • the release film on the side of the pressure-sensitive adhesive layer A of the terminal protection tape of Comparative Example 1 was peeled off and adhered to a SUS plate, and then the release film on the side of the pressure-sensitive adhesive layer B was peeled off.
  • the pressing was performed at a pressing pressure of 0.1 MPa, a pressing time of 40 s, and a heating time of 50 ° C.
  • the evaluation of the embedding property was performed for a semiconductor device with nine terminals.
  • the ratio (d1 / h0) between the thickness d1 ( ⁇ m) of the viscoelastic layer and the height h0 ( ⁇ m) of the terminal is 0.1.
  • the semiconductor device with terminals after being left to cool to room temperature and observed for 1 hour was observed from the side to confirm the embedding property.
  • composition B for forming an embedding layer obtained above is applied to the release-treated surface of a release film (“SP-PET381031” manufactured by Lintec Co., thickness 38 ⁇ m) in which one surface of a polyethylene terephthalate film has been release-treated by silicone treatment. Then, by heating and drying at 120 ° C. for 2 minutes, a buried layer B having a thickness of 300 ⁇ m was manufactured.
  • SP-PET381031 manufactured by Lintec Co., thickness 38 ⁇ m
  • An embedding layer B having a thickness of 300 ⁇ m was laminated on a pressure-sensitive adhesive layer B having a thickness of 20 ⁇ m to manufacture a terminal protection tape 1 of Comparative Example 2 having a viscoelastic layer 12 having a thickness of 320 ⁇ m as shown in FIG.
  • the release film on the side of the pressure-sensitive adhesive layer A of the terminal protection tape 3 of Comparative Example 2 was peeled off and adhered to a SUS plate to prepare a sample for embedding evaluation in the form of FIG.
  • the release film on the side of the agent layer B was peeled off, and the SUS plate was placed on a hot plate whose temperature was adjusted to 50 ° C. with the side facing down.
  • the evaluation of the embedding property was performed for a semiconductor device with nine terminals.
  • the ratio (d1 / h0) between the thickness d1 ( ⁇ m) of the viscoelastic layer and the height h0 ( ⁇ m) of the terminal is 1.6.
  • composition B for forming an embedding layer obtained above is applied to the release-treated surface of a release film (“SP-PET381031” manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 ⁇ m) in which one side of a polyethylene terephthalate film is subjected to release treatment by silicone treatment. Then, by heating and drying at 120 ° C. for 2 minutes, a buried layer B having a thickness of 150 ⁇ m was manufactured.
  • SP-PET381031 manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 ⁇ m
  • An embedding layer B having a thickness of 150 ⁇ m was laminated on a pressure-sensitive adhesive layer B having a thickness of 20 ⁇ m to produce a terminal protection tape 1 of Comparative Example 3 having a viscoelastic layer 12 having a thickness of 170 ⁇ m as shown in FIG.
  • the release film on the side of the bonding adhesive layer A of the terminal protecting tape 3 of Comparative Example 3 was peeled off and adhered to a SUS plate to prepare a sample for embedding evaluation in the form of FIG.
  • the release film on the side of the pressure-sensitive adhesive layer B was peeled off, and the SUS plate was placed on a hot plate whose temperature was adjusted to 50 ° C. with its side facing down.
  • the evaluation of the embedding property was performed for a semiconductor device with nine terminals.
  • the ratio (d1 / h0) between the thickness d1 ( ⁇ m) of the viscoelastic layer and the height h0 ( ⁇ m) of the terminal is 0.9.
  • the terminal protection tape of the present embodiment can be used for protecting the terminals of the terminal-equipped semiconductor device when the terminal-equipped semiconductor device is shielded from electromagnetic waves.
  • a semiconductor device with terminals can be shielded from electromagnetic waves, and a semiconductor device with an electromagnetic shielding film can be manufactured.

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Abstract

本発明は、端子付き半導体装置に電磁波シールド膜を形成する工程に用いられる端子保護用テープ(1)であって、粘弾性層(12)を有し、粘弾性層(12)の動的粘弾性測定において、50℃におけるtanδの値が0.2以上であり、粘弾性層(12)の厚さが80~800μmである、端子保護用テープ(1)に関する。

Description

端子保護用テープ及び電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法
 本発明は、端子保護用テープ及びそれを用いる電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法に関する。
 本願は、2018年8月8日に、日本に出願された特願2018-149699号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
 従来、MPUやゲートアレー等に用いる多ピンのLSIパッケージをプリント配線基板に実装する場合には、複数の電子部品を備える半導体装置として、その接続パッド部に共晶ハンダ、高温ハンダ、金等からなる凸状電極(以下、本明細書においては「端子」と称する)が形成されたものを用いている。そして、それらの端子をチップ搭載用基板上の相対応する端子部に対面、接触させ、溶融/拡散接合する実装方法が採用されている。
 パーソナルコンピュータの普及と共にインターネットは一般的となり、現在では、スマートフォンやタブレット端末もインターネットに接続され、デジタル化された映像、音楽、写真、文字情報などを無線通信技術によりインターネットを介して伝達されるシーンが益々増えている。更には、IoT(Internet of Things)が普及して、家電、自動車などの様々なアプリケーション分野でセンサー、RFID(Radio frequency identifier)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、ワイヤレスコンポーネント等の半導体デバイスをよりスマートに使用するためのパッケージ技術に革新的な変革がもたらされようとしている。
 このように電子機器の進化が続く中で、半導体デバイスへの要求水準は年々高まっている。特に、高性能化、小型化、高集積化、低消費電力化、低コスト化へのニーズに答えようとすると、熱対策、ノイズ対策の2つが重要なポイントとなる。
 このような熱対策、ノイズ対策に対応して、例えば特許文献1に開示されるように、電子部品モジュールを導電材料で被覆してシールド層を形成する方法が採用されている。特許文献1では、個片化された電子部品モジュールの天面及び側面に塗布された導電性樹脂を加熱し硬化させて、シールド層を形成している。
 端子付き半導体装置を、導電材料で被覆してシールド層を形成する方法としては、スパッタリング、イオンプレーティング、スプレーコート等の方法も知られている。
特開2011-151372号公報
 特許文献1で開示されている電子部品の製造方法では、集合基板の裏面に設けられた外部端子電極は、粘着性シートに埋め込まれた状態で導電性樹脂が塗布される。粘着性シートの所定の位置にマスキング部が設けられているので、外部端子電極と電磁波シールド膜とが電気的にショートすることを防止することができる。
 しかし、外部端子電極の高さや形状によっては、外部端子電極が粘着性シートに充分埋め込まれた状態を保つことができず、外部端子電極と電磁波シールド膜とが電気的にショートしてしまうおそれがある。また、粘着性シートの所定の位置にマスキング部を設けることは工程上煩雑である。
 そこで、本発明は、端子付き半導体装置に電磁波シールド膜を形成する工程に用いられる端子保護用テープであって、はんだボール等の凹凸を有し、浮きの生じやすい端子電極であっても埋め込むことが可能な端子保護用テープ、及び、それを用いる電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
 すなわち、本発明は、以下の端子保護用テープ及びそれを用いる電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法を提供する。
[1] 端子付き半導体装置に電磁波シールド膜を形成する工程に用いられる端子保護用テープであって、
 粘弾性層を有し、
 前記粘弾性層の動的粘弾性測定において、50℃におけるtanδの値が0.2以上であり、前記粘弾性層の厚さが80~800μmである、端子保護用テープ。
[2] 前記粘弾性層の50℃における貯蔵弾性率G’(50℃)(MPa)と、前記端子の高さh0(μm)と、前記粘弾性層の厚さd1(μm)と、が下記式(1)及び式(2)を充足する、前記[1]に記載の端子保護用テープ。
 0.01MPa ≦ G’(50℃) ≦ 15MPa  ・・・(1)
 1.2≦ d1/h0 ≦5.0  ・・・(2)
[3] 前記粘弾性層の25℃における貯蔵弾性率G’(25℃)(MPa)が下記式(3)を充足する前記[1]又は[2]に記載の端子保護用テープ。
 0.05MPa ≦ G’(25℃) ≦ 20MPa  ・・・(3)
[4] 前記粘弾性層が、埋め込み層及び粘着剤層を有する、前記[1]~[3]のいずれか1項に記載の端子保護用テープ。
[5] 前記粘着剤層と、前記埋め込み層と、基材と、をこの順で有する、前記[4]に記載の端子保護用テープ。
[6] 前記粘着剤層と、前記埋め込み層と、前記基材と、第2粘着剤層と、をこの順で有する両面テープである、前記[5]に記載の端子保護用テープ。
[7] 前記[1]~[6]のいずれか1項に記載の端子保護用テープの粘弾性層に、前記端子付き半導体装置の端子を埋設させる工程と、
 前記端子保護用テープの粘弾性層に埋設されていない前記端子付き半導体装置の露出面に電磁波シールド膜を形成する工程と、
 を含む電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法。
[8] 前記[1]~[6]のいずれか1項に記載の端子保護用テープの粘弾性層に、端子付き半導体装置集合体の端子を埋設させる工程と、
 前記端子付き半導体装置集合体をダイシングして、前記端子付き半導体装置集合体を、前記端子保護用テープの粘弾性層に端子が埋設された端子付き半導体装置とする工程と、
 前記端子保護用テープの粘弾性層に埋設されていない前記端子付き半導体装置の露出面に電磁波シールド膜を形成する工程と、
 を含む電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法。
 本発明によれば、端子付き半導体装置に電磁波シールド膜を形成する工程に用いられる端子保護用テープであって、はんだボール等の浮きの生じやすい端子電極であっても埋め込むことが可能な端子保護用テープ、及び、それを用いる電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の端子保護用テープの一の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の端子保護用テープの他の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の端子保護用テープの他の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の端子保護用テープの他の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法の一の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法の他の実施形態を模式的に示す断面図である。 比較例に係る電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法の例を模式的に示す断面図である。
 図1は、本発明の端子保護用テープの一実施形態を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
 図1に示す端子保護用テープ1は、端子付き半導体装置に電磁波シールド膜を形成する工程に用いられる端子保護用テープ1であって、埋め込み層13及び粘着剤層14からなる粘弾性層12を有する。粘弾性層12の動的粘弾性測定において、50℃におけるtanδの値が0.2以上であり、粘弾性層12の厚さが80~800μmである。
 本実施形態の端子保護用テープは、図1に示すように、粘弾性層12の埋め込み層13の側の最表層に剥離フィルム21を備えていてもよく、粘弾性層12の粘着剤層14の側の最表層に剥離フィルム20を備えていてもよい。
 本実施形態の端子保護用テープは、図1に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図1に示すものにおいて、一部の構成が変更、削除又は追加されたものであってもよい。
 図1に示す端子保護用テープ1は、両方の剥離フィルム20、21を剥離して、支持体の上に載せて、その上から端子付き半導体装置を、端子の側を下にして押し付けて、粘弾性層12に端子を埋設し、更にその上から電磁波シールド膜を形成する工程に使用することができる。粘弾性層12の動的粘弾性測定において、50℃におけるtanδの値が0.2以上であり、粘弾性層12の厚さが80~800μmであるので、端子付き半導体装置の端子が粘弾性層12に埋設するにあたり、はんだボール等の凹凸を有し、浮きの生じやすい端子電極であっても埋設することが可能で、対象とする端子付き半導体装置の端子形成面を粘弾性層12に密着させることができる。結果として、端子電極と電磁波シールド膜とが電気的にショートすることを防止することができ、工程上煩雑なマスキング部などを設ける必要もない。
 本実施形態の端子保護用テープは、図2の端子保護用テープ2に示すように、粘着剤層14と、埋め込み層13と、基材11と、をこの順で有する構成であってもよく、粘弾性層12の粘着剤層14の側の最表層に剥離フィルム20を備えていてもよい。
 図2に示す端子保護用テープ2は、剥離フィルム20を剥離して、支持体としての基材11の上の粘弾性層12に、端子付き半導体装置を、端子の側を下にして押し付けて、粘弾性層12に端子を埋設し、更にその上から電磁波シールド膜を形成する工程に使用することができる。粘弾性層12の動的粘弾性測定において、50℃におけるtanδの値が0.2以上であり、粘弾性層12の厚さが80~800μmであるので、端子付き半導体装置の端子を粘弾性層12に埋設するにあたり、はんだボール等の凹凸を有し、浮きの生じやすい端子電極であっても埋設することが可能で、対象とする端子付き半導体装置の端子形成面を粘弾性層12に密着させることができる。結果として、端子電極と電磁波シールド膜とが電気的にショートすることを防止することができ、工程上煩雑なマスキング部などを設ける必要がない。
 本実施形態の端子保護用テープは、図3の端子保護用テープ3に示すように、粘着剤層14と、埋め込み層13と、基材11と、をこの順で有する構成であって、粘弾性層12の粘着剤層14の側の最表層に剥離フィルム20を備えていてもよく、基材11の、粘弾性層12とは反対の側に、支持体に貼合するための第2粘着剤層15(すなわち、貼合粘着剤層)を備えていてもよく、第2粘着剤層15の側の最表層に剥離フィルム22を備える両面テープであってもよい。
 図3に示す端子保護用テープ3は、剥離フィルム22を剥離して、図4に示すように、支持体30に固定し、更に、剥離フィルム20を剥離して、粘弾性層12に、端子付き半導体装置を、端子の側を下にして押し付けて、粘弾性層12に端子を埋設し、更にその上から電磁波シールド膜を形成する工程に使用することができる。粘弾性層12の動的粘弾性測定において、50℃におけるtanδの値が0.2以上であり、粘弾性層12の厚さが80~800μmであるので、端子付き半導体装置の端子を粘弾性層12に埋設するにあたり、はんだボール等の浮きの生じやすい端子電極であっても埋設することが可能で、対象とする端子付き半導体装置の端子形成面を粘弾性層12に密着させることができる。結果として、端子電極と電磁波シールド膜とが電気的にショートすることを防止することができ、工程上煩雑なマスキング部などを設ける必要もない。
 次に、本実施形態の端子保護用テープを構成する各層について説明する。
◎粘弾性層
 本実施形態の端子保護用テープにおいて、粘弾性層は、端子付き半導体装置の端子形成面(換言すると回路面)、及びこの端子形成面上に設けられた端子を保護するために用いられるものであり、粘弾性層の動的粘弾性測定において、50℃におけるtanδの値が0.2以上であり、粘弾性層の厚さが80~800μmである。
 粘弾性層の動的粘弾性測定において、50℃におけるtanδの値が0.2以上であり、粘弾性層の厚さが80~800μmであることにより、粘弾性層の適度な粘性によって、はんだボール等の、様々な形状・大きさの浮きの生じやすい端子電極であっても埋設することが可能である。また、粘弾性層は、埋め込み層及び粘着剤層を有することが好ましい。粘弾性層が、埋め込み層及び粘着剤層を有することによって、上述の好適な動的粘弾性とすることが容易になり、かつ、端子形成面及び端子に対して好適な接着性を付与することができる。
 本明細書において、「50℃における粘弾性層のtanδ」は、50℃における粘弾性層の損失弾性率G”(50℃)を貯蔵弾性率G’(50℃)で除して得ることができる。また、後述の「25℃における粘弾性層のtanδ」は、25℃における粘弾性層の損失弾性率G”(25℃)を貯蔵弾性率G’(25℃)で除して得ることができる。
 また、本明細書において、粘弾性層の「損失弾性率G”」及び「貯蔵弾性率G’」は、粘弾性層をせん断粘度測定装置により、周波数:1Hz、昇温速度:10℃/minの測定条件で、室温から100℃まで昇温させて測定することによって得ることができる。
 そのため、粘弾性層の動的粘弾性測定において、50℃におけるtanδの値は0.2以上である必要があり、0.3以上であることが好ましく、0.5以上であることがより好ましい。50℃におけるtanδの値が前記下限値以上であることにより、端子電極への追従性と粘弾性層の流動性が確保できるため、端子電極の埋設性(以下、埋め込み性ともいう。)が向上する。50℃におけるtanδの値は、3.5以下とすることができ、3.0以下とすることができ、2.5以下とすることができる。
 50℃におけるtanδの上限値と下限値は任意に組み合わせることができる。
 例えば、50℃におけるtanδは0.2以上3.5以下であることが好ましく、0.3以上3.0以下であることがより好ましく、0.5以上2.5以下であることがさらに好ましい。
 粘弾性層の厚さは80~800μmである必要があり、100~790μmであることが好ましく、130~780μmであることがより好ましい。
 粘弾性層の厚さが前記下限値以上であることで、はんだボール等の浮きの生じやすい端子電極であっても埋め込むことができる。また、埋め込み層の厚さが前記上限値以下であることで、端子保護用テープが過剰な厚さとなることが抑制される。
 ここで、「粘弾性層の厚さ」とは、粘弾性層全体の厚さを意味し、埋め込み層及び粘着剤層の複数層からなる粘弾性層の厚さは、埋め込み層及び粘着剤層の合計の厚さを意味する。
 本明細書において、「層の厚さ」は、無作為に選択した5箇所で厚さを測定した平均で表される値として、JIS K77130に準じて、定圧厚さ測定器を用いて測定することができる。
 前記粘弾性層の50℃における貯蔵弾性率G’(50℃)(MPa)が下記式(1)を充足することが好ましい。
 0.01MPa ≦ G’(50℃) ≦ 15MPa  ・・・(1)
 式(1)を充足することにより、はんだボール等の、様々な形状・大きさの浮きの生じやすい端子電極であってもより埋設し易くなる。
 G’(50℃)は0.01~15MPaであることが好ましく、0.02~12.5MPaであることがより好ましく、0.03~10MPaであることがさらに好ましい。
 前記粘弾性層の厚さd1(μm)は、前記端子の高さh0(μm)との間で、下記式(2)を充足することが好ましい。
 1.2≦ d1/h0 ≦5.0  ・・・(2)
 式(2)を充足することにより、はんだボール等の、様々な形状・大きさの浮きの生じやすい端子電極であってもより埋設し易くなる。
 d1/h0は1.2~5.0であることが好ましく、1.3~5.0であることがより好ましく、1.4~5.0であることがさらに好ましい。
 本実施形態の端子保護用テープは、前記粘弾性層の25℃における貯蔵弾性率G’(25℃)(MPa)が下記式(3)を充足することが好ましい。
 0.05MPa ≦ G’(25℃) ≦ 20MPa  ・・・(3)
 式(3)を充足することにより、常温における端子保護用テープの形状が保持されやすく、埋め込み層の端部への浸み出しを抑制し易くなる。
 G’(25℃)は0.05~20MPaであることが好ましく、0.06~15MPaであることがより好ましく、0.07~10MPaであることがさらに好ましい。
 粘弾性層の動的粘弾性測定において、25℃におけるtanδの値は0.10~1.4であってもよく、0.20~1.0であることが好ましく、0.30~0.8であることがより好ましい。
 端子付き半導体装置の端子形成面を粘弾性層12に密着させるに際しては、端子付き半導体装置の端子形成面を粘弾性層12の粘着剤層14に直接密着させることが好ましい。
 このとき、端子形成面及び端子にのり残りを防ぐために、粘着剤層14は、埋め込み層13よりも硬く設定することが好ましい。
〇埋め込み層
 本実施形態の端子保護用テープにおいて、埋め込み層は、粘弾性層のうち端子付き半導体装置の端子を埋設して保護する層を云う。
 埋め込み層は、シート状又はフィルム状であり、前記条件の関係を満たす限り、その構成材料は、特に限定されない。本明細書において、「シート状又はフィルム状」とは、薄い膜状で、面内の厚さのばらつきが小さく、フレキシブル性を有するものを意味する。
 例えば、保護対象となる端子付き半導体装置の端子形成面を覆う粘弾性層に、半導体表面に存在する端子の形状が反映されることによって、粘弾性層が変形してしまうことの抑制を目的とする場合、前記埋め込み層の好ましい構成材料としては、埋め込み層の貼付性がより向上する点から、ウレタン(メタ)アクリレート樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。
 埋め込み層は1層(単層)のみでもよいし、2層以上の複数層でもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
 なお、本明細書においては、埋め込み層の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
 埋め込み層の厚さは、粘弾性層の厚さが80~800μmとなる範囲で、保護対象となる端子付き半導体装置の端子形成面の端子の高さに応じて適宜調節できるが、比較的高さが高い端子の影響も容易に吸収できる点から、50~600μmであることが好ましく、70~550μmであることがより好ましく、80~500μmであることが特に好ましい。埋め込み層の厚さが前記下限値以上であることで、端子の保護性能がより高い粘弾性層を形成できる。また、埋め込み層の厚さが前記上限値以下であることで、生産性とロール形状での巻取り適性が向上する。
 ここで、「埋め込み層の厚さ」とは、埋め込み層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる埋め込み層の厚さとは、埋め込み層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
 埋め込み層は、端子を埋設するに相応しい、柔らかい性質を有することが好ましく、粘着剤層よりも柔らかいことが好ましい。
(埋め込み層形成用組成物)
 埋め込み層は、その構成材料を含有する埋め込み層形成用組成物を用いて形成できる。
 例えば、埋め込み層の形成対象面に埋め込み層形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させ、エネルギー線の照射によって硬化させることで、目的とする部位に埋め込み層を形成できる。また、剥離フィルムに埋め込み層形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させ、エネルギー線の照射によって硬化させることで、目的とする厚さの埋め込み層を形成でき、目的とする部位に埋め込み層を転写することもできる。埋め込み層のより具体的な形成方法は、他の層の形成方法とともに、後ほど詳細に説明する。埋め込み層形成用組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、埋め込み層の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。ここで、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、15~30℃の温度等が挙げられる。
 埋め込み層形成用組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。
 埋め込み層形成用組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、埋め込み層形成用組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましく、この場合、例えば、70~130℃で10秒間~5分間の条件で乾燥させることが好ましい。
 埋め込み層形成用組成物は、エネルギー線硬化性を有する場合、エネルギー線の照射により硬化させることが好ましい。
 埋め込み層形成用組成物としては、例えば、アクリル系樹脂を含有する埋め込み層形成用組成物(I)等が挙げられる。
{埋め込み層形成用組成物(I)}
 埋め込み層形成用組成物(I)は、アクリル系樹脂を含有する。
 埋め込み層形成用組成物(I)としては、後述する、第1粘着剤組成物(I-1)のうち、アクリル系樹脂である粘着性樹脂(I-1a)と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する組成物、第1粘着剤組成物(I-2)のうち、アクリル系樹脂である粘着性樹脂(I-1a)の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(1-2a)を含有する組成物を埋め込み層形成用組成物(I)として用いることができる。
 埋め込み層形成用組成物(I)において用いる粘着性樹脂(I-1a)及びエネルギー線硬化性化合物は、後述する第1粘着剤組成物(I-1)で用いる粘着性樹脂(I-1a)及びエネルギー線硬化性化合物の説明と同じである。
 埋め込み層形成用組成物(I)において用いる粘着性樹脂(I-2a)は、後述する第1粘着剤組成物(I-2)において用いる粘着性樹脂(I-2a)の説明と同じである。
 埋め込み層形成用組成物(I)は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。埋め込み層形成用組成物(I)において用いる架橋剤は、後述する第1粘着剤組成物(I-1)、第1粘着剤組成物(I-2)で用いる架橋剤の説明と同じである。
 埋め込み層形成用組成物(I)は、さらに光重合開始剤、その他の添加剤を含有していてもよい。埋め込み層形成用組成物(I)において用いる光重合開始剤、その他の添加剤は、後述する第1粘着剤組成物(I-1)、第1粘着剤組成物(I-2)で用いる光重合開始剤、その他の添加剤の説明と同じである。
 埋め込み層形成用組成物(I)は、溶媒を含有していてもよい。埋め込み層形成用組成物(I)において用いる溶媒は、後述する第1粘着剤組成物(I-1)、第1粘着剤組成物(I-2)で用いる溶媒の説明と同じである。
 埋め込み層形成用組成物(I)のうち、粘着性樹脂(I-1a)の分子量及びエネルギー線硬化性化合物の分子量のいずれか一方又は両方を調整することで、埋め込み層が、端子を埋設するに相応しい、柔らかい性質を有するよう設計することができる。
 また、埋め込み層形成用組成物(I)のうち、架橋剤の含有量を調整することで、埋め込み層が、端子を埋設するに相応しい、柔らかい性質を有するよう設計することができる。
<<埋め込み層形成用組成物の製造方法>>
 埋め込み層形成用組成物(I)等の埋め込み層形成用組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
 各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、2種以上の成分を同時に添加してもよい。
 溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
 配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法;ミキサーを用いて混合する方法;超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
 各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は15~30℃であることが好ましい。
{埋め込み層の組成}
 本実施形態における、埋め込み層の組成は、上述の埋め込み層形成用組成物(I)から溶媒を除いたものである。
 埋め込み層形成用組成物(I)が、後述する、第1粘着剤組成物(I-1)のうち、アクリル系樹脂である粘着性樹脂(I-1a)と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する組成物である場合の埋め込み層(1)における、埋め込み層(1)の総質量に対するアクリル系樹脂である粘着性樹脂(I-1a)の含有割合は50~99質量%であることが好ましく、55~95質量%であることがより好ましく、60~90質量%であることがさらに好ましい。本発明の別の側面としては、埋め込み層(1)の総質量に対するアクリル系樹脂である粘着性樹脂(I-1a)の含有割合は45~90質量%であってもよく、50~85質量%であってもよい。また、埋め込み層(1)の総質量に対するエネルギー線硬化性化合物の含有割合は0.5~50質量%であることが好ましく、5~45質量%であることがさらに好ましい。埋め込み層(1)が架橋剤を含有する場合、埋め込み層(1)の総質量に対する架橋剤の含有割合は0.1~10質量%であることが好ましく、0.2~9質量%であることがより好ましく、0.3~8質量%であることがさらに好ましい。
 埋め込み層形成用組成物(I)が、アクリル系樹脂である粘着性樹脂(I-1a)の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(1-2a)を含有する組成物である場合の埋め込み層(2)における、埋め込み層の総質量に対する側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(1-2a)の含有割合は10~70質量%であることが好ましく、15~65質量%であることがより好ましく、20~60質量%であることがさらに好ましい。埋め込み層(2)が架橋剤を含有する場合、埋め込み層(2)の総質量に対する架橋剤の含有割合は0.1~10質量%であることが好ましく、0.2~9質量%であることがより好ましく、0.3~8質量%であることがさらに好ましい。本実施形態の埋め込み層(2)はさらに前記アクリル系樹脂である粘着性樹脂(I-1a)を含有していてもよい。この場合、埋め込み層(2)の総質量に対するアクリル系樹脂である粘着性樹脂(I-1a)の含有割合は、45~95質量%であることが好ましく、50~90質量%であることがより好ましく、55~85質量%であることがさらに好ましい。また、本発明の別の側面としては、埋め込み層(2)の総質量に対するアクリル系樹脂である粘着性樹脂(I-1a)の含有割合は、25~80質量%であってもよく、30~75質量%であってもよく、35~70質量%であってもよい。また、本実施形態の埋め込み層(2)がさらに前記アクリル系樹脂である粘着性樹脂(I-1a)を含有する場合、前記粘着性樹脂(1-2a)100質量部に対する、前記粘着性樹脂(1-1a)の含有量は、100~200質量部であることが好ましく、110~180質量部であることがより好ましく、120~170質量部であることがさらに好ましい。
 埋め込み層(1)に含まれるアクリル系樹脂である粘着性樹脂(I-1a)、エネルギー線硬化性化合物、埋め込み層(2)に含まれる粘着性樹脂(I-1a)の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(1-2a)の組成等は、後述する第1粘着剤組成物(I-1)で用いるアクリル系樹脂である粘着性樹脂(I-1a)、エネルギー線硬化性化合物、粘着性樹脂(I-1a)の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(1-2a)の説明と同じでもよい。
 本実施形態においては、粘着性樹脂(1-2a)、粘着性樹脂(1-1a)、及び架橋剤を含む埋め込み層(2)であることが好ましい。この場合、粘着性樹脂(1-1a)は、(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位と、カルボキシ基含有モノマー由来の単位を有するアクリル系重合体であることが好ましい。また、粘着性樹脂(1-2a)は、(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位、水酸基含有モノマー由来の単位を有するアクリル系重合体に、イソシアネート基及びエネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物を反応させて得られたアクリル系重合体であることが好ましい。架橋剤は、後述の第1粘着剤組成物(I-1)において例示される化合物を使用することができ、トリレンジイソシアネートを使用することが特に好ましい。
 粘着性樹脂(1-1a)の総質量に対する(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位の含有割合は、75~99質量%であることが好ましく、80~98質量%であることがより好ましく、85~97質量%であることがさらに好ましい。本発明の別の側面としては、粘着性樹脂(1-1a)の総質量に対する(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位の含有割合は、70~95質量%でもよく、80~95質量%でもよい。粘着性樹脂(1-1a)の総質量に対するカルボキシ基含有モノマーの構成単位の含有割合は、1.0~30質量%であることが好ましく、2.0~25質量%であることがより好ましく、3.0~20質量%であることがさらに好ましい。本発明の別の側面としては、粘着性樹脂(1-1a)の総質量に対するカルボキシ基含有モノマーの構成単位の含有割合は、3.0~20質量%でもよく、5.0~15質量%でもよい。粘着性樹脂(1-1a)における(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、アルキル基の炭素数が4~12であることが好ましく、4~8であることがより好ましい。また、粘着性樹脂(1-1a)においては、アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。中でも前記(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、アクリル酸n-ブチルであることが特に好ましい。また、粘着性樹脂(1-1a)におけるカルボキシ含有モノマーとしては、エチレン性不飽和モノカルボン酸、エチレン性不飽和ジカルボン酸、エチレン性不飽和ジカルボン酸の無水物等が挙げられ、中でもエチレン性不飽和モノカルボン酸が好ましく、(メタ)アクリル酸がより好ましく、アクリル酸が特に好ましい。
 本実施形態の粘着性樹脂(1-1a)の重量平均分子量は、100,000~800,000であることが好ましく、150,000~700,000であることがより好ましく、200,000~600,000であることがさらに好ましい。
 なお、本明細書において、「重量平均分子量」とは、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)法により測定されるポリスチレン換算値である。
 粘着性樹脂(1-2a)の総質量に対する(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位の含有割合は、1.0~95質量%であることが好ましく、2.0~90質量%であることがより好ましく、3.0~85質量%であることがさらに好ましい。粘着性樹脂(1-2a)の総質量に対する水酸基含有モノマー由来の単位の含有割合は、1.0~50質量%であることが好ましく、2.0~45質量%であることがより好ましく、3.0~40質量%であることがさらに好ましい。粘着性樹脂(1-2a)における(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、アルキル基の炭素数が1~12であることが好ましく、1~4であることがより好ましい。粘着性樹脂(1-2a)は、2種以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有することが好ましく、(メタ)アクリル酸メチル及び(メタ)アクリル酸n-ブチル由来の構成単位を有することがより好ましく、メタクリル酸メチル及びアクリル酸n-ブチル由来の構成単位を有することがさらに好ましい。粘着性樹脂(1-2a)における水酸基含有モノマーとしては、後述の第1粘着剤組成物(I-1)において例示されるものを使用することができ、アクリル酸2-ヒドロキシエチルを使用することが特に好ましい。イソシアネート基及びエネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物としては、後述の第1粘着剤組成物(I-2)において例示される化合物を使用することができ、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを使用することが特に好ましい。前記水酸基含有モノマーに由来する全水酸基を100molとしたときの、前記イソシアネート基及びエネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物の使用量は、10~150molが好ましく、20~140molがより好ましく、30~130molがさらに好ましい。
 本実施形態の粘着性樹脂(1-2a)の重量平均分子量は、10,000~500,000であることが好ましく、20,000~400,000であることがより好ましく、30,000~300,000であることがさらに好ましい。
〇粘着剤層
 以下、粘弾性層を構成する粘着剤層を、後述の、支持体に貼合するための第2粘着剤層と区別して、「第1粘着剤層」と称することがある。
 第1粘着剤層は、シート状又はフィルム状であり、粘着剤を含有する。
 前記粘着剤としては、例えば、アクリル系樹脂((メタ)アクリロイル基を有する樹脂からなる粘着剤)、ウレタン系樹脂(ウレタン結合を有する樹脂からなる粘着剤)、ゴム系樹脂(ゴム構造を有する樹脂からなる粘着剤)、シリコーン系樹脂(シロキサン結合を有する樹脂からなる粘着剤)、エポキシ系樹脂(エポキシ基を有する樹脂からなる粘着剤)、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート等の粘着性樹脂が挙げられ、アクリル系樹脂が好ましい。
 なお、本発明において、「粘着性樹脂」とは、粘着性を有する樹脂と、接着性を有する樹脂と、の両方を含む概念であり、例えば、樹脂自体が粘着性を有するものだけでなく、添加剤等の他の成分との併用により粘着性を示す樹脂や、熱又は水等のトリガーの存在によって接着性を示す樹脂等も含む。
 第1粘着剤層は1層(単層)のみでもよいし、2層以上の複数層でもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
 第1粘着剤層の厚さは1~800μmであることが好ましく、2~100μmであることがより好ましく、8~20μmであることが特に好ましい。
 ここで、「第1粘着剤層の厚さ」とは、第1粘着剤層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる第1粘着剤層の厚さとは、第1粘着剤層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
 第1粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものでもよいし、非エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものでもよい。エネルギー線硬化性の粘着剤を用いて形成された第1粘着剤層は、硬化前及び硬化後での物性を、容易に調節できる。
 本発明において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味し、その例として、紫外線、電子線等が挙げられる。
 紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンHランプ又はキセノンランプ等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
 本発明において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。
{{第1粘着剤組成物}}
 第1粘着剤層は、粘着剤を含有する第1粘着剤組成物を用いて形成できる。例えば、第1粘着剤層の形成対象面に第1粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に第1粘着剤層を形成できる。また、剥離フィルムに第1粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする厚さの第1粘着剤層を形成でき、目的とする部位に第1粘着剤層を転写することもできる。第1粘着剤層のより具体的な形成方法は、他の層の形成方法とともに、後ほど詳細に説明する。第1粘着剤組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、第1粘着剤層の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。なお、本実施形態において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、即ち平常の温度を意味し、例えば、15~25℃の温度等が挙げられる。
 第1粘着剤組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。
 第1粘着剤組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、第1粘着剤組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましく、この場合、例えば、70~130℃で10秒間~5分間の条件で乾燥させることが好ましい。
 第1粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、エネルギー線硬化性粘着剤を含有する第1粘着剤組成物、即ち、エネルギー線硬化性の第1粘着剤組成物としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-1a)(以下、「粘着性樹脂(I-1a)」と略記することがある)と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する第1粘着剤組成物(I-1);非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-1a)の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-2a)(以下、「粘着性樹脂(I-2a)」と略記することがある)を含有する第1粘着剤組成物(I-2);前記粘着性樹脂(I-2a)と、エネルギー線硬化性低分子化合物と、を含有する第1粘着剤組成物(I-3)等が挙げられる。
{第1粘着剤組成物(I-1)}
 第1粘着剤組成物(I-1)は、上述の様に、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-1a)と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する。
(粘着性樹脂(I-1a))
 前記粘着性樹脂(I-1a)は、アクリル系樹脂であることが好ましい。
 前記アクリル系樹脂としては、例えば、少なくとも(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有するアクリル系重合体が挙げられる。
 前記アクリル系樹脂が有する構成単位は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 前記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、アルキルエステルを構成するアルキル基の炭素数が1~20であるのものが挙げられ、前記アルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。
 (メタ)アクリル酸アルキルエステルとして、より具体的には、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n-プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n-ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸sec-ブチル、(メタ)アクリル酸tert-ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸n-オクチル、(メタ)アクリル酸n-ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル((メタ)アクリル酸ラウリルともいう。)、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル((メタ)アクリル酸ミリスチルともいう。)、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル((メタ)アクリル酸パルミチルともいう。)、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル((メタ)アクリル酸ステアリルともいう。)、(メタ)アクリル酸ノナデシル、(メタ)アクリル酸イコシル等が挙げられる。
 第1粘着剤層の粘着力が向上する点から、前記アクリル系重合体は、前記アルキル基の炭素数が4以上である(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有することが好ましい。そして、第1粘着剤層の粘着力がより向上する点から、前記アルキル基の炭素数は、4~12であることが好ましく、4~8であることがより好ましい。また、前記アルキル基の炭素数が4以上である(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。
 前記アクリル系重合体は、(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。
 前記官能基含有モノマーとしては、例えば、前記官能基が後述する架橋剤と反応することで架橋の起点となったり、前記官能基が不飽和基含有化合物中の不飽和基と反応することで、アクリル系重合体の側鎖に不飽和基の導入を可能とするものが挙げられる。
 官能基含有モノマー中の前記官能基としては、例えば、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。
 即ち、官能基含有モノマーとしては、例えば、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。
 前記水酸基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸ヒドロキシメチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル等の(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキル;ビニルアルコール、アリルアルコール等の非(メタ)アクリル系不飽和アルコール(すなわち、(メタ)アクリロイル骨格を有しない不飽和アルコール)等が挙げられる。
 前記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸(エチレン性不飽和結合を有するモノカルボン酸);フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸(エチレン性不飽和結合を有するジカルボン酸);前記エチレン性不飽和ジカルボン酸の無水物;2-カルボキシエチルメタクリレート等の(メタ)アクリル酸カルボキシアルキルエステル等が挙げられる。
 官能基含有モノマーは、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましく、水酸基含有モノマーがより好ましい。
 前記アクリル系重合体を構成する官能基含有モノマーは、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 前記アクリル系重合体において、官能基含有モノマー由来の構成単位の含有量は、構成単位の全量に対して、1~35質量%であることが好ましく、3~32質量%であることがより好ましく、5~30質量%であることが特に好ましい。
 前記アクリル系重合体は、(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位、及び官能基含有モノマー由来の構成単位以外に、さらに、他のモノマー由来の構成単位を有していてもよい。
 前記他のモノマーは、(メタ)アクリル酸アルキルエステル等と共重合可能なものであれば特に限定されない。
 前記他のモノマーとしては、例えば、スチレン、α-メチルスチレン、ビニルトルエン、ギ酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等が挙げられる。
 前記アクリル系重合体を構成する前記他のモノマーは、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 前記アクリル系重合体は、上述の非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-1a)として使用できる。
 一方、前記アクリル系重合体中の官能基に、エネルギー線重合性不飽和基(エネルギー線重合性基)を有する不飽和基含有化合物を反応させたものは、上述のエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-2a)として使用できる。
 なお、本発明において、「エネルギー線重合性」とは、エネルギー線を照射することにより重合する性質を意味する。
 第1粘着剤組成物(I-1)が含有する粘着性樹脂(I-1a)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-1)において、粘着性樹脂(I-1a)の含有量は、第1粘着剤組成物(I-1)の総質量に対して、5~99質量%であることが好ましく、10~95質量%であることがより好ましく、15~90質量%であることが特に好ましい。
(エネルギー線硬化性化合物)
 第1粘着剤組成物(I-1)が含有する前記エネルギー線硬化性化合物としては、エネルギー線重合性不飽和基を有し、エネルギー線の照射により硬化可能なモノマー又はオリゴマーが挙げられる。
 エネルギー線硬化性化合物のうち、モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトール(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4-ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6-へキサンジオール(メタ)アクリレート等の多価(メタ)アクリレート;ウレタン(メタ)アクリレート;ポリエステル(メタ)アクリレート;ポリエーテル(メタ)アクリレート;エポキシ(メタ)アクリレート等が挙げられる。
 エネルギー線硬化性化合物のうち、オリゴマーとしては、例えば、上記で例示したモノマーが重合したオリゴマー等が挙げられる。
 エネルギー線硬化性化合物は、分子量が比較的大きく、第1粘着剤層の貯蔵弾性率を低下させにくいという点では、ウレタン(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーが好ましい。
 本明細書において、「オリゴマー」とは、重量平均分子量又は式量が5,000以下の物質を意味する。
 第1粘着剤組成物(I-1)が含有する前記エネルギー線硬化性化合物は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-1)において、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量は、第1粘着剤組成物(I-1)の総質量に対して、1~95質量%であることが好ましく、5~90質量%であることがより好ましく、10~85質量%であることが特に好ましい。
(架橋剤)
 粘着性樹脂(I-1a)として、(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル系重合体を用いる場合、第1粘着剤組成物(I-1)は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。
 前記架橋剤は、例えば、前記官能基と反応して、粘着性樹脂(I-1a)同士を架橋するものである。
 架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、これらジイソシアネートのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤(イソシアネート基を有する架橋剤);エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤(グリシジル基を有する架橋剤);ヘキサ[1-(2-メチル)-アジリジニル]トリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤(アジリジニル基を有する架橋剤);アルミニウムキレート等の金属キレート系架橋剤(金属キレート構造を有する架橋剤);イソシアヌレート系架橋剤(イソシアヌル酸骨格を有する架橋剤)等が挙げられる。
 粘着剤の凝集力を向上させて第1粘着剤層の粘着力を向上させる点、及び入手が容易である等の点から、架橋剤はイソシアネート系架橋剤であることが好ましい。
 第1粘着剤組成物(I-1)が含有する架橋剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-1)において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂(I-1a)の含有量100質量部に対して、0.01~50質量部であることが好ましく、0.1~20質量部であることがより好ましく、1~10質量部であることが特に好ましい。
(光重合開始剤)
 第1粘着剤組成物(I-1)は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する第1粘着剤組成物(I-1)は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
 前記光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール等のベンゾイン化合物;アセトフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オン、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン等のアセトフェノン化合物;ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物;ベンジルフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスルフィド化合物;1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα-ケトール化合物;、アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物;チタノセン等のチタノセン化合物;チオキサントン等のチオキサントン化合物;パーオキサイド化合物;ジアセチル等のジケトン化合物;ベンジル、ジベンジル、ベンゾフェノン、2,4-ジエチルチオキサントン、1,2-ジフェニルメタン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-[4-(1-メチルビニル)フェニル]プロパノン、2-クロロアントラキノン等が挙げられる。
 また、前記光重合開始剤としては、例えば、1-クロロアントラキノン等のキノン化合物;アミン等の光増感剤等を用いることもできる。
 第1粘着剤組成物(I-1)が含有する光重合開始剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-1)において、光重合開始剤の含有量は、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量100質量部に対して、0.01~20質量部であることが好ましく、0.03~10質量部であることがより好ましく、0.05~5量部であることが特に好ましい。
(その他の添加剤)
 第1粘着剤組成物(I-1)は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
 前記その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤(可塑剤)、充填剤(フィラー)、防錆剤、着色剤(顔料、染料)、増感剤、粘着付与剤、反応遅延剤、架橋促進剤(触媒)等の公知の添加剤が挙げられる。
 なお、反応遅延剤とは、例えば、第1粘着剤組成物(I-1)中に混入している触媒の作用によって、保存中の第1粘着剤組成物(I-1)において、目的としない架橋反応が進行するのを抑制するものである。反応遅延剤としては、例えば、触媒に対するキレートによってキレート錯体を形成するものが挙げられ、より具体的には、1分子中にカルボニル基(-C(=O)-)を2個以上有するものが挙げられる。
 第1粘着剤組成物(I-1)が含有するその他の添加剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-1)において、その他の添加剤の含有量は特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
(溶媒)
 第1粘着剤組成物(I-1)は、溶媒を含有していてもよい。第1粘着剤組成物(I-1)は、溶媒を含有していることで、塗工対象面への塗工適性が向上する。
 前記溶媒は有機溶媒であることが好ましく、前記有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン等のケトン;酢酸エチル等のエステル(カルボン酸エステル);テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル;シクロヘキサン、n-ヘキサン等の脂肪族炭化水素;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素;1-プロパノール、2-プロパノール等のアルコール等が挙げられる。
 前記溶媒としては、例えば、粘着性樹脂(I-1a)の製造時に用いたものを粘着性樹脂(I-1a)から取り除かずに、そのまま第1粘着剤組成物(I-1)において用いてもよいし、粘着性樹脂(I-1a)の製造時に用いたものと同一又は異なる種類の溶媒を、第1粘着剤組成物(I-1)の製造時に別途添加してもよい。
 第1粘着剤組成物(I-1)が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-1)において、溶媒の含有量は特に限定されず、適宜調節すればよい。
{第1粘着剤組成物(I-2)}
 第1粘着剤組成物(I-2)は、上述の様に、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-1a)の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-2a)を含有する。
(粘着性樹脂(I-2a))
 前記粘着性樹脂(I-2a)は、例えば、粘着性樹脂(I-1a)中の官能基に、エネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物を反応させることで得られる。
 前記不飽和基含有化合物は、前記エネルギー線重合性不飽和基以外に、さらに粘着性樹脂(I-1a)中の官能基と反応することで、粘着性樹脂(I-1a)と結合可能な基を有する化合物である。
 前記エネルギー線重合性不飽和基としては、例えば、(メタ)アクリロイル基、ビニル基(エテニル基ともいう。)、アリル基(2-プロペニル基ともいう。)等が挙げられ、(メタ)アクリロイル基が好ましい。
 粘着性樹脂(I-1a)中の官能基と結合可能な基としては、例えば、水酸基又はアミノ基と結合可能なイソシアネート基及びグリシジル基、並びにカルボキシ基又はエポキシ基と結合可能な水酸基及びアミノ基等が挙げられる。
 前記不飽和基含有化合物としては、例えば、(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、(メタ)アクリロイルイソシアネート、グリシジル(メタ)アクリレート等が挙げられ、(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネートが好ましく、その中でも2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが特に好ましい。
 前記イソシアネート化合物は、粘着性樹脂(I-1a)中の水酸基と結合可能であり、粘着性樹脂(I-1a)中の全水酸基を100molとしたときの、前記イソシアネート化合物の使用量は、10~150molが好ましく、20~140molがより好ましく、30~130molがさらに好ましい。
 第1粘着剤組成物(I-2)が含有する粘着性樹脂(I-2a)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-2)において、粘着性樹脂(I-2a)の含有量は、第1粘着剤組成物(I-2)の総質量に対して、5~99質量%であることが好ましく、10~95質量%であることがより好ましく、10~90質量%であることが特に好ましい。
(架橋剤)
 粘着性樹脂(I-2a)として、例えば、粘着性樹脂(I-1a)におけるものと同様な、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル系重合体を用いる場合、第1粘着剤組成物(I-2)は、さらに架橋剤を含有していてもよい。
 第1粘着剤組成物(I-2)における前記架橋剤としては、第1粘着剤組成物(I-1)における架橋剤と同じものが挙げられる。
 第1粘着剤組成物(I-2)が含有する架橋剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-2)において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂(I-2a)の含有量100質量部に対して、0.01~50質量部であることが好ましく、0.1~20質量部であることがより好ましく、1~10質量部であることが特に好ましい。
(光重合開始剤)
 第1粘着剤組成物(I-2)は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する第1粘着剤組成物(I-2)は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
 第1粘着剤組成物(I-2)における前記光重合開始剤としては、第1粘着剤組成物(I-1)における光重合開始剤と同じものが挙げられる。
 第1粘着剤組成物(I-2)が含有する光重合開始剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-2)において、光重合開始剤の含有量は、粘着性樹脂(I-2a)の含有量100質量部に対して、0.01~20質量部であることが好ましく、0.03~10質量部であることがより好ましく、0.05~5質量部であることが特に好ましい。
(その他の添加剤)
 第1粘着剤組成物(I-2)は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
 第1粘着剤組成物(I-2)における前記その他の添加剤としては、第1粘着剤組成物(I-1)におけるその他の添加剤と同じものが挙げられる。
 第1粘着剤組成物(I-2)が含有するその他の添加剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-2)において、その他の添加剤の含有量は特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
(溶媒)
 第1粘着剤組成物(I-2)は、第1粘着剤組成物(I-1)の場合と同様の目的で、溶媒を含有していてもよい。
 第1粘着剤組成物(I-2)における前記溶媒としては、第1粘着剤組成物(I-1)における溶媒と同じものが挙げられる。
 第1粘着剤組成物(I-2)が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-2)において、溶媒の含有量は特に限定されず、適宜調節すればよい。
{第1粘着剤組成物(I-3)}
 第1粘着剤組成物(I-3)は、上述の様に、前記粘着性樹脂(I-2a)と、エネルギー線硬化性低分子化合物と、を含有する。
 第1粘着剤組成物(I-3)において、粘着性樹脂(I-2a)の含有量は、第1粘着剤組成物(I-3)の総質量に対して、5~99質量%であることが好ましく、10~95質量%であることがより好ましく、15~90質量%であることが特に好ましい。
(エネルギー線硬化性低分子化合物)
 第1粘着剤組成物(I-3)が含有する前記エネルギー線硬化性低分子化合物としては、エネルギー線重合性不飽和基を有し、エネルギー線の照射により硬化可能なモノマー及びオリゴマーが挙げられ、第1粘着剤組成物(I-1)が含有するエネルギー線硬化性化合物と同じものが挙げられる。
 第1粘着剤組成物(I-3)が含有する前記エネルギー線硬化性低分子化合物は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-3)において、前記エネルギー線硬化性低分子化合物の含有量は、粘着性樹脂(I-2a)の含有量100質量部に対して、0.01~300質量部であることが好ましく、0.03~200質量部であることがより好ましく、0.05~100質量部であることが特に好ましい。
(光重合開始剤)
 第1粘着剤組成物(I-3)は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する第1粘着剤組成物(I-3)は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
 第1粘着剤組成物(I-3)における前記光重合開始剤としては、第1粘着剤組成物(I-1)における光重合開始剤と同じものが挙げられる。
 第1粘着剤組成物(I-3)が含有する光重合開始剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-3)において、光重合開始剤の含有量は、粘着性樹脂(I-2a)及び前記エネルギー線硬化性低分子化合物の総含有量100質量部に対して、0.01~20質量部であることが好ましく、0.03~10質量部であることがより好ましく、0.05~5量部であることが特に好ましい。
(その他の添加剤)
 第1粘着剤組成物(I-3)は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
 前記その他の添加剤としては、第1粘着剤組成物(I-1)におけるその他の添加剤と同じものが挙げられる。
 第1粘着剤組成物(I-3)が含有するその他の添加剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-3)において、その他の添加剤の含有量は特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
(溶媒)
 第1粘着剤組成物(I-3)は、第1粘着剤組成物(I-1)の場合と同様の目的で、溶媒を含有していてもよい。
 第1粘着剤組成物(I-3)における前記溶媒としては、第1粘着剤組成物(I-1)における溶媒と同じものが挙げられる。
 第1粘着剤組成物(I-3)が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 第1粘着剤組成物(I-3)において、溶媒の含有量は特に限定されず、適宜調節すればよい。
{第1粘着剤組成物(I-1)~(I-3)以外の第1粘着剤組成物}
 ここまでは、第1粘着剤組成物(I-1)、第1粘着剤組成物(I-2)及び第1粘着剤組成物(I-3)について主に説明したが、これらの含有成分として説明したものは、これら3種の第1粘着剤組成物以外の全般的な第1粘着剤組成物(本実施形態においては、「第1粘着剤組成物(I-1)~(I-3)以外の第1粘着剤組成物」と称する)でも、同様に用いることができる。
 第1粘着剤組成物(I-1)~(I-3)以外の第1粘着剤組成物としては、エネルギー線硬化性の第1粘着剤組成物以外に、非エネルギー線硬化性の第1粘着剤組成物も挙げられる。
 非エネルギー線硬化性の第1粘着剤組成物としては、例えば、アクリル系樹脂((メタ)アクリロイル基を有する樹脂)、ウレタン系樹脂(ウレタン結合を有する樹脂)、ゴム系樹脂(ゴム構造を有する樹脂)、シリコーン系樹脂(シロキサン結合を有する樹脂)、エポキシ系樹脂(エポキシ基を有する樹脂)、ポリビニルエーテル、又はポリカーボネート等の粘着性樹脂を含有するものが挙げられ、アクリル系樹脂を含有するものが好ましい。
 第1粘着剤組成物(I-1)~(I-3)以外の第1粘着剤組成物は、1種又は2種以上の架橋剤を含有することが好ましく、その含有量は、上述の第1粘着剤組成物(I-1)等の場合と同様とすることができる。
<第1粘着剤組成物の製造方法>
 第1粘着剤組成物(I-1)~(I-3)等の前記第1粘着剤組成物は、前記粘着剤と、必要に応じて前記粘着剤以外の成分等の、第1粘着剤組成物を構成するための各成分を配合することで得られる。
 各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、2種以上の成分を同時に添加してもよい。
 溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
 配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法;ミキサーを用いて混合する方法;超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
 各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は15~30℃であることが好ましい。
{第1粘着剤層の組成}
 本実施形態における、第1粘着剤層の組成は、上述の第1粘着剤層組成物から溶媒を除いたものである。
 第1粘着剤層組成物が、前記第1粘着剤組成物(I-1)である場合の第1粘着剤層(I-1)における、第1粘着剤層(I-1)の総質量に対する粘着性樹脂(I-1a)の含有割合は、50~99質量%であることが好ましく、55~95質量%であることがより好ましく、60~90質量%であることがさらに好ましい。また、本発明の別の側面としては、第1粘着剤層(I-1)の総質量に対する粘着性樹脂(I-1a)の含有割合は、25~80質量%であってもよく、30~75質量%であってもよく、35~70質量%であってもよい。また、第1粘着剤層(I-1)の総質量に対するエネルギー線硬化性化合物の含有割合は、1~50質量%であることが好ましく、2~48質量%であることがより好ましく、5~45質量%であることがさらに好ましい。第1粘着剤層(I-1)が架橋剤を含有する場合、第1粘着剤層(I-1)の総質量に対する架橋剤の含有割合は0.1~10質量%であることが好ましく、0.2~9質量%であることがより好ましく、0.3~8質量%であることがさらに好ましい。
 第1粘着剤層組成物が、前記第1粘着剤組成物(I-2)である場合の第1粘着剤層(I-2)における、第1粘着剤層(I-2)の総質量に対する粘着性樹脂(I-2a)の含有割合は、50~99質量%であることが好ましく、60~98質量%であることがより好ましく、70~97質量%であることがさらに好ましい。第1粘着剤層(I-2)が架橋剤を含有する場合、第1粘着剤層(I-2)の総質量に対する架橋剤の含有割合は、0.1~10質量%であることが好ましく、0.2~9質量%であることがより好ましく、0.3~8質量%であることがさらに好ましい。
 第1粘着剤層組成物が、前記第1粘着剤組成物(I-3)である場合の第1粘着剤層(I-3)における、第1粘着剤層(I-3)の総質量に対する粘着性樹脂(I-2a)の含有割合は、50~99質量%であることが好ましく、55~95質量%であることがより好ましく、60~90質量%であることがさらに好ましい。また、第1粘着剤層(I-3)の総質量に対するエネルギー線硬化性低分子化合物の含有割合は、1~50質量%であることが好ましく、2~48質量%であることがより好ましく、5~45質量%であることがさらに好ましい。第1粘着剤層(I-3)が架橋剤を含有する場合、第1粘着剤層(I-3)の総質量に対する架橋剤の含有割合は0.1~10質量%であることが好ましく、0.2~9質量%であることがより好ましく、0.3~8質量%であることがさらに好ましい。
 本実施形態においては、粘着性樹脂(1-2a)、及び架橋剤を含む第1粘着剤層(I-2)であることが好ましい。この場合、粘着性樹脂(1-2a)は、(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位、水酸基含有モノマー由来の単位を有するアクリル系重合体に、イソシアネート基及びエネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物を反応させて得られたアクリル系重合体であることが好ましい。架橋剤は、第1粘着剤組成物(I-1)において例示した化合物を使用することができ、トリレンジイソシアネートを使用することが特に好ましい。
 粘着性樹脂(1-2a)の総質量に対する(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位の含有割合は、50~99質量%であることが好ましく、60~98質量%であることがより好ましく、70~97質量%であることがさらに好ましい。粘着性樹脂(1-2a)の総質量に対する水酸基含有モノマー由来の単位の含有割合は、0.5~15質量%であることが好ましく、1.0~10質量%であることがより好ましく、2.0~10質量%であることがさらに好ましい。粘着性樹脂(1-2a)における(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、アルキル基の炭素数が1~12であることが好ましく、1~4であることがより好ましい。粘着性樹脂(1-2a)は、2種以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有することが好ましく、(メタ)アクリル酸メチル及び(メタ)アクリル酸n-ブチル由来の構成単位を有することがより好ましく、メタクリル酸メチル及びアクリル酸n-ブチル由来の構成単位を有することがさらに好ましい。粘着性樹脂(1-2a)における水酸基含有モノマーとしては、前述の第1粘着剤組成物(I-1)において例示されるものを使用することができ、アクリル酸2-ヒドロキシエチルを使用することが特に好ましい。イソシアネート基及びエネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物としては、第1粘着剤組成物(I-2)において例示した化合物を使用することができ、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを使用することが特に好ましい。前記水酸基含有モノマーに由来する全水酸基を100molとしたときの、前記イソシアネート基及びエネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物の使用量は、20~80molが好ましく、25~75molがより好ましく、30~70molがさらに好ましい。
◎基材
 基材は、シート状又はフィルム状であり、その構成材料としては、例えば、各種樹脂が挙げられる。
 前記樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン(LDPEともいう。)、直鎖低密度ポリエチレン(LLDPEともいう。)、高密度ポリエチレン(HDPEともいう。)等のポリエチレン;ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン樹脂等のポリエチレン以外のポリオレフィン;エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVAともいう。)、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン-ノルボルネン共重合体等のエチレン系共重合体(すなわち、モノマーとしてエチレンを用いて得られた共重合体);ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂(すなわち、モノマーとして塩化ビニルを用いて得られた樹脂);ポリスチレン;ポリシクロオレフィン;ポリエチレンテレフタレート(PETともいう。)、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレン-2,6-ナフタレンジカルボキシレート、すべての構成単位が芳香族環式基を有する全芳香族ポリエステル等のポリエステル;2種以上の前記ポリエステルの共重合体;ポリ(メタ)アクリル酸エステル;ポリウレタン;ポリウレタンアクリレート;ポリイミド;ポリアミド;ポリカーボネート;フッ素樹脂;ポリアセタール;変性ポリフェニレンオキシド;ポリフェニレンスルフィド;ポリスルホン;ポリエーテルケトン等が挙げられる。
 また、前記樹脂としては、例えば、前記ポリエステルとそれ以外の樹脂との混合物等のポリマーアロイも挙げられる。前記ポリエステルとそれ以外の樹脂とのポリマーアロイは、ポリエステル以外の樹脂の量が比較的少量であるものが好ましい。
 また、前記樹脂としては、例えば、ここまでに例示した前記樹脂の1種又は2種以上が架橋した架橋樹脂;ここまでに例示した前記樹脂の1種又は2種以上を用いたアイオノマー等の変性樹脂も挙げられる。
 なお、本明細書において、「(メタ)アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念とする。(メタ)アクリル酸と類似の用語についても同様であり、例えば、「(メタ)アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両方を包含する概念であり、「(メタ)アクリロイル基」とは、「アクリロイル基」及び「メタクリロイル基」の両方を包含する概念である。
 基材を構成する樹脂は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 基材は1層(単層)のみでもよいし、2層以上の複数層でもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
 基材の厚さは、5~1000μmであることが好ましく、10~500μmであることがより好ましく、15~300μmであることがさらに好ましく、20~150μmであることが特に好ましい。
 ここで、「基材の厚さ」とは、基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる基材の厚さとは、基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
 基材は、厚さの精度が高いもの、すなわち、部位によらず厚さのばらつきが抑制されたものが好ましい。上述の構成材料のうち、このような厚さの精度が高い基材を構成するのに使用可能な材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリエチレン以外のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)等が挙げられる。
 基材は、前記樹脂等の主たる構成材料以外に、充填材、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤(可塑剤)等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。
 基材は、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよいし、他の層が蒸着されていてもよい。
 前記粘弾性層がエネルギー線硬化性である場合、基材はエネルギー線を透過させるものが好ましい。
 基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する基材は、前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。
◎剥離フィルム
 前記剥離フィルムは、当該分野で公知のものでよい。
 好ましい前記剥離フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂製フィルムの少なくとも一方の表面が、シリコーン処理等によって剥離処理されたもの;フィルムの少なくとも一方の表面が、ポリオレフィンで構成された剥離面となっているもの等が挙げられる。
 剥離フィルムの厚さは、基材の厚さと同様であることが好ましい。
◎第2粘着剤層
 第2粘着剤層(すなわち、貼合粘着剤層)は、本実施形態の端子保護用テープを支持体に貼合するための粘着剤層である。
 前記第2粘着剤層は、当該分野で公知のものでよく、上述の第1粘着剤層で説明したものから、支持体に合わせて適宜選択することができる。
 第2粘着剤層を形成するための第2粘着剤組成物は、前記第1粘着剤組成物と同様であり、第2粘着剤組成物の製造方法も、前記第1粘着剤組成物の製造方法と同様である。
◇端子保護用テープの製造方法
 前記端子保護用テープは、上述の各層を対応する位置関係となるように順次積層することで製造できる。各層の形成方法は、先に説明したとおりである。
 例えば、剥離フィルムの剥離処理面上に、上述の埋め込み層形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、埋め込み層を積層する。別の剥離フィルムの剥離処理面上に、上述の第1粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、第1粘着剤層を積層する。剥離フィルム上の埋め込み層を、別の剥離フィルム上の第1粘着剤層と貼り合わせることで、剥離フィルム、埋め込み層、第1粘着剤層及び剥離フィルムがこの順に積層された端子保護用テープを得る。剥離フィルムは、端子保護用テープの使用時に取り除けばよい。
 また、基材上に埋め込み層及び第1粘着剤層がこの順に、これらの厚さ方向において積層された端子保護用テープは、以下に示す方法で製造できる。
 例えば、上述の、剥離フィルム、埋め込み層、第1粘着剤層及び剥離フィルムがこの順に積層された端子保護用テープの埋め込み層の側の剥離フィルムを剥離し、これを基材と貼り合わせることで、基材上に埋め込み層、第1粘着剤層及び剥離フィルムがこの順に積層された端子保護用テープを得ることができる。剥離フィルムは、端子保護用テープの使用時に取り除けばよい。
 また、例えば、基材に対して、埋め込み層形成用組成物を押出成形することにより、基材上に埋め込み層を積層する。剥離フィルムの剥離処理面上に、上述の第1粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、第1粘着剤層を積層する。そして、この剥離フィルム上の第1粘着剤層を基材上の埋め込み層と貼り合わせることでも、基材上に埋め込み層、第1粘着剤層及び剥離フィルムがこの順に積層された端子保護用テープを得ることができる。剥離フィルムは、端子保護用テープの使用時に取り除けばよい。
 また、第2粘着剤層、基材、埋め込み層及び第1粘着剤層がこの順に、これらの厚さ方向において積層された両面テープの形態の端子保護用テープは、以下に示す方法で製造できる。
 例えば、上述の、基材上に埋め込み層、第1粘着剤層及び剥離フィルムがこの順に積層された端子保護用テープを準備する。別の剥離フィルムの剥離処理面上に、上述の第2粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、第2粘着剤層を積層する。そして、この剥離フィルム上の第2粘着剤層を前記端子保護用テープの基材と貼り合わせることで、剥離フィルム、第2粘着剤層、基材、埋め込み層、第1粘着剤層及び剥離フィルムがこの順に積層された端子保護用テープを得ることができる。剥離フィルムは、端子保護用テープの使用時に取り除けばよい。
 上述の各層以外の他の層を備えた端子保護用テープは、上述の製造方法において、前記他の層の積層位置が適切な位置となるように、前記他の層の形成工程及び積層工程のいずれか一方又は両方を適宜追加して行うことで、製造できる。
◇電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法
 本実施形態の端子保護用テープは、例えば、以下の電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法に使用できる。
 図5は、本実施形態の電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法であって、粘着剤層14と、埋め込み層13と、基材11と、をこの順で有する端子保護用テープ3を、図4に示すように支持体30に固定して行う、電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法の、一の実施形態を模式的に示す断面図である。
 まず、図5(a)、(b)に示す様に、端子保護用テープの粘弾性層12に、端子付き半導体装置65を、端子91の側、すなわち回路基板63の端子形成面63aを下にして押し付けて、粘弾性層12に端子91を埋設させる。
 このとき、端子付き半導体装置65の端子91に粘弾性層12を接触させて、端子保護用テープに端子付き半導体装置65を押し付ける。これにより、粘弾性層12の粘着剤層14の側の最表面を、端子91の表面及び回路基板63の端子形成面63aに、順次圧着させる。このとき、粘弾性層12を加熱することで、粘弾性層12は軟化し、端子91を覆うようにして端子91間に広がり、端子形成面63aに密着するとともに、端子91の表面、特に端子形成面63aの近傍部位の表面を覆って、端子91を埋設させる。
 端子保護用テープに端子付き半導体装置65を圧着させる方法としては、各種シートを対象物に圧着させて貼付する公知の方法を適用でき、例えば、ラミネートローラーや真空ラミネーターを用いる方法等が挙げられる。
 端子付き半導体装置65を、端子保護用テープに圧着させるときの圧力は、特に限定されないが、0.1~1.5MPaであることが好ましく、0.3~1.3MPaであることがより好ましい。加熱温度は、30~70℃が好ましく、35~65℃がより好ましく、40~60℃が特に好ましい。また、粘弾性層12の第1粘着剤層14を端子形成面63aに貼り合わせることが好ましい。
 端子付き半導体装置65の露出面に導電性樹脂101を塗布し(図5(c))、更に、熱硬化させることで、導電材料からなる電磁波シールド膜10を形成する(図5(d))。導電材料で被覆して電磁波シールド膜10を形成する方法としては、スパッタリング、イオンプレーティング、スプレーコート等の方法を用いることもできる。
 前記端子保護用テープが、粘弾性層12の動的粘弾性測定において、50℃におけるtanδの値が0.2以上であり、粘弾性層12の厚さが80~800μmであるので、端子付き半導体装置の端子を粘弾性層12に埋設するにあたり、はんだボール等の浮きの生じやすい端子電極であっても埋設することが可能で、回路基板63の端子形成面63aを粘弾性層12に密着させることができる。結果として、端子電極である端子91と電磁波シールド膜10とが電気的にショートすることを防止することができ、工程上煩雑なマスキング部などを設ける必要もない。
 粘弾性層12を有する端子保護用テープ3から、電磁波シールド膜付き半導体装置66をピックアップすることによって、電磁波シールド膜10で被覆された端子付き半導体装置65を取り出すことができる(図5(e))。
 図5に示す電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法で、電磁波シールドの対象となる端子付き半導体装置65は、個別に製造された端子付き半導体装置65であってもよく、ダイシング法によって個片化された端子付き半導体装置65であってもよい。
 図5に示す電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法では、個片化され個々の電子部品61、62が封止樹脂64で封止された端子付き半導体装置65を、端子保護用テープ3を用いて、電磁波シールドする方法を示したが、次の様に、個片化する前の端子付き半導体装置集合体6から、端子保護用テープ2を用いて、端子付き半導体装置65を電磁波シールドすることもできる。
 図6は、本実施形態の電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法であって、粘着剤層14と、埋め込み層13と、基材11と、をこの順で有する端子保護用テープ2を用いて、端子付き半導体装置65を電磁波シールドする方法の他の実施形態を模式的に示す断面図である。
 まず、図6(a)、(b)に示す様に、端子保護用テープの粘弾性層12に、回路基板63によって連結された端子付き半導体装置集合体6を、端子91の側、すなわち回路基板63の端子形成面63aを下にして押し付けて、前記図5(a)、(b)のときと同様に、粘弾性層12に端子91を埋設させる。
 このとき、端子付き半導体装置集合体6に上側から圧力をかけながら、前記図5(a)、(b)のときと同様に、端子保護用テープの粘弾性層12に、端子91を埋設させる。
 また、粘弾性層12を加熱しながら貼り合わせることで、粘弾性層12を軟化させ、粘弾性層12を回路基板63の端子形成面63aに密着させることができる。端子付き半導体装置集合体6を、端子保護用テープに圧着させるときの圧力は、特に限定されないが、0.1~1.5MPaであることが好ましく、0.3~1.3MPaであることがより好ましい。加熱温度は、30~70℃が好ましく、35~65℃がより好ましく、40~60℃が特に好ましい。また、粘弾性層12の第1粘着剤層14を端子形成面63aに貼り合わせることが好ましい。
 次いで、端子付き半導体装置集合体6をダイシングして、端子付き半導体装置65とする(図6(c))。電磁波シールド膜を形成する工程に用いられる本実施形態の端子保護用テープは、端子付き半導体装置集合体6のダイシングテープを兼ねることになる。そして、図5に示す電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法において、電磁波シールドの対象となる端子付き半導体装置65が、ダイシング法によって個片化された端子付き半導体装置65であるときは、ダイシングテープ上の端子付き半導体装置をピックアップして、端子保護用テープに貼り換える作業(図5(a))が必要になる。一方、図6に示す電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法では、ダイシングテープ上の端子付き半導体装置65を端子保護用テープに貼り換える作業を省略することができる。
 端子付き半導体装置65の露出面に導電性樹脂101を塗布する(図6(d))。このとき、端子付き半導体装置集合体6の各端子付き半導体装置65の境界部分において導電性樹脂101の分離が不充分な場合には、エキスパンド装置等を用いて端子保護用テープを延伸してもよい。個片化された端子付き半導体装置65のそれぞれの側面に導電性樹脂101が塗布された状態で、個々の端子付き半導体装置65を個片化することができる。更に、個片化された端子付き半導体装置65の天面及び側面に塗布された導電性樹脂101を加熱し硬化させて、端子付き半導体装置65の露出面に、導電材料からなる電磁波シールド膜10を形成させる(図6(e))。端子付き半導体装置65(図6(c))に直接導電材料をスパッタリングして、電磁波シールド膜10を形成させてもよい(図6(e))。
 前記端子保護用テープが、粘弾性層12の動的粘弾性測定において、50℃におけるtanδの値が0.2以上であり、粘弾性層12の厚さが80~800μmであるので、端子付き半導体装置集合体6の端子を粘弾性層12に埋設するにあたり、はんだボール等の浮きの生じやすい端子電極であっても埋設することが可能で、回路基板63の端子形成面63aを粘弾性層12に密着させることができる。結果として、端子電極である端子91と電磁波シールド膜10とが電気的にショートすることを防止することができ、工程上煩雑なマスキング部などを設ける必要もない。
 粘弾性層12を有する端子保護用テープから、電磁波シールド膜付き半導体装置66をピックアップすることによって、電磁波シールド膜10で被覆された端子付き半導体装置65を取り出すことができる(図6(f))。
 本実施形態の端子保護用テープにおいて、端子91の高さh0は、粘弾性層12の厚さd1よりも低いことが好ましく、1.2≦ d1/h0 ≦5.0であることが好ましい。具体的には、50~300μmであることが好ましく、60~270μmであることがより好ましく、80~240μmであることが特に好ましい。端子91の高さが前記下限値以上であることで、端子91の機能をより向上させることができる。また、端子91の高さが前記上限値以下であることで、端子91上部での粘弾性層12の残存を抑制する効果がより高くなる。
 なお、本明細書において、「端子の高さ」とは、端子のうち、端子形成面から最も高い位置に存在する部位での高さを意味する。端子付き半導体装置集合体6及び端子付き半導体装置半導体装置65が複数の端子91を有する場合、端子91の高さh0はそれらの平均とすることができる。端子の高さは例えば、非接触型3次元光干渉式表面粗さ計(日本Veeco社製、商品名:Wyko NT1100)によって測定することができる。
 端子91の幅は特に限定されないが、170~350μmであることが好ましく、200~320μmであることがより好ましく、230~290μmであることが特に好ましい。端子91の幅が前記下限値以上であることで、端子91の機能をより向上させることができる。また、端子91の高さが前記上限値以下であることで、端子91上部での粘弾性層12の残存を抑制する効果がより高くなる。
 なお、本明細書において、「端子の幅」とは、端子形成面に対して垂直な方向から端子を見下ろして平面視したときに、端子表面上の異なる2点間を直線で結んで得られる線分の最大値を意味する。端子が球形、又は半球形であるときは、「端子の幅」とは、端子を見下ろして平面視したときのその端子の最大直径(端子径)をいう。
 隣り合う端子91間の距離(すなわち、端子間ピッチ)は、特に限定されないが、250~800μmであることが好ましく、300~600μmであることがより好ましく、350~500μmであることが特に好ましい。前記距離が前記下限値以上であることで、端子91の埋め込み性をより向上させることができる。また、前記距離が前記上限値以下であることで、端子91上部での粘弾性層12の残存を抑制する効果がより高くなる。
 なお、本明細書において、「隣り合う端子間の距離」とは、隣り合う端子同士の表面間の距離の最小値を意味する。
 以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
<モノマー>
 略記しているモノマーの正式名称を、以下に示す。
 HEA:アクリル酸2-ヒドロキシエチル
 BA:アクリル酸n-ブチル
 MMA:メタクリル酸メチル
 AAc:アクリル酸
(貼合粘着剤層形成用組成物Aの製造)
 BA90質量部及びAAc10質量部からなるアクリル系共重合体(重量平均分子量(Mw)400,000)33.6質量部と、溶媒としてエチルメチルケトン66.4質量部と、架橋剤として多価エポキシ化合物(三菱ガス化学株式会社製、製品名「TETRAD-C」)0.2質量部を添加し、30分間撹拌を行って貼合粘着剤層形成用組成物Aを調製した。
(貼合粘着剤層Aの製造)
 ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム(リンテック社製「SP-PET381031」、厚さ38μm)の剥離処理面に、前記貼合粘着剤層形成用組成物Aを塗工し、100℃で1分間加熱乾燥させることにより、厚さ20μmの貼合粘着剤層Aを製造した。
(粘着剤層形成用組成物Bの製造)
 BA74質量部、MMA20質量部及びHEA6質量部からなるアクリル系共重合体に対して、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(HEAに対して約50モル%)を付加した樹脂の溶液(粘着剤主剤、固形分35質量%)を調製した。この粘着剤主剤100質量部に対して、架橋剤としてトリレンジイソシアネート(トーヨーケム株式会社製、製品名「BHS-8515」、固形分濃度:37.5%)を0.5質量部添加し、30分間攪拌を行って粘着剤層形成用組成物Bを調製した。
(粘着剤層Bの製造)
 ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム(リンテック社製「SP-PET381031」、厚さ38μm)の剥離処理面に、前記粘着剤層形成用組成物Bを塗工し、100℃で1分間加熱乾燥させることにより、厚さ20μmの粘着剤層Bを製造した。
(埋め込み層形成用組成物Aの製造)
 BA90質量部及びAAc10質量部からなるアクリル系共重合体(重量平均分子量(Mw)400,000)の溶液(固形分33.6質量%)100質量部と、BA62質量部、MMA10質量部及びHEA28質量部からなるアクリル系共重合体に2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネートをHEA100mol%に対して付加率が80mol%となるように付加した樹脂(平均重量分子量(Mw)100,000)の溶液(固形分45質量%)50質量部と、架橋剤としてトリレンジイソシアネート(トーヨーケム株式会社製、製品名「BHS-8515」、固形分濃度:37.5%)2.5質量部を添加し、30分間撹拌して埋め込み層形成用組成物Aを調製した。
(埋め込み層形成用組成物Bの製造)
 BA90質量部及びAAc10質量部からなるアクリル系共重合体(重量平均分子量(Mw)400,000)33.6質量部と、溶媒としてエチルメチルケトン66.4質量部と、架橋剤として多価エポキシ化合物(三菱ガス化学株式会社製、製品名「TETRAD-C」)0.2質量部を添加し、30分間撹拌を行って埋め込み層形成用組成物Bを調製した。
(基材)
 ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(製品名「コスモシャインA4100」、厚み50μm、東洋紡社製)を基材11に用いた。
(端子付き半導体装置の準備)
 実施例及び比較例の端子保護用テープの埋め込み性を評価するに当たり、次の端子付き半導体装置を準備した。
・端子付き半導体装置(1)
 半導体装置の大きさ:10mm×10mm
 端子の高さ:200μm
 端子径:250μm
 端子間ピッチ:400μm
 端子の数:10×10=100個
・端子付き半導体装置(2)
 半導体装置の大きさ:10mm×10mm
 端子の高さ:100μm
 端子径:250μm
 端子間ピッチ:400μm
 端子の数:10×10=100個
<埋め込み性評価>
 図3の形態の端子保護用テープ3の、貼合粘着剤層15側の剥離フィルム22を剥離し、SUS板30上に接着させて、図4の形態の埋め込み性評価用の試料を作製し、粘着剤層14側の剥離フィルム20を剥離し、このSUS板30の側を下にして50℃に温度調節したホットプレート上に設置した。次に、図5の(a)のように、前記端子付き半導体装置の端子の側を下にして、この粘弾性層12に、プレス圧力(荷重1.1MPa)、プレス時間40s、加熱時間50℃で押し付けた。この埋め込み性評価を9個の端子付き半導体装置について実施した。
 プレス直後に、横から観察して埋め込み性を確認して、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープに接着しており、端子が端子保護用テープに隠れて観察できなかったものを、プレス直後の埋め込み性良好(A)と評価した。少なくとも1個の端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープから浮いており、端子が端子保護用テープと半導体装置本体との間に観察できたものを、プレス直後の埋め込み性不良(B)と評価した。
 その後、常温に放冷して1時間後の端子付き半導体装置について、横から観察して埋め込み性を確認して、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープに接着しており、端子が端子保護用テープに隠れて観察できなかったものを、プレス1時間後の埋め込み性良好(A)と評価した。少なくとも1個の端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープから浮いており、端子が端子保護用テープと半導体装置本体との間に観察できたものを、プレス1時間後の埋め込み性不良(B)と評価した。
[実施例1]
<端子保護用テープの製造>
 埋め込み層形成用組成物Aをポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム(リンテック社製「SP-PET381031」、厚さ38μm)の剥離処理面に塗工し、100℃で1分間加熱乾燥させた後、埋め込み層形成用組成物Aの上にポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム(リンテック社製「SP-PET382150」、厚さ38μm)の剥離処理面をラミネートし、厚さ50μmの埋め込み層を製造した。
 前記埋め込み層のラミネートした剥離フィルムを剥がした面どうしを貼合し、厚さ100μmの埋め込み層を作製した。同様にして埋め込み層を貼合して積層し、厚さ300μmの埋め込み層Aを作製した。
 厚さ20μmの粘着剤層Bに厚さ300μmの埋め込み層Aを貼合して、図1に示す形態の厚さ320μmの粘弾性層12を有する実施例1の端子保護用テープ1を製造した。
<粘弾性層のせん断貯蔵弾性率測定>
 この実施例1の端子保護用テープ1のうち、両方の剥離フィルムを剥離して、厚さ320μmの粘弾性層12を3層積層することにより、厚さ960μmの粘弾性層を形成した。これから直径8mm、厚さ960μmの円柱形状の評価用試料を作製し、この試料をせん断粘度測定装置に設置した。このとき、測定装置の設置箇所に前記試料を載置して、試料の上面から測定治具を押し当てることで、試料を前記設置箇所に固定して設置した。
 周波数:1Hz、昇温速度:10℃/minの測定条件で、室温から100℃までのせん断貯蔵弾性率G’及びtanδ(損失弾性率G”/貯蔵弾性率G’)を測定した。このうち25℃及び50℃におけるせん断貯蔵弾性率G’及びtanδ(損失弾性率G”/貯蔵弾性率G’)を求めた。結果を表1に示す。
<埋め込み性評価>
 実施例1の端子保護用テープ1の、埋め込み層Aの側の剥離フィルムを剥離し、基材であるポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(製品名「コスモシャインA4100」、厚み50μm、東洋紡社製)の易接着処理側と貼り合わせ、図2に示す、基材11/埋め込み層13/粘着剤層14の形態の粘弾性層12を有する実施例1の端子保護用テープ2を製造した。
 更に、実施例1の端子保護用テープ2の基材の埋め込み層Aとは反対側に、前記貼合粘着剤層Aを積層して、図3に示す形態の粘弾性層12を有する実施例1の端子保護用テープ3を製造した。
 実施例1の端子保護用テープ3の、貼合粘着剤層Aの側の剥離フィルムを剥離して、SUS板上に接着させて、図4の形態の埋め込み性評価用の試料を作製し、粘着剤層Bの側の剥離フィルムを剥離し、このSUS板の側を下にして50℃に温度調節したホットプレート上に設置した。次に、図5の(a)のように、端子の高さがh0=200μmの前記端子付き半導体装置(1)の端子の側を下にして、実施例1の端子保護用テープ3に、プレス圧力(荷重1.1MPa)、プレス時間40s、加熱時間50℃で押し付けた。この埋め込み性評価を9個の端子付き半導体装置について実施した。粘弾性層12の厚さd1(μm)と、端子の高さh0(μm)との比(d1/h0)は、1.6である。
 プレス直後に、横から観察して埋め込み性を確認したところ、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープに接着しており、端子が端子保護用テープに隠れて観察できなかった(プレス直後の埋め込み性良好(A))。結果を表1に示す。
 その後、常温に放冷して1時間後の端子付き半導体装置について、横から観察して埋め込み性を確認したところ、図5の(b)のように、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープに接着しており、端子が端子保護用テープに隠れて観察できなかった(プレス1時間後の埋め込み性良好(A))。結果を表1に示す。
[実施例2]
<端子保護用テープの製造>
 埋め込み層Aの厚さを変更して、この他は実施例1と同様にして、剥離フィルムの剥離処理面に、厚さ470μmの埋め込み層Aを製造した。
 厚さ20μmの粘着剤層Bに厚さ470μmの埋め込み層Aを積層して、図1に示す形態の厚さ490μmの粘弾性層12を有する実施例2の端子保護用テープ1を製造した。
<粘弾性層のせん断貯蔵弾性率測定>
 次いで、この実施例2の端子保護用テープ1のうち、両方の剥離フィルムを剥離して、厚さ490μmの粘弾性層12を2枚積層することにより、厚さ980μmの粘弾性層を形成した。そして、実施例1と同様にして、実施例2の端子保護用テープ1のうち粘弾性層12について、せん断貯蔵弾性率G’及びtanδ(損失弾性率G”/貯蔵弾性率G’)を測定した。このうち25℃及び50℃におけるせん断貯蔵弾性率G’及びtanδ(損失弾性率G”/貯蔵弾性率G’)を求めた。結果を表1に示す。
<埋め込み性評価>
 実施例1と同様にして、実施例2の端子保護用テープ1を用いて、図2に示す形態の粘弾性層12を有する実施例2の端子保護用テープ2を製造した。
 更に、実施例1と同様にして、実施例2の端子保護用テープ2を用いて、図3に示す形態の粘弾性層12を有する実施例2の端子保護用テープ3を製造した。
 実施例2の端子保護用テープ3について、端子の高さがh0=100μmの前記端子付き半導体装置(2)を用いて、プレス直後の埋め込み性を確認したところ((d1/h0)は、4.9)、図5の(b)のように、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープに接着しており、端子が端子保護用テープに隠れて観察できなかった(プレス直後の埋め込み性良好(A))。結果を表1に示す。また、プレス1時間後の埋め込み性を確認したところ、図5の(b)のように、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープに接着しており、端子が端子保護用テープに隠れて観察できなかった(プレス1時間後の埋め込み性良好(A))。結果を表1に示す。
[実施例3]
<端子保護用テープの製造>
 埋め込み層Aの厚さを変更して、この他は実施例1と同様にして、剥離フィルムの剥離処理面に、厚さ770μmの埋め込み層Aを製造した。
 厚さ20μmの粘着剤層Bに厚さ770μmの埋め込み層Aを積層して、図1に示す形態の厚さ790μmの粘弾性層12を有する実施例3の端子保護用テープ1を製造した。
<粘弾性層のせん断貯蔵弾性率測定>
 次いで、この実施例3の端子保護用テープ1のうち、両方の剥離フィルムを剥離して、実施例1と同様にして、実施例3の端子保護用テープ1のうち厚さ790μmの粘弾性層12について、せん断貯蔵弾性率G’及びtanδ(損失弾性率G”/貯蔵弾性率G’)を測定した。このうち25℃及び50℃におけるせん断貯蔵弾性率G’及びtanδ(損失弾性率G”/貯蔵弾性率G’)を求めた。結果を表1に示す。
<埋め込み性評価>
 実施例1と同様にして、実施例3の端子保護用テープ1を用いて、図2に示す形態の粘弾性層12を有する実施例3の端子保護用テープ2を製造した。
 更に、実施例1と同様にして、実施例3の端子保護用テープ2を用いて、図3に示す形態の粘弾性層12を有する実施例3の端子保護用テープ3を製造した。
 実施例3の端子保護用テープ3について、端子の高さがh0=200μmの前記端子付き半導体装置(1)を用いて、プレス直後の埋め込み性を確認したところ((d1/h0)は、4.0)、図5の(b)のように、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープに接着しており、端子が端子保護用テープに隠れて観察できなかった(プレス直後の埋め込み性良好(A))。また、プレス1時間後の埋め込み性を確認したところ、図5の(b)のように、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープに接着しており、端子が端子保護用テープに隠れて観察できなかった(プレス1時間後の埋め込み性良好(A))。結果を表1に示す。
[実施例4]
<端子保護用テープの製造>
 埋め込み層Aの厚さを変更して、この他は実施例1と同様にして、剥離フィルムの剥離処理面に、厚さ120μmの埋め込み層Aを製造した。
 厚さ20μmの粘着剤層Bに厚さ120μmの埋め込み層Aを積層して、図1に示す形態の厚さ140μmの粘弾性層12を有する実施例4の端子保護用テープ1を製造した。
<粘弾性層のせん断貯蔵弾性率測定>
 次いで、この実施例4の端子保護用テープ1のうち、両方の剥離フィルムを剥離して、厚さ140μmの粘弾性層12を7枚積層することにより、厚さ980μmの粘弾性層を形成した。そして、実施例1と同様にして、実施例4の端子保護用テープ1のうち粘弾性層12について、せん断貯蔵弾性率G’及びtanδ(損失弾性率G”/貯蔵弾性率G’)を測定した。このうち25℃及び50℃におけるせん断貯蔵弾性率G’及びtanδ(損失弾性率G”/貯蔵弾性率G’)を求めた。結果を表1に示す。
<埋め込み性評価>
 実施例1と同様にして、実施例4の端子保護用テープ1を用いて、図2に示す形態の粘弾性層12を有する実施例4の端子保護用テープ2を製造した。
 更に、実施例1と同様にして、実施例4の端子保護用テープ2を用いて、図3に示す形態の粘弾性層12を有する実施例4の端子保護用テープ3を製造した。
 実施例4の端子保護用テープ3について、端子の高さがh0=100μmの前記端子付き半導体装置(2)を用いて、プレス直後の埋め込み性を確認したところ((d1/h0)は、1.4)、プレス直後の埋め込み性を確認したところ、図5の(b)のように、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープに接着しており、端子が端子保護用テープに隠れて観察できなかった(プレス直後の埋め込み性良好(A))。また、プレス1時間後の埋め込み性を確認したところ、図5の(b)のように、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープに接着しており、端子が端子保護用テープに隠れて観察できなかった(プレス1時間後の埋め込み性良好(A))。結果を表1に示す。
[比較例1]
<端子保護用テープ>
 厚さ20μmの粘着剤層Bを比較例1の端子保護用テープとして用いた。
<粘弾性層のせん断貯蔵弾性率測定>
 厚さ20μmの粘着剤層Bを複数枚積層することにより、厚さ1000μmの粘弾性層を形成した。これから直径8mm、厚さ1000μmの円柱形状の評価用試料を作製し、この試料を用いて、実施例1と同様にして、せん断貯蔵弾性率G’及びtanδ(損失弾性率G”/貯蔵弾性率G’)を測定した。このうち25℃及び50℃におけるせん断貯蔵弾性率G’及びtanδ(損失弾性率G”/貯蔵弾性率G’)を求めた。結果を表1に示す。
<埋め込み性評価>
 厚さ20μmの粘着剤層Bを、前記基材Aの易接着処理面の側に積層し、この基材Aの粘着剤層Bとは反対の側に、前記貼合粘着剤層Aを積層して、比較例1の端子保護用テープを製造した。
 比較例1の端子保護用テープの、貼合粘着剤層Aの側の剥離フィルムを剥離し、SUS板上に接着させてから、粘着剤層Bの側の剥離フィルムを剥離し、このSUS板の側を下にして50℃に温度調節したホットプレート上に設置した。次に、図7の(a)のように、端子の高さがh0=200μmの前記端子付き半導体装置(1)の端子の側を下にして、比較例1の端子保護用テープに、1.1MPaのプレス圧力、プレス時間40s、加熱時間50℃で押し付けた。この埋め込み性評価を9個の端子付き半導体装置について実施した。粘弾性層の厚さd1(μm)と、端子の高さh0(μm)との比(d1/h0)は、0.1である。
 プレス直後に、横から観察して埋め込み性を確認したところ、図7の(b)のように、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープから浮いており、端子保護用テープと半導体装置本体との間に端子が観察できた(プレス直後の埋め込み性不良(B))。結果を表1に示す。
 その後、常温に放冷して1時間後の端子付き半導体装置について、横から観察して埋め込み性を確認したところ、図7の(b)のように、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープから浮いており、端子保護用テープと半導体装置本体との間に端子が観察できた(プレス1時間後の埋め込み性不良(B))。
[比較例2]
<端子保護用テープの製造>
 ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム(リンテック社製「SP-PET381031」、厚さ38μm)の剥離処理面に、上記で得られた埋め込み層形成用組成物Bを塗工し、120℃で2分間加熱乾燥させることにより、厚さ300μmの埋め込み層Bを製造した。
 厚さ20μmの粘着剤層Bに厚さ300μmの埋め込み層Bを積層して、図1に示す形態の厚さ320μmの粘弾性層12を有する比較例2の端子保護用テープ1を製造した。
<粘弾性層のせん断貯蔵弾性率測定>
 次いで、この比較例2の端子保護用テープ1のうち、両方の剥離フィルムを剥離して、厚さ320μmの粘弾性層12を複数枚積層することにより、厚さ960μmの粘弾性層を形成した。そして、実施例1と同様にして、比較例2の端子保護用テープ1のうち粘弾性層12について、せん断貯蔵弾性率G’及びtanδ(損失弾性率G”/貯蔵弾性率G’)を測定した。このうち25℃及び50℃におけるせん断貯蔵弾性率G’及びtanδ(損失弾性率G”/貯蔵弾性率G’)を求めた。結果を表1に示す。
<埋め込み性評価>
 比較例2の端子保護用テープ1の、埋め込み層Bの側の剥離フィルムを剥離し、前記基材Aの易接着処理の側に積層し、この基材Aの埋め込み層Bとは反対の側に、前記貼合粘着剤層Aを積層して、図3に示す形態の比較例2の端子保護用テープ3を製造した。
 比較例2の端子保護用テープ3の、貼合粘着剤層Aの側の剥離フィルムを剥離し、SUS板上に接着させて、図4の形態の埋め込み性評価用の試料を作製し、粘着剤層Bの側の剥離フィルムを剥離し、このSUS板の側を下にして50℃に温度調節したホットプレート上に設置した。次に、端子の高さがh0=200μmの前記端子付き半導体装置(1)の端子の側を下にして、比較例2の端子保護用テープ3に、1.1MPaのプレス圧力、プレス時間40s、加熱時間50℃で押し付けた。この埋め込み性評価を9個の端子付き半導体装置について実施した。粘弾性層の厚さd1(μm)と、端子の高さh0(μm)との比(d1/h0)は、1.6である。
 プレス直後に、横から観察して埋め込み性を確認したところ、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープから浮いており、端子保護用テープと半導体装置本体との間に端子が観察できた(プレス直後の埋め込み性不良(B))。結果を表1に示す。
 その後、常温に放冷して1時間後の端子付き半導体装置について、横から観察して埋め込み性を確認したところ、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープから浮いており、端子保護用テープと半導体装置本体との間に端子が観察できた(プレス直後の埋め込み性不良(B))。結果を表1に示す。
[比較例3]
<端子保護用テープの製造>
 ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム(リンテック社製「SP-PET381031」、厚さ38μm)の剥離処理面に、上記で得られた埋め込み層形成用組成物Bを塗工し、120℃で2分間加熱乾燥させることにより、厚さ150μmの埋め込み層Bを製造した。
 厚さ20μmの粘着剤層Bに厚さ150μmの埋め込み層Bを積層して、図1に示す形態の厚さ170μmの粘弾性層12を有する比較例3の端子保護用テープ1を製造した。
<粘弾性層のせん断貯蔵弾性率測定>
 次いで、この比較例3の端子保護用テープ1のうち、両方の剥離フィルムを剥離して、厚さ170μmの粘弾性層12を複数枚積層することにより、厚さ1020μmの粘弾性層を形成した。そして、実施例1と同様にして、比較例3の端子保護用テープ1のうち粘弾性層12について、せん断貯蔵弾性率G’及びtanδ(損失弾性率G”/貯蔵弾性率G’)を測定した。このうち25℃及び50℃におけるせん断貯蔵弾性率G’及びtanδ(損失弾性率G”/貯蔵弾性率G’)を求めた。結果を表1に示す。
<埋め込み性評価>
 比較例3の端子保護用テープ1の、埋め込み層Bの側の剥離フィルムを剥離し、前記基材Aの易接着処理面の側に積層し、この基材Aの埋め込み層とは反対の側に、前記貼合粘着剤層Aを積層して、図3に示す形態の比較例3の端子保護用テープ3を製造した。
 比較例3の端子保護用テープ3の、貼合粘着剤層Aの側の剥離フィルムを剥離して、SUS板上に接着させて、図4の形態の埋め込み性評価用の試料を作製し、粘着剤層Bの側の剥離フィルムを剥離し、このSUS板の側を下にして50℃に温度調節したホットプレート上に設置した。次に、端子の高さがh0=200μmの前記端子付き半導体装置(1)の端子の側を下にして、比較例3の端子保護用テープ3に、1.1MPaのプレス圧力、プレス時間40s、加熱時間50℃で押し付けた。この埋め込み性評価を9個の端子付き半導体装置について実施した。粘弾性層の厚さd1(μm)と、端子の高さh0(μm)との比(d1/h0)は、0.9である。
 プレス直後に、横から観察して埋め込み性を確認したところ、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープから浮いており、端子保護用テープと半導体装置本体との間に端子が観察できた(プレス直後の埋め込み性不良(B))。結果を表1に示す。
 その後、常温に放冷して1時間後の端子付き半導体装置について、横から観察して埋め込み性を確認したところ、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープから浮いており、端子保護用テープと半導体装置本体との間に端子が観察できた(プレス直後の埋め込み性不良(B))。結果を表1に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 表1に示される結果から、本実施形態の実施例に係る端子保護用テープを用いて、端子付き半導体装置を電磁波シールドするにあたり、粘弾性層の動的粘弾性測定において、50℃におけるtanδの値が0.2以上であり、前記粘弾性層の厚さが80~800μmであるので、浮きの生じやすいバンプを粘弾性層12に埋設することが可能で、半導体装置の端子形成面を粘弾性層に密着させることができる。結果として、端子電極であるバンプと電磁波シールド膜とが電気的にショートすることを防止することができ、工程上煩雑なマスキング部などを設ける必要もないことがわかった。
 本実施形態の端子保護用テープは、端子付き半導体装置を電磁波シールドする際に、端子付き半導体装置の端子を保護する用途に用いることができる。本実施形態の端子保護用テープを用いて、端子付き半導体装置を電磁波シールドすることができ、電磁波シールド膜付き半導体装置を製造することができる。
1,2,3・・・端子保護用テープ、10・・・電磁波シールド膜、11・・・基材、12・・・粘弾性層、13・・・埋め込み層、14・・・粘着剤層、15・・・第2粘着剤層(貼合粘着剤層)、30・・・支持体、6・・・端子付き半導体装置集合体、60・・・半導体装置集合体、60a・・・端子形成面、61、62・・・電子部品、63・・・回路基板、63a・・・端子形成面、64・・・封止樹脂層、65・・・端子付き半導体装置、66・・・電磁波シールド膜付き半導体装置、91・・・端子、101・・・導電性樹脂、20,21,22・・・剥離フィルム

Claims (8)

  1.  端子付き半導体装置に電磁波シールド膜を形成する工程に用いられる端子保護用テープであって、
     粘弾性層を有し、
     前記粘弾性層の動的粘弾性測定において、50℃におけるtanδの値が0.2以上であり、前記粘弾性層の厚さが80~800μmである、端子保護用テープ。
  2.  前記粘弾性層の50℃における貯蔵弾性率G’(50℃)(MPa)と、前記端子の高さh0(μm)と、前記粘弾性層の厚さd1(μm)と、が下記式(1)及び式(2)を充足する、請求項1に記載の端子保護用テープ。
     0.01MPa ≦ G’(50℃) ≦ 15MPa  ・・・(1)
     1.2≦ d1/h0 ≦5.0  ・・・(2)
  3.  前記粘弾性層の25℃における貯蔵弾性率G’(25℃)(MPa)が下記式(3)を充足する請求項1又は2に記載の端子保護用テープ。
     0.05MPa ≦ G’(25℃) ≦ 20MPa  ・・・(3)
  4.  前記粘弾性層が、埋め込み層及び粘着剤層を有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の端子保護用テープ。
  5.  前記粘着剤層と、前記埋め込み層と、基材と、をこの順で有する、請求項4に記載の端子保護用テープ。
  6.  前記粘着剤層と、前記埋め込み層と、前記基材と、第2粘着剤層と、をこの順で有する両面テープである、請求項5に記載の端子保護用テープ。
  7.  請求項1~6のいずれか1項に記載の端子保護用テープの粘弾性層に、前記端子付き半導体装置の端子を埋設させる工程と、
     前記端子保護用テープの粘弾性層に埋設されていない前記端子付き半導体装置の露出面に電磁波シールド膜を形成する工程と、
     を含む電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法。
  8.  請求項1~6のいずれか1項に記載の端子保護用テープの粘弾性層に、端子付き半導体装置集合体の端子を埋設させる工程と、
     前記端子付き半導体装置集合体をダイシングして、前記端子付き半導体装置集合体を、前記端子保護用テープの粘弾性層に端子が埋設された端子付き半導体装置とする工程と、
     前記端子保護用テープの粘弾性層に埋設されていない前記端子付き半導体装置の露出面に電磁波シールド膜を形成する工程と、
     を含む電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014183181A (ja) * 2013-03-19 2014-09-29 Tdk Corp 電子部品モジュール及びその製造方法
WO2016121488A1 (ja) * 2015-01-30 2016-08-04 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート
JP2016192488A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート
JP2017165880A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 リンテック株式会社 半導体加工用シート

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2004087828A1 (ja) * 2003-03-28 2006-07-06 電気化学工業株式会社 電子部材用粘着テープ
JP2011151372A (ja) 2009-12-25 2011-08-04 Murata Mfg Co Ltd 電子部品モジュールの製造方法及び電子部品モジュール
JP5242830B1 (ja) * 2012-07-06 2013-07-24 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウェハの製造方法
JP5294365B1 (ja) * 2012-09-27 2013-09-18 古河電気工業株式会社 放射線硬化型ダイシング用粘着テープ
KR20160077076A (ko) * 2013-10-30 2016-07-01 린텍 가부시키가이샤 반도체 접합용 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102593694B1 (ko) * 2015-11-04 2023-10-24 린텍 가부시키가이샤 경화성 수지 필름 및 제1 보호막 형성용 시트
CN108701601B (zh) * 2016-03-03 2023-06-02 琳得科株式会社 半导体加工用胶粘带、以及半导体装置的制造方法
JP6386696B1 (ja) * 2016-10-03 2018-09-05 リンテック株式会社 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法
JP6793022B2 (ja) * 2016-12-02 2020-12-02 日東電工株式会社 マスキング用粘着テープ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014183181A (ja) * 2013-03-19 2014-09-29 Tdk Corp 電子部品モジュール及びその製造方法
WO2016121488A1 (ja) * 2015-01-30 2016-08-04 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート
JP2016192488A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート
JP2017165880A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 リンテック株式会社 半導体加工用シート

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