TW202017464A - 端子保護用膠帶以及附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法 - Google Patents

端子保護用膠帶以及附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種端子保護用膠帶(1)，該端子保護用膠帶(1)係用於對附端子之半導體裝置形成電磁波屏蔽膜之步驟中，端子保護用膠帶具有黏彈性層(12)，於黏彈性層(12)之動態黏彈性測定中，於50℃之tanδ之值為0.2以上，黏彈性層(12)之厚度為80μm至800μm。

Description

端子保護用膠帶以及附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法
本發明係關於一種端子保護用膠帶以及使用該端子保護用膠帶之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法。 本申請案係基於2018年8月8日於日本提出申請之日本專利申請案2018-149699號而主張優先權，將該申請案之內容援用至本文中。
先前，於將用於MPU(Micro Processor Unit；微處理單元)或閘陣列(gate array)等的多接腳之LSI(Large Scale Integration；大型積體電路)封裝(package)安裝於印刷配線基板之情形時，作為具有多個電子零件之半導體裝置，係使用於該半導體裝置之連接墊部形成有由共晶焊料、高溫焊料、金等所構成之凸狀電極(以下，於本說明書中稱為「端子」)者。而且，採用使該等端子面向、接觸於晶片搭載用基板上之相對應之端子部並進行熔融／擴散接合的安裝方法。
網際網路(Internet)隨著個人電腦之普及而變得普遍，當前，智慧型手機(smartphone)或平板終端亦連接於網際網路，藉由無線通訊技術將經數位化之影像、音樂、照片、文字資訊等經由網際網路傳播之場景日益增加。進而，IoT(Internet of Things；物聯網)普及，將對用以在家電、汽車等各種應用領域中更為智能地使用感測器、RFID(Radio frequency identifier；無線射頻識別器)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems；微機電系統)、無線組件(wireless component)等半導體元件之封裝技術帶來革新的變革。
於如此般電子機器持續進化之過程中，對半導體元件之要求水準逐年提高。尤其若欲響應針對高性能化、小型化、高積體化、低消耗電力化、低成本化之需求，則熱對策、雜訊對策兩者成為要點。
對應於此種熱對策、雜訊對策，例如專利文獻1所揭示般，正採用藉由導電材料將電子零件模組包覆而形成屏蔽層之方法。專利文獻1中，將塗佈於經單片化之電子零件模組之頂面及側面之導電性樹脂加熱而進行硬化，形成屏蔽層。
作為藉由導電材料將附端子之半導體裝置包覆而形成屏蔽層之方法，亦已知有濺鍍、離子鍍、噴塗等方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2011-151372號公報。
(發明所欲解決之課題)
專利文獻1所揭示之電子零件的製造方法中，設於集合基板之背面之外部端子電極係以嵌埋於黏著性片材之狀態而塗佈導電性樹脂。因於黏著性片材之預定位置設有遮蔽部，故而可防止外部端子電極與電磁波屏蔽膜電性短路。
但是，視外部端子電極之高度或形狀不同，有時無法保持外部端子電極充分嵌埋於黏著性片材之狀態，而有外部端子電極與電磁波屏蔽膜電性短路之虞。另外，於黏著性片材之預定位置設置遮蔽部係於步驟上繁雜。
因此，本發明之目的在於提供一種端子保護用膠帶以及使用該端子保護用膠帶之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，上述端子保護用膠帶係用於對附端子之半導體裝置形成電磁波屏蔽膜之步驟，並且，即便為焊料球等具有凹凸而容易產生浮起之端子電極亦可嵌埋。 (用以解決課題之手段)
亦即，本發明提供以下之端子保護用膠帶以及使用該端子保護用膠帶之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法。
[1]一種端子保護用膠帶，係用於對附端子之半導體裝置形成電磁波屏蔽膜之步驟中；前述端子保護用膠帶具有黏彈性層；於前述黏彈性層之動態黏彈性測定中，於50℃之tanδ之值為0.2以上，前述黏彈性層之厚度為80μm至800μm。 [2]如前述[1]所記載之端子保護用膠帶，其中前述黏彈性層於50℃之儲存彈性模量G’(50℃)(MPa)、前述端子之高度h0(μm)及前述黏彈性層之厚度d1(μm)滿足下述式(1)及式(2)。 0.01MPa≦G’(50℃)≦15MPa···(1) 1.2≦d1/h0≦5.0···(2) [3]如前述[1]或[2]所記載之端子保護用膠帶，其中前述黏彈性層於25℃之儲存彈性模量G’(25℃)(MPa)滿足下述式(3)。 0.05MPa≦G’(25℃)≦20MPa···(3) [4]如前述[1]至[3]中任一項所記載之端子保護用膠帶，其中前述黏彈性層具有嵌埋層及黏著劑層。 [5]如前述[4]所記載之端子保護用膠帶，其中係依序具有前述黏著劑層、前述嵌埋層及基材。 [6]如前述[5]所記載之端子保護用膠帶，其為依序具有前述黏著劑層、前述嵌埋層、前述基材及第二黏著劑層之雙面膠帶。
[7]一種附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係包括：使前述附端子之半導體裝置之端子埋設於如前述[1]至[6]中任一項所記載之端子保護用膠帶之黏彈性層的步驟；以及於未埋設於前述端子保護用膠帶之黏彈性層的前述附端子之半導體裝置之露出面形成電磁波屏蔽膜的步驟。 [8]一種附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係包括：使附端子之半導體裝置集合體之端子埋設於如前述[1]至[6]中任一項所記載之端子保護用膠帶之黏彈性層的步驟；將前述附端子之半導體裝置集合體切割，將前述附端子之半導體裝置集合體製成使端子埋設於前述端子保護用膠帶之黏彈性層的附端子之半導體裝置的步驟；以及於未埋設於前述端子保護用膠帶之黏彈性層的前述附端子之半導體裝置之露出面形成電磁波屏蔽膜的步驟。 (發明功效)
根據本發明，提供一種端子保護用膠帶以及使用該端子保護用膠帶之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，上述端子保護用膠帶係用於對附端子之半導體裝置形成電磁波屏蔽膜之步驟，並且，即便為焊料球等容易產生浮起之端子電極亦可嵌埋。
圖1為示意性地表示本發明之端子保護用膠帶之一實施形態的剖面圖。再者，關於以下之說明中所用之圖，有時為了容易地理解本發明之特徵，為方便起見而將成為主要部之部分放大表示，各構成要素之尺寸比率等未必與實際相同。
圖1所示之端子保護用膠帶1係用於對附端子之半導體裝置形成電磁波屏蔽膜之步驟，並且，具有由嵌埋層13及黏著劑層14所構成之黏彈性層12。於黏彈性層12之動態黏彈性測定中，於50℃之tanδ之值為0.2以上，黏彈性層12之厚度為80μm至800μm。
本實施形態之端子保護用膠帶如圖1所示，亦可於黏彈性層12之嵌埋層13之側之最表層具備剝離膜21，亦可於黏彈性層12之黏著劑層14之側之最表層具備剝離膜20。 本實施形態之端子保護用膠帶不限於圖1所示者，亦可於不損及本發明之功效之範圍內，於圖1所示者中變更、刪除或追加一部分構成。
圖1所示之端子保護用膠帶1可用於下述步驟：將兩方的剝離膜20、剝離膜21剝離，載置於支撐體上，自該端子保護用膠帶1上將附端子之半導體裝置以端子之側為下而按壓，將端子埋設於黏彈性層12，進而自該附端子之半導體裝置上形成電磁波屏蔽膜。於黏彈性層12之動態黏彈性測定中，於50℃之tanδ之值為0.2以上，黏彈性層12之厚度為80μm至800μm，故而於附端子之半導體裝置之端子埋設於黏彈性層12時，即便為焊料球等具有凹凸而容易產生浮起之端子電極亦可埋設，可使作為對象之附端子之半導體裝置之端子形成面密接於黏彈性層12。結果可防止端子電極與電磁波屏蔽膜電性短路，亦無需設置於步驟上繁雜之遮蔽部等。
本實施形態之端子保護用膠帶亦可如圖2之端子保護用膠帶2所示，為依序具有黏著劑層14、嵌埋層13及基材11之構成，亦可於黏彈性層12之黏著劑層14之側之最表層具備剝離膜20。 圖2所示之端子保護用膠帶2可用於下述步驟：將剝離膜20剝離，將附端子之半導體裝置以端子之側為下而按壓於作為支撐體之基材11上之黏彈性層12，於黏彈性層12埋設端子，進而自該附端子之半導體裝置上形成電磁波屏蔽膜。於黏彈性層12之動態黏彈性測定中，於50℃之tanδ之值為0.2以上，黏彈性層12之厚度為80μm至800μm，故而於將附端子之半導體裝置之端子埋設於黏彈性層12時，即便為焊料球等具有凹凸而容易產生浮起之端子電極亦可埋設，可使作為對象之附端子之半導體裝置之端子形成面密接於黏彈性層12。結果，可防止端子電極與電磁波屏蔽膜電性短路，亦無需設置於步驟上繁雜之遮蔽部等。
本實施形態之端子保護用膠帶亦可如圖3之端子保護用膠帶3所示，為依序具有黏著劑層14、嵌埋層13及基材11之構成，且於黏彈性層12之黏著劑層14之側之最表層具備剝離膜20，亦可於基材11中之與黏彈性層12相反之側具備用以貼合於支撐體之第二黏著劑層15(亦即，貼合黏著劑層)，亦可為於第二黏著劑層15之側之最表層具備剝離膜22之雙面膠帶。 圖3所示之端子保護用膠帶3可用於下述步驟：將剝離膜22剝離，如圖4所示般固定於支撐體30，進而將剝離膜20剝離，將附端子之半導體裝置以端子之側為下而按壓於黏彈性層12，於黏彈性層12埋設端子，進而自該附端子之半導體裝置上形成電磁波屏蔽膜。於黏彈性層12之動態黏彈性測定中，於50℃之tanδ之值為0.2以上，黏彈性層12之厚度為80μm至800μm，故而於將附端子之半導體裝置的端子埋設於黏彈性層12時，即便為焊料球等容易產生浮起之端子電極亦可埋設，可使作為對象之附端子之半導體裝置之端子形成面密接於黏彈性層12。結果，可防止端子電極與電磁波屏蔽膜電性短路，亦無需設置於步驟上繁雜之遮蔽部等。
繼而，對構成本實施形態之端子保護用膠帶之各層進行說明。
◎黏彈性層 於本實施形態之端子保護用膠帶中，黏彈性層係用於保護附端子之半導體裝置之端子形成面(換言之為電路面)、及設於該端子形成面上之端子，於黏彈性層之動態黏彈性測定中，於50℃之tanδ之值為0.2以上，黏彈性層之厚度為80μm至800μm。
於黏彈性層之動態黏彈性測定中，於50℃之tanδ之值為0.2以上，黏彈性層之厚度為80μm至800μm，藉此，利用黏彈性層之適度之黏性，即便為焊料球等之容易產生各種形狀、大小浮起之端子電極亦可埋設。另外，黏彈性層較佳為具有嵌埋層及黏著劑層。藉由黏彈性層具有嵌埋層及黏著劑層，而容易設為上述合適之動態黏彈性，並且，可對端子形成面及端子賦予合適之接著性。 於本說明書中，「於50℃之黏彈性層之tanδ」可將於50℃之黏彈性層之損失彈性模量G”(50℃)除以儲存彈性模量G’(50℃)而獲得。另外，後述的「於25℃之黏彈性層之tanδ」可將於25℃之黏彈性層之損失彈性模量G”(25℃)除以儲存彈性模量G’(25℃)而獲得。 另外，於本說明書中，黏彈性層之「損失彈性模量G”」及「儲存彈性模量G’」可藉由利用剪切黏度測定裝置以頻率：1Hz、升溫速度：10℃/min之測定條件自室溫升溫至100℃，對黏彈性層進行測定而獲得。
因此，於黏彈性層之動態黏彈性測定中，於50℃之tanδ之值必須為0.2以上，較佳為0.3以上，更佳為0.5以上。藉由於50℃之tanδ之值為前述下限值以上，而可確保對端子電極之追隨性及黏彈性層之流動性，故而端子電極之埋設性(以下，亦稱為嵌埋性)提高。於50℃之tanδ之值可設為3.5以下，可設為3.0以下，可設為2.5以下。 於50℃之tanδ之上限值與下限值可任意組合。 例如，於50℃之tanδ較佳為0.2以上至3.5以下，更佳為0.3以上至3.0以下，進而佳為0.5以上至2.5以下。
黏彈性層之厚度必須為80μm至800μm，較佳為100μm至790μm，更佳為130μm至780μm。 藉由黏彈性層之厚度為前述下限值以上，而即便為焊料球等容易產生浮起之端子電極亦可嵌埋。另外，藉由嵌埋層之厚度為前述上限值以下，而抑制端子保護用膠帶成為過剩之厚度。 此處，所謂「黏彈性層之厚度」，意指黏彈性層整體之厚度，由嵌埋層及黏著劑層之多層所構成之黏彈性層之厚度意指嵌埋層及黏著劑層之合計厚度。 於本說明書中，「層之厚度」能以於隨機選擇之5處測定厚度並平均表示之值之形式，依據JIS(Japanese Industrial Standard；日本工業標準)K77130使用定壓厚度測定器進行測定。
較佳為前述黏彈性層於50℃之儲存彈性模量G’(50℃)(MPa)滿足下述式(1)。 0.01MPa≦G’(50℃)≦15MPa···(1)
藉由滿足式(1)，即便為焊料球等之容易產生各種形狀、大小浮起之端子電極亦更容易埋設。 G’(50℃)較佳為0.01MPa至15MPa，更佳為0.02MPa至12.5MPa，進而佳為0.03MPa至10MPa。
前述黏彈性層之厚度d1(μm)較佳為與前述端子之高度h0(μm)之間滿足下述式(2)。 1.2≦d1/h0≦5.0···(2)
藉由滿足式(2)，即便為焊料球等之容易產生各種形狀、大小浮起之端子電極亦更容易埋設。 d1/h0較佳為1.2至5.0，更佳為1.3至5.0，進而佳為1.4至5.0。
本實施形態之端子保護用膠帶較佳為前述黏彈性層於25℃之儲存彈性模量G’(25℃)(MPa)滿足下述式(3)。 0.05MPa≦G’(25℃)≦20MPa···(3)
藉由滿足式(3)，而容易保持端子保護用膠帶於常溫之形狀，容易抑制向嵌埋層之端部之滲出。 G’(25℃)較佳為0.05MPa至20MPa，更佳為0.06MPa至15MPa，進而佳為0.07MPa至10MPa。
於黏彈性層之動態黏彈性測定中，於25℃之tanδ之值亦可為0.10至1.4，較佳為0.20至1.0，更佳為0.30至0.8。
於使附端子之半導體裝置之端子形成面密接於黏彈性層12時，較佳為使附端子之半導體裝置之端子形成面直接密接於黏彈性層12之黏著劑層14。 此時，為了於端子形成面及端子防止殘糊，黏著劑層14較佳為設定得較嵌埋層13更硬。
〇嵌埋層 於本實施形態之端子保護用膠帶中，嵌埋層係指黏彈性層中的埋設附端子之半導體裝置之端子而進行保護的層。 嵌埋層為片材狀或膜狀，只要滿足前述條件之關係，則該嵌埋層之構成材料並無特別限定。於本說明書中，所謂「片材狀或膜狀」，係指為薄的膜狀且面內之厚度偏差小，具有可撓性者。
例如，於覆蓋成為保護對象的附端子之半導體裝置之端子形成面的黏彈性層反映出存在於半導體表面之端子之形狀，由此於為了抑制黏彈性層變形之情形時，作為前述嵌埋層之較佳構成材料，就嵌埋層之貼附性進一步提高之方面而言，可列舉(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂等。
嵌埋層可為僅一層(單層)，亦可為兩層以上之多層，於為多層之情形時，該等多層可彼此相同亦可不同，該等多層之組合並無特別限定。 再者，於本說明書中，不限於嵌埋層之情形，所謂「多層可彼此相同亦可不同」，意指「可使所有之層相同，亦可使所有之層不同，亦可僅一部分層相同」，進而所謂「多層互不相同」，意指「各層之構成材料及厚度之至少一者互不相同」。
嵌埋層之厚度可於黏彈性層之厚度成為80μm至800μm之範圍內，根據成為保護對象的附端子之半導體裝置之端子形成面之端子之高度而適當調節，就高度相對較高之端子之影響亦可容易地吸收之方面而言，較佳為50μm至600μm，更佳為70μm至550μm，尤佳為80μm至500μm。藉由嵌埋層之厚度為前述下限值以上，而可形成端子之保護性能更高之黏彈性層。另外，藉由嵌埋層之厚度為前述上限值以下，而生產性及以輥形狀之捲取適性提高。 此處，所謂「嵌埋層之厚度」，意指嵌埋層整體之厚度，例如所謂由多層所構成之嵌埋層之厚度，意指構成嵌埋層之所有層之合計厚度。
嵌埋層較佳為具有與埋設端子相應的柔軟性質，較佳為較黏著劑層更為柔軟。
(嵌埋層形成用組成物) 嵌埋層可使用含有該嵌埋層之構成材料之嵌埋層形成用組成物而形成。 例如，於嵌埋層之形成對象面塗敷嵌埋層形成用組成物，視需要進行乾燥，藉由照射能量線而硬化，藉此可於目標部位形成嵌埋層。另外，於剝離膜塗敷嵌埋層形成用組成物，視需要進行乾燥，藉由照射能量線而硬化，藉此可形成目標厚度之嵌埋層，亦可將嵌埋層轉印至目標部位。嵌埋層之更具體之形成方法將與其他層之形成方法一併於下文中詳細說明。嵌埋層形成用組成物中的於常溫不氣化之成分彼此之含量之比率通常與嵌埋層之前述成分彼此之含量之比率相同。此處，所謂「常溫」，意指不特別冷或熱之溫度，亦即平常之溫度，例如可列舉15℃至30℃之溫度等。
嵌埋層形成用組成物之塗敷只要藉由公知之方法進行即可，例如可列舉：使用氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模頭塗佈機、刀片塗佈機、網版塗佈機、線棒塗佈機、吻合式塗佈機等各種塗佈機之方法。
嵌埋層形成用組成物之乾燥條件並無特別限定，嵌埋層形成用組成物於含有後述的溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥，於該情形時，例如較佳為以70℃至130℃、10秒鐘至5分鐘之條件乾燥。 嵌埋層形成用組成物於具有能量線硬化性之情形時，較佳為藉由照射能量線而硬化。
作為嵌埋層形成用組成物，例如可列舉含有丙烯酸系樹脂之嵌埋層形成用組成物(I)等。
{嵌埋層形成用組成物(I)} 嵌埋層形成用組成物(I)含有丙烯酸系樹脂。 作為嵌埋層形成用組成物(I)，可將後述的第一黏著劑組成物(I-1)中之含有作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物之組成物、及第一黏著劑組成物(I-2)中之含有於作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(1-2a)之組成物用作嵌埋層形成用組成物(I)。
嵌埋層形成用組成物(I)中所用之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物與後述的第一黏著劑組成物(I-1)中所用之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物之說明相同。 嵌埋層形成用組成物(I)中所用之黏著性樹脂(I-2a)與後述的第一黏著劑組成物(I-2)中所用之黏著性樹脂(I-2a)之說明相同。 嵌埋層形成用組成物(I)較佳為進而含有交聯劑。嵌埋層形成用組成物(I)中所用之交聯劑與後述的第一黏著劑組成物(I-1)、第一黏著劑組成物(I-2)中所用之交聯劑之說明相同。 嵌埋層形成用組成物(I)亦可進而含有光聚合起始劑、其他添加劑。嵌埋層形成用組成物(I)中所用之光聚合起始劑、其他添加劑與後述的第一黏著劑組成物(I-1)、第一黏著劑組成物(I-2)中所用之光聚合起始劑、其他添加劑之說明相同。 嵌埋層形成用組成物(I)亦可含有溶劑。嵌埋層形成用組成物(I)中所用之溶劑與後述的第一黏著劑組成物(I-1)、第一黏著劑組成物(I-2)中所用之溶劑之說明相同。
藉由調整嵌埋層形成用組成物(I)中黏著性樹脂(I-1a)之分子量及能量線硬化性化合物之分子量中的任一者或兩者，而能以嵌埋層具有與埋設端子相應的柔軟性質之方式設計。 另外，藉由調整嵌埋層形成用組成物(I)中交聯劑之含量，而能以嵌埋層具有與埋設端子相應的柔軟性質之方式設計。
>>嵌埋層形成用組成物的製造方法>> 嵌埋層形成用組成物(I)等嵌埋層形成用組成物係藉由將用以構成該嵌埋層形成用組成物之各成分調配而獲得。 調配各成分時之添加順序並無特別限定，亦可同時添加兩種以上之成分。 於使用溶劑之情形時，可藉由將溶劑與溶劑以外之任一調配成分混合將該調配成分預先稀釋而使用，亦可不將溶劑以外之任一調配成分預先稀釋，而藉由將溶劑與該等調配成分混合而使用。 於調配時混合各成分之方法並無特別限定，只要自下述方法中適當選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合器進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等公知之方法。 各成分之添加及混合時之溫度以及時間只要各調配成分不劣化則並無特別限定，適當調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
{嵌埋層之組成} 本實施形態中之嵌埋層之組成係自上述嵌埋層形成用組成物(I)中去掉溶劑而成。 於嵌埋層形成用組成物(I)為後述的第一黏著劑組成物(I-1)中之含有作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物之組成物之情形時的嵌埋層(1)中，作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)相對於嵌埋層(1)之總質量的含有比率較佳為50質量%至99質量%，更佳為55質量%至95質量%，進而佳為60質量%至90質量%。作為本發明之另一方面，作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)相對於嵌埋層(1)之總質量的含有比率亦可為45質量%至90質量%，亦可為50質量%至85質量%。另外，能量線硬化性化合物相對於嵌埋層(1)之總質量的含有比率較佳為0.5質量%至50質量%，進而佳為5質量%至45質量%。於嵌埋層(1)含有交聯劑之情形時，交聯劑相對於嵌埋層(1)之總質量的含有比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，進而佳為0.3質量%至8質量%。
於嵌埋層形成用組成物(I)為含有於作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(1-2a)之組成物之情形時的嵌埋層(2)中，於側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(1-2a)相對於嵌埋層之總質量的含有比率較佳為10質量%至70質量%，更佳為15質量%至65質量%，進而佳為20質量%至60質量%。於嵌埋層(2)含有交聯劑之情形時，交聯劑相對於嵌埋層(2)之總質量的含有比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，進而佳為0.3質量%至8質量%。本實施形態之嵌埋層(2)亦可進而含有作為前述丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)。於該情形時，作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)相對於嵌埋層(2)之總質量的含有比率較佳為45質量%至95質量%，更佳為50質量%至90質量%，進而佳為55質量%至85質量%。另外，作為本發明之另一方面，作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)相對於嵌埋層(2)之總質量的含有比率亦可為25質量%至80質量%，亦可為30質量%至75質量%，亦可為35質量%至70質量%。另外，於本實施形態之嵌埋層(2)進而含有作為前述丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)之情形時，前述黏著性樹脂(1-1a)相對於前述黏著性樹脂(1-2a)100質量份的含量較佳為100質量份至200質量份，更佳為110質量份至180質量份，進而佳為120質量份至170質量份。
關於嵌埋層(1)所含的作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)、能量線硬化性化合物、嵌埋層(2)所含的於黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(1-2a)之組成等，亦可與後述的第一黏著劑組成物(I-1)中所用之作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)、能量線硬化性化合物、於黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(1-2a)之說明相同。
於本實施形態中，較佳為含有黏著性樹脂(1-2a)、黏著性樹脂(1-1a)及交聯劑之嵌埋層(2)。於該情形時，黏著性樹脂(1-1a)較佳為具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、及源自含羧基之單體之單元的丙烯酸系聚合物。另外，黏著性樹脂(1-2a)較佳為使具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物，與具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、及源自含羥基之單體之單元的丙烯酸系聚合物反應而獲得的丙烯酸系聚合物。交聯劑可使用後述的第一黏著劑組成物(I-1)中例示之化合物，尤佳為使用甲苯二異氰酸酯。
源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元相對於黏著性樹脂(1-1a)之總質量的含有比率較佳為75質量%至99質量%，更佳為80質量%至98質量%，進而佳為85質量%至97質量%。作為本發明之另一方面，源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元相對於黏著性樹脂(1-1a)之總質量的含有比率亦可為70質量%至95質量%，亦可為80質量%至95質量%。含羧基之單體之結構單元相對於黏著性樹脂(1-1a)之總質量的含有比率較佳為1.0質量%至30質量%，更佳為2.0質量%至25質量%，進而佳為3.0質量%至20質量%。作為本發明之另一方面，含羧基之單體之結構單元相對於黏著性樹脂(1-1a)之總質量的含有比率亦可為3.0質量%至20質量%，亦可為5.0質量%至15質量%。黏著性樹脂(1-1a)中之(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為烷基之碳數為4至12，更佳為4至8。另外，於黏著性樹脂(1-1a)中，較佳為丙烯酸烷基酯。其中，前述(甲基)丙烯酸烷基酯尤佳為丙烯酸正丁酯。另外，作為黏著性樹脂(1-1a)中之含羧基之單體，可列舉乙烯性不飽和單羧酸、乙烯性不飽和二羧酸、乙烯性不飽和二羧酸之酸酐，其中較佳為乙烯性不飽和單羧酸，更佳為(甲基)丙烯酸，尤佳為丙烯酸。 本實施形態之黏著性樹脂(1-1a)之重量平均分子量較佳為100,000至800,000，更佳為150,000至700,000，進而佳為200,000至600,000。 再者，於本說明書中，所謂「重量平均分子量」，只要無特別說明，則為藉由GPC(Gel Permeation Chromatography；凝膠滲透層析)法測定之聚苯乙烯換算值。
源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元相對於黏著性樹脂(1-2a)之總質量的含有比率較佳為1.0質量%至95質量%，更佳為2.0質量%至90質量%，進而佳為3.0質量%至85質量%。源自含羥基之單體之單元相對於黏著性樹脂(1-2a)之總質量的含有比率較佳為1.0質量%至50質量%，更佳為2.0質量%至45質量%，進而佳為3.0質量%至40質量%。黏著性樹脂(1-2a)中之(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為烷基之碳數為1至12，更佳為1至4。黏著性樹脂(1-2a)較佳為具有兩種以上之源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元，更佳為具有源自(甲基)丙烯酸甲酯及(甲基)丙烯酸正丁酯之結構單元，進而佳為具有源自甲基丙烯酸甲酯及丙烯酸正丁酯之結構單元。作為黏著性樹脂(1-2a)中之含羥基之單體，可使用後述的第一黏著劑組成物(I-1)中例示者，尤佳為使用丙烯酸2-羥基乙酯。作為具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物，可使用後述的第一黏著劑組成物(I-2)中例示之化合物，尤佳為使用2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。將源自前述含羥基之單體的總羥基設為100mol時的前述具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物之使用量較佳為10mol至150mol，更佳為20mol至140mol，進而佳為30mol至130mol。 本實施形態之黏著性樹脂(1-2a)之重量平均分子量較佳為10,000至500,000，更佳為20,000至400,000，進而佳為30,000至300,000。
〇黏著劑層 以下，有時將構成黏彈性層的黏著劑層與後述的用以貼合於支撐體的第二黏著劑層相區分而稱為「第一黏著劑層」。 第一黏著劑層為片材狀或膜狀，含有黏著劑。 作為前述黏著劑，例如可列舉：丙烯酸系樹脂(由具有(甲基)丙烯醯基之樹脂所構成之黏著劑)、胺基甲酸酯系樹脂(由具有胺基甲酸酯鍵之樹脂所構成之黏著劑)、橡膠系樹脂(由具有橡膠結構之樹脂所構成之黏著劑)、聚矽氧系樹脂(由具有矽氧烷鍵之樹脂所構成之黏著劑)、環氧系樹脂(由具有環氧基之樹脂所構成之黏著劑)、聚乙烯醚、聚碳酸酯等黏著性樹脂，較佳為丙烯酸系樹脂。
再者，於本發明中，所謂「黏著性樹脂」，為包含具有黏著性之樹脂與具有接著性之樹脂兩者的概念，例如，不僅為樹脂自身具有黏著性者，而且亦包含藉由與添加劑等其他成分併用而顯示黏著性之樹脂、或藉由熱或水等觸發因素之存在而顯示接著性之樹脂等。
第一黏著劑層可為僅一層(單層)，亦可為兩層以上之多層，於為多層之情形時，該等多層可彼此相同亦可不同，該等多層之組合並無特別限定。
第一黏著劑層之厚度較佳為1μm至800μm，更佳為2μm至100μm，尤佳為8μm至20μm。 此處，所謂「第一黏著劑層之厚度」，意指第一黏著劑層整體之厚度，例如所謂由多層所構成之第一黏著劑層之厚度，意指構成第一黏著劑層之所有層之合計厚度。
第一黏著劑層可使用能量線硬化性黏著劑而形成，亦可使用非能量線硬化性黏著劑而形成。使用能量線硬化性黏著劑而形成之第一黏著劑層係可容易地調節硬化前及硬化後之物性。 於本發明中，所謂「能量線」，意指電磁波或帶電粒子束中具有能量量子者，作為該能量線之例，可列舉紫外線、電子束等。 紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、融合H燈(Fusion H lamp)或氙燈等作為紫外線源而照射。電子束可照射藉由電子束加速器等而產生者。 於本發明中，所謂「能量線硬化性」，意指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」，意指即便照射能量線亦不硬化之性質。
{{第一黏著劑組成物}} 第一黏著劑層可使用含有黏著劑之第一黏著劑組成物而形成。例如，於第一黏著劑層之形成對象面塗敷第一黏著劑組成物，視需要進行乾燥，藉此可於目標部位形成第一黏著劑層。另外，於剝離膜塗敷第一黏著劑組成物，視需要進行乾燥，藉此可形成目標厚度之第一黏著劑層，亦可將第一黏著劑層轉印至目標部位。第一黏著劑層之更具體之形成方法將與其他層之形成方法一併於下文中詳細說明。第一黏著劑組成物中的於常溫不氣化之成分彼此之含量之比率通常與第一黏著劑層之前述成分彼此之含量之比率相同。再者，於本實施形態中，所謂「常溫」，意指不特別冷或熱之溫度，亦即平常之溫度，例如可列舉15℃至25℃之溫度等。
第一黏著劑組成物之塗敷只要藉由公知之方法進行即可，例如可列舉：使用氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模頭塗佈機、刀片塗佈機、網版塗佈機、線棒塗佈機、吻合式塗佈機等各種塗佈機之方法。
第一黏著劑組成物之乾燥條件並無特別限定，第一黏著劑組成物於含有後述的溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥，於該情形時，例如較佳為以70℃至130℃、10秒鐘至5分鐘之條件進行乾燥。
於第一黏著劑層為能量線硬化性之情形時，作為含有能量線硬化性黏著劑之第一黏著劑組成物，亦即能量線硬化性之第一黏著劑組成物，例如可列舉：含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)(以下有時簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」)及能量線硬化性化合物之第一黏著劑組成物(I-1)；含有於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)(以下有時簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」)之第一黏著劑組成物(I-2)；含有前述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性低分子化合物之第一黏著劑組成物(I-3)等。
{第一黏著劑組成物(I-1)} 第一黏著劑組成物(I-1)如上所述，含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物。
(黏著性樹脂(I-1a)) 前述黏著性樹脂(I-1a)較佳為丙烯酸系樹脂。 作為前述丙烯酸系樹脂，例如可列舉至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元之丙烯酸系聚合物。 前述丙烯酸系樹脂所具有之結構單元可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉構成烷基酯之烷基之碳數為1至20者，前述烷基較佳為直鏈狀或支鏈狀。 作為(甲基)丙烯酸烷基酯，更具體而言可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸二級丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
就第一黏著劑層之黏著力提高之方面而言，前述丙烯酸系聚合物較佳為具有源自前述烷基之碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元。而且，就第一黏著劑層之黏著力進一步提高之方面而言，前述烷基之碳數較佳為4至12，更佳為4至8。另外，前述烷基之碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為丙烯酸烷基酯。
前述丙烯酸系聚合物較佳為除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外，進而具有源自含官能基之單體之結構單元。 作為前述含官能基之單體，例如可列舉：藉由前述官能基與後述的交聯劑反應而成為交聯之起點，或藉由前述官能基與含不飽和基之化合物中之不飽和基反應而可於丙烯酸系聚合物之側鏈導入不飽和基者。
作為含官能基之單體中之前述官能基，例如可列舉：羥基、羧基、胺基、環氧基等。 亦即，作為含官能基之單體，例如可列舉：含羥基之單體、含羧基之單體、含胺基之單體、含環氧基之單體等。
作為前述含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸系不飽和醇(亦即，不具有(甲基)丙烯醯基骨架之不飽和醇)等。
作為前述含羧基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、丁烯酸等乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之單羧酸)；富馬酸、衣康酸、馬來酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之二羧酸)；前述乙烯性不飽和二羧酸之酸酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
含官能基之單體較佳為含羥基之單體、含羧基之單體，更佳為含羥基之單體。
構成前述丙烯酸系聚合物之含官能基之單體可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
於前述丙烯酸系聚合物中，相對於結構單元之總量，源自含官能基之單體之結構單元之含量較佳為1質量%至35質量%，更佳為3質量%至32質量%，尤佳為5質量%至30質量%。
前述丙烯酸系聚合物亦可除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元及源自含官能基之單體之結構單元以外，進而具有源自其他單體之結構單元。 前述其他單體只要可與(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚合，則並無特別限定。 作為前述其他單體，例如可列舉：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等。
構成前述丙烯酸系聚合物之前述其他單體可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸系聚合物可用作上述非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)。 另一方面，使具有能量線聚合性不飽和基(能量線聚合性基)之含不飽和基之化合物與前述丙烯酸系聚合物中之官能基反應而成者可用作上述能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)。 再者，於本發明中，所謂「能量線聚合性」，意指藉由照射能量線而聚合之性質。
第一黏著劑組成物(I-1)所含有之黏著性樹脂(I-1a)可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
於第一黏著劑組成物(I-1)中，相對於第一黏著劑組成物(I-1)之總質量，黏著性樹脂(I-1a)之含量較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
(能量線硬化性化合物) 作為第一黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基且藉由照射能量線而可硬化之單體或低聚物。 能量線硬化性化合物中，作為單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯等。 能量線硬化性化合物中，作為低聚物，例如可列舉上述所例示之單體聚合而成之低聚物等。 能量線硬化性化合物就分子量相對較大，不易使第一黏著劑層之儲存彈性模量降低之方面而言，較佳為(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯低聚物。 於本說明書中，所謂「低聚物」，意指重量平均分子量或式量為5,000以下之物質。
第一黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
於第一黏著劑組成物(I-1)中，相對於第一黏著劑組成物(I-1)之總質量，前述能量線硬化性化合物之含量較佳為1質量%至95質量%，更佳為5質量%至90質量%，尤佳為10質量%至85質量%。
(交聯劑) 於使用除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外進而具有源自含官能基之單體之結構單元的前述丙烯酸系聚合物作為黏著性樹脂(I-1a)之情形時，第一黏著劑組成物(I-1)較佳為進而含有交聯劑。
前述交聯劑例如與前述官能基反應，將黏著性樹脂(I-1a)彼此交聯。 作為交聯劑，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、該等二異氰酸酯之加合物等異氰酸酯系交聯劑(具有異氰酸酯基之交聯劑)；乙二醇縮水甘油醚等環氧系交聯劑(具有縮水甘油基之交聯劑)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷三嗪等氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)；鋁螯合物等金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)；異氰脲酸酯系交聯劑(具有異氰脲酸骨架之交聯劑)等。 就提高黏著劑之凝聚力而提高第一黏著劑層之黏著力之方面、及容易獲取等方面而言，交聯劑較佳為異氰酸酯系交聯劑。
第一黏著劑組成物(I-1)所含有之交聯劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
於第一黏著劑組成物(I-1)中，相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份，交聯劑之含量較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為1質量份至10質量份。
(光聚合起始劑) 第一黏著劑組成物(I-1)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之第一黏著劑組成物(I-1)即便照射紫外線等能量相對較低之能量線，亦充分進行硬化反應。
作為前述光聚合起始劑，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆等硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-縮酮化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯、二苯偶醯、二苯甲酮、2,4-二乙基噻噸酮、1,2-二苯基甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2-氯蒽醌等。 另外，作為前述光聚合起始劑，例如亦可使用：1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光增感劑等。
第一黏著劑組成物(I-1)所含有之光聚合起始劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
於第一黏著劑組成物(I-1)中，相對於前述能量線硬化性化合物之含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
(其他添加劑) 第一黏著劑組成物(I-1)亦可於不損及本發明之功效之範圍內，含有不相當於上述任一成分之其他添加劑。 作為前述其他添加劑，例如可列舉：抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充劑(填料)、防銹劑、著色劑(顏料、染料)、增感劑、增黏劑、反應延遲劑、交聯促進劑(觸媒)等公知之添加劑。 再者，所謂反應延遲劑，例如為抑制下述情況者：由於混入至第一黏著劑組成物(I-1)中之觸媒之作用，而於保存中之第一黏著劑組成物(I-1)中進行非目標之交聯反應。作為反應延遲劑，例如可列舉藉由對觸媒之螯合而形成螯合錯合物者，更具體而言，可列舉於一分子中具有2個以上之羰基(-C(=O)-)者。
第一黏著劑組成物(I-1)所含有之其他添加劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
於第一黏著劑組成物(I-1)中，其他添加劑之含量並無特別限定，只要根據該其他添加劑之種類而適當選擇即可。
(溶劑) 第一黏著劑組成物(I-1)亦可含有溶劑。第一黏著劑組成物(I-1)藉由含有溶劑，而對塗敷對象面之塗敷適性提高。
前述溶劑較佳為有機溶劑，作為前述有機溶劑，例如可列舉：甲基乙基酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等酯(羧酸酯)；四氫呋喃、二噁烷等醚；環己烷、正己烷等脂肪族烴；甲苯、二甲苯等芳香族烴；1-丙醇、2-丙醇等醇等。
作為前述溶劑，例如可將製造黏著性樹脂(I-1a)時所用者不自黏著性樹脂(I-1a)中去掉而直接於第一黏著劑組成物(I-1)中使用，亦可於製造第一黏著劑組成物(I-1)時另行添加種類與製造黏著性樹脂(I-1a)時所用者相同或不同之溶劑。
第一黏著劑組成物(I-1)所含有之溶劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
於第一黏著劑組成物(I-1)中，溶劑之含量並無特別限定，只要適當調節即可。
{第一黏著劑組成物(I-2)} 第一黏著劑組成物(I-2)如上所述，含有於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)。
(黏著性樹脂(I-2a)) 前述黏著性樹脂(I-2a)例如係藉由使具有能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物與黏著性樹脂(I-1a)中之官能基反應而獲得。
前述含不飽和基之化合物為除了前述能量線聚合性不飽和基以外，進而具有藉由與黏著性樹脂(I-1a)中之官能基反應而可與黏著性樹脂(I-1a)鍵結之基的化合物。 作為前述能量線聚合性不飽和基，例如可列舉：(甲基)丙烯醯基、乙烯基(亦稱為乙烯基(ethenyl))、烯丙基(亦稱為2-丙烯基)等，較佳為(甲基)丙烯醯基。 作為可與黏著性樹脂(I-1a)中之官能基鍵結之基，例如可列舉：可與羥基或胺基鍵結之異氰酸酯基及縮水甘油基、以及可與羧基或環氧基鍵結之羥基及胺基等。
作為前述含不飽和基之化合物，例如可列舉：(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等，較佳為(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯，其中尤佳為2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。 前述異氰酸酯化合物可與黏著性樹脂(I-1a)中之羥基鍵結，將黏著性樹脂(I-1a)中之總羥基設為100mol時的前述異氰酸酯化合物之使用量較佳為10mol至150mol，更佳為20mol至140mol，進而佳為30mol至130mol。
第一黏著劑組成物(I-2)所含有之黏著性樹脂(I-2a)可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
於第一黏著劑組成物(I-2)中，相對於第一黏著劑組成物(I-2)之總質量，黏著性樹脂(I-2a)之含量較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為10質量%至90質量%。
(交聯劑) 例如於使用與黏著性樹脂(I-1a)中者相同的具有源自含官能基之單體之結構單元之前述丙烯酸系聚合物作為黏著性樹脂(I-2a)之情形時，第一黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有交聯劑。
作為第一黏著劑組成物(I-2)中之前述交聯劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)中之交聯劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-2)所含有之交聯劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
於第一黏著劑組成物(I-2)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，交聯劑之含量較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為1質量份至10質量份。
(光聚合起始劑) 第一黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之第一黏著劑組成物(I-2)即便照射紫外線等能量相對較低之能量線，亦充分進行硬化反應。
作為第一黏著劑組成物(I-2)中之前述光聚合起始劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)中之光聚合起始劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-2)所含有之光聚合起始劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
於第一黏著劑組成物(I-2)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
(其他添加劑) 第一黏著劑組成物(I-2)亦可於不損及本發明之功效之範圍內，含有不相當於上述任一成分之其他添加劑。 作為第一黏著劑組成物(I-2)中之前述其他添加劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)中之其他添加劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-2)所含有之其他添加劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
於第一黏著劑組成物(I-2)中，其他添加劑之含量並無特別限定，只要根據該其他添加劑之種類而適當選擇即可。
(溶劑) 第一黏著劑組成物(I-2)亦能以與第一黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的而含有溶劑。 作為第一黏著劑組成物(I-2)中之前述溶劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)中之溶劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-2)所含有之溶劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。 於第一黏著劑組成物(I-2)中，溶劑之含量並無特別限定，只要適當調節即可。
{第一黏著劑組成物(I-3)} 第一黏著劑組成物(I-3)如上所述，含有前述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性低分子化合物。
於第一黏著劑組成物(I-3)中，相對於第一黏著劑組成物(I-3)之總質量，黏著性樹脂(I-2a)之含量較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
(能量線硬化性低分子化合物) 作為第一黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性低分子化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基且藉由照射能量線而可硬化之單體及低聚物，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)所含有之能量線硬化性化合物相同者。 第一黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性低分子化合物可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
於第一黏著劑組成物(I-3)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，前述能量線硬化性低分子化合物之含量較佳為0.01質量份至300質量份，更佳為0.03質量份至200質量份，尤佳為0.05質量份至100質量份。
(光聚合起始劑) 第一黏著劑組成物(I-3)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之第一黏著劑組成物(I-3)即便照射紫外線等能量相對較低之能量線，亦充分進行硬化反應。
作為第一黏著劑組成物(I-3)中之前述光聚合起始劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)中之光聚合起始劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-3)所含有之光聚合起始劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
於第一黏著劑組成物(I-3)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)及前述能量線硬化性低分子化合物之總含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
(其他添加劑) 第一黏著劑組成物(I-3)亦可於不損及本發明之功效之範圍內，含有不相當於上述任一成分之其他添加劑。 作為前述其他添加劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)中之其他添加劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-3)所含有之其他添加劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
於第一黏著劑組成物(I-3)中，其他添加劑之含量並無特別限定，只要根據該其他添加劑之種類而適當選擇即可。
(溶劑) 第一黏著劑組成物(I-3)亦能以與第一黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的而含有溶劑。 作為第一黏著劑組成物(I-3)中之前述溶劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)中之溶劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-3)所含有之溶劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。 於第一黏著劑組成物(I-3)中，溶劑之含量並無特別限定，只要適當調節即可。
{第一黏著劑組成物(I-1)至第一黏著劑組成物(I-3)以外之第一黏著劑組成物} 至此為止，主要對第一黏著劑組成物(I-1)、第一黏著劑組成物(I-2)及第一黏著劑組成物(I-3)進行了說明，但作為該等之含有成分而說明者，即便於該等三種第一黏著劑組成物以外之所有第一黏著劑組成物(於本實施形態中，稱為「第一黏著劑組成物(I-1)至第一黏著劑組成物(I-3)以外之第一黏著劑組成物」)中亦可同樣地使用。
作為第一黏著劑組成物(I-1)至第一黏著劑組成物(I-3)以外之第一黏著劑組成物，除了能量線硬化性之第一黏著劑組成物以外，亦可列舉非能量線硬化性之第一黏著劑組成物。 作為非能量線硬化性之第一黏著劑組成物，例如可列舉：含有丙烯酸系樹脂(具有(甲基)丙烯醯基之樹脂)、胺基甲酸酯系樹脂(具有胺基甲酸酯鍵之樹脂)、橡膠系樹脂(具有橡膠結構之樹脂)、聚矽氧系樹脂(具有矽氧烷鍵之樹脂)、環氧系樹脂(具有環氧基之樹脂)、聚乙烯醚或聚碳酸酯等黏著性樹脂者，較佳為含有丙烯酸系樹脂者。
第一黏著劑組成物(I-1)至第一黏著劑組成物(I-3)以外之第一黏著劑組成物較佳為含有一種或兩種以上之交聯劑，該交聯劑之含量可設為與上述第一黏著劑組成物(I-1)等之情形相同。
>第一黏著劑組成物的製造方法> 第一黏著劑組成物(I-1)至第一黏著劑組成物(I-3)等前述第一黏著劑組成物係藉由將前述黏著劑、及視需要的前述黏著劑以外之成分等用以構成第一黏著劑組成物之各成分調配而獲得。 調配各成分時之添加順序並無特別限定，亦可同時添加兩種以上之成分。 於使用溶劑之情形時，可藉由將溶劑與溶劑以外之任一調配成分混合將該調配成分預先稀釋而使用，亦可不將溶劑以外之任一調配成分預先稀釋，而藉由將溶劑與該等調配成分混合而使用。 於調配時混合各成分之方法並無特別限定，只要自下述方法中適當選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合器進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等公知之方法。 各成分之添加及混合時之溫度以及時間只要各調配成分不劣化，則並無特別限定，適當調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
{第一黏著劑層之組成} 本實施形態中之第一黏著劑層之組成係自上述第一黏著劑層組成物中去掉溶劑而成。 於第一黏著劑層組成物為前述第一黏著劑組成物(I-1)之情形時的第一黏著劑層(I-1)中，黏著性樹脂(I-1a)相對於第一黏著劑層(I-1)之總質量的含有比率較佳為50質量%至99質量%，更佳為55質量%至95質量%，進而佳為60質量%至90質量%。另外，作為本發明之另一方面，黏著性樹脂(I-1a)相對於第一黏著劑層(I-1)之總質量的含有比率亦可為25質量%至80質量%，亦可為30質量%至75質量%，亦可為35質量%至70質量%。另外，能量線硬化性化合物相對於第一黏著劑層(I-1)之總質量的含有比率較佳為1質量%至50質量%，更佳為2質量%至48質量%，進而佳為5質量%至45質量%。於第一黏著劑層(I-1)含有交聯劑之情形時，交聯劑相對於第一黏著劑層(I-1)之總質量的含有比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，進而佳為0.3質量%至8質量%。
於第一黏著劑層組成物為前述第一黏著劑組成物(I-2)之情形時的第一黏著劑層(I-2)中，黏著性樹脂(I-2a)相對於第一黏著劑層(I-2)之總質量的含有比率較佳為50質量%至99質量%，更佳為60質量%至98質量%，進而佳為70質量%至97質量%。於第一黏著劑層(I-2)含有交聯劑之情形時，交聯劑相對於第一黏著劑層(I-2)之總質量的含有比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，進而佳為0.3質量%至8質量%。
於第一黏著劑層組成物為前述第一黏著劑組成物(I-3)之情形時的第一黏著劑層(I-3)中，黏著性樹脂(I-2a)相對於第一黏著劑層(I-3)之總質量的含有比率較佳為50質量%至99質量%，更佳為55質量%至95質量%，進而佳為60質量%至90質量%。另外，能量線硬化性低分子化合物相對於第一黏著劑層(I-3)之總質量的含有比率較佳為1質量%至50質量%，更佳為2質量%至48質量%，進而佳為5質量%至45質量%。於第一黏著劑層(I-3)含有交聯劑之情形時，交聯劑相對於第一黏著劑層(I-3)之總質量的含有比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，進而佳為0.3質量%至8質量%。
於本實施形態中，較佳為含有黏著性樹脂(1-2a)及交聯劑之第一黏著劑層(I-2)。於該情形時，黏著性樹脂(1-2a)較佳為使具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物來與具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、及源自含羥基之單體之單元的丙烯酸系聚合物反應而獲得之丙烯酸系聚合物。交聯劑可使用第一黏著劑組成物(I-1)中例示之化合物，尤佳為使用甲苯二異氰酸酯。
源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元相對於黏著性樹脂(1-2a)之總質量的含有比率較佳為50質量%至99質量%，更佳為60質量%至98質量%，進而佳為70質量%至97質量%。源自含羥基之單體之單元相對於黏著性樹脂(1-2a)之總質量的含有比率較佳為0.5質量%至15質量%，更佳為1.0質量%至10質量%，進而佳為2.0質量%至10質量%。黏著性樹脂(1-2a)中之(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為烷基之碳數為1至12，更佳為1至4。黏著性樹脂(1-2a)較佳為具有兩種以上之源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元，更佳為具有源自(甲基)丙烯酸甲酯及(甲基)丙烯酸正丁酯之結構單元，進而佳為具有源自甲基丙烯酸甲酯及丙烯酸正丁酯之結構單元。作為黏著性樹脂(1-2a)中之含羥基之單體，可使用前述第一黏著劑組成物(I-1)中所例示者，尤佳為使用丙烯酸2-羥基乙酯。作為具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物，可使用第一黏著劑組成物(I-2)中所例示之化合物，尤佳為使用2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。將源自前述含羥基之單體之總羥基設為100mol時的前述具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物之使用量較佳為20mol至80mol，更佳為25mol至75mol，進而佳為30mol至70mol。
◎基材 基材為片材狀或膜狀，作為該基材之構成材料，例如可列舉各種樹脂。 作為前述樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯(亦稱為LDPE；Low Density Polyethylene)、直鏈低密度聚乙烯(亦稱為LLDPE；Linear Low Density Polyethylene)、高密度聚乙烯(亦稱為HDPE；High Density Polyethylene)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降莰烯樹脂等聚乙烯以外之聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(亦稱為EVA；Ethylene-Vinyl Acetate)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降莰烯共聚物等乙烯系共聚物(亦即，使用乙烯作為單體所得之共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系樹脂(亦即，使用氯乙烯作為單體所得之樹脂)；聚苯乙烯；聚環烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯(亦稱為PET；Polyethylene Terephthalate)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚2,6-萘二甲酸乙二酯、所有結構單元為具有芳香族環式基之全芳香族聚酯等聚酯；兩種以上之前述聚酯之共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚胺基甲酸酯；聚丙烯酸胺基甲酸酯；聚醯亞胺；聚醯胺；聚碳酸酯；氟樹脂；聚縮醛；改性聚苯醚；聚苯硫醚；聚碸；聚醚酮等。 另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉前述聚酯與該聚酯以外之樹脂的混合物等聚合物合金。前述聚酯與該聚酯以外之樹脂的聚合物合金較佳為聚酯以外之樹脂之量為相對少量。 另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉：至此為止所例示之前述樹脂之一種或兩種以上交聯而成之交聯樹脂；使用至此為止所例示之前述樹脂之一種或兩種以上的離子聚合物等改性樹脂。
再者，於本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」，係設為包含「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者之概念。關於與(甲基)丙烯酸類似之用語亦相同，例如，所謂「(甲基)丙烯酸酯」為包含「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者之概念，所謂「(甲基)丙烯醯基」為包含「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者之概念。
構成基材之樹脂可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，該等之組合及比率可任意選擇。
基材可為僅一層(單層)，亦可為兩層以上之多層，於為多層之情形時，該等多層可彼此相同亦可不同，該等多層之組合並無特別限定。
基材之厚度較佳為5μm至1000μm，更佳為10μm至500μm，進而佳為15μm至300μm，尤佳為20μm至150μm。 此處，所謂「基材之厚度」，意指基材整體之厚度，例如所謂由多層所構成之基材之厚度，意指構成基材之所有層之合計厚度。
基材較佳為厚度之精度高，亦即與部位無關而厚度之偏差得到抑制。上述構成材料中，作為可用於構成此種厚度之精度高之基材的材料，例如可列舉：聚乙烯、聚乙烯以外之聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等。
基材亦可除了前述樹脂等主要構成材料以外，含有填充材料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知之各種添加劑。
基材可為透明，亦可為不透明，亦可根據目的而著色，亦可蒸鍍有其他層。 於前述黏彈性層為能量線硬化性之情形時，基材較佳為使能量線透過。
基材可藉由公知之方法製造。例如，含有樹脂之基材可藉由將含有前述樹脂之樹脂組成物成形而製造。
◎剝離膜 前述剝離膜可為該領域中公知者。 作為較佳之前述剝離膜，例如可列舉：藉由聚矽氧處理等將聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂製膜之至少一個表面進行剝離處理而成者；膜之至少一個表面成為由聚烯烴所構成之剝離面者等。 剝離膜之厚度較佳為與基材之厚度相同。
◎第二黏著劑層 第二黏著劑層(亦即，貼合黏著劑層)為用以將本實施形態之端子保護用膠帶貼合於支撐體之黏著劑層。 前述第二黏著劑層可為該領域中公知者，可自上述第一黏著劑層中所說明者中配合支撐體而適當選擇。 用以形成第二黏著劑層之第二黏著劑組成物與前述第一黏著劑組成物相同，第二黏著劑組成物的製造方法亦與前述第一黏著劑組成物的製造方法相同。
◇端子保護用膠帶的製造方法 前述端子保護用膠帶可藉由將上述各層以成為對應之位置關係之方式依序積層而製造。各層之形成方法如上文所說明。
例如，於剝離膜之剝離處理面上塗敷上述嵌埋層形成用組成物，視需要進行乾燥，藉此積層嵌埋層。於另一剝離膜之剝離處理面上塗敷上述第一黏著劑組成物，視需要進行乾燥，藉此積層第一黏著劑層。藉由將剝離膜上之嵌埋層與另一剝離膜上之第一黏著劑層貼合，而獲得依序積層有剝離膜、嵌埋層、第一黏著劑層及剝離膜之端子保護用膠帶。剝離膜只要於使用端子保護用膠帶時去掉即可。
另外，於基材上將嵌埋層及第一黏著劑層依序於該等之厚度方向積層的端子保護用膠帶可藉由以下所示之方法而製造。 例如，將上述依序積層有剝離膜、嵌埋層、第一黏著劑層及剝離膜之端子保護用膠帶的嵌埋層之側之剝離膜剝離，將該端子保護用膠帶與基材貼合，藉此可獲得於基材上依序積層有嵌埋層、第一黏著劑層及剝離膜之端子保護用膠帶。剝離膜只要於使用端子保護用膠帶時去掉即可。
另外，例如對基材進行嵌埋層形成用組成物之擠出成形，藉此於基材上積層嵌埋層。於剝離膜之剝離處理面上塗敷上述第一黏著劑組成物，視需要進行乾燥，藉此積層第一黏著劑層。繼而，藉由將該剝離膜上之第一黏著劑層與基材上之嵌埋層貼合，而亦可獲得於基材上依序積層有嵌埋層、第一黏著劑層及剝離膜之端子保護用膠帶。剝離膜只要於使用端子保護用膠帶時去掉即可。
另外，將第二黏著劑層、基材、嵌埋層及第一黏著劑層依序於該等之厚度方向積層的雙面膠帶之形態的端子保護用膠帶可藉由以下所示之方法而製造。 例如，準備上述於基材上依序積層有嵌埋層、第一黏著劑層及剝離膜之端子保護用膠帶。於另一剝離膜之剝離處理面上塗敷上述第二黏著劑組成物，視需要進行乾燥，藉此積層第二黏著劑層。繼而，藉由將該剝離膜上之第二黏著劑層與前述端子保護用膠帶之基材貼合，而可獲得依序積層有剝離膜、第二黏著劑層、基材、嵌埋層、第一黏著劑層及剝離膜之端子保護用膠帶。剝離膜只要於使用端子保護用膠帶時去掉即可。
具備上述各層以外之其他層的端子保護用膠帶可藉由下述方式製造：於上述製造方法中，以前述其他層之積層位置成為適當位置之方式，適當追加進行前述其他層之形成步驟及積層步驟中之任一者或兩者。
◇附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法 本實施形態之端子保護用膠帶例如可用於以下之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法。 圖5為示意性地表示本實施形態之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之一實施形態的剖面圖，上述附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法係將依序具有黏著劑層14、嵌埋層13及基材11之端子保護用膠帶3如圖4所示般固定於支撐體30而進行。
首先，如圖5(a)、圖5(b)所示，將附端子之半導體裝置65以端子91之側，亦即電路基板63之端子形成面63a為下而按壓於端子保護用膠帶之黏彈性層12，使端子91埋設於黏彈性層12。 此時，使黏彈性層12與附端子之半導體裝置65之端子91接觸，將附端子之半導體裝置65按壓於端子保護用膠帶。藉此，使黏彈性層12之黏著劑層14之側之最表面依序壓接於端子91之表面及電路基板63之端子形成面63a。此時，藉由將黏彈性層12加熱，而黏彈性層12軟化，以覆蓋端子91之方式於端子91間擴展，密接於端子形成面63a，並且覆蓋端子91之表面，尤其是端子形成面63a之附近部位之表面，而埋設端子91。
作為使附端子之半導體裝置65壓接於端子保護用膠帶之方法，可應用使對象物壓接於各種片材並貼附之公知之方法，例如可列舉使用層壓輥或真空層壓機之方法等。
使附端子之半導體裝置65壓接於端子保護用膠帶時之壓力並無特別限定，較佳為0.1MPa至1.5MPa，更佳為0.3MPa至1.3MPa。加熱溫度較佳為30℃至70℃，更佳為35℃至65℃，尤佳為40℃至60℃。另外，較佳為將黏彈性層12之第一黏著劑層14貼合於端子形成面63a。
於附端子之半導體裝置65之露出面塗佈導電性樹脂101(圖5(c))，進而進行熱硬化，藉此形成由導電材料所構成之電磁波屏蔽膜10(圖5(d))。作為藉由導電材料進行包覆而形成電磁波屏蔽膜10之方法，亦可使用濺鍍、離子鍍、噴塗等方法。
前述端子保護用膠帶於黏彈性層12之動態黏彈性測定中，於50℃之tanδ之值為0.2以上，黏彈性層12之厚度為80μm至800μm，故而於將附端子之半導體裝置之端子埋設於黏彈性層12時，即便為焊料球等容易產生浮起之端子電極亦可埋設，可使電路基板63之端子形成面63a密接於黏彈性層12。結果，可防止作為端子電極之端子91與電磁波屏蔽膜10電性短路，亦無需設置於步驟上繁雜之遮蔽部等。
藉由自具有黏彈性層12之端子保護用膠帶3拾取附電磁波屏蔽膜之半導體裝置66，而可將經電磁波屏蔽膜10包覆之附端子之半導體裝置65取出(圖5(e))。
圖5所示之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法中，成為電磁波屏蔽對象之附端子之半導體裝置65可為個別地製造之附端子之半導體裝置65，亦可為藉由切割法而單片化之附端子之半導體裝置65。
圖5所示之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法中，顯示了使用端子保護用膠帶3對經單片化並利用密封樹脂64將各個電子零件61、62密封的附端子之半導體裝置65進行電磁波屏蔽的方法，但亦可如下般，自單片化之前的附端子之半導體裝置集合體6使用端子保護用膠帶2對附端子之半導體裝置65進行電磁波屏蔽。
圖6為示意性地表示本實施形態之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法的其他實施形態的剖面圖，上述附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法使用依序具有黏著劑層14、嵌埋層13及基材11之端子保護用膠帶2對附端子之半導體裝置65進行電磁波屏蔽。
首先，如圖6(a)、圖6(b)所示，將藉由電路基板63而連結的附端子之半導體裝置集合體6以端子91之側，亦即電路基板63之端子形成面63a為下而按壓於端子保護用膠帶之黏彈性層12，與前述圖5(a)、圖5(b)之時同樣地，使端子91埋設於黏彈性層12。
此時，一邊對附端子之半導體裝置集合體6自上側施加壓力，一邊與前述圖5(a)、圖5(b)之時同樣地，使端子91埋設於端子保護用膠帶之黏彈性層12。
另外，藉由一邊將黏彈性層12加熱一邊貼合，而可使黏彈性層12軟化，使黏彈性層12密接於電路基板63之端子形成面63a。使附端子之半導體裝置集合體6壓接於端子保護用膠帶時之壓力並無特別限定，較佳為0.1MPa至1.5MPa，更佳為0.3MPa至1.3MPa。加熱溫度較佳為30℃至70℃，更佳為35℃至65℃，尤佳為40℃至60℃。另外，較佳為將黏彈性層12之第一黏著劑層14貼合於端子形成面63a。
繼而，切割附端子之半導體裝置集合體6，製成附端子之半導體裝置65(圖6(c))。形成電磁波屏蔽膜之步驟中所用的本實施形態之端子保護用膠帶兼作附端子之半導體裝置集合體6之切割膠帶。而且，圖5所示之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法中，於成為電磁波屏蔽對象之附端子之半導體裝置65為藉由切割法而經單片化的附端子之半導體裝置65時，需要拾取切割膠帶上之附端子之半導體裝置並改貼於端子保護用膠帶的作業(圖5(a))。另一方面，圖6所示之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法中，可省略將切割膠帶上之附端子之半導體裝置65改貼於端子保護用膠帶的作業。
於附端子之半導體裝置65之露出面塗佈導電性樹脂101(圖6(d))。此時，於附端子之半導體裝置集合體6的各附端子之半導體裝置65之邊界部分中當導電性樹脂101之分離不充分之情形時，亦可使用擴展(expand)裝置等將端子保護用膠帶延伸。可於經單片化之附端子之半導體裝置65各自之側面塗佈有導電性樹脂101之狀態下，將各個附端子之半導體裝置65單片化。進而，將塗佈於經單片化之附端子之半導體裝置65之頂面及側面的導電性樹脂101加熱而進行硬化，於附端子之半導體裝置65之露出面形成由導電材料所構成之電磁波屏蔽膜10(圖6(e))。亦可於附端子之半導體裝置65(圖6(c))直接濺鍍導電材料而形成電磁波屏蔽膜10(圖6(e))。
前述端子保護用膠帶於黏彈性層12之動態黏彈性測定中，於50℃之tanδ之值為0.2以上，黏彈性層12之厚度為80μm至800μm，故而於將附端子之半導體裝置集合體6之端子埋設於黏彈性層12時，即便為焊料球等容易產生浮起之端子電極亦可埋設，可使電路基板63之端子形成面63a密接於黏彈性層12。結果，可防止作為端子電極之端子91與電磁波屏蔽膜10電性短路，亦無需設置於步驟上繁雜之遮蔽部等。
藉由自具有黏彈性層12之端子保護用膠帶拾取附電磁波屏蔽膜之半導體裝置66，而可取出經電磁波屏蔽膜10包覆之附端子之半導體裝置65(圖6(f))。
於本實施形態之端子保護用膠帶中，端子91之高度h0較佳為低於黏彈性層12之厚度d1，較佳為1.2≦d1/h0≦5.0。具體而言，較佳為50μm至300μm，更佳為60μm至270μm，尤佳為80μm至240μm。藉由端子91之高度為前述下限值以上，而可進一步提高端子91之功能。另外，藉由端子91之高度為前述上限值以下，而更加提高抑制黏彈性層12於端子91上部之殘存的效果。 再者，於本說明書中，所謂「端子之高度」，意指端子中存在於距端子形成面最高的位置之部位之高度。於附端子之半導體裝置集合體6及附端子之半導體裝置65具有多個端子91之情形時，端子91之高度h0可設為該等之平均。端子之高度例如可藉由非接觸型三維光干涉式表面粗糙度計(日本Veeco公司製造，商品名：Wyko NT1100)進行測定。
端子91之寬度並無特別限定，較佳為170μm至350μm，更佳為200μm至320μm，尤佳為230μm至290μm。藉由端子91之寬度為前述下限值以上，則可進一步提高端子91之功能。另外，藉由端子91之寬度為前述上限值以下，而更加提高抑制黏彈性層12於端子91上部之殘存的效果。 再者，於本說明書中，所謂「端子之寬度」，意指自對端子形成面垂直方向往下俯視端子時，以直線連結端子表面上之不同2點之間所得的線段之最大值。於端子為球形或半球形時，所謂「端子之寬度」，係指往下俯視端子時的該端子之最大直徑(端子徑)。
相鄰端子91間之距離(亦即，端子間之間距)並無特別限定，較佳為250μm至800μm，更佳為300μm至600μm，尤佳為350μm至500μm。藉由前述距離為前述下限值以上，而可進一步提高端子91之嵌埋性。另外，藉由前述距離為前述上限值以下，而更加提高抑制黏彈性層12於端子91上部之殘存的效果。 再者，於本說明書中，所謂「相鄰端子間之距離」，意指相鄰端子彼此的表面間之距離之最小值。 [實施例]
以下，藉由具體之實施例對本發明進行更詳細說明。然而，本發明絲毫不限定於以下所示之實施例。
>單體> 將簡稱之單體之正式名稱示於以下。 HEA：丙烯酸2-羥基乙酯 BA：丙烯酸正丁酯 MMA：甲基丙烯酸甲酯 AAc：丙烯酸
(貼合黏著劑層形成用組成物A之製造) 添加由BA 90質量份及AAc 10質量份所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量(Mw)為400,000)33.6質量份、作為溶劑之乙基甲基酮66.4質量份、作為交聯劑之多元環氧化合物(三菱瓦斯化學股份有限公司製造，製品名「TETRAD-C」)0.2質量份，進行30分鐘攪拌而製備貼合黏著劑層形成用組成物A。
(貼合黏著劑層A之製造) 於藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面進行剝離處理而成的剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)之剝離處理面，塗敷前述貼合黏著劑層形成用組成物A，於100℃加熱乾燥1分鐘，藉此製造厚度20μm之貼合黏著劑層A。
(黏著劑層形成用組成物B之製造) 製備對由BA 74質量份、MMA 20質量份及HEA 6質量份所構成之丙烯酸系共聚物加成2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(相對於HEA而為約50莫耳%)而成的樹脂之溶液(黏著劑主劑，固形物為35質量%)。相對於該黏著劑主劑100質量份，添加作為交聯劑之甲苯二異氰酸酯(東洋化學(Toyo-Chem)股份有限公司製造，製品名「BHS-8515」，固形物濃度：37.5%)0.5質量份，進行30分鐘攪拌而製備黏著劑層形成用組成物B。
(黏著劑層B之製造) 於藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面進行剝離處理而成的剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)之剝離處理面，塗敷前述黏著劑層形成用組成物B，於100℃加熱乾燥1分鐘，藉此製造厚度20μm之黏著劑層B。
(嵌埋層形成用組成物A之製造) 添加由BA 90質量份及AAc 10質量份所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量(Mw)400,000)之溶液(固形物為33.6質量%)100質量份、對由BA 62質量份及MMA 10質量份以及HEA 28質量份所構成之丙烯酸系共聚物以相對於HEA 100mol%而加成率成為80 mol%之方式加成2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯而成的樹脂(平均重量分子量(Mw)100,000)之溶液(固形物為45質量%)50質量份、以及作為交聯劑之甲苯二異氰酸酯(東洋化學(Toyo-Chem)股份有限公司製造，製品名「BHS-8515」，固形物濃度：37.5%)2.5質量份，攪拌30分鐘而製備嵌埋層形成用組成物A。
(嵌埋層形成用組成物B之製造) 添加由BA 90質量份及AAc 10質量份所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量(Mw)400,000)33.6質量份、作為溶劑之乙基甲基酮66.4質量份、以及作為交聯劑之多元環氧化合物(三菱瓦斯化學股份有限公司製造，製品名「TETRAD-C」)0.2質量份，進行30分鐘攪拌而製備嵌埋層形成用組成物B。
(基材) 將聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(製品名「Cosmoshine A4100」，厚度50μm，東洋紡公司製造)用於基材11。
(附端子之半導體裝置之準備) 於評價實施例及比較例之端子保護用膠帶之嵌埋性時，準備以下之附端子之半導體裝置。 ·附端子之半導體裝置(1) 半導體裝置之大小：10mm×10mm 端子之高度：200μm 端子徑：250μm 端子間之間距：400μm 端子之個數：10×10＝100個 ·附端子之半導體裝置(2) 半導體裝置之大小：10mm×10mm 端子之高度：100μm 端子徑：250μm 端子間之間距：400μm 端子之個數：10×10＝100個
>嵌埋性評價> 將圖3之形態的端子保護用膠帶3的貼合黏著劑層15側之剝離膜22剝離，並接著於SUS(Stainless Steel；不銹鋼)板30上，製作圖4之形態的嵌埋性評價用之試樣，將黏著劑層14側之剝離膜20剝離，以該SUS板30之側為下而設置於溫度經調節為50℃之加熱板上。繼而，如圖5(a)般，以前述附端子之半導體裝置之端子之側為下，以壓製壓力(負重1.1MPa)、壓製時間40s、加熱溫度50℃而按壓於該黏彈性層12。對9個附端子之半導體裝置實施該嵌埋性評價。
於剛壓製後，橫向觀察而確認嵌埋性，將所有附端子之半導體裝置之下側面接著於端子保護用膠帶，端子隱蔽於端子保護用膠帶而無法觀察到之情況評價為剛壓製後之嵌埋性良好(A)。將至少一個附端子之半導體裝置之下側面自端子保護用膠帶浮起，於端子保護用膠帶與半導體裝置本體之間可觀察到端子之情況評價為剛壓製後之嵌埋性不良(B)。
然後，針對於常溫放置冷卻而經過1小時後之附端子之半導體裝置，橫向觀察而確認嵌埋性，將所有附端子之半導體裝置之下側面接著於端子保護用膠帶，端子隱蔽於端子保護用膠帶而無法觀察到之情況評價為壓製1小時後之嵌埋性良好(A)。將至少一個附端子之半導體裝置之下側面自端子保護用膠帶浮起，於端子保護用膠帶與半導體裝置本體之間可觀察到端子之情況評價為壓製1小時後之嵌埋性不良(B)。
[實施例1] >端子保護用膠帶之製造> 於藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面進行剝離處理而成的剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)之剝離處理面塗敷嵌埋層形成用組成物A，於100℃加熱乾燥1分鐘後，於嵌埋層形成用組成物A之上層壓藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面進行剝離處理而成的剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET382150」，厚度38μm)之剝離處理面，製造厚度50μm之嵌埋層。 將前述嵌埋層中的將所層壓之剝離膜剝去的面彼此貼合，製作厚度100μm之嵌埋層。同樣地將嵌埋層貼合而積層，製作厚度300μm之嵌埋層A。 於厚度20μm之黏著劑層B貼合厚度300μm之嵌埋層A，製造具有圖1所示之形態的厚度320μm之黏彈性層12的實施例1之端子保護用膠帶1。
>黏彈性層之剪切儲存彈性模量測定> 將該實施例1之端子保護用膠帶1中之兩剝離膜剝離，將厚度320μm之黏彈性層12積層三層，藉此形成厚度960μm之黏彈性層。由該黏彈性層製作直徑8mm、厚度960μm之圓柱形狀之評價用試樣，將該試樣設置於剪切黏度測定裝置。此時，於測定裝置之設置部位載置前述試樣，自試樣之上表面按壓測定夾具，由此將試樣固定並設置於前述設置部位。 以頻率：1Hz、升溫速度：10℃/min之測定條件，測定自室溫至100℃之剪切儲存彈性模量G’及tanδ(損失彈性模量G”/儲存彈性模量G’)。其中，求出於25℃及50℃之剪切儲存彈性模量G’及tanδ(損失彈性模量G”/儲存彈性模量G’)。將結果示於表1。
>嵌埋性評價> 將實施例1之端子保護用膠帶1的嵌埋層A之側之剝離膜剝離，與作為基材之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(製品名「Cosmoshine A4100」，厚度50μm，東洋紡公司製造)之易接著處理側貼合，製造圖2所示的具有基材11／嵌埋層13／黏著劑層14之形態的黏彈性層12的實施例1之端子保護用膠帶2。
進而，於實施例1之端子保護用膠帶2之基材中的與嵌埋層A相反之側積層前述貼合黏著劑層A，製造具有圖3所示之形態的黏彈性層12的實施例1之端子保護用膠帶3。
將實施例1之端子保護用膠帶3的貼合黏著劑層A之側之剝離膜剝離，並接著於SUS板上，製作圖4之形態的嵌埋性評價用之試樣，將黏著劑層B之側之剝離膜剝離，以該SUS板之側為下而設置於溫度經調節為50℃之加熱板上。繼而，如圖5(a)般，以端子之高度為h0＝200μm的前述附端子之半導體裝置(1)之端子之側為下，以壓製壓力(負重1.1MPa)、壓製時間40s、加熱溫度50℃而按壓於實施例1之端子保護用膠帶3。對9個附端子之半導體裝置實施該嵌埋性評價。黏彈性層12之厚度d1(μm)與端子之高度h0(μm)之比(d1/h0)為1.6。
於剛壓製後，橫向觀察而確認嵌埋性，結果所有附端子之半導體裝置之下側面接著於端子保護用膠帶，端子隱蔽於端子保護用膠帶而無法觀察到(剛壓製後之嵌埋性良好(A))。將結果示於表1。
然後，針對於常溫放置冷卻而經過1小時後之附端子之半導體裝置，橫向觀察而確認嵌埋性，結果如圖5(b)般，所有附端子之半導體裝置之下側面接著於端子保護用膠帶，端子隱蔽於端子保護用膠帶而無法觀察到(壓製1小時後之嵌埋性良好(A))。將結果示於表1。
[實施例2] >端子保護用膠帶之製造> 變更嵌埋層A之厚度，除此以外，以與實施例1相同之方式於剝離膜之剝離處理面製造厚度470μm之嵌埋層A。 於厚度20μm之黏著劑層B積層厚度470μm之嵌埋層A，製造具有圖1所示之形態的厚度490μm之黏彈性層12的實施例2之端子保護用膠帶1。
>黏彈性層之剪切儲存彈性模量測定> 繼而，將該實施例2之端子保護用膠帶1中之兩剝離膜剝離，將厚度490μm之黏彈性層12積層兩片，藉此形成厚度980μm之黏彈性層。繼而，以與實施例1相同之方式，對實施例2之端子保護用膠帶1中之黏彈性層12測定剪切儲存彈性模量G’及tanδ(損失彈性模量G”/儲存彈性模量G’)。其中，求出於25℃及50℃之剪切儲存彈性模量G’及tanδ(損失彈性模量G”/儲存彈性模量G’)。將結果示於表1。
>嵌埋性評價> 以與實施例1相同之方式，使用實施例2之端子保護用膠帶1，製造具有圖2所示之形態的黏彈性層12的實施例2之端子保護用膠帶2。
進而，以與實施例1相同之方式，使用實施例2之端子保護用膠帶2，製造具有圖3所示之形態的黏彈性層12的實施例2之端子保護用膠帶3。
針對實施例2之端子保護用膠帶3，使用端子之高度為h0＝100μm的前述附端子之半導體裝置(2)，確認剛壓製後之嵌埋性((d1/h0)為4.9)，結果如圖5(b)般，所有附端子之半導體裝置之下側面接著於端子保護用膠帶，端子隱蔽於端子保護用膠帶而無法觀察到(剛壓製後之嵌埋性良好(A))。將結果示於表1。另外，確認壓製1小時後之嵌埋性，結果如圖5(b)般，所有附端子之半導體裝置之下側面接著於端子保護用膠帶，端子隱蔽於端子保護用膠帶而無法觀察到(壓製1小時後之嵌埋性良好(A))。將結果示於表1。
[實施例3] >端子保護用膠帶之製造> 變更嵌埋層A之厚度，除此以外，以與實施例1相同之方式於剝離膜之剝離處理面製造厚度770μm之嵌埋層A。 於厚度20μm之黏著劑層B積層厚度770μm之嵌埋層A，製造具有圖1所示之形態的厚度790μm之黏彈性層12的實施例3之端子保護用膠帶1。
>黏彈性層之剪切儲存彈性模量測定> 繼而，將該實施例3之端子保護用膠帶1中之兩剝離膜剝離，以與實施例1相同之方式，對實施例3之端子保護用膠帶1中的厚度790μm之黏彈性層12測定剪切儲存彈性模量G’及tanδ(損失彈性模量G”/儲存彈性模量G’)。其中，求出於25℃及50℃之剪切儲存彈性模量G’及tanδ(損失彈性模量G”/儲存彈性模量G’)。將結果示於表1。
>嵌埋性評價> 以與實施例1相同之方式，使用實施例3之端子保護用膠帶1，製造具有圖2所示之形態的黏彈性層12的實施例3之端子保護用膠帶2。
進而，以與實施例1相同之方式，使用實施例3之端子保護用膠帶2，製造具有圖3所示之形態的黏彈性層12的實施例3之端子保護用膠帶3。
針對實施例3之端子保護用膠帶3，使用端子之高度為h0＝200μm的前述附端子之半導體裝置(1)，確認剛壓製後之嵌埋性((d1/h0)為4.0)，結果如圖5(b)般，所有附端子之半導體裝置之下側面接著於端子保護用膠帶，端子隱蔽於端子保護用膠帶而無法觀察到(剛壓製後之嵌埋性良好(A))。另外，確認壓製1小時後之嵌埋性，結果如圖5(b)般，所有附端子之半導體裝置之下側面接著於端子保護用膠帶，端子隱蔽於端子保護用膠帶而無法觀察到(壓製1小時後之嵌埋性良好(A))。將結果示於表1。
[實施例4] >端子保護用膠帶之製造> 變更嵌埋層A之厚度，除此以外，以與實施例1相同之方式於剝離膜之剝離處理面製造厚度120μm之嵌埋層A。 於厚度20μm之黏著劑層B積層厚度120μm之嵌埋層A，製造具有圖1所示之形態的厚度140μm之黏彈性層12的實施例4之端子保護用膠帶1。
>黏彈性層之剪切儲存彈性模量測定> 繼而，將該實施例4之端子保護用膠帶1中之兩剝離膜剝離，將厚度140μm之黏彈性層12積層七片，藉此形成厚度980μm之黏彈性層。繼而，以與實施例1相同之方式，對實施例4之端子保護用膠帶1中之黏彈性層12測定剪切儲存彈性模量G’及tanδ(損失彈性模量G”/儲存彈性模量G’)。其中，求出於25℃及50℃之剪切儲存彈性模量G’及tanδ(損失彈性模量G”/儲存彈性模量G’)。將結果示於表1。
>嵌埋性評價> 以與實施例1相同之方式，使用實施例4之端子保護用膠帶1，製造具有圖2所示之形態的黏彈性層12的實施例4之端子保護用膠帶2。
進而，以與實施例1相同之方式，使用實施例4之端子保護用膠帶2，製造具有圖3所示之形態的黏彈性層12的實施例4之端子保護用膠帶3。
針對實施例4之端子保護用膠帶3，使用端子之高度為h0＝100μm之前述附端子之半導體裝置(2)，確認剛壓製後之嵌埋性((d1/h0)為1.4)，結果如圖5(b)般，所有附端子之半導體裝置之下側面接著於端子保護用膠帶，端子隱蔽於端子保護用膠帶而無法觀察到(剛壓製後之嵌埋性良好(A))。另外，確認壓製1小時後之嵌埋性，結果如圖5(b)般，所有附端子之半導體裝置之下側面接著於端子保護用膠帶，端子隱蔽於端子保護用膠帶而無法觀察到(壓製1小時後之嵌埋性良好(A))。將結果示於表1。
[比較例1] >端子保護用膠帶> 將厚度20μm之黏著劑層B用作比較例1之端子保護用膠帶。
>黏彈性層之剪切儲存彈性模量測定> 將厚度20μm之黏著劑層B積層多片，藉此形成厚度1000μm之黏彈性層。由該黏彈性層製作直徑8mm、厚度1000μm之圓柱形狀之評價用試樣，使用該試樣，以與實施例1相同之方式測定剪切儲存彈性模量G’及tanδ(損失彈性模量G”/儲存彈性模量G’)。其中，求出於25℃及50℃之剪切儲存彈性模量G’及tanδ(損失彈性模量G”/儲存彈性模量G’)。將結果示於表1。
>嵌埋性評價> 將厚度20μm之黏著劑層B積層於前述基材A之易接著處理面之側，於該基材A中的與黏著劑層B相反之側積層前述貼合黏著劑層A，製造比較例1之端子保護用膠帶。
將比較例1之端子保護用膠帶的貼合黏著劑層A之側之剝離膜剝離，並接著於SUS板上後，將黏著劑層B之側之剝離膜剝離，以該SUS板之側為下而設置於溫度經調節為50℃之加熱板上。繼而，如圖7(a)般，以端子之高度為h0＝200μm的前述附端子之半導體裝置(1)之端子之側為下，以1.1MPa之壓製壓力、壓製時間40s、加熱溫度50℃而按壓於比較例1之端子保護用膠帶。對9個附端子之半導體裝置實施該嵌埋性評價。黏彈性層之厚度d1(μm)與端子之高度h0(μm)之比(d1/h0)為0.1。
於剛壓製後，橫向觀察而確認嵌埋性，結果如圖7(b)般，所有附端子之半導體裝置之下側面自端子保護用膠帶浮起，於端子保護用膠帶與半導體裝置本體之間可觀察到端子(剛壓製後之嵌埋性不良(B))。將結果示於表1。
然後，針對於常溫放置冷卻而經過1小時後之附端子之半導體裝置，橫向觀察而確認嵌埋性，結果如圖7(b)般，所有附端子之半導體裝置之下側面自端子保護用膠帶浮起，於端子保護用膠帶與半導體裝置本體之間可觀察到端子(壓製1小時後之嵌埋性不良(B))。
[比較例2] >端子保護用膠帶之製造> 於藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面進行剝離處理而成的剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)之剝離處理面，塗敷上述所得之嵌埋層形成用組成物B，於120℃加熱乾燥2分鐘，藉此製造厚度300μm之嵌埋層B。 於厚度20μm之黏著劑層B積層厚度300μm之嵌埋層B，製造具有圖1所示之形態的厚度320μm之黏彈性層12的比較例2之端子保護用膠帶1。
>黏彈性層之剪切儲存彈性模量測定> 繼而，將該比較例2之端子保護用膠帶1中之兩剝離膜剝離，將厚度320μm之黏彈性層12積層多片，藉此形成厚度960μm之黏彈性層。繼而，以與實施例1相同之方式，對比較例2之端子保護用膠帶1中之黏彈性層12測定剪切儲存彈性模量G’及tanδ(損失彈性模量G”/儲存彈性模量G’)。其中，求出於25℃及50℃之剪切儲存彈性模量G’及tanδ(損失彈性模量G”/儲存彈性模量G’)。將結果示於表1。
>嵌埋性評價> 將比較例2之端子保護用膠帶1的嵌埋層B之側之剝離膜剝離，積層於前述基材A之易接著處理之側，於該基材A中的與嵌埋層B相反之側積層前述貼合黏著劑層A，製造圖3所示之形態的比較例2之端子保護用膠帶3。
將比較例2之端子保護用膠帶3的貼合黏著劑層A之側之剝離膜剝離，並接著於SUS板上，製作圖4之形態的嵌埋性評價用之試樣，將黏著劑層B之側之剝離膜剝離，以該SUS板之側為下而設置於溫度經調節為50℃之加熱板上。繼而，以端子之高度為h0＝200μm的前述附端子之半導體裝置(1)之端子之側為下，以1.1MPa之壓製壓力、壓製時間40s、加熱溫度50℃而按壓於比較例2之端子保護用膠帶3。對9個附端子之半導體裝置實施該嵌埋性評價。黏彈性層之厚度d1(μm)與端子之高度h0(μm)之比(d1/h0)為1.6。
於剛壓製後，橫向觀察而確認嵌埋性，結果所有附端子之半導體裝置之下側面自端子保護用膠帶浮起，於端子保護用膠帶與半導體裝置本體之間可觀察到端子(剛壓製後之嵌埋性不良(B))。將結果示於表1。
然後，針對於常溫放置冷卻而經過1小時後之附端子之半導體裝置，橫向觀察而確認嵌埋性，結果所有附端子之半導體裝置之下側面自端子保護用膠帶浮起，於端子保護用膠帶與半導體裝置本體之間可觀察到端子(剛壓製後之嵌埋性不良(B))。將結果示於表1。
[比較例3] >端子保護用膠帶之製造> 於藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面進行剝離處理而成的剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)之剝離處理面，塗敷上述所得之嵌埋層形成用組成物B，於120℃加熱乾燥2分鐘，藉此製造厚度150μm之嵌埋層B。 於厚度20μm之黏著劑層B積層厚度150μm之嵌埋層B，製造具有圖1所示之形態的厚度170μm之黏彈性層12的比較例3之端子保護用膠帶1。
>黏彈性層之剪切儲存彈性模量測定> 繼而，將該比較例3之端子保護用膠帶1中之兩剝離膜剝離，將厚度170μm之黏彈性層12積層多片，藉此形成厚度1020μm之黏彈性層。繼而，以與實施例1相同之方式，對比較例3之端子保護用膠帶1中之黏彈性層12測定剪切儲存彈性模量G’及tanδ(損失彈性模量G”/儲存彈性模量G’)。其中，求出於25℃及50℃之剪切儲存彈性模量G’及tanδ(損失彈性模量G”/儲存彈性模量G’)。將結果示於表1。
>嵌埋性評價> 將比較例3之端子保護用膠帶1的嵌埋層B之側之剝離膜剝離，積層於前述基材A之易接著處理面之側，於該基材A中的與嵌埋層相反之側積層前述貼合黏著劑層A，製造圖3所示之形態的比較例3之端子保護用膠帶3。
將比較例3之端子保護用膠帶3的貼合黏著劑層A之側之剝離膜剝離，並接著於SUS板上，製作圖4之形態的嵌埋性評價用之試樣，將黏著劑層B之側之剝離膜剝離，以該SUS板之側為下而設置於溫度經調節為50℃之加熱板上。繼而，以端子之高度為h0＝200μm的前述附端子之半導體裝置(1)之端子之側為下，以1.1MPa之壓製壓力、壓製時間40s、加熱溫度50℃而按壓於比較例3之端子保護用膠帶3。對9個附端子之半導體裝置實施該嵌埋性評價。黏彈性層之厚度d1(μm)與端子之高度h0(μm)之比(d1/h0)為0.9。
於剛壓製後，橫向觀察而確認嵌埋性，結果所有附端子之半導體裝置之下側面自端子保護用膠帶浮起，於端子保護用膠帶與半導體裝置本體之間可觀察到端子(剛壓製後之嵌埋性不良(B))。將結果示於表1。
然後，針對於常溫放置冷卻而經過1小時後之附端子之半導體裝置，橫向觀察而確認嵌埋性，結果所有附端子之半導體裝置之下側面自端子保護用膠帶浮起，於端子保護用膠帶與半導體裝置本體之間可觀察到端子(剛壓製後之嵌埋性不良(B))。將結果示於表1。
[表1]
Figure 108128195-A0304-0001
根據表1所示之結果，於使用本實施形態之實施例之端子保護用膠帶對附端子之半導體裝置進行電磁波屏蔽時，於黏彈性層之動態黏彈性測定中，於50℃之tanδ之值為0.2以上，前述黏彈性層之厚度為80μm至800μm，故而可將容易產生浮起之凸塊埋設於黏彈性層12，可使半導體裝置之端子形成面密接於黏彈性層。結果，可防止作為端子電極之凸塊與電磁波屏蔽膜電性短路，亦無需設置於步驟上繁雜之遮蔽部等。 (產業可利用性)
本實施形態之端子保護用膠帶可用於在對附端子之半導體裝置進行電磁波屏蔽時，保護附端子之半導體裝置之端子的用途。可使用本實施形態之端子保護用膠帶對附端子之半導體裝置進行電磁波屏蔽，可製造附電磁波屏蔽膜之半導體裝置。
1、2、3:端子保護用膠帶 6:附端子之半導體裝置集合體 10:電磁波屏蔽膜 11:基材 12:黏彈性層 13:嵌埋層 14:黏著劑層 15:第二黏著劑層(貼合黏著劑層) 20、21、22:剝離膜 30:支撐體 60:半導體裝置集合體 60a、63a:端子形成面 61、62:電子零件 63:電路基板 64:密封樹脂層 65:附端子之半導體裝置 66:附電磁波屏蔽膜之半導體裝置 91:端子 101:導電性樹脂
圖1為示意性地表示本發明之端子保護用膠帶之一實施形態的剖面圖。 圖2為示意性地表示本發明之端子保護用膠帶之其他實施形態的剖面圖。 圖3為示意性地表示本發明之端子保護用膠帶之其他實施形態的剖面圖。 圖4為示意性地表示本發明之端子保護用膠帶之其他實施形態的剖面圖。 圖5為示意性地表示本發明之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之一實施形態的剖面圖。 圖6為示意性地表示本發明之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之其他實施形態的剖面圖。 圖7為示意性地表示比較例之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之例的剖面圖。
1:端子保護用膠帶
12:黏彈性層
13:嵌埋層
14:黏著劑層
20、21:剝離膜

Claims (8)

  1. 一種端子保護用膠帶，係用於對附端子之半導體裝置形成電磁波屏蔽膜之步驟中； 前述端子保護用膠帶具有黏彈性層； 於前述黏彈性層之動態黏彈性測定中，於50℃之tanδ之值為0.2以上，前述黏彈性層之厚度為80μm至800μm。
  2. 如請求項1所記載之端子保護用膠帶，其中前述黏彈性層於50℃之儲存彈性模量G’(50℃)(MPa)、前述端子之高度h0(μm)及前述黏彈性層之厚度d1(μm)滿足下述式(1)及式(2)： 0.01MPa≦G’(50℃)≦15MPa···(1) 1.2≦d1/h0≦5.0···(2)。
  3. 如請求項1或2所記載之端子保護用膠帶，其中前述黏彈性層於25℃之儲存彈性模量G’(25℃)(MPa)滿足下述式(3)； 0.05MPa≦G’(25℃)≦20MPa···(3)。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載之端子保護用膠帶，其中前述黏彈性層具有嵌埋層及黏著劑層。
  5. 如請求項4所記載之端子保護用膠帶，係依序具有前述黏著劑層、前述嵌埋層及基材。
  6. 如請求項5所記載之端子保護用膠帶，係依序具有前述黏著劑層、前述嵌埋層、前述基材及第二黏著劑層之雙面膠帶。
  7. 一種附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係包括： 使前述附端子之半導體裝置之端子埋設於如請求項1至6中任一項所記載之端子保護用膠帶之黏彈性層的步驟； 以及於未埋設於前述端子保護用膠帶之黏彈性層的前述附端子之半導體裝置之露出面形成電磁波屏蔽膜的步驟。
  8. 一種附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係包括： 使附端子之半導體裝置集合體之端子埋設於如請求項1至6中任一項所記載之端子保護用膠帶之黏彈性層的步驟； 將前述附端子之半導體裝置集合體切割，將前述附端子之半導體裝置集合體製成使端子埋設於前述端子保護用膠帶之黏彈性層的附端子之半導體裝置的步驟； 以及於未埋設於前述端子保護用膠帶之黏彈性層的前述附端子之半導體裝置之露出面形成電磁波屏蔽膜的步驟。
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