JP2023012204A - 熱硬化型樹脂シート、及び、ダイシングダイボンドフィルム - Google Patents

Abstract

【課題】 ダイボンド時において良好な埋め込み性を有し、且つ、熱硬化処理後の反りが抑制されたダイボンドシート用の熱硬化型樹脂シートなどを提供することを課題としている。【解決手段】 熱硬化処理によって架橋反応を起こす架橋性基を分子中に有する架橋性アクリルポリマーを含み、熱硬化処理前における１４０℃でのせん断損失弾性率Ｇ”が１ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下であり、且つ、１５０℃で１時間の熱硬化処理後における１５０℃での引張弾性率が０．５ＭＰａ以上７．０ＭＰａ以下である、熱硬化型樹脂シート、及び、該熱硬化型樹脂シートを備えたダイシングダイボンドフィルムなどを提供する。【選択図】 図１

Description

本発明は、例えば半導体装置を製造するときに使用されるダイシングダイボンドフィルム、及び、該ダイシングダイボンドフィルムに備えられる熱硬化型樹脂シートに関する。

従来、半導体装置の製造において使用されるダイシングダイボンドフィルムが知られている。この種のダイシングダイボンドフィルムは、例えば、ダイシングテープと、該ダイシングテープに積層され且つウエハに接着されるダイボンドシートと、を備える。ダイボンドシートは、熱硬化型樹脂シートで構成されている。ダイシングテープは、基材層と、ダイボンドシートに接している粘着層とを有する。この種のダイシングダイボンドフィルムは、半導体装置の製造において、例えば下記のように使用される。

半導体装置を製造する方法は、一般的に、高集積の電子回路によってウエハの片面側に回路面を形成する前工程と、回路面が形成されたウエハからチップを切り出して組立てを行う後工程とを備える。

後工程は、例えば、ウエハを小さいチップ（ダイ）へ割断するための脆弱部位をウエハに形成するダイシング工程と、ウエハの回路面とは反対側の面をダイボンドシートに貼り付けてダイシングテープにウエハを固定するマウント工程と、脆弱部位が形成されたウエハをダイボンドシートと共に割断してチップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、ダイボンドシートと粘着層との間で剥離してダイボンドシートが貼り付いた状態のチップ（ダイ）を取り出すピックアップ工程と、ダイボンドシートが貼り付いた状態のチップ（ダイ）をダイボンドシートを介して被着体に接着させるダイボンド工程と、被着体に接着したダイボンドシートを熱硬化処理するキュアリング工程と、を有する。半導体装置は、例えばこれらの工程を経て製造される。

上記のような半導体装置の製造方法において、例えば上記のピックアップ工程において、チップとともにダイボンドシートを剥離するときの剥離性を良好にすべく、エポキシ樹脂を含むダイボンドシートと、特定の成分が配合された粘着層と、を備えたダイシングダイボンドフィルムが知られている（例えば、特許文献１）。

詳しくは、特許文献１に記載のダイシングダイボンドフィルムにおいて、ダイシングテープの粘着層は、主モノマーとしてのアクリル酸エステルと、アクリル酸エステルに対し含有量が１０～３０ｍｏｌ％の範囲内のヒドロキシル基含有モノマーと、ヒドロキシル基含有モノマーに対し含有量が７０～９０ｍｏｌ％の範囲内のラジカル反応性炭素－炭素二重結合を有するイソシアネート化合物とで構成されたポリマーを含み、ダイボンドフィルムはエポキシ樹脂を含む。
特許文献１に記載のダイシングダイボンドフィルムによれば、紫外線照射によって硬化した粘着層からダイボンドフィルムを容易に剥離でき、ダイボンドフィルムとともにチップを良好にピックアップできる。

特開２００９－１３５３７７号公報

ところで、例えば上記のダイボンド工程において、被着体の上に、ダイボンドシートを介してチップを接着させるときに、被着体表面に凹凸がある場合がある。そのため、この凹凸に追従して凹部を埋め込むようにダイボンドシートが変形し、隙間ができないように被着体の表面をダイボンドシートで覆う必要がある。
また、例えば上記のキュアリング工程において、熱硬化処理によってダイボンドシートに反りが生じてチップが反る場合がある。これは、チップ、ダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）、及び、被着体の各線膨張係数が互いに異なる等の理由によると考えられる。特に被着体の厚さが比較的薄いとチップが反りやすくなる。
このような問題を防ぐべく、ダイボンド時において被着体表面の凹凸に追従して良好な埋め込み性を有するように、且つ、熱硬化処理による反りが少なくなるようにダイボンドシートを設計することが考えられる。

しかしながら、ダイボンド時において良好な埋め込み性を有し、且つ、熱硬化処理に伴う反りが抑制されたダイボンドシート用の熱硬化型樹脂シート及び該熱硬化型樹脂シート（ダイボンドシート）を備えたダイシングダイボンドフィルムについては、未だ十分に検討されているとはいえない。

そこで、本発明は、ダイボンド時において良好な埋め込み性を有し、且つ、熱硬化処理に伴う反りが抑制されたダイボンドシート用の熱硬化型樹脂シート、及び、該熱硬化型樹脂シートを備えたダイシングダイボンドフィルムを提供することを課題とする。

上記課題を解決すべく、本発明に係る熱硬化型樹脂シートは、
半導体装置の製造方法において、回路面が形成されたウエハを割断したチップと被着体との間に配置して、前記チップを前記被着体に接着させるためのダイボンドシートとして用いられる熱硬化型樹脂シートであって、
熱硬化処理によって架橋反応を起こす架橋性基を分子中に有する架橋性アクリルポリマーを含み、
熱硬化処理前における１４０℃でのせん断損失弾性率Ｇ”が１ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下であり、且つ、１５０℃で１時間の熱硬化処理後における１５０℃での引張弾性率が０．５ＭＰａ以上７．０ＭＰａ以下であることを特徴とする。

本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、上記の熱硬化型樹脂シートと、該熱硬化型樹脂シートに貼り合わされたダイシングテープとを備える。

本発明に係る熱硬化型樹脂シート及びダイシングダイボンドフィルムによれば、ダイボンド時において良好な埋め込み性を発揮でき、且つ、熱硬化処理に伴う反りが抑制される。

本実施形態のダイシングダイボンドフィルムを厚さ方向に切断した断面図。 半導体装置の製造方法におけるステルスダイシング工程の様子を模式的に表す断面図。 半導体装置の製造方法におけるステルスダイシング工程の様子を模式的に表す断面図。 半導体装置の製造方法におけるステルスダイシング工程の様子を模式的に表す断面図。 半導体装置の製造方法におけるバックグラインド工程の様子を模式的に表す断面図。 半導体装置の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に表す断面図。 半導体装置の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に表す断面図。 半導体装置の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に表す断面図。 半導体装置の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に表す断面図。 半導体装置の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に表す断面図。 半導体装置の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に表す断面図。 半導体装置の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に表す断面図。 半導体装置の製造方法におけるピックアップ工程の様子を模式的に表す断面図。 半導体装置の製造方法におけるダイボンド工程の様子を模式的に表す断面図。 ダイボンドシートを被着体に接着したときに生じ得る空隙の様子の一例を表した模式図。 半導体装置の製造方法におけるワイヤボンディング工程の様子を模式的に表す断面図。 半導体装置の製造方法における封止工程の様子を模式的に表す断面図。 半導体チップ及びダイボンドシートが反った状態の一例を表す模式断面図。

以下、本発明に係る熱硬化型樹脂シート（ダイボンドシート）、及び、該熱硬化型樹脂シート（ダイボンドシート）を備えたダイシングダイボンドフィルムの一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

本実施形態のダイシングダイボンドフィルム１は、図１に示すように、ダイシングテープ２０と、該ダイシングテープ２０の粘着剤層２２に積層され且つ半導体ウエハに接着される熱硬化型樹脂シート（ダイボンドシート１０）とを備える。熱硬化型樹脂シート（ダイボンドシート１０）は、半導体装置の製造において、回路基板又は半導体チップなどの被着体に接着されることとなる。
なお、図面における図は模式図であり、実物における縦横の長さ比と必ずしも同じではない。

本実施形態において、熱硬化型樹脂シートは、ダイシングダイボンドフィルム１のダイボンドシート１０に用いられている。そのため、以下、熱硬化型樹脂シートの詳しい説明は、ダイボンドシート１０の説明によって行う。

＜ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）＞
ダイボンドシート１０は、熱硬化処理によって架橋反応を起こす架橋性基を分子中に有する架橋性アクリルポリマーを含む。
また、ダイボンドシート１０のせん断損失弾性率Ｇ”は、熱硬化処理前において１４０℃の温度条件下で１ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下であり、且つ、ダイボンドシート１０の引張弾性率は、１５０℃で１時間の熱硬化処理後において１５０℃の温度条件下で０．５ＭＰａ以上７．０ＭＰａ以下である。

上記構成のダイボンドシート１０によれば、熱硬化処理前における１４０℃でのせん断損失弾性率Ｇ”が１ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下であることから、ダイボンド時において被着体表面の凹凸に追従して良好な埋め込み性を発揮できる。また、１５０℃で１時間の熱硬化処理後における１５０℃での引張弾性率が０．５ＭＰａ以上７．０ＭＰａ以下であることから、熱硬化処理によって生じるダイボンドシート１０の内部応力に起因して、ダイボンドシート１０が反ることを抑制できる。また、ダイボンドシート１０が架橋性ポリマーとして、比較的弾性率の低い架橋性アクリルポリマーを含むことから、硬化後のダイボンドシート１０が適度に低い弾性率を有し、柔軟性を有することができる。そのため、ダイボンドシート１０の上記の内部応力が緩和されて、熱硬化処理に伴って発生し得るダイボンドシート１０の反りを抑制できると考えられる。

上記の架橋性アクリルポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルモノマーが少なくとも重合した高分子化合物である。
なお、本明細書において「（メタ）アクリル酸」との表記は、メタクリル酸及びアクリル酸のうちの少なくとも一方を表し、「（メタ）アクリレート」との表記は、メタクリレート（メタクリル酸エステル）及びアクリレート（アクリル酸エステル）のうちの少なくとも一方を表す。「（メタ）アクリル」という用語も同様である。

上記の架橋性アクリルポリマーは、通常、側鎖に上記の架橋性基を有する。上記の架橋性アクリルポリマーは、側鎖の末端に上記の架橋性基を有してもよい。なお、上記の架橋性アクリルポリマーは、主鎖の両端のうち少なくとも一方に上記の架橋性基を有してもよい。

上記の架橋性アクリルポリマーが分子中に有する架橋性基は、熱硬化処理によって架橋反応を起こす官能基であれば、特に限定されない。
架橋性基としては、例えば、活性水素を有する低活性架橋性基、又は、活性水素と反応できる高活性架橋性基が挙げられる。

低活性架橋性基としては、例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基などが挙げられる。これらの架橋性基は、エポキシ基又はイソシアネート基と架橋反応を起こすことができる。例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基の少なくとも一方を分子中に有する上記の架橋性アクリルポリマーは、エポキシ基又はイソシアネート基を分子中に有する化合物（例えば、後述するエポキシ樹脂など）との間で架橋反応を起こすことができる。

高活性架橋性基としては、例えば、エポキシ基又はイソシアネート基などが挙げられる。これらの架橋性基は、ヒドロキシ基やカルボキシ基と架橋反応を起こすことができる。例えば、エポキシ基又はイソシアネート基の少なくとも一方を分子中に有する上記の架橋性アクリルポリマーは、ヒドロキシ基又はカルボキシ基の少なくとも一方を分子中に有する化合物（例えば、後述するフェノール樹脂など）との間で架橋反応を起こすことができる。

上記の架橋性アクリルポリマーに占める、架橋性基含有モノマーの構成単位の含有割合は、０．５質量％以上５０．０質量％以下であってもよく、１質量％以上４０質量％以下であってもよい。
上記の割合が０．５質量％以上であることにより、ダイボンドシート１０が熱硬化処理されるときの架橋反応をより十分に進行させることができる。一方、上記の割合が５０．０質量％以下であることにより、熱硬化処理後のダイボンドシート１０の弾性率をより低くすることによって、熱硬化処理に伴うダイボンドシート１０の反りをより抑制できる。
上記の架橋性アクリルポリマーがヒドロキシ基又はカルボキシ基を架橋性基として分子中に有する場合、架橋性アクリルポリマーに占める、架橋性基を含有する構成単位の割合は、１質量％以上５０質量％以下であってもよい。
上記の架橋性アクリルポリマーがエポキシ基を架橋性基として分子中に有する場合、架橋性アクリルポリマーに占める、エポキシ基を含有する構成単位の割合は、５質量％以上５０質量％以下であってもよく、７質量％以上４０質量％以下であってもよい。
なお、構成単位とは、架橋性アクリルポリマーを重合するときのモノマー（例えば２－エチルヘキシルアクリレート、ヒドロキシエキルアクリレートなど）が重合した後の各モノマー由来の構造である。以下同様である。

上記の架橋性アクリルポリマーがエポキシ基を架橋性基として分子中に有する場合、架橋性アクリルポリマーのエポキシ当量は、１，３００［ｇ／ｅｑ］以上４，２００［ｇ／ｅｑ］以下であってもよく、１，５００［ｇ／ｅｑ］以上２，５００［ｇ／ｅｑ］以下であってもよい。
架橋性アクリルポリマーのエポキシ当量が１，３００［ｇ／ｅｑ］以上であることによって、熱硬化処理後のダイボンドシート１０が、より良好な耐熱性を有することができる。また、架橋性アクリルポリマーのエポキシ当量が４，２００［ｇ／ｅｑ］以下であることによって、熱硬化処理に伴うダイボンドシート１０の反りをより抑制できる。

上記の架橋性アクリルポリマーのエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６：２００１（指示薬滴定法／電位差滴定法）に準じた方法によって測定される。

本実施形態のダイボンドシート１０は、１種又は複数種の架橋性アクリルポリマーを含んでもよい。
複数種の架橋性アクリルポリマーのうち少なくとも２種は、互いに架橋反応し合う。即ち、一方の架橋性アクリルポリマーの架橋性基と、他方の架橋性アクリルポリマーの架橋性基とは、互いに架橋反応できる。

種類が異なる架橋性アクリルポリマーは、例えば、互いに架橋反応し合う架橋性基をそれぞれ分子中に有する。具体的には、ヒドロキシ基又はカルボキシ基の少なくとも一方を架橋性基として分子中に有する架橋性アクリルポリマーと、エポキシ基又はイソシアネート基の少なくとも一方を架橋性基として分子中に有する架橋性アクリルポリマーとは、種類が異なる。
又は、種類が異なる架橋性アクリルポリマーは、例えば、分子中に有するモノマーの構成単位の種類が互いに異なる。具体的には、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリルモノマー及びアルキル（メタ）アクリレートモノマーを構成単位として分子中に有する架橋性アクリルポリマーと、カルボキシ基含有（メタ）アクリルモノマー及びアルキル（メタ）アクリレートモノマーを構成単位として分子中に有する架橋性アクリルポリマーとは、種類が異なる。

架橋性アクリルポリマーのうち少なくとも１種の質量平均分子量は、１万以上４０万以下であってもよい。少なくとも１種の架橋性アクリルポリマーの質量平均分子量は、２万以上３５万以下であってもよく、３万以上３０万以下であってもよい。斯かる質量平均分子量の値は、架橋性アクリルポリマーをＧＰＣ測定したときの値である。
上記の架橋性アクリルポリマーの質量平均分子量が１万以上であることによって、ダイボンドシート１０のシート形状をより保ちやすくなるという利点がある。また、上記の架橋性アクリルポリマーの質量平均分子量が４０万以下であることによって、ダイボンドシート１０がより良好な埋め込み性を発揮できる。

上記の質量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定される。測定条件は、以下の通りである。
想定装置名（装置例）：Ａｇｉｌｅｎｔ社製 製品名「１２００」
検出器：示差屈折率（ＲＩ）検出器
カラム：３本のカラムを直列に接続
東ソー社製 製品名「TSKgel SuperAWM-H ／ superAW4000／ superAW2500」（カラム径＝６ｍｍ、カラム長＝１５ｃｍ）
カラム温度：４０℃
流速：０．４ｍＬ／ｍｉｎ
注入量：４０μＬ（試料濃度０．１質量％の溶離液調製溶液）
検量線作成のための標準物質：ポリスチレン
データ処理ソフトウェア：Ｗａｔｅｒｓ社製 製品名「Ｅｍｐｏｗｅｒ３」
溶離液：テトラヒドロフラン（ＤＭＦ）塩添加
数平均分子量（Ｍｎ）、質量平均分子量（Ｍｗ）、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）等を測定

上記の架橋性アクリルポリマーは、例えばラジカル重合開始剤を用いた一般的な重合方法によって合成できる。

本実施形態のダイボンドシート１０は、上述したように、熱硬化処理前における１４０℃でのせん断損失弾性率Ｇ”が１ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下である。
斯かるせん断損失弾性率Ｇ”は、１．２ｋＰａ以上であってもよく、２．１ｋＰａ以上であってもよい。また、斯かるせん断損失弾性率Ｇ”は、１９．０ｋＰａ以下であってもよく、１８．０ｋＰａ以下であってもよい。
上記のせん断損失弾性率Ｇ”が１ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下であることにより、上述したように、ダイボンドシート１０が、ダイボンド時において良好な埋め込み性（被着体表面の凹凸追従性）を発揮できる。

ダイボンドシート１０の熱硬化処理前におけるせん断損失弾性率Ｇ”は、例えば、上記の架橋性アクリルポリマーの分子量をより大きくすることによって高めることができる。一方、上記の架橋性アクリルポリマーの分子量をより小さくすることによってせん断損失弾性率Ｇ”を下げることができる。

上記のせん断損失弾性率Ｇ”は、以下の測定条件で測定される。測定方法の詳細は、実施例において説明する。
測定装置：レオメーター「Thermo SCIENTIFIC HAAKE MARS III」
試験サンプルの大きさ：直径８ｍｍ×厚さ３００μｍの円柱状
試験温度：８０℃～１６０℃
周波数：１Ｈｚ
昇温速度：５℃／ｍｉｎ
測定回数：３回（平均値を採用）

本実施形態のダイボンドシート１０は、上述したように、１５０℃で１時間の熱硬化処理後における１５０℃での引張弾性率（引張貯蔵弾性率Ｅ’）が０．５ＭＰａ以上７．０ＭＰａ以下である、
斯かる引張弾性率は、０．７ＭＰａ以上であってもよく、１．１ＭＰａ以上であってもよい。また、斯かる引張弾性率は、６．５ＭＰａ以下であってもよく、４．２ＭＰａ以下であってもよい。
上記の引張弾性率が０．５ＭＰａ以上７．０ＭＰａ以下であるため、熱硬化処理後におけるダイボンドシート１０の反りを抑制できる。

ダイボンドシート１０の引張弾性率は、例えば、上記の架橋性アクリルポリマーを構成する、架橋性基含有モノマーの構成単位の含有割合を大きくすることによって高めることができる。一方、例えば、上記の架橋性アクリルポリマーを構成する、架橋性基含有モノマーの構成単位の含有割合を小さくすることによって引張弾性率を下げることができる。

上記の引張弾性率は、以下の測定条件で測定される。測定方法の詳細は、実施例において説明する。
測定装置：固体粘弾性測定装置
サイズ：初期長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍ
昇温速度：１０℃／ｍｉｎ、
測定温度：－３０～２８０℃の温度範囲における１５０℃
チャック間距離：２２．５ｍｍ
周波数：１Ｈｚ、
引張貯蔵弾性率Ｅ’の値を上記の引張弾性率とした。

本実施形態のダイボンドシート１０のガラス転移点Ｔｇは、１５０℃で１時間の熱硬化処理後において２０℃以上１００℃以下であってもよい。
斯かるガラス転移点Ｔｇは、２５℃以上であってもよく、３１℃以上であってもよい。また、斯かるガラス転移点Ｔｇは、９５℃以下であってもよく、９０℃以下であってもよい。
上記のガラス転移点Ｔｇが２０℃以上であることにより、被着体に対するダイボンドシート１０の接着力がより高くなるという利点がある。また、上記のガラス転移点Ｔｇが１００℃以下であることにより、熱硬化処理によってダイボンドシート１０の内部応力が生じることをより抑制でき、よって熱硬化処理に伴うダイボンドシート１０の反りをより抑制できる。

ダイボンドシート１０のガラス転移点Ｔｇは、例えば、上記の架橋性アクリルポリマーを構成する架橋性基含有モノマーの構成単位の含有割合を大きくすること、又は、ダイボンドシート１０に配合する硬化剤等の量を増やすことによって高めることができる。一方、例えば、上記の架橋性アクリルポリマーを構成する架橋性基含有モノマーの構成単位の含有割合を小さくすること、又は、ダイボンドシート１０に配合する硬化剤等の量を減らすことによってガラス転移点Ｔｇを下げることができる。

本実施形態のダイボンドシート１０では、上記のごとく測定されたガラス転移点ＴｇにおけるＴａｎδが０．７以上１．５以下であってもよい。
斯かるガラス転移点ＴｇにおけるＴａｎδは、０．７５以上であってもよく、０．８０以上であってもよい。また、斯かるガラス転移点ＴｇにおけるＴａｎδは、１．４０以下であってもよく、１．３５以下であってもよい。
上記のガラス転移点ＴｇにおけるＴａｎδが０．７以上であることにより、熱硬化処理によって生じ得るダイボンドシート１０の内部応力をより緩和できる。また、上記のガラス転移点ＴｇにおけるＴａｎδが１．５以下であることにより、ダイボンドシート１０の耐熱性がより良好になるという利点がある。

ダイボンドシート１０のガラス転移点ＴｇにおけるＴａｎδは、例えば、上記の架橋性アクリルポリマーを構成する架橋性基含有モノマーの構成単位の含有割合を大きくすること、又は、ダイボンドシート１０に配合する硬化剤等の量を増やすことによって高めることができる。一方、上記の架橋性アクリルポリマーを構成する架橋性基含有モノマーの構成単位の含有割合を小さくすること、又は、ダイボンドシート１０に配合する硬化剤等の量を減らすことによってガラス転移点ＴｇにおけるＴａｎδを下げることができる。

上記のガラス転移点Ｔｇ及び上記のガラス転移点ＴｇにおけるＴａｎδは、上述した引張弾性率を測定するときに得られた貯蔵弾性率Ｅ’と損失弾性率Ｅ”とを基にして算出される。
昇温させつつ貯蔵弾性率Ｅ’と損失弾性率Ｅ”とをそれぞれ測定し、Ｔａｎδ＝Ｅ”／Ｅ’ の算出式によって、温度毎にＴａｎδを算出する。Ｔａｎδが高いほど、粘性の性質が高いことを示す。
Ｔａｎδが最も大きくなったとき（Ｔａｎδがピーク形状を示した部分の頂点）の温度を上記のガラス転移点Ｔｇとする。また、ガラス転移点ＴｇのときのＴａｎδを読み取る。

本実施形態のダイボンドシート１０では、０℃における破断伸度が５０％以下であってもよい。斯かる破断伸度は、４５％以下であってもよく、４０％以下であってもよい。なお、上記の破断伸度は、２％以上であってもよい。

上記の破断伸度は、以下の測定条件で測定される。
測定装置：引張試験機
試験片の大きさ：幅１０ｍｍ×長さ４０ｍｍ
初期チャック間距離：１０ｍｍ
温度：０℃
引張速度：３００ｍｍ／分

上記の架橋性アクリルポリマーは、分子中の構成単位のうち、アルキル（メタ）アクリレートモノマーの構成単位を質量割合で最も多く含むことが好ましい。当該アルキル（メタ）アクリレートモノマーとしては、例えば、アルキル基（炭化水素基）の炭素数が２以上１８以下のＣ２～Ｃ１８アルキル（メタ）アクリレートモノマーが挙げられる。

アルキル（メタ）アクリレートモノマーとしては、例えば、飽和直鎖状アルキル（メタ）アクリレートモノマー、飽和分岐鎖状アルキル（メタ）アクリレートモノマー、飽和環状アルキル（メタ）アクリレートモノマーなどが挙げられる。

飽和直鎖状アルキル（メタ）アクリレートモノマーとしては、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、ｎ－ヘプチル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、ｎ－ノニル（メタ）アクリレート、ｎ－デシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ミリスチル（メタ）アクリレート、パルミチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。なお、直鎖状アルキル基部分の炭素数は、２以上８以下であることが好ましい。
飽和分岐鎖状アルキル（メタ）アクリレートモノマーとしては、イソヘプチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。なお、アルキル基部分は、ｉｓｏ構造、ｓｅｃ構造、ｎｅｏ構造、又は、ｔｅｒｔ構造のいずれかを有してもよい。

上記の架橋性アクリルポリマーは、アルキル（メタ）アクリレートモノマーと共重合可能な架橋性基含有モノマーに由来する構成単位を含む。
本実施形態において、上記の架橋性アクリルポリマーは、少なくともアルキル（メタ）アクリレートモノマーと架橋性基含有モノマーとが共重合したアクリルポリマーである。換言すると、上記の架橋性アクリルポリマーは、アルキル（メタ）アクリレートモノマーの構成単位と、架橋性基含有モノマーの構成単位とがランダムな順序でつながった構成を有する。

上記架橋性基含有モノマーとしては、例えば、カルボキシ基含有（メタ）アクリルモノマー、酸無水物（メタ）アクリルモノマー、ヒドロキシ基（水酸基）含有（メタ）アクリルモノマー、エポキシ基（グリシジル基）含有（メタ）アクリルモノマー、イソシアネート基含有（メタ）アクリルモノマー、スルホン酸基含有（メタ）アクリルモノマー、リン酸基含有（メタ）アクリルモノマー、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基含有モノマー等が挙げられる。なお、上記架橋性基含有モノマーは、分子中にエーテル基又はエステル基などを有してもよい。

上記架橋性アクリルポリマーは、好ましくは、
カルボキシ基含有（メタ）アクリルモノマー、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリルモノマー、エポキシ基含有（メタ）アクリルモノマー、及びイソシアネート基含有（メタ）アクリルモノマーからなる群より選択された少なくとも１種の架橋性基含有モノマーと、
アルキル（メタ）アクリレート（特に、アルキル部分の炭素数が８以下のアルキル（メタ）アクリレート）と、の共重合体である。

カルボキシ基含有（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、モノ（２－（メタ）アクリロイルオキシエチル）サクシネートモノマーなどが挙げられる。なお、カルボキシ基は、モノマー構造の末端部分に配置されていてもよく、末端部分以外の炭化水素に結合していてもよい。
ヒドロキシ基含有（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートモノマー、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートモノマー、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートモノマーなどが挙げられる。なお、ヒドロキシ基は、モノマー構造の末端部分に配置されていてもよく、末端部分以外の炭化水素に結合していてもよい。
エポキシ基含有（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレートモノマー、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートグリシジルエーテルなどが挙げられる。なお、エポキシ基は、モノマー構造の末端部分に配置されていてもよく、末端部分以外の炭化水素に結合していてもよい。
イソシアネート基含有（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネートなどが挙げられる。

本実施形態において、上記の架橋性アクリルポリマーは、架橋性基としてエポキシ基を含み、該エポキシ基を有するグリシジル（メタ）アクリレートの構成単位を分子中に有し、且つ、架橋性アクリルポリマーに占めるグリシジル（メタ）アクリレートの構成単位の含有割合が、５質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、７質量％以上４０質量％以下であることがより好ましい。

ダイボンドシート１０は、上記の架橋性アクリルポリマー以外の成分を含んでもよい。例えば、ダイボンドシート１０は、熱硬化性樹脂、又は、上記の架橋性アクリルポリマー以外の熱可塑性樹脂の少なくとも一方をさらに含んでもよい。

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、１種のみ、又は、２種以上が採用される。

上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、又は、グリシジルアミン型の各エポキシ樹脂が挙げられる。

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得る。フェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。
ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂（ビフェニルアラルキル型樹脂フェノール樹脂など）、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂、フェノールキシリレン樹脂等が挙げられる。
フェノール樹脂の水酸基当量［ｇ／ｅｑ］は、例えば、９０以上２２０以下であってもよい。
ダイボンドシート１０の弾性率が適度に低くなり得るという点で、フェノール樹脂としては、水酸基当量が比較的大きいビフェニルアラルキル型樹脂フェノール樹脂が好ましい。
上記フェノール樹脂としては、１種のみ、又は、２種以上が採用される。

本実施形態において、ダイボンドシート１０は、互いに架橋反応する、上記の架橋性アクリルポリマーと熱硬化性樹脂とを含んでもよい。また、ダイボンドシート１０は、互いに架橋反応する複数種の架橋性アクリルポリマーを含んでもよい。
好ましくは、ダイボンドシート１０は、エポキシ基含有アクリルポリマー又はイソシアネート基含有アクリルポリマーを架橋性アクリルポリマーとして含み、且つ、フェノール樹脂を熱硬化性樹脂として含む。これにより、架橋性アクリルポリマーのエポキシ基又はイソシアネート基と、フェノール樹脂のヒドロキシ基とが架橋反応してダイボンドシート１０を十分に硬化させることができる。
より好ましくは、ダイボンドシート１０は、エポキシ基含有アクリルポリマーを架橋性アクリルポリマーとして含み、且つ、フェノール樹脂を熱硬化性樹脂として含む。これにより、架橋性アクリルポリマーのエポキシ基と、フェノール樹脂のヒドロキシ基とが架橋反応してダイボンドシート１０を十分に硬化させることができる。この場合、フェノール樹脂の水酸基当量は、１６０以上２５０以下であってもよい。

ダイボンドシート１０において、フェノール樹脂の水酸基は、エポキシ基含有アクリルポリマーのエポキシ基１当量当たり、好ましくは０．５当量以上２．０当量以下、より好ましくは０．７当量以上１．５当量以下である。これにより、エポキシ基含有アクリルポリマーとフェノール樹脂との架橋反応を十分に進行させることができる。

なお、ダイボンドシート１０は、カルボキシ基含有アクリルポリマー、又はヒドロキシ基含有アクリルポリマーを架橋性アクリルポリマーとして含み、且つ、エポキシ樹脂を熱硬化性樹脂として含んでもよい。これにより、架橋性アクリルポリマーのカルボキシ基又はヒドロキシ基と、エポキシ樹脂のエポキシ基とが架橋反応してダイボンドシート１０を十分に硬化させることができる。

ダイボンドシート１０がエポキシ樹脂やフェノール樹脂といった熱硬化性樹脂を含む場合、ダイボンドシート１０における斯かる熱硬化性樹脂の含有率は、３５質量％以下であることが好ましく、３２質量％未満であることがより好ましい。これにより、熱硬化処理後のダイボンドシート１０がより低い弾性率を有することができる。そのため、熱硬化処理に伴うダイボンドシート１０の反りをより抑制できる。

ダイボンドシート１０に含まれ得る、上記の架橋性官能基含有アクリルポリマー以外の熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ポリアミド樹脂や６，６－ポリアミド樹脂等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、架橋性官能基を分子中に含まないアクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂としては、１種のみ、又は、２種以上が採用される。

ダイボンドシート１０の総質量に対する、上記の架橋性アクリルポリマーの含有割合は、好ましくは５０質量部以上１００質量部以下であり、より好ましくは５５質量部以上であり、さらに好ましくは６０質量部以上である。

ダイボンドシート１０において、フィラーを除く有機成分（例えば、上記の架橋性アクリルポリマー、熱硬化性樹脂、硬化触媒等、シランカップリング剤、染料）の１００質量部に対して、上記の架橋性アクリルポリマーの含有割合は、好ましくは５０質量部以上１００質量部以下であり、より好ましくは６０質量部以上９５質量部以下であり、さらに好ましくは６４質量部以上である。有機成分とは、フィラー以外の成分である。なお、ダイボンドシート１０における熱硬化性樹脂の含有率を変化させることによって、ダイボンドシート１０の弾性や粘性を調整することができる。
一方、上記有機成分の１００質量部に対して、熱硬化性樹脂の含有割合は、４０質量部以下であってもよい。

ダイボンドシート１０は、フィラーを含有してもよく、含有しなくてもよい。ダイボンドシート１０におけるフィラーの量を変えることにより、ダイボンドシート１０の弾性及び粘性をより容易に調整することができる。さらに、ダイボンドシート１０の導電性、熱伝導性、弾性率等の物性を調整することができる。
フィラーとしては、無機フィラー及び有機フィラーが挙げられる。フィラーとしては、無機フィラーが好ましい。
無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶質シリカや非晶質シリカといったシリカなどを含むフィラーが挙げられる。また、無機フィラーの材質としては、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体や、合金などが挙げられる。ホウ酸アルミニウムウィスカ、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等のフィラーであってもよい。フィラーの形状は、球状、針状、フレーク状等の各種形状であってもよい。フィラーとしては、上記の１種のみ、又は、２種以上が採用される。

上記フィラーの平均粒径は、例えば５ｎｍ以上１０μｍ以下であってもよい。上記フィラーの平均粒径は、好ましくは５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、より好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。上記平均粒径が５ｎｍ以上であることによって、半導体ウエハ等の被着体への濡れ性、接着性がより向上する。上記平均粒径が５００ｎｍ以下であることによって、加えたフィラーによる特性をより十分に発揮させることができ、また、ダイボンドシート１０の耐熱性をより発揮させることができる。フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（例えば、製品名「ＬＡ－９１０」、堀場製作所社製）を用いて求めることができる。

上記フィラーの比表面積は、例えば３５ｍ^２／ｇ以上４００ｍ^２／ｇ以下であってもよい。上記比表面積が３５ｍ^２／ｇ以上であることによって、特に無機フィラー表面における－ＯＨ基が比較的多くなり、熱硬化反応による架橋反応がより進行しやすくなる。また、エポキシ基などの高活性架橋性基が、無機フィラー表面と結合しやすくなる。一方、上記比表面積が４００ｍ^２／ｇ以下であることによって、エポキシ基などの高活性架橋性基と、無機フィラー表面との過剰な結合を抑えることができる。フィラーの比表面積は、ＪＩＳ Ｚ８８３０：２０１３ に従って、ＢＥＴ法によって算出される。具体的には、試料を測定セルに入れ、２００℃で３０分間の加熱処理後に、液体窒素による冷却処理を行う。さらに実施する加熱処理に伴う窒素離脱時の気体量から比表面積を算出する。

ダイボンドシート１０がフィラーを含む場合、上記フィラーの含有率は、ダイボンドシート１０の総質量の５０質量％以下であってもよく、４０質量％以下であってもよく、３０質量％以下であってもよい。なお、上記フィラーの含有率は、例えば１０質量％以上であってもよい。

好ましくは、本実施形態のダイボンドシート１０は、無機フィラーとしてのシリカフィラーの含有率が４０質量％以下（０質量％でもよい）であり、シリカフィラーの比表面積が３５ｍ^２／ｇ以上４００ｍ^２／ｇ以下である。

ダイボンドシート１０は、必要に応じて他の成分を含んでもよい。上記他の成分としては、例えば、硬化触媒、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、染料等が挙げられる。
難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。
シランカップリング剤としては、例えば、β－（３、４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。
イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、ベンゾトリアゾール等が挙げられる。
上記他の添加剤としては、１種のみ、又は、２種以上が採用される。

ダイボンドシート１０は、弾性及び粘性を調整しやすいという点で、好ましくは、上記の架橋性アクリルポリマー、熱硬化性樹脂、及びフィラーを含む。

ダイボンドシート１０の厚さは、特に限定されないが、例えば１μｍ以上２００μｍ以下である。斯かる厚さは、３μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。なお、ダイボンドシート１０が積層体である場合、上記の厚さは、積層体の総厚さである。

ダイボンドシート１０は、例えば図１に示すように、単層構造を有してもよい。本明細書において、単層とは、同じ組成物で形成された層のみを有することである。同じ組成物で形成された層が複数積層された形態も単層である。
一方、ダイボンドシート１０は、例えば、２種以上の異なる組成物でそれぞれ形成された層が積層された多層構造を有してもよい。ダイボンドシート１０が多層構造を有する場合、ダイボンドシート１０を構成する少なくとも１層が、上記の架橋性アクリルポリマーを含み、必要に応じて熱硬化性樹脂をさらに含んでいればよい。

次に、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムの実施形態について説明する。

本実施形態のダイシングダイボンドフィルム１は、上記のダイボンドシート１０と、該ダイボンドシート１０に貼り合わされたダイシングテープとを備える。

本実施形態のダイシングダイボンドフィルム１では、使用されるときに、活性エネルギー線（例えば紫外線）が照射されることによって、粘着剤層２２が硬化される。詳しくは、一方の面に半導体ウエハが接着されたダイボンドシート１０と、該ダイボンドシート１０の他方の面に貼り合わされた粘着剤層２２とが積層した状態で、紫外線等が少なくとも粘着剤層２２に照射される。例えば、基材層２１が配置されている方から紫外線等を照射して、基材層２１を経た紫外線等が粘着剤層２２に届く。紫外線等の照射によって、粘着剤層２２が硬化する。
照射後に粘着剤層２２が硬化することによって、粘着剤層２２の粘着力を下げることができるため、照射後に粘着剤層２２からダイボンドシート１０（半導体ウエハが接着した状態）を比較的容易に剥離させることができる。

＜ダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープ＞
上記のダイシングテープ２０は、通常、長尺シートであり、使用されるまで巻回された状態で保管される。本実施形態のダイシングダイボンドフィルム１は、割断処理されるシリコンウエハよりも、ひと回り大きい内径を有する円環状の枠に張られ、カットされて使用される。

上記のダイシングテープ２０は、基材層２１と、該基材層２１に重なった粘着剤層２２とを備える。

基材層２１は、単層構造であってもよく、積層構造を有してもよい。
基材層２１の各層は、例えば、金属箔、紙や布などの繊維シート、ゴムシート、樹脂フィルムなどである。
基材層２１を構成する繊維シートとしては、紙、織布、不織布などが挙げられる。
樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン－プロピレン共重合体等のポリオレフィン；エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体等のエチレンの共重合体；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；ポリアクリレート；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；脂肪族ポリアミド、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のポリアミド；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリ塩化ビニリデン；ＡＢＳ（アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体）；セルロース又はセルロース誘導体；含シリコーン高分子；含フッ素高分子などが挙げられる。これらは、１種が単独で又は２種以上が組み合わされて使用され得る。

基材層２１は、樹脂フィルムなどの高分子材料で構成されていることが好ましい。
基材層２１が樹脂フィルムを有する場合、樹脂フィルムが延伸処理等を施され、伸び率などの変形性が制御されていてもよい。
基材層２１の表面には、粘着剤層２２との密着性を高めるために、表面処理が施されていてもよい。表面処理としては、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的方法又は物理的方法による酸化処理等が採用され得る。また、アンカーコーティング剤、プライマー、接着剤等のコーティング剤によるコーティング処理が施されていてもよい。

基材層２１は、単層であってもよく、複数の層（例えば３層）で構成されていてもよい。基材層２１の厚さ（総厚さ）は、８０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。

基材層２１の背面側（粘着剤層２２が重なっていない側）には、剥離性を付与するために、例えば、シリコーン系樹脂やフッ素系樹脂等の離型剤（剥離剤）などによって離型処理が施されていてもよい。
基材層２１は、背面側から紫外線等の活性エネルギー線を粘着剤層２２へ与えることが可能となる点で、光透過性（紫外線透過性）の樹脂フィルム等であることが好ましい。

上記のダイシングテープ２０は、使用される前の状態において、粘着剤層２２の一方の面（粘着剤層２２が基材層２１と重なっていない面）を覆う剥離シートを備えてもよい。剥離シートは、粘着剤層２２を保護するために用いられ、粘着剤層２２にダイボンドシート１０を貼り付ける前に剥がされる。

剥離シートとしては、例えば、シリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系、硫化モリブデン等の剥離剤によって表面処理された、プラスチックフィルム又は紙等を用いることができる。
なお、剥離シートは、粘着剤層２２を支持するための支持材として利用できる。特に、剥離シートは、基材層２１のうえに粘着剤層２２を重ねるときに、好適に使用される。詳しくは、剥離シートと粘着剤層２２とが積層された状態で粘着剤層２２を基材層２１に重ね、重ねた後に剥離シートを剥がす（転写する）ことによって、基材層２１のうえに粘着剤層２２を重ねることができる。

本実施形態において、粘着剤層２２は、例えば、アクリル系高分子化合物と、イソシアネート化合物と、重合開始剤とを含む。
粘着剤層２２は、５μｍ以上４０μｍ以下の厚さを有してもとい。粘着剤層２２の形状および大きさは、通常、基材層２１の形状および大きさと同じである。

上記のアクリル系高分子化合物は、分子中に、アルキル（メタ）アクリレートの構成単位と、水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位と、重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位と、を少なくとも有する。構成単位は、アクリル系高分子化合物の主鎖を構成する単位である。上記のアクリル系高分子化合物における各側鎖は、主鎖を構成する各構成単位に含まれる。

粘着剤層２２に含まれるアクリル系高分子化合物において、上記の構成単位は、^１Ｈ－ＮＭＲ、^１３Ｃ－ＮＭＲなどのＮＭＲ分析、熱分解ＧＣ／ＭＳ分析、及び、赤外分光法などによって確認できる。なお、アクリル系高分子化合物における上記の構成単位のモル割合は、通常、アクリル系高分子化合物を重合するときの配合量（仕込量）から算出される。

上記のアルキル（メタ）アクリレートの構成単位は、アルキル（メタ）アクリレートモノマーに由来する。換言すると、アルキル（メタ）アクリレートモノマーが重合反応したあとの分子構造が、アルキル（メタ）アクリレートの構成単位である。「アルキル」という表記は、（メタ）アクリル酸に対してエステル結合した炭化水素部分の炭素数を表す。
アルキル（メタ）アクリレートの構成単位におけるアルキル部分の炭化水素部分は、飽和炭化水素であってもよく、不飽和炭化水素であってもよい。炭化水素部分の炭素数は、６以上１０以下であってもよい。

アルキル（メタ）アクリレートの構成単位としては、例えば、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－またはｉｓｏ－ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレートなどの各構成単位が挙げられる。

アクリル系高分子化合物は、水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位を有し、斯かる構成単位の水酸基が、イソシアネート基と容易に反応する。
水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位を有するアクリル系高分子化合物と、イソシアネート化合物とを粘着剤層２２に共存させておくことによって、粘着剤層２２を適度に硬化させることができる。そのため、アクリル系高分子化合物が十分にゲル化できる。よって、粘着剤層２２は、形状を維持しつつ粘着性能を発揮できる。

水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位は、水酸基含有Ｃ２～Ｃ４アルキル（メタ）アクリレートの構成単位であることが好ましい。「Ｃ２～Ｃ４アルキル」という表記は、（メタ）アクリル酸に対してエステル結合した炭化水素部分の炭素数を表す。換言すると、水酸基含有Ｃ２～Ｃ４アルキル（メタ）アクリルモノマーは、（メタ）アクリル酸と、炭素数２以上４以下のアルコール（通常、２価アルコール）とがエステル結合したモノマーを示す。
Ｃ２～Ｃ４アルキルの炭化水素部分は、通常、飽和炭化水素である。例えば、Ｃ２～Ｃ４アルキルの炭化水素部分は、直鎖状飽和炭化水素、又は、分岐鎖状飽和炭化水素である。Ｃ２～Ｃ４アルキルの炭化水素部分は、酸素（Ｏ）や窒素（Ｎ）などを含有する極性基を含まないことが好ましい。

水酸基含有Ｃ２～Ｃ４アルキル（メタ）アクリレートの構成単位としては、例えば、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシｎ－ブチル（メタ）アクリレート、又は、ヒドロキシｉｓｏ－ブチル（メタ）アクリレートといったヒドロキシブチル（メタ）アクリレートの各構成単位が挙げられる。なお、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートの構成単位において、水酸基（－ＯＨ基）は、炭化水素部分の末端の炭素（Ｃ）に結合していてもよく、炭化水素部分の末端以外の炭素（Ｃ）に結合していてもよい。

上記のアクリル系高分子化合物は、側鎖に重合性不飽和二重結合を有する重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位を含む。
上記のアクリル系高分子化合物が、重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位を含むことによって、ピックアップ工程の前に、粘着剤層２２を、活性エネルギー線（紫外線等）の照射によって硬化させることができる。詳しくは、紫外線等の活性エネルギー線の照射によって、光重合開始剤からラジカルを発生させ、このラジカルの作用によって、アクリル系高分子化合物同士を架橋反応させることができる。これによって、照射前における粘着剤層２２の粘着力を、照射によって低下させることができる。そして、ダイボンドシート１０を粘着剤層２２から良好に剥離させることができる。
なお、活性エネルギー線としては、紫外線、放射線、電子線が採用される。

重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位は、具体的には、上述した水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位における水酸基に、イソシアネート基含有（メタ）アクリルモノマーのイソシアネート基がウレタン結合した分子構造を有してもよい。

重合性基を有する重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位は、アクリル系高分子化合物の重合後に、調製され得る。例えば、アルキル（メタ）アクリレートモノマーと、水酸基含有（メタ）アクリルモノマーとの共重合の後に、水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位の一部における水酸基と、イソシアネート基含有重合性モノマーのイソシアネート基とを、ウレタン化反応させることによって、上記の重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位を得ることができる。

上記のイソシアネート基含有（メタ）アクリルモノマーは、分子中にイソシアネート基を１つ有し且つ（メタ）アクリロイル基を１つ有することが好ましい。斯かるモノマーとしては、例えば、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが挙げられる。

本実施形態におけるダイシングテープ２０の粘着剤層２２は、さらにイソシアネート化合物を含む。イソシアネート化合物の一部は、ウレタン化反応などによって反応した後の状態であってもよい。
イソシアネート化合物は、分子中に複数のイソシアネート基を有する。イソシアネート化合物が分子中に複数のイソシアネート基を有することによって、粘着剤層２２におけるアクリル系高分子化合物間の架橋反応を進行させることができる。詳しくは、イソシアネート化合物の一方のイソシアネート基をアクリル系高分子化合物の水酸基と反応させ、他方のイソシアネート基を別のアクリル系高分子化合物の水酸基と反応させることで、イソシアネート化合物を介した架橋反応を進行させることができる。

イソシアネート化合物としては、例えば、脂肪族ジイソシアネート、脂環族ジイソシアネート、又は、芳香脂肪族ジイソシアネートなどのジイソシアネートが挙げられる。

さらに、イソシアネート化合物としては、例えば、ジイソシアネートの二量体や三量体等の重合ポリイソシアネート、ポリメチレンポリフェニレンポリイソシアネートが挙げられる。

加えて、イソシアネート化合物としては、例えば、上述したイソシアネート化合物の過剰量と、活性水素含有化合物とを反応させたポリイソシアネートが挙げられる。活性水素含有化合物としては、活性水素含有低分子量化合物、活性水素含有高分子量化合物などが挙げられる。
なお、イソシアネート化合物としては、アロファネート化ポリイソシアネート、ビウレット化ポリイソシアネート等も用いることができる。
上記のイソシアネート化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

上記のイソシアネート化合物としては、芳香族ジイソシアネートと活性水素含有低分子量化合物との反応物が好ましい。芳香族ジイソシアネートの反応物は、イソシアネート基の反応速度が比較的遅いため、斯かる反応物を含む粘着剤層２２は、過度に硬化してしまうことが抑制される。上記のイソシアネート化合物としては、分子中にイソシアネート基を３つ以上有するものが好ましい。

粘着剤層２２に含まれる重合開始剤は、加えられた熱や光のエネルギーによって重合反応を開始できる化合物である。粘着剤層２２が重合開始剤を含むことによって、粘着剤層２２に熱エネルギーや光エネルギーを与えたときに、アクリル系高分子化合物間における架橋反応を進行させることができる。詳しくは、重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位を有するアクリル系高分子化合物間において、重合性基同士の重合反応を開始させて、粘着剤層２２を硬化させることができる。これにより、粘着剤層２２の粘着力を低下させ、ピックアップ工程において、硬化した粘着剤層２２からダイボンドシート１０を容易に剥離させることができる。
重合開始剤としては、例えば、光重合開始剤又は熱重合開始剤などが採用される。重合開始剤としては、一般的な市販製品を使用できる。

粘着剤層２２は、上述した成分以外のその他の成分をさらに含み得る。その他の成分としては、例えば、粘着付与剤、可塑剤、充填剤、老化防止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、耐熱安定剤、帯電防止剤、界面活性剤、軽剥離化剤等が挙げられる。その他の成分の種類および使用量は、目的に応じて、適切に選択され得る。

本実施形態のダイシングダイボンドフィルム１は、使用される前の状態において、ダイボンドシート１０の一方の面（ダイボンドシート１０が粘着剤層２２と重なっていない面）を覆う剥離シートを備えてもよい。剥離シートは、ダイボンドシート１０を保護するために用いられ、ダイボンドシート１０に被着体（例えば半導体ウエハ）を貼り付ける直前に剥離される。
この剥離シートは、ダイボンドシート１０を支持するための支持材として利用できる。剥離シートは、粘着剤層２２にダイボンドシート１０を重ねるときに、好適に使用される。詳しくは、剥離シートとダイボンドシート１０とが積層された状態でダイボンドシート１０を粘着剤層２２に重ね、重ねた後に剥離シートを剥がす（転写する）ことによって、粘着剤層２２にダイボンドシート１０を重ねることができる。

続いて、本実施形態のダイボンドシート１０、及び、ダイシングダイボンドフィルム１の製造方法について説明する。

＜ダイシングダイボンドフィルムの製造方法＞
本実施形態のダイシングダイボンドフィルム１の製造方法は、
ダイボンドシート１０を作製する工程と、
ダイシングテープ２０を作製する工程と、
製造されたダイボンドシート１０とダイシングテープ２０とを重ね合わせる工程とを備える。

＜ダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）を作製する工程＞
ダイボンドシート１０を作製する工程は、
ダイボンドシート１０を形成するための樹脂組成物を調製する樹脂組成物調製工程と、
樹脂組成物からダイボンドシート１０を形成するダイボンドシート形成工程と、を有する。

樹脂組成物調製工程では、例えば、上記の架橋性アクリルポリマーと、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂の硬化触媒、フェノール樹脂、又は、溶媒のいずれかとを混合して、各樹脂を溶媒に溶解させることによって、樹脂組成物を調製する。溶媒の量を変化させることによって、組成物の粘度を調整することができる。なお、これらの樹脂としては、市販されている製品を用いることができる。

ダイボンドシート形成工程では、例えば、上記のごとく調製した樹脂組成物を、剥離シートに塗布する。塗布方法としては、特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の一般的な塗布方法が採用される。次に、必要に応じて、脱溶媒処理や硬化処理等によって、塗布した組成物を固化させて、ダイボンドシート１０を形成する。

＜ダイシングテープを作製する工程＞
ダイシングテープを作製する工程は、
アクリル系高分子化合物を合成する合成工程と、
上述したアクリル系高分子化合物と、イソシアネート化合物と、重合開始剤と、溶媒と、目的に応じて適宜追加するその他の成分と、を含む粘着剤組成物から溶媒を揮発させて粘着剤層２２を作製する粘着剤層作製工程と、
基材層２１を作製する基材層作製工程と、
粘着剤層２２と基材層２１とを貼り合わせることによって、基材層２１と粘着剤層２２とを積層させる積層工程と、を備える。

合成工程では、例えば、炭化水素部分の炭素数が９以上１１以下のＣ９～Ｃ１１アルキル（メタ）アクリレートモノマーと、水酸基含有（メタ）アクリルモノマーと、をラジカル重合させることによって、アクリル系高分子化合物中間体を合成する。
ラジカル重合は、一般的な方法によって行うことができる。例えば、上記の各モノマーを溶媒に溶解させて加熱しながら撹拌し、重合開始剤を添加することによって、アクリル系高分子化合物中間体を合成できる。アクリル系高分子化合物の分子量を調整するために、連鎖移動剤の存在下において重合を行ってもよい。
次に、アクリル系高分子化合物中間体に含まれる、水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位の一部の水酸基と、イソシアネート基含有重合性モノマーのイソシアネート基とを、ウレタン化反応によって結合させる。これにより、水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位の一部が、重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位となる。
ウレタン化反応は、一般的な方法によって行うことができる。例えば、溶媒及びウレタン化触媒の存在下において、加熱しながらアクリル系高分子化合物中間体とイソシアネート基含有重合性モノマーとを撹拌する。これにより、アクリル系高分子化合物中間体の水酸基の一部に、イソシアネート基含有重合性モノマーのイソシアネート基をウレタン結合させることができる。

粘着剤層作製工程では、例えば、アクリル系高分子化合物と、イソシアネート化合物と、重合開始剤とを溶媒に溶解させて、粘着剤組成物を調製する。溶媒の量を変化させることによって、組成物の粘度を調整することができる。次に、粘着剤組成物を剥離シートに塗布する。塗布方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の一般的な塗布方法が採用される。塗布した組成物に、脱溶媒処理や固化処理等を施すことによって、塗布した粘着剤組成物を固化させて、粘着剤層２２を作製する。

基材層作製工程では、一般的な方法によって製膜して基材層を作製できる。製膜する方法としては、例えば、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、ドライラミネート法等が挙げられる。共押出し成形法を採用してもよい。なお、基材層２１として、市販されているフィルム等を用いてもよい。

積層工程では、剥離シートに重なった状態の粘着剤層２２と基材層２１とを重ねて積層させる。なお、剥離シートは、使用前まで粘着剤層２２に重なった状態であってもよい。
なお、架橋剤とアクリル系高分子化合物との反応を促進するため、また、架橋剤と基材層２１の表面部分との反応を促進するために、積層工程の後に、５０℃環境下で、４８時間のエージング処理工程を実施してもよい。

これら工程によって、ダイシングテープ２０を製造することができる。

＜ダイボンドシート１０とダイシングテープ２０とを重ね合わせる工程＞
ダイボンドシート１０とダイシングテープ２０とを重ね合わせる工程では、上記のごとく製造したダイシングテープ２０の粘着剤層２２にダイボンドシート１０を貼り付ける。

斯かる貼り付けでは、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２、及び、ダイボンドシート１０からそれぞれ剥離シートを剥離し、ダイボンドシート１０と粘着剤層２２とが直接接触するように、両者を貼り合わせる。例えば、圧着することによって貼り合わせることができる。貼り合わせるときの温度は、特に限定されず、例えば、３０℃以上５０℃以下であり、好ましくは３５℃以上４５℃以下である。貼り合わせるときの線圧は、特に限定されないが、好ましくは０．１ｋｇｆ／ｃｍ以上２０ｋｇｆ／ｃｍ以下であり、より好ましくは１ｋｇｆ／ｃｍ以上１０ｋｇｆ／ｃｍ以下である。
なお、上記の貼り付けの前に、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２に紫外線等を照射することで、粘着剤層２２をある程度硬化させてもよい。これにより、粘着剤層２２の粘着力を適度に低下させて、粘着剤層２２の保存安定性を向上させることができ、従って、半導体チップをピックアップするときのピックアップ性をより良好にできる。

上述した工程を経て、上記のごとく製造されたダイシングダイボンドフィルム１は、例えば、半導体装置（半導体集積回路）を製造するための補助用具として使用される。本実施形態の熱硬化型樹脂シートは、半導体装置の製造方法において、回路面が形成されたウエハを割断したチップと被着体との間に配置して、前記チップを前記被着体に接着させるためのダイボンドシートとして用いられる。以下、ダイシングダイボンドフィルム１の使用の具体例について説明する。

＜半導体装置を製造するときのダイシングダイボンドフィルムの使用方法＞
半導体装置を製造する方法は、一般的に、回路面が形成された半導体ウエハからチップを切り出して組立てを行う工程を備える。
この工程は、例えば、バックグラインドテープを貼り付けた半導体ウエハの内部にレーザー光によって脆弱部分を形成し、半導体ウエハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工する準備を行うステルスダイシング工程と、バックグラインドテープが貼り付けられた半導体ウエハを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、厚さが薄くなった半導体ウエハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンドシート１０に貼り付けて、ダイシングテープ２０に半導体ウエハを固定するマウント工程と、ダイシングテープ２０を引き延ばすことによって半導体ウエハを割断してチップ（ダイ）を作製し、チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、ダイボンドシート１０と粘着剤層２２との間を剥離してダイボンドシート１０が貼り付いた状態で半導体チップ（ダイ）を取り出すピックアップ工程と、半導体チップ（ダイ）に貼り付いたダイボンドシート１０を被着体に接着させるダイボンド工程と、被着体に接着したダイボンドシート１０を硬化させるキュアリング工程と、半導体チップ（ダイ）における電子回路の電極と被着体とをワイヤによって電気的に接続するワイヤボンディング工程と、被着体上の半導体チップ（ダイ）及びワイヤを熱硬化性樹脂によって封止する封止工程と、を有する。これらの工程を実施するときに、本実施形態のダイシングテープ（ダイシングダイボンドフィルム）が製造補助用具として使用される。

ステルスダイシング工程は、いわゆるＳＤＢＧ（Stealth Dicing Before Grinding）プロセスにおける工程である。ステルスダイシング工程では、図２Ａ～図２Ｃに示すように、半導体装置を小片（ダイ）に割断するための脆弱部分を半導体ウエハＷの内部に形成する。詳しくは、半導体ウエハＷの回路面にバックグラインドテープＧを貼り付ける（図２Ａ参照）。バックグラインドテープＧを貼り付けた状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さになるまで研削パッドＫによる研削加工（プレバックグラインド加工）を施す（図２Ｂ参照）。厚さが薄くなった半導体ウエハＷにレーザー光を当てることによって半導体ウエハＷの内部に脆弱部分を形成する（図２Ｃ参照）。

ステルスダイシング工程に代わり、ハーフカット工程を実施してもよい。ハーフカット工程は、いわゆるＤＢＧ（Dicing Before Grinding）プロセスにおける工程である。
ハーフカット工程では、半導体ウエハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべく半導体ウエハに溝を形成してから半導体ウエハを研削して厚さを薄くする。
具体的には、ハーフカット工程では、半導体装置を小片（ダイ）に割断するためのハーフカット加工を施す。より具体的には、半導体ウエハの回路面とは反対側の面に、ウエハ加工用テープを貼り付ける。また、ウエハ加工用テープにダイシングリングを取り付ける。ウエハ加工用テープを貼り付けた状態で、分割用の溝を形成する。溝を形成した面にバックグラインドテープを貼り付ける一方で、始めに貼り付けたウエハ加工用テープを剥離する。

本実施形態のダイボンドシート及びダイシングダイボンドフィルムは、上記のように、半導体ウエハを割断して半導体チップを製造するためのＳＤＢＧ（Stealth Dicing Before Grinding）プロセス又はＤＢＧ（Dicing Before Grinding）プロセスで使用されることが好ましい。

バックグラインド工程では、図２Ｄに示すように、バックグラインドテープＧを貼り付けた状態の半導体ウエハＷに対してさらに研削加工を施し、後の割断によって作製されるチップ（ダイ）の厚さになるまで半導体ウエハＷの厚さを薄くする。

マウント工程では、図３Ａ～図３Ｂに示すように、半導体ウエハＷをダイシングテープ２０に固定する。詳しくは、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２にダイシングリングＲを取り付けつつ、露出したダイボンドシート１０の面に、上記のごとき切削加工によって厚さが薄くなった半導体ウエハＷを貼り付ける（図３Ａ参照）。続いて、半導体ウエハＷからバックグラインドテープＧを剥離する（図３Ｂ参照）。

エキスパンド工程では、図４Ａ～図４Ｃに示すように、割断によって作製された半導体チップ（ダイ）Ｘ同士の間隔を広げる。詳しくは、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２にダイシングリングＲを取り付けた後、エキスパンド装置の保持具Ｈに固定する（図４Ａ参照）。エキスパンド装置が備える突き上げ部材Ｕを、ダイシングダイボンドフィルム１の下側から突き上げることによって、ダイシングダイボンドフィルム１を面方向に広げるように引き延ばす（図４Ｂ参照）。これにより、特定の温度条件において半導体ウエハＷを割断する。上記温度条件は、例えば－２０℃以上０℃以下であり、好ましくは－１５℃以上０℃以下、より好ましくは－１０℃以上－５℃以下である。突き上げ部材Ｕを下降させることによって、エキスパンド状態を解除する（図４Ｃ参照 ここまで低温エキスパンド工程）。
さらに、エキスパンド工程では、図５Ａ～図５Ｂに示すように、より高い温度条件下（例えば１０℃～２５℃）において、面積を広げるようにダイシングテープ２０を引き延ばす。これにより、割断後に隣り合う半導体チップＸをフィルム面の面方向に引き離して、さらにカーフ（間隔）を広げる（常温エキスパンド工程）。

ピックアップ工程では、図６に示すように、ダイボンドシート１０が貼り付いた状態の半導体チップＸをダイシングテープ２０の粘着剤層２２から剥離する。詳しくは、ピン部材Ｐを上昇させて、ピックアップ対象の半導体チップＸを、ダイシングテープ２０を介して突き上げる。突き上げられた半導体チップＸを吸着治具Ｊによって保持する。

ダイボンド工程では、図７に示すように、ダイボンドシート１０が貼り付いた状態の半導体チップＸを被着体Ｚに接着させる。ダイボンド工程では、例えば図９に示すように、ダイボンドシート１０が貼り付いた状態の半導体チップＸを複数回積み重ねていくことがある。このように、チップ埋込型の半導体装置（ＦＯＤ［Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｄｉｅ］型半導体装置）を製造するときに、半導体チップを埋め込むためにダイボンドシート１０が使用されてもよい。
この場合、半導体チップを埋め込むために使用されるダイボンドシート１０は、凹凸のある被着体表面に接着されることとなる。凹凸表面にダイボンドシート１０を接着させたときに、凹部を埋め込むようにダイボンドシート１０が変形する必要がある。即ち、ダイボンドシート１０が凹凸形状に追従する必要がある。この追従性が低いと、例えば図８に示すように空隙（隙間）Ｖが生じ得る。
本実施形態のダイボンドシート１０は、上述した埋め込み性が良好であることから、このような隙間Ｖの発生を抑制できる。

キュアリング工程では、ダイボンドシート１０に含まれる上述した架橋性アクリルポリマーにおける架橋性基（例えばエポキシ基）の反応活性を高めてダイボンドシート１０の硬化を進行させるために、例えば８０℃以上１７５℃以下の温度で加熱処理を行う。

ワイヤボンディング工程では、図９に示すように、半導体チップＸ（ダイ）と被着体Ｚとを加熱しつつ、ワイヤＬで接続する。よって、ダイボンドシート１０に含まれる上述した架橋性アクリルポリマーにおける架橋性基が、加熱によって再び反応活性を有することとなり、ダイボンドシート１０の硬化反応が進行し得る。
なお、ワイヤボンディング工程では、ダイボンドシート１０に対して厚さ方向に圧縮力を加える場合がある。

封止工程では、図１０に示すように、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂Ｍによって半導体チップＸ（ダイ）とダイボンドシート１０とを封止する。封止工程では、熱硬化性樹脂Ｍの硬化反応を進行させるために、例えば１５０℃以上２００℃以下の温度で加熱処理を行う。

なお、近年の半導体産業においては、集積化技術のさらなる進展に伴って、より薄い半導体チップ（例えば２０μｍ以上５０μｍ以下の厚さ）、及び、より薄いダイボンドシート（例えば１μｍ以上４０μｍ以下、好ましくは７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下の厚さ）が要望されている。また、より薄い被着体も要望されている。
このような薄い半導体チップの一方の表面には、電子回路が形成されている。薄い半導体チップの一方の面に電子回路が形成されていると、半導体チップが内部応力に耐え切れず、図１１に示すように、わずかに変形（反りなど）し、この変形に伴ってダイボンドシート１０”にも変形（反りなど）が生じ得る。
このような半導体チップにダイボンドシートが貼り付いた状態で、上記のごとく複数回にわたって積み重ねを行うと、ダイボンドシートとチップ（ダイ）との貼り付き不良によって、いわゆる浮きが生じてしまう場合がある。
なお、上述したように、熱硬化処理に伴うダイボンドシートの内部応力によってもダイボンドシートに反りが生じ得る。そのため、ダイボンドシートと接着した被着体及び半導体チップが薄いほど、被着体及び半導体チップにも反りが生じやすくなる。
本実施形態のダイボンドシート１０は、特定の物性を有するため、上記のような浮きを抑制でき、また、被着体及び半導体チップが反る現象を抑制できる。

本実施形態の熱硬化型樹脂シート（ダイボンドシート）、ダイシングダイボンドフィルムは上記例示の通りであるが、本発明は、上記例示のダイボンドシート、ダイシングダイボンドフィルムに限定されるものではない。
即ち、一般的なダイボンドシート、ダイシングダイボンドフィルムにおいて用いられる種々の形態が、本発明の効果を損ねない範囲において、採用され得る。

本明細書によって開示される事項は、以下のものを含む。
（１）
熱硬化処理によって架橋反応を起こす架橋性基を分子中に有する架橋性アクリルポリマーを含み、
熱硬化処理前における１４０℃でのせん断損失弾性率Ｇ”が１ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下であり、且つ、１５０℃で１時間の熱硬化処理後における１５０℃での引張弾性率が０．５ＭＰａ以上７．０ＭＰａ以下である、ダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）。
（２）
前記ダイボンドシートに含まれる有機成分１００質量部に対する前記架橋性アクリルポリマーの含有割合が、５０質量部以上１００質量部以下である、上記（１）に記載のダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）。
（３）
１５０℃で１時間の熱硬化処理後におけるガラス転移点Ｔｇが２０℃以上１００℃以下であり、前記ガラス転移点ＴｇにおけるＴａｎδが０．７以上１．５以下である、上記（１）又は（２）に記載のダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）。
（４）
前記架橋性基がエポキシ基を含み、
前記架橋性アクリルポリマーは、前記エポキシ基を有するグリシジル（メタ）アクリレートの構成単位を分子中に有し、
前記架橋性アクリルポリマーにおける前記構成単位の含有率が、５質量％以上５０質量％以下である、上記（１）乃至（３）のいずれかに記載のダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）。
（５）
無機フィラーとしてのシリカフィラーの含有率が４０質量％以下であり、
前記シリカフィラーの比表面積が３５ｍ^２／ｇ以上４００ｍ^２／ｇ以下である、上記（１）乃至（４）のいずれかに記載のダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）。
（６）
前記熱硬化処理によって前記架橋性基と架橋反応するフェノール樹脂を含み、
前記フェノール樹脂の水酸基当量が１６０以上である、上記（１）乃至（５）のいずれかに記載のダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）。
（７）
１種又は複数種の架橋性アクリルポリマーを含み、少なくとも１種の架橋性アクリルポリマーの質量平均分子量が１万以上４０万以下である、上記（１）乃至（６）のいずれかに記載のダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）。
（８）
ダイシングテープと貼り合わされて使用される、上記（１）乃至（７）のいずれかに記載のダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）。
（９）
０℃における破断伸度が５０％以下である、上記（１）乃至（８）のいずれかに記載のダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）。
（１０）
半導体ウエハを割断して半導体チップを製造するためのＳＤＢＧ（Stealth Dicing Before Grinding）プロセス又はＤＢＧ（Dicing Before Grinding）プロセスで使用される、上記（１）乃至（９）のいずれかに記載のダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）。
（１１）
エポキシ基含有アクリルポリマー及びイソシアネート基含有アクリルポリマーのうち少なくとも一方を前記架橋性アクリルポリマーとして含む、上記（１）乃至（１０）のいずれかに記載のダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）。
（１２）
熱硬化樹脂としてのフェノール樹脂、及び、無機フィラーとしてのシリカフィラーのうち少なくとも一方をさらに含む、上記（１１）に記載のダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）。
（１３）
エポキシ基含有アクリルポリマー及びイソシアネート基含有アクリルポリマーのうち少なくとも一方と、ヒドロキシ基含有アクリルポリマー及びカルボキシ基含有アクリルポリマーのうち少なくとも一方とを、前記架橋性アクリルポリマーとして含む、上記（１）乃至（１１）のいずれかに記載のダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）。
（１４）
上記（１）乃至（１３）のいずれかに記載のダイボンドシートと、該ダイボンドシートに貼り合わされたダイシングテープとを備える、ダイシングダイボンドフィルム。

次に、実験例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されない。

以下のようにして、ダイボンドシートを製造した。また、このダイボンドシートをダイシングテープと貼り合わせて、ダイシングダイボンドフィルムを製造した。

＜ダイシングテープの作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、下記の各原料を入れた。窒素気流中で６０℃にて１０時間重合を行い、アクリル系高分子化合物Ａを得た。
・２－エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）：１００質量部、
・２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）２６質量部、
・過酸化ベンゾイル：０．４質量部、
・トルエン：８０質量部、
上記のごとく重合して得たアクリル系高分子化合物Ａを含む液に、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、ＭＯＩともいう）１．２質量部を加えた。その後、空気気流中で５０℃にて６０時間、付加反応処理をし、アクリル系高分子化合物Ａ’を得た。
次に、アクリル系高分子化合物Ａ’１００部に対して、下記の配合成分を加えて、粘着剤溶液を調製した。
・ポリイソシアネート化合物：１．６質量部
（製品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）
・光重合開始剤：３質量部
（製品名「イルガキュア１８４」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）
上記のごとく調製した粘着剤溶液を、シリコーン処理を施したＰＥＴ剥離ライナーの処理面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。
続いて、粘着剤層面と、基材層（ＥＶＡフィルム（１１５μｍ厚） グンゼ社製）とを貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングテープを製造した。

＜ダイボンドシート（熱硬化型樹脂シート）の作製＞
（実施例１）
エポキシ基含有アクリルポリマー（質量平均分子量Ｍｗ＝１３万）を下記のモノマー組成で重合した。
・グリシジルメタクリレート（ＧＭＡ）：３２質量％
・エチルアクリレート（ＥＡ）：３２質量％
・ブチルメタクリレート（ＢＭＡ）：３６質量％
上記組成で重合したエポキシ基含有アクリルポリマー１００質量部に対して、
・フェノール樹脂：１１質量部（水酸基当量２０３［ｇ／ｅｑ］）
（製品名「ＭＥＨＣ－７８５１Ｈ」明和化成社製 ビフェニルアラルキル型樹脂フェノール樹脂）、
・シリカフィラー：２３質量部（比表面積２００［ｍ^２／ｇ］）
（製品名「ＭＥＫ－ＳＴ－４０」日産化学製）
及び、メチルエチルケトンを混合して、固形分濃度が２０質量％となるように接着剤組成物溶液を調製した。
調製した接着剤組成物溶液を、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した。その後、１３０℃で２分間乾燥処理することによって、厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドシートを作製した。

（実施例２）
エポキシ基含有アクリルポリマー（質量平均分子量Ｍｗ＝４万）を下記のモノマー組成で重合した。
・グリシジルメタクリレート（ＧＭＡ）：４０質量％
・エチルアクリレート（ＥＡ）：２８質量％
・ブチルメタクリレート（ＢＭＡ）：３２質量％
上記組成で重合したエポキシ基含有アクリルポリマー１００質量部に対して、
・シリカフィラー：４２質量部（比表面積２００［ｍ^２／ｇ］）
（製品名「ＭＥＫ－ＳＴ－４０」日産化学社製）
及び、メチルエチルケトンを混合して、固形分濃度が２０質量％となるように接着剤組成物溶液を調製した。
さらに、上記の方法と同様の方法によって、接着剤組成物溶液から厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドシートを作製した。

（実施例３）
エポキシ基含有アクリルポリマー（質量平均分子量Ｍｗ＝３２万）を下記のモノマー組成で重合した。
・グリシジルメタクリレート（ＧＭＡ）：７質量％
・エチルアクリレート（ＥＡ）：４８質量％
・ブチルメタクリレート（ＢＭＡ）：４５質量％
上記組成で重合したエポキシ基含有アクリルポリマー１００質量部に対して、
・フェノール樹脂：５５質量部（水酸基当量１７３［ｇ／ｅｑ］）
（製品名「ＭＥＨＣ－７８００Ｈ」明和化成社製 フェノールキシリレン樹脂）
・シリカフィラー：４２質量部（比表面積６０［ｍ^２／ｇ］）
（製品名「ＭＥＫ－ＡＣ－４１３０Ｙ」日産化学社製）
及び、メチルエチルケトンを混合して、固形分濃度が２０質量％となるように接着剤組成物溶液を調製した。
さらに、上記の方法と同様の方法によって、接着剤組成物溶液から厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドシートを作製した。

（実施例４）
エポキシ基含有アクリルポリマー（質量平均分子量Ｍｗ＝３２万）を下記のモノマー組成で重合した。
・グリシジルメタクリレート（ＧＭＡ）：７質量％
・エチルアクリレート（ＥＡ）：４８質量％
・ブチルメタクリレート（ＢＭＡ）：４５質量％
別途、カルボキシ基含有アクリルポリマー（質量平均分子量Ｍｗ＝３万）を下記のモノマー組成で重合した。
・アクリル酸（ＡＡ）：１質量％
・ブチルアクリレート（ＢＡ）：３２質量％
・エチルアクリレート（ＥＡ）：２３質量％
・メチルメタクリレート（ＭＭＡ）：４４質量％
上記組成で重合したエポキシ基含有アクリルポリマー１００質量部に対して、
・上記組成で重合したカルボキシ基含有アクリルポリマー：６４質量部、
及び、メチルエチルケトンを混合して、固形分濃度が２０質量％となるように接着剤組成物溶液を調製した。
さらに、上記の方法と同様の方法によって、接着剤組成物溶液から厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドシートを作製した。

（比較例１）
・アクリル樹脂：１００質量部（ＯＨ基含有、質量平均分子量Ｍｗ＝４５万）
（製品名「Ｗ２４８」根上工業社製）
・フェノール樹脂：７７質量部（水酸基当量１０５［ｇ／ｅｑ］）
（製品名「ＭＥＨＣ－７５００」明和化成社製）
・エポキシ樹脂：８３質量部
（製品名「ＥＰＰＮ５０１ＨＹ」日本化薬社製）
・シリカフィラー：２２２質量部（固形分換算）（比表面積３４［ｍ^２／ｇ］）
（製品名「ＭＥＫ－ＡＣ－５１４０Ｚ」日産化学社製）
をメチルエチルケトンと混合して、固形分濃度が２０質量％となるように接着剤組成物溶液を調製した。
さらに、上記の方法と同様の方法によって、接着剤組成物溶液から厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドシートを作製した。

（比較例２）
・アクリル樹脂：１００質量部（ＯＨ基含有、質量平均分子量Ｍｗ＝４５万）
（製品名「Ｗ２４８」根上工業社製）
・フェノール樹脂：２７９質量部（水酸基当量１０５［ｇ／ｅｑ］）
（製品名「ＭＥＨＣ－７５００」明和化成社製）
・エポキシ樹脂：２８７質量部
（製品名「ＥＰＰＮ５０１ＨＹ」日本化薬社製）
・シリカフィラー：４７０質量部（固形分換算）（比表面積５［ｍ^２／ｇ］）
（製品名「ＳＯ－２５Ｒ」アドマテックス製）、
をメチルエチルケトンと混合して、固形分濃度が２０質量％となるように接着剤組成物溶液を調製した。
さらに、上記の方法と同様の方法によって、接着剤組成物溶液から厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドシートを作製した。

＜ダイシングダイボンドフィルムの製造＞
ダイシングテープの粘着剤層上に、各実施例及び各比較例のダイボンドシートを、ハンドローラーを用いて貼り合せることによって、ダイシングダイボンドフィルムを製造した。

＜ダイボンドシートの物性測定＞
各実施例及び各比較例のダイボンドシートについて、以下のようにして各物性を測定した。

（せん断損失弾性率Ｇ”）
上記のせん断損失弾性率Ｇ”の測定方法の詳細は、以下の通りである。粘弾性測定装置（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製、型式ＡＲＥＳ）を測定装置として使用した。直径７．５ｍｍ×厚さ１ｍｍの円柱状に打ち抜いてダイボンドシートの試験片を作製した。試験片の一方の円状面に、温度１４０℃において、周波数１Ｈｚのせん断振動を与えた際に、他方の円状面に伝わるせん断振動を測定した。測定値を解析することによってせん断損失弾性率Ｇ”を求めた。測定結果を表１に示す。

（１５０℃における引張弾性率の測定、ガラス転移点Ｔｇ、ＴｇにおけるＴａｎδ）
ダイボンドシートに対して１５０℃にて１時間の硬化処理を施した後、該ダイボンドシートの１５０℃における引張貯蔵弾性率を測定した。測定装置として、固体粘弾性測定装置（型式ＲＳＡＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック社製）を使用した。
長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍの試験片を切り出し、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２２．５ｍｍの条件において、－３０～２８０℃の温度範囲で試験片の引張貯蔵弾性率Ｅ’、引張損失弾性率Ｅ”を測定した。また、これら弾性率を基にしたＴａｎδ（Ｅ”／Ｅ’）を測定した。さらに、Ｔａｎδがピーク値となったときの温度を読み取った。

（破断伸度）
ダイボンドシートの試験片（幅１０ｍｍ×長さ４０ｍｍ）を切り出した。引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-５０ＮＸ」，島津製作所社製）を使用して、引張試験を行い、所定の引張速度で伸張される上記試験片の破断伸度を測定した。初期チャック間距離は１０ｍｍであり、温度条件は０℃であり、引張速度は３００ｍｍ／分とした。測定結果を表１に示す。

各実施例及び各比較例におけるダイボンドシートの組成及び物性を表１に示す。

以下のようにして、上記のごとく製造したダイボンドシート（ダイシングダイボンドフィルム）の性能を評価した。

（ダイボンドシートの被着体表面の凹部への埋め込み性）
ダイボンダー（新川社製、製品名「ダイボンダーＳＰＡ－３００」）を用いて、表面に１０μｍの凹凸を有するＢＧＡ基板に、１０ｍｍ×１０ｍｍのダイボンドシート付きミラーチップを、ステージ温度１4０℃、ダイボンド荷重０．２ＭＰａ、及び、ダイボンド時間２秒の条件でボンディングした。
ダイボンドシートと基板（被着体）との間のボイドを、超音波映像装置（日立ファインテック社製、「ＦＳ２００ＩＩ」）を用いて観察した。観察画像においてボイドが占める面積を、二値化ソフト（ＷｉｎＲｏｏｆ ｖｅｒ．５．６）を用いて算出した。ボイドの占める面積がダイボンドフィルムの表面積に対して１０％未満であった場合を「○」（良）、１０％以上の場合を「×」（悪）と評価した。

（熱硬化処理後のダイボンドシートの反り量）
ダイボンダー（新川社製、製品名「ダイボンダーＳＰＡ－３００」）を用いて、５０ｍｍ×５０ｍｍサイズ、厚さ１６０μｍのＢＧＡ基板に、１０ｍｍ×１０ｍｍのダイボンドシート付きミラーチップ（９チップ）を、隣り合うもの同士の間隔を均等にして、ステージ温度１４０℃、ダイボンド荷重０．２ＭＰａ、及び、ダイボンド時間２秒の条件でボンディングした。
１５０℃×１時間の熱処理後の基板（被着体）を平面板に置き、平面板から離れた基板（被着体）の最長離間距離を測定した。評価結果が非常に良い場合を「◎」、良い場合を「〇」、悪い場合を「×」と判定した。

上記の評価結果から把握されるように、実施例のダイボンドシートを備えたダイシングダイボンドフィルムは、比較例のダイシングダイボンドフィルムに比べて、ダイボンド時におけるダイボンドシートの上記埋め込み性の点で良好であった。また、熱硬化処理に伴うダイボンドシートの反り量を抑制できた。

実施例のダイボンドシートは、架橋性アクリルポリマーを含み、熱硬化処理前における１４０℃でのせん断損失弾性率Ｇ”が１ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下であり、且つ、１５０℃で１時間の熱硬化処理後における１５０℃での引張弾性率が０．５ＭＰａ以上７．０ＭＰａ以下である。
このような物性を有する実施例のダイボンドシート（ダイシングダイボンドフィルム）を、半導体装置の製造において使用することによって、例えばいわゆるＮＡＮＤ型フラッシュメモリなどを効率良く製造することができる。
具体的には、半導体チップを埋め込むために使用される実施例のごときダイボンドシートは、せん断損失弾性率Ｇ”が特定の範囲内であるため、凹凸のある被着体表面に接着されたときに、凹部を埋め込むように適度に変形して凹凸形状に追従できる。これにより、被着体とダイボンドシートとの間に隙間が生じることを抑制できる。
また、一方の表面に電子回路が形成された薄い半導体チップは、ダイボンドシートの硬化処理に伴って、内部応力によって変形（反りなど）し得る。これに対して、実施例のダイボンドシートは、熱硬化処理後における引張弾性率が特定の範囲内であるため、このような半導体チップの変形を抑制できる。

本発明の熱硬化型樹脂シート（ダイボンドシート）及びダイシングダイボンドフィルムは、例えば、半導体装置を製造するときの補助用具として、好適に使用される。

１：ダイシングダイボンドフィルム、
１０：熱硬化型樹脂シート（ダイボンドシート）、
２０：ダイシングテープ、
２１：基材層、 ２２：粘着剤層。

Claims (11)

1. 半導体装置の製造方法において、回路面が形成されたウエハを割断したチップと被着体との間に配置して前記チップを前記被着体に接着させるためのダイボンドシートとして用いられる熱硬化型樹脂シートであって、
   熱硬化処理によって架橋反応を起こす架橋性基を分子中に有する架橋性アクリルポリマーを含み、
   熱硬化処理前における１４０℃でのせん断損失弾性率Ｇ”が１ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下であり、且つ、１５０℃で１時間の熱硬化処理後における１５０℃での引張弾性率が０．５ＭＰａ以上７．０ＭＰａ以下である、熱硬化型樹脂シート。
2. 前記ダイボンドシートに含まれる有機成分１００質量部に対する前記架橋性アクリルポリマーの含有割合が、５０質量部以上１００質量部以下である、請求項１に記載の熱硬化型樹脂シート。
3. １５０℃で１時間の熱硬化処理後におけるガラス転移点Ｔｇが２０℃以上１００℃以下であり、前記ガラス転移点ＴｇにおけるＴａｎδが０．７以上１．５以下である、請求項１又は２に記載の熱硬化型樹脂シート。
4. 前記架橋性基がエポキシ基を含み、
   前記架橋性アクリルポリマーは、前記エポキシ基を有するグリシジル（メタ）アクリレートの構成単位を分子中に有し、
   前記架橋性アクリルポリマーにおける前記構成単位の含有率が、５質量％以上５０質量％以下である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の熱硬化型樹脂シート。
5. 無機フィラーとしてのシリカフィラーの含有率が４０質量％以下であり、
   前記シリカフィラーの比表面積が３５ｍ^２／ｇ以上４００ｍ^２／ｇ以下である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の熱硬化型樹脂シート。
6. 前記熱硬化処理によって前記架橋性基と架橋反応するフェノール樹脂を含み、
   前記フェノール樹脂の水酸基当量が１６０以上である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の熱硬化型樹脂シート。
7. １種又は複数種の前記架橋性アクリルポリマーを含み、少なくとも１種の前記架橋性アクリルポリマーの質量平均分子量が１万以上４０万以下である、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の熱硬化型樹脂シート。
8. ダイシングテープと貼り合わされて使用される、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の熱硬化型樹脂シート。
9. ０℃における破断伸度が５０％以下である、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の熱硬化型樹脂シート。
10. 半導体ウエハを割断して半導体チップを製造するためのＳＤＢＧ（Stealth Dicing Before Grinding）プロセス又はＤＢＧ（Dicing Before Grinding）プロセスで使用される、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の熱硬化型樹脂シート。
11. 請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の熱硬化型樹脂シートで構成されたダイボンドシートと、該ダイボンドシートに貼り合わされたダイシングテープとを備える、ダイシングダイボンドフィルム。

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