CN112778923A - 切割带和切割芯片接合薄膜 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。提供一种切割带等，所述切割带具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层，通过对前述基材层进行差示扫描量热测定而测得的谱图具有在100℃以上且140℃以下的范围存在顶点的吸热峰，且该吸热峰的峰开始点与顶点的温度差为40℃以下。

Description

切割带和切割芯片接合薄膜
技术领域
本发明涉及例如在制造半导体集成电路时使用的切割带和具备该切割带的切割芯片接合薄膜。
背景技术
以往，已知在半导体集成电路的制造中使用的切割芯片接合薄膜。这种切割芯片接合薄膜例如具备切割带和层叠于该切割带且粘接于晶圆的芯片接合层。切割带具有基材层以及与芯片接合层接触的粘合层。这种切割芯片接合薄膜在半导体集成电路的制造中例如如下那样地使用。
制造半导体集成电路的方法通常具备如下工序：通过高集成的电子电路在晶圆的单面侧形成电路面的前工序、以及从形成有电路面的晶圆切出芯片并进行组装的后工序。
后工序具有例如下述工序：为了将晶圆割断成小芯片(Die)而对晶圆形成槽的切割工序；将晶圆的与电路面相反一侧的面粘贴于芯片接合层而将晶圆固定于切割带的安装工序；将形成有槽的晶圆与芯片接合层一同割断而扩大芯片彼此的间隔的扩展工序；在芯片接合层与粘合剂层之间进行剥离，取出粘贴有芯片接合层的状态的芯片(Die)的拾取工序；将粘贴有芯片接合层的状态的芯片(Die)粘接于被粘物的芯片接合工序。半导体集成电路历经这些工序来制造。
在上述那样的半导体集成电路的制造方法中，为了抑制在切割工序中分割晶圆后产生毛刺，已知具备具有特定物性的基材层的切割带(例如专利文献1)。
专利文献1记载的切割带中，前述基材层为热塑性树脂薄膜，与该热塑性树脂薄膜的熔解相伴的30℃～200℃这一范围内的基材层的总吸热量为50J/g以下。
然而，专利文献1记载的切割带在扩展工序中使用时，在将芯片彼此的间隔(切口)扩宽后，有时无法保持间隔(切口)。
详细而言，在扩展工序中，例如将切割带沿着放射方向进行拉伸，使因拉伸而导致张力降低的一部分切割带发生热收缩(heat shrink)，由此保持间隔(切口)。然而，暂时被拉伸的切割带会因弹性而收缩，从而有时无法保持上述间隔(切口)。若无法保持间隔(切口)，则在拾取工序中芯片彼此发生接触而导致芯片破损。
为了防止这种问题，对于切割带而言，期望能够在扩展后良好地维持切口的性能。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第6232842号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，针对能够在扩展后良好地维持切口的切割带、切割芯片接合薄膜，可以说尚未进行充分研究。
因而，本发明的课题在于，提供能够在扩展后良好地维持切口的切割带和切割芯片接合薄膜。
用于解决问题的方案
为了解决上述课题，本发明所述的切割带的特征在于，其具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层，
通过对前述基材层进行差示扫描量热测定而测得的谱图具有在100℃以上且140℃以下的范围存在顶点的吸热峰，且在该吸热峰中，峰开始点与前述顶点的温度差为40℃以下。
根据上述构成的切割带，能够在扩展后良好地维持切口。
上述切割带优选的是：前述吸热峰中，前述峰开始点与峰结束点的温度差为60℃以下。由此，在扩展后基材层更高效地发生热收缩(heat shrink)，因此，能够高效地维持切口。
上述切割带优选的是：前述吸热峰中，前述峰开始点的温度为70℃以上。由此，能够高效地维持切口。
上述切割带优选的是：在吸热峰中，峰结束点的温度为150℃以下。由此，能够高效地维持切口。
本发明所述的切割芯片接合薄膜具备上述切割带、以及粘贴于该切割带的芯片接合层。
发明的效果
根据本发明所述的切割带和切割芯片接合薄膜，能够在扩展后良好地维持切口。
附图说明
图1是将本实施方式的切割芯片接合薄膜沿着厚度方向进行切割而得的截面图。
图2A是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情况的截面图。
图2B是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情况的截面图。
图2C是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情况的截面图。
图2D是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情况的截面图。
图3A是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的情况的截面图。
图3B是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的情况的截面图。
图4A是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情况的截面图。
图4B是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情况的截面图。
图4C是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情况的截面图。
图5A是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的情况的截面图。
图5B是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的情况的截面图。
图6是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的拾取工序的情况的截面图。
图7A是示出差示扫描量热测定的一例(实施例1)的第一谱图。
图7B是示出差示扫描量热测定的一例(实施例1)的第二谱图。
图8A是示出差示扫描量热测定的一例(实施例2)的第一谱图。
图8B是示出差示扫描量热测定的一例(实施例2)的第二谱图。
图9A是示出差示扫描量热测定的一例(比较例1)的第一谱图。
图9B是示出差示扫描量热测定的一例(比较例1)的第二谱图。
附图标记说明
1：切割芯片接合薄膜、
10：芯片接合层、
20：切割带、
21：基材层、
22：粘合剂层。
具体实施方式
以下，针对本发明所述的切割芯片接合薄膜和切割带的一个实施方式，参照附图进行说明。
本实施方式的切割芯片接合薄膜1具备切割带20、以及层叠于该切割带20的粘合剂层22且粘接于半导体晶圆的芯片接合层10。
本实施方式的切割带20通常为长条片材，至使用为止以卷绕的状态进行保管。本实施方式的切割芯片接合薄膜1被粘贴至具有比要进行割断处理的硅晶圆大一圈的内径的圆环状框上，经切割而使用。
本实施方式的切割带20具备基材层21和重叠于该基材层21的粘合剂层22。
本实施方式的切割带20中，通过对基材层21进行差示扫描量热测定(DSC)而测得的谱图具有在100℃以上且140℃以下的范围存在顶点的吸热峰，且在该吸热峰中，峰开始点与顶点的温度差为40℃以下。
本实施方式的切割带20具有上述构成，因此，能够在扩展后良好地维持切口。
需要说明的是，在100℃以上且140℃以下的范围具有多个吸热峰时，只要这些之中的至少1个吸热峰满足上述条件(峰开始点与顶点的温度差为40℃以下)即可。此外，满足上述条件的吸热峰优选满足以下说明的规定(峰开始点、顶点、结束点等)。
针对基材层21的差示扫描量热测定(DSC测定)按照下述测定条件来实施。由通过1次测定得到的谱图求出上述的各温度(峰开始点、顶点等)。
详细而言，使用市售的DSC测定装置，称量约10mg测定样品，以5℃/分钟的升温速度从室温(约20℃)升温至200℃，在氮气气氛下实施测定。测定样品通过将基材层21沿着厚度方向进行切割来制作。
通过DSC测定装置附带的分析软件来计测在测定谱图中出现的吸热峰的峰开始点(以下也简称为A点)、峰的顶点(以下也简称为C点)、峰结束点(以下也简称为B点)的各温度。
在测定谱图中出现多个峰时，针对各个峰来计测上述的各温度。
需要说明的是，峰开始点、峰的顶点、峰的结束点可以以将峰中的无热量变化的低温侧的点与高温侧的点连结而成的基线作为基准来确定。此外，有时在测定谱图中出现放热峰、基于玻璃化转变温度的曲线，但它们不视作吸热峰。
最理想的是：峰开始点、峰的顶点、峰的结束点如下求出：将使用后述实施例中记载的特定DSC测定装置得到的测定结果作为基准，并利用后述实施例中记载的特定分析软件来求出。
上述吸热峰的顶点(C点)优选存在于105℃以上，更优选存在于110℃以上。通过使吸热峰的顶点存在于105℃以上，具有在热收缩结束后能够迅速固化而维持切口的优点。
上述吸热峰的顶点(C点)优选存在于135℃以下，更优选存在于130℃以下。通过使吸热峰的顶点存在于135℃以下，具有在热收缩时能够充分热收缩的优点。
例如，通过由熔点更高的树脂材料形成基材层21，或者使用熔点更高的树脂材料的层来构成层叠结构的基材层21，或者将熔点更高的树脂材料配混(共混)至基材层21中，能够使上述吸热峰的顶点(C点)向更高的温度偏移。另一方面，例如，通过由熔点更低的树脂材料形成基材层21，或者使用熔点更低的树脂材料的层来构成层叠结构的基材层21，或者将熔点更低的树脂材料配混(共混)至基材层21中，能够使上述吸热峰的顶点(C点)的温度向更低的温度偏移。
吸热峰中的峰开始点(A点)与顶点(C点)的温度差为40℃以下。所述温度差优选为35℃以下。
由于所述温度差为40℃以下，因此，能够以较小(狭窄)的温度差完成基材层21的熔解。因而，能够以较小的温度差实现基材层21的固化和软化。因此，在热收缩结束后能够迅速固化而维持切口。
通过使所述温度差为35℃以下，具有能够在扩展后高效地维持切口良好的优点。
吸热峰中的峰开始点(A点)与顶点(C点)的温度差可以为20℃以上。
例如，通过进一步增大基材层21所包含的树脂(聚合物)的分子量分散度，能够进一步增大吸热峰中的峰开始点(A点)与顶点(C点)的温度差。
例如，通过进一步减小基材层21所包含的树脂(聚合物)的分子量分散度，能够进一步减小吸热峰中的峰开始点(A点)与顶点(C点)的温度差。
对于上述切割带而言，在基材层21的上述吸热峰中，峰开始点(A点)与峰结束点(B点)的温度差优选为60℃以下、更优选为50℃以下。通过使所述温度差为60℃以下，从基材层21的熔解开始至熔解结束为止的温度差变得更小，因此，能够以更小的温度差实现基材层21的固化和软化。因此，具有能够高效地实施在扩展后进行的上述热收缩的优点。
所述温度差可以为30℃以上。
例如，通过进一步减小基材层21所包含的树脂(聚合物)的分子量分散度，能够进一步减小峰开始点(A点)与峰结束点(B点)的温度差。另一方面，例如，通过进一步增大基材层21所包含的树脂(聚合物)的分子量分散度，能够进一步增大峰开始点(A点)与峰结束点(B点)的温度差。
对于上述切割带而言，在基材层21的上述吸热峰中，峰开始点(A点)的温度优选为70℃以上、更优选为80℃以上。峰开始点(A点)是基材层21结束固化的温度的指标，通过使峰开始点的温度为70℃以上，利用加热器而暂时软化的基材层21开始冷却，并以较高的温度结束固化。如果是低于70℃的温度，则基材层21的固化结束，因此，能够充分地进行扩展后的上述热收缩。因此，能够在扩展后高效地维持切口良好。
峰开始点(A点)的温度可以为110℃以下，也可以为100℃以下。
例如，通过由熔点更高的树脂材料形成基材层21，或者使用熔点更高的树脂材料的层来构成层叠结构的基材层21，或者将熔点更高的树脂材料配混(共混)至基材层21，能够使峰开始点(A点)的温度向更高的温度偏移。另一方面，例如，通过由熔点更低的树脂材料形成基材层21，或者使用熔点更低的树脂材料的层来构成层叠结构的基材层21，或者将熔点更低的树脂材料配混(共混)至基材层21中，能够使峰开始点(A点)的温度向更低温度偏移。
对于上述切割带而言，在基材层21的上述吸热峰中，峰结束点(B点)的温度优选为150℃以下、更优选为140℃以下。峰结束点(B点)是基材层21结束软化的温度的指标，通过使峰结束点的温度为150℃以下，即使加热器的加热温度略低，只要是高于150℃的温度，基材层21就会充分软化。因而，即使使其软化的加热温度略低也能够高效地实施上述热收缩，因此，能够在扩展后高效地维持切口良好。
峰结束点(B点)的温度可以为110℃以上，也可以为120℃以上。
例如，通过由熔点更低的树脂材料形成基材层21，或者使用熔点更低的树脂材料的层来构成层叠结构的基材层21，或者将熔点更低的树脂材料配混(共混)至基材层21中，能够使峰结束点(B点)的温度向更低温度偏移。另一方面，例如，通过由熔点更高的树脂材料形成基材层21，或者使用熔点更高的树脂材料的层来构成层叠结构的基材层21，或者将熔点更高的树脂材料配混(共混)至基材层21中，能够使峰结束点(B点)的温度向更高温度偏移。
基材层21可以为单层结构，也可以具有层叠结构。
基材层21的各层为例如金属箔、纸、布等纤维片、橡胶片、树脂薄膜等。
作为构成基材层21的纤维片，可列举出纸、织布、无纺布等。
作为树脂薄膜的材质，可列举出例如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等聚烯烃；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物等乙烯共聚物；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；聚丙烯酸酯；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；脂肪族聚酰胺、全芳香族聚酰胺(芳纶)等聚酰胺；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素或纤维素衍生物；含有机硅高分子；含氟高分子等。它们可单独使用1种或组合使用2种以上。
基材层21优选由树脂薄膜等高分子材料构成。
基材层21具有树脂薄膜时，可以对树脂薄膜实施拉伸处理等来控制伸长率等变形性。
对于基材层21的表面而言，为了提高与粘合剂层22的密合性，可以实施表面处理。作为表面处理，可采用例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离辐射线处理等基于化学方法或物理方法的氧化处理等。此外，可以实施基于锚固涂布剂、底漆、粘接剂等涂布剂的涂布处理。
基材层21优选由多个层构成，更优选由至少3层构成，进一步优选由3层构成。
通过使基材层21具有多个层的层叠结构(例如3层结构)，能够将弹性模量更高的层与弹性模量更低的层进行层叠，因此，具有能够较为简便地控制基材层21的弹性模量的优点。例如，在仅具有弹性模量较高的层的基材层的情况下，在扩展工序中有时也发生芯片的浮起、基材的破裂。此外，例如，在仅具有弹性模量较低的层的基材层的情况下，有时也无法将用于通过扩展来进行割断的足够的应力传递至基材层。
3层结构的基材层21优选具有由非弹性体形成的两个非弹性体层(X、X)以及配置在两个非弹性体层之间且由弹性体形成的弹性体层(Y)(X层/Y层/X层)。
弹性体层是在室温下的弹性模量为200MPa以下的层。弹性体层通常由在室温(23℃)下显示橡胶弹性的高分子材料形成。另一方面，非弹性体层是在室温下的弹性模量大于200MPa的层。
具有这种3层层叠结构的弹性体的各层通常由树脂形成。具有3层层叠结构的弹性体通过例如共挤出成形来制作，3个层进行了一体化。
在3层结构的基材层21中，内层的厚度相对于1个外层的厚度之比(Y厚度/X厚度)优选为5以上且15以下。
配置在外侧的非弹性体层优选在对构成树脂进行GPC测定时具有3以下的分子量分布分散度(质均分子量/数均分子量)。
非弹性体层(X)可以包含低密度聚乙烯(LDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)、聚丙烯等。作为聚丙烯，可列举出均聚物(均聚聚丙烯)或无规聚丙烯、嵌段聚丙烯等共聚物等。聚丙烯可以为利用茂金属催化剂而合成的茂金属聚丙烯。非弹性体层(X)优选包含茂金属聚丙烯。
另一方面，弹性体层(Y)优选包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)或α-烯烃系热塑性弹性体，更优选包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)。作为α-烯烃系热塑性弹性体，可列举出α-烯烃的均聚物、两种以上的α-烯烃的共聚物等。
乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂(EVA)可以包含5质量％以上且35质量％以下的乙酸乙烯酯的结构单元。
基材层21的厚度(总厚度)优选为80μm以上且150μm以下。所述值是随机选择的至少3处的测定值的平均值。以下，针对粘合剂层22的厚度，也同样地采用平均值。
通过使基材层21的厚度为80μm以上，能够对基材层21整体更均匀地施加应力，能够更充分地发挥出低温扩展工序中的良好割断性。
对于基材层21的背面侧(未重叠粘合剂层22的一侧)，为了赋予剥离性，可以利用例如有机硅系树脂、氟系树脂等脱模剂(剥离剂)等来实施脱模处理。
从能够从背面侧对粘合剂层22赋予紫外线等活性能量射线的方面出发，基材层21优选为透光性(紫外线透过性)的树脂薄膜等。
本实施方式的切割带20可以在使用前的状态下具备覆盖粘合剂层22的一面(粘合剂层22的不与基材层21重叠的面)的剥离片。面积比粘合剂层22小的芯片接合层10以容纳于粘合剂层22内的方式进行配置时，剥离片以覆盖粘合剂层22和芯片接合层10这两者的方式进行配置。剥离片是为了保护粘合剂层22而使用的，在将芯片接合层10粘贴于粘合剂层22之前剥离。
作为剥离片，可以使用例如通过有机硅系、长链烷基系、氟系、硫化钼等剥离剂进行了表面处理的塑料薄膜或纸等。
此外，作为剥离片，可以使用例如聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯-偏二氟乙烯共聚物等氟系聚合物制的薄膜；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃制的薄膜；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等聚酯制的薄膜等。
此外，作为剥离片，可以使用例如通过氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜或纸类等。
需要说明的是，剥离片可用作用于支承粘合剂层22的支承材料。尤其是，在基材层21上重叠粘合剂层22时，可适宜地使用剥离片。详细而言，通过在层叠有剥离片和粘合剂层22的状态下将粘合剂层22重叠于基材层21，并在重叠后剥离(转印)剥离片，能够在基材层21上重叠粘合剂层22。
本实施方式中，粘合剂层22包含例如丙烯酸类聚合物、异氰酸酯化合物和聚合引发剂。
粘合剂层22优选具有5μm以上且40μm以下的厚度。粘合剂层22的形状和大小通常与基材层21的形状和大小相同。
本实施方式的切割带20中，粘合剂层22的厚度相对于切割带20的总厚度所占的比例可以为5％以上且30％以下。
上述丙烯酸类聚合物在分子中至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元、含羟基的(甲基)丙烯酸酯的结构单元和含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元。结构单元是构成丙烯酸类聚合物的主链的单元。上述丙烯酸类聚合物中的各侧链包含在构成主链的各结构单元中。
需要说明的是，本说明书中，“(甲基)丙烯酸酯”这一表述表示甲基丙烯酸酯(methacrylate)和丙烯酸酯(acrylate)中的至少一者。同样地，“(甲基)丙烯酸”这一表述表示甲基丙烯酸和丙烯酸中的至少一者。
粘合剂层22所包含的丙烯酸类聚合物中，上述结构单元可通过1H-NMR、13C-NMR等NMR分析、热分解GC/MS分析和红外分光法等来确认。需要说明的是，丙烯酸类聚合物中的上述结构单元的摩尔比例通常由丙烯酸类聚合物在聚合时的配混量(投料量)来计算。
上述(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元源自(甲基)丙烯酸烷基酯单体。换言之，(甲基)丙烯酸烷基酯单体发生聚合反应后的分子结构是(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。“烷基”这一表述表示与(甲基)丙烯酸形成了酯键的烃部分的碳原子数。
(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元中的烷基部分的烃部分可以为饱和烃，也可以为不饱和烃。
需要说明的是，烷基部分优选不含含有氧(O)、氮(N)等的极性基团。由此，能够抑制烷基聚合物的极性极端提高。因此，可抑制粘合剂层22相对于芯片接合层10具有过度的亲和性。因而，可以从芯片接合层10更良好地剥离切割带20。烷基部分的碳原子数可以为6以上且10以下。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，可列举出例如(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯等的各结构单元。
丙烯酸类聚合物具有含羟基的(甲基)丙烯酸酯的结构单元，所述结构单元的羟基容易与异氰酸酯基发生反应。
通过使具有含羟基的(甲基)丙烯酸酯的结构单元的丙烯酸类聚合物和异氰酸酯化合物预先共存于粘合剂层22，能够使粘合剂层22适度地固化。因此，丙烯酸类聚合物能够充分地凝胶化。因而，粘合剂层22能够在维持形状的同时发挥出粘合性能。
含羟基的(甲基)丙烯酸酯的结构单元优选为含羟基的C2～C4(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。“C2～C4烷基”这一表述表示与(甲基)丙烯酸形成了酯键的烃部分的碳原子数。换言之，含羟基的C2～C4(甲基)丙烯酸烷基酯单体表示(甲基)丙烯酸与碳原子数2～4的醇(通常为二元醇)形成酯键而得的单体。
C2～C4烷基的烃部分通常为饱和烃。例如，C2～C4烷基的烃部分为直链状饱和烃或支链状饱和烃。C2～C4烷基的烃部分优选不含含有氧(O)、氮(N)等的极性基团。
作为含羟基的C2～C4(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，可列举出例如(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸羟基正丁酯或(甲基)丙烯酸羟基异丁酯之类的(甲基)丙烯酸羟基丁酯的各结构单元。需要说明的是，在(甲基)丙烯酸羟基丁酯的结构单元中，羟基(-OH基)可以键合于烃部分的末端的碳(C)，也可以键合于烃部分的末端之外的碳(C)。
上述丙烯酸类聚合物包含在侧链具有聚合性不饱和双键的含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元。
通过使上述丙烯酸类聚合物包含含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元，从而能够在拾取工序之前通过照射活性能量射线(紫外线等)而使粘合剂层22发生固化。详细而言，通过照射紫外线等活性能量射线，从而由光聚合引发剂产生自由基，通过该自由基的作用，能够使丙烯酸类聚合物彼此发生交联反应。由此，能够使照射前的粘合剂层22的粘合力通过照射而降低。并且，能够使芯片接合层10从粘合剂层22良好地剥离。
需要说明的是，作为活性能量射线，可采用紫外线、辐射线、电子射线。
具体而言，含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元可以具有由上述含羟基的(甲基)丙烯酸酯的结构单元中的羟基与含有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯单体的异氰酸酯基形成氨基甲酸酯键而得的分子结构。
具有聚合性基团的含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元可以在丙烯酸类聚合物的聚合后进行制备。例如，可以在(甲基)丙烯酸烷基酯单体与含羟基的(甲基)丙烯酸酯单体的共聚后，使含羟基的(甲基)丙烯酸酯的一部分结构单元中的羟基与含异氰酸酯基的聚合性单体中的异氰酸酯基进行氨基甲酸酯化反应，由此得到上述含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元。
上述含有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯单体优选在分子中具有1个异氰酸酯基且具有1个(甲基)丙烯酰基。作为所述单体，可列举出例如2-(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯((甲基)丙烯酸2-异氰酸根合乙酯)。
本实施方式中的切割带20的粘合剂层22还包含异氰酸酯化合物。异氰酸酯化合物的一部分可以为通过氨基甲酸酯化反应等进行反应后的状态。
异氰酸酯化合物在分子中具有多个异氰酸酯基。通过使异氰酸酯化合物在分子中具有多个异氰酸酯基，从而能够使粘合剂层22中的丙烯酸类聚合物间进行交联反应。详细而言，通过使异氰酸酯化合物的一个异氰酸酯基与丙烯酸类聚合物的羟基发生反应，并使其它异氰酸酯基与其它丙烯酸类聚合物的羟基发生反应，从而能够借助异氰酸酯化合物来进行交联反应。
作为异氰酸酯化合物，可列举出例如脂肪族二异氰酸酯、脂环族二异氰酸酯或芳香脂肪族二异氰酸酯等二异氰酸酯。
进而，作为异氰酸酯化合物，可列举出例如二异氰酸酯的二聚物、三聚物等聚合多异氰酸酯；多亚甲基多亚苯基多异氰酸酯。
并且，作为异氰酸酯化合物，可列举出例如使过量的上述异氰酸酯化合物与含有活性氢的化合物发生反应而得的多异氰酸酯。作为含有活性氢的化合物，可列举出含有活性氢的低分子量化合物、含有活性氢的高分子量化合物等。
需要说明的是，作为异氰酸酯化合物，也可以使用脲基甲酸酯化多异氰酸酯、缩二脲化多异氰酸酯等。
上述异氰酸酯化合物可以单独使用1种或组合使用两种以上。
作为上述异氰酸酯化合物，优选芳香族二异氰酸酯与含有活性氢的低分子量化合物的反应产物。芳香族二异氰酸酯的反应产物中的异氰酸酯基的反应速度较慢，因此，包含所述反应产物的粘合剂层22的过度固化受到抑制。作为上述异氰酸酯化合物，优选分子中具有3个以上异氰酸酯基的异氰酸酯化合物。
粘合剂层22所包含的聚合引发剂为通过所施加的热能、光能而能够引发聚合反应的化合物。通过使粘合剂层22包含聚合引发剂，从而在对粘合剂层22施加热能、光能时，能够使丙烯酸类聚合物间进行交联反应。详细而言，能够在具有含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元的丙烯酸类聚合物间引发聚合性基团彼此的聚合反应，从而使粘合剂层22固化。由此，能够降低粘合剂层22的粘合力，在拾取工序中能够从固化后的粘合剂层22容易地剥离芯片接合层10。
作为聚合引发剂，可采用例如光聚合引发剂或热聚合引发剂等。作为聚合引发剂，可使用通常的市售制品。
粘合剂层22可以进一步包含除上述成分以外的其它成分。作为其它成分，可列举出例如增粘剂、增塑剂、填充剂、防老剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、耐热稳定剂、抗静电剂、表面活性剂、轻剥离化剂等。其它成分的种类和用量可以根据目的来适当地选择。
接着，针对本实施方式的切割芯片接合薄膜1进行详细说明。
本实施方式的切割芯片接合薄膜1具备上述切割带20以及层叠于该切割带20的粘合剂层22的芯片接合层10。芯片接合层10在半导体集成电路的制造中粘接于半导体晶圆。
芯片接合层10可包含热固性树脂和热塑性树脂中的至少一者。芯片接合层10优选包含热固性树脂和热塑性树脂。
作为热固性树脂，可列举出例如环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、热固性聚酰亚胺树脂等。作为上述热固性树脂，可以仅采用1种或采用两种以上。从含有更少的可能成为芯片接合对象即半导体芯片的腐蚀原因的离子性杂质等的方面出发，作为上述热固性树脂，优选为环氧树脂。作为环氧树脂的固化剂，优选为酚醛树脂。
作为上述环氧树脂，可列举出例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四羟苯基乙烷型、乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型或缩水甘油胺型的各环氧树脂。
酚醛树脂可作为环氧树脂的固化剂而发挥作用。作为酚醛树脂，可列举出例如酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶酚醛型酚醛树脂、聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。
作为酚醛清漆型酚醛树脂，可列举出例如苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等。
作为上述酚醛树脂，可以仅采用1种或采用两种以上。
在芯片接合层10中，酚醛树脂的羟基相对于环氧树脂的环氧基1当量优选为0.5当量以上且2.0当量以下，更优选为0.7当量以上且1.5当量以下。由此，能够充分地进行环氧树脂与酚醛树脂的固化反应。
芯片接合层10包含热固性树脂的情况下，芯片接合层10中的所述热固性树脂的含有比例相对于芯片接合层10的总质量优选为5质量％以上且60质量％以下、更优选为10质量％以上且50质量％以下。由此，在芯片接合层10中能够适当地表现出作为热固化型粘接剂的功能。
作为芯片接合层10中可包含的热塑性树脂，可列举出例如天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙(商品名)等聚酰胺树脂；苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET、PBT等饱和聚酯树脂；聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂等。
作为上述热塑性树脂，从因离子性杂质少且耐热性高而能够进一步确保芯片接合层10的粘接性的方面出发，优选为丙烯酸类树脂。
作为上述热塑性树脂，可以仅采用1种或采用两种以上。
上述丙烯酸类树脂优选为分子中的结构单元之中的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以质量比例计最多的聚合物。作为该(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举出例如(甲基)丙烯酸C2～C4烷基酯。
上述丙烯酸类树脂可以包含源自能够与(甲基)丙烯酸烷基酯单体发生共聚的其它单体成分的结构单元。
作为上述其它单体成分，可列举出例如含羧基的单体、酸酐单体、含羟基的单体、含缩水甘油基的单体、含磺酸基的单体、含磷酸基的单体、丙烯酰胺、丙烯腈等含官能团的单体、或者其它的各种多官能性单体等。
从能够在芯片接合层10中发挥更高的内聚力的方面出发，上述丙烯酸类树脂优选为(甲基)丙烯酸烷基酯(尤其是烷基部分的碳原子数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯)与含羧基的单体与含氮原子的单体与多官能性单体(尤其是多缩水甘油基系多官能单体)的共聚物，更优选为丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯与丙烯酸与丙烯腈与(甲基)丙烯酸多缩水甘油酯的共聚物。
从容易将芯片接合层10的弹性、粘性设定在期望范围内的方面出发，上述丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-50℃以上且50℃以下，更优选为10℃以上且30℃以下。
芯片接合层10包含热固性树脂和热塑性树脂的情况下，芯片接合层10中的上述热塑性树脂的含有比例相对于除填料以外的有机成分(例如热固性树脂、热塑性树脂、固化催化剂等、硅烷偶联剂、染料)的总质量优选为30质量％以上且70质量％以下、更优选为40质量％以上且60质量％以下、进一步优选为45质量％以上且55质量％以下。需要说明的是，可以通过改变热固性树脂的含有比例来调整芯片接合层10的弹性、粘性。
芯片接合层10的热塑性树脂具有热固性官能团的情况下，作为该热塑性树脂，例如可以采用含热固性官能团的丙烯酸类树脂。该含热固性官能团的丙烯酸类树脂优选在分子中以最多的质量比例包含来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。作为该(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举出例如上述例示的(甲基)丙烯酸烷基酯。
另一方面，作为含热固性官能团的丙烯酸类树脂中的热固性官能团，可列举出例如缩水甘油基、羧基、羟基、异氰酸酯基等。
芯片接合层10优选包含含热固性官能团的丙烯酸类树脂和固化剂。含热固性官能团的丙烯酸类树脂中的热固性官能团为缩水甘油基的情况下，优选使用具有多个酚结构的化合物作为固化剂。可以使用例如上述的各种酚醛树脂作为固化剂。
芯片接合层10优选含有填料。通过变更芯片接合层10中的填料量，能够更容易地调整芯片接合层10的弹性和粘性。进而，能够调整芯片接合层10的导电性、导热性、弹性模量等物性。
作为填料，可列举出无机填料和有机填料。作为填料，优选为无机填料。
作为无机填料，可列举出例如包含氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、氮化硼、晶体二氧化硅、非晶二氧化硅等二氧化硅等填料。另外，作为无机填料的材质，可列举出铝、金、银、铜、镍等金属单质；合金等。可以为硼酸铝晶须、无定形炭黑、石墨等填料。填料的形状可以为球状、针状、鳞片状等各种形状。作为填料，可以仅采用上述中的1种或采用两种以上。
上述填料的平均粒径优选0.005μm以上且10μm以下、更优选0.005μm以上且1μm以下。通过使上述平均粒径为0.005μm以上，从而对半导体晶圆等被粘物的润湿性、粘接性进一步提高。通过使上述平均粒径为10μm以下，从而能够更充分地发挥由添加的填料带来的特性，此外，能够进一步发挥芯片接合层10的耐热性。填料的平均粒径例如可以使用光度式的粒度分布计(例如制品名为“LA-910”、堀场制作所制)来求出。
芯片接合层10包含填料时，上述填料的含有比例相对于芯片接合层10的总质量优选为30质量％以上且70质量％以下，更优选为40质量％以上且60质量％以下、进一步优选为42质量％以上且55质量％以下。
芯片接合层10可根据需要而包含其它成分。作为上述其它成分，可列举出例如固化催化剂、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕捉剂、染料等。
作为阻燃剂，可列举出例如三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。
作为硅烷偶联剂，可列举出例如β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。
作为离子捕捉剂，可列举出例如水滑石类、氢氧化铋、苯并三唑等。
作为上述其它添加剂，可以仅采用1种或采用两种以上。
从容易调整弹性和粘性的观点出发，芯片接合层10优选包含热塑性树脂(尤其是丙烯酸类树脂)、热固性树脂和填料。
芯片接合层10的厚度没有特别限定，例如为1μm以上且200μm以下。所述厚度可以为3μm以上且150μm以下，也可以为5μm以上且100μm以下。需要说明的是，芯片接合层10为层叠体时，上述厚度为层叠体的总厚度。
芯片接合层10的玻璃化转变温度(Tg)优选为0℃以上，更优选为10℃以上。通过使上述玻璃化转变温度为0℃以上，从而能够通过低温扩展而容易地割断芯片接合层10。芯片接合层10的玻璃化转变温度的上限例如为100℃。
芯片接合层10例如可以如图1所示那样具有单层结构。本说明书中，单层是指仅具有由相同组合物形成的层。将多个由相同组合物形成的层层叠而成的形态也为单层。
另一方面，芯片接合层10例如可以具有将由两种以上的不同组合物分别形成的层层叠而成的多层结构。
本实施方式的切割芯片接合薄膜1在使用时，通过照射活性能量射线(例如紫外线)而使粘合剂层22发生固化。详细而言，在将一个面上粘接有半导体晶圆的芯片接合层10与贴合于该芯片接合层10的另一面的粘合剂层22层叠的状态下，至少对粘合剂层22照射紫外线等。例如，从配置有基材层21的一侧照射紫外线等，经过了基材层21的紫外线等会到达粘合剂层22。通过紫外线等的照射，粘合剂层22发生固化。
通过在照射后粘合剂层22发生固化，从而能够降低粘合剂层22的粘合力，因此，能够在照射后比较容易地从粘合剂层22剥离芯片接合层10(粘接有半导体晶圆的状态)。
本实施方式的切割芯片接合薄膜1可以在使用前的状态下具备覆盖芯片接合层10的一个面(芯片接合层10的不与粘合剂层22重叠的面)的剥离片。剥离片是为了保护芯片接合层10而使用的，在即将将被粘物(例如半导体晶圆)粘贴于芯片接合层10之前将其剥离。
作为该剥离片，可以采用与上述剥离片相同的剥离片。该剥离片可用作用于支承芯片接合层10的支承材料。在粘合剂层22上重叠芯片接合层10时，可适宜地使用剥离片。详细而言，通过在层叠有剥离片和芯片接合层10的状态下将芯片接合层10重叠于粘合剂层22，并在重叠后剥离(转印)剥离片，能够在粘合剂层22上重叠芯片接合层10。
本实施方式的切割芯片接合薄膜1如上那样地构成，因此，能够在后述常温扩展工序后良好地维持切口。
接着，针对本实施方式的切割带20和切割芯片接合薄膜1的制造方法进行说明。
本实施方式的切割芯片接合薄膜1的制造方法具备：
制造切割带20的工序(切割带的制造方法)、以及在所制造的切割带20上重叠芯片接合层10而制造切割芯片接合薄膜1的工序。
切割带的制造方法(制造切割带的工序)具备：
合成丙烯酸类聚合物的合成工序；
使溶剂从包含上述丙烯酸类聚合物、异氰酸酯化合物、聚合引发剂、溶剂和根据目的而适当追加的其它成分的粘合剂组合物中挥发，从而制作粘合剂层22的粘合剂层制作工序；
制作基材层21的基材层制作工序；以及
通过使粘合剂层22与基材层21进行贴合，从而使基材层21与粘合剂层22进行层叠的层叠工序。
在合成工序中，例如通过使(甲基)丙烯酸C9～C11烷基酯单体与含羟基的(甲基)丙烯酸酯单体进行自由基聚合，从而合成丙烯酸类聚合物中间体。
自由基聚合可以通过通常的方法来进行。例如，通过使上述各单体溶解于溶剂，一边加热一边搅拌，并添加聚合引发剂，从而能够合成丙烯酸类聚合物中间体。为了调整丙烯酸类聚合物的分子量，也可以在链转移剂的存在下进行聚合。
接着，使丙烯酸类聚合物中间体所包含的含羟基的(甲基)丙烯酸酯的结构单元的一部分羟基与含异氰酸酯基的聚合性单体的异氰酸酯基通过氨基甲酸酯化反应而进行键合。由此，含羟基的(甲基)丙烯酸酯的一部分结构单元成为含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元。
氨基甲酸酯化反应可以通过通常的方法来进行。例如，在溶剂和氨基甲酸酯化催化剂的存在下，一边加热一边对丙烯酸类聚合物中间体和含异氰酸酯基的聚合性单体进行搅拌。由此，能够使含异氰酸酯基的聚合性单体的异氰酸酯基与丙烯酸类聚合物中间体的一部分羟基形成氨基甲酸酯键。
在粘合剂层制作工序中，例如，使丙烯酸类聚合物、异氰酸酯化合物和聚合引发剂溶解于溶剂，制备粘合剂组合物。通过变更溶剂量而能够调整组合物的粘度。接着，将粘合剂组合物涂布于剥离片。作为涂布方法，采用例如辊涂、丝网涂布、凹版涂布等通常的涂布方法。通过对所涂布的组合物实施脱溶剂处理、固化处理等，从而使所涂布的粘合剂组合物发生固化，制作粘合剂层22。
在基材层制作工序中，可通过通常的方法进行制膜来制作基材层21。作为制膜方法，可列举出例如压延制膜法、在有机溶剂中的流延法、在密闭体系中的吹胀挤出法、T模挤出法、干式层压法等。可以采用共挤出成形法。需要说明的是，作为基材层21，可以使用市售的薄膜等。
在层叠工序中，将重叠于剥离片的状态的粘合剂层22与基材层21重叠而进行层叠。需要说明的是，剥离片在至使用之前为止可以为重叠于粘合剂层22的状态。
需要说明的是，为了促进交联剂与丙烯酸类聚合物的反应，此外，为了促进交联剂与基材层21的表面部分的反应，可以在层叠工序之后在50℃的环境下实施48小时的熟化处理工序。
通过这些工序，能够制造切割带20。
切割芯片接合薄膜的制造方法(制造切割芯片接合薄膜的工序)具备：
制备用于形成芯片接合层10的树脂组合物的树脂组合物制备工序；
由树脂组合物制作芯片接合层10的芯片接合层制作工序；以及
在如上那样制造的切割带20的粘合剂层22上粘贴芯片接合层10的粘贴工序。
在树脂组合物制备工序中，例如，通过将环氧树脂、环氧树脂的固化催化剂、丙烯酸类树脂、酚醛树脂、溶剂等混合，并使各树脂溶解于溶剂，从而制备树脂组合物。通过变更溶剂量而能够调整组合物的粘度。需要说明的是，作为这些树脂，可以使用市售的制品。
在芯片接合层制作工序中，例如，将如上那样制备的树脂组合物涂布于剥离片。作为涂布方法，没有特别限定，可以采用例如辊涂、丝网涂布、凹版涂布等通常的涂布方法。接着，根据需要，通过脱溶剂处理、固化处理等使所涂布的组合物发生固化，制作芯片接合层10。
在粘贴工序中，从切割带20的粘合剂层22和芯片接合层10分别剥掉剥离片，以芯片接合层10与粘合剂层22直接接触的方式使两者贴合。例如，可以通过进行压接而贴合。贴合时的温度没有特别限定，例如为30℃以上且50℃以下，优选为35℃以上且45℃以下。贴合时的线压没有特别限定，优选为0.1kgf/cm以上且20kgf/cm以下，更优选为1kgf/cm以上且10kgf/cm以下。
如上那样制造的切割芯片接合薄膜1例如用作用于制造半导体集成电路的辅助用具。以下，对使用中的具体例进行说明。
制造半导体集成电路的方法通常具备从形成有电路面的半导体晶圆将芯片切出并进行组装的工序。
该工序例如具有如下工序：为了通过割断处理将半导体晶圆加工为芯片(Die)而在半导体晶圆上形成槽，进而对半导体晶圆进行磨削而减薄厚度的半切割工序；将经半切割加工的半导体晶圆的一面(例如与电路面相反一侧的面)粘贴于芯片接合层10，将半导体晶圆固定于切割带20的安装工序；使经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔扩大的扩展工序；将芯片接合层10与粘合剂层22之间剥离并在粘贴有芯片接合层10的状态下取出半导体芯片(Die)的拾取工序；以及将粘贴有芯片接合层10的状态的半导体芯片(Die)粘接于被粘物的芯片接合工序。实施这些工序时，使用本实施方式的切割带(切割芯片接合薄膜)作为制造辅助用具。
在半切割工序中，如图2A～图2D所示那样，实施用于将半导体集成电路割断成小片(Die)的半切割加工。详细而言，在半导体晶圆W的与电路面相反一侧的面粘贴晶圆加工用带T。此外，将切割环R安装于晶圆加工用带T。在粘贴有晶圆加工用带T的状态下形成分割用槽。在形成有槽的面粘贴背面研磨带G，另一方面，将最初粘贴的晶圆加工用带T剥离。在粘贴有背面研磨带G的状态下实施磨削加工，直至半导体晶圆W成为规定的厚度为止。
在安装工序中，如图3A～图3B所示那样，在切割带20的粘合剂层22上安装切割环R的同时，在露出的芯片接合层10的面上粘贴经半切割加工的半导体晶圆W。其后，从半导体晶圆W上剥离背面研磨带G。
在扩展工序中，如图4A～图4C所示那样，在切割带20的粘合剂层22上安装切割环R后，固定于扩展装置的保持工具H。从切割芯片接合薄膜1的下侧将扩展装置所具备的顶起构件U顶起，由此对切割芯片接合薄膜1进行拉伸而使其在面方向上扩展。由此，在特定的温度条件下将经半切割加工的半导体晶圆W割断。上述温度条件例如为-20～0℃，优选为-15～0℃、更优选为-10～-5℃。通过使顶起部件U下降而解除扩展状态(至此为止为低温扩展工序)。进而，扩展工序中，如图5A～图5B所示那样，在更高的温度条件下拉伸切割带20而使面积扩大。由此，使被割断的相邻的半导体芯片在薄膜面的面方向上分离，进一步扩大切口(间隔)(常温扩展工序)。
在拾取工序中，如图6所示那样，将粘贴有芯片接合层10的状态的半导体芯片从切割带20的粘合剂层22剥离。详细而言，使销构件P上升，隔着切割带20将作为拾取对象的半导体芯片顶起。将顶起的半导体芯片用吸附夹具J进行保持。
在芯片接合工序中，将粘贴有芯片接合层10的状态的半导体芯片粘接于被粘物。
如上所述，本实施方式的切割芯片接合薄膜1(切割带20)在上述工序中使用，在低温扩展工序中，切割带20在0℃以下以晶圆粘接于芯片接合层10的状态被拉伸，晶圆与芯片接合层10一起被割断。进而，在常温下的扩展工序中，切割带20被拉伸。
需要说明的是，低温扩展工序中的温度通常为0℃以下，例如为-15℃～0℃的温度。常温下的扩展工序中的温度例如为10℃～25℃的温度。
通过本说明书公开的事项包括下述事项。
(1)
一种切割带，其具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层，
通过对上述基材层进行差示扫描量热测定而测得的谱图具有在100℃以上且140℃以下的范围存在顶点的吸热峰，且该吸热峰的峰开始点(A点)与上述顶点(C点)的温度差为20℃以上且40℃以下。
(2)
根据上述(1)所述的切割带，其中，在上述吸热峰中，上述峰开始点(A点)与峰结束点(B点)的温度差为60℃以下。
(3)
根据上述(1)或(2)所述的切割带，其中，在上述吸热峰中，上述峰开始点(A点)的温度为70℃以上。
(4)
根据上述(1)～(3)中任一项所述的切割带，其中，在上述吸热峰中，峰结束点(B点)的温度为150℃以下。
(5)
根据上述(1)～(4)中任一项所述的切割带，其中，上述吸热峰的上述顶点(C点)的温度为105℃以上且135℃以下。
(6)
根据上述(1)～(5)中任一项所述的切割带，其中，上述基材层具有单层结构或层叠结构。
(7)
根据上述(1)～(6)中任一项所述的切割带，其中，上述基材层由至少3层构成。
(8)
根据上述(1)～(7)中任一项所述的切割带，其中，上述基材层为3层结构，内层的厚度相对于1个外层的厚度之比(Y厚度/X厚度)为5以上且15以下。
(9)
根据上述(1)～(8)中任一项所述的切割带，其中，上述基材层包含3层结构，具有由非弹性体形成的两个非弹性体层(X、X)、以及配置在两个非弹性体层之间且由弹性体形成的弹性体层(Y)。
(10)
根据上述(9)所述的切割带，其中，上述非弹性体层(X)包含选自由低密度聚乙烯(LDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)和聚丙烯组成的组中的至少1种。
(11)
根据上述(9)或(10)所述的切割带，其中，上述弹性体层(Y)包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)和α-烯烃系热塑性弹性体中的至少一者。
(12)
根据上述(1)～(11)中任一项所述的切割带，其中，上述基材层的厚度(总厚度)为80μm以上且150μm以下。
(13)
根据上述(1)～(12)中任一项所述的切割带，其中，上述粘合剂层的厚度相对于上述切割带的厚度(总厚度)所占的比例为5％以上且30％以下。
(14)
一种切割芯片接合薄膜，其具备上述(1)～(13)中任一项所述的切割带和粘贴于该切割带的芯片接合层。
(15)
根据上述(14)所述的切割芯片接合薄膜，其中，上述芯片接合层包含热固性树脂和热塑性树脂中的至少一者。
(16)
根据上述(14)或(15)所述的切割芯片接合薄膜，其中，上述芯片接合层的厚度为1μm以上且200μm以下。
本实施方式的切割带、切割芯片接合薄膜如上述例示那样，但本发明不限定于上述例示的切割带、切割芯片接合薄膜。
即，可以在不损害本发明效果的范围内采用通常的切割带、切割芯片接合薄膜所使用的各种形态。
实施例
接着，通过实验例更详细地说明本发明，但本发明不限定于它们。
如下操作来制造切割带。此外，使用该切割带，制造切割芯片接合薄膜。
<基材层>
将以下示出的制品用作原料，制作层叠有3层的基材层或单层的基材层。
·构成内层(或构成单层基材层)的树脂
原料名：Ultrathene 751
乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂(EVA含有28质量％的乙酸乙烯酯)
东曹公司制
·构成外层的树脂
原料名：WINTEC WFX4M
茂金属聚丙烯
日本聚丙烯公司制
·构成外层的树脂
原料名：WINTEC WSX03
茂金属聚丙烯
日本聚丙烯公司制
·构成外层的树脂
原料名：NOVATEC LC520
低密度聚乙烯(LDPE)
三菱化学公司制
·构成外层的树脂
原料名：NOBRENE FL6737
无规聚丙烯
住友化学公司制
(基材层的成形)
使用挤出T模头成形机将基材层成形。挤出温度为190℃。针对3层层叠类型的基材层，由T模头进行共挤出成形而使其一体化。一体化的基材层(层叠体)充分固化后，将基材层卷成卷状来保管。
需要说明的是，构成基材层的各层的厚度比、基材层的总厚度如表1所示那样。
<粘合剂层>
(粘合剂层(粘合剂组合物)的制备)
将下述原料混合而制备第一树脂组合物。
·INA(丙烯酸异壬酯)173质量份
·HEA(丙烯酸羟基乙酯)54.5质量份
·AIBN(2,2’-偶氮双异丁腈)0.46质量份
·乙酸乙酯372质量份
接着，向装有圆底可分离烧瓶(容量1L)、温度计、氮气导入管和搅拌叶片的聚合用实验装置的圆底可分离烧瓶内投入第一树脂组合物。一边搅拌第一树脂组合物，一边将第一树脂组合物的液温调节至常温(23℃)，同时进行将圆底可分离烧瓶内用氮气置换6小时的处理。
接着，在向圆底可分离烧瓶内流入氮气的同时，一边搅拌第一树脂组合物，一边将第一树脂组合物的液温在62℃保持3小时。其后，进一步在75℃保持2小时，由此实施上述INA、HEA和AIBN的聚合反应，制备第二树脂组合物。其后，停止向圆底可分离烧瓶内流入氮气。
将第二树脂组合物冷却至达到常温后，向第二树脂组合物中添加下述原料。
·2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯
具有聚合性碳-碳双键的化合物
商品名“KARENZ MOI”、昭和电工公司制)52.5质量份
·二月桂酸二丁基锡IV(和光纯药工业公司制)0.26质量份
将所得第三树脂组合物在大气气氛下以50℃搅拌24小时。
最后，相对于第三树脂组合物的聚合物固体成分100质量份，添加下述原料。
·异氰酸酯化合物(商品名“COLONATE L”、东曹公司制)0.75质量份
·光聚合引发剂(商品名“Omnirad127”、IGM Resins公司制)2质量份
并且，以固体成分浓度达到20质量％的方式，用乙酸乙酯稀释第三树脂组合物，制备粘合剂组合物。
<切割带的制造>
使用涂抹器，将粘合剂组合物以干燥后的厚度成为10μm的方式涂布于基材层的一个表面。将涂布粘合剂组合物后的基材层在110℃加热干燥3分钟，形成粘合剂层，由此制造切割带。
<切割芯片接合薄膜的制作>
(芯片接合层的制作)
将下述原料添加至甲乙酮并混合，得到固体成分浓度为20质量％的芯片接合层用组合物。
·丙烯酸类树脂(商品名“SG-P3”、Nagase Chemtex公司制、玻璃化转变温度为12℃)100质量份
·环氧树脂(商品名“JER1001”、三菱化学公司制)46质量份
·酚醛树脂(商品名“MEH-7851ss”、明和化成公司制)51质量份
·球状二氧化硅(商品名“SO-25R”、ADMATECHS公司制)191质量份
·固化催化剂(商品名“CUREZOL PHZ”、四国化成工业公司制)0.6质量份
接着，准备对PET系隔离膜(厚度50μm)实施有机硅处理而成的剥离衬垫。利用涂抹器，将芯片接合层用组合物以干燥后的厚度成为10μm的方式涂布在该剥离衬垫的处理面上。通过130℃且2分钟的干燥处理而使溶剂从芯片接合层用组合物中挥发，得到在剥离衬垫上层叠有芯片接合层的芯片接合片。
(芯片接合层与切割带的粘贴)
接着，将切割带的粘合剂层与芯片接合片中的芯片接合层(未层叠剥离片的一侧)进行粘贴。其后，将剥离衬垫从芯片接合层剥离，制作具备芯片接合层的切割芯片接合薄膜。
如上操作，按照上述方法，分别制造实施例和比较例的切割带和切割芯片接合薄膜。将各切割带的构成示于表1。
[表1]
Figure BDA0002760250530000301
<差示扫描量热测定(DSC)的测定>
由各实施例和各比较例的切割带取出测定用样品。测定用样品通过将基材层沿着厚度方向进行切割而从基材层中取出。
使用市售的DSC测定装置，称量约10mg测定用样品，以5℃/分钟的升温速度从室温(约20℃)升温至200℃，在氮气气氛下实施测定。
利用装置附带的分析软件来计测在测定谱图中出现的吸热峰的峰开始点(A点)、峰的顶点(C点)、峰结束点(B点)的各温度。
在测定谱图中出现多个峰的情况下，针对各个峰计测上述的各温度。
DSC测定装置和分析软件的详情如下所示。
测定装置：TA Instruments Japan公司制
装置名DSC Q-2000
分析软件：TA Instruments Universal Analysis 2000 4.5A版本
将针对实施例1的基材层进行差示扫描量热测定(DSC测定)时的谱图示于图7A和图7B。需要说明的是，图7A和图7B分别用不同的表现形式示出了相同的测定结果。图7A中，谱图中的斜线表示温度。
同样地，将针对实施例2的基材层进行差示扫描量热测定(DSC测定)时的谱图示于图8A和图8B，将针对比较例1的基材层进行差示扫描量热测定(DSC测定)时的谱图示于图9A和图9B。
<性能评价(切口的评价)>
使用各实施例和各比较例中制造的切割芯片接合薄膜，如下操作来进行性能评价。
在裸晶圆(直径300mm)的单面粘贴晶圆加工用胶带(商品名“V-12SR2”、日东电工公司制)后，借助晶圆加工用胶带将裸晶圆固定于切割环，使用切割装置(DISCO公司制、型号6361)，从与粘贴有晶圆加工用胶带的一侧相反的一侧，以芯片成为2mm×2mm的正方形的方式，形成格子状的槽(25μm宽、100μm深)。接着，将晶圆加工用胶带(商品名“V-12SR2”、日东电工公司制)从晶圆剥离，在形成有槽的面上粘贴背面研磨胶带，使用背面研磨机(DISCO公司制、型号DGP8760)，以厚度成为30μm(0.030mm)的方式磨削裸晶圆。
以60℃的温度在切割芯片接合胶带的芯片接合薄膜面粘贴带有背面研磨胶带的经磨削的晶圆。接着，将与磨削后的晶圆粘贴的切割芯片接合薄膜粘贴于环并固定后，剥下背面研磨胶带。其后，利用冷扩展单元，在扩展温度为-5℃、扩展速度为100mm/秒、扩展量为14mm的条件下割断芯片接合层。接着，在室温、扩展速度为1mm/秒、扩展量为10mm的条件下进行常温扩展。并且，在维持扩展状态的条件下，在加热温度为200℃、加热距离为18mm、转速为5°/秒的条件下，使切割芯片接合薄膜的外周部发生热收缩。
对于热收缩后的切割芯片接合薄膜而言，如下操作来进行切口评价。
(用于评价切口的测定方法)
使用数码显微镜(VHX-6000、KEYENCE公司制)进行切口的测定。详细而言，在加热扩展结束后，利用数码显微镜来观察割断部分处的芯片与芯片的间隔(切口)，测定间隔长度。在任选的5处分别测定MD方向和TD方向的切口，采用测定值的最小值。如果是30μm以上的切口则评价为○，如果是小于30μm的切口则评价为×。需要说明的是，任意的5处是指：在圆形晶圆的最外周部分沿着圆周方向相互距离约90度的4处以及晶圆的中央附近。
将针对各实施例和各比较例的切割带的基材层进行差示扫描量热测定(DSC)的测定结果和性能评价(切口的评价)的结果示于表1。
由上述评价结果可掌握，实施例的切割芯片接合薄膜与比较例的切割芯片接合薄膜相比，能够在扩展后良好地维持切口。
对于实施例的切割带而言，在基材层的DSC测定谱图中，在100℃以上且140℃以下的范围存在吸热峰的顶点，在吸热峰中，峰开始点与顶点的温度差为40℃以下，在吸热峰中，峰开始点与峰结束点的温度差为60℃以下，峰结束点的温度为150℃以下。
通过在半导体集成电路的制造中使用具备具有这种物性的基材层的实施例的切割带(切割芯片接合薄膜)，能够良好地维持常温扩展工序后的切口。
产业上的可利用性
本发明的切割带和切割芯片接合薄膜可适宜地用作例如在制造半导体集成电路时的辅助用具。

Claims (5)

1.一种切割带，其具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层，
通过对所述基材层进行差示扫描量热测定而测得的谱图具有在100℃以上且140℃以下的范围存在顶点的吸热峰，且在该吸热峰中，峰开始点与所述顶点的温度差为40℃以下。
2.根据权利要求1所述的切割带，其中，在所述吸热峰中，所述峰开始点与峰结束点的温度差为60℃以下。
3.根据权利要求1或2所述的切割带，其中，在所述吸热峰中，所述峰开始点的温度为70℃以上。
4.根据权利要求1或2所述的切割带，其中，在所述吸热峰中，峰结束点的温度为150℃以下。
5.一种切割芯片接合薄膜，其具备权利要求1或2所述的切割带、以及粘贴于该切割带的芯片接合层。
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