KR20220156744A - 다이싱 다이 본드 필름 - Google Patents

다이싱 다이 본드 필름 Download PDF

Info

Publication number
KR20220156744A
KR20220156744A KR1020220037081A KR20220037081A KR20220156744A KR 20220156744 A KR20220156744 A KR 20220156744A KR 1020220037081 A KR1020220037081 A KR 1020220037081A KR 20220037081 A KR20220037081 A KR 20220037081A KR 20220156744 A KR20220156744 A KR 20220156744A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive layer
meth
acrylate
sensitive adhesive
dicing
Prior art date
Application number
KR1020220037081A
Other languages
English (en)
Inventor
도시마사 스기무라
마사토시 가쿠노
아키히로 후쿠이
히로시 나카우라
나오코 요시다
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20220156744A publication Critical patent/KR20220156744A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/241—Polyolefin, e.g.rubber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/062—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
    • C09J133/066—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06 containing -OH groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/24—Homopolymers or copolymers of amides or imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/40—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners
    • C09J7/401—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners characterised by the release coating composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/006—Presence of polyolefin in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2467/00—Presence of polyester
    • C09J2467/005—Presence of polyester in the release coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 다이싱 다이 본드 필름은, 기재층 위에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프의 점착제층 위에 적층된 다이 본드층을 구비하고, 상기 점착제층은, 아크릴계 폴리머를 포함하고, 상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 9 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 15몰％ 이상 포함하고 있으며, 온도 -15℃에 있어서의 상기 점착제층의 전단 저장 탄성률이 10MPa 이하이고, FOX의 식을 이용하여 산출한 상기 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도가 -47℃ 이상 5℃ 이하이다.

Description

다이싱 다이 본드 필름{DICING DIE BONDING FILM}
본 발명은, 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.
종래, 반도체 장치의 제조에 있어서, 다이 본딩용 반도체 칩을 얻기 위해, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하는 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1).
상기 다이싱 다이 본드 필름은, 기재층 위에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프의 점착제층 위에 박리 가능하게 적층된 다이 본드층을 구비하고 있다.
그리고, 상기 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 다이 본딩용 반도체 칩(다이)을 얻는 방법으로서, 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)으로 가공하기 위해 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하는 하프컷 공정과, 하프컷 공정 후의 반도체 웨이퍼를 연삭해서 두께를 얇게 하는 백그라인드 공정과, 백그라인드 공정 후의 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드층에 첩부하여, 다이싱 테이프에 반도체 웨이퍼를 고정시키는 마운트 공정과, 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 반도체 칩끼리의 간격을 유지하는 커프 유지 공정과, 다이 본드층과 점착제층의 사이를 박리하여 다이 본드층이 첩부된 상태에서 반도체 칩을 취출하는 픽업 공정을 갖는 방법을 채용하는 것이 알려져 있다.
그리고, 상기 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층에 첩부된 상태에서 취출된 반도체 칩(이하, '다이 본드층을 구비하는 반도체 칩'이라고도 함)은, 피착체인 배선 기판에 접착된다.
상기와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 상기 익스팬드 공정은, 통상, -20℃ 내지 5℃의 범위 내의 온도에서, 상기 다이싱 테이프를 잡아늘임으로써 상기 다이 본드층을 할단하여, 개편화된 복수의 다이 본드층을 얻은 후(쿨 익스팬드), 이보다도 높은 온도(예를 들어, 23±2℃)에서, 인접하는 개편화된 다이 본드층끼리의 간격을 더욱 넓힘(상온 익스팬드)으로써 실시된다.
일본 특허 공개 제2019-9203호 공보
그런데, 상기 익스팬드 공정에 있어서, 쿨 익스팬드를 실시하고 있을 때, 상기 점착제층에 균열이 생겨 버리는 경우가 있다.
이와 같이, 쿨 익스팬드를 실시하고 있을 때 상기 점착제층에 균열이 생기면, 상온 익스팬드에 의해, 개편화된 다이 본드층끼리의 간격을 더욱 넓히고 있을 때, 균열을 사이에 두고 대향하고 있는 다이 본드층끼리의 간격이, 균열이 생기지 않은 상기 점착제층 위에 배치되어 있는 다이 본드층끼리의 간격보다도 넓어져 버릴 우려가 있다. 즉, 상기 익스팬드 공정 후에 있어서, 개편화된 다이 본드층끼리의 간격의 불균일성이 커져 버릴 우려가 있다.
이와 같이, 개편화된 다이 본드층끼리의 간격의 불균일성이 커지면, 상기 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 픽업하기 어려워지기 때문에 바람직하지 않다.
그러나, 상기 익스팬드 공정에 있어서, 상기 점착제층에 균열이 생기는 것을 억제하는 것에 대하여, 아직 충분한 검토가 이루어져 있다고 하기는 어렵다.
그래서, 본 발명은, 익스팬드 공정에 있어서, 점착제층에 균열이 생기는 것을 억제할 수 있는 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명에 따른 다이싱 다이 본드 필름은,
기재층 위에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,
상기 다이싱 테이프의 점착제층 위에 적층된 다이 본드층을 구비하고,
상기 점착제층은, 아크릴계 폴리머를 포함하고,
상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 9 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 15몰％ 이상 포함하고 있으며,
온도 -15℃에 있어서의 상기 점착제층의 전단 저장 탄성률이 10MPa 이상이고,
FOX의 식을 이용하여 산출한 상기 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도가 -47℃ 이상 5℃ 이하이다.
상기 다이싱 다이 본드 필름에 있어서는,
상기 다이싱 테이프의 두께가 50㎛ 이상 250㎛ 이하인 것이 바람직하다.
상기 다이싱 다이 본드 필름에 있어서는,
상기 다이싱 테이프의 25％ 인장 강도가 2N/10㎜ 이상 50N/10㎜ 이하인 것이 바람직하다.
상기 다이싱 다이 본드 필름에 있어서는,
상기 기재층과 상기 점착제층의 180°필 강도가, 상온에 있어서, 1.0N/20㎜ 이상인 것이 바람직하다.
상기 다이싱 다이 본드 필름에 있어서는,
상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 9 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함하고,
상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트는, 40몰％ 미만 포함되어 있는 것이 바람직하다.
상기 다이싱 다이 본드 필름에 있어서는,
상기 다이싱 테이프는, 온도 -15℃에 있어서, 인장 속도 1000㎜/min으로 200％ 신장했을 때, 상기 점착제층에 균열이 생기지 않는 것이 바람직하다.
상기 다이싱 다이 본드 필름에 있어서는,
반도체 웨이퍼를 다이싱하기 위해서 사용되는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름의 구성을 나타내는 단면도.
도 2a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 2b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 2c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 백그라인드 가공의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 2d는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 백그라인드 가공의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 3a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 3b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 5a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 5b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 6은 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 커프 유지 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 7은 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 픽업 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 8은 균열 및 커프폭의 관찰 개소를 설명하기 위한 도면.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 설명한다.
[다이싱 다이 본드 필름]
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 기재층(1) 위에 점착제층(2)이 적층된 다이싱 테이프(10)와, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 위에 적층된 다이 본드층(3)을 구비한다.
다이싱 다이 본드 필름(20)에서는, 다이 본드층(3) 위에 반도체 웨이퍼가 첩부된다.
다이싱 다이 본드 필름(20)을 사용한 반도체 웨이퍼의 할단에 있어서는, 반도체 웨이퍼와 함께 다이 본드층(3)도 할단된다. 다이 본드층(3)은, 개편화된 복수의 반도체 칩 사이즈에 상당하는 크기로 할단된다. 이에 의해, 다이 본드층(3)을 구비하는 반도체 칩을 얻을 수 있다.
본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서, 점착제층(2)은, 점착성을 갖고 있으며, 다이 본드층(3)을 점착함으로써 보유 지지한다.
본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서, 점착제층(2)은, 아크릴계 폴리머를 포함한다.
또한, 본 명세서에 있어서, 아크릴계 폴리머란, (메트)아크릴레이트 모노머를 구성 단위로서 포함하는 폴리머이다. (메트)아크릴레이트란, 메타크릴레이트 및 아크릴레이트를 포함하는 개념이다.
상기 아크릴계 폴리머는, (메트)아크릴레이트 모노머 이외의 모노머를 구성 단위로서 포함하고 있어도 된다.
점착제층(2)은, 상기 아크릴계 폴리머를 50질량％ 이상 포함하고 있는 것이 바람직하고, 70％ 이상 포함하고 있는 것이 보다 바람직하며, 80질량％ 이상 포함하고 있는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 점착제층(2)은, 상기 아크릴계 폴리머를 98질량％ 이하 포함하고 있는 것이 바람직하고, 96질량％ 이하 포함하고 있는 것이 보다 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머는, 중합성 불포화 결합을 갖는 자외선 경화형의 중합성 폴리머(중합성 아크릴계 폴리머)인 것이 바람직하다.
상기 중합성 폴리머로서는, 주쇄 또는 측쇄의 말단에, 중합성의 비닐기 또는 에티닐기를 포함하는 폴리머 등을 들 수 있다.
또한, 이하에서는, 중합성의 비닐기 또는 에티닐기를 총칭하여, 중합성기라고 칭한다.
또한, 중합성 아크릴계 폴리머는, (메트)아크릴레이트 모노머와 중합성 모노머를 공중합시킴으로써 얻을 수 있다.
점착제층(2)에 포함되는 아크릴계 폴리머에 있어서, 상기한 구성 단위는, 1H-NMR, 13C-NMR 등의 NMR 분석, 열분해 GC/MS 분석, 적외 분광법(예를 들어, FTIR법) 등에 의해 확인할 수 있다.
또한, 상기 아크릴계 폴리머에 있어서의 상기한 구성 단위의 몰 비율은, 통상, 아크릴계 폴리머를 중합할 때의 배합량(투입량)으로부터 산출된다.
본 실시 형태에 있어서, 상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 9 이상의 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 15몰％ 이상 포함하고 있다.
본 실시 형태에 있어서, 상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 9 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 30몰％ 이상 포함하는 것이 보다 바람직하고, 50몰％ 이상 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
본 실시 형태에 있어서, 상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 9 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 80몰％ 이하 포함하는 것이 바람직하다.
상기 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머에서 유래한다.
즉, 중합 후의 알킬(메트)아크릴레이트 모노머의 구조가, 상기 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위이다.
상기 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서, 상기 알킬은, 포화 탄화수소여도 되고, 불포화 탄화수소여도 된다.
예를 들어, 상기 알킬은, 직쇄상 포화 탄화수소, 분지쇄상 포화 탄화수소, 지환식 탄화수소, 방향족 탄화수소이다. 상기 알킬은, 직쇄상 포화 탄화수소 또는 분지쇄상 포화 탄화수소인 것이 바람직하다.
또한, 상기 알킬은, 산소나 질소 등을 함유하는 극성기를 포함하고 있어도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 8 이하의 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함하고 있어도 된다.
상기한 탄소수 8 이하의 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위로서는, 예를 들어 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트 등의 각 구성 단위를 들 수 있다.
또한, 상기한 탄소수 9 이상의 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위로서는, 예를 들어 n-노닐(메트)아크릴레이트, iso(sec)-노닐(메트)아크릴레이트, tert-노닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, n-데실(메트)아크릴레이트, iso(sec)-데실(메트)아크릴레이트, tert-데실(메트)아크릴레이트, n-운데실(메트)아크릴레이트, iso(sec)-운데실(메트)아크릴레이트, tert-운데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트 등의 각 구성 단위를 들 수 있다.
본 실시 형태에 있어서, 상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 12 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트를 구성 단위로서 포함하는 것이 보다 바람직하다.
본 실시 형태에 있어서, 상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 12 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 15몰％ 이상 포함하는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에 있어서, 상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 12 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 18몰％ 이상 포함하는 것이 바람직하고, 20몰％ 이상 포함하는 것이 보다 바람직하다.
본 실시 형태에 있어서, 상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 12 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 80몰％ 이하 포함하는 것이 바람직하고, 77몰％ 이하 포함하는 것이 보다 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머가, 상기와 같은 것임으로써, 익스팬드 공정에 있어서, 점착제층(2)에 균열이 생기는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
이에 의해, 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 한층 더 픽업하기 쉬워진다.
또한, 상기 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서의 탄소수의 상한값은 18이다.
본 실시 형태에 있어서, 상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 9 이상의 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 구성되는 아크릴계 폴리머에 있어서, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 40몰％ 미만 포함되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 구성되는 아크릴계 폴리머에 있어서, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 10몰％ 이상 포함되어 있는 것이 바람직하고, 15몰％ 이상 포함되어 있는 것이 보다 바람직하다.
상기 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 탄소수 9 이상 14 이하의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위인 것이 더욱 바람직하다.
탄소수 9 이상 14 이하의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 15몰％ 이상 포함되어 있는 것이 바람직하고, 18몰％ 이상 포함되어 있는 것이 보다 바람직하며, 20몰％ 이상 포함되어 있는 것이 더욱 바람직하다.
탄소수 9 이상 14 이하의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 85몰％ 이하 포함되어 있는 것이 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머가, 상기와 같은 것임으로써, 익스팬드 공정에 있어서, 점착제층(2)에 균열이 생기는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
이에 의해, 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 한층 더 픽업하기 쉬워진다.
상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위에서는, 해당 구성 단위에 포함되는 수산기가, 이소시아네이트기와 용이하게 반응한다.
그 때문에, 점착제층(2) 중에, 상기 아크릴계 폴리머로서, 상기 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위에 의해 구성되어 있는 것을 함유시킴과 함께, 이소시아네이트 화합물을 함유시켜 둠으로써, 상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위 중의 수산기와, 이소시아네이트 화합물 중의 이소시아네이트기가 반응하게 되어, 점착제층(2)을 적절하게 경화시킬 수 있다.
상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머에서 유래한다.
즉, 중합 후의 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머의 구조가, 상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위이다.
상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위인 것이 바람직하다.
상기 수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서, 알킬은 통상, 포화 탄화수소이다.
예를 들어, 상기 알킬은, 직쇄상 포화 탄화수소, 또는 분지쇄상 포화 탄화수소이다.
또한, 상기 알킬은, 산소나 질소 등을 함유하는 극성기를 포함하고 있지 않은 것이 바람직하다.
상기 수소기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서, 수산기는, 알킬의 어느 탄소에 결합하고 있어도 되기는 하지만, 알킬의 말단의 탄소에 결합하고 있는 것이 바람직하다.
상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위로서는, 예를 들어 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 또는 히드록시 n-부틸(메트)아크릴레이트 혹은 히드록시 iso-부틸(메트)아크릴레이트와 같은 히드록시부틸(메트)아크릴레이트와 같은 구성 단위를 들 수 있다.
이들 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위 중에서도 히드록시에틸(메트)아크릴레이트의 구성 단위가 바람직하고, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트의 구성 단위 및 히드록시부틸(메트)아크릴레이트의 구성 단위가 보다 바람직하다.
본 실시 형태에 있어서, 상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 9 이상의 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머가, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함하고 있음으로써, 픽업 공정 전에, 점착제층(2)에 활성 에너지선(예를 들어, 자외선)을 조사함으로써, 점착제층(2)을 경화시킬 수 있다.
구체적으로는, 활성 에너지선(예를 들어, 자외선)을 점착제층(2)에 조사시킴으로써, 점착제층(2) 중에 포함되는 상기 아크릴계 폴리머끼리를 가교시킴으로써, 점착제층(2)을 경화시킬 수 있다.
가교 반응을 보다 진행시키기 쉽게 한다는 관점에서, 점착제층(2)은, 광중합 개시제를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 점착제층(2)이 광중합 개시제를 포함하고 있음으로써, 활성 에너지선(예를 들어, 자외선)을 조사시킴으로써, 상기 광중합 개시제로부터 라디칼을 발생시켜서, 이 라디칼의 작용에 의해, 상기 아크릴계 폴리머끼리의 가교 반응을 보다 진행시킬 수 있다.
이와 같이, 활성 에너지선(예를 들어, 자외선)이 조사되어 점착제층(2)이 경화되면, 다이 본드층(3)에 대한 점착제층(2)의 점착력이 저하된다. 그 결과, 점착제층(2)으로부터, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 용이하게 픽업할 수 있다.
또한, 활성 에너지선(예를 들어, 자외선)을 조사하기 전에 있어서는, 점착제층(2) 중에 있어서, 상기 아크릴계 폴리머끼리의 가교 반응은 충분히 진행되어 있지 않기 때문에, 점착제층(2)은 충분한 점착성을 갖고 있으며, 다이 본드층(3)을 충분히 점착해서 보유 지지할 수 있다.
상기 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 수산기와 결합 가능한 관능기 및 중합성 관능기를 분자 중에 갖는 모노머를, 상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위에 결합시킴으로써 형성될 수 있다.
상기 수소 결합과 결합 가능한 관능기는, 수산기와의 반응성이 비교적 높은 이소시아네이트기인 것이 바람직하다. 이와 같은 경우, 상기 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 분자 양 말단에, 이소시아네이트기와, 중합성기 관능기를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 중합성 관능기는, 비닐기인 것이 바람직하다. 이와 같은 경우, 상기 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 분자 양 말단에, 이소시아네이트기와, 비닐기를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 비닐기는, (메트)아크릴로일기의 일부여도 된다.
상기 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위 중의 수산기에, 이소시아네이트기를 함유하는 상기 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위 중의 상기 이소시아네이트기가 우레탄 결합한 분자 구조를 갖고 있어도 된다.
또한, 이하에서는, 이소시아네이트기를 함유하는 상기 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머를 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머라고 칭하는 경우가 있다.
상기 알킬계 폴리머가, 탄소수 9 이상의 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 상기 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위에 의해 구성되어 있는 것인 경우, 이하와 같이 하여 얻을 수 있다.
구체적으로는, 탄소수 9 이상의 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머를 중합 반응시켜서, 탄소수 9 이상의 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함하는 알킬계 폴리머의 중간체를 얻은 후, 상기 알킬계 폴리머의 중간체와, 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머를 중합 반응시킴으로써, 상기 알킬계 폴리머를 얻을 수 있다.
즉, 중합 반응을 2단계로 나누어 행함으로써, 상기 아크릴계 폴리머를 얻을 수 있다.
또한, 상기 아크릴계 폴리머의 중간체와, 상기 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머의 중합 반응은, 상기 아크릴계 폴리머의 중간체에 있어서의 수산기와, 상기 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머의 이소시아네이트기를 우레탄 결합시킴으로써 실시할 수 있다.
또한, 상기 알킬계 폴리머의 중간체를 얻을 때에는, 탄소수 9 이상의 알킬(메트)아크릴레이트 모노머에 더하여, 탄소수 8 이하의 알킬(메트)아크릴레이트 모노머를 사용해도 된다.
상기 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머는, 분자 중에, 이소시아네이트기를 1개 갖고, 또한 (메트)아크릴로일기를 1개 갖는 것이면 바람직하다.
이와 같은 상기 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머로서는, 2-이소시아나토에틸(메트)아크릴레이트, 4-아크릴로일모르폴린 등을 들 수 있다.
점착제층(2)은, 이소시아네이트 화합물을 포함하고 있는 것이 바람직하다.
상기 이소시아네이트 화합물은, 일부가 우레탄화 반응 등에 의해 반응한 후의 상태여도 된다.
상기 이소시아네이트 화합물은, 분자 중에, 복수의 이소시아네이트기를 포함하는 것이 바람직하다. 복수의 이소시아네이트기를 포함함으로써, 상기 아크릴계 폴리머가, 상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖는 것인 경우에는, 점착제층(2)에 있어서의 상기 아크릴계 폴리머끼리의 가교 반응을 진행시킬 수 있다.
구체적으로는, 상기 이소시아네이트 화합물의 하나의 이소시아네이트기를 하나의 상기 아크릴계 폴리머의 수산기와 반응시키고, 상기 이소시아네이트 화합물의 다른 이소시아네이트기를 다른 상기 아크릴계 폴리머의 수산기와 반응시킴으로써, 복수의 이소시아네이트기를 포함하는 이소시아네이트 화합물을 통해 가교 반응을 진행시킬 수 있다.
즉, 상기 이소시아네이트 화합물은, 가교제로서 기능한다.
점착제층(2)은, 상기 이소시아네이트 화합물을, 상기 아크릴계 폴리머의 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상 10질량부 이하 포함하는 것이 바람직하고, 0.3질량부 이상 7질량부 이하 포함하는 것이 보다 바람직하다.
상기 이소시아네이트 화합물로서는, 지방족 디이소시아네이트, 지환족 디이소시아네이트, 또는 방향족 디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트를 들 수 있다.
상기 지방족 디이소시아네이트로서는, 에틸렌디이소시아네이트, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,6-디이소시아나토카프로산메틸 등을 들 수 있다.
상기 지환족 디이소시아네이트로서는, 3-이소시아나토메틸-3,5,5-트리메틸시클로헥산, 1,3-비스(이소시아나토메틸)시클로헥산, 1,4-비스(이소시아나토메틸)시클로헥산, 메틸시클로헥산-2,4-디이소시아네이트, 메틸시클로헥산-2,6-디이소시아네이트, 디시클로헥산메탄-4,4'-디이소시아네이트, 1,3-디이소시아나토시클로헥산, 1,4-디이소시아나토시클로헥산 등을 들 수 있다.
상기 방향족 디이소시아네이트로서는, m-페닐렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3'-비스(이소시아나토메틸)벤젠, 1,4'-비스(이소시아나토메틸)벤젠, 1,3-비스(α-이소시아나토이소프로필)벤젠, 1,4-(α-이소시아나토이소프로필) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 이소시아네이트 화합물로서는, 트리이소시아네이트를 들 수 있다.
상기 트리이소시아네이트로서는, 트리페닐메탄-4,4',4"-트리이소시아네이트, 1,3,5-트리이소시아나토벤젠, 1,3,5-트리스(이소시아나토메틸)시클로헥산, 1,3,5-트리스(이소시아나토메틸)벤젠, 2,6-디이소시아나토카프로산-2-이소시아나토에틸 등을 들 수 있다.
또한, 상기 이소시아네이트 화합물로서는, 디이소시아네이트의 이량체나 삼량체 등의 중합 폴리이소시아네이트, 폴리메틸렌폴리페닐렌폴리이소시아네이트 등을 들 수 있다.
또한, 상기 이소시아네이트 화합물로서는, 상기한 이소시아네이트 화합물의 과잉량과, 활성 수소 함유 화합물을 반응시켜 얻어지는 폴리이소시아네이트를 들 수 있다.
상기 활성 수소 함유 화합물로서는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올, 네오펜틸글리콜, 헥산디올, 시클로헥산디메탄올, 시클로헥산디올, 수소 첨가 비스페놀 A, 크실릴렌글리콜, 글리세린, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 헥산트리올, 펜타에리트리톨, 소르비톨, 소르비트, 수크로오스, 피마자유, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 물, 암모니아, 요소 등을 들 수 있다.
또한, 다양한 폴리에테르 폴리올, 폴리에스테르 폴리올, 폴리우레탄 폴리올, 아크릴 폴리올, 에폭시 폴리올 등도 들 수 있다.
또한, 상기 디이소시아네이트 화합물로서는, 알로파네이트화 폴리이소시아네이트, 뷰렛화 폴리이소시아네이트 등도 사용할 수 있다.
상기 각종 이소시아네이트 화합물은, 1종만으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
상기 이소시아네이트 화합물로서는, 상기 방향족 디이소시아네이트와 상기 활성 수소 함유 화합물의 반응물인 것이 바람직하다.
이와 같은 반응물은, 이소시아네이트기의 반응 속도가 비교적 느리기 때문에, 점착제층(2)에 포함시킨 경우에, 점착제층(2)에 있어서 과도하게 경화 반응이 진행되는 것을 억제할 수 있다.
이와 같은 반응물로서는, 분자 중에 이소시아네이트기를 3개 이상 포함하는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
점착제층(2)은, 상기한 바와 같이, 상기 아크릴계 폴리머끼리의 가교 반응을 보다 진행시키기 쉽게 한다는 관점에서, 광중합 개시제를 포함하고 있는 것이 바람직하다.
상기 광중합 개시제로서는, α-케톨 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥시드, 및 아실포스포네이트를 들 수 있다.
α-케톨 화합물로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 및 1-히드록시시클로헥실페닐케톤을 들 수 있다.
아세토페논계 화합물로서는, 예를 들어 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1, 및 2-히드록시-1-(4-(4-(2-히드록시-2메틸프로피오닐)벤조일)페닐)-2-메틸프로판-1-온을 들 수 있다.
벤조인에테르계 화합물로서는, 예를 들어 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 및 아니소인메틸에테르를 들 수 있다.
케탈 화합물로서는, 예를 들어 벤질디메틸케탈 화합물을 들 수 있다.
방향족 술포닐클로라이드계 화합물로서는, 예를 들어 2-나프탈렌술포닐클로라이드를 들 수 있다.
광 활성 옥심계 화합물로서는, 예를 들어 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심을 들 수 있다.
벤조페논계 화합물로서는, 예를 들어 벤조페논, 벤조인벤조산, 및 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논을 들 수 있다.
티오크산톤계 화합물로서는, 예를 들어 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 및 2,4-디이소프로필티오크산톤을 들 수 있다.
이들 중에서도, 2-히드록시-1-(4-(4-(2-히드록시-2메틸프로피오닐)벤조일)페닐)-2-메틸프로판-1-온(시판품으로서는, IGM Resins사 제조의 Omnirad 127)을 사용하는 것이 바람직하다.
점착제층(2)은, 상기 광중합 개시제를, 상기 아크릴계 폴리머의 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 15질량부 이하 포함하는 것이 바람직하고, 1질량부 이상 10질량부 이하 포함하는 것이 보다 바람직하다.
점착제층(2)은, 상기한 이외의 다른 성분을 포함하고 있어도 된다.
상기 다른 성분으로서는, 가소제, 충전제, 노화 방지제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 내열 안정제, 대전 방지제, 계면 활성제, 경박리화제 등을 들 수 있다.
점착제층(2)의 두께는, 1㎛ 이상 60㎛ 이하인 것이 바람직하고, 2㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 보다 바람직하며, 3㎛ 이상 40㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
점착제층(2)의 두께는, 예를 들어 다이알 게이지(PEACOCK사 제조, 형식 R-205)를 사용하여, 랜덤하게 선택한 임의의 5점의 두께를 측정하고, 이들 두께를 산술 평균함으로써 구할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서는, 온도 -15℃에 있어서의 점착제층(2)의 전단 저장 탄성률이 10MPa 이하이고, FOX의 식을 이용하여 산출한 상기 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도가 -47℃ 이상 5℃ 이하이다.
온도 -15℃에 있어서의 점착제층(2)의 전단 저장 탄성률이 10MPa 이하이고, FOX의 식을 이용하여 산출한 상기 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도가 -47℃ 이상 5℃ 이하임으로써, 점착제층(2)에 균열이 생기는 것을 억제할 수 있다.
이에 의해, 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 픽업하기 쉬워진다.
온도 -15℃에 있어서의 점착제층(2)의 전단 저장 탄성률은, 8MPa 이하인 것이 바람직하고, 5MPa 이하인 것이 보다 바람직하다.
온도 -15℃에 있어서의 점착제층(2)의 전단 저장 탄성률은, 0.01MPa 이상인 것이 바람직하고, 0.03MPa 이상인 것이 보다 바람직하다.
FOX의 식을 이용하여 산출한 상기 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도는, -46℃ 이상인 것이 바람직하고, -44℃ 이상인 것이 보다 바람직하다.
FOX의 식을 이용하여 산출한 상기 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도는, 0℃ 이하인 것이 바람직하고, -4℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.
온도 -15℃에 있어서의 점착제층(2)의 전단 저장 탄성률이 상기 수치 범위이며, FOX의 식을 이용하여 산출한 상기 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도가 상기 수치 범위임으로써, 점착제층(2)에 균열이 생기는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
이에 의해, 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 한층 더 픽업하기 쉬워진다.
온도 -15℃에 있어서의 점착제층(2)의 전단 저장 탄성률은, 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.
(1) 점착제 조성물을 두께 30㎛가 되도록 세퍼레이터 위에 도포해서, 점착제층을 구비하는 세퍼레이터를 얻는다.
(2) 점착제층을 구비하는 세퍼레이터의 점착제층끼리를 32층 겹쳐서, 두께 960㎛의 점착제층의 적층체를 얻는다.
(3) 상기 점착제층의 적층체를 8㎜φ의 원형으로 펀칭해서 시험체를 얻는다.
(4) 점탄성 측정 장치(예를 들어, 상품명 「ARES-G2」, TA Instruments사 제조)를 사용하여, 주파수: 1㎐, 변형량: 0.1％, 승온 속도: 1℃/min, Axial Force: 30gf의 조건으로, -50 내지 100℃의 온도 범위에서, 상기 시험체의 전단 저장 탄성률을 측정한다.
그때의 -15℃에서의 값을 판독함으로써, -15℃에 있어서의 점착제층의 탄성률을 구한다.
FOX의 식이란, 이하의 식 (1)에 나타내는 바와 같이, 공중합체의 유리 전이 온도(Tg)와, 해당 공중합체를 구성하는 모노머의 각각이 단독 중합된 호모 폴리머의 유리 전이 온도(Tgi)의 관계를 나타내는 식이다.
Figure pat00001
단, Tg는, 공중합체의 유리 전이 온도(단위는 K)이며, Wi는, 상기 공중합체에 있어서의 모노머 i의 질량 분율이며, Tgi는, 모노머 i의 호모 폴리머의 유리 전이 온도(단위는 K)이다.
Tg의 산출에 사용하는 호모 폴리머의 전이 온도로서는, 공지 자료에 기재된 값을 이용할 수 있다.
공지 자료로서는, 예를 들어 「Polymer Handbook」(제3판, John Wiley & Sons, Inc., 1989년)을 들 수 있다.
또한, 상기 Polymer Handbook에는, 라우릴아크릴레이트(LA)의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서 270K가 기재되고, 2-에틸헥실아크릴레이트(2EHA)의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서 223K가 기재되고, 부틸아크릴레이트(BA)의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서 219K가 기재되고, 에틸아크릴레이트(EA)의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서 249K가 기재되어 있다.
상기 Polymer Handbook에 기재가 없는 모노머의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서는, 각종 모노머 제조 메이커의 카탈로그에 기재된 값을 이용할 수 있다.
예를 들어, 오사카 유키 가가쿠 고교사의 카탈로그에는, 이소노닐아크릴레이트(INA)의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서 -58℃(215K)가 기재되어 있다.
또한, KJ 케미컬사의 카탈로그에는, 아크릴로일모르폴린(ACMO)의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서 145℃(418K)가 기재되어 있다.
또한, 교에샤 가가쿠사의 카탈로그에는, 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서, -15℃(258K)가 기재되어 있다.
여기서, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머로서 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)를 사용하는 경우에, 모노머로서 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트(MOI)를 사용하는 경우가 있지만, 해당 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트(MOI)는, 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)의 관능기에 부가 반응시키는 물질이라는 점에서, 공중합체의 유리 전이 온도에 미치는 영향은 작다고 생각된다.
그 때문에, 이와 같은 경우에는, FOX의 식을 이용한 유리 전이 온도의 산출에, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트(MOI)의 호모 폴리머의 유리 전이 온도의 값은 이용하지 않는다.
또한, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트(MOI)의 시판품으로서는, 쇼와 덴코사 제조의 상품명 「카렌즈 MOI(등록상표)」를 들 수 있으며, 쇼와 덴코사의 카탈로그에 의하면, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트의 호모 폴리머의 유리 전이 온도는 60℃(333K)이다.
본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)이, 익스팬드 공정에 있어서, 점착제층에 균열이 생기는 것을 억제할 수 있는 이유에 대하여, 본 발명자들은 이하와 같이 추정하고 있다.
다이싱 다이 본드 필름(20)의 점착제층(2)은, 점착성을 나타내기 위해서, 아크릴계 폴리머 등의 수지를 포함하고 있다.
여기서, 익스팬드 공정에서의 쿨 익스팬드는, 통상, -20℃ 내지 5℃의 범위 내의 온도에서 실시되기 때문에, 점착제층(2)에 포함되는 수지의 유리 전이 온도 Tg가 쿨 익스팬드를 실시하는 온도보다도 너무 낮고, 또한 점착제층(2)의 전단 저장 탄성률의 값이 너무 낮으면, 점착제층(2)은 유동성이 과도하게 많아지게 되어, 다이 본드층(3)에 충분한 힘을 전달할 수 없게 된다고 생각된다.
그리고, 이와 같은 경우, 다이 본드층(3)의 할단을 충분히 실시할 수 없게 된다고 생각된다.
한편, 점착제층(2)에 포함되는 수지의 유리 전이 온도 Tg가 쿨 익스팬드를 실시하는 온도보다도 충분히 높고, 또한 점착제층(2)의 전단 저장 탄성률의 값이 충분히 높으면, 점착제층(2)은 유리 상태로 되어(유동성이 부족한 것으로 되어), 다이 본드층(3)에 충분한 힘을 전달할 수 있게 된다.
이에 의해, 다이 본드층(3)의 할단을 충분히 실시할 수 있기는 하지만, 유리 상태로 됨으로써 점착제층(2)에도 균열이 생기게 된다고 생각된다.
그러나, 본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)에서는, 온도 -15℃에 있어서의 점착제층(2)의 전단 저장 탄성률이 10MPa 이하이고, FOX의 식을 이용하여 산출한 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도가 -47℃ 이상 5℃ 이하이므로, 점착제층(2)은, 익스팬드 공정에 있어서, 쿨 익스팬드를 실시할 때, 적당한 유동성을 가짐과 함께, 적당한 경도를 갖게 된다고 생각된다.
따라서, 익스팬드 공정에 있어서, 쿨 익스팬드를 실시하고 있을 때, 점착제층(2)에 균열이 생기는 것을 억제할 수 있을 것으로, 본 발명자들은 추정하고 있다.
또한, 상기한 바와 같이 점착제층(2)은, 적당한 유동성을 가짐과 함께, 적당한 경도를 갖는 것으로 되어 있다고 생각된다는 점에서, 익스팬드 공정에 있어서, 쿨 익스팬드를 했을 때, 다이 본드층을 충분히 할단할 수 있다고 생각된다.
또한, 온도 -15℃에 있어서의 점착제층(2)의 전단 저장 탄성률의 값은, 점착제층(2)에 있어서의 상기 아크릴계 폴리머의 함유량을 적절히 조정하는 것 등에 의해 조정할 수 있다.
또한, 온도 -15℃에 있어서의 점착제층(2)의 전단 저장 탄성률의 값은, 상기 아크릴계 폴리머에 있어서의 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 적절히 선택함으로써, 조정하기 쉬워진다.
또한, 온도 -15℃에 있어서의 점착제층(2)의 전단 저장 탄성률의 값은, 상기 아크릴계 폴리머에 첨가하는 재료, 예를 들어 가교제나 태키파이어(Tackifier; 점착 부여제) 등을 적절히 선택함으로써 조정하기 쉬워진다.
점착제층(2)은, 상기와 같이 각 성분을 포함하는 점착제 조성물을, 애플리케이터 등을 사용하여 수지 필름 등의 표면에 도포한 후, 도포 후의 상기 점착제 조성물을 건조시킴으로써, 얻을 수 있다.
다이 본드층(3)은, 수지 성분을 포함한다.
다이 본드층(3)은, 열경화성을 갖는 것이 바람직하다.
다이 본드층(3)에 열경화성 수지 및 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지 중 적어도 한쪽을 포함시킴으로써, 다이 본드층(3)을, 열경화성을 갖는 것으로 할 수 있다.
다이 본드층(3)이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 이와 같은 열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 및 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 및 글리시딜아민형의 에폭시 수지를 들 수 있다.
페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 및 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌을 들 수 있다.
또한, 페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 기능한다.
다이 본드층(3)이, 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는 경우, 이와 같은 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 들 수 있다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 아크릴 수지로서는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래하는 모노머 단위를 포함하는 것을 들 수 있다.
열경화성 관능기를 갖는 열경화성 수지에 있어서는, 열경화성 관능기의 종류에 따라 경화제가 선택된다.
(메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및 (메트)아크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다. 상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 다른 성분에서 유래하는 모노머 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 아크릴니트릴 등의 관능기 함유 모노머나, 각종 다관능성 모노머 등을 들 수 있다. 다이 본드층에 있어서 높은 응집력을 실현한다고 하는 관점에서, 상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르(특히, 알킬기의 탄소수가 4 이하인 (메트)아크릴산알킬에스테르)와, 카르복시기 함유 모노머와, 질소 원자 함유 모노머와, 다관능성 모노머(특히, 폴리글리시딜계 다관능 모노머)의 공중합체인 것이 바람직하고, 아크릴산에틸과, 아크릴산부틸과, 아크릴산과, 아크릴로니트릴과, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트의 공중합체인 것이 보다 바람직하다.
다이 본드층(3)은, 수지 성분의 경화 반응을 충분히 진행시키거나, 경화 반응 속도를 높이거나 하는 관점에서, 열경화 촉매(경화 촉진제)를 함유하고 있어도 된다. 열경화 촉매로서는, 예를 들어 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물, 및 트리할로겐보란계 화합물을 들 수 있다.
다이 본드층(3)은, 상기 열경화 촉매로서, 이미다졸계 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 이미다졸계 화합물로서는, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸 등을 들 수 있다.
2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸의 시판품으로서는, 시코쿠 가세이사 제조의 상품명 「큐어졸 2PHZ-PW」를 들 수 있다.
다이 본드층(3)은, 상기 수지 성분으로서, 열가소성 수지를 포함하고 있어도 된다. 열가소성 수지는 바인더로서 기능한다. 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 폴리아미드 6이나 폴리아미드 6,6 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 조합되어 사용되어도 된다. 상기 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적으며, 또한 내열성이 높기 때문에, 다이 본드층(3)에 의한 접속 신뢰성이 확보되기 쉬워진다고 하는 관점에서, 아크릴 수지가 바람직하다.
상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래하는 모노머 단위를 질량 비율로 가장 많은 모노머 단위로서 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다.
(메트)아크릴산에스테르로서는, 상기한 것과 마찬가지의 것을 사용할 수 있다.
다이 본드층(3)은, 필요에 따라서, 1종 또는 2종 이상의 다른 성분을 함유 해도 된다. 다른 성분으로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제, 및 이온 트랩제를 들 수 있다.
다이 본드층(3)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 이러한 두께는, 3㎛ 이상 150㎛ 이하여도 되고, 5㎛ 이상 100㎛ 이하여도 된다.
다이 본드층(3)의 두께는, 예를 들어 다이알 게이지(PEACOCK사 제조, 형식 R-205)를 사용하여, 랜덤하게 선택한 임의의 5점의 두께를 측정하고, 이들 두께를 산술 평균함으로써 구할 수 있다.
다이 본드층(3)은, 필러를 함유하고 있어도 된다.
다이 본드층(3)에 함유시키는 필러의 양을 바꿈으로써, 다이 본드층(3)의 탄성 및 점성을 보다 용이하게 조정할 수 있다.
또한, 다이 본드층(3)의 도전성, 열전도성, 탄성률 등의 물성을 조정할 수 있다.
필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있다. 필러로서는, 무기 필러가 바람직하다.
무기 필러로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 결정질 실리카나 비정질 실리카와 같은 실리카 등을 포함하는 필러를 들 수 있다.
또한, 무기 필러의 재질로서는, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 금속 단체나, 합금 등을 들 수 있다.
무기 필러는, 붕산 알루미늄 위스커, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등이어도 된다.
필러의 형상은, 구상, 침상, 플레이크상 등의 각종 형상이어도 된다.
필러로서는, 상기 1종만을 사용해도 되고, 상기 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
상기 필러의 평균 입경은, 0.005㎛ 이상 10㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.005㎛ 이상 1㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
상기 필러의 평균 입경이 0.005㎛ 이상임으로써, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 대한 습윤성이나 접착성을 한층 더 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 필러의 평균 입경이 10㎛ 이하임으로써, 함유시킨 필러에 의한 특성을 보다 충분히 발휘시킬 수 있을 뿐만 아니라, 다이 본드층(3)의 내열성을 한층 더 발휘시킬 수 있다.
상기 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식 입도 분포계(예를 들어, 제품명 「LA-910」, 호리바 세이사쿠쇼사 제조)를 사용하여 구할 수 있다.
다이 본드층(3)이 필러를 함유하는 경우, 그 함유량은, 다이 본드층(3)의 총 질량에 대하여, 30질량％ 이상 70질량％ 이하인 것이 바람직하고, 40질량％ 이상 60질량％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 42질량％ 이상 55질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
다이 본드층(3)의 두께는, 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 이러한 두께는, 3㎛ 이상 150㎛ 이하여도 되고, 5㎛ 이상 135㎛ 이하여도 된다.
또한, 다이 본드층(3)은, 상기와 같은 각 성분을 포함하는 접착제 조성물을, 애플리케이터 등을 사용하여 수지 필름 등의 표면에 도포한 후, 도포 후의 상기 접착제 조성물을 건조시킴으로써 얻을 수 있다.
또한, 점착제층(2)에 대한 다이 본드층(3)의 설치는, 상기와 같이 하여 제작된 점착제층(2) 위에 다이 본드층(3)을 적층시킴으로써 실시할 수 있다.
기재층(1)은, 점착제층(2)을 지지한다.
기재층(1)은, 금속박, 섬유 시트, 고무 시트, 또는 수지 필름 등을 사용하여 제작된다.
기재층(1)은, 수지 필름을 사용하여 제작되어 있는 것이 바람직하다.
기재층(1)은, 단층 구조여도 되고, 적층 구조여도 된다.
상기 섬유 시트로서는, 종이, 직포, 또는 부직포 등에 의해 구성된 것을 들 수 있다.
수지 필름의 재질로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀; 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 랜덤 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 교호 공중합체 등의 에틸렌의 공중합체; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르; 폴리아크릴레이트; 폴리염화비닐(PVC); 폴리우레탄; 폴리카르보네이트; 폴리페닐렌술피드; 지방족 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드(아라미드) 등의 폴리아미드; 폴리에테르에테르케톤; 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 폴리염화비닐리덴; ABS(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체); 셀룰로오스 또는 셀룰로오스 유도체; 실리콘 함유 고분자; 불소 함유 고분자 등을 들 수 있다.
이들은, 1종만으로 사용되어도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용되어도 된다.
기재층(1)이 수지 필름에 의해 제작된 것인 경우에는, 기재층(1)은, 무연신 성형에 의해 얻어져도 되고, 연신 성형에 의해 얻어져도 되지만, 연신 성형에 의해 얻어지는 것이 바람직하다.
기재층(1)에 있어서의 점착제층(2)이 적층되는 측의 면(이하, 단순히 '표면'이라고도 함)에는, 점착제층(2)과의 밀착성을 높이는 관점에서, 표면 처리가 실시되어 있어도 된다.
표면 처리로서는, 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 방법 또는 물리적 방법에 의한 산화 처리 등이 채용되어도 된다.
또한, 표면 처리로서, 앵커 코팅제, 프라이머, 접착제 등의 코팅제에 의한 코팅 처리가 실시되어도 된다.
기재층(1)에 있어서의 점착제층(2)이 적층되지 않는 측의 면(이하, 단순히 '이면'이라고도 함)에는, 박리성을 높이기 위해서, 실리콘 수지나 불소 수지 등의 이형제(박리제) 등에 의해 코팅 처리가 실시되어도 된다.
기재층(1)의 두께는, 55㎛ 이상 195㎛ 이하인 것이 바람직하고, 55㎛ 이상 190㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 55㎛ 이상 170㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하며, 60㎛ 이상 160㎛ 이하인 것이 최적이다. 기재층(1)의 두께를 상기 범위로 함으로써, 다이싱 테이프(10)를 효율적으로 제조할 수 있다.
또한, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이 본드층(3)을 효율적으로 할단할 수 있다.
기재층(1)의 두께는, 예를 들어 다이알 게이지(PEACOCK사 제조, 형식 R-205)를 사용하여, 랜덤하게 선택한 임의의 5점의 두께를 측정하고, 이들 두께를 산술 평균함으로써 구할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서, 다이싱 테이프(10)의 두께는, 50㎛ 이상 250㎛ 이하인 것이 바람직하다.
다이싱 테이프(10)의 두께란, 기재층(1)의 두께 및 점착제층(2)의 두께를 합산한 것이다.
다이싱 테이프(10)의 두께가 상기 수치 범위임으로써, 익스팬드 공정에 있어서, 점착제층(2)에 균열이 생기는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
이에 의해, 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 한층 더 픽업하기 쉬워진다.
다이싱 테이프(10)의 두께는, 예를 들어 다이알 게이지(PEACOCK사 제조, 형식 R-205)를 사용하여, 랜덤하게 선택한 임의의 5점의 두께를 측정하고, 이들 두께를 산술 평균함으로써 구할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서는, 다이싱 테이프(10)의 25％ 인장 강도가 2N/10㎜ 이상 50N/10㎜ 이하인 것이 바람직하다.
다이싱 테이프(10)의 25％ 인장 강도가 상기 수치 범위임으로써, 익스팬드 공정에 있어서, 점착제층(2)에 균열이 생기는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
이에 의해, 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 한층 더 픽업하기 쉬워진다.
다이싱 테이프(10)의 25％ 인장 강도는, 3N/10㎜ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
다이싱 테이프(10)의 25％ 인장 강도는, 30N/10㎜ 이하인 것이 보다 바람직하고, 25N/10㎜ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
다이싱 테이프(10)의 25％ 인장 강도는, 인장 시험기(예를 들어, 형식 「AG-X/R」, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조)를 사용한 인장 시험에 의해 구할 수 있다.
구체적으로는, 시험편으로서, 폭 10㎜×길이 200㎜의 다이싱 테이프를 사용하고, 인장 시험기(예를 들어, 형식 「AG-X/R」, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조)를 사용하여, 척간 거리 50㎜, 인장 속도 300㎜/min의 조건에서 인장 시험을 행하고, 그때의 신장률이 25％가 될 때 가해지고 있는 힘(시험력)을 판독함으로써 구할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서는, 기재층(1)과 점착제층(2)의 180°필 강도가, 상온에 있어서, 1.0N/20㎜ 이상인 것이 바람직하다.
또한, 상온이란, 23±2℃를 의미한다.
기재층(1)과 점착제층(2)의 180°필 강도가, 상온에 있어서, 상기 수치 범위임으로써, 익스팬드 공정에 있어서, 점착제층(2)에 균열이 생기는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
이에 의해, 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 한층 더 픽업하기 쉬워진다.
또한, 본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서는, 기재층(1)과 점착제층(2)의 180°필 강도가, 상온에 있어서, 1.0N/20㎜ 이상인 것이 보다 바람직하다.
기재층(1)과 점착제층(2)의 180°필 강도는, 1.2N/20㎜ 이상인 것이 바람직하고, 1.5N/20㎜ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
기재층(1)과 점착제층(2)의 180°필 시험은, 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서의 다이싱 테이프(10)(기재층(1)과 점착제층(2)의 적층체)에 대하여, 인장 시험기(형식 「AGX-V」, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조)를 사용하여 측정할 수 있다.
구체적으로는, 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.
(1) 다이싱 테이프(10)를 길이 150㎜×폭 20㎜의 크기로 커트해서 샘플편을 얻는다. 또한, 다이싱 테이프(10)는, 수지 흐름 방향(MD)이 샘플편의 길이 방향이 되도록 커트한다.
(2) 상기 샘플편에 있어서의 점착제층(2)에 길이 20㎜의 1개의 절입을 넣는다. 1개의 절입은, 길이 방향의 50㎜의 위치(길이 방향의 일 단부 모서리로부터 50㎜ 이격된 위치)에 TD(수지 흐름 방향과 직교하는 방향)를 따르도록 넣는다. 즉, 1개의 절입은, 점착제층(2)의 폭과 동일한 크기가 되도록 넣는다.
또한, 1개의 절입은, 점착제층(2)을 두께 방향으로 관통하도록 넣는다.
(3) 상기 1개의 절입을 덮도록, 길이 150㎜×폭 25㎜의 크기로 커트한 폴리에스테르 점착 테이프(상품명 「ELP BT-315」, 닛토덴코사 제조)를 첩부하여, 시험체를 얻는다. 또한, 폴리에스테르 점착 테이프의 첩부는, 핸드 롤러를 사용하여 행한다.
(4) 인장 시험기(형식 「AGX-V」, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조)의 한쪽의 척으로, 상기 시험체의 다이싱 테이프를 끼움 지지함과 함께, 다른 쪽의 척으로 상기 시험체의 폴리에스테르 점착 테이프를 끼움 지지하여, 300㎜/min의 측정으로, 180°필 시험을 행한다. 상기 180°필 시험은, 상기 시험체를 길이 방향으로 필하도록 행한다.
또한, 상기 180°필 시험에 있어서, 기재층(1)으로부터 점착제층(2)이 박리되는 경우에는, 필 강도의 값을 판독하고, 기재층(1)으로부터 점착제층(2)이 박리되지 않는 경우에는, 투묘 파괴 없음이라고 평가한다.
본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서는, 다이싱 테이프(10)는, 온도 -15℃에 있어서, 인장 속도 1000㎜/min으로 200％ 신장했을 때, 점착제층(2)에 균열이 생기지 않은 것이 바람직하다.
또한, 점착제층(2)에 균열이 생기지 않았다고 하는 것은, 온도 -15℃에 있어서, 인장 속도 1000㎜/min으로 200％ 신장하는 시험을 다이싱 테이프(10)에 행하여, 변형(인장 길이)과 인장 강도의 데이터를 취득한 다음, 변형(인장 길이)을 횡축으로 하고, 인장 강도를 종축으로 하는 그래프를 그렸을 때, 순간적으로 발생하는 인장 강도의 저하가 3％ 미만인 것을 의미한다.
즉, 3％ 미만의 인장 강도의 저하가 지속적으로 발생하는 것을 의미하는 것은 아니다.
그리고, 인장 속도 1000/min이란, 고속으로 다이싱 테이프(10)를 인장하는 것을 의미한다는 점에서, 온도 -15℃에 있어서, 인장 속도 1000㎜/min이라고 하는 신장 조건은, 익스팬드 공정에서의 쿨 익스팬드를 고속으로 실시하는 것을 의미한다.
따라서, 온도 -15℃에 있어서, 인장 속도 1000㎜/min으로 다이싱 테이프(10)를 200％ 신장했을 때, 점착제층(2)에 균열이 생기지 않음으로써, 익스팬드 공정에 있어서, 점착제층(2)에 균열이 생기는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
이에 의해, 칩간의 거리를 충분히 확보할 수 있다는 점에서, 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 한층 더 픽업하기 쉬워진다.
그 결과, 반도체 집적 회로의 제조 프로세스에 있어서, 택트 타임을 단축할 수 있다.
온도 -15℃에 있어서, 인장 속도 1000㎜/min으로 200％ 신장하는 시험은, 인장 시험기(시마즈 세이사쿠쇼사 제조의 항온조를 구비하는 인장 시험기)를 사용하여 행할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 반도체 웨이퍼를 다이싱하기 위해서 사용되는 것이 바람직하다.
예를 들어, 본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 반도체 집적 회로를 제조하기 위한 보조구로서 사용되는 것이 바람직하다.
상기한 바와 같이 본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조하기 위한 보조 용구로서 사용된다. 이하, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 사용의 구체예에 대하여 설명한다.
이하에서는, 기재층(1)이 1층인 다이싱 다이 본드 필름(20)을 사용한 예에 대하여 설명한다.
반도체 집적 회로를 제조하는 방법은, 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)으로 가공하기 위해 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하는 하프컷 공정과, 하프컷 공정 후의 반도체 웨이퍼를 연삭해서 두께를 얇게 하는 백그라인드 공정과, 백그라인드 공정 후의 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드층(3)에 첩부하여, 다이싱 테이프(10)에 반도체 웨이퍼를 고정시키는 마운트 공정과, 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 반도체 칩끼리의 간격을 유지하는 커프 유지 공정과, 다이 본드층(3)과 점착제층(2)의 사이를 박리하여 다이 본드층(3)이 첩부된 상태에서 반도체 칩(다이)을 취출하는 픽업 공정과, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩(다이)을 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정을 갖는다. 이들 공정을 실시할 때, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(다이싱 다이 본드 필름)가 제조 보조 용구로서 사용된다.
하프컷 공정에서는, 도 2a 및 도 2b에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼를 소편(다이)으로 할단하기 위한 하프컷 가공을 실시한다. 상세하게는, 반도체 웨이퍼(W)의 회로면과는 반대측의 면에, 웨이퍼 가공용 테이프(T)를 첩부한다(도 2a 참조). 또한, 웨이퍼 가공용 테이프(T)에 다이싱 링(R)을 장착한다(도 2a 참조). 웨이퍼 가공용 테이프(T)를 첩부한 상태에서, 분할용 홈을 형성한다(도 2b 참조). 백그라인드 공정에서는, 도 2c 및 도 2d에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼를 연삭해서 두께를 얇게 한다. 상세하게는, 홈을 형성한 면에 백그라인드 테이프(G)를 첩부하는 한편, 처음에 첩부한 웨이퍼 가공용 테이프(T)를 박리한다(도 2c 참조). 백그라인드 테이프(G)를 첩부한 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)가 소정의 두께가 될 때까지 연삭 가공을 실시한다(도 2d 참조).
또한, 백그라인드 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼의 두께가 20㎛ 이상 30㎛ 이하로 특히 얇은 경우에는, 후술하는 픽업 공정에 있어서, 핀 부재(P)를 사용하여 반도체 칩을 밀어올렸을 때, 해당 반도체 칩에 변형이나 균열이 생기기 쉬워지기는 하지만, 본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 상기와 같이 구성되어 있으므로, 픽업 공정에 있어서, 반도체 칩에 변형이나 균열이 생기는 것을 비교적 억제할 수 있다.
마운트 공정에서는, 도 3a 내지 도 3b에 도시한 바와 같이, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)에 다이싱 링(R)을 장착한 후, 노출된 다이 본드층(3)의 면에, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼(W)를 첩부한다(도 3a 참조). 그 후, 반도체 웨이퍼(W)로부터 백그라인드 테이프(G)를 박리한다(도 3b 참조).
익스팬드 공정에서는, 도 4a 내지 도 4c에 도시한 바와 같이, 다이싱 링(R)을 익스팬드 장치의 보유 지지구(H)에 고정시킨다. 익스팬드 장치가 구비하는 밀어올림 부재(U)를 사용하여, 다이싱 다이 본드 필름(20)을 하측으로부터 밀어올림으로써, 다이싱 다이 본드 필름(20)을 면 방향으로 넓히도록 잡아늘인다(도 4b 참조). 이에 의해, 특정 온도 조건에 있어서, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼(W)를 할단한다. 상기 온도 조건은, 예를 들어 -20 내지 5℃이고, 바람직하게는 -15 내지 0℃, 보다 바람직하게는 -10 내지 -5℃이다. 밀어올림 부재(U)를 하강시킴으로써 익스팬드 상태를 해제한다(도 4c 참조).
또한, 익스팬드 공정에서는, 도 5a 내지 도 5b에 도시한 바와 같이, 더 높은 온도 조건하(예를 들어, 실온(23±2℃))에 있어서, 면적을 넓히도록 다이싱 테이프(10)를 잡아늘인다. 이에 의해, 할단된 인접하는 반도체 칩을 필름면의 면 방향으로 떼어 놓아, 간격을 더욱 넓힌다.
본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(20)에서는, 온도 -15℃에 있어서의 점착제층(2)의 전단 저장 탄성률이, 10MPa 이하이고, FOX의 식을 이용하여 산출한, 점착제층(2)에 포함되는 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도가 -47℃ 이상 5℃ 이하이므로, 익스팬드 공정에 있어서, 점착제층(2)에 균열이 생기는 것을 억제할 수 있다.
이에 의해, 후단의 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 픽업하기 쉬워진다.
커프 유지 공정에서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 다이싱 테이프(10)에 열풍(예를 들어, 100 내지 130℃. 화살표로 도시)을 쏘여 다이싱 테이프(10)를 열수축시킨 후 냉각 고화시켜서, 할단된 인접하는 반도체 칩간의 거리(커프)를 유지한다.
픽업 공정에서는, 도 7에 도시한 바와 같이, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩을 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 박리한다. 상세하게는, 핀 부재(P)를 상승시켜서, 픽업 대상의 반도체 칩을, 다이싱 테이프(10)를 통해 밀어올린다. 밀어올려진 반도체 칩을 흡착 지그(J)에 의해 보유 지지한다.
다이 본드 공정에서는, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩을 피착체에 접착시킨다.
본 명세서에 의해 개시되는 사항은, 이하의 것을 포함한다.
(1)
기재층 위에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,
상기 다이싱 테이프의 점착제층 위에 적층된 다이 본드층을 구비하고,
상기 점착제층은, 아크릴계 폴리머를 포함하고,
상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 9 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 15몰％ 이상 포함하고 있으며,
온도 -15℃에 있어서의 상기 점착제층의 전단 저장 탄성률이 10MPa 이상이고,
FOX의 식을 이용하여 산출한 상기 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도가, -47℃ 이상 5℃ 이하인
다이싱 다이 본드 필름.
이러한 구성에 의하면, 익스팬드 공정에 있어서, 상기 점착제층에 균열이 생기는 것을 억제할 수 있다.
이에 의해, 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 픽업하기 쉬워진다.
(2)
상기 다이싱 테이프의 두께가 50㎛ 이상 250㎛ 이하인
상기 (1)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.
이러한 구성에 의하면, 익스팬드 공정에 있어서, 상기 점착제층에 균열이 생기는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
이에 의해, 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 한층 더 픽업하기 쉬워진다.
(3)
상기 다이싱 테이프의 25％ 인장 강도가 2N/10㎜ 이상 50N/10㎜ 이하인
상기 (1) 또는 (2)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.
이러한 구성에 의하면, 익스팬드 공정에 있어서, 상기 점착제층에 균열이 생기는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
이에 의해, 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 한층 더 픽업하기 쉬워진다.
(4)
상기 기재층과 상기 점착제층의 180°필 강도가, 상온에 있어서, 1.0N/20㎜ 이상인
상기 (1) 내지 (3) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.
이러한 구성에 의하면, 익스팬드 공정에 있어서, 상기 점착제층에 균열이 생기는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
이에 의해, 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 한층 더 픽업하기 쉬워진다.
(5)
상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 9 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함하고,
상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트는, 40몰％ 미만 포함되어 있는
상기 (1) 내지 (4) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.
이러한 구성에 의하면, 익스팬드 공정에 있어서, 상기 점착제층에 균열이 생기는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
이에 의해, 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 한층 더 픽업하기 쉬워진다.
(6)
상기 다이싱 테이프는, 온도 -15℃에 있어서, 인장 속도 1000㎜/min으로 200％ 신장했을 때, 상기 점착제층에 균열이 생기지 않는
상기 (1) 내지 (5) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.
이러한 구성에 의하면, 익스팬드 공정에 있어서, 상기 점착제층에 균열이 생기는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
이에 의해, 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩을 한층 더 픽업하기 쉬워진다.
(7)
반도체 웨이퍼를 다이싱하기 위해서 사용되는
상기 (1) 내지 (6) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.
또한, 본 발명에 따른 다이싱 다이 본드 필름은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 따른 다이싱 다이 본드 필름은, 상기한 작용 효과에 의해 한정되는 것도 아니다. 본 발명에 따른 다이싱 다이 본드 필름은, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
실시예
다음으로, 실시예를 들어 본 발명에 대하여 더욱 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예는 본 발명을 더 상세히 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.
[실시예 1]
<아크릴계 폴리머의 합성>
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기 내에, 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로, (메트)아크릴 모노머를 넣음과 함께, 열중합 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(이하, 'AIBN'이라고 함)을 상기 (메트)아크릴 모노머의 100질량부에 대하여 0.2질량부를 첨가하고, 또한 상기 (메트)아크릴 모노머의 농도가 38％가 되도록 반응 용제로서의 아세트산 부틸을 첨가한 후, 또한 상기 모노머의 농도가 38％가 되도록 반응 용제로서의 아세트산 부틸을 첨가한 후, 질소 기류하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하여, 중간체로서의 제1 아크릴계 폴리머를 얻었다.
이 제1 아크릴계 폴리머를 포함하는 용액에, 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로, (메트)아크릴 모노머를 넣음과 함께, 제1 아크릴계 폴리머 A의 100질량부에 대하여 디라우릴산디부틸주석 0.06질량부를 첨가하고, 공기 기류하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하여, 실시예 1에 따른 아크릴계 폴리머를 얻었다.
여기서, 제1 아크릴계 폴리머를 얻을 때, (메트)아크릴 모노머로서, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트(이하, 'MOI'라고 함)를 사용하고 있지만, MOI는, HEA와 부가 중합하는 것이기 때문에, (메트)아크릴레이트 모노머의 몰％에 포함되지 않는다.
또한, 상기 MOI로서는, 쇼와 덴코사 제조의 상품명 「카렌즈 MOI(등록상표)」를 사용하였다. 「카렌즈 MOI(등록상표)」는, 이소시아네이트기를 갖는 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트이며, 중합성기로서 비닐기를 갖는 것이다.
<점착제 용액의 제작>
실시예 1에 따른 아크릴계 폴리머를 포함하는 용액에, 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰 폴리우레탄사 제조), 및 광중합 개시제(상품명 「Omnirad 127」, IGM Resins사 제조)를, 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 첨가하여, 실시예 1에 따른 점착제 용액을 제작하였다.
또한, 하기 표 1에 나타내는 가교제의 질량부, 및 광중합 개시제의 질량부는, 실시예 1에 따른 아크릴계 폴리머의 100질량부에 대한 값이다.
<다이싱 테이프의 제작>
실시예 1에 따른 점착제 용액을, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 위에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 위에, 기재층으로서의 군제사 제조의 폴리올레핀 필름(상품명 「펑크레어 NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하여, 실시예 1에 따른 다이싱 테이프를 얻었다.
<다이 본드층의 제작>
아크릴 수지(상품명 「SG-N80」, 나가세 켐텍스사 제조, 유리 전이 온도 -23℃) 100질량부에 대하여, 에폭시 수지(상품명 「EPPN 501HY」, 닛폰 가야쿠사 제조) 210질량부, 페놀 수지 1(상품명 「LVR8210-DL」, 군에이 가가쿠사 제조) 100질량부, 페놀 수지 2(상품명 「HF-1M」, 메이와 가세이사 제조) 33질량부, 구상 실리카(상품명 「SE2050-MCV」, 애드마텍스사 제조, 평균 입자경 500nm) 440질량부(구상 실리카 환산), 실란 커플링제(상품명 「KBM-303」, 신에츠 가가쿠사 제조) 3질량부, 및 열경화 촉매(상품명 「TPP-K」, 홋코 가가쿠사 제조) 0.5질량부를 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하고, 실시예 1에 따른 접착제 조성물을 조제하였다.
다음으로, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 위에 애플리케이터를 사용하여 실시예 1에 따른 접착제 조성물을 도포해서 도막을 형성하고, 이 도막에 대하여 130℃에서 2분간의 탈용매 처리를 행하였다. 이에 의해, 두께(평균 두께) 30㎛의 다이 본드층을 PET 세퍼레이터 위에 제작하였다(다이 본드층을 구비하는 PET 세퍼레이터를 제작하였다).
그리고, 2조의 다이 본드층을 구비하는 PET 세퍼레이터에 대하여 다이 본드층끼리를 중첩한 후, 롤 라미네이터를 사용하여 접합을 행함으로써, 두께 60㎛의 다이 본드층을 제작하였다.
또한, 롤 라미네이터를 사용한 접합은, 접합 속도 10㎜/초, 온도 90℃, 및 압력 0.15MPa의 조건에서 행하였다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
다이 본드층이 제작된 PET 세퍼레이터(이하, '다이 본드층을 구비하는 PET 세퍼레이터'라고 함)를 330㎜φ(직경 330㎜)의 원형으로 펀칭함으로써, 330㎜φ(직경 330㎜)의 다이 본드층을 구비하는 PET 세퍼레이터를 얻었다.
다음으로, 실시예 1에 따른 다이싱 테이프로부터 PET 세퍼레이터를 제거해서 점착제층의 한쪽면을 노출시킨 후, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온(23±2℃)에서 다이 본드층을 구비하는 PET 세퍼레이터를 실시예 1에 따른 다이싱 테이프에 접합함으로써, 실시예 1에 따른 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
즉, 실시예 1에 따른 다이싱 테이프는, 폴리올레핀 필름, 점착제층, 다이 본드층, 및 PET 세퍼레이터가, 이 순서로 적층되어 구성된 것이었다.
[실시예 2]
<아크릴계 폴리머의 합성>
(메트)아크릴 모노머를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2에 따른 아크릴계 모노머를 얻었다.
<점착제 용액의 제작>
실시예 2에 따른 아크릴계 모노머를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2에 따른 점착제 용액을 얻었다.
<다이싱 테이프의 제작>
실시예 2에 따른 점착제 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2에 따른 다이싱 테이프를 얻었다.
<다이 본드층의 제작>
실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2에 따른 다이 본드층을 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 2에 따른 다이싱 테이프, 및 실시예 2에 따른 다이 본드층을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2에 따른 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
[실시예 3]
<아크릴계 폴리머의 합성>
(메트)아크릴 모노머를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3에 따른 아크릴계 모노머를 얻었다.
<점착제 용액의 제작>
실시예 3에 따른 아크릴계 모노머를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3에 따른 점착제 용액을 얻었다.
<다이싱 테이프의 제작>
실시예 3에 따른 점착제 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3에 따른 다이싱 테이프를 얻었다.
<다이 본드층의 제작>
실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3에 따른 다이 본드층을 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 3에 따른 다이싱 테이프, 및 실시예 3에 따른 다이 본드층을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3에 따른 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
[실시예 4]
<아크릴계 폴리머의 합성>
(메트)아크릴 모노머를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 4에 따른 아크릴계 모노머를 얻었다.
<점착제 용액의 제작>
실시예 4에 따른 아크릴계 모노머를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 4에 따른 점착제 용액을 얻었다.
<다이싱 테이프의 제작>
실시예 4에 따른 점착제 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 4에 따른 다이싱 테이프를 얻었다.
<다이 본드층의 제작>
실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 4에 따른 다이 본드층을 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 4에 따른 다이싱 테이프, 및 실시예 4에 따른 다이 본드층을 사용하여, 실시예 4에 따른 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
[실시예 5]
<아크릴계 폴리머의 합성>
(메트)아크릴 모노머를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 5에 따른 아크릴계 모노머를 얻었다.
<점착제 용액의 제작>
실시예 5에 따른 아크릴계 모노머를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 5에 따른 점착제 용액을 얻었다.
<다이싱 테이프의 제작>
실시예 5에 따른 점착제 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 5에 따른 다이싱 테이프를 얻었다.
<다이 본드층의 제작>
실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 5에 따른 다이 본드층을 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 5에 따른 다이싱 테이프, 및 실시예 5에 따른 다이 본드층을 사용하여, 실시예 5에 따른 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
[실시예 6]
<아크릴계 폴리머의 합성>
(메트)아크릴 모노머를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 6에 따른 아크릴계 모노머를 얻었다.
<점착제 용액의 제작>
실시예 6에 따른 아크릴계 폴리머를 사용하고, 가교제(코로네이트 L) 및 광중합 개시제(Omnirad 127)를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 6에 따른 점착제 용액을 얻었다.
<다이싱 테이프의 제작>
실시예 6에 따른 점착제 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 6에 따른 다이싱 테이프를 얻었다.
<다이 본드층의 제작>
실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 6에 따른 다이 본드층을 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 6에 따른 다이싱 테이프, 및 실시예 6에 따른 다이 본드층을 사용하여, 실시예 6에 따른 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
[실시예 7]
<아크릴계 폴리머의 합성>
(메트)아크릴 모노머를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 7에 따른 아크릴계 모노머를 얻었다.
<점착제 용액의 제작>
실시예 7에 따른 아크릴계 폴리머를 사용하고, 가교제(코로네이트 L) 및 광중합 개시제(Omnirad 127)를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 7에 따른 점착제 용액을 얻었다.
<다이싱 테이프의 제작>
실시예 7에 따른 점착제 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 7에 따른 다이싱 테이프를 얻었다.
<다이 본드층의 제작>
실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 7에 따른 다이 본드층을 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 7에 따른 다이싱 테이프, 및 실시예 7에 따른 다이 본드층을 사용하여, 실시예 7에 따른 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
[비교예 1]
<아크릴계 폴리머의 합성>
(메트)아크릴 모노머를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 1에 따른 아크릴계 폴리머를 얻었다.
<점착제 용액의 제작>
비교예 1에 따른 아크릴계 폴리머를 사용하고, 가교제(코로네이트 L)를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 1에 따른 점착제 용액을 얻었다.
<다이싱 테이프의 제작>
비교예 1에 따른 점착제 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 1에 따른 다이싱 테이프를 얻었다.
<다이 본드층의 제작>
실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 1에 따른 다이 본드층을 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
비교예 1에 따른 다이싱 테이프, 및 비교예 1에 따른 다이 본드층을 사용하여, 비교예 1에 따른 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
[비교예 2]
<아크릴계 폴리머의 합성>
(메트)아크릴 모노머를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 2에 따른 아크릴계 폴리머를 얻었다.
<점착제 용액의 제작>
비교예 2에 따른 아크릴계 폴리머를 사용하고, 가교제(코로네이트 L)를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 2에 따른 점착제 용액을 얻었다.
<다이싱 테이프의 제작>
비교예 2에 따른 점착제 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 2에 따른 다이싱 테이프를 얻었다.
<다이 본드층의 제작>
실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 2에 따른 다이 본드층을 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
비교예 2에 따른 다이싱 테이프, 및 비교예 2에 따른 다이 본드층을 사용하여, 비교예 2에 따른 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
[비교예 3]
<아크릴계 폴리머의 합성>
(메트)아크릴 모노머를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 3에 따른 아크릴계 폴리머를 얻었다.
<점착제 용액의 제작>
비교예 3에 따른 아크릴계 폴리머를 사용하여, 가교제(코로네이트 L)를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 3에 따른 점착제 용액을 얻었다.
<다이싱 테이프의 제작>
비교예 3에 따른 점착제 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 3에 따른 다이싱 테이프를 얻었다.
<다이 본드층의 제작>
실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 3에 따른 다이 본드층을 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
비교예 3에 따른 다이싱 테이프, 및 비교예 3에 따른 다이 본드층을 사용하여, 비교예 3에 따른 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
[비교예 4]
<아크릴계 폴리머의 합성>
(메트)아크릴 모노머를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 4에 따른 아크릴계 폴리머를 얻었다.
<점착제 용액의 제작>
비교예 4에 따른 아크릴계 폴리머를 사용하고, 광중합 개시제로서 Omnirad 184를 사용하고, 가교제(코로네이트 L)를 하기 표 1에 나타내는 배합 비율로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 4에 따른 점착제 용액을 얻었다.
또한, Omnirad 184도, IGM Resins사 제조의 상품이다.
<다이싱 테이프의 제작>
비교예 4에 따른 점착제 용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 4에 따른 다이싱 테이프를 얻었다.
<다이 본드층의 제작>
실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 4에 따른 다이 본드층을 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
비교예 4에 따른 다이싱 테이프, 및 비교예 4에 따른 다이 본드층을 사용하여, 비교예 4에 따른 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
또한, 하기 표 1에 있어서, LA는, 라우릴아크릴레이트(탄소수 12 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트)를 의미하고, INA는, 이소노닐아크릴레이트(탄소수 9 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트)를 의미하고, 2EHA는, 2-에틸헥실아크릴레이트를 의미하고, BA는, 부틸아크릴레이트를 의미하고, EA는, 에틸아크릴레이트를 의미하고, ACMO는, 4-아크릴로일모르폴린을 의미하며, HEA는, 2-히드록시에틸아크릴레이트(수산기 함유 (메트)아크릴레이트)를 의미한다.
Figure pat00002
(유리 전이 온도 Tg)
각 예에 따른 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 점착제층(2)에 포함되는 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도 Tg를 구하였다.
점착제층(2)에 포함되는 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도 Tg는, 하기 식 (1)로 표현되는 FOX의 식을 이용하여 산출하였다.
Figure pat00003
단, Tg는, 공중합체의 유리 전이 온도(단위는 K)이며, Wi는, 상기 공중합체에 있어서의 모노머 i의 질량 분율이며, Tgi는, 모노머 i의 호모 폴리머의 유리 전이 온도(단위는 K)이다.
LA의 호모 폴리머의 유리 전이 온도, 2EHA의 호모 폴리머의 유리 전이 온도, BA의 호모 폴리머의 유리 전이 온도, 및 EA의 호모 폴리머의 유리 전이 온도에 대해서는, 상기한 「Polymer Handbook」에 기재된 값을 이용하였다.
또한, 「Polymer Handbook」에는, LA의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서 270K가 기재되어 있고, 2HEA의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서 223K가 기재되어 있고, BA의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서 219K가 기재되어 있고, EA의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서 249K가 기재되어 있다.
또한, INA의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서는, 오사카 유키 가가쿠 고교사의 카탈로그에 기재된 -58℃(215K)를 사용하고, ACMO의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서는, KJ 케미컬사의 카탈로그에 기재된 145℃(418K)를 사용하고, HEA의 호모 폴리머의 유리 전이 온도로서는, 교에샤 가가쿠사의 카탈로그에 기재된 -15℃(258K)를 사용하였다.
또한, 실시 형태의 항에서 설명한 바와 같이, MOI는 HEA의 관능기에 부가 중합되는 물질이라는 점에서, 공중합체의 유리 전이 온도에 미치는 영향은 작다고 생각되기 때문에, FOX의 식을 이용한 유리 전이 온도의 산출에 있어서, MOI의 호모 폴리머의 유리 전이 온도의 값은 채용하지 않았다.
각 예에 있어서, 알킬(메트)아크릴레이트의 질량 분율은, 각 알킬(메트)아크릴레이트 모노머의 분자량 및 몰 분율로부터 산출하였다.
각 예에 대하여, 알킬(메트)아크릴레이트의 질량 분율을 산출한 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
Figure pat00004
각 예에 따른 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, FOX의 식을 이용하여 산출한 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도 Tg를, 하기 표 3에 나타내었다.
(온도 -15℃에 있어서의 점착제층의 전단 저장 탄성률)
각 예에 따른 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 실시 형태의 항에서 설명한 방법에 따라서, 온도 -15℃에 있어서의 점착제층의 전단 저장 탄성률을 측정하였다.
그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
(균열 신장률)
각 예에 따른 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 균열 신장률을 측정하였다.
균열 신장률은, 각 예에 따른 다이싱 테이프에 대하여, 인장 시험기(시마즈 세이사쿠쇼사 제조의 항온조를 구비하는 인장 시험기)를 사용하여 측정하였다.
구체적으로는, 이하와 같이 하여 측정하였다.
(1) 각 예에 따른 다이싱 테이프를, 폭 10㎜×길이 200㎜의 시험편으로 커트한다.
(2) 인장 시험기(시마즈 세이사쿠쇼사 제조의 항온조를 구비하는 인장 시험기)를 사용하여, 척간 거리 50㎜, 온도 -15℃, 인장 속도 1000㎜/min으로, 250％ 신장시킨다.
(3) 점착제층에 균열이 생긴 경우에는, 균열이 생겼을 때의 신장률의 값을 균열 신장률로서 측정한다.
한편, 250％ 신장시켜도, 점착제층에 균열이 생기지 않은 경우에는, 균열 없음이라고 평가한다.
그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
또한, 균열이 생기지 않았다고 하는 것은, 상기 시험을 행하여, 변형(인장 길이)과 인장 강도의 데이터를 취득한 다음, 변형(인장 길이)을 횡축으로 하고, 인장 강도를 종축으로 하는 그래프를 그렸을 때, 순간적으로 발생하는 인장 강도의 저하가 3％ 미만인 것을 의미한다.
즉, 3％ 미만의 인장 강도의 저하가 지속적으로 발생하는 것을 의미하는 것은 아니다.
(두께)
각 예에 따른 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 실시 형태의 항에서 설명한 방법에 따라서, 다이싱 테이프의 두께를 측정하였다.
그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
(필 강도)
각 예에 따른 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 실시 형태의 항에서 설명한 방법에 따라서, 다이싱 테이프의 필 강도를 측정하였다.
그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
(25％ 인장 강도)
각 예에 따른 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 실시 형태의 항에서 설명한 방법에 따라서, 다이싱 테이프의 25％ 인장 강도를 측정하였다.
그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
(균열 및 커프폭의 평가)
각 예에 따른 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 점착제층(2)의 균열, 및 커프폭(할단된 다이 본드층간의 폭)을 평가하였다.
균열 및 커프폭의 평가를 할 때, 우선, 이하의 수순에 따라서 공시체를 제작하였다.
(1) 하프컷에 의해 분할용 홈(10㎜×10㎜)이 형성된 12인치의 베어 웨이퍼(직경 300㎜, 두께 55㎛)에 대하여, 분할용 홈이 형성된 면에 백그라인드 테이프를 첩부한다.
(2) 백 그라인더(DISCO사 제조, 형식 DGP8760)를 사용하여, 상기 12인치의 베어 웨이퍼를, 상기 백그라인드 테이프를 첩부한 측과 반대측의 면으로부터 두께 25㎛까지 연삭하여, 백그라인딩된 베어 웨이퍼를 얻는다.
(3) 백그라인딩된 베어 웨이퍼에 있어서의 백그라인드 테이프의 첩부면과 반대측에, 각 예에 따른 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드층을 첩부하여, 다이싱 다이 본드 필름을 구비하는 베어 웨이퍼, 즉, 균열 및 커프폭을 평가하기 위한 공시체를 얻는다.
상기와 같이 하여 얻은 공시체에 대하여, 다이 세퍼레이터 장치(상품명 「다이 세퍼레이터 DDS3200」, 디스코사 제조)를 사용한 익스팬드를 행함으로써, 균열 및 커프폭을 평가하였다.
다이 세퍼레이터 장치를 사용한 익스팬드는, 쿨 익스팬드를 행한 후, 상온 익스팬드를 행함으로써 실시하였다.
구체적으로는, 이하와 같이 하여, 익스팬드를 실시하였다.
(1) 쿨 익스팬더 유닛으로, 익스팬드 온도 -15℃, 익스팬드 속도 200㎜/초, 익스팬드양 15㎜의 조건에서, 상기 공시체를 익스팬드함으로써, 반도체 웨이퍼(베어 웨이퍼) 및 다이 본드층을 할단하여, 다이 본드층을 구비하는 반도체 칩(베어 칩)을 얻는다.
(2) 상온(23±3℃), 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드양 7㎜의 조건에서, 상기 공시체를 더욱 익스팬드한다.
(3) 익스팬드 상태를 유지한 채로, 히트 온도 250℃, 히트 거리 20㎜, 로테이션 스피드 5°/초의 조건에서, 반도체 웨이퍼(베어 웨이퍼)의 외주연과의 경계 부분의 다이싱 다이 본드 필름을 열수축시킨다.
균열 및 커프폭의 평가에 대해서는, 공초점 레이저 현미경을 사용하여, 배율 200배 또는 500배로, 익스팬드 후의 상기 공시체의 9영역을 관찰함으로써 행하였다.
도 8을 이용하여 구체적으로 설명하면, 공초점 레이저 현미경에 의한 관찰 영역으로서는, 익스팬드 후의 공시체(S)의 중심부의 영역(C), 익스팬드 후의 공시체(S)를 부채형으로 8등분(중심각이 45°가 되도록 등분)함으로써 얻어지는 가상 선분(L1 내지 L8)을 따른 공시체(S)의 단부 모서리 근방의 영역(공시체(S)의 단부 모서리로부터 5㎜ 이상 30㎜ 이하의 영역)을 EP1 내지 EP8로 하였다.
또한, 공시체(S)는, 익스팬드에 의해 할단되어 있는 것이지만, 도 8에 있어서는, 할단선은 도시되어 있지 않다(할단선은 생략하였다).
균열 및 커프폭의 평가는, 구체적으로는, 이하와 같이 하여 행하였다.
·커프폭의 평가
(1) 현미경(배율 200배 또는 500배)으로 상기 공시체의 9영역을 관찰하면서, 모든 베어 칩 간에 대하여, 커프폭의 최솟값 Wmin을 구한다.
(2) 커프폭의 최솟값 Wmin의 전부가, 상기 공시체를 얻을 때의 하프컷을 행하기 위해서 사용한 다이싱 블레이드의 블레이드 폭 WB의 값과 동등 이상인 경우에는, 합격이라고 판단한다. 한편, 커프폭의 최솟값 Wmin으로서, 블레이드 폭 WB의 값 미만인 것이 1개라도 있으면 불합격이라고 판단한다.
·균열의 평가
상기 공시체의 9영역 중, 커브 폭이 최대로 되어 있는 개소를 포함하는 영역에 대하여 베어 칩 및 다이 본드층(3)을 박리한 후, 공초점 레이저 현미경을 사용하여, 노출된 점착제층(2)을 눈으로 보아 관찰함으로써, 균열의 유무를 평가한다.
균열 및 커프폭을 평가한 결과에 대하여, 하기 표 3에 나타내었다.
Figure pat00005
표 3으로부터, 실시예 1 내지 7에 따른 다이싱 다이 본드 필름에서는, 익스팬드 후에, 점착제층에 균열이 확인되지 않았음을 알 수 있다.
또한, 실시예 1 내지 7에 따른 다이싱 다이 본드 필름에서는, 익스팬드 후에, 커프폭이 합격이 되는 레벨로 되어 있음을 알 수 있다.
이에 반하여, 비교예 1 내지 4에 따른 다이싱 다이 본드 필름에서는, 익스팬드 후에, 점착제층에 균열이 확인되고, 또한 커프폭이 불합격이 되는 레벨로 되어 있음을 알 수 있다.
이 결과로부터, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 점착제층에 포함시키는 아크릴계 폴리머를, 탄소수 9 이상의 알킬기를 갖는 알킬아크릴레이트의 구성 단위를 15몰％ 이상 포함하는 것으로 한 다음, 온도 -15℃에 있어서의 점착제층의 전단 저장 탄성률을 10MPa 이하로 하고, 또한 아크릴계 폴리머로서, FOX의 식을 이용하여 산출한 유리 전이 온도가 -47℃ 이상 5℃ 이하인 것을 사용함으로써, 익스팬드 공정에 있어서, 점착제층에 균열이 생기는 것을 억제할 수 있다는 사실을 알 수 있다.
또한, 점착제층에 균열이 생기는 것을 억제할 수 있음으로써, 커프폭을 균일하게 유지할 수 있다는 사실을 알 수 있다.
1: 기재층
2: 점착제층
3: 다이 본드층
10: 다이싱 테이프
20: 다이싱 다이 본드 필름
C: 중심부의 영역
EP1 내지 EP8: 단부 모서리 근방의 영역
G: 백그라인드 테이프
H: 보유 지지구
J: 흡착 지그
L1 내지 L8: 가상 선분
P: 핀 부재
R: 다이싱 링
S: 공시체
T: 웨이퍼 가공용 테이프
U: 밀어올림 부재
W: 반도체 웨이퍼

Claims (7)

  1. 기재층 위에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,
    상기 다이싱 테이프의 점착제층 위에 적층된 다이 본드층을 구비하고,
    상기 점착제층은, 아크릴계 폴리머를 포함하고,
    상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 9 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 15몰％ 이상 포함하고 있으며,
    온도 -15℃에 있어서의 상기 점착제층의 전단 저장 탄성률이 10MPa 이하이고,
    FOX의 식을 이용하여 산출한 상기 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도가 -47℃ 이상 5℃ 이하인
    다이싱 다이 본드 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다이싱 테이프의 두께가 50㎛ 이상 250㎛ 이하인
    다이싱 다이 본드 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 다이싱 테이프의 25％ 인장 강도가 2N/10㎜ 이상 50N/10㎜ 이하인
    다이싱 다이 본드 필름.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기재층과 상기 점착제층의 180°필 강도가, 상온에 있어서, 1.0N/20㎜ 이상인
    다이싱 다이 본드 필름.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 아크릴계 폴리머는, 탄소수 9 이상의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함하고,
    상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트는, 40몰％ 미만 포함되어 있는
    다이싱 다이 본드 필름.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 다이싱 테이프는, 온도 -15℃에 있어서, 인장 속도 1000㎜/min으로 200％ 신장했을 때, 상기 점착제층에 균열이 생기지 않는
    다이싱 다이 본드 필름.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    반도체 웨이퍼를 다이싱하기 위해서 사용되는
    다이싱 다이 본드 필름.
KR1020220037081A 2021-05-19 2022-03-25 다이싱 다이 본드 필름 KR20220156744A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021084893A JP2022178249A (ja) 2021-05-19 2021-05-19 ダイシングダイボンドフィルム
JPJP-P-2021-084893 2021-05-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220156744A true KR20220156744A (ko) 2022-11-28

Family

ID=84060323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220037081A KR20220156744A (ko) 2021-05-19 2022-03-25 다이싱 다이 본드 필름

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2022178249A (ko)
KR (1) KR20220156744A (ko)
CN (1) CN115368836A (ko)
TW (1) TW202246437A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019009203A (ja) 2017-06-22 2019-01-17 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019009203A (ja) 2017-06-22 2019-01-17 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム

Also Published As

Publication number Publication date
CN115368836A (zh) 2022-11-22
TW202246437A (zh) 2022-12-01
JP2022178249A (ja) 2022-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI769242B (zh) 切晶黏晶膜
TWI789409B (zh) 黏晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置製造方法
TW202035605A (zh) 接著膜、附有切晶帶之接著膜、及半導體裝置製造方法
JP7328807B2 (ja) ダイシングテープ、及び、ダイシングダイボンドフィルム
JP7349261B2 (ja) ダイシングテープ、及び、ダイシングダイボンドフィルム
KR20220156744A (ko) 다이싱 다이 본드 필름
KR20220156745A (ko) 다이싱 다이 본드 필름
JP7417369B2 (ja) ダイシングダイボンドフィルム
TWI825285B (zh) 附有接著膜之切晶帶
JP2023129278A (ja) ダイシングダイボンドフィルム
JP7430039B2 (ja) ダイシングテープ、及び、ダイシングダイボンドフィルム
JP7229815B2 (ja) 熱硬化性粘接着フィルム、半導体プロセスシート、および半導体パッケージ製造方法
JP7389556B2 (ja) ダイシングダイボンドフィルム
TW202342671A (zh) 切晶黏晶膜
KR20210078416A (ko) 다이 본드 시트 및 다이싱 다이 본드 필름
KR20210001960A (ko) 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름
KR20210055602A (ko) 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름
KR20210055603A (ko) 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름
JP2023092918A (ja) ダイシングダイボンドフィルム
JP2022178221A (ja) ダイシングダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
CN112080217A (zh) 切割带及切割芯片接合薄膜
JP2023012204A (ja) 熱硬化型樹脂シート、及び、ダイシングダイボンドフィルム
CN112778923A (zh) 切割带和切割芯片接合薄膜
TW202028392A (zh) 切晶黏晶膜