CN104271694B - 带粘接性树脂层的片和半导体装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

[课题]提供一种在保持了芯片状部件的整齐性（整列性）的情况下能够转印芯片状部件的带粘接性树脂层的片。另外，提供一种使用了该片的半导体装置的制造方法。[解决手段]本发明的带粘接性树脂层的片包含基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层，以70℃加热1分钟后的基材的MD方向和CD方向的收缩率为‑0.5~0.5%，基材的硬挺度为80mm以上。

Description

带粘接性树脂层的片和半导体装置的制造方法

技术领域

本发明涉及在拾取芯片状部件（半导体芯片）的工序、或者拾取芯片状部件且将芯片状部件小片接合（die bonding）至有机基板、引线框及其它芯片状部件等的工序中使用时特别适合的带粘接性树脂层的片。另外，本发明涉及使用了该片的半导体装置的制造方法。

背景技术

信息终端设备的薄型化、小型化、多功能化正在快速发展，对搭载于它们的半导体装置也同样地要求薄型化、高密度化。尤其是，对于存储芯片而言，通过将硅晶圆减薄加工至极限并进行多层层叠化，从而进行了高容量化。

对应于这种半导体装置的趋势，在半导体加工工艺中，晶圆的极薄加工方法成为重点，考量·评价了各种薄型化加工方法。作为这种薄型化加工方法，公开了从晶圆表面侧形成规定深度的槽后，从其背面侧进行研削来制造半导体芯片的方法。这样的工艺也被称为“超薄芯片封装解决法（先ダイシング法）”。

对于超薄芯片封装解决法而言，晶圆表面贴附有保护片，在晶圆的背面研削过程中，晶圆进行芯片化。因此，为了防止研削时的洗涤水浸入至芯片间，需要的是，所使用的保护片的在晶圆表面上的贴附性优异。像这样，为了贴附于晶圆的电路面而提高保护片的粘合性时，存在剥离后的电路面的粘合剂残渣变多的倾向，因此在超薄芯片封装解决法中，尤其是需要抑制粘合剂残渣的产生。

专利文献1中公开了：为了抑制超薄芯片封装解决法中产生粘合剂残渣，使用具有特定的能量射线固化型粘合剂层的粘合片。

另外，作为抑制超薄芯片封装解决法中产生粘合剂残渣的其它方法，还存在通过加热工序使保护片的粘合性降低来剥离保护片的方法。在剥离保护片时，将由用于转粘芯片的芯片粘接用粘接剂层与基材构成的粘接片、由用于进行拾取的粘合剂层与基材构成的粘合片贴附于与贴附有保护片的面相反的面上。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2009-138183号公报。

发明内容

发明要解决的课题

然而，在用于剥离保护片的加热工序中，粘接片或粘合片与保护片一起被加热，有时粘接片或粘合片中的基材会收缩。伴随着基材的收缩，该片的粘接剂层、粘合剂层也会变形，难以保持芯片的整齐性。其结果，有时芯片彼此接触而导致芯片损伤、芯片的拾取性降低。

进而，在剥离保护片时要贴附的是粘接片的情况下，有时采取使芯片粘接用粘接剂通过加热而软化从而贴附于芯片的方法，因此有时会产生与加热上述保护片的情况相同的问题。

本发明是鉴于上述那样的状况而进行的，其目的在于，提供在保持了芯片状部件的整齐性的情况下能够转印芯片状部件的带粘接性树脂层的片。另外，其目的在于，提供使用了该片的半导体装置的制造方法。

用于解决问题的手段

本发明的主旨如下所示。

〔1〕带粘接性树脂层的片，其包含基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层，

以70℃加热1分钟后的基材的MD方向和CD方向的收缩率为-0.5~0.5%，

基材的硬挺度为80mm以上。

〔2〕根据〔1〕所述的带粘接性树脂层的片，其中，基材的杨氏模量与基材的厚度之积为1.0×10⁵N/m以下。

〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的带粘接性树脂层的片，其中，基材是包含低密度聚乙烯膜与聚丙烯膜的层叠体。

〔4〕根据〔1〕~〔3〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片，其中，基材是将低密度聚乙烯膜、聚丙烯膜以及低密度聚乙烯膜依次层叠而成的层叠体。

〔5〕根据〔1〕~〔4〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片，其中，粘接性树脂层为树脂膜形成层。

〔6〕根据〔5〕所述的带粘接性树脂层的片，其中，树脂膜形成层包含粘结剂聚合物成分（A）和固化性成分（B）。

〔7〕根据〔5〕或〔6〕所述的带粘接性树脂层的片，其中，树脂膜形成层具有热粘接性。

〔8〕根据〔5〕~〔7〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片，其中，树脂膜形成层借助再剥离性粘合剂层而层叠在基材上。

〔9〕根据〔1〕~〔4〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片，其中，粘接性树脂层为压敏胶粘剂层。

〔10〕半导体装置的制造方法，其包括如下工序：

在上述〔1〕~〔9〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层上贴附芯片状部件的工序；以及

拾取该芯片状部件的工序。

〔11〕半导体装置的制造方法，其包括如下工序：

在上述〔5〕~〔8〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层上贴附芯片状部件的工序；

使该粘接性树脂层粘固残留于该芯片状部件的背面而从基材上剥离的工序；以及

将该芯片状部件借助该粘接性树脂层载置在裸片焊盘（ダイパッド）部上或其它芯片状部件上的工序。

发明的效果

根据本发明的带粘接性树脂层的片，在保持了芯片状部件的整齐性的情况下能够转印芯片状部件。另外，本发明的带粘接性树脂层的片具有优异的扩展性。其结果，芯片状部件的拾取性优异。另外，通过扩展而能够将粘接性树脂层容易地分割至芯片状部件大小，因此能够简便地获得背面具有粘接性树脂层的芯片状部件、能够使半导体装置的制造工序简化。

具体实施方式

以下，针对本发明，包括其最佳实施方式在内进一步具体地说明。本发明所述的带粘接性树脂层的片具有基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层。

（基材）

本发明的基材中，以70℃加热1分钟后的基材的MD方向（流线方向）和CD方向（宽度方向）的收缩率为-0.5~0.5%、优选为-0.4~0.4%、更优选为-0.3~0.3%。以70℃加热1分钟后的基材的收缩率是利用热机械分析装置测得的特性值，具体而言，通过后述实施例中记载的步骤来测定。

本发明的带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层贴附有芯片状部件（例如，进行了芯片化的半导体晶圆等），其后被拾取。将粘接性树脂层贴附于芯片状部件时，有时使粘接性树脂层通过加热而软化，从而来实现对芯片状部件的贴附性的提高。具体而言，伴随着加热的贴附工序通常以40~90℃来进行。

另外，芯片状部件在贴附于切割胶带、表面保护片等芯片状部件工序用支撑体的状态下进行单片化，因此将粘接性树脂层贴附于芯片状部件时，还借助芯片状部件在粘接性树脂层上贴附芯片状部件工序用支撑体。芯片状部件工序用支撑体需要在进行后述工序（例如拾取工序）的基础上进行剥离，因此，有时一边加热（40~90℃）芯片状部件工序用支撑体，一边降低芯片状部件工序用支撑体与芯片状部件的粘合力。在该工序中，加热的对象是芯片状部件工序用支撑体，但热还会借助芯片状部件而传递至带粘接性树脂层的片。

基材的收缩率不足-0.5%时、或超过0.5%时，随着由加热而导致的基材变形，粘接性树脂层也会变形，贴附于粘接性树脂层的芯片状部件的整齐性会降低。因此，有时会产生由芯片状部件的拾取工序中的位置识别错误而引起的拾取不良、或者芯片状部件彼此的接触危险、或者在其它后述工序中产生不良情况。通过将基材的收缩率控制在上述范围，即使在粘接性树脂层上贴附芯片状部件时、将芯片状部件工序用支撑体与芯片状部件进行剥离时经由加热工序，基材的收缩也受到抑制、能够保持芯片状部件的整齐性。其结果，能够防止由后述拾取工序中的芯片位置偏离而引起的拾取不良等。

另外，基材的硬挺度为80mm以上、优选为90mm以上、更优选为95~120mm。基材的硬挺度不足80mm时，芯片状部件的拾取性会降低。通过使基材的硬挺度为上述范围，芯片状部件的拾取性优异。

另外，基材的杨氏模量与基材的厚度之积优选为1.0×10⁵N/m以下、更优选为5.0×10⁴N/m以下、进一步优选为6.0×10³~4.0×10⁴N/m。通过使基材的杨氏模量与基材的厚度之积在上述范围，基材的扩展性变得良好。另外，将本发明的带粘接性树脂层的片贴附于芯片状部件时，对带粘接性树脂层的片产生的应力受到抑制、芯片状部件的整齐性提高。

此处，基材的杨氏模量优选为80~800MPa、更优选为100~500MPa、进一步优选为150~500MPa。另外，基材的厚度优选为40~200μm、更优选为50~175μm、进一步优选为60~150μm。本发明的基材优选考虑其杨氏模量和厚度来适当选择，以使基材的杨氏模量与基材的厚度之积达到上述范围。例如，如后所述，在基材是包含低密度聚乙烯膜（LDPE）与聚丙烯膜（PP）的层叠体的情况下，通过使用于制造聚丙烯膜的树脂中含有软质化成分，能够获得上述物性的基材。

作为软质化成分，可列举出例如乙烯基芳香族烃-共轭二烯烃共聚物及其加氢物，优选为乙烯基芳香族烃-共轭二烯烃共聚物的加氢物。

乙烯基芳香族烃是指具有至少1个乙烯基的芳香族烃，可列举出例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯、二乙烯基苯、1,1-二苯基乙烯、N,N-二甲基对氨基乙基苯乙烯、N,N-二乙基对氨基乙基苯乙烯等。它们可以一种单独使用或者混合两种以上使用。这些之中，优选为苯乙烯。

另外，共轭二烯烃是指具有一对共轭双键的二烯烃，可列举出例如1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-丁二烯（异戊二烯）、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯、2-甲基-1,3-戊二烯、1,3-己二烯等。它们可以一种单独使用或者混合两种以上使用。这些之中，优选为丁二烯。

用于制造聚丙烯膜的树脂中的软质化成分的含有比例优选为10~30质量%。

本发明的带粘接性树脂层的片中可使用的基材只要满足上述物性就没有特别限定，例如优选是包含低密度聚乙烯膜与聚丙烯膜的层叠体，更优选是低密度聚乙烯膜与聚丙烯膜与低密度聚乙烯膜依次层叠而成的层叠体。

低密度聚乙烯膜的柔软性优异，但因热导致的收缩率大。另一方面，聚丙烯膜的由热导致的收缩率小，但柔软性差。因此，通过使低密度聚乙烯膜与聚丙烯膜进行层叠，能够获得柔软性优异、由热导致的收缩率小的基材，能够将基材的收缩率和硬挺度调整至上述范围。另外，能够提高芯片状部件的拾取性，因此优选在柔软性优异的低密度聚乙烯膜侧设置粘接性树脂层。另外，通过将低密度聚乙烯膜与聚丙烯膜与低密度聚乙烯膜依次层叠，能够防止基材的卷取，因此处理性优异。

低密度聚乙烯膜的总厚与聚丙烯膜的总厚的比率优选为5:95~40:60、更优选为10:90~32.5:67.5。通过制成上述比率，容易使基材的收缩率和硬挺度在上述范围。

另外，为了提高基材的与粘接性树脂层接触的面的湿润性，也可以实施电晕处理或者设置底漆层等其它层。

（粘接性树脂层）

本发明的粘接性树脂层优选为树脂膜形成层或者压敏胶粘剂层。利用树脂膜形成层来形成粘接性树脂层时，可以将本发明的带粘接性树脂层的片用作拾取·小片接合片、拾取·保护膜形成用片。另外，利用压敏胶粘剂层来形成粘接性树脂层时，可以将本发明的带粘接性树脂层的片用作拾取片。关于本发明的带粘接性树脂层的片的具体使用方法，在后述的半导体装置的制造方法中详细叙述。

（树脂膜形成层）

树脂膜形成层是用于从基材上剥离而在被粘接物上形成树脂膜的层，具体而言，优选包含粘结剂聚合物成分（A）和固化性成分（B）。需要说明的是，在树脂膜形成层中，为了改善各种物性，根据需要也可以配混其它成分。以下，针对这些成分进行说明。

（A）粘结剂聚合物成分

为了对树脂膜形成层赋予充分的粘接性和造膜性（片形成性），可以使用粘结剂聚合物成分（A）。作为粘结剂聚合物成分（A），可以使用以往公知的丙烯酸类聚合物、聚酯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸类聚氨酯树脂、有机硅树脂、苯氧基树脂、橡胶系聚合物等。

粘结剂聚合物成分（A）的重均分子量（Mw）优选为1万~200万、更优选为10万~150万。粘结剂聚合物成分（A）的重均分子量过低时，有时树脂膜形成层与基材的剥离力变高、产生树脂膜形成层的转印不良，过高时，有时树脂膜形成层的粘接性降低、无法转印至芯片状部件等，或者在转印后树脂膜形成层从芯片状部件等上剥离。

作为粘结剂聚合物成分（A），优选使用丙烯酸类聚合物。丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度（Tg）优选为-60~50℃、进一步优选为-50~40℃、特别优选为-40~30℃的范围。丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度过低时，有时树脂膜形成层与基材的剥离力变大、产生树脂膜形成层的转印不良，过高时，有时树脂膜形成层的粘接性降低、无法转印至芯片状部件等，或者转印后树脂膜形成层从芯片等上剥离。

作为构成上述丙烯酸类聚合物的单体，可列举出（甲基）丙烯酸酯单体或其衍生物。例如，烷基的碳原子数为1~18的（甲基）丙烯酸烷基酯，具体而言，可列举出（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯等；具有环状骨架的（甲基）丙烯酸酯，具体而言，可列举出（甲基）丙烯酸环烷基酯、（甲基）丙烯酸苄基酯、（甲基）丙烯酸异冰片酯、（甲基）丙烯酸双环戊酯、（甲基）丙烯酸双环戊烯酯、（甲基）丙烯酸双环戊烯氧乙基酯、酰亚胺（甲基）丙烯酸酯等；具有羟基的（甲基）丙烯酸酯，具体而言，可列举出（甲基）丙烯酸2-羟乙酯、（甲基）丙烯酸2-羟丙酯等；除此之外，可列举出具有环氧基的（甲基）丙烯酸缩水甘油酯等。这些之中，将具有羟基的单体聚合而得到的丙烯酸类聚合物的与后述固化性成分（B）的相容性良好，故而优选。另外，上述丙烯酸类聚合物可以共聚有丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、醋酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等。

另外，作为粘结剂聚合物成分（A），还可以配混有热塑性树脂。热塑性树脂是除了丙烯酸类聚合物之外的聚合物，是为了保持固化后的树脂膜形成层的挠性而配混的。作为热塑性树脂，重均分子量优选为1000~10万、进一步优选为3000~8万。通过含有上述范围的热塑性树脂，能够容易地进行向芯片状部件转印树脂膜形成层时的基材与树脂膜形成层的层间剥离，进而能够抑制树脂膜形成层追随至转印面而发生空隙等。

热塑性树脂的玻璃化转变温度优选为-30~150℃、进一步优选为-20~120℃的范围。热塑性树脂的玻璃化转变温度过低时，有时树脂膜形成层与基材的剥离力变大、产生树脂膜形成层的转印不良，过高时，树脂膜形成层与芯片状部件的粘接力有可能变得不充分。

作为热塑性树脂，可列举出聚酯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸类聚氨酯树脂、苯氧基树脂、有机硅树脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。它们可以一种单独使用或者混合两种以上使用。

含有热塑性树脂时，以相对于粘结剂聚合物成分（A）的合计100质量份通常为1~60质量份、优选为1~30质量份的比例来包含。通过使热塑性树脂的含量在该范围，能够获得上述的效果。

另外，作为粘结剂聚合物成分（A），也可以使用侧链具有能量射线聚合性基团的聚合物。作为能量射线聚合性基团，只要具有与后述能量射线聚合性化合物所含有的能量射线聚合性官能团相同的基团即可。作为侧链具有能量射线聚合性基团的聚合物，可列举出例如使侧链具有反应性官能团X的聚合物与具有能够与反应性官能团X反应的官能团Y和能量射线聚合性基团的低分子化合物发生反应从而制备的聚合物。

（B）固化性成分

固化性成分（B）可以使用热固性成分和热固化剂、或者能量射线聚合性化合物。另外，也可以将它们组合使用。作为热固性成分，例如优选为环氧树脂。

作为环氧树脂，可以使用现有公知的环氧树脂。作为环氧树脂，具体而言，可列举出多官能系环氧树脂、联苯化合物、双酚A二缩水甘油醚或其加氢物、邻甲酚酚醛清漆环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等分子中具有2官能以上的环氧化合物。它们可以一种单独使用或者组合两种以上使用。

作为固化性成分（B）而使用热固性成分和热固化剂时，树脂膜形成层中，相对于粘结剂聚合物成分（A）100质量份，热固性成分优选包含1~1500质量份、更优选包含3~1200质量份。热固性成分的含量不足1质量份时，有时无法获得充分的粘接性，超过1500质量份时，有时树脂膜形成层与基材的剥离力变高、发生树脂膜形成层的转印不良。

热固化剂作为相对于热固性成分、尤其是环氧树脂的固化剂而起作用。作为优选的热固化剂，可列举出1分子中具有2个以上可与环氧基反应的官能团的化合物。作为其官能团，可列举出酚性羟基、醇性羟基、氨基、羧基以及酸酐等。这些之中，可优选地列举出酚性羟基、氨基、酸酐等，可进一步优选地列举出酚性羟基、氨基。可进一步优选地列举出酚性羟基、氨基。

作为酚系固化剂的具体例，可列举出多官能系酚树脂、联苯酚、酚醛清漆型酚树脂、双环戊二烯系酚树脂、Xyloc型酚树脂（ザイロック型フェノール樹脂）、芳烷基酚树脂。作为胺系固化剂的具体例，可列举出DICY（双氰胺）。它们可以一种单独使用或者混合两种以上使用。

热固化剂的含量相对于热固性成分100质量份优选为0.1~500质量份、更优选为1~200质量份。热固化剂的含量少时，有时固化不足而无法获得粘接性，过量时，有时树脂膜形成层的吸湿率提高、半导体装置的可靠性降低。

能量射线聚合性化合物包含能量射线聚合性基团，受到紫外线、电子束等能量射线的照射时会聚合固化。作为这样的能量射线聚合性化合物，具体而言，可列举出三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或者1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、寡酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯系低聚物、环氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯以及衣康酸低聚物等丙烯酸酯系化合物。这样的化合物在分子内具有至少1个聚合性双键，重均分子量通常为100~30000、优选为300~10000左右。作为固化性成分（B）而使用能量射线聚合性化合物时，树脂膜形成层中，相对于粘结剂聚合物成分（A）100质量份，能量射线聚合性化合物优选包含1~1500质量份、更优选包含3~1200质量份。

其它成分

树脂膜形成层中，除了上述粘结剂聚合物成分（A）和固化性成分（B）之外，还可以包含下述成分。

（C）着色剂

树脂膜形成层中可以配混着色剂（C）。通过配混着色剂，将半导体装置组装至机器中时，能够防止由周围装置发出的红外线等导致的半导体装置的误运行。作为着色剂，可以使用有机或无机的颜料和染料。这些之中，从电磁波、红外线遮蔽性的观点出发，优选为黑色颜料。作为黑色颜料，可以使用炭黑、氧化铁、二氧化锰、苯胺黑、活性炭等，但不限定于它们。从提高半导体装置的可靠性的观点出发，特别优选为炭黑。着色剂（C）的配混量相对于构成树脂膜形成层的总固体成分100质量份，优选为0.1~35质量份、进一步优选为0.5~25质量份、特别优选为1~15质量份。

（D）固化促进剂

固化促进剂（D）是为了调整树脂膜形成层的固化速度而使用的。尤其是在至少使用热固性成分和热固化剂来作为固化性成分（B）的情况下，将环氧树脂与热固化剂组合使用时可优选使用固化促进剂（D）。

作为优选的固化促进剂，可列举出三乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三（二甲基氨基甲基）苯酚等叔胺类；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类；四苯基磷鎓四苯基硼酸酯、三苯基膦四苯基硼酸酯等四苯基硼盐等。它们可以一种单独使用或者混合两种以上使用。

固化促进剂（D）以相对于热固性成分和热固化剂的合计量100质量份优选为0.01~10质量份、进一步优选为0.1~1质量份的量包含。通过以上述范围的量含有固化促进剂（D），即使暴露在高温高湿下也具有优异的粘接性，即使在暴露于严酷的回流焊条件的情况下，也能够实现高的可靠性。固化促进剂（D）的含量少时，固化不足而无法获得充分的粘接性，过剩时，具有高极性的固化促进剂在高温高湿下在树脂膜形成层中向粘接界面侧移动、发生偏析而使半导体装置的可靠性降低。

（E）偶联剂

偶联剂（E）是一分子中具有会与构成树脂膜形成层的成分所具有的有机反应基团反应的官能团和能够与无机物表面（例如芯片状部件的表面）反应的官能团的化合物，是为了提高相对于树脂膜形成层的芯片状部件的贴附性和粘接性而使用的。作为能够与无机物表面反应的官能团，可列举出烷氧基、乙酰氧基。另外，作为偶联剂（E），优选使用具有与粘结剂聚合物成分（A）、固化性成分（B）等所具有的有机反应基团发生反应的官能团的化合物。作为偶联剂（E），期望为硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂，可列举出γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-（3,4-环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷、γ-（甲基丙烯酰氧基丙基）三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-6-（氨基乙基）-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-6-（氨基乙基）-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-脲基丙基三乙氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、双（3-三乙氧基甲硅烷基丙基）四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。它们可以一种单独使用或者混合两种以上使用。

偶联剂（E）以相对于粘结剂聚合物成分（A）和固化性成分（B）的合计100质量份通常为0.1~20质量份、优选为0.2~10质量份、更优选为0.3~5质量份的比例包含。偶联剂（E）的含量不足0.1质量份时，有可能无法获得上述效果，超过20质量份时，有可能成为漏气的原因。

（F）光聚合引发剂

在树脂膜形成层含有能量射线聚合性化合物来作为固化性成分（B）的情况下，在使用光聚合引发剂（F）时，照射紫外线等能量射线而使能量射线聚合性化合物发生固化。此时，通过使该组合物中含有光聚合引发剂（F），能够减少聚合固化时间和光线照射量。

作为这样的光聚合引发剂（F），具体而言，可列举出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩醛、2,4-二乙基噻吨酮、α-羟基环己基苯基酮、苄基二苯基硫化物、四甲基秋兰姆单硫化物、偶氮双异丁腈、苯偶酰、双苯偶酰、丁二酮、1,2-二苯基甲烷、2-羟基-2-甲基-1-[4-（1-甲基乙烯基）苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦以及β-氯蒽醌等。光聚合引发剂（F）可以一种单独使用或者组合两种以上使用。

关于光聚合引发剂（F）的配混比例，相对于能量射线聚合性化合物100质量份，优选包含0.1~10质量份、更优选包含1~5质量份。不足0.1质量份时，有时因光聚合不足而无法获得满足的转印性，超过10质量份时，有时会生成无助于光聚合的残留物、树脂膜形成层的固化性变得不充分。

（G）无机填充材料

通过在树脂膜形成层中配混无机填充材料（G），能够调整固化后的树脂膜形成层的热膨胀系数，通过相对于芯片状部件使固化后的树脂膜形成层的热膨胀系数最佳化，能够提高半导体装置的可靠性。另外，还能够降低固化后的树脂膜形成层的吸湿率。

作为优选的无机填充材料，可列举出二氧化硅、滑石、碳酸钙、钛白、铁红、碳化硅、氮化硼等粉末；将它们进行球形化而成的珠、单晶纤维以及玻璃纤维等。这些之中，优选为二氧化硅填料。上述无机填充材料（G）可以单独使用或者混合两种以上使用。无机填充材料（G）的含量可以在相对于构成树脂膜形成层的总固体成分100质量份通常为1~80质量份的范围内进行调整。

（H）交联剂

为了调节树脂膜形成层的初始粘接力和凝聚力，也可以添加交联剂。作为交联剂（H），可列举出有机多元异氰酸酯化合物、有机多元亚胺化合物等。

作为有机多元异氰酸酯化合物，可列举出芳香族多元异氰酸酯化合物、脂肪族多元异氰酸酯化合物、脂环族多元异氰酸酯化合物以及这些有机多元异氰酸酯化合物的三聚物、以及使这些有机多元异氰酸酯化合物与多元醇化合物反应而得到的末端异氰酸酯聚氨酯预聚物等。

作为有机多元异氰酸酯化合物，具体而言，可列举出2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二甲基二异氰酸酯、1,4-二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、双环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、双环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、三羟甲基丙烷-甲苯二异氰酸酯加合物以及赖氨酸异氰酸酯。

作为有机多元亚胺化合物，具体而言，可列举出N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双（1-氮丙啶甲酰胺）、三羟甲基丙烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、以及N,N’-甲苯-2,4-双（1-氮丙啶甲酰胺）三乙烯三聚氰胺等。

交联剂（H）可以以相对于粘结剂聚合物成分（A）100质量份通常为0.01~20质量份、优选为0.1~10质量份、更优选为0.5~5质量份的比率来使用。

（I）通用添加剂

树脂膜形成层中，除了上述之外，根据需要还可以配混各种添加剂。作为各种添加剂，可列举出流平剂、增塑剂、抗静电剂、抗氧化剂、离子捕获剂、吸气剂、链转移剂等。

树脂膜形成层优选包含上述那样的各成分，具有粘接性（例如热粘接性、压敏胶粘性）和固化性，在未固化状态下具有暂时保持半导体芯片等芯片状部件的功能。另外，经由固化而最终能够赋予耐冲击性高的固化物，而且剪切强度与剥离强度的平衡也优异，即使在严酷的湿热条件下也能够保持充分的粘接性。

树脂膜形成层优选具有热粘接性。即优选为：在常温下不具有压敏胶粘性，但通过热进行软化而能够粘接于被粘接物。如后所述，在使用了具备树脂膜形成层的带粘接性树脂层的片的半导体装置制造方法中，有时将芯片状部件载置于芯片搭载部后，预先制成假粘接状态而不进行热处理，利用封装体制造中通常进行的树脂密封时的加热而使树脂膜形成层进行固化。在采取这种工艺的情况下，在引线接合工序中，树脂膜形成层成为未固化的状态。树脂膜形成层具有柔软性以达到常温下具有压敏胶粘性的程度时，由于引线接合工序中的冲击，存在进行了假粘接的芯片状部件的位置从芯片搭载部发生偏移的风险。因此，从防止这种不良情况的观点出发，树脂膜形成层优选使用常温下的柔软性低的热粘接性物质。

另外，如后所述，树脂膜形成层借助再剥离性粘合剂层而层叠在基材上的情况下，树脂膜形成层具有压敏胶粘性时，有时会与再剥离性粘合剂层粘接，存在拾取变得困难的倾向，因此也优选树脂膜形成层具有热粘接性。

（压敏胶粘剂层）

带粘接性树脂层的片中的粘接性树脂层可以制成不是为了从基材上剥离的压敏胶粘剂层。

压敏胶粘剂层可利用一直以来公知的各种压敏性粘接剂来形成。作为压敏性粘接剂，不限定于任何粘接剂，可以使用例如橡胶系、丙烯酸系、有机硅系、聚乙烯醚等粘合剂。这些之中，特别优选容易控制粘合力的丙烯酸系粘合剂。这些粘合剂可以一种单独使用或者组合两种以上使用。

丙烯酸系粘合剂以（甲基）丙烯酸酯共聚物作为主剂。作为（甲基）丙烯酸酯共聚物，可列举出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸肉豆蔻酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸环己酯、丙烯酸异冰片酯等酯结构上仅加成烃而成的（甲基）丙烯酸酯中的1种以上单体与根据需要从丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸-2-羟基丙酯、丙烯酸-3-羟基丙酯、丙烯酸-3-羟基丁酯、丙烯酸-4-羟基丁酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸-3-羟基丙酯、甲基丙烯酸-3-羟基丁酯、甲基丙烯酸-4-羟基丁酯等含羟基（甲基）丙烯酸烷基酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸、富马酸等含羧基化合物；醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯；丙烯腈、甲基丙烯腈等含氰基化合物；丙烯酰胺等含酰胺基化合物；苯乙烯、乙烯基吡啶等芳香族化合物等聚合性单体中选择的1种以上单体的共聚物等。需要说明的是，聚合性单体为1种时，不是狭义的共聚物，包括那样的情况在内统称为共聚物。

（甲基）丙烯酸酯共聚物中的、源自在酯结构上仅加成烃而成的（甲基）丙烯酸酯的单元的含有比例优选为10~98质量%、更优选为20~95质量%、进一步优选为50~93质量%。（甲基）丙烯酸酯共聚物的重均分子量优选为10万~250万、更优选为20万~150万、特别优选为30万~100万。需要说明的是，本说明书中，重均分子量是指通过凝胶渗透色谱法测得的标准聚苯乙烯换算的值。

这些（甲基）丙烯酸酯共聚物可以一种单独使用或者组合两种以上使用。另外，优选的是，利用环氧系交联剂、聚异氰酸酯系交联剂、氮丙啶系交联剂、螯合系交联剂等交联剂中的1种以上使（甲基）丙烯酸酯共聚物进行交联而得到的丙烯酸系粘合剂。

作为环氧系交联剂，可列举出（1,3-双（N,N-二缩水甘油基氨基甲基）环己烷、N,N,N’,N’-四缩水甘油基-间苯二甲基二胺、N,N,N’,N’-四缩水甘油基氨基苯基甲烷、三缩水甘油基异氰酸酯、间-N,N-二缩水甘油基氨基苯基缩水甘油基醚、N,N-二缩水甘油基甲苯胺、N,N-二缩水甘油基苯胺、季戊四醇聚缩水甘油醚、1,6-己二醇二缩水甘油醚等。

作为聚异氰酸酯系交联剂，可列举出甲苯二异氰酸酯（TDI）、六亚甲基二异氰酸酯（HMDI）、异佛尔酮二异氰酸酯（IPDI）、苯二甲基二异氰酸酯（XDI）、氢化甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯及其加氢物、聚亚甲基聚苯基聚异氰酸酯、萘-1,5-二异氰酸酯、聚异氰酸酯预聚物、聚羟甲基丙烷改性TDI等。

交联剂可以单独使用一种，也可以组合两种以上使用。交联剂的用量相对于（甲基）丙烯酸酯共聚物100质量份优选为0.01~20质量份。

进而，将带粘接性树脂层的片用作拾取片时，压敏胶粘剂层可以用能够通过能量射线固化、加热发泡、水溶胀等来控制粘接力的粘合剂来形成。能量射线固化型的压敏胶粘剂层可以由一直以来公知的利用γ射线、电子束、紫外线、可见光等能量射线的照射而固化的各种能量射线固化型粘合剂来形成，特别优选使用紫外线固化型粘合剂。

作为能量射线固化型粘合剂，可列举出例如在丙烯酸系粘合剂中混合多官能能量射线固化树脂而成的粘合剂。作为多官能能量射线固化树脂，可列举出具有多个能量射线聚合性官能团的低分子化合物、聚氨酯丙烯酸酯低聚物等。另外，也可以使用包含在侧链具有能量射线聚合性官能团的丙烯酸系共聚物的粘合剂。作为这样的能量射线聚合性官能团，优选为（甲基）丙烯酰基。

本发明中，压敏胶粘剂层的玻璃化转变温度（Tg）优选为-50~10℃、更优选为-25~5℃。压敏胶粘剂层由前述丙烯酸系粘合剂制成时，压敏胶粘剂层的玻璃化转变温度可以通过限制构成前述丙烯酸系粘合剂的单体的种类和聚合比、预测根据情况添加的紫外线固化性化合物、交联剂的影响来控制。需要说明的是，本发明所述的压敏胶粘剂层的玻璃化转变温度（Tg）是基于差示扫描量热计的测定谱图中出现的峰的温度。

（带粘接性树脂层的片）

关于本发明的带粘接性树脂层的片的方式的具体例，首先针对粘接性树脂层为树脂膜形成层的片（第一片）的情况进行说明，合并说明使用了这种片的半导体装置的制造方法。接着，针对粘接性树脂层为压敏胶粘剂层的片（第二片）的情况进行说明。

（第一片）

关于第一片，形成粘接性树脂层（树脂膜形成层）的方法没有特别限定。例如，优选使用将上述各成分以适当比例混合在适当的溶剂中而成的粘接性树脂组合物来形成粘接性树脂层。具体而言，是将粘接性树脂组合物涂布在基材上并干燥而得到的。另外，可以将粘接性树脂组合物涂布在与基材不同的其他工序膜上并干燥来成膜，并将其转印在基材上。需要说明的是，在使用带粘接性树脂层的片之前，为了保护粘接性树脂层，也可以在粘接性树脂层的上表面层叠剥离膜。该剥离膜可使用在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚丙烯膜等塑料材料上涂布有有机硅树脂等剥离剂的膜。

另外，粘接性树脂层可以借助再剥离性粘合剂层而层叠在基材上。再剥离性粘合剂层可使用具有能够剥离粘接性树脂层的程度的粘合力的弱粘合性粘合剂层，也可以使用通过照射能量射线而粘合力降低的能量射线固化性粘合剂层。另外，在使用能量射线固化性再剥离性粘合剂层的情况下，可以对要层叠粘接性树脂层的区域预先进行能量射线照射而使粘合性降低，另一方面，不对其它区域进行能量射线照射，例如以对夹具的粘接作为目的，也可以将粘合力维持得较高。为了仅仅使其它区域不进行能量射线照射，例如可以在与基材的其它区域相应的区域通过印刷等来设置能量射线遮蔽层，从基材侧照射能量射线。再剥离性粘合剂层可以利用一直以来公知的各种粘合剂（例如橡胶系、丙烯酸系、有机硅系、聚氨酯系、乙烯基醚系等通用粘合剂）来形成。再剥离性粘合剂层的厚度没有特别限定，通常为1~50μm、优选为3~20μm。在基材上形成再剥离性粘合剂层的方法与形成上述粘接性树脂层的方法是相同的。

另外，在粘接性树脂层的表面外周部，为了固定环形框（ring frame）等其它夹具，可以另行设置环状的粘合部件（粘合胶带或粘合剂层等）。粘合胶带可以制成粘合剂层/芯材的构成（单面粘合胶带）、粘合剂层/芯材/粘合剂层的构成（双面粘合胶带）。粘合剂层可以利用用于形成上述再剥离性粘合剂层的粘合剂来形成。另外，芯材优选具有耐热性、优选将上述基材用作芯材。

第一片是以能够将上述粘接性树脂层从基材上剥离的形式来形成的。本发明的带粘接性树脂层的片的形状可以呈现带状、标签状等所有形状。

（使用了第一片的半导体装置的制造方法）

接着，针对第一片的利用方法，以将该片适用于半导体装置的制造的情况为例来进行说明。

首先，将单片化至芯片状部件（例如半导体芯片等）的板状部件（例如，半导体晶圆等）贴附于带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层，将该片用环形框进行固定。

板状部件除了半导体晶圆之外，还可列举出发光元件材料板状部件、载置有进行了树脂密封的半导体芯片的基板等。半导体晶圆可以是硅晶圆，另外也可以是镓·砷等化合物半导体晶圆。半导体晶圆的表面形成有电路，电路的形成可以利用包括蚀刻法、剥离法等一直以来通用的方法在内的各种方法来进行。电路通常在半导体晶圆的内周部表面形成为格子状。半导体晶圆的厚度没有特别限定，通常为10~500μm左右。

将半导体晶圆单片化至半导体芯片的方法没有特别限定。作为一例，可列举出如下方法：利用在晶圆的单片化时将切割胶带的周边部利用环形框固定后，使用切片机等旋转圆刀等的公知方法来进行晶圆的单片化的方法等。另外，可以是使用了激光的切割法。另外，也可以是通过由晶圆的表面侧形成规定深度的槽后，从晶圆的背面侧进行研削来将晶圆单片化的超薄芯片封装解决法。另外，也可以是设置对半导体晶圆等的预计要切断部分照射激光而具有易割断性的改性区域，利用扩展来割断该改性区域从而进行切断分离的方法即ステルスダイシング（注册商标）。带粘接性树脂层的片在单片化至芯片状的板状部件上的贴附例如可以通过将利用上述那样的方法进行了单片化的半导体芯片从切割胶带（超薄芯片封装解决的情况下为表面保护片）等芯片状部件工序用支撑体转印到带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层上来进行。此时，在粘接性树脂层具有热粘接性的情况下，通过边加热粘接性树脂层边将粘接性树脂层贴附在芯片状部件上，粘接性树脂层会稳固地粘接于芯片状部件。加热通常在40~90℃的范围内进行。另外，剥离芯片状部件工序用支撑体时，通过边加热边将粘接性树脂层从芯片状部件上剥离，存在作为芯片状部件工序用支撑体中的芯片状部件的固定手段而优选使用的粘合剂能够耐受断裂的倾向，芯片状部件上难以产生粘合剂的残渣。加热通常在40~90℃的范围内进行。

接着，在粘接性树脂层中配混有作为固化性成分（B）的能量射线聚合性化合物时，可以从基材侧向粘接性树脂层照射能量射线，将粘接性树脂层进行预固化，提高粘接性树脂层的凝聚力，从而使粘接性树脂层与基材之间的粘接力降低。需要说明的是，能量射线照射可以在将片贴附于芯片状部件之后、剥离（拾取）芯片状部件之前中的任意段階来进行，例如可以在下述的扩展工序之后进行。进而可以分多次来进行能量射线照射。

接着，进行带粘接性树脂层的片的扩展时，相邻的芯片状部件彼此的间隔扩展、可容易地进行芯片状部件的拾取。扩展优选在-15~5℃的温度下以5~600mm/分钟的速度来进行。由此，粘接性树脂层的塑性降低、要利用扩展而切断的部分的粘接性树脂层变得难以伸长，因此能够较容易地切断粘接性树脂层。通过扩展，粘接性树脂层被切断成与芯片状部件大致相同的尺寸，并且在粘接性树脂层与基材之间产生偏移，粘接性树脂层与基材之间的粘接力减少，芯片状部件的拾取性提高。这样操作来进行芯片状部件的拾取时，可以使所切断的粘接性树脂层粘固残留于芯片状部件的背面而从基材上剥离。

另外，粘接性树脂层也可以在进行扩展工序之前利用激光等物理手段来切断。利用激光来切断粘接性树脂层时，有时由于基材发生了着色等原因而使基材吸收激光的能量，因此通常从与粘接性树脂层的芯片接触的面侧照射激光。这种情况下，芯片的整齐性差时，有时在照射激光时发生不良情况。使用本发明的带粘接性树脂层的片时，即使经由贴附于芯片状部件之后的加热处理、尤其是将芯片状部件从芯片状部件工序用支撑体转印至带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层上的工序中的加热处理，芯片整齐性也难以恶化。因此，基于激光来切断粘接性树脂层时难以发生不良情况。

其后，通过借助粘接性树脂层将芯片状部件载置于引线框的裸片焊盘部上或其它芯片状部件（下段芯片）表面，进行粘接，从而能够制造半导体装置（以下，将搭载芯片状部件的裸片焊盘部或下段芯片表面记载为“芯片搭载部”）。芯片搭载部可以在载置芯片状部件之前进行加热，或者在刚进行载置后进行加热。加热温度通常为80~200℃、优选为100~180℃，加热时间通常为0.1秒~5分钟、优选为0.5秒~3分钟，载置时的压力通常为1kPa~200MPa。

将芯片状部件载置于芯片搭载部后，根据需要还可以进行加热。此时的加热条件为上述加热温度的范围，加热时间通常为1~180分钟、优选为10~120分钟。

另外，可以预先制成假粘接状态而不进行载置后的加热处理，利用封装体制造中通常进行的树脂密封时的加热而使粘接性树脂层固化。通过经由这样的工序，粘接性树脂层会固化，能够将芯片状部件与芯片搭载部稳固地粘接。粘接性树脂层在芯片粘接条件下是流动化的，因此还会充分地填埋芯片搭载部的凹凸，能够防止空隙的发生，封装体的可靠性变高。

采用这样的工艺时，进行引线接合工序时，在将芯片状部件载置至芯片搭载部后，在截止至树脂密封工序的期间进行，在该工序中，粘接性树脂层为假粘接状态，粘接性树脂层的固化性仍然处于潜在的未固化状态。因此，如上所述，粘接性树脂层优选具有热粘接性。

另外，固化了的粘接性树脂层（树脂膜形成层）还可以作为用于保护芯片状部件的背面的保护膜形成层来使用。换言之，将在背面粘固残留有所切断的粘接性树脂层的、从基材上剥离的芯片状部件（带保护膜形成层的芯片状部件）以芯片状部件的表面与芯片搭载部相对的方式搭载于芯片搭载部（面朝下方式）。此时，通常在芯片状部件的表面设置有凸点（电极）。为了搭载芯片状部件，可以另行使用芯片粘接用膜状粘接剂、流动性的粘接剂组合物。

（第二片）

带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层为压敏胶粘剂层时，优选将带粘接性树脂层的片用作拾取片。本发明的带粘接性树脂层的片由于使用上述特异的基材，尤其是在将表面保护片加热并剥离时的芯片整齐性的维持是优异的，另外拾取适应性、扩展适应性是良好的。拾取片被贴附于表面保护片上的芯片时，拾取片具有可防止芯片因表面保护片的剥离而移动、脱落的程度的粘接力。在剥离表面保护片之后，对拾取片上的芯片进行拾取。此时，使用吸头等从拾取片上拾取芯片。另外，压敏胶粘剂层具有能量射线固化性时，通过对压敏胶粘剂层照射能量射线而使粘合力降低，从而使芯片的拾取变得更容易。另外，在拾取芯片时，为了隔开芯片彼此的间隔，优选在芯片被固定于拾取片的状态下对拾取片进行扩展。通过扩展来隔开芯片间隔，芯片的识别变得容易，另外，由芯片彼此的接触而导致的破损也减少，生产率也提高。

（使用了第二片的半导体装置的制造方法）

与第一片同样地说明第二片的利用方法。首先，将在芯片状部件工序用支撑体上整齐排列的、单片化成芯片状部件的板状部件贴附在带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层上。接着，剥离芯片状部件工序用支撑体。通过边加热边将芯片状部件工序用支撑体从芯片状部件上剥离，存在作为芯片状部件工序用支撑体的芯片状部件的固定手段而优选使用的粘合剂可耐受断裂的倾向。因此，芯片状部件上难以产生粘合剂的残渣。加热通常在40~90℃的范围下进行。并且，将该片用环形框进行固定。

使用本发明的带粘接性树脂层的片时，即使经由这样的加热处理，芯片整齐性也难以恶化。因此，芯片彼此的冲突被防止，另外，难以发生由芯片状部件的检测不良导致的拾取工序的不良情况。

接着，将本发明的带粘接性树脂层的片根据需要进行扩展，使各芯片状部件的间隔分隔开。

其后，拾取芯片状部件。芯片状部件的拾取方法没有特别限定，可列举出使用了吸头的拾取方法。

作为使用了吸头的拾取方法，可列举出使用上推针来促进芯片状部件从压敏胶粘剂层上剥离，其后，利用吸头进行拾取的方法。另外，也可以使用小片接合机通过滑块来促进芯片状部件从压敏胶粘剂层上剥离，其后，利用吸头来拾取。

基于吸头的拾取具体而言通过用传感器等检测芯片状部件的位置，左右移动吸头来定位并使其下降，从而吸引各个芯片状部件来拾取。

其后，经由向另行准备的TAB胶带等电子部件实装用膜载体胶带等上进行小片接合（实装）的工序，制造半导体装置。需要说明的是，粘接性树脂层（粘合剂层）具有能量射线固化性时，优选的是，在拾取工序之前，从基材侧向粘接性树脂层照射能量射线，使粘接性树脂层的粘合力降低，从而使芯片容易剥离。

实施例

以下，通过实施例来说明本发明，但本发明不限定于这些实施例。需要说明的是，在以下的实施例和比较例中，各评价如下那样地进行。

<基材的收缩率>

将基材切割成4.5mm×15mm宽度，利用热机械分析装置（BRUKER公司制TMA4000SA）来进行热收缩率的测定。边以2g的恒定载重进行拉伸边进行70℃/1分钟的加热，利用下述计算式来算出热收缩率（%）。

热收缩率=（加热前的基材长度（15mm）-加热后的基材长度）/加热前的基材长度（15mm）×100。

<基材的硬挺度>

基于JIS L1086:1983中记载的45°悬臂法来测定。

<基材的杨氏模量>

对于基材的杨氏模量，使用万能拉伸试验机（ORIENTEC Co.,LTD制造的テンシロンRTA-T-2M），基于JIS K7161:1994在23℃、湿度50%的环境下以200mm/分钟进行测定。

<基材的厚度>

基材的厚度使用定压厚度计（TECLOCK公司制造的PG-02）进行测定。

<芯片整齐性>

（1）进行过超薄芯片封装解决的芯片的制作

对于直径200mm、厚度720μm的进行了镜面研磨的硅晶圆，使用切割装置（DFD-6361、DISCO Corporation制），对晶圆形成切入深度70μm、芯片尺寸5mm×5mm的槽。

接着，将表面保护片（Adwill E-3125KL、Lintec Corporation制）贴附于形成有槽的面上。

其后，使用背面研削装置（DGP-8760、DISCO Corporation制），进行晶圆的背面研削直至厚度达到50μm，将晶圆分割成芯片，得到芯片组。使用紫外线照射装置（RAD-2000m/12、Lintec Corporation制）对其表面保护片面进行紫外线照射（照度220mW/cm²、光量380mJ/cm²）。

（2）带粘接性树脂层的片的贴附与表面保护片的剥离

首先，从实施例或比较例中制作的带粘接性树脂层的片上去除剥离膜（重剥离类型）。

接着，使用胶带贴片机（RAD2700F/12、Lintec Corporation制），以与芯片组成为同心圆的方式，并以带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层与芯片接触、粘合部件与环形框接触的方式分别进行贴附。此时，用于固定芯片的吸附台的温度为50℃，使粘接性树脂层接近该温度而软化。

需要说明的是，进行实施例3的带粘接性树脂层的片的贴附时，以再剥离性粘合剂层接触环形框的方式进行。另外，进行实施例4的带粘接性树脂层的片的贴附时，以粘接性树脂层会接触环形框和芯片的任意者的方式来进行，未进行将夹持台设置为50℃的加热操作。

接着，将贴附于表面保护片上的芯片和环形框的带粘接性树脂层的片搬运至剥离单元，剥离表面保护片。此时，使用于固定带粘接性树脂层的片上贴附的芯片的吸附台的温度为50℃，表面保护片接近该温度而进行加热剥离。

（3）评价

使用全切激光装置（DFL7160、DISCO Corporation制）中的晶圆校准单元，测定扫描方向中相邻芯片的、在与扫描方向垂直的方向上的偏离距离。测定间隔设为在扫描方向上为5mm的间隔，测定全部线路以下述基准进行判定。

A（良好）：偏移距离的最大值的值不足15μm。

B（不良）：偏移距离的最大值的值为15μm以上。

<扩展性>

（1）常温下的扩展

使用紫外线照射装置（Lintec Corporation制、RAD2000m/12），向上述<芯片整齐性>中制作的芯片上贴附的带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层从基材侧照射紫外线（220mW/cm²、120mJ/cm²）。接着，利用全切激光装置（DFL7160、DISCO Corporation制）来切断粘接性树脂层。

接着，使用扩展装置（JCM Co.,Ltd.制、ME-300系列)，在温度23℃、扩展速度50mm/秒、扩展量6mm的条件下，对贴附有芯片的带粘接性树脂层的片进行扩展。利用扩展而能够将片扩展的情况记作“A”，无法将片进行扩展的情况记作“B”。

需要说明的是，关于芯片整齐性的评价为B、在基于激光锯的粘接性树脂层的切断中产生了不良情况的样品，未进行该评价。

（2）冷扩展

使用紫外线照射装置（Lintec Corporation制、RAD2000m/12），向上述<芯片整齐性>中制作的芯片上贴附的带粘接性树脂层的片从基材侧照射紫外线（220mW/cm²、120mJ/cm²）。接着，使用模具分离器（DDS2300、DISCO Corporation制)，在温度0℃、扩展速度200mm/秒、扩展量6mm的条件下，对贴附于芯片的带粘接性树脂层的片进行扩展。利用扩展而能够将片进行扩展的情况记作“A”，无法将片进行扩展的情况记作“B”。

<拾取性>

使用小片接合机（キヤノンマシナリー公司制、Bestem-D02)，从进行上述（1）常温下的扩展的评价后的、贴附于芯片的带粘接性树脂层的片上对芯片进行拾取。关于拾取性，将未发生芯片裂纹或芯片破损而能够将芯片从基材上拾取的情况评价为“A”、将拾取时产生了芯片裂纹或芯片破损的情况评价为“B”、拾取时发生芯片裂纹或芯片破损而无法拾取的情况评价为“C”。通过同样的方法，对于进行上述（2）冷扩展的评价的情况，也进行拾取性的评价。

需要说明的是，关于芯片整齐性的评价为B、在基于激光锯的粘接性树脂层的切断中产生不良情况的样品，未进行本评价。另外，在扩展性的评价中，仅针对能够将片进行扩展的样品来进行本评价。

<粘接性树脂组合物>

（A）粘结剂聚合物成分：由丙烯酸正丁酯55质量份、丙烯酸甲酯10质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯20质量份、以及丙烯酸2-羟基乙酯15质量份形成的丙烯酸类聚合物（重均分子量：90万、玻璃化转变温度：-28℃）/100质量份

（B-1）固体环氧树脂：多官能系环氧树脂（日本化药株式会社制 EPPN-502H）/330质量份

（B-2）液态环氧树脂：含有20质量%丙烯酸类颗粒的双酚A型环氧树脂（株式会社日本触媒制 アクリセットBPA328）/330质量份

（B-3）固化剂：酚醛清漆型酚树脂（昭和高分子株式会社 ショウノールBRG-556）/300质量份

（B-4）能量射线聚合性化合物：双环戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯（日本化药株式会社制 KAYARAD R-684）/150质量份

（D）固化促进剂：咪唑（四国化成工业株式会社制 CUREZOL 2PHZ）/1质量份

（E）硅烷偶联剂（三菱化学株式会社制 MKCシリケートMSEP2）/15质量份

（F）光聚合引发剂：α-羟基环己基苯基酮（Ciba Specialty Chemicals Inc.制IRGACURE 184）/5质量份

（G）无机填充材料：Admatechs Corporation制 アドマファインSC2050/200质量份。

（实施例1）

以上述配混量来配混粘接性树脂组合物的上述各成分。另外，作为剥离膜，准备了单片进行了剥离处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜（Lintec Corporation制 SP-P502010、厚度50μm）。

作为基材，准备了由如下的层形成的层叠体：由低密度聚乙烯形成的层（日本聚乙烯株式会社制 Novatec LC520（密度：0.923g/cm³、MFR：3.6g/10分钟、厚度：8μm））、由聚丙烯形成的层（均聚丙烯树脂（Prime Polymer Co., Ltd.制 プライムポリプロF-300SP（密度：0.90g/cm³、MFR：3.0g/10分钟））与苯乙烯·乙烯丁烯·苯乙烯嵌段共聚物（JSR株式会社制 ダイナロン8601P（密度：0.89g/cm3、MFR：3.5g/10分钟））的混合物、厚度：60μm）、以及由低密度聚乙烯形成的层（除了厚度为12μm之外，与上述相同）。

需要说明的是，原料树脂的MFR是基于JIS K7210:1999在温度190℃（聚乙烯系树脂）、230℃（聚丙烯系树脂）、或者温度230℃（苯乙烯-丁二烯共聚物加氢物）下以21.18N的载重测得的。

在上述剥离膜上以干燥后的厚度达到20μm的方式涂布上述粘接性树脂组合物的甲乙酮溶液（固体浓度为61重量%）并干燥（干燥条件：用烘箱以100℃进行3分钟），在剥离膜上形成粘接性树脂层。将上述粘接性树脂层贴合在上述基材的由厚度8μm的低密度聚乙烯形成的层侧，去除剥离膜，在基材上形成粘接性树脂层，得到带粘接性树脂层的片。

另外，作为芯材，准备了与上述基材相同的层叠体。在轻剥离类型的剥离膜（Lintec Corporation制、商品名SP-PET3801、厚度38μm）的剥离处理面上以干燥膜厚达到5μm的方式涂布强粘合类型的丙烯酸系粘合剂（Lintec Corporation制、PA-T1）并干燥，与上述芯材进行贴合，从而得到单面粘合胶带。

将丙烯酸系粘合剂（丙烯酸正丁酯与丙烯酸的共聚物（丙烯酸正丁酯/丙烯酸=90/10（质量比）、重均分子量：600,000、玻璃化转变温度：-44℃））100质量份、分子量为7000的聚氨酯丙烯酸酯低聚物200质量份、交联剂（异氰酸酯系）10质量份、以及能量射线固化反应引发剂（二苯甲酮系）10质量份进行混合，从而制作了能量射线固化型粘合剂组合物。

接着，将上述能量射线固化型粘合剂组合物涂布在重剥离类型的剥离膜（LintecCorporation制、商品名SP-PET3811、厚度38μm）的剥离处理面上并干燥（90℃、1分钟），得到厚度为5μm的能量射线固化型粘合剂层，贴合于上述单面粘合胶带的芯材侧，从而制作了双面粘合胶带。该双面粘合胶带后续会成为粘合部件，其厚度为90μm。

将从双面粘合胶带的剥离膜（轻剥离类型）至能量射线固化型粘合剂层为止的层，仅残留剥离膜（重剥离类型）而冲裁成直径为220mm的圆形，去除该圆形部分。接着，剥离圆形部分的外周的剥离膜（轻剥离类型），使所露出的强粘合类型的丙烯酸系粘合剂面贴合于上述带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层。

接着，以与之前冲裁的圆形部分成为同心圆的方式，将从基材至能量射线固化型粘合剂层为止的层，仅残留剥离膜（重剥离类型）而冲裁成直径为270mm的圆形，去除其外周部分。这样操作，在带粘接性树脂层的片的外周部设置宽度为25mm的粘合部件。使用该带粘接性树脂层的片，进行各评价。将结果示于表1。需要说明的是，粘接性树脂层在常温下不具有压敏胶粘性，为了比较，在与<芯片整齐性>的评价相同的条件下，不进行加热地在芯片上贴附粘接性树脂层时，由于粘接性树脂层未贴附于芯片，因此无法剥离表面保护片。

（实施例2）

除了使用氯乙烯膜（厚度：80μm）来作为芯材之外，与实施例1同样操作，制作了在外周部设置有粘合部件的带粘接性树脂层的片。将结果示于表1。

（实施例3）

相对于丙烯酸类粘合剂（以丙烯酸正丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、以及丙烯酸2-羟基乙酯作为单体的共聚物，重均分子量：90万、玻璃化转变温度：-59℃)100质量份，作为交联剂而配混芳香族性聚异氰酸酯（日本聚氨酯工业株式会社制 コロネートL）20质量份，从而得到再剥离性粘合剂组合物。

将上述再剥离性粘合剂组合物的甲乙酮溶液（固体成分浓度为30重量%）以干燥后的厚度达到10μm的方式涂布在剥离膜（SP-PET381031、Lintec Corporation制）上并进行干燥（干燥条件：用烘箱以100℃进行1分钟），将其贴合在与实施例1相同的基材的由厚度8μm的低密度聚乙烯形成的层侧，从而在基材上形成再剥离性粘合剂层，去除剥离膜。

在剥离膜（SP-PET3811、Lintec Corporation制）上以干燥后的厚度达到20μm的方式涂布上述粘接性树脂组合物的甲乙酮溶液（固体浓度为61重量%）并进行干燥（干燥条件：用烘箱以100℃进行1分钟），在剥离膜上形成粘接性树脂层，与其它剥离膜（SP-PET3801、Lintec Corporation制）进行贴合。接着，将其它剥离膜和粘接性树脂层，残留剥离膜（上述SP-PET3811）而冲裁成直径为200mm的圆形。留下圆形部分，去除外周部分的其它剥离膜和粘接性树脂层。去除圆形部分的其它剥离膜，使圆形部分的粘接性树脂层露出后，如上所述地与所制作的基材上的再剥离性粘合剂层进行贴合，将基材和再剥离粘合剂层，残留剥离膜而以与粘接性树脂层成为同心圆的方式冲裁成直径为222mm的圆形。最后去除剥离膜而得到带粘接性树脂层的片。将结果示于表1。

（实施例4）

将丙烯酸系粘合剂（丙烯酸正丁酯与丙烯酸的共聚物（丙烯酸正丁酯/丙烯酸=90/10（质量比）、重均分子量：600,000、玻璃化转变温度：-44℃））100质量份、分子量为7000的聚氨酯丙烯酸酯低聚物200质量份、交联剂（异氰酸酯系）10质量份、以及反应引发剂（二苯甲酮系）10质量份进行混合，从而得到能量射线固化型压敏胶粘剂层形成用组合物。在剥离膜（SP-PET381031、Lintec Corporation制）上以干燥后的厚度达到10μm的方式涂布该组合物，以90℃进行1分钟的加热干燥，从而形成压敏胶粘剂层。将剥离膜上的压敏胶粘剂层贴合于与实施例1相同的基材的由厚度8μm的低密度聚乙烯形成的层侧后，去除剥离膜，得到粘接性树脂层为压敏胶粘剂层的带粘接性树脂层的片（粘合片）。将结果示于表1。

（实施例5）

作为基材和芯材，使用了包含如下层的层叠体：分别相同的由低密度聚乙烯形成的层（日本聚乙烯株式会社制 Novatec LC520（密度：0.923g/cm³、MFR：3.6g/10分钟、厚度：10μm））、由聚丙烯形成的层（均聚丙烯树脂（Prime Polymer Co., Ltd.制 プライムポリプロF-300SP（密度：0.90g/cm³、MFR：3.0g/10分钟））：苯乙烯·乙烯丁烯·苯乙烯嵌段共聚物（JSR株式会社制 ダイナロン8601P（密度：0.89g/cm³、MFR：3.5g/10分钟））=70:30（质量比）、厚度：80μm）、以及由低密度聚乙烯形成的层（同上），除此之外，与实施例1同样操作，制作了在外周部设置有粘合部件的带粘接性树脂层的片。将结果示于表1。

（比较例1）

除了使用聚丙烯膜（厚度：100μm、杨氏模量：500MPa）来作为基材之外，与实施例2同样操作，从而制作了在外周部设置有粘合部件的带粘接性树脂层的片。将结果示于表1。

（比较例2）

除了使用低密度聚乙烯膜（厚度：100μm、杨氏模量：150MPa）来作为基材之外，与实施例2同样操作，从而制作了在外周部设置有粘合部件的带粘接性树脂层的片。将结果示于表1。

（比较例3）

除了使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜（厚度：100μm、杨氏模量：4000MPa）来作为基材之外，与实施例2同样操作，从而制作了在外周部设置有粘合部件的带粘接性树脂层的片。将结果示于表1。

（比较例4）

除了使用乙烯-甲基丙烯酸共聚物膜（厚度：80μm、杨氏模量：120MPa）来作为基材之外，与实施例2同样操作，从而制作了在外周部设置有粘合部件的带粘接性树脂层的片。将结果示于表1。

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Claims (9)

1.带粘接性树脂层的片，其包含基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层，

以70℃加热1分钟后的基材的MD方向和CD方向的收缩率为-0.5~0.5%，

基材的硬挺度为80mm以上，

基材的杨氏模量与基材的厚度之积为1.0×10⁵N/m以下，

基材是将低密度聚乙烯膜、聚丙烯膜以及低密度聚乙烯膜依次层叠而成的层叠体。

2.权利要求1所述的带粘接性树脂层的片，其中，粘接性树脂层为树脂膜形成层。

3.权利要求1或2所述的带粘接性树脂层的片，其中，基材是包含低密度聚乙烯膜与聚丙烯膜的层叠体。

4.权利要求2所述的带粘接性树脂层的片，其中，基材是将低密度聚乙烯膜、聚丙烯膜以及低密度聚乙烯膜依次层叠而成的层叠体。

5.权利要求2所述的带粘接性树脂层的片，其中，树脂膜形成层包含粘结剂聚合物成分（A）和固化性成分（B）。

6.权利要求2所述的带粘接性树脂层的片，其中，树脂膜形成层具有热粘接性。

7.权利要求2所述的带粘接性树脂层的片，其中，树脂膜形成层借助再剥离性粘合剂层而层叠在基材上。

8.半导体装置的制造方法，其包括如下工序：

在权利要求2所述的带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层上贴附芯片状部件的工序；

使该粘接性树脂层粘固残留于该芯片状部件的背面而从基材上剥离的工序；以及

将该芯片状部件借助该粘接性树脂层载置在裸片焊盘部上或其它芯片状部件上的工序。

9.半导体装置的制造方法，其包括如下工序：

在权利要求1所述的带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层上贴附芯片状部件的工序；以及

拾取该芯片状部件的工序。