CN104685609B - 带有保护膜形成层的切片及芯片的制造方法 - Google Patents

带有保护膜形成层的切片及芯片的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种带有保护膜形成层的切片，其具备经过预切割的固化性的保护膜形成层，即使在其制造时通过冲刀进行脱模加工，保护膜形成层也不变形。本发明的带有保护膜形成层的切片(10)的特征在于，将固化性的保护膜形成层(4)可剥离地临时粘接于外周部具有粘合部的支撑体(3)的内周部上，且该保护膜形成层在固化前于23℃下的储能模量为0.6～2.5GPa。

Description

带有保护膜形成层的切片及芯片的制造方法
技术领域
本发明涉及在芯片背面形成保护膜，且也可用作切片的带有保护膜形成层的切片，特别是涉及在保护膜形成层的端部没有破坏、变形的带有保护膜形成层的切片。另外，本发明涉及使用了带有保护膜形成层的切片的芯片的制造方法。
背景技术
近年来，使用被称为所谓倒装(face down)方式的安装方法进行了半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片(以下也简称为“芯片”)，将该电极与基板接合。因此，与芯片的电路面相反一侧的面(芯片背面)有时会露出。
该露出的芯片背面有时通过有机膜进行保护。以往，具有由该有机膜形成的保护膜的芯片是利用旋涂法将液态的树脂涂布在晶片背面，并在干燥、固化后将保护膜与晶片一起切割而得到的。然而，该方法的工序数增加，导致产品成本上升。另外，由于如上所述形成的保护膜的厚度精度不充分，因此，有时产品的成品率降低。
为了解决上述问题，在专利文献1(日本特开2010-199543号公报)中公开了一种在切割胶带上叠层预先切割成晶片形状的晶片背面保护膜而成的切割胶带一体型晶片背面保护膜。专利文献1中的晶片背面保护膜的特征在于，其发生了着色，且在23℃下的弹性模量为3GPa以上。背面保护膜的弹性模量高且较硬，因此，在芯片化后的搬运时，可起到抑制或防止保护膜粘附于搬运用的支撑体上的作用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-199543号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，在上述专利文献1的切割胶带一体型晶片背面保护膜中，背面保护膜的弹性模量高且较硬，因此，在制造切割胶带一体型晶片背面保护膜时，有时会导致以下的问题。专利文献1的切割胶带一体型晶片背面保护膜是将预先切割(预切割)成晶片形状的晶片背面保护膜叠层在切割胶带上而成的。在将背面保护膜切割成晶片形状时，使用具备晶片形状的冲裁刃的冲刀进行背面保护膜的脱模。此时，以2片剥离片(称为第1剥离片、第2剥离片)夹持背面保护膜，通过所谓的半切法将背面保护膜切成给定形状，所述半切法是将第2剥离片和背面保护膜完全切断，但未切断第1剥离片。其结果是，在第1剥离片上得到切成晶片形状的背面保护膜，然后，将背面保护膜转印到切割胶带上。为了防止背面保护膜的切割不良，切入至第1剥离片的一部分，使得能可靠地切断背面保护膜。
但是，若作为被切断物的背面保护膜过硬，则由于冲裁刃的切入时及脱离时的冲击，在第1剥离片及第2剥离片与冲裁刃接触的部分有时发生变形、剥离。若在夹持着背面保护膜的第1剥离片、第2剥离片上产生变形、剥离，则背面保护膜自身有时也产生破坏、变形。该变形在剥离片和冲裁刃接触的部分、即脱模后的背面保护膜的端部发生。若背面保护膜的端部发生变形，则背面保护膜容易从芯片上剥离，另外，由于背面保护膜的平面性受损，因此，在激光标识时有可能产生打印精度降低等问题。
本发明是鉴于上述情况而完成的。即，本发明的目的在于提供一种带有保护膜形成层的切片，其具备经过预切割的固化性保护膜形成层，即使在其制造时通过冲刀进行脱模加工，保护膜形成层也没有变形。
解决问题的方法
解决上述课题的本发明包含以下要点。
[1]一种带有保护膜形成层的切片，其由固化性的保护膜形成层可剥离地临时粘接于外周部具有粘合部的支撑体的内周部上而形成，所述保护膜形成层在固化前于23℃下的储能模量为0.6～2.5GPa。
[2]根据[1]所述的带有保护膜形成层的切片，其中，保护膜形成层含有粘合剂聚合物成分及热固化性成分。
[3]根据[2]所述的带有保护膜形成层的切片，其中，粘合剂聚合物成分是玻璃化转变温度为15℃以下的丙烯酸类聚合物。
[4]根据[1]～[3]中任一项所述的带有保护膜形成层的切片，其中，保护膜形成层是冲压加工成给定形状而形成的。
[5]根据[1]～[4]中任一项所述的带有保护膜形成层的切片，其中，保护膜形成层含有着色剂。
[6]一种带有保护膜的芯片的制造方法，该方法包括：将权利要求1～5中任一项所述的带有保护膜形成层的切片的保护膜形成层粘贴于工件上，并按照(1)、(2)、(3)的顺序，(2)、(1)、(3)的顺序，或者(2)、(3)、(1)的顺序进行以下的工序(1)～(3)，
工序(1)：将保护膜形成层固化而得到保护膜的工序；
工序(2)：将工件与保护膜形成层或保护膜切割的工序；
工序(3)：将保护膜形成层或保护膜与支撑体剥离工序。
[7]根据[6]所述的带有保护膜的芯片的制造方法，其中，按照(2)、(3)、(1)的顺序进行工序(1)～(3)。
[8]根据[6]或[7]所述的芯片的制造方法，其中，在所述工序(1)之后的任一工序中，进行下述工序(4)，
工序(4)：在保护膜上进行激光打印的工序。
发明效果
在本发明中，通过在所谓的预切割型的带有保护膜形成层的切片中使该保护膜形成层在固化前于23℃下的储能模量为0.6～2.5GPa，可抑制保护膜形成层预切割时剥离片的变形或剥离，防止保护膜形成层的破坏、变形，所述预切割型的带有保护膜形成层的切片是固化性的保护膜形成层可剥离地临时粘接在外周部具有粘合部的支撑体的内周部而形成的。
附图说明
图1示出了本发明所涉及的带有保护膜形成层的切片的剖面图。
图2示出了本发明所涉及的其它方式的带有保护膜形成层的切片的剖面图。
图3示出了在图1所示的带有保护膜形成层的切片的制造方法的一个例子中，设置在剥离片上的带有保护膜形成层的切片及切片的不需要部分的立体图及剖面图。
图4示出了图3中的A-B线剖面图。
符号说明
1…基材膜
2…粘合剂层
3…支撑体
3’…要除去的粘合片
4…保护膜形成层
5…环状框架
10…带有保护膜形成层的切片
具体实施方式
以下，对于本发明，包括其最佳方式在内更具体地进行说明。图1及图2示出了本发明的带有保护膜形成层的切片的示意剖面图。如图1、图2所示，本发明的带有保护膜形成层的切片10通过将固化性的保护膜形成层4可剥离地临时粘接于在外周部具有粘合部的支撑体3的内周部上而形成。如图1所示，支撑体3是在基材膜1的上表面具有粘合剂层2的粘合片，其构成为：该粘合剂层2的内周部表面被保护膜形成层所覆盖，在外周部露出了粘合部。另外，如图2所示，支撑体3可以是在基材膜1的外周部具有环状的粘合剂层2的结构。此时，粘合剂层2可以是单层的粘合剂，也可以是将双面粘合胶带切割成环状的粘合剂。
保护膜形成层4与粘贴在支撑体3的内周部的工件(半导体晶片等)形成了基本相同形状。在支撑体3的外周部具有粘合部。在优选的方式中，比支撑体3直径小的保护膜形成层4在圆形的支撑体3上叠层为同心圆状。如图示所示，外周部的粘合部用于环状框架5的固定。带有保护膜形成层的切片10可采用长条带状、单张的标签状等各种形状。
(基材膜1)
作为基材膜1，在从支撑体3上剥离保护膜形成层4之后进行保护膜形成层4的热固化时没有特别限定，例如可使用由低密度聚乙烯(LDPE)、直链低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯-丙烯共聚物、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氨酯膜、离聚物等所形成的膜等。另外，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”以包含丙烯酸及甲基丙烯酸两者的含义使用。
另外，在支撑体3上叠层了保护膜形成层4的状态下进行保护膜形成层的热固化时，考虑到支撑体3的耐久性，优选基材膜1具有耐热性，例如可以举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜、聚丙烯、聚甲基戊烯等聚烯烃膜等。另外，也可以使用它们的交联膜或利用放射线/放电等的改性膜。基材膜也可以为上述膜的叠层体。
另外，这些膜也可以叠层2种以上或组合使用。而且，可使用将这些膜着色而成的膜或者实施了印刷的膜等。另外，膜可以是将热塑性树脂通过挤出成型而片材化的膜，也可以是拉伸而成的膜，还可使用将固化性树脂通过给定方法薄膜化，并固化而片材化的膜。
基材膜的厚度没有特别限定，优选为30～300μm，更优选为50～200μm。通过将基材膜的厚度设为上述范围，即使通过切割切入也不易产生基材膜的断裂。另外，由于带有保护膜形成层的切片被赋予了充分的挠性，因此，对于工件(例如半导体晶片等)显示良好的粘贴性。
如图2所示，在基材膜1上直接形成保护膜形成层4时，与支撑体3的保护膜形成层4邻接的面的表面张力优选为40mN/m以下，进一步优选为37mN/m以下，特别优选为35mN/m以下。下限值通常为25mN/m左右。这样的表面张力较低的基材膜可通过适当选择材质而得到，另外，也可以通过在基材膜的表面涂布剥离剂并实施剥离处理而得到。
作为用于剥离处理的剥离剂，可使用醇酸类、聚硅氧烷类、含氟类、不饱和聚酯类、聚烯烃类、蜡类等，特别是醇酸类、聚硅氧烷类、含氟类的剥离剂具有耐热性，因此优选。
为了使用上述剥离剂对基材膜的表面进行剥离处理，可以将剥离剂直接以无溶剂、或者经溶剂稀释或乳液化后，利用凹版涂布机、线棒涂布机、气刀涂布机、辊涂机等进行涂布，将涂布了剥离剂的基材膜置于常温下或加热下，或者通过电子束使其固化，并且通过湿法层压或干法层压、热熔层压、熔融挤出层压、共挤出加工等形成叠层体。
(粘合剂层2)
支撑体3至少在其外周部具有粘合部。优选粘合部具有将环状框架5临时固定在带有保护膜形成层的切片10的外周部的功能，在所需要的工序之后，环状框架5可剥离。因此，粘合剂层2可使用弱粘合性的粘合剂，也可以使用通过能量线照射使粘合力降低的能量线固化型粘合剂。再剥离性粘合剂层可通过现有公知的各种粘合剂(例如橡胶类、丙烯酸类、聚硅氧烷类、聚氨酯类、乙烯基醚类等通用粘合剂、具有表面凹凸的粘合剂、能量线固化型粘合剂、含有热膨胀成分的粘合剂等)形成。
在图2所示的结构中，在基材膜1的外周部形成环状的粘合剂层2作为粘合部。此时，粘合剂层2可以是由上述粘合剂形成的单层粘合剂层，也可以是将含有由上述粘合剂形成的粘合剂层的双面粘合胶带切割成环状的粘合剂层。
另外，如图1所示，支撑体3是在基材膜1的上表面侧整个面具有粘合剂层2的通常结构的粘合片，也可以是该粘合剂层2的内周部表面被保护膜形成层覆盖，且在外周部露出粘合部的结构。在这种情况下，粘合剂层2的外周部被用于上述的环状框架5的固定，保护膜形成层可剥离地叠层在内周部。作为粘合剂层2，与上述同样，可使用弱粘合性的粘合剂，另外，也可以使用能量线固化型粘合剂。
作为弱粘合剂，可优选使用丙烯酸类、聚硅氧烷类。另外，考虑到保护膜形成层的剥离性，粘合剂层2在23℃下对SUS板的粘合力优选为30～120mN/25mm，进一步优选为50～100mN/25mm，更优选为60～90mN/25mm。若该粘合力过低，则保护膜形成层4和粘合剂层2的密合性不足，有时在切割工序中保护膜形成层和粘合剂层发生剥离，并且环状框架脱落。另外，若粘合力过高，则保护膜形成层和粘合剂层过度密合，从而成为拾取不良的原因。
在图1的结构的支撑体中，在使用能量线固化性的再剥离性粘合剂层的情况下，也可对要叠层保护膜形成层的区域预先进行能量线照射，使粘合性降低。此时，其它区域未进行能量线照射，例如，为了粘接到环状框架5上，可以保持高粘合力。要仅对其它区域不进行能量线照射时，例如只要在与基材膜的其它区域对应的区域通过印刷等设置能量线遮蔽层，并从基材膜侧进行能量线照射即可。另外，在图1的结构的支撑体中，为了使基材膜1和粘合剂层2的粘接牢固，可以根据要求在基材膜1的设有粘合剂层2的面上利用喷砂或溶剂处理等实施凹凸化处理、或者实施电晕放电处理、电子束照射、等离子体处理、臭氧/紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等。另外，也可以使用底漆处理。
粘合剂膜的厚度没有特别限定，优选为1～100μm，进一步优选为2～80μm，特别优选为3～50μm。
(保护膜形成层4)
保护膜形成层4可剥离地临时粘接在如上所述的在外周部具有粘合部的支撑体3的内周部。保护膜形成层具有固化性，其特征在于，该保护膜形成层在固化前于23℃下的储能模量为0.6～2.5GPa。在本发明中，固化前在23℃下的储能模量是将频率设为1Hz而测得的值。若固化前的保护膜形成层4的储能模量在上述范围内，则可以抑制在保护膜形成层预切割时剥离片产生变形或剥离，防止保护膜形成层的破坏、变形，提高保护膜的可靠性及激光标识性。另外，通过使储能模量在上述范围内，即使对于作为被粘附物的晶片等也能够以充分的粘接力进行粘贴。另一方面，若保护膜形成层在固化前的储能模量过高，则在保护膜形成层预切割时容易在保护膜形成层上产生破坏或变形，存在保护膜的可靠性或激光标识性降低的隐患。若保护膜形成层在固化前的储能模量过低，则在拾取带有保护膜形成层的芯片时，保护膜形成层有时会变形。
保护膜形成层4在固化前于23℃下的储能模量优选为0.7～2GPa，进一步优选为1～1.8GPa。
保护膜形成层在固化前于23℃下的储能模量只要在上述范围内就没有特别限定，可以为热固化性，也可以为放射线固化性。其中，若考虑耐热性，则特别优选为热固化性。热固化性的保护膜形成层优选含有粘合剂聚合物成分和加热固化性成分，根据要求含有各种添加成分。
(粘合剂聚合物成分)
为了对保护膜形成层赋予充分的粘接性及成膜性(片加工性)，可使用粘合剂聚合物成分。作为粘合剂聚合物成分，可使用现有公知的丙烯酸类聚合物、聚酯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸聚氨酯树脂、聚硅氧烷树脂、橡胶类聚合物、苯氧基树脂等。
粘合剂聚合物成分的重均分子量(Mw)优选为1万～200万，更优选为10万～120万。若粘合剂聚合物成分的重均分子量过低，则保护膜形成层与支撑体的粘合力变高，有时会引起保护膜形成层的转印不良；若过高，则有时保护膜形成层的粘接性降低。
作为粘合剂聚合物成分，可优选使用丙烯酸类聚合物。丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度(Tg)优选在15℃以下，进一步优选在-70～13℃，特别优选在-50～8℃的范围。若丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度过低，则保护膜形成层与支撑体的粘合力变高，有时会引起保护膜形成层的转印不良。若丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度过高，则在保护膜形成层预切割时容易在保护膜形成层上产生破坏或变形，存在保护膜的可靠性或激光标识性降低的隐患。另外，保护膜形成层的粘接性降低，有时会无法转印到芯片等，或者在转印后保护膜有时会从芯片等上剥离。
构成上述丙烯酸类聚合物的单体包含(甲基)丙烯酸酯单体作为必需成分。例如可以举出烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等；还可以举出具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，例如(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、酰亚胺(甲基)丙烯酸酯等；还可以举出具有羟基的(甲基)丙烯酸酯，例如(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、2-丙烯酰氧基乙基琥珀酸等；可以举出具有氨基的(甲基)丙烯酸酯，例如(甲基)丙烯酸单乙基氨基酯等；此外，还可以举出具有环氧基的(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。另外，上述丙烯酸类聚合物可以共聚有丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等。
上述丙烯酸类聚合物可以由具有含活泼氢的基团的单体共聚而成。作为含活泼氢的基团，可以举出：羟基、氨基、羧基等。通过将具有含活泼氢的基团的单体与丙烯酸类聚合物共聚，向丙烯酸类聚合物中导入含活泼氢的基团，因此，可通过下述的交联剂将丙烯酸类聚合物交联。
作为具有含活泼氢的基团的单体，也包含上述的(甲基)丙烯酸酯单体，可以举出：具有羟基的(甲基)丙烯酸酯、N-羟甲基丙烯酰胺、具有氨基的(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸等。其中，通过采用具有羟基的甲基)丙烯酸酯或N-羟甲基丙烯酰胺等具有羟基的单体，向丙烯酸类聚合物中导入羟基，通过使用有机多异氰酸酯化合物作为后面叙述的交联剂，可容易地进行交联，因此优选。
在构成丙烯酸类聚合物的单体的总质量中，具有含活泼氢的基团的单体的质量的比例优选为1～30质量％，更优选为3～25质量％。通过使其在这样的范围，可适度地形成交联结构，易于调整保护膜形成层的储能模量。
为了调节保护膜形成层的储能模量，可利用交联剂交联丙烯酸类聚合物。作为交联剂，可以举出：有机多异氰酸酯化合物、有机多亚胺化合物等。
作为上述有机多异氰酸酯化合物，可以举出：芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物、脂环族多异氰酸酯化合物及这些有机多异氰酸酯化合物的三聚物、以及这些有机多异氰酸酯化合物和多元醇化合物反应而得到的异氰酸酯封端氨基甲酸酯预聚物等。
作为有机多异氰酸酯化合物，例如可以举出：2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯、1,4-苯二亚甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、三羟甲基丙烷加成物甲苯二异氰酸酯及赖氨酸异氰酸酯。
作为上述有机多亚胺化合物，可以举出：N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯及N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)三乙烯三聚氰胺等。
相对于丙烯酸类聚合物100质量份，通常以0.1～1.0质量份的比率使用交联剂，优选以0.3～0.8质量份的比例使用。需要说明的是，以下关于构成保护膜形成层的其它成分的含量，以粘合剂聚合物成分的质量作为基准，在确定其优选范围的情况下，粘合剂聚合物成分的质量中不含源自交联剂的质量。
(固化性成分)
固化性成分没有特别限定，可以为热固化性，也可以为放射线固化性。其中，可特别优选使用固化后的保护膜强度较高的热固化性成分。这样的热固化性成分中，也特别优选使用保护膜强度较高的环氧类热固化树脂。
环氧类热固化树脂用于调整粘接性、固化性。环氧树脂可以为液态，也可以为固体。另外，也可以是在常温下为固体，且在常温和保护膜形成层的粘贴温度(通常为60～90℃左右)之间具有熔点的环氧树脂。作为环氧树脂，可以举出：双酚A二缩水甘油醚或其氢化物、邻甲酚醛环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂或者联苯化合物等在分子中具有2个官能团以上的环氧化合物。这些化合物可以单独使用，或者组合使用2种以上。从控制保护膜形成层固化前的储能模量的观点考虑，对于本发明的保护膜形成层所含有的环氧树脂而言，液态环氧树脂在其总质量中的比例优选为20～80质量％，更优选为25～75质量％。
另外，在使用环氧类热固化树脂的情况下，优选组合使用热固化剂。热固化剂在加热环境下，对于环氧类热固化树脂起到作为固化剂的作用，也被称为热活化型潜伏性环氧树脂固化剂。作为优选的热固化剂，可以举出：在1分子中具有2个以上能够与环氧基反应的官能团的化合物。作为该官能团，可以举出：酚羟基、醇羟基、氨基、羧基及酸酐等。其中，可优选举出酚羟基、氨基、酸酐等，可进一步优选举出酚羟基、氨基。
作为酚类固化剂的具体的例子，可以举出：多官能类酚醛树脂、联苯酚、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯类酚醛树脂、XYLOK型酚醛树脂、芳烷基酚醛树脂。作为胺类固化剂的具体例子，可以举出DICY(双氰胺)。这些化合物可以单独使用1种或者混合使用2种以上。
相对于环氧类热固化树脂100质量份，优选热固化剂的含量为0.1～500质量份，更优选为1～200质量份。若热固化剂的含量较少，则有时因固化不足而导致保护膜的可靠性降低，若过多，则保护膜形成层的吸湿率升高，有时使半导体装置的可靠性降低。
作为可添加于保护膜形成层中的其它成分，例如可以举出以下的物质。
(固化促进剂)
固化促进剂用于调整保护膜形成层的固化速度。对固化促进剂而言，特别是在固化性成分为热固化性成分、且组合使用环氧树脂和热固化剂的情况下优选使用。
作为优选的固化促进剂，可以举出：三乙二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺类；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类；四苯基鏻四苯基硼酸盐、三苯基膦四苯基硼酸盐等四苯基硼盐等。这些可以单独使用1种，或者混合使用2种以上。
相对于热固化性成分100质量份，优选含有固化促进剂0.01～10质量份的量，进一步优选含有0.1～1质量份的量。通过以上述范围的量含有固化促进剂，即使保护膜形成层暴露于高温高湿下，也具有优异的粘接特性，即使在暴露于严酷的回流条件下时，也可以实现高可靠性。若固化促进剂的含量较少，则有时因固化不足而无法得到充分的粘接特性，若过多，则具有高极性的固化促进剂在高温高湿下会在保护膜形成层中向粘接界面一侧移动、偏析，从而降低半导体装置的可靠性。
(着色剂)
在保护膜形成层中可以配合着色剂。通过在保护膜形成层中配合着色剂，可以提高由激光打印刻印于保护膜上的文字、符号等的可见性，并且在将半导体装置装入设备中时，可以防止从周围的装置中产生的红外线等所导致的半导体装置的误动作。作为着色剂，可使用有机或无机的颜料及染料。其中，从电磁波及红外线遮蔽性的方面考虑，优选黑色颜料。作为黑色颜料，可以使用炭黑、氧化铁、二氧化锰、苯胺黑、活性炭等，但并不限定于这些。从提高半导体装置的可靠性的观点考虑，特别优选炭黑。相对于构成保护膜形成层的总固体成分100质量份，优选着色剂的配合量为0.1～35质量份，进一步优选为0.5～25质量份，特别优选为1～15质量份。
(偶联剂)
偶联剂也可以用于提高保护膜形成层对芯片的粘接性、密合性。另外，通过使用偶联剂，可以在不损害将保护膜形成层固化而得到的保护膜的耐热性的情况下提高其耐水性。
作为偶联剂，可优选使用具有与粘合剂聚合物成分、固化性成分等所具有的官能团反应的基团的化合物。作为偶联剂，可以举出：钛酸盐类偶联剂、铝酸盐类偶联剂、硅烷偶联剂，优选硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂，可以举出：γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-脲基丙基三乙氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。这些化合物可以单独使用1种，或者混合使用2种以上。
相对于粘合剂聚合物成分及固化性成分的合计100质量份，通常以0.1～20质量份的比例含有偶联剂，优选含有0.2～10质量份，更优选含有0.3～5质量份。若偶联剂的含量低于0.1质量份，则有可能无法获得上述的效果，若超过20质量份，则有可能成为产生排气的原因。
(无机填充材料)
通过在保护膜形成层中配合无机填充材料，可以调整固化后的保护膜的热膨胀系数，通过将固化后的保护膜的热膨胀系数对于半导体芯片进行优化，可以提高半导体装置的可靠性。另外，还可以降低固化后的保护膜的吸湿率。而且，若保护膜形成层含有无机填充材料，则在对保护膜实施激光标识的情况下，在由激光削去的部分露出无机填充材料，由于反射光漫反射而呈现接近白色的颜色。由此，在保护膜形成层含有着色剂的情况下，在激光标识部分和其它部分可得到对比度差，具有使打印变得清楚的效果。
作为优选的无机填充材料，可以举出二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、氧化铁、碳化硅、氮化硼等的粉末，将它们球形化而得到的珠、单晶纤维及玻璃纤维等。其中，优选二氧化硅填料及氧化铝填料。上述无机填充材料可以单独使用，或者混合使用2种以上。在构成保护膜形成层的总固体成分的质量中，无机填充材料的含量通常可以在1～80质量％的范围内调整。特别是从控制上述保护膜形成层在固化前于23℃下的储能模量的观点考虑，在构成保护膜形成层的总固体成分的质量中，无机填充材料的含量更优选在50～75质量％的范围，进一步优选在60～70质量％的范围。
(通用添加剂)
在保护膜形成层中，除了上述以外，还可以根据需要配合各种添加剂。作为各种添加剂，可以举出增塑剂、防静电剂、抗氧剂、离子捕捉剂等。
(保护膜形成层的储能模量)
如上所述，保护膜形成层的特征在于，具有固化性，且在固化前于23℃下的储能模量为0.6～2.5GPa。保护膜形成层在固化前的储能模量可根据构成保护膜形成层的各成分的种类、性质、添加量进行控制。
例如在提高固化前的储能模量的情况下，可以采用(1)增加保护膜形成层中的无机填充剂的配合量、(2)增加作为固化性成分的环氧类热固化树脂的固体环氧树脂的配合量、(3)提高粘合剂聚合物成分的交联度等方法即可，在降低储能模量的情况下，只要采用与上述相反的处理方法。
(带有保护膜形成层的切片)
带有保护膜形成层的切片通过将保护膜形成层4可剥离地临时粘接于在外周部具有粘合部的支撑体3的内周部上而形成。在图1所示的构成例中，对于带有保护膜形成层的切片10而言，将保护膜形成层4可剥离地叠层在由基材膜1和粘合剂层2构成的支撑体3的内周部，并且在支撑体3的外周部露出了粘合剂层2。在该构成例中，优选比支撑体3直径小的保护膜形成层4在支撑体3的粘合剂层2上可剥离地叠层成同心圆状。
上述结构的带有保护膜形成层的切片10通过露出于支撑体3的外周部的粘合剂层2而粘贴于环状框架5。
另外，在相对于环状框架的粘贴部位(粘合片的外周部中露出的粘合剂层)上还可以另行设置环状的双面胶带或者粘合剂层。双面胶带具有粘合剂层/芯材/粘合剂层的结构，双面胶带中的粘合剂层没有特别限定，例如可使用橡胶类、丙烯酸类、聚硅氧烷类、聚乙烯基醚等粘合剂。在制造下述芯片时，粘合剂层在该外周部粘贴于环状框架。作为双面胶带的芯材，例如可优选使用聚酯膜、聚丙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜、含氟树脂膜、液晶聚合物膜等。
在图2所示的构成例中，在基材膜1的外周部形成环状的粘合剂层2作为粘合部。此时，粘合剂层2可以是由上述粘合剂构成的单层粘合剂层，也可以是将含有由上述粘合剂构成的粘合剂的双面粘合胶带切割成环状的粘合剂层。保护膜形成层4可剥离地叠层在被粘合部围绕的基材膜1的内周部。在该构成例中，优选比支撑体3直径小的保护膜形成层4在支撑体3的基材膜1上可剥离地叠层成同心圆状。
(剥离片)
可以在供使用之前，在带有保护膜形成层的切片上设置用于避免保护膜形成层及粘合部的任一者或其两者的表面与外部接触的剥离片。作为剥离片，例如可使用聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、离聚物树脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜、含氟树脂膜等透明膜。另外，也可以使用它们的交联膜。而且，也可以是它们的叠层膜。另外，可以使用将它们着色而得到的膜、不透明膜等。作为剥离剂，例如可以举出：聚硅氧烷类、含氟类、含有长链烷基的氨基甲酸酯等剥离剂。
剥离片的厚度通常为10～500μm，优选为15～300μm，特别优选为20～250μm左右。另外，带有保护膜形成层的切片的厚度通常为1～500μm，优选为5～300μm，特别优选为10～150μm左右。
(带有保护膜形成层的切片的制造方法)
作为图1所示的带有保护膜形成层的切片的制造方法，可以举出如下所述的方法。首先，在剥离片上形成保护膜形成层。保护膜形成层通过将保护膜形成层用组合物涂布在适当的剥离片上并干燥而得到，所述保护膜形成层组合物通过以适宜的比例在适当的溶剂中混合上述各成分而形成。另外，也可以在剥离片上涂布保护膜形成层用组合物并干燥而进行成膜，将其与另一剥离片贴合，形成被2片剥离片夹持的状态(剥离片/保护膜形成层/剥离片)。在贴合时，也可以将保护膜形成层加热至60～90℃左右。以下，将2片剥离片中的一个称为第1剥离片，将另一个称为第2剥离片。
其次，在2片剥离片夹持着保护膜形成层的状态的情况下，通过冲裁成与粘贴第2剥离片及保护膜形成层的工件(例如半导体晶片等)相同尺寸或大一圈的圆形而脱模，将冲裁成圆形的第2剥离片保护膜形成层的周围去毛边(不需要部分的去除)。在被2片剥离片夹持的保护膜形成层为长条带状体的情况下，可通过冲刀等连续地进行第2剥离片及保护膜形成层的脱模。通过将第2剥离片及保护膜形成层的不需要部分作为一个整体而除去，可连续地剥离不需要部分。在保护膜形成层单独去毛边时，不需要部分有被撕碎或拉长的隐患，但是通过将第2剥离片及保护膜形成层的不要部分作为一个整体而除去，可在不产生这样的问题的情况下去毛边。
在将第2剥离片及保护膜形成层脱模成圆形时，在从冲刀切入的剖面提起时，存在第2剥离片从保护膜形成层剥离或使第2剥离片变形的隐患。另外，还存在第2剥离片及保护膜形成层的必要部分也成为一个整体而从第1剥离片剥离的隐患。这样的剥离片的剥离或变形容易在所脱模的圆形状的端部产生。若为本发明的保护膜形成层，则固化前在23℃下的储能模量在给定的范围内，因此，可抑制这样的主要在所脱模的圆形状的端部产生的剥离片的剥离或变形。接着，从脱模成圆形的第2剥离片/保护膜形成层的表面去除圆形的第2剥离片。
此外，在进行上述的第2剥离片及保护膜形成层的周围的去毛边的工序中，位于外周的不需要的保护膜形成层可以不去毛边而残留下来。即，仅将处于外周的不需要的第2剥离片去毛边。然后，在将脱模成圆形的第2剥离片剥离时，可同时进行位于外周的不需要的保护膜形成层的去毛边。这样的工序通过如下操作进行：粘贴粘合胶带，使得脱模成圆形的第2剥离片和位于外周的不需要的保护膜形成层两者都被覆盖，将第2剥离片及处于外周的不需要的保护膜形成层连同粘合胶带一起剥离。此时，若为本发明的保护膜形成层，则在将上述处于外周的不需要的第2剥离片去毛边时，也可以防止圆形的第2剥离片和保护膜形成层之间的剥离。
如上，得到将圆形的保护膜形成层4叠层在第1剥离片上的叠层片。接着，将圆形的保护膜形成层4与另行准备的上述支撑体3的粘合剂层2贴合，与如图3、图4所示环状框架的粘贴部位的外径对齐，脱模成同心圆状，得到与第1剥离片叠层的图1的结构的带有保护膜形成层的切片。此时，在上述被2片剥离片所夹持的保护膜形成层为长条带状体的情况下，未将第1剥离片脱模而仅将粘合片脱模，将包围脱模的带有保护膜形成层的切片的区域的粘合片3’去毛边，由此可得到在带状的第1剥离片上连续设置的多个带有保护膜形成层的切片。在这种情况下，脱模可以利用冲刀等来进行。另外，去毛边只要至少去除包围保护膜形成层的区域的粘合片3’即可。因此，如图3所示，可以不去除包围保护膜形成层的区域的更外侧区域的粘合片的不需要部分而残留下来。通过如上操作，在带状的第1剥离片上连续设置的多个带有保护膜形成层的切片中，可减少两端的厚度与带有保护膜形成层的切片的所设置部分的厚度之差，降低卷取时不良情况的发生。此时，包围保护膜形成层的区域的要除去的粘合片3’的不需要部分如图3所示结合起来，由此要除去的粘合片3’不会中断，因此，可连续地进行去毛边。
在粘合片的粘合剂层使用能量线固化性的再剥离性粘合剂层的情况下，对叠层了保护膜形成层的区域预先进行能量线照射时，在带有保护膜形成层的切片的制造阶段，可以在贴合粘合片和保护膜形成层之前对粘合剂层照射能量线，使能量线固化性的再剥离性粘合剂层固化，也可以在贴合粘合片和保护膜形成层之后使能量线固化性的再剥离性粘合剂层固化。
最后，通过剥离粘贴于保护膜形成层的第1剥离片，得到本发明的带有保护膜形成层的切片10。需要说明的是，在提供使用带有保护膜形成层的切片之前，第1剥离片可以作为用于避免与表面的外部接触的剥离片(保护片)粘贴着。
作为图2所示的构成例的带有保护膜形成层的切片的制造方法，可以举出如下所述的方法。首先，与上述同样地得到将圆形的保护膜形成层4叠层在第1剥离片上的叠层片。
与其不同，准备在基材膜1上除圆形的区域以外的区域叠层了粘合剂层或双面粘合胶带的叠层片。圆形的区域的直径设为环状框架的内径以下且圆形的保护膜形成层的直径以上。具体而言，在剥离片上涂布粘合剂或形成双面粘合胶带并与其它剥离片贴合。按照使其它剥离片和粘合剂层或双面粘合胶带与环状框架的内径相同或至少比其稍小的方式进行脱模，将所脱模的圆形的其它剥离片及粘合剂层或双面粘合胶带去毛边，另外，去除所脱模的圆形的周围的其它剥离片。由此得到上述叠层片。
接着，在基材膜1上的未设置粘合剂层或双面粘合胶带的圆形的区域上将上述圆形的保护膜形成层转印成同心圆状。此时，可以一边将保护膜形成层加热至60～90℃左右一边进行转印。接着，将由基材膜1至第1剥离片的各结构层构成的叠层体与环状框架的粘贴部位的外径对齐脱模成同心圆状，得到与第1剥离片叠层的图2的结构的带有保护膜形成层的切片。在第1剥离片上叠层了圆形保护膜形成层4的叠层片是在作为带状体的第1剥离片上连续设有多个保护膜形成层的叠层片的情况下，未将第1剥离片脱模而仅将基材膜1及粘合剂层或双面粘合胶带脱模，将包围脱模后的带有保护膜形成层的切片的区域的基材膜1及粘合剂层或双面粘合胶带去毛边，由此可得到连续设置在带状的第1剥离片上的多个带有保护膜形成层的切片。此时，脱模可利用冲刀等来进行。另外，去毛边只要至少去除包围保护膜形成层的区域的基材膜1及粘合剂层或双面粘合胶带即可。因此，可以不去除包围保护膜形成层的区域的更外侧区域的基材膜1及粘合剂层或双面粘合胶带的不需要部分而残留下来。通过如上操作，在带状的第1剥离片上连续设置的多个带有保护膜形成层的切片中，可减少两端的厚度与带有保护膜形成层的切片的所设置部分的厚度之差，降低卷取时不良情况的发生。此时，包围应除去的保护膜形成层的区域的基材膜1及粘合剂层或双面粘合胶带的不需要部分结合起来，由此应除去的粘合片不会中断，因此，可连续地进行去毛边。
(芯片的制造方法)
接着，关于本发明的带有保护膜形成层的切片10的利用方法，以将该片材应用于制造芯片(例如半导体芯片等)的情况为例进行说明。
使用了本发明的带有保护膜形成层的切片的半导体芯片的制造方法的特征在于，在表面形成有电路的半导体晶片(工件)的背面粘贴上述片材的保护膜形成层，按照[(1)、(2)、(3)]、[(2)、(1)、(3)]、或者[(2)、(3)、(1)]的顺序进行以下的工序(1)～(3)，得到在背面具有保护膜的半导体芯片。
工序(1)：将保护膜形成层固化而得到保护膜的工序；
工序(2)：将半导体晶片(工件)与保护膜形成层或保护膜切割的工序；
工序(3)：将保护膜形成层或保护膜与支撑体剥离的工序。
另外，本发明所涉及的半导体芯片的制造方法除上述工序(1)～(3)以外，还含有下述的工序(4)，也可以在上述工序(1)之后的任一工序中进行工序(4)。
工序(4)：在保护膜上进行激光打印的工序。
半导体晶片可以为硅晶片，另外，也可以为镓-砷等化合物的半导体晶片。对晶片表面的电路的形成可通过包含蚀刻法、剥离法等目前被广泛使用的方法在内的各种各样的方法来进行。接着，对半导体晶片的电路面的反面(背面)进行磨削。磨削方法没有特别限定，可以利用研磨机等的公知的方法进行磨削。背面磨削时，为了保护表面的电路，在电路面粘贴被称为表面保护片的粘合片。背面磨削是将(即，表面保护片侧)利用吸盘等固定，将未形成电路的背面侧通过研磨机磨削。晶片磨削后的厚度没有特别限定，通常为20～500μm左右。然后，根据需要去除背面磨削时产生的粉碎层。粉碎层的去除通过化学蚀刻或等离子体蚀刻法等进行。
接着，在半导体晶片的背面粘贴上述带有保护膜形成层的切片的保护膜形成层。然后，按照[(1)、(2)、(3)]、[(2)、(1)、(3)]或[(2)、(3)、(1)]的顺序进行工序(1)～(3)。作为一个例子，对按照[(2)、(3)、(1)]的顺序进行工序(1)～(3)的情况进行说明。需要说明的是，在以下的说明中，在进行(1)工序之后进行(4)工序。
首先，在表面形成有电路的半导体晶片的背面粘贴上述带有保护膜形成层的切片的保护膜形成层。
接着，按每个晶片表面上所形成的电路切割半导体晶片/保护膜形成层/支撑体的叠层体，得到半导体芯片/保护膜形成层/支撑体的叠层体。切割以将晶片和保护膜形成层一起切断的方式进行。根据本发明的带有保护膜形成层的切片，在切割时，支撑体相对于保护膜具有充分的粘合力，因此，能够防止碎裂或芯片飞出，切割适应性优异。切割没有特别限定，作为一个例子，可以举出：在切割晶片时，将支撑体的周边部(支撑体的外周部)利用环状框架固定后，通过使用切割刀等旋转圆形刀刃等公知的方法进行晶片的芯片化的方法等。通过切入支撑体的深度只要将保护膜形成层完全切断即可，优选设为距与保护膜形成层的界面0～30μm。通过减少对基材膜的切入量，可抑制切割刀的摩擦所导致的构成支撑体的粘合剂层或基材膜的熔融、毛边等的产生。
然后，可以将上述支撑体进行扩展。在选择伸展性优异的膜作为本发明中的支撑体的基材膜的情况下，支撑体具有优异的扩展性。将所切割的带有保护膜的半导体芯片利用开口夹等通用装置拾取，由此将保护膜形成层和支撑体剥离。其结果是得到了在背面具有保护膜形成层的半导体芯片(带有保护膜形成层的半导体芯片)。在按照[(2)、(3)、(1)]的顺序进行工序(1)～(3)的情况下，在如上所述的保护膜形成层的固化前进行带有保护膜形成层的芯片的拾取。若为本发明的保护膜形成层，则固化前在23℃下的储能模量在给定的范围内，因此，在拾取时透过支持体并利用针刺入带有保护膜形成层的半导体芯片时，可抑制固化前的保护膜形成层发生变形。
接着，将保护膜形成层固化，在芯片上形成保护膜。其结果是在芯片背面形成了保护膜，与在芯片的背面直接将保护膜用涂布液进行涂布/被膜化的涂层法比较，保护膜的厚度均匀性优异。保护膜形成层的固化可以在最终进行的树脂密封时的加热工序中进行。
接着，优选对固化了的保护膜形成层(保护膜)进行激光打印。激光打印通过激光标识法进行，通过激光光的照射，透过支撑体将保护膜的表面削去，在保护膜上标识件号等。根据本发明的带有保护膜形成层的切片，保护膜的平面性良好，可精度良好地进行标识。
根据这样的本发明的制造方法，可在芯片背面简便地形成厚度均匀性高的保护膜，在切割工序或封装之后不易产生裂纹。另外，根据本发明，与将粘贴了保护膜形成层的晶片重新粘贴于切割胶带进行切割的现有的工序相比，可在不重新粘贴到切割胶带的情况下得到带有保护膜的芯片，可谋求制造工序的简化。而且，可通过将半导体芯片以倒装的方式安装于给定的基台上来制造半导体装置。另外，也可以通过将背面具有保护膜的半导体芯片粘接于晶垫部或其它半导体芯片等其它的部件上(芯片搭载部上)来制造半导体装置。
实施例
以下，通过实施例对本发明进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。需要说明的是，在以下的实施例及比较例中，＜保护膜形成层的储能模量＞、＜冲裁加工性＞、＜保护膜形成层的变形＞如下进行测定、评价。另外，使用了下述＜粘合剂组合物＞、＜保护膜形成层用组合物＞、＜基材膜＞。
＜冲裁加工性＞
将保护膜形成层用组合物以干燥后的厚度为25μm的方式涂布在第1剥离片(SP-PET381031(琳得科株式会社制造))上，在115℃下进行2分钟的干燥，形成保护膜形成层与第1剥离片的叠层片。接着，将第2剥离片(SP-PET381031(琳得科株式会社制造))一边进行70℃的加热一边贴合在保护膜形成层上，制作成具有被第1剥离片和第2剥离片夹持的保护膜形成层的叠层片。使用Tape Mounter RAD3600(琳得科株式会社制造)一边将制作的叠层片的保护膜形成层及第2的剥离片冲裁成圆形，一边去除圆形部的外侧的保护膜形成层及第2剥离片，得到在第1剥离片上脱模成圆形的保护膜形成层及第2剥离片。如上所述，对30片冲裁后的保护膜形成层及第2剥离片进行冲裁加工，通过肉眼观察确认是否产生第2剥离片的浮起、剥离，将1片也未产生浮起或剥离中任一者的情况评价为“A”，将1片以上且9片以下产生浮起或剥离的情况评价为“B”，将10片以上产生浮起或剥离的情况评价为“C”。然后，将保护膜形成层表面的第2剥离片剥离，在露出的保护膜形成层上粘贴作为支撑体的切割胶带，制作成带有保护膜形成层的切片。
<保护膜形成层的储能模量>
将上述带有保护膜形成层的切片的保护膜形成层进行叠层直到总厚度为200μm。然后，将保护膜形成层的叠层体剪裁成150mm×20mm×0.2mm(长×宽×厚度)，利用动态粘弹性测定装置(DMA Q800、TA Instruments公司制造、频率：1Hz、升温速度：3℃/分钟、测定范围：0℃～23℃)进行储能模量的测定。
＜拾取时的保护膜形成层的变形＞
将上述带有保护膜形成层的切片利用层压机(VA-400型、Taisei Laminator公司制造)层压(辊温度70℃、辊速度0.3m/min)于硅晶片(厚度350μm、#2000研磨)。然后，使用切割机(DFD651、DISCO公司制造)切割成10mm×10mm的尺寸(刀具旋转速度35000rpm、刀具进给速度50m/min)，利用半自动扩展装置拉长3mm，进行扩展。然后，利用推拉力计(CPU gaugeMODEL-9500AIKOH ENGINEERING公司制造)拾取带有保护膜形成层的芯片，通过肉眼观察对拾取后的保护膜形成层的变形进行确认。将拾取后保护膜形成层未发生变形的情况设为“A”，将发生了变形的情况设为“B”。
＜粘合剂组合物＞
将构成粘合剂组合物的各成分示于以下。
(A)丙烯酸类聚合物：在构成的全部单体中，含有丙烯酸丁酯95质量％、丙烯酸2-羟基乙酯5质量％，重均分子量为60万。
(B)交联剂：芳香性聚异氰酸酯(日本聚氨酯工业株式会社制造的Coronate L)
获得了相对于丙烯酸类聚合物(A)100质量份(固体成分)加入了交联剂(B)9质量份(固体成分)的浓度为30质量％的乙酸乙酯溶液。将该溶液涂布在剥离膜的实施了硅酮处理的面上，所述剥离膜由进行了聚硅氧烷脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度38μm)所形成，在100℃下加热干燥2分钟，形成厚度10μm的粘合剂层。使用单面照射了电子束的乙烯-甲基丙烯酸共聚物膜(厚度80μm)作为基材，将粘合剂层转印到基材的电子束照射面上，除去剥离膜而得到作为支撑体的切割胶带。
<保护膜形成层>
(丙烯酸类聚合物)
a1：含有丙烯酸甲酯85质量％、丙烯酸2-羟基乙酯15质量％，玻璃化转变温度(Tg)为4℃的丙烯酸类聚合物
a2：含有丙烯酸环己酯65质量％、丙烯酸缩水甘油基甲酯20质量％、丙烯酸2-羟基乙酯15质量％，玻璃化转变温度(Tg)为17℃的丙烯酸类聚合物
a3：含有丙烯酸丁酯55质量％、丙烯酸甲酯10质量％、丙烯酸缩水甘油基甲酯20质量％、丙烯酸2-羟基乙酯15质量％，玻璃化转变温度(Tg)为-28℃的丙烯酸类聚合物
(环氧树脂)
b1：液态双酚A型环氧树脂(环氧当量180-200)60质量％、固体双酚A型环氧树脂(环氧当量800-900)10质量％、二环戊二烯型环氧树脂(环氧当量274-286)30质量％的混合环氧树脂
b2：液态双酚A型环氧树脂(环氧当量180-200)30质量％、固体双酚A型环氧树脂(环氧当量800-900)30质量％、二环戊二烯型环氧树脂(环氧当量274-286)40质量％的混合环氧树脂
(热活化潜伏型环氧树脂固化剂c)
双氰胺(ADEKA公司制造Adeka Hardener 3636AS)
(固化促进剂d)
固化促进剂：2-苯基-4,5-二(羟甲基)咪唑(四国化成工业株式会社制造CUREZOL2PHZ)
(黑色颜料e)
炭黑(三菱化学株式会社制造#MA650、平均粒径28nm)
(硅烷偶联剂)
(f1)γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业株式会社制造KBM-403甲氧基当量12.7mmol/g、分子量236.3)
(f2)γ-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷(信越化学工业株式会社制造KBE-403甲氧基当量8.1mmol/g、分子量278.4)
(f3)低聚物型硅烷偶联剂(信越化学工业株式会社制造X-41-1056甲氧基当量17.1mmol/g、分子量500～1500)
(无机填充剂)
g1：平均粒径3.1μm的无定形二氧化硅填料
g2：平均粒径0.5μm的球形二氧化硅填料
(交联剂h)
甲苯二异氰酸酯类交联剂
制备按表1中记载的配合比含有上述成分的甲乙酮溶液(固体成分浓度61质量％)，作为保护膜形成层用组合物。
(实施例1～4及比较例1～3)
使用按表1中记载的配合比含有上述成分的保护膜形成层用组合物制作成带有保护膜形成层的切片，对各种物性进行了评价。将结果示于表2。
[表1]
[表2]
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 比较例1 比较例2 比较例3
丙烯酸类聚合物的Tg(℃) 4 4 17 -28 4 4 4
储能模量(GPa) 0.7 2.5 0.6 0.7 0.5 0.4 3
冲裁加工性 A A B A A A C
拾取时的变形 A A A A B B A
根据表2的结果，在保护膜形成层的储能模量为0.6～2.5GPa的情况下，冲裁加工性、变形性均良好。保护膜形成层的储能模量低于0.6的切片在拾取工序中保护膜形成层发生变形，3.0GPa以上的切片冲压加工性不好。
确认到根据本发明的带有保护膜形成层的切片具有兼备冲裁加工性和拾取适应性的优异性能。

Claims (6)

1.一种带有保护膜形成层的切片，其由固化性的保护膜形成层可剥离地临时粘接于外周部具有粘合部的支撑体的内周部上而形成，
保护膜形成层含有粘合剂聚合物成分及加热固化性成分，且粘合剂聚合物成分是玻璃化转变温度为-50℃以上且15℃以下的丙烯酸类聚合物，
所述保护膜形成层在固化前于23℃下的储能模量为0.7～2.5GPa。
2.根据权利要求1所述的带有保护膜形成层的切片，其中，保护膜形成层是冲裁加工成给定形状而形成的。
3.根据权利要求1或2所述的带有保护膜形成层的切片，其中，保护膜形成层含有着色剂。
4.一种带有保护膜的芯片的制造方法，该方法包括：将权利要求1～3中任一项所述的带有保护膜形成层的切片的保护膜形成层粘贴于工件上，并按照(1)、(2)、(3)的顺序，(2)、(1)、(3)的顺序，或者(2)、(3)、(1)的顺序进行以下的工序(1)～(3)，
工序(1)：将保护膜形成层固化而得到保护膜的工序；
工序(2)：将工件与保护膜形成层或保护膜切割的工序；
工序(3)：将保护膜形成层或保护膜与支撑体剥离的工序。
5.根据权利要求4所述的带有保护膜的芯片的制造方法，其中，按照(2)、(3)、(1)的顺序进行工序(1)～(3)。
6.根据权利要求4或5所述的芯片的制造方法，其中，在所述工序(1)之后的任一工序中，进行下述工序(4)，
工序(4)：在保护膜上进行激光打印的工序。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6574787B2 (ja) * 2014-12-19 2019-09-11 リンテック株式会社 樹脂膜形成用シート積層体
JP2016213236A (ja) * 2015-04-30 2016-12-15 日東電工株式会社 半導体装置用フィルム、及び、半導体装置の製造方法
EP3098277A1 (en) * 2015-05-27 2016-11-30 Henkel AG & Co. KGaA Pre-cut film and a production method thereof
JP6506117B2 (ja) * 2015-06-25 2019-04-24 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用シート、ワーク又は加工物の製造方法、検査方法、良品と判断されたワーク、及び良品と判断された加工物
JP6506118B2 (ja) * 2015-06-25 2019-04-24 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用シート、ワーク又は加工物の製造方法、検査方法、良品と判断されたワーク、及び良品と判断された加工物
JP6506116B2 (ja) * 2015-06-25 2019-04-24 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用シート、及びワーク又は加工物の製造方法
SG11201804481WA (en) * 2016-02-24 2018-06-28 Lintec Corp Adhesive sheet and usage method therefor
CN117656639A (zh) * 2016-03-04 2024-03-08 琳得科株式会社 保护膜形成用复合片
KR102456771B1 (ko) * 2016-04-28 2022-10-20 린텍 가부시키가이샤 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트
JP6812212B2 (ja) * 2016-11-14 2021-01-13 日東電工株式会社 シート、テープおよび半導体装置の製造方法
CN106791340B (zh) * 2017-03-22 2022-12-27 蓝思科技股份有限公司 一种含保护膜的摄像头组件
KR102469843B1 (ko) * 2017-05-31 2022-11-22 린텍 가부시키가이샤 접착 시트, 및 봉지체
CN107680834A (zh) * 2017-09-25 2018-02-09 中国振华集团云科电子有限公司 一种芯片电容的优化切割工艺及芯片电容
TWI677543B (zh) * 2018-01-19 2019-11-21 南韓商Ｍｔｉ股份有限公司 切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑
JP7066464B2 (ja) * 2018-03-19 2022-05-13 リンテック株式会社 部品固定用粘着シート、その製造方法および部品の固定方法
TWI826594B (zh) * 2018-11-22 2023-12-21 日商琳得科股份有限公司 熱硬化性保護膜形成用膜、保護膜形成用複合片、晶片之製造方法、熱硬化性保護膜形成用膜之用途、以及熱硬化性膜之用途
KR102585712B1 (ko) 2019-01-11 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 보호 필름, 그것의 제조 방법, 및 그것을 이용한 표시 장치의 제조 방법
JP6802312B2 (ja) * 2019-03-28 2020-12-16 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用シート、及びワーク又は加工物の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1738882A (zh) * 2003-01-22 2006-02-22 琳得科株式会社 压敏胶粘剂片,保护半导体晶片表面的方法以及加工工件的方法
CN102373020A (zh) * 2010-07-30 2012-03-14 日东电工株式会社 半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法,及生产半导体器件的方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4642436B2 (ja) * 2004-11-12 2011-03-02 リンテック株式会社 マーキング方法および保護膜形成兼ダイシング用シート
JP4805203B2 (ja) * 2007-03-28 2011-11-02 古河電気工業株式会社 チップ保護用フィルム
JP5805367B2 (ja) 2009-01-30 2015-11-04 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム
JP5470957B2 (ja) * 2009-03-25 2014-04-16 Ｄｉｃ株式会社 フィルム保護層用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物
JP5534896B2 (ja) * 2010-03-30 2014-07-02 古河電気工業株式会社 帯電防止性半導体加工用粘着テープ
JP5554118B2 (ja) * 2010-03-31 2014-07-23 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
KR101351622B1 (ko) * 2010-12-29 2014-01-15 제일모직주식회사 다이싱 다이 본딩 필름
JP2011223014A (ja) * 2011-06-02 2011-11-04 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ保護用フィルム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1738882A (zh) * 2003-01-22 2006-02-22 琳得科株式会社 压敏胶粘剂片,保护半导体晶片表面的方法以及加工工件的方法
CN102373020A (zh) * 2010-07-30 2012-03-14 日东电工株式会社 半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法,及生产半导体器件的方法

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Publication number Publication date
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