CN107680834A - 一种芯片电容的优化切割工艺及芯片电容 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种芯片电容的优化切割工艺及芯片电容，涉及芯片电容制备技术领域。一种芯片电容的优化切割工艺，其包括：将分散物质完全地覆盖芯片电容，且分散物质用于分散切割作业过程中的切割刀片高速运转是产生的切割力。待分散物质完全地固化后进行切割作业。此切割工艺在切割时，使切割刀片高速运转切割中产生的力释放到其他物质上，从中减少金属层的变化。从而有效地避免了切割时金电极上随着切割力的方向延展，形成的毛刺、卷边、隆起的现象。提供一种芯片电容，通过上述的芯片电容的优化切割工艺切割后制备而得到。此芯片电容的金电极的外观形状好，没有毛刺、卷边、隆起等的现象的出现。

Description

一种芯片电容的优化切割工艺及芯片电容

技术领域

本发明涉及芯片电容制备技术领域，且特别涉及一种芯片电容的优化切割工艺及芯片电容。

背景技术

芯片电容在切割过程中，刀片在高速旋转切割中会产生一定的运动力，当刀片把力传送到所要切割的载体上时，载体会随着力的作用而发生变化；而芯片电容的电极层是纯金电极层，金是一种延展性强、柔软性高的金属，在切割时金电极会随切割力的方向延展，造成毛刺、卷边、隆起的现象。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片电容的优化切割工艺，此切割工艺在切割时，使切割刀片高速运转切割中产生的力释放到其他物质上，从中减少金属层的变化。从而有效地避免了切割时金电极上随着切割力的方向延展，形成的毛刺、卷边、隆起的现象。

本发明的另一目的在于提供一种芯片电容，通过上述的芯片电容的优化切割工艺切割后制备而得到。此芯片电容的金电极的外观形状好，没有毛刺、卷边、隆起等的现象的出现。

本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

本发明提出一种芯片电容的优化切割工艺，其包括：

将分散物质完全地覆盖芯片电容，且分散物质用于分散切割作业过程中的切割刀片高速运转是产生的切割力；

待分散物质完全地固化后进行切割作业。

本发明还提出一种芯片电容，芯片电容的优化切割工艺切割后制得。

本发明实施例的芯片电容的优化切割工艺及芯片电容的有益效果是：

提供了一种芯片电容的优化切割工艺，包括以下步骤：首先，将分散物质完全地覆盖芯片电容，且分散物质用于分散切割作业过程中的切割刀片高速运转是产生的切割力。其次，待分散物质完全地固化后进行切割作业。分散物质是一类有粘接性、易溶解、固化、有一定的机械强度、易分解去除的物质。当分散物质完全固化后，分散物质能在芯片电容表面形成保护膜，这层保护膜具有粘接性，同时具有一定的机械强度。这样设计使得芯片电容在切割过程中，刀片在高速旋转切割中产生的运动力，当刀片把此力传送到所要切割的载体上时，此运动力会有效地被此分散物质分散，从而避免了载体随着力的作用而发生变化。进而有效地解决了芯片电容的纯金电极层在切割时金电极随切割力的方向延展，造成毛刺、卷边、隆起的现象。有效地保证了切割后的芯片电容的外观的完整性。

提供的芯片电容，通过上述的芯片电容的优化切割工艺切割后制备而得到。此芯片电容的金电极的外观形状好，没有毛刺、卷边、隆起等的现象的出现。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

下面对本发明实施例的一种芯片电容的优化切割工艺及芯片电容进行具体说明。

一种芯片电容的优化切割工艺，其包括：

将分散物质完全地覆盖芯片电容，且分散物质用于分散切割作业过程中的切割刀片高速运转是产生的切割力。

待分散物质完全地固化后进行切割作业。

具体地，分散物质是一类有粘接性、易溶解、固化、有一定的机械强度、易分解去除的物质。当分散物质完全固化后，分散物质能在芯片电容表面形成保护膜，这层保护膜具有粘接性，同时具有一定的机械强度。这样设计使得芯片电容在切割过程中，刀片在高速旋转切割中产生的运动力，当刀片把此力传送到所要切割的载体上时，此运动力会有效地被此分散物质分散，从而避免了载体随着力的作用而发生变化。进而有效地解决了芯片电容的纯金电极层在切割时金电极随切割力的方向延展，造成毛刺、卷边、隆起的现象。有效地保证了切割后的芯片电容的外观的完整性。

可选地，分散物质为UV胶。UV胶又称无影胶、光敏胶、紫外光固化胶，无影胶是指必须通过紫外线光照射才能固化的一类胶粘剂，它可以作为粘接剂使用，也可作为油漆、涂料、油墨等的胶料使用。UV是英文Ultraviolet Rays的缩写，即紫外光线。紫外线(UV)是肉眼看不见的，是可见光以外的一段电磁辐射，波长在10～400nm的范围。无影胶固化原理是UV固化材料中的光引发剂(或光敏剂)在紫外线的照射下吸收紫外光后产生活性自由基或阳离子，引发单体聚合、交联和接支化学反应，使粘合剂在数秒钟内由液态转化为固态。在本发明的实施例中，UV胶满足分散材料所需要的有粘接性、易溶解、固化、有一定的机械强度、易分解去除等性能。因此，UV胶可以有效地作用于芯片电容的表面，使得芯片电容在切割过程中，刀片在高速旋转切割中产生的运动力，当刀片把此力传送到所要切割的载体上时，此运动力会有效地被此分散物质分散，从而避免了载体随着力的作用而发生变化。进而有效地解决了芯片电容的纯金电极层在切割时金电极随切割力的方向延展，造成毛刺、卷边、隆起的现象。有效地保证了切割后的芯片电容的外观的完整性。

并且，UV胶的固化是将涂覆有UV胶的芯片电容置于紫外线灯下照射140～160S。当然，在本发明的其他实施例中，紫外线灯的照射时间还可以根据需求进行选择与调整，只要满足UV胶完全固化即可，本发明不做限定。

可选地，分散物质为主要由松香与软化物质混合制备而成的火漆。传统意义上的火漆是胶合剂的一种，稍异于胶水、浆糊的特种胶合剂。本发明所采用的火漆是通过自制的。通过向松香里面加入软化物质得到，软化物质可以有效地改善松香的柔软性。当然，在本发明的其他实施例中，松香与软化物质的具体的用量比还可以根据需求进行调整与选择，本发明不做限定。满足分散材料所需要的有粘接性、易溶解、固化、有一定的机械强度、易分解去除等性能。因此，此种自制的火漆可以有效地作用于芯片电容的表面，使得芯片电容在切割过程中，刀片在高速旋转切割中产生的运动力，当刀片把此力传送到所要切割的载体上时，此运动力会有效地被此分散物质分散，从而避免了载体随着力的作用而发生变化。进而有效地解决了芯片电容的纯金电极层在切割时金电极随切割力的方向延展，造成毛刺、卷边、隆起的现象。有效地保证了切割后的芯片电容的外观的完整性。

并且，火漆的固化是火漆涂覆于放置在温度为135～145℃的加热平台上的氮化铝基片上固化4～6S。当火漆的温度加热到135～145℃后，火漆具有较高的粘度，这样的特性使得火漆能作用于芯片电容的表面。当然，在本发明的其他实施例中，火漆的固化的温度与时间还可以根据需求进行调整与选择，本发明不做限定。

详细地，氮化铝可用于作真空蒸发和熔炼金属的容器，特别适于作真空蒸发铝的坩埚，因为氮化铝在真空中加热蒸汽压低，即使分解，也不会污染铝。氮化铝也可以作热电偶保护套，在空气中800～1000℃铝池中连续浸泡3000h以上也没有侵蚀破坏。在半导体工业中，用氮化铝坩埚代替石英坩埚合成砷化稼，可以完全消除Si对砷化稼的污染而得到高纯产品。含有Si，MgO的热压AlN制品，其导热系数达0.63W/cm.K，可以用作集成电路基板。产品的热压温度为1800℃，压力30，时间30min.加入CaF2可以减少AlN的摩擦系数，因此可用作潜水泵减磨零件。但添加量10％以上时，在酸碱溶液中的稳定性很高，同无添加剂的AlN制品相近。AlN和Al₂O₃反应可生成单相立方氮氧尖晶石，它有很好的高温强压，1500℃时强度仍保持在500MPa，它的化学稳定性更高，是很好的耐火材料。此外，氮化铝热膨胀系数小，导热性好，还有高的强度，因此可用作高温构件、热交换器等。当然，在本发明的其他实施例中，氮化铝基片也可以采用其他能起到相同作用的载片进行替代。

作为优选的方案，芯片电容的优化切割工艺还包括将完成切割作业后的分散物质完全地溶解。在本发明的实施例中，就是使得涂覆在芯片电容表面的UV胶或者是火漆能完全地被去除。使得，切割后的芯片电容可参与其他作业的进行。

具体地，溶解分散物质是将覆盖有分散物质的芯片电容放置于酒精或丙酮溶液中浸泡。在酒精或丙酮中进行浸泡的目的是为了使得分散物质完全的溶解，从而使得分散物质与切割后的芯片电容分开，进而取出切割后的芯片电容。

优选地，浸泡的时间为20～60min，进一步优选地，浸泡时间为20～30min。根据不同种类的分散物质，浸泡的时间会有所不同。当然，在本发明的其他实施例中，浸泡的时间还可根据需求进行调整，满足分散物质完全地溶解即可，本发明不做限定。

作为优选的方案，芯片电容的优化切割工艺还包括对洗去浸泡后的芯片电容表面的酒精或丙酮的残留物。洗去表面的残留物使得切割后的芯片电容保持洁净的状态，以便于进行后续作业。

以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。

实施例1

本实施例提供了一种芯片电容，通过以下芯片电容的优化切割工艺切割后制得：

首先，将UV胶完全地覆盖芯片电容，且UV胶用于分散切割作业过程中的切割刀片高速运转是产生的切割力。

其次，将UV胶放置于紫外线灯下照射140S，待UV胶完全地固化后进行切割作业。

实施例2

本发明提供了一种芯片电容，与实施例1提供的芯片电容的区别在于，本实施例提供的芯片电容通过以下芯片电容的优化切割工艺切割后制得：

首先，将UV胶完全地覆盖芯片电容，且UV胶用于分散切割作业过程中的切割刀片高速运转是产生的切割力。

其次，将UV胶放置于紫外线灯下照射140S，待UV胶完全地固化后进行切割作业。

然后，将切割作业完成后的带有分散物质的芯片电容放置于酒精或丙酮液中浸泡20min。

实施例3

本发明提供了一种芯片电容，与实施例1提供的芯片电容的区别在于，本实施例提供的芯片电容通过以下芯片电容的优化切割工艺切割后制得：

首先，将UV胶完全地覆盖芯片电容，且UV胶用于分散切割作业过程中的切割刀片高速运转是产生的切割力。

其次，将UV胶放置于紫外线灯下照射150S，待UV胶完全地固化后进行切割作业。

然后，将切割作业完成后的带有分散物质的芯片电容放置于酒精或丙酮液中浸泡30min。

实施例4

本发明提供了一种芯片电容，与实施例1提供的芯片电容的区别在于，本实施例提供的芯片电容通过以下芯片电容的优化切割工艺切割后制得：

首先，将火漆完全地覆盖芯片电容，且火漆用于分散切割作业过程中的切割刀片高速运转是产生的切割力。

其次，将火漆涂覆于放置在温度为135℃的加热平台上的氧化铝基片上固化4S。待火漆完全地固化后进行切割作业。

实施例5

本发明提供了一种芯片电容，与实施例4提供的芯片电容的区别在于，本实施例提供的芯片电容通过以下芯片电容的优化切割工艺切割后制得：

首先，将火漆完全地覆盖芯片电容，且火漆用于分散切割作业过程中的切割刀片高速运转是产生的切割力。

其次，将火漆涂覆于放置在温度为140℃的加热平台上的氧化铝基片上固化5S。待火漆完全地固化后进行切割作业。

然后，将切割作业完成后的带有分散物质的芯片电容放置于酒精或丙酮液中浸泡20min。

实施例6

本发明提供了一种芯片电容，与实施例1提供的芯片电容的区别在于，本实施例提供的芯片电容通过以下芯片电容的优化切割工艺切割后制得：

首先，将火漆完全地覆盖芯片电容，且火漆用于分散切割作业过程中的切割刀片高速运转是产生的切割力。

其次，将火漆涂覆于放置在温度为145℃的加热平台上的氧化铝基片上固化6S。待火漆完全地固化后进行切割作业。

然后，将切割作业完成后的带有分散物质的芯片电容放置于酒精或丙酮液中浸泡30min。

实施例7

本发明提供了一种芯片电容，与实施例1提供的芯片电容的区别在于，本实施例提供的芯片电容通过以下芯片电容的优化切割工艺切割后制得：

首先，将火漆完全地覆盖芯片电容，且火漆用于分散切割作业过程中的切割刀片高速运转是产生的切割力。

其次，将火漆涂覆于放置在温度为145℃的加热平台上的氧化铝基片上固化6S。待火漆完全地固化后进行切割作业。

然后，将切割作业完成后的带有火漆的芯片电容放置于酒精或丙酮液中浸泡60min。

实验例1

将实施例1至7提供的方法制备得到的芯片电容的外观形貌进行记录与对比，记录的结果如表1。

表1.芯片电容的外观形貌

编号	卷边	毛刺	隆起	分散物质溶解情况
					实施例1	无	无	无	不溶解
实施例2	无	无	无	不溶解
					实施例3	无	无	无	不溶解
实施例4	无	无	无	完全溶解
					实施例5	无	无	无	完全溶解
实施例6	无	无	无	完全溶解
					实施例7	无	无	无	完全溶解

根据表1的结果可知，实施例1至7提供的芯片电容的优化切割工艺均能有效地避免在切割时金电极会随切割力的方向延展所造成毛刺、卷边、隆起的现象。但是，实施例1至3所采用的分散物质为UV胶时，UV胶难以与芯片电容分离。然而，实施例4至7所采用的分散物质为自制的火漆时，可以有效地从切割后的芯片电容与火漆的结合物中分离得到芯片电容。

以上所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

Claims (10)

1.一种芯片电容的优化切割工艺，其特征在于，其包括：

将分散物质完全地覆盖芯片电容，且所述分散物质用于分散切割作业过程中的切割刀片高速运转是产生的切割力；

待所述分散物质完全地固化后进行所述切割作业。

2.根据权利要求1所述的芯片电容的优化切割工艺，其特征在于，所述芯片电容的优化切割工艺还包括将完成切割作业后的所述分散物质完全地溶解。

3.根据权利要求2所述的芯片电容的优化切割工艺，其特征在于，溶解所述分散物质是将所述覆盖有所述分散物质的芯片电容放置于酒精或丙酮溶液中浸泡。

4.根据权利要求3所述的芯片电容的优化切割工艺，其特征在于，浸泡的时间为20～60min，优选地，浸泡时间为20～60min。

5.根据权利要求3所述的芯片电容的优化切割工艺，其特征在于，所述芯片电容的优化切割工艺还包括对洗去浸泡后的所述芯片电容表面的所述酒精或所述丙酮的残留物。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的芯片电容的优化切割工艺，其特征在于，所述分散物质为UV胶。

7.根据权利要求6所述的芯片电容的优化切割工艺，其特征在于，所述UV胶的固化是将涂覆有UV胶的芯片电容置于紫外线灯下照射140～160S。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的芯片电容的优化切割工艺，其特征在于，所述分散物质为主要由松香与软化物质混合制备而成的火漆。

9.根据权利要求8所述的芯片电容的优化切割工艺，其特征在于，所述火漆的固化是所述火漆涂覆于放置在温度为135～145℃的加热平台上的氮化铝基片上固化4～6S。

10.一种芯片电容，其特征在于，所述芯片电容通过权利要求1至9中任一项所述的芯片电容的优化切割工艺切割后制得。