JP2008091765A - レーザ加工用粘着シート - Google Patents

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Abstract

【課題】 レーザ光を用いて半導体ウェハ等の被加工物を切断する場合に、基材フィルム自体の切断を最小限にとどめ、基材フィルムの加工用テーブルへの局所的な付着を防止して、その後の工程を容易かつ効率よく行うことができるレーザ加工用粘着シートを提供することを目的とする。
【解決手段】 基材フィルムの表面に粘着剤層が積層されてなるレーザ加工用粘着シートであって、前記基材フィルムが、裏面に接触低減層を含んで構成されることを特徴とするレーザ加工用粘着シート。
【選択図】 なし

Description

本発明は、レーザ加工用粘着シートに関し、より詳細には、レーザ光により半導体ウェハ等の被加工物をダイシングする際に使用するレーザ加工用粘着シートに関する。
最近の電気・電子機器の小型化等に伴って部品の小型化・高精細化が進んでいる。そのため、各種材料の切断加工においても高精細・高精度化が求められてきている。特に、小型化・高密度化が強く求められている半導体分野では、近年、熱ダメージが少なく、高精細の加工が可能であるレーザ光を用いた半導体ウェハの切断方法が注目されている。
この技術は、例えば、基板に様々な回路形成及び表面処理を行った被加工物をダイシングシートに固定し、レーザ光により被加工物をダイシングして、小片にチップ化する方法である（例えば、特許文献１）。また、基材フィルムを含む基材と、この基材の表面に形成された粘着剤層とから構成され、レーザ光により粘着剤層は切断されるが、基材フィルムは切断されないダイシングシートが提案されている（例えば、特許文献２）。
特開２００４−７９７４６号公報 特開２００２−３４３７４７号公報
しかし、被加工物のダイシングにレーザ光を用いる場合、粘着剤層のみを切断し、基材フィルムを切断しないように制御することは極めて困難である。仮に、粘着剤層のみを切断することができたとしても、レーザ光の照射部において、基材フィルムの背面が、ダイシング装置における加工用のチャックテーブルに、局所的に強固に付着することがある。そのため、以降の工程、つまり、基材フィルムを延伸して被加工物を剥離し、これを個々に回収する工程等に支障をきたすという問題がある。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、レーザ光を用いて半導体ウェハ等の被加工物を切断する場合に、基材フィルム自体の切断を最小限にとどめ、基材フィルムの加工用テーブルへの局所的な付着を防止して、その後の工程を容易かつ効率よく行うことができるレーザ加工用粘着シートを提供することを目的とする。
本発明者らは、レーザ加工装置によるダイシング時のレーザ光照射部において、局所的に、基材フィルムと加工用テーブルとが強固に付着する現象について鋭意検討を重ねた結果、レーザ光のエネルギーが基材フィルムの背面に到達し、局部に集中することにより熱が発生し、基材フィルム材料の溶融を引き起こすなど、レーザ光エのネルギーの集中及び発熱が関与していることを想定し、これらの作用を最小限に止め得る特定の要件又はそれらの組み合わせを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明のレーザ加工用粘着シートは、基材フィルムの表面に粘着剤層が積層されてなるレーザ加工用粘着シートであって、前記基材フィルムは、裏面側に、凹凸を有する接触低減層を備えてなることを特徴とする。
このようなレーザ加工用粘着シートは、接触低減層は、１．０μｍ以上の算術平均粗さＲａの凹凸を、基材フィルム裏面の外表面に与えるものであることが好ましい。
接触低減層は、サンドブラスト、エンボス処理又は表面コーティング法によって形成されてなることが好ましい。
また、基材フィルムは、５０％以上の光透過率を有するか、少なくとも１層のポリオレフィン系樹脂を含有するか、８０℃以上の融点を有する層を含むことが好ましい。
ポリオレフィン系樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン共重合体、プロピレン共重合体、エチレン−プロピレン共重合体からなる群から選択される１種以上であることが好ましい。
また、基材フィルムは、少なくとも破断伸度の異なる２層以上の層をさらに含み、かつ接触低減層に隣接して破断伸度の大きい層が配置されてなることが好ましく、破断伸度の大きい層が、１００％以上であることが好ましい。
本発明のレーザ加工用粘着シートによれば、レーザ光の照射部において、局部にレーザ光のエネルギーが集中することにより生じる基材フィルムの溶融に起因して、基材フィルムの背面がダイシング装置における加工用テーブルに局所的に付着する現象を、基材フィルムの背面の加工用テーブルへの接触面積の減少によって、効果的に防止することができる。従って、それ以降の工程、つまり、基材フィルムを延伸して被加工物を粘着剤層とともに剥離し、これを個々に回収する工程を容易に、かつ効率よく行うことができる。
特に、接触低減層が、１．０μｍ以上の算術平均粗さＲａの凹凸を、基材フィルム裏面の外表面に与えるものである場合には、効果的に基材フィルムの加工用テーブルへの接触面積を低減することができる。
また、基材フィルムが、５０％以上の光透過率を有する場合には、基材フィルム自体のレーザ光による劣化を防止することができる。
さらに、基材フィルムが、少なくとも１層のポリオレフィン系樹脂を含有する場合には、用いるレーザ光に対する光透過率及び／又は吸光係数を比較的高く設定することができ、基材フィルム自体の加工性を低く、つまり、切断しにくくすることができる。
特に、ポリオレフィン系樹脂が、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン共重合体、プロピレン共重合体、エチレン−プロピレン共重合体からなる群から選択される１種以上である場合には、上述した効果をより顕著に発揮することができる。
また、基材フィルムが、８０℃以上の融点を有する層を含む場合には、基材フィルム裏面において、より効果的に基材フィルムの溶融を防止することができ、加工用テーブルに局所的に付着する現象を抑制することができる。
また、基材フィルムが、少なくとも破断伸度の異なる２層以上の層をさらに含み、かつ接触低減層に隣接して破断伸度の大きい層が配置されてなる場合、破断伸度の大きい層が、１００％以上である場合には、用いるレーザ光に対する透過率及び／又は吸光係数をより高く設定することができるため、基材フィルム自体の切断を防止することができる。
また、接触低減層が、サンドブラスト、エンボス処理又は表面コーティング法によって形成されてなる場合には、容易かつ簡便に接触低減層を形成することができる。
本発明のレーザ加工用粘着シートは、主として、一面に凹凸を有する接触低減層を備える基材フィルムと、この基材フィルムの他面に形成された粘着剤層により構成される。
基材フィルムの裏面に形成される凹凸を有する接触低減層は、主に、レーザ光の照射によって基材フィルムが溶融等しても、基材フィルム自体が加工用テーブル等に粘着又は強固に付着しないように、基材フィルムの裏面の加工用テーブルへの接触面積を低減するための層である。
接触低減層は、例えば、算術平均粗さＲａが１．０μｍ以上の凹凸を、基材フィルム裏面の外表面に与える。特に、Ｒａが１．２μｍ以上、１．３μｍ以上、さらに１．５μｍ以上であることがより好ましい。このような凹凸により、基材フィルム自体の加工用テーブルへの接触面積を低減させることができるとともに、基材フィルムと加工用テーブルとの間に適度な空隙を与え、基材フィルム表面側からのレーザ光のエネルギーを効果的にレーザ加工用粘着シートから放出させることができる。
接触低減層は、例えば、基材フィルムの裏面側、つまり、接着剤層が形成されるのと反対側を、サンドブラストするか、エンボス処理するか又は表面コーティングする等、当該分野で公知の方法によって、それ自体が基材フィルムの一部として形成されていてもよい。あるいは、別途、サンドブラスト、エンボス処理又は表面コーティングする等により、一表面に凹凸を有するフィルムを形成し、基材フィルムの裏面に貼り付けて一体化してもよい。この場合の凹凸における凹部は、微細な貫通孔によって形成されていてもよい。つまり、基材フィルム自体に貫通孔を形成することにより、接触低減層を形成してもよいし、基材フィルムとは別途、貫通孔が形成されたフィルムを形成し、それを基材フィルムの裏面に貼り付けて一体化してもよい。
さらに、接触低減層は、例えば、無機化合物、金属又は有機化合物等のいずれか又はそれらを組み合わせた材料による粒子を用いて、基材フィルムの裏面側に形成してもよい。
これらの粒子は、具体的には、無機化合物として、シリカ（ヒュームシリカ、無水珪酸、沈降性シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、超微粉無定形シリカ等）；酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化錫、酸化亜鉛、酸化錫、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の金属酸化物；窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物；ＳｉＣ等の金属炭化物；炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等の金属炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物；チタン酸バリウム、リン酸カルシウム、珪酸カルシウム、石膏、ゼオライト、タルク、クレー、硫酸バリウム、マイカ、ケイソウ土等の粒子、金属として、金、銀、パラジウム、白金、ニッケル、アルミニウム、銅、チタン、タングステン、タンタル等の高融点金属等の粒子、有機化合物として、後述する基材フィルムを形成する樹脂粒子、なかでも、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；ＰＥＴ等のポリエステル；ナイロン等の熱可塑性樹脂；熱可塑性ポリイミド；ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥなどの含フッ素ポリエチレン；ポリカーボネート；ポリエステル等の比較的融点が高い樹脂粒子等が利用できる。これらの粒子を抵当な溶媒に分散／懸濁させて、基材フィルム裏面に塗布／乾燥して、凹凸を有する接触低減層を形成するか、これらの粒子を上述した樹脂等からなるバインダーに混合し、表面に凹凸を有するフィルムを形成し、これを基材フィルムに貼り付けて一体化して、接触低減層を形成してもよいし、基材フィルムを形成する際の原料に粒子を混合して基材フィルムを形成し、その裏面側に凹凸を有する接触低減層を形成してもよい。
このような粒子は、接触低減層としての機能を効果的に果たすために、例えば、球状、針状、フレーク状等種々の形状で、１μｍ程度から数百μｍ程度の大きさのものが適している。粒子を用いる場合の粒子の量は、用いる粒子の種類及び大きさ等を考慮して、上述した凹凸を実現できる量を適宜調整することが必要である。
基材フィルムは、自己支持性の公知のフィルムから選択することができる。基材フィルムは、均一な厚みを有するシート状であることが好ましいが、メッシュ状等の形態であってもよい。また、基材フィルムは単一層であってもよいし、２層以上の多層構造であってもよい。
基材フィルムの材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂、ポリアルキレングリコール系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂等）、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂等からなる高分子フィルム；銅、アルミニウム、ステンレス等の金属シート；ＰＰ、ＰＶＣ、ＰＥ、ＰＵ、ＰＳ、ＰＯまたはＰＥＴなどのポリマー繊維、レーヨンまたは酢酸セルロースなどの合成繊維、綿、絹または羊毛などの天然繊維およびガラス繊維または炭素繊維などの無機繊維からなる不織布；これら材料の延伸加工、含浸加工等により物理的又は光学的な機能が付与されたシート；ジエン系（スチレン−ブタジエン共重合体、ブタジエン等）、非ジエン系（イソブチレン−イソプレン、塩素化ポリエチレン、ウレタン系等）、熱可塑性系（熱可塑性エラストマー等）等のゴム成分を含むシート；あるいはこれら１種以上を組み合わせたものなどが挙げられる。なかでも、ポリオレフィン系樹脂が好ましい。
特に、これらの基材フィルム材料は、以下に説明するように、光透過率、融点、破断伸度、さらには、吸光係数、厚み、積層状態、破断強度、比熱、エッチングレート、Ｔｇ、熱変形温度及び比重等の少なくとも１種の特性、２種以上の特性、好ましくは全ての特性を考慮して、被加工物を切断するレーザ光によって切断されにくいもの、あるいは、レーザ光によって加工用テーブルへ付着しにくいものを選択することが好ましい。
基材フィルムは、その厚みは特に限定されず、例えば、５０μｍ以上の厚みを有することが適しており、１００μｍ以上、１５０μｍ以上、５０〜１０００μｍ程度の厚みを有していることが好ましい。これにより、半導体ウェハへの貼り合わせ、半導体ウェハの切断及び半導体チップからの剥離などの各工程における操作性や作業性を確保することができる。
基材フィルムは、上述したような適用範囲内の膜厚において、レーザ光の透過率、特に、波長３５５ｎｍ付近から６００ｎｍ付近のレーザ光の光透過率が５０％程度以上、５５％程度以上、６０％程度以上、６５％程度以上、さらに６７％程度以上、７０％程度以上であることが好ましい。光透過率は、例えば、紫外可視分光光度計を用いて測定することができる。この場合の光透過率は、接触低減層が形成されていない基材フィルムの状態での光透過率として表わされる。
また、基材フィルムは、融点が８０℃以上の層を含むことが好ましい。これにより、レーザ光の照射による基材フィルムの溶融を有効に防止することができる。融点は、８５℃以上、９０℃以上、９５℃以上、１００℃以上、１１０℃以上であることがより好ましい。基材フィルムが単層構造の場合は、それを構成する層自体の融点が８０℃以上であることが必要であるが、基材フィルムが積層構造の場合は、必ずしも全ての層の融点が８０℃以上でなくてもよく、少なくとも１層が、８０℃以上の融点を有する層であることが好ましい。この場合、その１層は、接触低減層に隣接する層として配置されることが好ましく、さらに、レーザ加工の際に背面となる側（例えば、チャックテーブルに接触する側）、つまり、接触低減層として配置されることがより好ましい。
特に、基材フィルムは、材料の異なる２層以上の積層構造を有することが好ましい。ここで材料が異なるとは、その組成が異なるもののみならず、組成は同じであるが、分子構造、分子量等の違いによって特性が異なるものが包含される。例えば、上述した吸光係数、融点、破断強度、破断伸度、光透過率、比熱、エッチングレート、熱伝導率、Ｔｇ、熱変形温度、熱分解温度、線膨張係数及び比重等の少なくとも１種の特性が異なるものを積層したものが適当である。
なかでも、２層以上の積層構造のうち、少なくとも１層がベンゼン環を含有しない樹脂、鎖状の飽和炭化水素系樹脂、例えば、ポリオレフィン系樹脂であるものが好ましい。ポリオレフィン系樹脂としては、上述したように、ポリエチレン（例えば、低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン等）、ポリプロピレン（例えば、延伸ポリプロピレン、非延伸ポリプロピレン等）、エチレン共重合体、プロピレン共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブタジエン、ポリビニルアルコール、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル等の１種以上を用いることができ、特に、エチレン系（共）重合体及びプロピレン系（共）重合体、さらに、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン共重合体、プロピレン共重合体、エチレン−プロピレン共重合体の少なくとも１種であることが好ましい。これらの材料を選択することにより、適当な伸張性と、レーザ加工に対する適当な強度とのバランスを図ることができる。なお、接触低減層自体を構成する材料も、これらの樹脂からなるか、これらの材料を含んで構成されることが好ましい。
基材フィルムが積層構造の場合は、ポリエチレン樹脂層とポリプロピレン樹脂層との双方を含むことが好ましい。特に、これらの層を含む２層又は３層構造であることがより好ましい。この場合、ポリプロピレン樹脂層が粘着剤層に遠い位置に配置されていることがより好ましい。例えば、２層構造の場合には、基材フィルムの背面側にポリプロピレン樹脂層、接着剤層側にポリエチレン樹脂層が配置され、３層構造の場合には、基材フィルムの背面側又はそれより１層接着剤層側にポリプロピレン樹脂層が配置され、接着剤層側にポリエチレン樹脂層が配置されていることが好ましい。このような配置により、レーザ加工時に基材フィルムの一部が損傷しても、最も背面側に存在する、比較的軟質の樹脂であるポリプロピレン樹脂層によって、基材フィルムに適当な伸張性を確保することができるためである。
また、基材フィルムは、１００％以上の破断伸度を有していることが好ましい。破断伸度は、例えば、万能引張試験機により引張速度２００ｍｍ／分で、ＪＩＳ Ｋ−７１２７に基づき測定することができる。基材フィルムが積層構造である場合は、必ずしも全ての層が１００％以上の破断伸度を有していなくてもよいが、少なくとも、１００％以上の破断伸度を有している層が、接触低減層に隣接して配置されていることが好ましい。また、１００％以上の破断伸度を有している層自体が、接触低減層を構成する層であってもよい。これにより、レーザ加工を行った後にダイシングシートを引き伸ばして、被加工物を切断して形成したチップを離間しやすくなり、好ましい。
なお、基材フィルムは、吸光係数が６５以下であることが好ましい。さらに、６０以下、５５以下、５０以下、４５以下、４０以下であることがより好ましい。ここで、吸光係数は、例えば、島津製作所製分光光度計ＭＰＳ−２０００を使用して測定された波長３５５ｎｍの光透過率Ｉ／Ｉ0、サンプルの厚みｄから、ランバート・ベールの法則（Ｉ／Ｉ0＝ｅｘｐ-αd）にて求めた吸光係数αとすることができる。ただし、測定波長は必ずしも３５５ｎｍでなくてもよく、２４８〜１１００ｎｍ程度、好ましくは、２４８〜８００ｎｍ、２４８〜６００ｎｍ程度の範囲であってもよい。基材フィルムが積層構造の場合は、必ずしも各層の吸光係数が６５以下でなくてもよく、積層状態の基材フィルムが６５以下の吸光係数を有していればよい。吸光係数が６５以下であることにより、基材フィルムによるレーザ光の吸収を最小限に止めることができ、基材フィルム自体のレーザ光による加工を防止することができる。
また、基材フィルムは、比熱が大きいものが好ましい。例えば、比熱は、０．５程度以上、０．７程度以上、０．８程度以上、１．０程度以上、１．１程度以上、１．２程度以上であることがより好ましい。比熱が比較的大きいことにより、基材フィルム自体がレーザ光により発生する熱により温まりにくく、その熱の一部を基材フィルム外に逃がし易い。その結果、基材フィルムが加工されにくくなり、基材フィルムの切断を最小限に止め、かつ背面の加工用テーブルへの局所的な付着を防止することができる。比熱は、ＪＩＳ Ｋ７１２３によって測定することができる。具体的には、示差走査熱量計（ＤＳＣ）で、試料片を、１０℃／ｍｍ2で昇温させるために必要な熱量を実測して求めることができる。
また、基材フィルムは、少なくとも破断強度の異なる２層以上の層を含むことが好ましい。ここで、破断強度は、万能引張試験機により引張速度２００ｍｍ／分で、ＪＩＳ Ｋ−７１２７に基づいて測定することができる。破断強度の差異は、特に限定されないが、例えば、２０ＭＰａ程度以上、５０ＭＰａ程度以上であることが適している。この場合、破断強度の大きい層が粘着剤層に遠い位置に配置されていることがより好ましい。つまり、基材フィルムの背面において、レーザ光によって切断されにくい強度を有する層を配置する、伸張性が良好な層を配置することが好ましい。ただし、ヤング率（初期弾性率）が大きすぎると、拡張性に不具合が生じることが懸念されるため、例えば、１５０ＭＰａ程度以下、１２０ＭＰａ程度以下、１００ＭＰａ程度以下であることが適している。
さらに、基材フィルムは、エッチングレートが低いものが好ましい。例えば、エッチングレートは、１〜５Ｊ／ｃｍ2程度のレーザ光強度で０．３〜１．５μｍ／パルスであることが好ましく、０．３〜１．２μｍ／パルス、０．３〜１．１μｍ／パルス程度であることがより好ましい。特に、１〜２Ｊ／ｃｍ2程度のレーザ光強度で０．９μｍ／パルス以下、０．８μｍ／パルス以下、０．７μｍ／パルス以下であることが好ましい。エッチングレートが低いことにより、基材フィルム自体の切断を防止することができる。
基材フィルムは、ガラス転移点（Ｔｇ）が、５０℃程度以下、３０℃、２０℃又は０℃程度以下であるか、熱変形温度が、２００℃程度以下、１９０℃、１８０℃、１７０℃程度以下であるか、比重が、１．４ｇ／ｃｍ3程度以下、１．３ｇ／ｃｍ3程度以下、１．２ｇ／ｃｍ3程度以下、１．０ｇ／ｃｍ3程度以下であることが好ましい。これらの特性を有することにより、基材フィルムの切断を最小限に止め、かつ背面の加工用テーブルへの局所的な付着を防止することにとって、有利である。Ｔｇ及び熱変形温度は、例えば、ＪＩＳ Ｋ７１２１の一般的なプラスチックの転移温度の測定方法（具体的には、示差熱分析（ＤＴＡ）、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）等）を利用して測定することができる。特に、熱変形温度は、例えば、ＪＩＳ Ｋ７２４４−１に準じる方法により、軟化開始温度としてもよい。また、比重は、例えば、ＪＩＳ Ｋ７１１２の一般的に知られているプラスチックの密度（比重）測定方法（具体的には、水中置換法、ピクノメーター法、浮沈法、密度勾配法等）を利用して測定することができる。
なお、基材フィルムの表面は、加工装置におけるテーブル等、隣接する材料との密着性、保持性などを高めるために、例えば、クロム酸処理、オゾン曝露、火炎曝露、高圧電撃曝露及びイオン化放射線処理などの化学的又は物理的処理、あるいは下塗り剤（例えば、後述の粘着物質）によるコーティング処理等の公知の表面処理が施されていてもよい。
本発明のレーザ加工用粘着シートに形成される粘着剤層は、特に限定されず、例えば、紫外線、電子線等の放射線により硬化するエネルギー線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂などを含有する、当該分野で公知の粘着剤組成物を用いて形成することができる。特に、被加工物の剥離性を向上させるため、エネルギー線硬化型樹脂を用いることが好ましい。エネルギー線を照射することにより、接着剤内での三次元網目構造の形成のために、接着強さを低下させることができ、使用後において剥離を容易にすることができるからである。これらの接着剤は、限定されないが、例えば、特開２００２−２０３８１６号、特開２００３−１４２４３３号、特開２００５−１９６０７号、特開２００５−２７９６９８号、特開２００６−３５２７７号、特開２００６−１１１６５９号等に記載されているものを用いることができる。
具体的には、天然ゴムおよび種々の合成ゴムなどのゴム、またはアクリロニトリル及び炭素数１〜２０程度の直鎖もしくは分枝のアルキル基を有するアクリル酸アルキル又はポリメタクリル酸アルキルから製造されるポリ（メタ）アクリル酸アルキルなどのアクリル系ポリマーを配合したものが挙げられる。
接着剤には、多官能性モノマーを架橋剤として添加してもよい。架橋剤としては、ヘキサンジオールジ（メタ）アクレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレートおよびウレタンアクリレート等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
エネルギー線硬化型接着剤とするために、光照射によって容易に反応しうるモノマーまたはオリゴマー、いわゆる光重合性化合物を組み合わせることが好ましい。それらの例としては、ウレタン、メタクリレート、トリメチルプロパントリメタクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタクリレートおよび４−ブチレングリコールジメタクリレート等が挙げられる。
この場合、光重合開始剤を含んでもよい。開始剤としては、４−（４−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル） ケトンなどのアセトフェノン化合物、ベンゾインエチルエーテルなどのベンゾインエーテル化合物、ケタール化合物、芳香族塩化スルホニル化合物、光活性オキシム化合物およびベンゾフェノン化合物が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
感熱接着剤とするために、いわゆる熱発泡成分（分解型又はマイクロカプセル型）を用いてもよい。例えば、欧州特許第０５２３５０５号参照。
接着剤は、必要であれば、粘着付与剤、充填材、顔料、老化防止剤または安定化剤、軟化剤、などの任意の添加剤が混合されていてもよい。
接着剤層の厚さは、特に限定されないが、十分な接着強さを得るとともに、半導体ウェハ等から粘着シートを取り外した後に、そこに望ましくない接着剤残渣を残存させないことを考慮して、例えば、３００μｍ程度以下、３〜２００μｍ程度が挙げられる。
本発明のレーザ加工用シートは、当該分野で公知の方法により形成することができる。例えば、上述したように、接着剤成分を調製し、これを基材フィルムに塗布／乾燥することにより形成する。接着剤成分の塗布方法としては、バーコーター塗工、エアナイフ塗工、グラビア塗工、グラビアリバース塗工、リバースロール塗工、リップ塗工、ダイ塗工、ディップ塗工、オフセット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷など種々の方法を採用することができる。また、別途、剥離ライナーに粘着剤層を形成した後、それを基材フィルムに貼り合せる方法等を採用してもよい。
本発明のレーザ加工用粘着シートは、レーザ光を用いた加工に好適に使用することができる。例えば、４００ｎｍ以下の発振波長を有するレーザ、具体的には、発振波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ、３０８ｎｍのＸｅＣＩエキシマレーザ、ＹＡＧレーザの第三高調波（３５５ｎｍ）、第四高調波（２６６ｎｍ）が挙げられる。また、４００ｎｍ以上の発振波長を有するレーザ（例えば、波長７５０〜８００ｎｍ付近のチタンサファイヤレーザ等、パルス幅が１ｅ-9秒（０．００００００００１秒）以下）を用いてもよい。
本発明のレーザ加工用粘着シートは、通常、半導体ウェハ、例えば、シリコンウエハ、ゲルマニウムウエハ、ガリウム・ヒ素ウエハ、回路基板、セラミック基板、金属基板、半導体レーザ等の発光あるいは受光素子基板、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）基板及び半導体パッケージなどに使用することができる。つまり、レーザ光を用いるダイシング加工の前に、例えば、ダイシング装置の半導体ウェハ等の加工用テーブル面側に貼付され、これらの半導体ウェハ等の切断時に及びその後の工程で個片化したチップを支持固定するために利用することができる。
このような使用において、本発明のレーザ加工用粘着シートは、レーザ光の照射部において、基材フィルムの一部が溶融されたとしても、基材フィルムと加工用テーブルとの接触面積が小さいために、基材フィルムの背面が、ダイシング装置における加工用テーブルに局所的に付着する現象を最小限に止めることができるとともに、接触低減層と加工用テーブルとの間に効果的に空隙を導入することができるために、レーザ光によるエネルギーの一部をこの空隙を通して、基材フィルムから効率的に逃がすことができ、基材フィルムの溶融自体を低減させることができる。しかも、半導体ウェハ等とともに、接着剤層又は接着剤層と一部の基材フィルムとが切断されるが、加工用テーブル面側の基材フィルムは、切断されにくく、個片化したチップ等がバラバラになったり、落下することを防止することができる。
以下に、本発明のレーザ加工用粘着シートの具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。
実施例１
（粘着剤溶液の調製）
ブチルアクリレート／エチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート／アクリル酸を重量比６０／４０／４／１で共重合させてなる数平均分子量５０万のアクリル系ポリマー１００重量部、イソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン社製、コロネートHL）３重量部及びエポキシ系架橋剤（三菱ガス化学社製、テトラッドC）２重量部を、トルエン５００重量部に加え、均一に溶解、混合してアクリル系粘着剤溶液（１）を調製した。
（接触低減層付レーザ加工用粘着シートの形成）
１．０μｍ、３．０μｍ、５．０μｍ、１０μｍの加工深さを有する加熱加工用ロール（由利ロール製）及び鏡面ロールを用いて、１５０μｍ厚であり、３５５ｎｍの光に対して約６６％の光透過率を有するポリエチレンフィルム（融点：１１５℃）の片面に接触低減層を形成した（以下、「エンボス処理」と記す）。
得られたポリエチレンフィルムの算術平均粗さRaを測定した。その結果、表１に示すように、それぞれ１．２μｍ、２．９μｍ、５．０μｍ、１０．３μｍの接触低減層を有するポリエチレンフィルムとなっていた。
接触低減層を有するポリエチレンフィルムの接触低減層が形成されていない側の表面に、粘着剤との密着性を向上させる目的で、コロナ放電処理を施した。その後、厚さ２０μｍとなるように、アクリル系粘着剤を塗布し、図１に示すように、基材フィルム１の表面に接着剤層２、裏面に接触低減層３が形成されたレーザ加工用粘着シート１０を、それぞれ作製した。
（表面粗さの測定）
テンコール製 段差・表面粗さ微形状測定装置 P-15を用いて、得られたレーザ加工用粘着シートの接触低減層表面について、図２に示すように、レーザ加工用粘着シート１０の幅方向（例えば、幅Ｅ＝１４００ｍｍ）に３箇所（X、Y、Z）、長さ方向について、間隔Ｄ（例えば、１０ｍ）で１０箇所、計３０箇所を測定した平均粗さを算術平均粗さRaとした。各箇所の測定距離は接触低減層側表面を長さ５０ｍｍに渡って測定した。
（チャックテーブルとの密着力の測定）
図１に示すように、レーザダイシング装置のチャックテーブルとして、石英ガラス製テーブル上に、接触低減層面側が接触するようにレーザ加工用粘着シート１０を、シート固定用リング１１を用いてそれぞれ配置した。
加工用レーザとして、波長３５５ｎｍ、平均出力５Ｗ、繰り返し周波数３０ｋＨｚのＹＡＧレーザの第三高調波（３５５ｎｍ）を用いた。レーザ光を、ｆθレンズによりに集光して、ガルバノスキャナーにより２０ｍｍ／秒の速度でレーザ加工用粘着シートをスキャンして、切断加工した。
各レーザ加工用粘着シートについて、チャックテーブルへの密着性傾向をより明確に確認するために、スキャン回数を１〜８回まで変えて、密着性の測定を実施した。
レーザ加工用粘着シートとチャックテーブルとの密着力の測定は、ＪＩＳ Ｚ０２３７の粘着力測定方法に準じて測定した。つまり、試験片として、レーザ加工後のレーザ加工用粘着シート１０を、２０ｍｍ幅Ａ、１５０ｍｍ長さＢにカットし、測定装置としてＪＩＳ Ｂ７７２１で規定されている引張試験機を用いて、測定温度２３±３℃、剥離角度１８０°及び剥離速度３００ｍｍ／秒の条件で剥離した時の荷重（粘着力、Ｎ／２０ｍｍ）を測定した。その結果を表１に示す。
比較例
加工深さを有する加熱加工用ロールを用いず、鏡面金属ロールを２本用いて、１５０μｍ厚のポリエチレンフィルムを形成し、接触低減層を有さないポリエチレンフィルムを形成した。
フィルム両面の算術平均粗さRaを測定したところ、表１に示すように、それぞれの面で０．４μｍであった。
Figure 2008091765
実施例２
基材フィルムとしてポリプロピレン／ポリエチレン／ポリプロピレン（膜厚３０μｍ／９０μｍ／３０μｍ、融点１３０℃、波長３５５nｍの光透過率７０％）を用いた以外、実施例１と同様にエンボス加工を行い、接触低減層を形成し、実施例１と同様の評価を行った。その結果、レーザ光のスキャン回数を重ねた場合のレーザ加工用粘着シートの切断において、若干切れが生じたが、レーザ加工用粘着シートのチャックテーブルへの付着に関しては、上記とほぼ同様の結果が得られた。
このように、実施例及び比較例から明らかなように、本発明のレーザ加工用粘着シートを使用することにより、レーザ加工時においても、チャックテーブルへの付着を低減することが可能となり、レーザ加工後において、容易に次工程（洗浄処理またはピックアップ処理）に搬送することが可能となる。
本発明は、半導体ウェハ、例えば、シリコンウエハ、ゲルマニウムウエハ、ガリウム・ヒ素ウエハ、回路基板、セラミック基板、金属基板、半導体レーザ等の発光あるいは受光素子基板、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）基板及び半導体パッケージ等に対して使用する、レーザ光を用いた広範囲の加工の全てに対して利用することができる。
本発明のレーザ加工用粘着シートの概略断面図である。 本発明のレーザ加工用粘着シートの該略平面図である。 本発明のレーザ加工用粘着シートを試験した際のサンプル作製方法を説明するためのシートの概略図及び拡大図である。
符号の説明
１ 基材フィルム
２ 接着剤層
３ 接触低減層
１０ レーザ加工用粘着シート
１１ シート固定用リング

Claims (9)

  1. 基材フィルムの表面に粘着剤層が積層されてなるレーザ加工用粘着シートであって、
    前記基材フィルムは、裏面に、凹凸を有する接触低減層を備えてなることを特徴とするレーザ加工用粘着シート。
  2. 接触低減層は、１．０μｍ以上の算術平均粗さＲａの凹凸を、基材フィルム裏面の外表面に与える請求項１のレーザ加工用粘着シート。
  3. 基材フィルムが、５０％以上の光透過率を有する請求項１〜３のいずれか１つに記載のレーザ加工用粘着シート。
  4. 基材フィルムが、少なくとも１層のポリオレフィン系樹脂を含有する請求項１〜４のいずれか１つに記載のレーザ加工用粘着シート。
  5. ポリオレフィン系樹脂が、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン共重合体、プロピレン共重合体、エチレン−プロピレン共重合体からなる群から選択される１種以上である請求項４に記載のレーザ加工用粘着シート。
  6. 前記基材フィルムが、８０℃以上の融点を有する層を含む請求項１〜５のいずれか１つに記載のレーザ加工用粘着シート。
  7. 前記基材フィルムが、少なくとも破断伸度の異なる２層以上の層をさらに含み、かつ接触低減層に隣接して破断伸度の大きい層が配置されてなる請求項１〜６のいずれか１つに記載のレーザ加工用粘着シート。
  8. 破断伸度の大きい層が、１００％以上である請求項７に記載のレーザ加工用粘着シート。
  9. 接触低減層が、サンドブラスト、エンボス処理又は表面コーティング法によって形成されてなる請求項１〜９のいずれか１つに記載のレーザ加工用粘着シート。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056329A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Lintec Corp レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
JP2011198914A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Lintec Corp 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法
WO2012077471A1 (ja) * 2010-12-06 2012-06-14 株式会社きもと レーザーダイシング用補助シート
WO2013008663A1 (ja) * 2011-07-11 2013-01-17 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート、及び、ダイシング用粘着シートを用いた半導体装置の製造方法
KR101259224B1 (ko) 2008-10-01 2013-04-29 닛토덴코 가부시키가이샤 레이저 처리를 위한 감압 접착 시트 및 레이저 처리 방법
WO2013061925A1 (ja) * 2011-10-27 2013-05-02 古河電気工業株式会社 半導体デバイス加工用粘着テープ
JP2013100455A (ja) * 2011-10-17 2013-05-23 Nitto Denko Corp 粘着テープ用フィルムおよび粘着テープ
JP2013131769A (ja) * 2013-02-04 2013-07-04 Lintec Corp レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
JP2014130867A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Lintec Corp ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
JP2014204037A (ja) * 2013-04-08 2014-10-27 大日本印刷株式会社 保護テープ、保護テープの製造方法、ダイシングテープ及びダイシングテープの製造方法
JP2016119432A (ja) * 2014-12-24 2016-06-30 株式会社きもと レーザーダイシング用補助シート
JP2016164940A (ja) * 2015-03-06 2016-09-08 富士通株式会社 ダイシングフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2017052971A (ja) * 2016-12-19 2017-03-16 パナック株式会社 工程用保護フィルム
JP2018099733A (ja) * 2018-01-26 2018-06-28 王子ホールディングス株式会社 レーザ加工用補助シート
JP2020188215A (ja) * 2019-05-17 2020-11-19 東レフィルム加工株式会社 ダイシングシート用基材フィルム

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI507501B (zh) * 2009-06-15 2015-11-11 Lg Chemical Ltd 用於處理晶圓的薄片
KR101920086B1 (ko) * 2011-10-17 2018-11-19 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 테이프용 필름 및 점착 테이프
KR101924484B1 (ko) * 2011-10-17 2018-12-04 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 테이프용 필름 및 점착 테이프
JP6005952B2 (ja) * 2012-02-28 2016-10-12 日東電工株式会社 粘着テープ用フィルムおよび粘着テープ
JP5946289B2 (ja) * 2012-02-28 2016-07-06 日東電工株式会社 粘着テープ用フィルムおよび粘着テープ
DE202012102188U1 (de) 2012-06-14 2013-09-26 Polifilm Protection Gmbh Partikelhaltige Klebefolie zum temporären Schutz einer Werkstückoberfläche, insbesondere bei Laserbearbeitung, und Verbund mit einer derartigen Folie
JP6211771B2 (ja) * 2013-02-08 2017-10-11 日東電工株式会社 粘着テープ
US20150037915A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Wei-Sheng Lei Method and system for laser focus plane determination in a laser scribing process
US9919945B2 (en) * 2013-11-14 2018-03-20 Mitsubishi Electric Corporation Laser processing method and laser processing apparatus
KR102355108B1 (ko) * 2014-06-10 2022-01-24 린텍 가부시키가이샤 다이싱 시트
KR101676025B1 (ko) * 2016-06-30 2016-11-15 (주) 화인테크놀리지 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트
JP6795811B2 (ja) * 2017-02-16 2020-12-02 国立大学法人埼玉大学 剥離基板製造方法
EP3626792A4 (en) * 2017-07-20 2021-02-17 Mitsui Chemicals, Inc. ADHESIVE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING AN ADHESIVE ELEMENT
CN108389826A (zh) * 2018-02-11 2018-08-10 安徽三安光电有限公司 用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法
CN109321151A (zh) * 2018-08-30 2019-02-12 宁波吉象塑胶科技股份有限公司 静音胶带
MX2021002001A (es) 2018-08-31 2021-04-28 Kimberly Clark Co Metodos y sistemas para cortar o perforar una trama con un laser.

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001011207A (ja) * 1999-07-02 2001-01-16 Gunze Ltd ポリオレフィン系フィルム
JP2001232683A (ja) * 2000-02-23 2001-08-28 Gunze Ltd 均一拡張性と滑性に優れるポリオレフィン系フィルム
JP2002343747A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Lintec Corp ダイシングシート及びダイシング方法
JP2005174963A (ja) * 2003-12-05 2005-06-30 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ダイシング用粘接着テープ
JP2005236082A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Nitto Denko Corp レーザーダイシング用粘着シート及びその製造方法
JP2005239889A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Nitto Denko Corp ロール状ウエハ加工用粘着シート
JP2006140348A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Lintec Corp マーキング方法および保護膜形成兼ダイシング用シート
JP2006186305A (ja) * 2004-11-30 2006-07-13 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングダイボンドテープ
JP2006245487A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Lintec Corp レーザーダイシングシートおよびレーザーダイシング方法
JP2007123404A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングテープ、および半導体ウェハダイシング方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10337823A (ja) * 1997-04-11 1998-12-22 Lintec Corp 基材および該基材を用いた粘着テープ
US7141300B2 (en) * 2001-06-27 2006-11-28 Nitto Denko Corporation Adhesive sheet for dicing
JP3953801B2 (ja) * 2001-12-11 2007-08-08 大日本印刷株式会社 拡散フィルム及びその製造方法、面光源装置及び液晶表示装置
JP2003210049A (ja) 2002-01-23 2003-07-29 Sumitomo Chem Co Ltd 農業用ハウス被覆材
JP2004079746A (ja) 2002-08-16 2004-03-11 Tokyo Seimitsu Co Ltd チップ製造方法
EP1634673A4 (en) * 2003-04-25 2009-04-08 Nitto Denko Corp METHOD FOR PRODUCING A LASER-TREATED PRODUCT AND AN ADHESIVE SHEET FOR A LASER TREATMENT USED FOR THIS PRODUCT
JP2006104417A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Hitachi Chem Co Ltd 硬化性樹脂組成物、これを用いた硬化性シート及び放熱シート

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001011207A (ja) * 1999-07-02 2001-01-16 Gunze Ltd ポリオレフィン系フィルム
JP2001232683A (ja) * 2000-02-23 2001-08-28 Gunze Ltd 均一拡張性と滑性に優れるポリオレフィン系フィルム
JP2002343747A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Lintec Corp ダイシングシート及びダイシング方法
JP2005174963A (ja) * 2003-12-05 2005-06-30 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ダイシング用粘接着テープ
JP2005236082A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Nitto Denko Corp レーザーダイシング用粘着シート及びその製造方法
JP2005239889A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Nitto Denko Corp ロール状ウエハ加工用粘着シート
JP2006140348A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Lintec Corp マーキング方法および保護膜形成兼ダイシング用シート
JP2006186305A (ja) * 2004-11-30 2006-07-13 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングダイボンドテープ
JP2006245487A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Lintec Corp レーザーダイシングシートおよびレーザーダイシング方法
JP2007123404A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングテープ、および半導体ウェハダイシング方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056329A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Lintec Corp レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
KR101259224B1 (ko) 2008-10-01 2013-04-29 닛토덴코 가부시키가이샤 레이저 처리를 위한 감압 접착 시트 및 레이저 처리 방법
JP2011198914A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Lintec Corp 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR101849430B1 (ko) 2010-12-06 2018-04-16 키모토 컴파니 리미티드 레이저 다이싱용 보조 시트
WO2012077471A1 (ja) * 2010-12-06 2012-06-14 株式会社きもと レーザーダイシング用補助シート
JP4991024B1 (ja) * 2010-12-06 2012-08-01 株式会社きもと レーザーダイシング用補助シート
WO2013008663A1 (ja) * 2011-07-11 2013-01-17 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート、及び、ダイシング用粘着シートを用いた半導体装置の製造方法
JP2013100455A (ja) * 2011-10-17 2013-05-23 Nitto Denko Corp 粘着テープ用フィルムおよび粘着テープ
WO2013061925A1 (ja) * 2011-10-27 2013-05-02 古河電気工業株式会社 半導体デバイス加工用粘着テープ
JP2014130867A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Lintec Corp ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
JP2013131769A (ja) * 2013-02-04 2013-07-04 Lintec Corp レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
JP2014204037A (ja) * 2013-04-08 2014-10-27 大日本印刷株式会社 保護テープ、保護テープの製造方法、ダイシングテープ及びダイシングテープの製造方法
JP2016119432A (ja) * 2014-12-24 2016-06-30 株式会社きもと レーザーダイシング用補助シート
JP2016164940A (ja) * 2015-03-06 2016-09-08 富士通株式会社 ダイシングフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2017052971A (ja) * 2016-12-19 2017-03-16 パナック株式会社 工程用保護フィルム
JP2018099733A (ja) * 2018-01-26 2018-06-28 王子ホールディングス株式会社 レーザ加工用補助シート
JP2020188215A (ja) * 2019-05-17 2020-11-19 東レフィルム加工株式会社 ダイシングシート用基材フィルム
JP7311312B2 (ja) 2019-05-17 2023-07-19 東レフィルム加工株式会社 ダイシングシート用基材フィルム

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