JP2001232683A - 均一拡張性と滑性に優れるポリオレフィン系フィルム - Google Patents
均一拡張性と滑性に優れるポリオレフィン系フィルムInfo
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Abstract
レフィン系フィルムを提供すること。 【解決手段】ポリオレフィン系フィルムを、少なくとも
片面の表面粗度Raが0.15以上であり、伸張前の面
内位相差R0が300nm以下、50%伸張後の面内位
相差R50とR0との比R50/R0が2.00以下の
フィルムとする。好ましくは、結晶性ポリエチレンを主
成分とする層(A)と、エチレン、プロピレン、ブテン
−1からなる群から選ばれる少なくとも1成分を40重
量%以上含有する非晶質ポリオレフィンを含む層(B)
とが(A)/(B)/(A)の構成をとるフィルムとす
る。該フィルムは半導体ウエハのダイシング用テープ基
材として有効である。
Description
に優れたポリオレフィン系フィルムに関する。
あらゆる面方向に対しての均一拡張性と滑性とを要求さ
れる用途、例えば、ストレッチフィルム、湿布薬の基
材、半導体ウエハのダイシング用テープの基材等には従
来軟質塩ビフィルムが使われていた。
ビフィルムに含まれる可塑剤や安定剤の安全性に対する
疑念、これらのブリードアウトに起因する様々なトラブ
ル、さらには焼却時の問題等から近年は非塩ビ化が検討
され種々提案されてはいるが、未だ充分なものはない。
本発明は、均一拡張性と滑性とを同時に満足させるポリ
オレフィン系フィルムを提供することを課題とする。
て本発明は、少なくとも片面の表面粗度Raが0.15
以上であり、伸張前の面内位相差R0が300nm以
下、50%伸張後の面内位相差R50とR0との比R
50/R0が2.00以下のポリオレフィン系フィルム
であることを特徴とする。
晶性ポリエチレンを主成分とする層(A)と、エチレ
ン、プロピレン、ブテン−1から選ばれる少なくとも1
成分を40重量%以上含有する非晶質ポリオレフィンを
含む層(B)とが(A)/(B)/(A)の構成をとる
ことを特徴とする。
ン20重量%以上と結晶性ポリエチレン80重量%以下
との組成物からなる層であることを特徴とする。
静摩擦係数μS及び動摩擦係数μDとが共に1.00以
下であることを特徴とする。
性について鋭意検討した結果、均一拡張性は面内位相差
と密接な関係があることを見出し本発明に至った。本発
明で言う面内位相差とは、589nm波長の光の複屈折
位相差のことであり、下記(数1)で示されるものであ
る。 (数1) R=|Nx−Ny|×d R:面内位相差(単位:nm) Nx:x軸方向の屈折率(面内最大屈折率) Ny:y軸方向の屈折率(x軸と直交する方向の屈折
率) d:フィルムの厚さ(単位:nm) そして伸張前のフィルムの面内位相差をR0とし、フィ
ルムを縦方向と横方向とに同時に各々50%伸張した後
の面内位相差をR50としたときに、R0が300nm
以下であって、且つ、R50とR0との比R50/R0
が2.00以下のフィルムが均一拡張性に優れることを
本発明者らは見出した。本発明のポリオレフィン系フィ
ルムはR0とR50/R0とがこの範囲内にあるので、
極めて均一拡張性に優れる。R0、R50/R0がこの
範囲からはずれると、均一拡張性に欠け好ましくない。
なお、50%伸張後としたのは、均一拡張性が必要とさ
れる用途では最大拡張率50%が要求される場合がある
からである。
ムの製造条件によって左右する。R 0及びR50/R0
を前記した範囲にするための製造条件を定性的に述べる
と、押出し温度を高めにし、できるだけドローをかけず
に引き取り、急冷固化させるのがよい。Tダイ法による
場合の急冷固化条件としては、フィルムが引き取りロー
ルに密着するようにフィルム構成に応じて引き取りロー
ル温度を適宜設定することが望ましく、あまり低温すぎ
ても高温過ぎても好ましくない。冷却速度を上げるため
冷却部にエアーナイフやニップロールを設けるのも好ま
しい形態である。丸ダイ法による場合には、空冷式より
も水冷式の冷却方法が望ましい。具体的な製造条件とし
ては後記する実施例が例示できる。
ルムの少なくとも片面が滑性に優れていることが要求さ
れる場合が多い。例えば、ストレッチフィルムにおいて
はトレーや被包装物品との滑性、湿布薬等の基材におい
ては肌着や衣類との滑性、半導体ウエハのダイシング用
テープの基材においてはステンレス製押し上げ具との滑
性が要求される。フィルム表面の滑性向上は、通常、滑
剤やアンチブロッキング剤の添加によってなされるが、
本発明ではフィルム表面に凹凸をつけることによって達
成する。これは、滑剤やアンチブロッキング剤のブリー
ドによる弊害を避けるためである。勿論、用途によって
は滑剤やアンチブロッキング剤の微量添加を拒むもので
はない。
面粗度Raで示す。本発明のフィルムの少なくとも片面
は表面粗度Raが0.15以上、好ましくは0.17以
上、さらに好ましくは0.20以上であるので、滑性に
優れる。
方法は特に限定するものではなく、公知の方法によれば
よい。例えば、フィルム製造中または別工程で、エンボ
ス機を用いる方法が例示できる。Tダイ法による場合に
は、とりわけ、フィルム製造時の引き取りロールとして
梨地ロールを用いて、溶融したフィルムを引き取ると共
にフィルム表面に凹凸を付ける方法が生産性の点から好
ましい。梨地の程度は表面仕上げ度が4s〜8s、好ま
しくは5s〜7sの中から、所望のRaを与えるものを
適宜選定すればよい。ロールの梨地をフィルム表面にき
れいに転写させるために、エアーナイフやニップロール
を設けるのも好ましい形態である。
プロピレン、ブテン−1等のオレフィンの単独重合体、
相互共重合体、オレフィンと共重合可能な他の単量体、
例えば、酢酸ビニル、(メタ)アクリル酸、(メタ)ア
クリル酸エステル等を30モル%以下含む共重合体や、
これらを酸や金属イオンで変性した変性体をいう。ポリ
オレフィン系フィルムとは少なくとも1種の前記ポリオ
レフィンを含む1層以上からなるフィルムをいう。フィ
ルムの厚さは、通常、10〜500μmの中から用途に
応じて適宜選定すればよい。
性ポリエチレンを主成分とする層(A)と非晶質ポリオ
レフィンを含む層(B)との積層フィルムが好ましい。
とりわけ、(A)/(B)/(A)の構成をとる積層フ
ィルムが好ましい。さらに好ましくは、層(B)を非晶
質ポリオレフィン20重量%以上と結晶性ポリエチレン
80重量%以下の組成物、最も好ましくは非晶質ポリオ
レフィン40〜70重量%と結晶性ポリエチレン60〜
30重量%の組成物からなる層とするのが望ましい。非
晶質ポリオレフィンを用いると、他のポリオレフィンに
比べて、押出し温度をやや低めに、引き取りドロー比を
やや高めに、引き取りロール温度をやや高めに設定して
も、面内位相差R0とR50/R0とを前記した範囲に
することができるので、製造条件幅が広くなり容易に本
発明のフィルムが製造できる。結晶性ポリエチレンを主
成分とする層(A)を積層するのは、非晶質ポリオレフ
ィンは粘着性があるので、その弊害をなくすためであ
る。
ロピレン、ブテン−1からなる群から選ばれる少なくと
も1成分を40重量%以上含有する、好ましくは沸騰n
−へプタン抽出分が30重量%以上、より好ましくは4
0重量%以上の、非晶性のものである。例えば、非晶性
のポリプロピレンやポリブテン−1、あるいはエチレ
ン、プロピレン、ブテン−1からなる群から選ばれる少
なくとも2成分以上の共重合体、あるいはエチレン、プ
ロピレン、ブテン−1から選ばれる少なくとも1成分と
他のオレフィンとの共重合体が例示できる。
結晶性ポリエチレン、あるいは層(B)と積層する層
(A)の結晶性ポリエチレンとは、エチレンを主成分と
し、示差走査熱量計で結晶融解ピークを示す、好ましく
は95〜130℃で結晶融解ピークを示すものである。
例えば、直鎖状低密度ポリエチレン、低密度ポリエチレ
ン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレンが例示で
きる。
(B)の厚さが全体の厚さの50〜98%の範囲にある
のが望ましい。50%未満の場合には、面内位相差R0
とR50/R0とを前記の範囲にするために、フィルム
製造時の押し出し温度、引き取りドロー比、冷却速度に
注意を要す。98%を超える場合には、非晶質ポリオレ
フィンの粘着性により、滑性が損なわれる恐れがある。
外層(A)と内層(A)とは厚さが異なっていてもよい
が、カール等の点からは同じ厚さが好ましい。
導体ウエハのダイシング用テープ(ダイシング用テープ
は本発明のポリオレフィン系フィルムの非凹凸面側に粘
着剤を塗布したものである)について説明する。回路パ
ターンが形成された半導体ウエハをチップ状に分離す
る、いわゆるダイシング加工は以下のような工程からな
る。 ダイシング用テープの粘着面にリング状のフレームを
張り付ける(図1参照)。 次いで、ダイシング用テープを所定の大きさにカット
する。 次いで、フレーム中央の粘着面上にウエハを貼着す
る。 次いで、ダイシング用テープに貼着したウエハをダイ
ヤモンドブレード等で格子状に切り分け(この時、一般
にはダイシング用テープのほぼ中央部までブレードの刃
先が入る)、個々の半導体素子とする(図2参照)。 次いで、ステンレス製押し上げ具によってフレーム内
のダイシング用テープを拡張し、切り取った半導体素子
同士の間隔を広げる(図3、図4参照)。 次いで、ピックアップ装置によって、個々の半導体素
子をピックアップする。
要求される品質は以下の通りである。即ち、の工程で
は繊維状や粉状等の切り屑が発生しないこと(切り屑が
発生すると、切り屑が半導体素子に付着する)。の工
程ではダイシング用テープが均一に拡張すること(均一
に拡張しないと個々の半導体素子が所定の位置に来ない
ので、ピックアップミスが発生する)。さらにはフィル
ムと粘着剤との層間接着力や粘着剤表面の粘着力が経時
変化を起こさないこと(フィルムと粘着剤との層間接着
力が経時で低下するとピックアップ時粘着剤が半導体素
子に付着する。また、粘着剤表面の粘着力が経時で変化
するとピックアップ工程でピックアップミスが発生す
る)。
は、層(A)を結晶性ポリエチレンからなる層とし、層
(B)を非晶質ポリオレフィンを含む層、好ましくは非
晶質ポリオレフィン20重量%以上と結晶性ポリエチレ
ン80重量%以下の組成物、より好ましくは非晶質ポリ
オレフィン40〜70重量%と結晶性ポリエチレン60
〜30重量%の組成物からなる層とし、層構成が(A)
/(B)/(A)で、面内位相差R0とR50/R0が
前記の範囲にあるフィルムとする。さらに、層(A)に
は滑剤やアンチブロッキング剤は添加しないのが好まし
い。そして、層(A)の片面(粘着剤非塗布面)の表面
粗度Raを0.15以上、好ましくは0.17以上、さ
らに好ましくは0.20以上にすることによって、ステ
ンレス板に対する静摩擦係数μS及び動摩擦係数μDが
1.00以下となるようにするのが好ましい。
で、の工程で繊維状の切り屑が発生しない。また、層
(A)にはアンチブロッキング剤を添加していないの
で、粉状の切り屑の発生もない。また、層(B)を非晶
質ポリオレフィンを含む層、好ましくは非晶質ポリオレ
フィン20重量%以上と結晶性ポリエチレン80重量%
以下の組成物、より好ましくは非晶質ポリオレフィン4
0〜70重量%と結晶性ポリエチレン60〜30重量%
の組成物からなる層とし、伸張前の面内位相差R0が3
00nm以下、50%伸張後の面内位相差R50とR0
との比R50/R0が2.00以下のフィルムとしたの
で、均一拡張性が良好である。また、ステンレス板に対
する静摩擦係数μS及び動摩擦係数μDを1.00以下
となるようにしたので、図4で示すXの部分でフィルム
とステンレス製押し上げ具とがよく滑るので、フィルム
構成と相まって均一拡張性に優れる。更に、層(A)に
は滑剤を添加していないので、フィルムと粘着剤との層
間接着力や粘着剤表面の粘着力が経時変化を起こさな
い。
る。本発明において使用した物性値の測定方法及び評価
方法は次の通りである。
株式会社製自動複屈折計(KOBRA−21ADH)を
用いて伸張前のフィルムの面内位相差をn=3で測定
し、その平均値をR0とした。(測定波長589nm、
測定光入射角度はフィルム面に対して垂直)
方法によった。即ち、卓上延伸機を用いてフィルムを6
0℃に加熱し、縦方向と横方向とに同時に各々50%伸
張した後解放したフィルムを試料として、前記R0と同
様にして測定した面内位相差をR50とした。
粗さ形状測定機(サーフコム)を用いて、フィルムの中
心線平均粗さをn=3で測定し、その平均値をRaとし
た。
摩擦係数μDは、新東科学株式会社製表面性測定機(H
EIDON−14.DR)を用いてASTM D189
4に準拠して、ステンレス板(Ra=0.05)との静
摩擦係数と動摩擦係数をn=3で測定し、その平均値を
静摩擦係数μS及び動摩擦係数μDとした。
った。即ち、ステンレス製押し上げ具によってフレーム
内のダイシング用テープを60℃で拡張し、切り取った
半導体素子同士の間隔を広げた(図3、図4参照)とき
の、半導体素子間の縦方向の隙間のバラツキが±10%
以下であり、半導体素子間の横方向の隙間のバラツキが
±10%以下であり、且つ、縦方向の隙間の平均値と横
方向の隙間の平均値の差が20%以下であるものを○、
少なくともいずれかがこの範囲を超えるものを×とした
(×の場合は個々の半導体素子をピックアップするとき
にミスが生じる)。
興産株式会社製 UT2535)40重量%と結晶性ポ
リエチレン(三井化学株式会社製 ウルトゼックス20
05HC)60重量%との混合物を2軸押出機(バレル
内温度200℃)を用いて溶融混練し、押出しして、ペ
レットを得た。次いで、結晶性ポリエチレン(宇部興産
株式会社製 F522N)を内層(A)と外層(A)と
なるように2台の押出し機を用いて溶融し、さらにもう
1台の押出し機を用いて、前記ペレットを中間層(B)
となるように溶融し、250℃の1つのTダイ内で
(A)/(B)/(A)の順になるように融着積層して
Tダイから押出し、70℃の温湯を内部に通した、エア
ーナイフ付きの引き取りロール(ロール表面は6sの梨
地状)を用いてドロー比2.5で引き取り、 内層
(A)と外層(A)とが共に15μm、中間層(B)が
120μm、合計150μmの、内層(A)の表面に凹
凸を付けたフィルムを得た。このフィルムの物性値を表
1に示す(但し、表面粗度Raとステンレス板に対する
静摩擦係数及び動摩擦係数はいずれも内層(A)面を測
定した)。次いで、このフィルムの外層(A)面(非凹
凸面)にアクリル系粘着剤を、乾燥後の厚さが10μm
となるように塗布、乾燥して、半導体ウエハのダイシン
グ用テープを得た。このテープによる半導体素子の整列
性評価結果を表1に示す。なお、ダイシング用テープに
貼着したウエハをダイヤモンドブレードで格子状に切り
分け(この時、ダイシング用テープのほぼ中央部までブ
レードの刃先が入る)、個々の半導体素子とする工程に
おいて、このテープは繊維状、粉状等の切り屑は一切発
生しなかった。
し、15℃の冷却水を内部に通した、エアーナイフを付
けない引き取りロールを用いてドロー比15で引き取
り、内層(A)と外層(A)とが共に25μm、中間層
(B)が100μmとした以外、実施例1と同様にして
フィルムを得た。このフィルムの物性値及びこのフィル
ムから作成したテープによる半導体素子の整列性評価結
果を表2に示す。
ル含量10モル%のエチレン−酢酸ビニル共重合体(日
本ユニカー株式会社製 DQDJ−1830)を用い、
外層(A)と内層(A)とを共に15μm、中間層
(B)を50μmとした以外、比較例1と同様にしてフ
ィルム及びテープを得た。このフィルムの物性値及びこ
のフィルムから作成したテープによる半導体素子の整列
性評価結果を表2に示す。
鏡面仕上げのロールを用いた以外、実施例1と同様にし
てフィルム及びテープを得た。このフィルムの物性値及
びこのフィルムから作成したテープによる半導体素子の
整列性評価結果を表2に示す。
で、以下に記載する効果を奏す。
れ、且つ、滑性にも優れるので、例えば、ストレッチフ
ィルムや湿布薬の基材等に好適なフィルムである。
ると、ダイシング時に切り屑が発生しないので、半導体
ウエハのダイシング用テープ基材として好適なフィルム
となる。
ームが張り付けられた状態を示す斜視図である。
ドで格子状に切り分ける工程を示す側面図である。
側面図である。
ダイシングテープを拡張し、切り取った半導体素子同士
の間隔が広がった状態を示す側面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】少なくとも片面の表面粗度Raが0.15
以上であり、伸張前の面内位相差R0が300nm以
下、50%伸張後の面内位相差R50とR 0との比R
50/R0が2.00以下であることを特徴とする均一
拡張性と滑性に優れるポリオレフィン系フィルム。 - 【請求項2】結晶性ポリエチレンを主成分とする層
(A)と、エチレン、プロピレン、ブテン−1からなる
群から選ばれる少なくとも1成分を40重量%以上含有
する非晶質ポリオレフィンを含む層(B)とが(A)/
(B)/(A)の構成をとる請求項1記載の均一拡張性
と滑性に優れるポリオレフィン系フィルム。 - 【請求項3】層(B)が前記非晶質ポリオレフィン20
重量%以上と結晶性ポリエチレン80重量%以下との組
成物からなる層である請求項2記載の均一拡張性と滑性
に優れるポリオレフィン系フィルム。 - 【請求項4】ステンレス板に対する前記片面の静摩擦係
数μS及び動摩擦係数μDとが共に1.00以下である
請求項3記載の均一拡張性と滑性に優れるポリオレフィ
ン系フィルム。 - 【請求項5】請求項4記載の均一拡張性と滑性に優れる
ポリオレフィン系フィルムを基材とする半導体ウエハの
ダイシング用テープ。
Priority Applications (1)
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JP2000046327A JP2001232683A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 均一拡張性と滑性に優れるポリオレフィン系フィルム |
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-
2000
- 2000-02-23 JP JP2000046327A patent/JP2001232683A/ja active Pending
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