CN101157830A - 激光加工用粘合片 - Google Patents

激光加工用粘合片 Download PDF

Info

Publication number
CN101157830A
CN101157830A CNA2007101531718A CN200710153171A CN101157830A CN 101157830 A CN101157830 A CN 101157830A CN A2007101531718 A CNA2007101531718 A CN A2007101531718A CN 200710153171 A CN200710153171 A CN 200710153171A CN 101157830 A CN101157830 A CN 101157830A
Authority
CN
China
Prior art keywords
base material
material film
layer
adhesive sheet
laser processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007101531718A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101157830B (zh
Inventor
浅井文辉
新谷寿朗
佐佐木贵俊
山本晃好
高桥智一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN101157830A publication Critical patent/CN101157830A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101157830B publication Critical patent/CN101157830B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/241—Polyolefin, e.g.rubber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/16—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the structure of the carrier layer
    • C09J2301/162—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the structure of the carrier layer the carrier being a laminate constituted by plastic layers only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/414—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components presence of a copolymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/006—Presence of polyolefin in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种激光加工用粘合片，该粘合片在使用激光切断半导体晶片等被加工物时，可以把基材膜本身的切断限制在最小限度，防止基材膜向加工用的台面局部附着，从而容易且高效地进行之后的工序。本发明的激光加工用粘合片是在基材膜的表面叠层粘合剂层而形成的，其中，上述基材膜在里面含有接触减少层而构成。

Description

激光加工用粘合片
技术领域
本发明涉及激光加工用粘合片，更详细地说，涉及用激光切割半导体晶片等被加工物时使用的激光加工用粘合片。
背景技术
近来，随着电气、电子设备的小型化，零部件也向着小型化、高精细化发展。因此，对于各种材料的切割加工也被要求高精细化、高精密化。特别是在对小型化、高密度化有着很高要求的半导体领域，近年来使用热损伤少且可以进行高精细加工的激光切割半导体晶片的方法受到关注。
该技术是这样一种方法，例如，把在基板上形成有各种各样的电路以及进行了表面处理的被加工物固定在切割片上，用激光切割被加工物，使其成为小的芯片(例如专利文献1)。另外，还提出了一种切割片材，其由包含基材膜的基材和形成在该基材表面的粘合剂层构成，虽然粘合剂层被激光切断，但基材膜并没有被切断(如专利文献2)。
[专利文献1]特开2004-79746号公报
[专利文献2]特开2002-343747号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在被加工物的切割中使用激光时，只切断粘合剂层而不切断基材膜是非常难控制的。即使可以只切断粘合剂层，在激光照射的部位，基材膜的背面有时也局部强力附着在切割装置上的用于加工的夹具台上。并由此引发对后续工序，即对将基材膜拉伸从而将被加工物剥离，并将它们各自回收的工序等带来障碍的问题。
本发明就是鉴于这样的情况而作成的，目的在于提供一种激光加工用粘合片，该粘合片在用激光切断半导体晶片等被加工物时，可以把基材膜本身的切断限制在最小限度，防止基材膜向加工用台面局部附着，从而可以容易且高效地进行之后的工序。
解决课题的方法
本发明人等对于在采用激光加工装置切割时的激光照射的部位，基材膜和加工用台面局部强力附着的现象进行了反复深入研究，结果发现，激光的能量到达基材膜的背面，由于局部集中而发热，从而引起基材膜材料的熔融等，设想干预激光的能量集中及发热，发现了能够把这些作用限制在最小值的特定的必要条件或是它们的组合，从而完成了本发明。
也就是说，本发明的激光加工用粘合片是在基材膜的表面叠层粘合剂层而形成的激光加工用粘合片，上述基材膜在里面侧设有带凹凸的接触减少层。
这样的激光加工用粘合片优选接触减少层将算术平均粗糙度Ra在1.0μm以上的凹凸分布在基材膜里面的外表面上。
接触减少层优选通过喷砂、压花处理或者表面涂布法形成。
还有，基材膜优选具有50％以上的透光率，或者含有至少1层聚烯烃类树脂，或者含有熔点在80℃以上的层。
作为聚烯烃类树脂，优选选自聚乙烯、聚丙烯、乙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物中的一种以上。
另外，基材膜优选进一步含有至少断裂拉伸度不同的2层以上的层，且与接触减少层相邻配置断裂伸长率大的层，断裂伸长率大的层的断裂伸长率优选为100％以上。
发明效果
按照本发明的激光加工用粘合片，通过减少基材膜的背面与加工用台面的接触面积，可以有效地防止基材膜的背面局部附着在切割装置的加工用台面上的现象，该现象起因于激光的能量在激光照射的部位局部集中而产生的基材膜的熔融。因此，其以后的工序，即，将基材膜拉伸而将被加工物同粘合剂层一起剥离，并将其各自回收的工序可以容易且高效地进行。
特别是，接触减少层使算术平均粗糙度Ra在1.0μm以上的凹凸分布在基材膜里面的外表面的情况下，能够有效地减少基材膜与加工用台面的接触面积。
另外，在基材膜具有50％以上的透光率的情况下，可以防止基材膜本身由于激光而引起的劣化。
另外，在基材膜含有至少1层聚烯烃类树脂的情况下，可以将对于所使用的激光的透光率和/或吸光系数设定得比较高，从而可以降低基材膜本身的加工性，即变得难以切断。
特别是在聚烯烃类树脂为选自聚乙烯、聚丙烯、乙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物中的1种以上的情况下，能够更加显著地发挥上述效果。
此外，基材膜含有熔点在80℃以上的层的情况下，在基材膜的里面，能够更有效地防止基材膜的熔融，从而可以抑制局部附着在加工用台面上的现象。
另外，基材膜进一步含有至少断裂伸长率不同的2层以上的层，且断裂伸长率大的层配置在与接触减少层相邻的情况下，断裂伸长率大的层的断裂伸长率为100％以上时，可以将对于所使用的激光的透光率和/或吸光系数设定得更高，因此可以防止基材膜自身的切断。
另外，接触减少层通过喷砂、压花处理或者表面涂布法形成时，可以容易且简便地形成接触减少层。
附图说明
图1为本发明的激光加工用粘合片的概略剖面图。
图2为本发明的激光加工用粘合片的概略平面图。
图3为试验本发明的激光加工用粘合片时用于说明试样的制作方法的片的概略图和放大图。
具体实施方式
本发明的激光加工用粘合片主要由一面设有带凹凸的接触减少层的基材膜和在此基材膜的另一面上形成的粘合剂层构成。
形成在基材膜的里面的带凹凸的接触减少层，主要是用于减少基材膜的里面与加工用台面的接触面积的层，使得即使由于激光的照射而使基材膜熔融等，基材膜本身也不会粘接或牢固地附着在加工用台面上。
接触减少层将例如算术平均粗糙度Ra在1.0μm以上的凹凸分布在基材膜里面的外表面上。特别是Ra更优选为1.2μm以上、1.3μm以上、甚至1.5μm以上。由于这样的凹凸，能够使基材膜本身与加工用台面的接触面积减少，同时在基材膜和加工用台面之间赋予适度的空隙，从而可以使来自基材膜表面一侧的激光的能量有效地从激光加工用粘合片中释放出来。
例如，接触减少层可以通过喷砂、压花处理或者表面涂布等在该领域公知的方法，在基材膜的里面一侧，即和形成粘合剂层相反的一侧形成，并且其自身成为基材膜的一部分。或者，也可以另外通过喷砂、压花处理或表面涂布等形成一面带有凹凸的膜，然后贴在基材膜的里面使之成为一体。这时凹凸的凹陷部分可以通过细微的贯通孔形成。即，可以通过在基材膜自身上形成贯通孔来形成接触减少层，也可以通过和基材膜不同的其他途径，形成带有贯通孔的膜，再将其贴在基材膜的里面使之成为一体。
此外，接触减少层还可以使用例如无机化合物、金属或有机化合物等的任意一个或者将它们组合的材料而成的粒子，形成在基材膜的内侧。
这些粒子具体地说，作为无机化合物可以使用二氧化硅(气相法二氧化硅、二氧化硅、沉淀法二氧化硅、熔融二氧化硅、结晶二氧化硅、超微粉无定形二氧化硅等)、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化锌、氧化锡、氧化钙、氧化镁等金属氧化物；氮化硅、氮化铝等金属氮化物；SiC等金属碳化物；碳酸钾、碳酸钠、碳酸钙、碳酸镁等金属碳酸盐；氢氧化铝、氢氧化镁等金属氢氧化物；钛酸钡、磷酸钙、硅酸钙、石膏、沸石、滑石、粘土、硫酸钡、云母、硅藻土等的粒子；作为金属可以使用金、银、钯、铂、镍、铝、铜、钛、钨、钽等高熔点金属等的粒子；作为有机化合物可以使用后述的形成基材膜的树脂粒子，尤其是聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃；PET等聚酯；尼龙等热塑性树脂；热塑性聚酰亚胺；PTFE、ETFE等含氟聚乙烯；聚碳酸酯；聚酯等熔点较高的树脂粒子等。可以使这些粒子分散/悬浮在适当的溶剂中，在基材膜的里面涂布/干燥，形成带有凹凸的接触减少层；或者也可以将这些粒子与由上述树脂等制成的粘合剂混合，形成表面具有凹凸的膜，再将其贴在基材膜上而成为一体，从而形成接触减少层；还可以将粒子混合到形成基材膜时的原料中，形成基材膜，再在其里面侧形成带有凹凸的接触减少层。
为了有效地发挥作为接触减少层的作用，这样的粒子优选的是例如，球状、针状、片状等各种形状，并且大小从1μm左右到几百μm左右的粒子。使用粒子时的粒子的量，必须考虑所使用粒子的种类及大小等，适当调整可以实现上述凹凸的量。
基材膜可以从自支持性已知的膜中选择。基材膜优选具有均匀厚度的片状，但也可以是网状等形态。而且，基材膜既可以是单一层，也可以是2层以上的多层结构。
作为基材膜的材料，例如可列举如下材料：由丙烯酸类树脂、聚氨酯类树脂、聚降冰片烯类树脂、聚亚烷基二醇类树脂、聚烯烃类树脂(聚苯乙烯类树脂、聚乙烯类树脂等)、聚酰亚胺类树脂、聚酯类树脂、环氧类树脂、聚酰胺类树脂、聚碳酸酯类树脂、硅树脂、氟树脂等制成的高分子膜；铜、铝、不锈钢等的金属片；由PP、PVC、PE、PU、PS、PO或PET等聚合物纤维、人造丝或醋酸纤维素等合成纤维、棉、绢或羊毛等天然纤维以及玻璃纤维或碳纤维等无机纤维制成的非织造布；通过拉伸加工、浸渍加工等对这些材料赋予了物理或光学性能的片；含有二烯烃类(苯乙烯-丁二烯共聚物、丁二烯等)、非二烯类(异丁烯-异戊二烯、氯化聚乙烯、聚氨酯类等)、热塑性类(热塑性弹性体等)等橡胶成分的片；或者组合了1种以上这些材料而成的材料等。其中，优选聚烯烃类树脂。
特别是，这些基材膜材料如以下所说明，要考虑透光率、熔点、断裂伸长率、甚至吸光系数、厚度、叠层状态、断裂强度、比热、蚀刻率、Tg、热变形温度以及比重等至少1种特性，优选考虑2种以上特征，更优选考虑所有特性，选择出不易被切断被加工物的激光切断的材料，或者不易因激光而附着于加工用台面上的材料。
基材膜没有限定其厚度，优选例如具有50μm以上厚度的基材膜，更优选具有100μm以上、150μm以上、50～1000μm左右厚度的基材膜。由此，可以确保对半导体晶片的贴合、半导体晶片的切断以及从半导体芯片上剥离等各工序的操作性和作业性。
膜厚在如上所述的适用范围内的基材膜，相对于激光的透过率、特别是相对于波长从350nm附近到600nm附近的激光的透光率为50％以上，优选为55％以上、60％以上、65％以上、甚至67％以上、70％以上。透光率可以用例如紫外可见分光光度计测定。此时的透光率以未形成接触减少层的基材膜的状态的透光率表示。
另外，基材膜优选含有熔点在80℃以上的层。由此，可以有效地防止由于激光的照射引起的基材膜的熔融。更优选熔点在85℃以上、90℃以上、95℃以上、100℃以上、110℃以上。基材膜为单层结构时，构成该基材膜的层本身的熔点必须在80℃以上，但是基材膜为叠层结构时，也可以不必所有层的熔点都在80℃以上，但优选至少1层是80℃以上熔点的层。此时，那1层优选作为与接触减少层相邻的层设置，且更优选在激光加工时为背面的一侧(例如，和夹具台面相接触的一侧)，即，设置为接触减少层。
基材膜优选具有2层以上的不同材料的叠层结构。这里所说的材料不同，不仅包含组成不同的材料，也包含组成相同但由于分子结构、分子量等不同而使特性不同的材料。例如，可以是由上述吸光系数、熔点、断裂强度、断裂伸长率、透光率、比热、蚀刻率、热传导率、Tg、热变形温度、热分解温度、线性膨胀系数及比重等至少1个特性不同的材料叠层而成的基材膜。
其中，在2层以上的叠层结构中，优选至少1层是不含苯环的树脂、链状的饱和烃类树脂、例如聚烯烃类树脂的结构。作为聚烯烃类树脂，如上所述，可以使用聚乙烯(例如低密度聚乙烯、直链低密度聚乙烯、高密度聚乙烯等)、聚丙烯(例如拉伸聚丙烯、非拉伸聚丙烯等)、乙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物、聚丁二烯、聚乙烯醇、聚甲基戊烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚醋酸乙烯等的1种以上，特别优选乙烯类(共)聚合物及丙烯类(共)聚合物，尤其是聚乙烯、聚丙烯、乙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物中的至少1种。通过选择这些材料，可以谋求适当的伸展性和对于激光加工的适当的强度的平衡。另外，构成接触减少层本身的材料也优选由这些树脂制成、或者含有这些材料而构成。
基材膜为叠层结构时，优选同时含有聚乙烯树脂层和聚丙烯树脂层两者。特别优选含有这些层的2层或3层的构造。这时，更优选聚丙烯树脂层设置在远离粘合剂层的位置。例如，在2层结构的情况下，优选在基材膜的背面侧设置聚丙烯树脂层，在粘合剂层一侧设置聚乙烯树脂层，在3层结构的情况下，优选在基材膜的背面侧或者在基材膜上更靠近粘合剂的一侧上设置聚丙烯树脂层，在粘合剂层侧设置聚乙烯树脂层。通过这样的设置，即使激光加工时部分基材膜损伤，由于在背面侧存在作为比较软的树脂的聚丙烯树脂层，可以确保基材膜的适当的伸展性。
另外，基材膜优选具有100％以上的断裂伸长率。断裂伸长率例如可通过万能拉伸试验机在拉伸速度200mm/分下基于JIS K-7127标准测定。基材膜为叠层结构时，可以不必所有层都具有100％以上的断裂伸长率，但优选至少是具有100％以上断裂伸长率的层与接触减少层相邻设置。另外，具有100％以上断裂伸长率的层本身也可以是构成减少接触层的层。由此，在进行激光加工后，拉伸切割片容易将切断被加工物而形成的芯片剥离，是优选的。
另外，基材膜优选吸光系数为65以下。更优选在60以下、55以下、50以下、45以下、40以下。这里，吸光系数可如下测定：例如，由使用岛津制作所制造的分光光度计MPS-2000测定的波长355nm的透光率作为I/I0、试样厚度d根据兰伯特-比尔定律(Lambert Beer’s law)(I/I0＝exp-αd)求出吸光系数α。但是，测定波长可以不必是355nm，也可以是248～1100nm的范围，优选在248～800nm、248～600nm的范围。基材膜是叠层结构时，可以不必每层的吸光系数都在65以下，只要叠层状态的基材膜具有65以下的吸光系数即可。由于吸光系数在65以下，所以可以将基材膜对激光的吸收限制在最小限度，从而可以防止基材膜本身被激光加工。
另外，基材膜优选比热大的物质。例如，比热优选为0.5以上、0.7以上、0.8以上、1.0以上、1.1以上、1.2以上。由于比热比较大，基材膜本身难以被激光产生的热量加热，其热量的一部分容易逃向基材膜外部。其结果，基材膜变得难以加工、可以将基材膜的切断限制在最小限度，并且可以防止局部附着在背面加工用台面上。比热可以通过JIS K7123标准测定。具体地说，将试料片以10℃/min的速度升温，用差示扫描量热计(DSC)测出所需的热量而求得。
另外，基材膜优选含有至少断裂强度不同的2层以上的层。这里，断裂强度可以根据JIS K-7127标准采用万能拉伸试验机以拉伸速度200mm/分测定。断裂强度的差异没有特殊限定，例如，优选为20MPa以上、50MPa以上。此时，更优选断裂强度大的层设置在远离粘合剂层的位置。即，优选在基材膜的背面设置伸展性良好的层，该伸展性良好的层设置有难以被激光切断的强度的层。但是，如果杨氏模量(初期弹性模量)过大，则延展性出现不合适，因此优选为例如150MPa以下、120MPa以下、100MPa以下。
此外，基材膜优选蚀刻率低的膜。例如，蚀刻率优选在1～5J/cm2的激光强度下为0.3～1.5μm/脉冲，更优选为0.3～1.2μm/脉冲、0.3～1.1μm/脉冲。特别优选在1～2J/cm2的激光强度下为0.9μm/脉冲以下、0.8μm/脉冲以下、0.7μm/脉冲以下。由于蚀刻率低，可以防止基材膜本身的切断。
基材膜的玻璃化转变温度(Tg)优选为50℃以下、30℃、20℃或0℃以下，热变形温度优选为200℃以下、190℃、180℃、170℃以下，密度优选为1.4g/cm3以下、1.3g/cm3以下、1.2g/cm3以下、1.0g/cm3以下。由于具有这些特性，将基材膜的切断限制在最小限度，并防止背面局部附着在加工用台面上，因此是有利的。Tg和热变形温度可以利用例如JIS K7121标准中的通常的塑料的转变温度的测定方法(具体地，如差示热分析(DTA)、差示扫描热量分析(DSC)等)测定。特别是，热变形温度也可以通过例如基于JIS K7244-1标准的方法，以软化开始温度作为热变形温度。此外，比重可以用例如JISK7112标准中的通常已知的塑料的密度(比重)测定方法(具体地，有水中置换法、比重计法、浮力法、密度梯度法等)测定。
另外，为了提高基材膜的表面和加工装置的台面等相邻材料的紧密性、保持性等，可以实施公知的表面处理，例如，铬酸处理、臭氧曝露、火焰曝露、高压电击曝露以及离子化放射线处理等化学或物理处理，或者用底涂剂(例如后述的粘接物质)进行涂覆处理等。
形成在本发明的激光加工用粘合片上的粘合剂层没有特别限定，例如，可以使用含有由紫外线、电子线等放射线固化的能量线固化性树脂、热固性树脂及热塑性树脂等的该领域公知的粘合剂组成物而形成。特别是，为了提高被加工物的剥离性，优选使用能量线固化性树脂。这是因为，通过照射能量线，在粘合剂内形成三维网状结构，因此可以使粘接强度降低，在使用后可以容易剥离。这些粘合剂没有限定，例如，可以使用特开2002-203816号、特开2003-142433号、特开2005-19607号、特开2005-279698号、特开2006-35277号、特开2006-111659号等中记载的粘合剂。
具体地，可列举配合了天然橡胶和各种合成橡胶等橡胶、或者丙烯腈以及由具有碳原子数1～20左右的直链或支链烷基的丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯制造的聚(甲基)丙烯酸烷基酯等丙烯酸类聚合物的粘合剂。
可以把多官能性单体作为交联剂添加到粘合剂中。作为交联剂，可列举己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯以及聚氨酯丙烯酸酯等。这些物质可以单独使用，也可以组合2种以上使用。
为了制成能量线固化型粘合剂，优选将可以通过光照射而容易发生反应的单体或低聚物，即所谓的光聚合性化合物组合。作为它们的例子，可列举氨基甲酸酯、甲基丙烯酸酯、三甲基丙烷三甲基丙烯酸、四羟甲基甲烷四甲基丙烯酸酯以及二甲基丙烯酸1，4-丁二醇酯等。
此时，还可以含有光聚合引发剂。作为引发剂，可列举4-(4-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮等苯乙酮化合物、苯偶姻乙醚等的苯偶姻醚化合物、缩酮化合物、芳香族磺酰氯化合物、光活性肟化合物和二苯甲酮化合物。这些物质可以单独使用也可以组合2种以上使用。
为了制成热敏性粘合剂，可以使用所谓的热发泡成分(分解型或微胶囊型)。例如，参照欧洲专利第0523505号。
如果必要，可以向粘接剂中混合增粘剂、填充剂、颜料、防老剂或稳定剂、软化剂等任意的添加剂。
粘合剂层的厚度没有特别限定，但是在获得充分的粘接强度的同时，考虑到将粘合片从半导体晶片等上取下来后，不希望在其位置上残留粘合剂残渣时，例如可举出300μm以下、3～200μm。
本发明的激光加工用片，可以通过该领域中公知的方法形成。例如，如上所述，制备粘合剂成分，再将其在基材膜上涂布/干燥而形成。作为粘合剂成分的涂布方法，可以采用棒涂法、气刀涂布、凹版涂布、凹版逆辊涂布(グラビアリバ一ス塗工)、逆辊涂布、唇式涂布(リツプ塗工)、模头涂布、浸渍涂布、胶版印刷、苯胺印刷、丝网印刷等各种方法。也以采用另外在剥离衬上形成粘合剂层后，再将其贴合在基材膜上的方法等。
本发明的激光加工用粘合片可以适用于使用激光的加工。例如，具有400nm以下的激发波长的激光，具体地，可举出激发波长248nm的KrF准分子激光(excimer laser)、308nm的XeCl准分子激光、YAG激光的三次谐波(355nm)、四次谐波(266nm)。另外，也可以使用具有400nm以上的激发波长的激光(例如波长在750～800nm附近的钛-蓝宝石激光等、脉冲宽1e-9秒(0.000000001秒)以下)。
本发明的激光加工用粘合片，通常可以用于半导体晶片、例如硅晶片、锗晶片、镓/砷晶片、电路基板、陶瓷基板、金属基板、半导体激光等的发光或受光元件基板、MEMS(Micro Electro Mechanical System)基板及半导体组件(package)等。即，在使用激光进行切割加工前，例如贴合在切割装置的半导体晶片等的加工用台面一侧，在这些半导体晶片切断时以及在其后续工序中，可以用于支持固定被单片化的芯片。
在这样的使用中，本发明的激光加工用粘合片，在激光的照射部分即使基材膜的一部分被熔融，由于基材膜和加工用台面的接触面积小，因而可以将基材膜的背面局部附着在切割装置的加工用台面上的现象限制在最小限度，同时由于可以在接触减少层和加工用台面之间有效地导入空隙，因而激光产生的能量的一部分通过这个空隙，可以有效地从基材膜中逃脱，从而可以降低基材膜本身的熔融。而且，虽然粘合剂层或者粘合剂层和部分基材膜与半导体晶片一起被切断，但加工用台面一侧的基材膜不易被切断，可以防止单片化的芯片等分散或落下。
实施例
下面，具体地说明本发明的激光加工用粘合片，但本发明并不限定于这些实施例。
实施例1
(粘合剂溶液的制备)
将100重量份丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/丙烯酸2-羟乙酯/丙烯酸以60/40/4/1的重量比共聚而成的数均分子量约50万的丙烯酸类聚合物、3重量份异氰酸酯类交联剂(日本聚氨酯公司制造，コロネ一トHL)及2重量份的环氧类交联剂(日本三菱瓦斯化学公司制造，Tetrad C)加入到500重量份的甲苯中，均匀溶解、混合，制备丙烯酸类粘合剂溶液(1)。
(带有减少接触层的激光加工用粘合片的形成)
使用具有1.0μm、3.0μm、5.0μm、10μm加工深度的热加工用辊(YURIROLL CO.，LTD制造)及镜面辊，在厚度150μm、对355nm的光具有约66％的透光率的聚乙烯膜(熔点：115℃)的单面形成接触减少层(以下记为“压花处理”)。
测定得到的聚乙烯膜的算术平均粗糙度Ra，其结果如表1所示，分别得到具有1.2μm、2.9μm、5.0μm、10.3μm的接触减少层的聚乙烯膜。
为了使包含接触减少层的聚乙烯膜的未形成接触减少层的一侧的表面与粘合剂的粘合性提高，实施了电晕放电处理。然后，涂布丙烯酸类粘合剂使厚度为20μm，如图1所示，分别制作在基材膜1的表面形成粘合剂层2、在里面形成接触减少层3的激光加工用粘合片10。
(表面粗糙度的测定)
使用Tencor公司制造的表面高低差异(段差)/表面粗糙度微形状测定装置P-15，如图2所示，对得到的激光加工用粘合片的接触减少层在激光加工用粘合片10的宽度方向(例如宽度E＝1400mm)上取3处(X，Y，Z)、在长方向间隔D(例如10m)取10处，测定总共30处的粗糙度，将其平均粗糙度作为算术平均粗糙度Ra。各处的测定距离是对减少接触层的侧表面的长度50mm进行测定。
(与夹具台面的粘合力的测定)
如图1所示，作为激光切割装置的夹具台面，是使用片固定环11以与接触减少层表面侧相接触的方式分别将激光加工用粘合片10配置在石英玻璃制的台面上。
作为加工用激光，使用波长355nm、平均输出功率5W、重复频率30kHz的YAG激光的三次谐波(355nm)。通过fθ透镜将激光聚光，用电子扫描仪以20mm/秒的速度扫描激光加工用粘合片，进行切断加工。
对于各激光加工用粘合片，为了更明确地确认与夹具台面的粘合性倾向，改变扫描次数为1～8次，分别测定粘合性。
激光加工用粘合片和夹具台面的粘合力的测定是基于JIS Z0237标准的粘合力测定方法测定的。即，将激光加工后的激光加工用粘合片10切成宽度A为20mm、长度B为150mm作为试验片，使用JIS B7721标准中规定的拉伸试验机作为测定装置，在测定温度23±3℃、剥离角度180°以及剥离速度300mm/秒的条件下测定剥离时的荷重(粘合力N/20mm)。其结果如表1所示。
比较例
不使用具有加工深度的热加工用辊，而是使用2根镜面金属棍，形成150μm厚的聚乙烯膜，从而形成不具有接触减少层的聚乙烯膜。
测定膜两面的算术平均粗糙度Ra，结果如表1所示，各面均为0.4μm。
[表1]
  压花辊加工深度     接触减少层Ra[μm]                                     扫描次数
  1   2     3   4     5     6     7     8
  1.0μm     1.2   1.4   1.6   2.1   2.9     3.4     4.7     5.3     5.9
  3.0μm     2.9   1.2   1.4   1.8   1.9     2.1     2.3     2.9     3.3
  5.0μm     5.0   0.7   0.9   1.1   1.6     1.8     1.9     2.0     2.4
  10μm     10.3   0.3   0.4   0.4   0.5     0.7     0.8     0.8     0.9
  镜面金属辊     0.4   2.5   3.2   3.8   5.7     7.9存在剥离失败     9.0存在剥离失败     11.0存在剥离失败     12.0存在剥离失败
实施例2
除了使用聚丙烯/聚乙烯/聚丙烯(膜厚30μm/90μm/30μm、熔点130℃、波长355nm的透光率为70％)作为基材膜以外，与实施例1同样地进行压花加工，形成接触减少层，并与实施例1进行同样的评价。其结果，反复多次激光扫描时，在激光加工用粘合片切断时产生若干小片，但在激光加工用粘合片和夹具台面的附着方面，得到与上述几乎相同的结果。
这样，由实施例和比较例可知，通过使用本发明的激光加工用粘合片，在激光加工时，可以减少对夹具台面的附着，在激光加工后，可以容易地输送到下面的工序(清洗处理或拾取处理)。
工业实用性
本发明可以用于半导体晶片，例如硅晶片、锗晶片、镓/砷晶片、电路基板、陶瓷基板、金属基板、半导体激光等的发光或受光元件基板、MEMS(MicroElectro Mechanical System)基板及半导体组件等，对于所有使用激光的宽范围的加工都可以利用。

Claims (9)

1.一种激光加工用粘合片，其是在基材膜的表面叠层粘合剂层而形成的，其中，上述基材膜在里面设有带凹凸的接触减少层。
2.权利要求1所述的激光加工用粘合片，其中，接触减少层将算术平均粗糙度Ra在1.0μm以上的凹凸分布在基材膜里面的外表面上。
3.权利要求1所述的激光加工用粘合片，其中，基材膜具有50％以上的透光率。
4.权利要求1所述的激光加工用粘合片，其中，基材膜含有至少1层聚烯烃类树脂。
5.权利要求4所述的激光加工用粘合片，其中，聚烯烃类树脂选自聚乙烯、聚丙烯、乙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物中的1种以上。
6.权利要求1所述的激光加工用粘合片，其中，上述基材膜含有熔点在80℃以上的层。
7.权利要求1所述的激光加工用粘合片，其中，上述基材膜还含有至少断裂伸长率不同的2层以上的层，且与接触减少层相邻地配置断裂伸长率大的层。
8.权利要求7所述的激光加工用粘合片，其中，断裂伸长率大的层的断裂伸长率为100％以上。
9.权利要求1所述的激光加工用粘合片，其中，接触减少层通过喷砂、压花处理或表面涂布法形成。
CN2007101531718A 2006-10-04 2007-09-28 激光加工用粘合片 Expired - Fee Related CN101157830B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006272862A JP4767144B2 (ja) 2006-10-04 2006-10-04 レーザ加工用粘着シート
JP272862/06 2006-10-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101157830A true CN101157830A (zh) 2008-04-09
CN101157830B CN101157830B (zh) 2013-08-07

Family

ID=39052670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101531718A Expired - Fee Related CN101157830B (zh) 2006-10-04 2007-09-28 激光加工用粘合片

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20080085397A1 (zh)
EP (1) EP1908808A1 (zh)
JP (1) JP4767144B2 (zh)
KR (1) KR20080031628A (zh)
CN (1) CN101157830B (zh)
TW (1) TWI409315B (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101712852A (zh) * 2008-10-01 2010-05-26 日东电工株式会社 激光加工用压敏粘合片和用于激光加工的方法
CN103081070A (zh) * 2011-07-11 2013-05-01 日东电工株式会社 切割用粘合片及使用了切割用粘合片的半导体装置的制造方法
CN103238205A (zh) * 2010-12-06 2013-08-07 木本股份有限公司 激光切割用辅助片
CN103370770A (zh) * 2011-10-27 2013-10-23 古河电气工业株式会社 半导体器件加工用粘合胶带
CN104136217A (zh) * 2012-02-28 2014-11-05 日东电工株式会社 粘合带用薄膜及粘合带
CN104137231A (zh) * 2012-02-28 2014-11-05 日东电工株式会社 粘合带用薄膜及粘合带
CN107924864A (zh) * 2016-06-30 2018-04-17 华殷高科技股份有限公司 半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片
CN108389826A (zh) * 2018-02-11 2018-08-10 安徽三安光电有限公司 用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法
CN109321151A (zh) * 2018-08-30 2019-02-12 宁波吉象塑胶科技股份有限公司 静音胶带
CN109439217A (zh) * 2013-02-08 2019-03-08 日东电工株式会社 粘合带
CN110211912A (zh) * 2014-06-10 2019-09-06 琳得科株式会社 切割片
CN110301035A (zh) * 2017-02-16 2019-10-01 信越聚合物株式会社 剥离基板制造方法
CN110799610A (zh) * 2017-07-20 2020-02-14 三井化学株式会社 粘着构件及粘着构件的制造方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5193752B2 (ja) * 2008-08-28 2013-05-08 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
TWI507501B (zh) 2009-06-15 2015-11-11 Lg Chemical Ltd 用於處理晶圓的薄片
JP2011198914A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Lintec Corp 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR101924484B1 (ko) * 2011-10-17 2018-12-04 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 테이프용 필름 및 점착 테이프
KR101920086B1 (ko) * 2011-10-17 2018-11-19 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 테이프용 필름 및 점착 테이프
JP5978051B2 (ja) * 2011-10-17 2016-08-24 日東電工株式会社 粘着テープ用フィルムおよび粘着テープ
DE202012102188U1 (de) 2012-06-14 2013-09-26 Polifilm Protection Gmbh Partikelhaltige Klebefolie zum temporären Schutz einer Werkstückoberfläche, insbesondere bei Laserbearbeitung, und Verbund mit einer derartigen Folie
JP6110662B2 (ja) * 2012-12-28 2017-04-05 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
JP6029481B2 (ja) * 2013-02-04 2016-11-24 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
JP6303281B2 (ja) * 2013-04-08 2018-04-04 大日本印刷株式会社 保護テープ、保護テープの製造方法、ダイシングテープ及びダイシングテープの製造方法
US20150037915A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Wei-Sheng Lei Method and system for laser focus plane determination in a laser scribing process
CN105705468B (zh) * 2013-11-14 2018-11-16 三菱电机株式会社 激光加工方法以及激光加工装置
JP6401043B2 (ja) * 2014-12-24 2018-10-03 株式会社きもと レーザーダイシング用補助シート
JP6459646B2 (ja) * 2015-03-06 2019-01-30 富士通株式会社 半導体装置製造用治具及び半導体装置の製造方法
JP6286014B2 (ja) * 2016-12-19 2018-02-28 パナック株式会社 工程用保護フィルム
JP6562095B2 (ja) * 2018-01-26 2019-08-21 王子ホールディングス株式会社 レーザ加工用補助シート
AU2019330822A1 (en) 2018-08-31 2021-04-15 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Methods and systems for cutting or perforating a web with a laser
JP7311312B2 (ja) * 2019-05-17 2023-07-19 東レフィルム加工株式会社 ダイシングシート用基材フィルム

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10337823A (ja) * 1997-04-11 1998-12-22 Lintec Corp 基材および該基材を用いた粘着テープ
JP3634673B2 (ja) * 1999-07-02 2005-03-30 グンゼ株式会社 ポリオレフィン系フィルム
JP2001232683A (ja) * 2000-02-23 2001-08-28 Gunze Ltd 均一拡張性と滑性に優れるポリオレフィン系フィルム
JP4886937B2 (ja) * 2001-05-17 2012-02-29 リンテック株式会社 ダイシングシート及びダイシング方法
US7141300B2 (en) * 2001-06-27 2006-11-28 Nitto Denko Corporation Adhesive sheet for dicing
JP3953801B2 (ja) * 2001-12-11 2007-08-08 大日本印刷株式会社 拡散フィルム及びその製造方法、面光源装置及び液晶表示装置
JP2003210049A (ja) 2002-01-23 2003-07-29 Sumitomo Chem Co Ltd 農業用ハウス被覆材
JP2004079746A (ja) 2002-08-16 2004-03-11 Tokyo Seimitsu Co Ltd チップ製造方法
WO2004096483A1 (ja) * 2003-04-25 2004-11-11 Nitto Denko Corporation レーザー加工品の製造方法、およびそれに用いるレーザー加工用粘着シート
JP4477346B2 (ja) * 2003-12-05 2010-06-09 古河電気工業株式会社 半導体ダイシング用粘接着テープ
JP2005236082A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Nitto Denko Corp レーザーダイシング用粘着シート及びその製造方法
JP5165829B2 (ja) * 2004-02-26 2013-03-21 日東電工株式会社 ロール状ウエハ加工用粘着シート
JP2006104417A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Hitachi Chem Co Ltd 硬化性樹脂組成物、これを用いた硬化性シート及び放熱シート
JP4642436B2 (ja) * 2004-11-12 2011-03-02 リンテック株式会社 マーキング方法および保護膜形成兼ダイシング用シート
JP4712468B2 (ja) * 2004-11-30 2011-06-29 古河電気工業株式会社 ダイシングダイボンドテープ
JP4476848B2 (ja) * 2005-03-07 2010-06-09 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよびレーザーダイシング方法
JP4762671B2 (ja) * 2005-10-26 2011-08-31 古河電気工業株式会社 ダイシングテープ、および半導体ウェハダイシング方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101712852B (zh) * 2008-10-01 2013-11-06 日东电工株式会社 激光加工用压敏粘合片和用于激光加工的方法
CN101712852A (zh) * 2008-10-01 2010-05-26 日东电工株式会社 激光加工用压敏粘合片和用于激光加工的方法
CN103238205A (zh) * 2010-12-06 2013-08-07 木本股份有限公司 激光切割用辅助片
CN103238205B (zh) * 2010-12-06 2016-05-18 木本股份有限公司 激光切割用辅助片
CN103081070A (zh) * 2011-07-11 2013-05-01 日东电工株式会社 切割用粘合片及使用了切割用粘合片的半导体装置的制造方法
CN103370770B (zh) * 2011-10-27 2015-07-29 古河电气工业株式会社 半导体器件加工用粘合胶带
CN103370770A (zh) * 2011-10-27 2013-10-23 古河电气工业株式会社 半导体器件加工用粘合胶带
CN104137231B (zh) * 2012-02-28 2017-03-01 日东电工株式会社 粘合带用薄膜及粘合带
CN104136217B (zh) * 2012-02-28 2016-08-17 日东电工株式会社 粘合带用薄膜及粘合带
CN104136217A (zh) * 2012-02-28 2014-11-05 日东电工株式会社 粘合带用薄膜及粘合带
CN104137231A (zh) * 2012-02-28 2014-11-05 日东电工株式会社 粘合带用薄膜及粘合带
CN109439217A (zh) * 2013-02-08 2019-03-08 日东电工株式会社 粘合带
CN110211912B (zh) * 2014-06-10 2023-06-02 琳得科株式会社 切割片
CN110211912A (zh) * 2014-06-10 2019-09-06 琳得科株式会社 切割片
CN107924864A (zh) * 2016-06-30 2018-04-17 华殷高科技股份有限公司 半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片
CN110301035A (zh) * 2017-02-16 2019-10-01 信越聚合物株式会社 剥离基板制造方法
CN110301035B (zh) * 2017-02-16 2023-01-13 信越聚合物株式会社 剥离基板制造方法
CN110799610A (zh) * 2017-07-20 2020-02-14 三井化学株式会社 粘着构件及粘着构件的制造方法
CN110799610B (zh) * 2017-07-20 2022-05-17 三井化学株式会社 粘着构件及粘着构件的制造方法
CN108389826A (zh) * 2018-02-11 2018-08-10 安徽三安光电有限公司 用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法
CN109321151A (zh) * 2018-08-30 2019-02-12 宁波吉象塑胶科技股份有限公司 静音胶带

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008091765A (ja) 2008-04-17
JP4767144B2 (ja) 2011-09-07
TW200833807A (en) 2008-08-16
US20080085397A1 (en) 2008-04-10
EP1908808A1 (en) 2008-04-09
TWI409315B (zh) 2013-09-21
CN101157830B (zh) 2013-08-07
KR20080031628A (ko) 2008-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101157830B (zh) 激光加工用粘合片
CN101130670A (zh) 激光加工用粘接片
US8168030B2 (en) Manufacturing method of laser processed parts and adhesive sheet for laser processing
KR101897376B1 (ko) 반도체 가공용 점착 테이프
JP4991024B1 (ja) レーザーダイシング用補助シート
CN101602148A (zh) 激光加工用粘合片及激光加工方法
CN103081070A (zh) 切割用粘合片及使用了切割用粘合片的半导体装置的制造方法
WO2004096483A1 (ja) レーザー加工品の製造方法、およびそれに用いるレーザー加工用粘着シート
CN1657584A (zh) 激光切割用粘合片及其制造方法
JP2003158098A (ja) ウェハダイシングテープ用基材
CN102782071A (zh) 粘着片
JP2008159701A (ja) ダイシング用基体フイルム
CN101177598A (zh) 喷水激光切割用粘合片
JP2016119432A (ja) レーザーダイシング用補助シート
CN1865375B (zh) 切割用粘合片及使用该粘合片的切割方法
JP5013842B2 (ja) ダイシング用基体フイルム
CN101134876A (zh) 喷水激光切割用粘合片
JP2011061097A (ja) ダイシング用プロセステープ。
CN101134877A (zh) 喷水激光切割用粘合片
CN109819677B (zh) 激光切割用辅助片
CN103377977A (zh) 基板的切割方法
JP2008147341A (ja) ダイシング用基体フイルム
JP6399923B2 (ja) 板状物のレーザー加工方法
CN102031072A (zh) 保持元件用压敏粘合片和生产元件的方法
JP2019065165A (ja) 粘着性フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130807

Termination date: 20210928