CN101134877A - 喷水激光切割用粘合片 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，提供一种粘合片，在随着半导体晶片等的切割技术的变迁，对切割用粘合片的粘合力的临界意义发生了变化的状况下，该粘合片可以确保切割时晶片等的良好粘结边防止芯片或部件从粘结胶带上剥离，同时，剥离切割后的芯片或IC部件等没有产生缺损等缺陷，能够进行极薄的半导体晶片或材料的加工。本发明涉及一种喷水激光切割用粘合片，其是在基材膜上叠层粘合剂层而形成的喷水激光切割用粘合片，构成粘合剂层的粘合剂是能量线固化型粘合剂，粘合片具有1.5N/20mm以上的粘合强度。

Description

喷水激光切割用粘合片
技术领域
本发明涉及喷水激光切割用粘合片(ウオ—タ—ジエツトレ—ザダイシング，water jet laser dicing)，更为详细地，涉及在通过喷水激光来切割半导体晶片和/或半导体相关材料时为进行固定而使用的喷水激光切割用粘合片。
背景技术
以往，半导体晶片和半导体相关材料通过使用已知的作为切割刀片的旋转刀片来切割，并分离为芯片和IC部件。在该切割工序中，通常，为了固定半导体晶片等，首先将半导体晶片粘接在被称为切割胶带等的粘接带上。并且，半导体晶片被切割为芯片状后，通过拾取从粘结胶带上剥离下来。
但是，用该方法切断的芯片等由于切割刀片产生的物理应力，会引起切飞(ダイフライ)或产生裂纹、碎片等缺陷，产生的问题是这些芯片等的品质降低、该切割方法的生产性也降低。因此，尝试着进一步增强粘结胶带的粘合力，但近年来，受到电子装置的小型化、对更薄的晶片的需要的增加等影响，而成为更加严重的问题。
另一方面，粘结胶带的结合力的增强使切割后的芯片等更难剥离，根据情况，造成芯片等的缺损等。再者，晶片等上的污染物质以更强的粘合力粘结在粘结胶带上，带来污染切割装置的弊病。
因此，作为代替使用切割刀片的半导体晶片等的切割技术，提出了使用激光束的切割方法，特别是使用由液体喷射引导的激光束进行的切断、穿孔、熔接、刻印和剥离等的材料加工方法(例如专利文献1)。在该方法中，由于晶片等只暴露于来自上方的水流，故而可以防止旋转刀片带来的物理应力而产生的切飞等。
再者，在使用该激光技术的切割方法中，存在由于利用水流而引起的晶片等容易从固定它们的粘结带上剥离的问题，对此，提出了可以适合使用于喷水激光切割的粘合片(例如专利文献2)。
专利文献1：WO95/32834号
专利文献2：特开2001-316648号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明期望通过喷水激光切割，将进一步薄膜化的半导体晶片和/或半导体相关材料加工成更小且更薄的芯片或IC部件等，另外，本发明的目的在于，提供一种粘合片，该粘合片在随着切割技术的变迁，对切割用粘合片的粘合力的临界意义发生了变化的状况下，可以确保切割时晶片等的良好粘结，同时防止芯片或部件从粘结胶带上剥离，并且，剥离切割后的芯片或IC部件等不会产生缺损等缺陷，能够进行极薄的半导体晶片或材料的加工。
解决问题的方法
本发明的喷水激光切割用粘合片是在基材膜上叠层粘合剂层而形成的喷水激光切割用粘合片，其特征在于，构成上述粘合剂层的粘合剂是能量线固化型粘合剂，该粘合片具有1.5N/20mm以上的粘合强度。
在该喷水激光切割用粘合片中，基材膜优选具有穿孔且空隙率为3～90％或含有由聚烯烃制成的层。
再者，穿孔优选具有5～800μm的径或具有25μm2～3.0mm2大小。
而且，粘合剂优选包含橡胶类或丙烯酸类粘合剂。
再者，优选具有超过100％的伸长率或具有超过0.1N/10mm的拉伸强度。
而且，照射能量线后的粘合强度优选不足0.2N/20mm。
发明效果
根据本发明的喷水激光切割用粘合片，期望将进一步薄膜化的半导体晶片和/或半导体相关材料加工成更小、更薄的芯片或IC部件等，而且在随着切割技术的变迁，对切割用粘合片的粘合力的临界意义发生了变化的情况下，可以在切割时确保晶片等的良好粘结的同时，防止芯片或部件从粘结胶带上剥离。再者，提供一种剥离切割后的芯片或IC部件等时不会产生缺损等缺陷，并能够进行极薄的半导体晶片或材料的加工的粘合片。
具体实施方式
本发明的喷水激光切割用粘合片主要包括基材膜和设置于其上的粘合剂层。这里，所谓喷水激光切割用粘合片是指在使用由液体流(通常为水流)引导的激光束的切割中使用，并且可以在切割时使来自该液体流的液体从粘合片的一侧表面流向另一侧表面的粘合片，所述液体例如是从粘合剂层侧直接或间接地向粘合片上供给规定压力以上的液体流时的液体。此时的规定压力通常可以为几MPa左右以上。
粘合剂层由涂布于基材膜一面上的粘合剂层构成。该粘合剂优选由于照射能量线而固化的类型的粘合剂。由此，可以容易地从被加工物上剥离下来。作为能量线，例如可以利用紫外线、可见光线、红外线等各种波长的能量线，但由于在切割中使用的激光束是400nm以下的激发波长或400nm以上的激发波长的激光等，故而优选使用照射不会由于所使用的切割装置的激光束而发生固化的粘合剂，所述400nm以下的激发波长的激光，例如：激发波长为248nm的KrF准分子激光、308nm的XeCI准分子激光、YAG激光的第三高次谐波(355nm)、第四高次谐波(266nm)；所述400nm以上的振动波长的激光，例如：可吸收经由多光子吸收过程得到的紫外线区域的光且可利用多光子吸收烧蚀(ablation)进行20μm以下的宽度切割加工等的波长为750～800nm附近的钛蓝宝石激光等，脉冲宽度为1e-9秒(0.000000001秒)以下的激光等。
作为粘合剂层的形成材料，可以使用含有(甲基)丙烯酸类聚合物、橡胶类聚合物等的公知的粘合剂，特别优选(甲基)丙烯酸类聚合物。由此，即使不添加用于能量线固化的特别的单体/低聚物成分等，也可以进行固化。
作为橡胶类聚合物，例如可以是天然橡胶(例如聚异戊二烯等)、合成橡胶(例如苯乙烯-丁二烯橡胶、聚丁二烯类、丁二烯-丙烯腈类、氯丁二烯类橡胶等)的任一种。
作为构成(甲基)丙烯酸类聚合物的单体成分，例如，可以举出，具有甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基以及十二烷基等碳原子数为30以下，优选碳原子数4～18的直链或支链的烷基的丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯。这些(甲基)丙烯酸烷基酯既可以单独使用也可以同时使用两种以上。
作为除上述以外的单体成分，例如举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸以及巴豆酸等含有羧基的单体、马来酸酐或衣康酸酐等酸酐单体、(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯以及(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等的含有羟基的单体、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、磺丙基(甲基)丙烯酸酯以及(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含有磺酸基的单体、2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含有磷酸基的单体、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸N-羟甲酰胺、(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁氨基乙酯等)、N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯酰基吗啉、醋酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。这些单体成分既可以单独使用，也可以同时使用两种以上。
再者，为了(甲基)丙烯酸类聚合物的交联，可以任意使用多官能单体。作为多官能单体，例如举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯以及聚氨酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能单体既可以单独使用，也可以同时使用两种以上。从粘合特性等的观点出发，多官能单体的使用量优选所有单体成分的30重量％以下，更优选20重量％以下。
另外，优选使用具有碳-碳双键等能量线固化性官能团的单体和/或低聚物。
作为单体/低聚物，可以举出，例如，聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯以及1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。它们既可以单独使用，也可以同时使用两种以上。它们的配合量没有特别限制，但考虑到粘合性时，相对于构成粘合剂的(甲基)丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，优选5～500重量份左右，更优选70～150重量份左右。
再者，优选使用光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如举出4-(2-羟乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α，α-甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1等苯乙酮类化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚(anisoin methyl ether)等苯偶姻醚类化合物；2-甲基-2-羟丙基苯酮等α-酮醇类化合物；苄基二甲基酮缩醇等酮缩醇类化合物、2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；1-苯酮-1，1-丙二酮-2-(邻乙氧羰基)肟等光活性肟类化合物；二苯甲酮、苯酰安息香酸、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4--二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类化合物；樟脑醌、卤化酮、酰基氧化膦(acylphosphinoxide)以及酰基膦酸酯等。它们既可以单独使用，也可以同时使用两种以上。光聚合引发剂的配合量相对于构成粘合剂的基础聚合物100重量份，优选0.1～10重量份左右，更优选0.5～5重量份左右。
而且，为了提高基础聚合物的重均分子量，可以任意添加交联剂。作为交联剂，可以举出多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮杂环丙烷化合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、酸酐化合物(無水化合物)、多胺、含有羧基的聚合物等。它们既可以单独使用，也可以同时使用两种以上。使用交联剂时，考虑到剥离粘合力不会过度降低，其使用量相对于基础聚合物100重量份，通常优选0.01～5重量份左右。
再者，除上述成分以外，可以任意含有以往公知的增粘剂、防老剂、填充剂、着色剂等添加剂。
丙烯酸类聚合物的制备例如可以使用溶液聚合法、乳液聚合法、本体聚合法、悬浮聚合法等公知的方法使一种或两种以上的单体或它们的混合物进行聚合。其中优选溶液聚合法。这里使用的溶剂例如举出醋酸乙酯、甲苯等极性溶剂。溶液浓度通常为20～80重量％左右。
在聚合物的制备中，可以使用聚合引发剂。作为聚合引发剂，可以举出，过氧化氢、过氧化苯甲酰、叔丁基过氧化物等过氧化物类。优选单独使用，但也可以与还原剂组合用作氧化还原类聚合引发剂。作为还原剂，例如，可以举出，亚硫酸盐、亚硫酸氢盐、铁、铜、钴盐等离子化的盐、三乙醇胺等胺类、醛糖、酮糖等还原糖等。再者，可以使用2,2’-偶氮双-2-甲基丙脒酸盐、2,2’-偶氮双-2，4-二甲基戊腈、2,2’-偶氮双-N,N’-二亚甲基异丁基脒酸盐、2，2’-偶氮二异丁腈、2，2’-偶氮双-2-甲基-N(2-羟乙基)丙酰胺等偶氮化合物。
它们既可以单独使用，也可以同时使用两种以上。
反应温度通常为50～85℃左右，反应时间为1～8小时左右。
从防止对被加工物的污染等的观点考虑，丙烯酸类聚合物特别优选低分子量物质含量少者，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选30万以上，更优选80万～300万左右。
粘合剂层的厚度可以在不会从被加工物上剥离的范围内适宜调整，在能够确保充分的粘合强度的同时，从胶带上取下半导体晶片等后，防止在该晶片等的背面残存不需要的粘合剂残渣，再者，由于粘结层的切断而能够使水容易地通过，从以上所述的观点考虑，粘合剂层的厚度通常为5～300μm左右，优选10～100μm左右，更优选20～50μm左右。
另外，如后所述，粘合剂层与基材膜一样，可以含有穿孔。穿孔可以通过关于基材膜的后述方法中的任一种方法形成。穿孔既可以与基材膜的穿孔同时形成，也可以在另外的工序中形成。
作为基材膜，可以举出，例如，含有合成树脂例如聚乙烯和聚丙烯等聚烯烃(具体地，低密度聚乙烯、直链低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、拉伸聚丙烯、未拉伸聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等)、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氨酯、EVA、聚四氟乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚酰胺、缩醛树脂、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物等橡胶成分的聚合物等的膜；包含PP、PVC、PE、PU、PS、PO或PET等聚合物纤维、人造纤维或醋酸纤维素等合成纤维、棉、丝绸或羊毛等天然纤维和玻璃纤维或碳纤维等无机纤维的非织造布和织造布等。这些可以制成一层或两层以上的多层构造。其中，优选由聚烯烃制成或包含由聚烯烃制成的层。
基材膜在基材膜的厚度方向上具有贯通的或多个孔相连的穿孔。该穿孔既可以在基材膜上有规则地形成，也可以不规则地形成。基材膜的材料由纤维制成时，穿孔作为纤维-纤维间隙的结果而自然得到，使该基材膜成为多孔性(其中，还可以包括人工的穿孔)。基材膜由树脂制成时，可以人工导入穿孔。
基材膜可以由公知的贯通孔形成方法进行穿孔。包括例如在该技术领域通常已知的机械的、化学的和/或热的方法。作为将基材膜机械穿孔的方法，可举出利用冲压机或旋转辊的冲裁、激光处理和喷水处理。另外，基材膜在制造时，基材膜中可以含有无机颗粒。使该膜膨胀时，上述颗粒的一部分被破坏，可以在该膜上形成孔。作为化学的穿孔法，可以举出，使基材膜材料中含有发泡剂，通过使之发泡形成孔的方法。关于其它的化学方法，使用支持聚合物和容易溶解于某溶剂的化合物，将基材膜加工成片状后，将该基材膜浸渍于溶剂中，接着，进行干燥和膨胀，可以形成穿孔。
基材膜的穿孔的形状只要能够流过水即可，例如纤维-纤维间隙的情况，既可以是不规则的形状，也可以是圆形、正方形、三角形、菱形、星状等各种形状。用显微镜测定的穿孔的大小(孔大小)通常为3.0mm2以下，即25μm2～3.0mm2，优选0.001～3.0mm2，更优选0.1～2.0mm2，最优选0.2～1.1mm2。孔为圆形时，其直径优选5μm～0.80mm，优选0.17～0.80mm，更优选0.25～0.59mm。孔为正方形、三角形或菱形时，其一边的长度为5μm～1.40mm，优选0.30～1.40mm，更优选0.45～1.00mm。孔的密度优选超过100000个/m2，更优选300000～700000个/m2。孔密度由长度方向和横方向的孔距间隔计算。
从水透过性良好、不易发生芯片从粘合片上剥离和/或异物混入至粘合片和芯片之间，并且确保粘合片的机械强度、防止粘合片的平滑度降低、确保基材膜和粘合剂之间的粘着的观点出发，基材膜优选具有3～90％左右的空隙率。特别是在人工孔的情况下，为3～60％左右，优选10～55％左右，更优选20～50％左右。这时的空隙率可以由孔大小和孔密度算出。即，
空隙率＝(孔大小)×(孔密度)×100％
再者，由纤维等制成的自然孔的情况，空隙率优选10～80％，更优选20～70％。这时，空隙率可以由该基材膜单位面积的重量、材料密度和厚度算出。即，
空隙率＝(基材膜单位面积的重量)/(材料密度)/(基材膜的厚度)×100％
基材膜可以实施电晕放电处理、火焰处理、等离子体处理、溅射蚀刻处理或底涂(例如primer)、氟处理等表面处理、利用药液的脱脂处理等。这是为了提高与粘合剂的粘合性。其中，优选实施底涂处理。从防止粘合片的破损或在半导体晶片等的加工中的切断的同时抑制制造成本的观点考虑，基材膜的厚度优选10～400μm，更优选30～250μm。
本发明的粘合片可以利用该技术领域公知的胶带的制造方法形成。例如，首先，准备基材膜。该基材膜具有穿孔，空隙率为3～90％左右。另外，穿孔可以在基材膜上涂布粘合剂后形成。接着，在基材膜上叠层粘合剂。这时，既可以直接在基材膜上涂布，或利用如下所述的转移涂布方法叠层，也可以在基材膜上压延叠层粘合剂，所述转移涂布方法是：将粘合剂涂布在涂布了剥离剂的处理材料(プロセス材料)上，干燥后，在基材膜上叠层该粘合剂。这些涂布方法可以利用反向辊涂布法、凹印涂布法、幕式涂布法、口模涂布法、挤出以及其它在工业上应用的涂布法等各种方法。
本发明的粘合片具有1.5N/20mm以上、更优选3N/20mm以上的粘合强度。而且，优选不足10N/20mm、更优选不足8N/20mm。即，随着切割技术的向使用喷水激光的技术的变迁，对切割用粘合片的粘合力的临界意义发生了变化，其结果是，即使通过较弱的粘合力，也可以在切割时确保晶片等的良好粘结，同时，可以防止芯片或部件从粘结胶带上剥离。此外，由于初期粘合力的降低，在照射能量线后可以有效且迅速、简便地降低粘合剂的粘合力，在拾取时可以降低芯片或IC部件等的缺损等缺陷。
这里，粘合强度是在测定温度为23±3℃、剥离角度为180°、剥离速度300mm/分(基于ASTM D1000)的条件下，在镜状硅片上测定时的值。
能量线照射后的粘合强度优选不足0.2N/20mm，更优选不足0.18N/20mm。
另外，本发明的粘合片特别优选使用于被加工物即半导体晶片等被切割成较小面积的芯片的情况。例如，切割后各个芯片或部件的大小不足9mm2，优选6.25mm2以下、4mm2以下、2.25mm2以下、1mm2以下、0.6mm2以下、更优选0.25mm2以下。
再者，本发明的粘合片优选具有超过100％的伸长率，更优选150％。这是因为通过粘合片伸长，在切割工序后，可以容易地从粘合片上拾取芯片等。
而且，粘合片优选具有超过0.1N/10mm的拉伸强度，更优选高于0.3N/10mm。这是为了避免粘合片自身的破损和/或断裂。
伸长率和拉伸强度例如可以使用长度5.0cm、宽度20mm的试样通过拉伸试验机测定。进行试验时的拉伸速度在室温下为300mm/分(基于ASTMD1000)。伸长率可以由以下公式算出。
伸长率＝(断裂时的长度-原来长度)/(原来长度)×100％。再者，拉伸强度是断裂时的测定值。
实施例
以下详细地说明本发明的喷水激光切割用粘合片的实施例。
(粘合剂的制备)
实施例1
在醋酸乙酯中，通过常规方法使70重量份丙烯酸丁酯(其均聚物的Tg＝-54℃)、30重量份丙烯酸2-乙基己酯(其均聚物的Tg＝-85℃)和10重量份丙烯酸(其均聚物的Tg＝106℃)共聚，得到重均分子量为100万的丙烯酸类共聚物，在含有上述得到的丙烯酸类共聚物的溶液中，添加80重量份光聚合性低聚物UV1700B(日本合成化学公司制)、8重量份光聚合引发剂(商品名“イルガキユア184”、チバ·スペシヤルテイ—ケミカルズ公司制)、10重量份三聚氰胺树脂(商品名“ス—パ—ベツカミンJ-820-60N”大日本インキ制)、5重量份多异氰酸酯化合物(商品名“コロネ—トL”、日本ポリウレタン公司制)，得到丙烯酸类放射线固化型粘合剂溶液。
实施例2
在醋酸乙酯中，通过常规方法使95重量份丙烯酸2-乙基己酯(其均聚物的Tg＝-85℃)和5重量份丙烯酸(其均聚物的Tg＝106℃)共聚，得到重均分子量70万的丙烯酸类共聚物，在含有上述得到的丙烯酸类共聚物的溶液中，添加60重量份季戊四醇三丙烯酸酯(在25℃下的粘度为1Pa·sec)、3重量份光聚合引发剂(商品名“イルガキユア 651”、チバ·スペシヤルテイ—ケミカルズ公司制)、5重量份多异氰酸酯化合物(商品名“コロネ—トL”、日本ポリウレタン公司制)，得到丙烯酸类放射线固化型粘合剂溶液。
实施例3
在醋酸乙酯中，通过常规方法使60重量份丙烯酸甲酯(其均聚物的Tg＝8℃)、30重量份丙烯酸丁酯(其均聚物的Tg＝-54℃)和10重量份丙烯酸(其均聚物的Tg＝106℃)共聚，得到重均分子量80万的丙烯酸类共聚物，在含有上述得到的丙烯酸类共聚物的溶液中，添加60重量份使季戊四醇三丙烯酸酯和二异氰酸酯反应得到放射线固化性低聚物(在25℃下的粘度为10Pa·sec)、3重量份光聚合引发剂(商品名“イルガキユア651”、チバ·スペシヤルテイ—ケミカルズ公司制)和2重量份多异氰酸酯化合物(商品名“コロネ—トL”、日本ポリウレタン公司制)，得到丙烯酸类放射线固化型粘合剂溶液。
实施例4
在醋酸乙酯中，通过常规方法使50重量份丙烯酸甲酯(其均聚物的Tg＝8℃)、30重量份丙烯酸丁酯(其均聚物的Tg＝-54℃)和20重量份丙烯酸(其均聚物的Tg＝106℃)共聚，得到重均分子量80万的丙烯酸类共聚物，在含有上述得到的丙烯酸类共聚物的溶液中，添加60重量份使季戊四醇三丙烯酸酯和二异氰酸酯反应得到的放射线固化性低聚物(在25℃下的粘度为10Pa·sec)、3重量份光聚合引发剂(商品名“イルガキユア651”、チバ·スペシヤルテイ—ケミカルズ公司制)和2重量份多异氰酸酯化合物(商品名“コロネ—トL”、日本ポリウレタン公司制)，得到丙烯酸类放射线固化型粘合剂溶液。
比较例1
在甲苯中，通过常规方法使100重量份丙烯酸树脂レ才コ—ト1020(第—レ—ス公司制)、30重量份邻苯二甲酸二辛酯和10重量份三聚氰胺树脂(商品名“ス—パ—ベツカミン J-820-60N”大日本インキ制)共聚，得到丙烯酸类压敏型粘合剂溶液。
比较例2
在甲苯中，通过常规方法使100重量份丙烯酸树脂レ才コ—ト1020(第—レ—ス公司制)、20重量份邻苯二甲酸二辛酯和8重量份三聚氰胺树脂(商品名“ス—パ—ベツカミンJ-820-60N”大日本インキ制)共聚，得到丙烯酸类压敏型粘合剂溶液。
(基材膜)
使用以大小为0.1～0.3mm的穿孔进行穿孔且空隙率30％的由聚丙烯纤维制成的200μm厚度的非织造片。
(切割用粘合片的制作)
分别将在上述实施例中制备的粘合剂溶液涂布于聚丙烯非织造片上，在80℃下加热交联10分钟，形成厚度10μm的粘合剂层。
接着，将隔膜(separtator)紧密贴合在粘合剂层面上，制作紫外线固化型或压敏型切割用粘合片。
(对硅晶片的剥离粘合力)
将在实施例和比较例中得到的切割用粘合片剪切为25mm宽的长方形，在23℃(室温)下，贴在镜状硅片面(信越半导体株式会社制；CZN<100>2.5-3.5(4英寸))上。在室温环境下，静置30分钟后，在23℃的恒温室中，测定以180°剥下(拉伸速度300mm/分)的粘合力。
再者，贴在镜状硅片面上后，以500mJ/cm2的照射强度，照射紫外线20秒钟后，测定剥离的粘合力。
(切割条件)
算出在以下的条件下进行切割时的切飞率(芯片飞散率、％)。
激光波长：532nm
切割速度：50mm/s
激光直径：50μm
喷水压：8MPa
芯片大小：0.3mm×0.3mm、1mm×1mm、2.5mm×2.5mm、5mm×5mm
晶片大小：13.7cm(5英寸)
晶片厚度：100μm
(拾取条件)
从薄片背面向切割后的半导体芯片照射紫外线(照射时间20秒、照射强度500mJ/cm2)。而且，以下述条件拾取(剥离)任意半导体芯片50个，计算拾取成功的芯片数，算出拾取成功率(％)。
装置条件
管芯焊接：NEC Machinery CPS-100
针脚数：4个
针脚间隔：3.5×3.5mm
针脚前端曲率：0.250mm
针脚突起量：0.50mm
吸附保持时间：0.2秒
扩展量：3mm
这些的结果如表1所示。
表1
上格：切飞率(％)
下格：拾取成功率(％)
Figure A20071014680200141
另外，作为比较例3～6，除使用没有穿孔的基材膜以外，制作与实施例1～4一样的粘合片，在与上述切割条件相同的条件下，分别进行切割加工后，由于均没有水流的流通场所，水溢出到晶片表面上而且侵入至晶片和粘合片之间等，故而芯片弹起(跳ね返る)或不能对芯片进行切割。
由表1可知：在粘合片的粘合强度为1.5N/20mm以上且使用能量线固化型粘合剂的实施例中，得到基本上没有产生切飞，并且拾取的成功率良好的结果。而且，即使在喷水压相当强的情况下，由于水容易漏掉，因而没有发现切割中的粘合强度劣化。
另一方面，确认了粘合强度过弱时，容易产生切飞；拾取时粘合强度不是非常弱的情况下，芯片容易产生破片、破损等。
工业实用性
本发明的喷水激光切割用粘合片不仅可以利用于由液体流导向的激光束能够进行切割的对象即半导体相关材料(例如半导体晶片、BGA封装材料、印刷电路、陶瓷板、液晶装置用玻璃部件、片材、电路基板、玻璃基板、陶瓷基板、金属基板、半导体激光的发光/受光元件基板、MEMS基板或半导体封装材料等)等，而且可以广泛利用于所有种类的材料。

Claims (9)

1.一种喷水激光切割用粘合片，该粘合片是在基材膜上叠层粘合剂层而形成的，其中，构成上述粘合剂层的粘合剂是能量线固化型粘合剂，该粘合片具有1.5N/20mm以上的粘合强度。
2.按照权利要求1所述的粘合片，其中，基材膜具有穿孔，且空隙率为3～90％。
3.按照权利要求1所述的粘合片，其中，基材膜含有由聚烯烃制成的层。
4.按照权利要求1所述的粘合片，其中，穿孔径为5～800μm。
5.按照权利要求1所述的粘合片，其中，穿孔大小为25μm2～3.0mm2。
6.按照权利要求1所述的粘合片，其中，粘合剂包含橡胶类或丙烯酸类粘合剂。
7.按照权利要求1所述的粘合片，其具有超过100％的伸长率。
8.按照权利要求1所述的粘合片，其具有超过0.1N/10mm的拉伸强度。
9.按照权利要求1所述的粘合片，其照射能量线后的粘合强度不足0.2N/20mm。
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