CN101712852B - 激光加工用压敏粘合片和用于激光加工的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及激光加工用压敏粘合片和用于激光加工的方法。本发明提供激光加工用压敏粘合片，其包括基材和设置于所述基材一个表面上的压敏粘合剂层，所述压敏粘合剂层具有50cm-1至900cm-1的在波长355nm处的吸收系数，所述压敏粘合剂层包含光吸收剂，其中所述光吸收剂在0.01重量％乙腈溶液中在波长355nm处的吸光度为0.01至1.20，和其中所述压敏粘合片在当工件通过具有紫外线区域波长的激光光或经由多光子吸收过程能够光吸收的激光光激光加工时使用。

Description

激光加工用压敏粘合片和用于激光加工的方法
技术领域
本发明涉及激光加工用压敏粘合片和用于激光加工的方法，所述压敏粘合片在当工件通过具有紫外线区域波长的激光光或经由多光子吸收过程能够光吸收的激光光激光加工时使用。
背景技术
随着最近电气和电子器件的小型化等，它们的部件的尺寸正在减小，精细度(fineness)正在增加。因此，在各种材料的切断中，也存在对于更大精细度和精度的需要。特别地，在其中存在对于更小尺寸和更高密度的极大需要的半导体领域中，近年来，已关注于用激光光切断半导体晶片的方法，其导致很小的热损害并允许高精度加工。
作为上述技术，已提出包括以下的方法：将通过使基板进行各种电路形成和表面处理步骤获得的工件固定于切割片(dicing sheet)，并用激光光切割该工件以形成小的芯片。作为要用于该方法的切割片，已提出包含包括基材膜的基材和在所述基材表面上形成的压敏粘合剂层的切割片，其中所述压敏粘合剂层通过激光光切断而不切断该基材膜(例如，参见JP-A-2002-343747)。
在当将激光光用于切割工件的情况下，通过用激光光烧蚀而赋予工件应力，因而发生所谓的切削飞溅(chip fry)，所述切削飞溅使工件的分离片不能保持在激光加工用压敏粘合片上，从而失去一些工件片。因此，存在不能有效收集工件的分离片的问题。
在使用JP-A-2002-343747中所述的切割片的情况下，压敏粘合剂层通过YAG激光器的基波(波长：1064nm)或红宝石激光器的激光光(波长：694nm)热切断。因此，在用激光切断的情况下，不仅在压敏粘合剂层的上层而且在压敏粘合剂层的内部或在基材与压敏粘合剂层之间的界面处发生通过热加工的分解，以致易于发生沿横向的压敏粘合剂层的加工。因此，该切割片不足以抑制工件分离片的切削飞溅。
发明内容
本发明的目的是提供激光加工用压敏粘合片和用于激光加工的方法，其中工件的分离片能够保持在激光加工用压敏粘合片上，能够抑制切削飞溅，还能够有效地收集工件的分离片。
作为为解决上述问题深入研究的结果，本发明人已发现通过以下激光加工用压敏粘合片能够实现上述目的，因而已完成本发明。
即，本发明提供：
激光加工用压敏粘合片，其包括基材和设置于所述基材的一个表面上的压敏粘合剂层，
所述压敏粘合剂层具有50cm-1至900cm-1的在波长355nm处的吸收系数，
所述压敏粘合剂层包含光吸收剂，其中所述光吸收剂在0.01重量％乙腈溶液中在波长355nm处的吸光度为0.01至1.20，和
其中所述压敏粘合片在当工件通过具有紫外线区域波长的激光光或经由多光子吸收过程能够光吸收的激光光激光加工时使用。
在通过使用激光光的紫外线吸收烧蚀而激光加工工件之前，将上述激光加工用压敏粘合片层压在工件的吸附台表面(激光光射出面)上，以在加工时和在随后的各步骤期间用于支承和固定工件(要用激光加工的制品或激光加工过的制品)。
压敏粘合剂层在波长355nm处的吸收系数优选50cm-1至900cm-1，更优选70cm-1至800cm-1，进一步优选90cm-1至600cm-1，甚至还优选100cm-1至400cm-1。当压敏粘合剂层在波长355nm处的吸收系数落入该范围内时，即使在激光光切断工件并达到压敏粘合剂层之后，压敏粘合剂层也适当吸收激光光，并且烧蚀加工依次从压敏粘合剂层的上层部至下层部进行。在此情况下，由于加工过的压敏粘合剂组分沿加工线剥离至体系外侧，通过烧蚀的应力不赋予至工件并且能够确保实现防止切削飞溅。就此而论，在压敏粘合剂层在波长355nm处的吸收系数小于50cm-1的情况下，激光光透过压敏粘合剂层，并在压敏粘合剂层与基材之间的界面处发生基材的烧蚀以使压敏粘合剂层破裂。因此，压敏粘合剂层也沿横向加工，沿横向的应力也赋予至工件，以致切削飞溅易于发生。此外，当压敏粘合剂层在波长355nm处的吸收系数大于900cm-1时，压敏粘合剂层的激光光吸收性高，在工件侧的压敏粘合剂层表面上转化为热能的效率增大，以致压敏粘合剂层的烧蚀变得过大。因此，压敏粘合剂层也接受沿横向的应力，沿横向的应力也赋予至工件，以致切削飞溅易于发生。
在0.01重量％乙腈溶液中在波长355nm处，包含于压敏粘合剂层的光吸收剂的吸光度优选0.01至1.20，更优选0.02至1.00，进一步优选0.03至0.95，以防止该试剂的过高含量或过低含量。
此外，光吸收剂优选光反应性聚合引发剂。
光反应性聚合引发剂优选任意的苯烷基酮类化合物、α-苯烷基酮类化合物和酰基氧化膦类化合物。通过改变这些在波长355nm处吸光度不同的光反应性聚合引发剂的量，能够容易地控制压敏粘合剂层的激光吸收性。这些光吸收剂可单独添加或其两种以上添加。
压敏粘合剂层优选包含丙烯酸类聚合物。通过使用丙烯酸类聚合物，能够容易地控制压敏粘合剂层等的污染。
压敏粘合剂层优选包含紫外线固化型压敏粘合剂。通过使用紫外线固化型压敏粘合剂，能够容易地实现在加工时的保持性和在用紫外线照射后通过剥离该层而从工件剥离。
压敏粘合剂层优选包括含丙烯酸类聚合物的压敏粘合剂，所述丙烯酸类聚合物在其侧链中具有碳-碳双键。
基材在波长355nm处的吸收系数优选10cm-1以下。
基材优选具有由聚乙烯或聚丙烯组成的层的基材。
基材优选具有至少一层由包含乙烯的共聚物组成的层的基材。由于该构成，基材难以吸收激光光，因而通过激光光的烧蚀难以发生。因此，通过烧蚀基材导致的赋予工件的力能够最小化，并能够防止切削飞溅。
工件优选半导体元件。
本发明还提供：
用于激光加工的方法，其包括：
将上述压敏粘合片粘贴至工件，和
随后用具有紫外线区域波长的激光光或经由多光子吸收过程能够光吸收的激光光，从与粘贴所述压敏粘合片的表面相对的表面照射所述工件，由此通过烧蚀加工所述工件。
在该方法中，工件可为半导体元件，半导体元件可通过用激光光照射而分离为片，从而形成半导体芯片。
附图说明
图1为示出通过使用激光光的紫外线吸收烧蚀加工的层压体的横截面的示意图。
图2为示出在本发明中半导体晶片切割方法的实例的示意图。
附图标记说明
1工件
2激光加工用压敏粘合片
2a压敏粘合剂层
2b基材
3层压体
4吸附台
5吸附板
6激光光
7半导体晶片
8切割焰
具体实施方式
作为要用于本发明的激光器，为了不劣化在激光加工时通过热损害引起的工件的孔边缘和切断壁表面的精度和外观，采用能够通过紫外线吸收而烧蚀加工的激光器，所述烧蚀加工为不通过热加工过程的非热加工。
具体地，可提及具有400nm以下振荡波长的激光器，例如具有248nm振荡波长的KrF准分子激光器、具有308nm振荡波长的XeCI准分子激光器、和YAG激光器的三次谐波(355nm)或四次谐波(266nm)，或在具有400nm以上振荡波长的激光器的情况下，提及具有750nm至800nm波长的钛蓝宝石激光器，其具有脉冲宽度1e-9秒(0.000000001秒)以下，能够经由多光子吸收过程在紫外线区域中光吸收，并能够通过多光子吸收烧蚀以20μm以下的宽度切断。特别地，优选使用允许在20μm以下微细宽度内聚焦激光光并放射355nm紫外线的激光器。
工件不特别限定，只要其能够通过使用由上述激光器输出的激光光的紫外线吸收烧蚀加工即可。其实例包括各种片材、电路板、半导体晶片、玻璃基板、陶瓷基板、金属基板、用于半导体激光器等的光发射体或光感受体的基板、用于MEMS(微电子机械系统(Micro Electro Mechanical System))的基板、半导体封装体、织物、皮革和纸等。
本发明的激光加工用压敏粘合片能够特别适合用于加工片材、电路板、半导体晶片、玻璃基板、陶瓷基板、金属基板、用于半导体激光器的光发射体或光感受体的基板、用于MEMS的基板或半导体封装体。
上述各种片材的实例包括由聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚酰胺树脂、聚碳酸酯树脂、硅树脂或氟碳聚合物等组成的聚合物膜和无纺布；通过树脂的拉伸或浸渍等赋予其物理或光学功能的片；铜、铝或不锈钢等的金属片；直接或经由粘合剂等的上述聚合物膜和/或金属片的层压体。
上述电路板的实例包括单面、双面或多层柔性印刷电路板；由玻璃环氧树脂(glass epoxy)、陶瓷或金属芯基板组成的刚性板；和在玻璃或聚合物上形成的光学电路板或光电混合电路板。
基材形成材料的实例包括聚对苯二甲酸乙二酯，聚萘二甲酸乙二酯，聚苯乙烯，聚碳酸酯，聚酰亚胺，(甲基)丙烯酸类聚合物，聚氨酯类树脂，聚降冰片烯类树脂，聚亚烷基二醇类树脂如聚乙二醇和聚丁二醇，硅酮类橡胶和聚烯烃类树脂如聚乙烯、聚丙烯、聚丁二烯、聚乙烯醇和聚甲基戊烯，但形成材料不限于此。
在这些中，优选使用聚烯烃类树脂。特别地，优选使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或直链饱和烃类树脂如聚乙烯或聚丙烯。由于在其侧链中不具有官能团的聚乙烯的蚀刻率极其小，激光加工性特别低，所以能够有效地抑制聚乙烯分解产物的产生。
基材可为单层或多层。此外，其可为各种形式如膜或网状物。特别地，具有大的空隙率的基材，如上述树脂的纤维状体、无纺布、织物或多孔体是合适的。
在粘贴至工件、工件的切断和钻孔，以及激光加工制品的剥离和收集的各步骤中，在不损害操作性和加工性的范围内，基材的厚度可任意调节，但通常为500μm以下，优选约5μm至约300μm，更优选10μm至250μm。为了增强与相邻材料如吸附板的粘合性和保持性，可使基材的表面进行通常的表面处理，例如化学或物理处理如用铬酸的处理、暴露于臭氧、暴露于火焰、暴露于高压电击，或电离辐射处理或用底涂层(例如，以下提及的压敏粘合剂物质)的涂布处理。
基材在波长355nm处的吸收系数优选10cm-1以下。此外，基材优选为具有至少一层由聚乙烯或聚丙烯组成的层的基材。此外，基材为具有至少一层由包含乙烯的共聚物组成的层的基材。
作为压敏粘合剂层的形成材料，可使用包括(甲基)丙烯酸类聚合物或橡胶类聚合物的已知压敏粘合剂。
形成(甲基)丙烯酸类聚合物的单体组分的实例包括具有30个碳原子以下，优选3至18个碳原子的直链或支链烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯，所述烷基例如：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基。这些(甲基)丙烯酸烷基酯可单独使用或其两种以上可组合使用。
除上述单体组分之外的单体组分的实例包括含羧基单体如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；酸酐单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯和(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯；含磺酸基单体例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯(sulfopropyl(meth)acrylate)和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基单体例如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯。这些单体组分可单独使用或其两种以上可组合使用。
此外，为了(甲基)丙烯酸类聚合物交联处理的目的，根据需要，可将多官能单体等用作共聚单体组分。
多官能单体的实例包括己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯和氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。这些多官能单体可单独使用或其两种以上可组合使用。
从压敏粘合性等的观点，要使用的多官能单体的量优选为总单体组分的30重量％以下，更优选20重量％以下。
(甲基)丙烯酸类聚合物的制备例如可通过以下来进行：对于包含一种或两种以上单体组分的混合物，应用合适的方法如溶液聚合法、乳液聚合法、本体聚合法或悬浮聚合法。
聚合引发剂的实例包括过氧化物如过氧化氢、过氧化苯甲酰和过氧化叔丁基。聚合引发剂优选单独使用，但也与还原剂组合作为氧化还原聚合引发剂使用。还原剂的实例包括离子化盐如亚硫酸盐，亚硫酸氢盐，铁、铜和钴盐，胺如三乙醇胺，以及还原性糖如醛糖和酮糖。此外，偶氮化合物也是优选的聚合引发剂，并且可使用2，2-偶氮二-2-甲基丙脒酸盐、2，2′-偶氮二-2，4-二甲基戊腈、2，2-偶氮二-N，N′-二亚甲基异丁脒酸盐、2，2′-偶氮二异丁腈和2，2′-偶氮二-2-甲基-N-(2-羟基乙基)丙酰胺等。也可以组合使用两种以上的聚合引发剂。
反应温度通常为约50℃至约85℃，反应时间为约1小时至约24小时。此外，在上述生产方法中优选溶液聚合，通常，将极性溶剂如乙酸乙酯或甲苯用作用于(甲基)丙烯酸类聚合物的溶剂。溶液浓度通常为约20重量％至约80重量％。
为了增大作为基础聚合物的(甲基)丙烯酸类聚合物的数均分子量，可将交联剂适当添加至压敏粘合剂。交联剂的实例包括多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂(urea resin)、酸酐化合物、多胺和含羧基聚合物。在使用交联剂的情况下，通常，考虑到在剥离时的压敏粘合力不过多地降低，其量优选约0.01重量份至约10重量份，基于100重量份基础聚合物。此外，在形成压敏粘合剂层的压敏粘合剂中，除了上述组分之外，可引入迄今已知的常规添加剂如各种增粘剂、防老剂、填料和着色剂。
为了进一步改进从工件的剥离性，压敏粘合剂可为放射线固化型压敏粘合剂，所述放射线固化型压敏粘合剂用放射线如紫外线或电子束来固化。就此而论，在将放射线固化型压敏粘合剂用作压敏粘合剂的情况下，在激光加工后用放射线照射压敏粘合剂层，因此基材优选具有充分放射线透过性的基材。
作为放射线固化型压敏粘合剂，可使用具有放射线固化性官能团如碳-碳双键并显示压敏粘合性的放射线固化型压敏粘合剂而没有特别限制。放射线固化型压敏粘合剂的实例包括其中将放射线固化性单体组分或低聚物组分混合于前述(甲基)丙烯酸类聚合物中的放射线固化型压敏粘合剂。
要混合的放射线固化性单体组分或低聚物组分的实例包括氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯和1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。它们可单独使用或其两种以上可组合使用。
要混合的放射线固化性单体组分或低聚物组分的量不特别限制，但考虑到粘合性，该量优选约5重量份至约500重量份，更优选约70重量份至约150重量份，基于100重量份构成压敏粘合剂的基础聚合物如(甲基)丙烯酸类聚合物。
此外，作为放射线固化型压敏粘合剂，也可将在聚合物侧链或主链中或在主链末端处具有碳-碳双键的物质用作基础聚合物。作为该基础聚合物，优选具有(甲基)丙烯酸类聚合物作为基本骨架的基础聚合物。在此情况下，可不特别添加放射线固化性单体组分或低聚物组分，其使用是任选的。
在放射线固化型压敏粘合剂中，在该粘合剂用紫外线固化的情况下，包含光反应性聚合引发剂。光反应性聚合引发剂的实例包括苯烷基酮类化合物如2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮、1-羟基-环己基-苯基-酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羟基乙氧基)-苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮和2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮；α-苯烷基酮类化合物如2-甲基-1-(4-甲基苯硫基)-2-吗啉基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉基苯基)-1-丁酮、2-(二甲氨基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-吗啉基)苯基]-1-丁酮；酰基氧化膦类化合物如2，4，6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦和双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦。
由于对于每一种光反应性聚合引发剂，在波长355nm处的吸光度变化，所以要混合的光反应性聚合引发剂的量适当选自以下范围：压敏粘合剂层在波长355nm处的吸收系数为50cm-1至900cm-1。其量优选0.5重量份至20重量份，基于100重量份基础聚合物。在放射线固化型压敏粘合剂中，当光反应性聚合引发剂的量小于0.5重量份时，通过用放射线照射来固化压敏粘合剂变得不充分或不均匀，因而压敏粘合力的降低受到限制。此外，当该量超过20重量份时，引起压敏粘合剂的稳定性下降和对要切断制品的污染增加等的问题。为了调节压敏粘合剂层在波长355nm处的吸收系数为50cm-1至900cm-1，使用0.5重量份至20重量份的光反应性聚合引发剂，基于100重量份基础聚合物，光反应性聚合引发剂在0.01重量％乙腈溶液中在波长355nm处的吸光度优选0.01至1.20。
根据本发明的激光加工用压敏粘合片可通过以下生产：将压敏粘合剂溶液施涂至基材表面上，并将其干燥(如果需要，加热以实现交联)以形成压敏粘合剂层。此外，可采用在剥离衬垫上分离地形成压敏粘合剂层，随后粘贴该层至基材的方法。如果需要，可在压敏粘合剂层表面上设置隔离体。
从防止工件污染的观点，压敏粘合剂层优选具有低含量的低分子量物质。因此，(甲基)丙烯酸类聚合物的重均分子量优选300,000以上，更优选400,000至3,000,000。
压敏粘合剂层的厚度适当选自该层不从工件剥离的范围，但通常为约2μm至约300μm，优选约5μm至约100μm，更优选约10μm至约50μm。
紫外线照射后的激光加工用压敏粘合片的压敏粘合力优选0.05N/20mm至2.0N/20mm，更优选0.20N/20mm至1.50N/20mm，特别优选约0.40N/20mm至约1.00N/20mm。
任意设置隔离体以标记压敏粘合剂层的加工或保护。
隔离体的构成材料的实例包括纸和合成树脂如聚乙烯、聚丙烯和聚对苯二甲酸乙二酯的膜。为了增强从压敏粘合剂层的剥离性，根据需要，可将隔离体的表面进行剥离处理如硅酮处理、长链烷基处理或氟处理。此外，如果需要，可将隔离体进行处理以防止紫外线透过等，从而防止压敏粘合片与环境紫外线反应。隔离体的厚度通常为10μm至200μm，优选约25μm至约100μm。
以下将描述使用上述激光加工用压敏粘合片通过用激光光的紫外线烧蚀来生产激光加工制品的方法。例如，在切断的情况下，如图1所示，将工件1和激光加工用压敏粘合片2的层压体3放置在吸附台4的吸附板5上，所述层压体3通过已知手段如辊式层压机(roll laminator)或压机(press)将压敏粘合片2粘贴至工件1获得，将从预定激光振荡器中输出的激光光6通过透镜聚焦并施加至工件1上，激光照射位置沿预定加工线移动，由此进行切断。在工件1的激光光出射侧上设置的激光加工用压敏粘合片2在激光加工前起到支承和固定工件1的作用，并在激光加工后起到防止切断制品落下的作用。就此而论，可将保护片设置在工件1的激光光入射侧上。将保护片用于防止通过激光加工工件1产生的分解物质和飞散物质粘附至工件1的表面上。
作为激光光的移动手段，采用已知的激光加工方法如电扫描(galvano scan)或X-Y台扫描(X-Y stage scan)或掩模成像加工。
用于激光加工的条件不特别限制，只要在该条件下完全切断工件1即可。然而，为了避免切断激光加工用压敏粘合片2，优选将能量条件调整在两倍于切断工件1下的能量条件内。
此外，可通过将激光光聚集部分的光束直径聚焦而使切断用调整片(tab)(切断槽)变细。为了实现切断边缘的精度，优选满足以下关系：
光束直径(μm)＞2×(移动激光光的速度(μm/秒)/激光光的重复频率(Hz))。
在切断(cutting)(切割(dicing))半导体晶片的情况下，如图2所示，将半导体晶片7的一个表面粘贴至在吸附台4上设置的激光加工用压敏粘合片2，将从预定激光振荡器中输出的激光光6通过透镜聚焦并施加至半导体晶片7上，激光照射位置沿预定加工线移动，由此进行切断。作为激光光的移动手段，采用已知的激光加工方法如电扫描或X-Y台扫描或掩模成像加工。用激光加工半导体晶片的条件不特别限制，只要在该条件下完全切断半导体晶片7并且不切断激光加工用压敏粘合片2即可。就此而论，可在半导体晶片7的激光光入射侧上设置保护片。
在半导体晶片的该切割加工中，能通过已知方法可拾取并收集单个半导体芯片，所述已知方法例如包括将晶片切断为单个半导体芯片(激光加工制品)，随后借助于通常已知的设备如粘片机(die bonder)使用称为针的上推针(push-up pin)拾取它们的方法，或示于JP-A-2001-118862中的方法。
在用于生产根据本发明的激光加工制品的方法中，在激光加工完成后收集在压敏粘合片上的激光加工制品。用于剥离它们的方法不特别限制，并且在剥离时不赋予激光加工制品永久变形的应力是重要的。由于本发明的压敏粘合片具有小的压敏粘合力，激光加工制品不会永久变形，并能够容易地剥离。此外，在将放射线固化型压敏粘合剂用于激光加工用压敏粘合片2的压敏粘合剂层的情况下，依赖于压敏粘合剂的种类通过用放射线照射来固化压敏粘合剂层，以降低压敏粘合性。由于用放射线照射，压敏粘合剂层的压敏粘合性可通过固化而减少，以使剥离容易。用放射线照射的手段不特别限制，但照射例如通过用紫外线照射进行。
此外，通过飞散的分解物质的除去能够通过用气体如氦、氮或氧吹激光加工部件来有效地实现。可在工件1的激光光入射侧上设置保护片。
此外，根据本发明的激光加工用压敏粘合片也用于生产具有各种形状的激光加工制品，例如通过用激光光的紫外线吸收烧蚀钻孔。
实施例
以下将参考实施例具体地描述本发明，但本发明不限于这些实施例。
吸收系数的测量
片形压敏粘合剂和基材在波长355nm处的吸收系数通过以下方法测量。使用紫外可见分光光度计UV-2550(由ShimadzuCorporation制造)，将片形压敏粘合剂或基材固定至夹具，测量在波长355nm处的透射率T(％)和反射率R(％)，接着根据以下方程计算。
T′＝T/(100-R)
吸收系数(cm-1)＝LN(1/T′)/片形压敏粘合剂或基材的厚度(cm)
光吸收剂的吸光度的测量
光吸收剂在波长355nm处的吸光度通过以下方法测量。作为要测量的被分析物，使用用乙腈稀释至0.01重量％的溶液用于分光计(由Kishida Chemical Co.，Ltd.制造)。将包含稀释溶液的石英玻璃池(光路：1cm)放置在紫外可见分光光度计UV-2550(由Shimadzu Corporation制造)上，并测量在波长355nm处的透射率T(％)，接着根据以下方程计算。
吸光度＝LOG(100/T)
实施例1
将丙烯酸类压敏粘合剂(1)施涂至由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物组成的基材(厚度：100μm，吸收系数：6.8cm-1，乙酸乙烯酯含量：10％，熔体流速(melt mass flow rate)：9g/10分钟)，并干燥以形成压敏粘合剂层，由此获得激光加工用压敏粘合片。压敏粘合剂层的厚度为20μm，在波长355nm处的吸收系数为102.6cm-1。
在这点上，丙烯酸类压敏粘合剂(1)通过以下方法制备。将50重量份的丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、50重量份的丙烯酸甲酯(MA)和10重量份的丙烯酸(AA)使用0.2重量份的聚合引发剂过氧化苯甲酰(BPO)在乙酸乙酯中聚合，以获得丙烯酸类聚合物溶液。将100重量份的该丙烯酸类聚合物、3.5重量份的异氰酸酯交联剂(Coronate L，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造)、50重量份的UV固化型氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(UV-1700B)和5重量份的光反应性聚合引发剂2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮(在0.01重量％乙腈溶液中在波长355nm处的吸光度：0.06)添加至甲苯中，并在混合下均匀地溶解。
将上述制备的激光加工用压敏粘合片粘贴至具有厚度100μm的硅晶片的一面，以制备安装有压敏粘合片的硅晶片。然后，在其上放置由玻璃环氧树脂制成的吸附板的XY台上，设置该晶片以使工件在顶部。硅晶片通过如下切断：通过fθ透镜，将具有波长355nm、平均输出2.5W和重复频率1kHz的YAG激光器的三次谐波(355nm)聚焦至具有直径25mm的硅晶片表面上，借助于电扫描器以2.5mm/秒的速度扫描激光光，并重复激光照射三次，由此实现切割为0.3mm×0.3mm的芯片尺寸。在此情况下的切削飞溅率(激光切割后芯片的消失率)为0％。
实施例2
除了将在实施例1中要添加至压敏粘合剂的光反应性聚合引发剂的量改变为9重量份之外，以与实施例1相同的方式，将安装有压敏粘合片的硅晶片进行激光加工。压敏粘合剂层的厚度为20μm，在波长355nm处的吸收系数为197.9cm-1。切削飞溅率为0％。
实施例3
除了将0.5重量份的2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉基苯基)-丁酮-1(在0.01重量％乙腈溶液中在波长355nm处的吸光度：0.81)用作在实施例1中要添加至压敏粘合剂的光反应性聚合引发剂之外，以与实施例1相同的方式，将安装有压敏粘合片的硅晶片进行激光加工。压敏粘合剂层的厚度为20μm，在波长355nm处的吸收系数为245.9cm-1。切削飞溅率为0％。
实施例4
除了在实施例1中使用丙烯酸类压敏粘合剂(2)之外，以与实施例1相同的方式，将安装有压敏粘合片的硅晶片进行激光加工。压敏粘合剂层的厚度为20μm，在波长355nm处的吸收系数为833.1cm-1。切削飞溅率为0％。
丙烯酸类压敏粘合剂(2)通过以下方法制备。将70重量份的丙烯酸2-甲氧基乙酯(2MEA)、30重量份的丙烯酰吗啉(ACMO)和15重量份的丙烯酸2-羟乙酯(2HEA)使用0.2重量份的聚合引发剂过氧化苯甲酰(BPO)在乙酸乙酯中聚合，以获得丙烯酸类聚合物溶液。使16重量份2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(MOI)与其反应以获得在其侧链中具有碳-碳双键的丙烯酸类聚合物的溶液。将100重量份的该丙烯酸类聚合物、1重量份的异氰酸酯交联剂(Coronate L，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造)和2重量份的光反应性聚合引发剂2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉基苯基)-丁酮-1添加至甲苯中，并在混合下均匀地溶解。
实施例5
除了在实施例1中使用丙烯酸类压敏粘合剂(3)之外，以与实施例1相同的方式，将安装有压敏粘合片的硅晶片进行激光加工。压敏粘合剂层的厚度为20μm，在波长355nm处的吸收系数为499cm-1。切削飞溅率为0％。
丙烯酸类压敏粘合剂(3)通过以下方法制备。将70重量份的丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、30重量份的丙烯酰吗啉(ACMO)和15重量份的丙烯酸2-羟乙酯(2HEA)使用0.2重量份的聚合引发剂过氧化苯甲酰(BPO)在乙酸乙酯中聚合，以获得丙烯酸类聚合物溶液。将10重量份的2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(MOI)与其反应以获得在其侧链中具有碳-碳双键的丙烯酸类聚合物的溶液。使100重量份的该丙烯酸类聚合物、1重量份的异氰酸酯交联剂(Coronate L，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造)和2重量份的光反应性聚合引发剂2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉基苯基)-丁酮-1添加至甲苯中，并在混合下均匀地溶解。
比较例1
除了将3重量份的2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉基苯基)-丁酮-1用作在实施例1中要添加至压敏粘合剂的光反应性聚合引发剂之外，以与实施例1相同的方式，将安装有压敏粘合片的硅晶片进行激光加工。压敏粘合剂层的厚度为20μm，在波长355nm处的吸收系数为1006.8cm-1。切削飞溅率为78％。
比较例2
除了将0.5重量份1-[4-(2-羟基乙氧基)-苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮(在0.01重量％乙腈溶液中在波长355nm处的吸光度：0.05)用作在实施例1中在丙烯酸类压敏粘合剂(1)中的光反应性聚合引发剂之外，以与实施例1相同的方式，将安装有压敏粘合片的硅晶片进行激光加工。压敏粘合剂层的厚度为20μm，在波长355nm处的吸收系数为15.4cm-1。切削飞溅率为19％。
如从上述实施例和比较例显而易见的，当压敏粘合剂层在波长355nm处的吸收系数落入50cm-1至900cm-1的范围内，且包含于压敏粘合剂层中的光吸收剂在0.01重量％乙腈溶液中在波长355nm处的吸光度落入0.01至1.20的范围内时，即使在激光光切断工件并达到压敏粘合剂层之后，通过紫外线吸收的烧蚀加工也依次从压敏粘合剂层的上层部至下层部进行。因此，压敏粘合剂层与基材的破坏和压敏粘合剂层沿横向的加工难以发生，因而能够防止在激光切割时切削飞溅。结果，能够实现通过增大激光源改进生产量。此外，由于激光加工制品在加工后不脱落，所以容易处理。此外，由于通过紫外线固化实现低粘合性，因此加工后的剥离也容易。
虽然已详细地并参考其具体实施方案描述本发明，但对于本领域技术人员显而易见的是，其中可进行各种变化和改进而不背离其范围。
本申请基于2008年10月1日提交的日本专利申请No.2008-255896，在此将其全部内容引入作为参考。
此外，文中所有引用的参考文献以其全文引入。

Claims (9)

1.一种用于激光加工的方法，其包括：
将激光加工用压敏粘合片粘贴至工件，和
随后用具有紫外线区域波长的激光光或经由多光子吸收过程能够光吸收的激光光，从与粘贴所述压敏粘合片的表面相对的表面照射所述工件，由此通过烧蚀加工所述工件，
其中，所述激光加工用压敏粘合片，其包括基材和设置于所述基材的一个表面上的压敏粘合剂层，
所述压敏粘合剂层具有50cm-1至900cm-1的在波长355nm处的吸收系数，
所述压敏粘合剂层包含光吸收剂，其中所述光吸收剂在0.01重量%乙腈溶液中在波长355nm处的吸光度为0.01至1.20，和
其中所述压敏粘合片在当工件通过具有紫外线区域波长的激光光或经由多光子吸收过程能够光吸收的激光光激光加工时使用，
其中所述光吸收剂为光反应性聚合引发剂，所述光反应性聚合引发剂选自由2,2-二甲氧基-l,2-二苯基乙烷-l-酮、1-羟基-环己基-苯基-酮、2-羟基-2-甲基-l-苯基丙烷-l-酮、l-[4-(2-羟基乙氧基)-苯基]-2-羟基-2-甲基-l-丙烷-l-酮、2-羟基-l-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-l-酮、2-甲基-l-(4-甲基苯硫基)-2-吗啉基丙烷-l-酮、2-(二甲氨基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-吗啉基)苯基]-1-丁酮和2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦组成的组。
2.根据权利要求1所述的用于激光加工的方法，其中所述压敏粘合剂层包括含丙烯酸类聚合物的压敏粘合剂。
3.根据权利要求1所述的用于激光加工的方法，其中所述压敏粘合剂层包括紫外线固化型压敏粘合剂。
4.根据权利要求1所述的用于激光加工的方法，其中所述压敏粘合剂层包括含丙烯酸类聚合物的压敏粘合剂，所述丙烯酸类聚合物在其侧链中具有碳-碳双键。
5.根据权利要求1所述的用于激光加工的方法，其中所述基材具有10cm-1以下的在波长355nm处的吸收系数。
6.根据权利要求1所述的用于激光加工的方法，其中所述基材具有由聚乙烯或聚丙烯组成的层。
7.根据权利要求1所述的用于激光加工的方法，其中所述基材具有至少一层由包含乙烯的共聚物组成的层。
8.根据权利要求1所述的用于激光加工的方法，其中所述工件为半导体元件。
9.根据权利要求1所述的用于激光加工的方法，其中所述工件为半导体元件，将所述半导体元件通过用激光光照射而分离为片以形成半导体芯片。
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