CN105489472B - 前切割保护液及使用此保护液的晶片加工方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种前切割保护液及使用此保护液的晶片(Wafer)加工方法。所述前切割保护液，包括聚乙烯醇或变性聚乙烯醇、紫外光吸收剂以及溶剂。聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的聚合度大于或等于1000。以聚乙烯醇或变性聚乙烯醇为100重量份计，紫外光吸收剂的添加量大于10重量份。本发明的前切割保护液可适用于不同功率的激光切割，且其所形成的保护膜可利用水来移除。

Description

前切割保护液及使用此保护液的晶片加工方法

技术领域

本发明涉及一种前切割保护液及使用此保护液的晶片(Wafer)加工方法，且特别是涉及一种可适用于不同功率的激光前切割保护液及使用此保护液的晶片加工方法。

背景技术

芯片(Chip)的切割一直是集成电路封装非常重要的制作工艺。半导体晶片经繁复的制作工艺后，如果在芯片切割的阶段无法维持高良率，或因芯片分离方法而影响芯片原有的特性，对产品的可靠度将会造成相当严重的影响。

现有的芯片切割是利用切割刀具沿着晶片的切割道进行。然而，目前的半导体制作工艺使用了相当多材质较软或脆的材料层，因此以切割刀具直接切割晶片，容易造成裂纹、刮痕或产生碎屑，造成材料层剥离，甚至导致晶片上的半导体元件被拉扯或挤压的情况。

目前在以切割刀具切割之前，会先以激光沿着切割道先行切割晶片。然而，此种方式也有可能因为衬底吸收激光的能量，导致硅熔解或热分解，产生硅蒸气而凝结、沉积在晶片上，造成晶片的周围边缘产生碎屑，而影响产品的可靠度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种前切割保护液及使用此保护液的晶片加工方法，其可适用于不同功率与高切割速率的能量光束的前切割制作工艺，可以减少或避免芯片的周围边缘产生碎屑，提升所形成的半导体元件的产品可靠度。

为达上述目的，本发明提供一种前切割保护液及使用此保护液的晶片加工方法，前切割保护液干燥而成的切割保护膜可利用纯水或去离子水来移除，且具有良好的耐热性，与良好的皮膜移除性。

本发明提供一种前切割保护液包括聚乙烯醇或变性聚乙烯醇、紫外光吸收剂以及溶剂。聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的聚合度大于或等于1000。其中以聚乙烯醇或变性聚乙烯醇为100重量份计，紫外光吸收剂的添加量大于10重量份。

在本发明的一实施例中，上述的前切割保护液的固体在波长355nm的g吸收系数k大于0.35Abs·cm·L/g。

在本发明的一实施例中，上述的聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的聚合度为1000至4000。

在本发明的一实施例中，上述的聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的碱化度为69摩尔％至99摩尔％。

在本发明的一实施例中，上述的溶剂包括水、醇类溶剂或其组合。

在本发明的一实施例中，上述的紫外光吸收剂包括含苯酚苯磺酸及其盐类。

本发明提供一种晶片加工方法，其步骤如下。提供衬底，衬底上具有材料层。在材料层上形成保护膜。上述保护层是上述前切割保护液干燥而成。以能量光束进行前切割制作工艺，以在保护膜与材料层中形成多个沟槽。移除上述保护膜。

在本发明的一实施例中，上述的能量光束包括激光。

在本发明的一实施例中，上述的能量光束的功率为3.9瓦特至7.2瓦特。

在本发明的一实施例中，其中移除上述保护膜是使用纯水或去离子水。

在本发明的一实施例中，还包括进行切割制作工艺，自沟槽切割衬底，以形成多个芯片。

在本发明的一实施例中，上述移除所述保护膜的步骤与进行所述切割步骤同时进行或在进行所述切割步骤之前进行。

基于上述，本发明实施例的前切割保护液涂布与干燥处理后，可于晶片上形成保护膜。由于上述保护膜可高度吸收不同功率与高切割速率的能量光束的能量，因此可避免衬底的热熔解或热分解产生硅蒸气而导致保护膜剥离的问题，且也可防止在芯片的周围边缘产生碎屑或造成切割道烧焦。如此一来，便可防止晶片的表面受到损害，且同时提升所形成的半导体元件的产品可靠度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

图1为利用本发明实施例的前切割保护液以进行晶片加工方法的半导体晶片示意图；

图2A至图2D为利用本发明实施例的前切割保护液以进行晶片加工方法的流程的剖面示意图；

图3为本发明的实验例一中，在以低功率(2.6W)激光对覆有保护膜的硅晶片进行前切割制作工艺后的切割道的照片；

图4为本发明的实验例一中，在以中功率(3.9W)激光对覆有保护膜的硅晶片进行前切割制作工艺后的切割道的照片；

图5为本发明的实验例一中，在以高功率(7.2W)激光对覆有保护膜的硅晶片进行前切割制作工艺后的切割道的照片；

图6为本发明的比较例中，在以中功率(3.9W)激光对覆有保护膜的硅晶片进行前切割制作工艺后的切割道的照片；

图7为本发明的比较例中，在以高功率(7.2W)激光对覆有保护膜的硅晶片进行前切割制作工艺后的切割道的照片。

符号说明

10：衬底

12：材料层

14、14a、14b：切割道

16：芯片

16a：芯片

18：保护膜

20：沟槽

22：碎屑

24：切割槽

100：晶片

200：能量光束

具体实施方式

本发明实施例提供一种前切割保护液包括聚乙烯醇或变性聚乙烯醇、紫外光吸收剂以及溶剂。聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的聚合度大于或等于1000。以聚乙烯醇或变性聚乙烯醇为100重量份计，紫外光吸收剂的添加量大于10重量份。以下将详细说明前切割保护液的各成分。

聚乙烯醇或变性聚乙烯醇

聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的聚合度大于或等于1000。在一实施例中，聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的聚合度为1000至4000。在另一实施例中，聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的聚合度为1000至4000。在又一实施例中，聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的聚合度为2000至2400。前切割保护液含有上述范围的聚合度的聚乙烯醇或变性聚乙烯，则其所形成的保护膜的耐热性与安定性较佳。因此，在使用高功率的能量光束进行切割时，较不会导致过度热分解反应或保护膜剥离的情况。再者，在一实施例中，聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的碱化度为69摩尔％至99摩尔％。由于聚乙烯醇或变性聚乙烯醇具有醚链结或羟基，其对晶片表面的粘着性相当低。在利用纯水或去离子水清洗后，便可有效地避免聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的残留。

本发明实施例的聚乙烯醇或变性聚乙烯醇可以各种方法来形成。在一实施例中，聚乙烯醇或变性聚乙烯醇可以利用聚乙烯酯与碱化触媒进行反应而获得。而上述聚乙烯酯是由乙烯酯类化合物在自由基起始剂作用下，在醇类溶剂中进行聚合反应所形成。在一实施例中，乙烯酯类化合物包括：醋酸乙烯酯、甲酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、戊酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬酯酸乙烯酯、以及苯甲酸乙烯酯等。变性单体系选至乙烯、丙烯、丙烯酸及其酯类、甲基丙烯酸及其酯类、衣糠酸及其酯类、马来酸及其酯类、丙烯磺酸及其盐类、2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸及其盐类等。

上述醇类溶剂包括甲醇、乙醇、丙醇、或其组合、或其衍生物。上述自由基起始剂包括偶氮二异丁腈(AIBN)、过氧化苯甲酰(BPO)等。上述聚合反应并无特别限制，一般用以制造聚乙烯酯类化合物的反应条件均可使用。通过调整反应物添加量与聚合反应的时间，以控制最终聚乙烯酯类的聚合度。上述碱化触媒可包括碱金属或碱土金属的氢氧化物或碳酸化合物，例如氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、或碳酸钙等。碱化触媒的种类并无特殊限制，一般用于与聚乙烯酯进行碱化反应，以制造聚乙烯醇的无机碱化合物均可使用。另外，碱化触媒也可包括有机胺碱性化合物，其可例如是氨水、氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵、或其衍生物。

紫外光吸收剂

本发明实施例的紫外光吸收剂可包括含苯酚苯磺酸及其盐类，其为水溶性物质。上述紫外光吸收剂可例如是4,4’－二羧基二苯甲酮、二苯甲酮－4－羧酸、2－羧基萘醌、1,2－萘二羧酸、1,8－萘二羧酸、2,3－萘二羧酸、2,6－萘二羧酸和2,7－萘二羧酸及其钠盐、钾盐、铵盐和四级铵盐，2,6－蒽醌二磺酸钠盐、2,7－蒽醌二磺酸钠盐以及阿魏酸。

以聚乙烯醇或变性聚乙烯醇为100重量份计，本发明实施例的紫外光吸收剂的添加量大于10重量份。在一实施例中，本发明实施例的紫外光吸收剂的添加量为10重量份至20重量份。然而，本发明的紫外光吸收剂的材料与添加量不限于此，只要紫外光吸收剂可吸收不同功率的能量光束，而不会使得所形成的保护膜过度产生热分解现象，均是本发明实施例涵盖的范围。在一实施例中，本发明实施例的紫外光吸收剂的添加量可使得所形成的保护膜(由前切割保护液干燥而成)，在波长355nm的g吸收系数k大于0.35Abs·cm·L/g。Abs：吸收度。上述紫外光吸收剂所形成的保护膜可降低先前技术中由于g吸收系数k较低，使得硅衬底热分解而产生硅蒸气。避免硅蒸气压过高而导致晶片上的保护膜剥离，且可以避免在芯片的周围边缘产生碎屑的现象。此外，由于上述保护膜具有较佳的耐热性与安定性，因此，也不容易发生保护膜的过度热分解反应。

溶剂

本发明实施例的溶剂可包括水、醇类溶剂或其组合。在一实施例中，上述溶剂为醇类溶剂，例如甲醇、乙醇、丙醇、或其组合、或其衍生物。只要能够将聚乙烯醇或变性聚乙烯醇与紫外光吸收剂均匀混合于溶剂中，则本发明的溶剂不限于上述溶剂。溶剂的含量为聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的1重量份至50重量份较佳。

以下将利用本发明实施例的前切割保护液涂布在半导体晶片上，由此对半导体晶片进行晶片加工。

图1为利用本发明实施例的前切割保护液以进行晶片加工方法的半导体晶片示意图。图2A至图2D为利用本发明实施例的前切割保护液以进行晶片加工方法的流程的剖面示意图。

请参照图1与图2A，首先提供晶片100，其具有多个切割道14。切割道14包括在第一方向D1延伸的多个水平切割道14a与在第二方向D2延伸的多个垂直切割道14b。水平切割道14a与垂直切割道14b排列成格子图案，以分隔多个芯片16。

更具体地说，晶片100至少包括衬底10与材料层12。衬底10例如为半导体衬底、半导体化合物衬底或是绝缘层上有半导体衬底(Semiconductor Over Insulator，SOI)。半导体可为IVA族的原子，例如硅或锗。半导体化合物可为IVA族的原子所形成的半导体化合物，例如是碳化硅或是硅化锗，或是IIIA族原子与VA族原子所形成的半导体化合物，例如是砷化镓。

材料层12位于衬底10上。材料层12可以是单一层或是多层。材料层12包括介电层。介电层的材料为有机或无机材料。介电层可以是四乙氧基硅氧烷(TEOS)氧化硅、无掺杂硅玻璃(USG)、硼磷硅玻璃(BPSG)、磷硅玻璃(PSG)、低介电常数材料及其组合。低介电常数材料为介电常数低于4的材料层，例如是氟掺杂硅玻璃(FSG)；硅倍半氧化物例如是氢硅倍半氧化物(Hydrogen silsesquioxnane HSQ)、甲基硅倍半氧化物(Methyl silsesquioxane，MSQ)或混合有机硅烷聚合物(Hybrido-organo siloxane polymer，HOSP)；芳香族碳氢化合物(Aromatic hydrocarbon)例如是SiLK；有机硅酸盐玻璃(Organosilicate glass)例如是碳黑(black diamond，BD)、3MS、4MS；聚对二甲苯(Parylene)；氟化聚合物(Fluoro-Polymer)例如是PFCB、CYTOP、Teflon；聚芳醚(Poly(arylethers))例如是PAE-2、FLARE；多孔聚合物(Porous polymer)例如是XLK、Nanofoam、Awrogel；Coral等。

材料层12经由光刻制作工艺与蚀刻制作工艺而形成上述切割道14。切割道14的顶面低于材料层12的顶面，且高于材料层12的底面。切割道14的两侧为芯片16。芯片16的顶面高于切割道14的顶面。

晶片100上还可以具有各种半导体元件、金属内连线、焊垫、保护层(PassivationLayer)，但为了清楚起见，在附图中未绘示出来。

之后，在材料层12上形成保护膜18。在一实施例中，可以利用旋转涂布制作工艺，将本发明实施例的前切割保护液涂布在材料层12的表面上(未绘示)。然后在室温或高温下进行干燥，由此在材料层12上形成保护膜18。在一实施例中，保护膜18的厚度例如是1.5微米至5.0微米。由于晶片100的表面具有多个切割道14与多个芯片16，因此，如果上述保护膜18的厚度过薄，则芯片16上的保护膜18的厚度也过薄，可能会使得碎屑经由保护膜18沉积于芯片16的表面上。另一方面，保护膜18的厚度过厚，也可能会造成其在后续移除时较为耗时费工。

倘若保护膜18的g吸收系数k过低，则对于能量光束吸收力较低，保护膜因能量光束的照射而导致热分解的情况远低于衬底10。如此一来，衬底10的热分解所产生的蒸气压会导致保护膜18剥离，且在芯片16的周围边缘产生碎屑。反之，若保护膜18的g吸收系数k过高，则所形成的保护膜18容易发生热分解反应。本发明实施例的保护膜18在波长355nm的g吸收系数k大于0.35Abs·cm·L/g。在一实施例中，保护膜18在波长355nm的g吸收系数k大于0.35Abs.cm.L/g，小于0.55Abs·cm·L/g。然而，本发明实施例的保护膜18的g吸收系数k不限于此，只要能在前切割制作工艺中减少衬底10热分解而产生的蒸气压，避免蒸气压过高而导致晶片100上的保护膜18剥离，且可以避免在芯片16的周围边缘产生碎屑的现象，均是本发明涵盖的范围。另一方面，由于上述前切割保护液中的聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的聚合度大于或等于1000，因此，其干燥而成的保护膜18具有较佳的耐热性与安定性。所以本发明实施例的保护膜18不容易发生保护膜的过度热分解反应。

请参照图2B，以能量光束200进行前切割制作工艺，在保护膜18与材料层12中形成多个沟槽20，以利于后续的切割制作工艺。具体来说，将能量光束200照射在切割道14的保护膜18与材料层12上，以移除切割道14上的保护膜18、材料层12以及部分衬底10。在一实施例中，能量光束200包括激光，且能量光束200的功率大于2.6瓦。在一实施例中，能量光束200的功率为3.9瓦特至7.2瓦特。

在能量光束200照射期间，保护膜18的热分解反应，与材料层12以及衬底10的热分解反应几乎同时发生(或者保护膜18的热分解反应更早发生)。由于保护膜18的g吸收系数k大于0.35Abs·cm·L/g，对于能量光束200具有较高的吸收特性。因此，能量光束200照射处的保护膜18因热分解而移除，避免其下方的材料层12与衬底10的热分解所产生蒸气压而导致保护膜18剥离。如图2B所示，由于在材料层12上已形成保护膜18，所以材料层12与衬底10的热分解所形成的碎屑22会沉积在保护膜18的表面上，而不会直接沉积在晶片100(材料层12)的表面上。如此一来，便可有效地避免由于保护膜18的剥离，导致碎屑沉积在芯片16的周围边缘的问题，因此，可以提升产品可靠度。此外，由于保护膜18的g吸收系数k大于0.35Abs·cm·L/g且其耐热性与安定性较佳，因此，本发明实施例的晶片加工方法可沿着线宽非常小的切割道14来进行切割。

请参照图2C，移除保护膜18。在一实施例中，保护膜18可例如是使用纯水或去离子水来移除。纯水或去离子水的温度例如是常温或是摄氏15度至40度。由于聚乙烯醇或变性聚乙烯醇为水溶性物质，且其他成分(例如是紫外光吸收剂)也为水溶性物质，因此，其所形成的保护膜18(如图2C所示)可以用水(或热水)来移除。此外，在上述能量光束200的照射期间沉积在保护膜18上方的碎屑22也可同时在移除保护膜18的过程中被移除。因此，依据本发明的前切割保护液，其所形成的保护膜18以及前切割制作工艺所产生的碎屑22均可通过简单的制作工艺轻易地移除。

请参照图2D，在移除保护膜18之后，利用切割刀具沿着沟槽20的方向对衬底10进行切割制作工艺，以形成切割槽24。切割槽24可沿着切割道14(或沟槽20)的方向，将晶片100分割成多个芯片16a。在一实施例中，切割刀具可例如是钻石刀具(Diamond Blade)

保护膜18除了可以在进行切割制作工艺之前进行之外，在另一实施例中，也可以在进行切割制作工艺时，同时供应切割用水(例如是纯水或去离子水)来移除保护膜18。换言之，在进行切割制作工艺时，也可同时移除保护膜18(亦即可省略图2C的步骤)。

由于切割道14上质地较软的材料层12已通过前切割制作工艺预先移除，只剩下质地较硬的衬底10待切割。因此，不会产生先前技术中拉扯或挤压晶片上的半导体元件的问题。另一方面，也可防止材料层12的剥离。

虽然上述实施例以半导体晶片为例已完整地描述清楚，但应了解本发明实施例可应用于其他晶片的各种类型的能量光束加工。举例来说，本发明实施例也可用于光学装置晶片的分割。

〈实验〉

为了证明本发明的可实现性，下文将举实验例以更具体地描述本发明。虽然描述了以下实验，但是在不逾越本发明范畴的情况下，可适当改变所采用的材料、添加量及比率、处理细节以及处理流程等等。因此，不应根据下文所述的实验对本发明作出限制性的解释。

实验例一

制作前切割保护液，其包括：10克的聚乙烯醇，其皂化度为78％且聚合度为2000；1.2克的艾维索(Eversorb)13(台湾永光化学公司制造)；63.8g的水；以及25毫升的乙醇。此前切割保护液的固体的g吸收系数k为0.62Abs·cm·L/g。之后，将上述前切割保护液旋转涂布在硅晶片上。接着，进行干燥处理，以在硅晶片上形成保护膜。在切割道上的保护膜的厚度为1.5微米。之后，分别以2.6W、3.9W与7.2W功率的激光加工处理上述覆有保护膜的硅晶片。然后，以纯水移除保护膜。

实验例二

制作前切割保护液，其包括：10克的聚乙烯醇，其皂化度为80％且聚合度为1400；1.5克的艾维索13(台湾永光化学公司制造)；63.5g的水；以及25毫升的乙醇。此前切割保护液的固体的g吸收系数k为0.78Abs·cm·L/g。之后，将上述前切割保护液旋转涂布在硅晶片上。接着，进行干燥处理，以在硅晶片上形成保护膜。在切割道上的保护膜的厚度为1.0微米。之后，分别以2.6W、3.9W与7.2W功率的激光加工处理上述覆有保护膜的硅晶片。然后，以纯水移除保护膜。

实验例三

制作前切割保护液，其包括：10克的2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸变性聚乙烯醇，其皂化度为97.5％且聚合度为1400；1.2克的艾维索13(台湾永光化学公司制造)；63.8g的水；以及25毫升的乙醇。此前切割保护液的固体的g吸收系数k为0.63Abs·cm·L/g。之后，将上述前切割保护液旋转涂布在硅晶片上。接着，进行干燥处理，以在硅晶片上形成保护膜。在切割道上的保护膜的厚度为1.0微米。之后，分别以2.6W、3.9W与7.2W功率的激光加工处理上述覆有保护膜的硅晶片。然后，以纯水移除保护膜。

比较例

制作前切割保护液，其包括：20克的聚乙烯醇，其皂化度为88％且聚合度为500；0.2克的艾维索13(台湾永光化学公司制造)；以及80克的水。此前切割保护液的固体的g吸收系数k为0.13至1Abs·cm·L/g。之后，将上述前切割保护液旋转涂布在硅晶片上。接着，进行干燥处理，以硅晶片上形成保护膜。在切割道上的保护膜的厚度为0.5微米。之后，分别以2.6W、3.9W与7.2W功率的激光加工处理上述覆有保护膜的硅晶片。然后，以纯水移除保护膜。

表1列出对实施例一、实施例二、实施例三以及比较例的覆有保护膜的硅晶片分别进行2.6W、3.9W以及7.2W功率的激光加工处理后的切割道情况。

请参照表1，在实施例一、实施例二以及实施例三中，经过2.6W、3.9W以及7.2W功率的激光加工处理后，其并无产生切割道烧焦的情况。同样地，在比较例中，经过2.6W功率的激光加工处理后，其并无产生切割道烧焦的情况。然而，经过3.9W以及7.2W功率的激光加工处理后，比较例的覆有保护膜的硅晶片便产生了切割道烧焦的情况。由此可知，比较例中所形成的保护膜较无法耐受3.9W以及7.2W功率的激光加工处理。

表1

图3为本发明的实验例一中，在以低功率(2.6W)激光对覆有保护膜的硅晶片进行前切割制作工艺后的切割道的照片。图4为本发明的实验例一中，在以中功率(3.9W)激光对覆有保护膜的硅晶片进行前切割制作工艺后的切割道的照片。图5为本发明的实验例一中，在以高功率(7.2W)激光对覆有保护膜的硅晶片进行前切割制作工艺后的切割道的照片。图6为本发明的比较例中，在以中功率(3.9W)激光对覆有保护膜的硅晶片进行前切割制作工艺后的切割道的照片。图7为本发明的比较例中，在以高功率(7.2W)激光对覆有保护膜的硅晶片进行前切割制作工艺后的切割道的照片。

请参照图4与图5，实验例一使用聚合度较高的聚乙烯醇制作来保护膜，在中功率(3.9W)以及高功率(7.2W)激光前切割制作工艺后，切割道边缘凸起区域没有碎屑沉积，而且，并未产生切割道烧焦的情况。相对地，请参照图6与图7，比较例使用聚合度较低的聚乙烯醇制作来保护膜，在中功率(3.9W)以及高功率(7.2W)激光前切割制作工艺后，产生了切割道烧焦的情况。由此可知，使用聚合度较高的聚乙烯醇所制作保护膜比使用聚合度较低的聚乙烯醇所制作的保护膜具较更佳的耐热性。

综上所述，本发明实施例的含有聚合度较高的聚乙烯醇的前切割保护液，通过涂布与干燥处理后，可于晶片上形成保护膜。在以能量光束切割的过程中，上述保护膜对于能量光束具有高度的吸收特性，其可避免衬底的热分解产生的蒸气而导致保护膜剥离的问题，且也可防止在芯片的周围边缘产生碎屑。而且在切割制作工艺之后，保护膜与沉积在其上方的碎屑可简单利用纯水或去离子水移除，其可节省制作工艺成本。

另一方面，由于上述保护膜的g吸收系数k大于0.35Abs·cm·L/g，且其含有聚合度较高的聚乙烯醇或变性聚乙烯醇，因此其耐热性与安定性较佳。因此，本发明实施例的晶片加工方法可承受较高功率(3.9W至7.2W)的能量光束，并可沿着线宽非常小的切割道来进行切割。

基于上述，本发明实施例的前切割保护液及使用此保护液的晶片加工方法可适用于高功率与高切割速率的能量光束切割。并且有效防止晶片表面受到损害，避免芯片的周围边缘产生碎屑，提升所形成的半导体元件的产品可靠度。

虽然结合以上实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (11)

1.一种前切割保护液，包括：

聚乙烯醇或变性聚乙烯醇，其中所述聚乙烯醇或所述变性聚乙烯醇的聚合度大于或等于1000；

紫外光吸收剂，其中以所述聚乙烯醇或所述变性聚乙烯醇为100重量份计，所述紫外光吸收剂的添加量大于10重量份；以及

溶剂。

2.如权利要求1所述的前切割保护液，其中所述前切割保护液的固体在波长355nm的g吸收系数k大于0.35Abs·cm·L/g。

3.如权利要求1所述的前切割保护液，其中所述聚乙烯醇或所述变性聚乙烯醇的聚合度为1000至4000。

4.如权利要求1所述的前切割保护液，其中所述聚乙烯醇或所述变性聚乙烯醇的碱化度为69摩尔％至99摩尔％。

5.如权利要求1所述的前切割保护液，其中所述溶剂包括水、醇类溶剂或其组合。

6.如权利要求1所述的前切割保护液，其中所述紫外光吸收剂包括含苯酚苯磺酸及其盐类。

7.一种晶片加工方法，包括：

提供衬底，所述衬底上具有材料层；

在所述材料层上形成保护膜，所述保护层由权利要求1至6任一所述的前切割保护液所干燥而成；

以能量光束进行前切割制作工艺，以在所述保护膜与所述材料层中形成多个沟槽；

移除所述保护膜；以及

进行切割制作工艺，自所述沟槽切割所述衬底，以形成多个芯片。

8.如权利要求7所述的晶片加工方法，其中所述能量光束包括激光。

9.如权利要求7所述的晶片加工方法，其中所述能量光束的功率为3.9瓦特至7.2瓦特。

10.如权利要求7所述的晶片加工方法，其中移除所述保护膜是使用纯水或去离子水。

11.如权利要求7所述的晶片加工方法，其中移除所述保护膜的步骤与进行所述切割步骤同时进行或在进行所述切割步骤之前进行。