KR20100037570A - 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트 및 레이저 처리 방법 - Google Patents

레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트 및 레이저 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 베이스와 베이스의 표면 상에 제공되는 압력-감지 접착층을 포함하는, 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트를 제공하며, 압력-감지 접착층은 355nm 파장에서 50cm-1 내지 900cm-1의 흡광 계수를 갖고, 압력-감지 접착층은 355nm 파장에서 0.01 중량% 아세토니트릴 용액 내에 흡광제의 흡광도(absorbance)가 0.01 내지 1.20인 흡광제를 함유하고, 자외선 영역의 파장을 갖는 레이저 광 또는 다광자 흡광 프로세스를 통한 흡광을 가능케 하는 레이저 광에 의해 워크피스가 레이저-처리될 때, 압력-감지 접착 시트가 사용된다.
압력-감지 접착 시트, 흡광제, 레이저 처리

Description

레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트 및 레이저 처리 방법{PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET FOR LASER PROCESSING AND METHOD FOR LASER PROCESSING}
본 발명은 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트 및 레이저 처리를 위한 방법에 관한 것이며, 압력-감지 접착 시트는 자외선 영역의 파장을 갖는 레이저 광 또는 다광자(multiphoton) 흡광 처리를 통한 흡광을 가능하게 하는 레이저 광에 의해 워크피스(workpiece)가 레이저-처리될 때 사용될 수 있다.
전기 및 자기 디바이스의 최근의 소형화 등으로, 이들의 부품들은 사이즈가 소형화되고 정확도가 증가해져 왔다. 따라서, 다양한 재료의 절단에 있어서도 보다 양호한 정확도 및 정밀도가 필요하다. 특히, 보다 소형의 사이즈 및 보다 높은 밀도에 대한 필요성이 큰 반도체 분야에서는, 최근 몇년 동안의 관심은 열 손상을 거의 유발하지 않고 높은 정밀도의 처리를 가능하게 하는, 레이저 광으로 반도체 웨이퍼들을 절단하기 위한 방법에 대한 것이었다.
상술한 기술에서와 같이, 기판을 다양한 회로 형성물 아래에 놓음으로써 획득되는 워크피스를 다이싱 시트(dicing sheet)에 고정시키는 단계와 표면 처리 단 계와 워크피스를 레이저 광으로 다이싱하여 소형 칩들을 형성하는 단계를 포함하는 방법이 제안되었다. 이러한 방법에 사용되는 다이싱 시트로서 베이스 필름(base film)과 베이스의 표면에 형성되는 압력-감지 접착층을 포함하는 다이싱 시트가 제안되었으며, 여기에서 압력-감지 접착층은 베이스 필름을 절단하지 않고도 레이저 광에 의해 절단된다(예를 들어, JP-A-2002-343747호 참조).
레이저 광이 워크피스를 다이싱하는 데 채용되는 경우에, 레이저 광으로 절제(ablation)함에 의해 워크피스에 응력(stress)이 가해져서, 워크피스의 분리된 단편들이 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트 상에 보유될 수 없는 소위 칩 프라이(chip fry)가 발생하여 워크피스의 일부 단편들을 잃는다. 따라서, 워크피스의 분리된 단편들이 효율적으로 수집될 수 없다는 문제점이 있다.
JP-A-2002-343747호에 설명된 다이싱 시트가 사용되는 경우에, 압력-감지 접착 시트는 YAG 레이저 또는 루비(ruby) 레이저의 레이저 광(파장: 694nm)의 기본파(fundamental wave)(파장: 1064nm)에 의해 열적으로 절단된다. 따라서, 레이저 절단으로, 열처리에 의한 분해는 압력-감지 접착층이 상위층에서만 발생하는 것이 아니라 압력-감지 접착층의 내부 또는 베이스와 압력-감지 접착층 간에서도 발생하여, 횡방향으로의 압력-감지 접착층의 처리가 일어나기 쉽다. 따라서, 다이싱 시트는 워크피스의 분리된 단편들의 칩 프라이를 억제하기에는 불충분하다.
본 발명의 목적은 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착층 및 레이저 처리를 위한 방법을 제공하는 것이며, 여기에서 워크피스의 분리된 단편들은 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트 상에 보유될 수 있으며, 칩-프라이가 억제될 수 있고, 또한 워크피스의 분리된 단편들이 효율적으로 수집될 수 있다.
상술한 문제점들을 해결하기 위한 광범위한 연구의 결과로, 본 발명자들은 상술한 목적이 레이저 처리를 위한 후술할 압력-감지 접착 시트에 의해 달성될 수 있음을 발견하였고, 그에 따라 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 이하를 제공한다:
베이스와 베이스의 표면 상에 제공되는 압력-감지 접착층을 포함하는, 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트,
355nm 파장에서 50cm-1 내지 900cm-1의 흡광 계수를 갖는 압력-감지 접착층, 및
355nm 파장에서 0.01 중량% 아세토니트릴 내에 흡광제의 흡광도(absorbance)가 0.01 내지 1.20인 흡광제를 함유하는 압력-감지 접착층을 포함하고, 자외선 영역의 파장을 갖는 레이저 광 또는 다광자 흡광 처리를 통한 흡광을 가능케 하는 레이저 광에 의해 워크피스가 레이저-처리될 때, 압력-감지 접착 시트가 사용된다.
상술한, 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트는 레이저 광으로 자외선 흡광 절제에 의한 워크피스의 레이저 처리 전에 워크피스의 흡광 스테이지 표면(레이저 광-방출 표면) 상에 적층되어, 처리 중에, 그리고 후속되는 각 단계 동안 워크피스(레이저로 처리될 물질 또는 레이저-처리된 물질)를 지지하고 고정시키는 데 사용된다.
355nm 파장에서 압력-감지 접착층의 흡광 계수는 50cm-1 내지 900cm-1이고, 보다 바람직하게는 70cm-1 내지 800cm-1이고, 더욱 바람직하게는 90cm-1 내지 600cm-1이고, 이보다 더욱 바람직하게는 100cm-1 내지 400cm-1이다. 355nm 파장에서의 압력-감지 접착층의 흡광 계수가 이러한 범위 내에 드는 경우에, 레이저 광이 워크피스를 절단하고 압력-감지 접착층에 도달한 후에도, 압력-감지 접착층은 레이저 광을 적당히 흡광하고, 절제 절차는 압력-감지 접착층의 상위층 부분에서부터 하위층 부분으로 차례로 진행한다. 이 경우에, 처리된 압력-감지 접착 성분은 처리 라인을 따라 시스템의 외부로 방출되므로, 절제에 의한 응력이 워크피스에 가해지지 않고, 칩 프라이의 방지가 확실하게 달성될 수 있다. 이와 관련하여, 355nm 파장에서의 압력-감지 접착층의 흡광 계수가 50cm-1 보다 작은 경우, 레이저 광은 압력-감지 접착층을 통과하여, 압력-감지 접착층과 베이스 간의 계면에서 베이스의 절제가 발생하여 압력-감지 접착층을 파열시킨다. 따라서, 압력-감지 접착층 또한 횡방향으로 처리되고, 횡방향으로의 응력이 워크피스에 또한 가해져서 칩 프라이가 발생하기 쉽다. 또한, 355nm 파장에서의 압력-감지 접착층의 흡광 계수가 900cm-1보다 큰 경우에, 압력-감지 접착층의 레이저 광 흡광도는 높고, 워크피스 측에 있는 압력-감지 접착층의 표면 상에서의 열 에너지로의 변환 효율이 증가하여, 압력-감지 접착층의 절제가 매우 커지게 된다. 따라서, 압력-감지 접착층 또한 횡방향으로 응력을 받고, 횡방향으로의 응력이 또한 워크피스에 가해져서, 칩 프라이가 발생하기 쉽다.
압력-감지 접착층에 함유되어 있는, 355nm 파장에서의 0.01 중량%의 아세토니트릴 내의 흡광제의 흡광도는, 흡광제의 너무 높은 함유량 또는 너무 낮은 함유량을 방지하기 위하여, 바람직하게는 0.01 내지 1.20이고, 보다 바람직하게는 0.02 내지 1.00이고, 더욱 바람직하게는 0.03 내지 0.95이다.
또한, 흡광제는 바람직하게는 광반응성 중합 개시제이다.
광반응성 중합 개시제는 바람직하게는 알킬페논계 화합물, α-알킬페논계 화합물 및 알킬포스핀 산화물계 화합물 중 임의의 것이다. 355nm 파장에서의 흡광도에서 이러한 광반응성 중합 개시제의 양을 변경시킴으로써, 압력-감지 접착층의 레이저 흡광도가 용이하게 제어될 수 있다. 이러한 흡광제는 단독으로 첨가될 수 있거나 그 2개 이상이 첨가될 수 있다.
압력-감지 접착층은 아크릴 중합체를 함유하는 것이 바람직하다. 아크릴 중합체를 사용함으로써, 압력-감지 접착층으로 인한 오염 등이 용이하게 제어될 수 있다.
암력-감지 접착층은 자외선-경화성 압력-감지 접착제를 함유하는 것이 바람직하다. 자외선-경화성 압력-감지 접착제를 사용함으로써, 처리시 및 자외선으로 조사한 뒤에 층을 벗김으로써 워크피스로부터 벗겨낼 때 보유 성능이 용이하게 달성될 수 있다.
압력-감지 접착층은 그 측쇄(side chain)에서 탄소-탄소 이중결합을 갖는 아크릴 중합체를 함유하는 압력-감지 접착제를 함유하는 것이 바람직하다.
355nm 파장에서 베이스의 흡광 계수는 10cm-1 이하인 것이 바람직하다.
베이스는 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌으로 이루어지는 층을 갖는 베이스인 것이 바람직하다.
베이스는 에틸렌을 함유하는 공중합체로 이루어지는 적어도 하나의 층을 갖는 베이스인 것이 바람직하다. 이러한 조성으로, 베이스는 레이저 광을 거의 흡수하지 않으며, 이에 따라 레이저 광에 의한 절제가 거의 발생하지 않는다. 따라서, 베이스의 절제로 인해 유발되는, 워크피스에 주어지는 힘이 최소화될 수 있고, 칩 프라이가 방지될 수 있다.
워크피스는 반도체 소자인 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 이하를 제공한다:
레이저 처리를 위한 방법으로서, 이러한 방법은,
상술한 압력-감지 접착 시트를 워크피스에 부착하는 단계; 및
압력-감지 접착 시트가 부착된 표면의 반대되는 표면으로부터 그 표면으로 다광자 흡광 처리를 통해 흡광을 가능케 하는 레이저 광 또는 자외선 영역의 파장을 갖는 레이저 광으로 워크피스를 순차적으로 조사함으로써, 절제에 의해 워크피스를 처리하는 단계를 포함한다.
본 방법에서, 워크피스는 반도체 소자일 수 있고, 반도체 소자는 레이저 광으로 조사되어 단편들로 분리되어 반도체 칩들을 형성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착층 및 레이저 처리 방법을 제공하여, 칩 프라이가 억제될 수 있고, 또한 워크피스의 분리된 단편들이 효율적으로 수집될 수 있는 효과를 달성할 수 있다.
본 발명에 사용될 레이저로서, 정확도 및 홀들의 에지의 외관을 저하시키지 않게 하기 위하여, 그리고 레이저 처리시에 열 손상에 의해 워크피스의 벽면을 절단하지 않기 위해, 열 처리 프로세스를 통과하지 않는 비열 처리인 자외선 흡광을 통한 절제 처리를 할 수 있는 레이저가 채용된다.
구체적으로, 400nm 이하의 진동 파장을 갖는 레이저를 들 수 있는데, 예를 들어, 248nm의 진동 파장을 갖는 KrF 엑시머 레이저, 308nm의 진동 파장을 갖는 XeCI 엑시머 레이저 및 YAG 레이저의 제3 고조파(355nm) 또는 제4 고조파(266nm), 또는 400nm 이상의 진동 파장을 갖는 레이저의 경우에는, 다광자 흡광 처리를 통해 자외선 영역에서 흡광을 할 수 있고, 다광자 흡광 절제에 의해 20㎛ 이하의 폭으로 절단할 수 있는 1e-9초(0.000000001초)의 펄스폭을 갖는, 750nm 내지 800nm의 파장을 갖는 티타늄 사파이어 레이저를 들 수 있다. 특히, 20㎛ 이하의 미세한 폭 내에서 레이저 광 포커싱(focusing)을 허용하는 레이저를 사용하는 것이 바람직하다.
상술한 레이저에 의해 출력되는 레이저 광으로 자외선 흡광 절제에 의해 처리될 수 있는 한, 워크피스는 특별히 제한되지 않는다. 그 예들은, 각종 시트 재료들, 회로 보드들, 반도체 웨이퍼들, 글래스 기판들, 세라믹 기판들, 금속 기판들, 광-방출기 또는 반도체 레이저의 광수용체 등을 위한 기판들, MEMS(Micro Electro Mechanical System)를 위한 기판들, 반도체 패키지들, 직물들, 가죽들, 종이들 등을 포함한다.
본 발명의 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트는 특히 시트 재료들, 회로 보드들, 반도체 웨이퍼들, 글래스 기판들, 세라믹 기판들, 금속 기판들 광-방출기 또는 반도체 레이저의 광수용체를 위한 기판들, MEMS를 위한 기판들, 또는 반도체 패키지들을 처리하는 데 적합하게 사용될 수 있다.
상술한 각종 시트 재료들의 예들은, 중합체 막들 및 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리아미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 실리콘 수지, 플루오르카본 중합체 등으로 이루어진 부직포(non-woven fabrics); 수지의 드로잉(drawing), 임프레그네이션(impregnation) 등에 의해 물리적 또는 광학적 기능이 주어지는 시트들; 구리, 알루미늄, 스테인레스 스틸 등의 금속 시트들; 및 상술한 중합체 막들 및/또는 금 속 시트들을 직접 또는 접착제 등을 통하여 적층한 적층물을 포함한다.
상술한 회로 보드들의 예들은, 한면, 양면, 또는 다중층 플렉시블 인쇄 보드들; 글래스 에폭시, 세라믹, 또는 금속 코어 기판들로 이루어진 단단한 보드들, 및 글래스 또는 중합체 상에 형성된 광학 회로 또는 광-전기 혼합 회로 보드들을 포함한다.
베이스의 형성 재료의 예들은, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리이미드, (메트(meth))아크릴 중합체, 폴리우레탄계 수지, 폴리노르보넨계 수지, 폴리에틸렌 글리콜 및 폴리테트라메틸렌 글리콜과 같은 폴리알킬렌 글리콜계 수지, 실리콘계 고무, 및 폴리에틸렌과 같은 폴리올레핀계 수지, 폴리프로필렌, 폴리부타디엔, 폴리비닐 알콜, 및 폴리메틸펜텐을 포함하지만, 형성 재료는 이에 제한되지 않는다.
이들 중에서, 폴리올레핀계 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 에틸린-비닐 아세테이트 공중합체 또는 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌과 같은 선형 포화 하이드로카본계 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 그 측쇄에 기능기를 갖지 않는 폴리에틸렌의 에칭율은 극도로 작고 레이저 가공성이 특히 낮으므로, 폴리에틸렌 분해물의 생성이 효과적으로 억제될 수 있다.
베이스는 단일층 또는 다중층일 수 있다. 또한, 막 또는 메시(mesh)와 같은 다양한 양식일 수 있다. 특히, 섬유질 물질, 부직포, 직물, 또는 상술한 수지 중 다공성 물질과 같은, 큰 간극비(void ratio)를 갖는 베이스가 적합하다.
베이스의 두께는, 작동성 및 실행성이 워크피스에의 부착, 워크피스의 절단 및 보링(boring), 및 레이저-처리된 물질의 필링(peeling) 및 수집의 개별 단계에서 손상되지 않으나, 보통은 500㎛ 이하, 바람직하게는 대략 5㎛ 내지 대략 300㎛, 더욱 바람직하게는 10㎛ 내지 250㎛인 범위 내에서 선택적으로 조정될 수 있다. 흡착 플레이트와 같은 인접 재료와의 접착성 및 보유 성능을 향상시키기 위하여, 베이스의 표면은 예를 들어, 크롬산 처리와 같은 화학적 또는 물리적 처리, 오존에의 노출, 플레임(flame)에의 노출, 고전압 전기 쇼크에의 노출, 또는 이온화된 방사 처리 또는 언더코트(예를 들어, 후술할 압력-감지 접착제)로의 코팅 처리인 통상의 표면 처리를 받을 수 있다.
355nm에서의 베이스의 흡광 계수는 10cm-1 이하인 것이 바람직하다. 또한, 베이스는 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌으로 이루어진 적어도 하나의 층을 갖는 베이스인 것이 바람직하다. 또한, 베이스는 에틸렌을 함유한 공중합체로 이루어진 적어도 하나의 층을 갖는 베이스이다.
압력-감지 접착층의 형성 재료로서, (메트)아크릴 중합체 또는 고무계 중합체를 함유하는 알려진 압력-감지 접착제가 사용될 수 있다.
(메트)아크릴 중합체를 형성하는 단위체 성분의 예들은, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 로릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기와 같은, 30 탄소 원자 이하, 바람직하게는 3 내지 18 탄소 원자의 선형 또는 분지형 알킬기를 갖는 알킬 (메트)아크릴레이트를 포함한다. 이러한 알킬 (메트)아크릴레이트는 단독으로 사용될 수 있거나, 그 2 이상이 조합으로 사용될 수 있다.
상술한 단위체 성분 외의 단위체 성분의 예들은, 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸 (메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸 (메트)아크릴레이트, 이타코닉산, 말레산, 푸마릭산, 및 크로토닉산과 같은 카르복실기 함유 단위체; 말레익 안히드라이드 및 이타코닉 안히드라이드와 같은 산무수물(acid anhydride) 단위체; 2-히드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 4-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메트)아크릴레이트, 6-히드록시헥실 (메트)아크릴레이트, 8-히드록시옥틸 (메트)아크릴레이트, 10-히드록시데실 (메트)아크릴레이트, 12-히드록시로릴 (메트)아크릴레이트 및 (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸 (메트)아크릴레이트와 같은 히드록실기 함유 단위체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필 (메트)아크릴레이트 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산과 같은 술폰산기 함유 단위체; 및 2-히드록시에틸 아크릴로일 포스페이트와 같은 인산기 함유 단위체를 포함한다. 이러한 중합체 성분은 단독으로 사용될 수 있거나, 그 2 이상이 조합으로 사용될 수 있다.
또한, (메트)아크릴 중합체의 가교(crosslinking) 처리의 목적으로, 다기능 단위체 등이 필요에 따라 공중합 단위체 성분으로서 또한 사용될 수 있다.
다기능 단위체의 예들은, 헥산디올 디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌 글 리콜 디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시 (메트)아크릴레이트, 폴리에스테르 (메트)아크릴레이트, 및 우레탄 (메트)아크릴레이트를 포함한다. 이러한 다기능 단위체는 단독으로 사용될 수 있거나 그 2 이상이 조합으로 사용될 수 있다.
사용되는 다기능 단위체의 양은, 압력-감지 접착제 등의 관점에서 전체 단위체 성분의 30중량% 이하인 것이 바람직하고, 20중량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.
(메트)아크릴 중합체의 조제는 하나 또는 둘 이상의 단위체 성분을 함유하는 혼합물에 대하여 용액 중합법, 에멀션 중합법, 벌크 중합법 또는 서스펜션 중합법과 같은 적합한 방법을 적용함으로써 수행될 수 있다.
중합 개시제의 예들은 하이드로젠 페록사이드, 벤조일 페록사이드 및 t-부틸 페록사이드와 같은 페록사이드를 포함한다. 중합 개시제는 단독으로 바람직하게 사용될 수 있지만 환원제와 조합하여 레독스 중합 개시제로서 사용될 수도 있다. 환원제의 예들은 설파이트 염, 하이드로젠 설파이트 염, 철, 구리 및 코발트 염과 같은 이온화된 염, 트리탄올아민과 같은 아민, 및 알도스 및 케토스와 같은 환원당을 포함한다. 또한, 아조 화합물이 또한 바람직한 중합 개시제이며, 2,2'-아조비 스-2-메틸프로피오아미딘 산성염, 2,2'-아조비스-2,4-디메틸발레론트릴, 2,2'-아조비스-N,N'-디메틸렌이소부티라미딘 산성염, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-2-메틸-N-(2-히드록시에틸)프로피오나미드 등이 사용될 수 있다. 또한, 2 이상의 종류의 중합 개시제를 조합하여 사용할 수 있다.
반응 온도는 보통 대략 50℃ 내지 대략 85℃이며, 반응시간은 대략 1시간 내지 대략 24시간이다. 또한, 용액 중합은 상술한 제조법 중에서 선택되고, 일반적으로, 에틸 아세테이트 또는 톨루엔과 같은 극성 용매가 (메트)아크릴 중합체에 대한 용매로서 사용된다. 용액 농도는 보통은 대략 20중량% 내지 80중량%이다.
베이스 중합체로서 (메트)아크릴 중합체의 수평균 분자량을 증가시키기 위하여, 가교제가 압력-감지 접착제에 적절하게 첨가될 수 있다. 가교제의 예들은, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 안히드라이드 화합물, 폴리아민, 및 카르복실기-함유 중합체를 포함한다. 가교제가 사용되는 경우, 일반적으로, 그 양은, 필링 시의 압력-감지 접착력이 너무 크게 감소하지 않는다는 것을 고려하여, 베이스 중합체의 100 중량부에 기초하여 대략 0.01 중량부 내지 대략 10 중량부인 것이 바람직하다. 또한, 압력-감지 접착층을 형성하는 압력-감지 접착제에서, 상술한 성분에 추가하여, 지금까지 알려진 각종 점착제, 노화 방지제, 충전물 및 착색제와 같은 통상적인 첨가제들이 혼합될 수 있다.
워크피스로부터의 필링 특성을 더욱 향상시키기 위하여, 압력-감지 접착제는 자외선 또는 전자 빔과 같은 방사선으로 경화되는 방사선-경화성 압력-감지 접착제 일 수 있다. 이와 관련하여, 방사선-경화성 압력-감지 접착제가 압력-감지 접착제로서 사용되는 경우에, 압력-감지 접착층은 레이저 처리 후에 방사선으로 조사되므로, 베이스는 충분한 방사선 투광도를 갖는 것인 것이 바람직하다.
방사선 경화성 압력-감지 접착제로서 탄소-탄소 이중결합과 같은 방사선 경화성 기능기를 갖고 압력-감지 접착성을 보이는 물질이 특정한 제한 없이 사용될 수 있다. 방사선 경화성 압력-감지 접착제의 예들은, 방사선 경화성 단위체 성분 또는 저중합체 성분이 상술한 (메트)아크릴 중합체로 혼합되는 방사선 경화성 압력-감지 접착제를 포함한다.
방사선 경화성 단위체 성분 또는 혼합될 저중합체 성분의 예들은, 우레탄 (메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 및 1,4-부틸렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트를 포함한다. 이들은 단독으로 사용될 수 있거나, 그 2 이상이 조합으로 사용될 수 있다.
방사선 경화성 단위체 성분 또는 혼합될 저중합체 성분의 양은, 특별히 제한되지는 않지만, 접착도를 고려하여, 그 양은 (메트)아크릴 중합체와 같은 압력-감지 접착제를 조성하는 베이스 중합체의 100 중량부에 기초하여 대략 5 중량부 내지 대략 500 중량부인 것이 바람직하고, 대략 70 중량부 내지 대략 150 중량부인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 방사선 경화성 압력-감지 접착제로서, 중합체 측쇄 또는 주쇄(main chain) 또는 주쇄 말단에서 탄소-탄소 이중결합을 갖는 물질이 베이스 중합체로서 또한 사용될 수 있다. 이러한 베이스 중합체로서, 기본 골격으로서 (메트)아크릴 중합체를 갖는 것이 바람직하다. 이 경우에, 방사선 경화성 단위체 성분 또는 저중합체 성분은 특별히 첨가될 필요가 없으며, 그 사용은 선택적인 것이다.
방사선 경화성 압력-감지 접착제에서, 광반응성 중합 개시제가, 접착제가 자외선으로 경화되는 경우에 함유된다. 광반응성 중합 개시제의 예들은 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온(one), 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 1-[4-(2-히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2메틸-1-프로판-1-온, 및 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]페닐}-2-메틸-프로판-1-온과 같은 알킬페논계 화합물; 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논과 같은 α-알킬페논계 화합물; 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀 산화물, 및 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀 산화물과 같은 아킬포스핀 산화물계 화합물을 포함한다.
355nm 파장에서의 흡광도는 모든 광반응성 중합 개시제에 대해 다르므로, 혼합될 광반응성 중합 개시제의 양은, 355nm 파장에서의 압력-감지 접착제의 흡광 계수가 50cm-1 내지 900cm-1이 되는 범위에서 적절하게 선택된다. 이러한 양은 베이스 중합체의 100 중량부에 기초하여, 0.5 중량부 내지 20 중량부인 것이 바람직하다. 방사선 경화성 압력-감지 접착제에서, 광반응성 중합 개시제의 양이 0.5 중량부보다 작은 경우, 방사선으로의 조사에 의한 압력-감지 접착제의 경화가 불충분하거나 불균등하게 되어, 압력-감지 접착력의 감소가 제한된다. 또한, 그 양이 20 중량부를 초과하는 경우에, 압력-감지 접착제의 안정성의 감소, 절단될 물질에 대해 증가되는 오염 등의 문제점들이 발생한다. 베이스 중합체의 100 중량부에 기초하여 광반응성 중합 개시제의 0.5 중량부 내지 20 중량부를 사용하여, 355nm 파장에서의 압력-감지 접착층의 흡광 계수를 50cm-1 내지 900cm-1로 조정하기 위하여, 0.01중량%의 아세토니트릴 용액에서 355nm 파장에서의 광반응성 중합 개시제의 흡광도는 0.01 내지 1.20인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트는, 압력-감지 접착층을 형성하기 위하여, 베이스의 표면에 압력-감지 접착 용액을 도포하고 이를 건조시킴으로써(필요하다면, 가열하여 가교를 이룸) 제조될 수 있다. 또한, 필링 라이너(peeling liner) 상에 압력-감지 접착층을 별도로 형성하고 그 후에 베이스에 이러한 층을 부착시키는 방법이 채용될 수 있다. 필요하다면, 압력-감지 접착층의 표면에 세퍼레이터(separator)가 제공될 수 있다.
압력-감지 접착층은 워크피스에 대한 오염 방지의 관점에서, 낮은 분자량 물질의 낮은 함유량을 갖는 것이 바람직하다. 따라서, (메트)아크릴 중합체의 무게 평균 분자량은 300,000 이상인 것이 바람직하고, 400,000 내지 3,000,000인 것이 더욱 바람직하다.
압력-감지 접착층의 두께는, 그 층이 워크피스로부터 벗겨지지 않는 범위에서 적절하게 선택되지만, 보통은 대략 2㎛ 내지 대략 300㎛이며, 바람직하게는 대략 5㎛ 내지 대략 100㎛이고, 더욱 바람직하게는 대략 10㎛ 내지 대략 50㎛이다.
자외선 조사 이후의 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트의 압력-감지 접착력은 바람직하게는 0.05N/20mm 내지 2.0N/20mm이고, 보다 바람직하게는 0.20N/20mm 내지 1.50N/20mm이고, 특히 바람직하게는 대략 0.40N/20mm 내지 대략 1.00N/20mm이다.
세퍼레이터는 레이블 처리(label processing) 또는 압력-감지 접착층의 보호를 위해 선택적으로 제공된다.
세퍼레이터의 조성 재료의 예들은 종이 및 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트와 같은 합성수지의 막을 포함한다. 압력-감지 접착층으로부터 필링 성능을 향상시키기 위해서, 세퍼레이터의 표면은 필요에 따라 실리콘 처리, 롱-체인(long-chain) 알킬 처리, 또는 플루오린 처리와 같은 필링 처리를 받을 수 있다. 또한, 필요하다면, 세퍼레이터는, 압력-감지 접착 시트가 주위의 자외선과 반응하는 것을 방지하기 위하여 자외선 투과를 방지하기 위한 처리 등을 받을 수도 있다. 세퍼레이터의 두께는 보통은 10㎛ 내지 200㎛이고, 바람직하게는 대략 25㎛ 내지 100㎛이다.
레이저 처리를 위한 상술한 압력-감지 접착 시트를 이용한 레이저 광으로의 자외선 절제에 의해 레이저-처리된 물질을 제조하는 프로세스를 이하 설명할 것이다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 롤 라미네이터(roll laminator) 또는 프레스와 같은 알려진 수단에 의해 워크피스(1)에 압력-감지 접착 시트(2)를 부착함으로써 획득되는, 레이저 처리를 위한 워크피스(1) 및 압력-감지 접착 시트(2)의 적층체(3)가 흡광 스테이지(4)의 흡광 플레이트(5) 상에 놓이고, 소정의 레이저 오실레이터로부터 출력된 레이저 광(6)이 렌즈를 통해 워크피스(1) 상에 포커싱 및 작용되고, 레이저 조사 위치는 소정의 처리 라인을 따라 이동됨으로써 절단을 수행한다. 워크피스(1)의 레이저 광-생성 측에 제공되는 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트(2)는 레이저 처리 전에 워크피스(1)를 지지하고 고정하는 역할을 하며, 레이저 처리 후에 절단된 물질의 낙하를 방지하는 역할을 한다. 이와 관련하여, 보호 시트가 워크피스(1)의 레이저 광-진입 측에 제공될 수 있다. 보호 시트는 분해된 물질의 부착을 방지하고, 워크피스(1)의 레이저 처리에 의해 발생된 물질을 워크피스(1)의 표면 상으로 날리는(flying) 데 사용된다.
레이저 광의 이동 수단으로서, 갈바노 스캔 또는 X-Y 스테이지 스캔, 또는 마스크 이미징 처리와 같은 알려진 레이저 처리법이 채용된다.
레이저 처리를 위한 조건은, 워크피스(1)가 그 조건 하에서 완전히 절단되는 한 특별히 제한되지 않는다. 그러나, 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트(2)를 절단하는 것을 피하기 위하여, 에너지 조건을 그 조건 하에서 워크피스(1)가 절단되는 2회의 에너지 조건 내로 조정하는 것이 바람직하다.
또한, 레이저 광의 포커싱 부분의 빔 직경을 포커싱함으로써 절단을 위한 탭(tab)(절단 그루브)이 정밀하게 만들어질 수 있다. 절단 에지의 정밀도를 달성하기 위하여, 이하의 관계식을 충족시키는 것이 바람직하다:
빔 직경(㎛)>2×(레이저 광의 이동속도(㎛/sec)/레이저 광의 반복 주파수(Hz)).
도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼 절단(다이싱)의 경우에, 반도체 웨이퍼(7)이 일 표면은 흡광 스테이지(4) 상에 제공되는 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트(2)에 부착되고, 소정의 레이저 오실레이터로부터 출력된 레이저 광(6)은 렌즈를 통해 반도체 웨이퍼(7) 상에 포커싱 및 작용되고, 레이저 조사 위치는 소정의 처리 라인을 따라 이동됨으로써 절단을 수행한다. 레이저 광의 이동 수단으로서 갈바노 스캔 또는 X-Y 스캔, 또는 마스크 이미징 처리와 같은 알려진 레이저 처리법이 채용된다. 반도체 웨이퍼의 레이저 처리를 위한 조건은, 그 조건 하에서 반도체 웨이퍼(7)가 완전히 절단되고, 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트(2)가 절단되지 않는 한 특별히 제한되지 않는다. 이와 관련하여, 반도체 웨이퍼(7)의 레이저 광-진입 측 상에 보호 시트가 제공될 수 있다.
반도체 웨이퍼의 이러한 다이싱 처리에서, 개별 반도체 칩들은, 웨이퍼를 개별 반도체 칩들(레이저-처리된 물질들)로 절단하고, 다이 본더(die bonder)와 같은 통상적으로 알려진 장치로써 니들(needle)이라 하는 푸쉬-업 핀(push-up pin)을 사용하여 이들을 픽업(picking-up)하는 단계를 포함하는 방법 또는 JP-A-2001-118862호에 개시된 방법과 같은 알려진 방법에 의해 픽업되고 수집될 수 있다.
본 발명에 따른 레이저-처리된 물질들을 제조하는 프로세스에서, 압력-감지 접착 시트 상의 레이저-처리된 물질들은 레이저 처리의 완료 후에 수집된다. 이들을 벗겨내는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 필링 시에 영구적으로 레이저-처리된 물질들을 훼손시키는 응력을 가하지 않는 것이 중요하다. 본 발명의 압력-감지 접착 시트는 작은 압력-감지 접착력을 갖고, 레이저-처리된 물질은 영구적으로 훼손되지 않고 용이하게 벗겨내어질 수 있다. 또한, 방사선 경화성 압력-감지 접착제가 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트(2)의 압력-감지 접착층에 대해 사용되는 경우, 압력-감지 접착층은 압력-감지 접착제의 종류에 따라 방사선 조사에 의해 경화되어, 압력-감지 접착도를 떨어뜨린다. 방사선 조사 때문에, 압력-감지 접착층의 압력-감지 접착도가 경화에 의해 감소될 수 있어 필링을 편리하게 한다. 방사선 조사를 위한 수단은 제한되지 않지만, 그 조사는 예를 들어, 자외선 조사에 의해 수행된다.
또한, 스캐터링(scattering)을 통한 분해된 물질의 제거는 헬륨, 질소 또는 산소와 같은 기체로 레이저-처리된 부분을 블로잉(blowing)함으로써 효율적으로 달성될 수 있다. 보호 시트는 워크피스(1)의 레이저 광-진입 측에 제공될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른, 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트는, 예를 들어 레이저 광으로 자외선 흡광 절제에 의해 보링(boring)함으로써 다양한 형태를 갖는 레이저-처리된 물질의 제조를 위해 또한 사용된다.
실시예들
이하, 실시예를 참조하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이러한 실시예에 제한되지 않는다.
흡광 계수의 측정
파장 355nm에서의 시트형 압력-감지 접착제 및 베이스의 흡광 계수가 이하의 방법에 의해 측정된다. 자외선 가시 스펙트로포토미터(spectrophotometer) UV-2550(Shimadzu Corporation 제조)을 사용하여, 시트형 압력-감지 접착제 또는 베이스가 지그(jig)에 고정되었고, 355nm 파장에서의 투광도 T(%) 및 반사도 R(%)가 측정되고, 그 후 이하의 식에 따라 계산된다.
T'=T/(100-R)
흡광 계수(cm-1)=LN(1/T')/시트형 압력-감지 접착제 또는 베이스의 두께(cm)
흡광제의 흡광도 측정
355nm 파장에서의 흡광제의 흡광도는 이하의 방법에 의해 측정되었다. 측정될 분석물질로서, 스펙트로스코피(Kishida Chemical Co., Ltd. 제조)에 대한 아세토니트릴로 0.01 중량%로 희석된 용액이 사용되었다. 희석된 용액을 함유하는 석영 글래스 셀(광 경로: 1cm)이 자외선 가시 스펙트로포토미터 UV-2550(Schimadzu Corporation 제조) 상에 놓여지고, 355nm 파장에서의 투광도 T(%)가 측정되고, 그 후에 이하의 식에 의해 계산되었다.
흡광도=LOG(100/T)
제1 실시예
아크릴 압력-감지 접착제(1)(두께: 100㎛, 흡광 계수: 6.8cm-1, 비닐 아세테이트 함유량: 10%, 용융질량 유동율: 9g/10min)가 에틸렌-비닐 아세테이트 공중합체로 조성된 베이스에 도포되었고, 건조되어 압력-감지 접착층을 형성함으로써, 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트를 획득한다. 압력-감지 접착층의 두께는 20㎛였고, 355nm 파장에서의 흡광 계수는 102.6cm-1이었다.
이와 관련하여, 아크릴 압력-감지 접착제(1)는 이하의 방법에 의해 조제되었다. 2-에틸헥실 아크릴레이트(2-EHA)의 50 중량부, 메틸 아크릴레이트(MA)의 50 중량부, 및 아크릴산(AA)의 10 중량부가 중합 개시제, 벤조일 페록사이드(BPO)의 0.2 중량부를 사용하여 에틸 아세테이트에서 중합되어 아크릴 중합체 용액을 획득하였다. 아크릴 중합체의 100 중량부, 이소시아네이트 가교제(Coronate L, Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd 제조)의 3.5 중량부, UV 경화성 우레탄 아크릴레이트 저중합체(UV-1700B)의 50 중량부, 및 광반응성 중합 개시제, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온의 5 중량부(아세토니트릴 용액 0.01중량%에서 355nm 파장에서의 흡광도: 0.06)가 톨루엔에 첨가되었고 믹싱으로 균질하게 용해되었다.
앞서 조제된, 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트는 100㎛의 두께를 갖는 실리콘 웨이퍼의 일측에 부착되어 압력-감지 접착 시트에 고정된 실리콘 웨이퍼를 준비한다. 그 후에, 글래스 에폭시 수지로 이루어진 흡광 플레이트가 놓여진 XY 스테이지 상에, 웨이퍼가 배치되어, 워크피스가 꼭대기에 있게 된다. 실리콘 웨이퍼는 355nm 파장, 2.5W의 평균 출력, 1kHz의 반복 주파수를 갖는 YAG 레이저의 제3 고조파(355nm)를 25mm의 직경을 갖는 실리콘 웨이퍼의 표면에 렌즈를 통해 포커싱하고, 갈바노 스캐너로 2.5mm/second의 속도록 레이저 광을 스캐닝하고, 레이저 조사를 3회 반복하여, 획득되는 0.3mm×0.3mm의 칩사이즈로 다이싱함으로써 절단되었다. 이 경우의 칩 프라이율(레이저 다이싱 후의 칩의 소실율)은 0%였다.
제2 실시예
압력-감지 접착 시트로 고정된 실리콘 웨이퍼는, 압력-감지 접착제에 첨가되는 광반응성 중합 개시제의 양이 제1 실시예에서 9 중량부로 변경되었다는 것을 제외하고는 제1 실시예에서와 동일한 방식으로 레이저 처리를 받았다. 압력-감지 접착층의 두께는 20㎛였고, 355nm 파장에서의 흡광 계수는 197.9cm-1이었다. 칩 프라이율은 0%였다.
제3 실시예
압력-감지 접착 시트로 고정된 실리콘 웨이퍼는, 압력-감지 접착제에 첨가되는 광반응성 중합 개시제로서 0.5 중량부의 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1(0.01 중량%의 아세토니트릴 용액에서 355nm 파장에서의 흡광도: 0.81)이 제1 실시예에서 사용되었다는 것을 제외하고는 제1 실시예에서와 동일한 방식으로 레이저 처리를 받았다. 압력-감지 접착층의 두께는 20㎛였고, 355nm 파장에서의 흡광 계수는 245.9cm-1이었다. 칩 프라이율은 0%였다.
제4 실시예
압력-감지 접착 시트로 고정된 실리콘 웨이퍼는, 아크릴 압력-감지 접착제(2)가 제1 실시예에서 사용되었다는 것을 제외하고는 제1 실시예에서와 동일한 방식으로 레이저 처리를 받았다. 압력-감지 접착층의 두께는 20㎛였고, 355nm 파장에서의 흡광 계수는 833.1.9cm-1이었다. 칩 프라이율은 0%였다.
아크릴 압력-감지 접착제(2)는 이하의 방법으로 조제되었다. 70 중량부의 2-메톡시에틸 아크릴레이트(2MEA), 30 중량부의 아크릴로일모르폴린(ACMO), 및 15 중량부의 2-히드록시에틸 아크릴레이트(2HEA)가 0.2 중량부의 중합 개시제, 벤조일 페록사이드(BPO)를 사용하여 에틸 아세테이트에서 중합되어 아크릴 중합체 용액을 획득하였다. 16 중량부의 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트(MOI)가 그 후에 바로 반응하여 그 측쇄에서 탄소-탄소 이중결합을 갖는 아크릴 중합체의 용액을 획득하였다. 100 중량부의 아크릴 중합체, 1 중량부의 이소시아네이트 가교제(Coronate L, Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd 제조), 및 2 중량부의 광반응성 중합 개시제, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1이 톨루엔에 첨가되어 믹싱으로 균질하게 용해되었다.
제5 실시예
압력-감지 접착 시트로 고정된 실리콘 웨이퍼는, 아크릴 압력-감지 접착 제(3)가 제1 실시예에서 사용되었다는 것을 제외하고는 제1 실시예에서와 동일한 방식으로 레이저 처리를 받았다. 압력-감지 접착층의 두께는 20㎛였고, 355nm 파장에서의 흡광 계수는 499cm-1이었다. 칩 프라이율은 0%였다.
아크릴 압력-감지 접착제(3)는 이하의 방법으로 조제되었다. 70 중량부의 2-에틸헥실 아크릴레이트(2EHA), 30 중량부의 아크릴로일모르폴린(ACMO), 및 15 중량부의 2-히드록시에틸 아크릴레이트(2HEA)가 0.2 중량부의 중합 개시제, 벤조일 페록사이드(BPO)를 사용하여 에틸 아세테이트에서 중합되어 아크릴 중합체 용액을 획득하였다. 10 중량부의 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트(MOI)가 그 후에 바로 반응하여 그 측쇄에서 탄소-탄소 이중결합을 갖는 아크릴 중합체의 용액을 획득하였다. 100 중량부의 아크릴 중합체, 1 중량부의 이소시아네이트 가교제(Coronate L, Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd 제조), 및 2 중량부의 광반응성 중합 개시제, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1이 톨루엔에 첨가되어 믹싱으로 균질하게 용해되었다.
제1 비교예
압력-감지 접착 시트로 고정된 실리콘 웨이퍼는, 압력-감지 접착제에 첨가되는 제1 실시예에서 광반응성 중합 개시제로서 3 중량부의 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1이 제1 실시예에서 사용되었다는 것을 제외하고는 제1 실시예에서와 동일한 방식으로 레이저 처리를 받았다. 압력-감지 접착층의 두 께는 20㎛였고, 355nm 파장에서의 흡광 계수는 1006.8cm-1이었다. 칩 프라이율은 78%였다.
제2 비교예
압력-감지 접착 시트로 고정된 실리콘 웨이퍼는, 아크릴 압력-감지 접착제에서 광반응성 중합 개시제로서 0.5 중량부의 1-[4-(2-히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온(0.01 중량%의 아세토니트릴 용액에서 355nm 파장에서의 흡광도: 0.05)이 제1 실시예에서 사용되었다는 것을 제외하고는 제1 실시예에서와 동일한 방식으로 레이저 처리를 받았다. 압력-감지 접착층의 두께는 20㎛였고, 355nm 파장에서의 흡광 계수는 15.4cm-1이었다. 칩 프라이율은 19%였다.
상술한 실시예 및 비교예로부터 명백한 바와 같이, 355nm 파장에서의 압력-감지 접착층의 흡광 계수가 50cm-1 내지 900cm-1의 범위에 들고, 355nm 파장에서의 0.01 중량%의 아세토니트릴 용액에서, 압력-감지 접착층에 함유된 흡광제의 흡광도가 0.01 내지 1.20의 범위 내에 드는 경우, 레이저 광이 워크피스를 절단하고 압력-감지 접착층에 도달한 후에도, 자외선 흡광에 의한 절제 처리는 계속하여 압력-감지 접착층의 상위층 부분에서 하위층 부분으로 진행한다. 따라서, 압력-감지 접착층 및 베이스의 파열 및 횡방향으로의 압력-감지 접착층의 처리는 거의 발생하지 않아, 레이저 다이싱 시의 칩 프라이가 방지될 수 있다. 그 결과, 레이저 파워를 증가시킴으로써 스루풋의 향상이 달성될 수 있다. 또한, 레이저-처리된 물질들이 처리 후에 떨어져 없어지므로, 다루기가 용이하다. 또한, 낮은 접착도가 자외선 경화에 의해 실현되므로, 처리 후의 필링 또한 용이하다.
본 발명은 그 구체적인 실시예를 참조하여 상세하게 설명되었지만, 본 기술분야의 당업자에게 다양한 변화 및 수정이 그 범위를 벗어나지 않고도 그 내에서 이루어질 수 있다는 것이 명백할 것이다.
본 출원은 그 전체 내용이 참조로서 본 명세서에 통합된, 2008년 10월 1일자 출원의 일본 특허 출원 제2008-255896호에 기초한다.
또한, 여기에 인용된 모든 참조는 그 전체로서 통합된다.
도 1은 레이저 광으로 자외선 흡광 제거에 의해 처리된 적층물의 단면을 도시하는 개략도.
도 2는 본 발명에서 반도체 웨이퍼의 다이싱법의 예를 도시하는 개략도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 워크피스
2: 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트
2a: 압력-감지 접착층
2b: 베이스
3: 적층물
4: 흡광 스테이지
5: 흡광 플레이트
6: 레이저 광
7: 반도체 웨이퍼
8: 다이싱 플레임

Claims (12)

  1. 베이스와 베이스의 표면 상에 제공되는 압력-감지 접착층을 포함하는, 레이저 처리를 위한 압력-감지 접착 시트로서,
    상기 압력-감지 접착층은 355nm 파장에서 50cm-1 내지 900cm-1의 흡광 계수를 갖고,
    상기 압력-감지 접착층은 355nm 파장에서 0.01 중량% 아세토니트릴 용액 내에 흡광제의 흡광도(absorbance)가 0.01 내지 1.20인 흡광제를 함유하고,
    자외선 영역의 파장을 갖는 레이저 광 또는 다광자 흡광 프로세스를 통한 흡광을 가능케 하는 레이저 광에 의해 워크피스가 레이저-처리될 때, 상기 압력-감지 접착 시트가 사용되는, 압력-감지 접착 시트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 흡광제는 광반응성 중합 개시제인, 압력-감지 접착 시트.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 광반응성 중합 개시제는 알킬페논계 화합물, α-알킬페논계 화합물 및 알킬포스핀 산화물계 화합물로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 요소인, 압력-감지 접착 시트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 압력-감지 접착층은 아크릴 중합체를 함유하는 압력-감지 접착제를 포함하는, 압력-감지 접착 시트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 압력-감지 접착층은 자외선-경화성 압력-감지 접착제를 포함하는, 압력-감지 접착 시트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 압력-감지 접착층은 그 측쇄에 탄소-탄소 이중결합을 갖는 아크릴 중합체를 함유하는 압력-감지 접착제를 포함하는, 압력-감지 접착 시트.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 베이스는 355nm 파장에서 10cm-1 이하의 흡광 계수를 갖는, 압력-감지 접착 시트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 베이스는 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌으로 이루어지는 층을 갖는, 압 력-감지 접착 시트.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 베이스는 에틸렌을 함유하는 공중합체로 이루어지는 적어도 하나의 층을 갖는, 압력-감지 접착 시트.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 워크피스는 반도체 소자인, 압력-감지 접착 시트.
  11. 레이저 처리 방법으로서,
    제1항에 따른 상기 압력-감지 접착 시트를 워크피스에 부착하는 단계; 및
    상기 압력-감지 접착 시트가 부착된 표면의 반대되는 표면으로부터 그 표면으로 다광자 흡광 프로세스를 통해 흡광을 가능케 하는 레이저 광 또는 자외선 영역의 파장을 갖는 레이저 광으로 상기 워크피스를 순차적으로 조사함으로써, 절제(ablation)에 의해 상기 워크피스를 처리하는 단계
    를 포함하는, 레이저 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 워크피스는 반도체 소자이고, 상기 반도체 소자는 레이저 광으로 조사함으로써 단편들로 분리되어 반도체 칩들을 형성하는, 레이저 처리 방법.
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