KR20230114922A - 반도체 공정용 점착 조성물, 이를 포함하는 반도체 공정용 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법 - Google Patents

반도체 공정용 점착 조성물, 이를 포함하는 반도체 공정용 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 캐리어 디본딩 공정 중에도, 웨이퍼에 대한 부착 신뢰성이 우수한 반도체 공정용 필름을 구현할 수 있는 반도체 공정용 점착 조성물, 이를 포함하는 반도체 공정용 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 공정용 점착 조성물, 이를 포함하는 반도체 공정용 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법{ADHESIVE COMPOSITION FOR USE OF SEMICONDUCTOR PROCESS, FILM FOR USE OF SEMICONDUCTOR PROCESS COMPRISING ADHESIVE COMPOSITION, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE SAME}
본 발명은 반도체 공정용 점착 조성물, 이를 포함하는 반도체 공정용 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 칩의 제조 공정은 웨이퍼에 미세한 패턴을 형성하는 공정 및 최종 장치의 규격에 맞도록 웨이퍼를 연마하여 패키징(packaging)하는 공정을 포함한다.
최근 반도체 패키지 기술이 고성능화 되어 감에 따라 반도체의 집적도가 높아지고, 웨이퍼(wafer)의 두께가 초박형화되고 있기에, 공정 중에 웨이퍼의 원활한 핸들링을 위하여 캐리어를 임시로 웨이퍼에 부착하여 사용하고, 웨이퍼의 핸들링 후에는 캐리어를 박리하는 디본딩 공정을 수행한다.
캐리어의 디본딩 공정은 열처리 방법, 레이저 조사 방법을 이용하고 있다. 특히, 엑시머 레이저(Excimer Laser)를 이용하여 캐리어를 디본딩하는 공정은 선택적인 영역에서 매우 빠른 가공이 가능한 이점이 있다.
다만, 엑시머 레이저의 출력이 높고, 대부분의 반도체 공정용 필름의 기재인 PET 필름, PEN 필름, PO 필름 등은 엑시머 레이저에 의하여 변형 또는 손상되는 문제가 있다. 이에, 캐리어 디본딩 공정 중, 반도체 공정용 필름의 기재가 엑시머 레이저에 의하여 손상을 입고, 이에 의하여 반도체 공정용 필름이 파단되거나, 점착층에서 들뜨는 현상 등이 발생하여, 웨이퍼 부착 신뢰성이 감소되어 웨이퍼 가공 공정에 문제가 발생할 수 있다.
이에, 엑시머 레이저를 이용한 캐리어의 디본딩 공정 중에도, 웨이퍼에 대한 부착 신뢰성이 우수한 반도체 공정용 필름을 개발할 수 있는 기술이 필요한 실정이다.
본 발명은 웨이퍼의 캐리어 디본딩 공정 중에도, 웨이퍼에 대한 부착 신뢰성이 우수한 반도체 공정용 필름을 구현할 수 있는 반도체 공정용 점착 조성물, 이를 포함하는 반도체 공정용 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시상태는, 점착성 바인더 수지; 광개시제; 및 레이저 흡수제;를 포함하고, 상기 레이저 흡수제는 250 nm 내지 350 nm의 파장 중 하나의 파장 값을 가지는 레이저를 흡수하고, 상기 광개시제는 상기 레이저와 다른 파장을 가지는 광에 의하여 활성화되는 반도체 공정용 점착 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명의 일 실시상태는, 기재; 및 상기 반도체 공정용 점착 조성물을 포함하는 점착층;을 포함하는 반도체 공정용 필름을 제공한다.
또한, 본 발명의 일 실시상태는, 웨이퍼 및 상기 웨이퍼의 일면 상에 구비된 캐리어를 포함하는 웨이퍼 적층체를 준비하는 단계; 상기 반도체 공정용 필름의 점착층을 상기 웨이퍼의 타면 상에 부착하는 단계; 레이저를 상기 웨이퍼 적층체에 조사하여, 상기 웨이퍼의 일면 상에서 상기 캐리어를 박리하는 단계; 상기 웨이퍼를 가공하는 단계; 및 상기 점착층에 광을 조사하여 경화시킨 후, 상기 웨이퍼의 타면에서 상기 반도체 공정용 필름을 박리하는 단계;를 포함하는 반도체 패키지 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 공정용 점착 조성물은, 레이저를 효과적으로 흡수하고, 광 조사 후에 효과적으로 점착력이 저하될 수 있는 점착층을 용이하게 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 공정용 필름은, 웨이퍼 캐리어의 디본딩 공정 시에 조사되는 레이저를 효과적으로 흡수하고, 광 조사 후에 효과적으로 점착력이 저하되어 웨이퍼로부터 용이하게 박리될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 패키지 제조 방법은, 웨이퍼의 가공 후에 엑시머 레이저를 이용하여 캐리어를 용이하게 박리할 수 있고, 광 조사를 통해 반도체 공정용 필름을 효과적으로 박리할 수 있어, 반도체 패키지 제조 효율을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본원 명세서 및 첨부된 도면으로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 패키지 제조 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 단위 "중량부"는 각 성분간의 중량의 비율을 의미할 수 있다.
본원 명세서 전체에서, "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 통칭하는 의미로 사용된다.
본원 명세서 전체에서, "제1"및 "제2"와 같이 서수를 포함하는 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용되며, 상기 서수에 의해 한정되지 않는다. 예를 들어, 발명의 권리 범위 내에서 제1 구성요소는 제2 구성요소로도 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 실시상태는, 점착성 바인더 수지; 광개시제; 및 레이저 흡수제;를 포함하고, 상기 레이저 흡수제는 250 nm 내지 350 nm의 파장 중 하나의 파장 값을 가지는 레이저를 흡수하고, 상기 광개시제는 상기 레이저와 다른 파장을 가지는 광에 의하여 활성화되는 반도체 공정용 점착 조성물을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 공정용 점착 조성물은, 레이저를 효과적으로 흡수하고, 광 조사 후에 효과적으로 점착력이 저하될 수 있는 점착층을 용이하게 구현할 수 있다.
구체적으로, 상기 반도체 공정용 조성물은, 후술하는 반도체 패키지의 제조 방법에서, 반도체 캐리어의 디본딩(박리)을 위하여 조사되는 엑시머 레이저를 효과적으로 흡수할 수 있다. 이를 통해, 상기 엑시머 레이저가 후술하는 반도체 공정용 필름의 기재에 도달하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 의해, 상기 반도체 공정용 기재가 엑시머 레이저에 의하여 손상되거나 변형되는 것을 방지하여, 상기 반도체 공정용 필름의 웨이퍼에 대한 부착 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 반도체 공정용 조성물은 상기 레이저와 상이한 파장을 가지는 광이 조사됨에 따라 경화되어 효과적으로 점착력이 감소될 수 있다. 웨이퍼 캐리어의 디본딩 이후, 상기 반도체 공정용 필름에 광을 조사하여, 상기 반도체 공정용 조성물을 포함하는 점착층의 점착력이 효과적으로 감소될 수 있다. 이를 통해, 상기 반도체 공정용 필름은 상기 웨이퍼로부터 효과적으로 디본딩될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 레이저 흡수제가 흡수하는 레이저의 파장 범위는, 250 nm 내지 350 nm, 270 nm 내지 330 nm, 290 nm 내지 310 nm, 또는 300 nm 내지 320 nm일 수 있다. 상기 레이저는 전술한 파장 범위 중에서 하나의 파장 값을 가지는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 레이저 흡수제는 300 nm 내지 320 nm의 파장 중 하나의 파장 값을 가지는 엑시머 레이저를 흡수할 수 있다. 구체적으로, 상기 레이저 흡수제는 엑시머 레이저를 흡수할 수 있으며, 상기 레이저 흡수제가 흡수하는 엑시머 레이저의 파장 범위는, 305 nm 내지 315 nm, 300 nm 내지 320 nm, 또는 310 nm 내지 320 nm일 수 있다. 전술한 파장 범위를 가지는 엑시머 레이저는 후술하는 반도체 패키지의 제조 방법에서, 웨이퍼로부터 캐리어의 디본딩 공정을 효과적으로 수행할 수 있다. 이에 따라, 상기 반도체 공정용 점착 조성물에 포함된 상기 레이저 흡수제는 전술한 파장 범위를 가지는 엑시머 레이저를 효과적으로 흡수할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 레이저 흡수제는, 트리아진계 화합물 및 시아노아크릴레이트계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 즉, 상기 레이저 흡수제는 트리아진계 화합물을 함유하는 레이저 흡수제 및 시아노아크릴레이트계 화합물을 함유하는 레이저 흡수제 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 전술한 화합물을 포함하는 상기 레이저 흡수제는, 전술한 파장 범위를 가지는 엑시머 레이저를 효과적으로 흡수할 수 있다. 또한, 상기 레이저 흡수제를 포함하는 상기 반도체 공정용 점착 조성물은, 고온(예를 들어, 240 ℃)에서 열처리 시에도 광투과율이 크게 변화되지 않아, 반도체 패키지 제조 공정에 적용하는 것이 용이할 수 있다.
한편, 벤조에이트(benzoate)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 또는 옥사닐라이드(Oxanilide)계 화합물을 포함하는 레이저 흡수제를 사용하는 경우, 상기 엑시머 레이저를 효과적으로 흡수하기 어려울 수 있고, 고온에서 열처리 시에 광투과율이 크게 변화되어 반도체 패키지 제조 공정에 적용하는 것이 어려울 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 레이저 흡수제에 포함되는 상기 트리아진계 화합물은, 2-(4,6-디페닐―1,3,5-트리아진-2-일)-5-[2-(2-에틸헥사노일옥시)에톡시]-페놀(ADK STAB LA46, ADEKA 제조), 2-히드록시페닐-s-트리아진 유도체(Tinuvin 1600, BASF 제조), 2,4-비스-[{4-(4-에틸 헥실옥시)-4-히드록시}-페닐]-6-(4-메톡시페닐)-1,3,5-트리아진(Tinosorb S, BASF 제조), 2,4-비스[2-히드록시-4-부톡시페닐]-6-(2,4-디부톡시페닐)-1,3,5-트리아진(TINUVIN 460, BASF 제조), 2-(4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진-2-일)-5-히드록시페닐과 [(C10-C16(주로 C12-C13)알킬옥시)메틸]옥시란의 반응 생성물(TINUVIN 400, BASF 제조), 2-[4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진-2-일]-5-[3-(도데실옥시)-2-히드록시프로폭시]페놀, 2-(2,4-디히드록시페닐)-4,6-비스-(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진과 (2-에틸헥실)-글리시드산에스테르의 반응 생성물(TINUVIN 405, BASF 제조), 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-[(헥실)옥시]-페놀(TINUVIN 1577, BASF 제조), 및 2-(2-히드록시-4-[1-옥틸옥시카르보닐에톡시]페닐)-4,6-비스(4-페닐페닐)-1,3,5-트리아진(TINUVIN 479, BASF사 제조) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 레이저 흡수제에 포함되는 상기 시아노아크릴레이트계 화합물은, 1,3-비스-((2'-시아노-3',3'-디페닐아크릴오일)옥시)2,2-비스-(((2'-시아노-3',3'-디페닐아크릴오일)옥시)메틸)-프로판(Uvinul 3030, BASF 제조), 알킬-2-시아노아크릴레이트, 시클로알킬-2-시아노아크릴레이트, 알콕시알킬-2-시아노아크릴레이트, 알케닐-2-시아노아크릴레이트, 및 알키닐-2-시아노아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 레이저 흡수제의 함량은 0.5 중량부 이상 3 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 레이저 흡수제의 함량은 0.7 중량부 이상 2.7 중량부 이하, 0.9 중량부 이상 2.3 중량부 이하, 1 중량부 이상 2 중량부 이하, 0.5 중량부 이상 1.5 중량부 이하, 또는 1 중량부 이상 2.5 중량부 이하일 수 있다. 상기 반도체 공정용 점착 조성물에 포함된 상기 레이저 흡수제의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 엑시머 레이저를 효과적으로 흡수할 수 있고, 고온 열처리 시에도 광투과율이 크게 변화되지 않아, 반도체 패키지 제조 공정에 적용하는 것이 용이할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 광개시제를 포함할 수 있다. 상기 광개시제로서 당업계에서 사용되는 광개시제를 제한 없이 채택하여 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 광개시제는 벤조페논계 광개시제, 아세토페논계 광개시제, 케탈계 광개시제, 및 티옥산톤계 광개시제 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 광개시제로 Irgacure#819(IGM Resins 社), Omnirad 907(IGM Resins 社), HP-8(미원스페셜티 社), Irgacure#651(BASF 社), Irgacure#184(BASF 社), Irgacure#1173(BASF 社) 및 CP-4(Irgacure#184) 중 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 상기 광개시제의 종류를 한정하는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 광개시제의 함량은 1 중량부 이상 5 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 광개시제의 함량은 1.3 중량부 이상 4.5 중량부 이하, 1.5 중량부 이상 4 중량부 이하, 1.7 중량부 이상 3.5 중량부 이하, 2 중량부 이상 3 중량부 이하, 1 중량부 이상 3 중량부 이하, 또는 2 중량부 이상 4 중량부 이하일 수 있다. 상기 반도체 공정용 점착 조성물에 포함된 상기 광개시제의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 레이저 흡수제가 엑시머 레이저를 흡수하는 것을 방해하지 않으면서, 광경화 시에 점착력이 효과적으로 감소될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 광개시제와 상기 레이저 흡수제의 중량비는 1:0.3 내지 1:1.5일 수 있다. 구체적으로, 상기 광개시제와 상기 레이저 흡수제의 중량비는 1:0.5 내지 1:1.5, 1:0.5 내지 1:1.3, 1:0.5 내지 1:1, 또는 1:0.3 내지 1:1일 수 있다. 상기 반도체 공정용 점착 조성물에 포함된 상기 광개시제와 상기 레이저 흡수제의 중량비가 전술한 범위 내인 경우, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 엑시머 레이저를 효과적으로 흡수함과 동시에, 광경화 후에 점착력이 효과적으로 감소될 수 있다. 또한, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은, 고온에서 열처리 시에도 광투과율이 크게 변화되지 않아, 반도체 패키지 제조 공정에 적용하는 것이 용이할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착성 바인더 수지는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체; 및 극성기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체;를 포함하는 단량체 혼합물의 중합체와 (메트)아크릴로일기 함유 이소시아네이트계 화합물의 반응 생성물인 (메트)아크릴계 공중합체를 포함할 수 있다.
상기 점착성 바인더 수지가 상기 (메트)아크릴계 공중합체를 포함함으로써, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 광경화 전에 우수한 점착 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체는, 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, n-프로필 (메트)아크릴레이트, 이소프로필 (메트)아크릴레이트, n-부틸 (메트)아크릴레이트, 이소부틸 (메트)아크릴레이트, n-펜틸 (메트)아크릴레이트, 이소펜틸 (메트)아크릴레이트, n-헥실 (메트)아크릴레이트, 이소헥실 (메트)아크릴레이트, n-헵틸 (메트)아크릴레이트, 이소헵틸 (메트)아크릴레이트, n-옥틸 (메트)아크릴레이트, 이소옥틸 (메트)아크릴레이트, 에틸헥실 (메트)아크릴레이트, n-노닐 (메트)아크릴레이트, 이소노닐 (메트)아크릴레이트, n-데실 (메트)아크릴레이트, 및 이소데실 (메트)아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 (메트)아크릴레이트계 단량체로서 전술한 범위의 탄소수를 가지는 알킬기를 함유하는 (메트)아크릴레이트 화합물을 사용하는 경우, 상기 점착층의 물성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 단량체 혼합물 100 중량부 기준으로, 상기 알킬기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체의 함량은 60 중량부 이상 85 중량부 이하, 65 중량부 이상 82.5 중량부 이하, 70 중량부 이상 80 중량부 이하, 또는 72.5 중량부 이상 78 중량부 이하일 수 있다. 상기 알킬기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 점착력이 우수할 수 있으며, 상기 반도체 공정용 기재에서 요구되는 물성을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 극성기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체는 극성기로서 히드록시기를 포함할 수 있다. 상기 극성기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체는, 2-히드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메트)아크릴레이트, 6-히드록시헥실 (메트)아크릴레이트, 8-히드록시옥틸 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트, 및 2-히드록시프로필렌글리콜 (메트)아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 히드록시기를 함유하는 (메트)아크릴레이트계 단량체를 사용함으로써, 상기 (메트)아크릴계 공중합체의 유리전이온도 및 중량평균분자량을 조절하여 상기 반도체 공정용 기재에서 요구되는 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 단량체 혼합물 100 중량부에 대하여, 상기 극성기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체의 함량은 15 중량부 이상 40 중량부 이하, 17.5 중량부 이상 35 중량부 이하, 20 중량부 이상 30 중량부 이하, 또는 20 중량부 이상 25 중량부 이하일 수 있다. 상기 극성기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 점착력이 우수할 수 있으며, 상기 (메트)아크릴계 공중합체의 유리전이온도 및 중량평균분자량이 적절한 범위로 조절되어 상기 반도체 공정용 기재에서 요구되는 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메트)아크릴계 공중합체는, 상기 단량체 혼합물의 중합체와 (메트)아크릴로일기 함유 이소시아네이트계 화합물의 반응 생성물일 수 있다. 구체적으로, 상기 (메트)아크릴계 공중합체는 상기 중합체와 상기 (메트)아크릴로일기 함유 이소시아네이트계 화합물의 부가 반응을 통해 형성될 수 있다. 이때, 상기 부가 반응은 부가 중합 반응(addition polymerization reaction)을 의미할 수 있고, 상기 부가 반응에 의하여 상기 중합체의 말단에 존재하는 히드록시기와 상기 (메트)아크릴로일기 함유 이소시아네이트계 화합물의 이소시아네이트기가 반응하여, 상기 (메트)아크릴계 공중합체의 측쇄에 우레탄 결합이 형성될 수 있다. 상기 (메트)아크릴계 공중합체의 측쇄에 우레탄 결합이 형성됨에 따라, 상기 반도체 공정용 점착 조성물을 포함하는 점착층의 전단 강도 등의 기계적 물성을 향상시킬 수 있고, 상기 반도체 공정용 기재에서 요구되는 물성을 구현할 수 있다.
또한, 상기 (메트)아크릴계 공중합체는 상기 (메트)아크릴로일기 함유 이소시아네이트계 화합물이 도입됨으로써, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 엑시머 레이저를 흡수하는 물성과 광경화 후에 점착력이 저하되는 물성을 보다 용이하게 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메트)아크릴로일기 함유 이소시아네이트계 화합물은, 메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트(Methacryloyloxyethyl isocyanate, MOI) 및 아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트(acryloyloxyethyl isocyanate, AOI) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메트)아크릴로일기 함유 이소시아네이트계 화합물의 함량은, 상기 극성기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 100 mol%에 대하여, 65 mol% 이상 90 mol% 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 중합체의 제조 시에 사용된 극성기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 100 mol%에 대하여, 65 mol% 이상 90 mol% 이하, 70 mol% 이상 90 mol% 이하, 75 mol% 이상 90 mol% 이하, 80 mol% 이상 90 mol% 이하, 또는 85 mol% 이상 90 mol% 이하일 수 있다. 상기 (메트)아크릴로일기 함유 이소시아네이트계 화합물의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 반도체 공정용 조성물은 기계적 물성이 향상될 수 있고, 상기 반도체 공정용 기재에서 요구되는 물성을 구현할 수 있다. 또한, 상기 (메트)아크릴로일기 함유 이소시아네이트계 화합물의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 엑시머 레이저를 흡수하는 물성과 광경화 후에 점착력이 저하되는 물성을 보다 용이하게 구현할 수 있고, 고온(예를 들어, 240 ℃)에서 열처리 시에도 광투과율이 크게 변화되지 않아 반도체 패키지 제조 공정에 적용하는 것이 용이할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 경화제를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 경화제는 열경화제일 수 있으며, 열경화제로서 당업계서 사용되는 것을 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 경화제로서 이소시아테이트계 경화제를 사용할 수 있으나, 상기 경화제의 종류를 한정하는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 경화제의 함량은 0.5 중량부 이상 1.5 중량부 이하일 수 있다. 상기 경화제의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 100 ℃ 이상 150 ℃ 이하의 온도에서 열처리 시에, 효과적으로 점착층을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 310 nm의 파장 값을 가지는 광에 대한 광투과도가 10% 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 310 nm의 파장 값을 가지는 광에 대한 광투과도가 9% 이하, 8% 이하, 7% 이하, 6% 이하, 4% 이하, 3% 이하, 2% 이하, 1% 이하, 0.5 % 이하, 또는 0.3% 이하일 수 있다. 또한, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 310 nm의 파장 값을 가지는 광에 대한 광투과도가 0.1% 이상, 0.3% 이상, 0.5% 이상, 1% 이상, 2% 이상, 또는 3% 이상일 수 있다. 310 nm의 파장 값을 가지는 광에 대한 광투과도가 전술한 범위를 만족하는 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 엑시머 레이저를 효과적으로 흡수할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 하기 수학식 1을 만족할 수 있다.
[수학식 1]
0 ≤ (T2-T1)/T1 ≤ 0.4
상기 수학식 1에서, T1은 반도체 공정용 점착 조성물의 310 nm의 파장 값을 가지는 광에 대한 초기 광투과도(%)이고, T2는 반도체 공정용 점착 조성물을 240 ℃에서 10 분 동안 열처리한 후, 310 nm의 파장 값을 가지는 광에 대한 광투과도(%)이다. 구체적으로, 상기 수학식 1의 (T2-T1)/T1 값은, 0 이상 0.35 이하, 0 이상 0.3 이하, 0 이상 0.25 이하, 0 이상 0.2 이하, 0 이상 0.15 이하, 또는 0 이상 0.1 이하일 수 있다. 상기 수학식 1을 만족하는 상기 반도체 공정용 조성물은, 엑시머 레이저를 효과적으로 흡수할 수 있고, 고온(예를 들어, 240 ℃)에서 열처리 시에도 광투과율이 크게 변화되지 않아 반도체 패키지 제조 공정에 적용하는 것이 용이할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 광경화시에 경화도가 50% 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 광경화시에 경화도가 60% 이상, 또는 70% 이상일 수 있고, 90% 이하, 또는 80% 이하일 수 있다. 광경화 후에 경화도가 전술한 범위를 만족하는 상기 반도체 공정용 점착 조성물은, 광이 조사됨에 따라 효과적으로 경화되어 점착성이 보다 용이하게 저하될 수 있다. 상기 반도체 점착 조성물의 광경화후의 경화도는, 후술하는 바와 같이 FT-IR을 이용하여, 광 조사 전과 광 조사 후의 C=C(탄소 간 이중 결합) 피크 면적을 통해 계산할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 광경화 후에 점착력이 30 gf/in 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 반도체 공정용 점착 조성물의 광경화물을 포함하는 점착층의 웨이퍼에 대한 점착력은 30 gf/in 이하, 20 gf/in 이하, 10 gf/in 이하, 7.5 gf/in 이하, 5 gf/in 이하, 또는 3.5 gf/in 이하일 수 있다. 또한, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 광경화 후에 점착력이 2 gf/in 이상, 2.5 gf/in 이상, 3 gf/in 이상, 또는 4 gf/in 이상일 수 있다. 광경화 후에 점착력이 전술한 범위를 만족하는 상기 반도체 공정용 점착 조성물은, 후술하는 반도체 패키지 제조 방법에서 사용되는 반도체 공정용 필름이 요구되는 물성을 용이하게 구현할 수 있다.
상기 반도체 공정용 점착 조성물의 광 경화후의 점착력을 측정하기 위하여, 반도체 공정용 점착 조성물에 대하여 200 nm 내지 400 nm의 파장 범위를 가지는 UV를 2,000 mJ 내지 4,000 mJ의 조건으로 조사할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 공정용 점착 조성물은 하기 수학식 2를 만족할 수 있다.
[수학식 2]
0.5 ≤ (A1-A2)/A1 ≤ 0.99
상기 수학식 2에서, A1은 반도체 공정용 점착 조성물의 초기 점착력(gf/in)이고, A2는 반도체 공정용 점착 조성물의 광경화 후의 점착력(gf/in)이다. 구체적으로, 상기 수학식 2의 (A1-A2)/A1 값은, 0.5 이상 0.99 이하, 0.6 이상 0.99 이하, 0.7 이상 0.99 이하, 0.8 이상 0.99 이하, 0.9 이상 0.99 이하, 또는 0.95 이상 0.99 이하일 수 있다. 상기 수학식 2를 만족하는 상기 반도체 공정용 조성물은, 광경화 전 대비하여 광경화 후에 점착력이 효과적으로 저하되어, 후술하는 반도체 패키지 제조 방법에서 사용되는 반도체 공정용 필름이 요구되는 물성을 용이하게 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태는, 기재; 및 상기 반도체 공정용 점착 조성물을 포함하는 점착층;을 포함하는 반도체 공정용 필름을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 공정용 필름은, 웨이퍼 캐리어의 디본딩 공정 시에 조사되는 레이저를 효과적으로 흡수하고, 광 조사 후에 효과적으로 점착력이 저하되어 웨이퍼로부터 용이하게 박리될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착층은 전술한 실시상태에 따른 반도체 공정용 점착 조성물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 점착층은 상기 반도체 공정용 점착 조성물의 열경화물(또는 건조물)을 포함할 수 있다. 즉, 액상의 반도체 공정용 점착 조성물을 상기 기재 상에 도포한 후, 100 ℃ 이상 150 ℃ 이하의 온도에서 3분 내지 10분 동안 열처리하여, 필름 형태의 점착층을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착층의 두께는 25 ㎛ 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 점착층의 두께는 25 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 27 ㎛ 이상 48 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이상 42 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하, 또는 25 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 점착층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 상기 반도체 공정용 필름은 반도체 웨이퍼에 안정적으로 점착될 수 있으며, 웨이퍼의 가공 공정 중에 우수한 부착 신뢰성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리올레핀 필름, PEN((polyethylenemaphthatlate) 필름, 에틸렌-비닐 아세테이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름 또는 폴리에틸렌 필름일 수 있으나, 상기 기재의 종류를 한정하는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재의 두께는 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 기재의 두께는 20 ㎛ 이상 80 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이상 60 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하, 15 ㎛ 이상 65 ㎛ 이하, 25 ㎛ 이상 62.5 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이상 57 ㎛ 이하, 35 ㎛ 이상 55 ㎛ 이하, 45 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하, 42.5 ㎛ 이상 75 ㎛ 이하, 45 ㎛ 이상 72.5 ㎛ 이하, 또는 50 ㎛ 이상 65 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 기재의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 기계적 물성이 우수한 상기 반도체 공정용 필름을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태는, 웨이퍼 및 상기 웨이퍼의 일면 상에 구비된 캐리어를 포함하는 웨이퍼 적층체를 준비하는 단계; 상기 반도체 공정용 필름의 점착층을 상기 웨이퍼의 타면 상에 부착하는 단계; 레이저를 상기 웨이퍼 적층체에 조사하여, 상기 웨이퍼의 일면 상에서 상기 캐리어를 박리하는 단계; 상기 웨이퍼를 가공하는 단계; 및 상기 점착층에 광을 조사하여 경화시킨 후, 상기 웨이퍼의 타면에서 상기 반도체 공정용 필름을 박리하는 단계;를 포함하는 반도체 패키지 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 패키지 제조 방법은, 웨이퍼의 가공 후에 엑시머 레이저를 이용하여 캐리어를 용이하게 박리할 수 있고, 광 조사를 통해 반도체 공정용 필름을 효과적으로 박리할 수 있어, 반도체 패키지 제조 효율을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 웨이퍼는 선가공되지 않은 실리콘 웨이퍼 자체이거나 또는 선가공된 웨이퍼일 수 있다. 예를 들어, 상기 선가공된 웨이퍼는, 웨이퍼 표면에 기능성 코팅이 구비되거나, 배선, 범프(bump) 등이 형성되어 있는 디바이스 웨이퍼(device wafer)일 수 있다. 다만, 상기 웨이퍼의 종류를 한정하는 것은 아니고, 당업계에서 이용되는 웨이퍼를 제한 없이 적용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 패키지 제조 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1의 (a)를 참고하면, 웨이퍼(W)의 일면 상에 캐리어(10)를 구비시켜, 웨이퍼 적층체를 준비할 수 있다. 이때, 상기 캐리어는 웨이퍼 캐리어일 수 있으며, 당업계에서 웨이퍼 캐리어로 사용되는 것을 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 캐리어로서 유리, 실리콘, 실리콘 나이트라이드, 또는 석영 등을 사용할 수 있다.
도 1의 (b)를 참고하면, 전술한 실시상태에 따른 반도체 공정용 필름의 점착층(22)이 웨이퍼(W)의 타면 상에 부착되도록 라미네이션할 수 있다. 이후, 캐리어(10)로부터 반도체 공정용 필름의 기재(21)를 향하는 방향으로, 레이저(L)를 조사할 수 있다. 이때, 상기 레이저는 전술한 엑시머 레이저일 수 있다. 한편, 전술한 바와 같이, 상기 반도체 공정용 점착 조성물을 포함하는 점착층은, 레이저 흡수제를 포함함에 따라 상기 레이저를 흡수하여, 상기 레이저가 상기 기재에 도달하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이를 통해, 상기 캐리어의 디본딩(박리) 공정에서 상기 기재가 변형되거나 손상되는 것을 효과적으로 억제하여, 상기 반도체 공정용 필름의 웨이퍼에 대한 우수한 부착 신뢰성을 효과적으로 유지시킬 수 있다.
도 1의 (c)를 참고하면, 레이저(L)를 조사한 후, 웨이퍼(W)의 일면 상에서 캐리어(10)를 박리(디본딩)시킬 수 있다. 이후, 당업계에서 일반적으로 사용되는 방법을 통해, 반도체 웨이퍼를 가공할 수 있다. 반도체 웨이퍼의 가공이 완료된 후, 상기 기재에서 상기 웨이퍼를 향하는 방향으로, 광을 조사할 수 있다. 이때, 상기 광은 200 nm 내지 400 nm의 파장 범위를 가지는 자외선(UV)로서 2,000 mJ 내지 4,000 mJ의 조건으로 조사될 수 있다. 상기 광이 조사됨에 따라, 상기 점착층은 광경화되어 점착력이 대폭 감소될 수 있다.
도 1의 (d)를 참고하면, 점착력이 감소된 점착층(22)을 웨이퍼(W)의 타면으로부터 박리(디본딩)하여, 가공이 완료된 반도체 웨이퍼를 수득할 수 있다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다.
실시예 1
점착성 바인더 수지의 제조
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 2-에틸헥실 아크릴레이트(2-EHA) 76.35 g, 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 23.65 g로 이루어진 단량체들의 혼합물을 투입하였다. 이어서, 상기 단량체 혼합물 100 g을 기준으로 용제인 에틸아세테이트(EAc) 200 g을 투입하고, 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30 ℃에서 30 분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도를 65 ℃로 상승 유지하고, 반응개시제인 V-60(Azobisisbutylonitrile) 0.1 g을 분할 투입하고 반응을 개시시킨 후 6시간 중합하여 1차 반응물(중합체)을 제조하였다.
상기 1차 반응물에 2-메타크로일옥시에틸이소시아네이트(MOI) 26.88 g(1차 반응물 내의 HEA에 대하여 85몰%) 및 촉매(DBTDL: dibutyl tin dilaurate)를 0.27 g을 배합하고, 40 ℃에서 24 시간 동안 반응시켜 1차 반응물 내의 중합체 측쇄에 자외선 경화기를 도입하여 광중합성 측쇄를 가지는 (메트)아크릴레이트계 공중합체(점착성 바인더 수지)를 제조하였다. 이때, 제조된 (메트)아크릴레이트계 공중합체(점착성 바인더 수지)의 중량평균분자량은 약 700,000 g/mol이었다.
반도체 공정용 점착 조성물의 제조
광개시제로서 Irgacure 819(IGM Resins 社)를 준비하고, 레이저 흡수제로서 트리아진계 화합물인 2-(4,6-디페닐―1,3,5-트리아진-2-일)-5-[2-(2-에틸헥사노일옥시)에톡시]-페놀(LA46, ADEKA 제조)을 준비하고, 경화제로서 이소시아네이트계 경화제인 AK-75를 준비하였다.
이후, 상기에서 제조된 (메트)아크릴레이트계 공중합체 100 중량부에 대하여, 광개시제 2 중량부, 레이저 흡수제 1 중량부, 경화제 0.95 중량부를 혼합하여, 반도체 공정용 점착 조성물을 제조하였다.
반도체 공정용 필름의 제조
상기에서 제조된 반도체 공정용 점착 조성물이 코팅에 적당한 점도(약 1,000 cp)가 되도록 용제인 메틸에틸케톤(MEK)로 희석하고, 교반기를 이용하여 15 분 동안 혼합하였다. 상온에서 반도체 공정용 점착 조성물을 방치하여 혼합 중에 발생한 기포를 제거하고, 어플리케이터를 이용하여 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38 ㎛) 상에 도포한 후, 마티스 오븐(mathis oven)을 이용하여 110 ℃에서 4 분간 건조하여 약 30 ㎛ 두께의 점착층을 형성하였다. 이후, 기재로서 일면 상에 코로나 처리가 된 두께 50 ㎛인 PEN 필름(Q65H, Toyob 社)의 코로나 처리면에 점착층을 라미네이션하고, 40 ℃에서 3일간 숙성하여 반도체 공정용 필름을 제조하였다.
실시예 2
상기 실시예 1에서 제조된 (메트)아크릴레이트계 공중합체(점착성 바인더 수지)를 준비하였다. 이후, 레이저 흡수제로서 트리아진계 화합물인 Tinuvin 1600(BASF 제조)을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 공정용 점착 조성물 및 반도체 공정용 필름을 제조하였다.
실시예 3
상기 실시예 1에서 제조된 (메트)아크릴레이트계 공중합체(점착성 바인더 수지)를 준비하였다. 이후, 레이저 흡수제로서 시아노아크릴레이트계 화합물인 Uvinul 3030(BASF 제조)을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 공정용 점착 조성물 및 반도체 공정용 필름을 제조하였다.
실시예 4
상기 실시예 3에서, 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여 레이저 흡수제의 함량을 2 중량부로 조절한 것을 제외하고, 상기 실시예 3과 동일한 방법으로 반도체 공정용 점착 조성물 및 반도체 공정용 필름을 제조하였다.
실시예 5
상기 실시예 3에서, 광개시제로서 Omnirad 907(IGM Resins 社)를 사용하고, 기재로서 두께 50 ㎛인 PET 필름(TOR50, SKC 社)을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 3과 동일한 방법으로 반도체 공정용 점착 조성물 및 반도체 공정용 필름을 제조하였다.
반도체 공정용 점착 조성물 기재
광개시제 레이저 흡수제
종류 함량(중량부) 종류 함량(중량부)
실시예 1 A1 2 B1 1 C1
실시예 2 A1 2 B2 1 C1
실시예 3 A1 2 B3 1 C1
실시예 4 A1 2 B3 2 C1
실시예 5 A2 2 B3 1 C2
상기 표 1에서, A1은 Irgacure 819, A2는 Omnirad 907을 나타내고, B1은 LA46, B2는 Tinuvin 1600, B3은 Uvinul 3030을 나타내고, C1은 PEN 필름, C2는 PET 필름을 나타내다. 또한, 상기 표 1에서, 광개시제와 레이저 흡수제의 함량은 (메트)아크릴레이트계 공중합체(점착성 바인더 수지) 100 중량부에 대한 것(중량부)이다.
비교예 1
상기 실시예 1에서 반도체 공정용 점착 조성물의 제조 시에 레이저 흡수제를 사용하지 않을 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 공정용 점착 조성물 및 반도체 공정용 필름을 제조하였다.
비교예 2
레이저 흡수제로서 벤조에이트(benzoate)계 화합물인 SONGSORB UV-1(송원산업 社)를 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 공정용 점착 조성물 및 반도체 공정용 필름을 제조하였다.
비교예 3
레이저 흡수제로서 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물인 SONGSORB CS 928(송원산업 社)를 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 공정용 점착 조성물 및 반도체 공정용 필름을 제조하였다.
비교예 4
레이저 흡수제로서 옥사닐라이드(Oxanilide)계 화합물인 SONGSORB CS 312(송원산업 社)를 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 공정용 점착 조성물 및 반도체 공정용 필름을 제조하였다.
반도체 공정용 점착 조성물 기재
광개시제 레이저 흡수제
종류 함량(중량부) 종류 함량(중량부)
비교예 1 A1 2 - C1
비교예 2 A1 2 B4 1 C1
비교예 3 A1 2 B5 1 C1
비교예 4 A1 2 B6 2 C1
상기 표 2에서, A1은 Irgacure 819을 나타내고, B4은 SONGSORB UV-1, B5는 SONGSORB CS 928, B6은 Uvinul 3030, B6은 SONGSORB CS 312을 나타내고, C1은 PEN 필름을 나타내다. 또한, 상기 표 2에서, 광개시제와 레이저 흡수제의 함량은 (메트)아크릴레이트계 공중합체(점착성 바인더 수지) 100 중량부에 대한 것(중량부)이다.
상기 실시예 1에서 반도체 공정용 점착 조성물의 제조 시에 레이저 흡수제를 사용하지 않을 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 공정용 점착 조성물 및 반도체 공정용 필름을 제조하였다.
실험예
광투과도 측정
상기 실시예 1 내지 실시예 5, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 점착층 자체에 대한 광투과도를 하기와 같이 측정하였다.
실시예 1에서 제조된 반도체 공정용 점착 조성물을 이용하여 제조된 점착층을 단독으로 LCD Bare glass(0.5 mm 두께)에 합지하여, 50 mm X 50 mm 크기의 샘플을 제작하였다. 이후, Shimadzu-UV2500을 이용하여, 200 nm 내지 800 nm 파장대에서의 광투과도를 측정한 뒤, 310 nm에서의 광투과도 수치를 확인하였다.
한편, 상기 제조된 샘플을 오븐에 넣고 240 ℃에서 10 분 동안 보관한 후, Shimadzu-UV2500을 이용하여, 200 nm 내지 800 nm 파장대에서의 광투과도를 측정한 뒤, 310 nm에서의 광투과도 수치를 확인하였다.
또한, 실시예 2 내지 실시예 5, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 점착층에 대해서도 동일한 방법으로 광투과도를 측정하였다.
열처리 전의 광투과도와 열처리 후의 광투과도, 상기 수학식 1을 통해 계산된 광투과도의 변화율을 하기 표 3에 나타내었다.
경화도 측정
상기 실시예 1 내지 실시예 5, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 점착층에 대한 경화도를 하기와 같이 측정하였다.
실시예 1에서 제조된 반도체 공정용 점착 조성물을 이용하여 제조된 점착층이 구비된 반도체 공정용 필름을 준비하였다. 이후, 반도체 공정용 필름의 기재에서 점착층을 향하는 방향으로 3,000 mJ의 UV(약 350 nm 내지 400 nm)를 조사한 뒤, IR의 피크 변화를 계산하는 방식으로 경화도를 측정하였다.
구체적으로. FT-IR ATR 모드로 측정하였으며, UV 조사 전과 UV 조사 후의 814 nm의 C=C 피크 면적을 확인하였고, 하기 수학식 3을 통해 경화도(%)를 계산하였다.
[수학식 3]
경화도(%) = (1 - ((UV 조사 후 814 nm의 C=C 피크 면적)/(UV 조사 전 814 nm의 C=C 피크 면적))) X 100
또한, 실시예 2 내지 실시예 5, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 점착층에 대해서도 동일한 방법으로 경화도를 측정하였고, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
점착력 측정
상기 실시예 1 내지 실시예 5, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 점착층의 웨이퍼에 대한 점착력을 하기와 같이 측정하였다.
실시예 1에서 제조된 반도체 공정용 점착 조성물을 이용하여 제조된 점착층이 구비된 반도체 공정용 필름을 준비하였다. 이후, 반도체 공정용 필름을 1 inch X 25 cm의 크기로 자른 후, 점착층을 웨이퍼에 합지하고 상온에서 1 일 동안 방치하였다. 이후, TA(texture analyze)를 이용하여, 속도 0.3 mpm, 박리각도 180o로 반도체 공정용 필름을 웨이퍼에서 박리하여 박리력(점착력)을 측정하였다.
한편, 상기에서 준비된 별도의 샘플에 대하여, 반도체 공정용 필름의 기재에서 점착층을 향하는 방향으로 3,000 mJ의 UV(약 350 nm 내지 400 nm)를 조사하였다. 이후, 상기와 동일한 방법으로 박리력(점착력)을 측정하였다.
또한, 실시예 2 내지 실시예 5, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 점착층에 대해서도 동일한 방법으로 박리력(점착력)을 측정하였다.
UV 조사 전의 박리력(점착력), UV 조사 후의 박리력(점착력), 상기 수학식 2를 통해 계산된 박리력(점착력)의 변화율을 하기 표 3에 나타내었다.
외관 평가
상기 실시예 1 내지 실시예 5, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 반도체 공정용 필름에 대하여, 엑시머 레이저를 조사한 후에 외관 평가를 진행하였다.
실시예 1에서 제조된 반도체 공정용 점착 조성물을 이용하여 제조된 점착층이 구비된 반도체 공정용 필름을 준비하였다. 이후, 반도체 공정용 필름의 점착층에서 기재를 향하는 방향으로 308 nm 파장값을 가지는 엑시머 레이저를 조사하였다. 이후, 반도체 공정용 필름의 기재와 점착층의 계면에 기포, 흄 발생, 들뜸 등이 있으면 "X"로 평가하고, 없으면 "O"로 평가하였다.
또한, 실시예 2 내지 실시예 5, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 반도체 공정용 필름에 대해서도 외관 평가를 진행하였고, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
310 nm에서의 광투과도 (%) 경화도
(%)		 점착력 외관
평가
초기 240℃,
10min		 변화율
(수학식1)		 UV
경화전
(gf/in)		 UV
경화후
(gf/in)		 변화율
(수학식2)
실시예1 6.3 8 0.27 76.2 90.7 4 0.96 O
실시예2 0.1 0.1 0 73.5 98.2 3.4 0.97 O
실시예3 1.5 1.8 0.2 75.1 87.2 3.2 0.96 O
실시예4 0.1 0.1 0 72.8 94.7 3.8 0.96 O
실시예5 1.6 2.1 0.31 74.6 111.9 5.2 0.95 O
비교예1 46.3 54.3 0.17 73.8 98.6 4.8 0.95 X
비교예2 0.1 48.4 483 73.7 90 3.8 0.96 O
비교예3 4 50.8 11.7 74.1 93 4.2 0.96 O
비교예4 2.3 55.7 23.22 73.3 78 4.6 0.94 O
상기 표 3을 참고하면, 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 5에서 제조된 반도체 공정용 점착 조성물을 이용함으로써, 310 nm에서의 초기 광투과도가 낮으면서도 열처리 후에 광투과도 변화율이 낮고, UV 경화 전에는 우수한 점착력을 가지면서도 UV 경화 후에 점착력이 효과적으로 감소되는 점착층을 제공할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 실시예 1 내지 실시예 5에서 제조된 반도체 공정용 점착 조성물을 이용하여 제조된 점착층이 구비된 반도체 공정용 필름의 경우, 엑시머 레이저 조사 후의 외관 평가 결과가 우수한 것을 알 수 있다.
W: 웨이퍼
10: 캐리어
21: 기재
22: 점착층
L: 레이저

Claims (18)

  1. 점착성 바인더 수지; 광개시제; 및 레이저 흡수제;를 포함하고,
    상기 레이저 흡수제는 250 nm 내지 350 nm의 파장 중 하나의 파장 값을 가지는 레이저를 흡수하고,
    상기 광개시제는 상기 레이저와 다른 파장을 가지는 광에 의하여 활성화되는 반도체 공정용 점착 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 레이저 흡수제는 300 nm 내지 320 nm의 파장 중 하나의 파장 값을 가지는 엑시머 레이저를 흡수하는 것인 반도체 공정용 점착 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 레이저 흡수제는,
    트리아진계 화합물 및 시아노아크릴레이트계 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것인 반도체 공정용 점착 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 광개시제와 상기 레이저 흡수제의 중량비는 1:0.3 내지 1:1.5인 것인 반도체 공정용 점착 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 레이저 흡수제의 함량은 0.5 중량부 이상 3 중량부 이하인 것인 반도체 공정용 점착 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 광개시제의 함량은 1 중량부 이상 5 중량부 이하인 것인 반도체 공정용 점착 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 점착성 바인더 수지는,
    탄소수 1 내지 10의 알킬기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체; 및 극성기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체;를 포함하는 단량체 혼합물의 중합체와 (메트)아크릴로일기 함유 이소시아네이트계 화합물의 반응 생성물인 (메트)아크릴계 공중합체를 포함하는 것인 반도체 공정용 점착 조성물.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 단량체 혼합물 100 중량부 기준으로, 상기 알킬기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체의 함량은 60 중량부 이상 85 중량부 이하인 것인 반도체 공정용 점착 조성물.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 단량체 혼합물 100 중량부에 대하여, 상기 극성기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체의 함량은 15 중량부 이상 40 중량부 이하인 것인 반도체 공정용 점착 조성물.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 (메트)아크릴로일기 함유 이소시아네이트계 화합물의 함량은, 상기 극성기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 100 mol%에 대하여, 65 mol% 이상 90 mol% 이하인 것인 반도체 공정용 점착 조성물.
  11. 청구항 1에 있어서,
    경화제를 더 포함하며,
    상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 경화제의 함량은 0.5 중량부 이상 1.5 중량부 이하인 것인 반도체 공정용 점착 조성물.
  12. 청구항 1에 있어서,
    310 nm의 파장 값을 가지는 광에 대한 광투과도가 10% 이하인 것인 반도체 공정용 점착 조성물.
  13. 청구항 1에 있어서,
    하기 수학식 1을 만족하는 반도체 공정용 점착 조성물:
    [수학식 1]
    0 ≤ (T2-T1)/T1 ≤ 0.4
    상기 수학식 1에서,
    T1은 반도체 공정용 점착 조성물의 310 nm의 파장 값을 가지는 광에 대한 초기 광투과도(%)이고,
    T2는 반도체 공정용 점착 조성물을 240 ℃에서 10 분 동안 열처리한 후, 310 nm의 파장 값을 가지는 광에 대한 광투과도(%)이다.
  14. 청구항 1에 있어서,
    광경화시에 경화도가 50% 이상인 것인 반도체 공정용 점착 조성물.
  15. 청구항 1에 있어서,
    광경화 후에 점착력이 30 gf/in 이하인 것인 반도체 공정용 점착 조성물.
  16. 청구항 1에 있어서,
    하기 수학식 2를 만족하는 반도체 공정용 점착 조성물:
    [수학식 2]
    0.5 ≤ (A1-A2)/A1 ≤ 0.99
    상기 수학식 2에서,
    A1은 반도체 공정용 점착 조성물의 초기 점착력(gf/in)이고,
    A2는 반도체 공정용 점착 조성물의 광경화 후의 점착력(gf/in)이다.
  17. 기재; 및
    청구항 1에 따른 반도체 공정용 점착 조성물을 포함하는 점착층;을 포함하는 반도체 공정용 필름.
  18. 웨이퍼 및 상기 웨이퍼의 일면 상에 구비된 캐리어를 포함하는 웨이퍼 적층체를 준비하는 단계;
    청구항 17에 따른 반도체 공정용 필름의 점착층을 상기 웨이퍼의 타면 상에 부착하는 단계;
    레이저를 상기 웨이퍼 적층체에 조사하여, 상기 웨이퍼의 일면 상에서 상기 캐리어를 박리하는 단계;
    상기 웨이퍼를 가공하는 단계; 및
    상기 점착층에 광을 조사하여 경화시킨 후, 상기 웨이퍼의 타면에서 상기 반도체 공정용 필름을 박리하는 단계;를 포함하는 반도체 패키지 제조 방법.
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JP5537789B2 (ja) * 2008-10-01 2014-07-02 日東電工株式会社 レーザー加工用粘着シート及びレーザー加工方法
CN102460677A (zh) * 2009-04-16 2012-05-16 休斯微技术股份有限公司 用于临时晶片接合和剥离的改进装置
KR102627907B1 (ko) * 2019-07-30 2024-01-19 주식회사 엘지화학 임시 고정용 점착 시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법
CN111909638A (zh) * 2020-08-12 2020-11-10 深圳先进电子材料国际创新研究院 一种防护紫外激光损伤晶圆的临时键合胶材料

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