KR20230144204A - 웨이퍼 적층체 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법 - Google Patents

웨이퍼 적층체 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법 Download PDF

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장미
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한지호
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Abstract

본 발명은 웨이퍼를 효과적으로 다이싱 필름에 전사시킬 수 있는 웨이퍼 적층체 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법에 관한 것이다.

Description

웨이퍼 적층체 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법{WAFER LAMINATE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE SAME}
본 발명은 웨이퍼 적층체 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 칩의 제조 공정은 웨이퍼에 미세한 패턴을 형성하는 공정 및 최종 장치의 규격에 맞도록 웨이퍼를 연마하여 패키징(packaging)하는 공정을 포함한다.
패키징 공정은 반도체 칩의 불량을 검사하는 웨이퍼 검사 공정; 웨이퍼를 절단하여 낱개의 칩으로 분리하는 다이싱 공정; 분리된 칩을 회로 필름(circuit film) 또는 리드 프레임의 탑재판에 부착시키는 다이본딩 공정; 반도체 칩 상에 구비된 칩 패드와 회로 필름 또는 리드 프레임의 회로 패턴을 와이어와 같은 전기적 접속 수단으로 연결시키는 와이어 본딩 공정; 반도체 칩의 내부 회로와 그 외의 부품을 보호하기 위해 봉지재로 외부를 감싸는 몰딩 공정; 리드와 리드를 연결하고 있는 댐바를 절단하는 트림 공정; 리드를 원하는 형태로 구부리는 포밍 공정; 및 완성된 패키지의 불량을 검사하는 완성품 검사공정 등을 포함한다.
웨이퍼를 다이싱하기 위하여, 캐리어 필름의 점착층에 부착된 웨이퍼를 다이싱 필름의 점착층에 전사시키는 공정을 수행하게 된다. 구체적으로, 웨이퍼의 일면에 캐리어 필름의 점착층을 부착하고, 웨이퍼의 타면에 다이싱 필름의 점착층을 부착한다. 이후, 캐리어 필름의 점착층에 광을 조사하여 캐리어 필름의 점착층을 경화시키고, 캐리어 필름의 점착층으로부터 웨이퍼를 박리시켜, 웨이퍼를 다이싱 필름의 점착층에 전사시킬 수 있다.
다만, 캐리어 필름의 점착층에 광을 조사하는 과정에서 광 산란에 의하여 웨이퍼에 인접하여 구비된 다이싱 필름의 점착층 또한 경화됨에 따라, 웨이퍼와 다이싱 필름의 점착층 간의 점착력이 저하되어 웨이퍼 에지(edge) 부분에 들뜸이 발생하게 된다. 웨이퍼 에지 부분에 들뜸이 발생함에 따라, 웨이퍼의 전사 불량이 발생하는 문제가 있었다.
이에, 웨이퍼를 다이싱 필름에 효과적으로 전사시킬 수 있는 기술이 필요한 실정이다.
본 발명은 웨이퍼를 효과적으로 다이싱 필름에 전사시킬 수 있는 웨이퍼 적층체 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시상태는, 웨이퍼; 상기 웨이퍼의 일면 상에 구비되며, 기체 발생제를 포함하는 제1 점착층; 및 상기 웨이퍼의 타면 상에 구비되며, 광개시제 및 광흡수제를 포함하는 제2 점착층;을 포함하고, 상기 광흡수제는 상기 기체 발생제를 활성화시키는 광을 흡수하는 것인 웨이퍼 적층체를 제공한다.
또한, 본 발명의 일 실시상태는, 웨이퍼의 일면 상에 제1 점착층을 부착하고, 상기 웨이퍼의 타면 상에 제2 점착층을 부착하여 웨이퍼 적층체를 준비하는 단계; 및 상기 웨이퍼 적층체에 제1 파장 값을 가지는 제1 광을 조사하고, 상기 웨이퍼의 일면으로부터 상기 제1 점착층을 분리하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 점착층은 상기 제1 광에 의하여 활성화되는 기체 발생제를 포함하고, 상기 제2 점착층은 광개시제 및 광흡수제를 포함하며, 상기 광흡수제는 상기 제1 광을 흡수하는 것인 반도체 패키지 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 웨이퍼 적층체는, 웨이퍼와 제2 점착층의 점착력을 안정적으로 유지하면서 웨이퍼로부터 제1 점착층을 용이하게 분리시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 패키지 제조 방법은 웨이퍼 적층체에서 제1 점착층을 효과적으로 분리할 수 있어, 웨이퍼를 제1 점착층에서 제2 점착층으로 안정적으로 전사시킬 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본원 명세서 및 첨부된 도면으로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시상태에 따른 웨이퍼 적층체를 나타낸 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다른 일 실시상태에 따른 웨이퍼 적층체를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 패키지 제조 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 단위 "중량부"는 각 성분간의 중량의 비율을 의미할 수 있다.
본원 명세서 전체에서, "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 통칭하는 의미로 사용된다.
본원 명세서 전체에서, "제1"및 "제2"와 같이 서수를 포함하는 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용되며, 상기 서수에 의해 한정되지 않는다. 예를 들어, 발명의 권리 범위 내에서 제1 구성요소는 제2 구성요소로도 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 실시상태는, 웨이퍼; 상기 웨이퍼의 일면 상에 구비되며, 기체 발생제를 포함하는 제1 점착층; 및 상기 웨이퍼의 타면 상에 구비되며, 광개시제 및 광흡수제를 포함하는 제2 점착층;을 포함하고, 상기 광흡수제는 상기 기체 발생제를 활성화시키는 광을 흡수하는 것인 웨이퍼 적층체를 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 웨이퍼 적층체는, 웨이퍼와 제2 점착층의 점착력을 안정적으로 유지하면서 웨이퍼로부터 제1 점착층을 용이하게 분리시킬 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시상태에 따른 웨이퍼 적층체를 나타낸 도면이다.
도 1a 및 도 1b를 참고하면, 본 발명의 일 실시상태에 따른 웨이퍼 적층체(WL)는, 웨이퍼(W), 상기 웨이퍼(W)의 일면 상에 구비되는 제1 점착층(110), 상기 웨이퍼(W)의 타면 상에 구비되는 제2 점착층(210)을 포함할 수 있다.
도 1a를 참고하면, 본 발명의 일 실시상태에서 웨이퍼(W), 제1 점착층(110) 및 제2 점착층(210)의 크기는 동일할 수 있다. 구체적으로, 웨이퍼(W), 제1 점착층(110) 및 제2 점착층(210)의 크기는 실질적으로 동일할 수 있다. 본 발명에서 크기가 실질적으로 동일하다는 것은 크기가 동일한 것뿐만 아니라, 공정 상에서 발생하는 오차를 포함하여 크기에 다소 차이가 있는 것을 포함하는 의미일 수 있다.
도 1b를 참고하면, 본 발명의 일 실시상태에서 웨이퍼(W)와 제1 점착층(110)의 크기는 실질적으로 동일하고, 제2 점착층(210)의 크기는 웨이퍼(W) 및 제1 점착층(110)의 크기보다 클 수 있다. 즉, 제2 점착층(210)의 일부분에 웨이퍼(W)가 부착될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 점착층은 기체 발생제를 포함하고, 상기 제2 점착층은 광개시제 및 광흡수제를 포함할 수 있다. 이때, 상기 광흡수제는 상기 기체 발생제를 활성화시키는 제1 광을 흡수할 수 있다. 구체적으로, 상기 광흡수제의 광흡수 파장 영역은 상기 기체 발생제를 활성화시키는 광활성 파장 영역에 포함될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 웨이퍼 적층체에 상기 제1 광을 조사함으로써, 상기 제1 점착층에 포함된 상기 기체 발생제가 활성화되어 상기 제1 점착층 내에 기체가 발생될 수 있다. 구체적으로, 상기 기체 발생제로부터 발생된 기체가 상기 웨이퍼의 일면과 상기 제1 점착층의 계면에 위치하거나 계면에서 방출됨에 따라, 상기 제1 점착층의 웨이퍼에 대한 점착력이 효과적으로 저하될 수 있다.
한편, 상기 제1 광은 상기 제2 점착층에도 도달하지만 상기 광흡수제가 제1 광을 흡수하여 상기 광개시제가 활성화되는 것을 방지함으로써, 제2 점착층은 광경화되지 않을 수 있다.
즉, 상기 웨이퍼 적층체에 제1 광이 조사됨으로써, 제1 점착층 내에 기체가 발생되고, 제2 점착층은 미경화 상태를 유지할 수 있다. 구체적으로, 제2 점착층은 웨이퍼에 대한 우수한 점착력을 유지하고, 웨이퍼에 대한 제1 점착층의 점착력이 효과적으로 저하될 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 적층체로부터 제1 점착층을 용이하게 박리시킬 수 있고, 제1 점착층을 박리하는 과정에서 제2 점착층의 일부가 웨이퍼로부터 박리되거나 들뜨는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기체 발생제는 200 nm 이상 400 nm 이하의 파장 값을 가지는 제1 광에 의하여 활성화될 수 있다. 구체적으로, 상기 기체 발생제의 광활성 파장 영역은 200 nm 이상 400 nm 이하의 파장에 포함될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 광흡수제는 200 nm 이상 400 nm 이하 중 하나의 파장 값을 가지는 광을 흡수할 수 있다. 구체적으로, 상기 광흡수제는 200 nm 이상 300 nm 이하 중 하나의 파장 값을 가지는 광을 흡수하거나, 200 nm 이상 260 nm 이하 중 하나의 파장 값을 가지는 광을 흡수하거나, 또는 240 nm 이상 400 nm 이하 중 하나의 파장 값을 가지는 광을 흡수할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 상기 제1 점착층에 기체를 발생시키기 위하여 200 nm 이상 400 nm 이하 중 하나의 파장 값을 가지는 제1 광을 조사할 수 있으며, 상기 광흡수제는 상기 제1 광을 흡수할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 광흡수제가 “하나의 파장 값을 가지는 광을 흡수”것은 상기 하나의 파장 값을 가지는 광을 주되게 흡수하는 것을 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 광흡수제는 254 nm의 파장 값을 가지는 광을 주되게 흡수하고, 250 nm 내지 253 nm, 및 255 nm 내지 260 nm의 파장 값을 가지는 광을 일부 흡수할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 광개시제는 200 nm 이상 800 nm 이하의 파장 값을 가지는 광에 의하여 활성화될 수 있다. 구체적으로, 상기 광개시제의 광활성 파장 영역은 200 nm 이상 800 nm 이하의 파장에 포함될 수 있다. 후술하는 바와 같이, 상기 제2 점착층을 경화시키기 위하여, 200 nm 이상 800 nm 이하의 파장 값 중 2 이상의 파장 값을 가지는 복합광인 제2 광을 조사할 수 있다. 구체적으로, 전술한 파장 값을 가지는 복합광이 제2 점착층에 조사되는 경우, 상기 광흡수제의 광흡수 파장 영역에 해당되는 광은 광흡수제에 흡수되고, 광흡수 파장 영역 이외의 파장 영역을 가지는 광은 상기 광개시제를 활성화시켜, 상기 제2 점착층을 효과적으로 경화시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기체 발생제가 활성화되는 광의 파장 영역(제1 활성 파장 영역)과 상기 광개시제가 활성화되는 광의 파장 영역(제2 활성 파장 영역)은 동일하거나 상이할 수 있다. 제1 활성 파장 영역과 상기 제2 활성 파장 영역이 동일한 경우에도, 상기 제2 점착층을 경화시키기 위하여 조사되는 제2 광은 복합광에 해당되므로, 상기 복합광에 의하여 상기 광개시제가 활성화되어 상기 제2 점착층이 경화될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 점착층은 점착성 바인더 수지 및 경화제를 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 제2 점착층은 상기 점착성 바인더 수지(이하, 제2 점착성 바인더 수지라 함), 상기 광개시제, 상기 광흡수제 및 경화제(이하, 제2 경화제라 함)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 점착층에 포함되는 상기 점착성 바인더 수지(제2 점착성 바인더 수지)는, 지방족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체, 지환족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 및 방향족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 중 적어도 하나로부터 유래된 제1 (메트)아크릴레이트계 반복단위; 및 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체, 카르복시기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 및 질소 함유 작용기를 포함하는 (메트)아크릴레이트계 단량체 중 적어도 하나로부터 유래된 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위;를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위를 포함하는 상기 제2 점착성 바인더 수지를 사용함으로써, 상기 제2 점착층은 상기 제2 광이 조사되기 전에는 웨이퍼에 대하여 우수한 점착력을 유지하고, 상기 제2 광이 조사된 후에는 웨이퍼에 대한 점착력이 효과적으로 감소될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 반복 단위는 지방족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체, 지환족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 및 방향족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 중 적어도 하나로부터 유래된 반복단위일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 지방족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체는 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트일 수 있다. 구체적으로, 상기 지방족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체에 포함되는 알킬기의 탄소수는 5 내지 15, 7 내지 12, 1 내지 10, 또는 12 내지 20일 수 있다. 상기 지방족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체에 포함되는 알킬기의 탄소수가 전술한 범위 내인 경우, 상기 제2 점착층은 상기 제2 광이 조사되기 전에 상기 웨이퍼에 대하여 우수한 점착력을 유지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 지방족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체는 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, n-프로필 (메트)아크릴레이트, 이소프로필 (메트)아크릴레이트, n-부틸 (메트)아크릴레이트, t-부틸 (메트)아크릴레이트, sec-부틸 (메트)아크릴레이트, 펜틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, 2-에틸부틸 (메트)아크릴레이트, n-옥틸 (메트)아크릴레이트, 이소옥틸 (메트)아크릴레이트 및 이소노닐 (메트)아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 지환족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체는 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기를 갖는 사이클로알킬(메트)아크릴레이트일 수 있다. 구체적으로, 상기 지환족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체에 포함되는 사이클로알킬기의 탄소수는 5 내지 25, 6 내지 20, 7 내지 15, 3 내지 8, 10 내지 15, 또는 18 내지 30일 수 있다. 상기 지환족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체에 포함되는 사이클로알킬기의 탄소수가 전술한 범위 내인 경우, 상기 제2 점착층의 응집력 및 점착력을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 지환족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체는 이소보닐 (메트)아크릴레이트, 트리메틸사이클로헥실 (메트)아크릴레이트, 사이클로펜실 (메트)아크릴레이트, 사이클로헥실 (메트)아크릴레이트, 디사이클로펜타닐(메트)아크릴레이트 및 디사이클로펜테닐옥시(메트)아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 방향족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체는 탄소수 3 내지 30의 방향족기를 갖는 (메트)아크릴레이트일 수 있다. 구체적으로, 상기 방향족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체에 포함되는 방향족기의 탄소수는 6 내지 25, 6 내지 20, 또는 6 내지 15일 수 있다. 상기 방향족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체에 포함되는 방향족기의 탄소수를 전술한 범위로 조절함으로써, 상기 제2 점착층은 웨이퍼에 대하여 우수한 점착력을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 방향족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체는 페닐히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, o-페닐페놀 EO (메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페닐페녹시프로필 (메트)아크릴레이트 및 페놀 EO (메트)아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위는 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체, 카르복시기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 및 질소 함유 작용기를 포함하는 (메트)아크릴레이트계 단량체 중 적어도 하나로부터 유래된 반복단위일 수 있다. 구체적으로, 상기 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기 중 적어도 하나는 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위에 1 이상 포함될 수 있다. 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위는 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기 중 적어도 하나에 의하여 형성된 가교 구조를 가질 수 있으며, 이를 통해 제2 점착층의 응집력이 향상되어 웨이퍼에 대한 점착력이 효과적으로 향상될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위는 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체로부터 유래될 수 있다. 상기 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체는, 2-히드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메트)아크릴레이트, 6-히드록시헥실 (메트)아크릴레이트, 8-히드록시옥틸 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트 및 2-히드록시프로필렌글리콜 (메트)아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위는 카르복시기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체로부터 유래될 수 있다. 상기 카르복시기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체는, (메트)아크릴산, 크로톤산(crotonic acid), 말레산(maleic acid) 및 푸마르산(fumaric acid) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위는 질소 함유 작용기를 포함하는 (메트)아크릴레이트계 단량체로부터 유래될 수 있다. 상기 질소 함유 작용기를 포함하는 (메트)아크릴레이트계 단량체는, (메트)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈 및 N-비닐 카프로락탐 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 점착층에 포함되는 상기 점착성 바인더 수지(제2 점착성 바인더 수지)에 포함되는 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위는 광중합성 측쇄를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 점착성 바인더 수지에 포함되는 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위의 20 몰% 이상 95 몰% 이하는 광중합성 측쇄를 포함할 수 있다. 즉, 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위 총 100 몰%에 대하여, 20 몰% 이상 95 몰% 이하의 반복단위에는 상기 광중합성 측쇄가 결합되어 있을 수 있다. 구체적으로, 상기 광중합성 측쇄의 함량은 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위 총 100 몰%에 대하여, 30 몰% 이상 92.5 몰% 이하, 45 몰% 이상 90 몰% 이하, 60 몰% 이상 87.5 몰% 이하, 70 몰% 이상 85 몰% 이하, 20 몰% 이상 60 몰% 이하, 30 몰% 이상 50 몰% 이하, 35 몰% 이상 45 몰% 이하, 50 몰% 이상 95 몰% 이하, 55 몰% 이상 92.5 몰% 이하, 65 몰% 이상 90 몰% 이하, 또는 75 몰% 이상 85 몰% 이하일 수 있다.
상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위에 포함되는 상기 광중합성 측쇄의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 제2 광이 조사되기 전의 제2 점착층은 웨이퍼에 대하여 우수한 점착력을 가지고, 상기 제2 광이 조사된 상기 제2 점착층의 점착력이 효과적으로 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 광중합성 측쇄는 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위의 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기와 결합 가능한 광중합성 화합물로부터 유래될 수 있다. 구체적으로, 상기 광중합성 측쇄는 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위의 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기 중 적어도 하나와 이소시아네이트기 또는 에폭시기를 포함하는 광중합성 화합물의 반응을 통해 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 광중합성 화합물은 이소시아네이트계 화합물을 적어도 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 광중합성 화합물은 히드록시기와 반응할 수 있는 화합물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 광중합성 화합물은 (메트)아크릴로일옥시 이소시아네이트, (메트)아크릴로일옥시 메틸 이소시아네이트, 2-(메트)아크릴로일옥시 에틸 이소시아네이트, 3-(메트)아크릴로일옥시 프로필 이소시아네이트, 4-(메트)아크릴로일옥시 부틸 이소시아네이트, m-프로페닐-α, α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일 이소시아네이트 또는 알릴 이소시아네이트; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물을 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸과 반응시켜 얻어지는 아크릴로일 모노이소시아네이트 화합물; 및 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물, 폴리올화합물 및 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸을 반응시켜 얻어지는 아크릴로일 모노이소시아네이트 화합물; 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 광중합성 화합물은 카르복실기와 반응할 수 있는 화합물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 광중합성 화합물은 글리시딜(메트)아크릴레이트 및 알릴 글리시딜 에테르 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 점착층에 포함되는 상기 점착성 바인더 수지(제2 점착성 바인더 수지)는 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 반복단위 및 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위 이외에 추가적인 반복단위를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 점착성 바인더 수지는 스티렌계 단량체, 포름산 비닐계 단량체, 초산비닐계 단량체, 비닐 아세테이트계 단량체, 디알킬 (메트)아크릴아미드계 단량체 및 실리콘계 단량체 중 적어도 하나로부터 유래된 반복단위를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 점착층의 내열성 및 이형성을 보다 증진시키기 위하여, 상기 제2 점착성 바인더 수지에 실리콘 단량체로부터 유래된 반복단위가 포함될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 점착층에 포함되는 상기 점착성 바인더 수지(제2 점착성 바인더 수지)의 중량평균분자량은 100,000 g/mol 이상 3,000,000 g/mol 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 점착성 바인더 수지의 중량평균분자량은 200,000 g/mol 이상 2,800,000 g/mol 이하, 500,000 g/mol 이상 2,500,000 g/mol 이하, 700,000 g/mol 이상 2,000,000 g/mol 이하, 1,000,000 g/mol 이상 1,500,000 g/mol 이하, 100,000 g/mol 이상 2,000,000 g/mol 이하, 300,000 g/mol 이상 1,800,000 g/mol 이하, 600,000 g/mol 이상 1,500,000 g/mol 이하, 800,000 g/mol 이상 1,300,000 g/mol 이하, 850,000 g/mol 이상 1,000,000 g/mol 이하, 1,500,000 g/mol 이상 3,000,000 g/mol 이하, 1,800,000 g/mol 이상 2,700,000 g/mol 이하, 또는 2,000,000 g/mol 이상 2,500,000 g/mol 이하일 수 있다.
상기 제2 점착성 바인더 수지의 중량평균분자량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 제2 점착층은 적정 코팅성과 응집력을 나타내어 상기 제2 광의 조사 전에 우수한 점착력을 가질 수 있고, 상기 제2 광의 조사 후에는 웨이퍼로부터 박리가 용이하며 웨이퍼에 제2 점착층의 잔여물이 남는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 점착성 바인더 수지의 중량평균분자량은 GPC법을 이용하여 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 광흡수제는 전술한 바와 같이 200 nm 이상 400 nm 이하 중 하나의 파장 값을 가지는 광을 흡수하는 것이라면, 당업계에서 사용되는 광흡수제를 제한 없이 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 광흡수제는 클로로 치환 벤조트리아졸계 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광흡수제로서 BASF社에서 제조된 Tinuvin P, Tinuvin 234, Tinuvin 328 등의 Tinuvin 시리즈 화합물, Chimassorb 81 등의 Chimassorb 시리즈 화합물, SOLVAY社에서 제조된 Cyasorb UV-2908, Cyasorb UV-1164 등의 Cyasorb 시리즈 화합물, CHEMIPRO社에서 제조된 Kemisorb 74, Kemisorb 112 등의 Kemisorb 시리즈 화합물, ADEKA社에서 제조된 Adekastab 1413, Adekastab LA-51 등의 Adekastab 시리즈 화합물, DBC社에서 제조된 Chisorb 292, Chisorb 5530 등의 시리즈 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 상기 광흡수제로 전술한 종류의 광흡수제를 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 병용하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 광흡수제의 함량은 1 중량부 이상 15 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 광흡수제의 함량은 상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 1.5 중량부 이상 12.5 중량부 이하, 2 중량부 이상 10 중량부 이하, 3 중량부 이상 7.5 중량부 이하, 1 중량부 이상 10 중량부 이하, 2.5 중량부 이상 8 중량부 이하, 3 중량부 이상 5 중량부 이하, 6 중량부 이상 15 중량부 이하, 8 중량부 이상 13 중량부 이하, 또는 9.5 중량부 이상 11 중량부 이하일 수 있다.
상기 제2 점착층에 포함되는 상기 광흡수제의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 제1 점착층에 기체 발생 시에 제2 점착층이 경화되는 것을 효과적으로 방지하고, 상기 제2 광에 의하여 광개시제가 활성화되는 것을 효과적으로 유도할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 광개시제는 전술한 바와 같이 200 nm 이상 800 nm 이하의 파장 값을 가지는 광에 의하여 활성화될 수 있는 것이라면, 당업계에서 사용되는 광개시제를 제한 없이 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 광개시제는 벤조인과 그 알킬에테르류 광개시제, 아세토페논류 광개시제, 안트라퀴논류 광개시제, 티오크산톤류 광개시제, 케탈류 광개시제, 벤조페논류 광개시제, α-아미노아세토페논류 광개시제, 아실포스핀옥사이드류 광개시제, 케톤류 광개시제, 페닐포스핀 옥사이드류 광개시제, 티오잔톤류 광개시제 및 옥심에스테르류 광개시제 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 광개시제의 함량은 0.3 중량부 이상 10 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 광개시제의 함량은 상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 0.5 중량부 이상 9.5 중량부 이하, 1 중량부 이상 9 중량부 이하, 2 중량부 이상 8 중량부 이하, 3 중량부 이상 7 중량부 이하, 0.3 중량부 이상 7 중량부 이하, 0.5 중량부 이상 6.5 중량부 이하, 0.7 중량부 이상 6 중량부 이하, 1 중량부 이상 5.5 중량부 이하, 2 중량부 이상 5 중량부 이하, 3 중량부 이상 4.5 중량부 이하, 4 중량부 이상 10 중량부 이하, 4.5 중량부 이상 9 중량부 이하, 5 중량부 이상 8.5 중량부 이하, 또는 5 중량부 이상 7 중량부 이하, 또는 6 중량부 이상 9.5 중량부 이하일 수 있다.
상기 제2 점착층에 포함되는 상기 광개시제의 함량을 전술한 범위로 조절함으로써, 상기 제1 광이 조사되는 경우에 상기 광개시제가 활성화되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 광개시제의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 제2 광에 의하여 상기 제2 점착층에 포함된 상기 광개시제가 안정적으로 활성화될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 광개시제와 상기 광흡수제의 중량비는 1:0.5 내지 1:5일 수 있다. 구체적으로, 상기 광개시제와 상기 광흡수제의 중량비는 1:0.5 내지 1:4.5, 1:0.5 내지 1:4, 1:0.5 내지 1:3.5, 1:0.5 내지 1:3, 1:0.5 내지 1:2.5, 1:0.6 내지 1:3.5, 1:0.6 내지 1:2.5, 1:1 내지 1:3.5, 1:1 내지 1:3, 1:1 내지 1:2.5, 1:2 내지 1:5, 1:2.5 내지 1:4.5, 1:2.5 내지 1:4, 또는 1:2.5 내지 1:3.5일 수 있다. 상기 광흡수제와 상기 광개시제의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 제2 점착층은 상기 제1 광에 의하여 경화되는 것이 효과적으로 억제될 수 있고, 상기 제2 광에 의하여 안정적으로 경화될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화제(제2 경화제)는 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 제2 경화제의 함량은 0.1 중량부 이상 40 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 경화제의 함량은 상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 0.5 중량부 이상 35 중량부 이하, 1 중량부 이상 30 중량부 이하, 3 중량부 이상 25 중량부 이하, 4 중량부 이상 20 중량부 이하, 7.5 중량부 이상 15 중량부 이하, 0.1 중량부 이상 25 중량부 이하, 0.3 중량부 이상 22.5 중량부 이하, 0.5 중량부 이상 20 중량부 이하, 0.7 중량부 이상 18.5 중량부 이하, 1 중량부 이상 15 중량부 이하, 2.5 중량부 이상 12.5 중량부 이하, 4 중량부 이상 10 중량부 이하, 7.5 중량부 이상 10 중량부 이하, 20 중량부 이상 40 중량부 이하, 23 중량부 이상 37.5 중량부 이하, 25 중량부 이상 35 중량부 이하, 또는 27.5 중량부 이상 30 중량부 이하일 수 있다.
상기 제2 점착층에 포함되는 제2 경화제의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 제2 점착층은 충분한 응집력을 구현할 수 있고, 제2 광이 조사되기 전에 상기 웨이퍼에 대하여 우수한 점착력을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 점착층은 3급 아민 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 3급 아민 화합물은 상기 광개시제와 조합하여 사용됨으로써, 시너지 효과를 통해 고온 공정 후에도 경화 반응 상승을 구현할 수 있다. 구체적으로, 상기 3급 아민 화합물의 경우 수소공여제 역할을 하여 라디칼 생성을 통해 광개시제와의 시너지 효과를 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 3급 아민 화합물은 에틸-p-디메틸 아미노 벤조에이트, 메틸-p-디메틸 아미노 벤조에이트, 2-에틸헥실-p-디메틸 아미노 벤조에이트, 옥틸-p-디메틸 아미노 벤조에이트, 디에틸아미노에틸 메타아크릴레이트, 디메틸아미노에틸 메타아크릴레이트, 및 N,N-디하이드록시에틸-p-토루이디엔 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착성 바인더 수지(제2 점착성 바인더 수지) 100 중량부에 대하여, 상기 3급 아민의 함량은 2 중량부 이상 20 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 3급 아민의 함량은 상기 제2 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 5 중량부 이상 18 중량부 이하, 7.5 중량부 이상 15 중량부 이하, 10 중량부 이상 12.5 중량부 이하, 2 중량부 이상 15 중량부 이하, 2.5 중량부 이상 13 중량부 이하, 3 중량부 이상 11.5 중량부 이하, 3.5 중량부 이상 10 중량부 이하, 4 중량부 이상 8 중량부 이하, 10 중량부 이상 20 중량부 이하, 10 중량부 이상 17.5 중량부 이하, 10 중량부 이상 15 중량부 이하, 또는 15 중량부 이상 20 중량부 이하일 수 있다.
상기 3급 아민의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 광개시제와의 시너지 효과를 용이하게 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 점착층은 점착성 바인더 수지(이하, 제1 점착성 바인더 수지라 함), 경화제(이하, 제1 경화제라 함) 및 상기 기체 발생제를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 점착층에 포함되는 상기 제1 점착성 바인더 수지 및 상기 제1 경화제 각각은 전술한 상기 제2 점착층에 포함되는 제2 점착성 바인더 수지 및 상기 제2 경화제와 동일할 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 점착층에 포함되는 점착성 바인더 수지(제1 점착성 바인더 수지)는 지방족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체, 지환족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 및 방향족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 중 적어도 하나로부터 유래된 제1 (메트)아크릴레이트계 반복단위; 및 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체, 카르복시기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 및 질소 함유 작용기를 포함하는 (메트)아크릴레이트계 단량체 중 적어도 하나로부터 유래된 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위;를 포함할 수 있다. 이때, 상기 지방족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체, 지환족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체, 방향족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체, 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체, 카르복시기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 및 질소 함유 작용기는 전술한 제2 점착층에서 설명한 바와 동일할 수 있다.
또한, 상기 제1 점착성 바인더 수지의 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위는 광중합성 측쇄를 포함할 수 있고, 상기 광중합성 촉쇄는 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위 총 100 몰%에 대하여, 20 몰% 이상 95몰% 이하의 반복단위에 결합될 수 있다. 상기 광중합성 측쇄는 전술한 제1 점착층에서 설명한 바와 동일할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 점착성 바인더 수지의 중량평균분자량은 100,000 g/mol 이상 3,000,000 g/mol 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 점착성 바인더 수지의 중량평균분자량은 200,000 g/mol 이상 2,800,000 g/mol 이하, 500,000 g/mol 이상 2,500,000 g/mol 이하, 700,000 g/mol 이상 2,000,000 g/mol 이하, 1,000,000 g/mol 이상 1,500,000 g/mol 이하, 100,000 g/mol 이상 2,000,000 g/mol 이하, 300,000 g/mol 이상 1,800,000 g/mol 이하, 600,000 g/mol 이상 1,500,000 g/mol 이하, 800,000 g/mol 이상 1,300,000 g/mol 이하, 850,000 g/mol 이상 1,000,000 g/mol 이하, 1,500,000 g/mol 이상 3,000,000 g/mol 이하, 1,800,000 g/mol 이상 2,700,000 g/mol 이하, 또는 2,000,000 g/mol 이상 2,500,000 g/mol 이하일 수 있다.
상기 제1 점착성 바인더 수지의 중량평균분자량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 제1 점착층은 적정 코팅성과 응집력을 나타내어 상기 제1 광의 조사 전에 우수한 점착력을 가질 수 있고, 상기 제1 광의 조사 후에는 웨이퍼로부터 박리가 용이하며 웨이퍼에 제1 점착층의 잔여물이 남는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기체 발생제는 200 nm 이상 400 nm 이하의 파장 값을 가지는 광에 의하여 활성화될 수 있는 것이라면, 당업계에서 사용되는 기체 발생제를 제한 없이 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 기체 발생제는 아조계 화합물, 아지드계 화합물, 테트라졸계 화합물, 카르복실산계 화합물 및 이들의 염 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 전술한 종류의 기체 발생제에 200 nm 이상 400 nm 이하의 파장 값을 가지는 광이 조사됨으로써, 질소 기체 또는 이산화탄소 기체가 발생될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 아조계 화합물은 아조 화합물 및 아조 아미드 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 아조 화합물은 2,2'-아조비스(N-사이클로헥실-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스[N-(2-메틸프로필)-2-메틸프로피온아미드], 2,2'-아조비스(N-부틸-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스[N-(2-메틸에틸)-2-메틸프로피온아미드], 2,2'-아조비스(N-헥실-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스(N-프로필-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스(N-에틸-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스{2-메틸-N-[1,1-비스(하이드록시메틸)-2-하이드록시에틸]프로피온 아미드}, 2,2'-아조비스{2-메틸-N-[2-(1-하이드록시부틸)]프로피온 아미드}, 2,2'-아조비스[2-메틸-N-(2-하이드록시에틸) 프로피온 아미드], 2,2'-아조비스[N-(2-프로페닐)-2-메틸프로피온아미드], 2,2'-아조비스[2-(5-메틸-2-이미다졸린2-일) 프로판]디히드로 클로라이드, 2,2'-아조비스[2-(2-이미다졸린2-일) 프로판]디히드로 클로라이드, 2,2'-아조비스[2-(2-이미다졸린2-일) 프로판]디설페이트 디히드로 레이트, 2,2'-아조비스[2-(3,4,5,6-테트라하이드로 피리미딘-2-일) 프로판]디히드로 클로라이드, 2,2'-아조비스{2-[1-(2-하이드록시에틸)-2-이미다졸린2-일]프로판}디히드로 클로라이드, 2,2'-아조비스[2-(2-이미다졸린2-일) 프로판], 2,2'-아조비스(2-메틸 프로피온아미딘) 하이드로클로라이드, 2,2'-아조비스(2-아미노프로판) 디히드로 클로라이드, 2,2'-아조비스[N-(2-카르복시아실)-2-메틸-프로피온아미딘], 2,2'-아조비스{2-[N-(2-카르복시에틸) 아미딘]프로판}, 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온아미드 옥심), 디메틸2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 디메틸 2,2'-아조비스 이소부틸레이트, 4,4'-아조비스(4-시안 카르보닉 애시드), 4,4'-아조비스(4-시아노펜타노익크아싯드) 및 2,2'-아조비스(2,4,4-트리메틸 펜탄) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 상기 아조 화합물의 종류를 한정하는 것은 아니다.
또한, 상기 아조 아미드 화합물은 2,2'-아조비스(N-사이클로헥실-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스[N-(2-메틸프로필)-2-메틸프로피온아미드], 2,2'-아조비스(N-부틸-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스[N-(2-메틸 에틸)-2-메틸프로피온아미드], 2,2'-아조비스(N-헥실-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스(N-프로필-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스(N-에틸-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스{2-메틸-N-[1,1-비스(하이드록시메틸)-2-하이드록시에틸]프로피온 아미드}, 2,2'-아조비스{2-메틸-N-[2-(1-하이드록시부틸)]프로피온 아미드}, 2,2'-아조비스[2-메틸-N-(2-하이드록시에틸) 프로피온 아미드] 및 2,2'-아조비스[N-(2-프로페닐)-2-메틸프로피온아미드] 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 상기 아조 아미드 화합물의 종류를 한정하는 것은 아니다.
또한, 상기 아지드계 화합물로서, 3-아지드메틸-3-메틸옥세탄, 테레프탈 아지드, p-tert-부틸 벤즈 아지드, 3-아지드메틸-3-메틸옥세탄을 개환 중합함으로써 얻어진 글리시딜 아지드 폴리머 등의 아지드기를 가지는 폴리머를 사용할 수 있다. 다만, 상기 아지드계 화합물의 종류를 한정하는 것은 아니다.
또한, 상기 테트라졸계 화합물은, 1H-테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 5,5-아조비스-1H-테트라졸, 5-아미노-1H-테트라졸, 5-메틸-1H-테트라졸, 1-메틸-5-메르캅토-1H-테트라졸, 1-메틸-5-에틸-1H-테트라졸, 및 1-(디메틸아미노에틸)-5-메르캅토-1H-테트라졸 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 상기 테트라졸계 화합물의 종류를 한정하는 것은 아니다. 상기 테트라졸계 화합물의 염은 상기 테트라졸계 화합물과 염기성 화합물을 혼합하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 염기성 화합물은 예를 들어, 아민, 모노알킬아민, 디알킬아민, 하이드라진 화합물, 수산화 4 급 암모늄염 및 포스핀 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 상기 염기성 화합물의 종류를 한정하는 것은 아니다. 또한, 상기 테트라졸계 화합물의 염은 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염 등일 수 있다. 구체적으로, 상기 테트라졸계 화합물의 염은 5,5'-비스테트라졸암모늄염, 또는 5,5'-비스테트라졸아민모노암모늄염 등을 포함할 수 있다. 다만, 상기 테트라졸계 화합물의 염의 종류를 한정하는 것은 아니다.
또한, 상기 카르복실산계 화합물은, 페닐아세트산, 디페닐아세트산, 트리페닐아세트산, 2-페닐프로피온산, 2,2-디페닐프로피온산, 2,2,2-트리페닐프로피온산, 2-페닐부틸산, α-메톡시페닐아세트산, 만델산, 아트로락톤산, 벤질산, 트로프산, 페닐말론산, 페닐숙신산, 3-메틸-2-페닐부티르산, 오르토톨루일아세트산, 메타톨루일아세트산, 4-이소부틸-α-메틸페닐아세트산, 파라톨루일아세트산, 1,2-페닐렌디아세트산, 1,3-페닐렌디아세트산, 1,4-페닐렌디아세트산, 2-메톡시페닐아세트산, 2-하이드록시페닐아세트산, 2-니트로페닐아세트산, 3-니트로페닐아세트산, 4-니트로페닐아세트산, 2-(4-니트로페닐)프로피온산, 3-(4-니트로페닐)프로피온산, 4-(4-니트로페닐)프로피온산, 3,4-디메톡시페닐아세트산, 3,4-(메틸렌디옥시)페닐아세트산, 2,5-디메톡시페닐아세트산, 3,5-디메톡시페닐아세트산, 3,4,5-트리메톡시페닐아세트산, 2,4-디니트로페닐아세트산, 4-비페닐아세트산, 1-나프틸아세트산, 2-나프틸아세트산, 6-메톡시-α-메틸-2-나프틸아세트산, 1-피렌아세트산, 9-플루오렌카르복실산, 9H-잔텐-9-카르복실산 및 2-크산톤아세트산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 상기 카르복실산계 화합물의 종류를 한정하는 것은 아니다. 또한, 상기 카르복실산계 화합물의 염은 상기 카르복실산계 화합물과 염기성 화합물을 혼합하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 염기성 화합물은 예를 들어, 아민, 모노알킬아민, 디알킬아민, 하이드라진 화합물, 수산화 4 급 암모늄염 및 포스핀 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 상기 염기성 화합물의 종류를 한정하는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 기체 발생제의 함량은 5 중량부 이상 50 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 기체 발생제의 함량은 상기 제1 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 7.5 중량부 이상 45 중량부 이하, 10 중량부 이상 37.5 중량부 이하, 15 중량부 이상 30 중량부 이하, 5 중량부 이상 30 중량부 이하, 8 중량부 이상 27.5 중량부 이하, 10 중량부 이상 25 중량부 이하, 12.5 중량부 이상 22.5 중량부 이하, 15 중량부 이상 18.5 중량부 이하, 15 중량부 이상 50 중량부 이하, 17.5 중량부 이상 47.5 중량부 이하, 18 중량부 이상 40 중량부 이하, 또는 20 중량부 이상 35 중량부 이하일 수 있다.
상기 제1 점착층에 포함되는 상기 기체 발생제의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 제1 광이 조사되는 경우에 상기 제1 점착층에 기체가 안정적으로 발생될 수 있으며, 웨이퍼에 대한 제1 점착층의 점착력을 효과적으로 저하시킬 수 있다. 또한, 상기 기체 발생제의 함량을 전술한 범위로 조절함으로써, 상기 제1 광에 의한 질소 가스 또는 이산화탄소 가스의 발생량이 적어 제1 점착층이 웨이퍼로부터 박리되지 않는 것을 효과적으로 방지할 수 있고, 제1 점착층 성분에 상기 기제 발생제가 완전히 혼합되지 않아 충분한 점착력이 구현되지 않는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 경화제(제1 경화제)의 함량은 0.1 중량부 이상 40 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 경화제의 함량은 상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 0.5 중량부 이상 35 중량부 이하, 1 중량부 이상 30 중량부 이하, 3 중량부 이상 25 중량부 이하, 4 중량부 이상 20 중량부 이하, 7.5 중량부 이상 15 중량부 이하, 0.1 중량부 이상 25 중량부 이하, 0.3 중량부 이상 22.5 중량부 이하, 0.5 중량부 이상 20 중량부 이하, 0.7 중량부 이상 18.5 중량부 이하, 1 중량부 이상 15 중량부 이하, 2.5 중량부 이상 12.5 중량부 이하, 4 중량부 이상 10 중량부 이하, 7.5 중량부 이상 10 중량부 이하, 20 중량부 이상 40 중량부 이하, 23 중량부 이상 37.5 중량부 이하, 25 중량부 이상 35 중량부 이하, 또는 27.5 중량부 이상 30 중량부 이하일 수 있다.
상기 제1 점착층에 포함되는 제1 경화제의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 제1 점착층은 충분한 응집력을 구현할 수 있고, 제1 광이 조사되기 전에 상기 웨이퍼에 대하여 우수한 점착력을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 웨이퍼 적층체에 상기 제1 광이 조사된 후, 상기 제2 점착층의 상기 웨이퍼에 대한 점착력은 1 N/inch 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 웨이퍼 적층체에 상기 제1 광이 조사된 후, 상기 제2 점착층의 상기 웨이퍼에 대한 점착력은 2 N/inch 이상, 또는 3 N/inch 이상일 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼 적층체에 상기 제1 광이 조사된 후, 상기 제2 점착층의 상기 웨이퍼에 대한 점착력은 7.5 N/inch 이하, 또는 7 N/inch 이하일 수 있다. 상기 웨이퍼 적층체에 상기 제1 광이 조사된 후, 상기 제2 점착층의 상기 웨이퍼에 대한 점착력이 전술한 범위 내인 경우, 상기 웨이퍼 에지 부분에서 상기 제2 점착층과 상기 웨이퍼 사이에 들뜸이 발생되지 않을 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼에서 상기 제1 점착층을 분리 시, 상기 제2 점착층은 상기 웨이퍼에 대하여 안정적으로 부착된 상태를 유지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 웨이퍼 적층체에 상기 제2 광이 조사된 후, 상기 제2 점착층의 상기 웨이퍼에 대한 점착력은 0.2 N/inch 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 웨이퍼 적층체에 상기 제2 광이 조사된 후, 상기 제2 점착층의 상기 웨이퍼에 대한 점착력은 0.15 N/inch 이하, 0.1 N/inch 이하, 0.09 N/inch 이하, 0.08 N/inch 이하, 0.07 N/inch 이하, 0.06 N/inch 이하, 또는 0.05 N/inch 이하일 수 있다. 상기 웨이퍼 적층체에 상기 제2 광이 조사된 후, 상기 제2 점착층의 상기 웨이퍼에 대한 점착력이 전술한 범위 내인 경우, 상기 제2 광의 조사 후에 상기 제2 점착층을 상기 웨이퍼로부터 분리하는 것이 용이할 수 있다.
본 발명에서, 상기 제1 점착층 및 상기 제2 점착층의 웨이퍼에 대한 점착력은 300 mm/min의 박리 속도, 180 °의 박리 각도의 조건에서 측정된 것일 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다른 일 실시상태에 따른 웨이퍼 적층체를 나타낸 도면이다.
본 실시상태에서 특별히 설명하지 않는 부분은 상술한 일 실시상태에 따르며, 동일한 번호는 동일한 구성 요소를, 유사한 번호는 유사한 구성요소를 나타낸다. 이하에서는 본 실시상태가 앞선 실시상태 대비 달라지는 점 위주로 설명하도록 하며, 설명을 생략한 부분은 앞선 내용으로 갈음한다. 이는 이하 후술하는 실시상태에 대해서도 마찬가지임을 알려둔다.
도 2a 및 도 2b를 참고하면, 본 발명의 일 실시상태에 따른 웨이퍼 적층체(WL)는, 웨이퍼(W), 상기 웨이퍼(W)의 일면 상에 구비되는 캐리어 필름(100), 상기 웨이퍼(W)의 타면 상에 구비되는 다이싱 필름(200)을 포함할 수 있다. 상기 캐리어 필름(100)은 제1 기재층(120)과 제1 점착층(110)을 포함하고, 상기 제1 점착층(110)이 상기 웨이퍼(W)의 일면에 부착될 수 있다.
도 2a를 참고하면, 본 발명의 일 실시상태에서 웨이퍼(W), 캐리어 필름(100) 및 다이싱 필름(200)의 크기는 동일할 수 있다. 구체적으로, 웨이퍼(W), 제1 점착층(110), 제1 기재층(120), 제2 점착층(210) 및 제2 기재층(220)의 크기는 실질적으로 동일할 수 있다. 본 발명에서 크기가 실질적으로 동일하다는 것은 크기가 동일한 것뿐만 아니라, 공정 상에서 발생하는 오차를 포함하여 크기에 다소 차이가 있는 것을 포함하는 의미일 수 있다.
도 2b를 참고하면, 본 발명의 일 실시상태에서 웨이퍼(W)와 캐리어 필름(100)의 크기는 실질적으로 동일하고, 다이싱 필름(200)의 크기는 웨이퍼(W) 및 캐리어 필름(100)의 크기보다 클 수 있다. 즉, 제2 점착층(210)의 일부분에 웨이퍼(W)가 부착될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 캐리어 필름은 제1 기재층 및 상기 제1 기재층의 일면 상에 구비되는 제1 점착층을 포함할 수 있다. 상기 제1 점착층은 제1 점착층 형성용 조성물로부터 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 점착층은 상기 제1 점착층 형성용 조성물의 건조물(또는 열경화물)을 포함할 수 있다. 상기 제1 점착층 형성용 조성물은 전술한 제1 점착성 바인더 수지, 제1 경화제 및 기체 발생제를 포함할 수 있다. 상기 제1 점착층 형성용 조성물에 포함되는 제1 점착성 바인더 수지, 제1 경화제 및 기체 발생제의 함량은 전술한 상기 제1 점착층에서 설명한 함량과 동일할 수 있다.
상기 제1 기재층 상에 제1 점착층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 상기 제1 기재층 상에 상기 제1 점착층 형성용 조성물을 도포하고 건조하여 제1 점착층을 형성하는 방법, 또는 이형필름 상에 상기 제1 점착층 형성용 조성물을 도포하고 건조하여 상기 제1 점착층을 형성하고 상기 이형필름을 사용하여 제1 점착층을 제1 기재층에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다.
이때, 제1 점착층 형성용 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 상기 제1 점착층 형성용 조성물 그대로, 또는 적당한 유기 용제에 희석하여 코마 코터, 그라비아 코터, 다이 코터 또는 리버스 코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후, 60 ℃ 이상 200 ℃의 온도에서 10 초 내지 30 분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 과정에서 제1 점착층의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징(aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 점착층의 두께는 5 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 점착층의 두께는 10 ㎛ 이상 80 ㎛ 이하, 15 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하, 20 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 또는 30 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 제1 점착층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 상기 웨이퍼를 안정적으로 지지할 수 있고, 상기 제1 광이 조사된 후에 웨이퍼로부터 용이하게 박리될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 기재층은 200 nm 이상의 파장에서 광투과율이 50 % 이상일 수 있다. 구체적으로, 200 nm 이상 400 nm 이하의 파장에서 상기 제1 기재층의 광투과율이 50 % 이상인 경우, 후술하는 제1 광을 이용하여 제1 점착층에 기체를 효과적으로 발생시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 기재층은 유리 또는 고분자 기재 필름일 수 있다. 구체적으로, 상기 고분자 기재 필름은 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르케톤, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리페닐렌설파이드, 폴리비닐클로라이드 및 폴리올레핀 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 기재층의 두께는 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 기재층의 두께는 10 ㎛ 이상 450 ㎛ 이하, 50 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하, 100 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하, 150 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하, 200 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하, 5 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하, 50 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하, 100 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하, 250 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하, 300 ㎛ 이상 450 ㎛ 이하, 또는 350 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 제1 기재층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 상기 웨이퍼를 안정적으로 지지할 수 있으며, 상기 웨이퍼로부터 상기 제1 점착층을 보다 용이하게 박리시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다이싱 필름은 제2 기재층 및 상기 제2 기재층의 일면 상에 구비되는 제2 점착층을 포함할 수 있다. 상기 제2 점착층은 제2 점착층 형성용 조성물로부터 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 점착층은 상기 제2 점착층 형성용 조성물의 건조물(또는 열경화물)을 포함할 수 있다. 상기 제2 점착층 형성용 조성물은 전술한 제2 점착성 바인더 수지, 광개시제, 광흡수제 및 제2 경화제를 포함할 수 있다. 상기 제2 점착층 형성용 조성물에 포함되는 제2 점착성 바인더 수지, 광개시제, 광흡수제 및 제2 경화제의 함량은 전술한 상기 제2 점착층에서 설명한 함량과 동일할 수 있다.
상기 제2 기재층 상에 제2 점착층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 상기 제2 기재층 상에 상기 제2 점착층 형성용 조성물을 도포하고 건조하여 제2 점착층을 형성하는 방법, 또는 이형필름 상에 상기 제2 점착층 형성용 조성물을 도포하고 건조하여 상기 제2 점착층을 형성하고 상기 이형필름을 사용하여 제2 점착층을 제2 기재층에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다.
이때, 제2 점착층 형성용 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 상기 제2 점착층 형성용 조성물 그대로, 또는 적당한 유기 용제에 희석하여 코마 코터, 그라비아 코터, 다이 코터 또는 리버스 코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후, 60 ℃ 이상 200 ℃의 온도에서 10 초 내지 30 분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 과정에서 제2 점착층의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징(aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 점착층의 두께는 5 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 점착층의 두께는 10 ㎛ 이상 80 ㎛ 이하, 15 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하, 20 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 또는 30 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 제2 점착층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 상기 웨이퍼를 안정적으로 지지할 수 있고, 상기 제2 광이 조사된 후에 웨이퍼로부터 용이하게 박리될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 기재층은 200 nm 이상의 파장에서 광투과율이 50 % 이상일 수 있다. 구체적으로, 200 nm 이상 800 nm 이하의 파장에서 상기 제2 기재층의 광투과율이 50 % 이상인 경우, 후술하는 제2 광을 이용한 제2 점착층의 광경화를 용이하게 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 기재층은 유리 또는 고분자 기재 필름일 수 있다. 구체적으로, 상기 고분자 기재 필름은 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르케톤, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리페닐렌설파이드, 폴리비닐클로라이드 및 폴리올레핀 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 기재층의 두께는 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 기재층의 두께는 10 ㎛ 이상 450 ㎛ 이하, 50 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하, 100 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하, 150 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하, 200 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하, 5 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하, 50 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하, 100 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하, 250 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하, 300 ㎛ 이상 450 ㎛ 이하, 또는 350 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 제2 기재층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 상기 웨이퍼를 안정적으로 지지할 수 있으며, 상기 웨이퍼로부터 상기 제2 점착층을 보다 용이하게 박리시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태는, 웨이퍼의 일면 상에 제1 점착층을 부착하고, 상기 웨이퍼의 타면 상에 제2 점착층을 부착하여 웨이퍼 적층체를 준비하는 단계; 및 상기 웨이퍼 적층체에 제1 파장 값을 가지는 제1 광을 조사하고, 상기 웨이퍼의 일면으로부터 상기 제1 점착층을 분리하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 점착층은 상기 제1 광에 의하여 활성화되는 기체 발생제를 포함하고, 상기 제2 점착층은 광개시제 및 광흡수제를 포함하며, 상기 광흡수제는 상기 제1 광을 흡수하는 것인 반도체 패키지 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 패키지 제조 방법은 웨이퍼 적층체에서 제1 점착층을 효과적으로 분리할 수 있어, 웨이퍼를 제1 점착층에서 제2 점착층으로 안정적으로 전사시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 패키지 제조 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다. 구체적으로, 도 3의 (a)는 웨이퍼(W)의 일면 상에 캐리어 필름(100)을 부착하는 단계를 나타낸 것이고, 도 3의 (b)는 웨이퍼(W)의 타면 상에 다이싱 필름(200)을 부착하여 웨이퍼 적층체(WL)를 제조하고, 웨이퍼 적층체(WL)에 제1 광(L1)을 조사하는 단계를 나타낸 것이고, 도 3의 (c)는 웨이퍼 적층체(WL)에서 캐리어 필름(100)을 박리하는 단계를 나타낸 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 웨이퍼의 일면 상에 제1 점착층을 부착하는 단계는, 제1 기재층 및 상기 제1 기재층의 일면 상에 구비되는 상기 제1 점착층을 포함하는 캐리어 필름의 상기 제1 점착층을 상기 웨이퍼의 일면 상에 부착하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 웨이퍼의 타면 상에 제2 점착층을 부착하는 단계는, 제2 기재층 및 상기 제2 기재층의 일면 상에 구비되는 상기 제2 점착층을 포함하는 다이싱 필름의 상기 제2 점착층을 상기 웨이퍼의 타면 상에 부착하는 것일 수 있다.
도 3의 (a)와 같이, 제1 점착층(110)을 매개로 웨이퍼(W)의 일면에 캐리어 필름(100) 부착하고, 제2 점착층(210)을 매개로 웨이퍼(W)의 타면에 다이싱 필름(200)을 부착하여, 웨이퍼 적층체(WL)를 준비할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 200 nm 이상 400 nm 이하 중 하나의 파장 값(제1 파장 값)을 가지는 제1 광을 상기 웨이퍼 적층체에 조사할 수 있다. 이때, 상기 제1 점착층에서 상기 제2 점착층을 향하는 방향을 따라 상기 제1 광을 상기 웨이퍼 적층체에 조사할 수 있다. 전술한 바와 같이, 상기 다이싱 필름에 포함된 상기 제2 점착층에는 상기 광흡수제가 포함되어 있어, 상기 제2 점착층에서 상기 제1 점착층을 향하는 방향으로 상기 제1 광을 조사하는 경우, 상기 제2 점착층의 광흡수제가 제1 광을 흡수하여 상기 제1 점착층에 기체가 안정적으로 형성되지 않는 문제가 발생할 수 있다. 이에, 상기 제1 점착층에서 상기 제2 점착층을 향하는 방향으로 상기 제1 광을 조사하여 상기 제1 점착층에 효과적으로 기체를 발생시킬 수 있다.
한편, 상기 제1 광은 상기 제2 점착층에 도달할 수 있으나, 전술한 바와 같이 상기 제2 점착층에는 상기 광흡수제가 포함되어 있어, 상기 제1 광에 의하여 상기 제2 점착층이 경화되는 것을 억제할 수 있다. 도 3을 참고하면, 제1 점착층(110)에 기체를 발생시키기 위하여 제1 광(L1)이 조사되는 경우, 웨이퍼(W)의 에지 부분에 인접한 제2 점착층(210)에도 제1 광(L1)이 조사될 수 있다. 특히, 제1 점착층(220) 부분에만 제1 광(L1)을 조사하여도 제1 광(L1)이 산란됨에 따라 제2 점착층(210)에 도달할 수 있다. 제2 점착층(210)에 상기 광흡수제가 포함되지 않는 경우, 제1 광(L1)에 의하여 제2 점착층(210) 부분이 경화되어, 웨이퍼(W)의 에지 부분에서 웨이퍼(W)와 제2 점착층(210) 사이에 들뜸이 발생될 수 있다. 반면, 전술한 바와 같이 본 발명의 일 실시상태는 제2 점착층(210)에 상기 광흡수제가 포함되어 제1 광(L1)에 의하여 제2 점착층(210)이 경화되는 것을 방지하여, 웨이퍼(W)와 제2 점착층(210) 사이에 들뜸이 발생되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 점착층을 분리하는 단계 전에, 상기 제2 점착층에 구비된 상기 웨이퍼를 다이싱하는 공정을 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 웨이퍼 적층체에서 상기 캐리어 필름을 분리한 후, 상기 다이싱 필름에 부착된 웨이퍼를 다이싱할 수 있다. 전술한 바와 같이, 상기 캐리어 필름의 상기 제1 점착층은 상기 웨이퍼로부터 용이하게 분리됨과 동시에, 상기 웨이퍼는 상기 다이싱 필름의 상기 제2 점착층은 웨이퍼에 안정적으로 부착되어 있어, 상기 웨이퍼의 다이싱 공정을 보다 용이하게 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 200 nm 이상 800 nm 이하의 파장 값 중 2 이상의 파장 값을 가지는 복합광인 제2 광을 상기 제1 점착층이 분리된 상기 웨이퍼 적층체에 조사할 수 있다. 전술한 바와 같이, 상기 제2 광이 제2 점착층에 조사됨에 따라, 상기 제2 점착층에 포함된 광개시제가 활성화되고 제2 점착층이 안정적으로 경화될 수 있다. 제2 점착층이 경화된 후, 상기 웨이퍼의 타면으로부터 상기 제2 점착층을 분리할 수 있다. 이를 통해, 다이싱 공정이 수행된 웨이퍼를 상기 다이싱 필름의 제2 점착층으로부터 용이하게 분리시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다.
실시예 1
점착성 바인더 수지의 제조
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 2-에틸헥실 아크릴레이트(2-EHA) 76.35 g, 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 23.65 g로 이루어진 단량체들의 혼합물을 투입하였다. 이어서, 상기 단량체 혼합물 100 g을 기준으로 용제인 에틸아세테이트(EAc) 200 g을 투입하고, 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30 ℃에서 30 분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도를 65 ℃로 상승 유지하고, 반응개시제인 V-60(Azobisisbutylonitrile) 0.1 g을 분할 투입하고 반응을 개시시킨 후 6시간 중합하여 1차 반응물을 제조하였다.
상기 1차 반응물에 2-메타크로일옥시에틸이소시아네이트(MOI) 26.88 g(1차 반응물 내의 HEA에 대하여 85몰%) 및 촉매(DBTDL: dibutyl tin dilaurate)를 0.27 g을 배합하고, 40 ℃에서 24 시간 동안 반응시켜 1차 반응물 내의 중합체 측쇄에 자외선 경화기를 도입하여 광중합성 측쇄를 가지는 (메트)아크릴레이트계 점착성 바인더 수지를 제조하였다. 이때, 제조된 점착성 바인더 수지의 중량평균분자량은 약 700,000 g/mol이었다.
제1 점착층을 포함하는 캐리어 필름의 제조
상기에서 제조된 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 제1 경화제로서 TDI계 이소시아네이트 경화제 2.8 중량부, 기체 발생제로서 2,2'-Azobis(2-methylpropionitrile) (분자량 164.21g/mol)을 18 중량부 혼합하여 제1 점착층 형성용 조성물을 제조하였다.
상기 제조된 제1 점착층 형성용 조성물을 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38 ㎛) 상에 도포한 후 110 ℃에서 3분간 건조하여 약 30 ㎛ 두께의 제1 점착층을 형성하였다. 이후, 제1 점착층을 100 ㎛ 두께의 제1 기재층인 폴리이미드 기재에 부착한 후 에이징을 거쳐 캐리어 필름을 제조하였다.
제2 점착층을 포함하는 다이싱 필름의 제조
상기에서 제조된 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 경화제로서 TDI계 이소시아네이트 경화제 1.2 중량부, 광개시제로서 Bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphineoxide (Omnirad 819, 분자량 418.5 g/mol) 3 중량부, 광흡수제로서 Cyasorb UV-2908 (SOLVAY社) 5 중량부를 혼합하여 제2 점착층 형성용 조성물을 제조하였다.
상기 제조된 제2 점착층 형성용 조성물을 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38 ㎛) 상에 도포한 후 110 ℃에서 3분간 건조하여 약 20 ㎛ 두께의 제2 점착층을 형성하였다. 이후, 제2 점착층을 80 ㎛ 두께의 제2 기재층인 폴리올레핀 기재에 부착한 후 에이징을 거쳐 다이싱 필름을 제조하였다.
웨이퍼 적층체의 제조
제조된 캐리어 필름에서 이형필름을 제거하고 제1 점착층을 실리콘 웨이퍼의 일면에 부착하고, 제조된 다이싱 필름에서 이형필름을 제적하고 제2 점착층을 실리콘 웨이퍼의 타면에 부착하여 웨이퍼 적층체를 제조하였다. 이때, 2 kg의 롤러를 이용하여 웨이퍼의 일면 및 타면 각각에 캐리어 필름과 다이싱 필름을 부착하였다.
실시예 2
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 점착성 바인더 수지를 제조하였다. 이후, 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여 광흡수제의 함량을 2 중량부로 조절한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제2 점착층 형성용 조성물을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제1 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제1 점착층을 포함하는 캐리어 필름을 제조하고, 제2 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제2 점착층을 포함하는 다이싱 필름을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 웨이퍼 적층체를 제조하였다.
실시예 3
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 점착성 바인더 수지를 제조하였다. 이후, 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여 광흡수제의 함량을 10 중량부로 조절한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제2 점착층 형성용 조성물을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제1 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제1 점착층을 포함하는 캐리어 필름을 제조하고, 제2 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제2 점착층을 포함하는 다이싱 필름을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 웨이퍼 적층체를 제조하였다.
실시예 4
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 점착성 바인더 수지를 제조하였다. 이후, 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여 광개시제의 함량을 1.5 중량부로 조절한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제2 점착층 형성용 조성물을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제1 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제1 점착층을 포함하는 캐리어 필름을 제조하고, 제2 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제2 점착층을 포함하는 다이싱 필름을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 웨이퍼 적층체를 제조하였다.
실시예 5
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 점착성 바인더 수지를 제조하였다. 이후, 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여 광개시제의 함량을 8 중량부로 조절하고, 광흡수제의 함량을 10 중량부로 조절한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제2 점착층 형성용 조성물을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제1 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제1 점착층을 포함하는 캐리어 필름을 제조하고, 제2 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제2 점착층을 포함하는 다이싱 필름을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 웨이퍼 적층체를 제조하였다.
실시예 6
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 점착성 바인더 수지를 제조하였다. 이후, 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 광개시제로서 Diethylthioxantone (DETX)을 사용하고 함량을 2 중량부로 조절하고, 3급 아민으로서 2-Ethylhexyl-4-dimethylaminobenzoate (EHDA)을 2 중량부 추가한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제2 점착층 형성용 조성물을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제1 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제1 점착층을 포함하는 캐리어 필름을 제조하고, 제2 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제2 점착층을 포함하는 다이싱 필름을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 웨이퍼 적층체를 제조하였다.
비교예 1
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 점착성 바인더를 제조하였다. 이후, 광흡수제를 첨가하지 않는 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제2 점착층 형성용 조성물을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제1 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제1 점착층을 포함하는 캐리어 필름을 제조하고, 제2 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제2 점착층을 포함하는 다이싱 필름을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 웨이퍼 적층체를 제조하였다.
비교예 2
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 점착성 바인더를 제조하였다. 이후, 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여 광흡수제의 함량을 0.5 중량부로 조절한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제2 점착층 형성용 조성물을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제1 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제1 점착층을 포함하는 캐리어 필름을 제조하고, 제2 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제2 점착층을 포함하는 다이싱 필름을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 웨이퍼 적층체를 제조하였다.
비교예 3
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 점착성 바인더를 제조하였다. 이후, 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여 광흡수제의 함량을 17 중량부로 조절한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제2 점착층 형성용 조성물을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제1 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제1 점착층을 포함하는 캐리어 필름을 제조하고, 제2 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제2 점착층을 포함하는 다이싱 필름을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 웨이퍼 적층체를 제조하였다.
비교예 4
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 점착성 바인더를 제조하였다. 이후, 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여 광개시제의 함량을 0.1 중량부로 조절한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제2 점착층 형성용 조성물을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제1 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제1 점착층을 포함하는 캐리어 필름을 제조하고, 제2 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제2 점착층을 포함하는 다이싱 필름을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 웨이퍼 적층체를 제조하였다.
비교예 5
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 점착성 바인더를 제조하였다. 이후, 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여 광개시제의 함량을 15 중량부로 조절한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제2 점착층 형성용 조성물을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제1 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제1 점착층을 포함하는 캐리어 필름을 제조하고, 제2 점착층 형성용 조성물을 이용하여 제2 점착층을 포함하는 다이싱 필름을 제조하였다.
이후, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 웨이퍼 적층체를 제조하였다.
상기 실시예 1 내지 실시예 6, 비교예 1 내지 비교예 5에서 제조된 제1 점착층에 포함된 기체 발생제의 함량, 제2 점착층에 포함된 경화제, 광개시제 및 광흡수제의 함량은 하기 표 1과 같다.
제1 점착층 제2 점착층
제1 경화제 기체 발생제 제2 경화제 광개시제 광흡수제
실시예 1 2.8 18 1.2 3 5
실시예 2 2.8 18 1.2 3 2
실시예 3 2.8 18 1.2 3 10
실시예 4 2.8 18 1.2 1.5 5
실시예 5 2.8 18 1.2 8 10
실시예 6 2.8 18 1.2 2 5
비교예 1 2.8 18 1.2 3 0
비교예 2 2.8 18 1.2 3 0.5
비교예 3 2.8 18 1.2 3 17
비교예 4 2.8 18 1.2 0.1 5
비교예 5 2.8 18 1.2 15 5
상기 표 1에서, 제1 경화제 및 기체 발생제의 함량은 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대한 함량이고, 제2 경화제, 광개시제 및 광흡수제의 함량은 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대한 함량이다.
실험예: 점착력 평가
실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 캐리어 필름 및 다이싱 필름을 폭 25 mm가 되도록 커팅하였다. 이후, 실시예 1 및 비교예 1의 캐리어 필름에서 이형필름을 제거하고 제1 점착층을 실리콘 웨이퍼의 일면에 부착하고, 실시예 1 및 비교예 1의 다이싱 필름에서 이형필름을 제거하고 제2 점착층을 실리콘 웨이퍼의 타면에 부착하여 웨이퍼 적층체를 각각 제조하였다. 이때, 2 kg의 롤러를 이용하여 웨이퍼의 일면 및 타면 각각에 캐리어 필름과 다이싱 필름을 부착하였다.
이후, 실시예 1 및 비교예 1의 웨이퍼 적층체에서, 제2 점착층의 웨이퍼에 대한 점착력을 하기의 방법으로 측정하였다. 구체적으로, Stable Micro SystemS社의 Texture Analyzer를 사용하여 300 mm/min의 박리 속도, 180 °의 박리 각도로 제2 점착층의 웨이퍼에 대한 점착력을 측정하였다. 실시예 1의 경우 제2 점착층의 웨이퍼에 대한 점착력은 6.7 N/inch이고, 비교예 1의 경우 제2 점착층의 웨이퍼에 대한 점착력은 3.4 N/inch이었다.
한편 상기와 별개로, 실시예 1 및 비교예 1의 웨이퍼 적층체에 대하여, 캐리어 필름에서 다이싱 필름을 향하는 방향으로 254 nm의 파장 값을 가지는 자외선(광량: 500 mJ/cm2, 수은램프)을 조사하였다. 이후, 실시예 1 및 비교예 1의 웨이퍼 적층체에서 캐리어 필름을 분리하였다.
실시예 1의 웨이퍼 적층체의 경우, 웨이퍼의 일면에서 캐리어 필름을 제거한 후에도 다이싱 필름의 제2 점착층과 웨이퍼의 타면 사이에 들뜸 현상이 발생되지 않는 것을 육안으로 확인하였다.
한편, 비교예 1의 웨이퍼 적층체의 경우, 웨이퍼의 일면에서 캐리어 필름을 제거한 후, 다이싱 필름의 제2 점착층과 웨이퍼의 타면 사이에 들뜸 현상이 발생된 것을 육안으로 확인하였다.
즉, 실시예 1은 웨이퍼를 캐리어 필름에서 다이싱 필름으로 전사 시에 다이싱 필름과 웨이퍼 간에 들뜸이 없어 전사 품질이 양호한 것을 확인하였고, 비교예 1은 웨이퍼의 전사 시에 다이싱 필름과 웨이퍼 간에 들뜸이 발생하여 전사 품질이 불량에 해당하는 것을 확인하였다.
이후, 캐리어 필름이 분리된 실시예 1 및 비교예 1의 웨이퍼 적층체에 대하여, 제2 광의 조사 전과 조사 후의 제2 점착층의 웨이퍼에 대한 점착력을 상기 방법으로 측정하였고 하기 표 2에 기재하였다. 이때, 제2 광으로서 200 nm 이상 800 nm 이하 영역의 복합 파장을 가지는 복합광(광량: 300 mJ/cm2, 수은램프)을 캐리어 필름이 분리된 웨이퍼 적층체에 조사하였다.
웨이퍼에 대한 제2 점착층의 점착력(N/inch) 웨이퍼 에지
들뜸 발생 여부
초기 254 nm UV
(제1 광)
조사 후		 복합광(제2 광)
조사 후
실시예 1 5.9 4.9 0.06 X
실시예 2 5.6 2.9 0.05 X
실시예 3 6.3 6.1 0.06 X
실시예 4 6.0 5.8 0.07 X
실시예 5 6.5 5.0 0.08 X
실시예 6 5.9 5.1 0.05 X
비교예 1 3.2 0.05 0.05 O
비교예 2 5.2 0.16 0.06 O
비교예 3 실험 진행 불가
비교예 4 5.8 5.7 5.7 X
비교예 5 6.1 0.14 0.10 O
상기 표 1 및 2를 참고하면, 제1 광 및 제2 광의 조사 전에, 웨이퍼 적층체에서 웨이퍼에 대한 제2 점착층의 점착력은 실시예 1 내지 실시예 6이 비교예 1 내지 비교예 5 대비 전반적으로 높은 것을 확인하였다.
또한, 실시예 1 내지 실시예 6의 경우, 제2 점착층에 광흡수제가 포함되어 254 nm 파장 값을 가지는 제1 광이 웨이퍼 적층체에 조사되어도, 다이싱 필름의 제2 점착층은 웨이퍼에 대하여 우수한 점착력을 유지하였고, 웨이퍼에서 제1 점착층이 분리되어도 웨이퍼 에지 부분에서 웨이퍼와 제2 점착층 간에 들뜸이 발생되지 않는 것을 확인하였다.
한편, 캐리어 필름이 분리된 후 복합광인 제2 광이 조사된 경우, 실시예 1 내지 실시예 6의 다이싱 필름의 제2 점착층은 경화되어 웨이퍼에 대한 점착력이 현저하게 감소되어 분리가 용이한 것을 확인하였다.
반면, 비교예 1은 다이싱 필름의 제2 점착층에는 광흡수제가 포함되어 있지 않아, 다이싱 필름의 제2 점착층이 경화되어 웨이퍼에 대한 점착력이 현저하게 감소되고, 웨이퍼 에지 부분에서 들뜸이 발생되는 것을 확인하였다.
또한, 비교예 2 및 비교예 5는 제1 광에 의하여 다이싱 필름의 제2 점착층이 경화되어 웨이퍼에 대한 점착력이 현저하게 감소되고, 웨이퍼 에지 부분에서 들뜸이 발생되는 것을 확인하였다.
비교예 3은 제2 점착층 내에서 광흡수제가 재결정화되어 실험 진행이 불가하였고, 비교예 4는 제2 광의 조사 후에도 제2 점착층이 경화되지 않아 웨이퍼로부터 분리되지 않는 것을 확인하였다.
따라서, 본 발명의 일 실시상태에 따른 제2 점착층은 웨이퍼에 대하여 우수한 점착력을 가지는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 필름의 제2 점착층은 캐리어 필름의 제1 점착층에 기체를 발생시키기 위한 제1 광이 조사된 경우에도 경화되지 않고 점착력을 유지하여, 캐리어 필름으로부터 다이싱 필름으로 웨이퍼를 우수한 전사 품질로 전사시킬 수 있음을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시상태에 따른 제2 점착층은 복합광인 제2 광이 조사된 경우, 웨이퍼에 대한 점착력이 현저하게 저하되어, 다이싱 공정 이후에 웨이퍼로부터 다이싱 필름을 효과적으로 분리시킬 수 있음을 알 수 있다.
WL: 웨이퍼 적층체
W: 웨이퍼
100: 캐리어 필름
110: 제1 점착층
120: 제1 기재층
200: 다이싱 필름
210: 제2 점착층
220: 제2 기재층

Claims (18)

  1. 웨이퍼;
    상기 웨이퍼의 일면 상에 구비되며, 기체 발생제를 포함하는 제1 점착층; 및
    상기 웨이퍼의 타면 상에 구비되며, 광개시제 및 광흡수제를 포함하는 제2 점착층;을 포함하고,
    상기 광흡수제는 상기 기체 발생제를 활성화시키는 광을 흡수하는 것인 웨이퍼 적층체.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 광흡수제는 200 nm 이상 400 nm 이하 중 하나의 파장 값을 가지는 광을 흡수하는 것인 웨이퍼 적층체.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 광개시제와 상기 광흡수제의 중량비는 1:0.5 내지 1:5인 것인 웨이퍼 적층체.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 기체 발생제는 아조계 화합물, 아지드계 화합물, 테트라졸계 화합물, 카르복실산계 화합물 및 이들의 염 중 적어도 하나를 포함하는 것인 웨이퍼 적층체.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 점착층은,
    점착성 바인더 수지 및 경화제를 더 포함하는 것인 웨이퍼 적층체.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 광흡수제의 함량은 1 중량부 이상 15 중량부 이하인 것인 웨이퍼 적층체.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 광개시제의 함량은 0.3 중량부 이상 10 중량부 이하인 것인 웨이퍼 적층체.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 점착성 바인더 수지 100 중량부에 대하여, 상기 경화제의 함량은 0.1 중량부 이상 40 중량부 이하인 것인 웨이퍼 적층체.
  9. 청구항 5에 있어서,
    상기 점착성 바인더 수지는,
    지방족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체, 지환족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 및 방향족기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 중 적어도 하나로부터 유래된 제1 (메트)아크릴레이트계 반복단위; 및
    히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체, 카르복시기 함유 (메트)아크릴레이트계 단량체 및 질소 함유 작용기를 포함하는 (메트)아크릴레이트계 단량체 중 적어도 하나로부터 유래된 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위;를 포함하는 것인 웨이퍼 적층체.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제2 (메트)아크릴레이트계 반복단위는 광중합성 측쇄를 포함하는 것인 웨이퍼 적층체.
  11. 웨이퍼의 일면 상에 제1 점착층을 부착하고, 상기 웨이퍼의 타면 상에 제2 점착층을 부착하여 웨이퍼 적층체를 준비하는 단계; 및
    상기 웨이퍼 적층체에 제1 파장 값을 가지는 제1 광을 조사하고, 상기 웨이퍼의 일면으로부터 상기 제1 점착층을 분리하는 단계;를 포함하고,
    상기 제1 점착층은 상기 제1 광에 의하여 활성화되는 기체 발생제를 포함하고,
    상기 제2 점착층은 광개시제 및 광흡수제를 포함하며,
    상기 광흡수제는 상기 제1 광을 흡수하는 것인 반도체 패키지 제조 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 광의 파장 값은 200 nm 이상 400 nm 이하 중 하나인 것인 반도체 패키지 제조 방법.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 광은 상기 제1 점착층에서 상기 제2 점착층을 향하는 방향으로 조사되는 것인 반도체 패키지 제조 방법.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 점착층이 분리된 상기 웨이퍼 적층체에 제2 광을 조사하고, 상기 웨이퍼의 타면으로부터 상기 제2 점착층을 분리하는 단계를 더 포함하는 것인 반도체 패키지 제조 방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 제2 광은 200 nm 이상 800 nm 이하의 파장 값 중 2 이상의 파장 값을 가지는 복합광인 것인 반도체 패키지 제조 방법.
  16. 청구항 14에 있어서,
    상기 제2 점착층을 분리하는 단계 전에,
    상기 제2 점착층에 구비된 상기 웨이퍼를 다이싱하는 공정을 더 포함하는 것인 반도체 패키지 제조 방법.
  17. 청구항 11에 있어서,
    상기 웨이퍼의 일면 상에 제1 점착층을 부착하는 단계는,
    제1 기재층 및 상기 제1 기재층의 일면 상에 구비되는 상기 제1 점착층을 포함하는 캐리어 필름의 상기 제1 점착층을 상기 웨이퍼의 일면 상에 부착하는 것인 반도체 패키지 제조 방법.
  18. 청구항 11에 있어서,
    상기 웨이퍼의 타면 상에 제2 점착층을 부착하는 단계는,
    제2 기재층 및 상기 제2 기재층의 일면 상에 구비되는 상기 제2 점착층을 포함하는 다이싱 필름의 상기 제2 점착층을 상기 웨이퍼의 타면 상에 부착하는 것인 반도체 패키지 제조 방법.
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