CN102031072A - 保持元件用压敏粘合片和生产元件的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种保持元件用压敏粘合片和生产元件的方法。一种根据本发明实施方案的保持元件用压敏粘合片，其包括基材层和设置于该基材层上并能够通过外部刺激固化的压敏粘合剂层。在所述压敏粘合剂层固化的状态下拉伸所述压敏粘合片的情况下，由下列等式表示的龟裂产生伸长率大于115％。龟裂产生伸长率(％)＝[(当所述压敏粘合剂层表面上产生龟裂时所述压敏粘合片的长度)-(所述压敏粘合片的原始长度)]/(所述压敏粘合片的原始长度)×100。

Description

保持元件用压敏粘合片和生产元件的方法
技术领域
本发明涉及一种保持元件用压敏粘合片和一种生产包括使用所述压敏粘合片的元件的方法。
背景技术
半导体元件通常通过将已进行研磨步骤的半导体晶片单片化为芯片形来生产。具体而言，生产半导体晶片以致具有大的直径。之后，将晶片进行背面研磨以具有预定厚度。此外，将晶片的背面根据需要进行处理(如蚀刻或抛光)。接着，将晶片进行切割。在切割步骤中，进行切割之前预先将晶片固定至切割用压敏粘合片上，从而可以使半导体元件单片化。之后，扩展压敏粘合片，从而可以扩展元件之间的间隙。然后，拾取单片化半导体元件。因而，回收单片化半导体元件。以下情况是允许的。即，将压敏粘合片扩展一次之后，将在扩展的压敏粘合片上的半导体元件转移至另一压敏粘合片上，并且在进行拾取之前再次进行扩展。以下情况也是允许的。即，在进行拾取之前多次重复一组扩展和转移。
为了可以确保扩展性，通常将由软的聚氯乙烯制成的膜用作在回收上述单片化半导体元件(下文中可以称为″芯片″)时使用的压敏粘合片用基材层。另外，压敏粘合剂层通常用于该粘合片。然而，近年来，已进行晶片薄型化和脆弱化(weakening)，因此具有压敏粘合剂层的压敏粘合片的使用涉及下述这样的问题。当粘合片的粘合力强时，粘合片的芯片保持性优良，但是它变得难以进行拾取。当粘合力弱时，能够容易地进行拾取，但是粘合片的芯片保持性差，从而导致例如芯片的剥离和落下。
为应付上述问题，UV固化型压敏粘合片作为具有两种功能即保持芯片用压敏粘合性和在拾取时的轻剥离性的压敏粘合片的使用已变得普遍。用UV固化型压敏粘合片，能够强固地保持芯片。另外，当该粘合片用UV光照射从而可以固化它的压敏粘合剂层时，它的粘合力降低。结果，能够容易地拾取芯片(日本经审查的专利公布No.Hei 6-16524和日本经审查的专利公布No.Hei 7-105367)。另外，公开了以下压敏粘合片作为此类UV固化型压敏粘合片(日本专利申请特开No.2005-235795)。即，为了可以减轻在扩展时压敏粘合剂层的破裂龟裂和在拾取时的粘合剂残留，该粘合片具有断裂伸长率为12-50％的压敏粘合剂层。
然而，用常规UV固化型压敏粘合片，在扩展压敏粘合片时芯片从压敏粘合剂层表面剥离，从而浮起。结果，芯片可能在拾取时由于冲击如用针状物的戳刺而飞散。
发明内容
进行本发明以解决上述常规问题，本发明的目的是提供如下的保持元件用压敏粘合片：当在保持元件的状态下进行扩展时，元件不浮起。
通过本发明的发明人进行的详细研究已发现，当在扩展压敏粘合片的步骤(扩展步骤)中，如图3A所示，压敏粘合剂层12存在于多个芯片14之间的间隙时观察到芯片浮起现象，该现象的原因是由扩展压敏粘合片导致的压敏粘合剂层表面中的龟裂。具体而言，可进行以下推测。即，当扩展保持多个芯片的状态下的压敏粘合片时，在芯片之间的间隙部分的压敏粘合剂层和基材层扩展。在此情况下，当压敏粘合片的扩展量大时，在芯片之间的间隙部分的压敏粘合剂层中产生龟裂。在产生龟裂的部分和不产生龟裂的部分处扩展量变得不均匀，施加至这些部分的应力也变得不均匀。压敏粘合片在施加大应力的部分(应力集中部分)处很大程度地变形。结果，芯片从粘合片的表面剥离，因此发生浮起。另外，在扩展压敏粘合片时，应力集中于芯片之间的间隙。结果，间隙以比整个压敏粘合片的扩展速率更大的扩展速率扩展。因此，即使当使用压敏粘合剂层的断裂伸长率为12％-50％的常规压敏粘合片时，在压敏粘合剂层存在于间隙部分的情况下，在间隙部分处的压敏粘合剂层中产生龟裂。
本发明的发明人在上述发现的基础上进行了广泛研究。结果，本发明人发现下列情况。即，当使用这种压敏粘合片时，该粘合片能够在扩展步骤中扩展而在芯片之间的间隙处的压敏粘合剂层中不产生任何龟裂，所述该压敏粘合片即使当压敏粘合剂层固化之后将该粘合片拉伸至预定长度时，在压敏粘合剂层表面中不产生龟裂。结果，防止芯片浮起，因此能够有利地拾取芯片。因而，本发明人完成了本发明。
根据本发明的一方面，提供保持元件用压敏粘合片。压敏粘合片包括基材层和设置于该基材层上并能够通过外部刺激固化的压敏粘合剂层。在所述压敏粘合剂层固化的状态下拉伸所述压敏粘合片的情况下，由下列等式表示的龟裂产生伸长率大于115％。
龟裂产生伸长率(％)＝[(当所述压敏粘合剂层表面中产生龟裂时所述压敏粘合片的长度)-(所述压敏粘合片的原始长度)]/(所述压敏粘合片的原始长度)×100。
在本发明的一实施方案中，压敏粘合剂层包括活性能量射线固化型压敏粘合剂层。
在本发明的另一实施方案中，形成所述压敏粘合剂层的材料含有基础聚合物，和相对于100重量份所述基础聚合物为1-150重量份活性能量射线固化性单体和活性能量射线固化性低聚物中的至少一种。
在本发明的再一实施方案中，形成所述压敏粘合剂层的材料含有具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系聚合物。
在本发明的再一实施方案中，所述压敏粘合片用于在扩展步骤中保持多个单片化元件。
在本发明的再一实施方案中，所述压敏粘合剂层存在于所述多个单片化元件之间的间隙。
在本发明的再一实施方案中，所述元件包含通过激光切割单片化的元件。
在本发明的再一实施方案中，所述元件包含所述单片化后转移的元件。
在本发明的再一实施方案中，该元件包括半导体元件。
根据本发明的另一方面，提供一种生产元件的方法。所述生产元件的方法包括将其上已形成多个元件的基板粘贴至所述保持元件用压敏粘合片的压敏粘合剂层的表面，将所述基板进行切割以使所述所述多个元件单片化并扩展所述保持元件用压敏粘合片以扩展多个单片化元件之间的间隙。
生产元件的另一方法包括将已单片化的多个元件转移至所述保持元件用压敏粘合片的压敏粘合剂层的表面上并扩展所述保持元件用压敏粘合片以扩展多个单片化元件之间的间隙。
在本发明的一实施方案中，所述切割包括激光切割。
本发明的保持元件用压敏粘合片能够扩展而在压敏粘合剂层中不产生任何龟裂，因为在压敏粘合剂层固化的状态下龟裂产生伸长率大于115％。结果，压敏粘合剂层在扩展时的变形与产生龟裂的情况下的压敏粘合剂层的变形相比变得均匀，因此能够防止该粘合片表面上保持的元件浮起。
附图说明
在附图中：
图1为根据本发明优选实施方案的保持元件用压敏粘合片的示意性截面图；
图2为示出在测量龟裂产生伸长率时产生龟裂的状态下的实例的照片；
图3A为示出在压敏粘合剂层存在于芯片之间的间隙的状态实例的图和图3B为示出在压敏粘合剂层不存在于芯片之间的任何间隙的状态实例的图；和
图4为示出芯片浮起判断标准的图。
具体实施方式
A.保持元件用压敏粘合片
图1为根据本发明优选实施方案的保持元件用压敏粘合片的示意性截面图。保持元件用压敏粘合片100具有基材层11和设置于基材层上并能够通过外部刺激固化的压敏粘合剂层12。保持元件用压敏粘合片100在压敏粘合剂层12上可进一步具有在其使用之前保护该层表面的隔离体13。虽然保持元件用压敏粘合片100仅在基材层11的一个表面上具有压敏粘合剂层12，但本发明不限于前述，例如压敏粘合剂层12可以设置于基材层11的两个表面的每一个上。
在本发明中，在压敏粘合剂层固化的状态下拉伸片的情况下上述保持元件用压敏粘合片的龟裂产生伸长率大于115％，优选120％以上，或更优选130-1000％。当龟裂产生伸长率为115％以下时，在扩展压敏粘合片时在压敏粘合剂层表面中产生龟裂，一些情况下芯片在应力集中部分浮起。另外，提供龟裂产生伸长率超过1000％的固化不可能赋予充分的轻剥离性，因为固化型压敏粘合剂层的粘合力通常由于该层的固化而降低。
可以如下所述测定上述龟裂产生伸长率。首先，将压敏粘合剂层已固化的压敏粘合片(70mm×20mm)安装于万能拉伸试验机上，以使卡盘至卡盘之间的距离为20mm。接着，将压敏粘合片在室温和拉伸速度为50mm/min下拉伸，直到在其压敏粘合剂层表面中产生龟裂。然后，测量在产生龟裂的时间点的压敏粘合片的长度。龟裂产生伸长率通过将所得值代入下列等式中确定。此处使用的短语″产生龟裂的时间点″是指压敏粘合剂层表面中产生的龟裂沿拉伸压敏粘合片的方向拉伸到达两侧的时间点(压敏粘合剂层表面通过龟裂分成两条的时间点)。如图2中所示，在压敏粘合剂层表面中典型地沿着基本上垂直于拉伸方向的方向以线状方式产生龟裂，并能够观察到该龟裂。因此，能够用眼睛观察是否产生龟裂。
龟裂产生伸长率(％)＝[(当所述压敏粘合剂层表面中产生龟裂时所述压敏粘合片的长度)-(所述压敏粘合片的原始长度)]/(所述压敏粘合片的原始长度)×100
通过本发明的保持元件用压敏粘合片保持的元件优选为，如由硅和砷化镓形成的半导体元件或半导体封装。下文中，详细描述元件为半导体元件的实施方案。然而，本发明的保持元件用压敏粘合片能够用于通过包括上述扩展步骤的生产方法生产的任何元件(例如，各种元件如由红宝石、玻璃和陶瓷形成的光学元件和压电元件)。
本发明保持元件用压敏粘合片的形状依赖于用途等可以为任何适合的形状。例如，保持元件用压敏粘合片能够为片形或辊形。另外，当将该粘合片用作在切割半导体晶片时切割用压敏粘合片时，将该粘合片在其使用之前预先适当地切割为预定形状。
B.基材层
基材层11起到本发明保持元件用压敏粘合片的强度母体的作用。基材层优选具有断裂伸长率为115％以上。能够毫无障碍地进行扩展步骤，只要基材层的断裂伸长率为115％以上即可。断裂伸长率可参照JIS Z0237通过下列方法测量。首先，生产具有宽为10mm和长为100mm的试验片。将试验片安装于试验机上，以使握距为50mm。然后，以300mm/min的速度拉伸试验片，并且测量直到试验片切断的拉伸率。由下列等式计算伸长率。应注意在三片试验片中进行测量，并将所得值的平均值定义为断裂伸长率。
E＝(L1-L0)/L0×100
(E：伸长率(％)，L0：初始握距(mm)，L1：切断时的握距(mm))
能够采用任何适合的基材作为构成基材层的基材，只要该粘合片能够在扩展步骤中毫无障碍地扩展即可。当层压在基材层上的压敏粘合剂层为活性能量射线固化型压敏粘合剂层时，可优选使用具有透过至少部分活性能量射线的性质的基材。
基材的具体实例包括：纤维类基材如纺织物和无纺布；纸类基材；金属类基材如金属箔和金属板；和塑料类基材如树脂膜和树脂片。这些中，可以各自优选使用塑料类基材。这是因为塑料类基材各自具有高伸长性能。
形成塑料类基材的材料的实例包括：聚烯烃如低密度聚乙烯、直链聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚的聚丙烯、嵌段共聚的聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯和聚甲基戊烯；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；离子交联树脂；乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物；乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物；乙烯-丁烯共聚物；乙烯-己烯共聚物；聚氨酯；聚酯如聚对苯二甲酸乙二醇酯；聚酰亚胺；聚醚酮；聚苯乙烯；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；氟树脂；硅酮树脂；纤维素类树脂；和聚合物如其交联产物。作为形成材料，根据需要可以使用将官能团、官能性单体或改性单体接枝至其的上述聚合物。另外，作为形成材料，可以单独使用一种上述材料，或可以组合使用适当选择的其两种以上。
基材层可以为由单一基材形成的单层结构，或可以为其中层压多个基材的多层结构。当基材层为多层结构时，各层可以为由相同材料形成的基材，或可以为由不同材料形成的基材。当基材各自为塑料类基材时，塑料类基材可以不经拉伸使用，或可以根据需要进行单轴或双轴拉伸处理。
在基材层中，由如金属或合金、或者金属或合金的氧化物形成的导电性物质的沉积层能够设置于上述基材上，以赋予抗静电能力。沉积层具有厚度为如约
Figure BSA00000298792300081
基材层厚度可以依赖于用途等设定为任何适合的值。基材层厚度通常为10-300μm，或优选为约30-200μm。
可以采用任何适合的方法作为生产基材层的方法。例如，当基材层为塑料膜层时，可以适当采用生产方法如压延制膜、流延制膜、膨胀挤出或T模挤出。当基材层具有多层结构时，可以采用常规膜层压方法如共挤出法或干式层压法，条件是使用上述任何此类聚合物。
基材层表面可以根据需要进行表面处理，以改进如与相邻层的粘合性或对相邻层的保持性。表面处理的实例包括：化学或物理处理如铬酸处理、暴露于臭氧、暴露于火焰、暴露于高压电击、离子辐射处理、消光处理(mat treatment)、电晕放电处理、底漆处理和交联处理。
C.压敏粘合剂层
压敏粘合剂层12具有通过外部刺激固化的性质。由于此性质，压敏粘合剂层发挥高压敏粘合性以致在其固化之前能够强固地保持芯片，并在其因外部刺激固化之后能够发挥轻剥离性，因为压敏粘合性降低。外部刺激的实例包括：用活性能量射线如X射线、UV光和粒子射线的照射以及加热。压敏粘合剂层优选为通过用活性能量射线照射而固化的活性能量射线固化型压敏粘合剂层。
各自优选地例举含基础聚合物和活性能量射线固化性单体与活性能量射线固化性低聚物中的至少之一的活性能量射线固化型压敏粘合剂(下文中，可称为″添加型活性能量射线固化型压敏粘合剂″)，以及含具有聚合性碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的活性能量射线固化型压敏粘合剂(下文中，可称为″基础聚合物型活性能量射线固化型压敏粘合剂″)作为形成活性能量射线固化型压敏粘合剂层的材料。
能够采用任何适合的聚合物作为添加型活性能量射线固化型压敏粘合剂中的基础聚合物，只要该层能够发挥压敏粘合性即可。基础聚合物的具体实例包括：(甲基)丙烯酸系聚合物和橡胶类聚合物。基础聚合物优选为(甲基)丙烯酸系聚合物。应注意，本说明书中使用的术语″(甲基)丙烯酸系″是指包括术语″丙烯酸系″和″甲基丙烯酸系″两者。
上述(甲基)丙烯酸系聚合物的实例优选包括具有(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体单元的聚合物。(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基的实例包括优选各自具有1-20个碳原子的直链烷基、支链烷基或环烷基，更优选各自具有1-10个碳原子的直链烷基、支链烷基或环烷基，或特别优选甲基、乙基、丁基、2-乙己基和辛基。上述(甲基)丙烯酸系聚合物可以为通过仅使用一种(甲基)丙烯酸烷基酯获得的均聚物，或可以为通过使用两种以上(甲基)丙烯酸烷基酯获得的共聚物。
为改进内聚强度或耐热性等的目的，上述(甲基)丙烯酸系聚合物可根据需要包括，对应于与上述(甲基)丙烯酸烷基酯可共聚的其它单体的单体单元。其它共聚性单体的实例包括：含羧基的单体如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；酸酐单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基的单体如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯和(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯；在其侧链含氮的单体如(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基酰胺(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸烷氨基烷基酯(例如，甲基丙烯酸二甲氨基乙酯或甲基丙烯酸叔丁氨基乙酯等)、N-乙烯吡咯烷酮、丙烯酰吗啉、丙烯腈和N，N-二甲基丙烯酰胺；含烷氧基的单体如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯和(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；含磺酸基的单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基的单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯。可以单独使用一种其它共聚性单体，或可以组合使用其两种以上。
作为与上述(甲基)丙烯酸烷基酯可共聚的其它单体，也可以使用多官能单体。当使用多官能单体时，可以获得具有交联结构的(甲基)丙烯酸系聚合物。多官能单体的实例包括：二(甲基)丙烯酸己二醇酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯和聚氨酯(甲基)丙烯酸酯。可以单独使用一种多官能单体，或可以以其两种以上组合使用。
上述(甲基)丙烯酸系聚合物可以具有聚合性碳-碳双键。能够将可用作所述基础聚合物型活性能量射线固化型压敏粘合剂的基础聚合物的(甲基)丙烯酸系聚合物用作具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系聚合物。稍后描述该聚合物。
上述(甲基)丙烯酸系聚合物具有优选为500,000以上、或更优选为约800,000-3,000,000的重均分子量。当重均分子量小于500,000时，不再能够获得充分的内聚强度，并在一些情况下发生芯片的污染等。另外，当重均分子量超过3,000,000时，压敏粘合剂层在压敏粘合片扩展时断裂，并在一些情况下易于产生龟裂。
上述(甲基)丙烯酸系聚合物通过聚合一种或两种以上上述单体获得。可以根据包括溶液聚合、乳液聚合、本体聚合和悬浮聚合的方式中的任一种来进行聚合。
作为活性能量射线固化性单体或低聚物，可以采用具有通过用活性能量射线照射而交联的官能团如聚合性碳-碳双键的单体或低聚物。具有该官能团的单体或低聚物的实例包括三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸和多元醇的酯化产物、丙烯酸酯(ester acrylate)低聚物、2-丙烯基-3-丁烯基氰脲酸酯、异氰脲酸酯和异氰脲酸酯化合物。这些中，优选在一个分子中含有平均6个以上聚合性碳-碳双键的单体或低聚物，如二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯。可以单独使用一种活性能量射线固化性单体或低聚物，或可以组合使用其两种以上。应注意，不特别限定活性能量射线固化性单体或低聚物的粘度。
上述活性能量射线固化性单体和低聚物在添加型活性能量射线固化型压敏粘合剂中的总配混量优选为1-150重量份，更优选为1-100重量份，特别优选为5-50重量份，或最优选为10-40重量份，相对于100重量份基础聚合物。只要配混量落入上述范围内，固化就充分地降低压敏粘合剂层的粘合力。结果，能够容易地剥离芯片。此外，能够防止由扩展压敏粘合片导致的固化之后的压敏粘合剂层中的龟裂产生。另一方面，当配混量小于1重量份时，压敏粘合剂层通过用活性能量射线照射不能充分地固化，因此在一些情况下不能容易地剥离元件。另外，当配混量超过150重量份时，在扩展保持元件用压敏粘合片时龟裂易于在固化之后的压敏粘合剂层中产生，因此在一些情况下不能获得期望的龟裂产生伸长率。
另一方面，在上述基础聚合物型活性能量射线固化型压敏粘合剂中，基础聚合物本身具有通过用活性能量射线照射而交联这样的性质。因此，不必要添加上述活性能量射线固化性单体或低聚物，可以任意选择。在不含具有低分子量的单体或低聚物的压敏粘合剂中，此低分子量组分随着时间推移不能移动，因此能够形成具有稳定结构的压敏粘合剂层。
可以将在其任一侧链中、在其主链中或在其主链末端具有聚合性碳-碳双键的聚合物用作作为上述基础聚合物型活性能量射线固化型压敏粘合剂的基础聚合物的具有聚合性碳-碳双键的聚合物。此类聚合物优选以下聚合物。即，将可以用作上述添加型活性能量射线固化型压敏粘合剂中的基础聚合物的(甲基)丙烯酸系聚合物用作基本骨架，并且将聚合性碳-碳双键引入至该基本骨架中。考虑到分子设计的容易性，优选将聚合性碳-碳双键引入至上述(甲基)丙烯酸系聚合物侧链。
每分子上述具有聚合性碳-碳双键的聚合物中的聚合性碳-碳双键的数目优选为平均6个以上。只要每分子中聚合性碳-碳双键的数目为平均6个以上，压敏粘合剂通过用活性能量射线照射充分地固化，因此降低粘合力。结果，能够容易地剥离芯片。
可以采用任何适合的方法作为将聚合性碳-碳双键引入至上述(甲基)丙烯酸系聚合物的方法。将聚合性碳-碳双键引入至上述(甲基)丙烯酸系聚合物侧链的方法为，例如涉及以下的方法：共聚各自具有官能团的单体以合成在其任何一侧链上具有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物；和在合成之后将具有能够与该官能团反应的官能团和聚合性碳-碳双键的化合物进行缩合或加成反应同时维持聚合性碳-碳双键的活性能量射线固化性。
上述能够互相反应的官能团的组合为例如羧基和环氧基、羧基和氮丙啶基，或羟基和异氰酸酯基的组合。这些官能团的组合中，优选羟基和异氰酸酯基的组合，这是因为能够容易地追踪反应。只要具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系聚合物能够通过这些官能团的组合的任一种获得，各官能团是否存在于(甲基)丙烯酸系聚合物上或者具有聚合性碳-碳双键的化合物上不存在问题。在羟基和异氰酸酯基的组合中，优选：(甲基)丙烯酸系聚合物具有羟基；上述具有聚合性碳-碳双键的化合物具有异氰酸酯基。
具有聚合性碳-碳双键的异氰酸酯化合物的实例包括：甲基丙烯酰异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯和间异丙烯基-α，α-二甲基苄基异氰酸酯。
在其侧链具有羟基的(甲基)丙烯酸系聚合物的实例包括：通过共聚醚类化合物如上述例举的含羟基的单体、2-羟乙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚和二甘醇单乙烯基醚获得的聚合物。
在上述具有聚合性碳-碳双键的异氰酸酯化合物和在其侧链具有羟基的(甲基)丙烯酸系聚合物之间的缩合反应中，可以设定各异氰酸酯化合物和(甲基)丙烯酸系聚合物的配混量，以使异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的摩尔数优选为1-90，或更优选为5-80，相对于100摩尔(甲基)丙烯酸系聚合物的羟基。只要羟基和异氰酸酯基之间的比例落入上述范围内，缩合反应就有效地进行，因此能够获得具有充分的活性能量射线固化性的(甲基)丙烯酸系聚合物。另一方面，当异氰酸酯基的摩尔数相对于100摩尔羟基超过90时，固化之后的聚合物之间的交联密度增加，因此在一些情况下在扩展保持元件用压敏粘合片之时易于在压敏粘合剂层表面中产生龟裂。
上述具有聚合性碳-碳双键的聚合物具有优选为500,000以上、或更优选为约800,000-3,000,000的重均分子量。当重均分子量小于500,000时，不再能够获得充分的内聚强度，并在一些情况下发生芯片的污染等。另外，当重均分子量超过3,000,000时，压敏粘合剂层在压敏粘合片扩展时断裂，并在一些情况下易于产生龟裂。
上述基础聚合物型活性能量射线固化型压敏粘合剂可以根据需要含有活性能量射线固化性单体和活性能量射线固化性低聚物中的至少一种。活性能量射线固化性单体和低聚物的优选实例包括各自用于上述添加型活性能量射线固化型压敏粘合剂中的活性能量射线固化性单体和低聚物。
上述活性能量射线固化性单体和低聚物在上述基础聚合物型活性能量射线固化型压敏粘合剂中的总配混量优选为1-150重量份，更优选为1-100重量份，特别优选为1-50重量份，或最优选为5-40重量份，相对于100重量份基础聚合物。当配混量超过150重量份时，在扩展保持元件用压敏粘合片时龟裂易于在固化之后的压敏粘合剂层中产生，因此在一些情况下不能获得期望的龟裂产生伸长率。
各上述添加型和基础聚合物型活性能量射线固化型压敏粘合剂可以根据需要进一步含有外部交联剂。基础聚合物和外部交联剂在压敏粘合剂中互相反应。结果，基础聚合物交联，因此能够增加其重均分子量。可以采用任何适合的交联剂作为外部交联剂。外部交联剂的具体实例包括：多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺树脂、脲醛树脂、无水化合物、多胺和含羧基的聚合物。
可以依赖于例如与要交联的基础聚合物的平衡和保持元件用压敏粘合片的用途适当地设定外部交联剂的配混量。通常，外部交联剂的配混量为0.1-10重量份，相对于100重量份上述基础聚合物。
各上述添加型和基础聚合物型活性能量射线固化型压敏粘合剂可以根据需要进一步含有光聚合引发剂。因为光聚合引发剂通过用光线如UV光照射活化，所以当任一此类压敏粘合剂为UV固化性时可以特别适合地使用光聚合引发剂。
光聚合引发剂的实例包括：苯偶姻烷基醚类如苯偶姻甲醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻异丙醚和苯偶姻异丁醚；芳族酮类如苯偶酰、苯偶姻、二苯甲酮和α-羟基环己基苯基酮；芳族缩酮类如苄基二甲基缩酮；和噻吨酮类如聚乙烯基二苯甲酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮和二乙基噻吨酮。
光聚合引发剂的配混量为例如0.1-20重量份，或优选为约0.5-10重量份，相对于100重量份压敏粘合剂中的基础聚合物。
根据需要，除上述任何此类组分之外，各上述添加型和基础聚合物型活性能量射线固化型压敏粘合剂可以进一步含有任何适当的添加剂如增粘剂、抗氧化剂、填料或着色剂。
当外部刺激为热时，压敏粘合剂层能够由含基础聚合物和热固性树脂的热固性压敏粘合剂形成，或由含热固性树脂作为基础聚合物的热固性压敏粘合剂形成。能够采用任何适合的树脂作为热固性树脂。
由任何上述此类压敏粘合剂形成的压敏粘合剂层优选在固化状态具有对拉伸的高耐断裂性。当固化的压敏粘合剂层具有高耐断裂性时，能够获得龟裂产生伸长率大于115％的保持元件用压敏粘合片。
能够采用任何合适的方法作为改进固化之后的压敏粘合剂层的耐断裂性的方法。该方法的实例包括：涉及降低上述压敏粘合剂中基础聚合物的分子量的方法；涉及降低基础聚合物的交联度的方法；涉及调整压敏粘合剂中固化树脂、低聚物和单体的配混量的方法；涉及将抑制龟裂的产生的组分添加至压敏粘合剂的方法；和这些方法两种以上的组合。这些中，可以优选采用涉及调整压敏粘合剂中固化树脂、低聚物和单体的配混量的方法。通常，降低基础聚合物的分子量或交联度趋于降低压敏粘合剂的内聚强度。因此，改进耐断裂性，但在一些情况下不能获得充分的粘合力或压敏粘合剂粘贴至已被拾取的芯片上。然而，根据涉及调整压敏粘合剂中固化树脂等的配混量的方法，即使当使用具有大分子量或大交联度的基础聚合物时，也能够获得以下压敏粘合剂层：其固化之前发挥强固的粘合力和固化之后达到轻剥离性和耐断裂性之间高水平的相容性。应注意，优选具有1000以下分子量的物质作为抑制龟裂产生的组分，例如可以使用具有1000以下分子量的增塑剂或表面活性剂。
上述压敏粘合剂层的厚度优选为1-50μm，或更优选为3-20μm。只要该厚度落入上述范围内，能够容易地扩展固化之后的保持元件用压敏粘合片。因此，能够毫无障碍地进行扩展步骤，并能够在固化之前强固地保持元件。另一方面，当厚度超过50μm时，固化之后的保持元件用压敏粘合片的扩展需要大强度。另外，当厚度小于1μm时，在一些情况下不能可靠地保持元件。压敏粘合剂层可以为单层，或可以为多层的层压体。
能够采用任何适合的方法作为层压上述基材层和压敏粘合剂层的方法。该方法的实例包括：涉及直接施涂上述压敏粘合剂至构成基材层的基材表面上的方法；涉及施涂上述压敏粘合剂至其上已施涂脱模剂的片材、干燥施涂的压敏粘合剂以形成压敏粘合剂层和转移所得物至基材上的方法；和涉及施涂上述压敏粘合剂至其上已施涂脱模剂的片材、干燥施涂的压敏粘合剂以形成压敏粘合剂层和层压基材至压敏粘合剂层上的方法。
D.隔离体
隔离体13具有如保护和平滑压敏粘合剂层表面、标签加工和防止粘连(blocking prevention)的功能。当需要这些功能时可以适当地设置隔离体。
隔离体能够由任何适合的形成材料形成。形成材料的具体实例包括：纸和合成树脂膜如聚乙烯、聚丙烯和聚对苯二甲酸乙二醇酯。为了能改进从压敏粘合剂层的剥离性，可以将隔离体根据需要用如硅酮类、长链烷基类、氟类或硫化钼类脱模剂表面进行剥离处理。另外，为了能防止压敏粘合剂层因环境UV光而固化，可以根据需要将表面进行如UV保护处理。
隔离体的厚度通常为10-200μm，或优选约25-100μm。
E.保持元件用压敏粘合片的使用
上述保持元件用压敏粘合片在扩展步骤和拾取步骤中典型地保持多个芯片。具体而言，为了能够扩展芯片之间的间隙，在将该粘合片在其表面上保持多个芯片的状态下扩展之前，上述保持元件用压敏粘合片的压敏粘合剂层通过外部刺激固化。接着，在压敏粘合剂层发挥其轻剥离性的状态下用固晶机(diebonder)等拾取芯片。在优选实施方案中，上述保持元件用压敏粘合片起着切割用压敏粘合片的作用。即，芯片能够通过以下回收：粘贴和固定半导体晶片至上述保持元件用压敏粘合片上；进行切割；切割之后固化压敏粘合剂层；和扩展固化之后的保持元件用压敏粘合片。
在扩展步骤中，压敏粘合剂层优选存在于多个芯片之间的任何间隙处。这是因为上述保持元件用压敏粘合片能够适当地发挥防止芯片浮起的效果。例如，当上述保持元件用压敏粘合片用作切割用压敏粘合片时，进行切割以致压敏粘合剂层保留于切割线中，然后通过扩展压敏粘合片进行扩展步骤，在扩展步骤中压敏粘合剂层将存在于多个芯片之间的任何间隙处。另外，例如，当在进行扩展步骤之前将已进行切割的多个芯片转移至上述保持元件用压敏粘合片时，在扩展步骤中压敏粘合剂层将存在于多个芯片之间的任何间隙处。
能够采用任何适合的方法作为压敏粘合剂层保留在切割线中的切割用方法。该方法的优选具体实例包括：涉及切割晶片至小于晶片厚度的深度和割断晶片以将晶片单片化为芯片的划线法(scribing method)；涉及通过用激光烧蚀加工晶片以将晶片单片化为芯片的激光切割法；和涉及通过激光加工改质晶片内部和扩展压敏粘合片以割断晶片的隐形切割法(stealth dicing method)。这些中，优选激光切割法，这是因为该方法适合于精细切割。
F.生产元件的方法
根据本发明的另一方面，提供生产元件的方法。要生产的元件的优选实例包括：由硅和砷化镓形成的半导体元件和半导体封装。下文中，详细描述该元件为半导体元件的实施方案。然而，能够通过本发明的生产方法生产任何适合的元件(如由红宝石、玻璃和陶瓷形成的各种元件如光学元件和压电元件)。
在第一实施方案中，本发明生产元件的方法包括以下步骤：将其上已形成多个元件的基板粘贴至本发明上述保持元件用压敏粘合片的压敏粘合剂层表面(安装步骤)；将该基板进行切割以单片化多个元件(切割步骤)；和扩展保持元件用压敏粘合片以扩展多个单片化元件之间的间隙(扩展步骤)。
安装步骤为将具有在其表面上形成的多个半导体元件的半导体晶片和上述保持元件用压敏粘合片粘贴的步骤。粘贴的方法例如为涉及将半导体晶片和上述保持元件用压敏粘合片相互叠加以使压敏粘合剂层侧可以作为粘贴面叠加并用压制装置如加压辊压制所得物的方法。可选择地，粘贴可以通过以下进行：在加压容器如高压釜内如上所述相互叠加半导体晶片和上述保持元件用压敏粘合片；和将容器内部加压。在此情况下，可以粘贴所述晶片和所述片同时用任何适合的压制装置压制该粘合片。此外，晶片和该粘合片能够在真空室内以与前述相同的方式粘贴。粘贴时的温度不特别限定，优选为20-80℃。因为在压敏粘合剂层固化之前上述保持元件用压敏粘合片能够发挥高粘合力，所以在安装步骤中能够容易且强固地粘贴半导体晶片。
切割步骤为单片化半导体晶片以生产芯片的步骤。能够采用任何适合的方法作为切割方法。可以优选采用压敏粘合剂层保留在切割线中的切割方法。这是因为上述保持元件用压敏粘合片能够适当地发挥防止芯片浮起的作用。此类切割方法的优选实例包括：涉及切割晶片至小于晶片厚度的深度和割断晶片以将晶片单片化为芯片的划线法；涉及通过用激光烧蚀加工晶片以将晶片单片化为芯片的激光切割法；和涉及通过激光加工改质晶片内部和扩展压敏粘合片以割断晶片的隐形切割法。这些中，优选激光切割法，这是因为该方法适合于精细切割。
扩展步骤为扩展上述保持元件用压敏粘合片以扩展芯片之间的间隙的步骤。当扩展芯片之间的各间隙时，能够容易地拾取芯片。保持元件用压敏粘合片的扩展典型地通过沿该粘合片的径向施加张力来进行。例如，保持元件用压敏粘合片的扩展能够通过沿扩展环的径向以预定量下拉用切割环固定的压敏粘合片周边部分来进行。下拉量一般情况下为约1-50mm，或优选为约1-30mm。因为上述保持元件用压敏粘合片具有大于115％的龟裂产生伸长率，所以能够避免在扩展时压敏粘合剂层表面中或尤其是在芯片之间的间隙部分的压敏粘合剂层表面中产生龟裂。结果，保持元件用压敏粘合片均匀地扩展，和能够防止由于应力集中而局部地发生大的变形。因此，能够防止从压敏粘合剂层表面剥离芯片而浮起的现象。
在第一实施方案的生产方法中，将外部刺激如用活性能量射线照射或加热在切割步骤之后和扩展步骤之前的时间内施加至上述保持元件用压敏粘合片的压敏粘合剂层。结果，压敏粘合剂层固化，其粘合力能够显著地降低。因此，芯片能够容易地从保持元件用压敏粘合片中剥离。可以依赖于目的等适当地设定用活性能量射线照射的条件如照射强度和照射时间，或加热的条件如加热时间和加热温度。
在第二实施方案中，本发明的生产元件的方法包括以下步骤：将已单片化的多个元件转移至本发明上述保持元件用压敏粘合片的压敏粘合剂层表面上(转移步骤)；和扩展保持元件用压敏粘合片以扩展多个单片化元件之间的间隙(扩展步骤)。转移步骤和扩展步骤可以各自重复进行至少两次。各自重复进行这些步骤能够额外的扩展元件之间的各间隙。
转移步骤为转移和粘贴已通过切割单片化的多个元件至上述保持元件用压敏粘合片上的步骤。能够采用任何适合的方法作为转移用方法。例如，将半导体晶片粘贴和固定于任何适合的切割用压敏粘合片上，然后进行切割。粘贴切割用压敏粘合片和上述保持元件用压敏粘合片，以使所得芯片夹入中间。接着，剥离切割用压敏粘合片。结果，将多个芯片转移至上述保持元件用压敏粘合片。可以用压制装置如加压辊进行粘贴。
要转移的芯片可仅通过任何适合的切割法单片化，可以为例如根据如图3B所示将压敏粘合剂层完全切断的方式进行切割的芯片。
因为该扩展步骤与上述第一实施方案的扩展步骤相同，所以省略该步骤的描述。
在第二实施方案的生产方法中，将外部刺激如用活性能量射线照射或加热在转移步骤之后和扩展步骤之前的时间内施加至上述保持元件用压敏粘合片的压敏粘合剂层。结果，压敏粘合剂层固化，其粘合力能够显著地降低。因此，芯片能够容易地剥离并从保持元件用压敏粘合片回收。可以依赖于目的等适当地设定用活性能量射线照射的条件如照射强度和照射时间，或加热的条件如加热时间和加热温度。
第一和第二实施方案的生产方法在扩展步骤之后各自典型地包括拾取芯片的步骤。拾取步骤为剥离保持在上述扩展的保持元件用压敏粘合片表面上的芯片的步骤。能够采用任何适合的方法作为拾取用方法。该方法的实例为涉及用针状物从压敏粘合片侧推动各芯片和用拾取设备拾取推动的芯片的方法。因为在扩展步骤中上述保持元件用压敏粘合片抑制芯片的剥离，所以能够防止由于在拾取时的冲击导致的芯片的飞散。
元件可以根据需要通过组合上述第一实施方案的生产方法和第二实施方案的生产方法来生产。具体而言，在本发明的生产元件的方法中，在进行上述安装步骤、切割步骤和扩展步骤之后和进行拾取步骤之前的时间内，转移步骤和扩展步骤能够各自进行一至数次。
下文中，通过实施例具体描述本发明。然而，本发明决不限于这些实施例。应注意，实施例等中的测量方法如下所述。
[测量龟裂产生伸长率的方法]
将样品(70mm×20mm)安装于万能拉伸试验机(由ORIENTEC制造，产品名″RTC-1150A″)上，以使卡盘至卡盘之间的距离为20mm。将该样品在室温和拉伸速度为50mm/min下拉伸，直到产生龟裂。测量在产生龟裂时压敏粘合片的长度。重复测量两次，然后通过使用平均测量值由下列等式来确定龟裂产生伸长率。
龟裂产生伸长率(％)＝[(当所述压敏粘合剂层表面中产生龟裂时所述压敏粘合片的长度)-(所述压敏粘合片的原始长度)]/(所述压敏粘合片的原始长度)×100
在上述龟裂产生伸长率的测量中，在用万能拉伸试验机拉伸压敏粘合片期间连续地目视观察压敏粘合片。结果，在压敏粘合片表面(压敏粘合剂层表面)中出现基本上垂直于拉伸方向的线。因为基本上垂直的线为压敏粘合剂层表面中产生的龟裂，所以测量当获得该线沿拉伸压敏粘合片的方向延伸达到两侧的状态的观察结果时的压敏粘合片长度作为当压敏粘合剂层表面中产生龟裂时的压敏粘合片长度。
[测量重均分子量的方法]
合成丙烯酸系聚合物的重均分子量通过下列方法测量。换言之，将合成丙烯酸系聚合物溶解于四氢呋喃(THF)中，以使其浓度为0.1重量％。然后，重均分子量通过凝胶渗透色谱法(GPC)以聚苯乙烯换算来测量。以下描述测量的条件。
GPC设备：HLC-8120GPC(由TOSOH CORPORATION制造)
柱：(GMHHR-H)+(GMHHR-H)+(G2000HHR)(由TOSOHCORPORATION制造)
流速：0.8ml/min
浓度：0.1重量％
注射量：100μl
柱温：40℃
洗脱液：THF
[生产例1]
丙烯酸系聚合物A的生产
将丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯和丙烯酸2-羟乙酯根据组成″丙烯酸丁酯∶丙烯酸乙酯∶丙烯酸2-羟乙酯＝50∶50∶20(重量比)″共聚。因而，获得在其侧链具有羟基的丙烯酸系聚合物。接着，将60％来自于丙烯酸系聚合物的丙烯酸2-羟乙酯的羟基键合至2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(2-异氰酸乙酯基甲基丙烯酸酯)。因而，生产在其侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物A。所得丙烯酸系聚合物A的重均分子量以聚苯乙烯换算为400,000。
[生产例2]
丙烯酸系聚合物B的生产
丙烯酸系聚合物B根据组成″丙烯酸2-乙基己酯∶丙烯酸甲酯∶丙烯酸＝30∶70∶10(重量比)″通过共聚丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯和丙烯酸来生产。所得丙烯酸系聚合物B的重均分子量以聚苯乙烯换算为800,000。
[实施例1]
首先，将100重量份生产例2中获得的丙烯酸系聚合物B、35重量份作为活性能量射线固化性单体的二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA：由Nippon Kayaku Co.，Ltd.制造)、3.5重量份交联剂(由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造，商品名″Coronate L″)和5重量份光聚合引发剂(由Ciba-Geigy制造，商品名″IRGACURE 651″)溶解于甲苯中。因而，获得聚合物溶液。将所得聚合物溶液用涂布器施涂至隔离体(通过将PET#38进行硅酮剥离处理获得的膜)。之后，通过干燥除去挥发性组分如溶剂。因而，获得将厚度为20μm的活性能量射线固化型压敏粘合剂层设置于隔离体上的层压体。将通过使乙烯-乙酸乙烯酯共聚物进行挤出成型获得的膜(乙酸乙烯酯含量：9重量％，厚度：115μm)通过将层压体的压敏粘合剂层侧作为基材用手动辊层压。因而，获得保持元件用压敏粘合片1(压敏粘合剂层厚度：20μm)。
[实施例2]
除了通过将100重量份生产例2中获得的丙烯酸系聚合物B、35重量份活性能量射线固化性低聚物(由The Nippon Synthetic Chemical Industry Co.，Ltd.制造，商品名″SHIKOHUV-1700B″)、3.5重量份交联剂(由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造，商品名″Coronate L″)和5重量份光聚合引发剂(由Ciba-Geigy制造，商品名″IRGACURE 651″)溶解于甲苯中获得聚合物溶液之外，以与实施例1中相同的方式获得保持元件用压敏粘合片2(压敏粘合剂层厚度：20μm)。
[实施例3]
除了通过将100重量份生产例2中获得的丙烯酸系聚合物B、25重量份活性能量射线固化性低聚物(由The Nippon Synthetic Chemical Industry Co.，Ltd.制造，商品名″SHIKOHUV-1700B″)、3.5重量份交联剂(由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造，商品名″Coronate L″)和5重量份光聚合引发剂(由Ciba-Geigy制造，商品名″IRGACURE 651″)溶解于甲苯中获得聚合物溶液之外，以与实施例1中相同的方式获得保持元件用压敏粘合片3(压敏粘合剂层厚度：20μm)。
[比较例1]
除了通过将100重量份生产例1中获得的丙烯酸系聚合物A、5重量份活性能量射线固化性低聚物(由The Nippon Synthetic Chemical Industry Co.，Ltd.制造，商品名″SHIKOH UV-1700B″)、1重量份交联剂(由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造，商品名″Coronate L″)和5重量份光聚合引发剂(由Ciba-Geigy制造，商品名″IRGACURE 651″)溶解于甲苯中获得聚合物溶液之外，以与实施例1中相同的方式获得保持元件用压敏粘合片C1(压敏粘合剂层厚度：20μm)。
[比较例2]
除了通过将100重量份生产例1中获得的丙烯酸系聚合物A、1重量份交联剂(由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造，商品名″Coronate L″)和5重量份光聚合引发剂(由Ciba-Geigy制造，商品名″IRGACURE 651″)溶解于甲苯中获得聚合物溶液之外，以与实施例1中相同的方式获得保持元件用压敏粘合片C2(压敏粘合剂层厚度：20μm)。
将上述各实施例和比较例中获得的压敏粘合片用锐利的割刀切割为测量为70mm×20mm的片，以致在该粘合片侧面中不可能产生碎片等。然后，在以下条件下在从基材侧设置隔离体的状态下进行用UV光的照射。之后，剥离隔离体，并将残留物进行上述龟裂产生伸长率的测量。表1示出结果。
<用UV光照射的条件>
设备：购自NITTO SEIKI CO.，Ltd.，商品名″NEL UM-810″的设备
UV光照度：20mW/cm2
UV光量：500mJ/cm2
通过使用上述各实施例和比较例中获得的压敏粘合片进行下列步骤，并观察压敏粘合剂层中龟裂的存在或不存在和在扩展压敏粘合片时芯片浮起的存在或不存在。
[安装步骤]
将切割用压敏粘合片(由Nitto Denko Corporation制造，商品名″ELEP HOLDER DU-300，″聚烯烃基材，片厚：85μm)用手动辊粘贴至4英寸硅晶片的镜面(厚度：200μm)。因而，获得切割用工件。
[切割步骤]
所得切割用工件通过在以下条件下进行切割变成芯片。因而，获得具有芯片的工件。
<切割条件>
设备：购自DISCO Corporation，商品名″DFD-651″的设备
切割刀片：购自DISCO Corporation，商品名″NBC-ZH205027HECC″的刀片
切割速度：80mm/sec
刀片旋转数：40,000rpm
刀片高度：50μm
切割水量：1L/min
芯片尺寸：1mm×1mm
将所得具有芯片的工件用UV光从切割用压敏粘合片侧在以下条件下照射。
<用UV光照射的条件>
设备：购自NITTO SEIKI CO.，Ltd.，商品名″NEL UM-810″的设备
UV光照度：20mW/cm2
UV光量：500mJ/cm2
[转移步骤]
将上述各实施例和比较例中获得的压敏粘合片用手动辊粘贴至其上已保持芯片的上述具有芯片的工件表面。接着，将切割用压敏粘合片剥离。因此，获得扩展用具有芯片的工件。
[扩展步骤]
将所得扩展用具有芯片的工件立即粘贴至6英寸切割环(由DISCO Corporation制造，型号″DTF 2-6-1″)，然后将所得物在室温下放置30分钟。之后，在与上述那些切割用压敏粘合片相同的条件下进行用UV光的照射，从而可以固化压敏粘合剂层。接着，将该环固定于手动扩张器台架上，然后将压敏粘合片下拉20mm。因此，扩展压敏粘合片。
[压敏粘合剂层中龟裂和芯片浮起的观察]
将已经历扩展步骤的各压敏粘合片的表面用显微镜(在放大倍率为100下)观察。因而，观察是否在芯片之间的间隙中压敏粘合剂层中存在龟裂。另外，用显微镜(在放大倍率为100下)观察各压敏粘合片背面，并把芯片浮起到达距芯片侧的距离为200μm以上的地点的情况认为″存在″芯片浮起(例如，图4中，由芯片的左侧与右侧和虚线围绕的两区域各自显示芯片从压敏粘合剂层表面浮起的区域，在此情况下，把从芯片侧至浮起发展至最大程度的部分的距离a为200μm以上认为″存在″芯片浮起，把距离a为小于200μm认为″不存在″芯片浮起)。表1示出结果。
[表1]
  龟裂产生伸长率   是否存在龟裂   是否存在芯片浮起
 比较例1   84％   存在   存在
 比较例2   110％   存在   存在
 实施例1   117％   不存在   不存在
 实施例2   163％   不存在   不存在
 实施例3   239％   不存在   不存在
如表1中所示，在实施例的所有保持元件用压敏粘合片1-3的每一个中，在芯片之间的间隙处的压敏粘合剂层表面中没有观察到龟裂，也没有观察到芯片浮起。相反，在各自具有龟裂产生伸长率小于115％的比较例的各压敏粘合片C1和C2中，在芯片之间的间隙处的压敏粘合剂层表面中观察到龟裂，并发生与龟裂相关的芯片浮起。
本发明保持元件用压敏粘合片可以适当用于包括扩展步骤的各种元件或典型为半导体元件的生产中。

Claims (14)

1.一种保持元件用压敏粘合片，所述压敏粘合片包含：
基材层；和
压敏粘合剂层，所述压敏粘合剂层设置于所述基材层上并能够通过外部刺激固化，
其中在所述压敏粘合剂层固化的状态下拉伸所述压敏粘合片的情况下，由下列等式表示的龟裂产生伸长率大于115％：
龟裂产生伸长率(％)＝[(当所述压敏粘合剂层表面中产生龟裂时所述压敏粘合片的长度)-(所述压敏粘合片的原始长度)]/(所述压敏粘合片的原始长度)×100。
2.根据权利要求1所述的保持元件用压敏粘合片，其中所述压敏粘合剂层包含活性能量射线固化型压敏粘合剂层。
3.根据权利要求2所述的保持元件用压敏粘合片，其中形成所述压敏粘合剂层的材料含有基础聚合物，和相对于100重量份所述基础聚合物为1-150重量份的活性能量射线固化性单体和活性能量射线固化性低聚物中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的保持元件用压敏粘合片，其中形成所述压敏粘合剂层的材料含有具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系聚合物。
5.根据权利要求1所述的保持元件用压敏粘合片，其中所述压敏粘合片用于在扩展步骤中保持多个单片化元件。
6.根据权利要求5所述的保持元件用压敏粘合片，其中所述压敏粘合剂层存在于所述多个单片化元件之间的间隙处。
7.根据权利要求5所述的保持元件用压敏粘合片，其中所述元件包含通过激光切割单片化的元件。
8.根据权利要求5所述的保持元件用压敏粘合片，其中所述元件包含在所述单片化后转移的元件。
9.根据权利要求1所述的保持元件用压敏粘合片，其中所述元件包含半导体元件。
10.一种生产元件的方法，其包括：
将其上已形成多个元件的基板粘贴至根据权利要求1所述的保持元件用压敏粘合片的所述压敏粘合剂层的表面；
将所述基板进行切割以使所述多个元件单片化；和
扩展所述保持元件用压敏粘合片以扩展所述多个单片化元件之间的间隙。
11.根据权利要求10所述的生产元件的方法，其中所述切割包含激光切割。
12.根据权利要求10所述的生产元件的方法，其中所述元件包含半导体元件。
13.一种生产元件的方法，其包含：
将已单片化的多个元件转移至根据权利要求1所述的保持元件用压敏粘合片的所述压敏粘合剂层的表面上；和
扩展所述保持元件用压敏粘合片以扩展所述多个单片化元件之间的间隙。
14.根据权利要求13所述的生产元件的方法，其中所述元件包含半导体元件。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11251226B2 (en) 2016-06-29 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Systems and methods for transfer of micro-devices

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
WO2012172959A1 (ja) * 2011-06-14 2012-12-20 電気化学工業株式会社 粘着シート及び電子部品の製造方法
JP6482865B2 (ja) * 2014-12-26 2019-03-13 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101215448A (zh) * 2007-01-05 2008-07-09 日东电工株式会社 半导体基板加工用粘合片
CN101381587A (zh) * 2007-09-06 2009-03-11 日东电工株式会社 切片用粘合片和切片方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0616524B2 (ja) 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
US5714029A (en) * 1984-03-12 1998-02-03 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Process for working a semiconductor wafer
JPS63193981A (ja) * 1987-02-06 1988-08-11 F S K Kk ウエハ貼着用粘着シ−ト
JPH07105367B2 (ja) 1991-11-05 1995-11-13 日本加工製紙株式会社 半導体ウエハダイシング用粘着シート
JP3147455B2 (ja) * 1992-01-20 2001-03-19 富士通株式会社 半導体ウェーハの切断方法
JPH07105368B2 (ja) * 1992-08-05 1995-11-13 日本加工製紙株式会社 半導体ウエハダイシング用粘着シート
JP3255741B2 (ja) * 1992-12-22 2002-02-12 リンテック株式会社 ウェハダイシング方法、およびこの方法に用いる放射線照射装置ならびにウェハ貼着用粘着シート
US6298637B1 (en) * 1997-09-19 2001-10-09 Southpac Trust International, Inc. Packaging material
US6534136B2 (en) * 1997-09-19 2003-03-18 Southpac Trust Int'l. Inc. Packaging material
US6202390B1 (en) * 1997-09-19 2001-03-20 Southpac Trust International, Inc. Packaging process
US6401436B2 (en) * 1997-09-19 2002-06-11 Southpac Trust International, Inc. Packaging material
US20040028852A1 (en) * 2001-08-21 2004-02-12 Weder Donald E. Flexible, inflatable packaging materials and methods of making and using same
JP2001345287A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US20050221031A1 (en) * 2001-08-21 2005-10-06 Weder Donald E Flexible packaging materials and methods of making and using same
EP1635390B1 (en) * 2002-03-12 2011-07-27 Hamamatsu Photonics K. K. Substrate dividing method
JP2005235795A (ja) 2004-02-17 2005-09-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体ウエハ加工用粘着テープ
JP4717086B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2009206292A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Panasonic Corp 半導体基板、および半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101215448A (zh) * 2007-01-05 2008-07-09 日东电工株式会社 半导体基板加工用粘合片
CN101381587A (zh) * 2007-09-06 2009-03-11 日东电工株式会社 切片用粘合片和切片方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11251226B2 (en) 2016-06-29 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Systems and methods for transfer of micro-devices
US11843025B2 (en) 2016-06-29 2023-12-12 Applied Materials, Inc. Methods for transfer of micro-devices

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