JP3147455B2 - 半導体ウェーハの切断方法 - Google Patents
半導体ウェーハの切断方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイシングブレードに
より半導体ウェーハを切断して個々の半導体チップに分
離する半導体ウェーハの切断方法、特に半導体ウェーハ
の切断の際に破砕微細片を発生させない半導体ウェーハ
の切断方法に関する。
より半導体ウェーハを切断して個々の半導体チップに分
離する半導体ウェーハの切断方法、特に半導体ウェーハ
の切断の際に破砕微細片を発生させない半導体ウェーハ
の切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】次に、従来の半導体ウェーハの切断方法
について図３を参照して説明する。図３は、従来の半導
体ウェーハの切断方法を説明するための図であって、同
図(a)は半導体ウェーハを切断する状態を模式的に示す
要部側断面図、同図(b) は半導体ウェーハの切断する状
態を模式的に示す要部正面図、同図(c) は破砕微細片が
飛散する状態を示す要部側断面図である。
について図３を参照して説明する。図３は、従来の半導
体ウェーハの切断方法を説明するための図であって、同
図(a)は半導体ウェーハを切断する状態を模式的に示す
要部側断面図、同図(b) は半導体ウェーハの切断する状
態を模式的に示す要部正面図、同図(c) は破砕微細片が
飛散する状態を示す要部側断面図である。
【０００３】ダイシングブレードにより半導体ウェーハ
を個々の半導体チップに分離するための従来の半導体ウ
ェーハの切断方法は、同図(a) 及び同図(c) に示すよう
に、プラスチックシート32a に粘着剤32b を塗布して形
成したウェーハシート32に半導体ウェーハ31を貼着した
後に、この半導体ウェーハ31とともにウェーハシート32
をダイシングソーのテーブル10に固定し、そして、ダイ
シングソーの高速度で回転しているダイシングブレー
ド、例えば、粒径が４〜８μｍ程度のダイヤモンド砥粒
を薄いニッケル(Ni)円板に分散させて形成した刃先が平
坦なダイシングブレード11と半導体ウェーハ31とをこの
半導体ウェーハ31の表面と平行な方向に相対移動させて
行なっていた。
を個々の半導体チップに分離するための従来の半導体ウ
ェーハの切断方法は、同図(a) 及び同図(c) に示すよう
に、プラスチックシート32a に粘着剤32b を塗布して形
成したウェーハシート32に半導体ウェーハ31を貼着した
後に、この半導体ウェーハ31とともにウェーハシート32
をダイシングソーのテーブル10に固定し、そして、ダイ
シングソーの高速度で回転しているダイシングブレー
ド、例えば、粒径が４〜８μｍ程度のダイヤモンド砥粒
を薄いニッケル(Ni)円板に分散させて形成した刃先が平
坦なダイシングブレード11と半導体ウェーハ31とをこの
半導体ウェーハ31の表面と平行な方向に相対移動させて
行なっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の半導
体ウェーハ31の幾つかある切断方法の中の一つの切断方
法であるフルカット法、すなわち、個々の半導体チップ
31' が完全に分離状態となるように半導体ウェーハ31を
切断する方法は、ダイシングブレード11の平坦な刃先が
ウェーハシート32の粘着層32b をその表面から０〜１０
μｍ程度の深さまで切り込むようにして行なっていた。
体ウェーハ31の幾つかある切断方法の中の一つの切断方
法であるフルカット法、すなわち、個々の半導体チップ
31' が完全に分離状態となるように半導体ウェーハ31を
切断する方法は、ダイシングブレード11の平坦な刃先が
ウェーハシート32の粘着層32b をその表面から０〜１０
μｍ程度の深さまで切り込むようにして行なっていた。
【０００５】このため、如上のようなフルカット法によ
り半導体ウェーハ31を切断すると、半導体ウェーハ31へ
のダイシングブレード11が切り込み跡である切断溝31a
の深奥部に隣接するエッヂに沿ってチッピング(Chippin
g;半導体ウェーハのエッヂの不定形破断跡) 31c が発生
し、このチッピング31c を形成した半導体ウェーハ31の
破砕微細片31d がウェーハシート32の粘着層32b に被着
した状態で切断溝31a内に残留することとなる。
り半導体ウェーハ31を切断すると、半導体ウェーハ31へ
のダイシングブレード11が切り込み跡である切断溝31a
の深奥部に隣接するエッヂに沿ってチッピング(Chippin
g;半導体ウェーハのエッヂの不定形破断跡) 31c が発生
し、このチッピング31c を形成した半導体ウェーハ31の
破砕微細片31d がウェーハシート32の粘着層32b に被着
した状態で切断溝31a内に残留することとなる。
【０００６】したがって、同図(c) に示す如く、針状の
突き上げピン33をウェーハシート32のプラスチックシー
ト32a 側から突き通し、このウェーハシート32に貼着し
ている半導体チップ31' を突き上げると、破砕微細片31
d が切断溝31a から飛び出して半導体チップ31' の表面
に落下することが間々発生し、その電極（図示せず）間
等を短絡することが少なくなかった。
突き上げピン33をウェーハシート32のプラスチックシー
ト32a 側から突き通し、このウェーハシート32に貼着し
ている半導体チップ31' を突き上げると、破砕微細片31
d が切断溝31a から飛び出して半導体チップ31' の表面
に落下することが間々発生し、その電極（図示せず）間
等を短絡することが少なくなかった。
【０００７】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであって、その目的は半導体ウェーハの
切断の際に破砕微細片を発生させない半導体ウェーハの
切断方法を提供することにある。
になされたものであって、その目的は半導体ウェーハの
切断の際に破砕微細片を発生させない半導体ウェーハの
切断方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的は、図１に示す
ように、プラスチックシートに粘着剤を被着してなるウ
ェーハシートに半導体ウェーハを接着し、多数の砥粒を
含む金属により形成されて回転状態のダイシングブレー
ドにより半導体ウェーハを切断する半導体ウェーハの切
断方法において、前記切断を、中心部の直径が両端部の
直径より大きな刃先を有する第１のダイシングブレード
21を使用し、この第１のダイシングブレード21の刃先の
中心部に対応する部分の半導体ウェーハ31は完全に切断
し、第１のダイシングブレード21の刃先の両端部に対応
する部分の半導体ウェーハ31は未切断部31b を残して切
断する第１の切断工程と、第１の切断工程終了後に刃先
が平坦で第１のダイシングブレード(21)の砥粒より粒径
の小さな砥粒だけを含む金属により形成した第２のダイ
シングブレード22を、第１の切断工程作業実施時に第１
のダイシングブレード21の切り込みにより形成された半
導体ウェーハ31の切断溝31a に侵入させて、未切断部31
b だけを切断する第２の切断工程とを含んでなることを
特徴とする半導体ウェーハの切断方法により達成され
る。
ように、プラスチックシートに粘着剤を被着してなるウ
ェーハシートに半導体ウェーハを接着し、多数の砥粒を
含む金属により形成されて回転状態のダイシングブレー
ドにより半導体ウェーハを切断する半導体ウェーハの切
断方法において、前記切断を、中心部の直径が両端部の
直径より大きな刃先を有する第１のダイシングブレード
21を使用し、この第１のダイシングブレード21の刃先の
中心部に対応する部分の半導体ウェーハ31は完全に切断
し、第１のダイシングブレード21の刃先の両端部に対応
する部分の半導体ウェーハ31は未切断部31b を残して切
断する第１の切断工程と、第１の切断工程終了後に刃先
が平坦で第１のダイシングブレード(21)の砥粒より粒径
の小さな砥粒だけを含む金属により形成した第２のダイ
シングブレード22を、第１の切断工程作業実施時に第１
のダイシングブレード21の切り込みにより形成された半
導体ウェーハ31の切断溝31a に侵入させて、未切断部31
b だけを切断する第２の切断工程とを含んでなることを
特徴とする半導体ウェーハの切断方法により達成され
る。
【０００９】
【作用】本発明の半導体ウェーハの切断方法は、第１の
切断工程で未切断部31b を意識的に残し、そして、第２
の切断工程において肌理の細かい第２のダイシングブレ
ード22により未切断部31b を研磨するが如く切断するよ
うに構成している。
切断工程で未切断部31b を意識的に残し、そして、第２
の切断工程において肌理の細かい第２のダイシングブレ
ード22により未切断部31b を研磨するが如く切断するよ
うに構成している。
【００１０】したがって、本発明の半導体ウェーハの切
断方法は、半導体ウェーハの切断時にチッピング31c を
発生させないから破砕微細片31d も発生することがな
い。
断方法は、半導体ウェーハの切断時にチッピング31c を
発生させないから破砕微細片31d も発生することがな
い。
【００１１】
【実施例】以下、本発明のそれぞれの請求項に係る実施
例の半導体ウェーハの切断方法について図１及び図２を
参照しながら説明する。
例の半導体ウェーハの切断方法について図１及び図２を
参照しながら説明する。
【００１２】図１は、本発明の請求項１にかかる一実施
例の半導体ウェーハの切断方法を説明するための図であ
って、同図(a) はファーストカットの状態を模式的に示
す要部断面図、同図(b) はセカンドカットの状態を模式
的に示す要部断面図である。なお、本明細書において
は、同一部品、同一材料等に対しては全図をとおして同
じ符号を付与してある。
例の半導体ウェーハの切断方法を説明するための図であ
って、同図(a) はファーストカットの状態を模式的に示
す要部断面図、同図(b) はセカンドカットの状態を模式
的に示す要部断面図である。なお、本明細書において
は、同一部品、同一材料等に対しては全図をとおして同
じ符号を付与してある。
【００１３】本発明の請求項１に係る一実施例の半導体
ウェーハの切断方法は、同図(a) 及び同図(b) に示すよ
うに、プラスチックシート32a に粘着剤32b を被着して
なるウェーハシート32に半導体ウェーハ31を接着し、砥
粒（例えば、ダイヤモンド砥粒）を分散させた金属（例
えば、ニッケル）により形成した円板状のダイシングブ
レードにより切断する工程を、第１の切断工程と、この
第１の切断工程後に実施する第２の切断工程とで構成し
たものである。
ウェーハの切断方法は、同図(a) 及び同図(b) に示すよ
うに、プラスチックシート32a に粘着剤32b を被着して
なるウェーハシート32に半導体ウェーハ31を接着し、砥
粒（例えば、ダイヤモンド砥粒）を分散させた金属（例
えば、ニッケル）により形成した円板状のダイシングブ
レードにより切断する工程を、第１の切断工程と、この
第１の切断工程後に実施する第２の切断工程とで構成し
たものである。
【００１４】第１の切断工程は、中心部の直径が両端部
の直径より大きくＶ字状をしたを刃先を有するととも
に、粒径が４〜８μｍのダイヤモンド砥粒を分散させた
厚さが６０〜７０μｍ程度のニッケル円板で構成した第
１のダイシングブレード21を使用し、第１のダイシング
ブレード21の刃先の中心部に対応する部分の半導体ウェ
ーハ31は完全に切断するものの、第１のダイシングブレ
ード21の刃先の両端部に対応する部分の半導体ウェーハ
31は切断溝31a 内に未切断部31b として意識的に残して
切断（ファーストカット）するように構成した切断工程
であり、また、第１の切断工程終了後に実施する第２の
切断工程は、刃先が平坦で厚さが第１のダイシングブレ
ード21と同一で、しかも、第１のダイシングブレードの
ダイヤモンド砥粒の粒径より小さな粒径、例えば、１〜
４μｍ程度の粒径のダイヤモンド砥粒を分散させたニッ
ケル円板で構成されて肌理の細かな第２のダイシングブ
レード22を切断溝31a 内に侵入させて、この未切断部31
b を切断（セカンドカット）するように構成したもので
ある。
の直径より大きくＶ字状をしたを刃先を有するととも
に、粒径が４〜８μｍのダイヤモンド砥粒を分散させた
厚さが６０〜７０μｍ程度のニッケル円板で構成した第
１のダイシングブレード21を使用し、第１のダイシング
ブレード21の刃先の中心部に対応する部分の半導体ウェ
ーハ31は完全に切断するものの、第１のダイシングブレ
ード21の刃先の両端部に対応する部分の半導体ウェーハ
31は切断溝31a 内に未切断部31b として意識的に残して
切断（ファーストカット）するように構成した切断工程
であり、また、第１の切断工程終了後に実施する第２の
切断工程は、刃先が平坦で厚さが第１のダイシングブレ
ード21と同一で、しかも、第１のダイシングブレードの
ダイヤモンド砥粒の粒径より小さな粒径、例えば、１〜
４μｍ程度の粒径のダイヤモンド砥粒を分散させたニッ
ケル円板で構成されて肌理の細かな第２のダイシングブ
レード22を切断溝31a 内に侵入させて、この未切断部31
b を切断（セカンドカット）するように構成したもので
ある。
【００１５】したがって、このような第２のダイシング
ブレード22による未切断部31b の切断は、恰もこの未切
断部31b を研磨して除去するが如く行なわれるために、
切断溝31a に隣接する半導体ウェーハ31のエッヂ部にチ
ッピング31c が発生することがないから破砕微細片31d
も発生しない。
ブレード22による未切断部31b の切断は、恰もこの未切
断部31b を研磨して除去するが如く行なわれるために、
切断溝31a に隣接する半導体ウェーハ31のエッヂ部にチ
ッピング31c が発生することがないから破砕微細片31d
も発生しない。
【００１６】次に、本発明の請求項２〜４に係るそれぞ
れの一実施例の半導体ウェーハの切断方法について図２
を参照して説明する。図２は、本発明の請求項２〜４に
係るそれぞれの一実施例の半導体ウェーハの切断方法を
説明するための図であって、同図(a) は請求項２に係る
一実施例の半導体ウェーハの切断方法におけるセカンド
カットの状態を模式的に示す要部断面図、同図(b) は請
求項３に係る一実施例の半導体ウェーハの切断方法にお
けるセカンドカットの状態を模式的に示す要部断面図、
同図(c) は請求項４に係る一実施例の半導体ウェーハの
切断方法におけるセカンドカットの状態を模式的に示す
要部断面図である。
れの一実施例の半導体ウェーハの切断方法について図２
を参照して説明する。図２は、本発明の請求項２〜４に
係るそれぞれの一実施例の半導体ウェーハの切断方法を
説明するための図であって、同図(a) は請求項２に係る
一実施例の半導体ウェーハの切断方法におけるセカンド
カットの状態を模式的に示す要部断面図、同図(b) は請
求項３に係る一実施例の半導体ウェーハの切断方法にお
けるセカンドカットの状態を模式的に示す要部断面図、
同図(c) は請求項４に係る一実施例の半導体ウェーハの
切断方法におけるセカンドカットの状態を模式的に示す
要部断面図である。
【００１７】図２の(a) 〜(c) で示すように本発明の請
求項２〜４に係るそれぞれの一実施例の半導体ウェーハ
の切断方法は、図１により説明した請求項１に係る半導
体ウェーハの切断方法の第１の切断工程と、刃先の中心
部の直径が両端部の直径より小さく、かつ第２のダイシ
ングブレードと同一素材よりなる第３のダイシングブレ
ードを如上の第１の切断工程において形成された半導体
ウェーハの切断溝に侵入させて未切断部を切断する工程
とで構成したものである。
求項２〜４に係るそれぞれの一実施例の半導体ウェーハ
の切断方法は、図１により説明した請求項１に係る半導
体ウェーハの切断方法の第１の切断工程と、刃先の中心
部の直径が両端部の直径より小さく、かつ第２のダイシ
ングブレードと同一素材よりなる第３のダイシングブレ
ードを如上の第１の切断工程において形成された半導体
ウェーハの切断溝に侵入させて未切断部を切断する工程
とで構成したものである。
【００１８】したがって、本発明の請求項２に係る一実
施例の半導体ウェーハの切断方法においても、未切断部
を研磨して除去するが如く行なわれるために破砕微細片
が発生することもなく、然も、第３のダイシングブレー
ドの刃先の中央部の周溝から未切断部の微細粉末が効果
的に除去されることとなる。
施例の半導体ウェーハの切断方法においても、未切断部
を研磨して除去するが如く行なわれるために破砕微細片
が発生することもなく、然も、第３のダイシングブレー
ドの刃先の中央部の周溝から未切断部の微細粉末が効果
的に除去されることとなる。
【００１９】本発明の請求項２に係る一実施例の半導体
ウェーハの切断方法は、同図(a) に示すように、上述し
た請求項１に係る半導体ウェーハの切断方法の第１の切
断工程と、第２のダイシングブレード22と同一材質且つ
同一厚さ、かつ刃先の中心部の直径が両端部の直径より
小さい第３のダイシングブレード23を第２のダイシング
ブレード22に代えて第２の切断工程で使用するように構
成したものである。
ウェーハの切断方法は、同図(a) に示すように、上述し
た請求項１に係る半導体ウェーハの切断方法の第１の切
断工程と、第２のダイシングブレード22と同一材質且つ
同一厚さ、かつ刃先の中心部の直径が両端部の直径より
小さい第３のダイシングブレード23を第２のダイシング
ブレード22に代えて第２の切断工程で使用するように構
成したものである。
【００２０】したがって、本発明の請求項２に係る一実
施例の半導体ウェーハの切断方法においても、第１の切
断工程で意識的に残した切断溝31a 内の未切断部31b の
切断は、前述した請求項１の半導体ウェーハの切断方法
と同様に未切断部31b を研磨するが如く行なわれるため
にチッピング31c が発生することがないので破砕微細片
31d は発生しないことはもちろんのこと、未切断部31b
を切断する際に発生する粉末状の切り粉が第３のダイシ
ングブレード23の刃先の中央部の周溝23a から冷却水
（図示せず）により効果的に除去されることとなる。
施例の半導体ウェーハの切断方法においても、第１の切
断工程で意識的に残した切断溝31a 内の未切断部31b の
切断は、前述した請求項１の半導体ウェーハの切断方法
と同様に未切断部31b を研磨するが如く行なわれるため
にチッピング31c が発生することがないので破砕微細片
31d は発生しないことはもちろんのこと、未切断部31b
を切断する際に発生する粉末状の切り粉が第３のダイシ
ングブレード23の刃先の中央部の周溝23a から冷却水
（図示せず）により効果的に除去されることとなる。
【００２１】本発明の請求項３に係る一実施例の半導体
ウェーハの切断方法は、同図(b) に示すように、請求項
１に係る半導体ウェーハの切断方法の第１の切断工程
と、厚さだけを第２のダイシングブレード22の厚さより
僅かに、例えば、２μｍ程度厚くした第４のダイシング
ブレード24を、この第２のダイシングブレード22に代え
て第２の切断工程で使用するように構成したものであ
る。
ウェーハの切断方法は、同図(b) に示すように、請求項
１に係る半導体ウェーハの切断方法の第１の切断工程
と、厚さだけを第２のダイシングブレード22の厚さより
僅かに、例えば、２μｍ程度厚くした第４のダイシング
ブレード24を、この第２のダイシングブレード22に代え
て第２の切断工程で使用するように構成したものであ
る。
【００２２】したがって、この半導体ウェーハの切断方
法は、本発明の請求項１に係る半導体ウェーハの切断方
法と同様に破砕微細片31d を発生することなく半導体ウ
ェーハ31を切断できるとともに、切断溝31a に面してい
る半導体チップ31' の側面の平滑度を向上することとな
る。
法は、本発明の請求項１に係る半導体ウェーハの切断方
法と同様に破砕微細片31d を発生することなく半導体ウ
ェーハ31を切断できるとともに、切断溝31a に面してい
る半導体チップ31' の側面の平滑度を向上することとな
る。
【００２３】本発明の請求項４に係る一実施例の半導体
ウェーハの切断方法は、同図(c) に示すように、請求項
１に係る半導体ウェーハの切断方法の第１の切断工程
と、厚さだけを請求項２記載の第３のダイシングブレー
ド23の厚さより、例えば、２μｍ程度厚くした第５のダ
イシングブレード25を、第２のダイシングブレード22に
代えて第２の切断工程で使用するように構成したもので
ある。
ウェーハの切断方法は、同図(c) に示すように、請求項
１に係る半導体ウェーハの切断方法の第１の切断工程
と、厚さだけを請求項２記載の第３のダイシングブレー
ド23の厚さより、例えば、２μｍ程度厚くした第５のダ
イシングブレード25を、第２のダイシングブレード22に
代えて第２の切断工程で使用するように構成したもので
ある。
【００２４】したがって、このように構成した半導体ウ
ェーハの切断方法は、本発明の請求項１に係る半導体ウ
ェーハの切断方法と同様に破砕微細片31d を発生するこ
となく半導体ウェーハ31を切断できるとともに、請求項
３の半導体ウェーハの切断方法におけると同様に未切断
部31b を切断する際に発生する粉末状の切り粉が第５の
ダイシングブレード25の刃先の中央部の周溝25a から冷
却水（図示せず）により効果的に除去されることとな
る。
ェーハの切断方法は、本発明の請求項１に係る半導体ウ
ェーハの切断方法と同様に破砕微細片31d を発生するこ
となく半導体ウェーハ31を切断できるとともに、請求項
３の半導体ウェーハの切断方法におけると同様に未切断
部31b を切断する際に発生する粉末状の切り粉が第５の
ダイシングブレード25の刃先の中央部の周溝25a から冷
却水（図示せず）により効果的に除去されることとな
る。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体ウ
ェーハの切断の際に破砕微細片を発生させない半導体ウ
ェーハの切断方法を提供する。
ェーハの切断の際に破砕微細片を発生させない半導体ウ
ェーハの切断方法を提供する。
【００２６】したがって、本発明の半導体ウェーハの切
断方法により切断されて分離された半導体チップは、そ
の電極間が破砕微細片により短絡されることがないか
ら、半導体装置の製造歩留りを向上するとともに、この
半導体装置の信頼度をも向上することとなる。
断方法により切断されて分離された半導体チップは、そ
の電極間が破砕微細片により短絡されることがないか
ら、半導体装置の製造歩留りを向上するとともに、この
半導体装置の信頼度をも向上することとなる。
【図１】は、本発明の請求項１に係る一実施例の半導体
ウェーハの切断方法を説明するための図、
ウェーハの切断方法を説明するための図、
【図２】は、本発明の請求項２〜４に係るそれぞれの一
実施例の半導体ウェーハの切断方法を説明するための
図、
実施例の半導体ウェーハの切断方法を説明するための
図、
【図３】は、従来の半導体ウェーハの切断方法を説明す
るための図である。
るための図である。
10は、テーブル、11は、ダイシングブレード、21〜25
は、第１〜第５のダイシングブレード、31は、半導体ウ
ェーハ、31' は、半導体チップ、31a は、切断溝、31b
は、未切断部、31c は、チッピング、31d は、破砕微細
片、32は、ウェーハシート、32a は、プラスチックシー
ト、32b は、粘着層、33は、突き上げピンをそれぞれ示
す。
は、第１〜第５のダイシングブレード、31は、半導体ウ
ェーハ、31' は、半導体チップ、31a は、切断溝、31b
は、未切断部、31c は、チッピング、31d は、破砕微細
片、32は、ウェーハシート、32a は、プラスチックシー
ト、32b は、粘着層、33は、突き上げピンをそれぞれ示
す。
Claims (4)
- 【請求項１】 プラスチックシートに粘着剤を被着して
なるウェーハシートに半導体ウェーハを接着し、多数の
砥粒を含む金属により形成されて回転状態のダイシング
ブレードにより半導体ウェーハを切断する半導体ウェー
ハの切断方法において、 前記切断を、中心部の直径が両端部の直径より大きな刃
先を有する第１のダイシングブレード(21)を使用し、当
該第１のダイシングブレード(21)の刃先の中心部に対応
する部分の前記半導体ウェーハ(31)は完全に切断し、前
記第１のダイシングブレード(21)の刃先の両端部に対応
する部分の当該半導体ウェーハ(31)は未切断部(31b) を
残して切断する第１の切断工程と、 前記第１の切断工程終了後に刃先が平坦で前記第１のダ
イシングブレード(21)の砥粒より粒径の小さな砥粒だけ
を含む第２のダイシングブレード(22)を、前記第１の切
断工程で当該第１のダイシングブレード(21)の切り込み
により形成された前記半導体ウェーハ(31)の切断溝(31
a) に侵入させて、前記未切断部(31b) だけを切断する
第２の切断工程とを含んでなることを特徴とする半導体
ウェーハの切断方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウェーハの切断方
法において、前記第２のダイシングブレード(22)として
当該第２のダイシングブレード(22)と同一材質且つ同一
厚さ、かつ刃先の中心部の直径が両端部の直径より小さ
い第３のダイシングブレード(23)を使用することを特徴
とする半導体ウェーハの切断方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体ウェーハの切断方
法において、前記第２のダイシングブレード(22)として
厚さだけを当該第２のダイシングブレード(22)の厚さよ
り僅かに厚くした第４のダイシングブレード(24)を使用
することを特徴とする半導体ウェーハの切断方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体ウェーハの切断方
法において、前記第２のダイシングブレード(22)として
請求項２記載の前記第３のダイシングブレード(23)の厚
さより僅かに厚くした第５のダイシングブレード(25)を
使用することを特徴とする半導体ウェーハの切断方法。
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP705592A JP3147455B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体ウェーハの切断方法 |
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