JP2005129741A - ダイシングブレード及びダイシング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】裏面にダイアタッチフィルムが貼付された極薄のウェーハのダイシングにおいて、ブレード先端部へのダイアタッチフィルム材の付着によるダイシングブレードの目詰まりを抑制するとともに、切り粉の排除機能を向上させたダイシングブレード、及びダイシング方法を提供すること。
【解決手段】ダイシングブレードは、砥粒の粒度が#4000〜#6000で、砥粒の集中度が60〜90とし、結合材にはニッケルよりも軟質の金属を用いるとともに、外周部に複数のV字型切欠きを形成した。
また、ダイシングブレードは上記のダイシングブレードを用い、室温よりも低温に冷却した切削水をダイシングブレード及びウェーハに供給しながらダイシングするようにした。
【選択図】 図1
【解決手段】ダイシングブレードは、砥粒の粒度が#4000〜#6000で、砥粒の集中度が60〜90とし、結合材にはニッケルよりも軟質の金属を用いるとともに、外周部に複数のV字型切欠きを形成した。
また、ダイシングブレードは上記のダイシングブレードを用い、室温よりも低温に冷却した切削水をダイシングブレード及びウェーハに供給しながらダイシングするようにした。
【選択図】 図1
Description
本発明はダイシングブレード及びダイシング方法に関し、特に半導体装置や電子部品等のウェーハを個々のチップに分割するダイシングブレード及びダイシング方法に関する。
半導体製造工程等において、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハは、プロービング工程で電気試験が行われた後、ダイシング工程で個々のチップ(ダイ、又はペレットとも言われる)に分割され、次に個々のチップはダイボンディング工程で部品基台にダイボンディングされる。ダイボンディングされた後はワイヤボンディングされ、ワイヤボンディングされた後は、樹脂モールドされて、半導体装置や電子部品等の完成品となる。
プロービング工程の後ウェーハは、図5に示すように、片面に粘着層が形成された厚さ100μm程度の粘着シート(ダイシングシート又はダイシングテープとも呼ばれる)Sに裏面を貼り付けられ、剛性のあるリング状のフレームFにマウントされる。ウェーハWはこの状態でダイシング工程内、ダイシング工程ダイボンディング工程間、及びダイボンディング工程内を搬送される。
ダイシング工程では、ダイシングブレードと呼ばれる薄型砥石でウェーハWに研削溝を入れてウェーハをカットするダイシング装置が用いられている。ダイシングブレードは、微細なダイヤモンド砥粒をNiで電着したもので、厚さ10μm〜30μm程度の極薄のものが用いられる。
このダイシングブレードを30,000〜60,000rpmで高速回転させてウェーハWに切込み、ウェーハWを完全切断(フルカット)する。このときウェーハWの裏面に貼られた粘着シートSは、表面から10μm程度しか切り込まれていないので、ウェーハWは個々のチップTに切断されてはいるものの、個々のチップTがバラバラにはならず、チップT同士の配列が崩れていないので全体としてウェーハ状態が保たれている。
この後ウェーハWはダイボンディング工程に送られる。ダイボンディング工程ではダイボンダが用いられる。ダイボンダではウェーハWは先ずエキスパンドステージに載置され、次に粘着シートSがエキスパンドされて、チップT同士の間隔が広げられチップTをピックアップし易くしている。
次に、下方からチップTをプッシャで突上げるとともに上方からコレットでチップTをピックアップし、基台の所定位置にチップTをボンディングする。
チップTのボンディングは、基台に接着ペーストを塗布しておき、そこにチップTを押付ける方法等が行われていたが、近年接着剤を有する非導電性エポキシ樹脂等のダイアタッチフィルムと呼ばれるシートを介してチップTをボンディングする方法が用いられるようになってきた。
この方法では、先に基台にダイアタッチフィルムを貼付しておき、その場所にチップTを熱圧着する方法が用いられていたが、最近はダイシング前のウェーハWの裏面にダイアタッチフィルムを貼付し、ダイシング工程でウェーハWをダイアタッチフィルムごと切断して、ダイアタッチフィルム付のチップTを製造し、これを基台に熱圧着する方法が主流になりつつある。
この場合、ダイシング工程では、ウェーハWだけでなく樹脂製のダイアタッチフィルムをも切断するため、ダイシングブレード先端部にダイアタッチフィルム材が付着して目詰まりを起こしたり、ダイアタッチフィルムの切り屑がウェーハ表面に付着するという問題があった。
一方、ダイシングブレードの一般的な機能向上を図るために、ダイシングブレードの表裏両面に複数の溝を放射状に形成し、加工部への切削水の供給と切粉の排除の改善を狙ったダイシングブレードが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開平6−188308号公報
ところが、近年ウェーハ1枚当たりのチップ収量を増加させるため、ストリートと呼ばれるダイシング時の切り代の幅が徐々に狭くなってきている。このため、このような狭ストリート用のダイシングブレードとして、厚さ10μm〜15μm程度の極薄のダイシングブレードが用いられるようになってきた。
このような極薄のダイシングブレードに前述の特許文献1の技術を適用したとしても、ダイシングブレードの表裏両面に形成する溝の深さはせいぜい数μmに過ぎず、加工部への切削水の供給と切粉の排除機能の向上はほとんど期待できない程度のものである。
また、近年スマートカードや、薄型ICカードに用いられる極薄チップを製造する場合のウェーハは、厚さ30μm〜50μm等の極薄のものが要求されている。一方ダイアタッチフィルムは厚さ100μm程度が一般的であり、ダイシングブレード先端部へのダイアタッチフィルム材の付着によるダイシングブレードの目詰まりや、ダイアタッチフィルムの切り屑のウェーハ表面への付着が一層顕著に現れるようになってきた。
即ち、厚さが厚いウェーハの場合、ダイシングブレード先端部に付着したフィルム材の切り粉がウェーハを加工中に大部分取り除かれるので、目詰まりが顕著に現れないが、極薄のウェーハの場合はこのような作用が少なく、目詰まりや切り屑の付着が顕著に現れるのである。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、裏面にダイアタッチフィルムが貼付された極薄のウェーハのダイシングにおいて、ブレード先端部へのダイアタッチフィルム材の付着によるダイシングブレードの目詰まりを抑制するとともに、切り粉の排除機能を向上させたダイシングブレード、及びダイシング方法を提供することを目的とする。
本発明は前記目的を達成するために、ウェーハを個々のチップに分割するダイシングブレードであって、刃厚70μm以下の極薄型ダイシングブレードにおいて、該ダイシングブレードは、砥粒の粒度が#4000〜#6000で、砥粒の集中度が60〜90であり、結合材にはニッケルよりも軟質の金属が用いられるとともに、外周部に複数のV字型切欠きが形成されていることを特徴とする。
本発明のダイシングブレードによれば、砥粒の粒度が高番手のためチッピングが少なく、砥粒の集中度が低くまた軟質ボンドのため切れ味がよく、更にダイシングブレードの外周部に複数のV字型切欠きが形成されているので、ブレード先端部へのダイアタッチフィルム材の付着が低減し、切れ味持続効果を有するとともに、加工部への切削水の供給が促進され切削負荷が低減し、併せて切粉排除機能が向上する。
また本発明のダイシングブレードは、前記V字型切欠きの底部の角度が80°〜100°であることを付加的要件としている。これによれば、V字型切欠きの肩部がブレード外周部と広角で交わるので、V字型切欠きの肩部によってウェーハに生じるチッピングが減少する。
また、本発明は前記目的を達成するために、ウェーハを個々のチップに分割するダイシング方法において、前記請求項1又は請求項2に記載のダイシングブレードを用い、室温よりも低温の切削水を前記ダイシングブレード及び前記ウェーハに供給しながらダイシングすることを特徴とする。
また、本発明のダイシング方法は、前記切削水の温度が10℃以下であることを付加的要件とし、更に前記ウェーハが、裏面にダイアタッチフィルムが貼付されたウェーハであることを付加的要件としている。
本発明のダイシング方法によれば、砥粒の粒度が高番手で、砥粒の集中度が低くまた軟質ボンドを使用するとともに外周部に複数のV字型切欠きが形成されたダイシングブレードを用いているので、チッピングが少なく、切れ味がよく、更にブレード先端部へのダイアタッチフィルム材の付着が低減し、切れ味持続効果を有するとともに、加工部への切削水の供給が促進されて切削負荷が低減し、併せて切粉排除機能が向上する。
また、低温の冷却水によってダイアタッチフィルムが硬化するので、目詰まり防止効果の向上と、ウェーハ裏面のチッピング低減が図れる。
以上説明したように本発明のダイシングブレード及びダイシング方法によれば、裏面にダイアタッチフィルムが貼付された極薄のウェーハのダイシングにおいて、ブレード先端部へのダイアタッチフィルム材の付着によるダイシングブレードの目詰まりが抑制されるとともに、切り粉の排除機能が向上し、更にウェーハに生じるチッピングが減少する。
以下添付図面に従って本発明に係るダイシングブレード及びダイシング方法の好ましい実施の形態について詳説する。尚、各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。
図1は、本発明の実施の形態に係るダイシングブレードを表わす平面図で、図2は側断面図である。ダイシングブレード10は、図1及び図2に示すように、アルミニューム(Al )製のフランジ10Cと切断刃10Aとから成っている。
切断刃10Aは、フランジ10Cの一方の端面にダイヤモンド砥粒を、ニッケル(Ni )と銅(Cu)等のニッケルよりも軟質の金属との合金を結合材として、電気メッキ技術を用いた電鋳法で固着させたもので、ダイヤモンド砥粒を固着させた後フランジ10Cの鍔部10D(図2の2点鎖線で示す部分)をエッチングで取り除くことにより刃部が形成される。
結合材に通常のニッケルよりも軟質の金属を用いることにより、砥粒の自生作用が活発化し切れ味が持続する効果がある。
ダイヤモンド砥粒は粒度#4000〜#6000の細かい砥粒が用いられ、ウェーハ切断時のチッピングを減少させるようになっている。また、切断刃10A中に占める砥粒の割合を表わす集中度は、ダイヤモンドの重量単位を基準としており、4.4ct/cm3 を100とすることから、体積%の4倍の値となっているが、本実施の形態では60〜90とした。
集中度が60よりも小さいと、砥粒の数が不足して切れ味が低下し、90よりも大きいと砥粒間に形成されるポケットが小さすぎて切削水の供給と切り粉の排除が悪くなり、同じく切れ味が低下する。本実施の形態では、集中度が60〜90が好ましいが、70〜80が更に好適である。
切断刃10Aのの外径は約50mmで、厚さは10μm〜30μm程度のものがウェーハWのストリートKの幅に対応して用いられる。また、ストリート幅が広い場合は厚さは70μm程度まで適宜用いられる。
切断刃10Aの先端部(外周部)には、図1に示すように、複数のV字型切欠き10B、10B、…が円周上等間隔に形成されている。V字型切欠き10Bの底部、及びV字型切欠き10Bの肩部と外周円との接続部は夫々円弧で緩やかに連結されている。
V字型切欠き10Bの底部の角度即ちV字角度θは80°〜100°が好ましく、更に好ましいのは85°〜95°である。V字角度θが80°よりも小さいと、V字型切欠き10Bと外周部との接続部の角度がきつくなり、切断時にチッピングが生じやすい。また、100°よりも大きいと、切削水の搬送効果と切削屑排出効果が低下する。
V字型切欠き10Bの開口幅Lは200μm程度、深さHは100μm程度である。また、V字型切欠き10Bの形成数は多過ぎてもまた少な過ぎても良好な切断結果が得られず、12個〜20個が好ましい。
V字型切欠き10Bの形成方法は、切断刃10Aの刃部形成後、外周部にエッチングでV字型切欠き10Bを形成してもよいが、ダイシングブレード10のフランジ10Cの鍔部10D(図2の2点鎖線で示す部分)の外周部に予めV字型の切欠きを形成しておき、このフランジ10Cの端面にダイヤモンド砥粒を電着することによりV字型切欠き10Bを有する切断刃10Aが形成される。この後切断刃10Aの突出した量だけフランジ10Cの鍔部10Dをエッチングで取り除けばよい。
次に、本発明に係るダイシング方法の実施の形態について説明する。ウェーハWは厚さ100μm以下の極薄で、裏面にダイアタッチフィルムが貼付されている。ウェーハWはこのように裏面にダイアタッチフィルムが貼付された状態で、図5に示すように、粘着シートSを介してフレームFにマウントされ、ダイシング装置に供給される。
図3は、ダイシング装置の切断部の一部を表わした斜視図である。本発明に係るダイシング方法では、前述したダイシングブレード10を用いる。ダイシングブレード10を、図3に示すように、高周波モータ内臓のスピンドル21に取り付け、30,000〜60,000rpmで高速回転する。
なお、ダイシングブレード10の外周に形成されたV字型切欠き10B、10B、…は微小形状のため、図3ではその表記を省略してある。また、図3ではウェーハWの裏面に貼付されているダイアタッチフィルム、粘着シートS、及びフレームFもその記載を省略してある。
スピンドル21の前端部には、ダイシングブレード10を覆うフランジカバー23がダイシングブレード10の前方側及び下方側のみ開口した状態で取り付けられている。フランジカバー23にはダイシングブレード10の先端に切削水を供給する冷却ノズル36、及びダイシングブレード10を両側から挟む状態で切削水を供給する洗浄ノズル37、37が設けられている。
冷却ノズル36及び洗浄ノズル37、37を夫々供給ホース38、39で切削水冷却装置40を介して切削水供給装置50に接続し、切削水冷却装置40で室温よりも低温に冷却された切削水を加工部に供給する。
切削水の冷却温度は10℃以下が好ましく、本実施の形態では5℃に冷却した切削水を供給している。なお、切削水には純水にCО2 をバブリングして用いている。
このような条件の下でウェーハWとダイシングブレード10とを、ウェーハWのストリートKに沿って相対的に移動させ、図4に示すように、ウェーハWを裏面に貼付されたダイアタッチフィルムDごと完全切断(フルカット)する。即ちダイシングブレード10の切り込み量をウェーハWの厚さとダイアタッチフィルムDの厚さとの和プラス10μm程度に設定し、粘着シートSに10μm程度切り込むことによってウェーハWをダイアタッチフィルムDごとフルカットする。
なお、ダイシング装置の全体動作は一般によく知られているので説明を省略する。
このようにして極薄のウェーハWをフルカットダイシングすることにより、低温切削水の冷却効果でダイアタッチフィルムDが硬化され、ウェーハ裏面チッピングの低減とフィルム切り屑の発生が低減され、また、ダイシングブレード10のV字型切欠き効果で目詰まり防止、チッピング低減、切り屑排除、切削水好適供給等が図られるので、目詰まり、チッピング、表面汚染に対し多大な効果がある。
なお、前述の実施の形態では、ダイシングブレード10はフランジ10C付のタイプで説明したが、本発明はこれに限らず、フランジと一体になっていないワッシャタイプのブレードであってもよい。また、使用砥粒もダイヤモンド砥粒に限らず、CBN(キュービック・ ボロン・ナイトライド)砥粒等を用いてもよく、更に電鋳ブレードに限らず、通常のメタルボンドブレードやレジンボンドブレードに適用してもよい。
10…ダイシングブレード、10A…切断刃、10B…V字型切欠き、10C…フランジ、40…切削水冷却装置、50…切削水供給装置、D…ダイアタッチフィルム、F…フレーム、S…粘着シート、T…チップ、W…ウェーハ
Claims (5)
- ウェーハを個々のチップに分割するダイシングブレードであって、刃厚70μm以下の極薄型ダイシングブレードにおいて、
該ダイシングブレードは、砥粒の粒度が#4000〜#6000で、砥粒の集中度が60〜90であり、結合材にはニッケルよりも軟質の金属が用いられるとともに、外周部に複数のV字型切欠きが形成されていることを特徴とするダイシングブレード。 - 前記V字型切欠きの底部の角度が80°〜100°であることを特徴とする、請求項1に記載のダイシングブレード。
- ウェーハを個々のチップに分割するダイシング方法において、
前記請求項1又は請求項2に記載のダイシングブレードを用い、
室温よりも低温の切削水を前記ダイシングブレード及び前記ウェーハに供給しながらダイシングすることを特徴とするダイシング方法。 - 前記切削水の温度が10℃以下であることを特徴とする、請求項3に記載のダイシング方法。
- 前記ウェーハが、裏面にダイアタッチフィルムが貼付されたウェーハであることを特徴とする、請求項3又は請求項4に記載のダイシング方法。
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2003
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