JPH1060391A - 半導体ウェハ保護用粘着フィルム及びこれを用いた表面保護方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バックグラインド時はウェハ回路面の凹凸を
吸収し、ウェハの割れ、研磨むら等を防止し、ダイシン
グ時は回路面を保護し、刃の寿命を低下させず、ダイボ
ンディング時は加熱のみで容易に半導体ウェハから粘着
フィルムを剥離できる半導体ウェハ保護用粘着フィルム
及びこれを用いた表面保護方法を提供すること。 【解決手段】 熱収縮性を有するフィルム基材の表面に
側鎖結晶性を有するポリマを主成分とする粘着層を設け
てなる粘着フィルム（１）の背面に、さらに粘着層とフ
ィルム基材からなる粘着フィルム（２）を貼りあわせて
なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ保護
用粘着フィルム及びこれを用いた表面保護方法に係り、
更に詳しくは、半導体ウェハのバックグラインドの際
は、ウェハ電子回路面の凹凸に発生する応力集中による
ウェハの割れ及び、表面凹凸に起因するウェハの研磨む
らを防止し、ダイシング時は、切断屑等の異物が電子回
路面に付着することを防止し、最後に、加熱により被着
体から容易に剥離、除去できる半導体ウェハ保護用粘着
フィルム及びこれを用いた表面保護方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子回路形成後の半導体ウェハは、裏面
を機械的に研磨するバックグラインド、回路チップ毎に
半導体ウェハを切断するダイシング、リードフレームに
半導体チップを接着するダイボンディング、これらを樹
脂で封止するモールディングを経て、いわゆる集積回路
（ＩＣ）になる。

【０００３】これらの工程の中で、バックグラインド
は、電子回路形成後の半導体ウェハの裏面を機械的に研
削して薄くすることが目的である。具体的には、半導体
ウェハ電子回路面に保護フィルムを貼りつけ、回転式研
磨材を用いてウェハ裏面を研磨する工程である。この際
一般に、バックグラインド用の保護フィルムで表面を保
護する目的は、研磨時の削り屑等から回路面を保護し、
また、回路面の凹凸に起因し発生する応力集中によるウ
ェハの割れを防ぐためである。そのため、フィルム基材
には約１００μｍ以上の柔らかいものが用いられる。

【０００４】また、ダイシング工程では半導体ウェハ
は、裏面を粘着フィルムで固定され回転式丸刃を用いて
ダイシングされる。このダイシングの際に半導体ウェハ
回路面は、回転式丸刃の冷却、発生した切り屑の除去を
目的に常時水により洗浄されているものの、発生した楔
状の切り屑が電子回路面に突き刺さったり、電子回路面
に付着して半導体ウェハ回路面が汚染され、ＩＣの製造
歩留りを低下させるという問題がある。特に近年におけ
る回路密度の向上により、この問題は深刻化している。

【０００５】これらの問題を解決するための方法とし
て、特公平５−７１６８号公報に開示されるように、放
射線架橋型の粘着剤を熱収縮性フィルムに塗布し、電子
回路形成後の半導体ウェハ回路面に貼り付け、ダイシン
グの際に表面を保護し、ダイボンディング直前にＵＶを
照射することにより粘着剤を３次元架橋させることによ
り、半導体ウェハとの接着力を低下させ、更に加熱する
ことによりプラスチックフィルムを粘着剤とともに収縮
剥離させる方法が提案されている。

【０００６】また、我々は先に、熱収縮性を有するプラ
スチックフィルム基材と、粘着剤として構成モノマーの
２０〜８０重量％が側鎖の炭素原子数８以上の櫛形ポリ
マーで、シリコンウェハに対する接着力が粘着剤の融点
付近で５０gf／２５mm以上、且つ８０℃で２０gf／２５
mm以下であるものを用いた、ウェハ保護用粘着フィルム
をウェハ回路面に貼り付け、そのままダイシングを行い
表面を保護し、ダイボンディング時の熱で加熱収縮さ
せ、剥離除去する方法を提案した。（特願平７−６２３
７２号）

【０００７】しかしながら、これらの方法で得られる半
導体ウェハ保護用粘着フィルムを、バックグラインド時
から適用しようとすると、バックグラインド時に、電子
回路、バンプ、バッドマーク等のウェハ回路面の凹凸に
起因する応力集中によりウェハの割れ及び、その凹凸に
起因する研磨むら等が発生する。これを防ぐために、フ
ィルム基材を厚くすると、ダイシング時、ダイシングソ
ウの刃に目詰まりが起こり、刃の割れや、寿命が極端に
短くなるという問題が発生する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、これらの欠
点を鑑み、バックグラインド時はウェハ回路面の凹凸を
吸収し、ウェハの割れ、研磨むら等を防止するととも
に、ダイシング時は回路面を保護し、刃の寿命を低下さ
せず、ダイボンディング時は加熱のみで容易に半導体ウ
ェハから粘着フィルムを剥離できる半導体ウェハ保護用
粘着フィルム及びこれを用いた表面保護方法を提供する
ことを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、これらの
問題を解決するために鋭意検討した結果、フィルム基材
を２層構造にすることによって、バックグラインド時
は、ウェハ回路面の凹凸を吸収し、その後、２層目を剥
離し、ダイシング時はウェハ回路面の保護及び、刃の寿
命低下の抑制ができることを見い出し、本発明に至っ
た。

【００１０】即ち本発明は、熱収縮性フィルム基材の表
面に側鎖結晶性を有するポリマを主成分とする粘着層を
設けてなる粘着フィルム（１）と、その背面にさらに粘
着層とフィルム基材からなる粘着フィルム（２）を貼り
あわせてなる２層構造の半導体ウェハ保護用粘着フィル
ムであって、バックグラインド及びダイシングの両工程
にわたり、電子回路面を保護する半導体ウェハ保護用粘
着フィルム及びこれを用いた表面保護方法に関するもの
である。

【００１１】

【発明の実施の形態】次に、本発明を詳細に説明する。
本発明に用いる１層目（１）の基材の熱収縮性プラスチ
ックフィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリスチレン等が
使用できる。また厚さは、６〜３０μｍが好ましい。こ
れは、厚みが３０μｍ以上あるとダイシング時刃の寿命
が極端に短くなってしまう。熱収縮性プラスチックフィ
ルムは、後に塗布される粘着剤との密着を高める目的か
ら、物理的又は化学的処理の何れか又は両方の処理をし
た方が好ましい。物理的処理を例示すると、サンドブラ
ス、研磨処理等があり、化学処理としては、コロナ処
理、プラズマ処理、プライマー処理等が挙げられるが、
処理の際に熱が加わるとフィルムが収縮する恐れがある
ので、収縮フィルムの収縮温度以上の熱がかからない処
理が好ましい。処理と効果の兼ね合いからコロナ処理が
より好ましい。また収縮率は、剥離の温度にもよるが一
般には、８０〜１５０℃で数秒間加熱後の収縮率が１０
％以上のものが好ましい。この収縮率が１０％未満にな
ると、加熱時に粘着フィルムが旨く剥離しなくなるとい
う不都合が生じる恐れがある。また、粘着剤を塗布する
面の背面に離型処理をすることもできる。例示すると、
シリコン剥離型、ＰＶＣＡ（ポリビニルアルコールアル
キルカーバメート）処理等が挙げられるが、限定するも
のではない。これは、１層目の粘着フィルムと２層目の
粘着フィルムとをラミネートする際に、１層目に対する
２層目の接着力を抑えるためである。この時も、温度が
上がり過ぎないように注意する必要がある。

【００１２】第１層目の粘着フィルムに用いる粘着剤
は、櫛形ポリマーで側鎖の炭素原子数が８以上のものを
用いる。櫛形ポリマーとは、N.A.Plate et.al.;Polym.S
ci.;Mcromolecular Reviews,8,117-253(1974) で定義さ
れるように、１本の主鎖が多数の枝分かれを持つもの
で、ポリマーを構成するモノマーが炭素原子数４以上の
側鎖を持つものである。本発明では、側鎖の炭素原子数
が８以上のものを使用する。その例として、ポリ（α−
オレフィン）、ポリ（アクリル酸アルキルエステル）、
ポリ（メタクリル酸アルキルエステル）、ポリ（ビニル
アルキルエーテル）、ポリ（ビニルアルキルエステ
ル）、ポリ（アルキルスチレン）等が挙げられる。

【００１３】これらの中でポリ（アクリル酸アルキルエ
ステル）、ポリ（メタクリル酸アルキルエステル）が特
に好ましく、この場合ポリマーを構成するモノマーの２
０〜８０重量％が炭素数９以上、好ましくは１２以上の
アルキルエステルである必要がある。これは、エステル
炭素原子数が９以上で側鎖結晶性を有するようになり、
一次転移点（融点）が観測されるようになるためであ
る。ここで粘着剤の融点とは、ＤＳＣ（示差走査熱量
計、昇温速度１０℃／分）で測定した鋭い吸熱のピーク
の頂点の温度である。

【００１４】これらモノマーを例示すると、アクリル酸
ドデシル、アクリル酸テトラデシル、アクリル酸ペンタ
デシル、アクリル酸ヘキサデシル、アクリル酸オクタデ
シル、アクリル酸ドコサン等が挙げられ、メタクリル酸
誘導体についても同様であるが、これらに限定されるも
のではない。アルキルエステルは直鎖の方が好ましい
が、枝分かれしていても構わない。これら長鎖エステル
モノマー量が全体モノマーの２０重量％未満になると、
ポリマーの融点以上での接着力の低下が緩慢になるため
好ましくない。また、長鎖エステルモノマーが８０重量
％よりも多くなると、融点付近での接着力が低くなり粘
着剤として使用できないので好ましくない。直鎖エステ
ルモノマーの種類は、所望の融点に合わせて選定する。
粘着剤の融点は、粘着フィルム使用温度よりも低い方が
好ましく、更に具体的には０〜４０℃が好ましい。粘着
フィルムを粘着剤の融点以下にすると接着力が下がり保
持できなくなる恐れがある。

【００１５】上記粘着剤には、接着力等の制御のために
汎用のアクリル酸（メタクリル酸）誘導体を併用するこ
ともできる。汎用のアクリルモノマーとしては、アクリ
ル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル
酸−ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ヘ
キシル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸
−２−ヒドロキシエチル、アクリル酸−２−ヒドロキシ
プロピル、アクリル酸アミド、アクリル酸グリシジル、
アクリル酸−２−シアノエチル、アクリロニトリル等が
挙げられるが、これらに限定されるものではない。メタ
クリル酸誘導体についても同様である。本発明の目的を
失わない範囲で、前述の直鎖エステルモノマーと共重合
したり、これらの２種類以上のホモポリマーをブレンド
したり、これらを組み合わせても構わない。むしろ所望
の特性を満足させるために変性する方が好ましい。

【００１６】アクリル酸（メタクリル酸）誘導体のポリ
マーは、従来の方法で重合され、重合方法、重合溶媒、
重合開始剤等に限定はないが、その重量平均分子量は、
ポリスチレン換算で３０万〜１５０万が好ましく、５０
万〜１００万であれば更に好ましい。分子量が３０万以
下になると粘着フィルム剥離時に、粘着剤が凝集破壊を
起こし易くなるため好ましくない。また、１５０万を越
えても被着体との接着力が弱くなったり汎用の溶媒に溶
け難くなるため好ましくない。

【００１７】さらに粘着剤は、その凝集力を向上させる
目的から架橋剤及びその触媒によって架橋する必要があ
る。これを例示すると、イソシアネート、エポキシ、ア
ミン、イミド、メラミン樹脂等が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。しかし、架橋剤を多量に添
加すると架橋の密度が高くなり過ぎ接着力が低下するの
で好ましくない。逆に、架橋剤が少な過ぎると粘着剤の
凝集力が不足し被着体への糊残りの原因となるため好ま
しくない。また、この粘着剤にはその他、タック付与
剤、着色剤等の添加剤を添加することもできる。

【００１８】前述の熱収縮性プラスチック基材に粘着剤
を均一に塗布、乾燥することにより、１層目の粘着フィ
ルムを得る。該粘着フィルムを製造するための塗工、搬
送、乾燥の方法については特に制限はないが、乾燥を行
う際の温度は重要である。あまり温度を高くし過ぎると
熱収縮性フィルムが収縮してしまい、半導体ウェハから
剥離する際に充分に収縮せず、その結果うまく剥離しな
くなる恐れがある。フィルム上に塗布する粘着剤厚み
は、接着力を勘案して決定されるが、一般に１〜１０μ
ｍが好ましい。これより厚いと、ダイシングの際に刃に
目詰まりが起こり寿命を縮めてしまう。

【００１９】この１層目の粘着フィルムの接着力は、粘
着剤の融点付近ではある程度高く、加熱剥離する高温で
低くなるのが好ましい。具体的には、シリコンウェハに
対する接着力が、粘着剤の融点付近で５０gf／２５mm以
上あり、且つ８０℃で２０gf／２５mm以下になるのが好
ましい。融点付近で５０gf／２５mm以下であると、半導
体ウェハ加工時に粘着フィルムが剥がれてしまう恐れが
ある。また、８０℃で２０gf／２５mm以上あると、収縮
させて剥がす際にきれいに剥離しないことがある。

【００２０】２層目の粘着フィルム（２）のフィルム基
材としては、汎用のポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリエステル、ポリスチレン等が使用で
きるが、これらに限定されるものではない。その構成は
単一層でも多層でも良い。しかし、あまりフィルムが硬
いとバッドマークを吸収できないので、ある程度の柔軟
性が必要である。また厚さは、５０〜２００μｍが好ま
しい。これは、これより薄いとバックグラインドの際、
ウェハ回路面の凹凸の吸収性が悪くなり、それに起因す
るウェハの割れ、研磨むらが発生する。また、これによ
り厚いと研磨精度が落ちるという不都合が生じる。プラ
スチックフィルムは、後に塗布される粘着剤との密着を
高める目的から、物理的又は化学的処理の何れか又は両
方の処理をした方が好ましい。物理的処理を例示する
と、サンドブラスト、研磨処理等があり、化学処理とし
ては、コロナ処理、プラズマ処理、プライマー処理等が
挙げられる。処理と効果の兼ね合いからコロナ処理がよ
り好ましい。

【００２１】２層目の粘着フィルムの粘着剤としては、
汎用の粘着剤を使用できる。これらの中でよく用いられ
るものとしては、アクリル粘着剤がある。これは、比較
的扱いやすく変性も容易であることからよく使用され
る。更に、その凝集力を向上させる目的から架橋剤及び
その触媒によって架橋することも可能である。これを例
示すると、イソシアネート、エポキシ、アミン、イミ
ド、メラミン樹脂等が挙げられるが、これらに限定され
るものではない。その他、タック付与剤、着色剤等の添
加剤を添加することもできる。この粘着剤の接着力につ
いては、１層目の粘着剤の接着力より低く、その半分以
下であれば更に好ましい。これは、バックグラインド
後、２層目の粘着フィルムのみ選択的に剥離するためで
ある。

【００２２】前述のプラスチックフィルム基材に、粘着
剤を均一に塗布、乾燥することにより、２層目の粘着フ
ィルムを得る。該粘着フィルムを製造するための塗工、
搬送、乾燥の方法については特に制限はない。フィルム
上に塗布する粘着剤の厚みは、接着力を勘案して決定さ
れ、１〜１５μｍが好ましい。

【００２３】このようにして得られた２つの粘着フィル
ムをラミネートして、半導体ウェハ保護用粘着フィルム
とする。このラミネートの圧力、速度等の条件は特に制
限はないが、温度条件は重要である。これは、あまり温
度を高くし過ぎると１層目の熱収縮性フィルム基材が収
縮してしまい、半導体ウェハから剥離する際に充分に収
縮せず、その結果うまく剥離しない恐れがある。また、
フィルム１が収縮するとラミネート時シワ混入の原因に
なる。

【００２４】このようにして得られた半導体ウェハ保護
用粘着フィルムを電子回路形成後の半導体ウェハの回路
面に貼り付ける。貼り付け温度は粘着剤の融点以上が好
ましい。融点以下であるとタック性に乏しいためうまく
貼り付かない。貼り付け圧力、貼り付け方法に限定はな
い。このようにして、半導体ウェハ保護用粘着フィルム
を貼り付けられた半導体ウェハは、バックグラインド、
ダイシング等の加工を行い、この間、半導体ウェハ保護
用粘着フィルムは半導体ウェハ電子回路面を保護する。
（図１参照）

【００２５】この半導体ウェハ保護用フィルムで保護し
た半導体ウェハをバックグラインドする時の方法は、従
来の方法で行われれば良く特に限定はないが、融点より
１０℃低い温度から融点より５℃高い温度の範囲で行わ
れるのが好ましい。あまり温度が上がり過ぎるとフィル
ムが収縮して剥がれる恐れがあり、低過ぎても接着力が
低下して保持できなくなるので好ましくない。（図２参
照）

【００２６】バックグラインド終了後、２層目の粘着フ
ィルムのみを選択的に剥離する。この剥離方法は、従来
のバックグラインドテープの剥離方法で行えば良く、特
に限定はない。この時、２層目の粘着剤の１層目のフィ
ルム基材（１）に対する接着力が高いと、旨く２層目だ
けを剥離できないので好ましくない。ここでも温度が上
がり過ぎないように注意する。

【００２７】次にダイシング方法であるが、これも従来
の方法で行われれば良く特に限定はないが、融点より１
０℃低い温度から融点よりも５℃高い温度の範囲で行わ
れるのが好ましい。切断する刃については、通常のダイ
ヤモンドを樹脂等で固めた専用のダイシングソウを用い
れば良い。（図３参照）

【００２８】更に、ダイシング後のチップを加熱するこ
とによって、残った半導体ウェハ保護用粘着フィルムの
剥離を行う。その加熱方法は、ダイシングフィルムに付
けたまま加熱する方法、ピックアップ後に加熱する方
法、リードフレーム上に載せダイボンディングする際の
熱により加熱する方法等があるが、限定されるものでは
ない。その中でもダイボンディング時の熱を利用する方
法は、効率が良く、ダイボンディング時までチップ表面
を保護できるため好ましい。その温度は、熱収縮性フィ
ルムが充分に収縮する温度であり、且つチップにダメー
ジを与えない範囲である必要がある。一般には、８０〜
１５０℃が好ましい。最後に、加熱により粘着フィルム
（１）を収縮させて、半導体チップより浮いた状態にし
て、粘着フィルムを除去する。その除去方法としては、
ブロー、吸引、チップを裏返しての自然落下等が挙げら
れるが限定されるものではない。この時、加熱しても接
着力が高いままだと粘着フィルムがチップから浮かなく
なり、うまく除去できないので好ましくない。

【００２９】本発明は、２層構造の粘着フィルムで、バ
ックグラインド及びダイシングの両工程にわたり、電子
回路面を保護する半導体ウェハ保護用粘着フィルムに使
用するものである。これを半導体ウェハの回路面に貼り
付け、ウェハ回路面の凹凸を吸収する必要のあるバック
グラインド時は柔軟な厚みのある構造で、その後２層目
の粘着フィルムを除去し、１層目の粘着フィルムを貼り
付けたままダイシングを行うようにしたのでダイシング
時は刃に負担がかからない。また加熱によって容易に剥
離、除去できる。

【００３０】

【実施例】以下本発明を実施例に基づいて説明する。
尚、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００３１】合成例１ アクリル酸ヘキデシル（以下Ｃ１６Ａと略す）、アクリ
ル酸エチル（以下ＥＡと略す）、アクリル酸−２−ヒド
ロキシエチル（以下ＨＥＡと略す）を、重合開始剤とし
てアゾビスイソブチロニトリル（以下ＡＩＢＮと略す）
を用い窒素気流中、酢酸エチル（以下ＥｔＡｃと略す）
を溶媒として８０℃で４時間重合し、アクリルポリマー
を得た。残留モノマー及び低分子量物を除去する目的か
ら、このポリマー溶液の大略１０倍量のｎ−ヘキサン中
で十分に撹拌し、洗浄した。その後一昼夜静置し、析出
したアクリル酸ポリマーを単離し真空乾燥機で８０℃、
１２時間乾燥しドライポリマーを得た。このドライポリ
マーを固形分濃度が２０重量％になるようトルエンに溶
解、希釈したアクリル粘着剤を得た。各材料の仕込み
量、得られたアクリルポリマーの重量平均分子量及び融
点を表１に示す。

【００３２】合成例２ Ｃ１６Ａの代わりにアクリル酸オクタタデシル（以下Ｃ
１８Ａと略す）を用いた他は、合成例１と同様にしてア
クリル粘着剤を得た。各材料の仕込み量、得られたアク
リルポリマーの重量平均分子量及び融点を表１に示す。

【００３３】

【表１】 ＊１：ＧＰＣ（ケ゛ルハ゜ーミネーションクロマトク゛ラフィー ）によるホ゜リスチ
レン換算重量平均分子量 ＊２：ＤＳＣ（示差走査熱量計）による測定値（１０℃
／分）

【００３４】実施例１及び２ 合成例１及び２で得られた粘着剤にアクリルポリマー中
の水酸基に対し、０．６当量のヘキサメチレンジイソシ
アネート（以下ＨＭＤＩと略す、和光純薬株式会社製）
を添加、混合した。

【００３５】これらの粘着剤を乾燥後の厚みが１０μｍ
になるように、２５μｍ厚みの熱収縮性ポリエステルフ
ィルム（東洋紡績株式会社製、スペーススクリーンＳ２
６００）に均一になるよう塗布し、６０℃で２０分間乾
燥し粘着フィルムの１層目を得た。この時に、フィルム
の粘着剤塗布面の反対側にＰＶＣＡ（一方社油脂工業株
式会社製、Ｐ−１０１０Ｓ）を塗布した。

【００３６】汎用のアクリル粘着剤（Ｔｇ：−４３℃）
を用いて、ポリエチレンフィルム１２０μｍ（日立化成
工業株式会社製、ＣＡ−１２０）に粘着剤の厚み２５μ
ｍになるように塗布し、８０℃で２０分間乾燥し粘着フ
ィルムの２層目を得た。

【００３７】得られた２つの粘着フィルムを室温で６kg
f/cm、２m/min の条件でラミネートし、ウェハ保護用粘
着フィルムを得た。

【００３８】得られた粘着フィルムを、高さ約２０μｍ
のバッドマークの付いたシリコンウェハ（回路付）にこ
の２層フィルムを貼り付け、バックグラインドを行い、
シリコンウェハの割れを観察したところ、何れも割れは
見られなかった。

【００３９】また、得られた粘着フィルムを、２μｍ厚
みのα線遮断用ポリイミド樹脂（日立化成工業株式会社
製、Ｐ１Ｘ１４００）を塗布した４インチシリコンウェ
ハに表２に示すように、融点よりも約１０℃高い温度で
６kgf/cm、２ｍ／分の条件で貼り付けた。

【００４０】その貼り付けたサンプルを固定し、粘着フ
ィルムを貼り付けた面に市販のＰＥＴテープ（日東電工
株式会社製、NITTOTAPE ２５mm幅）を貼り、手で２層目
の粘着フィルムを剥離除去した。

【００４１】また、１層のみを上と同様に同じ被着体に
貼り付けたサンプルを用いて、カッターナイフで５mm角
の格子状に粘着フィルムに切れ目を入れた。このシリコ
ンウェハを２００℃、１分加熱した。何れの粘着フィル
ムも加熱によりシリコンウェハ上にカールしエアブロー
で容易に除去できた。除去後のシリコンウェハに糊残り
は全く観察されなかった。表２に融点付近及び８０℃で
のシリコンウェハに対する接着力を示す。

【００４２】比較例１ 合成例１の粘着剤を用いた１層目のみで構成された粘着
フィルムを使用し、その他は実施例１と同様に行った。
割れの試験でシリコンウェハに割れが発生した。その
他、２層剥離及び、加熱試験は実施例１と同様の結果に
なった。

【００４３】比較例２ ２層目の粘着剤に汎用の粘着剤（Ｔｇ：−５０℃）を用
い、厚みを１０μｍにした。その他は実施例１と同様に
行った。その結果、１層目に対する２層目の接着力が高
く、２層目のみを剥離することができなかった。そこ
で、手で剥離したが１層目に浮きが見られた。その他の
試験は、実施例１と同様の結果になった。

【００４４】比較例３ １層目の粘着剤に上記比較例２の粘着剤（Ｔｇ：−５０
℃）を用い他は、実施例１と同様の検討を行った。剥離
のための加熱を行っても粘着フィルムは収縮はしたが、
カールせず旨く剥離できなかった。

【００４５】比較例４ １層目の基材のフィルムに２５μｍ厚みのポリエステル
フィルム（ＥＭＢＬＥＴ、ユニチカ株式会社）を用いた
他は、実施例１と同様の検討を行った。加熱によるフィ
ルムの収縮は全く見られなかった。以上の例の結果を表
２に示す。

【００４６】

【表２】

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、半導体ウェハ保護用粘
着フィルムを用いて、半導体ウェハのバックグライン
ド、ダイシング等の加工を行うことにより、該工程では
半導体ウェハの回路面を保護し、剥離時には、放射線照
射を行うことなく、加熱するだけで簡単に半導体ウェハ
保護用粘着フィルムを除去することが可能となり、工程
の簡略化が図れた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の２層構造ウェハ保護用粘着フィルムを
回路付シリコンウェハに貼り付けた時の断面図である。

【図２】本発明の２層構造ウェハ保護用粘着フィルムを
回路付シリコンウェハに貼り付け、バックグラインドを
行う時の断面図である。

【図３】本発明の２層構造ウェハ保護用粘着フィルムを
回路付シリコンウェハに貼り付け、バックグラインドを
行い、２層目の粘着フィルムを剥離し、ダイシングを行
った時の断面図である。

【図４】本発明の２層構造ウェハ保護用粘着フィルムを
回路付シリコンウェハに貼り付け、バックグラインド、
ダイシングを行った後、加熱により粘着フィルムをシリ
コンチップから剥離除去する時の断面図である。

【符号の説明】

１ １層目の熱収縮性フィルム基材 ２ 粘着剤 ３ ２層目のフィルム基材 ４ 粘着剤 ５ シリコンウエハ ６ 回路 ７ ウエハチャック ８ 砥石 ９ ダイシング用粘着フィルム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/301 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｆ (72)発明者 上原 寿茂 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】熱収縮性フィルム基材の表面に側鎖結晶性
   を有するポリマを主成分とする粘着層を設けてなる粘着
   フィルム（１）と、その背面にさらに粘着層とフィルム
   基材からなる粘着フィルム（２）を貼りあわせてなる２
   層構造の半導体ウェハ保護用粘着フィルム。
2. 【請求項２】１層目の粘着剤を構成するモノマーの２０
   〜８０重量％が、側鎖の炭素原子数８以上の櫛形ポリマ
   ーで、シリコンウェハに対する接着力が、粘着剤の融点
   付近で５０gf／２５mm以上、且つ８０℃で２０gf／２５
   mm以下である請求項１記載の半導体ウェハ保護用粘着フ
   ィルム。
3. 【請求項３】１層目の粘着剤が、炭素原子数９以上のア
   ルキル基を持つ（メタ）アクリル酸エステルを、２０〜
   ８０重量％含むポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステ
   ルをベースレジンとする請求項１記載の半導体ウェハ保
   護用粘着フィルム。
4. 【請求項４】１層目の粘着剤の融点が０〜４０℃である
   請求項１又は２記載の半導体ウェハ保護用粘着フィル
   ム。
5. 【請求項５】請求項１記載の粘着フィルムを半導体ウェ
   ハの回路面に貼り付けた状態で半導体ウェハのバックグ
   ラインドを行い、ついで前記粘着フィルムの２層目を剥
   離して除去するとともに、１層目の粘着フィルム側から
   ダイシングを行った後、加熱することにより１層目の粘
   着フィルムを収縮剥離、除去することを特徴とする半導
   体ウェハの表面保護方法。